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WO2015020358A1 - 발광소자 - Google Patents

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Publication number
WO2015020358A1
WO2015020358A1 PCT/KR2014/007086 KR2014007086W WO2015020358A1 WO 2015020358 A1 WO2015020358 A1 WO 2015020358A1 KR 2014007086 W KR2014007086 W KR 2014007086W WO 2015020358 A1 WO2015020358 A1 WO 2015020358A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
light emitting
electrode
disposed
semiconductor layer
Prior art date
Application number
PCT/KR2014/007086
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
정환희
Original Assignee
엘지이노텍주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍주식회사 filed Critical 엘지이노텍주식회사
Priority to US14/910,223 priority Critical patent/US9842974B2/en
Priority to CN201480044562.4A priority patent/CN105453280B/zh
Publication of WO2015020358A1 publication Critical patent/WO2015020358A1/ko

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    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit.
  • Light emitting diodes are widely used as one of light emitting devices. Light-emitting diodes use the properties of compound semiconductors to convert electrical signals into light, such as infrared, visible and ultraviolet light.
  • light emitting devices As the light efficiency of light emitting devices increases, light emitting devices have been applied to various fields including display devices and lighting devices.
  • the embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit capable of improving light efficiency by improving light emitting area.
  • the light emitting device may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer; A channel layer disposed around a lower portion of the light emitting structure; A first electrode disposed on the channel layer; A second electrode disposed under the light emitting structure; A connection wiring electrically connecting the first electrode and the first conductive semiconductor layer; It includes.
  • the light emitting device, the light emitting device package, and the light unit according to the embodiment have an advantage of improving light efficiency by improving the light emitting area.
  • FIG. 1 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the light emitting device illustrated in FIG. 1.
  • 3 to 6 are views illustrating a light emitting device manufacturing method according to an embodiment.
  • FIG. 7 to 10 are views showing another example of a light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a view showing a light emitting device package according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 14 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.
  • each layer (region), region, pattern, or structure is “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern.
  • “up” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do.
  • the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.
  • each layer may be exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description.
  • the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
  • FIG. 1 is a view showing a light emitting device according to the embodiment
  • Figure 2 is a view showing a plan view of the light emitting device shown in FIG.
  • the light emitting device according to the embodiment, the light emitting structure 10, the channel layer 30, the first electrode 81, the second electrode 82, the connection wiring 85 It may include.
  • the light emitting structure 10 may include a first conductive semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductive semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed under the first conductive semiconductor layer 11, and the second conductive semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n type semiconductor layer to which an n type dopant is added as a first conductivity type dopant
  • the second conductivity type semiconductor layer 13 is a second conductivity type dopant.
  • a p-type dopant may be formed as a p-type semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as a compound semiconductor.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.
  • the first conductivity-type semiconductor layer 11 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). Can be implemented.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like.
  • N-type dopants such as Se and Te may be doped.
  • the active layer 12 In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 13 meet each other.
  • the layer emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material forming the active layer 12.
  • the active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure, but is not limited thereto.
  • the active layer 12 may be implemented with a compound semiconductor.
  • the active layer 12 may be implemented as, for example, a group II-VI or group III-V compound semiconductor.
  • the active layer 12 may be, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1 , 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the active layer 12 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer. Can be implemented in cycles.
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer.
  • the second conductivity type semiconductor layer 13 may be implemented as a compound semiconductor.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 13 may be implemented by, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.
  • the second conductivity type semiconductor layer 13 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). Can be implemented.
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like, and may include Mg, Zn, Ca, P-type dopants such as Sr and Ba may be doped.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer.
  • a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed below the second conductive semiconductor layer 13.
  • the light emitting structure 10 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures.
  • the doping concentrations of the impurities in the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be formed in various ways, but is not limited thereto.
  • a first conductivity type InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the active layer 12.
  • a second conductive AlGaN layer may be formed between the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12.
  • the light emitting device may include a channel layer 30 disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • an upper surface of the channel layer 30 may be coplanar with a lower surface of the light emitting structure 10.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed in contact with the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 82.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the ohmic contact layer 15.
  • the channel layer 30 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the channel layer 30 may include at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the channel layer 30 may also be referred to as an isolation layer.
  • the channel layer 30 may perform a function of an etching stopper in an isolation process for the light emitting structure 10 later, and may prevent the electrical characteristics of the light emitting device from being degraded by the isolation process.
  • the first electrode 81 may be disposed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed in direct contact with the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be disposed to surround the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be provided to have a smaller width than the width of the channel layer 30.
  • the channel layer 30 may be arranged to have a width of 5 micrometers to 70 micrometers.
  • the first electrode 81 may be arranged to have a width of, for example, 5 micrometers to 30 micrometers.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 through the connection wiring 85.
  • the connection wiring 85 may electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the first electrode 81.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the side of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be provided in plurality. At least two connection wires 85 may be provided.
  • the connection wiring 85 may be arranged in an appropriate number so that power applied from the first electrode 81 may be distributed and provided in the first conductive semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be formed with an appropriate number selected from 1 to 64 in consideration of the operating voltage.
  • the first electrode 81 and the connection wiring 85 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the first electrode 81 may not be disposed on the light emitting structure 10.
  • a portion of the connection wiring 85 electrically connected to the first electrode 81 may be disposed on the light emitting structure 10. According to the embodiment, by minimizing the arrangement area of the metal layer disposed on the first conductive semiconductor layer 11, it is possible to improve the light emitting area provided from the light emitting structure 10 in the upper direction. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can improve the light efficiency.
  • the light emitting device may include a bonding pad 90 electrically connected to the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the connection line 85.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed on one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a corner region of one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a diagonal direction of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may include, for example, at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting device may include an insulating layer 40 disposed between the connection wiring 85 and the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the active layer 12.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the insulating layer 40 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 40 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the light emitting device may include a reflective layer 17 disposed under the light emitting structure 10.
