JPH1116873A - 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 - Google Patents
洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置Info
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- JPH1116873A JPH1116873A JP16848897A JP16848897A JPH1116873A JP H1116873 A JPH1116873 A JP H1116873A JP 16848897 A JP16848897 A JP 16848897A JP 16848897 A JP16848897 A JP 16848897A JP H1116873 A JPH1116873 A JP H1116873A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機溶剤を主成分とする液を用いた半導体ウ
ェハやLCD基板あるいは精密電子部品等の被処理物の
洗浄乾燥を行なう際に、パーティクルの残存を少なく
し、乾燥処理時間を短縮し、かつ、有機溶剤の使用量を
少なくするとともに、その結果廃液も最小限に止める。 【解決手段】 水と混合しうる有機溶剤中に水洗後の被
処理物を浸漬した後に、被処理物を該有機溶剤中から取
り出す工程を複数回含む被処理物の洗浄乾燥方法におい
て、該処理物が浸漬している間の有機溶剤中の水分濃度
を10wt%以下に保持することを特徴とする洗浄乾燥
方法、および洗浄乾燥装置。
ェハやLCD基板あるいは精密電子部品等の被処理物の
洗浄乾燥を行なう際に、パーティクルの残存を少なく
し、乾燥処理時間を短縮し、かつ、有機溶剤の使用量を
少なくするとともに、その結果廃液も最小限に止める。 【解決手段】 水と混合しうる有機溶剤中に水洗後の被
処理物を浸漬した後に、被処理物を該有機溶剤中から取
り出す工程を複数回含む被処理物の洗浄乾燥方法におい
て、該処理物が浸漬している間の有機溶剤中の水分濃度
を10wt%以下に保持することを特徴とする洗浄乾燥
方法、および洗浄乾燥装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機溶剤を主成分
とする液を用いた半導体ウェハやLCD基板あるいは精
密電子部品等の被処理物の洗浄乾燥及び乾燥装置に関す
るものであり、詳しくは、水洗後の被処理物の表面で有
機溶剤を主成分とする液を用いて洗浄を行い、その後、
急速乾燥させる洗浄乾燥方法、さらに、これに使用する
液を精製再利用する洗浄乾燥装置に関するものである。
とする液を用いた半導体ウェハやLCD基板あるいは精
密電子部品等の被処理物の洗浄乾燥及び乾燥装置に関す
るものであり、詳しくは、水洗後の被処理物の表面で有
機溶剤を主成分とする液を用いて洗浄を行い、その後、
急速乾燥させる洗浄乾燥方法、さらに、これに使用する
液を精製再利用する洗浄乾燥装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハ等の洗浄におい
ては、被処理物の水洗後に、イソプロピルアルコール
(以下IPAと略記することがある)等の有機溶剤の蒸
気による乾燥、所謂、蒸気乾燥法が行われる。この方法
では、被処理物の下方にて有機溶剤を加熱・蒸発させ、
水洗後の被処理物の表面で水溶性有機溶剤を主成分とす
る乾燥液の蒸気を凝縮させて乾燥を行う。
ては、被処理物の水洗後に、イソプロピルアルコール
(以下IPAと略記することがある)等の有機溶剤の蒸
気による乾燥、所謂、蒸気乾燥法が行われる。この方法
では、被処理物の下方にて有機溶剤を加熱・蒸発させ、
水洗後の被処理物の表面で水溶性有機溶剤を主成分とす
る乾燥液の蒸気を凝縮させて乾燥を行う。
【0003】一方、蒸気乾燥装置とは別の方法として、
マランゴニ乾燥に代表されるような超純水からの被処理
物引き上げ乾燥法がある(例えば、特開平2−2911
28号公報等)。この方法の場合、被処理物を超純水に
浸漬し、これを超純水槽から引き上げる前に、IPAな
