[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH1187414A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH1187414A
JPH1187414A JP9230906A JP23090697A JPH1187414A JP H1187414 A JPH1187414 A JP H1187414A JP 9230906 A JP9230906 A JP 9230906A JP 23090697 A JP23090697 A JP 23090697A JP H1187414 A JPH1187414 A JP H1187414A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
semiconductor device
semiconductor chip
sealing
csp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9230906A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2843315B1 (ja
Inventor
Yukiharu Akiyama
雪治 秋山
Tomoaki Shimoishi
智明 下石
Takehiro Onishi
健博 大西
Noritoshi Shimada
法翁 嶋田
Kuniyuki Eguchi
州志 江口
Asao Nishimura
朝雄 西村
Ichiro Anjo
一郎 安生
Kunihiro Tsubosaki
邦宏 坪崎
Chuichi Miyazaki
忠一 宮崎
Hiroshi Koyama
宏 小山
Masakuni Shibamoto
正訓 柴本
Akira Nagai
永井　　晃
Masahiko Ogino
雅彦 荻野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP9230906A priority Critical patent/JP2843315B1/ja
Application filed by Hitachi Microcomputer System Ltd, Hitachi Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Microcomputer System Ltd
Priority to TW087109244A priority patent/TW395032B/zh
Priority to SG1998001490A priority patent/SG67516A1/en
Priority to KR1019980027400A priority patent/KR100603868B1/ko
Priority to US09/113,500 priority patent/US6307269B1/en
Priority to CN98116004A priority patent/CN1208252A/zh
Publication of JP2843315B1 publication Critical patent/JP2843315B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH1187414A publication Critical patent/JPH1187414A/ja
Priority to CN00121793A priority patent/CN1295346A/zh
Priority to US09/983,063 priority patent/US20030207557A1/en
Priority to US09/983,177 priority patent/US6515371B2/en
Priority to US09/983,286 priority patent/US6639323B2/en
Priority to US10/374,997 priority patent/US20040061220A1/en
Priority to US11/116,308 priority patent/US20050212142A1/en
Priority to US11/116,209 priority patent/US7091620B2/en
Priority to KR1020060018052A priority patent/KR100603867B1/ko
Priority to US11/492,165 priority patent/US7420284B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
    • B26B21/08—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor involving changeable blades
    • B26B21/14—Safety razors with one or more blades arranged transversely to the handle
    • B26B21/22—Safety razors with one or more blades arranged transversely to the handle involving several blades to be used simultaneously
    • B26B21/222—Safety razors with one or more blades arranged transversely to the handle involving several blades to be used simultaneously with the blades moulded into, or attached to, a changeable unit
    • B26B21/225—Safety razors with one or more blades arranged transversely to the handle involving several blades to be used simultaneously with the blades moulded into, or attached to, a changeable unit the changeable unit being resiliently mounted on the handle
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
    • B26B21/40—Details or accessories
    • B26B21/4012—Housing details, e.g. for cartridges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
    • B26B21/40—Details or accessories
    • B26B21/4012—Housing details, e.g. for cartridges
    • B26B21/4031—Housing details, e.g. for cartridges characterised by special geometric shaving parameters, e.g. blade span or exposure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
    • B26B21/40—Details or accessories
    • B26B21/52—Handles, e.g. tiltable, flexible
    • B26B21/521—Connection details, e.g. connection to razor heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26B—HAND-HELD CUTTING TOOLS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B26B21/00—Razors of the open or knife type; Safety razors or other shaving implements of the planing type; Hair-trimming devices involving a razor-blade; Equipment therefor
    • B26B21/54—Razor-blades
    • B26B21/56—Razor-blades characterised by the shape
    • B26B21/565—Bent razor blades; Razor blades with bent carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップサイズの半導体装置における低コスト
化および封止性の向上を図る。 【解決手段】 電極パッド１ｂを露出させて半導体チッ
プ１の主面１ａ上に配置されたエラストマ３と、一端が
リード４ｃを介して半導体チップ１の電極パッド１ｂと
電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２と電気的に接
続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備える
とともに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅが設
けられ、かつ開口部４ｅおよび半導体チップ１の外方に
突出する基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４と、半
導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４の
リード４ｃを封止する封止部５とからなり、薄膜配線基
板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとが一体
に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、ＣＳＰ（Chip Size Package)におい
て低コスト化および封止性の向上を図る半導体装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】薄形および小形化を図る半導体装置の一例
として、チップサイズの半導体装置であるＣＳＰが知ら
れており、このＣＳＰは、携帯用電子機器などに組み込
まれるプリント配線基板に実装されることが多い。
【０００４】ここで、ＣＳＰの一般的な構造を説明する
と、外部端子であるバンプ電極を搭載しかつ半導体チッ
プの電極パッドと電気的に接続するリードが設けられた
薄膜配線基板と、半導体チップと薄膜配線基板との間に
配置されかつ薄膜配線基板とほぼ同じ大きさに形成され
たエラストマ（弾性構造体）と、半導体チップの電極パ
ッドとこれに接続した薄膜配線基板のリードとを封止樹
脂によって封止する封止部とからなる。
【０００５】また、比較例として本発明者によって検討
されたＣＳＰの構造については、例えば、日経ＢＰ社、
１９９７年４月１日発行、「日経マイクロデバイス１９
９７年４月１日号・ＮＯ．１４２」、４４〜５３頁に記
載され、特に、４８頁の図６に次世代型ＣＳＰ（比較
例）が紹介されている。
【０００６】このＣＳＰは、主面に電極パッドが形成さ
れた半導体チップを有し、かつ半導体チップの内方に外
部端子であるバンプ電極が配置された構造のものである
とともに、半導体チップの外方に外形リングが設けられ
ているものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における一般的な構造のＣＳＰでは、封止樹脂が半導
体チップの側面に溢れ易く、その結果、ＣＳＰの外形サ
イズの精度が悪く、ソケットに入らない場合がある。
【０００８】すなわち、ＣＳＰの外形形状が安定しない
ことが問題とされる。
【０００９】さらに、この問題の対策として封止の際の
封止樹脂の量を減らすと、薄膜配線基板のリードが露出
することがあり、これにより、封止部の封止性が不充分
となり、その結果、耐湿信頼性の面で劣ることが問題と
される。
【００１０】また、前記比較例のＣＳＰにおいては、外
形リングを独立構造とすると、製造コストが高くなるこ
とが問題とされる。
【００１１】なお、一般的な構造のＣＳＰにおいては、
バンプ電極を形成する際のはんだリフロー時に、エラス
トマ中の水分および気体の膨張によって内部圧力が大き
くなり、その結果、封止部などが破壊されるポップコー
ン現象を引き起こすことが問題とされる。
【００１２】本発明の目的は、低コスト化および封止性
の向上を図るチップサイズの半導体装置およびその製造
方法を提供することにある。
【００１３】また、本発明のその他の目的は、ポップコ
ーン現象を防止する半導体装置およびその製造方法を提
供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１６】すなわち、本発明の半導体装置は、主面の
外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチ
ップサイズのものであり、前記接続端子を露出させて前
記半導体チップの主面上に配置された弾性構造体と、一
端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されか
つ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続され
る配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記
接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口
部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出部
を備えた薄膜配線基板と、前記半導体チップの前記接続
端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封
止部とを有し、前記薄膜配線基板における前記基板本体
部と前記基板突出部とが一体に形成されているものであ
る。
【００１７】これにより、基板突出部を基板本体部から
独立した構造とせずに両者を一体で形成しているため、
基板突出部を高価な材料によって形成しなくても済む。
【００１８】その結果、半導体装置の製造コストの低コ
スト化を図ることができる。
【００１９】さらに、本発明の半導体装置は、主面の外
周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチッ
プサイズのものであり、前記半導体チップの主面上に配
置されるとともに前記接続端子を露出させる開口部が設
けられかつ前記開口部および前記半導体チップの外方に
突出する弾性体突出部を備えた弾性構造体と、一端がリ
ードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端
が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線
が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端
子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部およ
び前記半導体チップの外方に突出する基板突出部を備え
た薄膜配線基板と、前記半導体チップの前記接続端子お
よび前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部と
を有し、前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前
記基板突出部とが一体に形成され、かつ前記薄膜配線基
板と前記弾性構造体との外形形状がほぼ同じ大きさに形
成されているものである。
【００２０】なお、本発明の半導体装置は、主面の外周
部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップ
サイズのものであり、前記接続端子を露出させて前記半
導体チップの主面上に配置されかつ外方に露出する露出
部を備えた弾性構造体と、一端がリードを介して前記接
続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバ
ンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本
体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口
部が設けられた薄膜配線基板と、前記半導体チップの前
記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止
する封止部とを有するものである。
【００２１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有
するチップサイズの半導体装置のものであり、配線を有
した基板本体部を備えるとともに、前記配線に接続され
たリードを配置する開口部の外方に突出して前記基板本
体部と一体に形成された基板突出部を備えた薄膜配線基
板を準備する工程と、前記薄膜配線基板の前記基板本体
部と弾性構造体とを接合する工程と、前記半導体チップ
の前記接続端子を前記薄膜配線基板の前記開口部に露出
させて、前記半導体チップの前記主面と前記弾性構造体
とを接合する工程と、前記半導体チップの前記接続端子
とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電
気的に接続する工程と、低シリカ材からなる封止樹脂を
用いて前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線
基板の前記リードとを封止して封止部を形成する工程
と、前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ
電極を形成する工程と、前記基板突出部とこれに形成さ
れた前記封止部とを同時に所望の外形サイズに切断する
工程とを有するものである。
【００２２】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップ
を有するチップサイズの半導体装置のものであり、配線
を有する基板本体部に接合した弾性構造体を備えるとと
もに、前記配線に接続されたリードを配置する開口部が
形成され、かつ前記基板本体部が前記弾性構造体の支持
部により基板枠部に支持された薄膜配線基板を準備する
工程と、前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配
線基板の前記開口部に露出させて、前記半導体チップの
前記主面と前記弾性構造体とを接合する工程と、前記半
導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配
線基板の前記リードとを電気的に接続する工程と、前記
半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記
リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、前記
基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極を形
成する工程と、前記弾性構造体の支持部を切断して前記
基板本体部を前記基板枠部から分離するとともに、前記
弾性構造体の露出部を露出させる工程とを有するもので
ある。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【００２４】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部
を透過して示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の
構造を示す図であり、（ａ) は図１のＡ−Ａ断面を示す
断面図、（ｂ) は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図、
（ｃ）は図１のＣ−Ｃ断面を示す断面図、図３は図１に
示す半導体装置に用いられる各部材の仕様の一例を示す
仕様説明図、図４は図１に示す半導体装置の製造プロセ
スの一例を示す製造手順図、図５は図４に示す製造プロ
セスの各処理における処理条件の一例を示す処理条件説
明図、図６、図７および図８は本発明の実施の形態１の
半導体装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造
方法の一例を示す部分平面図、図９は本発明の実施の形
態１における半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法の一例を
示す図であり、（ａ) はエラストマ張り付けを示す部分
平面図、（ｂ) は半導体チップ張り付けを示す部分平面
図、図１０は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳ
Ｐ）の製造方法における切断位置の一例を示す部分平面
図、図１１（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導
体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリード切断方法の
一例を示す斜視図、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明
の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法にお
けるエラストマの張り付け状態の一例を示す斜視図、図
１３（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体装置
（ＣＳＰ）の製造方法におけるリードのボンディング方
法の一例を示す斜視図、図２７は図８に示す薄膜配線基
板の詳細構造を示す拡大部分平面図である。
【００２５】図１および図２に示す本実施の形態１の半
導体装置（ＣＳＰ１１）は、パッケージサイズがチップ
サイズに近似した小形のものであり、複数の半導体素子
が形成された主面１ａとその主面１ａの外周部に電極パ
ッド１ｂ（接続端子）が形成された半導体チップ１を有
するとともに、半導体チップ１の内方に外部端子である
バンプ電極２が配置された周辺パッドタイプのファンイ
ンＣＳＰである。
【００２６】したがって、ＣＳＰ１１は、外部端子がバ
ンプ電極２であるため、ボール・グリッド・アレイでも
ある。
【００２７】前記ＣＳＰ１１の構造について説明する
と、電極パッド１ｂを露出させて半導体チップ１の主面
１ａ上に配置されたエラストマ３（弾性構造体）と、一
端がリード４ｃを介して半導体チップ１の電極パッド１
ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２と電気的
に接続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備
えるとともに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅ
が設けられ、かつ開口部４ｅおよび半導体チップ１の外
方に突出する基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４
と、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基
板４のリード４ｃを封止する封止部５とからなり、薄膜
配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂと
が一体に形成されているものである。
【００２８】なお、図１に示すＣＳＰ１１の平面図は、
半導体チップ１の電極パッド１ｂや薄膜配線基板４のリ
ード４ｃを表すために、図２に示す封止部５を透過して
表したものである。
【００２９】したがって、図１に示すＣＳＰ１１の平面
図では、前記封止部５の記載が省略されているが、図１
に示すＣＳＰ１１の薄膜配線基板４の開口部４ｅ内に
は、本来、図２に示すような封止部５が形成されている
（以降、実施の形態２〜実施の形態２０についても同様
である）。
【００３０】ここで、本実施の形態１は、長方形の半導
体チップ１の主面１ａにおいて、この主面１ａの長手方
向に直角な方向（以降、短辺方向と呼ぶ）の対向する２
辺の外周部にのみそれぞれ複数個（ここでは、片側６
個）の電極パッド１ｂが設けられている場合であり、こ
れにより、半導体チップ１の内方に１２個の外部端子で
あるバンプ電極２が格子状に配置されている。
【００３１】したがって、薄膜配線基板４において、半
導体チップ１の主面１ａの前記短辺方向の対向する外周
端部に対応した箇所に、１つずつ長方形の開口部４ｅが
形成されている。
【００３２】これにより、半導体チップ１をエラストマ
３に取り付けた際には、半導体チップ１の前記短辺方向
に対向して設置された多数の電極パッド１ｂが、これに
対応する位置に設けられた薄膜配線基板４の開口部４ｅ
から露出する。
【００３３】ここで、本実施の形態１のＣＳＰ１１にお
ける薄膜配線基板４は、配線４ｄを有した基板本体部４
ａと、２つの開口部４ｅと、基板本体部４ａおよび２つ
の開口部４ｅの外方周囲に突出して（張り出して）形成
された基板突出部４ｂとからなる。
【００３４】なお、半導体チップ１をエラストマ３に取
り付けた際には、基板本体部４ａとエラストマ３と半導
体チップ１とが積層配置され、薄膜配線基板４の基板突
出部４ｂが半導体チップ１の外方周囲に鍔状に突出した
状態となる。
【００３５】さらに、基板本体部４ａには、配線４ｄと
電気的に接続されかつバンプ電極２を搭載する１２個の
バンプランド４ｆ（図８（ａ）参照）が設けられてい
る。
【００３６】また、エラストマ３は、半導体チップ１を
支持する絶縁性の弾性部材であり、薄膜配線基板４と半
導体チップ１との間に配置される。なお、本実施の形態
１におけるエラストマ３は、半導体チップ１の外方に突
出するエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）を備える
とともに、ＣＳＰ１１の組み立て後、エラストマ３の所
定の側面３ａ（ここでは、半導体チップ１の長手方向と
同じ方向の対向する２つの側面３ａ）が外部に露出して
いる。
【００３７】つまり、図１または図２（ｃ）に示すよう
に、薄膜配線基板４にエラストマ３を張り付けた際に、
エラストマ３において半導体チップ１より外方に突出し
たエラストマ突出部３ｂは、薄膜配線基板４の基板突出
部４ｂに重なって配置される。
【００３８】また、封止部５は、半導体チップ１の電極
パッド１ｂおよびこれに接続されたリード４ｃと、半導