  • the reflective layer 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • the reflective layer 17 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 13.
  • the light emitting device may include an ohmic contact layer 15 disposed between the reflective layer 17 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the ohmic contact layer 15 may be in contact with the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed to be in ohmic contact with the light emitting structure 10.
  • the ohmic contact layer 15 may include a region in ohmic contact with the light emitting structure 10.
  • the reflective layer 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13. In addition, the reflective layer 17 may perform a function of increasing the amount of light extracted to the outside by reflecting light incident from the light emitting structure 10.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film.
  • the ohmic contact layer 15 may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and inaz Aluminum Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Tin Oxide (IGTO), Antimony Tin Oxide (ATO), Gallium Zinc Oxide (GZO), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt It may be formed of at least one material selected from Ag, Ti.
  • the reflective layer 17 may be formed of a material having a high reflectance.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf.
  • the reflective layer 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-zinc- (AZO).
  • Transmissive conductive materials such as Oxide), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed in multiple layers.
  • the reflective layer 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.
  • the reflective layer 17 may be formed by alternately forming an Ag layer and a Ni layer, and may include a Ni / Ag / Ni, Ti layer, or Pt layer.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed under the reflective layer 17, and at least a part of the ohmic contact layer 15 may be in ohmic contact with the light emitting structure 10 through the reflective layer 17.
  • the light emitting device may include a metal layer 50 disposed under the reflective layer 17.
  • the metal layer 50 may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 50, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the metal layer 50 may also function as a diffusion barrier layer.
  • the bonding layer 60 and the conductive support member 70 may be disposed below the metal layer 50.
  • the metal layer 50 may function to prevent the material included in the bonding layer 60 from diffusing in the direction of the reflective layer 17 in the process in which the bonding layer 60 is provided.
  • the metal layer 50 may prevent a material such as tin (Sn) included in the bonding layer 60 from affecting the reflective layer 17.
  • the bonding layer 60 includes a barrier metal or a bonding metal, and for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta. It may include.
  • the conductive support member 70 may support the light emitting structure 10 according to the embodiment and perform a heat radiation function.
  • the bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.
  • the conductive support member 70 may be, for example, a semiconductor substrate in which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W or impurities are implanted (eg, Si, Ge, GaN, GaAs). , ZnO, SiC, SiGe, etc.).
  • the first electrode 81 may be implemented as an ohmic layer, an intermediate layer, and an upper layer.
  • the ohmic layer may include a material selected from Cr, V, W, Ti, and Zn to implement ohmic contact.
  • the intermediate layer may be implemented with a material selected from Ni, Cu, Al, and the like.
  • the top layer may comprise Au, for example.
  • the first electrode 81 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • Roughness may be formed on an upper surface of the first conductive semiconductor layer 11. Accordingly, it is possible to increase the amount of light extracted in the upper direction in the region where the roughness is formed.
  • the light emitting area may be enlarged. That is, according to the embodiment, since the light extracted to the upper surface of the light emitting structure 10 can be prevented from being absorbed by the first electrode 81, the light output can be improved.
  • the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 are formed on the substrate 5. can do.
  • the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.
  • the substrate 5 may be formed of, for example, at least one of sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, but is not limited thereto.
  • a buffer layer may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the substrate 5.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n type semiconductor layer to which an n type dopant is added as a first conductivity type dopant
  • the second conductivity type semiconductor layer 13 is a second conductivity type. It may be formed of a p-type semiconductor layer to which a p-type dopant is added as a dopant.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer.
  • the first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). Can be.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may be selected from, for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN, and the like, and doped with n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. Can be.
  • the active layer 12 In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first conductive semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive semiconductor layer 13a meet each other. It is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material forming the active layer 12a.
  • the active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure, but is not limited thereto.
  • the active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, at intervals of an InGaN well layer / GaN barrier layer. Can be formed.
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer.
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1). Can be.
  • the second conductive semiconductor layer 13 may be selected from, for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN, and the like, and dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped. Can be.
  • the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer.
  • a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed on the second conductivity-type semiconductor layer 13.
  • the light emitting structure 10 may be np, pn, npn, or pnp junctions. It may have at least one of the structures.
  • the doping concentrations of the impurities in the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be formed in various ways, but is not limited thereto.
  • a first conductivity type InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the active layer 12.
  • a second conductive AlGaN layer may be formed between the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12.
  • the channel layer 30 may be formed on the light emitting structure 10.
  • the channel layer 30 may be made of an insulating material.
  • the channel layer 30 may be formed of oxide or nitride.
  • the channel layer 30 may include at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. May be independently selected and formed.
  • an ohmic contact layer 15 and a reflective layer 17 may be formed on the light emitting structure 10.
  • the ohmic contact layer 15 may be disposed between the reflective layer 17 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the ohmic contact layer 15 may be in contact with the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed to be in ohmic contact with the light emitting structure 10.
  • the reflective layer 17 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • the ohmic contact layer 15 may include a region in ohmic contact with the light emitting structure 10.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film.
  • the ohmic contact layer 15 may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and inaz Aluminum Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Tin Oxide (IGTO), Antimony Tin Oxide (ATO), Gallium Zinc Oxide (GZO), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt It may be formed of at least one material selected from Ag, Ti.
  • the reflective layer 17 may be formed of a material having a high reflectance.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf.
  • the reflective layer 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-zinc- (AZO).
  • Transmissive conductive materials such as Oxide), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed in multiple layers.
  • the reflective layer 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.
  • the reflective layer 17 may be formed by alternately forming an Ag layer and a Ni layer, and may include a Ni / Ag / Ni, Ti layer, or Pt layer.
  • the ohmic contact layer 15 may be formed on the reflective layer 17, and at least a part of the ohmic contact layer 15 may be in ohmic contact with the light emitting structure 10 through the reflective layer 17.
  • the metal layer 50, the bonding layer 60, and the conductive support member 70 may be formed on the reflective layer 17.
  • the metal layer 50 may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 35, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the metal layer 50 may also function as a diffusion barrier layer.
  • the bonding layer 60 and the conductive support member 70 may be formed on the metal layer 50.
  • the metal layer 50 may function to prevent the material included in the bonding layer 60 from diffusing in the direction of the reflective layer 17 in the process in which the bonding layer 60 is provided.
  • the metal layer 50 may prevent a material such as tin (Sn) included in the bonding layer 60 from affecting the reflective layer 17.
  • the bonding layer 60 includes a barrier metal or a bonding metal, and for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta. It may include.
  • the conductive support member 70 may support the light emitting structure 10 according to the embodiment and perform a heat radiation function.
  • the bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.
  • the conductive support member 70 may be, for example, a semiconductor substrate in which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W or impurities are implanted (eg, Si, Ge, GaN, GaAs). , ZnO, SiC, SiGe, etc.).
  • the substrate 5 is removed from the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the substrate 5 may be removed by a laser lift off (LLO) process.
  • LLO is a process of irradiating a lower surface of the substrate 5 to peel the substrate 5 and the first conductive semiconductor layer 11 from each other.
  • the side surface of the light emitting structure 10 may be etched by performing isolation etching, and a portion of the channel layer 30 may be exposed.
  • the isolation etching may be performed by dry etching such as, for example, an inductively coupled plasma (ICP), but is not limited thereto.
  • ICP inductively coupled plasma
  • Roughness may be formed on an upper surface of the light emitting structure 10.
  • a light extraction pattern may be provided on an upper surface of the light emitting structure 10.
  • An uneven pattern may be provided on an upper surface of the light emitting structure 10.
  • the light extraction pattern provided on the light emitting structure 10 may be formed by, for example, a PEC (Photo Electro Chemical) etching process. Accordingly, according to the embodiment, it is possible to increase the external light extraction effect.
  • the insulating layer 40, the first electrode 81, the connection wiring 85, and the bonding pad 90 may be formed.
  • the insulating layer 40 may be formed around the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be formed on the side surface of the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 40 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the first electrode 81 may be formed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be formed on the side surface of the insulating layer 40.
  • the connection wiring 85 may be formed to electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11. Subsequently, the bonding pads 90 electrically connected to the connection wires 85 may be formed.
  • the first electrode 81 may be disposed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed in direct contact with the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be disposed to surround the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be provided to have a smaller width than the width of the channel layer 30.
  • the channel layer 30 may be arranged to have a width of 5 micrometers to 70 micrometers.
  • the first electrode 81 may be arranged to have a width of, for example, 5 micrometers to 30 micrometers.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 through the connection wiring 85.
  • the connection wiring 85 may electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the first electrode 81.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the side of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be provided in plurality. At least two connection wires 85 may be provided.
  • the connection wiring 85 may be arranged in an appropriate number so that power applied from the first electrode 81 may be distributed and provided in the first conductive semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be formed of any suitable number selected from 1 to 64.
  • the first electrode 81 and the connection wiring 85 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the first electrode 81 may not be disposed on the light emitting structure 10.
  • a portion of the connection wiring 85 electrically connected to the first electrode 81 may be disposed on the light emitting structure 10. According to the embodiment, by minimizing the arrangement area of the metal layer disposed on the first conductive semiconductor layer 11, it is possible to improve the light emitting area provided from the light emitting structure 10 in the upper direction. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can improve the light efficiency.
  • the light emitting device may include a bonding pad 90 electrically connected to the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed on one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a corner region of one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a diagonal direction of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may include, for example, at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 50, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the first electrode 81 may be implemented as an ohmic layer, an intermediate layer, and an upper layer.
  • the ohmic layer may include a material selected from Cr, V, W, Ti, and Zn to implement ohmic contact.
  • the intermediate layer may be implemented with a material selected from Ni, Cu, Al, and the like.
  • the top layer may comprise Au, for example.
  • the first electrode 81 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting area may be enlarged. That is, according to the embodiment, since the light extracted to the upper surface of the light emitting structure 10 can be prevented from being absorbed by the first electrode 81, the light output can be improved.
  • FIGS. 7 and 8 are views showing another example of a light emitting device according to the embodiment.
  • contents overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 6 may be briefly described or omitted.
  • the light emitting device includes a light emitting structure 10, a channel layer 30, a first electrode 81, a second electrode 82, and a connection wiring 85. It may include.
  • the light emitting device may include a channel layer 30 disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • an upper surface of the channel layer 30 may be coplanar with a lower surface of the light emitting structure 10.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed in contact with the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 82.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the ohmic contact layer 15.
  • the channel layer 30 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the channel layer 30 may include at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the channel layer 30 may also be referred to as an isolation layer.
  • the channel layer 30 may perform a function of an etching stopper in an isolation process for the light emitting structure 10 later, and may prevent the electrical characteristics of the light emitting device from being degraded by the isolation process.
  • the first electrode 81 may be disposed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed in direct contact with the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be disposed to surround the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be provided to have a smaller width than the width of the channel layer 30.
  • the channel layer 30 may be arranged to have a width of 5 micrometers to 70 micrometers.
  • the first electrode 81 may be arranged to have a width of, for example, 5 micrometers to 30 micrometers.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 through the connection wiring 85.
  • the connection wiring 85 may electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the first electrode 81.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the side of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be provided in plurality. At least two connection wires 85 may be provided.
  • the connection wiring 85 may be arranged in an appropriate number so that power applied from the first electrode 81 may be distributed and provided in the first conductive semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be formed of any suitable number selected from 1 to 64.
  • the first electrode 81 and the connection wiring 85 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting device may include a central connection wiring 87.
  • the central connection line 87 may be disposed on an upper surface of the light emitting structure 10.
  • the center connection line 87 may be electrically connected to the first electrode 81 so that power can be effectively spread to the first conductive semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may not be disposed on the light emitting structure 10.
