JPH09326356A - 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 - Google Patents
露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)
Abstract
光学系や原版と基板間の位置測定精度を改善する。基板
の移動を簡単な構成で高精度にする。 【解決手段】 投影光学系2と原版ステージ1を第2定
盤9上に配置し、3点に配置したダンパ11および支柱
12を介して第2定盤を支持し、3点が構成する三角形
の重心と投影光学系の重心とを一致させる。この三角形
を二等辺三角形とし、第2定盤上において、三角形の二
等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に走査させ
る。基板ステージを支持する第1定盤7と第2定盤間の
距離を測定する場合に、第1定盤上の測定点を、第1定
盤の3つの支持点による三角形の各頂点とそれに隣接す
る辺の中点とを通る直線上とする。また、基板ステージ
を、走査方向に移動する第1ステージ3bと、その上の
走査方向に直角に移動する第2ステージ3aとで構成す
る。
Description
板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造する
ために用いられる露光装置およびそれを用い得るデバイ
ス製造方法に関する。
エハ等の基板をステップ移動させながら基板上の複数の
露光領域に原版のパターンを投影光学系を介して順次露
光するステッパや、投影光学系に対し相対的にマスク等
の原版と基板とを同期走査させて原版のパターンを基板
上に露光する走査型の露光装置等が知られている。
の露光が行えるように、前記ステップ移動と走査露光と
を繰り返すことにより、基板上の複数の領域に高精度で
微細なパターンの露光を行う、ステップ・アンド・スキ
ャン型の露光装置が提案されている。この露光装置で
は、スリットにより制限して投影光学系の比較的光軸に
近い部分のみを使用しているため、より高精度且つ広画
角な微細パターンの露光が可能となっている。
うなステップ・アンド・スキャン型の露光装置等の高精
細な露光を目的とする露光装置において、投影光学系の
性能を十分に引き出し、真に露光精度を向上させるため
には、さらに、原版と基板間の位置的整合性を向上させ
る必要がある。
れを用い得るデバイス製造方法において、原版と基板間
の位置的整合性の向上を図るための新たな技術を提供す
ることにある。
影光学系、原版、基板等の支持方法や基板の走査方向と
の兼ね合いを見直し、走査露光時の基板ステージの移動
に伴う支持手段の変形を極力排除することにある。第2
に、このような支持手段の変形による投影光学系や原版
と基板との間の位置関係の測定精度の劣化を極力排除
し、かかる位置関係の制御をより高精度で行なえるよう
にすることにある。第3に、基板ステージの移動に伴う
発熱の量を減少させ、温度の安定化を図ることにより温
度の不均一や変動による露光精度の劣化を排除すること
にある。第4に、より簡単な構成により走査露光時の基
板の走査方向への移動をより高精度に行なえるようにす
ることにある。
るための本発明の露光装置は、原版のパターンの一部を
投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相
対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原
版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置で
あって、前記原版を保持する原版ステージと、前記投影
光学系および前記原版ステージを設けた定盤と、この定
盤を3点に配置したダンパおよび支柱を介して支持する
支持手段とを備え、前記3点が構成する三角形の重心と
前記投影光学系の重心とが一致することを特徴とする。
あるいは、さらに前記原版ステージを前記定盤上で前記
走査のために走査方向に移動させる駆動手段を備え、前
記3点は2等辺三角形を構成しており、その2等辺が交
わる点と重心とを結ぶ直線に対して前記走査方向は平行
であることを特徴とする。
装置の前部に位置し、残りの1点が装置の奥に位置し、
装置への前記基板の搬入経路が、装置前部の前記2点に
配置された2つの前記支柱の間を経て設定されているの
が好ましい。
デバイス製造方法は、原版のパターンの一部を投影光学
系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前
記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパタ
ーンを前記基板に露光するデバイス製造方法であって、
前記原版を原版ステージによって保持し、前記投影光学
系および原版ステージを定盤上に配置し、3点に配置し
たダンパおよび支柱を介して前記定盤を支持し、かつ前
記3点が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心
とを一致させ、そして前記走査を行なうことを特徴とす
る。さらには、前記三角形を二等辺三角形とし、前記走
査に際し、前記原版ステージを、前記定盤上において、
前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平
行に移動させることを特徴とする。
装置の前部に配置し、残りの1点を装置の奥に配置し、
