JPS6194322A - 薄板の表面形状矯正装置 - Google Patents
薄板の表面形状矯正装置Info
- Publication number
- JPS6194322A JPS6194322A JP59215146A JP21514684A JPS6194322A JP S6194322 A JPS6194322 A JP S6194322A JP 59215146 A JP59215146 A JP 59215146A JP 21514684 A JP21514684 A JP 21514684A JP S6194322 A JPS6194322 A JP S6194322A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- surface shape
- diaphragm
- thin plate
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、半導体ウェハ等の薄板の表面形状を、矯正す
る装置に関し、例えば半導体露光装置のウェハチャック
に適用されウェハの平面度を矯正してマスクとウェハの
フォーカスずれを補正するために用いられる表面形状矯
正装置に関する。
る装置に関し、例えば半導体露光装置のウェハチャック
に適用されウェハの平面度を矯正してマスクとウェハの
フォーカスずれを補正するために用いられる表面形状矯
正装置に関する。
［発明の背景］
従来、半導体露光装置のウェハを露光する過程において
は、マスクとウェハ間のフォーカスずれを無くするため
、ウェハチャックの平面度を良くし、その平面度に倣う
ようにウェハを吸着固定していた。しかし、この場合、
ウェハチャックは表面に高精度な平面度が要求されると
ともにその平面度を常に管理しなければならず、ウェハ
チャックのコストが増大したり、厳しい保守方法が必要
であるという不都合があった。また、このようなウェハ
全面を吸着する方法では、必ずしもウェハチャックの平
面度にウェハの平面度が倣って固定されるとは限らず、
その場合、マスクとウェハとの間のフォーカスずれを生
じマスクの象を忠実にウェハに転写することができない
という不都合があった。
は、マスクとウェハ間のフォーカスずれを無くするため
、ウェハチャックの平面度を良くし、その平面度に倣う
ようにウェハを吸着固定していた。しかし、この場合、
ウェハチャックは表面に高精度な平面度が要求されると
ともにその平面度を常に管理しなければならず、ウェハ
チャックのコストが増大したり、厳しい保守方法が必要
であるという不都合があった。また、このようなウェハ
全面を吸着する方法では、必ずしもウェハチャックの平
面度にウェハの平面度が倣って固定されるとは限らず、
その場合、マスクとウェハとの間のフォーカスずれを生
じマスクの象を忠実にウェハに転写することができない
という不都合があった。
一方、このような欠点を解消する目的で、ウェハ各部の
真空吸着力をそれぞれ独立して調整するようにしたちの
く特開昭５７−８７１２９号、特開昭５７−１７７５３
６号等）も提案されている。
真空吸着力をそれぞれ独立して調整するようにしたちの
く特開昭５７−８７１２９号、特開昭５７−１７７５３
６号等）も提案されている。
しかし、このような吸着のみによる方法では、ウェハ中
央が凸形に反っている場合の矯正は比較的好適に行なわ
れるものの凹形の場合は矯正が難しいという不都合が残
っていた。
央が凸形に反っている場合の矯正は比較的好適に行なわ
れるものの凹形の場合は矯正が難しいという不都合が残
っていた。
また、マスクとウェハのフォーカスがウェハ面上でずれ
ている場合すなわち光学的にベストフォーカスの位置が
平面ではない場合、従来はウェハの表面形状をベストフ
ォーカス面の形状に合わせることはできなかった。
ている場合すなわち光学的にベストフォーカスの位置が
平面ではない場合、従来はウェハの表面形状をベストフ
ォーカス面の形状に合わせることはできなかった。
し発明の目的］
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、もとの
ウェハの反り方向が凹凸いずれの場合であっても、ウェ
ハの平面度を速い追従時間で矯正することが可能な表面
形状矯正装置を提供することを目的とする。また、ベス
トフォーカス面が平面でない投影露光装置等においても
、この表面形状矯正装置を適用することにより露光すべ
きウェハの表面形状をベストフォーカス面の形状に合わ
せてウェハの全面をフォーカス位置に設定することが可
能な表面形状矯正装置を提供す葛ことをさらなる目的と
する。
ウェハの反り方向が凹凸いずれの場合であっても、ウェ
ハの平面度を速い追従時間で矯正することが可能な表面
形状矯正装置を提供することを目的とする。また、ベス
トフォーカス面が平面でない投影露光装置等においても
、この表面形状矯正装置を適用することにより露光すべ
きウェハの表面形状をベストフォーカス面の形状に合わ
せてウェハの全面をフォーカス位置に設定することが可
能な表面形状矯正装置を提供す葛ことをさらなる目的と
する。
［実施例の説明］
第１図は、本発明の一実施例に係る表面形状矯正装置を
適用したウェハチャックの構成を示す。
適用したウェハチャックの構成を示す。
同図において、１はマスクの像が焼付けられるウェハ、
２はウェハチャック本体、３はウェハ吸着用圧力供給溝
（以下、チューブという）で、ウェハ１はウェハチャッ
ク本体２の周辺部に環帯状に設けられているウェハ支持
部２１上に載置され、このウェハ支持部２１の頂部にこ
れも円状に設けられたウェハ吸着用圧力供給溝（以下、
真空溝という）２２にチューブ３を介して真空が印加さ
れることによりウェハチャック本体２に吸着固定される
。
２はウェハチャック本体、３はウェハ吸着用圧力供給溝
（以下、チューブという）で、ウェハ１はウェハチャッ
ク本体２の周辺部に環帯状に設けられているウェハ支持
部２１上に載置され、このウェハ支持部２１の頂部にこ
れも円状に設けられたウェハ吸着用圧力供給溝（以下、
真空溝という）２２にチューブ３を介して真空が印加さ
れることによりウェハチャック本体２に吸着固定される
。
５はウェハチャック本体２のウェハ支持部２２の内側に
形成されている凹部２３に取付けられたダイヤフラムで
、このダイヤフラム５のウェハ１に対接する作用面５１
には環状のウェハ吸着用圧力供給溝（真空溝）５２が設
けられている。このダイヤフラム５は、ウェハ１がウェ
ハチャック本体２に載置され真空がチューブ３を介して
真空溝５２に印加されたときウェハ１と吸着係合する。
形成されている凹部２３に取付けられたダイヤフラムで
、このダイヤフラム５のウェハ１に対接する作用面５１
には環状のウェハ吸着用圧力供給溝（真空溝）５２が設
けられている。このダイヤフラム５は、ウェハ１がウェ
ハチャック本体２に載置され真空がチューブ３を介して
真空溝５２に印加されたときウェハ１と吸着係合する。
７はダイヤフラム５を変形させる駆動回路例えばサーボ
バルブ、８はウェハ１の表面形状を設定する指令部、９
は平面度測定器である。この平面度測定器９としては、
例えば静電容量型変位測定装置またはレーザ型変位測定
装置等の変位測定装置を用いてウェハ１上の複数箇所の
変位を測定し、これらの測定値を比較することにより平
面度を求めるように構成すればよい。
バルブ、８はウェハ１の表面形状を設定する指令部、９
は平面度測定器である。この平面度測定器９としては、
例えば静電容量型変位測定装置またはレーザ型変位測定
装置等の変位測定装置を用いてウェハ１上の複数箇所の
変位を測定し、これらの測定値を比較することにより平
面度を求めるように構成すればよい。
１０はダイヤフラム５内に真空あるいは加圧空気を供給
するエアー管、１１は圧力センサ、１２は平面度測定器
９によって得られた値あるいは圧力センサ１１で得られ
た値と指令部８から与えられる指令値との差分を駆動回
路７に動作量として与える演算回路である。
するエアー管、１１は圧力センサ、１２は平面度測定器
９によって得られた値あるいは圧力センサ１１で得られ
た値と指令部８から与えられる指令値との差分を駆動回
路７に動作量として与える演算回路である。
次に、上記構成に係る表面形状矯正装置の動作を説明す
る。
る。
ウェハ１がウェハチャック本体２に載置されると、チュ
ーブ３に真空が供給され、ウェハ１は真空溝２２および
５２によりウェハチャック本体２およびダイヤフラム５
に吸着される。続いて、平面度測定器９が、ウェハ１の
表面形状例えば平面度を測定し、この平面度測定器９の
出力は演算回路１２に供給される。演算回路１２は、こ
の平面度測定器９の出力と指令部８によって出力された
ウェハ１の表面形状データとの差分を演算する。駆動部
７は、演算回路１２の演算出力に応じてダイヤフラム５
への供給圧を制御し、ダイヤフラム５を変形してその作
用面５１を変位させ、ウェハ１の表面形状を凹、平坦ま
たは凸状等に変える。以上の平面度測定ないしダイヤフ
ラムの変形動作が負帰還的に繰り返されすなわちフィー
ドバック制御によってウェハ１の表面形状が指令部８に
よって与えられた形状に矯正される。
ーブ３に真空が供給され、ウェハ１は真空溝２２および
５２によりウェハチャック本体２およびダイヤフラム５
に吸着される。続いて、平面度測定器９が、ウェハ１の
表面形状例えば平面度を測定し、この平面度測定器９の
出力は演算回路１２に供給される。演算回路１２は、こ
の平面度測定器９の出力と指令部８によって出力された
ウェハ１の表面形状データとの差分を演算する。駆動部
７は、演算回路１２の演算出力に応じてダイヤフラム５
への供給圧を制御し、ダイヤフラム５を変形してその作
用面５１を変位させ、ウェハ１の表面形状を凹、平坦ま
たは凸状等に変える。以上の平面度測定ないしダイヤフ
ラムの変形動作が負帰還的に繰り返されすなわちフィー
ドバック制御によってウェハ１の表面形状が指令部８に
よって与えられた形状に矯正される。
なお、第１図の表面形状測定装置を半導体露光装置に適
用した場合、露光時は平面度測定器９でウェハ１の平面
度を測定することが困難なので、露光前までは上記動作
にてウェハ１の表面形状を矯正するとともに、露光時は
平面度測定器９を露光光路外へ退避させ代りに圧力セン
サ１１の値をフィードバックしてダイヤフラム５への供
給圧を一定値に保持しダイヤフラム５の変形を保つよう
にしている。
用した場合、露光時は平面度測定器９でウェハ１の平面
度を測定することが困難なので、露光前までは上記動作
にてウェハ１の表面形状を矯正するとともに、露光時は
平面度測定器９を露光光路外へ退避させ代りに圧力セン
サ１１の値をフィードバックしてダイヤフラム５への供
給圧を一定値に保持しダイヤフラム５の変形を保つよう
にしている。
このように第１図のウェハチャックにおいては、周辺部
でのみウェハ１を支持し固定するとともに、中央部にダ
イヤフラム５を設け、このダイヤフラム５に供給する圧
力を制御することでウェハの中央部を上下に駆動し表面
形状を平面または所望の曲率の凹または凸状に矯正する
ことができるようにしているため、半導体露光装置にお
けるウェハの反りやベストフォーカス面が平面でないこ
とに基因するマスクとウェハのウェハ面内でのフォーカ
スずれを無くすことができ、そのフォーカスずれによる
ウェハへの転写像の悪化を防ぐことができる。
でのみウェハ１を支持し固定するとともに、中央部にダ
イヤフラム５を設け、このダイヤフラム５に供給する圧
力を制御することでウェハの中央部を上下に駆動し表面
形状を平面または所望の曲率の凹または凸状に矯正する
ことができるようにしているため、半導体露光装置にお
けるウェハの反りやベストフォーカス面が平面でないこ
とに基因するマスクとウェハのウェハ面内でのフォーカ
スずれを無くすことができ、そのフォーカスずれによる
ウェハへの転写像の悪化を防ぐことができる。
［実施例の変形例］
なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実施することができる。例えば上述の実施例に
おいて、ウェハチャックは、ウェハを真空吸着により固
定しているが、ウェハをウェハ支持部に対して上から機
械的に押付けて固定する押付固定手段等、他の手段によ
り固定するようにしてもよい。また、上述においては１
個のダイヤフラムを用いているが、複数個のダイヤフラ
ムを用いて各ダイヤフラムを個々に制御するようにすれ
ば、より綿密な表面形状矯正を行なうことができる。
変形して実施することができる。例えば上述の実施例に
おいて、ウェハチャックは、ウェハを真空吸着により固
定しているが、ウェハをウェハ支持部に対して上から機
械的に押付けて固定する押付固定手段等、他の手段によ
り固定するようにしてもよい。また、上述においては１
個のダイヤフラムを用いているが、複数個のダイヤフラ
ムを用いて各ダイヤフラムを個々に制御するようにすれ
ば、より綿密な表面形状矯正を行なうことができる。
Ｃ発明の効果ｊ
以上のように本発明によれば、ウェハ等の薄板の一部を
固定するとともに他の一部をダイヤフラムに吸着して上
下に変位させるようにしているため、薄板が凹凸いずれ
に反っている場合であってもその表面形状を所望の平面
または曲面に矯正することができる。したがって、この
表面形状矯正装置を半導体露光装置に適用すればその露
光装置の投影系のベストフォーカス面が曲面の場合であ
ってもウェハを所望の曲率に反らすことによりウェハ全
面をフォーカス位置に設定することができる。また、薄
板表面をダイヤスラムにより変位させているため、表面
形状矯正のための追従時間も速い。
固定するとともに他の一部をダイヤフラムに吸着して上
下に変位させるようにしているため、薄板が凹凸いずれ
に反っている場合であってもその表面形状を所望の平面
または曲面に矯正することができる。したがって、この
表面形状矯正装置を半導体露光装置に適用すればその露
光装置の投影系のベストフォーカス面が曲面の場合であ
ってもウェハを所望の曲率に反らすことによりウェハ全
面をフォーカス位置に設定することができる。また、薄
板表面をダイヤスラムにより変位させているため、表面
形状矯正のための追従時間も速い。
第１図は本発明の一実施例に係るウェハチャックの概略
断面図である。 −１：ウェハ、２：ウェハチャック本体、３：ウェハ吸
着用圧力供給管、２１：ウェハ支持部、２２．５２：ウ
ェハ吸着用圧力供給溝、５：ダイヤフラム、５１：作用
面、７：駆動部、８：指令部、９：平面度測定器、１０
：エアー管、１１：圧力センサ、１２：演算回路。 第１図
断面図である。 −１：ウェハ、２：ウェハチャック本体、３：ウェハ吸
着用圧力供給管、２１：ウェハ支持部、２２．５２：ウ
ェハ吸着用圧力供給溝、５：ダイヤフラム、５１：作用
面、７：駆動部、８：指令部、９：平面度測定器、１０
：エアー管、１１：圧力センサ、１２：演算回路。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄板の一部を固定する固定手段と、作用面に薄板吸
着手段を備え該吸着手段により該薄板の固定部分以外の
少なくとも一部に係合して該部分を変位させるダイヤフ
ラムと、該ダイヤフラムへの供給圧を制御する手段とを
具備することを特徴とする薄板の表面形状矯正装置。 ２、前記固定手段が、真空圧により薄板を吸着固定する
特許請求の範囲第１項記載の薄板の表面形状矯正装置。 ３、前記薄板吸着手段が、真空吸着手段である特許請求
の範囲第１または２項記載の薄板の表面形状矯正装置。 ４、前記薄板が半導体ウェハである特許請求の範囲第１
〜３項いずれか１つに記載の薄板の表面形状矯正装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215146A JPS6194322A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄板の表面形状矯正装置 |
| US06/786,077 US4737824A (en) | 1984-10-16 | 1985-10-10 | Surface shape controlling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215146A JPS6194322A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄板の表面形状矯正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194322A true JPS6194322A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16667439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215146A Pending JPS6194322A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄板の表面形状矯正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194322A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347535A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Kitashiba Electric Co Ltd | リアクトル |
| JP2010530636A (ja) * | 2007-06-21 | 2010-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法 |
| JP2012507138A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-22 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ装置、および方法 |
| US8446566B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9013682B2 (en) | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59215146A patent/JPS6194322A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347535A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Kitashiba Electric Co Ltd | リアクトル |
| JP2010530636A (ja) * | 2007-06-21 | 2010-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法 |
| US9013682B2 (en) | 2007-06-21 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Clamping device and object loading method |
| US8446566B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-05-21 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9122174B2 (en) | 2007-09-04 | 2015-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012507138A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-22 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ装置、および方法 |
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