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WO2016148539A1 - 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈 - Google Patents

발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈 Download PDF

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Publication number
WO2016148539A1
WO2016148539A1 PCT/KR2016/002766 KR2016002766W WO2016148539A1 WO 2016148539 A1 WO2016148539 A1 WO 2016148539A1 KR 2016002766 W KR2016002766 W KR 2016002766W WO 2016148539 A1 WO2016148539 A1 WO 2016148539A1
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WO
WIPO (PCT)
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light emitting
layer
disposed
emitting chip
opening
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/002766
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김기현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to EP16765295.7A priority Critical patent/EP3273492B1/en
Priority to CN201680016471.9A priority patent/CN107431116B/zh
Priority to US15/555,925 priority patent/US20180040789A1/en
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Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting device and a camera module having the same.
  • a light emitting device for example, a light emitting diode (Light Emitting Diode) is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing the existing fluorescent lamps, incandescent lamps.
  • a light emitting diode Light Emitting Diode
  • light emitting diodes Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharge with phosphors. .
  • LEDs white light emitting diodes
  • a light emitting diode is used as a light source of a camera flash using a reflector and an outer cover made of a reflecting surface having a high reflectivity designed so that the emission angle of the light emitting diode is matched to the camera angle of view, and fixing the flash lens and the flash lens.
  • a light emitting diode package and the like is used as a light source of a camera flash using a reflector and an outer cover made of a reflecting surface having a high reflectivity designed so that the emission angle of the light emitting diode is matched to the camera angle of view, and fixing the flash lens and the flash lens.
  • the embodiment provides a light emitting device having a reflective frame that opens a light emitting chip on a body.
  • the embodiment provides a light emitting device in which an inclination of an edge region among side surfaces of an opening of a reflection frame for opening a light emitting chip on a body is larger than inclination in different axial directions.
  • the embodiment provides a camera module having improved illuminance in a diagonal direction by light emitted through an opening of a reflective frame of a light emitting device.
  • the light emitting device the body; A plurality of lead frames coupled on the body; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames and electrically connected to the plurality of lead frames; And a reflective frame disposed on the body having an opening that opens an upper portion of the light emitting chip, wherein the light emitting chip has a first side, a second side adjacent to the first side, and between the first and second sides.
  • the camera module according to the embodiment includes an optical lens disposed on the opening of the reflective frame of the light emitting device.
  • the embodiment can improve the amount of illuminance of the edge portion of the target screen by the light emitted from the light emitting device.
  • the embodiment can reduce the difference in the center roughness of the screen and the longitudinal length of the outer area by the light emitting device.
  • the embodiment can improve the optical reliability of the light emitting device and the camera module having the same.
  • FIG. 1 is a perspective view of a camera module according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting device of the camera module of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a perspective view of the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view along the A-A side of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the B-B side of the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 6 is a view illustrating in detail an opening of a reflective frame of the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 7 and 8 are plan views illustrating the opening of FIG. 6 in detail.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a screen of a camera module according to an embodiment.
  • FIG. 10 is another example of a light emitting device of the camera module of FIG. 1.
  • FIG. 11 is a view illustrating another example of a light emitting device of the camera module of FIG. 1.
  • FIG. 12 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 11.
  • FIG. 13 is a view showing a first example of a light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 14 is a view showing a first example of a light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
  • 15 is a view showing a third example of the light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 16 to 22 (A) and (B) are diagrams showing illuminance distribution and center brightness by samples of the light emitting device according to the embodiment.
  • each layer, region, pattern, or structure is “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern.
  • “on” and “under” are both formed “directly” or “indirectly” through another layer.
  • the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer or each structure will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a perspective view of a camera module according to an embodiment
  • FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting device of the camera module of FIG. 1
  • FIG. 3 is a perspective view of the light emitting device of FIG. 2
  • FIG. 4 is a view of the light emitting device of FIG. 2.
  • AA is a cross-sectional view
  • FIG. 5 is a BB-side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 2
  • FIG. 6 is a view showing in detail an opening of a reflection frame of the light emitting device of FIG. 2
  • FIGS. 7 and 8 are views of the opening of FIG. 6.
  • the camera module includes a light emitting device 400 and a camera unit 405 disposed on a circuit board 401, and the light emitting device 400 is disposed on the circuit board 401. It is disposed adjacent to the camera unit 405.
  • the circuit board 401 may include a PCB made of a resin material, a metal core PCB (MCPCB), or a flexible PCB (FPCB), but is not limited thereto.
  • PCB made of a resin material
  • MCPCB metal core PCB
  • FPCB flexible PCB
  • the light emitting device 400 may be disposed on a circuit pattern of the circuit board 401 and electrically connected to the circuit board 401.
  • An optical lens (not shown) may be coupled to the light emitting device 400, but is not limited thereto.
  • the optical lens may be coupled within an opening (445 of FIG. 2) area of the light emitting device 400 or disposed on the opening (445 of FIG. 2).
  • the light emitting device 400 may be mounted as a chip on the circuit board 401 or as a package in which a chip is packaged.
  • the light emitting device of the embodiment will be described as an example of the light emitting device to be described later.
  • the light emitting device 400 may include a body 410, a plurality of lead frames 421 and 431 coupled to at least a portion of the body 410, and at least one of the plurality of lead frames 421 and 431.
  • the light emitting chip 450 is disposed, and the reflective frame 440 is disposed on the body 410.
  • At least two lead frames 421 and 431 may be coupled to the body 410, and a light emitting chip 450 may be disposed on the at least two lead frames 421 and 431.
  • the body 410 may be formed of a material having a reflectance higher than that of the light, for example, 70% or more, with respect to a wavelength emitted by the light emitting chip 450.
  • the body 410 may be defined as a non-transmissive material when the reflectance is 70% or more.
  • the body 410 may be formed of a resin-based insulating material, for example, a resin material such as polyphthalamide (PPA).
  • PPA polyphthalamide
  • the body 410 may be formed of a silicone-based, epoxy-based, or a thermosetting resin including a plastic material, or a high heat resistant and high light resistant material.
  • the silicon-based body 410 includes a white resin.
  • the body 410 may be selectively added among an acid anhydride, an antioxidant, a release material, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide. It contains.
  • the body 410 may be molded by at least one selected from the group consisting of an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylic resin, and a urethane resin.
  • an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, or the like, an acid composed of hexahydro phthalic anhydride, 3-methylhexahydro phthalic anhydride 4-methylhexahydrophthalic anhydride, or the like.
  • the anhydride was added to the epoxy resin by adding DBU (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator, ethylene glycol, titanium oxide pigment and glass fiber as a promoter, and partially by heating.
  • DBU 1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7
  • the solid epoxy resin composition hardened by reaction and B staged can be used, It does not limit to this.
  • the body 410 may be appropriately mixed with at least one selected from the group consisting of a diffusing agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light blocking material, a light stabilizer, and a lubricant to a thermosetting resin.
  • the body 410 may include a resin material in which a metal oxide is added to a reflective material such as epoxy or silicon, and the metal oxide may include at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 . It may include.
  • the body 410 can effectively reflect the incident light.
  • the body 410 may be formed of a transparent resin material or a resin material having a phosphor for converting a wavelength of incident light.
  • the body 410 may include a plurality of outer sides, for example, at least four sides 411, 412, 413, and 414. At least one or both of the side surfaces 411, 412, 413, and 414 may be disposed to be inclined with respect to the lower surface of the body 410 or the horizontal lower surface of the lead frames 421 and 431.
  • the body 410 describes the first to fourth side surfaces 411, 412, 413, 414 as an example, and the first side 411 and the second side 412 are located opposite to each other, and the third side 413 and the The fourth side 414 is located opposite each other.
  • the length Y1 of each of the first side 411 and the second side 412 may be the same as or different from the length X1 of the third side 413 and the fourth side 414, for example, the first side 411 and the second side 412.
  • the length Y1 of the side surface 411 and the second side surface 412 may be equal to or longer than the length X1 of the third side surface 413 and the fourth side surface 414.
  • the first and second side surfaces 411 and 412 are long sides longer than the lengths of the third and fourth side surfaces 413 and 414, and the third and fourth side surfaces 413 and 414 are the first and second side surfaces 411 and 412. It can be defined as a short side shorter than the length of.
  • the length Y1 of the first side surface 411 or the second side surface 412 may be a distance between the third side surface 413 and the fourth side surface 414.
  • An edge portion that is a boundary region between the first to fourth side surfaces 411, 412, 413, and 414 may be an angled surface or a curved surface, but is not limited thereto.
  • the length of the body 410 is a length in the direction of the first axis X, and may be a length of a short side that is the length X1 of the third and fourth side surfaces 413 and 414.
  • the width of the body 410 is the length of the second axis (Y) direction, it may be the length of the long side which is the length (Y1) of the first and second side surfaces (411,412).
  • the first and second axes X and Y directions may be perpendicular to each other.
  • the body 410 may include a cavity 415, and the cavity 415 may be provided in a concave shape from an upper surface of the body 410.
  • a plurality of lead frames 421 and 431 may be exposed in the cavity 415.
  • the body 410 has guide protrusions 418 and 419 around the top.
  • the guide protrusions 418 and 419 guide the insertion of the reflective frame 440 and may prevent the flow in the horizontal direction.
  • the guide protrusions 418 and 419 may be spaced apart from each other, and include a first guide protrusion 418 and a second guide protrusion 419.
  • the first guide protrusion 418 may extend over the third side 413 of the body 410 and extend to a portion above the first and second side surfaces 411 and 412.
  • the second guide protrusion 419 may extend over the fourth side 414 of the body 410 and extend to a portion above the first and second side surfaces 411 and 412.
  • Upper surfaces of the first and second guide protrusions 418 and 419 may be upper surfaces of the body 410.
  • a locking jaw 417 is disposed around the upper portion of the cavity 415, and the locking jaw 417 has a stepped structure, for example, a stepped structure, an inclined structure or a curve, from the guide protrusions 418 and 419 of the body 410. Can be arranged in a mold structure.
  • the locking jaw 417 serves as a support for supporting the reflective frame 440.
  • the locking jaw 417 may be disposed closer to the top surface of the body 410 than to the bottom of the cavity 415.
  • a first lead frame 421 is disposed at a bottom of the cavity 415 of the body 410, and a protrusion of the first lead frame 421 as shown in FIG. 5.
  • the 425 may protrude to the outside of the first side 411 of the body 410.
  • a second lead frame 431 is disposed in the second area at the bottom of the cavity 415, and the protrusion 435 of the second lead frame 431 is the second side surface of the body 410 as shown in FIG. 5. It may protrude out of 412.
  • the protrusions 425 and 435 of the first and second lead frames 421 and 431 may increase the contact area and the heat dissipation surface area, thereby improving solder bonding and heat dissipation.
  • a lower portion of the first lead frame 421 may include stepped structures 422 and 423 as shown in FIG. 4, and the stepped structures 422 and 423 may strengthen the coupling force with the body 410.
  • Stepped structures 424 and 434 may be formed on the first and second lead frames 421 and 431 as illustrated in FIG. 5, and the stepped structures 424 and 434 may strengthen the coupling force with the body 410. .
  • At least one hole may be provided in the first and second lead frames 421 and 431, and a part of the body 410 may be coupled to the hole.
  • the lead frames 421 and 431 may be formed of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), It may include at least one of tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.
  • the lead frames 421 and 431 may have the same thickness.
  • the lead frames 421 and 431 function as terminals for supplying power.
  • the reflective frame 440 may be disposed on the body 410.
  • the reflective frame 440 may be disposed to overlap the area of the cavity 415.
  • the reflective frame 440 may be disposed on the first to second lead frames 421 and 431.
  • the reflective frame 440 may be disposed to overlap with the first to second lead frames 421 and 431 in a vertical direction within an area of the cavity 415.
  • An adhesive member 460 may be disposed between the reflective frame 440 and the body 410.
  • the adhesive member 460 may attach the reflective frame 440 to the cavity 415 of the body 410.
  • the adhesive member 460 may include an adhesive such as silicone or epoxy.
  • the adhesive member 460 may include the same material as the material of the body 410.
  • a portion of the reflective frame 460 may be in direct contact with the body 410.
  • the adhesive member 460 may not be formed, but is not limited thereto.
  • the reflective frame 440 may be formed of a metal material.
  • the reflective frame 440 may include at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf, or a selective alloy of the material.
  • the reflective frame 440 may be made of a non-metallic material that is higher than the reflectance of the body 410.
  • the reflective frame 440 may be made of the same material as the body 410 and may be made of a material having a higher reflectance than that of the body 410.
  • the light reflectance of the reflective frame 440 may be higher than the light reflectance of the body 410.
  • the reflective frame 440 includes at least one opening 445 through which light is emitted.
  • the opening 445 may overlap the at least one light emitting chip 450 in a vertical direction.
  • the opening 445 may be a hole penetrating in a direction perpendicular to the upper surface of the light emitting chip 450.
  • the opening 445 may be a rhombus shape having an upper shape of polygon, circle, oval or curve, and the lower shape may be polygonal shape having a polygon, circle, oval or curve, but is not limited thereto.
  • the opening 445 may be disposed along a circumference of the light emitting chip 450 and open an upper portion of the light emitting chip 450.
  • the opening 445 may be a region in which light emitted from the light emitting chip 450 is reflected and light is emitted.
  • the side surface 442 of the opening 445 may be disposed to be adjacent to the light emitting chip 450 as it goes downward.
  • the side surface 442 of the opening 445 may be an inclined surface, and the inclined surface may be provided in the form of a flat line or a concave or convex curved line from the top to the bottom 441 of the opening 445. Can be.
  • the side surface 442 of the opening 445 may be curved or flat.
  • a side surface 442 of the opening 445 of the reflective frame 440 is disposed around each of the light emitting chips 450, and a lower end 441 of the opening 445 is disposed above the top surface of the light emitting chip 450.
  • the light emitting device may be disposed at a lower position, for example, at a lower position than the position of the active layer 317 of FIG. 13. Accordingly, the side surface 442 of the opening 445 of the reflective frame 440 may effectively reflect the light emitted from the active layer.
  • the lower surface side 441 of the opening 445 is spaced apart from the upper surfaces of the first and second lead frames 421 and 431 by a predetermined distance G1.
  • the lower surface 441 of the side surface of the opening 445 may have a distance G1 from the first lead frame 421 of 50 ⁇ m or more, for example, 80 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the lower surface 441 of the side surface of the opening 445 may be spaced apart from the light emitting chip 450 by a distance G2.
  • the lower surface 441 of the side surface of the opening 445 may have a space G2 between the side surfaces of the light emitting chip 450 to be 80 ⁇ m or more, for example, 90 ⁇ m to 120 ⁇ m.
  • the gap G2 between the lower side surface 441 of the opening 445 and the light emitting chip 450 is disposed to be narrower than the above range, a process error when mounting the light emitting chip 450 may not be secured.
  • the width of the opening 445 is greater than the range, the size of the opening 445 may be increased, thereby improving the light extraction efficiency.
  • the lower surface area of the opening 445 of the reflective frame 440 may be larger than the upper surface area of the light emitting chip 450, and may be smaller than the upper surface area of the first lead frame 421 exposed on the cavity 415. Can be. The lower surface area of the opening 445 may be smaller than the upper surface area.