装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記2点に位置
する2つの前記支柱の間を経て行なうのが好ましい。
発明の露光装置は、基板を基板ステージにより移動させ
ながら、原版のパターンを投影光学系を介して前記基板
上に露光する露光装置であって、前記基板ステージを設
けた第1の定盤と、この第1定盤を3点において支持す
る支持手段と、前記原版および投影光学系を設けた第2
の定盤と、前記第1および第2定盤間の距離を測定する
測定手段とを備え、前記測定手段の前記第1定盤上にお
ける測定点は、その測定方向にみれば、前記3点が構成
する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る
直線上に存在することを特徴とする。
発明のデバイス製造方法は、基板を基板ステージにより
移動させながら、原版のパターンを投影光学系を介して
前記基板上に露光するデバイス製造方法であって、前記
基板ステージを第1の定盤上に設け、前記原版および投
影光学系を第2の定盤上に設け、前記第1定盤を3点で
支持し、前記第1および第2定盤間の距離を、第1定盤
上における測定点が、その測定方向にみれば、前記3点
が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点と
を通る直線上に存在するようにして測定し、その測定結
果に基づいて前記第1および第2定盤間の相対位置を制
御しながら前記露光を行うことを特徴とする。
発明の別の露光装置は、基板を基板ステージにより移動
させながら、原版のパターンを投影光学系を介して前記
基板上に露光する露光装置であって、前記基板ステージ
を設けた第1の定盤と、この第1定盤を3点において支
持する支持手段と、前記原版および投影光学系を設けた
第2の定盤と、前記第1および第2定盤間の距離を測定
する測定手段とを備え、前記測定手段は、その前記第1
定盤上での測定点における、予め測定された前記基板ス
テージの移動による前記第1定盤の変形量を考慮して前
記距離の測定を行うものであることを特徴とする。
発明の別のデバイス製造方法は、基板を基板ステージに
より移動させながら、原版のパターンを投影光学系を介
して前記基板上に露光するデバイス製造方法であって、
前記基板ステージを第1の定盤上に設け、前記原版およ
び投影光学系を第2の定盤で支持し、前記第1定盤を3
点で支持し、前記第1および第2定盤間の距離を、第1
定盤上での測定点における、予め測定された前記ステー
ジの移動による前記第1定盤の変形量を考慮して測定
し、その測定結果に基づいて前記第1および第2定盤間
の相対位置を制御しながら前記露光を行うことを特徴と
する。
るための本発明の露光装置は、原版のパターンの一部を
投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相
対的に原版と基板を共に走査することにより原版のパタ
ーンを基板に露光する走査露光を、前記基板上の複数領
域に対して、ステップ移動を介在させながら行うステッ
プおよび走査型の露光装置であって、前記走査を行なう
ために前記基板をその走査方向に移動させる第1のステ
ージと、前記ステップ移動を行うために前記基板を前記
走査方向に垂直な方向に移動させる第2のステージとを
備え、前記第1ステージ上に前記基板を保持する前記第
2ステージを配置したことを特徴とする。
るための本発明のデバイス製造方法は、原版のパターン
の一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系
に対し相対的に原版と基板を共に走査することにより原
版のパターンを基板に露光する走査露光を、前記基板上
の複数領域に対して、ステップ移動を介在させながら行
なうデバイス製造方法であって、第1のステージを、前
記走査を行うためにその走査方向へ移動させるととも
に、前記第1ステージ上において、第2のステージによ
り前記基板を前記ステップ移動させることを特徴とす
る。
発明のステージ装置は、3点で支持された定盤と、この
定盤上に設けられたステージと、前記定盤の支持方向の
位置を測定する測定手段とを備えたステージ装置であっ
て、前記測定手段の前記定盤上における位置の測定点
は、その測定方向にみれば、前記3点が構成する三角形
の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存
在することを特徴とする。
形態を説明する。図1は本発明の一実施形態に係る露光
装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、図2
は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これらの
図に示すように、この露光装置は、レチクルステージ1
上の原版のパターンの一部を投影光学系2を介してX・
Yステージ3上のウエハに投影し、投影光学系2に対し
相対的にレチクルとウエハをY方向に同期走査すること
によりレチクルのパターンをウエハに露光するととも
に、この走査露光を、ウエハ上の複数領域に対して、繰
り返し行なうためのステップ移動を介在させながら行な
うステップ・アンド・スキャン型の露光装置である。
ってY方向へ駆動し、X・Yステージ3のXステージ3
aはリニアモータ5によってX方向に駆動し、Yステー
ジ3bはリニアモータ6によってY方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ1およびYステージ3bをY方向へ一定
の速度比率(例えば4:1)で駆動させることにより行
