JP7386811B2 - 表示基板及びその製造方法 - Google Patents
表示基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7386811B2 JP7386811B2 JP2020562581A JP2020562581A JP7386811B2 JP 7386811 B2 JP7386811 B2 JP 7386811B2 JP 2020562581 A JP2020562581 A JP 2020562581A JP 2020562581 A JP2020562581 A JP 2020562581A JP 7386811 B2 JP7386811 B2 JP 7386811B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier
- insulating layer
- barrier wall
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 210
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 748
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 305
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 146
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 145
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 53
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 21
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 18
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 4
- -1 ITO or IZO Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
- H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
- H04M1/0264—Details of the structure or mounting of specific components for a camera module assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
- H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
- H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
(1)本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関する構造のみに関し、他の構造は通常の設計を参照してもよい。
(2)明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面では、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、すなわち、それらの図面は実際の比例で作成するものではない。なお、層、フィルム、領域や基板などの素子が他の素子「上」又は「下」に位置すると記載される場合、かかる素子は他の素子「上」又は「下」に「直接」位置してもよく、又は中間素子を介してもよい。
(3)矛盾しない場合、本開示の実施例及び実施例の特徴は互いに組み合わせて新たな実施例を得ることができる。
101 表示領域
201 バリア領域
202 第1バリア壁
203 第1遮断壁
202B 第1金属層構造
204 第2バリア壁
204B 第2金属層構造
204A 第1積層構造
301 開孔領域
Claims (16)
- 表示基板であって、
表示領域、バリア領域及び開孔領域を備え、前記表示領域と前記バリア領域とが前記開孔領域を取り囲み、前記バリア領域が前記表示領域と前記開孔領域との間に位置し、
前記バリア領域は、前記表示領域から前記開孔領域への方向に順に配列されている第1バリア壁、第1遮断壁及び第2バリア壁を備え、前記第1バリア壁、前記第1遮断壁及び前記第2バリア壁が前記開孔領域を取り囲み、
前記第1バリア壁は、第1金属層構造を備え、前記第1金属層構造における前記開孔領域の周りの少なくとも1つの側面に凹部があり、
前記第1遮断壁は、第1絶縁層構造を備え、
前記第2バリア壁は、第2金属層構造及び第1積層構造を備え、前記第2金属層構造が前記第1積層構造の上に位置し、前記第2金属層構造における前記開孔領域の周りの少なくとも1つの側面に凹部があり、前記第1積層構造が金属層と絶縁層とを含む積層を備え、
ベース基板を更に備え、
前記表示領域が薄膜トランジスタ及び蓄積コンデンサを備え、前記薄膜トランジスタが前記ベース基板に順に設置されるゲート電極、ゲート絶縁層及びソース・ドレイン電極を備え、前記蓄積コンデンサが第1極板及び第2極板を備え、前記第1極板が前記ゲート電極と同一層に設置され、前記第1金属層構造及び前記第2金属層構造は、前記ソース・ドレイン電極と同一層に設置され、
前記表示基板は、層間絶縁層をさらに備え、前記層間絶縁層は、少なくとも一部が前記ソース・ドレイン電極と前記ゲート絶縁層の間に位置し、前記第2極板は前記ゲート絶縁層と前記層間絶縁層との間に位置し、
前記第1バリア壁は第2絶縁層構造を更に備え、前記第1金属層構造が前記第2絶縁層構造の上に位置し、
前記第2絶縁層構造は、少なくとも前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層と同一層に設置される、表示基板。 - 前記第1金属層構造と前記第2金属層構造とは、それぞれ積層されている複数の金属サブ層を含み、前記第1金属層構造における前記複数の金属サブ層は、それぞれ前記第2金属層構造における前記複数の金属サブ層と同一層に設置される、請求項1に記載の表示基板。
- 前記第1積層構造の積層は、前記ベース基板に順に設置される第1金属サブ層、第1絶縁サブ層、第2金属サブ層及び第2絶縁サブ層を含み、
前記第1金属サブ層が前記ゲート電極と同一層に設置され、前記第1絶縁サブ層が前記ゲート絶縁層と同一層に設置され、前記第2金属サブ層が前記第2極板と同一層に設置され、前記第2絶縁サブ層が前記層間絶縁層と同一層に設置される、請求項1に記載の表示基板。 - 前記ベース基板に設置されるバリア層及びバッファ層を更に備え、
前記第2絶縁層構造は積層で設置される第1部分及び第2部分を含み、前記第1部分が少なくとも前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層と同一層に設置され、前記第2部分が少なくとも前記バリア層及び前記バッファ層と同一層に設置される、請求項1に記載の表示基板。 - 前記第2絶縁層構造の縦断面が全体として段差状を有する、請求項4に記載の表示基板。
- 前記表示領域は、更に、
前記薄膜トランジスタを平坦化するための平坦化層と、
前記平坦化層の前記薄膜トランジスタから離れる側に位置し、複数の画素ユニットを画定するための画素定義層と、
前記画素定義層の前記平坦化層から離れる側に位置するスペーサと、を備え、
前記第1遮断壁の前記第1絶縁層構造は、前記平坦化層、前記画素定義層及び前記スペーサのうちの少なくとも1つと同一層に設置される、請求項1~5のいずれか1項に記載の表示基板。 - 封止層を更に備え、前記封止層が少なくとも前記第1バリア壁を封止する、請求項1~6のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記封止層が前記第1バリア壁に順に積層で設置される第1無機封止層、第1有機封止層及び第2無機封止層を含む、請求項7に記載の表示基板。
- 第1有機絶縁層を更に備え、前記第1有機絶縁層が少なくとも前記第2バリア壁を被覆する、請求項1~8のいずれか1項に記載の表示基板。
- 前記バリア領域は、前記第1遮断壁に隣接し前記第1遮断壁の前記表示領域から離れる側に位置する第2遮断壁を更に備え、
前記第2遮断壁が前記第1遮断壁よりも高い、請求項6に記載の表示基板。 - 前記第2遮断壁が前記平坦化層、前記画素定義層及び前記スペーサと同一層に設置される、請求項10に記載の表示基板。
- 前記バリア領域が第3遮断壁及び第2有機絶縁層を更に備え、前記第3遮断壁が前記第2遮断壁の前記表示領域から離れる側に位置し、前記第2有機絶縁層が前記第2遮断壁と前記第3遮断壁との間に位置し前記第2バリア壁を被覆している、請求項10又は11に記載の表示基板。