どの有機溶剤を蒸気として供給して純水表面に極薄の有
機溶剤層を形成させる。この方法によると、引き上げた
被処理物表面上に、有機溶剤層が形成されるので乾燥が
容易になるばかりでなく、有機溶剤と超純水との表面張
力の違いにより、被処理物上の微粒子までもが取り除か
れるという利点がある。
マランゴニ乾燥に代表されるような超純水からの被処理
物引き上げ乾燥法がある(例えば、特開平2−2911
28号公報等)。この方法の場合、被処理物を超純水に
浸漬し、これを超純水槽から引き上げる前に、IPAな
どの有機溶剤を蒸気として供給して純水表面に極薄の有
機溶剤層を形成させる。この方法によると、引き上げた
被処理物表面上に、有機溶剤層が形成されるので乾燥が
容易になるばかりでなく、有機溶剤と超純水との表面張
力の違いにより、被処理物上の微粒子までもが取り除か
れるという利点がある。
【0004】しかし、これらの乾燥方法においては以下
のような問題点がある。蒸気乾燥装置においては、火災
・爆発の危険性のある有機溶剤を加熱し蒸気として使用
しなくてはならないこと、IPA等の薬品の使用量が多
いこと、前段の水洗工程からの移送時における雰囲気酸
素との接触によりウォーターマークが生成しやすいこ
と、更に被洗浄物の蒸気内浸漬・横移送と被処理物の上
下動幅が深いので装置が上下方向に大きくならざるを得
ないこと等の欠点を有していた。また、被処理物に付着
した粒子が除去しにくいという問題点もあった。
のような問題点がある。蒸気乾燥装置においては、火災
・爆発の危険性のある有機溶剤を加熱し蒸気として使用
しなくてはならないこと、IPA等の薬品の使用量が多
いこと、前段の水洗工程からの移送時における雰囲気酸
素との接触によりウォーターマークが生成しやすいこ
と、更に被洗浄物の蒸気内浸漬・横移送と被処理物の上
下動幅が深いので装置が上下方向に大きくならざるを得
ないこと等の欠点を有していた。また、被処理物に付着
した粒子が除去しにくいという問題点もあった。
【0005】一方、純水引き上げ乾燥法に関しては、純
水から引き上げた被処理物の表面上には不可避的に水が
付着するため、たとえ温純水を使用したにしても、乾燥
に一番重要な最終乾燥段階の熱供給量が不十分であると
いう問題がある。また、有機溶剤が蒸気として供給され
るので、引き上げた被処理物が有機溶剤の蒸気で覆われ
ており、結果として、乾燥処理時間が長くスループット
が悪くなるという問題も有している。さらには、この方
法では、超純水表面に極薄の有機溶剤層を形成させる必
要があるが、このような有機溶剤層を短時間に再現性良
く形成させるのは極めて困難であるという問題もある。
また、被処理物を乾燥させる熱源を有機溶剤蒸気により
与える必要があるので、結果的に有機溶剤を多く使用す
ることになり、その排水は一般排水溝で処理できる濃度
よりも高くなることより、結果として処理量としては膨
大な量となるということもある。
水から引き上げた被処理物の表面上には不可避的に水が
付着するため、たとえ温純水を使用したにしても、乾燥
に一番重要な最終乾燥段階の熱供給量が不十分であると
いう問題がある。また、有機溶剤が蒸気として供給され
るので、引き上げた被処理物が有機溶剤の蒸気で覆われ
ており、結果として、乾燥処理時間が長くスループット
が悪くなるという問題も有している。さらには、この方
法では、超純水表面に極薄の有機溶剤層を形成させる必
要があるが、このような有機溶剤層を短時間に再現性良
く形成させるのは極めて困難であるという問題もある。
また、被処理物を乾燥させる熱源を有機溶剤蒸気により
与える必要があるので、結果的に有機溶剤を多く使用す
ることになり、その排水は一般排水溝で処理できる濃度
よりも高くなることより、結果として処理量としては膨
大な量となるということもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】蒸気乾燥法および超純
水引き上げ法における欠点の解決法として、IPA等の
有機溶剤中被処理物を浸漬処理方法も考えられる。この
方法に依れば、有機溶剤の蒸気を使用することなく、コ
ンパクトな装置でより完全な洗浄・乾燥をおこなうこと
ができる。しかしながら、本発明者らの知見によると、
この方法では、被処理物に付着していた水が浸漬される
有機溶剤中に徐々に蓄積されていくため、数回の浸漬処
理によって洗浄が不可能になってしまう。
水引き上げ法における欠点の解決法として、IPA等の
有機溶剤中被処理物を浸漬処理方法も考えられる。この
方法に依れば、有機溶剤の蒸気を使用することなく、コ
ンパクトな装置でより完全な洗浄・乾燥をおこなうこと
ができる。しかしながら、本発明者らの知見によると、
この方法では、被処理物に付着していた水が浸漬される
有機溶剤中に徐々に蓄積されていくため、数回の浸漬処
理によって洗浄が不可能になってしまう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
ついて鋭意検討した結果、水と混合しうる有機溶剤中の
水分濃度を特定範囲に保持しつつ、該有機溶剤中に被処
理物を浸漬処理すれば、上記の問題点を解決できるこ
と、さらには、このために、使用した有機溶剤を特定の
分離装置を用いて精製しこれを再利用すればよいことを
見いだし本発明を完成した。
ついて鋭意検討した結果、水と混合しうる有機溶剤中の
水分濃度を特定範囲に保持しつつ、該有機溶剤中に被処
理物を浸漬処理すれば、上記の問題点を解決できるこ
と、さらには、このために、使用した有機溶剤を特定の
分離装置を用いて精製しこれを再利用すればよいことを
見いだし本発明を完成した。
【0008】すなわち、本発明の要旨は、水と混合しう
る有機溶剤中に水洗後の被処理物を浸漬した後に、被処
理物を該有機溶剤中から取り出す工程を複数回含む被処
理物の洗浄乾燥方法であって、該処理物が浸漬している
間の有機溶剤中の水分濃度を10wt%以下に保持する
ことを特徴とする洗浄乾燥方法、に存する。また、本発
明の他の要旨は、(1)水と混合しうる有機溶剤中に被
処理物を浸漬する為の処理槽と、(2)その一端が処理
層に接続した、処理槽中の有機溶剤を抜き出す為の液排
出ラインと、(3)液排出ラインの他の一端と接続した
分離膜モジュールと、(4)供給される有機溶剤中の水
分が減少される側の分離膜モジュール出口と前記処理槽
とを接続する供給ラインとを有する洗浄乾燥装置、に存
する。本発明において、「ライン」とは途中に他の装置
が存在するものを妨げるものではない。
る有機溶剤中に水洗後の被処理物を浸漬した後に、被処
理物を該有機溶剤中から取り出す工程を複数回含む被処
理物の洗浄乾燥方法であって、該処理物が浸漬している
間の有機溶剤中の水分濃度を10wt%以下に保持する
ことを特徴とする洗浄乾燥方法、に存する。また、本発
明の他の要旨は、(1)水と混合しうる有機溶剤中に被
処理物を浸漬する為の処理槽と、(2)その一端が処理
層に接続した、処理槽中の有機溶剤を抜き出す為の液排
出ラインと、(3)液排出ラインの他の一端と接続した
分離膜モジュールと、(4)供給される有機溶剤中の水
分が減少される側の分離膜モジュール出口と前記処理槽
とを接続する供給ラインとを有する洗浄乾燥装置、に存
する。本発明において、「ライン」とは途中に他の装置
が存在するものを妨げるものではない。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しながら詳細に説明する。図1は本発明の洗浄乾燥装置
の一実施例を被処理物と共に示す概略図である。図1に
おいて、1は処理槽である。処理槽は石英あるいはSU
S鋼にて形成されている。処理槽1の形状は直方体状で
あるが、底部においては底部の中央に向かって傾斜がつ
いている。これにより、液の排出が容易になり、かつ、
処理槽自体の容積もより小さくできる。勿論、処理槽の
形状は円柱状や多角形状であってもよい。処理槽1の容
積は、被処理物が入る範囲でできる限り小さくしてい
る。処理槽1は上方に開口し、被処理物を上方より受け
入れる。
しながら詳細に説明する。図1は本発明の洗浄乾燥装置
の一実施例を被処理物と共に示す概略図である。図1に
おいて、1は処理槽である。処理槽は石英あるいはSU
S鋼にて形成されている。処理槽1の形状は直方体状で
あるが、底部においては底部の中央に向かって傾斜がつ
いている。これにより、液の排出が容易になり、かつ、
処理槽自体の容積もより小さくできる。勿論、処理槽の
形状は円柱状や多角形状であってもよい。処理槽1の容
積は、被処理物が入る範囲でできる限り小さくしてい
る。処理槽1は上方に開口し、被処理物を上方より受け
入れる。
【0010】2は冷却コイルである。冷却コイル2はS
US鋼あるいは石英管により形成されている。冷却コイ
ル2は、処理槽1の内壁側面近傍に設置されている。冷
却コイル中には水あるいはエチレングリコール等の冷媒
が流れる。冷媒はコイル中を下方から上方に向かって流
れ、その際に処理槽内部の熱を奪って処理槽内部を冷却
する。冷却コイルは、処理槽の内壁側面近傍以外に、底
部近傍に設けることもできるし、これらを併設すること
もできる。また、冷却コイルの代わりに、冷却ジャケッ
トを使用することもできる。
US鋼あるいは石英管により形成されている。冷却コイ
ル2は、処理槽1の内壁側面近傍に設置されている。冷
却コイル中には水あるいはエチレングリコール等の冷媒
が流れる。冷媒はコイル中を下方から上方に向かって流
れ、その際に処理槽内部の熱を奪って処理槽内部を冷却
する。冷却コイルは、処理槽の内壁側面近傍以外に、底
部近傍に設けることもできるし、これらを併設すること
もできる。また、冷却コイルの代わりに、冷却ジャケッ
トを使用することもできる。
【0011】図1においては、蒸気圧減少手段として冷
却コイルを使用したが、これは処理槽に存在する有機溶
剤の蒸気の圧力を減少させる手段であればよい。例え
ば、後述の高純度窒素導入ライン及び排気ラインを用い
て窒素等の不活性ガスを導入・排気することで代用する
ことができる。また、処理槽に真空ポンプ等の減圧手段
を接続し、処理槽内部を減圧することで代用することも
できる。無論これらを2つ以上併用することもできる。
却コイルを使用したが、これは処理槽に存在する有機溶
剤の蒸気の圧力を減少させる手段であればよい。例え
ば、後述の高純度窒素導入ライン及び排気ラインを用い
て窒素等の不活性ガスを導入・排気することで代用する
ことができる。また、処理槽に真空ポンプ等の減圧手段
を接続し、処理槽内部を減圧することで代用することも
できる。無論これらを2つ以上併用することもできる。
【0012】3は処理槽蓋である。処理槽蓋3は石英あ
るいはSUS鋼により形成されている。処理槽蓋3の形
状は平板状であるが、鏡状であっても差し支えない。蓋
3は開閉可能となっており、開状態の場合処理槽1の開
口部を解放し、閉状態の場合開口部を閉止する。処理槽
内を減圧にすることがあり処理槽とのシール性が重要で
あるので、蓋3は閉状態の際には処理槽内の気密性が保
たれるようになっている。シール材としてはクリーン度
の高いPTFEあるいはPFAが望ましい。また、この
処理槽蓋3は自動開閉機構(図示せず)を有している。
るいはSUS鋼により形成されている。処理槽蓋3の形
状は平板状であるが、鏡状であっても差し支えない。蓋
3は開閉可能となっており、開状態の場合処理槽1の開
口部を解放し、閉状態の場合開口部を閉止する。処理槽
内を減圧にすることがあり処理槽とのシール性が重要で
あるので、蓋3は閉状態の際には処理槽内の気密性が保
たれるようになっている。シール材としてはクリーン度
の高いPTFEあるいはPFAが望ましい。また、この
処理槽蓋3は自動開閉機構(図示せず)を有している。
【0013】4は被処理物である。ウェハ、LCD基
板、精密電子部品等がこれにあたる。被処理物の形状に
特に制限はなく、円盤状、平板状、球状、その他複雑な
形状であってもよい。被処理物4は被処理面を露出して
保持し得るワークカセット等の保持部材(キャリア:図
示せず)に複数個収納されており、キャリアは上方又は
側方より吊持されている。被処理物は、蓋3が開状態の
際にキャリアごと処理槽上方より受け入れられ、そのま
ま洗浄・乾燥処理に供される。なお、処理槽内に被処理
物を複数個設置するための固定治具を設置しておき、キ
ャリアにて処理槽内の搬送された被処理物を固定治具に
て固定した後、キャリアのみを槽外に取り出して洗浄・
乾燥することもできる。キャリアは石英、PTFEある
いはPFA製のものを使用するのが好ましい。
板、精密電子部品等がこれにあたる。被処理物の形状に
特に制限はなく、円盤状、平板状、球状、その他複雑な
形状であってもよい。被処理物4は被処理面を露出して
保持し得るワークカセット等の保持部材(キャリア:図
示せず)に複数個収納されており、キャリアは上方又は
側方より吊持されている。被処理物は、蓋3が開状態の
際にキャリアごと処理槽上方より受け入れられ、そのま
ま洗浄・乾燥処理に供される。なお、処理槽内に被処理
物を複数個設置するための固定治具を設置しておき、キ
ャリアにて処理槽内の搬送された被処理物を固定治具に
て固定した後、キャリアのみを槽外に取り出して洗浄・
乾燥することもできる。キャリアは石英、PTFEある
いはPFA製のものを使用するのが好ましい。
【0014】5は高純度窒素導入ラインである。このラ
インは処理槽内部より有機蒸気を追い出す為に導入す
る。また、処理槽内の圧力を減圧から大気圧に戻す為に
設けられている。材質はSUS鋼であり、粒子の混入を
防止するため内面が電解研磨されている。このラインは
処理槽の上部側面に接続されており、末端に微粒子除去
のフィルタ51が接続されている。
インは処理槽内部より有機蒸気を追い出す為に導入す
る。また、処理槽内の圧力を減圧から大気圧に戻す為に
設けられている。材質はSUS鋼であり、粒子の混入を
防止するため内面が電解研磨されている。このラインは
処理槽の上部側面に接続されており、末端に微粒子除去
のフィルタ51が接続されている。
【0015】6は排気ラインである。処理槽内の有機蒸
気を排出する目的で、処理槽1の上部側面に設けられて
いる。材質はSUS鋼である。処理槽外気体の逆流を防
ぐために、逆止弁61及びフィルタ62が設置されてい
る。
気を排出する目的で、処理槽1の上部側面に設けられて
いる。材質はSUS鋼である。処理槽外気体の逆流を防
ぐために、逆止弁61及びフィルタ62が設置されてい
る。
【0016】7は液排出ラインである。液排出ライン7
は処理槽内部の有機溶剤を抜き出し、分離膜モジュール
ユニット8へと導くラインであり、一方が処理槽1の最
底部に接続しており、他方が浸透気化膜モジュールユニ
ット8の受け入れ側(1次側)に接続している。材質は
SUS鋼であり、粒子の混入を防止するため内面が電解
研磨されている。液排出ライン7は、液排出ライン7の
途中にはバルブ74、コレクトタンク73、供給ポンプ
71及び熱伝対による温度計72が設けられている。コ
レクトタンク73は、洗浄乾燥に使用された有機溶剤を
いったん受け入れるのに使用される。温度計72は、浸
透気化膜モジュールユニット8の近傍の液排出ライン7
に設けられており、循環ライン91と合流した後の浸透
気化膜モジュールに供給される液の温度(PV温度)を
測定する。浸透気化膜においては、液排出ライン7の液
の組成変化あるいは被透過液抜き出しライン9の液の組
成変化がPV温度の変化として捉えることができるの
で、温度計72の温度変化を監視することで、処理槽に
リサイクルされる有機溶剤の組成を監視又は制御する。
は処理槽内部の有機溶剤を抜き出し、分離膜モジュール
ユニット8へと導くラインであり、一方が処理槽1の最
底部に接続しており、他方が浸透気化膜モジュールユニ
ット8の受け入れ側(1次側)に接続している。材質は
SUS鋼であり、粒子の混入を防止するため内面が電解
研磨されている。液排出ライン7は、液排出ライン7の
途中にはバルブ74、コレクトタンク73、供給ポンプ
71及び熱伝対による温度計72が設けられている。コ
レクトタンク73は、洗浄乾燥に使用された有機溶剤を
いったん受け入れるのに使用される。温度計72は、浸
透気化膜モジュールユニット8の近傍の液排出ライン7
に設けられており、循環ライン91と合流した後の浸透
気化膜モジュールに供給される液の温度(PV温度)を
測定する。浸透気化膜においては、液排出ライン7の液
の組成変化あるいは被透過液抜き出しライン9の液の組
成変化がPV温度の変化として捉えることができるの
で、温度計72の温度変化を監視することで、処理槽に
リサイクルされる有機溶剤の組成を監視又は制御する。