なう。また、X方向へのステップ移動はXステージ3a
により行なう。
設けられ、ステージ定盤7は3つのダンパ8を介して3
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ1お
よび投影光学系2は鏡筒定盤9上に設けられ、鏡筒定盤
9はベースフレーム10上に3つのダンパ11および支
柱12を介して支持されている。ダンパ8は6軸方向に
アクティブに制振もしくは除振するアクティブダンパで
あるが、パッシブダンパを用いてもよく、あるいはダン
パを介せずに支持してもよい。
査露光時の走査方向、投影光学系2および露光光間の、
装置の上から見たときの位置的関係を示す。同図に示す
ように、ダンパ11および支柱12による鏡筒定盤9の
3つの支持点は二等辺三角形を構成しており、その二等
辺14、15が交わる点16と重心とを結ぶ直線17に
対して走査方向Yは平行であり、かつその重心18と投
影光学系2の重心19とはほぼ一致している。図3中の
20は、スリット状に成形された露光光の断面である。
そのスリット形状の長手方向は走査方向に垂直な方向
(X方向)である。3つのダンパ11のうち2つは装置
の前部に位置し、残りの1つは装置の奥側に位置してい
る。そして、装置へのウエハの搬入経路は、装置の前側
より、装置前部に配置した2つの支柱12の間を経て設
定されている。
ージ定盤7との間の距離を3点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段13を備
え、それらのステージ定盤7上における3つの測定点P
は、図5に示すように、その測定方向にみれば、ダンパ
8による定盤7の3つの支持点が構成する三角形の各頂
点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在す
る。
定されたX・Yステージ3の移動によるステージ定盤7
の変形量を考慮して前記距離の測定を行なうようにして
もよい。
り、装置前部の2つの支柱12間の搬送経路を経てX・
Yステージ3上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ1およびYステージ3bをY方向
(走査方向)へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。1つの露光領域に対する走査露光が終了した
ら、Xステージ3aをX方向へ駆動してウエハをステッ
プ移動させることにより、他の露光領域を走査露光の開
始位置に対して位置決めし、走査露光を行なう。なお、
このX方向へのステップ移動と、Y方向への走査露光の
ための移動との組合せにより、ウエハ上の複数の露光領
域に対して、順次効率良く露光が行なえるように、各露
光領域の配置、Yの正または負のいずれかへの走査方
向、各露光領域への露光順等が設定されている。
移動するに従って、その重心の移動により鏡筒定盤9の
傾きや変形状態が変化する。しかし、上述のように、鏡
筒定盤9の支持点が二等辺三角形を構成し、直線17に
対して走査方向Yは平行であり、かつ二等辺三角形の重
心と投影光学系2の重心とは一致しているため、レチク
ルステージ1の重心もほぼ直線17上を通る。したがっ
て、レチクルステージ1の移動による鏡筒定盤9の傾き
は、Y(Z)方向に対するもののみとなり、X方向に対
しては傾かない。また、鏡筒定盤9の変形量は直線17
について対称となる。したがって、この変形によっても
露光光のスリット形状20は走査方向に対し垂直である
ため、Y方向に傾いたとしても、例えば、単にウエハ位
置をZ方向に調整すれば、傾きの影響を排除することが
できる。これに対し、鏡筒定盤9がX方向に対して傾い
た場合は、X方向にスリット形状20が延びているた
め、傾きの影響を排除することは、非常に困難である。
ため、レチクルステージ1の位置、鏡筒定盤9各点の変
形量、および各支持点の位置間の関係は一義的に決まる
ため、4点支持に比べ、変形に対する再現性が良い。し
たがって、レチクルステージ1の移動に伴う鏡筒定盤9
の変形を考慮したり、補正したりする場合は、これらを
高精度で行うことができる。例えば、図1に示すよう
に、投影光学系2のフォーカス位置にウエハが位置して
いるか否かは、鏡筒定盤9に固定された投光手段21に
よりウエハに対して斜め方向から光を照射し、その反射
光の位置を受光手段22によって検出することにより行
うことができるが、その際、鏡筒定盤9の正確な変形量
を考慮してフォーカス位置を正確に検出することができ
る。また、ウエハのX、Y、θ方向の位置を検出するた
めのレーザ干渉計23による測定も同様に鏡筒定盤9の
変形量を考慮して精確に行うことができる。
レチクルステージ1やX・Yステージ3の移動に伴い鏡
筒定盤9やステージ定盤7が傾くため、これを補正する
必要がある。このために、距離測定手段13により、鏡
筒定盤9とステージ定盤7との間の距離を双方の3つの
支持点の近傍において測定する。このときのステージ定
盤7上における測定点は、その測定方向にみれば、3つ
の支持点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺
の中点とを通る直線上に存在する。これらの測定点にお
いては、レチクルステージ1やX・Yステージ3の移動
に伴う変形量が無視し得る程度であるため、変形量を考
慮することなく、測定を行なうことができる。
ない程度であれば、あらかじめ、その変形量をレチクル
ステージ1やX・Yステージ3の位置に対応させて測定
しておき、その変形量を考慮することにより、鏡筒定盤
