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WO2016117910A1 - 발광 소자 - Google Patents

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Publication number
WO2016117910A1
WO2016117910A1 PCT/KR2016/000554 KR2016000554W WO2016117910A1 WO 2016117910 A1 WO2016117910 A1 WO 2016117910A1 KR 2016000554 W KR2016000554 W KR 2016000554W WO 2016117910 A1 WO2016117910 A1 WO 2016117910A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
lead
disposed
lead frame
light emitting
cavity
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/000554
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이태성
공성민
류영민
정재환
최종범
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to CN201680006219.XA priority Critical patent/CN107210352B/zh
Priority to US15/544,495 priority patent/US10340433B2/en
Publication of WO2016117910A1 publication Critical patent/WO2016117910A1/ko

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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a lighting device having the same.
  • the light emitting device may be, for example, a device having a light emitting diode, and the light emitting diode is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing a conventional fluorescent lamp and an incandescent lamp. .
  • light emitting diodes Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharges with phosphors. .
  • the light emitting diode since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, the light emitting diode has a longer life, a faster response characteristic, and an environment-friendly characteristic than a conventional light source.
  • the light emitting diodes are increasingly used as light sources of lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors. have.
  • the embodiment provides a light emitting device in which a plurality of lead frames electrically connected to a plurality of light emitting chips protrude in a relatively long side direction among sides of a body.
  • the embodiment provides a light emitting device in which a plurality of lead frames disposed on the bottom of the cavity of the body protrude in a width direction perpendicular to the length direction of the body.
  • the embodiment provides a light emitting device in which at least three lead frames arranged in the body protrude in the width direction of the body.
  • the embodiment provides a light emitting device protruding different lead frames to the center of the relatively long side of the sides of the body.
  • the embodiment provides a light emitting device in which a light emitting chip or a protection chip is disposed in each of a plurality of lead frames arranged in a body.
  • the embodiment provides a light emitting device in which a plurality of light emitting chips are connected in parallel to a plurality of lead frames disposed in a body.
  • the embodiment provides a light emitting device capable of improving the rigidity of the relatively long side of the sides of the body.
  • the light emitting device having a cavity; First and second lead frames disposed in the cavity; A third lead frame disposed between the first and second lead frames in the cavity; A fourth lead frame disposed between the first and second lead frames in the cavity and spaced apart from the third lead frame; A first light emitting chip disposed on the first lead frame; A second light emitting chip disposed on the second lead frame, the body comprising: first and second side parts disposed on opposite sides of the body; And third and fourth side portions disposed opposite to each other, wherein the first lead frame includes first and second lead portions protruding from the first and second side portions, and the second lead frame includes the first and second side portions. And third and fourth lead portions protruding from the first and second side portions, wherein the third lead frame includes a fifth lead portion protruding from the first side portions, and the fourth lead frame protrudes from the second side portions. And a sixth lead portion.
  • each of the first and second lead frames includes a plurality of lead parts protruding from the side portions of the body to relatively long first and second side parts;
  • Each of the third and fourth lead frames may include a lead portion protruding from a side portion of the body to a first or second side portion having a relatively long length, and the lead portion of the third lead frame may include a portion of the fourth lead frame. It protrudes in the direction opposite to a lead part.
  • the embodiment may reinforce the rigidity of the center portion of the light emitting device whose length is longer than the width.
  • the embodiment can improve the structural reliability of the light emitting device.
  • the embodiment can improve the heat radiation efficiency of the light emitting device.
  • the embodiment can improve the reliability of the light emitting device and the lighting device having the same.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view along the A-A side of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the B-B side of the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the C-C side of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 6 is a sectional view taken along the D-D side of the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the E-E side of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 8 is a view illustrating another example of the third and fourth lead frames in the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the F-F side of the light emitting device of FIG. 8.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the light emitting device of FIG. 3.
  • FIG. 11 is a view illustrating a light emitting module having the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 12 is a view showing an example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
  • each substrate, frame, sheet, layer, or pattern is formed “on” or “under” of each substrate, frame, sheet, layer, or pattern.
  • "on” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed.
  • the criteria for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment
  • FIG. 2 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1
  • FIG. 4 is a BB of the light emitting device of FIG. 1.
  • 5 is a sectional view taken along the CC side of the light emitting device of FIG. 1
  • FIG. 6 is a sectional view taken along the DD side of the light emitting device of FIG. 1, and FIG.
  • the light emitting device 200 includes a body 110 having a cavity 140 and a plurality of lead frames at least partially coupled to the body 110 and disposed in the cavity 140.
  • Protection chips 102 and 103 are examples of protection chips.
  • the light emitting device 200 may include a plurality of light emitting chips 100 and 101.
  • a plurality of light emitting chips 100 and 101 may be connected in parallel by a plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155.
  • the light emitting device 200 according to the embodiment includes a structure in which a plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 protrude in a relatively long side direction among the sides of the body 110.
  • a plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may be arranged in a second direction y instead of the first direction x of the body 110, and in the second direction y. ) May be a direction orthogonal to the first direction x.
  • the body 110 of the light emitting device 200 may include an insulating material.
  • the body 110 may be formed of a material having a reflectance higher than the transmittance, for example, a 70% or more reflectance with respect to a wavelength emitted by the light emitting chips 100 and 101. When the reflectance is 70% or more, the body 110 may be defined as a non-transparent material or a reflective material.
  • the body 110 may be formed of a resin-based insulating material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA).
  • PPA polyphthalamide
  • the body 110 may be formed of a silicone-based, epoxy-based, or a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant and high light resistant material.
  • the silicon-based body 110 includes a white resin.
  • the body 110 may be selectively added among an acid anhydride, an antioxidant, a release material, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide. It contains.
  • the body 110 may be molded by at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylic resin, and a urethane resin.
  • an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, or the like, an acid composed of hexahydro phthalic anhydride, 3-methylhexahydro phthalic anhydride 4-methylhexahydrophthalic anhydride, or the like.
  • the anhydride was added to the epoxy resin by adding DBU (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator, ethylene glycol, titanium oxide pigment and glass fiber as a promoter, and partially by heating.
  • DBU 1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7
  • the solid epoxy resin composition hardened by reaction and B staged can be used, It does not limit to this.
  • the body 110 may be appropriately mixed with at least one selected from the group consisting of a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light blocking material, a light stabilizer, and a lubricant to a thermosetting resin.
  • the body 110 may include a resin material in which a metal oxide is added to a reflective material such as epoxy or silicon, and the metal oxide includes at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . can do.
  • the body 110 may effectively reflect the incident light.
  • the body 110 may be formed of a transparent resin material or a resin material having a phosphor for converting a wavelength of incident light.
  • the body 110 may include a plurality of outer sides, for example, at least four side parts 111, 112, 113, and 114. At least one or both of the plurality of side parts 111, 112, 113, and 114 may be disposed to be inclined with respect to the bottom surface of the body 110.
  • the body 110 describes the first to fourth side parts 111, 112, 113, and 114 as an example, and the first side part 111 and the second side part 112 are located opposite to each other, and the third side part 113 and the The fourth side portions 114 are located on opposite sides of each other.
  • the second length D2 of each of the first side portion 111 and the second side portion 112 may be different from the first length D1 of the third side portion 113 and the fourth side portion 114.
  • the second length D2 of the first side portion 111 and the second side portion 112 may be longer than the first length D1 of the third side portion 113 and the fourth side portion 114.
  • the second length D2 of the first and second side parts 111 and 112 is longer than the first length D1 of the third and fourth side parts 113 and 114, and the third and fourth side parts 113 and 114.
  • the first length D1 may be shorter than the second length D2 of the first and second side parts 111 and 112.
  • the second length D2 of the first side portion 111 or the second side portion 112 may be an interval between the third side portion 113 and the fourth side portion 114.
  • the second length D2 may be a length in a first axis x direction
  • the first length D1 may be a length in a second axis y axis direction.
  • the second axis y direction is a width direction or a long side direction of the body 110
  • the first axis direction x is a length direction or a long side direction of the body 110
  • An edge portion which is a boundary region between the first to fourth side portions 111, 112, 113, and 114 may be an angled surface or a curved surface, but is not limited thereto.
  • the long side side second length D2 of the body 110 may be more than 1 times and 2 times less than the short side side first length D1, for example, 1.3 times or more and 2 times or less.
  • the second length D2 is more than twice the first length D1
  • the rigidity of the boundary area between each of the lead frames 125, 135, 145, and 155 is weakened. It is difficult to arrange a plurality of light emitting chips in a large area or to provide a plurality of light emitting chips in parallel.
  • each of the light emitting chips 100 and 101 may be defined as chips having a horizontal length and a vertical length of 0.6 mm or more, for example, 1 mm or more, and a chip of this size may be a large area chip. Since the long side second length D2 of the body 110 is provided twice or less, it is possible to reduce the bending or damage of the middle portion of the body 110 during a manufacturing process such as injection molding.
  • the second length D2 of the first and second side parts 111 and 112 is longer than the first length D1 of the third and fourth side parts 113 and 114.
  • the first and second lead frames 125 and 135 on which the light emitting chips 100 and 101 are disposed may be arranged longer in the second axis y direction of the body 110. If the light emitting chips 100 and 101 are arranged, the first and second lead frames 125 and 135 are arranged in the first axial direction x of the body 110 and the third and fourth side parts 113 and 114 of the body 110 are disposed.
  • the first and second lead frames 145 and 155 in which the protection chips 102 and 103 are disposed between the first and second lead frames 125 and 135 are disposed.
  • the first and second lead frames 125 and 135 on which the light emitting chips 100 and 101 are disposed are disposed to be long in the width direction of the body 110 and the first and second side parts 111 and 112 of the body 110 are disposed on the first and second side parts 111 and 112.
  • the lead portions of the two lead frames 125 and 125 may be protruded. Accordingly, the heat dissipation area of the first and second lead frames 125 and 135 on which the light emitting chips 100 and 101 are disposed may be secured, and the heat dissipation efficiency of the light emitting device may be improved.
  • the body 110 includes a cavity 140 having an open top.
  • the cavity 140 may be provided in a concave recessed shape from the upper surface 115 of the body 110, but is not limited thereto.
  • An inner sidewall disposed around the cavity 140 may include a surface inclined with respect to a straight line horizontal to the bottom of the body 110. 4 to 7, the inner sidewalls R1 and R2 of the cavity 140 may include a first side wall R1 inclined with respect to the bottom of the cavity 140, and the first side wall R1 and the first side wall R1. It includes a second side wall (R2) disposed between the bottom of the cavity 140. The second side wall R2 may have an angle smaller than the first side wall R1 with respect to the horizontal straight line.
  • the first side wall R1 is 115 degrees or more, for example, 115 degrees to 175 degrees with respect to a horizontal extension line of the upper surface of the first lead frame 125 to reflect the light emitted from the light emitting chips 100 and 101. It can be inclined with its cabinet.
  • the second side wall R2 may be disposed in a range of 90 degrees or more, for example, 90 degrees to 110 degrees with respect to a horizontal extension line of the upper surface of the first lead frame 125. Since the second side wall R2 has almost no inclination, a part of the body 110 may be prevented from being present in the form of burrs on the lead frames 125, 135, 145, and 155, and light loss or adhesion due to the burrs may be prevented. The fall can be prevented.
  • An edge portion of the sidewalls R1 and R2 of the cavity 140 may be a curved surface or an angled surface, but is not limited thereto.
  • the width B1 of the upper surface 115 adjacent to the first and second side portions 111 and 112 in the body 110 is the upper surface adjacent to the third and fourth side portions 113 and 114. It may be arranged to be equal to or wider than the width (A1) of 115). This may provide a wide width B1 of the upper surface of the first and second side parts 111 and 112 due to the first length D1 of the light emitting device 200. Accordingly, the coupling force between the first and second side parts 11 and 112 and the first to fourth lead frames 125, 135, 145 and 155 may be strengthened, thereby reinforcing the long side stiffness of the body 110.
  • a plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 are disposed in the cavity 140 of the body 110.
  • the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may include three or more, for example, four or more.
  • the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may be disposed in a width direction instead of a length direction of the body 110.
  • the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may have a length in the second axial direction y longer than a length in the first axial direction x.
  • a relatively long length direction among the lengths of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may be a width direction of the body 110.
  • At least two of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 have a length longer than the length D1 of the second axial direction y of the body 110, and at least two of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 It may have a length shorter than the length (D1) of the second axis direction (y) of the body (110).
  • Each of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may be spaced apart from each other and combined with the body 110. At least three of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may protrude to the first side portion 111 of the body 110, and at least three of the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may be formed on the body 110. It may protrude to the second side portion 112.
  • Each of the lead frames 125, 135, 145, and 155 may include any one of the light emitting chips 100, 101 and the protection chips 102, 103.
  • the plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 may include first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155.
  • the first and second lead frames 125 and 135 are spaced apart from each other in the first axis (x) direction or the length direction of the body 110, and the third and fourth lead frames 145 and 155 are the body 110. It may be spaced apart from each other in the second axis (y) direction or the width direction of.
  • the third and fourth lead frames 145 and 155 may be disposed between the first and second lead frames 125 and 135.
  • the third and fourth lead frames 145 and 155 may be arranged in a row between the first and second lead frames 125 and 135.
  • the first, third and second lead frames 125, 145, and 135 may be disposed in parallel with each other, and the first, fourth, and second lead frames 125, 155, and 135 may be disposed in parallel with each other.
  • the first lead frame 125 is disposed below the first area of the cavity 140 and is coupled to the body 110.
  • the length L1 or width W1 of the first lead frame 125 exposed to the cavity 140 may be the same or different from each other, and may include, for example, 1.0 mm or more, for example, 1.0 mm to 3.5 mm. If the size is smaller than the range, the first light emitting chip 100 may be difficult to mount, and if the size is larger than the range, the size of the package may increase.
  • the first lead frame 125 includes a plurality of lead parts, for example, first and second lead parts 127 and 128 protruding in opposite directions.
  • the first lead portion 127 protrudes from the first lead frame 125 disposed in the cavity 140 through the first side portion 111 of the body 110, and the second lead portion 128. ) Protrudes through the second side portion 112 of the body 110 from the first lead frame 125 disposed in the cavity 140.
  • the second lead frame 135 is disposed below the second area of the cavity 140 and is coupled to the body 110.
  • the length L2 or the width W2 of the second lead frame 135 exposed to the cavity 140 may be the same or different from each other, and may include, for example, 1.0 mm or more, for example, 1.0 mm to 3.5 mm. If the size is smaller than the above range, the second light emitting chip 101 may be difficult to mount, and if the size is larger than the above range, the size of the package may increase.
  • the length L2 may be the same as or different from the length L1 of the first lead frame 125.
  • the ratio of the length L1: L2 may be in a range of 3: 1 to 1: 3, and is limited thereto. It doesn't.
  • the second lead frame 135 includes a plurality of lead parts, for example, third and fourth lead parts 137 and 138 protruding in opposite directions.
  • the third lead part 137 protrudes from the second lead frame 135 disposed in the cavity 140 through the first side part 111 of the body 110, and the fourth lead part 138.
  • the first area is an area adjacent to the first, second, and third side parts 111, 112, and 113 of the body 110
  • the second area is the first, second, and fourth areas of the body 110.
  • the area may be adjacent to the side parts 111, 112, and 114.
  • the third lead frame 145 may be disposed in a third region between the first region and the second region of the cavity 140.
  • the third area may be an area adjacent to the first side portion 111 among the areas between the first and second areas.
  • the length L3 of the region exposed to the cavity 140 of the third lead frame 145 may be 120 ⁇ m or more, for example, 150 ⁇ m or more for mounting the first protection chip 102. When the length L3 is small, there is a difficulty in the bonding process of the first protection chip 102. 3 and 7, the width W3 of the area of the third lead frame 145 exposed to the cavity 140 is disposed to be larger than the length L3 of the third lead frame 145.
  • the wire bonding space to be connected to the first protection chip 102 may be provided.
  • the third lead frame 145 is disposed in an area between the first and second lead frames 125 and 135 and includes at least one lead part, for example, a fifth lead part 147.
  • the fifth lead part 147 may protrude from the third lead frame 145 disposed in the cavity 140 through the first side part 111 of the body 110.
  • the fifth lead part 147 may be disposed between the first and third lead parts 127 and 137 on the outer side of the first side part 111 of the body 110. Since the fifth lead part 147 is coupled to have an outer width wider than that of the third lead frame 145 in the body 110, the coupling force with the body 110 may be enhanced. Accordingly, separation of the third lead frame 145 may be prevented.
  • the inner width of the third lead frame 145 may be a width of an area disposed in the cavity 140, and an outer width of the third lead frame 145 may be a width of an area disposed below the first side portion 111.