体チップ１の前記短辺方向の対向する２つの側面１ｃ全
体と、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面
１ｃにおけるそれぞれの両端部付近とを封止樹脂によっ
て封止して形成されるものであり、半導体チップ１の外
方近傍に薄膜配線基板４の基板突出部４ｂが配置されて
いるため、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間に封
止樹脂が跨がった（ブリッジした）状態で封止部５を形
成できる。
【００３９】ここで、図３を用いて、前記ＣＳＰ１１に
用いられる各部材の仕様（材料、大きさまたは厚さな
ど）について説明する。ただし、ここに挙げる各部材の
仕様は、一例であり、必ずしもこの仕様に限定されるも
のではない。
【００４０】まず、薄膜配線基板４は、その基材となる
テープが、ポリイミド樹脂によって形成され、その厚さ
は２５〜７５μｍ程度である。さらに、薄膜配線基板４
に設けられた配線４ｄ（リード４ｃおよびバンプランド
４ｆを含む）は、厚さ１８〜２５μｍ程度の銅箔であ
る。なお、この配線４ｄを被覆するめっきは、1.５μｍ
厚の両面Ａｕめっきか、または、電極パッド１ｂ側とバ
ンプ電極２側とでその厚さを変えたＡｕ／Ｎｉめっきな
どである。
【００４１】ここで、本実施の形態１で用いる薄膜配線
基板４は、図２（ａ）に示すように、配線４ｄが１層の
もので、かつその配線４ｄが基材となるテープ（図６
（ａ）に示すテープ基材４ｇのこと）の裏側のみに形成
されたいわゆる１層裏配線のものである。
【００４２】また、エラストマ３は、表裏両面に接着層
３ｅを有した基層（骨格層３ｄでありコア層ともいう）
からなる３層構造（図４７参照）のものであり、その適
用例としては、図３に示した仕様例または仕様例な
どがある。なお、仕様例については特願平９−１４９
１０６号に、また、仕様例については特願平８−１３
６１５９号にその詳細が記載されている。
【００４３】さらに、本実施の形態１で用いるエラスト
マ３は、無着色のものである。したがって、本実施の形
態１のエラストマ３は、光を透過させるほぼ透明なもの
である。
【００４４】ただし、エラストマ３は、その基層（骨格
層３ｄ）が通気性や撥水性などの面から多孔質フッ素樹
脂によって形成されていることが好ましい。すなわち、
前記仕様例のものを用いることが好ましい。
【００４５】ここで、多孔質フッ素樹脂によって形成さ
れるエラストマ３は、３次元的網目構造体により構成さ
れた骨格層３ｄを有しているものである。
【００４６】なお、前記３次元的網目構造体は、繊維状
化合物が３次元的絡み合いにより形成された不織布から
なるものである。
【００４７】また、封止部５を形成する封止材である封
止樹脂については、図３に示した仕様例または仕様例
などがある。
【００４８】ここで、溶剤型液状樹脂は、封止後のキュ
アベーク時に、溶剤が揮発する際に、ボイドが発生し易
い。したがって、前記仕様例のものを用いることが好
ましい。
【００４９】なお、本実施の形態１のＣＳＰ１１で使用
する封止樹脂は、比較的粘度の高いものであるが、塗布
時のポッティングノズル（図示せず）の移動時間を長く
して塗布に時間を掛けたり（例えば、半導体チップ１の
片側の６つの電極パッド１ｂに塗布を行うのに３０秒程
度）、封止樹脂を加熱するなどして、粘度の高い封止樹
脂を用いることを可能にしており、これにより、基板突
出部４ｂと半導体チップ１との間で前記封止樹脂をブリ
ッジ状態にすることができる。
【００５０】さらに、前記封止樹脂としては、封止キュ
ア時の収縮による残留応力を小さくするために、シリカ
を含有した樹脂を用いることが好ましく、その際、シリ
カを５０重量％以上含有したものを用いることがより好
ましい。
【００５１】また、バンプ電極２の材料は、Ｓｎ／Ｐｂ
の共晶半田やその他の高融点半田、あるいは、Ａｕめっ
き付きＮｉなどであり、その直径は、0.３〜0.６ｍｍ程
度である。
【００５２】本実施の形態１のＣＳＰ１１（半導体装
置）によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００５３】すなわち、薄膜配線基板４における基板本
体部４ａと基板突出部４ｂとが一体に形成されているこ
とにより、基板突出部４ｂを基板本体部４ａから独立し
た構造としないため、基板突出部４ｂを高価な材料によ
って形成しなくて済む。
【００５４】その結果、ＣＳＰ１１（半導体装置）の製
造コストの低コスト化を図ることができる。
【００５５】さらに、薄膜配線基板４においてその開口
部４ｅの外方に基板突出部４ｂが設けられていることに
より、前記封止樹脂を開口部４ｅを介して塗布した際
に、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間でブリッジ
させた状態で封止部５を形成できる。
【００５６】これにより、安定した封止を行えるため、
封止性を向上でき、その結果、封止部５における耐湿信
頼性の向上を図ることができる。
【００５７】なお、前記封止樹脂として、シリカを５０
重量％以上含有したものを用いることにより、封止キュ
ア時の収縮による残留応力を小さくすることができる。
【００５８】その結果、封止部５の信頼性を向上でき
る。
【００５９】また、弾性構造体であるエラストマ３の基
層が、多孔質フッ素樹脂によって形成され、かつ、エラ
ストマ３における半導体チップ１の長手方向と同じ方向
の対向する２つの側面３ａが外部に露出しているため、
前記リフロー時の吸湿成分の発生蒸気を外部に逃がすこ
とができ、その結果、耐リフロー性を向上できるととも
に、多孔質フッ素樹脂のフッ素が有する撥水性によって
ＣＳＰ１１内への水分の進入を防ぐことができる。
【００６０】その結果、ＣＳＰ１１の電気的特性の劣化
を低減できる。
【００６１】次に、本実施の形態１によるＣＳＰ１１
（半導体装置）の製造方法を、その製造の際に得られる
作用効果と合わせて説明する。
【００６２】その際、図４に示す製造手順に沿って、か
つ、図５に示す処理条件と照らし合わせながら説明して
いく。
【００６３】また、図９、図１０、図１２および図１３
に示すエラストマ３は、開口部３ｃを有するものであ
り、後述の実施の形態６または７におけるＣＳＰ１６，
１７の製造方法を説明する図であるが、基本的な製造方
法については、本実施の形態１も同じであるため、本実
施の形態１においても図９、図１０、図１２および図１
３はそのまま用いて説明する。
【００６４】まず、配線４ｄを有した基板本体部４ａを
備えるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配
置する開口部４ｅの外方に突出して基板本体部４ａと一
体に形成された基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４
を準備する。
【００６５】ここで、図６〜図８を用いて薄膜配線基板
４の製造方法について説明する。
【００６６】まず、図６（ａ）に示すポリイミド樹脂か
らなるテープ基材４ｇを準備する。なお、このテープ基
材４ｇの表裏面には図７（ｂ）に示す銅箔４ｈを張り付
けるための接着剤が塗布されている。
【００６７】続いて、図６（ｂ）に示すように、テープ
基材４ｇの両側部にテープ送り用の基準孔４ｉをほぼ等
間隔に形成する。
【００６８】その後、図７（ａ）に示すように、打ち抜
き加工によって、１２個のバンプ用開口部４ｊとその両
側に２つの配線接合用の開口部４ｅとを形成し、続い
て、図７（ｂ）に示すように、テープ基材４ｇに銅箔４
ｈを積層して張り付ける。
【００６９】さらに、図８（ａ）に示すように、エッチ
ング加工によって銅箔４ｈを所望の形状に加工し、これ
により、配線パターンを形成する。
【００７０】その結果、銅箔４ｈによるバンプランド４
ｆと、給電ライン４ｋとを形成する。
【００７１】なお、この給電ライン４ｋは、銅箔４ｈに
金めっきを施した後、前記金めっきを電気反応させるた
めに、隣接する給電ライン４ｋ同士が連結されていなけ
ればならない。
【００７２】さらに、前記銅箔４ｈをエッチング加工し
て配線パターンを形成した後、銅箔４ｈに金めっき加工
を行う。この際の金めっきの仕様は、図３に示す配線め
っきの仕様であり、厚さ1.５μｍの金めっき（図３に示
す配線めっきののもの）であっても、金とニッケルと
の差厚めっき（図３に示す配線めっきののもの）であ
ってもよく、また、それ以外のめっきであってもよい。
【００７３】その後、図１１（ａ）に示す切断型６の打
ち抜き型６ａを用いて、図８（ａ）に示す連結された配
線リードを切断加工し、これにより、図８（ｂ）に示す
ように、個々のリード４ｃに分離する。
【００７４】その際、前記打ち抜き型６ａの切断刃の幅
が、５０〜２００μｍ、好ましくは、１００〜１５０μ
ｍ程度の小形の前記切断刃を用いることにより、切断後
のリード４ｃの形状を図１１（ｂ）に示すようなビーム
形状４ｌに形成できる。
【００７５】さらに、１２５μｍ程度の小形の前記切断
刃を用いることにより、リード４ｃを切断加工した箇所
の寸法を１２５μｍ程度に形成することができ、その結
果、半導体チップ１（図１参照）を搭載した際の半導体
チップ１と基板突出部４ｂとの距離を短くすることがで
きる。
【００７６】これにより、封止部５を形成する際の封止
領域を狭くできるため、封止性を向上できる。
【００７７】また、半導体チップ１と基板突出部４ｂと
の前記距離を短くすることができるため、ＣＳＰ１１の
外形の小形化を図ることができる。
【００７８】前記切断加工して個々のリード４ｃを図１
１（ｂ）に示すようなビーム形状４ｌに形成したことに
より、図８（ｂ）に示すような薄膜配線基板４を準備で
きる。
【００７９】ここで、本実施の形態１で使用する薄膜配
線基板４の詳細構造を図８および図２７を用いて説明す
る。
【００８０】図２７に示すように、基板本体部４ａの周
囲には、その４辺にほぼ対応して４つの長孔４ｑが形成
されている。
【００８１】この長孔４ｑは、基板本体部４ａを切断分
離させる際の切断面積を少なくして切断の容易性を向上
させるためのものであるとともに、細長いテープ状の薄
膜配線基板４の巻き取り時や切断時などに発生する歪み
を緩和するためのものである。
【００８２】また、基板本体部４ａの上下の長孔４ｑの
外側には、切断時に位置決めを行う位置決め孔４ｐが設
けられている（本実施の形態１では、上側に１個と下側
に２個とで合計３個が設けられているが、この位置決め
孔４ｐは、長孔４ｑの上下両外側に設けられていれば、
その数は限定されるものではない）。
【００８３】さらに、基板本体部４ａの上下の長孔４ｑ
のそれぞれの孔端部には配線パターンと同じ銅箔によっ
て形成された認識パターン４ｎが設けられている。
【００８４】この認識パターン４ｎは、切断時などにカ
メラによって薄膜配線基板４の位置を割り出す際に認識
されるものであり、ボンディング時などに薄膜配線基板
４の反対側（前記配線パターンが形成されていない側）
からも認識可能なように、すなわち、薄膜配線基板４の
表裏両面側から認識できるように長孔４ｑ内の端部にお
いてブリッジさせた状態で設けられている。
【００８５】なお、図２７に示す薄膜配線基板４は、そ
の送り方向に対して基板本体部４ａが１列に横並びに複
数設けられた場合であるが、基板本体部４ａが多列（例
えば、２列）に横並びに設けられたものであってもよ
い。
【００８６】その場合には、ＣＳＰ１１の製造の効率を
向上できる。
【００８７】その後、図４に示す薄膜配線基板供給２０
とエラストマ供給２１とを行い、エラストマ張り付け２
２を行う。
【００８８】なお、エラストマ３の張り付けは、図５に
一例を示したエラストマ張り付け条件に基づいて、図９
（ａ）に示すように、薄膜配線基板４の基板本体部４ａ
とエラストマ３とを接合する。
【００８９】これにより、エラストマ３を張り付けた薄
膜配線基板４を形成できる。
【００９０】ここで、エラストマ３を張り付けた際のエ
ラストマ３と基板本体部４ａとの両者の端部での位置関
係は、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、３通り
考えられる。
【００９１】まず、図１２（ａ）は、基板本体部４ａの
端部がエラストマ３より突出した場合であり、その突出
量をＰとする。
【００９２】さらに、図１２（ｂ）は、基板本体部４ａ
の端部とエラストマ３の端部とが揃った場合であり、ま
た、図１２（ｃ）は、基板本体部４ａの端部がエラスト
マ３より引っ込んだ場合であり、その引っ込み量をＱと
する。
【００９３】一般に、封止材（ここでは、封止樹脂）の
塗布後、加熱硬化時には、前記封止材中の揮発成分が揮
発ガスとなって発生する。その際、前記揮発ガスの比重
は前記封止材に比べて小さいため、発生した前記揮発ガ
スは前記封止材の上部から外部に抜ける。
【００９４】しかし、後述のＰ値所定範囲を越えてエラ
ストマ３の端部が基板本体部４ａの端部より内側（Ｐ＞
３００μｍ）にあると、この基板本体部４ａの端部より
内側の奥で発生した前記揮発ガスは、この上部が基板本
体部４ａの端部によって塞がれているため、前記封止材
の外部に抜けることができず、前記封止材の内部に気泡
として溜まる。
【００９５】また、この気泡の内部の前記揮発ガスの成
分の一部は、封止材の加熱硬化後、徐々に封止材中の微
細な隙間（分子間）を通って外部に抜けることによっ
て、気泡の内圧は解放される。
【００９６】この結果、前記気泡の存在した箇所は、前
記封止材の内部に空孔（ボイド）として形成されること
になる。
【００９７】この封止材の内部の前記ボイドは、本来、
前記封止材によって充填されているべき領域の一部に未
充填空間を形成するので、半導体装置の耐湿信頼性およ
び温度サイクル信頼性に対して悪影響を及ぼす。
【００９８】したがって、前記Ｐの値を、例えば、０≦
Ｐ≦３００μｍ、好ましくは、０≦Ｐ≦１００μｍのＰ
値所定範囲とすることにより、基板本体部４ａによって
揮発ガスの抜け道が塞がられることがなく、その結果、
発生した前記揮発ガスは効率良く前記封止材の外部に放
出される。
【００９９】これにより、前記封止材の内部にボイドが
形成されることはない。
【０１００】一方、後述のＱ値所定範囲を越えてエラス
トマ３の端部が基板本体部４ａの端部より外側（Ｑ＞１
００μｍ）にあると、リード４ｃの一部がエラストマ３
によって固定されるため、リード４ｃのボンディング時
に、適正な配線形状を形成できない。
【０１０１】その結果、温度サイクル信頼性に対して悪
影響を及ぼす。
【０１０２】したがって、基板本体部４ａの端部に対す
るエラストマ３の端部の位置を、例えば、０≦Ｑ≦１０
０μｍ、好ましくは、０≦Ｑ≦５０μｍのＱ値所定範囲
とすることにより、適正なリード４ｃのボンディングを
行うことができる。
【０１０３】これにより、前記Ｐと前記Ｑの値を前記所
定範囲とすることにより、封止材内でのボイド発生を無
くし、かつ、リード４ｃの適正なボンディングを行った
信頼性の高いＣＳＰ１１の構造を得ることができる。
【０１０４】その後、図２（ａ）に示すような主面１ａ
の外周部に電極パッド１ｂが設けられた半導体チップ１
を供給するチップ供給２３（図４参照）を行い、これに
より、図５に示すチップ張り付け条件に基づいて、図４
に示すチップ張り付け２４を行う。
【０１０５】ここで、チップ張り付け２４は、図１に示
すように、半導体チップ１の電極パッド１ｂを薄膜配線
基板４の開口部４ｅに露出させて、図２（ａ）に示すよ
うに、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接
合する。
【０１０６】つまり、図９（ｂ）に示すように、エラス
トマ３上に半導体チップ１を張り付ける。
【０１０７】その後、図５に示すチップ張り付け後キュ
ア条件に基づいて、図４に示すエラストマキュアベーク
２５を行い、エラストマ３と半導体チップ１との接合強
度を高める。
【０１０８】続いて、図５に示すインナリード接続条件
に基づいて、図４に示すインナリード接続２６を行う。
なお、図５に示す前記インナリード接続条件としては、
条件の場合と条件の場合との２通りを紹介している
が、前記インナリード接続条件はこれに限定されるもの
ではない。
【０１０９】まず、図１３（ａ）に示すように、ボンデ
ィングツール７を所定位置で下降させ、その後、図１３
（ｂ）に示すように、半導体チップ１の電極パッド１ｂ
とこれに対応した薄膜配線基板４のリード４ｃとにボン
ディングツール７を押し付けてリード４ｃと電極パッド
１ｂとを電気的に接続する。
【０１１０】なお、本実施の形態１によるボンディング
方法は、シングルポイントボンディングである。
【０１１１】ここで、ボンディング後、ボンディングツ
ール７によって、リード４ｃを電極パッド１ｂ直上で押
し上げる動作を行った際に、リード４ｃのテーパ形状の
先端部で発生する応力をリード４ｃの基板本体部４ａの
端部で発生する応力によって割った値を曲げ応力比αと
定義すると、前記曲げ応力比αは、テーパ形状を特徴と
したリード４ｃの寸法から次式によって表される。
【０１１２】α＝Ｌ×（Ｋ−Ｊ）／（Ｍ×Ｋ）、（図１
３（ａ）参照） したがって、前記曲げ応力比αが1.０〜1.７５となるよ
うに、リード４ｃの寸法および形状を設計することが好
ましい。
【０１１３】その後、図４に示すように、封止材である
封止樹脂の供給すなわち封止材供給２７を行う。
【０１１４】すなわち、図３の封止材仕様に示す封止材
（封止樹脂）を用いて、図４に示す樹脂封止２８を行
う。
【０１１５】その際、図示しないポッティングノズルを
用いたポッティング方法によって、図１に示す薄膜配線
基板４の開口部４ｅから前記封止樹脂を滴下し、半導体
チップ１の電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリード４
ｃとを封止して封止部５を形成する。なお、滴下時間
は、片側の開口部４ｅに対して、例えば、３０秒程度で
ある。
【０１１６】本実施の形態１のＣＳＰ１１においては、
基板突出部４ｂと半導体チップ１との間で、ブリッジさ
せた状態で封止が行えるため、安定した樹脂封止２８を
行うことができ、その結果、封止部５の耐湿信頼性を向
上できる。
【０１１７】続いて、図５に示す封止後キュア条件に基
づいて、図４に示す封止材キュアベーク２９を行い、封
止部５を固める。
【０１１８】さらに、図３のバンプ用ボール仕様に示す
バンプ用のボール材を基板本体部４ａのバンプ用開口部
４ｊ（図７（ａ）参照）に供給するボール供給３０（図
４参照）を行う。
【０１１９】その後、図５に示すバンプ形成時リフロー
条件に基づいて、図４に示すバンプ形成３１を行う。
【０１２０】この際、基板本体部４ａのバンプ用開口部
４ｊに前記ボール材を供給したものを図示しないリフロ
ー炉に通してバンプ形成３１を行う。
【０１２１】これにより、図１および図２に示すよう
に、基板本体部４ａの配線４ｄとバンプ電極２とが電気
的に接続される。
【０１２２】なお、本実施の形態１においては、バンプ
電極２を形成する際に、吸湿した状態のＣＳＰ１１をリ
フローしても、エラストマ３における所定方向の側面３
ａ（ここでは、半導体チップ１の長手方向と同じ方向の
対向する２つの側面３ａ）が外部に露出しているため、
リフロー時の発生蒸気をエラストマ３を通過させて外部
に発散できる。
【０１２３】その結果、耐リフロー性を向上できる。
【０１２４】その後、製品（ＣＳＰ１１）の型番などの
マークを付すマーク３２（図４参照）を行う。
【０１２５】続いて、図１０に示す切断位置８で図４に
示す切断３３を行って、所望サイズの個々のＣＳＰ１１
を取得する。
【０１２６】（実施の形態２）図１４は本発明の実施の
形態２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図１５は図１４に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１４のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図１４のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図１４のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０１２７】本実施の形態２のＣＳＰ１２（半導体装
置）は、図１に示す実施の形態１のＣＳＰ１１と同様に
周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１
１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態１
のＣＳＰ１１に対しての変更箇所は、図４に示すバンプ
形成３１後の切断３３の工程で、基板突出部４ｂに形成
された封止部５の領域において、基板突出部４ｂとこれ
に形成された封止部５とを同時に所望の外形サイズに切
断加工することであり、これにより、ＣＳＰ１２は図１
に示すＣＳＰ１１と比べて、さらに小形化を図ったもの
である。
【０１２８】これを実現するためには、図４に示す樹脂
封止２８の工程において、封止樹脂として、シリカの割
合が少ない低シリカ材からなる封止樹脂を用いる必要が
ある。
【０１２９】つまり、封止樹脂中のシリカ（フィラー）
の含有率を０〜５０重量％以下、好ましくは０重量％と
する。
【０１３０】ここで、前記シリカは、非常に硬質である
が、図４に示す封止材キュアベーク２９の際に、前記封
止樹脂の在留応力を低減できるものでもある。
【０１３１】なお、本実施の形態２のＣＳＰ１２におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態１のＣＳＰ１１のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１３２】本実施の形態２のＣＳＰ１２およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１３３】まず、基板突出部４ｂに形成された封止部
５の領域において、基板突出部４ｂと封止部５とを同時
に所望の外形サイズに切断加工することにより、基板突
出部４ｂにおける前記封止樹脂の広がり度合い（基板突
出部４ｂに形成された封止部５の大きさ）に係わらず外
形切断を行うため、ＣＳＰ１２の小形化を実現できる。
【０１３４】さらに、封止樹脂中に含まれる前記シリカ
の割合が少ないため、前記封止樹脂が固まった後の封止
部５の硬さを緩和でき、その結果、基板突出部４ｂと封
止部５とを切断加工する際に用いる切断金型の寿命を延
ばすことができる。
【０１３５】なお、本実施の形態２のＣＳＰ１２および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態１のＣＳＰ１１のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０１３６】（実施の形態３）図１６は本発明の実施の
形態３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図１７は図１６に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１６のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図１６のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図１６のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０１３７】本実施の形態３のＣＳＰ１３（半導体装
置）は、図１４および図１５に示す実施の形態２のＣＳ
Ｐ１２と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰで
あり、ＣＳＰ１２とほぼ同じ構造を有するものである
が、実施の形態２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、
図４に示す樹脂封止２８の工程において、実施の形態１
で行った樹脂封止２８と合わせて、図１７（ｃ）に示す
ように、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側
面１ｃに対しても樹脂封止２８を行うものである。
【０１３８】なお、前記半導体チップ１の長手方向の対
向する２つの側面１ｃに対して樹脂封止２８を行う際に
は、実施の形態１における封止材キュアベーク２９を行
った後、一度、ＣＳＰ１３を表裏反転させる。
【０１３９】その後、半導体チップ１の裏面（主面１ａ
と反対側の面）側から半導体チップ１の長手方向の対向
する２つの側面１ｃおよびこれに近接する基板突出部４
ｂに対して封止樹脂を塗布して樹脂封止２８を再度行
う。
【０１４０】さらに、図４に示す切断３３の工程におい
て、基板突出部４ｂと、エラストマ３のエラストマ突出
部３ｂと、これに形成された封止部５とを同時に所望の
外形サイズに切断加工する。
【０１４１】その結果、図１７に示すように、本実施の
形態３のＣＳＰ１３においては、半導体チップ１の４つ
の側面１ｃ全てに対して樹脂封止２８が行われ、これに
より、半導体チップ１の４つの全ての側面１ｃに封止部
５が形成されている。
【０１４２】なお、本実施の形態３のＣＳＰ１３におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１４３】本実施の形態３のＣＳＰ１３およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１４４】ＣＳＰ１３によれば、半導体チップ１の４
つの全ての側面１ｃが封止樹脂によって覆われているた
め、半導体チップ１の封止性（ここでは、耐湿信頼性）
を向上できる。
【０１４５】その結果、小形でかつ信頼性の高いＣＳＰ
１３を実現できる。
【０１４６】なお、本実施の形態３のＣＳＰ１３および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０１４７】（実施の形態４）図１８は本発明の実施の
形態４による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図１９は図１８に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１８のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図１８のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図１８のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０１４８】本実施の形態４のＣＳＰ１４（半導体装
置）は、図１６および図１７に示す実施の形態３のＣＳ
Ｐ１３と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰで
あり、ＣＳＰ１３とほぼ同じ構造を有するものである
が、実施の形態３のＣＳＰ１３に対しての変更箇所は、
図１８に示すように、エラストマ３が薄膜配線基板４の
基板本体部４ａとほぼ同じ大きさに形成されていること
である。
【０１４９】すなわち、本実施の形態４のＣＳＰ１４に
おけるエラストマ３は、実施の形態１〜３に示したエラ
ストマ突出部３ｂを有していない。
【０１５０】したがって、実施の形態３で説明した樹脂