9とステージ定盤7との間の正確な距離を測定すること
ができる。この場合、上述のように、3点支持であるた
め、変形量の再現性が良く、変形量を精確に反映するこ
とができる。
ップ移動および走査露光におけるXステージ3aおよび
Yステージ3bの移動速度の時間的変化の一例を示すグ
ラフである。Yステージの加速を開始すると、Yステー
ジは0.051秒の加速期間および0.05秒の整定時
間を経た後、100mm/秒の一定速度で0.375秒
間移動する。この一定速度の移動期間において露光を行
なう。この露光期間の後、Yステージを減速させるとと
もにXステージの加速を開始し、ステップ移動を行な
う。ステップ移動が終了したら、再度Yステージの加速
を同様にして開始する。このようにして、XおよびYス
テージの移動を繰り返して、複数の露光領域に対してレ
チクルのパターンを順次走査露光してゆく。
の重量を60kgとし、図4に示すような加減速を行な
うものとする。そしてそのときのXおよびYステージの
最高加速度が0.2G、最高スキャン速度が100mm
/秒、最高ステップ速度が350mm/秒、整定時間が
0.15秒、露光の画角(各露光領域における露光範囲
の大きさ)が32.5×25mm、スキャン距離が3
7.5(32.5+5)mm、XおよびYステージを駆
動するリニアモータの推力定数が20N/Aとすれば、
スキャン時およびステップ時のそれぞれにおける加減速
時の各デューティDy およびDx は
Q1yおよびQ1xは、
方、仮に、Xステージを走査方向に駆動させ、Yステー
ジでステップ移動を行なうとし、その他の点について
は、上述と同様であるとすれば、そのときのXおよびY
各ステージにおける発熱量Q2yおよびQ2xは、
たがって、重い下側のYステージをデューティの少ない
スキャン動作に使用することにより、発熱量を抑えるこ
とができる。また、このように、軽い上側のXステージ
の駆動方向を走査方向と直交する方向とし、そのXステ
ージにより、レチクルステージ1における走査方向に垂
直な成分の駆動誤差の補正やオフセットへの追込み駆動
を行なうことにより、これら補正等の精度を向上させる
ことができる。したがって、レチクルステージ1を走査
方向のみの1軸方向の駆動手段のみで構成することも可
能となる。
イスの生産方法の実施例を説明する。
導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これを出荷(ステップ7)する。
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、3点に
配置したダンパおよび支柱を介して定盤を支持し、かつ
その3点が構成する三角形の重心と投影光学系の重心と
を一致させるようにしたため、原版ステージの移動によ
る定盤の変形の再現性が良く、変形の影響を精度よく排
除することができる。またさらに、原版ステージを、定
盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心と
を結ぶ直線に平行に移動させるようにしたため、定盤の
傾きや変形による影響がスリット状露光光のスリット方
向に大きく及ぶのを防止し、スリット方向に垂直な方向
に対して主に傾きや変形が生じるようにして、その影響
を容易に排除することができる。その場合、前記三角形
の3点のうち2点を装置の前部に配置し、残りの1点を
装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前
部の前記2点に位置する2つの前記支柱の間を経て行な
うことにより、基板の搬送経路を容易に確保することが
でき、かつスペースの有効利用を図ることができる。
持されている定盤の位置やそれに対する距離の測定点
を、それら3点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接
する辺の中点とを通る直線上に存在するようにしたた
め、基板ステージの移動に伴う定盤の変形が少ない点を
測定点として測定を行ない、高い精度で測定を行なうこ
とができる。あるいは、このような測定を、その測定点
における、予め測定した基板ステージの移動による定盤
の変形量を考慮して測定を行うことにより、やはり高い
精度で測定を行なうことができる。
走査方向に移動させる第1ステージ上に、ステップ移動
を行うために基板を走査方向に垂直な方向に移動させる
第2のステージを配置するようにしたため、これら基板
ステージの移動に伴う発熱量を減少させ、温度の安定化
を図ることができ、したがって、温度の不均一や変動に
よる露光精度の劣化を排除することができる。また、軽
い第2ステージにより走査方向に垂直な方向の修正が行
なえるため、原版ステージを一軸方向のみの駆動手段に
よるより簡単な構成とするとこができる。前記支柱の間
を経て設定することにより、搬送経路を容易に確保する
ことができ、スペースの有効利用を図ることができる。
ら見た様子を模式的に示す図である。
時の走査方向、投影光学系および露光光間の、装置の上
から見たときの位置的関係を示す図である。
露光でのXステージおよびYステージの移動速度の時間
的変化の一例を示すグラフである。
ステージ定盤の測定点との位置関係を示す図である。
示す図である。
テージ、4:リニアモータ、3a:Xステージ、3b:
Yステージ、6:リニアモータ、7:ステージ定盤、
8:ダンパ、9:鏡筒定盤、10:ベースフレーム、1
1:ダンパ、12:支柱、13:距離測定手段、18,
19:重心、20:露光光の断面、21:投光手段、2
2:受光手段、23:レーザ干渉計。