  • the fourth lead frame 155 may be disposed in a fourth region between the first region and the second region of the cavity 140.
  • the fourth area may be an area adjacent to the second side portion 112 among the areas between the first and second areas.
  • the length L4 of the fourth lead frame 155 may be 120 ⁇ m or more, for example, 150 ⁇ m or more for mounting the second protection chip 103. When the length L4 is small, there is a difficulty in bonding the second protection chip 102. 3 and 7, the width W4 of the region of the fourth lead frame 155 exposed to the cavity 140 is larger than the length L4, so that the second protection chip 103 may be disposed on the second protection chip 103. It can provide a wire bonding space to be connected.
  • the fourth lead frame 155 is disposed in an area between the first and second lead frames 125 and 135, and includes at least one sixth lead portion 157.
  • the sixth lead portion 157 may protrude from the fourth lead frame 155 disposed in the cavity 140 through the second side portion 112 of the body 110.
  • the sixth lead portion 157 is disposed between the second and fourth lead portions 128 and 138 on the outside of the second side portion 112 of the body 110.
  • the sixth lead part 157 may protrude in a direction opposite to the fifth lead part 147. Since the sixth lead portion 157 is coupled to have an outer width wider than that of the fourth lead frame 155 within the body 110, the coupling force with the body 110 may be enhanced. Accordingly, separation of the fourth lead frame 155 may be prevented.
  • the inner width of the fourth lead frame 155 may be a width of an area disposed in the cavity 140
  • an outer width of the fourth lead frame 155 may be a width of an area disposed below the second side portion 112.
  • the gap (G5) between the upper surface may include a range of 0.8mm ⁇ 0.1mm
  • the interval between the lower surface may include a range of 0.6mm ⁇ 0.05mm. Electrical interference may be eliminated by the gap between the third and fourth lead frames 145 and 155, and the coupling force between the third and fourth lead frames 145 and 155 and the protrusion 118 may be prevented from being lowered.
  • the regions C2 and C3 outside the cavity 140 in the first and second lead frames 125 and 135 may have a round shape and may extend to the lead portions 127, 128, 137 and 138.
  • an area C5 deviating from the cavity 140 may have a round shape and may extend to the fifth lead part 147.
  • the region C6 deviating from the cavity 140 in the fourth lead frame 155 may have a round shape and may extend to the sixth lead portion 157. Accordingly, the coupling with the body 110 may be increased by the round regions C2, C3, C5, and C6.
  • the rounded area C5 of the third lead frame 145 may be disposed outside the rounded areas C2 of the first and second lead frames 125 and 135, and the fourth lead frame
  • the rounded region C6 of 155 may be disposed outside the rounded regions C3 of the first and second lead frames 125 and 135.
  • the non-curve region C1 may be between the regions C2 and C3 outside the cavity 140 in the first and second lead frames 125 and 135.
  • the first, third, and fifth lead portions 127, 137, and 147 protrude to the first side portion 111 of the body 110, and the second, fourth, sixth lead portions 128, 138, and 157 are formed. It protrudes into the second side portion 112 of the body 110.
  • the second, fourth, and sixth lead portions 128, 138, and 157 protrude in opposite directions to the first, third, and fifth lead portions 127, 137, and 147 with respect to the body 110.
  • the lead parts 127, 137 and 147 protruding from the first side part 111 of the body 110 and the lead parts 128, 138 and 157 protruding from the second side part 112 may be used as test terminals or bonding terminals.
  • the intervals G1 and G2 between the first, third and fifth lead portions 127, 137 and 147 protruding from the first side portion 111 may be the same or different from each other, and the first and second gap portions (shown in FIG. 116, 117 may be wider than the width (G3, G4).
  • the intervals between the second, fourth, and sixth lead portions 128, 138, and 157 protruding from the second side portion 112 may be the same or different from each other, and the widths of the first and second gap portions 116 and 117 illustrated in FIG. It may be wider than G3, G4).
  • the gaps G3 and G4 of the adjacent lead portions may be narrower than the widths D7, D8 and D9 of the respective lead portions 127, 128, 137, 138, 147 and 157.
  • Lower surfaces of the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 disposed in the cavity 140 may be exposed to the bottom of the body 110.
  • the first to sixth lead parts 127, 128, 137, 138, 147 and 157 may be disposed on the same horizontal surface as the bottom of the body 11. Lower surfaces of the first to sixth lead parts 127, 128, 137, 138, 147 and 157 may be exposed to the outside of the bottom of the body 110.
  • the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 may be bonded to the circuit board together with the first to sixth lead parts 127, 128, 137, 138, 147, and 157.
  • the first to sixth lead parts 127, 128, 137, 138, 147 and 157 may protrude 0.10 mm or more from each side part 111 and 112 of the body 110, for example, 0.15 mm or more.
  • the protruding lengths of the leads 127, 128, 137, 138, 147, and 157 may be provided as lengths for the function of the test terminals or the lead terminals.
  • the first gap portion 116 may be coupled to an area between the first lead frame 125 and the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the first gap portion 116 is formed of the same material as the material of the body 110 or includes another insulating material.
  • the second gap portion 117 may be coupled to an area between the second lead frame 135 and the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the second gap portion 117 is formed of the same material as the material of the body 110 or includes another insulating material.
  • the first and second gaps 116 and 117 may be connected to each other.
  • the first and second gap portions 116 and 117 may be connected to each other through an area between the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the first and second gaps 116 and 117 may be connected to each other.
  • the body 110 may include the first and second gaps 116 and 117.
  • the protrusion 118 may protrude into an area between the first and second gaps 116 and 117.
  • the protrusion 118 may be formed of the same material as the first and second gaps 116 and 117, and may be connected to the first and second gaps 116 and 117.
  • the protrusion 118 may be formed of a material of the body 110.
  • the top view shape of the protrusion 118 may include at least one of a circle, a polygon, an oval, and a shape having a curved edge of the polygon, but is not limited thereto.
  • the protrusion 118 may protrude in a column shape having a narrower width toward the upper surface.
  • the radius of curvature is in the range of 0.2mm ⁇ 0.05mm, it can reflect the light incident by the curved surface in the other direction.
  • Sides of these protrusions 118 may be provided as curved rather than angled surfaces for light reflection.
  • the protrusion 118 may protrude from an area between the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the protrusion 118 may extend on portions of the upper surfaces of the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the protrusion 118 may be coupled to the third and fourth lead frames 145 and 155 and overlap with a portion of the upper surface of the third and fourth lead frames 145 and 155 in a vertical direction.
  • the circumferential surface of the protrusion 118 may be an inclined surface.
  • the region opposite to the protrusion 118 includes a recess region 251, and the recess region 251 is a hole provided below the body 110 and coupled to an injection gate coupled during injection molding. Can be.
  • the side cross-sectional shape of the recess area 251 may be a polygonal shape or a hemispherical shape, but is not limited thereto.
  • the depth of the recess region 215 may have a depth lower than the top surfaces of the third and fourth lead frames 245 and 255, and the depth of the recess region 215 is the third and fourth lead frames 245 and 255. If formed to the upper surface of the, there is a problem that the rigidity of the first and second gaps 116 and 117 is weakened.
  • the recess region 251 has an interval of 0.05 mm or more and 0.3 mm or less from the third and fourth lead frames 145 and 155, an area between the recess region 251 and the third and fourth lead frames 145 and 155. This can be prevented from being broken.
  • the upper surface of the protrusion 118 may be disposed above the upper surfaces of the third and fourth lead frames 145 and 155 and lower than the upper surface 115 of the body 110.
  • the upper surface of the protrusion 118 may be disposed above the upper surfaces of the first gap portion 116 and the second gap portion 117.
  • a problem may occur in that the coupling force between the third and fourth lead frames 145 and 155 may be lowered or broken.
  • the protrusion 118 is thicker than the thickness T1, the protection chips 102 and 103 may be mounted. Uncountable problems can arise. As illustrated in FIG.
  • the width W5 of the protrusion 118 may be narrower than the widths W3 and W5 of the fourth and fifth lead frames 145 and 155 exposed at the bottom of the cavity 140.
  • the ratio of horizontal to vertical may be in a range of 3: 1 to 1: 3, but is not limited thereto.
  • the protrusion 118 and the first and second gaps 116 and 117 may be combined with the third and fourth lead frames 145 and 155 to support the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the protrusion 118 may be positioned at a center area between the first and second lead frames 125 and 135 and may be located at a center area between the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the shape of the cavity 140 may be formed in a line symmetrical shape with respect to the protrusion 118.
  • the first lead frame 125 includes first and second stepped structures 211 and 212 on the outside thereof.
  • a portion of the body 110 is coupled to the first and second stepped structures 211 and 212.
  • the first and second stepped structures 211 and 212 may be disposed on both outer sides of the first lead frame 125, for example, along both edges.
  • the first stepped structure 211 may be coupled in the third side portion 113 along the third side portion 113 of the body 110.
  • the first stepped structure 211 may extend in the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • the second stepped structure 212 may be coupled to the first gap portion 116 along the first gap portion 116.
  • the first stepped structure 212 may extend in the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • the depths of the first and second stepped structures 211 and 212 may be 0.01 mm or more, for example, 0.02 mm or more, from the edge of the first lead frame 125, and the coupling force may be lowered when the depth is less than the value.
  • the recess height of the first and second stepped structures 211 and 212 may be in a range of 1/3 to 1/2 of the thickness of the first lead frame 125. Can be.
  • the length D13 of the first and second stepped structures 211 and 212 disposed outside the first lead frame 125 may be larger than the width D11 of the cavity 140 of FIG. 1. Accordingly, the first and second stepped structures 211 and 212 may increase the contact area with the body 110. The length D13 of the first and second stepped structures 211 and 212 may be smaller than the second length D1 of the body 110. The first and second stepped structures 211 and 212 may be spaced apart from the surfaces of the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • the lower surface width D3 of the first lead frame 125 may be narrower than the upper surface width.
  • An upper surface area of the first lead frame 125 may be wider than a lower surface area.
  • a width D3 of the lower surface of the first lead frame 125 may be wider than a width D7 of the first and second lead parts 127 and 128.
  • the difference between the lower surface width D3 and the width D7 in the first lead frame 125 may have a range of 0.05 mm or more, for example, 0.05 mm to 0.2 mm, and the coupling force with the body 110 is smaller than the range. If it is lower than the above range, the function of the first and second lead portions 127 and 128 may be reduced.
  • the first and second lead parts 127 and 128 protrude to a width D7 that is narrower than the width D3 of the lower surface of the first lead frame 125 disposed below the body 110. It is possible to prevent the rigidity of the first and second side portions 111 and 112 from decreasing.
  • the second lead frame 135 may include third and fourth stepped structures 215 and 216 on the outside thereof.
  • a portion of the body 110 is coupled to the third and fourth stepped structures 215 and 216.
  • the third and fourth stepped structures 215 and 216 may be formed on both outer sides of the second lead frame 135, for example, along both edges.
  • the third stepped structure 215 may be coupled in the fourth side portion 114 along the fourth side portion 114 of the body 110.
  • the third stepped structure 215 may extend in the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • the fourth stepped structure 216 may be coupled in the second gap portion 117 along the second gap portion 117.
  • the fourth stepped structure 216 may extend in the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • Depth of the third and fourth stepped structures 215 and 216 may be 0.01 mm or more, for example, 0.02 mm or more, from the edge of the second lead frame 135, and the coupling force may be lowered when the depth is less than the value.
  • the recess heights of the third and fourth stepped structures 215 and 216 may be in a range of 1/3 to 1/2 of the thickness of the second lead frame 135, and when outside the range, the coupling force may decrease or the stepped part may be damaged. Can be.
  • the length D13 of the third and fourth stepped structures 215 and 216 may be longer than the width D11 of the cavity 140 of FIG. 1.
  • the contact area with the body 110 may be improved by the length D13.
  • the third and fourth stepped structures 215 and 215 may be disposed to have a length smaller than the first length D1 of the body 110.
  • the third and fourth stepped structures 215 and 216 may be spaced apart from the surfaces of the first and second side parts 111 and 112 of the body 110.
  • the lower surface width D4 of the second lead frame 135 may be narrower than the upper surface width.
  • the upper surface area of the second lead frame 135 may be wider than the lower surface area.
  • a lower surface width D4 of the second lead frame 135 disposed in the cavity 140 may be wider than a width D8 of the third and fourth lead portions 137 and 138.
  • the difference between the lower surface width D4 and the width D8 may be 0.05 mm or more, for example, 0.05 mm to 0.2 mm, and when smaller than the range, the coupling force with the body 110 is reduced. If it is lower than the above range, the function of the third and fourth lead portions 137 and 138 may be reduced.
  • the third and fourth lead parts 137 and 138 protrude to a width D8 that is narrower than the width D4 of the second lead frame 135 disposed below the body 110, thereby forming the third and fourth lead parts 137 and 138. It is possible to prevent the rigidity of the first and second side portions 111 and 112 from decreasing.
  • the length D21 of the first lead frame 125 having the first and second lead portions 127 and 128 and the second lead frames 125 and 135 having the third and fourth lead portions 137 and 138 may be a body 110. It may be larger than the first width (D1) of the body 110 of the. Accordingly, each of the first and second lead frames 125 and 135 protrudes the lead parts 127, 128, 137 and 138 through the first and second side parts 111 and 112 in opposite directions to each other, and thus, the first and second lead frames 125 and 135 respectively.
  • the heat dissipation efficiency can be improved due to the increase of the surface area.
  • a fifth step structure 213 may be included on the outside of the third lead frame 145.
  • the fifth stepped structure 213 is formed around an outer circumference of the third lead frame 135 and a part of the body 110 is coupled.
  • the fifth stepped structure 213 may be coupled to the first and second gaps 116 and 117 and the protrusion 118.
  • the protrusion 118 may protrude to a predetermined thickness T1, and the thickness T1 may protrude to be equal to or higher than the top height of the first and second protection chips 102 and 103.
  • the upper surface area of the third lead frame 145 may be larger than the lower surface area by the fifth stepped structure 213.
  • the fifth stepped structure 213 may be spaced apart from the surface of the first side portion 111 of the body 110.
  • the depth of the fifth stepped structure 213 may be 0.01 mm or more, for example, 0.02 mm or more, from the edge of the third lead frame 145. When the depth is less than the value, the coupling force may decrease.
  • the height of the recess of the fifth structure 213 may be in a range of 1/3 to 1/2 of the thickness of the third lead frame 145, and when it is out of the range, the coupling force may be lowered or the stepped portion may be damaged. .
  • the fourth lead frame 155 may include a sixth step structure 214 on the outside thereof.
  • the sixth step structure 214 is formed around an outer circumference of the fourth lead frame 155 and a part of the body 110 is coupled.
  • the sixth stepped structure 214 may be coupled to the first and second gaps 116 and 117 and the protrusion 118.
  • the fourth lead frame 155 may have a larger upper surface area than the lower surface area due to the sixth step structure 214.
  • the depth of the sixth stepped structure 215 may be 0.01 mm or more, for example, 0.02 mm or more, from the edge of the fourth lead frame 155. When the depth is less than the value, the coupling force may decrease.
  • the recess height of the sixth structure 215 may be in a range of 1/3 to 1/2 of the thickness of the fourth lead frame 155, and when it is out of the range, the coupling force may be lowered or the stepped portion may be damaged. .
  • Lower surfaces D5 of the fifth and sixth lead frames 145 and 155 may be smaller than widths D9 of the fifth and sixth lead parts 147 and 157.
  • the difference between the lower surface width D5 and the width D9 may be in the range of 0.05 mm or more, for example, 0.05 mm to 0.2 mm. Coupling force may be lowered and the function of the fifth and sixth lead portion 147 and 157 may be lowered if it is larger than the above range.
  • the lower surface width D5 of the lower surfaces of the fifth and sixth lead frames 145 and 155 may have an inner width of 0.03 mm or more, for example, 0.03 mm to 1.0 mm, and the width D9 is 0.08 mm as the outer width.
  • it may have a range of 0.08 mm to 1.2 mm.
  • the width D5 is smaller than the above range, the mounting or wire bonding process of the protection chips 102 and 103 is difficult, and when the width D5 is larger than the above range, the first and second gap portions 116 and 117 or the first and second lead frames 125 and 135 are formed. May affect size
  • Lower surface widths D5 of the fifth and sixth lead frames 145 and 155 are arranged to be narrower than widths D9 of the fifth and sixth lead parts 147 and 157 so as to be rigid in the center side region of the body 110. This deterioration can be prevented.
  • the lower surface width D9 of the fifth lead portion 147 may be equal to the lower surface width of the sixth lead portion 157.
  • the stepped structures 211, 212, 213, 214, 215, and 216 of the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 may improve the bonding force with the body 110 and may suppress moisture penetration.