  • a lower surface width of the opening 445 in the first axis X direction may be wider than an upper surface width of the light emitting chip 450 in the first axis X direction, and may be exposed on the cavity 415.
  • the lead frame 421 may be narrower than the width of the upper surface of the first axis X in the direction.
  • a stop jaw 447 is disposed around the outer circumference of the reflective frame 440, and the stop jaw 447 may extend or protrude onto the catch jaw 417 of the body 410.
  • the stopping jaw 447 may be placed on the locking jaw 417 of the body 410 and may be in contact with the locking jaw 417 of the body 410. Since the stop jaw 447 is caught on the locking jaw 417 of the body 410, an insertion depth of the reflective frame 440 or a gap between the reflective frame 440 and the first and second lead frames 421 and 431. You can adjust the interval.
  • the light emitting chip 450 may be disposed on at least one of the first lead frame 421 and the second lead frame 431, and may be electrically connected to the first and second lead frames 421 and 431.
  • the light emitting chip 450 may be connected to at least one of the first and second lead frames 421 and 431 with a conductive adhesive or a conductive bump.
  • the light emitting chip 450 may be connected in a flip chip manner, or may be connected by at least one or a plurality of wires.
  • the light emitting chip 450 may be a horizontal chip or a vertical chip structure, but is not limited thereto.
  • the light emitting chip 450 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light, for example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, and a white LED chip. Can be.
  • the light emitting chip 450 may include an LED chip including at least one of a compound semiconductor of a group III-V element and a compound semiconductor of a group II-VI element.
  • the light emitting device may include a chip having a large area, for example, 0.6 mm 0.6 mm or more or 1 mm 1 mm or more, for improving the brightness.
  • a protection chip (not shown) may be disposed on at least one of the first and second lead frames 421 and 431, and the protection chip is connected to the light emitting chip 450 in parallel to connect the light emitting chip 450. Will be protected.
  • the protection chip may be implemented with at least one of a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS).
  • the phosphor film 455 may be disposed on the light emitting chip 450.
  • the phosphor film 455 may include at least one phosphor of red, green, and blue.
  • the phosphor film 440 may include a yellow phosphor or green and red phosphors.
  • the phosphor film 455 may have at least one or both of blue, green, and red phosphors.
  • the phosphor for converting the wavelength of light may be included in the molding member (not shown) without forming the phosphor film 455 on the light emitting chip 450.
  • the phosphor may be selectively formed among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials.
  • the phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, a blue phosphor, and a green phosphor, but is not limited thereto.
  • the phosphor may be disposed on the light emitting chip 450 to emit different colors, but is not limited thereto.
  • a molding member may be disposed in the areas of the cavity 415 and the opening 440.
  • the molding member (not shown) may include a light-transmissive material such as silicon or epoxy, and may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the surface of the molding member (not shown) may be disposed in at least one of a flat shape, a concave shape, and a convex shape, but is not limited thereto.
  • An optical lens may be coupled to the opening 445 of the reflective frame 440, and the optical lens may include a convex lens, a concave lens, or a convex lens having a total reflection surface at the center of the light emitting chip 450. It is not limited thereto.
  • the optical lens may include a Fresnel lens.
  • a first axis X perpendicular to the optical axis Z direction when a direction perpendicular to the center of the opening 445 of the reflective frame 440 or the center of the light emitting chip 450 is referred to as the optical axis Z direction.
  • Direction and a second axis (Y) direction perpendicular to the first axis (X) direction are referred to as the optical axis Z direction.
  • An axis direction forming an equiangular (for example, 45 degree) angle with the first and second axes X and Y between the first and second axes X and Y may be defined as a third axis (W) direction.
  • the direction of the third axis W may be a direction passing diagonally from the center of the light emitting chip 450.
  • the first to third axes X, Y, and W may be disposed on the same horizontal surface and may be in a direction orthogonal to the optical axis Z.
  • central portions of two side surfaces S1 opposite to each other among the side surfaces of the light emitting chip 450 lie from the optical axis Z on a straight line in the direction of the first axis X. It may pass through the first and second lead frames 421 and 431.
  • the centers of two side surfaces S2 opposite to each other among the side surfaces of the light emitting chip 450 are disposed from the optical axis Z, and the first lead frame 421 or the second is formed. It may be via the lead frame 431.
  • the straight line in the third axis W direction may pass through the first and second lead frames 421 and 431 from the optical axis Z via the diagonal direction of the light emitting chip 450.
  • the bottom center P1 and the top center P2 of the opening 445 may be disposed on the optical axis Z, and may be disposed on the center of the light emitting chip 450.
  • the bottom or bottom edge of the opening 445 may be defined as a first outline A0, and the top or top edge may be defined as a second outline B0.
  • the first contour line A0 is a first point A1 intersecting a straight line in the direction of the first axis X from the lower surface center P1 of the opening 445 and a straight line in the second axis Y direction. And a second point A2 that intersects, and a third point A3 that intersects a straight line in the third axis W direction.
  • the first point A1 is an area adjacent to the first side surface S1 of the light emitting chip 450
  • the second point A2 is an area adjacent to the second side surface S2 of the light emitting chip 450.
  • the third point A3 may be an area adjacent to the corner area S3 between the first and second side surfaces S1 and S2 of the light emitting chip 450.
  • the second outline B0 which is the upper surface or the upper edge of the opening 445, is a fourth point B1 crossing the straight line in the direction of the first axis X from the upper surface center P2 of the opening 445, and
  • the fifth point B2 intersects the straight line in the second axis Y direction
  • the sixth point B3 intersects the straight line in the third axis W direction.
  • the first distance D1 from the lower surface center P1 or the optical axis Z of the opening 445 to the first point A1 lying on the first axis X in the first outline A0 is the second distance. It may be arranged to be equal to or longer than the second distance D2 to the second point A2 lying on the axis Y line.
  • the ratio between the first distance D1 and the second distance D2 may be a ratio of lengths of the second side surface S2 and the first side surface S1 of the light emitting chip 450, for example, D1: D2. May be a ratio of lengths of S2: S1 or a ratio of 1: 0.8 to 1: 1.
  • the illuminance distribution in the second axis Y direction is not uniform compared to the illuminance distribution in the first axis X direction. It can have a distribution.
  • the light emitting chip 450 is rectangular or square, the light emitting chips 450 may be spaced apart from each other by the same distance as the first and second points A1 and A2.
  • the third distance D3 from the lower surface center P1 or the optical axis Z of the opening 445 to the third point A3 lying on the third axis W in the first contour line A0 is the first distance. And greater than any one or both of the second distances D1 and D2. Accordingly, the distance between the edge region S3 of the light emitting chip 450 and the third point A3 is the distance between the side surfaces S1 and S2 and the first and second points A1 and A2 of the light emitting chip 450. May be the same as or different from. For example, the distance between the edge region S3 of the light emitting chip 450 and the third point A3 is to the side surfaces S1 and S2 and the first and second points A1 and A2 of the light emitting chip 450.
  • the respective points A1, A2, and A3 of the inner side 442 of the opening 445 are the same distance as each side S1, S2 and the corner area S3 of the light emitting chip 450. It can have The line connecting the first point A1 and the third point A3 and the third point A3 and the second point A2 may include a curve.
  • the fourth distance D4 from the upper surface center P2 or the optical axis Z of the opening 445 to the fourth point B1 lying on the first axis X of the second outline B is fifth. It may be arranged equal to or longer than the fifth distance D5 to the point B2.
  • the ratio of the fourth distance D4 and the fifth distance D5 may be the same as the ratio of the first and second distances D1 and D2, and the first axis X direction and the second axis Y
  • the illuminance distribution in the) direction can be changed at the above ratio.
  • the sixth distance D6 from the center P2 of the upper surface of the opening 445 to the sixth point B3 lying on the third axis W line is any one of the fourth and fifth distances D4 and D5. Or it may have a length less than all. Accordingly, the amount of light reflected from the region corresponding to the corner regions S3 of the light emitting chip 450 to the opposite region among the regions of the inner side surface 442 of the opening 445 may be increased.
  • the first line segment R1 connecting the first point A1 of the first outline A0 of the opening 445 and the fourth point B1 of the second outline B0 in a straight line is connected to the optical axis Z.
  • the second line R2 is inclined at a first angle ⁇ 1 with respect to the optical axis Z
  • the second line segment R2 connecting the second point A2 and the fifth point B2 in a straight line is at a second angle ⁇ 2 with respect to the optical axis Z.
  • the third line segment R3 which is inclined and connects the third point A3 and the sixth point B3 in a straight line may be inclined at a third angle ⁇ 3 with respect to the optical axis Z.
  • the third angle ⁇ 3 may be smaller than any one or both of the first and second angles ⁇ 1 and ⁇ 2.
  • the inclination of the third line segment R3 may be greater than the inclination of the first and second line segments R1 and R2.
  • the inclination of the third line segment R3 is an outer angle between the third line segment R3 and the third axis W
  • the inclination of the first line segment R1 is the first line segment R1 and the first line segment.
  • An external angle between one axis X, and the inclination of the second line segment R2 may represent an external angle between the second line segment R2 and the second axis Y.
  • the inclinations of the respective areas S11, S12, and S13 inclined at the inner side surface 442 of the opening 445 are inclined to the inner side surface 442 of the opening 445 and the first, second, and third axes X, Y, It may be an outer shell between the regions S11, S12, and S13 placed on W).
  • the inclination of each of the regions S11, S12, and S13 inclined at the inner side surface 442 of the opening 445 may be obtained by a difference in inclination between the first to third line segments R1, R2, and R3.
  • Sides 442 adjacent to the first to third line segments R1, R2, and R3 may be flat or curved, but are not limited thereto.
  • Each of the regions S11, S12, and S13 of the inner side surface 442 may include the first axis X and the first reflection area S11 adjacent thereto, the second axis Y and the second reflection area adjacent thereto. S12), and the third axis W and the third reflection area S13 adjacent thereto.
  • the first reflection area S11 lying on the line of the first axis X and the second reflection area S12 lying on the second axis Y are the third reflection areas lying on the line of the third axis W.
  • FIG. The slope may be gradually increased closer to S13 or the third line segment R3.
  • the inclination of the inner side surface 442 of the opening 445 may be gradually increased in an area adjacent to the third axis (W) line. On the contrary, the inclination of the inner side surface 442 of the opening portion 445 may be gradually smaller as the area is farther from the line of the third axis (W).
  • the side surface 442 of the opening 445 may include a first reflection region S11 adjacent to the first side surface S1 of the light emitting chip 450 or in a first axis X direction, and the light emitting chip ( The second reflection area S12 adjacent to the second side surface S2 of 450 or in the second axis Y direction, and the third axis W adjacent to the corner area S3 of the light emitting chip 450. And a third reflection area S13 placed in the direction of. The slope of the third reflection area S13 may be greater than the slope of the first and second reflection areas S11 and S12. As the first and second reflection areas S11 and S12 are closer to the third reflection area S13, the inclination may gradually increase.
  • the third reflection area S13 having the third line segment R3 is an area adjacent to the corner area S3 of the light emitting chip 450, and has a first reflection area S11 having the first line segment R1. And a second reflection area S12 having the second line segment R2.
  • the third reflection area S13 reflects the light incident from the light emitting chip 450 by the inclination or the third angle ⁇ 3 to the third reflection area on the opposite side, thereby providing a diagonal illumination distribution in the camera module. It can improve and reduce the deviation of the diagonal illuminance distribution and the central illuminance distribution.
  • the height H1 of the opening 445 is about 1.8 to 2.2 times the height of the fourth distance D4 and may include a range of 2 mm to 3 mm.
  • the height H1 of the opening 445 is lower than the above range, it is difficult to combine a configuration such as an optical lens, and it is difficult to collect light.
  • the opening H is higher than the above range, the thickness of the camera module increases. have.
  • the upper surface width K1 in the first axis X direction and the upper surface width K2 in the second axis Y direction are the third axis. It may be larger than the upper surface width K3 in the (W) direction, and the length E3 of the third line segment R3 may be shorter than the lengths E1 and E2 of the first and second line segments R1 and R2. have. Since the inclination of the third line segment R3 is greater than the slopes of the first and second line segments R1 and R2, the above-described width difference and length difference may be provided, and the third line segment R3 facing each other may be provided. It is possible to increase the amount of reflected light between the areas having (). The distance E1, E2, E3 between the lower first contour A0 and the upper second contour B0 of the side surface 442 of the opening 445 is gradually narrower as it is adjacent to the third axis W line. Can lose.
  • the lower surface width K4 in the first axis X direction and the lower surface width K5 in the second axis Y direction are the same as each other, or
  • the lower surface width K4 of the first axis X direction may be wider than the lower surface width K5 of the second axis Y direction.
  • the lower surface width K6 in the third axis W direction may be wider than the lower surface widths K4 and K5 in the first and second axis X and Y directions.
  • the lower surface width K6 of the lower surface width of the opening 445 of the reflective frame 440 in the third axis W direction is the lower surface width K4 and K5 of the first and second axes X and Y directions. ) Is wider than the upper surface width (K1, K2) in the first or second axis (X, Y) direction of the upper surface width of the opening 445 is wider than the upper surface width (K3) in the third axis (W) direction Can be.
  • the lengths of the first to third line segments R1, R2, and R3 of the opening 445 are gradually smaller as they are closer to the third line segment R3 adjacent to the edge region S3 of the light emitting chip 450.
  • the slope can be gradually increased. Accordingly, the roughness shape emitted from the light emitting device may be provided in a quadrangular shape, and the illuminance distribution in the diagonal direction may be improved.
  • FIG. 9 is a view for explaining a method for comparing the light uniformity in the camera module.
  • the output screen of the camera module has a 4: 3 ratio (x: y)
  • the diagonal length of the square shape corresponding to the ratio is 1field, that is, the diagonal length of the square is 100%.
  • the diameter of the circle passing through the rectangle may be 0.7field or 70%.
  • one field is measured at a predetermined distance (for example, 1 m) from the center Pc of the circle, it may be referred to as a field of view (FOV) and may be defined as 0.7 FOV when measuring 0.7 field.
  • the predetermined distance is a distance to the surface (irradiated surface) for evaluating the camera module.
  • the light emitting device may be defined as a flash device.
  • a light receiving sensor is disposed in a circle having a diagonal length of the 0.7field rectangle and a corner area C1, C2, C3, C4 of the 0.7field rectangle to measure the light uniformity of the camera module.
  • the light emitting device 400 may reduce the center illuminance of the light emitted from the light emitting chip 450 by the opening 445 of the reflective frame 440 and increase the illuminance amount of 1.0 field. Can be. Accordingly, the illuminance difference between the center illuminance and the 1.0 field may be improved.
  • the light emitting device 400 according to the embodiment compensates the illuminance of the diagonal direction or the seedling regions C1, C2, C3, and C4, thereby reducing the variation of the illuminance distribution in the entire region of the screen.
  • Table 1 is a view comparing the samples # 0 ⁇ # 6 according to the embodiment, each sample # 0 ⁇ # 6 is the distance (D2, D3, D4, D5 based on the first distance (D1) of the opening 445 , D6) and height H1.
  • the unit of the numerical value of Table 1 may be mm or a ratio between each other.
  • Table 2 shows the inclination of the first axis (X) direction, the inclination of the second axis (Y) direction, the third axis (W) of the side surface 442 of the opening 445 when the samples # 0 ⁇ # 6 of Table 1 Tilt direction and ratio of illuminance distribution in the camera module.
  • the X-tilt is the slope of the first line segment R1 in the first axis direction
  • the Y-tilt is the second line segment R2 in the second axis Y2 direction.
  • W-tilt is the slope of the third line segment R3 in the direction of the third axis (W), 45 degrees of the X-axis and Y-axis
  • 1.0F is the ratio of the brightness of the corner portion to the center roughness
  • 1.0F / X may be the brightness ratio of the edge region in the first axis X direction with respect to the center illuminance
  • 1.0F / Y may be the brightness ratio of the edge region in the second axis Y direction with respect to the center illuminance.
  • the X-slope can be obtained as H1 / (D4-D1)
  • the Y-slope can be determined as H1 / (D5-D2)
  • the W-slope can be obtained as H1 / (D6-D3).
  • the value of the Y-tilt may be greater than either or both of the X-tilt value and the Y-tilt value.
  • 16A to 22B show roughness distributions and center brightnesses of the samples # 0 to # 6, respectively.
  • 16 shows illuminance distribution and center brightness for sample # 0 of Tables 1 and 2
  • FIG. 17 shows illuminance distribution and center brightness for sample # 1 of Tables 1 and 2
  • FIG. 19 shows illuminance distribution and center brightness for sample # 3 in Tables 1 and 2
  • FIG. 20 shows illuminance distribution
  • FIG. 21 shows illuminance distribution and center brightness for sample # 5 of Tables 1 and 2
  • FIG. 22 shows illuminance distribution and center brightness for Sample # 6 of Tables 1 and 2.
  • the roughness of the edge region has a roughness variation of less than 15% compared to the outer regions in the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the light emitting device of FIG. 2.
  • a plurality of light emitting chips 451 and 452 may be disposed under the opening 445 of the reflective frame 440.
  • Two light emitting chips 451 and 452 may be disposed in a first axis X direction or in a second axis Y direction.
  • three light emitting chips (not shown) may be disposed in an area between three of which are centered.
  • four light emitting chips may be arranged in a matrix form around a center.
  • the reflective frame 440 of the light emitting device is coupled to the body 410, the opening 445 of the reflective frame 440 is a structure that is open on the plurality of light emitting chips (451,452), the embodiment disclosed above See description of examples.
  • the inclination of the opening 445 may be provided by corresponding a quadrangle connecting the outermost corners of the plurality of light emitting chips with a quadrangular shape of the light emitting chip of FIG. 1.
  • 11 and 12 are diagrams illustrating still another example of the light emitting device of FIG. 2.
  • the light emitting device includes a body 410, a reflective frame having a plurality of lead frames 421A, 421B, and 431A coupled to the body 410, and a plurality of openings 445A and 445B. 440B) and light emitting chips 453 and 454 disposed under each of the openings 445A and 445B.
  • a plurality of lead frames 421A, 421B, and 431A are coupled to the body 410.
  • the plurality of lead frames 421A, 421B, and 431A include two or more lead frames, for example, three or more lead frames.
  • a first portion of the first lead frame 421A and the second lead frame 421B is disposed under the first opening 445A of the reflective frame 440B, and a second lead frame (445B) is disposed below the second opening 445B.
  • the second part and the third lead frame 431A of 421B may be disposed. Since each of the first opening 445A and the second opening 445B of the reflective frame 440B is the same as the opening 445 of FIGS. 6 to 8, the above description will be referred to.
  • the side surface 443 of the first opening 445A and the side surface 444 of the second opening 445B will be described with reference to the description of the embodiment shown in FIGS. 6 to 8.
  • the second light emitting chip 453 disposed below the first opening 445A and the second light emitting chip 454 disposed below the second opening 445B emit light of the same color or different colors. It can emit light emission.
  • the first light emitting chip 453 may be disposed on at least one of the first portions of the first lead frame 421A and the second lead frame 421B, and the second light emitting chip 454 may be disposed on the first light emitting chip 454.
  • the second opening 445 may be disposed below at least one of the second portion of the second lead frame 421B and the third lead frame 431A.
  • a hole 429 may be disposed in the second lead frame 421B, and a portion 410A of the body 410 may be coupled to the hole 429.
  • An adhesive member 460 may be disposed in an area between the body 410 and the reflective frame 440B.
  • a first cavity 415A and a second cavity 415B may be disposed below the first opening 445A, and the first and second openings 445B may be disposed below the first opening 445A.
  • the cavities 415A and 415B may be spaced apart from each other.
  • the first phosphor film 456 and the second phosphor film 457 may be disposed on the first light emitting chip 453.
  • the first phosphor film 456 and the second phosphor film 457 may include the same phosphor or different phosphors.
  • the first phosphor film 456 may have a yellow phosphor
  • the second phosphor film 457 may be a red phosphor. It can have
  • the first phosphor film 456 may have a green phosphor
  • the second phosphor film 457 may be a red phosphor
  • the first phosphor film 456 may have yellow and green phosphors
  • the second phosphor film 457 may be It can have red and green phosphors.
  • the first phosphor film 456 may have blue and red phosphors
  • the second phosphor film 457 may be It may have a green phosphor.
  • the type of phosphor in the phosphor films 456 and 457 may vary depending on the light emitting chips 453 and 454, but is not limited thereto.
  • FIG. 13 illustrates an example of a light emitting chip according to an embodiment.
  • a light emitting chip includes a substrate 111, a first semiconductor layer 113, a light emitting structure 120, an electrode layer 131, an insulating layer 133, a first electrode 135, and a second electrode ( 137, a first connection electrode 141, a second connection electrode 143, and a support layer 140.
  • the substrate 111 may use a light transmissive, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 At least one may be used.
  • a plurality of convex portions (not shown) may be formed on at least one or both of the top and bottom surfaces of the substrate 111 to improve light extraction efficiency.
  • the side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of a hemispherical shape, a semi-elliptic shape, or a polygonal shape.
  • the substrate 111 may be removed in the light emitting chip, and in this case, the first semiconductor layer 113 or the first conductive semiconductor layer 115 may be disposed as a top layer of the light emitting chip.
  • a first semiconductor layer 113 may be formed under the substrate 111.
  • the first semiconductor layer 113 may be formed using a compound semiconductor of Group II to Group V elements.
  • the first semiconductor layer 113 may be formed of at least one layer or a plurality of layers using a compound semiconductor of Group II to Group V elements.
  • the first semiconductor layer 113 is, for example, a semiconductor layer using a compound semiconductor of Group III-V elements, such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, It may include at least one of GaP.
  • the first semiconductor layer 113 has a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1), a buffer layer and an undoped It may be formed of at least one of the (undoped) semiconductor layer.
  • the buffer layer may reduce the difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, and the undoped semiconductor layer may improve the crystal quality of the semiconductor.
  • the first semiconductor layer 113 may not be formed.
  • the light emitting structure 120 may be formed under the first semiconductor layer 113.
  • the light emitting structure 120 may be selectively formed from a compound semiconductor of Group II to Group V elements and Group III to Group V elements, and may emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band.
  • the light emitting structure 120 is disposed between the first conductive semiconductor layer 115, the second conductive semiconductor layer 119, the first conductive semiconductor layer 115 and the second conductive semiconductor layer 119.
  • the active layer 117 is formed, and another semiconductor layer may be further disposed on at least one of the upper and lower portions of the layers 115, 117, and 119, but is not limited thereto.
  • the first conductive semiconductor layer 115 may be disposed under the first semiconductor layer 113, and may be implemented as a semiconductor, for example, an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant. And the first conductive semiconductor layer 115 comprises a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the first conductive semiconductor layer 115 may be selected from compound semiconductors of Group III-V elements, such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. .
  • the first conductive dopant is an n-type dopant and includes a dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.
  • the active layer 117 is disposed under the first conductive semiconductor layer 115 and optionally includes a single quantum well, a multi quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And the cycle of the well and barrier layers.
  • the period of the well layer / barrier layer is, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InP / GaAs At least one of the pairs.
  • the second conductive semiconductor layer 119 is disposed under the active layer 117.
  • the second conductive semiconductor layer 119 is a semiconductor doped with a second conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the second conductive semiconductor layer 119 may be formed of at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.
  • the second conductive semiconductor layer 119 is a p-type semiconductor layer, and the first conductive dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
  • the light emitting structure 120 may include the first conductive semiconductor layer 115 as a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 119 as an n-type semiconductor layer.
  • a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be formed on the second conductive semiconductor layer 119.
  • the light emitting structure 120 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, a p-n-p junction structure.
  • An electrode layer 131 is formed under the second conductive semiconductor layer 119.
  • the electrode layer 131 may include a reflective layer.
  • the electrode layer 131 may include a contact layer in contact with the second conductive semiconductor layer 119 of the light emitting structure 120.
  • the reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir, and an alloy of two or more of the above metals.
  • the metal of the reflective layer may contact the bottom of the second conductive semiconductor layer 119.
  • the contact layer may be an ohmic contact layer, and may be selected from a light transmissive material, a metal, or a non-metal material.
  • the electrode layer 131 may include a laminated structure of a light transmissive electrode layer / reflective layer, and the light transmissive electrode layer may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and any combination thereof.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • IGTO indium gallium tin oxide
  • AZO aluminum zinc oxide
  • ATO antimony tin oxide
  • GZO gallium zinc oxide
  • Ag Ni, Al, Rh, Pd , Ir, Ru, Mg, Zn
  • a reflective layer made of metal may be disposed below the light transmissive electrode layer, and may include, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or a combination thereof. Can be formed.
  • the reflective layer may be formed in a distributed bragg reflection (DBR) structure in which two layers having different refractive indices are alternately arranged.
  • DBR distributed bragg reflection
  • a light extraction structure such as roughness may be formed on a surface of at least one of the second conductive semiconductor layer 119 and the electrode layer 131, and the light extraction structure may change a critical angle of incident light. It can improve the light extraction efficiency.
  • the insulating layer 133 is disposed under the electrode layer 131, a lower surface of the second conductive semiconductor layer 119, side surfaces of the second conductive semiconductor layer 119 and the active layer 117, and It may be disposed in a portion of the first conductive semiconductor layer 115.
  • the insulating layer 133 is formed in the lower region of the light emitting structure 120 except for the electrode layer 131, the first electrode 135, and the second electrode 137. The lower part is electrically protected.
  • the insulating layer 133 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of an oxide, a nitride, a fluoride, and a sulfide having at least one of Si, Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr.
  • the insulating layer 133 may be selectively formed of, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or TiO 2 .
  • the insulating layer 133 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.
  • the insulating layer 133 is formed to prevent an interlayer short of the light emitting structure 120 when a metal structure for flip bonding is formed under the light emitting structure 120.
  • the insulating layer 133 may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR) structure in which a first layer and a second layer having different refractive indices are alternately arranged, and the first layer is formed of SiO 2 , Si 3 N 4 , One of Al 2 O 3 , TiO 2 , and the second layer may be formed of any one of materials other than the first layer, but is not limited thereto, or the first and second layers may be formed of the same material. Or a pair having three or more layers. In this case, the electrode layer may not be formed.
  • DBR distributed Bragg reflector
  • the first electrode 135 may be disposed under a portion of the first conductive semiconductor layer 115, and the second electrode 137 may be disposed under a portion of the electrode layer 131.
  • the first connection electrode 141 is disposed below the first electrode 135, and the second connection electrode 143 is disposed below the second electrode 137.
  • the first electrode 135 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 115 and the first connection electrode 141, and the second electrode 137 is formed through the electrode layer 131.
  • the second conductive semiconductor layer 119 and the second connection electrode 143 may be electrically connected to each other.
  • the first electrode 135 and the second electrode 137 are made of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W or an alloy. It may be formed, and may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the first electrode 135 and the second electrode 137 may have the same stacked structure or different stacked structures. At least one of the first electrode 135 and the second electrode 137 may further have a current diffusion pattern such as an arm or a finger structure.
  • the first electrode 135 and the second electrode 137 may be formed in one or a plurality, but is not limited thereto. At least one of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be disposed in plural, but is not limited thereto.
  • the first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 provide a lead function for supplying power and a heat dissipation path.
  • the first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may include at least one of a shape such as a circular shape, a polygonal shape, a circular column, or a polygonal column.
  • the first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may be formed of a metal powder, eg, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta. , Ti, W and an optional alloy of these metals.
  • the first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may be formed of In, Sn, Ni, Cu, and an optional alloy thereof to improve adhesion between the first electrode 135 and the second electrode 137. It may be plated with either metal.
  • the support layer 140 includes a thermally conductive material and is disposed around the first electrode 135, the second electrode 137, the first connection electrode 141, and the second connection electrode 143. Can be. Lower surfaces of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be exposed on the lower surface of the support layer 140.
  • the support layer 140 is used as a layer for supporting the light emitting device 100.
  • the support layer 140 is formed of an insulating material, and the insulating material is formed of a resin layer such as silicon or epoxy.
  • the insulating material may include a paste or an insulating ink.
  • the insulating material is polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), and Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), and resins including PAMAM-OS (organosilicon) with PAMAM internal structure and organic-silicon exterior, alone or in combination thereof. Can be.
  • the support layer 140 may be formed of a material different from that of the insulating layer 133.
  • At least one of compounds such as oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added to the support layer 140.
  • the compound added in the support layer 140 may be a heat spreader, and the heat spreader may be used as powder particles, granules, fillers, and additives of a predetermined size.
  • the heat spreader comprises a ceramic material
  • the ceramic material is a low temperature co-fired ceramic (LTCC), high temperature co-fired ceramic (HTCC), alumina (alumina) co-fired , Quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fusedsilica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia ), And at least one of aluminum nitride.
  • the ceramic material may be formed of a metal nitride having higher thermal conductivity than nitride or oxide among insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include, for example, a material having a thermal conductivity of 140 W / mK or more.
  • the ceramic material may be, for example, SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , BN, Si 3 N 4 , SiC (SiC-BeO), BeO, It may be a ceramic series such as CeO, AlN.
  • the thermally conductive material may comprise a component of C (diamond, CNT).
  • the first and second connection electrodes 141 and 143 of the light emitting chip are electrically connected to the circuit board.
  • FIG. 14 is a view showing another example of a light emitting chip according to the embodiment.
  • the light emitting chip includes a light emitting structure 225 and a plurality of pads 245 and 247.
  • the light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of Group II to Group VI elements, for example, a compound semiconductor layer of Group III-V elements or a compound semiconductor layer of Group II-VI elements.
  • the pads 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 and supply power.
  • the light emitting structure 225 includes a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 223, and a second conductive semiconductor layer 224.
  • the light emitting chip may include a substrate 221.
  • the substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225.
  • the substrate 221 may be, for example, a light transmissive, insulating substrate, or a conductive substrate. This configuration will be referred to the description of the light emitting structure and the substrate of FIG. 4.
  • Pads 245 and 247 are disposed under the light emitting chip, and the pads 245 and 247 include first and second pads 245 and 247.
  • the first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other under the light emitting chip.
  • the first pad 245 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 222
  • the second pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224.
  • the first and second pads 245 and 247 may be polygonal or circular in shape.
  • the light emitting chip may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between the substrate 221 and the light emitting structure 225.
  • the buffer layer is a layer for alleviating the difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed among group II to group VI compound semiconductors.
  • An undoped Group III-V compound semiconductor layer may be further formed below the buffer layer, but is not limited thereto.
  • the substrate 221 may be removed. When the substrate 221 is removed, the phosphor layer 250 may contact the top surface of the first conductive semiconductor layer 222 or the top surface of another semiconductor layer.
  • the light emitting chip includes first and second electrode layers 241 and 242, a third electrode layer 243, and insulating layers 231 and 233.
  • Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed in a single layer or multiple layers, and may function as a current diffusion layer.
  • the first and second electrode layers 241 and 242 may include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; And a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241.
  • the first electrode layer 241 diffuses current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.
  • the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials.
  • the first electrode layer 241 may be formed of a light transmissive material, for example, a metal oxide or a metal nitride.
  • the first electrode layer may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZO), or IGZO (IGZO). It may be selectively formed among indium gallium zinc oxide (IGTO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), and gallium zinc oxide (GZO).
  • the second electrode layer 242 is in contact with the bottom surface of the first electrode layer 241 and may function as a reflective electrode layer.
  • the second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au, or Al. When the partial region of the first electrode layer 241 is removed, the second electrode layer 242 may partially contact the bottom surface of the light emitting structure 225.
  • structures of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni directional reflector layer (ODR) structure.
  • the non-directional reflective structure may be formed by stacking a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a metal material of high reflective material in contact with the first electrode layer 241.
  • the electrode layers 241 and 242 may have, for example, a stacked structure of ITO / Ag.
  • the omnidirectional reflection angle may be improved at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242.
  • the second electrode layer 242 may be removed and may be formed of a reflective layer of another material.
  • the reflective layer may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR) structure, and the distributed Bragg reflector includes a structure in which two dielectric layers having different refractive indices are alternately arranged, for example, an SiO 2 layer. , Si 3 N 4 layer, TiO 2 layer, Al 2 O 3 layer, and may include any one of the different from each other MgO layer.
  • DBR distributed Bragg reflector
  • the electrode layers 241 and 242 may include both a distributed Bragg reflection structure and an omnidirectional reflection structure, and in this case, a light emitting chip having a light reflectance of 98% or more may be provided.
  • the flip chip mounted light emitting chip emits light reflected from the second electrode layer 242 through the substrate 221, and thus may emit most of light in the vertical direction.
  • the light emitted to the side of the light emitting chip may be reflected to the incident surface area of the optical lens by the opening of the reflective frame.
  • the third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242.
  • the third electrode layer 243 may be formed of a metal such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), and tin (Sn). ), Silver (Ag) and phosphorus (P).
  • the first pad 245 and the second pad 247 are disposed under the third electrode layer 243.
  • the insulating layers 231 and 233 block unnecessary contact between the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second pads 245 and 247, and the layers of the light emitting structure 225.
  • the insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233.
  • the first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242.
  • the second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the first and second pads 245 and 247.
  • the third electrode layer 243 is connected to the first conductive semiconductor layer 222.
  • the connection portion 244 of the third electrode layer 243 protrudes in a via structure through the lower portions of the first and second electrode layers 241 and 242 and the light emitting structure 225 and contacts the first conductive semiconductor layer 222. do.
  • the connection part 244 may be arranged in plural.
  • a portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the connecting portion 244 of the third electrode layer 243 to form a third electrode layer 243, the first and second electrode layers 241 and 242, and a second electrode. Electrical connection between the two-conducting semiconductor layer 224 and the active layer 223 is blocked.
  • An insulating layer may be disposed on the side surface of the light emitting structure 225 for side protection, but is not limited thereto.
  • the second pad 247 is disposed under the second insulating layer 233 and contacts at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open area of the second insulating layer 233. Or connected.
  • the first pad 245 is disposed under the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open area of the second insulating layer 233. Accordingly, the protrusion 248 of the first pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242, and the protrusion 246 of the second pad 245. ) Is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243.
  • the first and second pads 245 and 247 may be spaced apart from each other under the light emitting chip, and may be electrically connected to the circuit board.
  • a bonding member may be disposed between the light emitting chip and the circuit board, and the bonding member may include a solder paste material, for example, gold (Au), tin (Sn), lead (Pb), copper (Cu), Bismuth (Bi), indium (In), and silver (Ag).
  • the bonding member may include a conductive film, and the conductive film may include one or more conductive particles in the insulating film.
  • the conductive particles may include, for example, at least one of a metal, a metal alloy, and carbon.
  • the conductive particles may include at least one of nickel, silver, gold, aluminum, chromium, copper, and carbon.
  • the conductive film may include an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive.
  • the bonding member may include a thermally conductive film.
  • the thermally conductive film may include polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutyrene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutyrene naphthalate; Polyimide resins; Acrylic resins; Styrene resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene; Polycarbonate resins; Polylactic acid resins; Polyurethane resins; Etc. can be used.
  • polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer
  • Vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride
  • Polyamide resins such as polyamide resins
  • Sulfone resins such as polyether ether ketone resins
  • Allyl resins or a blend of the resins.
  • 15 is a diagram illustrating another example of a light emitting chip according to one embodiment.
  • a light emitting chip includes a light emitting structure 10 having a plurality of semiconductor layers 11, 12, and 13, a first electrode layer 20 below the light emitting structure 10, and a bottom of the first electrode layer 20.
  • the insulating layer 41 and the pad 25 may be included between the second electrode layer 50, the first and second electrode layers 20 and 50.
  • the light emitting structure 10 may include a first semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13.
  • the active layer 12 may be disposed under the first semiconductor layer 11, and the second semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.
  • the first semiconductor layer 11 may include an n-type semiconductor layer to which a first conductive dopant, for example, an n-type dopant is added
  • the second semiconductor layer 13 may include a second conductive dopant, for example, p. It may include a p-type semiconductor layer to which a type dopant is added.
  • the first semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer
  • the second semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.
  • An upper surface of the first semiconductor layer 11 may be formed of a rough uneven portion 11A, and the uneven surface 11A may improve light extraction efficiency.
  • the side cross section of the uneven surface 11A may include a polygonal shape or a hemispherical shape.
  • the first electrode layer 20 is disposed between the light emitting structure 10 and the second electrode layer 50, is electrically connected to the second semiconductor layer 13 of the light emitting structure 10, and the second electrode layer. Electrically insulated with 50.
  • the first electrode layer 20 includes a first contact layer 15, a reflective layer 17, and a capping layer 19, and the first contact layer 15 includes the reflective layer 17 and a second semiconductor layer ( 13, and the reflective layer 17 is disposed between the first contact layer 15 and the capping layer 19.
  • the first contact layer 15, the reflective layer 17, and the capping layer 19 may be formed of different conductive materials, but are not limited thereto.
  • the first contact layer 15 may be in contact with the second semiconductor layer 13, for example, to form an ohmic contact with the second semiconductor layer 13.
  • the first contact layer 15 may be formed of, for example, a conductive oxide film, a conductive nitride, or a metal.
  • the first contact layer 15 may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZON), aluminum zinc oxide (AZO), and aluminum gallium zinc oxide (AZZO).
  • IZTO Indium Zinc Tin Oxide
  • IAZO Indium Aluminum Zinc Oxide
  • IGZO Indium Gallium Zinc Oxide
  • IGTO Indium Gallium Tin Oxide
  • ATO Antimony Tin Oxide
  • GZO Gallium Zinc Oxide
  • IZON IZO Nitride
  • ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti may be formed of at least one.
  • the reflective layer 17 may be electrically connected to the first contact layer 15 and the capping layer 19.
  • the reflective layer 17 may function to increase the amount of light extracted to the outside by reflecting light incident from the light emitting structure 10.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal having a light reflectance of 70% or more.
  • the reflective layer 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf.
  • the reflective layer 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-zinc- (AZO).
  • Transmissive conductive materials such as Oxide), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed in multiple layers.
  • Oxide Indium-Gallium-Zinc-Oxide
  • IGTO Indium-Gallium-Tin-Oxide
  • AZO Aluminum-Zinc-Oxide
  • ATO Antimony-Tin-Oxide
  • the reflective layer 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.
  • the reflective layer 17 may be formed by alternately forming an Ag layer and a Ni layer, and may include a Ni / Ag / Ni, Ti layer, or Pt layer.
  • the first contact layer 15 may be formed below the reflective layer 17, and at least a portion thereof may pass through the reflective layer 17 to be in contact with the second semiconductor layer 13.
  • the reflective layer 17 may be disposed under the first contact layer 15, and a portion of the reflective layer 17 may contact the second semiconductor layer 13 by passing through the first contact layer 15. .
  • the light emitting device may include a capping layer 19 disposed under the reflective layer 17.
  • the capping layer 19 is in contact with the lower surface of the reflective layer 17, the contact portion 34 is coupled to the pad 25, and serves as a wiring layer for transferring power supplied from the pad 25.
  • the capping layer 19 may be formed of a metal, and may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed in an area that does not overlap with the light emitting structure 10 in the vertical direction, and vertically overlaps the pad 25.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed in an area which does not overlap in the vertical direction with the first contact layer 15 and the reflective layer 17.
  • the contact portion 34 of the capping layer 19 may be disposed at a lower position than the light emitting structure 10 and may be in direct contact with the pad 25.
  • the pad 25 may be formed in a single layer or a multilayer, and the single layer may be Au, and in the case of the multilayer, the pad 25 may include at least two of Ti, Ag, Cu, and Au.
  • the multilayer structure may be a stacked structure of Ti / Ag / Cu / Au or a Ti / Cu / Au stacked structure. At least one of the reflective layer 17 and the first contact layer 15 may directly contact the pad 25, but is not limited thereto.
  • the pad 25 may be disposed in an area A1 between the outer sidewall of the first electrode layer 20 and the light emitting structure 10.
  • the protective layer 30 and the light transmitting layer 45 may be in contact with the circumference of the pad 25.
  • the protective layer 30 may be disposed on the bottom surface of the light emitting structure 10, may be in contact with the bottom surface of the second semiconductor layer 13 and the first contact layer 15, and may be in contact with the reflective layer 17. Can be.
  • An inner part of the protective layer 30 overlapping the light emitting structure 10 in the vertical direction may be disposed to overlap the area of the protrusion 16 in the vertical direction.
  • the outer portion of the protective layer 30 extends over the contact portion 34 of the capping layer 19 and is disposed to overlap the contact portion 34 in a vertical direction.
  • the outer portion of the protective layer 30 may be in contact with the pad 25, for example, may be disposed on the circumferential surface of the pad 25.
  • the inner portion of the protective layer 30 is disposed between the light emitting structure 10 and the first electrode layer 20, and the outer portion is disposed between the light transmitting layer 45 and the contact portion 34 of the capping layer 19. Can be.
  • An outer portion of the protective layer 30 extends to the outer region A1 than the sidewall of the light emitting structure 10, thereby preventing moisture from penetrating.
  • the protective layer 30 may be defined as a channel layer, a low refractive material, or an isolation layer.
  • the protective layer 30 may be formed of an insulating material, for example, oxide or nitride.
  • the protective layer 30 is at least one in the group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the protective layer 30 may be formed of a transparent material.
  • the light emitting device may include an insulating layer 41 which electrically insulates the first electrode layer 20 from the second electrode layer 50.
  • the insulating layer 41 may be disposed between the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50. An upper portion of the insulating layer 41 may contact the protective layer 30.
  • the insulating layer 41 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the insulating layer 41 is at least one of a group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.
  • the insulating layer 41 may be formed to a thickness of 100 nanometers to 2000 nanometers. If the thickness of the insulating layer 41 is formed to be less than 100 nanometers may cause a problem in the insulating properties, if the thickness of the insulating layer 41 is formed in more than 2000 nanometers are broken in a later process step This can be caused.
  • the insulating layer 41 is in contact with the lower surface of the first electrode layer 20 and the upper surface of the second electrode layer 50, and the protective layer 30, the capping layer 19, the contact layer 15, and the reflective layer (17) It may be formed thicker than each thickness.
  • the second electrode layer 50 is a diffusion barrier layer 52 disposed below the insulating layer 41, a bonding layer 54 disposed below the diffusion barrier layer 52 and a bonding layer 54 disposed below the diffusion layer 52. It may include a conductive support member 56, it may be electrically connected to the first semiconductor layer (11). In addition, the second electrode layer 50 may optionally include one or two of the diffusion barrier layer 52, the bonding layer 54, and the conductive support member 56, and the diffusion barrier layer 52 or At least one of the bonding layers 54 may not be formed.
  • the diffusion barrier layer 52 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the diffusion barrier layer 52 may function as a diffusion barrier layer between the insulating layer 41 and the bonding layer 54.
  • the diffusion barrier layer 52 may be electrically connected to the bonding layer 54 and the conductive support member 56, and may be electrically connected to the first semiconductor layer 11.
  • the diffusion barrier layer 52 may function to prevent the material included in the bonding layer 54 from diffusing in the direction of the reflective layer 17 in the process of providing the bonding layer 54.
  • the diffusion barrier layer 52 may prevent a material such as tin (Sn) included in the bonding layer 54 from affecting the reflective layer 17.
  • the bonding layer 54 may include a barrier metal or a bonding metal, and for example, at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta. It may include.
  • the conductive support member 56 may support the light emitting structure 10 according to the embodiment and perform a heat dissipation function.
  • the bonding layer 54 may include a seed layer.
  • the conductive support member 56 may be a metal or carrier substrate, for example Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, or a semiconductor substrate in which impurities are implanted (eg, Si, Ge , GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, etc.).
  • the conductive support member 56 is a layer for supporting the light emitting device 100.
  • the thickness of the conductive support member 56 is 80% or more of the thickness of the second electrode layer 50, and may be 30 ⁇ m or more.
  • the second contact layer 33 is disposed in the first semiconductor layer 11 and is in contact with the first semiconductor layer 11.
  • An upper surface of the second contact layer 33 may be disposed above the lower surface of the first semiconductor layer 11, electrically connected to the first semiconductor layer 11, and the active layer 12 and the second semiconductor. It is insulated from the layer 13.
  • the second contact layer 33 may be electrically connected to the second electrode layer 50.
  • the second contact layer 33 may be disposed through the first electrode layer 20, the active layer 12, and the second semiconductor layer 15.
  • the second contact layer 33 is disposed in a recess 2 disposed in the light emitting structure 10, and is formed in the active layer 12, the second semiconductor layer 15, and the protective layer 30. Insulated by The plurality of second contact layers 33 may be disposed spaced apart from each other.
  • the second contact layer 33 may be connected to the protrusion 51 of the second electrode layer 50, and the protrusion 51 may protrude from the diffusion barrier layer 52.
  • the protrusion 51 may pass through the hole 41A disposed in the insulating layer 41 and the protective layer 30, and may be insulated from the first electrode layer 20.
  • the second contact layer 33 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.
  • the protrusion 501 may include at least one of materials forming the diffusion barrier layer 52 and the bonding layer 54, but is not limited thereto.
  • the protrusion 51 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, or Ta.
  • the pad 25 may be electrically connected to the first electrode layer 20 and may be exposed to an area A1 outside the sidewall of the light emitting structure 10.
  • One or more pads 25 may be disposed.
  • the pad 25 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.
  • the light transmitting layer 45 may protect the surface of the light emitting structure 10, may insulate the pad 91 from the light emitting structure 10, and may contact the peripheral portion of the protective layer 30. have.
  • the light transmission layer 45 may have a lower refractive index than the material of the semiconductor layer constituting the light emitting structure 10, and may improve light extraction efficiency.
  • the light transmitting layer 45 may be formed of, for example, oxide or nitride.
  • the light-transmitting layer 45 is at least one in the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. Can be selected and formed.
  • the light transmission layer 45 may be omitted depending on the design.
  • the light emitting structure 10 may be driven by the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50.
  • the light emitting device can suppress the center side illuminance distribution from deteriorating in the camera module and improve the illuminance distribution of the edge region, in particular the edge region. Accordingly, the overall light uniformity can be improved.
  • the embodiment can improve the illuminance distribution of the light emitting device.
  • the embodiment can improve light uniformity of a camera module having a light emitting device.
  • the embodiment can improve the optical reliability of the light emitting device and the optical module having the same.

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Abstract

실시 예에 개시된 발광 소자는, 몸체; 상기 몸체 상에 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩; 및 상기 발광 칩의 상부를 개방하는 개구부를 갖고 상기 몸체 상에 배치된 반사 프레임을 포함하며, 상기 발광 칩은 제1측면, 상기 제1측면에 인접한 제2측면 및 상기 제1 및 제2측면 사이의 모서리 영역을 포함하며, 상기 반사 프레임의 개구부의 둘레에 배치된 내측면은, 상기 발광 칩의 제1측면에 인접한 제1반사 영역과, 상기 발광 칩의 제2측면에 인접한 제2반사 영역과, 상기 발광 칩의 모서리에 인접한 제3반사 영역을 포함하며, 상기 제3반사 영역의 기울기는 상기 제1 및 제2반사 영역의 기울기보다 큰 값을 갖는다.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
최근에는 카메라 기능이 함께 제공되는 휴대용 기기가 늘고 있다. 이와 같은 휴대용 기기에는 야간 촬상 시 필요로 하는 광량을 제공하기 위해 플래시가 내장되기도 한다. 이와 관련하여 카메라 플래시의 광원으로서 백색 LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)의 사용이 증가하고 있다. 현재 발광 다이오드를 카메라 플래시의 광원으로 사용하는 방식으로는 발광 다이오드의 방사각이 카메라 화각에 맞도록 설계된 높은 반사율의 반사면으로 이루어진 리플렉터와 외장 커버를 사용한 방식과, 플래쉬 렌즈 및 상기 플래시 렌즈를 고정하는 기구물과 발광 다이오드 패키지가 일체를 이루어 사용한 방식 등이 있다.
이러한 발광 다이오드를 위한 플래시에 대한 니즈(needs)가 높아지고 있다.
실시 예는 몸체 상에 발광 칩을 개방하는 반사 프레임을 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 몸체 상에 발광 칩을 개방하는 반사 프레임의 개구부의 측면 중 모서리 영역의 기울기를 서로 다른 축 방향의 기울기보다 크게 한 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 소자의 반사 프레임의 개구부를 통해 방출된 광에 의해 대각 방향의 조도가 개선된 카메라 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 몸체; 상기 몸체 상에 결합된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치되고 상기 복수의 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광 칩; 및 상기 발광 칩의 상부를 개방하는 개구부를 갖고 상기 몸체 상에 배치된 반사 프레임을 포함하며, 상기 발광 칩은 제1측면, 상기 제1측면에 인접한 제2측면 및 상기 제1 및 제2측면 사이의 모서리 영역을 포함하며, 상기 반사 프레임의 개구부의 둘레에 배치된 측면은, 상기 발광 칩의 제1측면에 인접한 제1반사 영역과, 상기 발광 칩의 제2측면에 인접한 제2반사 영역과, 상기 발광 칩의 모서리에 인접한 제3반사 영역을 포함하며, 상기 제3반사 영역의 기울기는 상기 제1 및 제2반사 영역의 기울기보다 큰 값을 갖는다.
실시 예에 따른 카메라 모듈은 상기의 발광 소자의 반사 프레임의 개구부 상에 배치된 광학 렌즈를 포함한다.
실시 예는 발광 소자로부터 방출된 광에 의해 타켓 스크린의 모서리 부분의 조도 량을 개선할 수 있다.
실시 예는 발광 소자에 의해 스크린의 중심 조도와 외곽 영역의 종도 차이를 줄여줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈의 광학적 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 카메라 모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1의 카메라 모듈의 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자의 사시도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 6는 도 2의 발광 소자의 반사 프레임의 개구부를 상세하게 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8은 도 6의 개구부를 상세하게 나타낸 평면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 카메라 모듈에서의 스크린을 나타낸 도면이다.
도 10은 도 1의 카메라 모듈의 발광 소자의 다른 예이다.
도 11은 도 1의 카메라 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 11의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 제1예를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 제1예를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 제3예를 나타낸 도면이다.
도 16 내지 도 22의 (A)(B)는 실시 예에 있어서, 발광 소자의 샘플들에 의한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타낸 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층 또는 각 구조물의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 카메라 모듈의 사시도이며, 도 2는 도 1의 카메라 모듈의 발광 소자를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 발광 소자의 사시도이며, 도 4는 도 2의 발광 소자의 A-A측 단면도이고, 도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이며, 도 6는 도 2의 발광 소자의 반사 프레임의 개구부를 상세하게 나타낸 도면이고, 도 7 및 도 8은 도 6의 개구부의 상세 도면이다.
도 1 내지 도 9를 참조하면, 카메라 모듈은 회로 기판(401) 상에 배치된 발광 소자(400)와 카메라부(405)를 포함하며, 상기 발광 소자(400)는 회로 기판(401) 상에서 상기 카메라부(405)에 인접하게 배치된다.
상기 회로 기판(401)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB)를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 소자(400)는 회로 기판(401)의 회로 패턴 상에 배치되며, 상기 회로 기판(401)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 소자(400) 상에는 광학 렌즈(미도시)가 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광학 렌즈는 상기 발광 소자(400)의 개구부(도 2의 445) 영역 내에 결합되거나 상기 개구부(도 2의 445) 위에 배치될 수 있다.
상기 발광 소자(400)는 상기 회로 기판(401) 상에 칩(chip)으로 탑재되거나, 칩이 패키징된 패키지로 탑재될 수 있다. 실시 예의 발광 소자는 후술되는 발광 소자의 예로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 발광소자(400)는, 몸체(410), 상기 몸체(410)에 적어도 일부가 결합된 복수의 리드 프레임(421,431), 상기 복수의 리드 프레임(421,431) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(450), 및 상기 몸체(410) 상에 배치된 반사 프레임(440)을 포함한다.
상기 몸체(410)에는 적어도 2개의 리드 프레임(421,431)이 결합될 수 있으며, 상기 적어도 2개의 리드 프레임(421,431) 상에는 발광 칩(450)이 배치될 수 있다.
상기 몸체(410)는 발광 칩(450)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(410)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(410)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(410)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘 계열의 몸체(410)은 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 몸체(410) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(410)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(410)는 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(410)는 반사 재질 예컨대, 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, 및 Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 몸체(410)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(410)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
상기 몸체(410)는 복수의 외 측면 예컨대, 적어도 4개의 측면(411,412,413,414)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면(411,412,413,414) 중 적어도 하나 또는 모두는 상기 몸체(410)의 하면 또는 리드 프레임(421,431)의 수평한 하면에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(410)는 제1 내지 제4측면(411,412,413,414)을 그 예로 설명하며, 제1측면(411)과 제2측면(412)은 서로 반대측에 위치하며, 상기 제3측면(413)과 상기 제4측면(414)은 서로 반대측에 위치한다. 상기 제1측면(411) 및 제2측면(412) 각각의 길이(Y1)는 제3측면(413) 및 제4측면(414)의 길이(X1)와 같거나 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면(411)와 상기 제2측면(412)의 길이(Y1)는 상기 제3측면(413) 및 제4측면(414)의 길이(X1)와 같거나 길게 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(411,412)은 상기 제3 및 제4측면(413,414)의 길이보다 긴 장 측면이며, 상기 제3 및 제4측면(413,414)은 상기 제1 및 제2측면(411,412)의 길이보다 짧은 단 측면으로 정의할 수 있다.
상기 제1측면(411) 또는 제2측면(412)의 길이(Y1)는 상기 제3측면(413) 및 제4측면(414) 사이의 간격일 수 있다.
상기 제1내지 제4측면(411,412,413,414) 사이의 경계 영역인 모서리 부분은 각진 면이거나 곡면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(410)의 길이는 제1축(X) 방향의 길이로서, 상기 제3 및 제4측면(413,414)의 길이(X1)인 단 측면의 길이가 될 수 있다. 상기 몸체(410)의 너비는 제2축(Y) 방향의 길이로서, 상기 제1 및 제2측면(411,412)의 길이(Y1)인 장 측면의 길이가 될 수 있다. 상기 제1 및 제2축(X,Y) 방향은 직교하는 방향이 될 수 있다.
상기 몸체(410)는 캐비티(415)를 구비하며, 상기 캐비티(415)는 상기 몸체(410)의 내측이 상면으로부터 오목한 형태로 제공될 수 있다. 상기 캐비티(415) 내에는 복수의 리드 프레임(421,431)이 노출될 수 있다.
상기 몸체(410)는 상부 둘레에 가이드 돌기(418,419)를 구비한다. 상기 가이드 돌기(418,419)는 상기 반사 프레임(440)의 삽입을 가이드하게 되며, 수평 방향의 유동을 방지할 수 있다. 상기 가이드 돌기(418,419)는 서로 이격되게 배치될 수 있으며, 제1가이드 돌기(418) 및 제2가이드 돌기(419)를 포함한다. 상기 제1가이드 돌기(418)는 상기 몸체(410)의 제3측면(413) 위로 연장되고 제1 및 제2측면(411,412) 위의 일부까지 연장될 수 있다. 상기 제2가이드 돌기(419)는 상기 몸체(410)의 제4측면(414) 위로 연장되고 제1 및 제2측면(411,412) 위의 일부까지 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2가이드 돌기(418,419)의 상면은 몸체(410)의 상면일 수 있다.
상기 캐비티(415)의 상부 둘레에는 걸림 턱(417)이 배치되며, 상기 걸림 턱(417)은 몸체(410)의 가이드 돌기(418,419)로부터 단차진 구조 예컨대, 계단형 구조, 경사진 구조 또는 곡선형 구조로 배치될 수 있다. 상기 걸림 턱(417)은 상기 반사 프레임(440)을 지지하는 지지부로 기능하게 된다. 상기 걸림 턱(417)은 상기 캐비티(415)의 바닥보다 상기 몸체(410)의 상면에 더 인접하게 배치될 수 있다.
도 2 내지 도 5와 같이, 상기 몸체(410)의 캐비티(415)의 바닥에서 제1영역에는 제1리드 프레임(421)이 배치되며, 도 5와 같이 상기 제1리드 프레임(421)의 돌출부(425)는 상기 몸체(410)의 제1측면(411)의 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 캐비티(415)의 바닥에서 제2영역에는 제2리드 프레임(431)이 배치되며, 도 5와 같이 상기 제2리드 프레임(431)의 돌출부(435)는 상기 몸체(410)의 제2측면(412)의 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431)의 돌출부(425,435)는 접촉 면적 및 방열 표면적을 증가시켜 줄 수 있어, 솔더 본딩 및 방열을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제1리드 프레임(421)의 하부에는 도 4와 같이, 단차진 구조(422,423)를 포함할 수 있으며, 상기 단차진 구조(422,423)는 몸체(410)와의 결합 력을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431)의 상부에는 도 5와 같이 단차진 구조(424,434)를 포함할 수 있으며, 상기 단차진 구조(424,434)는 몸체(410)와의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다.
또한 상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431) 내에는 적어도 하나의 구멍(미도시)을 구비할 수 있으며, 상기 구멍에는 몸체(410)의 일부가 결합될 수 있다.
상기 리드 프레임(421,431)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 리드 프레임(421,431)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 리드 프레임(421,431)은 전원을 공급하는 단자로 기능하게 된다.
상기 반사 프레임(440)은 상기 몸체(410) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 상기 캐비티(415)의 영역 상에 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 상기 제1 내지 제2리드 프레임(421,431) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 상기 캐비티(415)의 영역 내에서 상기 제1 내지 제2리드 프레임(421,431)과 수직방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다.
상기 반사 프레임(440)과 상기 몸체(410) 사이에는 접착부재(460)가 배치될 수 있다. 상기 접착부재(460)는 상기 반사 프레임(440)을 상기 몸체(410)의 캐비티(415)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 접착부재(460)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 접착제를 포함할 수 있다. 상기 접착부재(460)는 상기 몸체(410)의 재질과 동일한 재질을 포함할 수 있다. 상기 반사 프레임(460)의 일부는 상기 몸체(410)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 접착부재(460)는 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사 프레임(440)은 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf의 물질 중 적어도 하나 또는 상기 물질의 선택적인 합금으로 포함할 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 상기 몸체(410)의 반사율보다 높은 비 금속 재질일 수 있다. 상기 반사 프레임(440)은 상기 몸체(410)와 동일한 재질일 수 있으며, 상기 몸체(410)의 반사율보다 반사율이 높은 재질일 수 있다. 상기 반사 프레임(440)의 광 반사율은 상기 몸체(410)의 광 반사율보다 높을 수 있다.
상기 반사 프레임(440)은 도 4 및 도 5와 같이, 광이 방출되는 적어도 하나의 개구부(445)를 포함한다. 상기 개구부(445)는 적어도 하나의 발광 칩(450)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 개구부(445)는 상기 발광 칩(450)의 상면에 수직한 방향 방향으로 관통되는 구멍일 수 있다. 상기 개구부(445)는 상부 형상이 다각형, 원형, 타원형 또는 곡선을 갖는 마름모 형태일 수 있으며, 하부 형상이 다각형, 원형, 타원형 또는 곡선을 갖는 다각형 형태일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 개구부(445)는 상기 발광 칩(450)의 둘레를 따라 배치되고, 상기 발광 칩(450)의 상부를 개방시켜 줄 수 있다. 상기 개구부(445)는 상기 발광 칩(450)으로부터 방출된 광을 반사하고 광이 출사되는 영역이 될 수 있다.
상기 개구부(445)의 측면(442)은 하부로 내려갈수록 상기 발광 칩(450)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 개구부(445)의 측면(442)은 경사진 면일 수 있으며, 상기 경사진 면은 상기 개구부(445)의 상단부터 하단(441)으로 이은 선이 평평한 선 형태이거나 오목 또는 볼록한 곡선 형태로 제공될 수 있다. 상기 개구부(445)의 측면(442)은 상기 경사진 면이 곡면이거나 평면일 수 있다.
상기 각 발광 칩(450)의 둘레에는 반사 프레임(440)의 개구부(445)의 측면(442)이 배치되는 데, 상기 개구부(445)의 하단(441)은 상기 발광 칩(450)의 상면보다 낮은 위치에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 발광 칩(450)의 활성층(도 13의 317)의 위치보다 낮은 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라 반사 프레임(440)의 개구부(445)의 측면(442)은 활성층로부터 방출된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다.
도 4와 같이, 상기 개구부(445)의 측면 하단(441)은 제1 및 제2리드 프레임(421,431)의 상면으로부터 소정 거리(G1)로 이격된다. 예컨대, 상기 개구부(445)의 측면 하단(441)은 상기 제1리드 프레임(421)과의 거리(G1)가 50㎛ 이상 예컨대, 80㎛ 내지 150㎛ 범위일 수 있다. 상기 개구부(445)의 측면 하단(441)이 상기 범위보다 낮게 배치된 경우, 제1 및 제2리드 프레임(421,431)과의 전기적인 간섭이 발생될 수 있고, 상기 범위보다 높게 배치된 경우 광 손실이 발생될 수 있다.
상기 개구부(445)의 측면 하단(441)은 상기 발광 칩(450)과의 간격(G2)이 소정 거리로 이격될 수 있다. 예컨대, 개구부(445)의 측면 하단(441)은 상기 발광 칩(450)의 측면 간의 간격(G2)이 80㎛ 이상 예컨대, 90㎛ 내지 120㎛ 범위로 이격될 수 있다. 상기 개구부(445)의 측면 하단(441)과 상기 발광 칩(450) 간의 간격(G2)이 상기 범위보다 좁게 배치된 경우, 발광 칩(450)의 탑재 시의 공정 오차를 확보할 수 없게 되며, 상기 범위보다 넓게 배치된 경우 개구부(445)의 크기가 증가되어 광 추출 효율의 개선이 미미할 수 있다.
이러한 반사 프레임(440)의 개구부(445)의 하면 면적은 상기 발광 칩(450)의 상면 면적보다 넓을 수 있고, 상기 캐비티(415) 상에 노출된 제1리드 프레임(421)의 상면 면적보다는 좁을 수 있다. 상기 개구부(445)의 하면 면적은 상면 면적보다는 작을 수 있다.
상기 개구부(445)의 제1축(X) 방향의 하면 너비는 상기 발광 칩(450)의 제1축(X) 방향의 상면 너비보다 넓을 수 있고, 상기 캐비티(415) 상에 노출된 제1리드 프레임(421)의 제1축(X) 방향의 상면 너비보다는 좁을 수 있다.
상기 반사 프레임(440)의 외측 둘레에는 멈춤 턱(447)이 배치되며, 상기 멈춤 턱(447)은 상기 몸체(410)의 걸림 턱(417) 상으로 연장되거나 돌출될 수 있다. 상기 멈춤 턱(447)은 상기 몸체(410)의 걸림 턱(417) 상에 놓이게 되고 상기 몸체(410)의 걸림 턱(417)에 접촉될 수 있다. 상기 몸체(410)의 걸림 턱(417) 상에는 상기 멈춤 턱(447)이 걸리게 되므로, 상기 반사 프레임(440)의 삽입 깊이 또는 상기 반사 프레임(440)과 제1,2리드 프레임(421,431) 사이의 간격을 조절해 줄 수 있다.
상기 발광 칩(450)은 상기 제1리드 프레임(421) 및 제2리드 프레임(431) 중 적어도 하나의 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(450)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431) 중 적어도 하나에 전도성 접착제 또는 전도성 범프로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(450)은 플립(flip) 칩 방식으로 연결되거나, 적어도 하나 또는 복수의 와이어로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(450)은 수평형 칩 또는 수직형 칩 구조일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(450)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(450)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 발광 소자는 광도 개선을 위해, 상기 발광 칩(450)을 대면적 예컨대, 0.6mm0.6mm 이상 또는 1mm1mm 이상의 칩을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(421,431) 중 적어도 하나의 위에는 보호 칩(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 보호 칩은 상기 발광 칩(450)과 병렬로 연결되어 상기 발광 칩(450)을 보호하게 된다. 상기 보호 칩은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.
상기 발광 칩(450) 상에는 형광체 필름(455)이 배치될 수 있다. 상기 형광체 필름(455)은 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나의 형광체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 발광 칩(450)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 형광체 필름(440)은 황색 형광체 또는 녹색 및 적색 형광체를 포함할 수 있다.
다른 예로서, 상기 발광 칩(450)이 자외선 광을 발광한 경우, 상기 형광체 필름(455)은 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 모두를 가질 수 있다.
다른 예로서, 발광 칩(450) 상에 형광체 필름(455)를 형성하지 않고, 몰딩 부재(미도시)에 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 칩(450) 상에 서로 다른 컬러를 발광하는 형광체가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(415) 및 개구부(440)의 영역에는 몰딩 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(미도시)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 재질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(미도시)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 중 적어도 하나로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사 프레임(440)의 개구부(445)에는 광학 렌즈가 결합될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 발광 칩(450)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 또는 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광학 렌즈는 프레넬(Fresnel) 렌즈를 포함할 수 있다.
도 6 내지 도 8을 참조하여, 상기 반사 프레임(440)의 구조에 대해 상세하게 설명하기로 한다. 상기 반사 프레임(440)의 개구부(445)의 중심 또는 발광 칩(450)의 중심에 대해 연직선 방향을 광축(Z) 방향이라고 할 때, 상기 광축(Z) 방향에 수직한 제1축(X) 방향과 상기 제1축(X) 방향에 수직한 제2축(Y) 방향으로 정의할 수 있다.
상기 제1 및 제2축(X,Y) 사이에 상기 제1 및 제2축(X,Y)과 등각(예: 45도)을 이루는 축 방향을 제3축(W) 방향으로 정의할 수 있다. 상기 제3축(W) 방향은 상기 발광 칩(450)의 중심으로부터 대각선 방향을 지나는 방향이 될 수 있다. 상기 제1 내지 제3축(X,Y,W)은 동일 수평 면 상에 배치되며, 상기 광축(Z)과는 직교하는 방향이 될 수 있다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 상기 제1축(X)의 방향의 직선상에는 상기 광축(Z)으로부터 상기 발광 칩(450)의 측면들 중 서로 반대측 두 측면(S1)의 중심부가 놓이고, 제1 및 제2리드 프레임(421,431)을 경유할 수 있다. 상기 제2축(Y) 방향의 직선상에는 상기 광축(Z)으로부터 상기 발광 칩(450)의 측면들 중 서로 반대측 두 측면(S2)의 중심부가 놓이고, 제1리드 프레임(421) 또는 제2리드 프레임(431)를 경유할 수 있다. 상기 제3축(W) 방향의 직선상에는 상기 광축(Z)으로부터 상기 발광 칩(450)의 대각선 방향을 경유하고 제1 및 제2리드 프레임(421,431)을 경유할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 개구부(445)의 하면 중심(P1)과 상면 중심(P2)은 광축(Z) 상에 배치되며, 발광 칩(450)의 중심 상에 배치될 수 있다. 상기 개구부(445)의 하면 또는 하단 테두리는 제1윤곽선(A0)이라 정의할 수 있고, 상면 또는 상단 테두리는 제2윤곽선(B0)이라 정의할 수 있다.
상기 제1윤곽선(A0)은 상기 개구부(445)의 하면 중심(P1)으로부터 제1축(X) 방향의 직선과 교차하는 제1지점(A1), 상기 제2축(Y) 방향의 직선과 교차하는 제2지점(A2), 및 상기 제3축(W) 방향의 직선과 교차하는 제3지점(A3)을 포함한다. 상기 제1지점(A1)은 상기 발광 칩(450)의 제1측면(S1)에 인접한 영역이며, 상기 제2지점(A2)은 상기 발광 칩(450)의 제2측면(S2)에 인접한 영역이며, 상기 제3지점(A3)은 상기 발광 칩(450)의 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 모서리 영역(S3)에 인접한 영역일 수 있다.
상기 개구부(445)의 상면 또는 상단 테두리인 제2윤곽선(B0)은 상기 개구부(445)의 상면 중심(P2)으로부터 제1축(X) 방향의 직선과 교차하는 제4지점(B1), 상기 제2축(Y) 방향의 직선과 교차하는 제5지점(B2), 및 상기 제3축(W) 방향의 직선과 교차하는 제6지점(B3)을 포함한다.
상기 개구부(445)의 하면 중심(P1) 또는 광축(Z)으로부터 제1윤곽선(A0)에서 제1축(X) 선상에 놓인 제1지점(A1)까지의 제1거리(D1)는 제2축(Y) 선상에 놓인 제2지점(A2)까지의 제2거리(D2)와 동일하거나 더 길게 배치될 수 있다. 이러한 제1거리(D1)와 제2거리(D2) 간의 비율은 상기 발광 칩(450)의 제2측면(S2) 및 제1측면(S1)의 길이들의 비율일 수 있으며, 예컨대, D1:D2는 S2:S1의 길이들의 비율이거나 1:0.8 ~ 1:1의 비율일 수 있다. 상기 제2거리(D2)가 제1거리(D1)에 비해 상기의 비율보다 작거나 큰 경우 제2축(Y) 방향의 조도 분포가 제1축(X) 방향의 조도 분포에 비해 균일하지 않는 분포를 가질 수 있다. 상기 발광 칩(450)은 직사각형 또는 정사각형인 경우, 상기 제1 및 제2지점(A1,A2)과 동일한 거리로 이격될 수 있다.
상기 개구부(445)의 하면 중심(P1) 또는 광축(Z)으로부터 제1윤곽선(A0)에서 제3축(W) 선상에 놓인 제3지점(A3)까지의 제3거리(D3)는 제1 및 제2거리(D1,D2) 중 어느 하나 또는 모두보다 클 수 있다. 이에 따라 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)과 제3지점(A3)까지의 거리는 상기 발광 칩(450)의 측면(S1,S2)과 제1,2지점(A1,A2)까지의 거리와 동일하거나 다를 수 있다. 예를 들어, 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)과 제3지점(A3)까지의 거리는 상기 발광 칩(450)의 측면(S1,S2)과 제1,2지점(A1,A2)까지의 거리와 동일할 경우, 개구부(445)의 내 측면(442)의 각 지점(A1,A2,A3)은 발광 칩(450)의 각 측면(S1,S2) 및 모서리 영역(S3)과 동일한 거리를 가질 수 있다. 상기 제1지점(A1)과 제3지점(A3), 및 상기 제3지점(A3)과 상기 제2지점(A2)을 이은 선은 곡선을 포함할 수 있다.
상기 개구부(445)의 상면 중심(P2) 또는 광축(Z)으로부터 제2윤곽선(B)의 제1축(X) 선상에 놓인 제4지점(B1)까지의 제4거리(D4)는 제5지점(B2)까지의 제5거리(D5)와 동일하거나 더 길게 배치될 수 있다. 이러한 제4거리(D4)와 제5거리(D5)의 비율은 상기 제1 및 제2거리(D1,D2)의 비율과 동일할 수 있으며, 제1축(X) 방향과 제2축(Y) 방향에서의 조도 분포가 상기의 비율로 변화될 수 있다.
상기 개구부(445)의 상면 중심(P2)으로부터 제3축(W) 선상에 놓인 제6지점(B3)까지의 제6거리(D6)는 제4 및 제5거리(D4,D5) 중 어느 하나 또는 모두보다 작은 길이를 가질 수 있다. 이에 따라 개구부(445)의 내 측면(442)의 영역 중에서 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)들과 각각 대응되는 영역으로부터 반대측 영역으로 반사되는 광량이 증가될 수 있다.
상기 개구부(445)의 제1윤곽선(A0)의 제1지점(A1)과 제2윤곽선(B0)의 제4지점(B1)을 직선으로 연결한 제1선분(R1)은 광축(Z)에 대해 제1각도(θ1)로 경사지며, 상기 제2지점(A2)과 제5지점(B2)을 직선으로 연결한 제2선분(R2)은 광축(Z)에 대해 제2각도(θ2)로 경사지며, 상기 제3지점(A3)과 제6지점(B3)을 직선으로 연결한 제3선분(R3)은 광축(Z)에 대해 제3각도(θ3)로 경사질 수 있다. 상기 제3각도(θ3)는 제1 및 제2각도(θ1, θ2) 중 어느 하나 또는 모두보다 작을 수 있다.
상기 제3선분(R3)의 기울기는 상기 제1 및 제2선분(R1,R2)의 기울기에 비해 더 클 수 있다. 상기 제3선분(R3)의 기울기는 상기 제3선분(R3)과 상기 제3축(W) 사이의 외각이며, 상기 제1선분(R1)의 기울기는 상기 제1선분(R1)과 상기 제1축(X) 사이의 외각이며, 상기 제2선분(R2)의 기울기는 상기 제2선분(R2)과 상기 제2축(Y) 사이의 외각을 나타낼 수 있다.
상기 개구부(445)의 내측면(442)에서 경사진 각 영역(S11,S12,S13)의 기울기는 상기 개구부(445)의 내측면(442)과 제1,2,3축(X,Y,W) 상에 놓인 영역(S11,S12,S13) 사이의 외각일 수 있다. 상기 개구부(445)의 내측면(442)에서 경사진 각 영역(S11,S12,S13)의 기울기는 상기 제1 내지 제3선분(R1,R2,R3)의 기울기 차이로 구해질 수 있다. 상기 제1 내지 제3선분(R1,R2,R3)에 인접한 측면(442)은 평면이거나 곡면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 내측면(442)의 각 영역(S11,S12,S13)은 상기 제1축(X) 및 이에 인접한 제1반사 영역(S11), 상기 제2축(Y) 및 이에 인접한 제2반사 영역(S12), 및 상기 제3축(W) 및 이에 인접한 제3반사 영역(S13)을 포함한다.
상기 제1축(X) 선상에 놓인 제1반사 영역(S11)과 상기 제2축(Y) 상에 놓인 제2반사 영역(S12)은 상기 제3축(W) 선상에 놓인 제3반사 영역(S13) 또는 제3선분(R3)에 인접할수록 기울기가 점차 커질 수 있다. 상기 개구부(445)의 내측면(442)은, 상기 제3축(W) 선상에 인접한 영역일수록 상기 기울기가 점차 커질 수 있다. 반대로, 상기 개구부(445)의 내측면(442)은, 상기 제3축(W) 선상으로부터 먼 영역일수록 상기 기울기가 점차 작아질 수 있다.
상기 개구부(445)의 측면(442)는, 상기 발광 칩(450)의 제1측면(S1)에 인접하거나 제1축(X) 방향에 놓인 제1반사 영역(S11)과, 상기 발광 칩(450)의 제2측면(S2)에 인접하거나 제2축(Y) 방향에 놓인 제2반사 영역(S12)과, 상기 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)에 인접하거나 제3축(W) 방향에 놓인 제3반사 영역(S13)을 포함한다. 상기 제3반사 영역(S13)의 기울기는 상기 제1 및 제2반사 영역(S11,S12)의 기울기보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2반사 영역(S11,S12)은 상기 제3반사 영역(S13)에 가까울수록 기울기가 점차 커질 수 있다.
상기 제3선분(R3)을 갖는 제3반사 영역(S13)은 상기 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)에 인접한 영역으로서, 상기 제1선분(R1)을 갖는 제1반사 영역(S11)과 상기 제2선분(R2)을 갖는 제2반사 영역(S12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3반사 영역(S13)은 상기 기울기 또는 제3각도(θ3)에 의해 상기 발광 칩(450)으로부터 입사된 광을 반대측 제3반사 영역으로 반사해 줌으로써, 카메라 모듈에서 대각선 방향의 조도 분포를 개선시켜 줄 수 있고, 대각선 조도 분포와 중심부의 조도 분포의 편차를 줄여 줄 수 있다.
상기 개구부(445)의 높이(H1)는 제4거리(D4)의 1.8배 내지 2.2배 정도를 갖는 높이로서, 2mm 내지 3mm 범위를 포함할 수 있다. 상기 개구부(445)의 높이(H1)가 상기 범위보다 낮을 경우 광학 렌즈와 같은 구성의 결합이 어렵고, 광을 집광하는 데 어려움이 있으며, 상기 범위보다 높을 경우 카메라 모듈의 두께가 증가하게 되는 문제가 있다.
도 6 및 도 7과 같이, 상기 개구부(445)의 상면 너비를 보면, 제1축(X) 방향의 상면 너비(K1)과 제2축(Y) 방향의 상면 너비(K2)는 제3축(W) 방향의 상면 너비(K3)보다 클 수 있고, 상기 제3선분(R3)의 길이(E3)는 상기 제1 및 제2선분(R1,R2)의 길이(E1,E2)보다 짧을 수 있다. 이는 제3선분(R3)의 기울기가 제1 및 제2선분(R1,R2)의 기울기보다 크기 때문에, 상기와 같은 너비 차이 및 길이 차이를 제공할 수 있으며, 또한 서로 마주보는 제3선분(R3)을 갖는 영역 간의 반사 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 개구부(445)의 측면(442) 중 하단 제1윤곽선(A0)과 상단 제2윤곽선(B0) 사이의 거리(E1,E2,E3)는 상기 제3축(W) 선상에 인접할수록 점차 좁아질 수 있다.
도 7 및 도 8와 같이, 상기 개구부(445)의 하면 너비를 보면, 제1축(X) 방향의 하면 너비(K4)과 제2축(Y) 방향의 하면 너비(K5)는 서로 동일하거나 제1축(X) 방향의 하면 너비(K4)가 제2축(Y) 방향의 하면 너비(K5)보다 더 넓을 수 있다. 상기 제3축(W) 방향의 하면 너비(K6)는 상기 제1 및 제2축(X,Y) 방향의 하면 너비(K4,K5)보다 넓을 수 있다.
실시 예는 반사 프레임(440)의 개구부(445)의 하면 너비 중에서 제3축(W) 방향의 하면 너비(K6)는 제1 및 제2축(X,Y) 방향의 하면 너비(K4,K5)보다는 넓고, 상기 개구부(445)의 상면 너비 중에서 상기 제1 또는 제2축(X,Y) 방향의 상면 너비(K1,K2)가 제3축(W) 방향의 상면 너비(K3)보다 넓을 수 있다.
또한 상기 개구부(445)의 제1 내지 제3선분(R1,R2,R3)은 발광 칩(450)의 모서리 영역(S3)에 인접한 제3선분(R3)에 가까울수록 길이가 점차 작아지고, 그 기울기는 점차 커지게 될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자로부터 방출되는 조도면 형상을 사각으로 제공할 수 있고, 대각선 방향의 조도 분포는 개선될 수 있다.
도 9는 카메라 모듈에서 광 균일도를 비교하기 위한 방법을 설명하는 도면이다.
도 9를 참조하면, 카메라 모듈의 출력 화면이 4:3의 비율(x: y)인 경우, 상기 비율에 대응되는 사각형 형상의 대각선 길이를 1field로 할 때, 즉, 사각형의 대각선 길이를 100%이라 할 때, 상기 사각형을 지나는 원의 지름은 0.7field 또는 70%라 할 수 있다. 상기 원의 중심(Pc)에서 일정 거리(예: 1m)에서 1field를 측정할 때, FOV(field of view)라 하고, 0.7field를 측정할 때 0.7 FOV로 정의할 수 있다. 여기서, 일정 거리는 카메라 모듈을 평가하는 면(조사되는 면)까지의 거리이다. 상기 발광 소자는 플래시 소자로 정의될 수 있다.
상기 0.7field 사각형의 대각선 길이를 지름으로 하는 원과, 0.7field 사각형의 모서리 영역(C1,C2,C3,C4)에 수광 센서를 배치하여, 카메라 모듈의 광 균일도를 측정하게 된다.
도 2 및 도 9와 같이, 실시 예의 발광 소자(400)는 반사 프레임(440)의 개구부(445)에 의해 발광 칩(450)로부터 방출된 광의 중심 조도는 작게 낮추고 1.0필드의 조도 량은 높여줄 수 있다. 이에 따라 중심 조도와 1.0필드 간의 조도 차이는 개선될 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(400)는 대각 방향 또는 모시리 영역(C1,C2,C3,C4)의 조도를 보상해 주어, 스크린의 전 영역에서 조도 분포의 편차를 줄여줄 수 있다.
표 1은 실시 예에 따른 샘플 #0~#6을 비교한 도면으로서, 각 샘플 #0~#6은 개구부(445)의 제1거리(D1)를 기준으로 거리(D2,D3,D4,D5,D6) 및 높이(H1)를 나타낸 것이다. 여기서, 표 1의 수치의 단위는 mm이거나, 서로 간의 비율일 수 있다.
표 2는 표 1의 샘플 #0~#6일 때, 개구부(445)의 측면(442)의 제1축(X) 방향의 기울기, 제2축(Y) 방향의 기울기, 제3축(W) 방향의 기울기, 그리고 카메라 모듈에서의 조도 분포 비율을 나타낸 것이다.
구분 H1 D5 D2 D6 D3 D4 D1
샘플#0 2.380 1.728 0.940 1.546 1.118 1.687 1
샘플#1 2.380 1.728 0.940 1.617 1.118 1.687 1
샘플#2 2.380 1.728 0.940 1.898 1.118 1.687 1
샘플#3 2.380 1.728 0.940 1.997 1.118 1.687 1
샘플#4 2.380 1.728 0.940 1.617 1.005 1.687 1
샘플#5 2.380 1.728 0.940 1.748 1.005 1.687 1
샘플#6 2.380 1.728 0.940 1.798 1.005 1.687 1
구분 X-기울기 W-기울기 Y-기울기 1.0F (FOV72) 1.0F/X 1.0F/Y
샘플#0 3.020305 5.560748 3.464338 30.0% 44.8% 55.0%
샘플#1 3.020305 4.769539 3.464338 24.2% 37.0% 48.5%
샘플#2 3.020305 3.051282 3.464338 18.6% 25.2% 47.7%
샘플#3 3.020305 2.707622 3.464338 18.6% 24.8% 53.4%
샘플#4 3.020305 3.888889 3.464338 20.5% 37.7% 45.9%
샘플#5 3.020305 3.20323 3.464338 15.2% 28.1% 39.9%
샘플#6 3.020305 3.001261 3.464338 14.4% 26.4% 40.7%
여기서, 도 6을 참조하면, 표 2에서 X-기울기는 제1축 방향에서의 제1선분(R1)의 기울기이며, Y-기울기는 제2축(Y2) 방향에서의 제2선분(R2)의 기울기이며, W-기울기는 X축 및 Y축의 45도 방향인 제3축(W) 방향에서의 제3선분(R3)의 기울기이고, 1.0F는 중심 조도에 대한 모서리 부분의 밝기 비율이며, 1.0F/X는 중심 조도에 대한 제1축(X) 방향의 에지 영역의 밝기 비율이며, 1.0F/Y는 중심 조도에 대한 제2축(Y) 방향의 에지 영역의 밝기 비율일 수 있다.
상기 X-기울기는 H1/(D4-D1)로 구해지며, Y-기울기는 H1/(D5-D2)이며, W-기울기는 H1/(D6-D3)로 구해질 수 있다. 상기 Y-기울기의 값은 X-기울기 값 및 Y-기울기 값 중 어느 하나 또는 모두보다 클 수 있다.
상기 표 2에서 보면, 샘플 #0, #1, #4와 같이, W-기울기가 X 또는 Y축 방향의 기울기보다 클 때, 1.0F에서의 조도 분포가 20% 이상임을 알 수 있다. 이에 따라 실시 예에 따른 개구부의 측면을 발광 칩의 위치에 상응하도록 기울기를 조절해 줌으로써, 카메라 모듈의 조도 분포 특히 대각선 영역의 조도 분포를 더 증가시켜 줄 수 있다.
도 16 내지 도 22의 (A)(B)는 상기 샘플 #0 내지 #6의 각각의 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내고 있다. 도 16은 표 1,2의 샘플 #0에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 17은 표 1,2의 샘플 #1에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 18은 표 1,2의 샘플 #2에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 19은 표 1,2의 샘플 #3에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 20은 표 1,2의 샘플 #4에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 21은 표 1,2의 샘플 #5에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타내며, 도 22는 표 1,2의 샘플 #6에 대한 조도 분포 및 중심 밝기를 나타낸다. 여기서, 도 16에 도시된 샘플 #0에서는 모서리 영역의 조도는 X축 방향과 Y축 방향의 외곽 영역에 비해 15% 미만의 조도 편차를 가지게 된다.
도 10은 도 2의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 발광 소자는 반사 프레임(440)의 개구부(445) 아래에 복수의 발광 칩(451,452)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(451,452)은 2개가 제1축(X) 방향으로 배치되거나, 제2축(Y) 방향으로 배치될 수 있다. 다른 예로서, 3개의 발광 칩(미도시)이 3개가 중심을 120도 사이의 영역 내에 배치될 수 있다. 다른 예로서, 4개의 발광 칩이 중심 주변에 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
상기 발광 소자의 반사 프레임(440)은 몸체(410) 상에 결합되며, 상기 반사 프레임(440)의 개구부(445)는 상기 복수의 발광 칩(451,452) 상에 오픈된 구조로서, 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 여기서, 상기 복수의 발광 칩의 최 외곽 모서리 지점을 연결하는 사각형을 도 1의 발광 칩의 사각 형과 대응시켜, 상기 개구부(445)의 기울기를 제공할 수 있다.
도 11 및 도 12는 도 2의 발광 소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 발광 소자는 몸체(410), 상기 몸체(410)에 결합된 복수의 리드 프레임(421A,421B,431A), 복수의 개구부(445A,445B)를 갖는 반사 프레임(440B), 상기 개구부(445A,445B) 각각의 아래에 배치된 발광 칩(453,454)을 포함한다.
상기 몸체(410) 내에는 복수의 리드 프레임(421A,421B,431A)이 결합된다. 상기 복수의 리드 프레임(421A,421B,431A)은 2개 이상의 리드 프레임을 포함하며, 예컨대 3개 이상의 리드 프레임을 포함한다. 상기 반사 프레임(440B)의 제1개구부(445A) 아래에 제1리드 프레임(421A)과 제2리드 프레임(421B)의 제1부가 배치되고, 제2개구부(445B) 아래에 제2리드 프레임(421B)의 제2부와 제3리드 프레임(431A)이 배치될 수 있다. 상기 반사 프레임(440B)의 제1개구부(445A) 및 제2개구부(445B) 각각은 도 6 내지 도 8의 개구부(445)와 동일하므로 상기의 설명을 참조하기로 한다. 예컨대, 제1개구부(445A)의 측면(443)과 상기 제2개구부(445B)의 측면(444)는 도 6 내지 도 8에 도시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
상기 제1개구부(445A)의 아래에 배치된 제2발광 칩(453)과 상기 제2개구부(445B) 아래에 배치된 제2발광 칩(454)은 동일한 컬러의 광을 발광하거나 서로 다른 컬러의 발광을 발광할 수 있다. 상기 제1발광 칩(453)은 상기 제1리드 프레임(421A)과 제2리드 프레임(421B)의 제1부 중 적어도 하나의 위에 배치될 수 있고, 상기 제2발광 칩(454)은 상기 제2개구부(445) 아래에 제2리드 프레임(421B)의 제2부와 제3리드 프레임(431A) 중 적어도 하나의 위에 배치될 수 있다.
도 12와 같이, 상기 제2리드 프레임(421B)의 내에는 구멍(429)가 배치될 수 있으며, 상기 구멍(429)에는 몸체(410)의 일부(410A)가 결합될 수 있다. 상기 몸체(410)와 상기 반사 프레임(440B) 사이의 영역에는 접착 부재(460)가 배치될 수 있다.
상기 몸체(410)는 상기 제1개구부(445A)의 아래에 제1캐비티(415A)와 상기 제2개구부(445B) 아래에 제2캐비티(415B)가 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2캐비티(415A,415B)는 서로 이격될 수 있다.
상기 제1발광 칩(453) 상에는 제1형광체 필름(456) 및 상기 제2발광 칩(454) 상에 제2형광체 필름(457)이 배치될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(456)과 상기 제2형광체 필름(457)은 동일한 형광체 또는 서로 다른 형광체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2발광 칩(453,454)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(456)은 황색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(457)은 적색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(453,454)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(456)은 녹색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(457)은 적색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(453,454)이 청색 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(456)은 황색 및 녹색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(457)은 적색 및 녹색 형광체를 가질 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2발광 칩(453,454)이 자외선 광을 발광한 경우, 상기 제1형광체 필름(456)은 청색 및 적색 형광체를 가질 수 있고, 상기 제2형광체 필름(457)은 녹색 형광체를 가질 수 있다. 이러한 형광체 필름(456,457) 내의 형광체 종류는 발광 칩(453,454)에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 설명하기로 한다.
도 13을 참조하면, 발광 칩은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다.
상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 탑 면 및 바닥 면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판(111)은 발광 칩 내에서 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(113) 또는 제1도전형 반도체층(115)이 발광 칩의 탑 층으로 배치될 수 있다.
상기 기판(111) 아래에는 제1반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖고, 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(113)은 형성하지 않을 수 있다.
상기 제1반도체층(113) 아래에는 발광 구조물(120)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(120)은 II족 내지 V족 원소 및 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 발광 구조물(120)은 제1도전형 반도체층(115), 제2도전형 반도체층(119), 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제2도전형 반도체층(119) 사이에 형성된 활성층(117)을 포함하며, 상기 각 층(115,117,119)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1도전형 반도체층(115)은 제1반도체층(113) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.
상기 활성층(117)은 제1도전형 반도체층(115) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제2도전형 반도체층(119)은 활성층(117) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(120)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(115)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(119)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 전극층(131)이 형성된다. 상기 전극층(131)은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 전극층(131)은 상기 발광 구조물(120)의 제2도전형 반도체층(119)에 접촉된 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 둘 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 반사층의 금속은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 접촉될 수 있다. 상기 접촉층은 오믹 접촉층일 수 있으며, 투광성 재질, 금속 또는 비 금속 재질 중에서 선택될 수 있다.
상기 전극층(131)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 금속 재질의 반사층이 배치될 수 있으며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 반사층은 다른 예로서, 서로 다른 굴절률을 갖는 두 층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 형성될 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 전극층(131) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 절연층(133)은 상기 전극층(131) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 활성층(117)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 발광 구조물(120)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(131), 제1전극(135) 및 제2전극(137)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(120)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.
상기 절연층(133)은 Si, Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(133)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 발광 구조물(120)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(120)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.
상기 절연층(133)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층과 제2층이 교대로 배치된 DBR(distributed Bragg reflector) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층은 상기 제1층 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 또는 상기 제1층 및 제2층이 동일한 물질로 형성되거나 3층 이상의 층을 갖는 페어(Pair)로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 전극층은 형성하지 않을 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역 아래에는 제1전극(135)이 배치되며, 상기 전극층(131)의 일부 아래에는 제2전극(137)이 배치될 수 있다. 상기 제1전극(135) 아래에는 제1연결 전극(141)이 배치되며, 상기 제2전극(137) 아래에는 제2연결 전극(143)이 배치된다.
상기 제1전극(135)은 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제1연결 전극(141)에 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(137)은 상기 전극층(131)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(119)과 제2연결 전극(143)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135)과 상기 제2전극(137)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137) 중 적어도 하나는 암(arm) 또는 핑거(finger) 구조와 같은 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143) 중 적어도 하나는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 전원을 공급하는 리드(lead) 기능과 방열 경로를 제공하게 된다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 원 형상, 다각 형상, 원 기둥 또는 다각 기둥과 같은 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 금속 파우더의 재질 예컨대, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)과의 접착력 향상을 위하여 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 선택적인 합금 중의 어느 한 금속으로 도금될 수 있다.
상기 지지층(140)은 열 전도성 재질을 포함하며, 상기 제1전극(135), 상기 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 지지층(140)의 하면에는 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143)의 하면이 노출될 수 있다.
상기 지지층(140)은 발광 소자(100)를 지지하는 층으로 사용된다. 상기 지지층(140)은 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지층(140)은 상기 절연층(133)과 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 지지층(140) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지층(140) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있다. 상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.
상기 발광 칩의 제1 및 제2연결 전극(141,143)은 회로 기판과 전기적으로 연결된다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 발광 칩은 발광 구조물(225), 및 복수의 패드(245,247)를 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(245,247)는 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.
상기 발광 구조물(225)은 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 발광 칩은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 이러한 구성은 도 4의 발광 구조물 및 기판에 대한 설명을 참조하기로 한다.
상기 발광 칩은 하부에 패드(245,247)가 배치되며, 상기 패드(245,247)는 제1 및 제2패드(245,247)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩의 아래에 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(247)는 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상일 수 있다.
상기 발광 칩은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(250)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.
상기 발광 칩은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.
상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다.
다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다.
다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 또한 상기 발광 칩의 측면으로 방출된 광은 반사 프레임의 개구부에 의해 광학 렌즈의 입사면 영역으로 반사될 수 있다.
상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제3전극층(243) 아래에는 제1패드(245) 및 제2패드(247)가 배치된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2패드(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1/2패드(245,247) 사이에 배치된다.
상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243)과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2패드(247)는 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제1패드(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제2패드(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩의 하부에 서로 이격되며, 상기 회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩과 회로 기판 사이에는 접합 부재가 배치될 수 있으며, 상기 접합 부재는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있으며, 예컨대 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 접합 부재는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다.
상기 접합 부재는 다른 예로서, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15를 참조하면, 발광 칩은 복수의 반도체층(11,12,13)을 갖는 발광구조물(10), 상기 발광 구조물(10 아래에 제1 전극층(20), 상기 제1전극층(20) 아래에 제2 전극층(50), 상기 제1 및 제2전극층(20,50) 사이에 절연층(41), 및 패드(25)를 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(10)은 제1 반도체층(11), 활성층(12), 및 제2 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1반도체층(11)과 상기 제2 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 반도체층(11)은 제1 도전형 도펀트 예컨대, n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층(13)은 제2 도전형 도펀트 예컨대, p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 반대로, 상기 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1반도체층(11)의 상면은 러프(rough)한 요철부(11A)로 형성될 수 있으며, 이러한 요철 면(11A)는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 요철 면(11A)의 측 단면은 다각형 형상, 또는 반구형 형상을 포함할 수 있다.
상기 제1전극층(20)은 상기 발광 구조물(10)과 제2전극층(50) 사이에 배치되며, 상기 발광 구조물(10)의 제2반도체층(13)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극층(50)과 전기적으로 절연된다. 상기 제1전극층(20)은 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)를 포함하며, 상기 제1 접촉층(15)는 상기 반사층(17)과 제2반도체층(13) 사이에 배치되며, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 상기 캡핑층(19) 사이에 배치된다. 상기 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)은 서로 다른 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 접촉층(15)은 상기 제2 반도체층(13)에 접촉되며, 예컨대 상기 제2 반도체층(13)에 오믹 접촉을 형성할 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예컨대 전도성 산화막, 전도성 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), ITON(ITO Nitride), IZO(Indium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 캡핑층(19)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 반사층(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.
상기 반사층(17)은 광 반사율이 70% 이상인 금속으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층(17)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 접촉층(15)은 상기 반사층(17) 아래에 형성되고, 적어도 일부가 상기 반사층(17)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수도 있다. 다른 예로서, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)의 아래에 배치되고, 일부가 상기 제1 접촉층(15)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 반사층(17) 아래에 배치된 캡핑층(capping layer)(19)을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(19)은 상기 반사층(17)의 하면과 접촉되고, 접촉부(34)가 패드(25)와 결합되어, 상기 패드(25)로부터 공급되는 전원을 전달하는 배선층으로 기능한다. 상기 캡핑층(19)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치되며, 상기 패드(25)와 수직하게 오버랩된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 제1 접촉층(15) 및 반사층(17)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)보다 낮은 위치에 배치되며, 상기 패드(25)와 직접 접촉될 수 있다.
상기 패드(25)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 단층은 Au일 수 있고, 다층인 경우 Ti, Ag, Cu, Au 중 적어도 2개를 포함할 수 있다. 여기서, 다층인 경우 Ti/Ag/Cu/Au의 적층 구조이거나, Ti/Cu/Au 적층 구조일 수 있다. 상기 반사층(17) 및 상기 제1 접촉층(15) 중 적어도 하나가 패드(25)와 직접 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패드(25)는 제1전극층(20)의 외 측벽과 상기 발광 구조물(10) 사이의 영역(A1)에 배치될 수 있다. 상기 패드(25)의 둘레에는 상기 보호층(30) 및 투광층(45)이 접촉될 수 있다.
보호층(30)은 상기 발광구조물(10)의 하면에 배치되며, 상기 제2반도체층(13)의 하면 및 상기 제1 접촉층(15)과 접촉될 수 있고, 상기 반사층(17)과 접촉될 수 있다.
상기 보호층(30) 중 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되는 내측부는 상기 돌출부(16)의 영역과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 위로 연장되며 상기 접촉부(34)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 패드(25)와 접촉될 수 있으며, 예컨대 상기 패드(25)의 둘레 면에 배치될 수 있다.
상기 보호층(30)의 내측부는 상기 발광 구조물(10)과 상기 제1전극층(20) 사이에 배치되며, 외측부는 투광층(45)과 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 사이에 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 발광구조물(10)의 측벽보다 외측 영역(A1)으로 연장되어, 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호층(30)은 채널층, 또는 저 굴절 재질, 아이솔레이션층으로 정의될 수 있다. 상기 보호층(30)은 절연물질로 구현될 수 있으며, 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(30)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 보호층(30)은 투명한 재질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)을 전기적으로 절연시키는 절연층(41)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(41)의 상부는 상기 보호층(30)에 접촉될 수 있다. 상기 절연층(41)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(41)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 절연층(41)은 예로서 100 나노미터 내지 2000 나노미터의 두께로 형성될 수 있다. 상기 절연층(41)의 두께가 100 나노미터 미만으로 형성될 경우 절연 특성에 문제가 발생 될 수 있으며, 상기 절연층(41)의 두께가 2000 나노미터 초과로 형성될 경우에 후 공정 단계에서 깨짐이 발생 될 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)의 하면과 상기 제2전극층(50)의 상면에 접촉되며, 상기 보호층(30), 캡핑층(19), 접촉층(15), 반사층(17) 각각의 두께보다는 두껍게 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층(50)은 상기 절연층(41) 아래에 배치된 확산 방지층(52), 상기 확산 방지층(52) 아래에 배치된 본딩층(54) 및 상기 본딩층(54) 아래에 배치된 전도성 지지부재(56)를 포함할 수 있으며, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극층(50)은 상기 확산 방지층(52), 상기 본딩층(54), 상기 전도성 지지부재(56) 중에서 1 개 또는 2 개를 선택적으로 포함하고, 상기 확산 방지층(52) 또는 상기 본딩층(54) 중 적어도 하나는 형성하지 않을 수 있다.
상기 확산 방지층(52)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 절연층(41)과 본딩층(54) 사이에서 확산 장벽층으로 기능할 수도 있다. 상기 확산 방지층(52)은 본딩층(54) 및 전도성 지지부재(56)와 전기적으로 연결되고, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(54)에 포함된 물질이 상기 반사층(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사층(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(54)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)는 실시 예에 따른 상기 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(54)은 시드(seed) 층을 포함할 수도 있다.
상기 전도성 지지부재(56)는 금속 또는 캐리어 기판 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)은 발광 소자(100)를 지지하기 위한 층으로서, 그 두께는 제2전극층(50)의 두께의 80% 이상이며, 30㎛ 이상으로 형성될 수 있다.
한편, 제2접촉층(33)은 상기 제1 반도체층(11)의 내부에 배치되고 상기 제1반도체층(11)과 접촉된다. 상기 제2접촉층(33)의 상면은 상기 제1반도체층(11)의 하면보다 위에 배치될 수 있으며, 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(13)과 절연된다.
상기 제2 접촉층(33)은 상기 제2 전극층(50)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 제1전극층(20), 상기 활성층(12) 및 상기 제2반도체층(15)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 발광 구조물(10) 내에 배치된 리세스(recess)(2)에 배치되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(15)과 보호층(30)에 의해 절연된다. 상기 제2 접촉층(33)는 복수개가 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제2 접촉층(33)은 제2전극층(50)의 돌기(51)에 연결될 수 있으며, 상기 돌기(51)는 상기 확산 방지층(52)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌기(51)은 절연층(41) 및 보호층(30) 내에 배치된 홀(41A)을 통해 관통되고, 제1전극층(20)과 절연될 수 있다.
상기 제2 접촉층(33)는 예컨대 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 돌기(501)는 다른 예로서, 상기 확산 방지층(52) 및 본딩층(54)을 구성하는 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 예컨대 상기 돌기(51)은 예로서 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
패드(25)는 상기 제1 전극층(20)에 전기적으로 연결되며, 상기 발광구조물(10)의 측벽 외측의 영역(A1)에 노출될 수 있다. 상기 패드(25)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 패드(25)는 예컨대 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
투광층(45)은 상기 발광구조물(10)의 표면을 보호하고, 상기 패드(91)와 상기 발광구조물(10)의 사이를 절연시킬 수 있고, 상기 보호층(30)의 주변부와 접촉될 수 있다. 상기 투광층(45)은 상기 발광 구조물(10)을 구성하는 반도체층의 물질보다 낮은 굴절률을 가지며, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 투광층(45)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 투광층(45)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 한편, 상기 투광층(45)은 설계에 따라 생략될 수도 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)에 의해 구동될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자는 카메라 모듈에서 센터측 조도 분포가 저하되는 것을 억제하고 에지 영역 특히 모서리 영역의 조도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. 이에 따라 전체적인 광 균일도는 개선시켜 줄 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예는 발광 소자의 조도 분포를 개선할 수 있다.
실시 예는 발광 소자를 갖는 카메라 모듈의 광 균일도를 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 갖는 광학 모듈의 광학적 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.

Claims (15)

  1. 몸체;
    상기 몸체 상에 결합된 복수의 리드 프레임;
    상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치되고 상기 복수의 리드 프레임과 전기적으로 연결된 발광 칩; 및
    상기 발광 칩의 상부를 개방하는 개구부를 갖고 상기 몸체 상에 배치된 반사 프레임을 포함하며,
    상기 발광 칩은 제1측면, 상기 제1측면에 인접한 제2측면 및 상기 제1 및 제2측면 사이의 모서리 영역을 포함하며,
    상기 반사 프레임의 개구부의 둘레에 배치된 내측면은, 상기 발광 칩의 제1측면에 인접한 제1반사 영역과, 상기 발광 칩의 제2측면에 인접한 제2반사 영역과, 상기 발광 칩의 모서리 영역에 인접한 제3반사 영역을 포함하며,
    상기 제3반사 영역의 기울기는 상기 제1 및 제2반사 영역의 기울기보다 큰 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 칩은 상기 제1측면의 길이가 상기 제2측면의 길이보다 긴 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사 프레임의 개구부의 내측면은 경사진 평면 또는 곡면을 포함하는 발광 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개구부의 중심에 연직한 광축, 상기 광축에 대해 직교하는 제1축과, 상기 광축 및 제1축과 직교하는 제2축과, 상기 제1 및 제2축과 등각을 이루는 제3축이라 하고,
    상기 제1축 선상에 놓인 제1반사 영역과 상기 제2축 상에 놓인 제2반사 영역은 상기 제3축 선상에 놓인 제3반사 영역에 인접할수록 기울기가 점차 커지는 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 개구부의 내측면 하단의 제1윤곽선과 상단의 제2윤곽선 사이의 거리는 상기 제3축 선상에 인접할수록 점차 좁아지는 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광축으로부터 상기 제3축 선상에 놓인 제1윤곽선의 지점 간의 거리가 상기 제1 및 제2축 선상에 놓인 제1윤곽선의 지점들 간의 거리보다 큰 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광축으로부터 상기 제3축 선상에 놓인 제2윤곽선의 지점 간의 거리가 상기 제1 및 제2축 선상에 놓인 제2윤곽선의 지점들 간의 거리보다 작은 발광 소자.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 외측 둘레에 걸림 턱 및 상기 반사 프레임의 외측 둘레에 상기 걸림 턱 상에 배치된 멈춤 턱을 포함하는 발광 소자.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 개구부의 하면 영역보다 넓은 캐비티를 갖는 발광 소자.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체는 절연 재질을 포함하며,
    상기 반사 프레임은 상기 몸체보다 반사율이 높은 금속 재질을 포함하는 발광 소자.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사 프레임의 개구부는 복수개 배치되며,
    상기 발광 칩은 상기 개구부 각각의 아래에 적어도 하나가 배치되는 발광 소자.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 칩은 상기 개구부 아래에 복수개가 배치되는 발광 소자.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 칩 상에 형광체층을 포함하는 발광 소자.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체와 상기 반사 프레임 사이에 접착 부재를 포함하는 발광 소자.
  15. 회로 기판; 및
    상기 회로 기판 상에 배치된 발광 소자를 포함하며,
    상기 발광 소자는 청구항 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함하며,
    상기 발광 소자에 구비된 반사 프레임의 개구부 상에 광학 렌즈를 갖는 카메라 모듈.
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