  • a portion of the connection wiring 85 electrically connected to the first electrode 81 may be disposed on the light emitting structure 10. According to the embodiment, by minimizing the arrangement area of the metal layer disposed on the first conductive semiconductor layer 11, it is possible to improve the light emitting area provided from the light emitting structure 10 in the upper direction. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can improve the light efficiency.
  • the light emitting device may include a bonding pad 90 electrically connected to the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the channel layer 30.
  • the bonding pad 90 may be disposed around the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed around a lower portion of the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed on a side surface of the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may include, for example, at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting device may include an insulating layer 40 disposed between the connection wiring 85 and the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the active layer 12.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the insulating layer 40 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 40 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 50, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the first electrode 81 may be implemented as an ohmic layer, an intermediate layer, and an upper layer.
  • the ohmic layer may include a material selected from Cr, V, W, Ti, and Zn to implement ohmic contact.
  • the intermediate layer may be implemented with a material selected from Ni, Cu, Al, and the like.
  • the top layer may comprise Au, for example.
  • the first electrode 81 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting area may be enlarged. That is, according to the embodiment, since light extracted to the upper surface of the light emitting structure 10 may be prevented from being absorbed by the first electrode 81 and the bonding pad 90, the light output may be improved.
  • FIG. 9 is a view showing another example of a light emitting device according to the embodiment.
  • the descriptions overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 6 may be briefly described or omitted.
  • the light emitting device may include a light emitting structure 10, a channel layer 30, a first electrode 81, a second electrode 82, and a connection wiring 85.
  • a light emitting structure 10 may include a light emitting structure 10, a channel layer 30, a first electrode 81, a second electrode 82, and a connection wiring 85.
  • the light emitting device may include a channel layer 30 disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • an upper surface of the channel layer 30 may be coplanar with a lower surface of the light emitting structure 10.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed in contact with the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 82.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the ohmic contact layer 15.
  • the channel layer 30 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the channel layer 30 may include at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the channel layer 30 may also be referred to as an isolation layer.
  • the channel layer 30 may perform a function of an etching stopper in an isolation process for the light emitting structure 10 later, and may prevent the electrical characteristics of the light emitting device from being degraded by the isolation process.
  • the first electrode 81 may be disposed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed in direct contact with the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be disposed to surround the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be provided to have a smaller width than the width of the channel layer 30.
  • the channel layer 30 may be arranged to have a width of 5 micrometers to 70 micrometers.
  • the first electrode 81 may be arranged to have a width of, for example, 5 micrometers to 30 micrometers.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 through the connection wiring 85.
  • the connection wiring 85 may electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the first electrode 81.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the side of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be disposed in contact with the side surface of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be in contact with a side surface of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be provided in plurality. At least two connection wires 85 may be provided. The connection wiring 85 may be arranged in an appropriate number so that power applied from the first electrode 81 may be distributed and provided in the first conductive semiconductor layer 11. By way of example, the connection wiring 85 may be formed of any suitable number selected from 1 to 64.
  • the first electrode 81 and the connection wiring 85 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the first electrode 81 may not be disposed on the light emitting structure 10.
  • a portion of the connection wiring 85 electrically connected to the first electrode 81 may be disposed on the light emitting structure 10. According to the embodiment, by minimizing the arrangement area of the metal layer disposed on the first conductive semiconductor layer 11, it is possible to improve the light emitting area provided from the light emitting structure 10 in the upper direction. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can improve the light efficiency.
  • the light emitting device may include a bonding pad 90 electrically connected to the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed on one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a corner region of one side of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may be disposed in a diagonal direction of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the bonding pad 90 may include, for example, at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting device may include an insulating layer 40 disposed between the connection wiring 85 and the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the active layer 12.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the insulating layer 40 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 40 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 50, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the first electrode 81 may be implemented as an ohmic layer, an intermediate layer, and an upper layer.
  • the ohmic layer may include a material selected from Cr, V, W, Ti, and Zn to implement ohmic contact.
  • the intermediate layer may be implemented with a material selected from Ni, Cu, Al, and the like.
  • the top layer may comprise Au, for example.
  • the first electrode 81 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting area may be enlarged. That is, according to the embodiment, since the light extracted to the upper surface of the light emitting structure 10 can be prevented from being absorbed by the first electrode 81, the light output can be improved.
  • FIG. 10 is a view showing another example of a light emitting device according to the embodiment.
  • the descriptions overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 6 may be briefly described or omitted.
  • the light emitting device may include a light emitting structure 10, a channel layer 30, a first electrode 81, a second electrode 82, and a connection wiring 85.
  • a light emitting structure 10 may include a light emitting structure 10, a channel layer 30, a first electrode 81, a second electrode 82, and a connection wiring 85.
  • the light emitting device may include a channel layer 30 disposed around the lower portion of the light emitting structure 10.
  • the upper surface of the channel layer 30 may be disposed higher than the upper surface of the active layer 12.
  • the channel layer 30 may be disposed to surround the circumference of the active layer 12.
  • the channel layer 30 may be disposed to surround the circumference of the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed under the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed in contact with the lower surface of the second conductivity type semiconductor layer 13.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 82.
  • One end of the channel layer 30 may be disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the ohmic contact layer 15.
  • the channel layer 30 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the channel layer 30 may include at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the channel layer 30 may also be referred to as an isolation layer.
  • the channel layer 30 may perform a function of an etching stopper in an isolation process for the light emitting structure 10 later, and may prevent the electrical characteristics of the light emitting device from being degraded by the isolation process.
  • the first electrode 81 may be disposed on the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed in direct contact with the channel layer 30.
  • the first electrode 81 may be disposed around the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be disposed to surround the light emitting structure 10.
  • the first electrode 81 may be provided to have a smaller width than the width of the channel layer 30.
  • the channel layer 30 may be arranged to have a width of 5 micrometers to 70 micrometers.
  • the first electrode 81 may be arranged to have a width of, for example, 5 micrometers to 30 micrometers.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the first electrode 81 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 through the connection wiring 85.
  • the connection wiring 85 may electrically connect the first electrode 81 and the first conductive semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the first electrode 81.
  • the connection wiring 85 may be disposed on the side of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be disposed in contact with the side surface of the light emitting structure 10.
  • the connection wiring 85 may be in contact with a side surface of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • the connection wiring 85 may contact only the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 11 and may not be disposed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 11.
  • connection wiring 85 may be provided in plurality. At least two connection wires 85 may be provided. The connection wiring 85 may be arranged in an appropriate number so that power applied from the first electrode 81 may be distributed and provided in the first conductive semiconductor layer 11. By way of example, the connection wiring 85 may be formed of any suitable number selected from 1 to 64.
  • the first electrode 81 and the connection wiring 85 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the first electrode 81 may not be disposed on the light emitting structure 10.
  • a portion of the connection wiring 85 electrically connected to the first electrode 81 may be disposed on the light emitting structure 10. According to the embodiment, by minimizing the arrangement area of the metal layer disposed on the first conductive semiconductor layer 11, it is possible to improve the light emitting area provided from the light emitting structure 10 in the upper direction. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment can improve the light efficiency.
  • the light emitting device may include a bonding pad 90 electrically connected to the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the first electrode 81.
  • the bonding pad 90 may be disposed on the channel layer 30.
  • the bonding pad 90 may be disposed around the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may be disposed on a side surface of the light emitting structure 10.
  • the bonding pad 90 may include, for example, at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting device may include an insulating layer 40 disposed between the connection wiring 85 and the light emitting structure 10.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the active layer 12.
  • the insulating layer 40 may be disposed between the connection wiring 85 and the second conductive semiconductor layer 13.
  • the insulating layer 40 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 40 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the second electrode 82 may include at least one of the reflective layer 17, the ohmic contact layer 15, and the metal layer 50.
  • the second electrode 82 may include all of the reflective layer 17, the metal layer 50, and the ohmic contact layer 15, and may include one selected layer or two selected layers. have.
  • the first electrode 81 may be implemented as an ohmic layer, an intermediate layer, and an upper layer.
  • the ohmic layer may include a material selected from Cr, V, W, Ti, and Zn to implement ohmic contact.
  • the intermediate layer may be implemented with a material selected from Ni, Cu, Al, and the like.
  • the top layer may comprise Au, for example.
  • the first electrode 81 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the light emitting area may be enlarged. That is, according to the embodiment, since light extracted to the upper surface of the light emitting structure 10 may be prevented from being absorbed by the first electrode 81 and the bonding pad 90, the light output may be improved.
  • FIG. 11 is a view showing a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied.
  • the light emitting device package includes a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, and the body 120.
  • the light emitting device 100 according to the embodiment which is provided to and electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132, and the molding member 140 surrounding the light emitting device 100. It may include.
  • the body 120 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.
  • the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 100.
  • the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase light efficiency by reflecting light generated from the light emitting device 100, and heat generated from the light emitting device 100. It may also play a role in discharging it to the outside.
  • the light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.
  • the light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method.
  • the molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100.
  • the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.
  • a plurality of light emitting devices or light emitting device packages may be arranged on a substrate, and an optical member such as a lens, a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet may be disposed on an optical path of the light emitting device package.
  • the light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a light unit.
  • the light unit may be implemented in a top view or a side view type, and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to an illumination device and a pointing device.
  • Yet another embodiment may be implemented as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments.
  • the lighting device may include a lamp, a street lamp, a signboard, a headlamp.
  • the light emitting device may be applied to the light unit.
  • the light unit may include a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and may include the display device illustrated in FIGS. 12 and 13 and the illumination device illustrated in FIG. 14.
  • the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051.
  • the bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.
  • the light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source.
  • the light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.
  • PMMA polymethyl metaacrylate
  • PET polyethylene terephthlate
  • PC polycarbonate
  • COC cycloolefin copolymer
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.
  • At least one light emitting module 1031 may be provided, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041.
  • the light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to the embodiment described above.
  • the light emitting device package 200 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals.
  • the substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern.
  • the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto.
  • MCPCB Metal Core PCB
  • FPCB Flexible PCB
  • the substrate 1033 may be removed.
  • a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.
  • the plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto.
  • the light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to a light incident portion that is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.
  • the reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041.
  • the reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward.
  • the reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.
  • the reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating part 1012 having a box shape having an upper surface opened thereto, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.
  • the bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.
  • the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.
  • the display panel 1061 is, for example, an LCD panel and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates.
  • a polarizer may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the polarizer is not limited thereto.
  • the display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051.
  • the display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.
  • the optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet.
  • the optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet.
  • the diffusion sheet diffuses the incident light
  • the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area
  • the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.
  • a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.
  • the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the light emitting device 100 disclosed above is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.
  • the substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060.
  • the bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.
  • the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet.
  • the light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed.
  • the diffusion sheet diffuses the incident light
  • the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area
  • the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.
  • the optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, condensing, etc. of the light emitted from the light emitting module 1060.
  • FIG. 14 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.
  • the lighting apparatus may include a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can be.
  • the lighting apparatus according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500.
  • the light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.
  • the cover 2100 may have a shape of a bulb or hemisphere, may be hollow, and may be provided in an open shape.
  • the cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200.
  • the cover 2100 may diffuse, scatter or excite the light provided from the light source module 2200.
  • the cover 2100 may be a kind of optical member.
  • the cover 2100 may be coupled to the heat sink 2400.
  • the cover 2100 may have a coupling part coupled to the heat sink 2400.
  • An inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky paint.
  • the milky paint may include a diffuser to diffuse light.
  • the surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for the light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.
  • the cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like.
  • polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength.
  • the cover 2100 may be transparent and opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside.
  • the cover 2100 may be formed through blow molding.
  • the light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400.
  • the light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.
  • the member 2300 is disposed on an upper surface of the heat dissipator 2400, and has a plurality of light source parts 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted.
  • the guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the light source unit 2210.
  • the surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material.
  • the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint.
  • the member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting apparatus according to the embodiment.
  • the member 2300 may be made of an insulating material, for example.
  • the connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230.
  • the member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400.
  • the radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.
  • the holder 2500 may block the accommodating groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed.
  • the holder 2500 has a guide protrusion 2510.
  • the guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.
  • the power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200.
  • the power supply unit 2600 is accommodated in the accommodating groove 2725 of the inner case 2700, and is sealed in the inner case 2700 by the holder 2500.
  • the power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and an extension unit 2670.
  • the guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650.
  • the guide part 2630 may be inserted into the holder 2500.
  • a plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650.
  • the plurality of components may include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) protection element and the like, but may not be limited thereto.
  • the extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650.
  • the extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside.
  • the extension part 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700.
  • Each end of the "+ wire” and the “-wire” may be electrically connected to the extension 2670, and the other end of the "+ wire” and the “-wire” may be electrically connected to the socket 2800. .
  • the inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein.
  • the molding part is a part where the molding liquid is hardened, so that the power supply part 2600 can be fixed inside the inner case 2700.
  • the embodiment can provide a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit which can improve light emitting area to improve light efficiency.

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 채널층; 상기 채널층 위에 배치된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결시키는 연결배선; 을 포함한다.

Description

발광소자
실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.
발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.
실시 예는 발광 면적을 향상시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 채널층; 상기 채널층 위에 배치된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결시키는 연결배선; 을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 발광 면적을 향상시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자의 평면도를 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 6은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 7 내지 도 10은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자의 평면도를 나타낸 도면이다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 채널층(30), 제1 전극(81), 제2 전극(82), 연결배선(85)을 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레에 배치된 채널층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(30)의 상부 면은 상기 발광구조물(10)의 하부면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 제2 전극(82) 사이에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 오믹접촉층(15) 사이에 배치될 수 있다.
상기 채널층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 채널층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 채널층(30)은 아이솔레이션층으로 지칭될 수도 있다. 상기 채널층(30)은 추후 상기 발광구조물(10)에 대한 아이솔레이션 공정 시 에칭 스토퍼의 기능을 수행할 수 있으며, 또한 아이솔레이션 공정에 의하여 발광소자의 전기적인 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10) 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30)의 폭에 비하여 더 작은 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 예로서 상기 채널층(30)은 5 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 예컨대 5 마이크로 미터 내지 30 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 연결배선(85)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 복수로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 적어도 2 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)으로부터 인가되는 전원이 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 분산되어 제공될 수 있도록 적절한 숫자로 배치될 수 있다. 예로서 상기 연결배선(85)은 동작전압을 고려하여 1 개에서 64 개 사이에서 선택된 적절한 숫자로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 연결배선(85)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 전극(81)이 상기 발광구조물(10) 위에 배치되지 않을 수 있다. 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 상기 연결배선(85)의 일부 영역이 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부에 배치되는 금속층의 배치 면적을 최소화시킴으로써 상기 발광구조물(10)로부터 상부 방향으로 제공되는 발광면적을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 광효율이 향상될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 본딩 패드(90)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 연결배선(85) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 대각선 방향에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 연결배선(85)과 상기 발광구조물(10) 사이에 배치된 절연층(40)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 아래에 배치된 반사층(17)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다.
실시 예에 의한 발광소자는, 상기 반사층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치된 오믹접촉층(15)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 상기 반사층(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 반사층(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 반사층(17)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 오믹접촉층(15)은 상기 반사층(17) 아래에 형성되고, 적어도 일부가 상기 반사층(17)을 통과하여 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉될 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 반사층(17) 아래에 배치된 금속층(50)을 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(50), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
상기 금속층(50)은 확산장벽층의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 금속층(50) 아래에 본딩층(60), 전도성 지지부재(70)가 배치될 수 있다.
상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사층(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사층(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.
상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82) 및 상기 제1 전극(81)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(81)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 러프니스가 형성된 영역에서 상부 방향으로 추출되는 빛의 광량을 증가시킬 수 있게 된다.
또한, 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부 영역에 상기 제1 전극(81)이 배치되지 않으므로 발광면적이 확대될 수 있다. 즉 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부면으로 추출되는 빛이 상기 제1 전극(81)에서 흡수되는 것을 방지될 수 있으므로 광 출력이 향상될 수 있게 된다.
그러면, 도 3 내지 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다.
실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(5) 위에 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.
상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다.
*예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13a)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12a)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
다음으로, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 채널층(30)이 형성될 수 있다. 상기 채널층(30)은 절연물질로 구현될 수 있다. 예컨대 상기 채널층(30)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 채널층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 독립적으로 선택되어 형성될 수 있다.
이어서 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10)에 오믹접촉층(15), 반사층(17)이 형성될 수 있다.
상기 반사층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 상기 오믹접촉층(15)이 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉되는 영역을 포함할 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 반사층(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 반사층(17)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 오믹접촉층(15)은 상기 반사층(17) 위에 형성되고, 적어도 일부가 상기 반사층(17)을 통과하여 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉될 수도 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반사층(17) 위에 금속층(50), 본딩층(60), 전도성 지지부재(70)가 형성될 수 있다.
상기 금속층(50)은 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시 예에 의하면, 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(35), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
상기 금속층(50)은 확산장벽층의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 금속층(50) 위에 상기 본딩층(60), 상기 전도성 지지부재(70)가 형성될 수 있다.
상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사층(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사층(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.
상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(11)으로부터 상기 기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(5)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 서로 박리시키는 공정이다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 아이솔레이션 에칭을 수행하여 상기 발광구조물(10)의 측면을 식각하고 상기 채널층(30)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광구조물(10)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부 면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부 면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)에 제공되는 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 절연층(40), 제1 전극(81), 연결배선(85), 본딩 패드(90)가 형성될 수 있다.
상기 절연층(40)은 상기 발광구조물(10) 둘레에 형성될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 발광구조물(10) 측면에 형성될 수 있다. 상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 채널층(30) 위에 상기 제1 전극(81)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 절연층(40)의 측면에 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시키는 상기 연결배선(85)이 형성될 수 있다. 이어서 상기 연결배선(85)과 전기적으로 연결된 상기 본딩 패드(90)가 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10) 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30)의 폭에 비하여 더 작은 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 예로서 상기 채널층(30)은 5 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 예컨대 5 마이크로 미터 내지 30 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 연결배선(85)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 복수로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 적어도 2 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)으로부터 인가되는 전원이 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 분산되어 제공될 수 있도록 적절한 숫자로 배치될 수 있다. 예로서 상기 연결배선(85)은 1 개에서 64 개 사이에서 선택된 적절한 숫자로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 연결배선(85)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 전극(81)이 상기 발광구조물(10) 위에 배치되지 않을 수 있다. 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 상기 연결배선(85)의 일부 영역이 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부에 배치되는 금속층의 배치 면적을 최소화시킴으로써 상기 발광구조물(10)로부터 상부 방향으로 제공되는 발광면적을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 광효율이 향상될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 본딩 패드(90)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 대각선 방향에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(50), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82) 및 상기 제1 전극(81)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(81)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부 영역에 상기 제1 전극(81)이 배치되지 않으므로 발광면적이 확대될 수 있다. 즉 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부면으로 추출되는 빛이 상기 제1 전극(81)에서 흡수되는 것을 방지될 수 있으므로 광 출력이 향상될 수 있게 된다.
이상에서 설명된 제조공정은 하나의 예로서 설명된 것이며, 설계에 따라 또한 목적에 따라 상기 제조공정은 다양하게 변형될 수 있다.
도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 간략하게 기재하거나 설명을 생략할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 채널층(30), 제1 전극(81), 제2 전극(82), 연결배선(85)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레에 배치된 채널층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(30)의 상부 면은 상기 발광구조물(10)의 하부면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 제2 전극(82) 사이에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 오믹접촉층(15) 사이에 배치될 수 있다.
상기 채널층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 채널층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 채널층(30)은 아이솔레이션층으로 지칭될 수도 있다. 상기 채널층(30)은 추후 상기 발광구조물(10)에 대한 아이솔레이션 공정 시 에칭 스토퍼의 기능을 수행할 수 있으며, 또한 아이솔레이션 공정에 의하여 발광소자의 전기적인 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10) 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30)의 폭에 비하여 더 작은 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 예로서 상기 채널층(30)은 5 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 예컨대 5 마이크로 미터 내지 30 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
*상기 제1 전극(81)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 연결배선(85)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 복수로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 적어도 2 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)으로부터 인가되는 전원이 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 분산되어 제공될 수 있도록 적절한 숫자로 배치될 수 있다. 예로서 상기 연결배선(85)은 1 개에서 64 개 사이에서 선택된 적절한 숫자로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 연결배선(85)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자는 중앙 연결배선(87)을 포함할 수 있다. 상기 중앙 연결배선(87)은 상기 발광구조물(10) 상부 면에 배치될 수 있다. 상기 중앙 연결배선(87)은 상기 제1 전극(81)과 전기적으로 연결되어 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전원이 효과적으로 스프레딩(spreading)될 수 있도록 할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 전극(81)이 상기 발광구조물(10) 위에 배치되지 않을 수 있다. 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 상기 연결배선(85)의 일부 영역이 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부에 배치되는 금속층의 배치 면적을 최소화시킴으로써 상기 발광구조물(10)로부터 상부 방향으로 제공되는 발광면적을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 광효율이 향상될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 본딩 패드(90)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 측면에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 연결배선(85)과 상기 발광구조물(10) 사이에 배치된 절연층(40)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(50), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82) 및 상기 제1 전극(81)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(81)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부 영역에 상기 제1 전극(81)과 상기 본딩 패드(90)가 배치되지 않으므로 발광면적이 확대될 수 있다. 즉 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부면으로 추출되는 빛이 상기 제1 전극(81) 및 상기 본딩 패드(90)에서 흡수되는 것을 방지될 수 있으므로 광 출력이 향상될 수 있게 된다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 간략하게 기재하거나 설명을 생략할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 9에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 채널층(30), 제1 전극(81), 제2 전극(82), 연결배선(85)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레에 배치된 채널층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(30)의 상부 면은 상기 발광구조물(10)의 하부면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 제2 전극(82) 사이에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 오믹접촉층(15) 사이에 배치될 수 있다.
상기 채널층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 채널층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 채널층(30)은 아이솔레이션층으로 지칭될 수도 있다. 상기 채널층(30)은 추후 상기 발광구조물(10)에 대한 아이솔레이션 공정 시 에칭 스토퍼의 기능을 수행할 수 있으며, 또한 아이솔레이션 공정에 의하여 발광소자의 전기적인 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10) 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30)의 폭에 비하여 더 작은 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 예로서 상기 채널층(30)은 5 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 예컨대 5 마이크로 미터 내지 30 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 연결배선(85)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10) 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 연결배선(85)은 복수로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 적어도 2 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)으로부터 인가되는 전원이 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 분산되어 제공될 수 있도록 적절한 숫자로 배치될 수 있다. 예로서 상기 연결배선(85)은 1 개에서 64 개 사이에서 선택된 적절한 숫자로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 연결배선(85)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 전극(81)이 상기 발광구조물(10) 위에 배치되지 않을 수 있다. 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 상기 연결배선(85)의 일부 영역이 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부에 배치되는 금속층의 배치 면적을 최소화시킴으로써 상기 발광구조물(10)로부터 상부 방향으로 제공되는 발광면적을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 광효율이 향상될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 본딩 패드(90)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 한 변의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 대각선 방향에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 연결배선(85)과 상기 발광구조물(10) 사이에 배치된 절연층(40)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(50), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82) 및 상기 제1 전극(81)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(81)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부 영역에 상기 제1 전극(81)이 배치되지 않으므로 발광면적이 확대될 수 있다. 즉 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부면으로 추출되는 빛이 상기 제1 전극(81)에서 흡수되는 것을 방지될 수 있으므로 광 출력이 향상될 수 있게 된다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 내용에 대해서는 간략하게 기재하거나 설명을 생략할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 10에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 채널층(30), 제1 전극(81), 제2 전극(82), 연결배선(85)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레에 배치된 채널층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 채널층(30)의 상부 면은 상기 활성층(12)의 상부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)은 상기 활성층(12)의 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 제2 전극(82) 사이에 배치될 수 있다. 상기 채널층(30)의 일단은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 오믹접촉층(15) 사이에 배치될 수 있다.
상기 채널층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 채널층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 채널층(30)은 아이솔레이션층으로 지칭될 수도 있다. 상기 채널층(30)은 추후 상기 발광구조물(10)에 대한 아이솔레이션 공정 시 에칭 스토퍼의 기능을 수행할 수 있으며, 또한 아이솔레이션 공정에 의하여 발광소자의 전기적인 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30) 위에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 발광구조물(10)을 둘러 쌓도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 채널층(30)의 폭에 비하여 더 작은 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 예로서 상기 채널층(30)은 5 마이크로 미터 내지 70 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 예컨대 5 마이크로 미터 내지 30 마이크로 미터의 폭을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(81)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 상기 연결배선(85)을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 발광구조물(10) 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 연결배선(85)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면에만 접촉되고 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 면에 배치되지 않을 수도 있다.
상기 연결배선(85)은 복수로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 적어도 2 개 이상으로 제공될 수 있다. 상기 연결배선(85)은 상기 제1 전극(81)으로부터 인가되는 전원이 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 분산되어 제공될 수 있도록 적절한 숫자로 배치될 수 있다. 예로서 상기 연결배선(85)은 1 개에서 64 개 사이에서 선택된 적절한 숫자로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(81)과 상기 연결배선(85)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 제1 전극(81)이 상기 발광구조물(10) 위에 배치되지 않을 수 있다. 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 상기 연결배선(85)의 일부 영역이 상기 발광구조물(10) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부에 배치되는 금속층의 배치 면적을 최소화시킴으로써 상기 발광구조물(10)로부터 상부 방향으로 제공되는 발광면적을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라 실시 예에 따른 발광소자는 광효율이 향상될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극(81)에 전기적으로 연결된 본딩 패드(90)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 제1 전극(81) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 채널층(30) 위에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 상기 발광구조물(10) 측면에 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드(90)는 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 연결배선(85)과 상기 발광구조물(10) 사이에 배치된 절연층(40)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 연결배선(85)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 오믹접촉층(15), 상기 금속층(50) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(82)은 상기 반사층(17), 상기 금속층(50), 상기 오믹접촉층(15)을 모두 포함할 수도 있고, 선택된 1 개의 층 또는 선택된 2 개의 층을 포함할 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 전극(82) 및 상기 제1 전극(81)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(81)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(81)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부 영역에 상기 제1 전극(81)과 상기 본딩 패드(90)가 배치되지 않으므로 발광면적이 확대될 수 있다. 즉 실시 예에 의하면 상기 발광구조물(10)의 상부면으로 추출되는 빛이 상기 제1 전극(81) 및 상기 본딩 패드(90)에서 흡수되는 것을 방지될 수 있으므로 광 출력이 향상될 수 있게 된다.
도 11은 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 12 및 도 13에 도시된 표시 장치, 도 14에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다.
도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 13은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 14는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다.
예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예는 발광 면적을 향상시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 채널층;
    상기 채널층 위에 배치된 제1 전극;
    상기 발광구조물 아래에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결시키는 연결배선;
    을 포함하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연결배선은 상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연결배선은 상기 제1 도전형 반도체층의 측면에 접촉된 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극에 전기적으로 연결된 본딩 패드를 포함하는 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 본딩 패드는 상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 발광소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 본딩 패드는 상기 채널층 위에 배치된 발광소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 본딩 패드는 상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 연결배선은 적어도 2 개 이상으로 제공된 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 연결배선과 상기 활성층 사이에 배치된 절연층을 포함하는 발광소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 오믹접촉층, 반사층, 금속층 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 채널층의 상부 면은 상기 활성층의 상부 면에 비하여 더 높게 배치된 발광소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 연결배선은 Cr, V,W, Ti, Zn, Ni, Pt, Cu, Al, Au, Mo 중 적어도 하나인 발광소자.
  14. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 채널층;
    상기 채널층 위에 배치된 제1 전극;
    상기 발광구조물 아래에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결시키는 연결배서;을 포함하고,
    상기 제1전극의 폭은 상기 채널층의 폭보다 좁은 발광소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1전극의 폭은 5um 내지 30um인 발광소자.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 채널층의 폭은 5um 내지 70um인 발광소자.
  17. 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물 하부 둘레에 배치된 채널층;
    상기 채널층 위에 배치된 절연층;
    상기 채널층 위에 배치된 제1 전극;
    상기 발광구조물 아래에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결시키는 연결배선;
    상기 제1 전극에 전기적으로 연결된 본딩 패드를 포함하고,
    상기 본딩 패드는 상기 제1 전극 상부에 배치된 발광소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 발광구조물 상부 면에 배치되는 중앙 연결배선을 더 포함하는 발광소자.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 중앙 연결배선은 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 발광소자.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 연결배선은 상기 제1 전극 상에 배치되고, 상기 본딩 패드와 상기 절연층 사이에 배치된 발광소자.
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