Claims (13)
- 【請求項1】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版
と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを
前記基板に露光する走査型の露光装置であって、前記原
版を保持する原版ステージと、前記投影光学系および前
記原版ステージを設けた定盤と、この定盤を3点に配置
したダンパおよび支柱を介して支持する支持手段と、前
記原版ステージを前記定盤上で前記走査のために走査方
向に移動させる駆動手段とを備え、前記3点は2等辺三
角形を構成しており、その2等辺が交わる点と重心とを
結ぶ直線に対して前記走査方向は平行であることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項2】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版
と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを
前記基板に露光する走査型の露光装置であって、前記原
版を保持する原版ステージと、前記投影光学系および前
記原版ステージを設けた定盤と、この定盤を3点に配置
したダンパおよび支柱を介して支持する支持手段とを備
え、前記3点が構成する三角形の重心と前記投影光学系
の重心とが一致することを特徴とする露光装置。 - 【請求項3】 前記三角形の3点のうち2点が装置の前
部に位置し、残りの1点が装置の奥に位置し、装置への
前記基板の搬入経路が、装置前部の前記2点に配置され
た2つの前記支柱の間を経て設定されていることを特徴
とする請求項1または2記載の露光装置。 - 【請求項4】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版
と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを
前記基板に露光するデバイス製造方法であって、前記原
版を原版ステージによって保持し、前記投影光学系およ
び原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成
する3点に配置したダンパおよび支柱を介して前記定盤
を支持し、かつ前記三角形の重心と前記投影光学系の重
心とを一致させ、そして前記原版ステージを、前記定盤
上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを
結ぶ直線に平行に移動させることにより前記走査を行な
うことを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項5】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版
と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを
前記基板に露光するデバイス製造方法であって、前記原
版を原版ステージによって保持し、前記投影光学系およ
び原版ステージを定盤上に配置し、この定盤を3点に配
置したダンパおよび支柱を介して支持し、かつ前記3点
が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心とを一
致させ、そして前記走査を行なうことを特徴とするデバ
イス製造方法。 - 【請求項6】 前記三角形の3点のうち2点を装置の前
部に配置し、残りの1点を装置の奥に配置し、装置への
前記基板の搬入を、装置前部の前記2点に位置する2つ
の前記支柱の間を経て行なうことを特徴とする請求項4
または5記載のデバイス製造方法。 - 【請求項7】 基板を基板ステージにより移動させなが
ら、原版のパターンを投影光学系を介して前記基板上に
露光する露光装置であって、前記基板ステージを設けた
第1の定盤と、この第1定盤を3点において支持する支
持手段と、前記原版および投影光学系を設けた第2の定
盤と、前記第1および第2定盤間の距離を測定する測定
手段とを備え、前記測定手段の前記第1定盤上における
測定点は、その測定方向にみれば、前記3点が構成する
三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線
上に存在することを特徴とする露光装置。 - 【請求項8】 基板を基板ステージにより移動させなが
ら、原版のパターンを投影光学系を介して前記基板上に
露光するデバイス製造方法であって、前記基板ステージ
を第1の定盤上に設け、前記原版および投影光学系を第
2の定盤上に設け、前記第1定盤を3点で支持し、前記
第1および第2定盤間の距離を、第1定盤上における測
定点が、その測定方向にみれば、前記3点が構成する三
角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上
に存在するようにして測定し、その測定結果に基づいて
前記第1および第2定盤間の相対位置を制御しながら前
記露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項9】 基板を基板ステージにより移動させなが
ら、原版のパターンを投影光学系を介して前記基板上に
露光する露光装置であって、前記基板ステージを設けた
第1の定盤と、この第1定盤を3点において支持する支
持手段と、前記原版および投影光学系を設けた第2の定
盤と、前記第1および第2定盤間の距離を測定する測定