- 前記第2遮断壁と前記第3遮断壁とは、それぞれ積層されている複数の絶縁サブ層を含み、前記第2遮断壁における前記複数の絶縁サブ層は、それぞれ第3遮断壁における前記複数の絶縁サブ層と同一層に設置される、請求項12に記載の表示基板。
- 前記バリア領域は、信号線のリード線を更に備え、前記信号線のリード線が前記表示領域の信号線に電気的に接続され、
前記信号線のリード線が前記第1バリア壁の前記表示領域に近い側に位置する、請求項1~13のいずれか1項に記載の表示基板。 - イメージセンサ及び/又は赤外線センサを更に備え、
前記イメージセンサ及び/又は赤外線センサは、前記ベース基板に接合され、前記ベース基板での正投影が前記開孔領域の少なくとも一部と重なる、請求項1~14のいずれか1項に記載の表示基板。 - 表示基板の製造方法であって、
表示領域、バリア領域及び開孔領域を形成し、前記表示領域と前記バリア領域とが前記開孔領域を取り囲み、前記バリア領域が前記表示領域と前記開孔領域との間に位置することを含み、
前記バリア領域を形成することは、前記表示領域から前記開孔領域への方向に順に配列されている第1バリア壁、第1遮断壁及び第2バリア壁を形成することを含み、前記第1バリア壁、前記第1遮断壁及び前記第2バリア壁が前記開孔領域を取り囲み、
前記第1バリア壁は、第1金属層構造を備え、前記第1金属層構造の前記開孔領域の周りの少なくとも1つの側面に凹部があり、
前記第1遮断壁は、第1絶縁層構造を備え、
前記第2バリア壁は、第2金属層構造及び第1積層構造を備え、前記第2金属層構造が前記第1積層構造の上に位置し、前記第2金属層構造の前記開孔領域の周りの少なくとも1つの側面に凹部があり、前記第1積層構造が金属層と絶縁層とを含む積層を備え、
ベース基板を提供することを更に含み、
前記表示領域を形成することは、前記ベース基板に薄膜トランジスタ及び蓄積コンデンサを形成することを含み、
前記薄膜トランジスタを形成することは、前記ベース基板にゲート電極、ゲート絶縁層、層間絶縁層及びソース・ドレイン電極を順に形成することを含み、
前記蓄積コンデンサを形成することは、前記ゲート電極と同一層に形成される第1極板、及び前記ゲート絶縁層と前記層間絶縁層との間に形成される第2極板を形成することを含み、
前記第1金属層構造、及び前記第2金属層構造は、前記ソース・ドレイン電極と同一層に形成され、
前記第1バリア壁が第2絶縁層構造を更に備え、前記第1金属層構造が前記第2絶縁層構造の上に形成され、
前記第2絶縁層構造が少なくとも前記ゲート絶縁層及び前記層間絶縁層と同一層に形成される表示基板の製造方法であって、
前記製造方法は、前記表示領域の一方側に位置する折り曲げ領域を形成することを更に含み、
前記折り曲げ領域を形成することは、前記折り曲げ領域に位置する絶縁層をエッチングして凹溝を形成することを含み、前記凹溝は、前記第2絶縁層構造と同じエッチングプロセスにより形成される、表示基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023190826A JP2024020320A (ja) | 2019-03-26 | 2023-11-08 | 表示基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2019/079717 WO2020191623A1 (zh) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CNPCT/CN2019/079717 | 2019-03-26 | ||
PCT/CN2019/115059 WO2020192121A1 (zh) | 2019-03-26 | 2019-11-01 | 显示基板及其制备方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023190826A Division JP2024020320A (ja) | 2019-03-26 | 2023-11-08 | 表示基板及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022524561A JP2022524561A (ja) | 2022-05-09 |
JPWO2020192121A5 JPWO2020192121A5 (ja) | 2022-11-04 |
JP7386811B2 true JP7386811B2 (ja) | 2023-11-27 |
Family
ID=72610734
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020563401A Active JP7331016B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
JP2020562581A Active JP7386811B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-11-01 | 表示基板及びその製造方法 |
JP2023130348A Pending JP2023156420A (ja) | 2019-03-26 | 2023-08-09 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
JP2023190826A Pending JP2024020320A (ja) | 2019-03-26 | 2023-11-08 | 表示基板及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020563401A Active JP7331016B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023130348A Pending JP2023156420A (ja) | 2019-03-26 | 2023-08-09 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
JP2023190826A Pending JP2024020320A (ja) | 2019-03-26 | 2023-11-08 | 表示基板及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US11575102B2 (ja) |
EP (3) | EP3951881A4 (ja) |
JP (4) | JP7331016B2 (ja) |
CN (3) | CN112005377B (ja) |
WO (2) | WO2020191623A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110164916B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法 |
JP7331016B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-08-22 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
US12096650B2 (en) * | 2019-03-29 | 2024-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CN110137186B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法 |
CN110265583B (zh) * | 2019-07-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
KR20210127270A (ko) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN114335374B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN112435581B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示结构、柔性显示屏及电子设备 |
CN116249406A (zh) * | 2020-12-02 | 2023-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112562497B (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-07 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示面板的制备方法 |