  • the first lead frame 125 includes a plurality of holes H1 and H2, and the plurality of holes H1 and H2 overlap the body 110 and the first lead frame 125. And an area adjacent to the second side parts 111 and 112.
  • the holes H1 and H2 include first and second holes H1 and H2, and the first hole H1 is disposed adjacent to the first side portion 111 and the second hole H2.
  • An interval D12 between the first and second holes H1 and H2 may be spaced apart from the width of the cavity 110 (D11 in FIG. 11).
  • the first and second holes H1 and H2 may be spaced apart from side surfaces of the light emitting chips 100 and 101 and have a distance D12 greater than a length of one side of the light emitting chips 100 and 101.
  • the first and second holes H1 and H2 may be disposed to overlap the body 110 in the vertical direction, thereby strengthening the coupling force with the body 110.
  • the first and second holes H1 and H2 may include at least one of a bottom view shape having a polygonal shape, a circular shape, an elliptic shape, and a polygonal curved edge.
  • the first hole H1 may be disposed between the round region C2 of the first stepped structure 211 and the second stepped structure 212, and the second hole H2 may be formed in the first stepped structure. 211 and a round region C3 of the second stepped structure 212.
  • the first lead frame 125 may have stronger coupling force with the body 110 through the first and second holes H1 and H2 and the round areas C2 and C3.
  • the first and second holes H1 and H2 of the first lead frame 125 may include seventh and eighth step structures 217 and 218, and the seventh and eighth step structures 217 and 218 may include first and second holes 217 and 218. Lower widths of the second holes H1 and H2 may be wider than upper widths.
  • the first and second coupling parts 225 and 226 of the body 110 are coupled to the first and second holes H1 and H2 of the first lead frame 125 and the first and second coupling parts 225 and 226. ) May be coupled to the first and second holes H1 and H2 so that a lower width is wider than an upper width.
  • the seventh and eighth stepped structures 217 and 218 have a predetermined height from the lower surface of the first lead frame 125, for example, the height ranges from 1/2 to 1/3 of the thickness of the first lead frame 125. It may be recessed, there is a problem that the coupling force with the body 110 is lowered or the stepped portion may be damaged if it is out of the range.
  • the second lead frame 135 includes a plurality of holes H3 and H4, and the plurality of holes H3 and H4 overlap the body 110 and the first And it may be disposed adjacent to the second side portion (111, 112).
  • the holes H3 and H4 include, for example, third and fourth holes H3 and H4, and the third hole H3 is disposed adjacent to the first side surface 111 and the fourth hole H4. Is disposed adjacent to the second side portion 112.
  • An interval D13 between the third and fourth holes H3 and H4 may be spaced apart from the width D11 of the cavity 140 illustrated in FIG. 1.
  • the third and fourth holes H3 and H4 may be disposed to overlap the body 110 in the vertical direction, thereby strengthening the coupling force between the second lead frame 135 and the body 110.
  • the third and fourth holes H3 and H4 may include at least one of a bottom view shape of a polygon, a circle shape, an ellipse shape, and a shape of which a corner of the polygon is curved.
  • the third hole H3 may be disposed between the round region C2 of the third stepped structure 215 and the fourth stepped structure 216, and the fourth hole H4 may be disposed in the third stepped structure. And a round region C3 of the fourth stepped structure 216.
  • the second lead frame 135 may have a stronger coupling force with the body 110 through the third and fourth holes H3 and H4 and the round regions C2 and C3.
  • the third and fourth holes H3 and H4 of the second lead frame 135 include ninth and tenth stepped structures 219 and 220, and the ninth and tenth stepped structures 219 and 220 respectively include the third and fourth holes H3 and H4. And lower widths of the fourth holes H3 and H4 may be wider than upper widths.
  • Third and fourth coupling parts 235 and 236 are coupled to the third and fourth holes H3 and H4 of the second lead frame 135, and the third and fourth coupling parts 235 and 236 are connected to the third and fourth holes H3 and H4.
  • the lower width is coupled to the fourth hole (H3, H4) wider than the upper width.
  • the third and fourth holes H3 and H4 may be spaced apart from both sides of the second light emitting chip 101 and have a distance D13 greater than a length of one side of the second light emitting chip 101.
  • the ninth and tenth stepped structures 219 and 220 may have a predetermined height from a lower surface of the second lead frame 135.
  • the heights of the ninth and tenth stepped structures 219 and 220 may be recessed in a range of 1/2 to 1/3 of the thickness of the second lead frame 135. ), There is a problem that the bonding force may be lowered or the stepped portion may be broken.
  • the interval may be smaller than the interval width between the second inner side wall R2 and the first side portion 111 or the second side portion 112 of the cavity 140 to which the first and second lead frames 125 and 135 are coupled. have.
  • the distance between the inner sidewall 142 to which the fourth lead frame 155 is coupled and the second side surface 112 is first or second lead frames 125 and 135. It may be arranged to be narrower than the interval between the second inner side wall (R2) and the second side portion 112 of the coupled cavity (140).
  • the width B2 of the upper surface 115 between the inner sidewall 141 to which the third lead frame 145 is coupled and the first side surface 111 is formed.
  • the width of the upper surface 115 between the inner sidewall 142 to which the 4-lead frame 146 is coupled and the second side portion 112 may be the same.
  • the width B2 may be smaller than the width B1 of the upper surface 115 between the cavity 140 to which the first or second lead frames 125 and 135 are coupled and the first side surface 111.
  • the inner sidewalls 141 and 142 of the cavity 140 may be disposed outside the first inner sidewall R1 and closer to the first and second side portions 111 and 112 as shown in FIG. 1.
  • the inner sidewalls 141 and 142 may be provided in a shape having a curved concave in the direction of the first side portion 111 and the second side portion 112, and may include a surface inclined in a vertical direction and / or a vertical surface. have. Accordingly, the upper surface areas of the third lead frame 145 and the fourth lead frame 155 are secured in the cavity 140, thereby bonding the first and second protection chips 102 and 103. It can provide space for.
  • Lower surfaces of the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 may be disposed on the same horizontal surface as illustrated in FIGS. 1 to 7. As illustrated in FIG. 2, lower surface widths D3 and D4 of the first and second lead frames 125 and 135 are wider than lower surface widths D5 of the fifth and sixth lead frames 145 and 155 and the first to fourth widths.
  • the lead portions 127, 128, 137, and 138 may be disposed wider than the widths D7, D8, and D9.
  • Lower surface widths D5 of the third and fourth lead frames 145 and 155 may be narrower than lower surface widths D3 and D4 of the first and second lead frames 125 and 135 and the fifth and sixth lead parts.
  • the bottom widths D5 of the third and fourth lead frames 145 and 155 may be less than three times smaller than the bottom widths D3 and D4 of the first and second lead frames 125 and 135, for example. It may range from 0.4 mm to 0.6 mm. If the bottom width D5 of the third and fourth lead frames 145 and 155 is narrower than the range, the bonding force with the gaps 116 and 117 may be weakened to allow moisture to penetrate. Lower surfaces D2 and D4 of the two-lead frames 125 and 135 may have a smaller size or a second length D2 of the body 110 may be longer.
  • the widths D7 and D8 of the first to fourth lead parts 127, 128, 137, and 138 may be the same widths, but are not limited thereto.
  • a ratio between the widths D7 and D8 of the first to fourth lead parts 127, 128, 137 and 138 and the widths D9 of the fifth and sixth lead parts 156 and 157 may range from 2: 1 to 1: 1. The ratio may prevent a decrease in heat dissipation area due to the area of the first to fourth lead parts 127, 128, 137, and 138, and prevent a decrease in function of the fifth and sixth lead parts 156 and 157.
  • the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 may be formed of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), It may include at least one of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.
  • the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 may have the same thickness.
  • the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 function as terminals for supplying power.
  • the light emitting chips 100 and 101 may be disposed in the cavity 140 and may be disposed on the first and second lead frames 125 and 135.
  • the light emitting chips 100 and 101 may include at least two first and second light emitting chips 100 and 101, for example.
  • the protection chips 102 and 103 may be disposed in the cavity 140 and may be disposed on the third and fourth lead frames 145 and 155.
  • the protection chips 102 and 103 may include at least two, for example, first and second protection chips 102 and 103.
  • the first light emitting chip 100 is disposed on the first lead frame 125, and the second light emitting chip 101 is disposed on the second lead frame 135.
  • the first protection chip 102 is disposed on the third lead frame 145, and the second protection chip 103 is disposed on the fourth lead frame 155.
  • the first light emitting chip 100 may be electrically connected to the first lead frame 125 by being bonded to the first lead frame 125 with an adhesive, for example, a conductive adhesive.
  • the first light emitting chip 100 may be connected to the third lead frame 145 and the first connection member 171, and the first connection member 171 may include a conductive wire.
  • the conductive adhesive may include a bonding material such as solder. Since the first lead frame 125 and the first light emitting chip 100 are connected with a conductive adhesive, the first lead frame 125 and the first light emitting chip 100 are electrically connected by using a separate connection member. Can not
  • the second light emitting chip 101 may be electrically connected to the second lead frame 135 by being bonded to the second lead frame 135 with an adhesive, for example, a conductive adhesive.
  • the second light emitting chip 101 may be connected to the second lead frame 135 and the second connection member 172.
  • the second connection member 172 includes a conductive wire.
  • the first and second light emitting chips 101 and 102 may be disposed in parallel and individually driven. Since the second lead frame 135 and the second light emitting chip 101 are connected with a conductive adhesive, the second lead frame 135 and the second light emitting chip 101 are electrically connected by using a separate connecting member. You can't.
  • the first and second light emitting chips 100 and 101 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light, for example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, It can be selected from white LED chips.
  • the first and second light emitting chips 100 and 101 include an LED chip including at least one of a compound semiconductor of a group III-V element and a compound semiconductor of a group II-VI element.
  • the light emitting device 200 may include a chip having a large area of, for example, 0.6 mm ⁇ 0.6 mm or more or 1 mm ⁇ 1 mm or more of the first and second light emitting chips 100 and 101 to improve brightness.
  • the first protection chip 102 is electrically connected to the third lead frame 145 by being bonded with a conductive adhesive on the third lead frame 145, and the first lead frame 125 and the third connection member. 173.
  • the third connection member 173 includes a conductive wire.
  • the second protection chip 103 is adhered to the fourth lead frame 155 with a conductive adhesive, and is electrically connected to the fourth lead frame 155.
  • the second protection chip 103 is connected to the second lead frame 135. May be connected to the member 174.
  • the fourth connection member 174 includes a conductive wire.
  • the first and second protection chips 102 and 103 may be implemented by at least one of a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS).
  • the first light emitting chip 100 may be connected in parallel with the first protection chip 102
  • the second light emitting chip 101 may be connected in parallel with the second protection chip 103.
  • the first and second lead frames 125 and 135 function as cathode electrodes of the light emitting chips 100 and 101
  • the third and fourth lead frames 145 and 155 are anodes of the light emitting chips 100 and 101.
  • the first and second protection chips 102 and 103 may electrically protect the first and second light emitting chips 100 and 101. Reflective materials may be disposed on surfaces of the first and second protection chips 102 and 103.
  • the reflective material may include at least one of metal oxides such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 in a resin material such as silicon or epoxy. The reflective material may prevent light absorption by the first and second protection chips 102 and 103.
  • the molding member 150 may be disposed in the cavity 140.
  • the molding member 150 may include a light transmissive material such as silicon or epoxy, and may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the molding member 150 may include a phosphor for converting a wavelength of light emitted onto the light emitting chips 100 and 101, and the phosphor may be selectively selected from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials. Can be formed.
  • the phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, a blue phosphor, and a green phosphor, but is not limited thereto.
  • the phosphor may be disposed on the first and second light emitting chip (100, 101) for emitting different colors, but is not limited thereto.
  • the surface of the molding member 150 may be disposed in at least one of a flat shape, a concave shape, and a convex shape, but is not limited thereto.
  • the surface of the molding member 150 may be a light exit surface.
  • An optical lens may be disposed on the molding member 150, and the optical lens may include a convex lens, a concave lens, or a convex lens having a total reflection surface at the center of the light emitting chips 100 and 101. It is not limited to.
  • FIG. 8 is a view illustrating another example of the third and fourth lead frames in the light emitting device of FIG. 2, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the F-F side of the light emitting device of FIG. 8. 8 and 9, the same parts as the above-described embodiments will be referred to the above-described embodiments.
  • a first recess 149 of the third lead frame 145 is disposed and a second recess 159 is disposed in the fourth lead frame 155.
  • the first recess 149 is recessed from the fifth lead part 147 of the third lead frame 145 and includes a structure which is turned off toward the first side part 111 of the body 110. .
  • a third coupling part 245 is disposed in the first recess 149, and the third coupling part 245 may be formed of a material of the body 110 and the first recess 149. Can be coupled to. The third coupling part 245 may prevent the third lead frame 145 from being separated.
  • the second recess 159 is recessed from the sixth lead portion 157 of the fourth lead frame 155 and includes a structure which is turned off toward the second side portion 112 of the body 110. .
  • a fifth coupling part 255 is disposed in the second recess 159, and the fifth coupling part 255 may be formed of a material of the body 110, and the second recess 159 may be formed. Can be coupled to.
  • the fourth coupling part 255 may prevent the fifth lead frame 155 from being separated.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating another example of FIG. 4. 10, the same parts as the above-described embodiments will be referred to the above-described embodiments.
  • a light emitting device includes a body 110 having a cavity 140, a plurality of lead frames 125, 135, 145, and 155 coupled to at least a portion of the body 110 and disposed in the cavity 140.
  • a plurality of light emitting chips 100 and 101 electrically connected to the plurality of lead frames 125, 135, 145 and 155 in the cavity 140, and a plurality of protection chips electrically connected to the light emitting chips 100 and 101 in the cavity 140. 102, 103).
  • the first and second gap portions 116 and 117 of the light emitting device may include first and second reflecting portions 116A and 117A protruding higher than upper surfaces of the first and second lead frames 125 and 135.
  • the first reflector 116A protrudes in an area between the first lead frame 125 and the third and fourth lead frames 145 and 155 to reflect light emitted from the first light emitting chip 100. I can let you.
  • the second reflector 117A protrudes in an area between the second lead frame 135 and the third and fourth lead frames 145 and 155 to reflect light emitted from the second light emitting chip 101. I can let you.
  • the thickness T2 of the first and second reflectors 116A and 117A may be equal to or higher than the height of the top surfaces of the first and second protection chips 102 and 103, so that the first and second protection chips ( It is possible to reduce the light absorption by the 102,103.
  • the embodiment may apply a reflective material to the surface of the first and second protective chips 102 and 103, thereby preventing the absorption of light.
  • the reflective material may include at least one of metal oxides such as TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 in a resin material such as silicon or epoxy. The reflective material may prevent light absorption by the first and second protection chips 102 and 103.
  • a reflective structure may be provided around the first light emitting chip 100 in the lower first region 140A of the cavity 140, and reflected around the second light emitting chip 101 in the second region 140B.
  • a structure can be provided.
  • the reflective structure may be formed by the circumferential sidewall of the cavity 140 and the first and second reflectors 116A and 117A. The reflection parts 116A and 117A may not be formed.
  • a first phosphor film 300 and a second phosphor film 301 may be disposed on the second light emitting chip 101 on the first light emitting chip 100.
  • the first phosphor film 300 and the second phosphor film 301 may include the same phosphor or different phosphors.
  • the first phosphor film 300 may have a yellow phosphor
  • the second phosphor The film 301 may have a red phosphor.
  • the first phosphor film 300 may have a green phosphor
  • the second phosphor film 301 may be a red phosphor. It can have
  • the first phosphor film 300 may have yellow and green phosphors
  • the second phosphor film 301 may be It can have red and green phosphors.
  • the first phosphor film 300 may have blue and red phosphors
  • the second phosphor film 301 may be It may have a green phosphor.
  • the type of phosphor in the phosphor films 300 and 301 may vary depending on the light emitting chips 100 and 101, and a phosphor may be added to the molding member 150, but the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 11 is a view illustrating a light emitting module having the light emitting device of FIG. 4. In describing FIG. 11, the embodiment disclosed above will be referred to.
  • a light emitting device 100 may be disposed on a module substrate 400, and one or more light emitting devices 100 are arranged on the module substrate 400.
  • the module substrate 400 may be bonded to the first to fourth lead frames 125, 135, 145, and 155 by bonding members 401, 402, and 403.
  • the bonding members 401, 402, and 403 may include an adhesive material such as solder.
  • the module substrate 400 may be a printed circuit board (PCB), for example, a PCB of a resin material, a PCB having a heat dissipation layer of a metal material (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) ) May be included, but is not limited thereto.
  • PCB printed circuit board
  • MCPCB Metal Core PCB
  • FPCB Flexible PCB
  • FIG. 12 is a view illustrating the light emitting chip of FIG. 1.