手段とを備え、前記測定手段は、その前記第1定盤上で
の測定点における、予め測定された前記基板ステージの
移動による前記第1定盤の変形量を考慮して前記距離の
測定を行うものであることを特徴とする露光装置。 - 【請求項10】 基板を基板ステージにより移動させな
がら、原版のパターンを投影光学系を介して前記基板上
に露光するデバイス製造方法であって、前記基板ステー
ジを第1の定盤上に設け、前記原版および投影光学系を
第2の定盤で支持し、前記第1定盤を3点で支持し、前
記第1および第2定盤間の距離を、第1定盤上での測定
点における、予め測定された前記ステージの移動による
前記第1定盤の変形量を考慮して測定し、その測定結果
に基づいて前記第1および第2定盤間の相対位置を制御
しながら前記露光を行うことを特徴とするデバイス製造
方法。 - 【請求項11】 原版のパターンの一部を投影光学系を
介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に原版と
基板を共に走査することにより原版のパターンを基板に
露光する走査露光を、前記基板上の複数領域に対して、
ステップ移動を介在させながら行うステップおよび走査
型の露光装置であって、前記走査を行なうために前記基
板をその走査方向に移動させる第1のステージと、前記
ステップ移動を行うために前記基板を前記走査方向に垂
直な方向に移動させる第2のステージとを備え、前記第
1ステージ上に前記基板を保持する前記第2ステージを
配置したことを特徴とする露光装置。 - 【請求項12】 原版のパターンの一部を投影光学系を
介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に原版と
基板を共に走査することにより原版のパターンを基板に
露光する走査露光を、前記基板上の複数領域に対して、
ステップ移動を介在させながら行なうデバイス製造方法
であって、第1のステージを、前記走査を行うためにそ
の走査方向へ移動させるとともに、前記第1ステージ上
において、第2のステージにより前記基板を前記ステッ
プ移動させることを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項13】 3点で支持された定盤と、この定盤上
に設けられたステージと、前記定盤の支持方向の位置を
測定する測定手段とを備えたステージ装置であって、前
記測定手段の前記定盤上における位置の測定点は、その
測定方向にみれば、前記3点が構成する三角形の各頂点
とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在するこ
とを特徴とするステージ装置。
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16512496A JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US08/867,355 US5933215A (en) | 1996-06-06 | 1997-06-02 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
DE69712256T DE69712256T2 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
TW086107632A TW339456B (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
EP01203848A EP1170634B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
EP97303781A EP0811883B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
DE69740012T DE69740012D1 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
DE69739827T DE69739827D1 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
EP01203845A EP1170633A1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
EP01203844A EP1174768B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
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EP00203428A EP1069477B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
KR1019970023342A KR100277111B1 (ko) | 1996-06-06 | 1997-06-05 | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16512496A JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004160440A Division JP3984973B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2004160438A Division JP2004297081A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09326356A true JPH09326356A (ja) | 1997-12-16 |