封止２８の方法と同様の方法で樹脂封止２８を行った際
に、半導体チップ１の４つの全ての側面１ｃが封止樹脂
によって覆われることに合わせて、エラストマ３の４つ
の全ての側面３ａも前記封止樹脂によって覆われる。
【０１５１】これにより、半導体チップ１とエラストマ
３との外周全ての側面１ｃ，３ａを一体に覆った封止部
５を形成でき、かつ前記外周全ての側面１ｃ，３ａを一
体に覆った前記封止部５が薄膜配線基板４の基板突出部
４ｂに対しても直接接合している。
【０１５２】また、ＣＳＰ１４は、エラストマ３におけ
る全ての面が、封止部５と基板本体部４ａと半導体チッ
プ１とによって覆われた構造となっている。
【０１５３】なお、本実施の形態４のＣＳＰ１４におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態３のＣＳＰ１３のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１５４】本実施の形態４のＣＳＰ１４およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１５５】ＣＳＰ１４によれば、エラストマ３の全て
の面が覆われているため、エラストマ３の側面３ａを露
出させた際の作用効果を得ることはできないが、これに
対して、半導体チップ１とエラストマ３との外周全ての
側面１ｃ，３ａを一体に覆って封止部５を形成でき、か
つ前記外周全ての前記封止部５が薄膜配線基板４の基板
突出部４ｂに対しても直接接合しているため、半導体チ
ップ１の封止性（耐湿信頼性）をさらに向上できる。
【０１５６】なお、本実施の形態４のＣＳＰ１４および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態３のＣＳＰ１３のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０１５７】（実施の形態５）図２０は本発明の実施の
形態５による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図２１は図２０に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２０のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図２０のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図２０のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０１５８】本実施の形態５のＣＳＰ１５（半導体装
置）は、図１８および図１９に示す実施の形態４のＣＳ
Ｐ１４と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰで
あり、ＣＳＰ１４とほぼ同じ構造を有するものである
が、実施の形態４のＣＳＰ１４に対しての変更箇所は、
図２０に示すように、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂ
に、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅとは別に、
半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃ
（図２１（ｃ）参照）に対応した箇所に封止用開口部４
ｍが設けられていることである。
【０１５９】すなわち、本実施の形態４のＣＳＰ１４に
おける薄膜配線基板４には、半導体チップ１の両側の電
極パッド１ｂを露出させる位置に設けられた対向する２
つの開口部４ｅと、これと直角を成す方向で対向する位
置に設けられた２つの封止用開口部４ｍとが設けられて
いる。
【０１６０】これにより、図４に示す樹脂封止２８を行
う際には、薄膜配線基板４の表面側からこの開口部４ｅ
と封止用開口部４ｍとを介して封止樹脂を塗布できる。
【０１６１】したがって、このポッティング方法で、半
導体チップ１の４つの側面１ｃを封止樹脂によって覆う
ことができる。
【０１６２】なお、本実施の形態５のＣＳＰ１５におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態４のＣＳＰ１４のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１６３】本実施の形態５のＣＳＰ１５およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１６４】ＣＳＰ１５によれば、薄膜配線基板４の表
面側（一方側）からこの開口部４ｅと封止用開口部４ｍ
とを介して封止樹脂を塗布して樹脂封止２８を行えるた
め、樹脂封止２８の際に、ＣＳＰ１５を反転させる必要
がないため、生産効率の向上を図ることができる。
【０１６５】なお、本実施の形態５のＣＳＰ１５および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態４のＣＳＰ１４のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０１６６】（実施の形態６）図２２は本発明の実施の
形態６による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図２３は図２２に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２２のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図２２のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図２２のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０１６７】本実施の形態６のＣＳＰ１６（半導体装
置）は、図１４および図１５に示す実施の形態２のＣＳ
Ｐ１２と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰで
あり、ＣＳＰ１２とほぼ同じ構造を有するものである
が、実施の形態２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、
図２２に示すように、エラストマ３も薄膜配線基板４と
同様の半導体チップ１の電極パッド１ｂを露出させる開
口部３ｃを有していることである。
【０１６８】すなわち、ＣＳＰ１６におけるエラストマ
３は、電極パッド１ｂを露出させる２つの開口部３ｃが
設けられ、かつこの開口部３ｃおよび半導体チップ１の
外方に突出するエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）
を備えているものである。
【０１６９】これにより、薄膜配線基板４にエラストマ
３を張り付ける際には、それぞれの部材の２つの開口部
４ｅと開口部３ｃとの位置を合わせて張り付ける。
【０１７０】なお、本実施の形態６のエラストマ突出部
３ｂは、エラストマ３の外周全体に亘って設けられてい
る。
【０１７１】また、本実施の形態６のＣＳＰ１６におけ
る樹脂封止２８（図４参照）は、実施の形態２における
樹脂封止２８と同様である。
【０１７２】その際、エラストマ３においてもその開口
部３ｃの外方にエラストマ突出部３ｂが設けられている
ため、図２３（ｂ）に示すように、開口部３ｃの外方周
囲のエラストマ突出部３ｂが封止樹脂の流れを阻止する
ダムの機能も兼ね備えている。
【０１７３】したがって、本実施の形態６のＣＳＰ１６
においては、図４に示す切断３３を行う際に、薄膜配線
基板４の基板突出部４ｂとこれに積層したエラストマ突
出部３ｂとを同時に切断加工して小形化を図るものであ
る。
【０１７４】すなわち、切断３３によって薄膜配線基板
４とエラストマ３との外形形状をほぼ同じ大きさに形成
する。
【０１７５】また、ＣＳＰ１６においては、樹脂封止２
８によって形成された封止部５を、切断３３の際に切断
加工しないため、封止材である封止樹脂として、シリカ
の含有率が５０重量％以上の前記封止樹脂を用いること
が可能になる。
【０１７６】なお、本実施の形態６のＣＳＰ１６におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１７７】本実施の形態６のＣＳＰ１６およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１７８】ＣＳＰ１６によれば、エラストマ３に設け
られたエラストマ突出部３ｂによって樹脂封止２８の際
の封止樹脂の流れ出しを防止できる。
【０１７９】その際、エラストマ突出部３ｂがエラスト
マ３の外周全体に亘って設けられているため、薄膜配線
基板４の基板突出部４ｂの全体に亘って前記封止樹脂の
流出を防止できる。
【０１８０】これにより、切断３３の際に、前記封止樹
脂を切断加工することなく、かつ、ＣＳＰ１６の外形の
小形化を図ることができる。
【０１８１】さらに、切断３３の際に、前記封止樹脂を
切断加工することがないため、前記封止樹脂として、シ
リカの含有率が５０重量％以上のものを用いることが可
能になる。
【０１８２】これにより、図４に示す封止材キュアベー
ク２９の際の封止樹脂の収縮率を小さくすることが可能
になり、前記封止樹脂が有する在留応力を低減できる。
【０１８３】なお、本実施の形態６のＣＳＰ１６および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０１８４】（実施の形態７）図２４は本発明の実施の
形態７による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図２５は図２４に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２４のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図２４のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図２４のＣ−Ｃ断面を示す断面図、
（ｄ) は図２４の正面図、（ｅ) は図２４の側面図、図
２６は図２４に示す半導体装置の裏面側の構造を示す底
面図である。
【０１８５】本実施の形態７のＣＳＰ１７（半導体装
置）は、図２２および図２３に示す実施の形態６のＣＳ
Ｐ１６と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰで
あり、ＣＳＰ１６とほぼ同じ構造を有するものである
が、実施の形態６のＣＳＰ１６に対しての変更箇所は、
図２５（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、ＣＳＰ１７を
組み立てた際に、エラストマ３のエラストマ突出部３ｂ
によって半導体チップ１の４つの側面１ｃが囲まれる程
度に、エラストマ３の厚さを厚くしていることである。
【０１８６】なお、ＣＳＰ１７においては、エラストマ
３の厚さを厚く形成するために、多孔質フッ素樹脂によ
って形成されたエラストマ３を用いる。
【０１８７】これにより、本実施の形態７のＣＳＰ１７
においては、図２５（ｃ）に示すように、半導体チップ
１が、その外周の側面１ｃがエラストマ３のエラストマ
突出部３ｂ（弾性体突出部）によって囲まれて取り付け
られている。
【０１８８】また、図２６は、ＣＳＰ１７の内部におい
て配線４ｄのレイアウト（引き回し）を示したものであ
る。
【０１８９】ここで、図２５（ｃ）に示す半導体チップ
１の張り付け（固定）方法について説明する。
【０１９０】図４に示すチップ張り付け２４を行う際
に、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であることを利用
して、エラストマ３に対して半導体チップ１を押し込む
ようにして張り付ける。
【０１９１】その際、エラストマ３は多孔質フッ素樹脂
であるため、比較的小さな荷重で容易に凹ませることが
できる。
【０１９２】これにより、半導体チップ１の直下のエラ
ストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分
に薄くすることができる。
【０１９３】その結果、半導体チップ１を、その外周の
側面１ｃが外周全体のエラストマ突出部３ｂによって囲
まれた状態に取り付けた構造とすることができる。
【０１９４】その後、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよ
びエラストマ３の開口部３ｃを介して封止樹脂を塗布
し、半導体チップ１の両端部における封止部５を形成す
る。
【０１９５】ここで、ＣＳＰ１７においては、半導体チ
ップ１の長手方向の対向する側面１ｃの中央部付近は、
図２５（ｃ）に示すように、前記封止樹脂による封止が
行われずに、半導体チップ１をエラストマ３に押し込ん
で取り付けたことにより、エラストマ３のエラストマ突
出部３ｂのみによって覆われた構造となる。
【０１９６】なお、本実施の形態７のＣＳＰ１７におけ
るその他の構造とその他の製造方法とについては、実施
の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるため、その重
複説明は省略する。
【０１９７】本実施の形態７のＣＳＰ１７およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１９８】ＣＳＰ１７によれば、エラストマ３が多孔
質フッ素樹脂であり、かつ半導体チップ１の直下のエラ
ストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分
に薄くすることができるため、半導体チップ１の外周の
側面１ｃをエラストマ突出部３ｂによって囲んだ状態に
取り付けることができる。
【０１９９】したがって、図４に示す樹脂封止２８の際
に、このエラストマ突出部３ｂによって外側への封止樹
脂の流出を防止でき、その結果、封止樹脂を切断加工す
る必要がないため、ＣＳＰ１７の小形化を図ることがで
きる。
【０２００】なお、本実施の形態７のＣＳＰ１７および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０２０１】（実施の形態８）図２８は本発明の実施の
形態８による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図２９は図２８に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２８のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図２８のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図２８のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０２０２】本実施の形態８のＣＳＰ１８（半導体装
置）は、図１４に示す実施の形態２のＣＳＰ１２と同様
に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ
１２とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態
２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４
の基板突出部４ｂのチップ搭載側の面における開口部４
ｅの周囲に、樹脂封止２８（図４参照）の際の封止樹脂
の流出を阻止するコ字形状のダム部材３４が設けられて
いることである。
【０２０３】なお、このダム部材３４は、例えば、エポ
キシ系の塗布樹脂などを固めて形成したものである。
【０２０４】また、ＣＳＰ１８においては、樹脂封止２
８によって形成された封止部５を、切断３３（図４参
照）の際に切断加工しないことにより、封止材である封
止樹脂として、シリカの含有率が５０重量％以上の前記
封止樹脂を用いることが可能になる。
【０２０５】なお、本実施の形態８のＣＳＰ１８におい
ては、半導体チップ１の長手方向に平行な方向の対向す
る２つの側面１ｃは封止されずに露出している。
【０２０６】ここで、本実施の形態８のＣＳＰ１８にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その
重複説明は省略する。
【０２０７】本実施の形態８のＣＳＰ１８およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２０８】まず、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに
樹脂封止２８の際の前記封止樹脂の流出を阻止するダム
部材３４が設けられていることにより、切断３３の際
に、前記封止樹脂を切断加工することなく、かつ、ＣＳ
Ｐ１８の外形の小形化を図ることができる。
【０２０９】さらに、切断３３の際に、前記封止樹脂を
切断加工しないため、前記封止樹脂として、シリカの含
有率が５０重量％以上のものを用いることが可能にな
る。
【０２１０】これにより、図４に示す封止材キュアベー
ク２９の際の封止樹脂の収縮率を小さくすることが可能
になり、前記封止樹脂が有する在留応力を低減できる。
【０２１１】なお、本実施の形態８のＣＳＰ１８および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０２１２】（実施の形態９）図３０は本発明の実施の
形態９による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止
部を透過して示す平面図、図３１は図３０に示す半導体
装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３０のＡ−Ａ断
面を示す断面図、（ｂ) は図３０のＢ−Ｂ断面を示す断
面図、（ｃ）は図３０のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【０２１３】本実施の形態９のＣＳＰ１９（半導体装
置）は、図２８に示す実施の形態８のＣＳＰ１８と同様
に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ
１８とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態
８のＣＳＰ１８に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４
の基板突出部４ｂのチップ搭載側の面に設けられたダム
部材３４が、基板突出部４ｂの外周全体に亘って枠状に
形成されていることである。
【０２１４】したがって、本実施の形態９のＣＳＰ１９
におけるエラストマ３は、エラストマ突出部３ｂ（図２
８参照）を有していない形状である。
【０２１５】なお、ダム部材３４が、基板突出部４ｂの
外周全体に亘って枠状に形成されているため、本実施の
形態９のＣＳＰ１９では、半導体チップ１の４つの側面
１ｃ全てに亘って樹脂封止２８を行っている。
【０２１６】ここで、本実施の形態９のＣＳＰ１９にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態８のＣＳＰ１８のものと同様であるため、その
重複説明は省略する。
【０２１７】本実施の形態９のＣＳＰ１９およびその製
造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２１８】ＣＳＰ１９によれば、エラストマ３の全て
の面が覆われているため、エラストマ３の側面３ａを露
出させた際の作用効果を得ることはできないが、これに
対して、半導体チップ１とエラストマ３との外周全ての
側面１ｃ，３ａを一体に覆って封止部５を形成でき、か
つ前記外周全ての封止部５が薄膜配線基板４の基板突出
部４ｂに対しても直接接合しているため、半導体チップ
１の封止性（耐湿信頼性）を向上できる。
【０２１９】なお、本実施の形態９のＣＳＰ１９および
その製造方法によって得られるその他の作用効果につい
ては、実施の形態８のＣＳＰ１８のものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。
【０２２０】（実施の形態１０）図３２は本発明の実施
の形態１０による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を
封止部を透過して示す平面図、図３３は図３２に示す半
導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３２のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３２のＢ−Ｂ断面を示
す断面図、（ｃ）は図３２のＣ−Ｃ断面を示す断面図で
ある。
【０２２１】本実施の形態１０のＣＳＰ４０（半導体装
置）は、図２２に示す実施の形態６のＣＳＰ１６と同様
に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ
１６とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態
６のＣＳＰ１６に対しての変更箇所は、図３２に示すよ
うに、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂとエラストマ３
のエラストマ突出部３ｂとに、電極パッド１ｂを露出さ
せる開口部４ｅ、開口部３ｃとは別に、半導体チップ１
の長手方向の対向する２つの側面１ｃ（図３３（ｃ）参
照）に対応した箇所に封止用開口部４ｍ，３ｆが設けら
れていることである。
【０２２２】すなわち、本実施の形態１０のＣＳＰ４０
における薄膜配線基板４とエラストマ３とには、半導体
チップ１の両側の電極パッド１ｂを露出させる位置に設
けられた対向する２つの開口部４ｅ，３ｃと、これと直
角を成す方向で対向する位置に設けられた２つの封止用
開口部４ｍ，３ｆとが設けられており、薄膜配線基板４
とエラストマ３とがほぼ同じ形状のものである。
【０２２３】これにより、図４に示す樹脂封止２８を行
う際には、薄膜配線基板４の表面側からこの開口部４
ｅ，開口部３ｃと封止用開口部４ｍ，封止用開口部３ｆ
とをそれぞれ介して封止樹脂を塗布できる。
【０２２４】したがって、このポッティング方法で、半
導体チップ１の４つの側面１ｃを封止樹脂によって覆う
ことができる。
【０２２５】また、エラストマ３が、半導体チップ１の
４辺の外方に突出したエラストマ突出部３ｂを有してい
るため、半導体チップ１の４つの側面１ｃ全てに亘って
樹脂封止２８を行っている。
【０２２６】なお、本実施の形態１０のＣＳＰ４０にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるため、その
重複説明は省略する。
【０２２７】本実施の形態１０のＣＳＰ４０およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２２８】ＣＳＰ４０によれば、半導体チップ１の４
つの側面１ｃが封止されているため、半導体チップ１の
封止性（耐湿信頼性）を向上できる。
【０２２９】さらに、エラストマ突出部３ｂによって樹
脂封止２８の際の前記封止樹脂の流れ出しを防ぐことが
できるため、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工
することなく、かつ、ＣＳＰ４０の外形の小形化を図る
ことができる。
【０２３０】また、開口部３ｃ，４ｅ，封止用開口部３
ｆ，封止用開口部４ｍの４箇所全て同一の方向から封止
樹脂の塗布を行えるため、封止工程の作業性を向上でき
るとともに、生産効率を向上できる。
【０２３１】なお、本実施の形態１０のＣＳＰ４０およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０２３２】（実施の形態１１）図３４は本発明の実施
の形態１１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を
封止部を透過して示す平面図、図３５は図３４に示す半
導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３４のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３４のＢ−Ｂ断面を示
す断面図、（ｃ）は図３４のＣ−Ｃ断面を示す断面図で
ある。
【０２３３】本実施の形態１１のＣＳＰ４１（半導体装
置）は、図３２に示す実施の形態１０のＣＳＰ４０と同
様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳ
Ｐ４０とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形
態１０のＣＳＰ４０に対しての変更箇所は、図３５に示
すように、ＣＳＰ４１を組み立てた際に、エラストマ３
のエラストマ突出部３ｂによって半導体チップ１の４つ
の側面１ｃが封止部５を介して囲まれる程度に、エラス
トマ３の厚さをＣＳＰ４０のエラストマ３の厚さより厚
くしていることである。
【０２３４】なお、ＣＳＰ４１においては、エラストマ
３の厚さを厚く形成するために、多孔質フッ素樹脂によ
って形成されたエラストマ３を用いる。
【０２３５】これにより、本実施の形態１１のＣＳＰ４
１においては、図３５（ｃ）に示すように、半導体チッ
プ１が、その外周の側面１ｃが封止部５を介してエラス
トマ３のエラストマ突出部３ｂによって囲まれて取り付
けられている。
【０２３６】ここで、図３５（ｃ）に示す半導体チップ
１の張り付け（固定）方法について説明する。
【０２３７】図４に示すチップ張り付け２４を行う際
に、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であることを利用
して、エラストマ３に対して半導体チップ１を押し込む
ようにして張り付ける。
【０２３８】その際、エラストマ３は多孔質フッ素樹脂
であるため、比較的小さな荷重で容易に凹ませることが
できる。
【０２３９】これにより、半導体チップ１の直下のエラ
ストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分
に薄くすることができる。
【０２４０】その結果、半導体チップ１を、その外周の
側面１ｃが外周全体のエラストマ突出部３ｂによって囲
まれた状態に取り付けた構造とすることができる。
【０２４１】その後、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよ
びエラストマ３の開口部３ｃ、さらに、薄膜配線基板４
の封止用開口部４ｍおよびエラストマ３の封止用開口部
３ｆを介して封止樹脂を塗布する。
【０２４２】これにより、半導体チップ１の主面１ａの
外周部と４つの側面１ｃとを、基板突出部４ｂおよびエ
ラストマ突出部３ｂと半導体チップ１との間で封止部５
をブリッジさせた状態で形成できる。
【０２４３】なお、本実施の形態１１のＣＳＰ４１にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、そ
の重複説明は省略する。