【0017】8は浸透気化膜モジュールユニットであ
る。洗浄乾燥に使用した有機溶剤を受け入れて有機溶剤
から水分を分離する。浸透気化膜モジュールユニット8
は、内部に浸透気化膜を有しており、膜への親和性の違
いにより水と有機溶剤とを分離し、その結果使用した有
機溶剤の脱水が行われる。図1の膜は中空糸状の耐熱性
高分子膜であり、水を選択的に透過させる。水を多量に
含む透過成分は、膜の2次側からライン81を介して系
外に排出される。また、相対的にIPAを多く含有する
非透過成分はライン9より抜き出される。
る。洗浄乾燥に使用した有機溶剤を受け入れて有機溶剤
から水分を分離する。浸透気化膜モジュールユニット8
は、内部に浸透気化膜を有しており、膜への親和性の違
いにより水と有機溶剤とを分離し、その結果使用した有
機溶剤の脱水が行われる。図1の膜は中空糸状の耐熱性
高分子膜であり、水を選択的に透過させる。水を多量に
含む透過成分は、膜の2次側からライン81を介して系
外に排出される。また、相対的にIPAを多く含有する
非透過成分はライン9より抜き出される。
【0018】脱水処理については、使用する有機溶剤が
水と親和性を有するため、通常の蒸留では分離が困難で
ある。従って、本発明の装置においては、分離膜を有す
るモ分離膜ジュールを用いるのが好ましく、特に浸透気
化膜を有する浸透気化膜モジュールおよび/またはを蒸
気透過膜を有する蒸気透過膜モジュールを使用するのが
好ましい。これらを使用することによって、使用する有
機溶剤量を削減することができる。
水と親和性を有するため、通常の蒸留では分離が困難で
ある。従って、本発明の装置においては、分離膜を有す
るモ分離膜ジュールを用いるのが好ましく、特に浸透気
化膜を有する浸透気化膜モジュールおよび/またはを蒸
気透過膜を有する蒸気透過膜モジュールを使用するのが
好ましい。これらを使用することによって、使用する有
機溶剤量を削減することができる。
【0019】浸透気化とは膜1次側に分離対象液を流
し、2次側を減圧/気相化して透過成分に分圧差を与え
て特定の液体を選択的に透過させ混合液体の分離・濃縮
を行うものである。特定の成分に親和性を持つ膜素材を
使用することによって、共沸混合物の分離も可能とな
る。浸透気化膜モジュールに供された水分を含む有機溶
剤は、非透過成分と透過成分とに分離される。このう
ち、処理前の水分濃度が減少した成分を再使用する。非
透過成分と透過成分のどちらがこの成分に該当するか
は、使用する浸透気化膜の性質に依る。例えば、浸透気
化膜が水を選択的に透過しやすい性質を有する場合は、
非透過成分を再使用する。使用できる膜素材としては、
ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポ
リフェニルアセチレン等が挙げられる。また、膜の形状
も、中空糸型以外にも、平膜積層型、チューブラ型、プ
リーツ型、スパイラル型等各種のものを使用できる。
し、2次側を減圧/気相化して透過成分に分圧差を与え
て特定の液体を選択的に透過させ混合液体の分離・濃縮
を行うものである。特定の成分に親和性を持つ膜素材を
使用することによって、共沸混合物の分離も可能とな
る。浸透気化膜モジュールに供された水分を含む有機溶
剤は、非透過成分と透過成分とに分離される。このう
ち、処理前の水分濃度が減少した成分を再使用する。非
透過成分と透過成分のどちらがこの成分に該当するか
は、使用する浸透気化膜の性質に依る。例えば、浸透気
化膜が水を選択的に透過しやすい性質を有する場合は、
非透過成分を再使用する。使用できる膜素材としては、
ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポ
リフェニルアセチレン等が挙げられる。また、膜の形状
も、中空糸型以外にも、平膜積層型、チューブラ型、プ
リーツ型、スパイラル型等各種のものを使用できる。
【0020】処理速度の向上或いは使用する有機溶剤量
の削減のため、分離膜モジュールの水処理能力は5g/
(モジュール1L・hr)以上、好ましくは10g水/
(モジュール1L・hr)以上の処理能力を有するのが
