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KR860009430A - 에러 정정기능을 갖추고 있으며 용장 구성을 포함한 반도체 메모리 장치· - Google Patents

에러 정정기능을 갖추고 있으며 용장 구성을 포함한 반도체 메모리 장치· Download PDF

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KR860009430A
KR860009430A KR1019860003811A KR860003811A KR860009430A KR 860009430 A KR860009430 A KR 860009430A KR 1019860003811 A KR1019860003811 A KR 1019860003811A KR 860003811 A KR860003811 A KR 860003811A KR 860009430 A KR860009430 A KR 860009430A
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vertical
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요시히로 다께마에
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후지쓰 가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

에러 정정기능을 갖추고 있으며 용장 구성을 포함한 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 ECC회로 및 용장회로를 포함하는 반도체 메모리 장치의 실시예를 예시하는 회로 다이어그램,
제5도는 제4도의 한 2차원 가상 매트릭스 구성의 다이어그램,
제6도는 본 발명에 의한 ECC회로 및 용장 구성을 포함하는 반도체 메모리 장치의 다른 실시예를 예시하는 회로 다이어그램,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
MCA : 주메모리셀 어레이 RCA' : 용장 메모리셀 어레이
DSEL, RDSEL, CDEC, RDEC, SW : 제1선택수단
HSEL, VSEL, RHSEL, RVSEL, HDEC, VDEC, F', F1', F2',…RDEC : 제2선택수단
HPG : 수평 기우 발생기 VPG : 수직 기우 발생기
HPA, VPA : 기우 기억수단 CMP : 비교회로
G1: 정정회로

Claims (4)

  1. 복수 행의 메모리와 복수 열의 메모리셀을 포함하는 주메모리셀 어레이(MCA); 복수 행의 용장 메모리셀 포함하는 용장 메모리셀 어레이(RCA'); 상기 주메모리셀 어레이와 상기 용장 메모리셀 어레이에 접속되어 있으며, 상기 주메모리셀 어레이내의 메모리셀을 선택하며 상기 주메모리셀 어레이내의 상기 메모리셀이 소정 결함셀인때 상기 주메모리셀 어레이내의 상기 메모리셀을 상기 용장 메모리셀 어레이내의 대응 용장 메모리셀로 대체시키기 위한 제1선택기수단(DSEL, RDSEL, CDEC, RDEC, SW); 및 상기 제1선택기 수단으로부터 데이터를 정정하기 위한 수평 및 수직 기우 검사형 에러 검사 및 정정회로로 구성되며, 상기 에러 검사 및 정정회로는: 상기 주메모리셀 어레이 및 용장 메모리셀 어레이에 접속되며, 상기 제1선택기 수단에 의해 선택된 상기 메모리셀을 포함하는 1행의 메모리셀로부터 기우 검사 2차원 가산 매트릭스에 대응하는 1수평 그를 메모리셀과 1수직그룹 메모리셀를 선택하며 상기 수평그룹 메모리셀 또는 상기 수직그룹 메모리셀이 상기 소정 결함셀을 포함할 때 상기 수평그룹 메모리셀 또는 상기 수직그룹 메모리셀을 상기 용장 메모리셀 어레이의 대응 행으로 대체시키기 위한 제2선택기 수단(HSEL, VSEL, RHSEL, RVSEL, HDEC, F', F1', F2', ...RDEC); 상기 제2선택기 수단에 접속되며, 상기 수평그룹 데이터로부터 수평 기우(HPi')를 발생하기 위한 수평 기우 발생기(HPG); 상기 제2선택기 수단에 접속되며, 상기 수직그룹 데이터로부터 수직 기우(VPi')를 발생하기 위한 수직 기우 발생기(VPG); 상기 주메모리셀의 각 행의 상기 소정 결함셀을 위해 소정 수평 기우(HPi) 및 소정 수직 기우(VPi)를 기억하기 위한 기우 기억수단(HPA, VPA); 상기 수평 및 수직 기우 발생기 및 상기 기우 기억수단에 접속되며 상기 수평 및 수직 기우를 각각 상기 소정 수평 기우중 대응하는 하나 및 상기 소정 수직 기우중 대응하는 하나와 비교하기 위한 비교회로(CMP); 및 상기 제1선택기 수단 및 상기 비교기에 접속되며 상기 비교기 회로의 비교결과에 따라서 상기 제1선택기 수단의 데이터를 정정하기 위한 정정회로(G1)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기우 기억수단은: 각 행이 상기 주메모리셀 어레이의 1행에 갖추어진 복수 행의 기우 셀을 포함하는 수평 기우셀 어레이(HPA); 및 각 행이 상기 주메모리셀 어레이의 1행에 갖추어진 복수 행의 기우셀을 포함하는 수직 기우셀 어레이(VPA)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수평 기우셀 어레이는 상기 주메모리셀 어레이로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2선택기 수단은: 상기 주메모리셀 어레이에 접속되며 상기 주메모리셀 어레이의 각 행으로부터 상기 수평그룹 메모리셀을 선택하기 위한 수평 선택기(HSEL); 상기 용장 메모리셀 어레이에 접속되며 상기 용장 메모리셀 어레이의 1행을 선택하기 위한 용장 수평 선택기(RHSEL); 상기 수평 선택기 및 상기 용장 수평 선택기에 접속되며 상기 수평그룹 메모리셀을 상기 용장 메모리셀 어레이의 상기 1행으로 대체시키기 위한 스위칭수단(HDEC'); 상기 주메모리셀 어레이에 접속되며 상기 주메모리셀 어레이의 각 행으로부터 상기 수직그룹 메모리셀을 선택하기 위한 수직 선택기(VSEL); 상기 용장 메모리셀 어레이에 접속되며 상기 용장 메모리셀 어레이의 1열로부터 용장 메모리셀을 선택하기 위한 용장 수직 선택기(RSEL); 및 상기 수직 선택기 및 상기 용장 수직 선택기에 접속되며 상기 수직그룹 메모리셀이 상기 소정 결함셀을 포함할 때 상기 수직그룹 메모리셀중 하나를 상기 용장셀로 대체시키기 위한 스위칭수단(VDEC', F', F0', ...F31')으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003811A 1985-05-16 1986-05-15 에러 정정기능을 갖추고 있으며 용장 구성을 포함한 반도체 메모리 장치 KR910000737B1 (ko)

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JP60-104632 1985-05-16
JP104632 1985-05-16
JP60104632A JPS61264599A (ja) 1985-05-16 1985-05-16 半導体記憶装置

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KR910000737B1 KR910000737B1 (ko) 1991-02-06

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EP (1) EP0202873B1 (ko)
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