【０２４４】本実施の形態１１のＣＳＰ４１およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２４５】ＣＳＰ４１によれば、エラストマ３が多孔
質フッ素樹脂であり、かつ半導体チップ１の直下のエラ
ストマ３の厚さを半導体チップ１の外周のエラストマ突
出部３ｂの厚さより充分に薄くすることができるため、
半導体チップ１の外周の側面１ｃをエラストマ突出部３
ｂによって囲んだ状態に取り付けることができる。
【０２４６】したがって、図４に示す樹脂封止２８の際
に、このエラストマ突出部３ｂによって外側への封止樹
脂の流出を防止でき、その結果、封止樹脂を切断加工す
る必要がないため、ＣＳＰ４１の小形化を図ることがで
きる。
【０２４７】なお、本実施の形態１１のＣＳＰ４１およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態１１のＣＳＰ４１のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０２４８】（実施の形態１２）図３６は本発明の実施
の形態１２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を
封止部を透過して示す平面図、図３７は図３６に示す半
導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３６のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３６のＢ−Ｂ断面を示
す断面図、（ｃ）は図３６のＣ−Ｃ断面を示す断面図で
ある。
【０２４９】本実施の形態１２のＣＳＰ４２（半導体装
置）は、図３２に示す実施の形態１０のＣＳＰ４０と同
様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳ
Ｐ４０とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形
態１０のＣＳＰ４０に対しての変更箇所は、図３６に示
すように、半導体チップ１の主面１ａの４辺の外周部に
電極パッド１ｂが設けられていることである。
【０２５０】したがって、薄膜配線基板４とエラストマ
３とに、それぞれ４つの開口部４ｅおよび開口部３ｃが
設けられ、それぞれの開口部４ｅ，３ｃが対応して同じ
箇所に形成されたことにより、各々の開口部４ｅ，３ｃ
において半導体チップ１の４辺の電極パッド１ｂを露出
させることができる。
【０２５１】さらに、この４つの開口部４ｅ，３ｃを介
して封止樹脂を塗布し、これにより、樹脂封止２８を行
って前記４つの開口部４ｅ，３ｃに封止部５が形成され
ている。
【０２５２】なお、本実施の形態１２のＣＳＰ４２にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、そ
の重複説明は省略する。
【０２５３】本実施の形態１２のＣＳＰ４２およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２５４】ＣＳＰ４２によれば、半導体チップ１が、
その主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けら
れている場合においても、薄膜配線基板４とエラストマ
３とに、それぞれ４つの開口部４ｅ，３ｃを形成して、
この４つの開口部４ｅ，３ｃを介して樹脂封止２８を行
うことにより、耐湿信頼性を向上させた小形のＣＳＰ４
２を実現できる。
【０２５５】なお、本実施の形態１２のＣＳＰ４２およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０２５６】（実施の形態１３）図３８は本発明の実施
の形態１３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を
封止部を透過して示す平面図、図３９は図３８に示す半
導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３８のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３８のＢ−Ｂ断面を示
す断面図、（ｃ）は図３８のＣ−Ｃ断面を示す断面図で
ある。
【０２５７】本実施の形態１３のＣＳＰ４３（半導体装
置）は、図２４に示す実施の形態７のＣＳＰ１７と同様
に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ
１７とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態
７のＣＳＰ１７に対しての変更箇所は、実施の形態１２
のＣＳＰ４２と同様に、図３８に示すように、半導体チ
ップ１の主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設
けられていることである。
【０２５８】したがって、薄膜配線基板４とエラストマ
３とに、それぞれ４つの開口部４ｅおよび開口部３ｃが
設けられ、それぞれの開口部４ｅ，３ｃが対応して同じ
箇所に形成されたことにより、各々の開口部４ｅ，３ｃ
において半導体チップ１の４辺の電極パッド１ｂを露出
させることができる。
【０２５９】さらに、この４つの開口部４ｅ，３ｃを介
して封止樹脂を塗布し、これにより、樹脂封止２８を行
って前記４つの開口部４ｅ，３ｃに封止部５が形成され
ている。
【０２６０】なお、本実施の形態１３のＣＳＰ４３にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その
重複説明は省略する。
【０２６１】本実施の形態１３のＣＳＰ４３およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２６２】ＣＳＰ４３によれば、半導体チップ１が、
その主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けら
れている場合であっても薄膜配線基板４とエラストマ３
とに、それぞれ４つの開口部４ｅ，３ｃを形成すること
により、耐湿信頼性を向上させた小形のＣＳＰ４３を実
現できる。
【０２６３】さらに、樹脂封止２８の際に、４つの開口
部４ｅ，３ｃの４箇所全て同一の方向から封止樹脂の塗
布を行えるため、封止工程の作業性を向上できるととも
に、生産効率を向上できる。
【０２６４】また、半導体チップ１の４つの側面１ｃが
エラストマ突出部３ｂもしくは封止部５によって封止さ
れているため、半導体チップ１の封止性（耐湿信頼性）
を向上できる。
【０２６５】なお、本実施の形態１３のＣＳＰ４３およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様である
ため、その重複説明は省略する。
【０２６６】（実施の形態１４）図４０は本発明の実施
の形態１４における半導体装置の非結線リードの構造の
一例を示す図であり、（ａ）は非結線リードを変形させ
る場合の断面図、（ｂ)および（ｃ）は非結線リードを
変形させない場合の断面図である。
【０２６７】本実施の形態１４は、実施の形態１〜１３
に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、前記半導体装置
が非結線リード３５（半導体チップ１の電極パッド１ｂ
と結線を行わないリード４ｃのこと）を有する場合を説
明するものであり、非結線リード３５の使用目的と、そ
の変形の有無について説明するものである。
【０２６８】なお、非結線リード３５とは、ＣＳＰにお
いてモードの切り換え、すなわち機能の切り換えのため
に行うものであり、同一の配線パターンの個々のリード
４ｃの結線または非結線を選択して目的に合った配線４
ｄを形成するものである。
【０２６９】したがって、非結線を選択したリード４ｃ
つまり非結線リード３５については、ボンディング工程
においてボンディングツール７（図１３参照）による接
続処理を一切行わない。
【０２７０】ここで、図４０に示す非結線リード３５に
ついて、実施の形態７で説明したＣＳＰ１７をその代表
例として用いて説明する。
【０２７１】ただし、実施の形態７以外の実施の形態１
〜１３についても、適用可能であることは言うまでもな
い。
【０２７２】図４０（ａ）に示すＣＳＰ１７において
は、非結線リード３５が半導体チップ１の電極パッド１
ｂに近づく方向に変形されている。
【０２７３】これは、ボンディング工程においてボンデ
ィングツール７による接続処理は行わないものの、ボン
ディングツール７を用いて電極パッド１ｂに接触しない
程度に下方（半導体チップ１の主面１ａの方向）にリー
ド４ｃを押し下げるものである。
【０２７４】なお、図４０（ｂ）および（ｃ）は、両者
とも非結線リード３５を変形させない場合である。
【０２７５】図４０（ｂ）に示すＣＳＰ１７は、変形を
させなかった非結線リード３５が封止部５内に収まった
状態を表すものである。
【０２７６】また、図４０（ｃ）に示すＣＳＰ１７は、
変形をさせなかった非結線リード３５の先端が封止部５
から突出した状態を表すものであり、これは、封止樹脂
が固まった際に封止部５の表面が多少凹んだ形状になる
ため、これにより、非結線リード３５が突出したもので
ある。
【０２７７】なお、半導体装置（ＣＳＰ）が非結線リー
ド３５を有する場合、封止性を考慮して、図４０（ａ）
に示すように、非結線リード３５を半導体チップ１の主
面１ａの方向に変形させることが好ましいが、必ずしも
変形させるものではなく、図４０（ｂ）および（ｃ）に
示すように、変形させなくてもよい。
【０２７８】本実施の形態１４の半導体装置（ＣＳＰ）
におけるその他の構造については、実施の形態１〜１３
に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略す
る。
【０２７９】なお、本実施の形態１４で説明した非結線
リード３５は、ＣＳＰが必ずしも有するものではなく、
ＣＳＰの機能に応じて適用するものである。
【０２８０】その際、実施の形態７以外の実施の形態１
〜１３についても、適用可能であることは言うまでもな
い。
【０２８１】ここで、本実施の形態１４の半導体装置
（ＣＳＰ）によって得られる作用効果について説明す
る。
【０２８２】ＣＳＰにおいて、製品ごとに個別に配線パ
ターンを準備することなく、共通パターンを用いてリー
ド４ｃの結線／非結線を選択することにより、所望の回
路を構成することができる。
【０２８３】これにより、共通部材の使用が可能とな
り、その結果、ＣＳＰの製造コストを安価にできる。
【０２８４】また、前記ＣＳＰが非結線リード３５を有
し、その際、この非結線リード３５が半導体チップ１の
電極パッド１ｂに近づく方向に変形されていることによ
り、樹脂封止後、封止部５の外方に非結線リード３５が
露出することを防げるため、耐湿信頼性を向上できる。
【０２８５】さらに、非結線リード３５を半導体チップ
１の電極パッド１ｂに近づく方向に変形することによ
り、封止部５の表面が多少凹んだ形状になる場合であっ
ても、非結線リード３５を封止部５内に確実に収めるこ
とができる。
【０２８６】これにより、封止樹脂の制約を減らすこと
ができ、使用可能な封止樹脂の種類を増やすことができ
る。
【０２８７】（実施の形態１５）図４１（ａ),（ｂ),
（ｃ）は本発明の実施の形態１５の半導体装置において
１層表配線の薄膜配線基板を用いた構造の一例を示す断
面図、図４２（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態
１５の半導体装置において２層配線の薄膜配線基板を用
いた構造の一例を示す断面図である。
【０２８８】ここで、実施の形態１〜１４に示す半導体
装置（ＣＳＰ）における薄膜配線基板４の配線４ｄが、
１層のものでかつその配線４ｄが基材となるテープの裏
側にのみ形成されたいわゆる１層裏配線のものであるの
に対し、本実施の形態１５では、薄膜配線基板４が１層
表配線の場合と２層配線の場合とについて、実施の形態
１（ＣＳＰ１１）、実施の形態２（ＣＳＰ１２）および
実施の形態７（ＣＳＰ１７）で説明した半導体装置をそ
の代表例として用いて説明する。
【０２８９】まず、図４１は、薄膜配線基板４が１層表
配線の場合であり、そのうち、図４１（ａ）は、半導体
装置の外形構造がテープ外形のもの（例えば、実施の形
態１のＣＳＰ１１）であり、また、図４１（ｂ）は、半
導体装置の外形構造が封止外形のもの（例えば、実施の
形態２のＣＳＰ１２）であり、さらに、図４１（ｃ）
は、半導体装置の外形構造がエラストマ外形のもの（例
えば、実施の形態７のＣＳＰ１７）である。
【０２９０】ここで、１層表配線は、薄膜配線基板４の
テープ基材４ｇの表側に配線４ｄが形成され、さらに、
テープ基材４ｇ上のバンプランド４ｆ（図２７参照）を
除く箇所に厚さ１０〜３０μｍ程度の絶縁コーティング
であるソルダレジスト４ｒが形成されている。
【０２９１】この１層表配線を用いることにより、ソル
ダレジスト４ｒの厚さが１０〜３０μｍと比較的薄いた
め、バンプ電極２のバンプランド接合部付近のはんだ食
われ量を抑えることができ、これにより、バンプ電極２
の取り付け高さのばらつきを低減できる。
【０２９２】また、図４２は、薄膜配線基板４が２層配
線の場合であり、そのうち、図４２（ａ）は、半導体装
置の外形構造がテープ外形のもの（例えば、実施の形態
１のＣＳＰ１１）であり、また、図４２（ｂ）は、半導
体装置の外形構造が封止外形のもの（例えば、実施の形
態２のＣＳＰ１２）であり、さらに、図４２（ｃ）は、
半導体装置の外形構造がエラストマ外形のもの（例え
ば、実施の形態７のＣＳＰ１７）である。
【０２９３】ここで、２層配線は、薄膜配線基板４のテ
ープ基材４ｇの表裏両面に配線４ｄが形成され、かつ、
この表裏両面の配線４ｄがスルーホール４ｗによって電
気的に接続され、さらに、テープ基材４ｇの表面側の前
記バンプランド４ｆを除く箇所に厚さ１０〜３０μｍ程
度の絶縁コーティングであるソルダレジスト４ｒが形成
されている。
【０２９４】なお、本実施の形態１５の半導体装置（Ｃ
ＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１
〜１４に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は
省略する。
【０２９５】さらに、本実施の形態１５で説明した１層
表配線と２層配線は、ＣＳＰが必ずしも有するものでは
なく、１層裏配線であってもよく、また、実施の形態
１，２および７以外の実施の形態１〜１４についても、
適用可能であることは言うまでもない。
【０２９６】本実施の形態１５によれば、この２層配線
を用いることにより、バンプ電極２の数が増えて複雑な
配線４ｄの引き回しを行わなければならない場合であっ
ても、テープ基材４ｇの表裏両面にスルーホール４ｗを
介して配線４ｄを形成できるため、複雑な配線４ｄの引
き回しにも対応できる。
【０２９７】その結果、バンプ電極２の数が増えてもＣ
ＳＰを実現できる。
【０２９８】（実施の形態１６）図４３は本発明の実施
の形態１６の半導体装置の製造方法におけるリード先端
処理の手順の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）
はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）は
ボンディング後、（ｄ）は封止後をそれぞれ示す図、図
４４および図４５は図４３に示すリード先端処理に対す
る比較例のリード先端処理の手順を示す拡大部分断面図
であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディン
グ時、（ｃ）は封止後をそれぞれ示す図である。
【０２９９】本実施の形態１６は、実施の形態１〜１５
に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、ボンディング時
のリード４ｃの先端処理について説明するものである。
【０３００】なお、本実施の形態１６では、実施の形態
７で説明したＣＳＰ１７をその代表例として用いて説明
する。
【０３０１】まず、図４４に示す比較例は、図４４
（ａ）に示す距離Ｐが比較的長いため、図４４（ｂ）に
示すように、ボンディングツール７を移動（下降）させ
てボンディングを行い、その後、リード４ｃの先端処理
を行わずに図４４（ｃ）に示すように樹脂封止２８（図
４参照）を行って封止部５を形成したものである。
【０３０２】この場合、図４４（ａ）に示す距離Ｐが比
較的長いため、ボンディング後のリード４ｃの先端が余
ることなく、図４４（ｃ）に示すように封止部５内に収
まった状態となる。
【０３０３】また、図４５に示す比較例は、図４５
（ａ）に示す距離Ｐが比較的短く、かつ、図４５（ｂ）
に示すように、ボンディングツール７を移動（下降）さ
せてボンディングを行い、その後、リード４ｃの先端処
理を行わずに図４５（ｃ）に示すように前記樹脂封止２
８を行って封止部５を形成したものである。
【０３０４】この場合、図４５（ａ）に示す距離Ｐが比
較的短く、かつ、図４５（ｂ）に示すように、ボンディ
ング後のリード４ｃの先端処理を行っていないため、図
４５（ｃ）に示すように、ボンディング後のリード４ｃ
の先端が封止部５から飛び出して露出した状態となって
いる。
【０３０５】これに対して、図４３に示す本実施の形態
１６のＣＳＰ１７では、図４３（ｂ）に示すように、ボ
ンディングツール７を半導体チップ１の電極パッド１ｂ
に向けて垂直降下させ、その後、ボンディングツール７
の加圧動作を行って半導体チップ１の電極パッド１ｂと
薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気的に接続する。さ
らに、その後、図４３（ｃ）に示すように、ボンディン
グツール７を半導体チップ１の主面１ａに対してほぼ平
行に、かつリード４ｃの先端方向に移動（水平移動）さ
せる。
【０３０６】すなわち、ボンディング後、ボンディング
ツール７の加圧を除去し、かつボンディングツール７を
リード４ｃの先端方向に所定量（例えば、１０〜３００
μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ）水平移動させ、そ
の後、前記樹脂封止２８を行って、図４３（ｄ）に示す
ように封止部５を形成する。
【０３０７】これにより、リード４ｃの先端付近の跳ね
上げ角度を小さくできる。
【０３０８】なお、リード４ｃの先端処理を行う際に
は、ボンディングツール７の加圧除去と同時にボンディ
ングツール７を所定量（例えば、５〜１００μｍ、好ま
しくは１０〜６０μｍ）上昇させた後、ボンディングツ
ール７をリード４ｃの先端方向に前記所定量（例えば、
１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ）水平
移動させてもよい。
【０３０９】また、リード４ｃの先端処理については、
図４３（ａ）に示す距離Ｐ，長さＬ，厚さＥにおいて、
少なくとも距離Ｐが、突出したリード４ｃの長さＬとエ
ラストマ３の厚さＥとに対して相対的に短い（例えば、
Ｐ≦Ｌ−Ｅ、好ましくはＰ≦Ｌ−Ｅ−１００μｍ）場合
にのみ、ボンディングツール７をリード４ｃの先端方向
に前記所定量（例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは
３０〜２００μｍ）水平移動させればよく、図４３
（ａ）に示す距離Ｐ，Ｌ，Ｅにおける前記条件が当ては
まらない場合には、リード４ｃの先端処理を行わないよ
うにしてもよい。
【０３１０】なお、リード４ｃの先端処理については、
図４３（ａ）に示す距離Ｐ、長さＬ、厚さＥに係わら
ず、特に行わなくてもよいことは言うまでもない。
【０３１１】ここで、本実施の形態１６の半導体装置
（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形
態１〜１５に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説
明は省略する。
【０３１２】さらに、本実施の形態１６で説明したリー
ド４ｃの先端処理は、ＣＳＰにおいて必ず行うものでは
なく、特に行わなくてもよい。
【０３１３】また、実施の形態７以外の実施の形態１〜
１５についても、適用可能であることは言うまでもな
い。
【０３１４】本実施の形態１６によれば、半導体チップ
１上の電極パッド１ｂの位置に係わらず、ボンディング
に必要な長さより長いリード４ｃのボンディングを行う
場合においても、リード４ｃの接続形状に関して、余分
なリード４ｃの先端が半導体チップ１の表面（主面１
ａ）から上方に必要以上に突出することを防ぐことがで
きる。
【０３１５】これにより、リード４ｃおよび電極パッド
１ｂを樹脂封止２８して封止部５を形成した後において
も、リード４ｃの先端が封止部５から外方に露出するこ
とを防ぐことができ、その結果、半導体装置（ＣＳＰ１
７）の耐湿信頼性を向上できる。
【０３１６】（実施の形態１７）図４６は本発明の実施
の形態１７の半導体装置（ＣＳＰ）に用いるエラストマ
（弾性構造体）の着色仕様の一例を示すエラストマ仕様
図である。
【０３１７】本実施の形態１７は、実施の形態１〜１６
に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、着色させたエラ
ストマ３を用いる場合について説明するものである。
【０３１８】すなわち、実施の形態１〜１６におけるＣ
ＳＰのエラストマ３は、無着色のものであり、光を透過
させるほぼ透明なものである。
【０３１９】これに対し、本実施の形態１７によるエラ
ストマ３（弾性構造体）は、図４６に示すように、骨格
層３ｄ（後述の図４７参照）の両面に形成された接着層
３ｅに着色材を含有させたものである。
【０３２０】なお、着色させたエラストマ３の仕様の具
体例として示したものが、図４６に示す着色エラストマ
仕様例または着色エラストマ仕様例であり、ここで
用いる着色材は、炭素である。
【０３２１】ただし、図４６に示す着色エラストマの仕
様例および仕様例は、骨格層３ｄの両面の接着層３
ｅに着色材を含有させたものであるが、これに限らず、
何れか一方側の接着層３ｅにのみ着色材が含有されてい
てもよい。
【０３２２】さらに、本実施の形態１７の図４６に示す
仕様例および仕様例は、接着層３ｅに着色材を含有
させたものであるが、骨格層３ｄである中間層材料に着
色材を含有させてもよく、また、接着層３ｅと骨格層３
ｄとの両者に着色材を含有させてもよい。
【０３２３】すなわち、エラストマ３を構成する部材の
うち、少なくとも１つの部材に着色材が含有されていれ
ばよい。
【０３２４】なお、図４６に示す仕様例および仕様例
では、着色材を炭素の粒子としたが、前記着色材は、
これに限らず、他の無機系顔料または有機系染料などで
あってもよい。
【０３２５】さらに、図４６に示す仕様例および仕様
例では、着色材として、黒色の炭素を用いた場合を示
したが、これに限らず、赤色、青色、緑色、桃色、黄色
またはその他の色、あるいは、これらの中間色であって
もよい。
【０３２６】なお、本実施の形態１７の半導体装置（Ｃ
ＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１
〜１６に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は
省略する。
【０３２７】また、本実施の形態１７で説明したエラス
トマ３に着色材を含有させることは、ＣＳＰにおいて必
ず行うものではなく、特に行わなくてもよい。
【０３２８】本実施の形態１７によれば、エラストマ３
に所定量の着色材を含有させることによって、エラスト
マ３の弾性率、熱膨張係数、難燃性および吸湿性などの
基本物性に影響を及ぼすことなく、エラストマ３の透過
率を下げることができる。
【０３２９】これにより、半導体チップ１の回路に対す
る遮光性を得ることができる。
【０３３０】その結果、半導体チップ１の誤動作を招く
とされる紫外線などを遮断できるため、ＣＳＰの電気回
路動作の安定性を向上できる。
【０３３１】さらに、着色材として、炭素を用いること
により、少ない添加量で所望の遮光性を得ることができ
るため、エラストマ３の基本物性の劣化を最小限に抑え
ることができる。
【０３３２】また、エラストマ３の骨格層３ｄでなく、
少なくとも一方の接着層３ｅに着色材を含有することに
より、安価にエラストマ３の着色を実現できる。
【０３３３】（実施の形態１８）図４７（ａ) 〜（ｈ）
は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるエラス
トマの詳細組成の一例を示す組成概念図、図４８（ａ)
〜（ｅ）は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけ
るエラストマの詳細組成の一例を示す概念図であり、
（ａ) 〜（ｄ）は３層構造の組成概念図、（ｅ）は５層
構造の組成概念図である。
【０３３４】本実施の形態１８は、実施の形態１〜１７
に示す半導体装置（ＣＳＰ）におけるエラストマ３の各
構成部材の具体的材質について説明したものである。
【０３３５】ここで、図４７および図４８（ａ）〜
（ｄ）は、エラストマ３が３層からなる場合を示したも
のであり、図４８（ｅ）は、エラストマ３が５層構造の
場合である。
【０３３６】なお、５層構造は、骨格層３ｄとその両外
側（最外側）の接着層３ｅとの間のそれぞれの界面に他
の接着層３ｅを薄く形成したものであり、本実施の形態
１８では、図４８（ｅ）に５層構造の１つの具体例を示
したが、図４７および図４８において、骨格層３ｄの両
面に塗布層ではなくフィルム層が形成されているエラス
トマ３については、前記５層構造を用いることが特に有
効である。
【０３３７】外側の上下層にフィルム層を形成するエラ
ストマ３において、前記５層構造を用いることにより、
前記フィルム層（接着層３ｅ）の剛性をさらに小さくす
ることができる。
【０３３８】その結果、エラストマ３としての剛性も小
さくなるため、リード４ｃに倣い易くなり、これによ
り、エラストマ３の密着性を向上できる。
【０３３９】ここで、エラストマ３の各構成部材の具体
的材質については、図４７および図４８に示す本実施の
形態１８のものに限定されるものではなく、また、層数
についても、３層や５層以外の多層構造であってもよ
い。
【０３４０】ただし、骨格層３ｄには、３次元的網目構
造体により構成された多孔質部材（この多孔質部材の詳
細構造については実施の形態１を参照のこと）を用いる
ことが好ましい。
【０３４１】なお、本実施の形態１８の半導体装置（Ｃ
ＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１
〜１７に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は
省略する。
【０３４２】（実施の形態１９）図４９（ａ),（ｂ) は
本発明の実施の形態１９の半導体装置におけるエラスト
マの骨格層と接着層の厚さの一例を示す概念図である。
【０３４３】本実施の形態１９は、実施の形態１〜１８
に示す半導体装置（ＣＳＰ）のエラストマ３（弾性構造
体）において、接着層３ｅ（図４７および図４８参照）
と骨格層３ｄの厚さについて説明したものである。
【０３４４】ここで、図４９は、エラストマ３が３層か
らなる場合を示したものである。
