JPS6328035A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS6328035A JPS6328035A JP61172387A JP17238786A JPS6328035A JP S6328035 A JPS6328035 A JP S6328035A JP 61172387 A JP61172387 A JP 61172387A JP 17238786 A JP17238786 A JP 17238786A JP S6328035 A JPS6328035 A JP S6328035A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は縮小投影露光装置、特に半導体基板表面の平面
度を測定し、平面度を矯正できる半導体基板固定治具を
具備する縮小投影露光装置に関する。
度を測定し、平面度を矯正できる半導体基板固定治具を
具備する縮小投影露光装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種縮小投影露光装置の露光ステージに半導体
基板を固定する治具は半導体基板の裏面に接する治具表
面の加工精度を良くし、治具表面の平面度を上げること
により半導体基板表面の平面度を上げていた。
基板を固定する治具は半導体基板の裏面に接する治具表
面の加工精度を良くし、治具表面の平面度を上げること
により半導体基板表面の平面度を上げていた。
［発明が解決しようとする問題点］
現在、縮小投影露光装置は解像力の向上がはかられてい
る。解像力の向上をはかると、縮小投影レンズの焦点深
度が浅くなるという問題が生じる。
る。解像力の向上をはかると、縮小投影レンズの焦点深
度が浅くなるという問題が生じる。
上述した従来の半導体基板固定治具は半導体基板表面の
平面度を矯正することができないため、縮小投影レンズ
の焦点深度が浅いと、レンズ像面の半導体表面に対する
傾斜や、レンズ像面の湾曲が大きかったり、固定治具の
平面度、ウェハーの平面度が悪かったりした場合に、半
導体基板表面が焦点深度の範囲からはずれて像がぼけて
しまい、希望する解像力が得られないという欠点が必る
。
平面度を矯正することができないため、縮小投影レンズ
の焦点深度が浅いと、レンズ像面の半導体表面に対する
傾斜や、レンズ像面の湾曲が大きかったり、固定治具の
平面度、ウェハーの平面度が悪かったりした場合に、半
導体基板表面が焦点深度の範囲からはずれて像がぼけて
しまい、希望する解像力が得られないという欠点が必る
。
また半導体基板と固定治具との間にゴミなどの異物をは
さんだ場合も同様の問題を生じる。
さんだ場合も同様の問題を生じる。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の半導体基板固定治具を有する縮小投影露
光装置に対し、本発明は半導体基板の平面度を複数本の
ピンにより補正する構造に独創的内容を有する。
光装置に対し、本発明は半導体基板の平面度を複数本の
ピンにより補正する構造に独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明はフォトレジストを被覆した半導体基板と露光マ
スクとの位置合わせを行って露光を施す縮小投影露光装
置において、半導体基板を支持する領域内に設けられた
複数本の基板支持用ピンと、該ピンを個々に独立させて
上下動させる駆動素子と、前記ピンにより支持された半
導体基板の平面度を測定する測定器と、該測定器の出力
により駆動素子を駆動させて各ピンの高さ位置を調整す
る制御部とを有することを特徴とする縮小投影露光装置
でおる。
スクとの位置合わせを行って露光を施す縮小投影露光装
置において、半導体基板を支持する領域内に設けられた
複数本の基板支持用ピンと、該ピンを個々に独立させて
上下動させる駆動素子と、前記ピンにより支持された半
導体基板の平面度を測定する測定器と、該測定器の出力
により駆動素子を駆動させて各ピンの高さ位置を調整す
る制御部とを有することを特徴とする縮小投影露光装置
でおる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図に示すように本実施例１は半導体基板固定治具本
体５の上面に凹部６を設け、凹部６の周縁部に半導体基
板２の周縁を真空吸着する溝７を形成し、凹部６内に複
数本の基板支持用ピン１゜１・・・を配設し、各ピン１
を個々に独立ざぜて上下動ざぜるリニア駆動素子３にそ
れぞれ連結する。
体５の上面に凹部６を設け、凹部６の周縁部に半導体基
板２の周縁を真空吸着する溝７を形成し、凹部６内に複
数本の基板支持用ピン１゜１・・・を配設し、各ピン１
を個々に独立ざぜて上下動ざぜるリニア駆動素子３にそ
れぞれ連結する。
さらに０、ピン１，１・・・により支持された半導体基
板２の平面度を測定する測定器４と、測定器４の出力に
より各リニア駆動素子３を駆動させて各ピン１の高さ位
置を調整する制御部１２とを装置したものである。
板２の平面度を測定する測定器４と、測定器４の出力に
より各リニア駆動素子３を駆動させて各ピン１の高さ位
置を調整する制御部１２とを装置したものである。
実施例において、半導体基板２が半導体基板固定治具本
体５上に載せられると、凹部６及び周辺固定用＠７が真
空に引かれて半導体基板２が半導体基板固定治具５に吸
着される。次に半導体基板固定治具５が載ったＸ−Ｙス
テージが動いて平面度測定器４により最初の露光範囲内
の半導体基板表面の平面度を測定し、それぞれのピン１
がリニア駆動素子３により半導体基板表面が平面になる
ように動く。さらに前もって調べであるレンズ像面の傾
斜及び湾曲に半導体基板２の表面がおうようにピン１が
動き、露光を行なう。次の露光位置にＸ−Ｙステージが
動き、上記の動作を行ない露光を行なうというシーケン
スを繰返して１枚の半導体基板の露光が終了する。
体５上に載せられると、凹部６及び周辺固定用＠７が真
空に引かれて半導体基板２が半導体基板固定治具５に吸
着される。次に半導体基板固定治具５が載ったＸ−Ｙス
テージが動いて平面度測定器４により最初の露光範囲内
の半導体基板表面の平面度を測定し、それぞれのピン１
がリニア駆動素子３により半導体基板表面が平面になる
ように動く。さらに前もって調べであるレンズ像面の傾
斜及び湾曲に半導体基板２の表面がおうようにピン１が
動き、露光を行なう。次の露光位置にＸ−Ｙステージが
動き、上記の動作を行ない露光を行なうというシーケン
スを繰返して１枚の半導体基板の露光が終了する。
第２図、第３図、第４図を用いて半導体基板が矯正され
る様子を説明する。
る様子を説明する。
第２図は半導体基板２が半導体基板固定治具５上に載せ
られ、真空吸着されたところを示す。半導体基板２の平
面度の悪さや傾き、それぞれのピン１の製造誤差や高ざ
の違いなどにより、半導体基板２の表面が平面になって
いない。この半導体基板２の表面の平面度を平面度測定
器４で測定し、その結果をもとにして制御部１２の指令
により各リニア駆動素子３が半導体基板２の表面が平面
になるように動くと、第３図に示した状態になる。例え
ば、第２図の状態からリニア駆動素子３ａ、 ３ｂ。
られ、真空吸着されたところを示す。半導体基板２の平
面度の悪さや傾き、それぞれのピン１の製造誤差や高ざ
の違いなどにより、半導体基板２の表面が平面になって
いない。この半導体基板２の表面の平面度を平面度測定
器４で測定し、その結果をもとにして制御部１２の指令
により各リニア駆動素子３が半導体基板２の表面が平面
になるように動くと、第３図に示した状態になる。例え
ば、第２図の状態からリニア駆動素子３ａ、 ３ｂ。
３ｄが縮み、素子３Ｃが少し縮むことによりピンＩａ。
１ｂ、 １Ｃ，ｌｄがそれぞれの縮み量に対応して下が
り、半導体基板２の表面が第３図にように平面になる。
り、半導体基板２の表面が第３図にように平面になる。
その後、前もって測定して求めであるレンズ像面の傾斜
及び湾曲に一致するように制御部１２の指令を受けてリ
ニア駆動素子３ａ、 ３ｂ、 ３ｄが伸びでピンｌａ、
１ｂ、 １ｄが上がり第４図に示すような状態になる
。
及び湾曲に一致するように制御部１２の指令を受けてリ
ニア駆動素子３ａ、 ３ｂ、 ３ｄが伸びでピンｌａ、
１ｂ、 １ｄが上がり第４図に示すような状態になる
。
（実施例２）
第５図は本発明の実施例２の縦断面図であり第６図は第
５図中のチャック１１の詳細図である。半導体基板２が
Ｘ−Ｙステージ１０上に載せられると、周辺固定用溝７
が真空に引かれて半導体基板２はＸ−Ｙステージ１０に
固定される。ステージ駆動用モータ８によりＸ−Ｙステ
ージ１０が動いて、半導体基板２が露光位置まで移動す
る。縮小投影レンズ１２の下に縮小投影レンズ１２に対
して移動しないように固定されたチャック１１の凹部６
の真空が引かれて半導体基板２がチャック１１に固定さ
れる。
５図中のチャック１１の詳細図である。半導体基板２が
Ｘ−Ｙステージ１０上に載せられると、周辺固定用溝７
が真空に引かれて半導体基板２はＸ−Ｙステージ１０に
固定される。ステージ駆動用モータ８によりＸ−Ｙステ
ージ１０が動いて、半導体基板２が露光位置まで移動す
る。縮小投影レンズ１２の下に縮小投影レンズ１２に対
して移動しないように固定されたチャック１１の凹部６
の真空が引かれて半導体基板２がチャック１１に固定さ
れる。
次に平面度測定器４により半導体基板表面の露光範囲内
の平面度を測定し、その情報をもとにして制御部１２の
指令によりリニア駆動素子３及びピン１が動いて半導体
基板表面の矯正及び半導体基板表面が縮小投影レンズ１
３の像面の傾斜及び湾曲と一致するように補正を加え、
露光を施す。次にチャック１１の凹部６の真空をきり、
Ｘ−Ｙステージ１０が動き半導体基板２が次の露光位置
まで動く。
の平面度を測定し、その情報をもとにして制御部１２の
指令によりリニア駆動素子３及びピン１が動いて半導体
基板表面の矯正及び半導体基板表面が縮小投影レンズ１
３の像面の傾斜及び湾曲と一致するように補正を加え、
露光を施す。次にチャック１１の凹部６の真空をきり、
Ｘ−Ｙステージ１０が動き半導体基板２が次の露光位置
まで動く。
９はローラである。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は半導体基板表面の矯正を行
なうようにしたので、縮小投影レンズの高解力化にとも
なう焦点深度の狭小化により、縮小投影レンズのレンズ
像面傾斜、湾曲、また半導体基板の平面度や半導体基板
固定治具の平面度、半導体基板と半導体基板固定治具と
の間にゴミなどをはさむことなどの影響により半導体基
板表面が焦点深度の範囲からずれ、それに伴う投影像の
ぼけをなくすことができる効果を有するものである。
なうようにしたので、縮小投影レンズの高解力化にとも
なう焦点深度の狭小化により、縮小投影レンズのレンズ
像面傾斜、湾曲、また半導体基板の平面度や半導体基板
固定治具の平面度、半導体基板と半導体基板固定治具と
の間にゴミなどをはさむことなどの影響により半導体基
板表面が焦点深度の範囲からずれ、それに伴う投影像の
ぼけをなくすことができる効果を有するものである。
第１図は本発明の縮小投影露光装置が有する半導体基板
固定治具の断面図、第２図は半導体基板が半導体基板固
定治具上に載せられて真空吸着されたところを示す図、
第３図は半導体基板表面の平面度を測定し、表面を平面
になるように矯正したところを示す図、第４図は半導体
基板表面がレンズ像面の傾斜及び湾曲にあうようにざら
に矯正を加えたところを示す図、第５図は本発明の実施
例２の縦断面図、第６図は第５図中のチャックを示す詳
細図である。 １・・・ピン ２・・・半導体基板３・・
・リニア駆動素子 ４・・・平面度測定器５・・・半
導体基板固定治具本体 ６・・・凹部 ７・・・周辺固定用溝８・
・・ステージ駆動用モータ ９・・・ローラ １０・・・Ｘ−Ｙステージ
１１・・・チャック
固定治具の断面図、第２図は半導体基板が半導体基板固
定治具上に載せられて真空吸着されたところを示す図、
第３図は半導体基板表面の平面度を測定し、表面を平面
になるように矯正したところを示す図、第４図は半導体
基板表面がレンズ像面の傾斜及び湾曲にあうようにざら
に矯正を加えたところを示す図、第５図は本発明の実施
例２の縦断面図、第６図は第５図中のチャックを示す詳
細図である。 １・・・ピン ２・・・半導体基板３・・
・リニア駆動素子 ４・・・平面度測定器５・・・半
導体基板固定治具本体 ６・・・凹部 ７・・・周辺固定用溝８・
・・ステージ駆動用モータ ９・・・ローラ １０・・・Ｘ−Ｙステージ
１１・・・チャック
Claims (1)
- （１）フォトレジストを被覆した半導体基板と露光マス
クとの位置合わせを行つて露光を施す縮小投影露光装置
において、半導体基板を支持する領域内に設けられた複
数本の基板支持用ピンと、該ピンを個々に独立させて上
下動させる駆動素子と、前記ピンにより支持された半導
体基板の平面度を測定する測定器と、該測定器の出力に
より駆動素子を駆動させて各ピンの高さ位置を調整する
制御部とを有することを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172387A JPS6328035A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172387A JPS6328035A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328035A true JPS6328035A (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=15940979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172387A Pending JPS6328035A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328035A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181054A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nikon Corp | ステージ装置及びその制御方法 |
| US7459386B2 (en) | 2004-11-16 | 2008-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming solder bumps of increased height |
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| JP2010109369A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Asml Netherlands Bv | 基板の最適テイクオーバー高さを較正するための較正方法およびリソグラフィ装置 |
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| JP2013026233A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Toshiba Corp | ステージ装置及びプロセス装置 |
| JP2014502784A (ja) * | 2010-12-20 | 2014-02-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハの装着用受け取り手段 |
| JP2015099927A (ja) * | 2014-12-16 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | 基板保持装置及びパターン転写装置並びにパターン転写方法 |
| JP2017195411A (ja) * | 2017-07-14 | 2017-10-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法 |
| JP2021503103A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 基板ホルダ、基板支持部、基板をクランプシステムにクランプする方法、およびリソグラフィ装置 |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP61172387A patent/JPS6328035A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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