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WO2020213103A1 - 表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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Publication number
WO2020213103A1
WO2020213103A1 PCT/JP2019/016523 JP2019016523W WO2020213103A1 WO 2020213103 A1 WO2020213103 A1 WO 2020213103A1 JP 2019016523 W JP2019016523 W JP 2019016523W WO 2020213103 A1 WO2020213103 A1 WO 2020213103A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
forming
display device
forming step
manufacturing
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/016523
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
恵信 宮本
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2019/016523 priority Critical patent/WO2020213103A1/ja
Publication of WO2020213103A1 publication Critical patent/WO2020213103A1/ja

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    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H05B33/02—Details
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a display device including a light emitting element.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL device having a non-light emitting region inside a light emitting region.
  • the method for manufacturing a display device of the present invention includes a display area having a plurality of pixels, a frame area around the display area, and a non-display having an opening inside the display area.
  • a light emitting element forming step and a sealing layer forming step of forming the sealing layer on the light emitting element are provided, and the thin film transistor layer forming step comprises the inorganic insulation from the thin film transistor layer at a position corresponding to the opening.
  • the recess forming step of forming the recess from which the film has been removed is provided, and the light emitting element forming step is common to the first fitting step of fitting the first recess cover into the recess and the first fitting step.
  • a common functional layer film transistor forming step of forming a functional layer and a first removing step of removing the first concave portion cover from the concave portion are provided.
  • the sealing layer forming step the second concave portion cover is fitted into the concave portion.
  • a second fitting step of matching, a sealing layer forming step of forming the sealing layer following the second fitting step, and a second removing step of removing the second concave cover from the concave portion are performed. Be prepared.
  • the member formed in the display area can be easily removed from the position corresponding to the opening, and the occurrence of defects in the display area can be reduced in the process of forming the opening.
  • FIG. It is the schematic top view and schematic sectional view of the light emitting device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a flowchart which shows the manufacturing method of the display device which concerns on Embodiment 1. It is a process sectional view for demonstrating the manufacturing process before the forming process of a light emitting element in the manufacturing method of the display device which concerns on Embodiment 1. It is a flowchart which shows the formation process of a light emitting element in more detail in the manufacturing method of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. It is a process sectional view for demonstrating the process of forming a light emitting element which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an end portion of the first concave portion cover for showing the positional relationship between the end portion of the first concave portion cover according to the first embodiment and the layer above the resin layer. It is the schematic which shows the example of the open mask which concerns on Embodiment 1.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an end portion of the first concave portion cover for showing the positional relationship between the end portion of the first concave portion cover according to the first embodiment and the layer above the resin layer.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an end portion of the second concave portion cover for showing the positional relationship between the end portion of the second concave portion cover according to the first embodiment and the layer above the resin layer. It is a process sectional view for demonstrating the manufacturing process after the formation process of the sealing layer in the manufacturing method of the display device which concerns on Embodiment 1.
  • “same layer” means that they are formed of the same material in the same process. Further, the “lower layer” means that the layer is formed before the layer to be compared, and the “upper layer” means that the layer is formed after the layer to be compared. .. Further, in the present specification, the direction from the lower layer to the upper layer of the display device is upward.
  • FIG. 1A is a top view of the display device 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A.
  • the display device 2 includes a display area DA, a frame area NA1 adjacent to the display area DA, and a non-display area NA2 inside the display area DA. And have.
  • the display area DA has a plurality of pixels.
  • the non-display region NA2 has an opening H.
  • the display device 2 includes a thin film transistor layer 6, a light emitting element 8, and a sealing layer 10 on a resin film 4 which is a base material of the display device 2.
  • the display device 2 may be provided with a functional film or the like having an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, or the like, on the upper layer of the sealing layer 10.
  • the resin film 4 is formed of, for example, a resin material such as polyimide.
  • the display device 2 uses a flexible substrate such as a PET film formed on a lower layer of the resin film 4 or a rigid substrate such as a glass substrate as a substrate. You may have it.
  • the thin film transistor layer 6 includes a plurality of thin film transistors for driving the light emitting element 8 for each pixel.
  • the thin film transistor layer 6 contains at least an inorganic insulating film.
  • the inorganic insulating film included in the thin film transistor layer 6 is composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof.
  • the thin film transistor layer 6 is a semiconductor layer having a channel region of the thin film transistor, a metal layer forming an electrode or wiring of the thin film transistor, or a flattening film for flattening an upper layer of these layers. It may be included.
  • the thin film transistor layer 6 includes two banks, an outer bank BK1 and an inner bank BK2.
  • the outer bank BK1 is formed in the frame area NA1 and is formed in a frame shape at a position surrounding the periphery of the display area DA.
  • the inner bank BK2 is formed in the non-display region NA2, and is formed in a circular shape at a position surrounding the periphery of the opening H.
  • the outer bank BK1 and the inner bank BK2 shown in FIG. 1B are each in one row, but in the present embodiment, the outer bank BK1 and the inner bank BK2 are each in a plurality of rows. May be good.
  • the light emitting element 8 includes the first electrode 12 and the functional layer 8f stacked in this order in order from the lower layer.
  • the functional layer 8f includes the common functional layer 14, the light emitting layer 16, the upper common functional layer 18, and the second electrode 19 in this order from the first electrode 12 side.
  • the light emitting element 8 is formed in the display region DA as shown in FIG. 1 (b).
  • the first electrode 12 may be a pixel electrode that is individually formed for each pixel in the display area DA.
  • each of the first electrodes 12 is electrically connected to each thin film transistor of the thin film transistor layer 6. Further, by driving each thin film transistor, the display device 2 drives the light emitting element 8 for each pixel.
  • the first electrode 12 may be the anode of the light emitting element 8.
  • the first electrode 12 may be formed by a conventionally known method.
  • the common functional layer 14 is formed on the upper layer of the first electrode 12 in common with a plurality of pixels.
  • the common functional layer 14 may include, for example, at least one of a hole transport layer and a hole injection layer.
  • the light emitting layer 16 is formed for each pixel of the display device 2 at a position overlapping each of the first electrodes 12 in the upper layer of the common functional layer 14. That is, the functional layer 8f further includes a light emitting layer 16 as an individual functional layer for each pixel of the display device 2 on the upper layer of the common functional layer 14.
  • the light emitting layer 16 may individually include a red light emitting layer that emits red, a green light emitting layer that emits green, and a blue light emitting layer that emits blue for each light emitting element.
  • the pixel including the red light emitting layer may be a red pixel
  • the pixel including the green light emitting layer may be a green pixel
  • the pixel including the blue light emitting layer may be a blue pixel.
  • the upper layer common functional layer 18 is formed in the upper layer of the light emitting layer 16 in common with a plurality of pixels.
  • the upper common functional layer 18 may include at least one of an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the second electrode 19 is formed in the upper layer of the upper layer common functional layer 18 in common with a plurality of pixels.
  • the second electrode 19 is a counter electrode facing the first electrode 12, and in the present embodiment, the second electrode 19 is the first electrode.
  • the two electrodes 19 may be the cathode of the light emitting element 8.
  • the sealing layer 10 includes a first inorganic sealing film 20, an organic sealing film 22, and a second inorganic sealing film 24 in this order from the lower layer.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 are inorganic sealing insulating films included in the sealing layer 10, and are, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a silicon nitride film thereof. It can be composed of a laminated film.
  • the organic sealing film 22 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 have a function of preventing foreign substances such as water and oxygen from permeating into the light emitting element 8.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 are formed at positions where they overlap with the thin film transistor layer 6.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 are formed from the display region DA beyond the outer bank BK1 and the inner bank BK2.
  • the organic sealing film 22 has a function as a buffer layer when forming the second inorganic sealing film 24.
  • the organic sealing film 22 is formed at a position where it overlaps with the thin film transistor layer 6 like the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24, but the inner side of the outer bank BK1 and the inner bank BK2 It is formed only on the outer side of.
  • FIG. 2 is a flowchart showing each manufacturing process of the display device 2 according to the present embodiment. Steps S1 to S2 shown in FIG. 2 will be described in more detail with reference to the process sectional view shown in FIG. In the subsequent process cross-sectional views including FIG. 3, the process cross-sectional view at the position corresponding to (b) of FIG. 1 is shown.
  • a resin film forming step of forming a resin film 4 on a translucent support substrate 26 is carried out (step S1). ..
  • a conventionally known film forming method can be adopted for forming the resin film 4 in step S1.
  • step S2 the thin film transistor layer forming step of forming the thin film transistor layer 6 on the upper layer of the resin film 4 is executed (step S2).
  • step S2 a bank forming step of forming the outer bank BK1 and the inner bank BK2 is also carried out.
  • a conventionally known film forming method can be adopted for the film forming of each layer in step S2.
  • step S2 the recess forming step of forming the recess 6R shown in FIG. 3B is executed at the position corresponding to the opening H.
  • the recess 6R at least the inorganic insulating film is removed from the thin film transistor layer 6.
  • the semiconductor layer, the metal layer, and the flattening film are further removed from the thin film transistor layer 6.