【０３４５】まず、エラストマ３において、テープ側接
着層３ｇの厚さを、テープ基材４ｇ上の配線４ｄの厚さ
より厚くする（例えば、1.２倍以上好ましくは1.５倍以
上にする）。
【０３４６】具体的には、例えば、配線４ｄの厚さが１
８μｍの場合、テープ側接着層３ｇの厚さを、２1.６μ
ｍ以上好ましくは２７μｍ以上とする。
【０３４７】また、例えば、配線４ｄの厚さが２５μｍ
の場合、テープ側接着層３ｇの厚さを、３０μｍ以上好
ましくは３7.５μｍ以上とする。
【０３４８】ここで、図４９（ａ）は、テープ側接着層
３ｇ（薄膜基板側接着層）とチップ側接着層３ｈが同じ
厚さの場合であり、その一例として、両者の厚さが３０
μｍ、中間層である骨格層３ｄの厚さが１００μｍの場
合である。
【０３４９】その際、例えば、配線４ｄの厚さを１８μ
ｍとすると、上下接着層３ｅ（ここではテープ側接着層
３ｇとチップ側接着層３ｈのこと）の厚さが３０μｍ
で、かつ、骨格層３ｄの厚さが１００μｍであり、その
結果、エラストマ３の全体の厚さが１６０μｍとなる。
【０３５０】また、図４９（ｂ）は、テープ側接着層３
ｇがチップ側接着層３ｈより厚く形成されている場合で
あり、その一例として、テープ側接着層３ｇの厚さが７
５μｍ、チップ側接着層３ｈの厚さが５０μｍ、中間層
である骨格層３ｄの厚さが２５μｍの場合である。
【０３５１】その際、例えば、配線４ｄの厚さを１８μ
ｍとすると、テープ側接着層３ｇの厚さが７５μｍで、
かつチップ側接着層３ｈの厚さが５０μｍ、さらに、骨
格層３ｄの厚さが２５μｍであり、その結果、エラスト
マ３の全体の厚さが１５０μｍとなる。
【０３５２】なお、図４９に記載された各層の厚さは、
一例であり、これに限定されるものではない。
【０３５３】ここで、本実施の形態１９の半導体装置
（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形
態１〜１８に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説
明は省略する。
【０３５４】さらに、テープ側接着層３ｇとチップ側接
着層３ｈの厚さは、同じであっても、異なっていてもよ
い。
【０３５５】本実施の形態１９によれば、テープ側接着
層３ｇの厚さを配線４ｄの厚さより厚くする（例えば、
1.２倍以上好ましくは1.５倍以上にする）ことにより、
テープ基材４ｇの接着面の配線４ｄによる凹凸を埋め込
むことができ、その結果、テープ側接着層３ｇの密着性
を向上できる。
【０３５６】これにより、信頼性の高いＣＳＰを実現で
きる。
【０３５７】また、テープ側接着層３ｇとチップ側接着
層３ｈとを同じ厚さにすることにより、テープ基材４ｇ
および半導体チップ１との接着性を向上できるととも
に、効率の良い安価なエラストマ３の製造が可能にな
る。
【０３５８】さらに、テープ側接着層３ｇの厚さをチッ
プ側接着層３ｈの厚さより厚く形成することにより、決
められたエラストマ全体厚さの条件の中で、配線４ｄに
よるテープ側接着層３ｇの凹凸に対して、さらに最適な
密着性を確保でき、その結果、良好な接着が行えるた
め、信頼性の高いＣＳＰを実現できる。
【０３５９】（実施の形態２０）図５０は本発明の実施
の形態２０の半導体装置の裏面側の構造を示す底面図で
ある。
【０３６０】本実施の形態２０は、実施の形態１〜１９
に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、薄膜配線基板４
の配線４ｄの幅について説明するものである。
【０３６１】なお、本実施の形態２０では、実施の形態
７で説明したＣＳＰ１７をその代表例として用いて説明
する。
【０３６２】図５０に示すＣＳＰ１７は、薄膜配線基板
４に形成された配線４ｄにおいてバンプランド４ｆとの
接続部４ｓの配線幅が、この接続部４ｓから離れた箇所
の配線４ｄの配線幅より広く形成され、かつ、接続部４
ｓの配線幅がバンプランド４ｆから離れるにつれて徐々
に狭くなるように形成されている。
【０３６３】すなわち、テープ基材４ｇ（図２７参照）
に形成されたバンプランド４ｆからリード４ｃに至る配
線４ｄにおいて、バンプランド４ｆとの接続部４ｓの配
線幅が、この接続部４ｓから離れた箇所の配線４ｄの配
線幅より広く形成された幅広形状となっており、さら
に、接続部４ｓの配線幅がバンプランド４ｆから離れる
につれて徐々に狭くなるようにテーパを有して形成され
ている。
【０３６４】なお、図２０に示すＣＳＰ１７において
は、１２個の全ての接続部４ｓの配線幅が幅広形状に形
成されるとともに、この幅広の接続部４ｓがバンプラン
ド４ｆから離れるにつれて徐々に狭くなるように形成さ
れている。
【０３６５】ここで、本実施の形態２０の半導体装置
（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形
態１〜１９に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説
明は省略する。
【０３６６】さらに、本実施の形態２０で説明した幅広
の接続部４ｓは、ＣＳＰにおいて必ず行うものではな
く、特に行わなくてもよい。
【０３６７】なお、前記テープ基材４ｇ上に形成された
配線４ｄのうち、リード４ｃ側の直近に配置されたバン
プランド４ｆに接続する接続部４ｓから延在する配線４
ｄは、リード４ｃまでの距離が比較的短い。
【０３６８】これにより、リード４ｃおよび配線４ｄに
荷重がかかった際に、前記リード４ｃ側の直近に配置さ
れたバンプランド４ｆに接続する接続部４ｓに応力が集
中し易い。
【０３６９】したがって、幅広の接続部４ｓを形成する
際に、少なくともリード４ｃ側の直近に配置されたバン
プランド４ｆに接続する接続部４ｓに対して幅広の接続
部４ｓを形成することが望ましい。
【０３７０】また、実施の形態７以外の実施の形態１〜
１９についても、適用可能であることは言うまでもな
い。
【０３７１】本実施の形態２０によれば、配線４ｄとバ
ンプランド４ｆとの接続部４ｓが幅広形状に形成されて
いるため、この接続部４ｓに応力集中が起こりにくい。
【０３７２】これにより、温度サイクル環境下におい
て、前記テープ基材４ｇとともに、配線４ｄが熱収縮・
膨張によって変形しても、配線４ｄとバンプランド４ｆ
との接続部４ｓで断線することを防止できる。
【０３７３】（実施の形態２１）図５１は本発明の実施
の形態２１による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部を
破断して示す平面図、（ｄ）は正面図、図５２は図５１
に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ)は図５
１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図５１のＢ−Ｂ
断面を示す断面図、（ｃ）は図５１のＣ−Ｃ断面を示す
断面図、図５３は図５２に示す半導体装置の構造を示す
拡大部分断面図であり、（ａ) は図５２（ｂ）のＤ部を
示す図、（ｂ) は図５２（ｃ）のＥ部を示す図、図５４
は本発明の実施の形態２１の半導体装置に用いられる薄
膜配線基板の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),
（ｃ),（ｅ) は部分平面図、（ｂ),（ｄ),（ｆ) は各々
のＡ−Ａ断面を示す断面図、図５５は本発明の実施の形
態２１の半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方
法の一例を示す図であり、（ａ),（ｃ) は部分平面図、
（ｂ),（ｄ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、図５６
は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法
の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、
（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),
（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図、図５７は本発
明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例
を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),
（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ)
は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図、図５８は本発明の実
施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す
図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は
各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々の
Ｂ−Ｂ断面を示す断面図である。
【０３７４】本実施の形態２１のＣＳＰ５１（半導体装
置）は、図２４に示す実施の形態７のＣＳＰ１７と同様
に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ
１７とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態
７のＣＳＰ１７に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４
が図２４に示すような基板突出部４ｂを有していないこ
とと、図５１（ｂ）に示すように、弾性構造体であるエ
ラストマ３（図５１（ａ）参照）が外方に露出する露出
部３ｉを有していることである。
【０３７５】つまり、実施の形態１〜２０のＣＳＰは、
少なくとも薄膜配線基板４が半導体チップ１の外方周囲
に突出する基板突出部４ｂを有した構造であったのに対
し、本実施の形態２１のＣＳＰ５１は、薄膜配線基板４
が基板突出部４ｂを有していない構造のものである。
【０３７６】したがって、ＣＳＰ５１は、図２４に示す
ＣＳＰ１７のエラストマ３に設けられたエラストマ突出
部３ｂも有していない。
【０３７７】ここで、本実施の形態２１によるＣＳＰ５
１の詳細構造について説明する。
【０３７８】ＣＳＰ５１は、電極パッド１ｂ（接続端
子）を露出させて半導体チップ１の主面１ａ上に配置さ
れかつ外方に露出する露出部３ｉを備えたエラストマ３
（弾性構造体）と、一端がリード４ｃを介して電極パッ
ド１ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２（外
部端子）と電気的に接続される配線４ｄが設けられた基
板本体部４ａを備えるとともに、電極パッド１ｂを露出
させる開口部４ｅが設けられた薄膜配線基板４と、半導
体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリ
ード４ｃを封止する封止部５とからなる。
【０３７９】なお、図５１に示すＣＳＰ５１は、２０個
のバンプ電極２が取り付けられているものである。
【０３８０】また、ＣＳＰ５１は、図５１（ｂ）に示す
ように、長辺側の２つの側面５１ａに露出するエラスト
マ３（図５１（ａ）参照）の露出部３ｉを有しており、
ＣＳＰ５１の２つの側面５１ａにおいて各々４つの露出
部３ｉが露出している。
【０３８１】なお、本実施の形態２１のＣＳＰ５１にお
けるその他の構造については、実施の形態７のＣＳＰ１
７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３８２】本実施の形態２１によるＣＳＰ５１の製造
方法について説明する。
【０３８３】まず、図５４、図５５に示すように、配線
４ｄを有する基板本体部４ａに接合したエラストマ３を
備えるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配
置する開口部４ｅが形成され、かつ、基板本体部４ａが
エラストマ３の支持部３ｊにより基板枠部４ｔに支持さ
れた薄膜配線基板４（図５５（ｃ）参照）を準備する。
【０３８４】ここで、図５４および図５５を用いて薄膜
配線基板４の製造方法について説明する。
【０３８５】まず、図５４（ａ）に示すポリイミド樹脂
からなるテープ基材４ｇを準備する。なお、このテープ
基材４ｇの表面または裏面または表裏両面には図５４
（ｃ）に示す銅箔４ｈを張り付けるための接着剤が塗布
されている。
【０３８６】続いて、テープ基材４ｇの両側部にテープ
送り用の基準孔４ｉをほぼ等間隔に形成する。
【０３８７】その後、打ち抜き加工によって、図５４
（ａ）に示すように、２０個のバンプ用開口部４ｊとそ
の両側に２つの配線接合用の開口部４ｅと２つの切断用
の長孔４ｑとを形成し、続いて、図５４（ｃ),（ｄ）に
示すように、テープ基材４ｇに銅箔４ｈを積層して張り
付ける。
【０３８８】さらに、図５４（ｅ）に示すように、エッ
チング加工によって銅箔４ｈを所望の形状に加工し、こ
れにより、配線パターンを形成する。
【０３８９】続いて、図５５（ａ),（ｂ）に示すよう
に、テープ基材４ｇにエラストマ３を張り付ける。
【０３９０】なお、本実施の形態２１で用いるエラスト
マ３は、図５５（ａ）に示すように、片側に４個（両側
で合計８個）の細長い支持部３ｊを有しており、この支
持部３ｊは、薄膜配線基板４の長孔４ｑを跨がって、基
板枠部４ｔに届く長さのものである。
【０３９１】ただし、支持部３ｊの数は、８個に限定さ
れるものではなく、何個であってもよい。
【０３９２】この支持部３ｊの数が、ＣＳＰ５１の露出
部３ｉの数に相当する。
【０３９３】これにより、薄膜配線基板４にエラストマ
３を張り付ける際には、薄膜配線基板４の基板本体部４
ａにエラストマ３の本体部を張り付けるとともに、エラ
ストマ３の８個の支持部３ｊを薄膜配線基板４の長孔４
ｑを跨がらせて基板枠部４ｔに張り付ける。
【０３９４】その後、図５５（ａ）に示す基板本体部４
ａを支持する４つの吊り部４ｕを切断して、基板本体部
４ａがエラストマ３の支持部３ｊによって基板枠部４ｔ
に支持された状態を形成する。
【０３９５】つまり、図５５（ｃ）に示す薄膜配線基板
４は、その基板本体部４ａが、これに張り付けられたエ
ラストマ３によって支持されている。
【０３９６】その結果、図５５（ｃ),（ｄ）および図５
６（ａ) 〜（ｃ）に示すように、エラストマ３を張り付
けた薄膜配線基板４を製造できる。
【０３９７】その後、半導体チップ１の電極パッド１ｂ
（図５１参照）を薄膜配線基板４の開口部４ｅに露出さ
せて、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接
合する。
【０３９８】つまり、図５６（ｄ) 〜（ｆ）に示すよう
に、エラストマ３に半導体チップ１を張り付ける。
【０３９９】その後、図５７（ａ）に示すように、半導
体チップ１の電極パッド１ｂ（図５１参照）とこれに対
応した薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気的に接続す
る。
【０４００】続いて、図５７（ｄ) 〜（ｆ）に示すよう
に、封止樹脂を用いたポッティング方法によって、半導
体チップ１の前記電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリ
ード４ｃとの樹脂封止２８（図４参照）を行い、これに
より、封止部５を形成する。
【０４０１】なお、樹脂封止２８は、トランスファモー
ルド方法により行ってもよい。
【０４０２】その後、基板本体部４ａのバンプ用開口部
４ｊにバンプ用のボール材を供給し、さらに、図示しな
いリフロー炉に通して、図５８（ａ) 〜（ｃ）に示すよ
うに、バンプ電極２の形成を行う。
【０４０３】これにより、基板本体部４ａの配線４ｄ
（図５１または図５２参照）とバンプ電極２とが電気的
に接続される。
【０４０４】その後、エラストマ３の支持部３ｊを切断
して基板本体部４ａを基板枠部４ｔから分離するととも
に、切断された支持部３ｊによって形成されたエラスト
マ３の露出部３ｉ（図５８（ｅ）参照）が露出する。
【０４０５】これにより、図５８（ｄ) 〜（ｆ）または
図５１に示すようなＣＳＰ５１を製造できる。
【０４０６】なお、ＣＳＰ５１のその他の製造方法につ
いては、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様である
ため、その重複説明は省略する。
【０４０７】さらに、本実施の形態２１のＣＳＰ５１に
おいても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術
が適用可能であることは言うまでもない。
【０４０８】本実施の形態２１のＣＳＰ５１およびその
製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０４０９】すなわち、バンプ電極２を形成する際のは
んだリフロー時などに、エラストマ３中の水分および気
体の膨張によって内部圧力が大きくなった場合でも、図
５１（ａ）に示すように、エラストマ３の露出部３ｉか
ら外方にガス抜き経路３６を介してガス（気体）を逃が
すことができる（８箇所の露出部３ｉのどこからでもガ
スを逃がすことができる）。
【０４１０】つまり、エラストマ３の露出部３ｉによっ
てガス抜きを行うことができる。
【０４１１】これにより、封止部５などが破壊されるポ
ップコーン現象の発生を防ぐことができる。
【０４１２】その結果、ＣＳＰ５１の信頼性を向上でき
る。
【０４１３】なお、本実施の形態２１のＣＳＰ５１およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様である
ため、その重複説明は省略する。
【０４１４】（実施の形態２２）図５９は本発明の実施
の形態２２による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は正面図
である。
【０４１５】本実施の形態２２のＣＳＰ５２（半導体装
置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同
様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳ
Ｐ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形
態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図５９に示
すように、エラストマ３（図５１参照）の側面全てがＣ
ＳＰ５２の側面５２ａに露出していることである。
【０４１６】すなわち、ＣＳＰ５２においては、製造完
了後に、図５９（ａ）に示すように、エラストマ３の側
面全体がそのまま露出部３ｉになる。
【０４１７】なお、本実施の形態２２のＣＳＰ５２にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、そ
の重複説明は省略する。
【０４１８】さらに、本実施の形態２２のＣＳＰ５２に
おいても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術
が適用可能であることは言うまでもない。
【０４１９】本実施の形態２２のＣＳＰ５２およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４２０】ＣＳＰ５２によれば、エラストマ３の側面
全体がそのまま露出部３ｉになるため、エラストマ３の
露出面積を増やすことができる。
【０４２１】これにより、エラストマ３の露出部３ｉに
よるガス抜きの効果をさらに向上できる。
【０４２２】その結果、ＣＳＰ５２の信頼性をさらに向
上できる。
【０４２３】なお、本実施の形態２２のＣＳＰ５２およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態２２のＣＳＰ５２のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０４２４】（実施の形態２３）図６０は本発明の実施
の形態２３による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面
図、（ｄ）は正面図、図６１は本発明の実施の形態２３
の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一
例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、
図６２は図６１（ａ）に示す平面図の各断面を示す図で
あり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−
Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面を示す断面
図、図６３は本発明の実施の形態２３の半導体装置の製
造方法における切断完了時の状態の一例を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面
図、図６４は本発明の実施の形態２３の半導体装置にお
けるガス抜きの状態の一例を示す概念図である。
【０４２５】本実施の形態２３のＣＳＰ５３（半導体装
置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同
様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳ
Ｐ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形
態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図６０
（ａ）に示すように、封止部５が半導体チップ１の両端
部付近にのみに形成され、これにより、図６０（ｂ),
（ｃ）に示すように、エラストマ３の側面全体に相当す
る露出部３ｉとその表裏面の外周部の左右中央付近が露
出して形成された露出部３ｉとを有していることであ
る。
【０４２６】すなわち、ＣＳＰ５３においては、樹脂封
止２８が半導体チップ１の全側面１ｃに行われるのでは
なく、電極パッド１ｂ（図５１参照）付近のみに行われ
るものである。
【０４２７】ここで、図６１および図６２は、ＣＳＰ５
３の製造工程において、樹脂封止２８が完了した時点の
構造を示すものであり、図６１（ａ）は平面図、（ｂ）
は裏面側から見た底面図である。
【０４２８】図６１（ｂ）に示すように、封止部５は半
導体チップ１の短辺の側面１ｃと、長辺の側面１ｃの両
端部とに形成されており、側面１ｃの中央付近には形成
されていないため、エラストマ３の表裏面の外周部の左
右中央付近が露出した構造となる。
【０４２９】また、本実施の形態２３のＣＳＰ５３で
は、図６１に示すように、エラストマ３の形状をテープ
基材４ｇの形状とほぼ同一に形成している。
【０４３０】つまり、薄膜配線基板４の開口部４ｅ、長
孔４ｑ、吊り部４ｕおよび基板枠部４ｔを含めて、エラ
ストマ３の形状を薄膜配線基板４の形状にほぼ合わせた
ものとしている。
【０４３１】また、図６３は、樹脂封止後に、図６１に
示す薄膜配線基板４の吊り部４ｕとエラストマ３の吊り
部３ｋとにおいて切断して基板本体部４ａを基板枠部４
ｔから分離した状態を示すものである。
【０４３２】なお、本実施の形態２３のＣＳＰ５３にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、そ
の重複説明は省略する。
【０４３３】さらに、本実施の形態２３のＣＳＰ５３に
おいても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術
が適用可能であることは言うまでもない。
【０４３４】本実施の形態２３のＣＳＰ５３およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４３５】ＣＳＰ５３によれば、エラストマ３の表裏
面の外周部の左右中央付近を露出させた構造とすること
により、切断箇所の露出部３ｉと合わせてエラストマ３
の露出面積を増やせるため、図６４に示すガス抜き経路
３６を介してガス抜きが行われる際に、ガス抜きの効果
をさらに向上できる。
【０４３６】また、エラストマ３の形状をテープ基材４
ｇの形状とほぼ同一に形成したことにより、ＣＳＰ５３
の製造工程において、薄膜配線基板４の強度を向上させ
ることができ、その結果、ＣＳＰ５３の不良品を低減す
るとともに、歩留りの向上を図れる。
【０４３７】なお、本実施の形態２３のＣＳＰ５３およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０４３８】（実施の形態２４）図６５は本発明の実施
の形態２４による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面
図、（ｄ）は正面図、（ｅ）は（ｃ）のＣ−Ｃ断面を示
す断面図である。
【０４３９】本実施の形態２４のＣＳＰ５４（半導体装
置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同
様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳ
Ｐ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形
態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図６５
（ｃ),（ｅ）に示すように、薄膜配線基板４に、エラス
トマ３を露出させる開口孔４ｖが設けられていることで
あり、かつ、図６５に示すように、開口孔４ｖ以外で
は、エラストマ３を露出させる箇所が設けられていない
ことである。
【０４４０】すなわち、本実施の形態２４のＣＳＰ５４
においては、薄膜配線基板４の基板本体部４ａの内方に
２つの開口孔４ｖが設けられている。
【０４４１】これにより、ＣＳＰ５４を組み立てた際に
は、この開口孔４ｖを介してエラストマ３を露出させる
ことができる。
【０４４２】したがって、開口孔４ｖによりエラストマ
３の露出部３ｉを形成できる。
【０４４３】なお、ＣＳＰ５４においては、開口孔４ｖ
以外には、エラストマ３を露出させる箇所が設けられて
いない。
【０４４４】つまり、図６５（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）
に示すように、半導体チップ１の側面１ｃを露出させる
ことなく全ての側面１ｃに亘って樹脂封止２８を行った
ものである。
【０４４５】なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４にお
いて、開口孔４ｖの設置箇所は、薄膜配線基板４の基板
本体部４ａであり、かつ、ＣＳＰ５４の組立後にエラス
トマ３を露出可能な箇所であればどこに形成してもよ
い。
【０４４６】また、開口孔４ｖの設置数についても、特
に限定されるものではない。
【０４４７】なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４にお
けるその他の構造とその他の製造方法とについては、実
施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、そ
の重複説明は省略する。
【０４４８】さらに、本実施の形態２４のＣＳＰ５４に
おいても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術
が適用可能であることは言うまでもない。
【０４４９】本実施の形態２４のＣＳＰ５４およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４５０】ＣＳＰ５４によれば、半導体チップ１の側
面１ｃをその全体に亘って樹脂封止２８したことによ
り、半導体チップ１の封止性を向上できる。
【０４５１】その結果、半導体チップ１の不良を低減で
きるとともに、ＣＳＰ５４の信頼性を向上できる。
【０４５２】また、薄膜配線基板４に開口孔４ｖが設け
られたことにより、半導体チップ１の側面１ｃ全体を樹
脂封止２８した際にも、この開口孔４ｖを用いてガス抜
きを行うことができる。
【０４５３】したがって、半導体チップ１の封止性を向
上しつつ、エラストマ３からのガス抜き効果も向上でき
る。
【０４５４】なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０４５５】（実施の形態２５）図６６は本発明の実施
の形態２５による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図、
図６７は本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造方
法における封止完了時の状態の一例を示す部分平面図、
図６８は図６７に示す部分平面図の各断面を示す図であ
り、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ
断面を示す断面図、図６９は本発明の実施の形態２５の
半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例
を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は半導体チッ
プを取り外した状態の底面図、図７０は本発明の実施の
形態２５の半導体装置におけるガス抜けの状態の一例を
示す概念図である。
【０４５６】本実施の形態２５のＣＳＰ５５（半導体装
置）は、図６６に示すように、周辺パッドタイプのファ
ンイン・ファンアウトＣＳＰである。したがって、実施
の形態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、半導体
チップ１の主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが
設けられていることと、薄膜配線基板４において、半導
体チップ１の内方（基板本体部４ａ）および外方（基板
突出部４ｂ）に外部端子であるバンプ電極２が配置され
ていることである。
【０４５７】ここで、ＣＳＰ５５の構成を説明すると、
電極パッド１ｂ（接続端子）を露出させて半導体チップ
１の主面１ａ上に配置されかつ外方に露出する露出部３
ｉを備えるとともに、半導体チップ１の周囲外方に突出
したエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）を備えたエ
ラストマ３と、一端がリード４ｃ（図５１参照）を介し
て電極パッド１ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ
電極２と電気的に接続される配線４ｄが設けられた基板
本体部４ａを備えるとともに、電極パッド１ｂ（図５１
参照）を露出させる開口部４ｅが設けられかつ開口部４
ｅおよび半導体チップ１の外方に突出する基板突出部４
ｂを備えた薄膜配線基板４と、半導体チップ１の電極パ
ッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリード４ｃを封止する
封止部５とからなり、薄膜配線基板４とエラストマ３と
の外形形状がほぼ同じ大きさに形成され、かつ基板本体
部４ａおよび基板本体部４ａにバンプ電極２が設けられ
ている。
【０４５８】したがって、ＣＳＰ５５においては、薄膜
配線基板４が、基板本体部４ａとこれの外方周囲に一体
で形成された基板突出部４ｂとを有しており、この基板
突出部４ｂに、半導体チップ１の外方に設けられるバン
プ電極２が配置される。
【０４５９】ここで、図６７〜図６９は、ＣＳＰ５５の
製造工程において、樹脂封止２８が完了した時点の構造
を示すものであり、図６７は平面図、図６８は断面図、
図６９（ａ）は、裏面側から見た底面図、また、図６９
（ｂ）は、半導体チップ１を透過させてテープ基材４ｇ
を裏面側から見た図である。
【０４６０】なお、図６７に示すように、薄膜配線基板
４において、基板本体部４ａと基板突出部４ｂとは、基
板本体部４ａの４つの角部の吊り部４ｕによって、か
つ、基板本体部４ａの外方周囲に形成された４つの開口
部４ｅ（図６８（ａ）参照）を介して連結支持されてい
る。
【０４６１】さらに、基板突出部４ｂの外周周囲には、
切断時に用いる４つの長孔４ｑが形成され、基板突出部
４ｂもその４つの角部の吊り部４ｕによって基板枠部４
ｔに支持されている。
【０４６２】なお、図６９（ａ）に示すように、本実施
の形態２５のエラストマ３は、図６７に示す薄膜配線基
板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとを合わ
せた形状とほぼ同一の形状である。
【０４６３】したがって、エラストマ３には、吊り部３
ｋ（図６９（ｂ）参照）によって支持されかつ基板突出
部４ｂとほぼ同じ形状のエラストマ突出部３ｂが設けら
れており、薄膜配線基板４の４つの開口部４ｅとほぼ等
しい大きさの４つの開口部３ｃが設けられている。
【０４６４】また、封止部５は、図６８（ａ）に示すよ
うに、薄膜配線基板４の４つの開口部４ｅに対して、す
なわち、半導体チップ１の電極パッド１ｂ付近に対して
のみ形成されている。
【０４６５】したがって、ＣＳＰ５５は、ファンイン・
ファンアウト構造であることも含めて、その組立て完了
後には、図６６（ｂ),（ｃ）に示すように、エラストマ
３の裏面の半導体チップ１に覆われた箇所（エラストマ
突出部３ｂ）を除く箇所と全ての側面３ａとが露出して
露出部３ｉとなった構造である。
【０４６６】ここで、図６６は、樹脂封止後に、図６７
に示す薄膜配線基板４の基板突出部４ｂの角部の４つの
吊り部４ｕで切断して、基板本体部４ａと基板突出部４
ｂとを基板枠部４ｔから分離した状態を示すものであ
る。
【０４６７】なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５にお
けるその他の構造については、実施の形態２１のＣＳＰ
５１のものと同様であるため、その重複説明は省略す
る。
【０４６８】本実施の形態２５のＣＳＰ５５の製造方法
について説明する。
【０４６９】まず、配線４ｄ（図５１参照）を有する基
板本体部４ａとこれの外方周囲に形成された基板突出部
４ｂとを備え、かつ基板突出部４ｂと基板本体部４ａと
を合わせた形状とほぼ同じ形状のエラストマ３が接合さ
れるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配置
する開口部４ｅが形成された薄膜配線基板４を準備す
る。
【０４７０】続いて、半導体チップ１の電極パッド１ｂ
（図５１参照）を薄膜配線基板４の開口部４ｅに露出さ
せて、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接
合する。
【０４７１】さらに、半導体チップ１の電極パッド１ｂ
とこれに対応した薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気
的に接続する。
【０４７２】その後、半導体チップ１の電極パッド１ｂ
と薄膜配線基板４のリード４ｃとを樹脂封止２８して封
止部５を形成する。
【０４７３】なお、封止完了の状態の図を図６７、図６
８および図６９に示す。
【０４７４】その後、配線４ｄと電気的に接続させて基
板本体部４ａおよび基板突出部４ｂにバンプ電極２を形
成する。
【０４７５】さらに、図６７に示す基板突出部４ｂの外
側角部の４箇所の吊り部４ｕを切断して基板本体部４ａ
および基板突出部４ｂを基板枠部４ｔから分離する。
【０４７６】ここで、切断完了の状態の図を図６６
（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す。
【０４７７】なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５にお
けるその他の製造方法については、実施の形態２１のＣ
ＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略
する。
【０４７８】さらに、本実施の形態２１のＣＳＰ５１に
おいても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術
が適用可能であることは言うまでもない。
【０４７９】本実施の形態２５のＣＳＰ５５およびその
製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４８０】ＣＳＰ５５によれば、ファンイン・ファン
アウト構造においても、図７０に示すように、エラスト
マ３においてこれに設けられた吊り部３ｋ（図６９
（ｂ）参照）を介し、これにより、ガス抜き経路３６に
通して外方にガス（気体）を逃がすことができる。
【０４８１】これにより、封止部５などが破壊されるポ
ップコーン現象の発生を防ぐことができ、その結果、Ｃ
ＳＰ５５の信頼性を向上できる。
【０４８２】なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５およ
びその製造方法によって得られるその他の作用効果につ
いては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であ
るため、その重複説明は省略する。
【０４８３】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態１〜２５に基づき具体的に説明したが、
本発明は前記発明の実施の形態１〜２５に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
【０４８４】例えば、前記実施の形態１〜２５におい
て、図３に示した各部材の仕様と、図５に示した各処理
条件は、最適なものの一例であり、必ずしも、図３およ
び図５に示したものに限定されるものではない。
【０４８５】また、前記実施の形態１〜２５において
は、半導体チップ１が長方形の場合について説明した
が、半導体チップ１は正方形であってもよい。
【０４８６】さらに、半導体チップ１に設けられる電極
パッド１ｂの設置箇所についても、半導体チップ１の主
面１ａの外周部であれば、両端部に限らず、例えば、外
周全体に設けられていてもよい。
【０４８７】なお、その際の電極パッド１ｂの数および
バンプ電極２の数についても、１２個あるいは２０個に
限定されるものではなく、１２個以下、１３〜１９個、
または、２０個以上であってもよい。
【０４８８】また、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよび
エラストマ３の開口部３ｃの形状についても、長方形に
限定されるものではなく、半導体チップ１の電極パッド
１ｂを露出可能な形状であれば、長方形以外の形状であ
ってもよい。
【０４８９】なお、前記実施の形態１〜２５で説明した
半導体装置（ＣＳＰ）は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic
Random Access Memory) 、Ｓ（Syncronous) ＤＲＡＭ、
Ｓ（Static）ＲＡＭ、ＲＡＭＢＵＳ（ラムバス）、フラ
ッシュメモリ、ＡＳＩＣ（Application Specific IC)、
ＣＰＵ（Central Processing Unit)、ゲートアレイなど
に用いることができ、その応用製品としては、例えば、
モジュールやカードなどである。
【０４９０】ただし、前記モジュールやカード以外の製
品に用いてもよいことは言うまでもない。
【０４９１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０４９２】（１）．半導体装置（ＣＳＰ）の薄膜配線
基板における基板本体部と基板突出部とが一体に形成さ
れていることにより、基板突出部を独立構造としないた
め、基板突出部を高価な材料によって形成しなくて済
む。その結果、半導体装置の製造コストの低コスト化を
図ることができる。
【０４９３】（２）．薄膜配線基板においてその開口部
の外方に基板突出部が設けられていることにより、封止
樹脂を前記開口部を介して塗布した際に、基板突出部と
半導体チップとの間でブリッジさせた状態で封止部を形
成できる。これにより、安定した封止を行えるため、封
止性を向上でき、その結果、封止部における耐湿信頼性
の向上を図ることができる。
【０４９４】（３）．バンプ電極を形成する際に、吸湿
した状態の半導体装置をリフローしても、弾性構造体に
おける所定方向の側面が外部に露出しているため、リフ
ロー時の発生蒸気を弾性構造体を通過させて外部に発散
できる。その結果、耐リフロー性を向上できる。
【０４９５】（４）．弾性構造体が多孔質フッ素樹脂に
よって形成されていることにより、前記リフロー時の発
生蒸気を外部に逃がしつつ、かつフッ素が有する撥水性
によって半導体装置内への水分の進入を防ぐことができ
る。その結果、半導体装置の電気的特性の劣化を低減で
きる。
【０４９６】（５）．弾性構造体に着色材を含有させる
ことによって、弾性構造体の基本物性に影響を及ぼすこ
となく、弾性構造体の光の透過率を下げることができ
る。これにより、半導体チップの回路に対する遮光性を
得ることができ、その結果、半導体チップの誤動作を招
くとされる紫外線を遮断できるため、半導体装置の電気
回路動作の安定性を向上できる。
【０４９７】（６）．薄膜配線基板において、配線とバ
ンプランドとの接続部を幅広に形成することにより、こ
の接続部に対しての応力集中を起こりにくくできる。こ
れにより、温度サイクル環境下において、テープ基材と
ともに、配線が熱収縮・膨張によって変形しても、配線
とバンプランドとの接続部４ｓで断線することを防止で
きる。
【０４９８】（７）．弾性構造体に露出部が形成された
ことにより、リフロー時などに弾性構造体の内部圧力が
大きくなった場合でも、弾性構造体の露出部から外方に
ガスを逃がすことができる。これにより、封止部などが
破壊されるポップコーン現象の発生を防ぐことができ、
その結果、半導体装置の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置（ＣＳ
Ｐ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図２】図１に示す半導体装置の構造を示す図であり、
（ａ) は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１
のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ断面
を示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置に用いられる各部材の仕
様の一例を示す仕様説明図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造プロセスの一例を
示す製造手順図である。
【図５】図４に示す製造プロセスの各処理における処理
条件の一例を示す処理条件説明図である。
【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体
装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の
一例を示す部分平面図である。
【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体
装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の
一例を示す部分平面図である。
【図８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体
装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の
一例を示す部分平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の製造方法の一例を示す図であり、（ａ) はエラ
ストマ張り付けを示す部分平面図、（ｂ) は半導体チッ
プ張り付けを示す部分平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳ
Ｐ）の製造方法における切断位置の一例を示す部分平面
図である。
【図１１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導
体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリード切断方法の
一例を示す斜視図である。
【図１２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１
の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるエラストマ
の張り付け状態の一例を示す斜視図である。
【図１３】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導
体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリードのボンディ
ング方法の一例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態２による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図１５】図１４に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図１４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図１４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１４の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図１７】図１６に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図１６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図１６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１６の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図１９】図１８に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図１８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図１８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１８の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態５による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図２１】図２０に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図２０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図２０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２０の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態６による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図２３】図２２に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図２２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図２２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２２の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態７による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図２５】図２４に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図２４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図２４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２４の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図、（ｄ) は図２４の正面図、
（ｅ) は図２４の側面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置の裏面側の構造を示
す底面図である。
【図２７】図８に示す薄膜配線基板の詳細構造を示す拡
大部分平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態８による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図２９】図２８に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図２８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図２８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２８の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態９による半導体装置（Ｃ
ＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。
【図３１】図３０に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図３０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図３０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３０の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態１０による半導体装置
（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図
である。
【図３３】図３２に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図３２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図３２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３２の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態１１による半導体装置
（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図
である。
【図３５】図３４に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図３４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図３４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３４の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３６】本発明の実施の形態１２による半導体装置
（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図
である。
【図３７】図３６に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図３６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図３６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３６の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３８】本発明の実施の形態１３による半導体装置
（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図
である。
【図３９】図３８に示す半導体装置の構造を示す図であ
り、（ａ) は図３８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ)
は図３８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３８の
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図４０】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１
４における半導体装置の非結線リードの構造の一例を示
す図であり、（ａ）は非結線リードを変形させる場合の
断面図、（ｂ) および（ｃ）は非結線リードを変形させ
ない場合の断面図である。
【図４１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１
５の半導体装置において１層表配線の薄膜配線基板を用
いた構造の一例を示す断面図である。
【図４２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１
５の半導体装置において２層配線の薄膜配線基板を用い
た構造の一例を示す断面図である。
【図４３】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の
形態１６の半導体装置の製造方法におけるリード先端処
理の手順の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）は
ボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）はボ
ンディング後、（ｄ）は封止後である。
【図４４】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図４３に示すリード先
端処理に対する比較例のリード先端処理の手順を示す拡
大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）
はボンディング時、（ｃ）は封止後である。
【図４５】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図４３に示すリード先
端処理に対する比較例のリード先端処理の手順を示す拡
大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）
はボンディング時、（ｃ）は封止後である。
【図４６】本発明の実施の形態１７の半導体装置（ＣＳ
Ｐ）に用いるエラストマ（弾性構造体）の着色仕様の一
例を示すエラストマ仕様図である。
【図４７】（ａ) 〜（ｈ）は本発明の実施の形態１８の
半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す
組成概念図である。
【図４８】（ａ) 〜（ｅ）は本発明の実施の形態１８の
半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す
概念図であり、（ａ) 〜（ｄ）は３層構造の組成概念
図、（ｅ）は５層構造の組成概念図である。
【図４９】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１９の半
導体装置におけるエラストマの骨格層と接着層の厚さの
一例を示す概念図である。
【図５０】本発明の実施の形態２０の半導体装置の裏面
側の構造を示す底面図である。
【図５１】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の
形態２１による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部を
破断して示す平面図、（ｄ）は正面図である。
【図５２】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図５１に示す半導体装
置の構造を示す図であり、（ａ)は図５１のＡ−Ａ断面
を示す断面図、（ｂ) は図５１のＢ−Ｂ断面を示す断面
図、（ｃ）は図５１のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図５３】（ａ),（ｂ) は図５２に示す半導体装置の構
造を示す拡大部分断面図であり、（ａ) は図５２（ｂ）
のＤ部を示す図、（ｂ) は図５２（ｃ）のＥ部を示す図
である。
【図５４】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１の
半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例
を示す図であり、（ａ),（ｃ),（ｅ) は部分平面図、
（ｂ),（ｄ),（ｆ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図で
ある。
【図５５】（ａ) 〜（ｄ）は本発明の実施の形態２１の
半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例
を示す図であり、（ａ),（ｃ) は部分平面図、（ｂ),
（ｄ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図５６】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１に
よる半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、
（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面
を示す断面図である。
【図５７】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１に
よる半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、
（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面
を示す断面図である。
【図５８】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１に
よる半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、
（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−
Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面
を示す断面図である。
【図５９】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２
２による半導体装置の構造の一例を示す図であり、
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は正面図であ
る。
【図６０】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の
形態２３による半導体装置の構造の一例を示す図であ
り、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面
図、（ｄ）は正面図である。
【図６１】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態２３の半
導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図であ
る。
【図６２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図６１（ａ）に示す平
面図の各断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示
す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は
Ｃ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図６３】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２
３の半導体装置の製造方法における切断完了時の状態の
一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面
図、（ｃ）は底面図である。
【図６４】本発明の実施の形態２３の半導体装置におけ
るガス抜きの状態の一例を示す概念図である。
【図６５】（ａ) 〜（ｅ）は本発明の実施の形態２４に
よる半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は
底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は正
面図、（ｅ）は（ｃ）のＣ−Ｃ断面を示す断面図であ
る。
【図６６】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２
５による半導体装置の構造の一例を示す図であり、
（ａ）平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図であ
る。
【図６７】本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造
方法における封止完了時の状態の一例を示す部分平面図
である。
【図６８】（ａ),（ｂ) は図６７に示す部分平面図の各
断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面
図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図６９】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態２５の半
導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を
示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は半導体チップ
を取り外した状態の底面図である。
【図７０】本発明の実施の形態２５の半導体装置におけ
るガス抜けの状態の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ １ａ 主面 １ｂ 電極パッド（接続端子） １ｃ 側面 ２ バンプ電極（外部端子） ３ エラストマ（弾性構造体） ３ａ 側面 ３ｂ エラストマ突出部（弾性体突出部） ３ｃ 開口部 ３ｄ 骨格層 ３ｅ 接続部 ３ｆ 封止用開口部 ３ｇ テープ側接着層（薄膜基板側接着層） ３ｈ チップ側接着層 ３ｉ 露出部 ３ｊ 支持部 ３ｋ 吊り部 ４ 薄膜配線基板 ４ａ 基板本体部 ４ｂ 基板突出部 ４ｃ リード ４ｄ 配線 ４ｅ 開口部 ４ｆ バンプランド ４ｇ テープ基材 ４ｈ 銅箔 ４ｉ 基準孔 ４ｊ バンプ用開口部 ４ｋ 給電ライン ４ｌ ビーム形状 ４ｍ 封止用開口部 ４ｎ 認識パターン ４ｐ 位置決め孔 ４ｑ 長孔 ４ｒ ソルダレジスト ４ｓ 接続部 ４ｔ 基板枠部 ４ｕ 吊り部 ４ｖ 開口孔 ４ｗ スルーホール ５ 封止部 ６ 切断型 ６ａ 打ち抜き型 ７ ボンディングツール ８ 切断位置 １１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１
９，４０，４１，４２，４３，５１，５２，５３，５
４，５５ ＣＳＰ（半導体装置） ２０ 薄膜配線基板供給 ２１ エラストマ供給 ２２ エラストマ張り付け ２３ チップ供給 ２４ チップ張り付け ２５ エラストマキュアベーク ２６ インナリード接続 ２７ 封止材供給 ２８ 樹脂封止 ２９ 封止材キュアベーク ３０ ボール供給 ３１ バンプ形成 ３２ マーク ３３ 切断 ３４ ダム部材 ３５ 非結線リード ３６ ガス抜き経路 ５１ａ，５２ａ 側面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年６月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
て、 前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に
配置され、かつ外方に露出する露出部を備えた弾性構造
体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
記接続端子を露出させる開口部が設けられた薄膜配線基
板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
板の前記リードを封止する封止部とを有することを特徴
とする半導体装置。
【請求項２】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
て、 前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に
配置され、かつ外方に露出する露出部を備えるととも
に、前記半導体チップの周囲外方に突出した弾性体突出
部を備えた弾性構造体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開
口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出
部を備えた薄膜配線基板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
板の前記リードを封止する封止部とを有し、 前記薄膜配線基板と前記弾性構造体との外形形状がほぼ
同じ大きさに形成され、かつ前記基板本体部および前記
基板突出部に前記バンプ電極が設けられていることを特
徴とする半導体装置。
【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置であ
って、前記薄膜配線基板に、前記弾性構造体を露出させ
る開口孔が設けられていることを特徴とする半導体装
置。
【請求項４】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造方
法であって、 配線を有する基板本体部に接合した弾性構造体を備える
とともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口
部が形成され、かつ前記基板本体部が前記弾性構造体の
支持部により基板枠部に支持された薄膜配線基板を準備
する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の
前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面
と前記弾性構造体とを接合する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記
薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程
と、 前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の
前記リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、 前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極
を形成する工程と、 前記弾性構造体の支持部を切断して前記基板本体部を前
記基板枠部から分離するとともに、前記弾性構造体の露
出部を露出させる工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 雪治 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 下石 智明 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 大西 健博 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 嶋田 法翁 秋田県南秋田郡天王町天王字長沼64 アキ タ電子株式会社内 (72)発明者 江口 州志 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 西村 朝雄 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 坪崎 邦宏 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 宮崎 忠一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 小山 宏 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 柴本 正訓 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 荻野 雅彦 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
    導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
    て、 前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に
    配置された弾性構造体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
    かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
    れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
    記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開
    口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出
    部を備えた薄膜配線基板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
    板の前記リードを封止する封止部とを有し、 前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突
    出部とが一体に形成されていることを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置であって、前
    記薄膜配線基板の前記基板突出部における前記半導体チ
    ップの側面に対応した箇所に封止用開口部が設けられて
    いることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置であ
    って、前記封止部が封止樹脂によって形成され、かつ前
    記封止樹脂がこれに含まれるシリカの割合が少ない低シ
    リカ材であることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体装置
    であって、前記薄膜配線基板の前記開口部の周囲に、樹
    脂封止の際の封止樹脂の流出を阻止するダム部材が設け
    られていることを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の半導体
    装置であって、前記弾性構造体が前記半導体チップの外
    方に突出する弾性体突出部を備えるとともに、前記弾性
    構造体の所定側面が露出していることを特徴とする半導
    体装置。
  6. 【請求項６】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
    導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
    て、 前記半導体チップの主面上に配置されるとともに、前記
    接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口
    部および前記半導体チップの外方に突出する弾性体突出
    部を備えた弾性構造体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
    かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
    れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
    記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開
    口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出
    部を備えた薄膜配線基板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
    板の前記リードを封止する封止部とを有し、 前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突
    出部とが一体に形成され、かつ前記薄膜配線基板と前記
    弾性構造体との外形形状がほぼ同じ大きさに形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置であって、前
    記半導体チップが、その側面が前記弾性構造体の前記弾
    性体突出部によって囲まれて取り付けられていることを
    特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項６または７記載の半導体装置であ
    って、前記薄膜配線基板の前記基板突出部における前記
    半導体チップの側面に対応した箇所に封止用開口部が設
    けられていることを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 主面の外周部に接続端子が設けられた半
    導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
    て、 前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に
    配置され、かつ外方に露出する露出部を備えた弾性構造
    体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
    かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
    れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
    記接続端子を露出させる開口部が設けられた薄膜配線基
    板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
    板の前記リードを封止する封止部とを有することを特徴
    とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 主面の外周部に接続端子が設けられた
    半導体チップを有するチップサイズの半導体装置であっ
    て、 前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に
    配置され、かつ外方に露出する露出部を備えるととも
    に、前記半導体チップの周囲外方に突出した弾性体突出
    部を備えた弾性構造体と、 一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続され
    かつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続さ
    れる配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前
    記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開
    口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出
    部を備えた薄膜配線基板と、 前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基
    板の前記リードを封止する封止部とを有し、 前記薄膜配線基板と前記弾性構造体との外形形状がほぼ
    同じ大きさに形成され、かつ前記基板本体部および前記
    基板突出部に前記バンプ電極が設けられていることを特
    徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】 請求項９または１０記載の半導体装置
    であって、前記薄膜配線基板に、前記弾性構造体を露出
    させる開口孔が設けられていることを特徴とする半導体
    装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９，１０または１１記載の半導体装置であって、前
    記リードにおいて前記半導体チップの前記接続端子と結
    線を行わない非結線リードを有し、かつこの非結線リー
    ドが前記接続端子に近づく方向に変形されていることを
    特徴とする半導体装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９，１０，１１または１２記載の半導体装置であっ
    て、前記弾性構造体が、表裏両面に接着層を有した多孔
    質フッ素樹脂によって形成されていることを特徴とする
    半導体装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置であっ
    て、前記弾性構造体が、３次元的網目構造体により構成
    された骨格層を有していることを特徴とする半導体装
    置。
  15. 【請求項１５】 請求項１３または１４記載の半導体装
    置であって、前記弾性構造体における一方の前記接着層
    もしくは両方の前記接着層に着色材を含有させたことを
    特徴とする半導体装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１３，１４または１５記載の半
    導体装置であって、前記弾性構造体において、薄膜基板
    側接着層がチップ側接着層より厚く形成されていること
    を特徴とする半導体装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５または１
    ６記載の半導体装置であって、前記薄膜配線基板に形成
    された配線におけるバンプランドとの接続部の配線幅
    が、この接続部から離れた箇所の配線の配線幅より広く
    形成され、かつ、前記接続部の配線幅が前記バンプラン
    ドから離れるにつれて徐々に狭くなるように形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
  18. 【請求項１８】 主面の外周部に接続端子が設けられた
    半導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造
    方法であって、 配線を有した基板本体部を備えるとともに、前記配線に
    接続されたリードを配置する開口部の外方に突出して前
    記基板本体部と一体に形成された基板突出部を備えた薄
    膜配線基板を準備する工程と、 前記薄膜配線基板の前記基板本体部と弾性構造体とを接
    合する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の
    前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面
    と前記弾性構造体とを接合する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記
    薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程
    と、 低シリカ材からなる封止樹脂を用いて前記半導体チップ
    の前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを封