  • the light emitting chips 100 and 101 may include a light emitting structure 10 having a plurality of semiconductor layers 11, 12, and 13, a first electrode layer 20 and a first electrode layer under the light emitting structure 10. 20) a second electrode layer 50, an insulating layer 41, and a pad 25 may be included between the first and second electrode layers 20 and 50.
  • the light emitting structure 10 may include a first semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed under the first semiconductor layer 11, and the second semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.
  • the first semiconductor layer 11 may include an n-type semiconductor layer to which a first conductive dopant, for example, an n-type dopant is added
  • the second semiconductor layer 13 may include a second conductive dopant, for example, p. It may include a p-type semiconductor layer to which a type dopant is added.
  • the first semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer
  • the second semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.
  • the first semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer.
  • the first semiconductor layer 11 may be implemented as a compound semiconductor.
  • the first semiconductor layer 11 may be implemented as at least one of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor.
  • a semiconductor material having the compositional formula of the first semiconductor layer 11 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1) Can be implemented.
  • the first semiconductor layer 11 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like, and Si, Ge, Sn, Se, An n-type dopant such as Te may be doped.
  • the active layer 12 In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer 13 meet each other, and thus, the active layer 12 is formed.
  • the layer emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material forming a.
  • the active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure, but is not limited thereto.
  • the active layer 12 may be implemented with a compound semiconductor.
  • the active layer 12 may be implemented as at least one of a group II-VI and a group III-V compound semiconductor.
  • the active layer 12 may be implemented as an example of a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1) have.
  • the active layer 12 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers.
  • an InGaN well layer / GaN barrier layer, InGaN well layer / AlGaN barrier layer, InAlGaN well layer / InAlGaN barrier layer, or GaN well layer / AlGaN barrier layer may be implemented in a cycle.
  • the second semiconductor layer 13 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer.
  • the second semiconductor layer 13 may be implemented as a compound semiconductor.
  • the second semiconductor layer 13 may be implemented as at least one of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor.
  • a semiconductor material having the compositional formula of the second semiconductor layer 13 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1) Can be implemented.
  • the second semiconductor layer 13 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like, and Mg, Zn, Ca, Sr, P-type dopants such as Ba may be doped.
  • the first semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer
  • the second semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer.
  • a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer having a different conductivity type from the second semiconductor layer 13 may be further formed below the second semiconductor layer 13.
  • the light emitting structure 10 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures.
  • the doping concentrations of the impurities in the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be formed in various ways, but is not limited thereto.
  • InGaN / GaN superlattice in which different semiconductor layers are alternately disposed between the first semiconductor layer 11 and the active layer 12 or between the second semiconductor layer 13 and the active layer 12.
  • a structure or InGaN / InGaN superlattice structure may be formed.
  • an AlGaN layer including a second conductive dopant may be formed between the second semiconductor layer 13 and the active layer 12.
  • An upper surface of the first semiconductor layer 11 may be formed of a rough uneven portion 11A, and the uneven surface 11A may improve light extraction efficiency.
  • the side cross section of the uneven surface 11A may include a polygonal shape or a hemispherical shape.
  • the first electrode layer 20 is disposed between the light emitting structure 10 and the second electrode layer 50, is electrically connected to the second semiconductor layer 13 of the light emitting structure 10, and the second electrode layer. Electrically insulated with 50.
  • the first electrode layer 20 includes a first contact layer 15, a reflective layer 17, and a capping layer 19, and the first contact layer 15 includes the reflective layer 17 and a second semiconductor layer ( 13, and the reflective layer 17 is disposed between the first contact layer 15 and the capping layer 19.
  • the first contact layer 15, the reflective layer 17, and the capping layer 19 may be formed of different conductive materials, but are not limited thereto.
  • the first contact layer 15 may be in contact with the second semiconductor layer 13, for example, to form an ohmic contact with the second semiconductor layer 13.
  • the first contact layer 15 may be formed of, for example, a conductive oxide film, a conductive nitride, or a metal.
  • the first contact layer 15 may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZON), aluminum zinc oxide (AZO), and aluminum gallium zinc oxide (AZZO).
  • IZTO Indium Zinc Tin Oxide
  • IAZO Indium Aluminum Zinc Oxide
  • IGZO Indium Gallium Zinc Oxide
  • IGTO Indium Gallium Tin Oxide
  • ATO Antimony Tin Oxide
  • GZO Gallium Zinc Oxide
  • IZON IZO Nitride
  • ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti may be formed of at least one.
  • the reflective layer 17 may be electrically connected to the first contact layer 15 and the capping layer 19.
  • the reflective layer 17 may function to increase the amount of light extracted to the outside by reflecting light incident from the light emitting structure 10.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal having a light reflectance of 70% or more.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf.
  • the reflective layer 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-zinc- (AZO).
  • Transmissive conductive materials such as Oxide), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed in multiple layers.
  • the reflective layer 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.
  • the reflective layer 17 may be formed by alternately forming an Ag layer and a Ni layer, and may include a Ni / Ag / Ni, Ti layer, or Pt layer.
  • the first contact layer 15 may be formed below the reflective layer 17, and at least a portion thereof may pass through the reflective layer 17 to be in contact with the second semiconductor layer 13.
  • the reflective layer 17 may be disposed under the first contact layer 15, and a portion of the reflective layer 17 may contact the second semiconductor layer 13 by passing through the first contact layer 15. .
  • the light emitting chips 100 and 101 may include a capping layer 19 disposed under the reflective layer 17.
  • the capping layer 19 is in contact with the lower surface of the reflective layer 17, the contact portion 34 is coupled to the pad 25, and serves as a wiring layer for transferring power supplied from the pad 25.
  • the capping layer 19 may be formed of a metal, and may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed in an area that does not overlap with the light emitting structure 10 in the vertical direction, and vertically overlaps the pad 25.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed in an area which does not overlap in the vertical direction with the first contact layer 15 and the reflective layer 17.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 may be disposed at a lower position than the light emitting structure 10 and may be in direct contact with the pad 25.
  • the pad 25 may be formed in a single layer or a multilayer, and the single layer may be Au, and in the case of the multilayer, the pad 25 may include at least two of Ti, Ag, Cu, and Au.
  • the multilayer structure may be a stacked structure of Ti / Ag / Cu / Au or a Ti / Cu / Au stacked structure. At least one of the reflective layer 17 and the first contact layer 15 may directly contact the pad 25, but is not limited thereto.
  • the pad 25 may be disposed in an area A1 between the outer sidewall of the first electrode layer 20 and the light emitting structure 10.
  • the protective layer 30 and the light transmitting layer 45 may be in contact with the circumference of the pad 25.
  • the pad 25 may be disposed to overlap the first and second electrode layers 20 and 50 in the vertical direction.
  • the protective layer 30 may be disposed on the bottom surface of the light emitting structure 10, may be in contact with the bottom surface of the second semiconductor layer 13 and the first contact layer 15, and may be in contact with the reflective layer 17. Can be.
  • An inner part of the protective layer 30 overlapping the light emitting structure 10 in the vertical direction may be disposed to overlap the area of the protrusion 16 in the vertical direction.
  • the outer portion of the protective layer 30 extends over the contact portion 34 of the capping layer 19 and is disposed to overlap the contact portion 34 in a vertical direction.
  • the outer portion of the protective layer 30 may be in contact with the pad 25, for example, may be disposed on the circumferential surface of the pad 25.
  • the inner portion of the protective layer 30 is disposed between the light emitting structure 10 and the first electrode layer 20, and the outer portion is disposed between the light transmitting layer 45 and the contact portion 34 of the capping layer 19. Can be.
  • An outer portion of the protective layer 30 extends to the outer region A1 than the sidewall of the light emitting structure 10, thereby preventing moisture from penetrating.
  • the protective layer 30 may be defined as a channel layer, a low refractive material, or an isolation layer.
  • the protective layer 30 may be formed of an insulating material, for example, oxide or nitride.
  • the protective layer 30 is at least one in the group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the protective layer 30 may be formed of a transparent material.
  • the light emitting chips 100 and 101 may include an insulating layer 41 that electrically insulates the first electrode layer 20 from the second electrode layer 50.
  • the insulating layer 41 may be disposed between the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50. An upper portion of the insulating layer 41 may contact the protective layer 30.
  • the insulating layer 41 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 41 is at least one of a group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the insulating layer 41 may be formed to a thickness of 100 nanometers to 2000 nanometers. If the thickness of the insulating layer 41 is formed to be less than 100 nanometers may cause a problem in the insulating properties, if the thickness of the insulating layer 41 is formed in more than 2000 nanometers are broken in a later process step This can be caused.
  • the insulating layer 41 is in contact with the lower surface of the first electrode layer 20 and the upper surface of the second electrode layer 50, and the protective layer 30, the capping layer 19, the contact layer 15, and the reflective layer (17) It may be formed thicker than each thickness.
  • the second electrode layer 50 is a diffusion barrier layer 52 disposed below the insulating layer 41, a bonding layer 54 disposed below the diffusion barrier layer 52 and a bonding layer 54 disposed below the diffusion layer 52. It may include a conductive support member 56, it may be electrically connected to the first semiconductor layer (11). In addition, the second electrode layer 50 may optionally include one or two of the diffusion barrier layer 52, the bonding layer 54, and the conductive support member 56, and the diffusion barrier layer 52 or At least one of the bonding layers 54 may not be formed.
  • the diffusion barrier layer 52 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the diffusion barrier layer 52 may function as a diffusion barrier layer between the insulating layer 41 and the bonding layer 54.
  • the diffusion barrier layer 52 may be electrically connected to the bonding layer 54 and the conductive support member 56, and may be electrically connected to the first semiconductor layer 11.
  • the diffusion barrier layer 52 may function to prevent the material included in the bonding layer 54 from diffusing in the direction of the reflective layer 17 in the process of providing the bonding layer 54.
  • the diffusion barrier layer 52 may prevent a material such as tin (Sn) included in the bonding layer 54 from affecting the reflective layer 17.
  • the bonding layer 54 may include a barrier metal or a bonding metal, and for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta. It may include.
  • the conductive support member 56 may support the light emitting structure 10 according to the embodiment and perform a heat dissipation function.
  • the bonding layer 54 may include a seed layer.
  • the conductive support member 56 may be a metal or carrier substrate, for example Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, or a semiconductor substrate in which impurities are implanted (eg, Si, Ge , GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.).
  • the conductive support member 56 is a layer for supporting the light emitting device 100.
  • the thickness of the conductive support member 56 is 80% or more of the thickness of the second electrode layer 50, and may be 30 ⁇ m or more.
  • the second contact layer 33 is disposed in the first semiconductor layer 11 and is in contact with the first semiconductor layer 11.
  • An upper surface of the second contact layer 33 may be disposed above the lower surface of the first semiconductor layer 11, electrically connected to the first semiconductor layer 11, and the active layer 12 and the second semiconductor. It is insulated from the layer 13.
  • the second contact layer 33 may be electrically connected to the second electrode layer 50.
  • the second contact layer 33 may be disposed through the first electrode layer 20, the active layer 12, and the second semiconductor layer 15.
  • the second contact layer 33 is disposed in a recess 2 disposed in the light emitting structure 10, and is formed in the active layer 12, the second semiconductor layer 15, and the protective layer 30. Insulated by The plurality of second contact layers 33 may be disposed spaced apart from each other.
  • the second contact layer 33 may be connected to the protrusion 51 of the second electrode layer 50, and the protrusion 51 may protrude from the diffusion barrier layer 52.
  • the protrusion 51 may pass through the hole 41A disposed in the insulating layer 41 and the protective layer 30, and may be insulated from the first electrode layer 20.
  • the second contact layer 33 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the protrusion 501 may include at least one of materials forming the diffusion barrier layer 52 and the bonding layer 54, but is not limited thereto.
  • the protrusion 51 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta.
  • the pad 25 may be electrically connected to the first electrode layer 20, and may be exposed to an area A1 outside the sidewall of the light emitting structure 10.
  • One or more pads 25 may be disposed.
  • the pad 25 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the light transmitting layer 45 may protect the surface of the light emitting structure 10, may insulate the pad 25 from the light emitting structure 10, and may be in contact with a peripheral portion of the protective layer 30. .
  • the light transmission layer 45 may have a lower refractive index than the material of the semiconductor layer constituting the light emitting structure 10, and may improve light extraction efficiency.
  • the light transmitting layer 45 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the light-transmitting layer 45 is at least one in the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. Can be selected and formed.
  • the light transmission layer 45 may be omitted depending on the design.
  • the light emitting structure 10 may be driven by the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50.
  • the light emitting chip according to the embodiment may include a plurality of light emitting structures that can be individually driven in one chip.
  • two light emitting structures are disposed on one light emitting chip, but three or more light emitting structures may be disposed on one light emitting chip and may be implemented to be driven separately.
  • a light emitting chip having such a structure and a light emitting device having the same may be usefully applied to a lighting device of a vehicle, for example, a headlight or a taillight as an example.
  • a phosphor film (not shown) may be provided on the light emitting structure 10.
  • the embodiment can improve the reliability of the light emitting device.
  • the embodiment may be applied to lighting devices such as various lighting lamps, traffic lights, vehicle headlamps, and electronic signs using light emitting devices.

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Abstract

실시 예에 개시된 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임; 상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임; 상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치되며 상기 제3리드 프레임으로부터 이격된 제4리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩을 포함하며, 상기 몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2측면부; 및 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4측면부를 포함하며, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제1 및 제2리드부를 포함하며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제3 및 제4리드부를 포함하며, 상기 제3리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 제5리드부를 포함하며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 제6리드부를 포함한다.

Description

발광 소자
본 발명은 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.
발광 소자는 예컨대, 발광 다이오드(Light Emitting Diode)를 갖는 소자일 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 복수의 발광 칩과 전기적으로 연결된 복수의 리드 프레임이 몸체의 변들 중에서 상대적으로 길이가 긴 변 방향으로 돌출된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체의 캐비티 바닥에 배치된 복수의 리드 프레임이 상기 몸체의 길이 방향과 직교하는 너비 방향으로 돌출된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체 내에 배치된 3개 이상의 리드 프레임이 상기 몸체의 너비 방향으로 돌출된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체의 변들 중에서 상대적으로 길이가 긴 변의 중심으로 서로 다른 리드 프레임을 돌출시킨 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체 내의 배치된 복수의 리드 프레임 각각에 발광 칩 또는 보호 칩이 배치된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체 내에 배치된 복수의 리드 프레임에 복수의 발광 칩을 병렬로 연결한 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체의 변들 중에서 상대적으로 길이가 긴 변의 강성을 개선시켜 줄 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임; 상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임; 상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치되며 상기 제3리드 프레임으로부터 이격된 제4리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩을 포함하며, 상기 몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2측면부; 및 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4측면부를 포함하며, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제1 및 제2리드부를 포함하며, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제3 및 제4리드부를 포함하며, 상기 제3리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 제5리드부를 포함하며, 상기 제4리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 제6리드부를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임; 상기 캐비티에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3 및 제4리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩; 상기 제3리드 프레임 위에 배치된 제1보호 칩; 상기 제4리드 프레임 위에 배치된 제2보호 칩을 포함하며, 상기 제1 및 제2리드 프레임 각각은 상기 몸체의 측면부 중에서 상대적으로 길이가 긴 제1 및 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하며, 상기 제3 및 제4리드 프레임 각각은 상기 몸체의 측면부 중에서 상대적으로 길이가 긴 제1 또는 제2측면부로 돌출된 리드부를 포함하며, 상기 제3리드 프레임의 리드부는 상기 제4리드 프레임의 리드부와 반대측 방향으로 돌출된다.
실시 예는 길이가 너비보다 긴 발광 소자의 센터 부분의 강성을 보강할 수 있다.
실시 예는 발광 소자의 구조적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 배면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자의 C-C측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광 소자의 D-D측 단면도이다.
도 7은 도 1의 발광 소자의 E-E측 단면도이다.
도 8은 도 2의 발광 소자에 있어서, 제3,4리드 프레임의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 발광 소자의 F-F측 단면도이다.
도 10은 도 3의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 1의 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 예를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자의 평면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자의 배면도이며, 도 3은 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이며, 도 4는 도 1의 발광 소자의 B-B측 단면도이고, 도 5는 도 1의 발광 소자의 C-C측 단면도이며, 도 6은 도 1의 발광 소자의 D-D측 단면도이고, 도 7은 도 1의 발광 소자의 E-E측 단면도이다.
도 1내지 도 7을 참조하면, 발광소자(200)는, 캐비티(140)를 갖는 몸체(110), 상기 몸체(110)에 적어도 일부가 결합되며 상기 캐비티(140)에 배치된 복수의 리드 프레임(125,135,145,155), 상기 캐비티(140) 내에서 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)에 전기적으로 연결된 복수의 발광 칩(100,101), 및 상기 캐비티(140) 내에서 상기 발광 칩(100,101)에 전기적으로 연결된 복수의 보호 칩(102,103)을 포함한다.
실시 예에 따른 발광 소자(200)는 복수의 발광 칩(100,101)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(200)는 복수의 발광 칩(100,101)이 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)에 의해 병렬로 연결될 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(200)는 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)이 상기 몸체(110)의 변들 중에서 상대적으로 길이가 긴 변 방향으로 돌출된 구조를 포함한다. 실시 예에 따른 발광 소자(200)는 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)이 상기 몸체(110)의 제1방향(x)이 아닌 제2 방향(y)으로 배열될 수 있으며, 상기 제2방향(y)은 상기 제1방향(x)에 대해 직교하는 방향이 될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자(200)의 몸체(110)는 절연 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 발광 칩(100,101)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질 또는 반사 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘 계열의 몸체(110)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(110) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(110)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(110)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(110)는 반사 재질 예컨대, 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(110)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(110)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 몸체(110)는 복수의 외 측면 예컨대, 적어도 4개의 측면부(111,112,113,114)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(111,112,113,114) 중 적어도 하나 또는 모두는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 경사지게 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1 내지 제4측면부(111,112,113,114)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(111)와 제2측면부(112)는 서로 반대측에 위치하며, 상기 제3측면부(113)와 상기 제4측면부(114)는 서로 반대측에 위치한다.
상기 제1측면부(111) 및 제2측면부(112) 각각의 제2길이(D2)는 제3측면부(113) 및 제4측면부(114)의 제1길이(D1)와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(111)와 상기 제2측면부(112)의 제2길이(D2)는 상기 제3측면부(113) 및 제4측면부(114)의 제1길이(D1)보다 길게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2측면부(111,112)의 제2길이(D2)는 상기 제3 및 제4측면부(113,114)의 제1길이(D1)에 비해 장변이며, 상기 제3 및 제4측면부(113,114)의 제1길이(D1)는 상기 제1 및 제2측면부(111,112)의 제2길이(D2)에 비해 단변일 수 있다.
상기 제1측면부(111) 또는 제2측면부(112)의 제2길이(D2)는 상기 제3측면부(113) 및 제4측면부(114) 사이의 간격일 수 있다. 상기 제2길이(D2)는 제1축(x) 방향의 길이이며, 상기 제1길이(D1)는 제2축(y)축 방향의 길이일 수 있다. 상기 제2축(y) 방향은 상기 몸체(110)의 너비 방향 또는 장변 방향이며 상기 제1축 방향(x)은 몸체(110)의 길이 방향 또는 장변 방향이며, 상기 제2축(y) 방향은 상기 제1축(x) 방향에 직교하는 방향이다.
상기 제1내지 제4측면부(111,112,113,114)의 사이의 경계 영역인 모서리 부분은 각진 면이거나 곡면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(110)의 장변 측 제2길이(D2)는 단변 측 제1길이(D1)에 비해 1배 초과 2배 이하일 수 있으며, 예컨대 1.3배 이상 내지 2배 이하일 수 있다. 상기 제2길이(D2)가 제1길이(D1)보다 2배를 초과하게 되면, 각 리드 프레임(125,135,145,155) 사이의 경계 영역의 강성이 약해지는 문제가 있으며, 1배 미만이 되면 하나의 발광 소자 내에 대면적의 발광 칩을 복수로 배치하거나 복수의 발광 칩을 병렬로 제공하는 데 어려움이 있다. 여기서, 각 발광 칩(100,101)은 가로 및 세로의 길이가 0.6mm 이상 예컨대, 1mm 이상인 칩으로 정의할 수 있으며, 이러한 크기의 칩은 대 면적의 칩일 수 있다. 상기 몸체(110)의 장변측 제2길이(D2)를 2배 이하로 제공하기 때문에, 사출 성형과 같은 제조 공정시 몸체(110)의 중간 부분이 휘어지거나 파손되는 것을 줄여줄 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자의 몸체(110)는 상기 제1 및 제2측면부(111,112)의 제2길이(D2)가 상기 제3 및 제4측면부(113,114)의 제1길이(D1)에 비해 길다. 상기 발광 칩(100,101)이 배치된 제1,2리드 프레임(125,135)은 상기 몸체(110)의 제2축(y) 방향으로 더 길게 배열될 수 있다. 만약, 상기 발광 칩(100,101)이 배치된 제1,2리드 프레임(125,135)을 상기 몸체(110)의 제1축 방향(x)으로 배열하고 상기 몸체(110)의 제3,4측면부(113,114)에 제1,2리드 프레임(125,135)의 리드부를 돌출시킨 경우, 상기 제1,2리드 프레임(125,135) 사이에 보호 칩(102,103)이 배치된 제1,2리드 프레임(145,155)을 배치할 경우, 상기 보호 칩(102,103)이 배치된 제1,2리드 프레임(145,155)의 공간 확보가 어렵고 상기 발광 칩(100,101)이 배치된 제1,2리드 프레임(125,135)의 방열 면적 확보가 어렵다. 따라서, 발광 소자의 방열 효율이 저하될 수 있다.
실시 예는 발광 칩(100,101)이 배치된 제1,2리드 프레임(125,135)을 상기 몸체(110)의 너비 방향으로 길게 배치하고 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112)에 제1,2리드 프레임(125,125)의 복수의 리드부를 돌출시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(100,101)이 배치된 제1,2리드 프레임(125,135)은 방열 면적을 확보할 수 있고, 발광 소자의 방열 효율은 개선될 수 있다.
상기 몸체(110)는 상부가 오픈된 캐비티(140)를 포함한다. 상기 캐비티(140)는 상기 몸체(110)의 상면(115)으로부터 오목하게 리세스된 형태로 제공될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(140)의 둘레에 배치된 내 측벽은 상기 몸체(110)의 바닥에 수평한 직선에 대해 경사진 면을 포함할 수 있다. 도 4내지 도 7과 같이, 상기 캐비티(140)의 내 측벽(R1,R2)은 상기 캐비티(140)의 바닥에 대해 경사진 제1측벽(R1)과, 상기 제1측벽(R1)과 상기 캐비티(140)의 바닥 사이에 배치된 제2측벽(R2)을 포함한다. 상기 제2측벽(R2)은 상기 수평한 직선에 대해 상기 제1측벽(R1)보다 작은 각도를 가질 수 있다.
상기 제1측벽(R1)은 상기 발광 칩(100,101)로부터 방출된 광을 반사하기 위해 상기 제1리드 프레임(125)의 상면의 수평한 연장 선에 대해 115도 이상 예컨대, 115도 내지 175도 범위의 내각을 갖고 경사질 수 있다. 상기 제2측벽(R2)은 상기 제1리드 프레임(125)의 상면의 수평한 연장 선에 대해 90도 이상 예컨대, 90도 내지 110도 범위로 배치될 수 있다. 상기 제2측벽(R2)은 거의 경사가 없기 때문에 상기 몸체(110)의 일부가 리드 프레임(125,135,145,155) 상에 버(Burr) 형태로 존재하는 것을 방지할 수 있으며, 상기 버로 인한 광 손실이나 접착력이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 캐비티(140)의 측벽(R1,R2) 중에서 모서리 부분은 곡면이거나 각진 면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4 및 도 5와 같이, 상기 몸체(110)에서 상기 제1 및 제2측면부(111,112)에 인접한 상면(115)의 너비(B1)는 상기 제3 및 제4측면부(113,114)에 인접한 상면(115)의 너비(A1)와 동일하거나 더 넓게 배치될 수 있다. 이는 발광 소자(200)의 제1길이(D1)로 인해 상기 제1 및 제2측면부(111,112)의 상면 너비(B1)를 넓게 제공할 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2측면부(11,112)와 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155) 사이의 결합력은 강화될 수 있어, 상기 몸체(110)의 장변 측 강성을 보강해 줄 수 있다.
상기 몸체(110)의 캐비티(140)에는 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)이 배치된다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)은 3개 이상, 예컨대 4개 이상을 포함할 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)은 상기 몸체(110)의 길이 방향이 아닌 너비 방향으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)은 제2축 방향(y)의 길이가 제1축 방향(x)의 길이보다 길게 배치될 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)의 길이 중 상대적으로 긴 길이 방향은 상기 몸체(110)의 너비 방향이 될 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 중 적어도 2개는 상기 몸체(110)의 제2축 방향(y)의 길이(D1)보다 긴 길이를 가지며, 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 중 적어도 2개는 상기 몸체(110)의 제2축 방향(y)의 길이(D1)보다 짧은 길이를 가질 수 있다.
상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 각각은 서로 이격되며 몸체(110)와 결합될 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 중 적어도 3개는 몸체(110)의 제1측면부(111)로 돌출될 수 있으며, 상기 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 중 적어도 3개는 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)로 돌출될 수 있다.
상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155) 각각에는 발광 칩(100,101) 및 보호 칩(102,103) 중 어느 하나가 배치될 수 있다. 상기 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)은 제1 내지 제4 리드 프레임(125,135,145,155)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)은 상기 몸체(110)의 제1축(x) 방향 또는 길이 방향으로 서로 이격되며, 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)은 상기 몸체(110)의 제2축(y) 방향 또는 너비 방향으로 서로 이격될 수 있다. 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 사이에 일열로 배열될 수 있다. 상기 제1, 제3 및 제2리드 프레임(125,145,135)는 서로 평행하게 배치될 수 있으며, 상기 제1, 제4 및 제2리드 프레임(125,155,135)는 서로 평행하게 배치될 수 있다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 5와 같이, 상기 제1리드 프레임(125)은 상기 캐비티(140)의 제1영역 아래에 배치되며, 상기 몸체(110)와 결합된다. 상기 캐비티(140)에 노출된 상기 제1리드 프레임(125)의 길이(L1) 또는 너비(W1)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 1.0mm 이상 예컨대, 1.0mm 내지 3.5mm 범위를 포함할 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 제1발광 칩(100)의 탑재가 어렵고 상기 범위보다 클 경우 패키지의 사이즈가 커지는 문제가 있다. 상기 제1리드 프레임(125)은 복수의 리드부 예컨대, 서로 반대측 방향으로 돌출된 제1 및 제2리드부(127,128)를 포함한다. 상기 제1리드부(127)는 상기 캐비티(140) 내에 배치된 상기 제1리드 프레임(125)으로부터 상기 몸체(110)의 제1측면부(111)를 통해 돌출되며, 상기 제2리드부(128)는 상기 캐비티(140) 내에 배치된 상기 제1리드 프레임(125)으로부터 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)를 통해 돌출된다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 6과 같이 상기 제2리드 프레임(135)은 상기 캐비티(140)의 제2영역 아래에 배치되며, 상기 몸체(110)와 결합된다. 상기 캐비티(140)에 노출된 상기 제2리드 프레임(135)의 길이(L2) 또는 너비(W2)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 1.0mm 이상 예컨대, 1.0mm 내지 3.5mm 범위를 포함할 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 제2발광 칩(101)의 탑재가 어렵고 상기 범위보다 클 경우 패키지의 사이즈가 커지는 문제가 있다. 상기 길이(L2)는 상기 제1리드 프레임(125)의 길이(L1)와 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 상기 길이 L1 : L2의 비율은 3 : 1 내지 1 : 3 범위일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2리드 프레임(135)은 복수의 리드부 예컨대, 서로 반대측 방향으로 돌출된 제3 및 제4리드부(137,138)를 포함한다. 상기 제3리드부(137)는 상기 캐비티(140)에 배치된 상기 제2리드 프레임(135)으로부터 상기 몸체(110)의 제1측면부(111)를 통해 돌출되며, 상기 제4리드부(138)는 상기 캐비티(140) 내에 배치된 상기 제2리드 프레임(135)으로부터 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)를 통해 돌출된다.
상기 캐비티(130) 내에서 상기 제1영역은 상기 몸체(110)의 제1, 2 및 3측면부(111,112,113)에 인접한 영역이며, 상기 제2영역은 상기 몸체(110)의 제1, 2 및 4측면부(111,112,114)에 인접한 영역일 수 있다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 7과 같이 상기 제3리드 프레임(145)은 상기 캐비티(140)의 제1영역과 제2영역 사이의 제3영역에 배치될 수 있다. 상기 제3영역은 상기 제1,2영역 사이의 영역 중에서 제1측면부(111)에 인접한 영역일 수 있다. 상기 제3리드 프레임(145) 중에서 캐비티(140)에 노출된 영역의 길이(L3)는 제1보호 칩(102)의 탑재를 위해 120㎛ 이상 예컨대, 150㎛ 이상일 수 있다. 상기 길이(L3) 값이 작을 경우 제1보호 칩(102)의 본딩 공정 시 어려움이 있다. 도 3 및 도 7과 같이, 상기 제3리드 프레임(145) 중에서 상기 캐비티(140)에 노출된 영역의 너비(W3)는 상기 제3리드 프레임(145)의 길이(L3)보다 크게 배치하여, 제1보호 칩(102)에 연결될 와이어 본딩 공간을 제공해 줄 수 있다.
상기 제3리드 프레임(145)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 사이의 영역에 배치되며, 적어도 하나의 리드부 예컨대, 제5리드부(147)를 포함한다. 상기 제5리드부(147)는 상기 캐비티(140)에 배치된 상기 제3리드 프레임(145)로부터 몸체(110)의 제1측면부(111)를 통해 돌출될 수 있다. 상기 제5리드부(147)는 상기 몸체(110)의 제1측면부(111)의 외측에서 상기 제1 및 제3리드부(127,137) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제5리드부(147)는 상기 몸체(110) 내에서 상기 제3리드 프레임(145)의 내부 폭보다 넓은 외부 폭을 갖고 결합되므로, 상기 몸체(110)와의 결합력이 강화될 수 있다. 이에 따라 상기 제3리드 프레임(145)의 이탈을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제3리드 프레임(145)에서 상기 내부 폭은 캐비티(140) 내에 배치된 영역의 폭이며, 외부 폭은 상기 제1측면부(111) 아래에 배치된 영역의 폭일 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 7과 같이, 상기 제4리드 프레임(155)은 상기 캐비티(140)의 제1영역과 제2영역 사이의 제4영역에 배치될 수 있다. 상기 제4영역은 상기 제1,2영역 사이의 영역 중에서 제2측면부(112)에 인접한 영역일 수 있다. 상기 제4리드 프레임(155)의 길이(L4)는 제2보호 칩(103)의 탑재를 위해 120㎛ 이상 예컨대, 150㎛ 이상일 수 있다. 상기 길이(L4) 값이 작을 경우 제2보호 칩(102)의 본딩 공정시 어려움이 있다. 도 3 및 도 7과 같이, 상기 제4리드 프레임(155) 중에서 상기 캐비티(140)에 노출된 영역의 너비(W4)는 상기 길이(L4)보다 크게 배치하여, 제2보호 칩(103)에 연결될 와이어 본딩 공간을 제공해 줄 수 있다.
상기 제4리드 프레임(155)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 사이의 영역에 배치되며, 적어도 하나 예컨대, 제6리드부(157)를 포함한다. 상기 제6리드부(157)는 상기 캐비티(140)에 배치된 상기 제4리드 프레임(155)으로부터 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)를 통해 돌출될 수 있다. 상기 제6리드부(157)는 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)의 외측에서 제2 및 제4리드부(128,138) 사이에 배치된다. 상기 제6리드부(157)는 상기 제5리드부(147)의 반대측 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제6리드부(157)는 상기 몸체(110) 내에서 상기 제4리드 프레임(155)의 내부 폭보다 넓은 외부 폭을 갖고 결합되므로, 상기 몸체(110)와의 결합력이 강화될 수 있다. 이에 따라 상기 제4리드 프레임(155)의 이탈을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제4리드 프레임(155)에서 상기 내부 폭은 캐비티(140) 내에 배치된 영역의 폭이며, 외부 폭은 상기 제2측면부(112) 아래에 배치된 영역의 폭일 수 있다.
