WO2019150503A1

WO2019150503A1 - 表示装置

Info

Publication number: WO2019150503A1
Application number: PCT/JP2018/003259
Authority: WO
Inventors: 達岡部; 遼佑郡司; 博己谷山; 市川　伸治; 家根田　剛士; 浩治神村; 芳浩仲田; 彬井上
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2018-01-31
Filing date: 2018-01-31
Publication date: 2019-08-08
Also published as: US20210066440A1; US11574982B2; CN111656427A; CN111656427B

Abstract

スリット（ＣＬ）における、表示領域（ＤＡ）に近い方の端部及び端子部（ＴＭ）に近い方の端部には、エッチングストッパ膜（１５ａ・１５ｂ）を含む段差形状の側面が形成されている。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。

　特許文献１には、表示装置を折り曲げるために形成されたベンディング領域を含む表示装置について開示されている。

日本国公開特許公報「特開２０１４‐２３２３００号」公報（２０１４年１２月１１日公開）

　特許文献１に開示されている従来の表示装置に備えられたベンディング領域（スリットともいう）においては、その側面は、比較的急峻なテーパー形状（傾斜形状）で形成されており、上記ベンディング領域と交差するように、複数の引き回し配線をパターンニングして設けようとすると、比較的急峻なテーパー形状（傾斜形状）の側面の影響で、上記複数の引き回し配線間の領域に残渣が生じやすく、上記複数の引き回し配線間のリークが生じやすいという問題がある。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、スリット内に形成される複数の引き回し配線間において、リークが生じるのを抑制した表示装置を提供することを目的とする。

　本発明の表示装置は、上記の課題を解決するために、基板上に、複数の表示素子及び複数のアクティブ素子を備えた表示領域と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた複数の引き回し配線の各々の端子部と、を含む表示装置であって、上記基板上には、少なくとも、第１の無機膜層と、上記第１の無機膜層より上層である第２の無機膜層とを含む複数の無機膜層が形成されており、上記額縁領域であって、上記表示領域と上記端子部との間においては、上記複数の無機膜層にスリットが形成されており、上記スリットには、上記第１の無機膜層に形成された第１スリットと、上記第２の無機膜層に形成された第２スリットとが含まれ、上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第１スリットの少なくとも一方の端部には、上記第１の無機膜層上に第１エッチングストッパ層が形成されており、上記第２スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第１スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴としている。

　上記構成によれば、上記スリットは上記第１エッチングストッパ層を含む段差形状の側面を有するので、上記スリット内に形成される複数の引き回し配線間において、リークが生じるのを抑制した表示装置を実現できる。

　本発明の一態様によれば、スリット内に形成される複数の複数の引き回し配線間において、リークが生じるのを抑制した表示装置を提供できる。

実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための図である。トップゲート型のＴＦＴ素子を備えた実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための平面図である。実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の額縁領域に形成された折り曲げスリットを示す断面図である。（ａ）は、実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置に備えられたエッチングストッパ膜の形状を示す図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、エッチングストッパ膜の変形例を示す図である。比較例であるフレキシブル有機ＥＬ表示装置に備えられた折り曲げスリットを示す断面図である。（ａ）は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えた実施形態２のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の額縁領域に形成された折り曲げスリットを示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態２のフレキシブル有機ＥＬ表示装置に備えられた一部のエッチングストッパ膜の形状を示す図である。（ａ）は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えた実施形態３のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の額縁領域に形成された折り曲げスリットを示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態３のフレキシブル有機ＥＬ表示装置に備えられた一部のエッチングストッパ膜の形状を示す図である。トップゲート型のＴＦＴ素子を備えた実施形態４のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の概略構成を説明するための平面図である。実施形態４のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の額縁領域に形成されたクラックの拡大抑制用スリットを示す断面図である。ボトムゲート型のＴＦＴ素子を備えた実施形態５のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の額縁領域に形成された折り曲げスリットの一例を示す断面図である。

　本発明の実施の形態について図１から図９に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　なお、以下の各実施形態においては、表示素子（光学素子）の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、電圧によって輝度や透過率が制御され、バックライトを必要としない、反射型の液晶表示素子等であってもよい。

　上記表示素子（光学素子）は、電流によって輝度や透過率が制御される光学素子であってもよく、電流制御の光学素子としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイ、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等がある。

　〔実施形態１〕
　以下においては、図１から図４に基づき、本発明の実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１・１ａ・１ｂについて説明し、図５に基づき、比較例であるフレキシブル有機ＥＬ表示装置５０について説明する。