  • step S2 includes a convex portion forming step of forming the convex portion 28 shown in FIG. 3B inside the concave portion 6R.
  • the convex portion 28 may be a part of any layer of the thin film transistor layer 6. That is, in the recess forming step, the recess 6R may be formed by removing each layer of the thin film transistor layer 6 except for the convex portion 28 from the position corresponding to the opening H.
  • step S3 a light emitting element forming step of forming the light emitting element 8 on the upper layer of the thin film transistor layer 6 is carried out.
  • the method of forming each layer in step S3 will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 7.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a process of forming the light emitting element 8 in the present embodiment.
  • 5 to 7 are process cross-sectional views for explaining the light emitting element forming step in more detail, which is carried out based on the flowchart of FIG.
  • step S3- the first electrode 12 shown in FIG. 5A is formed on the thin film transistor layer 6 (step S3-).
  • the first fitting step of installing the first concave portion cover 30 shown in FIG. 5 (b) in the concave portion 6R is carried out (step S3-2). Since the first recess cover 30 has a shape corresponding to the recess 6R, in step S3-2, the first recess cover 30 is fitted into the recess 6R as shown in FIG. 5 (c).
  • FIG. 8A shows a top view of the first concave cover 30.
  • FIG. 8B shows a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 8A.
  • the first concave cover 30 has a first fixing portion 34 including a first opening 32.
  • the first fixing portion 34 is a concave portion formed in the first concave portion cover 30, and is formed, for example, by half-etching a part of the first concave portion cover 30. Further, for example, a part of the first fixing portion 34 is further etched to form the first opening 32.
  • the first opening 32 is formed at a position where it engages with the convex portion 28 in step S3-2.
  • the convex portion 28 may be the first convex portion that engages with the first concave portion cover 30 in the first fitting step, and the convex portion forming step described above is for forming the first convex portion. It may be the first convex portion forming step of.
  • the first concave cover 30 includes a plurality of first alignment marks 36.
  • the first alignment mark 36 is formed, for example, by half-etching a part of the first recessed cover 30 at a position other than the first fixing portion 34 of the first recessed cover 30.
  • the first alignment mark 36 may be used for alignment when the first concave portion cover 30 is fitted into the concave portion 6R in step S3-2. Specifically, in step S3-2, the first concave cover 30 may be aligned by observing the position of the convex portion 28 and the position of the first alignment mark 36.
  • the outer shape of the first concave cover 30 has a shape corresponding to the opening H.
  • the outer shape of the first concave cover 30 may be the star shape shown in FIG. 8 (c).
  • the outer shape of the first concave cover 30 may have the corrugated shape shown in FIG. 8D.
  • the number of the first fixed portion 34 and the first alignment mark 36 does not matter, and for example, as shown in FIG. 8D, a plurality of the first fixed portions 34 may be formed.
  • a plurality of the first fixed portions 34 may be formed, a plurality of the first openings 32 may be formed, and in step S2, the same number of convex portions 28 as the number of the first openings 32 may be formed. ..
  • the first concave cover 30 preferably contains a material having a low coefficient of thermal expansion, and may be particularly formed from a material containing an invar material. Since the first concave cover 30 contains the Invar material, the deformation of the first concave cover 30 is reduced even when the first concave cover 30 is exposed to a high temperature in the film forming process of each layer in the subsequent process. Will be done.
  • thermoplastic resin 38 may be, for example, an acrylic resin, and the softening temperature may be about 160 degrees Celsius.
  • FIG. 9A is a schematic enlarged view of region B in FIG. 5C.
  • the first concave cover 30 overlaps with the inner bank BK2 as shown in FIG. 9A.
  • the end of the first concave cover 30 exceeds the inner bank BK2 and overlaps with the first electrode 12.
  • the first electrode 12 and the first concave cover 30 are separated by a distance d1.
  • FIG. 9B is an enlarged view at a position corresponding to FIG. 9A in this modified example.
  • the first electrode 12 and the first concave cover 30 are in contact with each other.
  • the first concave cover 30 is provided with a notch 30A at the lower part of the end portion.
  • the notch 30A is formed so that the lower portion of the end portion of the first concave cover 30 has a reverse taper shape with respect to the resin film 4 side.
  • the first open mask 40 is installed, and the common functional layer 14 is formed by the vapor deposition method.
  • the common functional layer film forming step is carried out (step S3-4).
  • the first open mask 40 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic top view of the first open mask 40.
  • the first open mask 40 is a CMM (Common Metal Mask) containing a material such as an invar material.
  • the first open mask 40 includes a first open mask opening 40H corresponding to a position where the common functional layer 14 is formed. Therefore, as shown in FIG. 5D, the common functional layer 14 is not formed in each of the upper layers of the support substrate 26 on the frame region NA1 side of the first electrode 12.
  • the first open mask 40 may include a plurality of first open mask openings 40H. In this case, it is possible to form the common functional layer 14 corresponding to the plurality of display devices 2 by forming a film once using the first open mask 40.
  • the first open mask 40 overlaps with the outer bank BK1 when the first open mask 40 is arranged on the support substrate 26. Therefore, in step S3-4, the common functional layer 14 is not formed on the frame region NA1 that overlaps with the first open mask 40.
  • the first open mask 40 includes a single first open mask opening 40H corresponding to each display device 2. Therefore, in step S3-4, as shown in FIG. 5D, the common functional layer 14 is formed even at the position where it overlaps the recess 6R. However, the common functional layer 14 is not formed on the upper surface of the resin film 4 in the recess 6R, but instead is formed on the upper surface of the first recess cover 30.
  • Step S3-5 the convex portion 28 and the first concave portion cover 30 are released from being fixed via the thermoplastic resin 38.
  • the first removing step of removing the first concave cover 30 from the support substrate 26 by removing the first concave cover 30 from the concave 6R is performed (step). S3-6).
  • the first electrode 12 and the first concave cover 30 are separated by a distance d1.
  • the common functional layer 14 is cut off at the end of the first concave cover 30 or is extremely thin. Therefore, in step S3-6, the common functional layer 14 on the first electrode 12 and the common functional layer 14 on the first concave cover 30 can be easily separated.
  • the distance d1 is preferably larger than the film thickness of the common functional layer 14 in order to ensure that the common functional layer 14 is cut off at the end of the first concave cover 30.
  • the common functional layer 14 can be cut off at the end of the first concave cover 30.
  • the first open mask 40 may also be provided with a notch corresponding to the notch 30A at the lower part of the end portion. As a result, the common functional layer 14 is likely to be cut off at the end of the first open mask 40.
  • the common functional layer 14 can be formed only at the position including the light emitting region DA without forming the common functional layer 14 at the position including the frame area NA1 and the non-display area NA2.
  • a light emitting layer 16 is formed (step S3-7).
  • the light emitting layer 16 may be formed by performing step S3-7 a plurality of times according to the number of types of the light emitting layer 16. ..
  • the light emitting layer 16 may be formed by a vapor deposition step using a fine metal mask in which openings are formed at each formation position of each light emitting layer 16.
  • an island-shaped shielding portion can be formed at a position corresponding to the recess 6R of the fine metal mask. Therefore, step S3-7 can be carried out without using the first concave portion cover 30 so that the light emitting layer 16 is not formed at the position where it overlaps with the concave portion 6R.
  • the light emitting layer 16 when the light emitting layer 16 is a quantum dot light emitting layer, the light emitting layer 16 may be formed by photolithography using a coating material in which quantum dots are dispersed in a photosensitive resin and a photomask. Good. In this case, in the patterning step by photolithography, the light emitting layer 16 formed at a position overlapping the recess 6R can be removed. Therefore, step S3-7 can be carried out without using the first concave portion cover 30 so that the light emitting layer 16 is not formed at the position where it overlaps with the concave portion 6R.
  • the removal step of the first concave cover 30 may be omitted.
  • the third fitting step of installing the third concave cover 42 shown in FIG. 6 (d) in the concave portion 6R is performed (step S3-8).
  • the third concave cover 42 like the first concave cover 30, includes a third fixing portion 46 having a third opening 44 that engages with the convex portion 28, and a third alignment mark 48. .. Further, the outer shape of the third concave cover 42 may be the same as that of the first concave cover 30.
  • the convex portion 28 may be a third convex portion that engages with the third concave portion cover 42 in the third fitting step, and the convex portion forming step described above is for forming the third convex portion.
  • This may be the third convex portion forming step of the above.
  • the first convex portion may be the same as the third convex portion.
  • thermoplastic resin 38 in the third fixing portion 46 is cooled to solidify the thermoplastic resin 38.
  • the third concave cover 42 and the convex 28 are fixed to each other via the thermoplastic resin 38 to fix the third concave cover 42 to the support substrate 26 (step S3-9).
  • steps S3-8 and S3-9 may also be omitted.
  • a second open mask 50 is installed, and an upper layer common functional layer film forming step of forming the upper layer common functional layer 18 by a vapor deposition method is carried out (step S3-). 10).
  • the second open mask 50 may have the same configuration as the first open mask 40.
  • the second open mask 50 may also be provided with a notch corresponding to the notch 30A at the lower part of the end portion.
  • the upper layer common functional layer 18 is formed on the upper layer of the light emitting layer 16.
  • step S3-10 as in step S3-3, as shown in FIG. 7B, the upper layer common functional layer 18 is formed even at the position where it overlaps the recess 6R.
  • the upper common functional layer 18 is not formed on the upper surface of the resin film 4 in the recess 6R, but instead is formed on the upper surface of the third recess cover 42.
  • step S3-10 an upper common functional layer 18 is further formed on the upper surface of the common functional layer 14 formed at a position overlapping with the first concave cover 30. Be filmed.
  • Step S3-11 the convex portion 28 and the third concave portion cover 42 are released from being fixed via the thermoplastic resin 38.
  • step S3-12 the third removing step of removing the third concave cover 42 from the support substrate 26 by removing the third concave cover 42 from the concave 6R is performed (step). S3-12).
  • step S3-6 the third removal step may be regarded as the first removal step and carried out.
  • step S3-12 similarly to step S3-6, the upper common functional layer 18 on the first electrode 12 and the upper common functional layer 18 on the third concave cover 42 can be easily separated. Is. As described above, the upper layer common functional layer 18 can be formed only at the position including the light emitting region DA without forming the upper layer common functional layer 18 at the position including the frame region NA1 and the non-display region NA2.
  • the second electrode 19 is formed on the upper common functional layer 18 (step S3-13).
  • the second electrode 19 may be formed by the same method as the formation of the upper common functional layer 18.
  • step S3-13 following the third removal step, a fourth fitting step is carried out in which a fourth concave cover having the same shape as the third concave cover 42 is installed in the recess 6R.
  • the second electrode film forming step of installing the second open mask 50 and forming the film forming of the second electrode 19 by the vapor deposition method is carried out.
  • a fourth removing step of removing the fourth concave cover from the support substrate 26 is performed.
  • the step of forming the second electrode 19 is completed, and the step of forming the light emitting element is completed.
  • the film formation of the second electrode 19 may be performed after step S3-10. That is, the second open mask 50 may be used to continuously form the upper layer common functional layer 18 and the second electrode 19. In this case, the upper common functional layer 18 and the second electrode 19 formed on the third concave cover 42 are removed together by the third removing step. In this case, it becomes unnecessary to fit and remove the fourth concave cover, which leads to simplification of the light emitting element forming process.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a step of forming the sealing layer 10 in the present embodiment.
  • 12 and 13 are process cross-sectional views for explaining the sealing layer forming step in more detail, which is carried out based on the flowchart of FIG.
  • the second fitting step of installing the second concave portion cover 52 shown in FIG. 12 (a) in the concave portion 6R is carried out (step S4-1).
  • the second concave cover 52 like the first concave cover 30, includes a second fixing portion 56 having a second opening 54 that engages with the convex portion 28, and a second alignment mark 58. ..
  • the second opening 54 is formed at a position where it engages with the convex portion 28 in step S4-1.
  • the convex portion 28 may be a second convex portion that engages with the second concave portion cover 52 in the second fitting step, and the convex portion forming step described above is for forming the second convex portion.
  • the second convex portion forming step may be performed.
  • the first convex portion may be the same as the second convex portion.
  • thermoplastic resin 38 in the second fixing portion 56 is cooled to solidify the thermoplastic resin 38.
  • the second concave portion cover 52 and the convex portion 28 are fixed to each other via the thermoplastic resin 38 to fix the second concave portion cover 52 to the support substrate 26 (step S4-2).
  • FIG. 14A is a schematic enlarged view of region D in FIG. 12B.
  • the second concave cover 52 By fixing the second concave cover 52 to the support substrate 26, the second concave cover 52 is arranged at a position included on the opening H side of the inner bank BK2 as shown in FIG. 14 (a). Will be done.
  • the end portion of the second concave cover 52 does not exceed the inner bank BK2 and overlaps with the thin film transistor layer 6.
  • the thin film transistor layer 6 and the second concave cover 52 are separated by a distance d2.
  • FIG. 14B is an enlarged view at a position corresponding to FIG. 14A in this modified example.
  • the thin film transistor layer 6 and the second concave cover 52 are in contact with each other.
  • the second concave cover 52 is provided with a notch 52A at the lower part of the end portion.
  • the notch 52A is formed so that the lower portion of the end portion of the second concave cover 52 has a reverse taper shape with respect to the resin film 4 side.
  • a CVD mask 60 is installed as shown in FIG. 12 (c), and a low temperature CVD method is used.
  • the first inorganic sealing film 20 is formed (step S4-3).
  • the CVD mask 60 is different from the first open mask 40 only in that when the CVD mask 60 is arranged on the support substrate 26, it overlaps with the frame region NA1 more than the outer bank BK1.
  • the CVD mask 60 may also be provided with a notch corresponding to the notch 30A at the lower part of the end portion.
  • step S4-3 the first inorganic sealing film 20 is formed even in a part of the frame region NA1 including the position where it overlaps with the outer bank BK1. However, the first inorganic sealing film 20 is not formed on the frame region NA1 side of the end of the thin film transistor layer 6.
  • step S4-3 as shown in FIG. 12C, the first inorganic sealing film 20 is formed even at a position where it overlaps the recess 6R. Further, in step S4-3, the first inorganic sealing film 20 is also formed on a part of the non-display region NA2 including the inner bank BK2. However, the first inorganic sealing film 20 is not formed on the upper surface of the resin film 4 in the recess 6R, but instead is formed on the upper surface of the second recess cover 52.
  • step S4-4 the CVD mask 60 is removed, and then the organic sealing film 22 is coated and formed as a sealing layer forming step (step S4-4).
  • the coating of the organic sealing film 22 may be carried out by using a conventionally known method. Since no mask or the like is used in step S4-4, the step of removing the second concave cover 52 prior to step S4-4 is not necessary.
  • the wet spread of the organic sealing film 22 is blocked by the outer bank BK1 and the inner bank BK2. Therefore, the organic sealing film 22 is formed on the light emitting region DA side of the outer bank BK1 and the inner bank BK2. In other words, the outer bank BK1 and the inner bank BK2 define the end of the organic sealing film 22.
  • a CVD mask 62 is installed, and the second inorganic sealing film 24 is formed by a low temperature CVD method (step S4-5). ).
  • the CVD mask 62 may have the same configuration as the CVD mask 60.
  • the CVD mask 62 may also be provided with a notch corresponding to the notch 30A at the lower part of the end portion. Therefore, in step S4-5, the second inorganic sealing film 24 is formed even in a part of the frame region NA1 including the position where it overlaps with the outer bank BK1. However, the second inorganic sealing film 24 is not formed on the frame region NA1 side of the end portion of the thin film transistor layer 6.
  • step S4-5 as shown in FIG. 13A, the second inorganic sealing film 24 is formed even at the position where it overlaps the recess 6R. Further, in step S4-5, the second inorganic sealing film 24 is also formed on a part of the non-display region NA2 including the inner bank BK2. However, the second inorganic sealing film 24 is not formed on the upper surface of the resin film 4 in the recess 6R, but instead is formed on the upper surface of the second recess cover 52.
  • the CVD mask 62 is removed, the thermoplastic resin 38 is irradiated with the laser beam L1, the thermoplastic resin 38 is heated, and the thermoplastic resin 38 is softened (step). S4-6). As a result, the convex portion 28 and the second concave portion cover 52 are released from being fixed via the thermoplastic resin 38.
  • the second removing step of removing the second concave cover 52 from the support substrate 26 by removing the second concave cover 52 from the concave 6R is performed (step). S4-7).
  • the thin film transistor layer 6 and the second concave cover 52 are separated by a distance d2.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 are stepped or extremely thin at the end of the second concave cover 52. Therefore, according to step S3-7, the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 on the thin film transistor layer 6 and the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 20 on the second concave cover 52.
  • the film 24 can be easily separated from the film 24.
  • the distance d2 is set to the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 20. It is preferably larger than the total thickness of the sealing film 24.
  • the first inorganic sealing film 20 and the second inorganic sealing film 24 are not formed at the positions including the frame area NA1 and the non-display area NA2, and only at the positions including the light emitting region DA.
  • the waterproof film 20 and the second inorganic sealing film 24 can be formed. With the above, the sealing layer forming step is completed.
  • step S5 is a laser lift-off step in which the resin film 4 and the support substrate 26 are peeled off by laser lift-off. Specifically, in step S5, the resin film 4 is irradiated with a laser from below the support substrate 26 to reduce the adhesion between the resin film 4 and the support substrate 26, and the resin film 4 and the support substrate 26 are separated from each other. Peel off.
  • the resin film 4 at the end of the recess 6R that is, the end of the thin film transistor layer 6 on the non-display region NA2 side is irradiated with the laser beam L2.
  • the opening forming step of forming the opening H shown in FIG. 15 (c) is carried out by laser-dividing the resin film 4 along the outer circumference of the recess 6R (step S6).
  • step S6 the convex portion 28 is removed together with the resin film 4.
  • the display device 2 shown in FIG. 15 (c) can be obtained.
  • the plurality of display devices 2 formed on the large-sized resin film 4 may be divided here by the laser division in step S6. Further, after performing step S6, a lower surface film such as a PET film may be attached to the lower layer of the resin film 4.
  • the opening forming step it is possible to form the opening by dividing only the resin film 4. Therefore, it is not necessary to separate the inorganic insulating film of the thin film transistor layer 6, or each layer of the light emitting element 8 or the sealing layer 10 except for the resin film 4 by a laser. Therefore, in the opening forming step, the occurrence of cracks in each layer of the display device 2 due to the laser division is reduced.
  • each layer of the light emitting element 8 or the sealing layer 10 formed at a position corresponding to the opening H is removed by using a laser or the like. There is no need for technically difficult processes such as.
  • the light emitting element 8 of the display device 2 according to each of the above-described embodiments may have flexibility and may be bendable.
  • the light emitting layer 16 may be a quantum dot layer provided with quantum dots, and the light emitting element 8 may be a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode).
  • the light emitting layer 16 according to each of the above-described embodiments may be an organic layer. That is, the light emitting element 8 according to each of the above-described embodiments may be an OLED (Organic Light Emitting Diode).
  • the display device 2 according to each embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • Display device 4 Resin film 6 Thin film transistor layer 8 Light emitting element 8f Functional layer 10 Sealing layer 12 First electrode 14 Common functional layer 16 Light emitting layer (individual functional layer) 18 Upper common functional layer 19 Second electrode 20 First inorganic sealing film 22 Organic sealing film 24 Second inorganic sealing film 26 Support substrate 28 Convex part 30 First concave part cover 38 Thermoplastic resin 42 Third concave part cover 52 Second 2 Concave cover BK1 Outer bank BK2 Inner bank DA Display area NA1 Frame area NA2 Non-display area H Opening

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Abstract

表示デバイス（２）の製造方法は、薄膜トランジスタ層（６）上に発光素子（８）を形成する発光素子形成工程と、前記発光素子上に封止層（１０）を形成する封止層形成工程とを備える。前記発光素子形成工程は、第１凹部カバーを、前記薄膜トランジスタ層から無機絶縁膜が取り除かれた凹部に嵌め合わせる第１嵌合工程と、該第１嵌合工程に次いで、前記発光素子の共通機能層（１４）を成膜する共通機能層成膜工程と、前記第１凹部カバーを前記凹部から除去する第１除去工程とを備える。前記封止層形成工程は、第２凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第２嵌合工程と、該第２嵌合工程に次いで、前記封止層を成膜する封止層成膜工程と、前記第２凹部カバーを前記凹部から除去する第２除去工程とを備える。

Description

表示デバイスの製造方法
　本発明は、発光素子を備えた表示デバイスの製造方法に関する。
　特許文献１は、発光領域の内部に非発光領域を備えた有機ＥＬ装置を開示している。
日本国公開特許公報「特開２０１４－１９７６２３」
　特許文献１に記載されているような非発光領域に、カメラ等の外部実装機器を実装するための、開口部を設けることが考えられる。しかしながら、当該開口部を、レーザ分断を使用して形成する場合には、周囲の発光領域、あるいは封止膜等にクラック等の欠陥が生じる可能性がある。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、複数の画素を有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域と、前記表示領域の内側の、開口部を有する非表示領域とを有し、下層から順に、基板と、無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、第１電極、複数の画素に共通の共通機能層を含む機能層、および第２電極を含む発光素子と、無機封止絶縁膜を含む封止層とを備えた表示装置の製造方法であって、前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、前記薄膜トランジスタ層上に前記発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記発光素子上に前記封止層を形成する封止層形成工程とを備え、前記薄膜トランジスタ層形成工程は、前記開口部に対応する位置に、前記薄膜トランジスタ層から前記無機絶縁膜が取り除かれた凹部を形成する凹部形成工程を備え、前記発光素子形成工程は、第１凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第１嵌合工程と、該第１嵌合工程に次いで、前記共通機能層を成膜する共通機能層成膜工程と、前記第１凹部カバーを前記凹部から除去する第１除去工程とを備え、前記封止層形成工程は、第２凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第２嵌合工程と、該第２嵌合工程に次いで、前記封止層を成膜する封止層成膜工程と、前記第２凹部カバーを前記凹部から除去する第２除去工程とを備える。
　上記構成により、開口部と対応する位置から、表示領域に形成される部材を容易に除去でき、開口部の形成工程において、表示領域への欠陥の発生を低減することができる。
実施形態１に係る発光デバイスの概略上面図および概略断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、発光素子の形成工程より以前の製造工程を説明するための工程断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、発光素子の形成工程をより詳細に示すフローチャートである。 実施形態１に係る発光素子の形成工程を説明するための工程断面図である。 実施形態１に係る発光素子の形成工程を説明するための別の工程断面図である。 実施形態１に係る発光素子の形成工程を説明するための別の工程断面図である。 実施形態１に係る第１凹部カバーの例を示す概略図である。 実施形態１に係る第１凹部カバーの端部と、樹脂層より上層との位置関係について示すための、第１凹部カバーの端部の拡大断面図である。 実施形態１に係るオープンマスクの例を示す概略図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、封止層の形成工程をより詳細に示すフローチャートである。 実施形態１に係る封止層の形成工程を説明するための工程断面図である。 実施形態１に係る封止層の形成工程を説明するための別の工程断面図である。 実施形態１に係る第２凹部カバーの端部と、樹脂層より上層との位置関係について示すための、第２凹部カバーの端部の拡大断面図である。 実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、封止層の形成工程より以降の製造工程を説明するための工程断面図である。
　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味する。また、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。また、本明細書においては、表示デバイスの下層から上層へ向かう方向を上方とする。
　本実施形態に係る表示デバイス２について、図１を参照して説明する。図１の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）におけるＡＡ線矢視断面図である。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図１の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡ１と、表示領域ＤＡの内側の非表示領域ＮＡ２とを有する。表示領域ＤＡは、複数の画素を有している。非表示領域ＮＡ２は、開口部Ｈを有している。
　図１の（ｂ）を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２の各層の構造をより詳細に説明する。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図１の（ｂ）に示すように、表示デバイス２の基材である樹脂膜４上に、薄膜トランジスタ層６と、発光素子８と、封止層１０とを、下層から順に備えている。表示デバイス２は、封止層１０のさらに上層に、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する機能フィルム等を備えていてもよい。
　樹脂膜４は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料から形成される。本実施形態において、表示デバイス２は、樹脂膜４の他に、基材として、樹脂膜４のさらに下層に形成されたＰＥＴフィルム等の柔軟な基板、または、ガラス基材等の硬直な基板を備えていてもよい。
　薄膜トランジスタ層６は、発光素子８を画素ごとに駆動するための薄膜トランジスタを複数備える。薄膜トランジスタ層６は、少なくとも無機絶縁膜を含んでいる。薄膜トランジスタ層６が含む無機絶縁膜は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または、これらの積層膜によって構成される。また、本実施形態において、薄膜トランジスタ層６は、薄膜トランジスタのチャネル領域を有する半導体層、薄膜トランジスタの電極または配線等を形成する金属層、または、これらの層の上層を平坦化するための平坦化膜を含んでいてもよい。
　また、表示デバイス２は、薄膜トランジスタ層６は、外側バンクＢＫ１と、内側バンクＢＫ２との、２つのバンクを備えている。外側バンクＢＫ１は、額縁領域ＮＡ１に形成され、表示領域ＤＡの周囲を囲む位置に、枠状に形成されている。内側バンクＢＫ２は、非表示領域ＮＡ２に形成され、開口部Ｈの周囲を囲む位置に、円状に形成されている。また、図１の（ｂ）に示す、外側バンクＢＫ１と内側バンクＢＫ２とは、各々１列であるが、本実施形態においては、外側バンクＢＫ１と内側バンクＢＫ２とが、各々複数列であってもよい。
　発光素子８は、下層から順に、第１電極１２と、機能層８ｆとをこの順に積層して含む。
機能層８ｆは、第１電極１２側から順に、共通機能層１４と、発光層１６と、上層共通機能層１８と、第２電極１９とを積層して含む。発光素子８は、図１の（ｂ）に示すように、表示領域ＤＡにおいて形成されている。
　第１電極１２は、表示領域ＤＡの画素ごとに、個別に形成される、画素電極であってもよい。この場合、第１電極１２のそれぞれは、薄膜トランジスタ層６の各薄膜トランジスタと電気的に接続している。さらに、各薄膜トランジスタを駆動することにより、表示デバイス２は、画素ごとに発光素子８を駆動する。本実施形態において、第１電極１２は、発光素子８のアノードであってもよい。第１電極１２は、従来公知の手法によって形成されてもよい。
　共通機能層１４は、第１電極１２の上層に、複数の画素に共通して形成されている。共通機能層１４は、例えば、正孔輸送層、および正孔注入層の、少なくとも一方を含んでいてもよい。
　発光層１６は、共通機能層１４の上層において、第１電極１２のそれぞれと重畳する位置に、表示デバイス２の画素ごとに形成される。すなわち、機能層８ｆは、さらに、共通機能層１４の上層に、表示デバイス２の画素ごとに、個別機能層としての発光層１６を備えている。
　本実施形態において、発光層１６は、赤色を発する赤色発光層と、緑色を発する緑色発光層と、青色を発する青色発光層とを、発光素子ごとに個別に備えていてもよい。この場合、本実施形態においては、赤色発光層を含む画素を赤色画素、緑色発光層を含む画素を緑色画素、青色発光層を含む画素を青色画素としてもよい。
　上層共通機能層１８は、発光層１６の上層に、複数の画素に共通して形成されている。本実施形態において、上層共通機能層１８は、電子輸送層および電子注入層の少なくとも一方を含んでいてもよい。
　第２電極１９は、上層共通機能層１８の上層に、複数の画素に共通して形成されている第２電極１９は、第１電極１２と対向する対向電極であり、本実施形態において、第２電極１９は、発光素子８のカソードであってもよい。
　封止層１０は、下層から順に、第１無機封止膜２０と、有機封止膜２２と、第２無機封止膜２４とを備えている。第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４は、封止層１０が備える無機封止絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２２は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４は、発光素子８への、水、酸素等の異物の浸透を防ぐ機能を有する。第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４は、薄膜トランジスタ層６と重畳する位置に形成される。第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４は、表示領域ＤＡから、外側バンクＢＫ１および内側バンクＢＫ２を超えて形成されている。
　有機封止膜２２は、第２無機封止膜２４を形成する際のバッファ層としての機能を有する。有機封止膜２２は、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４と同様に、薄膜トランジスタ層６と重畳する位置に形成されているが、外側バンクＢＫ１の内部側および内側バンクＢＫ２の外部側のみに形成されている。
　次に、図２を参照し、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る表示デバイス２の各製造工程を示すフローチャートである。図２に示すステップＳ１からステップＳ２までを、図３に示す工程断面図を参照してより詳細に説明する。なお、図３を含む、以降の工程断面図においては、何れも、図１の（ｂ）に対応する位置における工程断面図を示している。
　はじめに、図３の（ａ）に示すように、透光性の支持基板２６（例えば、マザーガラス基板）上に、樹脂膜４を成膜する、樹脂膜成膜工程を実施する（ステップＳ１）。ステップＳ１における樹脂膜４の成膜には、従来公知の成膜方法を採用できる。
　次いで、図３の（ｂ）に示すように、樹脂膜４の上層に薄膜トランジスタ層６を形成する、薄膜トランジスタ層形成工程を実行する（ステップＳ２）。ステップＳ２においては、外側バンクＢＫ１および内側バンクＢＫ２を形成する、バンク形成工程を併せて実施する。ステップＳ２における各層の成膜には、従来公知の成膜方法を採用できる。
　ここで、ステップＳ２においては、開口部Ｈと対応する位置に、図３の（ｂ）に示す、凹部６Ｒを形成する凹部形成工程を実行する。凹部６Ｒにおいて、薄膜トランジスタ層６からは、少なくとも無機絶縁膜が取り除かれている。なお、本実施形態における凹部６Ｒにおいて、薄膜トランジスタ層６からは、さらに、半導体層、金属層、および平坦化膜が取り除かれている。
　さらに、ステップＳ２は、凹部６Ｒの内部に、図３の（ｂ）に示す、凸部２８を形成する凸部形成工程を備えている。凸部２８は、薄膜トランジスタ層６のうちの何れかの層の一部であってもよい。すなわち、凹部形成工程においては、凸部２８を除く、薄膜トランジスタ層６の各層を、開口部Ｈと対応する位置から除去することにより、凹部６Ｒを形成してもよい。
　次いで、薄膜トランジスタ層６の上層に発光素子８を形成する、発光素子形成工程を実施する（ステップＳ３）。ステップＳ３における各層の形成方法について、図４から図７を参照して、より詳細に説明する。図４は、本実施形態における、発光素子８の形成工程について示すフローチャートである。図５から図７は、図４のフローチャートに基づいて実施される、発光素子形成工程をより詳細に説明するための工程断面図である。
　はじめに、図５の（ａ）に示す第１電極１２を、薄膜トランジスタ層６上に形成する（ステップＳ３－）。次いで、図５の（ｂ）に示す、第１凹部カバー３０を、凹部６Ｒに設置する、第１嵌合工程を実施する（ステップＳ３－２）。第１凹部カバー３０は、凹部６Ｒと対応する形状を有するため、ステップＳ３－２においては、図５の（ｃ）に示すように、第１凹部カバー３０が凹部６Ｒに嵌め合わせられる。
　第１凹部カバー３０について、図８を参照してより詳細に説明する。図８の（ａ）は、第１凹部カバー３０の上面図を示す。図８の（ｂ）は、図８の（ａ）における、Ｃ－Ｃ線矢視断面図を示す。
　図８の（ａ）および図８の（ｂ）に示すように、第１凹部カバー３０は、第１開口３２を含む第１固定部３４を有している。第１固定部３４は、第１凹部カバー３０に形成された凹部であり、例えば、第１凹部カバー３０の一部がハーフエッチングされることにより形成される。さらに、例えば、第１固定部３４の一部を、さらにエッチングすることにより、第１開口３２を形成する。
　第１開口３２は、図５の（ｃ）に示すように、ステップＳ３－２において、凸部２８と係合する位置に形成されている。すなわち、凸部２８は、第１嵌合工程において、第１凹部カバー３０と係合する、第１凸部であってもよく、上述した凸部形成工程は、第１凸部を形成するための第１凸部形成工程であってもよい。
　また、第１凹部カバー３０は、第１アライメントマーク３６を複数備える。第１アライメントマーク３６は、例えば、第１凹部カバー３０の第１固定部３４を除く位置において、第１凹部カバー３０の一部がハーフエッチングされることにより形成される。
　第１アライメントマーク３６は、ステップＳ３－２において、第１凹部カバー３０を凹部６Ｒに嵌め合わせる際のアライメントに使用されてもよい。具体的には、ステップＳ３－２において、凸部２８の位置と第１アライメントマーク３６の位置とを観察することにより、第１凹部カバー３０を位置合わせしてもよい。
　第１凹部カバー３０の外形は、開口部Ｈと対応する形状を有している。例えば、開口部Ｈが星形の形状を有している場合、第１凹部カバー３０の外形は、図８の（ｃ）に示す星形であってもよい。また、開口部Ｈが波形の形状を有している場合、第１凹部カバー３０の外形は、図８の（ｄ）に示す波形であってもよい。
　また、第１固定部３４および第１アライメントマーク３６の個数は問われず、例えば、図８の（ｄ）に示すように、第１固定部３４は複数形成されていてもよい。第１固定部３４が複数形成されている場合、第１開口３２についても複数形成されていてもよく、ステップＳ２において、凸部２８を第１開口３２の個数と同じ個数だけ形成してもよい。
　本実施形態において、第１凹部カバー３０は、熱膨張率が低い材料を含むことが好ましく、特に、インバー材を含む材料から形成されていてもよい。第１凹部カバー３０がインバー材を含むことにより、後工程の各層の成膜工程において、高温下に第１凹部カバー３０が曝された場合であっても、第１凹部カバー３０の変形が低減される。
　次いで、図５の（ｃ）に示すように、第１固定部３４に、加熱して軟化させた熱可塑性樹脂３８を流し込む。次いで、第１固定部３４内の熱可塑性樹脂３８を冷却し、当該熱可塑性樹脂３８を固化させる。これにより、第１固定部３４が、熱可塑性樹脂３８によって、凹部６Ｒに対し押し付けられる。このようにして、第１凹部カバー３０と凸部２８とを、熱可塑性樹脂３８を介して互いに固定することにより、第１凹部カバー３０を支持基板２６に対し固定する（ステップＳ３－３）。なお、熱可塑性樹脂３８は、例えば、アクリル樹脂であってもよく、軟化温度が摂氏１６０度程度であってもよい。
　第１凹部カバー３０を支持基板２６に対し固定した際の、第１凹部カバー３０の端部付近の構造を、図９の（ａ）を参照してより詳細に説明する。図９の（ａ）は、図５の（ｃ）における、領域Ｂの概略拡大図である。
　第１凹部カバー３０が支持基板２６に対し固定されることにより、図９の（ａ）に示すように、第１凹部カバー３０は、内側バンクＢＫ２と重畳する。特に、第１凹部カバー３０の端部は、内側バンクＢＫ２を超えて、第１電極１２と重畳する。ここで、第１電極１２と第１凹部カバー３０とは、距離ｄ１だけ離間されている。
　〔変形例１〕
　本実施形態の変形例１においては、第１電極１２と第１凹部カバー３０とが接触していてもよい。本変形例において、第１凹部カバー３０を支持基板２６に対し固定した際の、第１凹部カバー３０の端部付近の構造を、図９の（ｂ）を参照してより詳細に説明する。図９の（ｂ）は、本変形例における、図９の（ａ）に対応する位置における拡大図である。
　本変形例において、第１電極１２と第１凹部カバー３０とは接触している。ここで、第１凹部カバー３０は、端部の下部に、切り欠き３０Ａを備えている。切り欠き３０Ａは、第１凹部カバー３０の端部の下部が、樹脂膜４側に対し、逆テーパー形状となるように形成されている。
　本実施形態に係る発光素子８の形成工程の説明に戻ると、次いで、図５の（ｄ）に示すように、第１オープンマスク４０を設置し、蒸着方式により、共通機能層１４を成膜する、共通機能層成膜工程を実施する（ステップＳ３－４）。第１オープンマスク４０について、図１０を参照して詳細に説明する。図１０は、第１オープンマスク４０の概略上面図である。
　第１オープンマスク４０は、例えば、インバー材等の材料を含む、ＣＭＭ（Ｃｏｍｍｏｎ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）である。第１オープンマスク４０は、共通機能層１４が形成される位置に対応する第１オープンマスク開口４０Ｈを備える。このため、図５の（ｄ）に示すように、第１電極１２よりも額縁領域ＮＡ１側の、支持基板２６の上層の各層には、共通機能層１４が形成されない。
　第１オープンマスク４０は、第１オープンマスク開口４０Ｈを複数備えていてもよい。この場合、第１オープンマスク４０を使用した一度の成膜により、複数の表示デバイス２に対応する共通機能層１４の成膜を実施することができる。
　第１オープンマスク４０は、第１オープンマスク４０を支持基板２６上に配置した場合、外側バンクＢＫ１と重畳する。このため、ステップＳ３－４において、第１オープンマスク４０と重畳する、額縁領域ＮＡ１には、共通機能層１４が成膜されない。
　なお、第１オープンマスク４０は、各表示デバイス２に対応する、単一の第１オープンマスク開口４０Ｈをそれぞれ備えている。このため、ステップＳ３－４においては、図５の（ｄ）に示すように、凹部６Ｒに重畳する位置においても、共通機能層１４が成膜される。ただし、共通機能層１４は、凹部６Ｒ内の樹脂膜４の上面には形成されず、代わりに、第１凹部カバー３０の上面に成膜される。
　次いで、図６の（ａ）に示すように、第１オープンマスク４０を除去し、熱可塑性樹脂３８にレーザ光Ｌ１を照射して、熱可塑性樹脂３８を加熱させ、熱可塑性樹脂３８を軟化させる（ステップＳ３－５）。これにより、熱可塑性樹脂３８を介した、凸部２８と第１凹部カバー３０との固定が解除される。
　ついで、図６の（ｂ）に示すように、第１凹部カバー３０を凹部６Ｒから除去することにより、第１凹部カバー３０を支持基板２６上から除去する、第１除去工程を実施する（ステップＳ３－６）。
　なお、第１凹部カバー３０の端部においては、第１電極１２と第１凹部カバー３０との間は、距離ｄ１だけ離間されている。このため、共通機能層１４は、第１凹部カバー３０の端部において段切れし、または極度に薄膜となっている。したがって、ステップＳ３－６により、第１電極１２上の共通機能層１４と、第１凹部カバー３０上の共通機能層１４とを、容易に分断することが可能である。第１凹部カバー３０の端部における、共通機能層１４の段切れを確実とするために、距離ｄ１は、共通機能層１４の膜厚よりも大きいことが好ましい。
　また、上述した変形例１においても、第１凹部カバー３０が切り欠き３０Ａを有するために、第１凹部カバー３０の端部における、共通機能層１４の段切れを生じさせることができる。なお、第１オープンマスク４０についても、端部の下部に、切り欠き３０Ａに相当する切り欠きを備えていてもよい。これにより、第１オープンマスク４０の端部における、共通機能層１４の段切れが生じやすくなる。
　以上により、額縁領域ＮＡ１および非表示領域ＮＡ２を含む位置に、共通機能層１４を形成することなく、発光領域ＤＡを含む位置のみに、共通機能層１４を形成することができる。
　次いで、個別機能層成膜工程として、図６の（ｃ）に示すように、発光層１６を成膜する（ステップＳ３－７）。発光層１６が、複数種の発光層を備えている場合には、発光層１６の種類の数に応じて、複数回ステップＳ３－７を実施することにより、発光層１６を形成してもよい。
　発光層１６が有機発光層である場合、発光層１６の形成は、各発光層１６の形成位置ごとに開口が形成された、ファインメタルマスクを使用した蒸着工程により実施してもよい。この場合、ファインメタルマスクの、凹部６Ｒに対応する位置に、島状に遮蔽部を形成することができる。このため、第１凹部カバー３０を使用せずに、凹部６Ｒと重畳する位置に発光層１６を成膜しないように、ステップＳ３－７を実施することができる。
　また、発光層１６が量子ドット発光層である場合、発光層１６の形成は、感光性樹脂中に量子ドットを分散させた塗布材料と、フォトマスクとを使用した、フォトリソグラフィにより実施してもよい。この場合、フォトリソグラフィによるパターニング工程において、凹部６Ｒと重畳する位置に成膜された発光層１６を除去することができる。このため、第１凹部カバー３０を使用せずに、凹部６Ｒと重畳する位置に発光層１６を成膜しないように、ステップＳ３－７を実施することができる。
　なお、発光層１６の形成工程において、上述したファインメタルマスクまたはフォトマスクが、第１凹部カバー３０と当接しない場合には、第１凹部カバー３０の除去工程を省略してもよい。
　次いで、図６の（ｄ）に示す、第３凹部カバー４２を、凹部６Ｒに設置する、第３嵌合工程を実施する（ステップＳ３－８）。本実施形態において、第３凹部カバー４２は、第１凹部カバー３０と同様に、凸部２８と係合する第３開口４４を有する第３固定部４６と、第３アライメントマーク４８を備えている。また、第３凹部カバー４２の外形は、第１凹部カバー３０と同一であってもよい。
　すなわち、凸部２８は、第３嵌合工程において、第３凹部カバー４２と係合する、第３凸部であってもよく、上述した凸部形成工程は、第３凸部を形成するための第３凸部形成工程であってもよい。また、第１凸部は、第３凸部と同一であってもよい。
　次いで、図７の（ａ）に示すように、第３固定部４６に、加熱して軟化させた熱可塑性樹脂３８を流し込む。次いで、第３固定部４６内の熱可塑性樹脂３８を冷却し、当該熱可塑性樹脂３８を固化させる。このようにして、第３凹部カバー４２と凸部２８とを、熱可塑性樹脂３８を介して互いに固定することにより、第３凹部カバー４２を支持基板２６に対し固定する（ステップＳ３－９）。
　なお、ステップＳ３－６を省略した場合には、ステップＳ３－８およびステップＳ３－９についても省略してもよい。
　次いで、図７の（ｂ）に示すように、第２オープンマスク５０を設置し、蒸着方式により、上層共通機能層１８を成膜する、上層共通機能層成膜工程を実施する（ステップＳ３－１０）。第２オープンマスク５０は、第１オープンマスク４０と同一の構成を備えていてもよい。なお、第２オープンマスク５０についても、端部の下部に、切り欠き３０Ａに相当する切り欠きを備えていてもよい。これにより、発光層１６の上層に、上層共通機能層１８が成膜される。
　ステップＳ３－１０においては、ステップＳ３－３と同様、図７の（ｂ）に示すように、凹部６Ｒに重畳する位置においても、上層共通機能層１８が成膜される。ただし、上層共通機能層１８は、凹部６Ｒ内の樹脂膜４の上面には形成されず、代わりに、第３凹部カバー４２の上面に成膜される。
　なお、ステップＳ３－６を省略した場合には、ステップＳ３－１０において、第１凹部カバー３０と重畳する位置に成膜された、共通機能層１４の上面に、さらに上層共通機能層１８が成膜される。
　次いで、図７の（ｃ）に示すように、第２オープンマスク５０を除去し、熱可塑性樹脂３８にレーザ光Ｌ１を照射して、熱可塑性樹脂３８を加熱させ、熱可塑性樹脂３８を軟化させる（ステップＳ３－１１）。これにより、熱可塑性樹脂３８を介した、凸部２８と第３凹部カバー４２との固定が解除される。
　ついで、図７の（ｄ）に示すように、第３凹部カバー４２を凹部６Ｒから除去することにより、第３凹部カバー４２を支持基板２６上から除去する、第３除去工程を実施する（ステップＳ３－１２）。ここで、ステップＳ３－６を省略した場合は、第３除去工程を、第１除去工程とみなして実施してもよい。
　ステップＳ３－１２においても、ステップＳ３－６と同様に、第１電極１２上の上層共通機能層１８と、第３凹部カバー４２上の上層共通機能層１８とを、容易に分断することが可能である。以上により、額縁領域ＮＡ１および非表示領域ＮＡ２を含む位置に、上層共通機能層１８を形成することなく、発光領域ＤＡを含む位置のみに、上層共通機能層１８を形成することができる。
　次いで、図７の（ｅ）に示すように、第２電極１９を、上層共通機能層１８上に形成する（ステップＳ３－１３）。第２電極１９の形成は、上層共通機能層１８の形成と同一の手法によって形成してもよい。
　例えば、ステップＳ３－１３においては、第３除去工程に次いで、第３凹部カバー４２と同一形状の第４凹部カバーを、凹部６Ｒに設置する、第４嵌合工程を実施する。次いで、第２オープンマスク５０を設置し、蒸着方式により、第２電極１９を成膜する、第２電極成膜工程を実施する。次いで、第４凹部カバーを支持基板２６上から除去する、第４除去工程を実施する。これにより、第２電極１９の形成工程が完了し、発光素子形成工程が完了する。
　なお、第２電極１９の成膜は、ステップＳ３－１０に次いで実施してもよい。すなわち、第２オープンマスク５０を使用して、上層共通機能層１８の成膜と、第２電極１９の成膜とを、連続して実施してもよい。この場合、第３除去工程により、第３凹部カバー４２上に形成された上層共通機能層１８と第２電極１９とが併せて除去される。この場合、第４凹部カバーの嵌合および除去が不要となり、発光素子形成工程の簡素化につながる。
　次いで、発光素子８の上層に封止層１０を形成する、封止層形成工程を実施する（ステップＳ４）。ステップＳ４における各層の形成方法について、図１１から図１３を参照して、より詳細に説明する。図１１は、本実施形態における、封止層１０の形成工程について示すフローチャートである。図１２および図１３は、図１１のフローチャートに基づいて実施される、封止層形成工程をより詳細に説明するための工程断面図である。
　はじめに、図１２の（ａ）に示す、第２凹部カバー５２を、凹部６Ｒに設置する、第２嵌合工程を実施する（ステップＳ４－１）。本実施形態において、第２凹部カバー５２は、第１凹部カバー３０と同様に、凸部２８と係合する第２開口５４を有する第２固定部５６と、第２アライメントマーク５８を備えている。
　第２開口５４は、図１２の（ｂ）に示すように、ステップＳ４－１において、凸部２８と係合する位置に形成されている。すなわち、凸部２８は、第２嵌合工程において、第２凹部カバー５２と係合する、第２凸部であってもよく、上述した凸部形成工程は、第２凸部を形成するための第２凸部形成工程であってもよい。また、第１凸部は、第２凸部と同一であってもよい。
　次いで、図１２の（ｂ）に示すように、第２固定部５６に、加熱して軟化させた熱可塑性樹脂３８を流し込む。次いで、第２固定部５６内の熱可塑性樹脂３８を冷却し、当該熱可塑性樹脂３８を固化させる。このようにして、第２凹部カバー５２と凸部２８とを、熱可塑性樹脂３８を介して互いに固定することにより、第２凹部カバー５２を支持基板２６に対し固定する（ステップＳ４－２）。
　第２凹部カバー５２を支持基板２６に対し固定した際の、第２凹部カバー５２の端部付近の構造を、図１４の（ａ）を参照してより詳細に説明する。図１４の（ａ）は、図１２の（ｂ）における、領域Ｄの概略拡大図である。
　第２凹部カバー５２が支持基板２６に対し固定されることにより、図１４の（ａ）に示すように、第２凹部カバー５２は、内側バンクＢＫ２よりも開口部Ｈ側に含まれる位置に配置される。第２凹部カバー５２の端部は、内側バンクＢＫ２を超えず、薄膜トランジスタ層６と重畳する。ここで、薄膜トランジスタ層６と第２凹部カバー５２とは、距離ｄ２だけ離間されている。
　〔変形例２〕
　本実施形態の変形例２においては、薄膜トランジスタ層６と第２凹部カバー５２とが接触していてもよい。本変形例において、第２凹部カバー５２を支持基板２６に対し固定した際の、第２凹部カバー５２の端部付近の構造を、図１４の（ｂ）を参照してより詳細に説明する。図１４の（ｂ）は、本変形例における、図１４の（ａ）に対応する位置における拡大図である。
　本変形例において、薄膜トランジスタ層６と第２凹部カバー５２とは接触している。ここで、第２凹部カバー５２は、端部の下部に、切り欠き５２Ａを備えている。切り欠き５２Ａは、第２凹部カバー５２の端部の下部が、樹脂膜４側に対し、逆テーパー形状となるように形成されている。
　本実施形態に係る封止層１０の形成工程の説明に戻ると、次いで、封止層形成工程として、図１２の（ｃ）に示すように、ＣＶＤマスク６０を設置し、低温ＣＶＤ法により、第１無機封止膜２０の成膜を実施する（ステップＳ４－３）。
　ＣＶＤマスク６０は、第１オープンマスク４０と比較して、ＣＶＤマスク６０を支持基板２６上に配置した場合、外側バンクＢＫ１よりも額縁領域ＮＡ１と重畳する点においてのみ相違する。なお、ＣＶＤマスク６０についても、端部の下部に、切り欠き３０Ａに相当する切り欠きを備えていてもよい。
　このため、ステップＳ４－３においては、外側バンクＢＫ１と重畳する位置を含む、額縁領域ＮＡ１の一部においても、第１無機封止膜２０が成膜される。ただし、薄膜トランジスタ層６の端部よりも額縁領域ＮＡ１側においては、第１無機封止膜２０は成膜されない。
　ステップＳ４－３においては、図１２の（ｃ）に示すように、凹部６Ｒに重畳する位置においても、第１無機封止膜２０が成膜される。また、ステップＳ４－３においては、内側バンクＢＫ２を含む、非表示領域ＮＡ２の一部においても、第１無機封止膜２０が成膜される。ただし、第１無機封止膜２０は、凹部６Ｒ内の樹脂膜４の上面には形成されず、代わりに、第２凹部カバー５２の上面に成膜される。
　次いで、図１２の（ｄ）に示すように、ＣＶＤマスク６０を除去し、次いで、封止層形成工程として、有機封止膜２２の塗布形成を実施する（ステップＳ４－４）。有機封止膜２２の塗布は、従来公知の手法を用いて実施してもよい。なお、ステップＳ４－４においては、マスク等を使用することがないため、ステップＳ４－４に先立って第２凹部カバー５２を除去する工程は必要ない。
　ここで、有機封止膜２２の濡れ広がりは、外側バンクＢＫ１および内側バンクＢＫ２によって堰き止められる。このため、有機封止膜２２は外側バンクＢＫ１および内側バンクＢＫ２よりも発光領域ＤＡ側に形成される。換言すれば、外側バンクＢＫ１および内側バンクＢＫ２は、有機封止膜２２の端部を規定している。
　次いで、封止層形成工程として、図１３の（ａ）に示すように、ＣＶＤマスク６２を設置し、低温ＣＶＤ法により、第２無機封止膜２４の成膜を実施する（ステップＳ４－５）。
　ＣＶＤマスク６２は、ＣＶＤマスク６０と同一の構成を有していてもよい。なお、ＣＶＤマスク６２についても、端部の下部に、切り欠き３０Ａに相当する切り欠きを備えていてもよい。このため、ステップＳ４－５においては、外側バンクＢＫ１と重畳する位置を含む、額縁領域ＮＡ１の一部においても、第２無機封止膜２４が成膜される。ただし、薄膜トランジスタ層６の端部よりも額縁領域ＮＡ１側においては、第２無機封止膜２４は成膜されない。
　ステップＳ４－５においては、図１３の（ａ）に示すように、凹部６Ｒに重畳する位置においても、第２無機封止膜２４が成膜される。また、ステップＳ４－５においては、内側バンクＢＫ２を含む、非表示領域ＮＡ２の一部においても、第２無機封止膜２４が成膜される。ただし、第２無機封止膜２４は、凹部６Ｒ内の樹脂膜４の上面には形成されず、代わりに、第２凹部カバー５２の上面に成膜される。
　次いで、図１３の（ｂ）に示すように、ＣＶＤマスク６２を除去し、熱可塑性樹脂３８にレーザ光Ｌ１を照射して、熱可塑性樹脂３８を加熱させ、熱可塑性樹脂３８を軟化させる（ステップＳ４－６）。これにより、熱可塑性樹脂３８を介した、凸部２８と第２凹部カバー５２との固定が解除される。
　ついで、図１３の（ｃ）に示すように、第２凹部カバー５２を凹部６Ｒから除去することにより、第２凹部カバー５２を支持基板２６上から除去する、第２除去工程を実施する（ステップＳ４－７）。
　なお、第２凹部カバー５２の端部においては、薄膜トランジスタ層６と第２凹部カバー５２との間は、距離ｄ２だけ離間されている。このため、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４は、第２凹部カバー５２の端部において段切れし、または極度に薄膜となっている。したがって、ステップＳ３－７により、薄膜トランジスタ層６上の第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４と、第２凹部カバー５２上の第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４とを、容易に分断することが可能である。第２凹部カバー５２の端部における、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４の段切れを確実とするために、距離ｄ２は、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４の合計膜厚よりも大きいことが好ましい。
　また、上述した変形例２においても、第２凹部カバー５２が切り欠き５２Ａを有するために、第２凹部カバー５２の端部における、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４の段切れを生じさせることができる。
　以上により、額縁領域ＮＡ１および非表示領域ＮＡ２を含む位置に、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４を形成することなく、発光領域ＤＡを含む位置のみに、第１無機封止膜２０および第２無機封止膜２４を形成することができる。以上により、封止層形成工程が完了する。
　本実施形態における、表示デバイス２の製造方法のうち、封止層形成工程より以降の工程について、図１５に示す工程断面図を参照して説明する。
　封止層形成工程に次いで、図１５の（ａ）に示すように、樹脂膜４と、ガラス基板である支持基板２６との剥離を実施する（ステップＳ５）。本実施形態において、ステップＳ５は、レーザリフトオフにより、樹脂膜４と支持基板２６とを剥離する、レーザリフトオフ工程である。具体的には、ステップＳ５において、支持基板２６より下方から、樹脂膜４にレーザを照射して、樹脂膜４と支持基板２６との密着性を低下させ、樹脂膜４と支持基板２６とを剥離する。
　次いで、図１５の（ｂ）に示すように、凹部６Ｒの端部、すなわち、非表示領域ＮＡ２側の薄膜トランジスタ層６の端部における樹脂膜４にレーザ光Ｌ２を照射する。これにより、凹部６Ｒの外周に沿って樹脂膜４をレーザ分断することにより、図１５の（ｃ）に示す、開口部Ｈを形成する、開口部形成工程を実施する（ステップＳ６）。ステップＳ６により、凸部２８が、樹脂膜４とともに除去される。
　以上により、図１５の（ｃ）に示す表示デバイス２が得られる。なお、ステップＳ６におけるレーザ分断により、大判の樹脂膜４上に形成された複数の表示デバイス２を、ここに分断してもよい。また、ステップＳ６の実施後に、樹脂膜４の下層に、ＰＥＴフィルム等の下面フィルムを貼り付けてもよい。
　本実施形態においては、開口部形成工程において、樹脂膜４のみの分断により、開口部を形成することが可能である。したがって、樹脂膜４を除く、例えば、薄膜トランジスタ層６の無機絶縁膜、あるいは、発光素子８または封止層１０の各層を、レーザによって分断する必要がない。このために、開口部形成工程において、レーザ分断に伴う、表示デバイス２の各層へのクラックの発生が低減される。
　また、本実施形態において、開口部Ｈと対応する位置から、発光素子８または封止層１０の各層を除去するために、凹部６Ｒと嵌合する凹部カバーを使用している。このために、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法は、開口部Ｈと対応する位置に成膜された、発光素子８または封止層１０の各層を、レーザ等を使用して除去する等、技術的に困難である工程が必要ない。
　上述の各実施形態に係る表示デバイス２の発光素子８は、柔軟性を有し、屈曲可能であってもよい。上述の各実施形態においては、発光層１６が、量子ドットを備えた量子ドット層であり、発光素子８が、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）であってもよい。また、例えば、上述の各実施形態に係る発光層１６は、有機層であってもよい。すなわち、上述の各実施形態に係る発光素子８は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）であってもよい。この場合、各実施形態に係る表示デバイス２は、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　表示デバイス
４　　　樹脂膜
６　　　薄膜トランジスタ層
８　　　発光素子
８ｆ　　機能層
１０　　封止層
１２　　第１電極
１４　　共通機能層
１６　　発光層（個別機能層）
１８　　上層共通機能層
１９　　第２電極
２０　　第１無機封止膜
２２　　有機封止膜
２４　　第２無機封止膜
２６　　支持基板
２８　　凸部
３０　　第１凹部カバー
３８　　熱可塑性樹脂
４２　　第３凹部カバー
５２　　第２凹部カバー
ＢＫ１　外側バンク
ＢＫ２　内側バンク
ＤＡ　　表示領域
ＮＡ１　額縁領域
ＮＡ２　非表示領域
Ｈ　　　開口部

Claims (20)

  1. 　複数の画素を有する表示領域と、該表示領域の周囲の額縁領域と、前記表示領域の内側の、開口部を有する非表示領域とを有し、下層から順に、基板と、無機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、第１電極、複数の画素に共通の共通機能層を含む機能層、および第２電極を含む発光素子と、無機封止絶縁膜を含む封止層とを備えた表示装置の製造方法であって、
    　前記基板上に前記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、前記薄膜トランジスタ層上に前記発光素子を形成する発光素子形成工程と、前記発光素子上に前記封止層を形成する封止層形成工程とを備え、
    　前記薄膜トランジスタ層形成工程は、前記開口部に対応する位置に、前記薄膜トランジスタ層から前記無機絶縁膜が取り除かれた凹部を形成する凹部形成工程を備え、
    　前記発光素子形成工程は、第１凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第１嵌合工程と、該第１嵌合工程に次いで、前記共通機能層を成膜する共通機能層成膜工程と、前記第１凹部カバーを前記凹部から除去する第１除去工程とを備え、
    　前記封止層形成工程は、第２凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第２嵌合工程と、該第２嵌合工程に次いで、前記封止層を成膜する封止層成膜工程と、前記第２凹部カバーを前記凹部から除去する第２除去工程とを備えた表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記共通機能層は、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも一方を含む請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記薄膜トランジスタ層形成工程が、前記第１凹部カバーに係合する第１凸部を形成する第１凸部形成工程を備えた請求項１または２に記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記第１嵌合工程において、前記第１凹部カバーと前記第１凸部とを、熱可塑性樹脂を介して互いに固定する請求項３に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記薄膜トランジスタ層形成工程が、前記第２凹部カバーに係合する第２凸部を形成する第２凸部形成工程を備えた請求項３または４に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記第２嵌合工程において、前記第２凹部カバーと前記第２凸部とを、熱可塑性樹脂を介して互いに固定する請求項５に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記第１凸部と前記第２凸部とが同一の凸部である請求項５または６に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　前記機能層が、前記共通機能層の上層に、前記画素ごとの個別機能層をさらに備え、
    　前記発光素子形成工程が、前記第１除去工程に次いで、前記個別機能層を形成する個別機能層成膜工程をさらに備えた請求項３から７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記機能層が、前記個別機能層の上層に、複数の前記画素に共通の上層共通機能層をさらに備え、
    　前記発光素子形成工程が、前記個別機能層成膜工程に次いで、第３凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第３嵌合工程と、該第３嵌合工程に次いで、前記上層共通機能層を成膜する上層共通機能層成膜工程と、前記第３凹部カバーを前記凹部から除去する第３除去工程とをさらに備えた請求項８に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　前記上層共通機能層は、電子輸送層および電子注入層の少なくとも一方を含む請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　前記薄膜トランジスタ層形成工程が、前記第３凹部カバーに係合する第３凸部を形成する第３凸部形成工程を備えた請求項９または１０に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　前記第３嵌合工程において、前記第３凹部カバーと前記第３凸部とを、熱可塑性樹脂を介して互いに固定する請求項１１に記載の表示デバイスの製造方法。
  13. 　前記第１凸部と前記第３凸部とが同一の凸部である請求項１１または１２に記載の表示デバイスの製造方法。
  14. 　前記個別機能層が発光層を含む請求項８から１３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  15. 　前記発光素子形成工程が、前記第１除去工程よりも後に、第４凹部カバーを前記凹部に嵌め合わせる第４嵌合工程と、該第４嵌合工程に次いで、前記第２電極を成膜する第２電極成膜工程と、前記第４凹部カバーを前記凹部から除去する第４除去工程とをさらに備えた請求項１から１４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  16. 　前記基板が樹脂膜を備え、
    　前記薄膜トランジスタ層形成工程に先立って、ガラス基材上に前記樹脂膜を成膜する樹脂膜成膜工程をさらに備え、
    　前記薄膜トランジスタ層形成工程において、前記薄膜トランジスタ層を、前記樹脂膜上に形成する請求項１から１５の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  17. 　前記封止層形成工程に次いで、レーザリフトオフにより、前記ガラス基材を前記樹脂膜から剥離するレーザリフトオフ工程をさらに備えた請求項１６に記載の表示デバイスの製造方法。
  18. 　前記レーザリフトオフ工程に次いで、レーザ分断により、前記開口部を形成する開口部形成工程をさらに備えた請求項１７に記載の表示デバイスの製造方法。
  19. 　前記封止層が有機封止膜をさらに備え、
    　前記薄膜トランジスタ層形成工程が、前記有機封止膜の端部を規定するバンクを形成するバンク形成工程を備え、
    　前記バンクが、前記表示領域を囲む外側バンクと、前記開口部を囲む内側バンクとを含み、
    　前記第１嵌合工程において、前記第１凹部カバーを、前記内側バンクと重畳する位置に設置する請求項１から１８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  20. 　前記第２嵌合工程において、該第２凹部カバーが前記内側バンクよりも前記開口部側に含まれるように、前記第２凹部カバーを設置する請求項１９に記載の表示デバイスの製造方法。
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