JP3659529B2 JP3659529B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=15806375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16512496A Expired - Fee Related JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5933215A (ja) |
EP (5) | EP0811883B1 (ja) |
JP (1) | JP3659529B2 (ja) |
KR (1) | KR100277111B1 (ja) |
DE (4) | DE69739827D1 (ja) |
TW (1) | TW339456B (ja) |
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- 1996-06-06 JP JP16512496A patent/JP3659529B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-02 US US08/867,355 patent/US5933215A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69739827T patent/DE69739827D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP97303781A patent/EP0811883B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP01203844A patent/EP1174768B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69740012T patent/DE69740012D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69712256T patent/DE69712256T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP00203428A patent/EP1069477B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP01203845A patent/EP1170633A1/en not_active Withdrawn
- 1997-06-03 EP EP01203848A patent/EP1170634B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69739621T patent/DE69739621D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 TW TW086107632A patent/TW339456B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-05 KR KR1019970023342A patent/KR100277111B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000049066A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1069477A2 (en) | 2001-01-17 |
EP1170633A1 (en) | 2002-01-09 |
DE69739621D1 (de) | 2009-11-26 |
DE69712256D1 (de) | 2002-06-06 |
EP0811883A2 (en) | 1997-12-10 |
DE69739827D1 (de) | 2010-05-12 |
EP0811883A3 (en) | 1998-12-16 |
EP0811883B1 (en) | 2002-05-02 |
EP1170634A1 (en) | 2002-01-09 |
JP3659529B2 (ja) | 2005-06-15 |
EP1170634B1 (en) | 2010-03-31 |
EP1174768B1 (en) | 2010-09-29 |
EP1069477B1 (en) | 2009-10-14 |
DE69712256T2 (de) | 2002-10-17 |
KR100277111B1 (ko) | 2001-01-15 |
DE69740012D1 (de) | 2010-11-11 |
TW339456B (en) | 1998-09-01 |
EP1069477A3 (en) | 2001-01-24 |
US5933215A (en) | 1999-08-03 |
KR980005338A (ko) | 1998-03-30 |
EP1174768A1 (en) | 2002-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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