CN112582569B (zh) * | 2020-12-10 | 2022-12-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
CN112885977B (zh) * | 2021-01-20 | 2024-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
CN116156934A (zh) * | 2021-11-17 | 2023-05-23 | 华为终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、电子设备 |
CN116193924A (zh) * | 2021-11-25 | 2023-05-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
US20240224652A1 (en) * | 2022-12-29 | 2024-07-04 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140131683A1 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
JP2015200843A (ja) | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 日本電気硝子株式会社 | ディスプレイ用保護部材及びこれを用いた携帯端末 |
US20170031323A1 (en) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US20170062760A1 (en) | 2015-08-24 | 2017-03-02 | Samsung Display Co, Ltd. | Flexible display and manufacturing method thereof |
US20170148856A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
US20170162637A1 (en) | 2015-12-04 | 2017-06-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20170237038A1 (en) | 2016-02-16 | 2017-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof |
CN107579171A (zh) | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
US20180151838A1 (en) | 2016-11-29 | 2018-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
WO2019030858A1 (ja) | 2017-08-09 | 2019-02-14 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102205402B1 (ko) | 2014-02-05 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102374833B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102405695B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102427249B1 (ko) | 2015-10-16 | 2022-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102457252B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6815090B2 (ja) | 2016-03-31 | 2021-01-20 | 株式会社Joled | 表示パネル及びその製造方法 |
KR102605208B1 (ko) | 2016-06-28 | 2023-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP6807223B2 (ja) | 2016-11-28 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2018229991A1 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
CN109273483B (zh) * | 2017-07-17 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法和显示装置 |
KR102083646B1 (ko) | 2017-08-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102394984B1 (ko) | 2017-09-04 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN107808896B (zh) * | 2017-10-27 | 2021-02-02 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
CN108666547A (zh) | 2018-04-24 | 2018-10-16 | 芜湖浙鑫新能源有限公司 | 碳包覆的高镍锂离子电池正极材料及其制备方法 |
CN108666347B (zh) * | 2018-04-26 | 2021-07-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
KR102551790B1 (ko) | 2018-06-29 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
CN109360843B (zh) | 2018-10-18 | 2022-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110164916B (zh) | 2018-12-05 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法 |
CN109742121B (zh) | 2019-01-10 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、显示装置 |
KR20200091050A (ko) | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP7331016B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-08-22 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板及びその製造方法、表示装置 |
CN110212113B (zh) | 2019-05-31 | 2021-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光显示基板及其制备方法、电致发光显示装置 |
CN110164945B (zh) | 2019-06-03 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
CN110246984A (zh) | 2019-06-21 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
CN110265583B (zh) | 2019-07-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-03-26 JP JP2020563401A patent/JP7331016B2/ja active Active
- 2019-03-26 US US16/642,099 patent/US11575102B2/en active Active
- 2019-03-26 EP EP19858633.1A patent/EP3951881A4/en active Pending
- 2019-03-26 CN CN201980000392.2A patent/CN112005377B/zh active Active
- 2019-03-26 WO PCT/CN2019/079717 patent/WO2020191623A1/zh unknown
- 2019-11-01 EP EP19921020.4A patent/EP3955305A4/en active Pending
- 2019-11-01 CN CN201980002261.8A patent/CN112005378B/zh active Active
- 2019-11-01 EP EP24199204.9A patent/EP4451831A2/en active Pending
- 2019-11-01 CN CN202410665615.XA patent/CN118591215A/zh active Pending
- 2019-11-01 US US16/768,283 patent/US11575103B2/en active Active
- 2019-11-01 WO PCT/CN2019/115059 patent/WO2020192121A1/zh unknown
- 2019-11-01 JP JP2020562581A patent/JP7386811B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-04 US US18/093,054 patent/US11903234B2/en active Active
- 2023-08-09 JP JP2023130348A patent/JP2023156420A/ja active Pending
- 2023-10-13 US US18/486,502 patent/US20240040819A1/en active Pending
- 2023-11-08 JP JP2023190826A patent/JP2024020320A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140131683A1 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
JP2015200843A (ja) | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 日本電気硝子株式会社 | ディスプレイ用保護部材及びこれを用いた携帯端末 |
US20170031323A1 (en) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US20170062760A1 (en) | 2015-08-24 | 2017-03-02 | Samsung Display Co, Ltd. | Flexible display and manufacturing method thereof |
US20170148856A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
US20170162637A1 (en) | 2015-12-04 | 2017-06-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20170237038A1 (en) | 2016-02-16 | 2017-08-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof |
US20180151838A1 (en) | 2016-11-29 | 2018-05-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
WO2019030858A1 (ja) | 2017-08-09 | 2019-02-14 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
CN107579171A (zh) | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230145922A1 (en) | 2023-05-11 |
WO2020192121A1 (zh) | 2020-10-01 |
US20210210718A1 (en) | 2021-07-08 |
CN112005378B (zh) | 2024-06-18 |
US11903234B2 (en) | 2024-02-13 |
JP2024020320A (ja) | 2024-02-14 |
WO2020191623A1 (zh) | 2020-10-01 |
CN118591215A (zh) | 2024-09-03 |
JP2023156420A (ja) | 2023-10-24 |
JP2022534630A (ja) | 2022-08-03 |
JP2022524561A (ja) | 2022-05-09 |
CN112005377B (zh) | 2023-04-28 |
EP3955305A4 (en) | 2022-12-21 |
US20210151707A1 (en) | 2021-05-20 |
US20240040819A1 (en) | 2024-02-01 |
US11575102B2 (en) | 2023-02-07 |
CN112005377A (zh) | 2020-11-27 |
EP4451831A2 (en) | 2024-10-23 |
US11575103B2 (en) | 2023-02-07 |
EP3951881A4 (en) | 2022-10-26 |
CN112005378A (zh) | 2020-11-27 |
EP3955305A1 (en) | 2022-02-16 |
JP7331016B2 (ja) | 2023-08-22 |
EP3951881A1 (en) | 2022-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7386811B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法 | |
CN112186023B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP7486523B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
WO2020103119A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2021147082A1 (zh) | 显示基板及其制备方法 | |
WO2022057508A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20240196721A1 (en) | Display panel and display device | |
JP2023519034A (ja) | 表示基板及びその製造方法 | |
CN112492890A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP6361181B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
CN113767476A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2023246810A1 (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | |
CN219919629U (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
CN216698369U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
WO2023093252A9 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN219068849U (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
CN115867074A (zh) | 一种显示基板、其制作方法及显示装置 | |
CN118742119A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN118215367A (zh) | 显示面板及制备方法以及显示装置 | |
JPWO2021203917A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7386811 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |