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JPH11111819A - ウェハーの固定方法及び露光装置 - Google Patents

ウェハーの固定方法及び露光装置

Info

Publication number
JPH11111819A
JPH11111819A JP9265807A JP26580797A JPH11111819A JP H11111819 A JPH11111819 A JP H11111819A JP 9265807 A JP9265807 A JP 9265807A JP 26580797 A JP26580797 A JP 26580797A JP H11111819 A JPH11111819 A JP H11111819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
exposure
exposure apparatus
fixing
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9265807A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Imai
啓二 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Microsystems Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Microsystems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Microsystems Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Microsystems Co Ltd
Priority to JP9265807A priority Critical patent/JPH11111819A/ja
Publication of JPH11111819A publication Critical patent/JPH11111819A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、半導体の露光工程におけるウ
ェハーの固定方法、並びにこれを実行する露光装置にお
いて、ウェハーが異物により歪みにくく、曲部的な焦点
位置ズレが生じにくく、また、さらにウェハーに撓みが
生じる場合にこれを積極的に補正して、マスクパターン
転写時の解像度を良好なものとすることができるウェハ
ーの固定装置並びに露光装置を提案することにある。 【解決手段】ウェハーＷの周縁部のみを露光装置の露光
台１に接触させ、該ウェハーＷの周縁部を前記露光台１
に固定するウェハーの固定方法及び露光装置を提案して
上記課題を解決する。また、さらに前記ウェハーＷの中
央部と前記露光台１との間に圧力調整室４を設け、該気
密室に正圧または負圧を加えて圧力調整することで、ウ
ェハーＷの中央部に生じた撓みを補正する固定方法及び
露光装置を提案する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーを露光装
置内の露光台上に固定する方法並びにその露光装置に関
し、特に露光時に、ウェハー表面に撓みが生じることの
無いように固定することができるウェハーの固定方法並
びに露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光装置が有する露光台は図７及
び図８に示すような構造を有していた。図７( ａ) は第
１従来例の露光台の平面図を、同図( ｂ) は同従来例
の、ウェハーを載置した状態の露光台の側断面図を示
す。また、図８( ａ) は第２従来例の露光台の平面図
を、同図( ｂ) は同じく、ウェハーを載置した状態の露
光台の側断面図を示す。
【０００３】図７(a) に示すように、第１従来例の露光
台51は平面がウェハーと略同じ形状を有する円形台であ
る。この露光台51は、その周縁部が高くなってリング型
チャック52が形成されており、中央部は低くなって空間
54が形成されている。また、この空間54にはリング型チ
ャック52と同じ高さの多数の支持突起53がマトリクス状
に配置されている。
【０００４】このため、図７( ｂ) に示すように、ウェ
ハーＷを露光台51に載せた状態にあっては、ウェハーＷ
はリング状チャック52と多数の支持突起53とにより支持
されることになり、空間54はウェハーＷと露光台51とに
挟まれた気密空間となる。なお、円形のウェハーＷは、
位置決めの必要性から一端を欠いて、ここにオリエンテ
ーションフラット（以下、オリフラという）と呼ばれる
切り欠き部を形成するが、露光台51のリング型チャック
52もこの形状に合わせるように、フラット部52ａが形成
されている。
【０００５】以上のようにウェハーＷを露光台51上の所
定位置に載置した状態で、吸引ポンプ55を用いて空間54
の空気を抜くと、空間54が低圧になって、ウェハーＷを
露光台51上に吸引固定することができる。
【０００６】また、図８( ａ) 、( ｂ) に示す第２従来
例の露光台61は、第１従来例と同様に、周縁部が高くな
ってリング型チャック62が形成され、中央部が低くなっ
て空間64が形成されている。また、ウェハーＷのオリフ
ラを一致させるためのフラット部62ａも同様に形成され
ている。
【０００７】本従来例の露光台では、第１従来例の支持
突起53の代りに同心円状の支持円条63が設けられてお
り、ウェハーＷを載置した場合、リング型チャック62及
び支持円条63がこれを支持する。
【０００８】そして、同様に、吸引ポンプ55を用いて空
間64の空気を抜くと、その吸引力によりウェハーＷは露
光台61上に吸引固定される。本従来例の露光台61では、
空間64が支持円条63のそれぞれにより複数の部屋に区切
られるので、気密性をそれぞれの部屋で保つことがで
き、ウェハーのより確実な固定を行うことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上示した第１、第２
従来例の露光台51、61上に固定されたウェハーＷは、フ
ォトレジストが塗布され、さらにリソグラフィー工程に
よりマスクパターンが転写される。ここで使用されるマ
スクパターンは、近年の半導体素子の高集積化に伴って
きわめて微細なものになっている。
【００１０】このため、ウェハーＷの裏面と接触する、
リング型チャック52、62、又は支持突起53、支持円条63
の上面に10μｍオーダー以上の異物（ゴミ）が存在した
場合、この異物がウェハーＷを歪ませて、マスクパター
ンが転写される表面に盛り上がりを生じさせてしまう。
そして、この盛り上がりは、露光装置の投影光学系から
のパターン像の焦点位置を狂わせるため、部分的にパタ
ーン像がウェハーＷ表面で結像しなくなり解像度悪化が
生じる可能性があった。このため、これら従来例の露光
装置は、リソグラフィー工程時、パターン不良を引き起
こし、大量の製品不良を生じさせる可能性があるという
問題点を有していた。
【００１１】そこで、本発明の目的は、半導体の露光工
程におけるウェハーの固定方法、並びにこれを実行する
露光装置において、ウェハーが異物により歪みにくく、
曲部的な焦点位置ズレが生じにくいウェハーの固定方法
並びに露光装置を提案することにある。また、本発明の
別の目的は、ウェハーに撓みが生じる場合にこれを積極
的に補正して、マスクパターン転写時の解像度を良好な
ものとすることができるウェハーの固定装置並びに露光
装置を提案することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願発明のウェハーの固定方法は、ウェハーの周縁
部のみを露光装置の露光台に接触させ、該ウェハーの周
縁部を前記露光台に固定することにより、上記課題を解
決している。
【００１３】また、ウェハーの固定方法であって、前記
ウェハーの中央部と前記露光台との間に圧力調整室を設
け、該圧力調整室に正圧または負圧を加えて圧力調整す
ることで、ウェハーの中央部に生じた撓みを補正する構
成とすることもできる。
【００１４】また、上記方法を具体化した装置として、
前記露光台はウェハーの周縁部のみに接触し、該ウェハ
ーの周縁部を固定する環状チャックを有する露光装置を
構成することができる。
【００１５】さらに、環状チャックで囲まれた空間を、
正圧または負圧を加えて圧力調整することにより前記ウ
ェハーの中央部に生じた撓みを補正する圧力調整室とす
れば、ウェハーに生じた撓みを積極的に補正できる露光
装置を構成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本願発明に係る連結装置の第１実
施形態を図１乃至図４を用いて説明する。図１は本実施
形態に係る露光装置の構造図、図２は同露光装置の露光
台の平面図、図３は同露光装置の露光台の作動の説明
図、図４は同露光装置の制御フローチャートである。
【００１７】本実施形態の露光装置Ａは、ウェハーＷを
載置し、これを固定する露光台１と、レーザーまたは L
ED光等の照準によりウェハーＷの表面の平坦度を測定す
る検査装置10とを有する。露光装置Ａは、他に、マスク
の保持手段、投影手段等を有し、露光台１上のウェハー
Ｗの表面にマスクパターンを転写するための複合的な装
置であるが、これら他の手段は図示しない。
【００１８】図１及び図２に示すように、露光台１は、
ウェハーＷと略同一の平面形状を有する直径１５〜３０
ｃｍ程度の円形台である。露光台１の周縁部は高さ数ｍ
ｍ程度の立設片となって環状チャックであるリング型チ
ャック２が形成される。このリング型チャック２の上端
には、ウェハーＷが接触した際、これを吸引して保持す
る吸引孔２ａが全周に渡って複数穿孔されている。な
お、リング型チャック２はウェハーＷのオリフラと一致
するようにフラット部２ｂが設けられており、吸引孔２
ａもこのフラット部２ｂにおいてはこれに沿って設けら
れている。また、リング型チャック２はチタン合金、ま
たはセラミックにより形成され、その上面はウェハーＷ
との密着性を高めるために、水平に仕上げられている。
【００１９】このリング型チャック２の下端に沿って、
露光台１には底部３が形成され、この部分に圧力調整室
４が形成される。この底部３には放射状に複数の圧力調
整孔３ａが穿孔されている。
【００２０】また、リング型チャック２にはその上端に
突出可能な昇降ピン５が等角度で複数個所（本実施形態
の場合は３個所）取り付けられており、この昇降ピン５
を上昇させた状態では、ウェハーＷを載置した際、リン
グ型チャック２との間に隙間Ｓを生じさせることができ
る構造となっている。
【００２１】露光台１の外部には、吸引機能のみを有す
る第１ポンプ21が設けられており、通気路21ａを介し
て、前記リング型チャック２の吸引孔２ａに接続されて
いる。また、加圧／吸引の切り替え可能な第２ポンプ22
も並列に設けられており、通気路22ａを介して前記底部
３の圧力調整孔３ａに接続されている。
【００２２】露光台１上の検査装置10は、ウェハーＷ表
面にレーザーまたは LED光等を照射する発信機11とウェ
ハーＷ表面から反射したレーザー光を受光するセンサ12
とから構成され、十字計測してウェハーＷ表面の平坦度
を計測する。センサ12は制御装置23に接続され、センサ
12の計測結果に基づいて、制御装置23により第２ポンプ
22が制御される。なお、制御装置23は第１ポンプ21にも
接続され、第１ポンプ21は昇降ピン５や図示しないウェ
ハーＷの搬送手段とともにシークエンス制御される。
【００２３】次に、本実施形態の露光装置の作動を、図
３及び図４に基づいて説明する。まず、昇降ピン５上を
上昇させた状態でウェハーＷを露光台１上に降ろし、こ
れを昇降ピン５によって支持させる（図１参照）。この
時、ウェハーＷは吸着式ハンド（図示せず）によりウェ
ハーＷの裏面を把持されて、所定位置へ位置決めされる
が、吸着式ハンドは昇降ピン５によりリング型チャック
２上に隙間が生じているので、干渉しないで進入、待避
できる。その後、昇降ピン５を下降させ、リング型チャ
ック２の上端にウェハーＷの周縁部を当接させるように
これを露光台１上に載置する。
【００２４】かかる状態で、図３( ａ) に示すように、
制御装置23が第１ポンプ21を作動させ、吸引孔２ａによ
りウェハーＷを吸着することにより、これを露光台１上
に固定する。これにより露光台１の圧力調整室４の上面
はウェハーＷによって塞がれ、リング型チャック２の上
端とウェハーＷの周縁部が全周囲に渡って密着するため
に、圧力調整室４は気密室となる。
【００２５】ウェハーＷはその中央部が支持されていな
いために、自重により撓む可能性があり、また、この露
光工程に至る過程で熱処理等により撓みが発生する可能
性がある。このため、図３( ｂ) 、( ｃ) に示すよう
に、検査装置10の作動によりこの撓み（以下、ベンドと
いう）を検出する。具体的には、レーザーまたは LED光
等の発信機11によりレーザー光等を照射し、反射したレ
ーザー光等をセンサ12が受光して、ウェハーＷ表面の平
坦度をスキャニングする。このスキャニングはウェハー
Ｗ表面を直交する二方向から十字に行い、ベンドが発生
しているか、そして、ベントが発生している場合は、凸
状なのか、凹状なのかを検知し、その歪量も同時に把握
する。
【００２６】もしベントがウェハーＷの表面に対して下
方に生じている場合、すなわち凹状である場合は、図３
( ｂ) に示すように、制御装置23は第２ポンプ22を加圧
モードで作動させ、正圧を付与する。第２ポンプ22によ
り送られた空気は露光台１の圧力調整室４の内圧を高
め、これがウェハーＷの中央部を上方に持ち上げて、凹
みを矯正する。なお、上記した検査装置10による計測お
よびウェハーのスキャニングは、第２ポンプ22の作動中
も行い、制御装置23はウェハーＷの凹みが許容平坦度の
範囲内に入った時点でこれを停止させる。
【００２７】また、ベントがウェハーＷの表面に対して
上方に生じている場合、すなわち凸状である場合は、図
３( ｃ) に示すように、制御装置23は第２ポンプ22を吸
引モードで作動させ、負圧を付与する。このことによ
り、圧力調整室４の内圧を下げ、ウェハーＷの中央部を
引き下げることによって、膨らみを矯正する。同様に、
並行した検査装置10による計測により、第２ポンプ22の
停止タイミングは決定される。
【００２８】以上述べた露光台１の作動を制御装置23に
よる制御フローとして、図４を用いて再度説明する。
【００２９】まず、図示しない吸着式ハンドを用いてウ
ェハーＷをリング型チャック２上に載置させ（Ｓ１）、
次に、検査装置10を用いてウェハーＷ表面を十字にフォ
ーカス計測することにより（Ｓ２）、この情報に基づい
てベンド量（撓み量）を計測する（Ｓ３）。
【００３０】リソグラフィ工程でマスクパターンを転写
する上で問題が生じないベンド量の範囲（トレランス）
を予め設定しておき、上記計測量がトレランス内（許容
範囲内）かどうかを判断する（Ｓ４）。もし計測値がト
レランス外にある場合は、ベンド量がプラス（凸状）か
マイナス（凹状）かによってウェハーＷの撓み形状を判
断する（Ｓ５）。
【００３１】以上の結果に基づき、ウェハーＷの形状が
凸状であり、膨らんでいると判断された場合は第２ポン
プ22を吸引モードで作動させ、圧力調整室４内を低圧に
してウェハーＷの中央部を引き込んで形状を補正する
（Ｓ６）。また、ウェハーＷの形状が凹状であり、凹ん
でいると判断された場合は第２ポンプ22を加圧モードで
作動させ、圧力調整室４内を高圧にしてウェハーＷの中
央部を上方に押圧して形状を補正する（Ｓ７）。
【００３２】それぞれの補正作業が終了すると、検査装
置10を用いて再度ベンド量を計測し（Ｓ８）、トレラン
ス内かを判断する（Ｓ９）。もし、上記補正作業にも関
わらずトレランス外であった場合は、再度、Ｓ５に戻り
ベンド量の計測を行い、以下上記の作業を繰り返す。
【００３３】Ｓ４における判断結果、並びにＳ９におけ
る判断結果がトレランス内であった場合は、ウェハーア
ラインメント作業、露光作業等を行う次のシーケンス制
御へ移行し（Ｓ10）、その後、図示しない吸着式ハンド
を用いてウェハーＷを搬出して一連の作業を終了する
（Ｓ11）。
【００３４】以上説明したように、本実施形態の露光装
置によれば、ウェハーＷはその周縁部のみが露光台１の
リング型チャック２に接触するのみで、その他の部分は
露光台１と非接触状態が保たれる。このため、露光作業
空間中にゴミ等の異物が存在しても、ウェハーＷの裏面
と露光台１の間に異物が挟み込まれて、ウェハーＷ表面
の平坦度が悪化することを防止することができる。
【００３５】加えて、本実施形態の露光装置では、圧力
調整室を用いてより積極的にウェハーＷのベンドを補正
することができるために、ウェハーＷ表面の平坦度を向
上させることができ、マスクパターンの解像度を良好な
ものとして、生産する半導体素子の歩留まりを改善する
ことができる。
【００３６】本発明の第２実施形態並びに第３実施形態
を図５及び図６を用いて説明する。図５は第２実施形態
に係るクランプ式露光台の説明図であり、また、図６は
第３実施形態に係るクランプ式露光台の説明図である。
これらの図に示される露光台31、41はウェハーＷを吸引
孔２ａにより吸着固定していた第１実施形態の露光台１
と異なり、クランプを用いてウェハーＷを固定する構造
を有している。
【００３７】なお、これらの実施形態の露光台が組み込
まれる露光装置は、第１実施形態と同様に、ウェハーＷ
表面の平坦度を検査する検査装置、ウェハーＷを搬送す
るための吸着式ハンドの干渉回避する昇降ピン、加圧／
吸引を切り替え可能なポンプ、さらに一連の作業を制御
する制御装置等を有するが、図中省略する。
【００３８】図５( ａ) は、第２実施形態に係る、ウェ
ハーを載置した状態の露光台の平面図を示し、同図(
ｂ) は同露光台の側断面図を示す。本実施形態の露光台
31はリング型チャック32と底部33とを有し圧力調整室34
を構成している。また、底部33には圧力調整孔33ａが複
数穿孔されており、この圧力調整孔33ａは、図示しない
加圧／吸引の切り替え機構を有するポンプ（第１実施形
態の第２ポンプに該当）に接続されている。
【００３９】リング型チャック32の外側には、その四方
を囲むように複数（この場合は４つ）の爪型クランプ35
が配置されている。この爪型クランプ35は、断面Ｌ字型
であって、水平片35ａがリング型チャック32に一部重な
っており、昇降可能な機構を有する。そして、この爪型
クランプ35を降下させることによって、ウェハーＷの周
縁部をリング型チャック32の上端との間に挟み込んでこ
れを固定することができる。
【００４０】本実施形態の露光台31を有する露光装置に
よれば、第１実施形態の露光装置に比べて、ウェハーＷ
を吸着するためのポンプ（第１実施形態では第１ポン
プ）並びに通気路を必要としないために、構造が簡単に
なるという利点を有する。また、リング型チャック32の
上面に吸引孔を開口する必要がないため、リング型チャ
ック32の厚さを薄くすることが可能であり、ウェハーＷ
との露光台１との接触面積をさらに減らして、異物の影
響をきわめて小さいものとすることができる。
【００４１】次に、図６を用いて、第３実施形態の露光
台41を説明する。同図( ａ) は、同実施形態の、ウェハ
ーを載置した状態の露光台の平面図を示し、同図( ｂ)
は同露光台の側断面図を示す。露光台41が、リング型チ
ャック42及び底部43とを有して、圧力調整室44を構成し
ていることは、第２実施形態の露光台31と同様である。
また、底部43には圧力調整孔43ａが複数穿孔されてお
り、この圧力調整孔43ａは、同様に図示しない加圧／吸
引の切り替え機構を有するポンプに接続されている。
【００４２】この露光台41では、リング型チャック42の
外周に沿って、リング型クランプ45が配置されている。
このリング型クランプ45は断面Ｌ字型の環状体であっ
て、その水平片45ａの内径はリング型チャック42より小
径であって、一部がリング型チャック42に重なる構造と
なっている。そして、このリング型クランプ45を降下さ
せることにより、ウェハーＷ周縁部の全周囲をリング型
チャック42の上端との間に挟み込むことができる。
【００４３】本実施形態の露光台41を有する露光装置に
よれば、リング型クランプ45がウェハーＷの全周囲に渡
ってリング型チャック42に固定するために、圧力調整室
44の気密性をより高めることができる効果を有する。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体の製造工程に行われるウェハーの固定方法、並び
にそれを実行する露光装置において、ウェハーをその周
縁部のみを接触させて露光台に固定することにより、両
者間にゴミなどの異物が入りにくくすることができる。
このため、ウェハーの露光工程において、ウェハーが異
物により歪みにくく、曲部的な焦点位置ズレが生じにく
いウェハーの固定方法並びに露光装置とすることができ
る。
【００４５】また、さらに本発明のウェハーの固定方法
並びに露光装置では、ウェハーと露光台との間に形成さ
れる圧力調整室に正圧または負圧をかけることにより、
ウェハーの撓みを積極的に補正して、マスクパターン転
写時の解像度をさらに良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の構造図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の露光台の平面図
である。
【図３】第１実施形態に係る露光装置の作動の説明図で
ある。
【図４】第１実施形態に係る露光装置の制御フローチャ
ートである。
【図５】第２実施形態に係る露光装置の露光台の説明図
である。
【図６】第３実施形態に係る露光装置の露光台の説明図
である。
【図７】第１従来例に係る露光装置の露光台の説明図で
ある。
【図８】第２従来例に係る露光装置の露光台の説明図で
ある。
【符号の説明】
Ａ …露光装置 Ｗ …ウェハー １ …露光台 ２ …リング型チャック（環状チャック） ２ａ …吸引孔 ２ｂ …フラット部 ３ …底部 ３ａ …圧力調整孔 ４ …圧力調整室 ５ …昇降ピン 10 …検査装置 11 …レーザー光または LED光等の発信機 12 …センサ 21 …第１ポンプ 21ａ …通気路 22 …第２ポンプ 22ａ …通気路 23 …制御装置 31 …露光台 32 …リング型チャック（環状チャック） 33 …底部 33ａ …圧力調整孔 34 …圧力調整室 35 …爪型クランプ 35ａ …水平片 41 …露光台 42 …リング型チャック（環状チャック） 43 …底部 43ａ …圧力調整孔 44 …圧力調整室 45 …リング型クランプ 45ａ …水平片 51 …露光台 52 …リング型チャック 52ａ …フラット部 53 …支持突起 54 …空間 55 …吸引ポンプ 61 …露光台 62 …リング型チャック 62ａ …フラット部 63 …支持円条 64 …空間

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】露光装置にウェハーを固定する方法であっ
    て、前記ウェハーの周縁部のみを前記露光装置の露光台
    に接触させ、該ウェハーの周縁部を前記露光台に固定す
    ることを特徴としたウェハーの固定方法。
  2. 【請求項２】請求項１に記載したウェハーの固定方法で
    あって、前記ウェハーの中央部と前記露光台との間を圧
    力調整室とし、該圧力調整室に正圧または負圧を加えて
    圧力調整することで、前記ウェハーの中央部に生じた撓
    みを補正することを特徴とするウェハーの固定方法。
  3. 【請求項３】請求項２に記載したウェハーの固定方法で
    あって、前記ウェハー周縁部の、前記露光台への固定
    は、真空チャック方式によることを特徴とするウェハー
    の固定方法。
  4. 【請求項４】請求項２に記載したウェハーの固定方法で
    あって、前記ウェハー周縁部の、前記露光台への固定
    は、クランプ方式によることを特徴とするウェハーの固
    定方法。
  5. 【請求項５】請求項２に記載したウェハーの固定方法で
    あって、前記圧力調整室の圧力調整による前記ウェハー
    の撓みの補正は、前記ウエハー表面を十字にフォーカス
    計測し、撓みの状態を判定した結果に基づいて行うこと
    を特徴とするウェハーの固定方法。
  6. 【請求項６】ウェハーを露光台上に保持し、該ウェハー
    の表面にマスクにより電子回路パターンを転写する露光
    装置であって、前記露光台は前記ウェハーの周縁部のみ
    に接触し、該ウェハー周辺部を固定する環状チャックを
    有することを特徴とする露光装置。
  7. 【請求項７】請求項６に記載した露光装置であって、前
    記環状チャックで囲まれた空間を、正圧または負圧を加
    えて圧力調整することにより前記ウェハーの中央部に生
    じた撓みを補正する圧力調整室としたことを特徴とする
    露光装置。
  8. 【請求項８】請求項６に記載した露光装置であって、前
    記環状チャックは該環状チャックの上端に開口した吸引
    孔を有し、該吸引孔による真空チャック方式により前記
    ウェハーの周縁部を固定することを特徴とする露光装
    置。
  9. 【請求項９】請求項６に記載した露光装置であって、前
    記環状チャックは該環状チャックの上方に昇降可能なク
    ランプを有し、該クランプが環状チャックとの間に前記
    ウェハーを挟み込むクランプ方式により前記ウェハーの
    周縁部を固定することを特徴とする露光装置。
  10. 【請求項１０】請求項６に記載した露光装置であって、
    前記圧力調整室の圧力調整による前記ウェハーの撓みの
    補正は、前記ウエハー表面を十字にフォーカス計測し、
    撓みの状態を判定する制御装置の結果により行うことを
    特徴とする露光装置。
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