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KR101058963B1 - 화학 기계 연마 스토퍼, 그의 제조 방법 및 화학 기계연마 방법 - Google Patents

화학 기계 연마 스토퍼, 그의 제조 방법 및 화학 기계연마 방법 Download PDF

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KR101058963B1
KR101058963B1 KR1020030087815A KR20030087815A KR101058963B1 KR 101058963 B1 KR101058963 B1 KR 101058963B1 KR 1020030087815 A KR1020030087815 A KR 1020030087815A KR 20030087815 A KR20030087815 A KR 20030087815A KR 101058963 B1 KR101058963 B1 KR 101058963B1
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chemical mechanical
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무쯔히꼬 요시오까
에지 하야시
노리히꼬 이께다
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명에 따르면, 반도체 장치 제조에서의 배선 패턴이 설치된 웨이퍼의 화학 기계 연마에 있어서, SiO2, 불소 도핑 SiO2, 유기ㆍ무기 SOG(Spin-on glass) 재료 등을 포함하는 층간 절연막을 CMP 처리에 의한 손상으로부터 보호할 수 있다.
또한, 본 발명은 절연막 상에 형성된 금속막을 연마액을 사용하여 제거할 때, 상기 절연막과 금속막 사이에 폴리카르보실란을 포함하는 화학 기계 연마 스토퍼를 설치하는 것을 특징으로 하는 화학 기계 연마 방법, 및 폴리카르보실란을 포함하는 화학 기계 연마 스토퍼를 제공한다.
화학 기계 연마 스토퍼, 화학 기계 연마 방법, 유기 규소 중합체, 폴리카르보실란, 유기 용매

Description

화학 기계 연마 스토퍼, 그의 제조 방법 및 화학 기계 연마 방법 {Chemical Mechanical Polishing Stopper, Process for Preparing the Same, and Chemical Mechanical Polishing Process}
도 1은 절연막 및 화학 기계 연마 스토퍼로 이루어지는 2층막에 개구부를 형성하고, 화학 기계 연마 스토퍼의 위 및 개구부 내에 금속층을 퇴적한 구조예.
도 2는 화학 기계 연마에 의해 불필요한 금속을 제거한 후의 구조예.
본 발명은 화학 기계 연마 스토퍼에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 반도체 장치 제조에서의 배선 패턴이 설치된 웨이퍼의 화학 기계 연마(이하, "CMP"라고도 함)에 있어서, SiO2, 불소 도핑 SiO2, 유기ㆍ무기 SOG(Spin-on glass) 재료 등을 포함하는 층간 절연막을 CMP 처리에 의한 손상으로부터 보호하기 위한 스토퍼막, 및 이 막을 사용한 화학 기계 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 장치에서의 금속 배선이나 배리어막 등의 CMP에 사용되는 연마제로서, 종래부터 콜로이드 실리카 및 콜로이드 알루미나 등의 무기 입자를 포함하는 수계 분산체가 많이 사용되고 있다. 그러나, 이들 수계 분산체를 사용하는 CMP 처리를 행하면, 층간 절연막에 스크래치나 막 박리가 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 종래의 문제를 해결하는 것으로서, 층간 절연막의 상층에 특정한 도막을 적층함으로써 CMP에 의한 층간 절연막의 손상을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 유기 규소 중합체를 포함하는 화학 기계 연마 스토퍼, 화학 기계 연마 스토퍼 형성용 도포액 및 화학 기계 연마 방법에 관한 것이다.
<발명의 실시 형태>
(A) 유기 규소 중합체
본 발명의 에칭 스토퍼는 비유전율이 4 이하인 유기 규소 중합체를 포함하는 것이다.
이들 유기 규소 중합체로서는 비유전율이 4 이하, 바람직하게는 3.5 이하인 폴리카르보실란을 들 수 있다.
특히, 이 유기 규소 중합체로서는 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체(이하, 중합체 (1)이라고 함)가 바람직하다.
Figure 112003046461514-pat00001
식 중, R1, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 방향족기이고, R3은 -C≡C-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 치환기를 가질 수도 있는 -CH2-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 2가 방향족기이다.
R1, R2의 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 도데카닐기, 트리플루오로메틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 클로로메틸기, 아미노메틸기, 히드록시메틸기, 실릴메틸기, 2-메톡시에틸기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐기로서는 비닐기, 2-프로페닐기, 이소프로페닐기, 3-부테닐기, 5-헥세닐기, 1,3-부타디에닐기, 3,3,3-트리플루오로-1-프로페닐기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐기로서는 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 부티닐기, 트리메틸실릴에티닐기, 페닐에티닐기 등을 들 수 있고, 치환기를 가질 수도 있는 방향족기로서는 페닐기, 나프틸기, 피라지닐기, 4-메틸페닐기, 4-비닐페닐기, 4-에티닐페닐기, 4-아미노페닐기, 4-클로로페닐기, 4-히드록시페닐기, 4-카르복시페닐기, 4-메톡시페닐기, 4-실릴페닐기 등을 들 수 있으며, R3 중 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 치환기를 가질 수도 있는 -CH2-로서는 메틸렌기, 플루오로메틸렌기 등에 -C≡C-가 1개 또는 2개 결합된 기를 들 수 있고, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬렌기로서는 에틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 테트라플루오로에틸렌기 등에 -C≡C-가 1개 또는 2개 결합된 기를 들 수 있고, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐렌기로서는 비닐렌기, 프로페닐렌기, 부타디에닐렌기 등에 -C≡C-가 1개 또는 2개 결합된 기를 들 수 있고, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐렌기로서는 에티닐렌기, 프로피닐렌기, 부티닐렌기 등에 -C≡C-가 1개 또는 2개 결합된 기를 들 수 있고, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 치환기를 가질 수도 있는 2가 방향족기로서는 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기, 안트라세네딜기, 피리디네딜기, 티오페네딜릴기, 플루오로페닐렌기, 클로로페닐렌기, 메틸페닐렌기, 실릴페닐렌기, 히드록시페닐렌기, 아미노페닐렌기, 페닐렌메틸렌페닐렌기, 페닐렌옥시페닐렌기, 페닐렌프로필리덴페닐렌기, 페닐렌(헥사플루오로프로필리덴)페닐렌기 등에 - C≡C-가 1개 또는 2개 결합된 기를 들 수 있다.
본 발명에서 사용하는 화학식 1로 표시되는 규소 함유 고분자 화합물로서는, 구체적으로 반복 단위가 실릴렌에티닐렌, 메틸실릴렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌, 실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 실릴렌에티닐렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌에티닐렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 디메틸실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 디메틸실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 디메틸실릴렌에티닐렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 디에틸실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 디페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 헥실실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 비닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 에티닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 2-프로페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 2-프로피닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 트리플루오로메틸실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 3,3,3-트리플루오로프로필실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 4-메틸페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 4-비닐페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 4-에티닐페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 페닐에티닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 실릴렌에티닐렌 (5-메틸-1,3-페닐렌)에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌(5-메틸-1,3-페닐렌)에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌(5-실릴-1,3-페닐렌)에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌(5-히드록시-1,3-페닐렌)에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-2,7-나프틸렌에티닐렌, 실릴렌에티닐렌 -5,10-안트라세네딜에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-4,4'-비페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌메틸렌-1',4'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌-2,2-프로필리덴-1',4'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-1,4-페닐렌-2,2-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로필리덴)-1',4'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌 -1,4-페닐렌옥시-1',4'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-2,5-피리디네딜에티닐렌, 페닐실릴렌에티닐렌-2,5-티오페네딜릴에티닐렌, 메틸실릴렌에티닐렌메틸렌에티닐렌, 페닐실릴렌-1,4-페닐렌(페닐실릴렌)에티닐렌-1',3-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌옥시(페닐실릴렌)에티닐렌, 페닐실릴렌옥시(페닐실릴렌)에티닐렌-1',4'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌이미노(페닐실릴렌)에티닐렌-1',3'-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌이미노(페닐실릴렌)에티닐렌-1',4'-페닐렌에티닐렌, 실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 실릴렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 디페닐실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌, 메틸실릴렌-1,2-페닐렌에티닐렌, 디메틸실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 디에틸실릴렌-1,3-페닐렌에티닐렌, 페닐실릴렌-1,3-부타디이닐렌, 디페닐실릴렌-1,3-부타디이닐렌, 페닐실릴렌메틸렌에티닐렌, 디페닐실릴렌메틸렌에티닐렌메틸렌, 페닐실릴렌메틸렌에티닐렌메틸렌, 실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌-1',4'-페닐렌, 메틸실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌-1',4'-페닐렌, 디메틸실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌-1',4' -페닐렌, 페닐실릴렌-1,4-페닐렌에티닐렌-1',4'-페닐렌 등을 들 수 있다.
화학식 1로 표시되는 유기 규소 중합체의 중량 평균 분자량에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 500 내지 500000이다. 이들 규소 함유 고분자 화합물의 형태는 상온에서 고체 또는 액상이다.
화학식 1로 표시되는 유기 규소 중합체의 제조 방법으로서는 염기성 산화물, 금속 수소화물, 금속 화합물류를 촉매로 하여 디에티닐 화합물과 실란 화합물의 탈수소 공중합을 행하는 방법(일본 특허 공개 (평)7-90085, 일본 특허 공개 (평)10-120689, 일본 특허 공개 (평)11-158187)이나, 염기성 산화물을 촉매로 하여 에티닐실란 화합물의 탈수소 중합을 행하는 방법(일본 특허 공개 (평)9-143271), 유기 마그네슘 시약과 디클로로실란류를 반응시키는 방법(일본 특허 공개 (평)7-102069, 일본 특허 공개 (평)11-029579), 염화제1구리와 3급 아민을 촉매로 하여 디에티닐 화합물과 실란 화합물의 탈수소 공중합을 행하는 방법(Hua Qin Liu and John F. Harrod, The Canadian Journal of Chemistry, Vol. 68, 1100-1105(1990)), 산화마그네슘을 촉매로 하여 디에티닐 화합물과 실란 화합물의 탈수소 공중합을 행하는 방법 (일본 특허 공개 (평)7-90085 및 일본 특허 공개 (평)10-204181) 등을 사용할 수 있지만, 특별히 이들 방법으로 한정되는 것은 아니다.
(B) 유기 용매
본 발명의 막형성용 조성물은 (A) 성분을 (B) 유기 용매에 용해 또는 분산시켜 이루어진다.
본 발명에서 사용하는 (B) 유기 용매로서는, 예를 들면 n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 헵탄올-3, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸헵탄올-4, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 페닐메틸카르비놀, 디아세톤알코올, 크레졸 등의 모노 알코올계 용매; 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 펜탄디올-2,4, 2-메틸펜탄디올-2,4, 헥산디올-2,5, 헵탄디올-2,4, 2-에틸헥산디올-1,3, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 글리세린 등의 다가 알코올계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 디아세톤알코올, 아세토페논, 펜콘 등의 케톤계 용매; 에틸에테르, i-프로필에테르, n-부틸에테르, n-헥실에테르, 2-에틸헥실에테르, 에틸렌옥시드, 1,2-프로필렌옥시드, 디옥솔란, 4-메틸디옥솔란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-n-헥실에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 에틸렌글리콜 모노-2-에틸부틸에테르, 에틸렌글리콜 디부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-n-헥실에테르, 에톡시트리글리콜, 테트라에틸렌글리콜 디-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 테트라히드로푸란, 2-메틸테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매; 디에틸카르보네이트, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산 벤질, 아세트산 시클로헥실, 아세트산 메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세트산 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 아세트산 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디아세트산 글리콜, 아세트산 메톡시트리글리콜, 프로피온 산 에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산 디에틸, 옥살산 디-n-부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산 디에틸, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸 등의 에스테르계 용매; N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등의 질소 함유계 용매; 황화디메틸, 황화디에틸, 티오펜, 테트라히드로티오펜, 디메틸술폭시드, 술포란, 1,3-프로판술톤 등의 황 함유계 용매 등을 들 수 있다.
이들 용매는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
그 밖의 첨가제
본 발명의 막형성용 조성물에는 경화 촉진제, 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 알루미나, 유기 중합체, 계면활성제, 실란 커플링제, 트리아젠 화합물 등의 성분을 더 첨가할 수도 있다.
이와 같이 하여 얻어지는 화학 기계 연마 스토퍼는 CMP 처리에 대한 내성이 우수하기 때문에 LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM 등의 반도체 소자 용도에 유용하다.
본 발명의 화학 기계 연마 스토퍼를 사용한 연마 방법으로서는, 예를 들면 다음과 같은 예를 들 수 있다. 실리콘 웨이퍼, SiO2 웨이퍼, SiN 웨이퍼, SiC 웨이퍼, SiCO 웨이퍼, SiCN 웨이퍼, SiCON 웨이퍼 등의 기재 상에 형성된 절연막 상에 본 발명의 화학 기계 연마 스토퍼를 형성한 후 개구부를 형성하고, 상기 화학 기계 연마 스토퍼의 위 및 상기 개구부 내에 배선용 금속을 충전하고, 배선 금속의 불필요한 부분을 화학 기계 연마액을 사용하여 제거한다.
여기서 절연막으로서는 폴리실록산, 폴리실세스퀴옥산, CVD-SiO2막, CVD-카본 도핑 SiO2막 등의 무기계 절연막을 들 수 있다.
절연막 상에 화학 기계 연마 스토퍼를 형성하기 위해서는, 우선 유기 중합체와 유기 용매를 포함하는 도포액을 스핀 코팅법, 침지법, 롤 코팅법, 분무법 등의 도장 수단에 의해 도포한다.
이 때의 막 두께는 건조막 두께로서 1회 도포로 두께 0.02 내지 1.5 ㎛ 정도, 2회 도포로는 두께 0.04 내지 3 ㎛ 정도의 도막을 형성할 수 있다. 그 후, 상온에서 건조하거나, 또는 80 내지 600 ℃ 정도의 온도로 통상 5 내지 240 분 정도 가열하여 건조함으로써 화학 기계 연마 스토퍼를 형성할 수 있다. 이 때의 가열 방법으로서는 핫 플레이트, 오븐, 퍼니스 등을 사용할 수 있으며, 가열 분위기로서는 대기하, 질소 분위기, 아르곤 분위기, 진공하, 산소 농도를 조절한 감압하 등에서 행할 수 있다.
또한, 전자선이나 자외선을 조사함으로써도 화학 기계 연마 스토퍼를 형성시킬 수 있다.
이어서, 절연막 및 화학 기계 연마 스토퍼로 이루어지는 2층막에 개구부를 형성하고, 화학 기계 연마 스토퍼의 위 및 개구부 내에 금속층을 퇴적시킨다.
여기서 금속층으로서는 질화티탄(TiN)막이나 탄탈(Ta)막 또는 질화탄탈 (TaN)막 등의 배리어 금속을 포함하는 제1 금속막과, 구리 또는 구리를 주성분으로 하는 합금 또는 구리 화합물을 포함하는 제2 금속막을 퇴적시킨 것이 통상적으로 사용된다.
도 1에 금속막 형성 후의 본 발명의 적용예를 나타낸다.
금속막 형성 후, 불필요한 금속은 CMP에 의해 제거되어 도 2에 나타낸 구조를 얻을 수 있다.
여기서 금속막을 제거할 수 있는 연마액은 공지된 연마액 중 어느 하나일 수 있으며, 본 발명의 화학 기계 연마 스토퍼는 어떠한 연마액에 대해서도 절연막의 막 감소 및 스크래치를 억제할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
또한, 실시예 및 비교예 중의 "부" 및 "％"는 특별히 기재하지 않는 한, 각각 "중량부" 및 "중량％"를 나타낸다.
또한, 실시예 중의 막형성용 조성물의 평가는 다음과 같이 하여 측정한 것이다.
중량 평균 분자량 (Mw)
하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정하였다.
시료: 테트라히드로푸란을 용매로서 사용하여, 시료 1 g을 100 cc의 테트라히드로푸란에 용해하여 제조하였다.
표준 폴리스티렌: 미국 프레셔 케미컬사 제조의 표준 폴리스티렌을 사용하였 다.
장치: 미국 워터즈사 제조의 고온 고속 겔 투과 크로마토그램(모델 150-C ALC/GPC)을 사용하였다.
칼럼: 쇼와 덴꼬(주) 제조의 SHODEX A-80M(길이 50 cm)을 사용하였다.
측정 온도: 40 ℃
유속: 1 cc/분
CMP 내성
도막을 이하의 조건으로 CMP 연마하였다.
슬러리: 실리카-과산화수소계
연마 압력 : 400 g/㎠
연마 시간: 180 초
CMP 전후의 도막의 막 두께 변화와 35만 룩스의 표면 관찰용 램프에서의 외관 검사로부터 하기 기준으로 평가하였다.
○: 막 두께 변화가 2 ％ 이하이며, 도막에 흠집이나 박리가 확인되지 않음.
×: 막 두께 변화가 2 ％를 초과하거나, 또는 도막에 흠집이나 박리가 확인됨.
<합성예 1>
폴리(페닐실릴렌에티닐렌-1,3-페닐렌에티닐렌)을 시클로헥사논에 용해시켜 15 중량％의 용액으로 하였다. 이것을 용액 ①이라고 한다.
이 용액 ①을 0.2 ㎛ 공경의 테플론제 필터로 여과하여 도막의 비유전율을 측정하였다.
비유전율은 3.0이었다.
<합성예 2>
석영제 분리형 플라스크 중에서 메틸트리메톡시실란 77.04 g, 테트라메톡시실란 24.05 g 및 테트라키스(아세틸아세토네이토)티탄 0.48 g을 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 290 g에 용해시킨 후, 쓰리 원 모터로 교반시켜 용액 온도를 60 ℃로 안정시켰다. 이어서, 이온 교환수 84 g을 1 시간에 걸쳐 용액에 첨가하였다. 그 후, 60 ℃에서 2 시간 반응시킨 후, 아세틸아세톤 25 g을 첨가하고, 30 분간 더 반응시켜 반응액을 실온까지 냉각하였다. 50 ℃에서 반응액으로부터 메탄올과 물을 포함하는 용액을 149 g 증발시켜 제거하여 용액 ②를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 가수분해 축합물(가수분해물 및 그의 축합물, 또는 그 중 어느 하나)의 중량 평균 분자량은 8,900이었다.
<실시예 1>
8 인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅법을 이용하여 합성예 1에서 얻어진 용액 ①을 도포하고, 핫 플레이트 상에서 100 ℃로 1 분간, 또한 420 ℃의 질소 분위기의 오븐 중에서 30 분간 기판을 소성하여 기판 A를 얻었다. 이 때의 도막의 막 두께는 500 nm로 조정하였다.
합성예 1에서 얻어진 용액 ①을 0.2 ㎛ 공경의 테플론제 필터로 여과한 후, 기판 A 상에 스핀 코팅법을 이용하여 막 두께가 100 nm가 되도록 도포하고, 핫 플레이트 상에서 100 ℃로 2 분간, 또한 420 ℃의 질소 분위기의 오븐 중에서 30 분 간 기판을 소성하였다.
이 기판의 CMP 내성을 평가했더니, CMP 전후의 도막의 막 두께 변화는 0.5 ％였다. 또한, CMP 후에도 기판에 흠집이나 박리는 확인되지 않았다.
<실시예 2>
실시예 1에서, 합성예 1에서 얻어진 용액 ① 대신에 합성예 2에서 얻어진 0.2 ㎛ 공경의 테플론제 필터로 여과한 용액 ②를 사용한 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작으로 얻어진 기판 A 상에 스핀 코팅법을 이용하여 막 두께가 100 nm가 되도록 도포하고, 핫 플레이트 상에서 100 ℃로 2 분간, 또한 420 ℃의 질소 분위기의 오븐 중에서 30 분간 기판을 소성하였다.
이 기판의 CMP 내성을 평가했더니, CMP 전후의 도막의 막 두께 변화는 0.8 ％였다. 또한, CMP 후에도 기판에 흠집이나 박리는 확인되지 않았다.
본 발명에 따르면, 비유전율 4 이하의 유기 중합체를 포함하는 화학 기계 연마 스토퍼를 사용함으로써 CMP 처리에 의한 손상이 적은 반도체용 도막(층간 절연막용 재료)을 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 위에 형성되고, 폴리실록산, 폴리실세스퀴옥산 및 산화 실리콘으로부터 선택되는 1 종으로 이루어진 제1 절연막과,
    상기 제1 절연막 위에 형성되고, 폴리카르보실란으로 이루어진 제2 절연막
    을 포함하고,
    상기 폴리카르보실란이 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 선택되는 1종 이상인 반도체 기판용 도막.
    <화학식 1>
    Figure 112010053045710-pat00005
    식 중, R1, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 방향족기이고, R3은 -C≡C-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 치환기를 가질 수도 있는 -CH2-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 2가 방향족기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 절연막은 비유전율이 4 이하인 반도체 기판용 도막.
  3. (a) 기판 위에 폴리실록산, 폴리실세스퀴옥산 및 산화 실리콘으로부터 선택되는 1 종으로 이루어진 제1 절연막을 형성하는 공정과,
    (b) 상기 제1 절연막 위에 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 중합체로부터 선택되는 1종 이상인 폴리카르보실란으로 이루어진 제2 절연막을 형성하는 공정과,
    (c) 상기 공정 (a)와 (b)에 의해 형성된 2층의 절연막에 개구부를 설치하는 공정과,
    (d) 상기 개구부 내 및 상기 제2 절연막 위에 금속막을 퇴적시키는 공정과,
    (e) 상기 금속막의 불필요한 부분을 연마액을 사용하여 제거하는 공정
    을 포함하는 반도체 기판의 제조방법.
    <화학식 1>
    Figure 112010053045710-pat00006
    식 중, R1, R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 방향족기이고, R3은 -C≡C-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 치환기를 가질 수도 있는 -CH2-, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알킬렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알케닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 알키닐렌기, 하나 이상의 -C≡C-와 연결된 탄소수 2 내지 30의 치환기를 가질 수도 있는 2가 방향족기이다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속막은 상기 개구부 내 및 상기 제2 절연막 위에 설치된 배리어 금속으로 이루어진 제1 금속막과, 상기 제1 금속막 위에 형성된 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 제2 금속막을 포함하는 반도체 기판의 제조방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3951124B2 (ja) * 2002-12-06 2007-08-01 Ｊｓｒ株式会社 絶縁膜
JP2005175060A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Jsr Corp 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物
JP4756128B2 (ja) * 2004-10-20 2011-08-24 日揮触媒化成株式会社 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
US20090115060A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Infineon Technologies Ag Integrated circuit device and method
US9559059B2 (en) * 2014-10-29 2017-01-31 Globalfoundries Inc. Methods of forming an improved via to contact interface by selective formation of a conductive capping layer
US9466530B2 (en) 2014-10-29 2016-10-11 Globalfoundries Inc. Methods of forming an improved via to contact interface by selective formation of a metal silicide capping layer
US10556317B2 (en) 2016-03-03 2020-02-11 P.R. Hoffman Machine Products Inc. Polishing machine wafer holder
CN111575713A (zh) * 2020-06-03 2020-08-25 常州龙润环保科技有限公司 激光加工金属辊面表层环保型酸性处理液及处理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US59899A (en) * 1866-11-20 Improvement in skates
US5198298A (en) * 1989-10-24 1993-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Etch stop layer using polymers
JPH07102069A (ja) 1993-03-24 1995-04-18 Mitsui Toatsu Chem Inc ポリ（シリレンエチニレンフェニレンエチニレン）類、その製造方法及びその硬化物
JP3418458B2 (ja) * 1993-08-31 2003-06-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3322949B2 (ja) 1993-09-22 2002-09-09 三井化学株式会社 固体塩基触媒を用いた有機ケイ素高分子の製造方法
JPH09143271A (ja) 1995-09-21 1997-06-03 Mitsui Toatsu Chem Inc 新規なケイ素系ポリマー及びその製造方法
KR100234856B1 (ko) * 1996-03-18 1999-12-15 니시무로 타이죠 흑색 착색 조성물, 고내열성 차광부재, 어레이기판, 액정표시소 자 및 어레이기판의 제조방법
JPH10120689A (ja) 1996-10-17 1998-05-12 Mitsui Chem Inc ケイ素系化合物およびケイ素系ポリマーの製造方法
JPH10204181A (ja) 1997-01-23 1998-08-04 Mitsui Chem Inc 含ケイ素高分子化合物の分別方法
JPH11158187A (ja) 1997-04-10 1999-06-15 Mitsui Chem Inc 含ケイ素化合物および含ケイ素ポリマーの製造方法
KR100266749B1 (ko) * 1997-06-11 2000-09-15 윤종용 반도체 장치의 콘택 플러그 형성 방법
JPH1129579A (ja) 1997-07-04 1999-02-02 Mitsui Chem Inc 有機ケイ素化合物およびその製造方法
US6261469B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-17 Honeywell International Inc. Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales
US6180976B1 (en) * 1999-02-02 2001-01-30 Conexant Systems, Inc. Thin-film capacitors and methods for forming the same
JP4270632B2 (ja) * 1999-03-12 2009-06-03 株式会社東芝 ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法
US6225238B1 (en) * 1999-06-07 2001-05-01 Allied Signal Inc Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes
FR2798662B1 (fr) * 1999-09-16 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Poly (ethynylene phenylene ethynylene silylenes) et leurs procedes de preparation
US6153935A (en) * 1999-09-30 2000-11-28 International Business Machines Corporation Dual etch stop/diffusion barrier for damascene interconnects
US6761975B1 (en) * 1999-12-23 2004-07-13 Honeywell International Inc. Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials
US6489030B1 (en) * 2000-04-14 2002-12-03 Honeywell International, Inc. Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier
US6395632B1 (en) * 2000-08-31 2002-05-28 Micron Technology, Inc. Etch stop in damascene interconnect structure and method of making
FR2816624B1 (fr) * 2000-11-10 2006-07-21 Commissariat Energie Atomique Poly (ethynylene phenylene ethynylene silylenes) comprenant un espaceur inerte et leurs procedes de preparation
US6583048B2 (en) * 2001-01-17 2003-06-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants

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