　図１は、実施形態１のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１の概略構成を説明するための図である。

　図１の（ｂ）に基づいて、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１の製造工程について説明する。

　先ず、後工程で、剥がされ、下面フィルム１０に付け替えられる透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、端子部ＴＭ及び引き回し配線ＴＷを含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、表示素子として、発光素子層である有機ＥＬ素子層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に図示していない上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。なお、封止層６上に図示していない上面フィルムを貼り付けるステップは、例えば、封止層６上に接着層を介してタッチパネルを設ける場合などには、適宜省くことができるのは言うまでもない。次いで、支持基板越しに樹脂層（第１樹脂層）１２の下面にレーザ光を照射して支持基板及び樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。このステップをＬａｓｅｒ　Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ工程（ＬＬＯ工程）ともいう。次いで、樹脂層１２において、支持基板を剥離した面に、接着層を介して、下面フィルム１０を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、有機ＥＬ素子層５、封止層６及び上面フィルムを含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、縁部分の端子部ＴＭに、電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）を異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）で圧着し、マウントする（ステップＳ１０）。次いで、縁折り加工（図１に図示する折り曲げスリットＣＬで１８０度折り曲げる加工）を施し、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１とする（ステップＳ１１）。次いで、断線検査を行い、断線があれば修正を行う（ステップＳ１２）。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。

　下面フィルム１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を挙げることができるが、これに限定されることはない。

　バリア層（第１の無機膜層（無機防湿層））３は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１の使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や有機ＥＬ素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、樹脂層１２及びバリア層３の上層に設けられている。ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜（第２の無機膜層（ゲート絶縁膜層））１６と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜（第３の無機膜層（第１無機絶縁膜層））１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜（第４の無機膜層（第２無機絶縁膜層））２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース・ドレイン電極を含むソース・ドレイン配線ＳＨ及び端子部ＴＭと、ソース・ドレイン配線ＳＨ及び端子部ＴＭよりも上層の平坦化膜（第２樹脂層）２１とを含む。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０及びソース・ドレイン配線ＳＨを含むように、アクティブ素子としての薄膜トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）が構成される。

　なお、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１においては、少なくとも、表示領域ＤＡ及び額縁領域ＮＡの一部領域に、共通する複数層の無機膜が形成されており、この共通する複数層の無機膜には、バリア層３と、無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０とが含まれる。

　図１の（ａ）に図示するフレキシブル有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＡの外側に配置された額縁領域ＮＡには、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる端子部ＴＭと、端子部ＴＭと表示領域ＤＡの配線等を繋ぐ引き回し配線ＴＷとが形成される。端子部ＴＭは額縁領域ＮＡの端部に設けられている。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース・ドレイン配線ＳＨ、引き回し配線ＴＷ、及び端子部ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　有機ＥＬ素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆うバンク２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルＳＰごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、及びカソード２５を含む。バンク２３（アノードエッジカバー）２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機ＥＬ素子層５は、表示領域ＤＡを形成し、ＴＦＴ層４の上層に設けられている。

　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。

　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　有機ＥＬ素子層５においては、アノード２２及びカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。有機ＥＬ素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の有機ＥＬ素子層５への浸透を防いでいる。

　第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　以上のように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１は、ＬＬＯ工程を含む製造工程で製造する場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、支持基板として、上述したステップＳ１からステップＳ５までの工程における温度に耐えられる高耐熱性を有する可撓性基板を用いる場合には、基板の付け替え等が不要であるため、上述したステップＳ７及びステップＳ８は省略できる。

　図１の（ａ）に図示するように、折り曲げスリットＣＬは、個片化された下面フィルム１０上における額縁領域ＮＡの一部領域において、複数の引き回し配線ＴＷの各々の延伸方向である第１方向（図中上下方向）と直交する第２方向（図中左右方向）の一方側の端部から他方側の端部まで形成された一つの開口として形成しているが、これに限定されることはない。

　なお、図１の（ａ）に図示する複数の端子部ＴＭの各々は、図１の（ｂ）に図示する複数の薄膜トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）の一部に外部から信号を入力する複数の引き回し配線ＴＷの各々の一部分である。すなわち、複数の端子部ＴＭの各々は、複数の引き回し配線ＴＷの各々の一部分であって、若干太く形成された部分である。

　図２は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えた本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１の概略構成を説明するための平面図である。

　図３は、図１の（ａ）に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置１のＡ部分を示す断面図である。

　図２及び図３に図示するように、下面フィルム１０及び樹脂層１２上の額縁領域ＮＡにおける表示領域ＤＡと端子部ＴＭとの間に、表示領域ＤＡに形成された複数の無機膜、すなわち、バリア層３と、無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０とが形成され、かつ、上記複数の無機膜の一部領域が除去されたスリットＣＬが形成されている。

　スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方においては、エッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂ（枕層ともいう）を含む段差形状の側面が形成されている。

　すなわち、図３に図示するように、下面フィルム１０及び樹脂層１２上には、少なくとも、バリア層（第１の無機膜層）３と、バリア層３より上層である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６とを含む複数の無機膜層が形成されており、上記複数の無機膜層にはスリットＣＬが形成されている。

　スリットＣＬには、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ１であるバリア層（第１の無機膜層）３に形成された第１スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ２である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６に形成された第２スリットとが含まれる。

　複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における上記第１スリットの両方の端部には、バリア層（第１の無機膜層）３上にエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂが形成されており、上記第２スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ２は、上記第１スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ１より広い。

　また、図３に図示するように、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂが備えられた上記第１スリットの両方の端部における上記第１スリットの側面と、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの側面とは揃っていてもよい。

　ここで、上記第１スリットの側面と、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの側面とが揃うとは、ドライエッチングなどのパターニング時に、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂがバリア層（第１の無機膜層）３のエッチングストッパとして機能するために、バリア層（第１の無機膜層）３の側面がエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの側面と揃うことを意味し、厳密に一致することのみに限定されることはなく、パターニングで揃う程度の意味である。

　なお、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１の場合、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方にエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂを含む段差形状の側面を形成したが、何れか一方にのみ形成してもよい。

　本実施形態においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂは、半導体膜１５と同一層を用いて形成しており、例えば、シリコン膜または酸化物半導体膜で形成することができる。

　本実施形態においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々をシリコン膜または酸化物半導体膜で形成しているので、下面フィルム１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、有機ＥＬ素子層５、封止層６などを含む積層体を分断する際に、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂにクラックが発生しやすいので、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂが分断する領域近くには形成されないように、図２に図示するように、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々を、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎと平面視において重なり、かつ、下面フィルム１０の端部とは接しないように、スリットＣＬの側面に沿って形成された一つの島状の膜で形成した。

　エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの形状は、これに限定されることはなく、上記分断をレーザで行う場合などには、分断の際にエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂに生じるクラックを抑制できるので、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々を、下面フィルム１０の端部と接するように形成してもよい。

　なお、図２に図示するように、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、第１導電部材ＳＨ１と、第２導電部材ＳＨ２と、第３導電部材Ｇ１と、第４導電部材Ｇ２とを含む配線であり、第１導電部材ＳＨ１及び第２導電部材ＳＨ２は、上述したソース・ドレイン配線ＳＨと同一層で形成されており、第３導電部材Ｇ１及び第４導電部材Ｇ２は、上述したゲート電極ＧＥと同一層で形成されている。そして、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々の端子部ＴＭは、上述したソース・ドレイン配線ＳＨと同一層で形成されている。

　また、図２における封止層６は、封止層６の形成領域を示すために図示したものであり、図２におけるカソード２５は、カソード２５の形成領域を示すために図示したものであり、図２における導通部２５ａは、カソード２５とカソード２５用の配線との導通部を図示したものである。

　図２及び図３に図示するように、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、スリットＣＬと交差するように形成されており、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、エッチングストッパ膜１５ａ・１５と接している。

　また、図３に図示するように、スリットＣＬは、樹脂層１２を露出するように形成され、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々の一部、すなわち、第２導電部材ＳＨ２は、樹脂層１２と接して形成されている。

　なお、本実施形態においては、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々における第２導電部材ＳＨ２が、アノード２２のパターンニングの際にダメージを受けるのを抑制するため、図２及び図３に図示するように、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々における第２導電部材ＳＨ２は、平坦化膜２１で覆うように形成したが、これに限定されることはない。

　以上のように、本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１の額縁領域ＮＡに形成された折り曲げスリットＣＬは、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂを含む段差形状の側面を有するので、スリットＣＬ内に形成される引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎをパターンニング形成する際に、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎ間に残渣が生じるのを抑制でき、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎ間において、リークが生じるのを抑制できる。

　図４の（ａ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１に備えられたエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの形状を示す図であり、図４の（ｂ）及び図４の（ｃ）は、エッチングストッパ膜の変形例を示す図である。

　図４の（ａ）に図示するように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１に備えられたシリコン膜または酸化物半導体膜で形成したエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々の形状は、分断する際に、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂにクラックが発生しやすいので、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々が分断する領域近くには形成されないように、例えば、図４の（ａ）に図示するＢ部分には、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂの各々を、形成していない。

　図４の（ｂ）に図示するように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ａに備えられたエッチングストッパ膜１５ｃ・１５ｄの各々の形状は、スリットＣＬの側面に沿って形成された複数の島状の膜で形成されており、上記複数の島状の膜の各々は、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々と接するように形成されていてもよい。すなわち、上記複数の島状の膜の各々と引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々とは１対１で接するように形成されていてもよい。

　図４の（ｃ）に図示するように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｂに備えられたエッチングストッパ膜１５ｅ・１５ｆの各々の形状は、スリットＣＬの側面に沿って形成された複数の島状の膜で形成されており、上記複数の島状の膜の少なくとも一部は、２つ以上の引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々と接するように形成されていてもよい。

　図５は、比較例であるフレキシブル有機ＥＬ表示装置５０に備えられた折り曲げスリットＣＬ’を示す断面図である。

　図５に図示するように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置５０においては、折り曲げスリットＣＬ’は、バリア層３と、無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０との無機積層膜全てを除去して形成されている。

　フレキシブル有機ＥＬ表示装置５０に備えられた折り曲げスリットＣＬ’においては、その側面は、比較的急峻なテーパー形状（傾斜形状）で形成されており、折り曲げスリットＣＬ’と交差するように、複数の引き回し配線ＴＷをパターンニングして設けようとすると、比較的急峻なテーパー形状（傾斜形状）の側面の影響で、複数の引き回し配線ＴＷ間の領域に残渣が生じやすく、複数の引き回し配線ＴＷ間のリークが生じやすいという問題がある。

　〔実施形態２〕
　次に、図６に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｃにおいては、半導体膜１５と同一層を用いて形成したエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂに加えて、さらに、ゲート電極ＧＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４を、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂより上層に備えている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図６の（ａ）は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えたフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｃの額縁領域ＮＡに形成された折り曲げスリットＣＬを示す断面図であり、図６の（ｂ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｃに備えられた一部のエッチングストッパ膜Ｇ３・Ｇ４の形状を示す図である。なお、図６の（ｂ）においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂは図示を省略した。

　図６の（ａ）に図示するように、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４を含む段差形状の側面が形成されている。

　すなわち、図６の（ａ）に図示するように、下面フィルム１０及び樹脂層１２上には、少なくとも、バリア層（第１の無機膜層）３と、バリア層３より上層である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６と、無機絶縁膜１６より上層である無機絶縁膜（第３の無機膜層）１８を含む複数の無機膜層が形成されており、上記複数の無機膜層にはスリットＣＬが形成されている。

　スリットＣＬには、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ１であるバリア層（第１の無機膜層）３に形成された第１スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ２である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６に形成された第２スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ３である無機絶縁膜（第３の無機膜層）１８に形成された第３スリットとが含まれる。

　さらに、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における上記第２スリットの両方の端部には、無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６上にエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４が形成されており、上記第３スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ３は、上記第２スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ２より広い。

　また、図６の（ａ）に図示するように、エッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４が備えられた上記第２スリットの両方の端部における上記第２スリットの側面と、エッチングストッパ膜Ｇ３・Ｇ４の側面とは揃っていてもよい。

　図６の（ａ）に図示するように、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、スリットＣＬと交差するように形成されており、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４と接している。

　なお、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｃの場合、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方にエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４を含む段差形状の側面を形成したが、何れか一方にのみ形成してもよい。

　また、表示領域ＤＡに近い方の端部は、エッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａのみを含む段差形状の側面を形成し、端子部ＴＭに近い方の端部はエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ４のみを含む段差形状の側面を形成してもよく、表示領域ＤＡに近い方の端部は、エッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３のみを含む段差形状の側面を形成し、端子部ＴＭに近い方の端部はエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ｂのみを含む段差形状の側面を形成してもよい。

　また、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方にエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４のみを含む段差形状の側面を形成してもよく、何れか一方にのみ形成してもよい。

　なお、ゲート電極ＧＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜Ｇ３・Ｇ４は、導電膜であるため、図６の（ｂ）に図示するように、エッチングストッパ膜Ｇ３・Ｇ４の各々の形状は、スリットＣＬの側面に沿って形成された複数の島状の膜で形成されており、上記複数の島状の膜の各々は、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々と接する、すなわち、上記複数の島状の膜の各々と引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々とは１対１で接するように形成される必要がある。

　〔実施形態３〕
　次に、図７に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｄにおいては、半導体膜１５と同一層を用いて形成したエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂと、ゲート電極ＧＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４とに加えて、さらに、容量電極ＣＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第３エッチングストッパ層）Ｃ１・Ｃ２を、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４より上層に備えている点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図７の（ａ）は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えたフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｄの額縁領域ＮＡに形成された折り曲げスリットＣＬを示す断面図であり、図７の（ｂ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｄに備えられた一部のエッチングストッパ膜Ｃ１・Ｃ２の形状を示す図である。なお、図７の（ｂ）においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４は図示を省略した。

　図７の（ａ）に図示するように、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方においては、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４・Ｃ１・Ｃ２を含む段差形状の側面が形成されている。

　すなわち、図７の（ａ）に図示するように、下面フィルム１０及び樹脂層１２上には、少なくとも、バリア層（第１の無機膜層）３と、バリア層３より上層である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６と、無機絶縁膜１６より上層である無機絶縁膜（第３の無機膜層）１８と、無機絶縁膜１８より上層である無機絶縁膜（第４の無機膜層）２０とを含む複数の無機膜層が形成されており、上記複数の無機膜層にはスリットＣＬが形成されている。

　スリットＣＬには、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ１であるバリア層（第１の無機膜層）３に形成された第１スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ２である無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６に形成された第２スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ３である無機絶縁膜（第３の無機膜層）１８に形成された第３スリットと、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅がＷ４である無機絶縁膜（第４の無機膜層）２０に形成された第４スリットが含まれる。

　複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における上記第２スリットの両方の端部には、無機絶縁膜（第２の無機膜層）１６上にエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４が形成されており、上記第３スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ３は、上記第２スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ２より広い。

　さらに、複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における上記第３スリットの両方の端部には、無機絶縁膜（第３の無機膜層）１８上にエッチングストッパ膜（第３エッチングストッパ層）Ｃ１・Ｃ２が形成されており、上記第４スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ４は、上記第３スリットの複数の引き回し配線ＴＷの延伸方向における幅Ｗ３より広い。

　また、図７の（ａ）に図示するように、エッチングストッパ膜（第３エッチングストッパ層）Ｃ１・Ｃ２が備えられた上記第３スリットの両方の端部における上記第３スリットの側面と、エッチングストッパ膜Ｃ１・Ｃ２の側面とは揃っていてもよい。

　図７の（ａ）に図示するように、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、スリットＣＬと交差するように形成されており、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々は、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４・Ｃ１・Ｃ２と接している。

　なお、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｄの場合、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方にエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４・Ｃ１・Ｃ２を含む段差形状の側面を形成したが、何れか一方にのみ形成してもよい。

　また、スリットＣＬにおける、表示領域ＤＡに近い方の端部及び端子部ＴＭに近い方の端部の両方にエッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂのみまたは、エッチングストッパ膜Ｇ３・Ｇ４のみまたは、エッチングストッパ膜Ｃ１・Ｃ２のみを含む段差形状の側面を形成してもよく、何れか一方にのみ形成してもよい。

　なお、容量電極ＣＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜Ｃ１・Ｃ２は、導電膜であるため、図７の（ｂ）に図示するように、エッチングストッパ膜Ｃ１・Ｃ２の各々の形状は、スリットＣＬの側面に沿って形成された複数の島状の膜で形成されており、上記複数の島状の膜の各々は、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々と接する、すなわち、上記複数の島状の膜の各々と引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎの各々とは１対１で接するように形成される必要がある。

　〔実施形態４〕
　次に、図８及び図９に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｅは、折り曲げスリットＣＬの代わりに、クラックの拡大抑制用スリットＳＬを備えている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図８は、トップゲート型のＴＦＴ素子を備えたフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｅの概略構成を説明するための平面図である。

　図９は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｅの額縁領域ＮＡに形成されたクラックの拡大抑制用スリットＳＬを示す断面図である。

　クラックの拡大抑制用スリットＳＬの形成は、上述した折り曲げスリットＣＬと同様に形成することができるので、ここでは、その説明は省略する。

　本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｅにおいては、異方性導電フィルムで圧着する際などに端子部ＴＭで生じたクラックが、表示領域ＤＡ側に拡がるのを抑制できるとともに、額縁領域ＮＡに形成されたクラックの拡大抑制用スリットＳＬは、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂを含む段差形状の側面を有するので、スリットＳＬ内に形成される引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎをパターンニング形成する際に、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎ間に残渣が生じるのを抑制でき、引き回し配線ＴＷ１～ＴＷｎ間において、リークが生じるのを抑制できる。

　なお、クラックの拡大抑制用スリットＳＬと折り曲げスリットＣＬとは、同一形状で形成することができるので、一つのスリットを形成し、クラックの拡大抑制用と折り曲げ用とに用いてもよい。

　〔実施形態５〕
　次に、図１０に基づき、本発明の実施形態５について説明する。本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｆ・１ｇ・１ｈは、ボトムゲート型のＴＦＴ素子を備えている点において、実施形態１から４とは異なり、その他については実施形態１から４において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０は、ボトムゲート型のＴＦＴ素子を備えたフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｆ・１ｇ・１ｈの額縁領域ＮＡに形成された折り曲げスリットＣＬの一例を示す断面図である。

　図１０の（ａ）に図示するフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｆにおいては、ボトムゲート型のＴＦＴ素子に備えられた半導体膜１５と同一層を用いて形成したエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂが備えられており、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂは、無機絶縁膜１６上に形成されている。

　図１０の（ｂ）に図示するフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｇにおいては、ボトムゲート型のＴＦＴ素子に備えられた半導体膜１５と同一層を用いて形成したエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂに加えて、さらに、ボトムゲート型のＴＦＴ素子に備えられたゲート電極ＧＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４を、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂより下層に備えている。

　図１０の（ｃ）に図示するフレキシブル有機ＥＬ表示装置１ｈにおいては、ボトムゲート型のＴＦＴ素子に備えられた半導体膜１５と同一層を用いて形成したエッチングストッパ膜（第２エッチングストッパ層）１５ａ・１５ｂと、ボトムゲート型のＴＦＴ素子に備えられたゲート電極ＧＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第１エッチングストッパ層）Ｇ３・Ｇ４とに加えて、さらに、容量電極ＣＥと同一層で形成されたエッチングストッパ膜（第３エッチングストッパ層）Ｃ１・Ｃ２を、エッチングストッパ膜１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４より上層に備えている。

　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　基板上に、複数の表示素子及び複数のアクティブ素子を備えた表示領域と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた複数の引き回し配線の各々の端子部と、を含む表示装置であって、上記基板上には、少なくとも、第１の無機膜層と、上記第１の無機膜層より上層である第２の無機膜層とを含む複数の無機膜層が形成されており、上記額縁領域であって、上記表示領域と上記端子部との間においては、上記複数の無機膜層にスリットが形成されており、上記スリットには、上記第１の無機膜層に形成された第１スリットと、上記第２の無機膜層に形成された第２スリットとが含まれ、上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第１スリットの少なくとも一方の端部には、上記第１の無機膜層上に第１エッチングストッパ層が形成されており、上記第２スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第１スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする表示装置。

　〔態様２〕
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第１スリットの両方の端部の各々には、上記第１の無機膜層上に上記第１エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする態様１に記載の表示装置。

　〔態様３〕
　上記第１エッチングストッパ層が備えられた上記第１スリットの端部において、上記第１スリットの側面と上記第１エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする態様１または２に記載の表示装置。

　〔態様４〕
　上記複数の引き回し配線は、金属配線であり、上記複数の引き回し配線は、上記スリットと交差するように形成されており、上記複数の引き回し配線は、上記第１エッチングストッパ層と接していることを特徴とする態様１から３の何れかに記載の表示装置。

　〔態様５〕
　上記基板上には、第１樹脂層が形成されており、上記複数の無機膜層は、上記第１樹脂層上に形成されており、上記スリットは、上記第１樹脂層を露出するように形成され、上記複数の引き回し配線の各々の一部は、上記第１樹脂層と接して形成されていることを特徴とする態様４に記載の表示装置。

　〔態様６〕
　上記複数の無機膜層は、上記第２の無機膜層より上層である第３の無機膜層を含み、上記スリットには、上記第３の無機膜層に形成された第３スリットが含まれ、上記引き回し配線の延伸方向における上記第２スリットの少なくとも一方の端部には、上記第２の無機膜層上に第２エッチングストッパ層が形成されており、上記第３スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第２スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする態様１から５の何れかに記載の表示装置。

　〔態様７〕
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第２スリットの両方の端部の各々には、上記第２の無機膜層上に上記第２エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする態様６に記載の表示装置。

　〔態様８〕
　上記第２エッチングストッパ層が備えらえた上記第２スリットの端部において、上記第２スリットの側面と上記第２エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする態様６または７に記載の表示装置。

　〔態様９〕
　上記複数の無機膜層は、上記第３の無機膜層より上層である第４の無機膜層を含み、上記スリットには、上記第４の無機膜層に形成された第４スリットが含まれ、上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第３スリットの少なくとも一方の端部には、上記第３の無機膜層上に第３エッチングストッパ層が形成されており、上記第４スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第３スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする態様６から８の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１０〕
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第３スリットの両方の端部の各々には、上記第３の無機膜層上に上記第３エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする態様９に記載の表示装置。

　〔態様１１〕
　上記第３エッチングストッパ層が備えらえた上記第３スリットの端部において、上記第３スリットの側面と上記第３エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする態様９または１０に記載の表示装置。

　〔態様１２〕
　上記第１の無機膜層は、無機防湿層であり、上記第２の無機膜層は、上記アクティブ素子が含むゲート絶縁膜層と同一層であり、上記第３の無機膜層は、上記アクティブ素子が含む第１無機絶縁膜層と同一層であり、上記第４の無機膜層は、上記アクティブ素子が含む第２無機絶縁膜層と同一層であることを特徴とする態様９から１１の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１３〕
　上記第３の無機膜層と上記第４の無機膜層との間に形成された容量電極層を含む容量素子が備えられており、上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層及び上記アクティブ素子が含むゲート電極層と同一層から選択された一方で形成されており、上記第２エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層及び上記アクティブ素子が含むゲート電極層と同一層から選択された他方で形成されており、上記第３エッチングストッパ層は、上記容量電極層と同一層で形成されていることを特徴とする態様１２に記載の表示装置。

　〔態様１４〕
　上記スリットは、折り曲げ部を形成し、上記複数の引き回し配線は、第２樹脂層で覆われていることを特徴とする態様１から１３の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１５〕
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、上記第１エッチングストッパ層は、一つの島状に形成されており、上記一つの島状の第１エッチングストッパ層は、上記複数の引き回し配線中の異なる２つ以上と接することを特徴とする態様１から１４の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１６〕
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の各々は、上記複数の引き回し配線中の異なる１つと接することを特徴とする態様１から１４の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１７〕
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の少なくとも１つは、上記複数の引き回し配線中の異なる２つ以上と接することを特徴とする態様１から１４の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１８〕
　上記第１エッチングストッパ層は、金属材料で形成されており、上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の各々は、上記複数の引き回し配線中の異なる１つと接することを特徴とする態様１から１４の何れかに記載の表示装置。

　〔態様１９〕
　上記スリットは、上記基板上において、上記複数の引き回し配線の延伸方向と直交する方向の一方側の端部から他方側の端部まで形成されており、上記第１エッチングストッパ層は、上記一方側の端部及び上記他方側の端部より内側に形成されていることを特徴とする態様１から１８の何れかに記載の表示装置。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、表示装置に利用することができる。

　１・１ａ～１ｈ　フレキシブル有機ＥＬ表示装置、３　バリア層、４　ＴＦＴ層、５　有機ＥＬ素子層、６　封止層、１２　樹脂層１６・１８・２０　無機絶縁膜、２１　平坦化膜、ＣＬ　折り曲げスリット、ＳＬ　クラックの拡大抑制用スリット、ＤＡ　表示領域、ＮＡ　額縁領域、ＴＭ　端子部、ＴＷ１～ＴＷｎ　引き回し配線、Ｔｒ　薄膜トランジスタ、ＧＥ　ゲート電極、ＳＨ　ソース・ドレイン配線、ＣＥ　容量電極、１５ａ・１５ｂ・Ｇ３・Ｇ４・Ｃ１・Ｃ２　エッチングストッパ膜、ＳＨ１　第１導電部材、ＳＨ２　第２導電部材、Ｇ１　第３導電部材、Ｇ２　第４導電部材、

Claims

　基板上に、複数の表示素子及び複数のアクティブ素子を備えた表示領域と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた複数の引き回し配線の各々の端子部と、を含む表示装置であって、
　上記基板上には、少なくとも、第１の無機膜層と、上記第１の無機膜層より上層である第２の無機膜層とを含む複数の無機膜層が形成されており、
　上記額縁領域であって、上記表示領域と上記端子部との間においては、上記複数の無機膜層にスリットが形成されており、
　上記スリットには、上記第１の無機膜層に形成された第１スリットと、上記第２の無機膜層に形成された第２スリットとが含まれ、
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第１スリットの少なくとも一方の端部には、上記第１の無機膜層上に第１エッチングストッパ層が形成されており、
　上記第２スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第１スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする表示装置。
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第１スリットの両方の端部の各々には、上記第１の無機膜層上に上記第１エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層が備えられた上記第１スリットの端部において、上記第１スリットの側面と上記第１エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
　上記複数の引き回し配線は、金属配線であり、
　上記複数の引き回し配線は、上記スリットと交差するように形成されており、
　上記複数の引き回し配線は、上記第１エッチングストッパ層と接していることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
　上記基板上には、第１樹脂層が形成されており、
　上記複数の無機膜層は、上記第１樹脂層上に形成されており、
　上記スリットは、上記第１樹脂層を露出するように形成され、
　上記複数の引き回し配線の各々の一部は、上記第１樹脂層と接して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
　上記複数の無機膜層は、上記第２の無機膜層より上層である第３の無機膜層を含み、
　上記スリットには、上記第３の無機膜層に形成された第３スリットが含まれ、
　上記引き回し配線の延伸方向における上記第２スリットの少なくとも一方の端部には、上記第２の無機膜層上に第２エッチングストッパ層が形成されており、
　上記第３スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第２スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の表示装置。
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第２スリットの両方の端部の各々には、上記第２の無機膜層上に上記第２エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
　上記第２エッチングストッパ層が備えらえた上記第２スリットの端部において、上記第２スリットの側面と上記第２エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置。
　上記複数の無機膜層は、上記第３の無機膜層より上層である第４の無機膜層を含み、
　上記スリットには、上記第４の無機膜層に形成された第４スリットが含まれ、
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第３スリットの少なくとも一方の端部には、上記第３の無機膜層上に第３エッチングストッパ層が形成されており、
　上記第４スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅は、上記第３スリットの上記複数の引き回し配線の延伸方向における幅より広いことを特徴とする請求項６から８の何れか１項に記載の表示装置。
　上記複数の引き回し配線の延伸方向における上記第３スリットの両方の端部の各々には、上記第３の無機膜層上に上記第３エッチングストッパ層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
　上記第３エッチングストッパ層が備えらえた上記第３スリットの端部において、上記第３スリットの側面と上記第３エッチングストッパ層の側面とは揃っていることを特徴とする請求項９または１０に記載の表示装置。
　上記第１の無機膜層は、無機防湿層であり、
　上記第２の無機膜層は、上記アクティブ素子が含むゲート絶縁膜層と同一層であり、
　上記第３の無機膜層は、上記アクティブ素子が含む第１無機絶縁膜層と同一層であり、
　上記第４の無機膜層は、上記アクティブ素子が含む第２無機絶縁膜層と同一層であることを特徴とする請求項９から１１の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第３の無機膜層と上記第４の無機膜層との間に形成された容量電極層を含む容量素子が備えられており、
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層及び上記アクティブ素子が含むゲート電極層と同一層から選択された一方で形成されており、
　上記第２エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層及び上記アクティブ素子が含むゲート電極層と同一層から選択された他方で形成されており、
　上記第３エッチングストッパ層は、上記容量電極層と同一層で形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
　上記スリットは、折り曲げ部を形成し、
　上記複数の引き回し配線は、第２樹脂層で覆われていることを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、
　上記第１エッチングストッパ層は、一つの島状に形成されており、
　上記一つの島状の第１エッチングストッパ層は、上記複数の引き回し配線中の異なる２つ以上と接することを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、
　上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、
　上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の各々は、上記複数の引き回し配線中の異なる１つと接することを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層は、上記アクティブ素子が含む半導体層と同一層で形成されており、
　上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、
　上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の少なくとも１つは、上記複数の引き回し配線中の異なる２つ以上と接することを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層は、金属材料で形成されており、
　上記第１エッチングストッパ層は、複数の島状に形成されており、
　上記複数の島状の第１エッチングストッパ層の各々は、上記複数の引き回し配線中の異なる１つと接することを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の表示装置。
　上記スリットは、上記基板上において、上記複数の引き回し配線の延伸方向と直交する方向の一方側の端部から他方側の端部まで形成されており、
　上記第１エッチングストッパ層は、上記一方側の端部及び上記他方側の端部より内側に形成されていることを特徴とする請求項１から１８の何れか１項に記載の表示装置。