상기 제3,4리드 프레임(145,155)의 간격을 보면, 상면 간의 간격(G5)은 0.8mm±0.1mm 범위를 포함하며, 하면 간의 간격은 0.6mm±0.05mm 범위를 포함할 수 있다. 이러한 제3,4리드 프레임(145,155)의 간격에 의해 전기적인 간섭을 제거할 수 있으며, 제3,4리드 프레임(145,155)과 돌출부(118) 사이의 결합력이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 및 2와 같이, 상기 제1,2리드 프레임(125,135)에서 캐비티(140)를 벗어난 영역(C2,C3)이 라운드 형태를 갖고 리드부(127,128,137,138)로 연장될 수 있다. 상기 제3리드 프레임(145)은 상기 캐비티(140)를 벗어난 영역(C5)이 라운드 형상을 갖고 제5리드부(147)로 연장될 수 있다. 상기 제4리드 프레임(155)에서 캐비티(140)를 벗어난 영역(C6)은 라운드 형상을 갖고 제6리드부(157)로 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 라운드 형상의 영역(C2,C3,C5,C6)에 의해 몸체(110)와의 결합은 증가될 수 있다. 여기서, 상기 제3리드 프레임(145)의 라운드 형상의 영역(C5)은 상기 제1,2리드 프레임(125,135)의 라운드 형상의 영역(C2) 보다 외측에 배치될 수 있고, 상기 제4리드 프레임(155)의 라운드 형상의 영역(C6)은 상기 제1,2리드 프레임(125,135)의 라운드 형상의 영역(C3) 보다 외측에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1,2리드 프레임(125,135)에서 캐비티(140)를 벗어난 영역(C2,C3) 사이는 비 곡선 영역(C1)일 수 있다.
도 1, 2와 같이, 상기 제1, 3, 5리드부(127,137,147)는 상기 몸체(110)의 제1측면부(111)로 돌출되며, 상기 제2, 4, 6리드부(128,138,157)는 상기 몸체(110)의 제2측면부(112)로 돌출된다. 상기 상기 제2, 4, 6리드부(128,138,157)는 상기 몸체(110)를 기준으로 상기 제1, 3, 5리드부(127,137,147)의 반대측 방향으로 돌출된다. 이러한 몸체(110)의 제1측면부(111)로 돌출된 리드부(127,137,147)와, 상기 제2측면부(112)로 돌출된 리드부(128,138,157)는 테스트를 위한 단자이거나 본딩 단자로 사용될 수 있다.
상기 제1측면부(111)로 돌출된 상기 제1, 3, 5리드부(127,137,147) 간의 간격(G1,G2)은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 도 3에 도시된, 제1,2간극부(116,117)의 너비(G3,G4)보다는 넓을 수 있다. 상기 제2측면부(112)로 돌출된 상기 제2, 4, 6리드부(128,138,157) 간의 간격은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 도 3에 도시된, 제1,2간극부(116,117)의 너비(G3,G4)보다는 넓을 수 있다. 이러한 인접한 리드부들의 간격(G3,G4)은 각 리드부(127,128,137,138,147,157)의 너비(D7,D8,D9)보다는 좁을 수 있다.
상기 캐비티(140)에 배치된 상기 제1 내지 제4 리드 프레임(125,135,145,155)의 하면은 상기 몸체(110)의 바닥에 노출될 수 있다. 상기 제1 내지 제6리드부(127,128,137,138,147,157)는 상기 몸체(11)의 바닥과 동일한 수평 면상에 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제6리드부(127,128,137,138,147,157)의 하면은 상기 몸체(110)의 바닥 외측에 노출될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 리드 프레임(125,135,145,155)는 상기 제1 내지 제6리드부(127,128,137,138,147,157)와 함께 회로 기판 상에 본딩될 수 있다. 상기 제1 내지 제6리드부(127,128,137,138,147,157)는 몸체(110)의 각 측면부(111,112)로부터 0.10mm 이상 예컨대, 0.15mm이상 돌출될 수 있다. 이러한 리드부(127,128,137,138,147,157)의 돌출 길이는 테스트 단자 또는 리드 단자로의 기능을 위한 길이로 제공될 수 있다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 제1간극부(116)는 상기 제1리드 프레임(125)과 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역에 결합될 수 있다. 상기 제1간극부(116)는 몸체(110)의 재질과 동일한 재질로 형성되거나 다른 절연 재질을 포함한다. 제2간극부(117)는 제2리드 프레임(135)과 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역에 결합될 수 있다. 상기 제2간극부(117)는 상기 몸체(110)의 재질과 동일한 재질로 형성되거나 다른 절연 재질을 포함한다. 상기 제1 및 제2간극부(116,117)는 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2간극부(116,117)는 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1,2간극부(116,117)는 서로 연결될 수 있다. 상기 몸체(110)는 상기 제1,2간극부(116,117)를 포함할 수 있다.
도 1, 도 4 및 도 7를 참조하면, 돌출부(118)는 상기 제1 및 제2간극부(116,117) 사이의 영역으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(118)는 상기 제1 및 제2간극부(116,117)와 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 상기 제1,2간극부(116,117)에 연결될 수 있다. 상기 돌출부(118)는 상기 몸체(110)의 재질로 형성될 수 있다. 상기 돌출부(118)의 탑뷰 형상은 원형, 다각형, 타원형, 다각형의 모서리가 곡선인 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 돌출부(118)는 상면으로 갈수록 좁은 너비를 갖는 기둥 형상으로 돌출될 수 있다. 또한 상기 돌출부(118)의 측면이 곡면인 경우, 그 곡률 반경은 0.2mm±0.05mm 범위를 포함하며, 이러한 곡면에 의해 입사되는 광을 다른 방향으로 반사할 수 있다. 이러한 돌출부(118)의 측면은 광 반사를 위해 각진 면보다는 곡면으로 제공될 수 있다.
상기 돌출부(118)는 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(118)는 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)의 상면 일부 상에 연장될 수 있다. 상기 돌출부(118)는 상기 제3,4리드 프레임(145,155)에 결합되며 상기 제3,4리드 프레임(145,155)의 상면 일부와 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 돌출부(118)의 둘레 면은 경사진 면일 수 있다. 상기 돌출부(118)의 반대측 영역은 리세스 영역(251)을 포함하며, 상기 리세스 영역(251)은 몸체(110)의 아래에 제공되고 사출 성형 시 결합되는 사출 게이트(gate)가 결합되는 홀일 수 있다. 상기 리세스 영역(251)의 측 단면 형상은 다각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스 영역(215)의 깊이는 상기 제3,4리드 프레임(245,255)의 상면보다 낮은 깊이를 가질 수 있으며, 상기 리세스 영역(215)의 깊이가 상기 제3,4리드 프레임(245,255)의 상면까지 형성될 경우, 제1,2간극부(116,117)의 강성이 약해지는 문제가 있다.
상기 리세스 영역(251)은 제3,4리드 프레임(145,155)으로부터 0.05mm 이상 0.3mm 이하의 간격을 가지므로, 상기 리세스 영역(251)과 제3,4리드 프레임(145,155) 사이의 영역이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
상기 돌출부(118)의 상면은 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)의 상면보다 위에 배치될 수 있으며, 상기 몸체(110)의 상면(115)보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 돌출부(118)의 상면은 상기 제1간극부(116) 및 제2간극부(117)의 상면보다 위에 배치될 수 있다. 상기 돌출부(118)가 돌출되지 않는 경우 제3,4리드 프레임(145,155) 간이 결합력이 저하되거나 파손될 수 있는 문제가 발생될 수 있고, 상기 두께(T1)보다 두꺼울 경우 보호 칩(102,103)을 탑재할 수 없는 문제가 발생될 수 있다. 도 7과 같이, 돌출부(118)의 너비(W5)는 캐비티(140)의 바닥에 노출된 제4,5리드 프레임(145,155)의 너비(W3,W5)보다 좁을 수 있다. 상기 돌출부(118)는 도 1과 같이 탑뷰에서 볼 때, 가로 대 세로의 비율은 3:1 내지 1:3의 범위일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 상기 돌출부(118), 제1 및 제2간극부(116,117)는 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)와 결합되어, 상기 제3,4리드 프레임(145,155)을 지지할 수 있다.
상기 돌출부(118)의 위치는 상기 제1,2리드 프레임(125,135) 사이의 센터 영역에 위치할 수 있으며, 상기 제3,4리드 프레임(145,155) 사이의 센터 영역에 위치할 수 있다. 상기 캐비티(140)의 형상은 상기 돌출부(118)를 기준으로 선 대칭 형상으로 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 4와 같이, 상기 제1리드 프레임(125)은 외측에 제1 및 제2단차 구조(211,212)를 포함한다. 상기 제1 및 제2단차 구조(211,212)에는 몸체(110)의 일부가 결합된다. 상기 제1 및 제2단차 구조(211,212)는 상기 제1리드 프레임(125)의 양 외측 예컨대, 양측 에지를 따라 배치될 수 있다. 상기 제1단차 구조(211)는 상기 몸체(110)의 제3측면부(113)를 따라 상기 제3측면부(113) 내에 결합될 수 있다. 상기 제1단차 구조(211)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112) 내에 연장될 수 있다. 상기 제2단차 구조(212)는 상기 제1간극부(116)를 따라 상기 제1간극부(116)와 결합될 수 있다. 상기 제1단차 구조(212)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112) 내에 연장될 수 있다. 상기 제1,2단차 구조(211,212)의 깊이는 제1리드 프레임(125)의 에지로부터 0.01mm 이상 예컨대, 0.02mm 이상일 수 있으며, 상기 깊이가 상기 수치 미만일 경우 결합력이 저하될 수 있다. 상기 제1,2단차 구조(211,212)의 리세스 높이는 상기 제1리드 프레임(125)의 두께의 1/3 내지 1/2 범위일 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(125)의 외측에 배치된 상기 제1 및 제2단차 구조(211,212)의 길이(D13)는 도 1의 캐비티(140)의 너비(D11)보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 제1,2단차 구조(211,212)는 상기 몸체(110)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 상기 제1 및 제2단차 구조(211,212)의 길이(D13)는 상기 몸체(110)의 제2길이(D1)보다는 작을 수 있다. 상기 제1,2단차 구조(211,212)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112)의 표면으로부터 이격될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(125)의 하면 너비(D3)는 상면 너비보다 좁을 수 있다. 상기 제1리드 프레임(125)의 상면 면적은 하면 면적보다 더 넓을 수 있다. 상기 제1리드 프레임(125) 하면 너비(D3)는 상기 제1 및 제2리드부(127,128)의 너비(D7)보다 넓을 수 있다. 상기 제1리드 프레임(125)에서 하면 너비(D3)와 너비(D7)의 차이는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05mm 내지 0.2mm 범위를 가질 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 몸체(110)와의 결합력이 저하될 수 있고 상기 범위보다 클 경우 제1,2리드부(127,128)의 기능이 저하될 수 있다.
상기 제1 및 제2리드부(127,128)는 상기 몸체(110) 아래에 배치된 제1리드 프레임(125)의 하면 너비(D3)보다 좁은 너비(D7)로 돌출됨으로써, 상기 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(111,112)의 강성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2리드 프레임(135)은 외측에 제3 및 제4단차 구조(215,216)를 포함할 수 있다. 상기 제3 및 제4단차 구조(215,216)에는 상기 몸체(110)의 일부가 결합된다. 상기 제3 및 제4단차 구조(215,216)는 상기 제2리드 프레임(135)의 양 외측 예컨대, 양측 에지를 따라 형성될 수 있다. 상기 제3단차 구조(215)는 상기 몸체(110)의 제4측면부(114)를 따라 상기 제4측면부(114) 내에 결합될 수 있다. 상기 제3단차 구조(215)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112) 내에 연장될 수 있다. 상기 제4단차 구조(216)는 제2간극부(117)를 따라 상기 제2간극부(117) 내에 결합될 수 있다. 상기 제4단차 구조(216)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112) 내에 연장될 수 있다. 상기 제3,4단차 구조(215,216)의 깊이는 제2리드 프레임(135)의 에지로부터 0.01mm 이상 예컨대, 0.02mm 이상일 수 있으며, 상기 깊이가 상기 수치 미만일 경우 결합력이 저하될 수 있다. 상기 제3,4단차 구조(215,216)의 리세스 높이는 상기 제2리드 프레임(135)의 두께의 1/3 내지 1/2 범위일 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있다.
상기 제3 및 제4단차 구조(215,216)의 길이(D13)는 도 1의 캐비티(140)의 너비(D11)보다 긴 길이로 배치될 수 있다. 상기 제3,4단차 구조(215,216)는 상기 길이(D13)에 의해 상기 몸체(110)와의 접촉 면적이 개선될 수 있다. 상기 제3 및 제4단차 구조(215,215)는 상기 몸체(110)의 제1길이(D1)보다는 작은 길이로 배치될 수 있다. 상기 제3,4단차 구조(215,216)는 상기 몸체(110)의 제1,2측면부(111,112)의 표면으로부터 이격될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(135)의 하면 너비(D4)는 상면 너비보다 좁을 수 있다. 상기 제2리드 프레임(135)의 상면 면적은 하면 면적보다 더 넓을 수 있다. 상기 캐비티(140)에 배치된 상기 제2리드 프레임(135)은 하면 너비(D4)는 상기 제3 및 제4리드부(137,138)의 너비(D8)보다 넓을 수 있다. 상기 제2리드 프레임(135)에서 하면 너비(D4)와 너비(D8)의 차이는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05mm 내지 0.2mm 범위를 가질 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 몸체(110)와의 결합력이 저하될 수 있고 상기 범위보다 클 경우 제3,4리드부(137,138)의 기능이 저하될 수 있다. 상기 제3 및 제4리드부(137,138)는 상기 몸체(110) 아래에 배치된 제2리드 프레임(135)의 너비(D4)보다 좁은 너비(D8)로 돌출됨으로써, 상기 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(111,112)의 강성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 및 제2리드부(127,128)를 갖는 제1리드 프레임(125)와 상기 제3 및 제4리드부(137,138)을 갖는 제2리드 프레임(125,135)의 길이(D21)는 몸체(110)의 상기 몸체(110)의 제1너비(D1)보다 크게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 각각은 서로 반대측 방향으로 제1,2 측면부(111,112)를 통해 리드부(127,128,137,138)를 돌출시켜 주므로, 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 표면적 증가로 인해 방열 효율은 개선될 수 있다.
도 2, 도 3 및 도 7을 참조하면, 상기 제3리드 프레임(145)의 외측에는 제5단차 구조(213)를 포함할 수 있다. 상기 제5단차 구조(213)는 상기 제3리드 프레임(135)의 외측 둘레에 형성되며 상기 몸체(110)의 일부가 결합된다. 상기 제5단차 구조(213)는 상기 제1,2간극부(116,117) 및 돌출부(118)와 결합될 수 있다. 상기 돌출부(118)는 도 7과 같이, 소정 두께(T1)로 돌출되며, 상기 두께(T1)는 제1 및 제2보호 칩(102,103)의 상면 높이와 같거나 더 높게 돌출될 수 있다. 상기 제3리드 프레임(145)은 상기 제5단차 구조(213)에 의해 상면 면적이 하면 면적보다 넓을 수 있다. 상기 제5단차 구조(213)는 상기 몸체(110)의 제1측면부(111)의 표면으로부터 이격될 수 있다. 상기 제5단차 구조(213)의 깊이는 제3리드 프레임(145)의 에지로부터 0.01mm 이상 예컨대, 0.02mm 이상일 수 있으며, 상기 깊이가 상기 수치 미만일 경우 결합력이 저하될 수 있다. 상기 제5차 구조(213)의 리세스 높이는 상기 제3리드 프레임(145)의 두께의 1/3 내지 1/2 범위일 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있다.
도 2, 도 4 및 도 7을 참조하면, 상기 제4리드 프레임(155)은 외측에 제6단차 구조(214)를 포함할 수 있다. 상기 제6단차 구조(214)는 상기 제4리드 프레임(155)의 외측 둘레에 형성되며 상기 몸체(110)의 일부가 결합된다. 상기 제6단차 구조(214)는 상기 제1,2간극부(116,117) 및 돌출부(118)와 결합될 수 있다. 상기 제4리드 프레임(155)은 상기 제6단차 구조(214)에 의해 상면 면적이 하면 면적보다 더 넓을 수 있다. 상기 제6단차 구조(215)의 깊이는 제4리드 프레임(155)의 에지로부터 0.01mm 이상 예컨대, 0.02mm 이상일 수 있으며, 상기 깊이가 상기 수치 미만일 경우 결합력이 저하될 수 있다. 상기 제6차 구조(215)의 리세스 높이는 상기 제4리드 프레임(155)의 두께의 1/3 내지 1/2 범위일 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있다.
상기 제5 및 제6리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)는 제5 및 제6리드부(147,157)의 너비(D9)보다 좁을 수 있다. 상기 제5,6리드 프레임(145,155)에서 하면 너비(D5)와 너비(D9)의 차이는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05mm 내지 0.2mm 범위를 가질 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 몸체(110)와의 결합력이 저하될 수 있고 상기 범위보다 클 경우 제5,6리드부(147,157)의 기능이 저하될 수 있다. 여기서, 제5,6리드 프레임(145,155)의 하면에서 하면 너비(D5)는 내부 너비로서 0.03mm 이상 예컨대, 0.03mm 내지 1.0mm 범위를 가질 수 있으며, 상기 너비(D9)는 외부 너비로서 0.08mm 이상 예컨대, 0.08mm 내지 1.2mm 범위를 가질 수 있다. 상기 하면 너비(D5)가 상기 범위보다 작은 경우 보호 칩(102,103)의 탑재나 와이어 본딩 공정이 어렵고 상기 범위보다 클 경우 제1,2간극부(116,117)나 제1,2리드 프레임(125,135)의 사이즈에 영향을 줄 수 있다.
상기 제5 및 제6리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)는 제5 및 제6리드부(147,157)의 너비(D9)보다 좁게 배치되어, 상기 몸체(110)의 센터 측 영역에서의 강성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제5리드부(147)의 하면 너비(D9)는 상기 제6리드부(157)의 하면 너비와 동일할 수 있다.
상기 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)의 단차 구조(211,212,213,214,215,216)는 몸체(110)와의 결합력을 개선시켜 줄 수 있고 습기 침투를 억제할 수 있다.
도 2 및 도 5와 같이, 상기 제1리드 프레임(125)은 복수의 홀(H1,H2)를 포함하며, 상기 복수의 홀(H1,H2)은 상기 몸체(110)와 오버랩되며 상기 제1 및 제2측면부(111,112)에 인접한 영역에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 홀(H1,H2)은 제1 및 제2홀(H1,H2)을 포함하며, 상기 제1홀(H1)은 제1측면부(111)에 인접하게 배치되며, 상기 제2홀(H2)은 제2측면부(112)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 홀(H1,H2) 간의 간격(D12)은 상기 캐비티(110)의 너비(도 11의 D11)보다 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 홀(H1,H2)은 상기 발광 칩(100,101)의 측면들으로부터 이격되며 상기 발광 칩(100,101)의 어느 한 변의 길이보다 큰 간격(D12)을 가질 수 있다. 상기 제1,2홀(H1,H2)은 상기 몸체(110)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치되어, 몸체(110)와의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 제1,2홀(H1,H2)은 바텀 뷰 형상이 다각형, 원 형상, 타원 형상, 다각형의 모서리가 곡선인 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1홀(H1)은 상기 제1단차 구조(211)와 제2단차 구조(212)의 라운드 영역(C2) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제2홀(H2)은 상기 제1단차 구조(211)와 제2단차 구조(212)의 라운드 영역(C3) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 제1리드 프레임(125)은 제1,2홀(H1,H2)과 상기 라운드 영역(C2,C3)을 통해 몸체(110)와의 결합력이 강화될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(125)의 제1 및 제2홀(H1,H2)은 제7 및 제8단차 구조(217,218)를 포함하며, 상기 제7 및 제8단차 구조(217,218)는 제1 및 제2홀(H1,H2)의 하부 너비가 상부 너비보다 넓게 제공할 수 있다. 이러한 제1리드 프레임(125)의 제1 및 제2홀(H1,H2)에는 몸체(110)의 제1 및 제2결합부(225,226)가 결합되며, 상기 제1 및 제2결합부(225,226)는 상기 제1 및 제2홀(H1,H2)에 하부 너비가 상부 너비보다 넓게 결합될 수 있다. 상기 제7 및 제8단차 구조(217,218)는 상기 제1리드 프레임(125)의 하면으로부터 소정 높이를 가지며, 예컨대 상기 높이는 제1리드 프레임(125)의 두께의 1/2 내지 1/3의 범위로 리세스될 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 몸체(110)와의 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있는 문제가 있다.
도 2 및 도 6와 같이, 상기 제2리드 프레임(135)은 복수의 홀(H3,H4)을 포함하며, 상기 복수의 홀(H3,H4)은 상기 몸체(110)와 오버랩되며 상기 제1 및 제2측면부(111,112)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 홀(H3,H4)은 예컨대 제3 및 제4홀(H3,H4)을 포함하며, 상기 제3홀(H3)은 제1측면부(111)에 인접하게 배치되며, 제4홀(H4)은 제2측면부(112)에 인접하게 배치된다. 상기 제3 및 제4홀(H3,H4) 간의 간격(D13)은 도 1에 도시된 캐비티(140)의 너비(D11)보다 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제3,4홀(H3,H4)은 상기 몸체(110)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치되어, 상기 제2리드 프레임(135)와 몸체(110)의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 제3,4홀(H3,H4)은 바텀 뷰 형상이 다각형, 원 형상, 타원 형상, 다각형의 모서리가 곡선인 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제3홀(H3)은 상기 제3단차 구조(215)와 제4단차 구조(216)의 라운드 영역(C2) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제4홀(H4)은 상기 제3단차 구조(215)와 제4단차 구조(216)의 라운드 영역(C3) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 제2리드 프레임(135)은 제3,4홀(H3,H4)과 상기 라운드 영역(C2,C3)을 통해 몸체(110)와의 결합력이 강화될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(135)의 제3 및 제4홀(H3,H4)은 제9 및 제10단차 구조(219,220)를 포함하며, 상기 제9 및 제10단차 구조(219,220)는 상기 제3 및 제4홀(H3,H4)의 하부 너비를 상부 너비보다 넓게 제공할 수 있다. 상기 제2리드 프레임(135)의 제3 및 제4홀(H3,H4)에는 제3 및 제4결합부(235,236)가 결합되며, 상기 제3 및 제4결합부(235,236)는 상기 제 3 및 제4홀(H3,H4)에 하부 너비가 상부 너비보다 넓게 결합된다. 상기 제3 및 제4 홀(H3,H4)은 상기 제2발광 칩(101)의 양 측면으로부터 이격되며 상기 제2발광 칩(101)의 어느 한 변의 길이보다 큰 간격(D13)을 가질 수 있다. 상기 제9 및 제10단차 구조(219,220)는 상기 제2리드 프레임(135)의 하면으로부터 소정 높이를 가질 수 있다. 예컨대 상기 상기 제9 및 제10단차 구조(219,220)의 높이는 상기 제2리드 프레임(135)의 두께의 1/2 내지 1/3의 범위로 리세스될 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 몸체(110)와의 결합력이 저하되거나 단차 부분이 파손될 수 있는 문제가 있다.
도 1, 도 5 및 도 7을 참조하면, 상기 몸체(110)의 캐비티(140)의 내 측벽 중에서 제3리드 프레임(145)이 결합된 내 측벽(141)과 제1측면부(111) 사이의 간격은 상기 제1 및 2리드 프레임(125,135)이 결합된 캐비티(140)의 제2 내 측벽(R2)과 제1측면부(111) 또는 제2측면부(112) 사이의 간격 너비보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 캐비티(140)의 내 측벽 중에서 상기 제4리드 프레임(155)이 결합된 내 측벽(142)과 제2측면부(112) 사이의 간격은 제1 또는 2리드 프레임(125,135)이 결합된 캐비티(140)의 제2내 측벽(R2)과 제2측면부(112) 사이의 간격보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 캐비티(140)의 내 측벽 중에서 제3리드 프레임(145)이 결합된 내 측벽(141)과 제1측면부(111) 사이의 상면(115)의 너비(B2)는 상기 제4리드 프레임(146)이 결합된 내 측벽(142)과 제2측면부(112) 사이의 상면(115)의 너비는 동일할 수 있다. 상기 너비(B2)는 상기 제1 또는 2리드 프레임(125,135)이 결합된 캐비티(140)와 상기 제1측면부(111) 사이의 상면(115)의 너비(B1)보다 작을 수 있다. 상기 캐비티(140)의 내 측벽(141,142)은 도 1과 같이, 제1내 측벽(R1)보다 더 외측에 배치되고 제1,2측면부(111,112)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 내 측벽(141,142)은 제1측면부(111) 및 제2측면부(112) 방향으로 오목한 곡면을 갖는 형태로 제공될 수 있으며, 수직한 방향으로 경사진 면 또는/및 수직한 면을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(140) 내에서 제3리드 프레임(145) 및 제4리드 프레임(155)의 의 상면 면적을 확보하게 됨으로써, 제1 및 제2보호 칩(102,103)의 본딩 공정(stitch bonding)을 위한 공간을 제공할 수 있다.
상기 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)의 하면은 도 1 내지 도 7과 같은, 동일한 수평 면으로 배치될 수 있다. 도 2와 같이, 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 하면 너비(D3,D4)는 상기 제5 및 제6리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)보다 넓고 상기 제1 내지 제4리드부(127,128,137,138)의 너비(D7,D8,D9)보다는 넓게 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 하면 너비(D3,D4)보다 좁을 수 있으며, 상기 제5 및 제6리드부(157,158)의 너비(D9)보다 좁을 수 있다. 예컨대, 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 하면 너비(D3,D4)에 비해 3배 이하로 작을 수 있으며, 예컨대 0.4mm 내지 0.6mm 범위일 수 있다. 이러한 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)의 하면 너비(D5)기 상기 범위보다 좁으면 간극부(116,117)와의 결합력이 약화되어 습기가 침투할 수 있으며, 상기 범위보다 넓으면 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 하면 너비(D3,D4)가 작아지거나 몸체(110)의 제2길이(D2)가 길어지는 문제가 있다.
여기서, 도 2와 같이, 상기 제1내지 제4리드부(127,128,137,138)의 너비(D7,D8)는 서로 동일한 너비일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1내지 제4리드부(127,128,137,138)의 너비(D7,D8)와 상기 제5,6리드부(156,157)의 너비(D9) 간의 비율은 2:1 내지 1:1 범위일 수 있으며, 이러한 비율은 제1내지 제4리드부(127,128,137,138)의 면적으로 인해 방열 면적 감소를 방지하고 제5,6리드부(156,157)의 기능 저하를 방지할 수 있다.
상기 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)은 전원을 공급하는 단자로 기능하게 된다.
상기 발광 칩(100,101)은 상기 캐비티(140) 내에 배치되며 제1 및 제2리드 프레임(125,135) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(100,101)은 적어도 2개 예컨대, 제1 및 제2발광 칩(100,101)을 포함할 수 있다. 상기 보호 칩(102,103)은 상기 캐비티(140) 내에 배치되며 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 칩(102,103)은 적어도 2개 예컨대, 제1 및 제2보호 칩(102,103)을 포함할 수 있다.
상기 제1발광 칩(100)은 상기 제1리드 프레임(125) 위에 배치되며, 제2발광 칩(101)은 상기 제2리드 프레임(135) 위에 배치된다. 상기 제1보호 칩(102)은 제3리드 프레임(145) 위에 배치되며, 상기 제2보호 칩(103)은 제4리드 프레임(155) 위에 배치된다.
상기 제1발광 칩(100)은 상기 제1리드 프레임(125) 위에 접착제 예컨대, 전도성 접착제로 접착되어 상기 제1리드 프레임(125)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1발광 칩(100)은 제3리드 프레임(145)과 제1연결 부재(171)로 연결될 수 있으며, 상기 제1연결 부재(171)는 전도성의 와이어를 포함한다. 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 프레임(125)과 상기 제1발광 칩(100)은 전도성 접착제로 연결되므로, 별도의 연결 부재를 이용하여 제1리드 프레임(125)과 제1발광 칩(100)을 전기적으로 연결하지 않을 수 있다
상기 제2발광 칩(101)은 상기 제2리드 프레임(135) 위에 접착제 예컨대, 전도성 접착제로 접착되어 상기 제2리드 프레임(135)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2발광 칩(101)은 상기 제2리드 프레임(135)과 제2연결 부재(172)로 연결될 수 있다. 상기 제2연결 부재(172)는 전도성 와이어를 포함한다. 상기 제1 및 제2발광 칩(101,102)은 병렬로 배치되어 개별 구동될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(135)과 상기 제2발광 칩(101)은 전도성 접착제로 연결되므로, 별도의 연결 부재를 이용하여 제2리드 프레임(135)과 제2발광 칩(101)을 전기적으로 연결하지 않을 수 있다.
상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 발광 소자(200)는 광도 개선을 위해, 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)을 대면적 예컨대, 0.6mm×0.6mm 이상 또는 1mm×1mm 이상의 칩을 포함할 수 있다.
상기 제1보호 칩(102)은 제3리드 프레임(145) 상에 전도성 접착제로 접착되어 상기 제3리드 프레임(145)과 전기적으로 연결되고, 상기 제1리드 프레임(125)과 제3연결 부재(173)로 연결될 수 있다. 상기 제3연결 부재(173)는 전도성 와이어를 포함한다.
상기 제2보호 칩(103)은 제4리드 프레임(155) 상에 전도성 접착제로 접착되어, 상기 제4리드 프레임(155)과 전기적으로 연결되고, 상기 제2리드 프레임(135)과 제4연결 부재(174)로 연결될 수 있다. 상기 제4연결 부재(174)는 전도성 와이어를 포함한다.
상기 제1 및 제2보호 칩(102,103)은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1발광 칩(100)은 상기 제1보호 칩(102)과 병렬로 연결될 수 있고, 상기 제2발광 칩(101)은 상기 제2보호 칩(103)과 병렬로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)는 각 발광 칩(100,101)의 캐소드(cathode) 전극으로 기능하고, 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155)는 각 발광 칩(100,101)의 애노드(anode) 전극으로 기능할 수 있다.
상기 제1 및 제2보호 칩(102,103)은 제1 및 제2발광 칩(100,101)을 전기적으로 보호할 수 있다. 상기 제 1및 제2보호 칩(102,103)의 표면에는 반사 재질이 배치될 수 있다. 상기 반사 재질은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 반사 재질은 제1 및 제2보호 칩(102,103)에 의한 광 흡수를 방지할 수 있다.
상기 캐비티(140)에는 몰딩 부재(150)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(150)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 몰딩 부재(150)는 상기 발광 칩(100,101) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 제1 및 제2발광 칩(100,101) 상에 서로 다른 컬러를 발광하는 형광체가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몰딩 부재(150)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 중 적어도 하나로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(150)의 표면은 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(150)의 상부에는 광학 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 발광 칩(100,101)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 또는 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8은 도 2의 발광 소자에 있어서, 제3,4리드 프레임의 다른 예를 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8의 발광 소자의 F-F측 단면도이다. 도 8,9를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 발광 소자는 제3리드 프레임(145)의 제1리세스(149)가 배치되며, 제4리드 프레임(155)에 제2리세스(159)가 배치된다.
상기 제1리세스(149)는 상기 제3리드 프레임(145)의 제5리드부(147)로부터 리세스되며, 상기 몸체(110)의 제1측면부(111) 방향으로 오프된 구조를 포함한다. 상기 제1리세스(149)에는 제3결합부(245)가 배치되며, 상기 제3결합부(245)는 상기 몸체(110)의 재질로 형성될 수 있고, 상기 제1리세스(149)에 결합될 수 있다. 이러한 제3결합부(245)는 상기 제3리드 프레임(145)이 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2리세스(159)는 상기 제4리드 프레임(155)의 제6리드부(157)로부터 리세스되며, 상기 몸체(110)의 제2측면부(112) 방향으로 오프된 구조를 포함한다. 상기 제2리세스(159)에는 제5결합부(255)가 배치되며, 상기 제5결합부(255)는 상기 몸체(110)의 재질로 형성될 수 있고, 상기 제2리세스(159)에 결합될 수 있다. 이러한 제4결합부(255)는 상기 제5리드 프레임(155)이 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
도 10은 도 4의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 10을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.
도 10 및 도 1을 참조하면, 발광 소자는, 캐비티(140)를 갖는 몸체(110), 상기 몸체(110)에 적어도 일부가 결합되며 상기 캐비티(140)에 배치된 복수의 리드 프레임(125,135,145,155), 상기 캐비티(140) 내에서 복수의 리드 프레임(125,135,145,155)에 전기적으로 연결된 복수의 발광 칩(100,101), 및 상기 캐비티(140) 내에서 상기 발광 칩(100,101)에 전기적으로 연결된 복수의 보호 칩(102,103)을 포함한다.
상기 발광 소자의 제1 및 제2간극부(116,117)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(125,135)의 상면보다 높게 돌출된 제1 및 제2반사부(116A,117A)를 포함할 수 있다. 상기 제1반사부(116A)는 상기 제1리드 프레임(125)과 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역에 돌출되어, 상기 제1발광 칩(100)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제2반사부(117A)는 상기 제2리드 프레임(135)과 상기 제3 및 제4리드 프레임(145,155) 사이의 영역에 돌출되어, 상기 제2발광 칩(101)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다.
상기 제1 및 제2반사부(116A,117A)의 두께(T2)는 상기 제1 및 제2보호 칩(102,103)의 상면 높이와 같거나 더 높게 돌출되어, 상기 제1 및 제2보호 칩(102,103)에 의한 광 흡수를 줄일 수 있다. 또한 실시 예는 상기 제 1및 제2보호 칩(102,103)의 표면에 반사 재질을 도포하여, 광의 흡수를 방지할 수 있다. 상기 반사 재질은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 반사 재질은 제1 및 제2보호 칩(102,103)에 의한 광 흡수를 방지할 수 있다.