    止して封止部を形成する工程と、 前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極
    を形成する工程と、 前記基板突出部とこれに形成された前記封止部とを同時
    に所望の外形サイズに切断する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の半導体装置の製造方
    法であって、前記半導体チップの前記接続端子とこれに
    対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接
    続する際に、ボンディングツールの加圧動作を行って前
    記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前
    記リードとを接続した後、前記ボンディングツールを前
    記半導体チップの前記主面に対してほぼ平行にかつ前記
    リードの先端方向に移動させることを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 主面の外周部に接続端子が設けられた
    半導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造
    方法であって、 配線を有する基板本体部に接合した弾性構造体を備える
    とともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口
    部が形成され、かつ前記基板本体部が前記弾性構造体の
    支持部により基板枠部に支持された薄膜配線基板を準備
    する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の
    前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面
    と前記弾性構造体とを接合する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記
    薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程
    と、 前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の
    前記リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、 前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極
    を形成する工程と、 前記弾性構造体の支持部を切断して前記基板本体部を前
    記基板枠部から分離するとともに、前記弾性構造体の露
    出部を露出させる工程とを有することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 主面の外周部に接続端子が設けられた
    半導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造
    方法であって、 配線を有する基板本体部とこれの外方周囲に形成された
    基板突出部とを備え、かつ前記基板突出部と前記基板本
    体部とを合わせた形状とほぼ同じ形状の弾性構造体が接
    合されるとともに、前記配線に接続されたリードを配置
    する開口部が形成された薄膜配線基板を準備する工程
    と、 前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の
    前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面
    と前記弾性構造体とを接合する工程と、 前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記
    薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程
    と、 前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の
    前記リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、 前記配線と電気的に接続させて前記基板本体部および前
    記基板突出部にバンプ電極を形成する工程と、 前記基板本体部および前記基板突出部を基板枠部から分
    離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１８，１９，２０または２１記
    載の半導体装置の製造方法であって、封止樹脂を用いて
    封止を行う際に、前記半導体チップの側面を封止するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP9230906A 1996-03-22 1997-08-27 半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP2843315B1 (ja)

Priority Applications (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9230906A JP2843315B1 (ja) 1997-07-11 1997-08-27 半導体装置およびその製造方法
TW087109244A TW395032B (en) 1997-07-11 1998-06-10 Semiconductor device and its manufacturing method
SG1998001490A SG67516A1 (en) 1997-07-11 1998-06-23 Semiconductor device and its manufacturing method
KR1019980027400A KR100603868B1 (ko) 1997-07-11 1998-07-08 반도체장치및그제조방법
US09/113,500 US6307269B1 (en) 1997-07-11 1998-07-10 Semiconductor device with chip size package
CN98116004A CN1208252A (zh) 1997-07-11 1998-07-10 半导体器件及其制造方法
CN00121793A CN1295346A (zh) 1997-07-11 2000-08-01 半导体器件
US09/983,286 US6639323B2 (en) 1997-07-11 2001-10-23 Semiconductor device and its manufacturing method
US09/983,063 US20030207557A1 (en) 1997-07-11 2001-10-23 Semiconductor device and its manufacturing method
US09/983,177 US6515371B2 (en) 1997-07-11 2001-10-23 Semiconductor device with elastic structure and wiring
US10/374,997 US20040061220A1 (en) 1996-03-22 2003-02-28 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11/116,308 US20050212142A1 (en) 1996-03-22 2005-04-28 Semiconductor device and manufacturing metthod thereof
US11/116,209 US7091620B2 (en) 1996-03-22 2005-04-28 Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR1020060018052A KR100603867B1 (ko) 1997-07-11 2006-02-24 반도체장치
US11/492,165 US7420284B2 (en) 1996-03-22 2006-07-25 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18562197 1997-07-11
JP9-185621 1997-07-11
JP9230906A JP2843315B1 (ja) 1997-07-11 1997-08-27 半導体装置およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18526098A Division JP3749790B2 (ja) 1997-07-11 1998-06-30 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2843315B1 JP2843315B1 (ja) 1999-01-06
JPH1187414A true JPH1187414A (ja) 1999-03-30

Family

ID=26503225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9230906A Expired - Fee Related JP2843315B1 (ja) 1996-03-22 1997-08-27 半導体装置およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US6307269B1 (ja)
JP (1) JP2843315B1 (ja)
KR (2) KR100603868B1 (ja)
CN (2) CN1208252A (ja)
SG (1) SG67516A1 (ja)
TW (1) TW395032B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525412B2 (en) 2000-11-30 2003-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having chip scale package
KR100478780B1 (ko) * 2001-11-16 2005-03-23 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 멀티칩 모듈
US8253258B2 (en) 2009-03-30 2012-08-28 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device with hollow and throughhole and method of manufacturing same
US9152594B2 (en) 2011-07-13 2015-10-06 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor memory device for high speed reading and writing

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3661444B2 (ja) * 1998-10-28 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法
JP3512655B2 (ja) * 1998-12-01 2004-03-31 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法並びに該半導体装置の製造に使用される補強用テープ
US6352881B1 (en) 1999-07-22 2002-03-05 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for forming an underfill adhesive layer
WO2001015230A1 (en) * 1999-08-25 2001-03-01 Hitachi, Ltd. Electronic device
TW469552B (en) 1999-12-10 2001-12-21 Toshiba Corp TAB type semiconductor device
US7019410B1 (en) * 1999-12-21 2006-03-28 Micron Technology, Inc. Die attach material for TBGA or flexible circuitry
JP4103342B2 (ja) * 2001-05-22 2008-06-18 日立電線株式会社 半導体装置の製造方法
KR100439233B1 (ko) * 2001-09-04 2004-07-05 엘지전자 주식회사 무선가입자망 단말기의 모니터링 메시지 전송장치 및 그방법
SG121707A1 (en) * 2002-03-04 2006-05-26 Micron Technology Inc Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability
US6908784B1 (en) 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
US20030218246A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Hirofumi Abe Semiconductor device passing large electric current
US7423337B1 (en) 2002-08-19 2008-09-09 National Semiconductor Corporation Integrated circuit device package having a support coating for improved reliability during temperature cycling
US7301222B1 (en) 2003-02-12 2007-11-27 National Semiconductor Corporation Apparatus for forming a pre-applied underfill adhesive layer for semiconductor wafer level chip-scale packages
JP2004327527A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3877717B2 (ja) * 2003-09-30 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4010298B2 (ja) * 2003-12-17 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US7282375B1 (en) 2004-04-14 2007-10-16 National Semiconductor Corporation Wafer level package design that facilitates trimming and testing
KR101109419B1 (ko) 2005-05-23 2012-01-31 엘지디스플레이 주식회사 테이프케리어패키지 펀칭장치
JP4137929B2 (ja) 2005-09-30 2008-08-20 シャープ株式会社 半導体装置
DE102006032073B4 (de) * 2006-07-11 2016-07-07 Intel Deutschland Gmbh Elektrisch leitfähiger Verbund aus einem Bauelement und einer Trägerplatte
US20080308935A1 (en) * 2007-06-18 2008-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chip package, semiconductor package including semiconductor chip package, and method of fabricating semiconductor package
JP5064158B2 (ja) * 2007-09-18 2012-10-31 新光電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法
US8208226B2 (en) * 2008-10-29 2012-06-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Suspension substrate, suspension, head suspension and hard disk drive
JP2010245337A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
JP2012134270A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
CN102569234A (zh) * 2010-12-21 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 球栅阵列封装结构及封装方法
JP1581768S (ja) * 2016-08-02 2017-07-24
USD887998S1 (en) * 2017-02-17 2020-06-23 Stat Peel Ag Chip
JP1664282S (ja) * 2019-07-24 2020-07-27
USD934820S1 (en) 2019-10-24 2021-11-02 Nuvoton Technology Corporation Japan Semiconductor device
USD938925S1 (en) * 2019-10-24 2021-12-21 Nuvoton Technology Corporation Japan Semiconductor device
USD951212S1 (en) * 2019-12-11 2022-05-10 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. Semiconductor device
USD951214S1 (en) * 2019-12-11 2022-05-10 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. Semiconductor device
USD951215S1 (en) * 2019-12-11 2022-05-10 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. Semiconductor device
USD951213S1 (en) * 2019-12-11 2022-05-10 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. Semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229329A (en) * 1991-02-28 1993-07-20 Texas Instruments, Incorporated Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits
JP2606603B2 (ja) * 1994-05-09 1997-05-07 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法
US5659952A (en) * 1994-09-20 1997-08-26 Tessera, Inc. Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip
JP2586344B2 (ja) * 1994-09-30 1997-02-26 日本電気株式会社 キャリアフィルム
JPH08306745A (ja) 1995-04-27 1996-11-22 Nitto Denko Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3670371B2 (ja) 1995-12-20 2005-07-13 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JPH09260533A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置及びその実装構造

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525412B2 (en) 2000-11-30 2003-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having chip scale package
US6656766B2 (en) 2000-11-30 2003-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having chip scale package
KR100478780B1 (ko) * 2001-11-16 2005-03-23 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 멀티칩 모듈
US8253258B2 (en) 2009-03-30 2012-08-28 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device with hollow and throughhole and method of manufacturing same
US9152594B2 (en) 2011-07-13 2015-10-06 Ps4 Luxco S.A.R.L. Semiconductor memory device for high speed reading and writing

Also Published As

Publication number Publication date
JP2843315B1 (ja) 1999-01-06
TW395032B (en) 2000-06-21
CN1295346A (zh) 2001-05-16
US20020050636A1 (en) 2002-05-02
CN1208252A (zh) 1999-02-17
US6515371B2 (en) 2003-02-04
US6639323B2 (en) 2003-10-28
SG67516A1 (en) 1999-09-21
KR100603867B1 (ko) 2006-07-24
US6307269B1 (en) 2001-10-23
US20030207557A1 (en) 2003-11-06
KR100603868B1 (ko) 2006-10-24
US20020047215A1 (en) 2002-04-25
KR19990013673A (ko) 1999-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2843315B1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100368698B1 (ko) 반도체패키지와,그것을이용한반도체장치및그제조방법
US9252125B2 (en) Stacked semiconductor device and fabrication method for same
US6984545B2 (en) Methods of encapsulating selected locations of a semiconductor die assembly using a thick solder mask
US5650593A (en) Thermally enhanced chip carrier package
JP2570628B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
JP3604248B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3163419B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2008535273A (ja) 上面および下面に露出した基板表面を有する半導体積層型パッケージアセンブリ
JPH10321672A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4919103B2 (ja) ランドグリッドアレイ半導体装置パッケージ、同パッケージを含む組み立て体、および製造方法
JP2000082722A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US20080083981A1 (en) Thermally Enhanced BGA Packages and Methods
US20050098869A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US20030201544A1 (en) Flip chip package
JPH1187570A (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP1369919A1 (en) Flip chip package
JPH1074887A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2003133366A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100443516B1 (ko) 적층 패키지 및 그 제조 방법
JP3912888B2 (ja) パッケージ型半導体装置
EP0923128A1 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2001358253A (ja) Ｂｇａ型半導体装置
JP2944586B2 (ja) Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法
JPH04179255A (ja) Ｌｃｃ型半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980922

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023

Year of fee payment: 15

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees