KR20040025487A - 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 - Google Patents
마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (14)
- 입사되는 빛을 임의의 어퍼쳐(aperture) 형상으로 반사할 수 있는 마이크로 미러 어레이(Micro Mirror Array, MMA)를 구비한 반사경 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사경 유닛에는 상기 마이크로 미러 어레이를 구성하는 미러의 각도를 조절하는 구동 수단이 각각의 미러별로 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 반사경 유닛에는 상기 어퍼쳐 형상을 특정하기 위하여 상기 구동 수단의 작동을 제어하는 제어 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제어 수단은상기 노광 장치에서 전사하고자 하는 포토 마스크의 패턴에 관한 정보가 입력되는 입력부;상기 입력부에 입력된 정보에 따라서 최적의 어퍼쳐 형상을 결정하는 판단부; 및상기 판단부의 결정에 따라 상기 구동 수단의 작동을 제어하는 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 광원(light source) 유닛;상기 광원으로부터 방사되는 빛을 임의의 어퍼쳐 형상으로 반사할 수 있는 마이크로 미러 어레이를 구비한 반사경 유닛; 및상기 반사경 유닛으로부터 반사되는 빛을 이용하여 특정한 패턴을 웨이퍼에 전사하는 패턴 전사 유닛을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 반사경 유닛에는 상기 마이크로 미러 어레이를 구성하는 미러의 각도를 조절하는 구동 수단이 각각의 미러별로 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 반사경 유닛에는 상기 어퍼쳐 형상을 특정하기 위하여 상기 구동 수단의 작동을 제어하는 제어 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제어 수단은상기 노광 장치에서 전사하고자 하는 포토 마스크의 패턴에 관한 정보가 입력되는 입력부;상기 입력부에 입력된 정보에 따라서 최적의 어퍼쳐 형상을 결정하는 판단부; 및상기 판단부의 결정에 따라 상기 구동 수단의 작동을 제어하는 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 패턴 전사 유닛은 집광 렌즈(condensing lens), 포토 마스크 및 투사 렌즈(projecting lens)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 마이크로 미러 어레이가 구비된 반사경 유닛을 포함하는 노광 장치를 이용한 노광 방법에 있어서,상기 노광 장치를 이용하여 전사하고자 하는 패턴에 대한 정보를 입력하는 정보 입력 단계;입력된 정보에 따라서 상기 마이크로 미러 어레이를 구성하는 미러의 각도를 제어하는 반사각 제어 단계; 및제어된 마이크로 미러 어레이에 빛을 입사하여 노광하는 노광 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 노광 단계에서 최적의 어퍼쳐 형상으로 노광이 이루어지도록 상기 반사각 제어 단계에서 상기 각 미러가 제어되도록 하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반사각 제어 단계는상기 정보를 수신하는 정보 수신 단계;수신된 상기 정보에 따라서 최적의 어퍼쳐 형상을 결정하는 판단 단계; 및상기 판단 단계의 결정에 따라 상기 각 미러의 각도를 제어하는 제어 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 반사각 제어 단계는 상기 반사경 유닛에 구비된 제어 수단에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 노광 장치는 제1항 내지 제9항의 노광 장치 중의 하나인 것을 특징으로 하는 노광 방법.
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100852504B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2008-08-18 | 삼성전기주식회사 | 노광장치 |
KR100946248B1 (ko) * | 2008-01-09 | 2010-03-09 | 주식회사 프로텍 | 회절광학소자에 의해 형성된 다중 빔을 이용하여 다중노광을 수행하는 다중 노광시스템 |
KR100946247B1 (ko) * | 2008-01-09 | 2010-03-09 | 주식회사 프로텍 | 빔 이동에 의해 다중 노광을 수행하는 다중 노광시스템 |
KR100949873B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2010-03-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6958867B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method |
JP4735258B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2011-07-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI474132B (zh) | 2003-10-28 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI511182B (zh) | 2004-02-06 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US7283209B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
US7274502B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-09-25 | Asml Holding N.V. | System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks |
TW200923418A (en) * | 2005-01-21 | 2009-06-01 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device |
US20070153249A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
KR100746221B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 사입사 조명장치, 노광장비 및 사입사 조명방법 |
WO2008061681A2 (de) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik |
KR101446820B1 (ko) | 2007-02-06 | 2014-10-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템 내의 다수의 미러 어레이들을 감시하는 방법 및 장치 |
JP5218994B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-06-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 複数の1次光源を有する光学要素 |
JP5345132B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2013-11-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系 |
US8102506B2 (en) * | 2007-06-26 | 2012-01-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for controlling a plurality of actuators and an illumination device for lithography |
DE102008040742A1 (de) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung |
KR20090021755A (ko) * | 2007-08-28 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 반도체 기판의 노광 방법 |
JP2010537414A (ja) * | 2007-08-30 | 2010-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム |
US8451427B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
CN101681125B (zh) * | 2007-10-16 | 2013-08-21 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法 |
EP2179330A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) * | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2233960A4 (en) * | 2007-12-17 | 2012-01-25 | Nikon Corp | SPATIAL LIGHT MODULATION UNIT, OPTICAL LIGHTING SYSTEM, ALIGNMENT DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP2388649B1 (en) * | 2007-12-21 | 2013-06-19 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
DE102008009600A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
EP2243047B1 (en) | 2008-02-15 | 2021-03-31 | Carl Zeiss SMT GmbH | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
CN101910817B (zh) * | 2008-05-28 | 2016-03-09 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及器件制造方法 |
DE102008028416A1 (de) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage in der Halbleiterlitographie und Projektionsbelichtungsanlage |
EP2146248B1 (en) | 2008-07-16 | 2012-08-29 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102008040611A1 (de) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Modifizieren einer Polarisationsverteilung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
WO2010024106A1 (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP2317386B1 (en) | 2008-12-23 | 2012-07-11 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP5587917B2 (ja) | 2009-03-13 | 2014-09-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP5390691B2 (ja) | 2009-03-19 | 2014-01-15 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
DE102009030502A1 (de) | 2009-06-24 | 2010-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
US8164046B2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-04-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus |
KR101373380B1 (ko) | 2009-07-17 | 2014-03-13 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치 및 그에 포함된 광학 표면에 관한 파라미터의 측정 방법 |
EP2354853B1 (en) * | 2010-02-09 | 2013-01-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
KR20130069660A (ko) | 2010-05-06 | 2013-06-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 |
JP5850267B2 (ja) | 2010-08-30 | 2016-02-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
WO2012034571A1 (en) | 2010-09-14 | 2012-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN102859440B (zh) | 2010-12-28 | 2015-04-22 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备的照明系统 |
KR101813307B1 (ko) | 2011-01-29 | 2017-12-28 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템 |
JP5787382B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-09-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
JP5868492B2 (ja) | 2011-05-06 | 2016-02-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
US8823921B2 (en) * | 2011-08-19 | 2014-09-02 | Ultratech, Inc. | Programmable illuminator for a photolithography system |
JP5918858B2 (ja) | 2011-11-15 | 2016-05-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光変調器及び照明系 |
JP6137762B2 (ja) | 2012-10-08 | 2017-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ装置を作動させる方法 |
WO2014056513A1 (en) | 2012-10-08 | 2014-04-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP6170564B2 (ja) | 2012-10-27 | 2017-07-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
US9581910B2 (en) | 2013-01-17 | 2017-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP6114952B2 (ja) | 2013-01-17 | 2017-04-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム |
EP2876498B1 (en) | 2013-11-22 | 2017-05-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102014203041A1 (de) | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
DE102014203040A1 (de) | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
CN107592919B (zh) | 2015-05-13 | 2019-12-24 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备的照明系统 |
WO2017050360A1 (en) | 2015-09-23 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection apparatus and illuminations system of such an apparatus |
CN105549337A (zh) * | 2016-02-03 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻装置及光刻方法、显示基板的制作方法 |
DE102016213025A1 (de) | 2016-07-18 | 2016-09-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Steuerung für Mikrospiegelanordnungen in Lithographiesystemen |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221220A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Canon Inc | マスクレス露光装置 |
US5706061A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light image display system with synchronized and modulated light source |
JPH09318889A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光装置における欠陥画素の特定方法 |
JPH10209019A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Sony Corp | 露光パターン投影デバイス及び露光装置 |
JPH11320968A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-24 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 光像形成方法及びその装置、画像形成装置並びにリソグラフィ用露光装置 |
JP3540174B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2004-07-07 | ウシオ電機株式会社 | 斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法 |
JP2001005123A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Noritsu Koki Co Ltd | 印画紙用露光装置の露光光量変更方法 |
TWI220999B (en) * | 2001-02-13 | 2004-09-11 | Nikon Corp | Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium |
US6577379B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate |
US6791666B2 (en) * | 2001-11-19 | 2004-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Variable transmission focal mask for lens heating compensation |
KR20030059705A (ko) * | 2002-01-04 | 2003-07-10 | 엘지전자 주식회사 | 포토 마스크가 없는 노광장치 |
-
2002
- 2002-09-19 KR KR10-2002-0057465A patent/KR100480620B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-06-13 US US10/460,227 patent/US7061582B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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