상기 캐비티(140)의 하부 제1영역(140A)에는 제1발광 칩(100)의 둘레에 반사 구조가 제공할 수 있으며, 제2영역(140B)에는 제2발광 칩(101)의 둘레에 반사 구조가 제공될 수 있다. 이러한 반사 구조는 캐비티(140)의 둘레 측벽과 상기 제1 및 제2반사부(116A,117A)에 의해 형성될 수 있다. 상기 반사부(116A,117A)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 제1발광 칩(100) 상에는 제1형광체 필름(300) 및 상기 제2발광 칩(101) 상에 제2형광체 필름(301)이 배치될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(300)과 상기 제2형광체 필름(301)은 동일한 형광체 또는 서로 다른 형광체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 서로 다른 형광체인 경우, 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(300)은 황색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(301)은 적색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(300)은 녹색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(301)은 적색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(300)은 황색 및 녹색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(301)은 적색 및 녹색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(100,101)이 자외선 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(300)은 청색 및 적색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(301)은 녹색 형광체를 가질 수 있다. 이러한 형광체 필름(300,301) 내의 형광체 종류는 발광 칩(100,101)에 따라 달라질 수 있고, 상기 몰딩 부재(150) 내에 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 도 4의 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다. 도 11을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.
도 11 및 도 1을 참조하면, 발광 모듈은 모듈 기판(400) 상에 발광 소자(100)가 배치될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)는 상기 모듈 기판(400) 상에 하나 또는 복수개가 배열될 수 있다. 상기 모듈 기판(400)은 본딩 부재(401,402,403)로 제1 내지 제4리드 프레임(125,135,145,155)과 접착될 수 있다. 상기 본딩 부재(401,402,403)는 솔더와 같은 접착 재료를 포함할 수 있다.
상기 모듈 기판(400)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있으며, 예컨대 수지 재질의 PCB, 메탈 재질의 방열 층을 갖는 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 12는 도 1의 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, 발광 칩(100,101)은 복수의 반도체층(11,12,13)을 갖는 발광구조물(10), 상기 발광 구조물(10 아래에 제1 전극층(20), 상기 제1전극층(20) 아래에 제2 전극층(50), 상기 제1 및 제2전극층(20,50) 사이에 절연층(41), 및 패드(25)를 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(10)은 제1 반도체층(11), 활성층(12), 및 제2 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1반도체층(11)과 상기 제2 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 반도체층(11)은 제1 도전형 도펀트 예컨대, n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층(13)은 제2 도전형 도펀트 예컨대, p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 반대로, 상기 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층, InGaN 우물층/AlGaN 장벽층, InAlGaN 우물층/InAlGaN 장벽층, 또는 GaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 제2 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제2 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 반도체층(13) 아래에는 상기 제2반도체층(13)과 다른 도전형을 갖는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 반도체층(11) 및 상기 제2 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이 또는 상기 제2반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 서로 다른 반도체층이 교대로 배치된 예컨대, InGaN/GaN 초격자 구조 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2도전형 도펀트가 첨가된 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
상기 제1반도체층(11)의 상면은 러프(rough)한 요철부(11A)로 형성될 수 있으며, 이러한 요철 면(11A)는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 요철 면(11A)의 측 단면은 다각형 형상, 또는 반구형 형상을 포함할 수 있다.
상기 제1전극층(20)은 상기 발광 구조물(10)과 제2전극층(50) 사이에 배치되며, 상기 발광 구조물(10)의 제2반도체층(13)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극층(50)과 전기적으로 절연된다. 상기 제1전극층(20)은 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)를 포함하며, 상기 제1 접촉층(15)는 상기 반사층(17)과 제2반도체층(13) 사이에 배치되며, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 상기 캡핑층(19) 사이에 배치된다. 상기 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)은 서로 다른 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 접촉층(15)은 상기 제2 반도체층(13)에 접촉되며, 예컨대 상기 제2 반도체층(13)에 오믹 접촉을 형성할 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예컨대 전도성 산화막, 전도성 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), ITON(ITO Nitride), IZO(Indium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 캡핑층(19)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 반사층(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 반사층(17)은 광 반사율이 70% 이상인 금속으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층(17)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 접촉층(15)은 상기 반사층(17) 아래에 형성되고, 적어도 일부가 상기 반사층(17)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수도 있다. 다른 예로서, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)의 아래에 배치되고, 일부가 상기 제1 접촉층(15)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 칩(100,101)은 상기 반사층(17) 아래에 배치된 캡핑층(capping layer)(19)을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(19)은 상기 반사층(17)의 하면과 접촉되고, 접촉부(34)가 패드(25)와 결합되어, 상기 패드(25)로부터 공급되는 전원을 전달하는 배선층으로 기능한다. 상기 캡핑층(19)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치되며, 상기 패드(25)와 수직하게 오버랩된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 제1 접촉층(15) 및 반사층(17)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)보다 낮은 위치에 배치되며, 상기 패드(25)와 직접 접촉될 수 있다.
상기 패드(25)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 단층은 Au일 수 있고, 다층인 경우 Ti, Ag, Cu, Au 중 적어도 2개를 포함할 수 있다. 여기서, 다층인 경우 Ti/Ag/Cu/Au의 적층 구조이거나, Ti/Cu/Au 적층 구조일 수 있다. 상기 반사층(17) 및 상기 제1 접촉층(15) 중 적어도 하나가 패드(25)와 직접 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패드(25)는 제1전극층(20)의 외 측벽과 상기 발광 구조물(10) 사이의 영역(A1)에 배치될 수 있다. 상기 패드(25)의 둘레에는 상기 보호층(30) 및 투광층(45)이 접촉될 수 있다. 상기 패드(25)는 상기 제1,2전극층(20,50)과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다.
보호층(30)은 상기 발광구조물(10)의 하면에 배치되며, 상기 제2반도체층(13)의 하면 및 상기 제1 접촉층(15)과 접촉될 수 있고, 상기 반사층(17)과 접촉될 수 있다.
상기 보호층(30) 중 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되는 내측부는 상기 돌출부(16)의 영역과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 위로 연장되며 상기 접촉부(34)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 패드(25)와 접촉될 수 있으며, 예컨대 상기 패드(25)의 둘레 면에 배치될 수 있다.
상기 보호층(30)의 내측부는 상기 발광 구조물(10)과 상기 제1전극층(20) 사이에 배치되며, 외측부는 투광층(45)과 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 사이에 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 발광구조물(10)의 측벽보다 외측 영역(A1)으로 연장되어, 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호층(30)은 채널층, 또는 저 굴절 재질, 아이솔레이션층으로 정의될 수 있다. 상기 보호층(30)은 절연물질로 구현될 수 있으며, 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(30)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 보호층(30)은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 칩(100,101)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)을 전기적으로 절연시키는 절연층(41)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(41)의 상부는 상기 보호층(30)에 접촉될 수 있다. 상기 절연층(41)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(41)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 절연층(41)은 예로서 100 나노미터 내지 2000 나노미터의 두께로 형성될 수 있다. 상기 절연층(41)의 두께가 100 나노미터 미만으로 형성될 경우 절연 특성에 문제가 발생 될 수 있으며, 상기 절연층(41)의 두께가 2000 나노미터 초과로 형성될 경우에 후 공정 단계에서 깨짐이 발생 될 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)의 하면과 상기 제2전극층(50)의 상면에 접촉되며, 상기 보호층(30), 캡핑층(19), 접촉층(15), 반사층(17) 각각의 두께보다는 두껍게 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층(50)은 상기 절연층(41) 아래에 배치된 확산 방지층(52), 상기 확산 방지층(52) 아래에 배치된 본딩층(54) 및 상기 본딩층(54) 아래에 배치된 전도성 지지부재(56)를 포함할 수 있으며, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극층(50)은 상기 확산 방지층(52), 상기 본딩층(54), 상기 전도성 지지부재(56) 중에서 1 개 또는 2 개를 선택적으로 포함하고, 상기 확산 방지층(52) 또는 상기 본딩층(54) 중 적어도 하나는 형성하지 않을 수 있다.
상기 확산 방지층(52)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 절연층(41)과 본딩층(54) 사이에서 확산 장벽층으로 기능할 수도 있다. 상기 확산 방지층(52)은 본딩층(54) 및 전도성 지지부재(56)와 전기적으로 연결되고, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(54)에 포함된 물질이 상기 반사층(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사층(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(54)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)는 실시 예에 따른 상기 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(54)은 시드(seed) 층을 포함할 수도 있다.
상기 전도성 지지부재(56)는 금속 또는 캐리어 기판 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)은 발광 소자(100)를 지지하기 위한 층으로서, 그 두께는 제2전극층(50)의 두께의 80% 이상이며, 30㎛ 이상으로 형성될 수 있다.
한편, 제2접촉층(33)은 상기 제1 반도체층(11)의 내부에 배치되고 상기 제1반도체층(11)과 접촉된다. 상기 제2접촉층(33)의 상면은 상기 제1반도체층(11)의 하면보다 위에 배치될 수 있으며, 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(13)과 절연된다.
상기 제2 접촉층(33)은 상기 제2 전극층(50)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 제1전극층(20), 상기 활성층(12) 및 상기 제2반도체층(15)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 발광 구조물(10) 내에 배치된 리세스(recess)(2)에 배치되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(15)과 보호층(30)에 의해 절연된다. 상기 제2 접촉층(33)는 복수개가 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제2 접촉층(33)은 제2전극층(50)의 돌기(51)에 연결될 수 있으며, 상기 돌기(51)는 상기 확산 방지층(52)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌기(51)은 절연층(41) 및 보호층(30) 내에 배치된 홀(41A)을 통해 관통되고, 제1전극층(20)과 절연될 수 있다.
상기 제2 접촉층(33)는 예컨대 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 돌기(501)는 다른 예로서, 상기 확산 방지층(52) 및 본딩층(54)을 구성하는 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 예컨대 상기 돌기(51)은 예로서 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 패드(25)는 상기 제1 전극층(20)에 전기적으로 연결되며, 상기 발광구조물(10)의 측벽 외측의 영역(A1)에 노출될 수 있다. 상기 패드(25)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 패드(25)는 예컨대 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
투광층(45)은 상기 발광구조물(10)의 표면을 보호하고, 상기 패드25)와 상기 발광구조물(10)의 사이를 절연시킬 수 있고, 상기 보호층(30)의 주변부와 접촉될 수 있다. 상기 투광층(45)은 상기 발광 구조물(10)을 구성하는 반도체층의 물질보다 낮은 굴절률을 가지며, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 투광층(45)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 투광층(45)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 한편, 상기 투광층(45)은 설계에 따라 생략될 수도 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)에 의해 구동될 수 있다.
즉, 실시 예에 따른 발광 칩은 하나의 칩 내에 개별 구동될 수 있는 복수의 발광구조물을 포함할 수 있다. 실시 예에서는 하나의 발광 칩에 2 개의 발광구조물이 배치된 경우를 기준으로 설명하였으나, 하나의 발광 칩에 3 개 또는 4 개 이상의 발광구조물이 배치될 수 있으며, 또한 개별 구동되도록 구현될 수 있다. 이러한 구조를 갖는 발광 칩 및 이를 갖는 발광 소자는 하나의 예로서 차량의 조명장치, 예컨대 전조등 또는 후미등에 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10) 위에 형광체 필름(미도시)이 제공될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
실시 예는 발광 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자를 이용한 각종 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판과 같은 조명 장치에 적용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임;
    상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 제3리드 프레임;
    상기 캐비티에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치되며 상기 제3리드 프레임으로부터 이격된 제4리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩;
    상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩을 포함하며,
    상기 몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2측면부; 및 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4측면부를 포함하며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제1 및 제2리드부를 포함하며,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제1 및 제2측면부로 돌출된 제3 및 제4리드부를 포함하며,
    상기 제3리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 제5리드부를 포함하며,
    상기 제4리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 제6리드부를 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1 및 제2측면부의 길이가 상기 제3 및 제4측면부의 길이보다 긴 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제5리드부는 상기 제1 및 제3리드부 사이에 배치되며,
    상기 제6리드부는 상기 제2 및 제4리드부 사이에 배치된 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1발광 칩과 상기 제3리드 프레임에 연결된 제1연결 부재;
    상기 제2발광 칩과 상기 제4리드 프레임에 연결된 제2연결 부재;
    상기 제3리드 프레임 위에 배치된 제1보호 칩; 및
    상기 제1보호 칩과 상기 제1리드 프레임에 연결된 제3연결 부재를 포함하는 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제4리드 프레임 위에 배치된 제2보호 칩;
    상기 제2보호 칩과 상기 제2리드 프레임에 연결된 제4연결 부재를 포함하는 발광 소자.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 캐비티에는 상기 몸체로부터 상기 제3 및 제4리드 프레임 사이의 영역으로 돌출된 돌출부를 포함하며,
    상기 돌출부의 상부는 상기 제3 및 제4리드 프레임의 상면 위에 배치되는 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1 내지 제4리드 프레임 사이에 배치된 간극부를 포함하며,
    상기 간극부는 상기 제1리드 프레임과 제3 및 제4리드 프레임 사이의 영역에 배치된 제1간극부와, 상기 제2리드 프레임과 상기 제3 및 제4리드 프레임 사이의 영역에 배치된 제2간극부를 포함하며,
    상기 돌출부는 상기 제1 및 제2간극부 사이의 영역에 배치되는 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2간극부는 상기 제1 내지 제4리드 프레임의 상면보다 위로 돌출된 제1 및 제2반사부를 포함하는 발광 소자.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1내지 제4리드 프레임은 상기 몸체의 일부가 결합된 단차 구조를 포함하는 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1리드 프레임은 상기 몸체의 제1 및 제2측면부에 인접하게 배치되며 단차 구조를 갖는 복수의 홀을 포함하며,
    상기 제2리드 프레임은 상기 몸체의 제1 및 제2측면부에 인접하게 배치되며 단차 구조를 갖는 복수의 홀을 포함하며,
    상기 제1리드 프레임의 홀들 간의 간격은 상기 제1발광 칩의 너비보다 넓고,
    상기 제2리드 프레임의 홀들 간의 간격은 상기 제2발광 칩의 너비보다 넓은 발광 소자.
  11. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2측면부의 길이는 상기 제3 및 제4측면부의 길이보다 1.3배 이상 2배 이하의 범위를 갖는 발광 소자.
  12. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1발광 칩 상에 배치된 제1형광체 필름;
    상기 제2발광 칩 상에 배치된 제2형광체 필름; 및
    상기 캐비티 내에 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자.
  13. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1발광 칩은 상기 제1 및 제3리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
    상기 제2발광 칩은 상기 제2 및 제4리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 및 제2발광 칩은 개별 구동되는 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4리드 프레임의 하면은 동일한 수평 면 상에 배치되는 발광 소자.
  15. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4리드 프레임 각각의 하면은 상기 제1 내지 제4리드 프레임 각각의 상면의 면적보다 좁은 면적을 갖는 발광 소자.
  16. 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티에 배치된 제1 및 제2리드 프레임;
    상기 캐비티에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 일열로 배치된 제3 및 제4리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩;
    상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩;
    상기 제3리드 프레임 위에 배치된 제1보호 칩;
    상기 제4리드 프레임 위에 배치된 제2보호 칩을 포함하며,
    상기 제1 및 제2리드 프레임 각각은 상기 몸체의 측면부 중에서 상대적으로 길이가 긴 제1 및 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하며,
    상기 제3 및 제4리드 프레임 각각은 상기 몸체의 측면부 중에서 상대적으로 길이가 긴 제1 또는 제2측면부로 돌출된 리드부를 포함하며,
    상기 제3리드 프레임의 리드부는 상기 제4리드 프레임의 리드부와 반대측 방향으로 돌출되는 발광 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2측면부는 상기 몸체의 서로 반대측 측면부이며,
    상기 제3리드 프레임의 리드부는 상기 몸체의 제1측면부에서 상기 제1리드 프레임의 리드부 및 상기 제2리드 프레임의 리드부 사이에 배치되는 발광 소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제4리드 프레임의 리드부는 상기 몸체의 제2측면부에서 상기 제1리드 프레임의 리드부 및 상기 제2리드 프레임의 리드부 사이에 배치되는 발광 소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3리드 프레임은 서로 평행하게 배치되는 발광 소자.
  20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1발광 칩 상에 배치된 제1형광체 필름;
    상기 제2발광 칩 상에 배치된 제2형광체 필름; 및
    상기 캐비티 내에 몰딩 부재를 포함하며,
    상기 제1발광 칩은 상기 제1 및 제3리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
    상기 제2발광 칩은 상기 제2 및 제4리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 및 제2발광 칩은 개별 구동되며,
    상기 제1 및 제2형광체 필름은 서로 다른 형광체를 갖는 발광 소자.
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