好ましい。このような分離膜モジュールを使用すること
によって、有機溶剤の使用量を減少させることができ、
また、処理槽を小型化することができる。なお、モジュ
ール1Lとは、モジュールの外形から算出される単位体
積である。図1において、浸透気化膜モジュールユニッ
ト8のモジュール部分は、300g/(モジュール1L
・hr)の水処理能力を有する。
の削減のため、分離膜モジュールの水処理能力は5g/
(モジュール1L・hr)以上、好ましくは10g水/
(モジュール1L・hr)以上の処理能力を有するのが
好ましい。このような分離膜モジュールを使用すること
によって、有機溶剤の使用量を減少させることができ、
また、処理槽を小型化することができる。なお、モジュ
ール1Lとは、モジュールの外形から算出される単位体
積である。図1において、浸透気化膜モジュールユニッ
ト8のモジュール部分は、300g/(モジュール1L
・hr)の水処理能力を有する。
【0021】また、浸透気化膜モジュールを用いた場
合、1次側と2次側の水分圧差が200mmHgの際の
処理水量は通常10g/(モジュール1L・hr)以
上、好ましくは100g/(モジュール1L・hr)以
上とする。このような浸透気化膜モジュールを用いるこ
とで、有機溶剤の使用量を減少させることができ、ま
た、処理槽を小型化することができる。なお、モジュー
ル1Lとは、モジュールの外形から算出される単位体積
である。図1において、浸透気化膜モジュールユニット
8のモジュール部分は、1次側と2次側の水分圧差が2
00mmHgの際に150g/(モジュール1L・h
r)の処理能力を有する。
合、1次側と2次側の水分圧差が200mmHgの際の
処理水量は通常10g/(モジュール1L・hr)以
上、好ましくは100g/(モジュール1L・hr)以
上とする。このような浸透気化膜モジュールを用いるこ
とで、有機溶剤の使用量を減少させることができ、ま
た、処理槽を小型化することができる。なお、モジュー
ル1Lとは、モジュールの外形から算出される単位体積
である。図1において、浸透気化膜モジュールユニット
8のモジュール部分は、1次側と2次側の水分圧差が2
00mmHgの際に150g/(モジュール1L・h
r)の処理能力を有する。
【0022】9は被透過液抜き出しラインである。脱水
された有機溶剤を蒸留塔10に導入するラインであり、
供給される有機溶剤中の水分が減少される側であるとこ
ろの、浸透気化膜モジュールユニット8の非透過成分出
口に一方が接続しており、他方が蒸留塔10のに接続し
ている。材質はSUS鋼であり、粒子の混入を防止する
ため内面が電解研磨されている。被透過液抜き出しライ
ン9の途中から循環ライン91が分岐されており、ポン
プ92及び加熱器93を介して液排出ライン7に接続し
ている。IPAに富む浸透気化膜モジュールユニット8
の非透過成分の一部は加熱器93で加熱され、その結果
高められたPV温度で浸透気化膜モジュールユニットが
運転される。PV温度としては使用する有機溶剤の常圧
での沸点以上が好ましく、浸透気化においては通常5〜
200℃程度のPV温度である。また、被透過液抜き出
しライン9には背圧弁94が設けられており、モジュー
ル運転中ポンプ72から背圧弁94までの間を加圧状態
としている。その結果、使用する有機溶剤は液体状態を
保ったまま常圧での沸点以上まで加温できる。
された有機溶剤を蒸留塔10に導入するラインであり、
供給される有機溶剤中の水分が減少される側であるとこ
ろの、浸透気化膜モジュールユニット8の非透過成分出
口に一方が接続しており、他方が蒸留塔10のに接続し
ている。材質はSUS鋼であり、粒子の混入を防止する
ため内面が電解研磨されている。被透過液抜き出しライ
ン9の途中から循環ライン91が分岐されており、ポン
プ92及び加熱器93を介して液排出ライン7に接続し
ている。IPAに富む浸透気化膜モジュールユニット8
の非透過成分の一部は加熱器93で加熱され、その結果
高められたPV温度で浸透気化膜モジュールユニットが
運転される。PV温度としては使用する有機溶剤の常圧
での沸点以上が好ましく、浸透気化においては通常5〜
200℃程度のPV温度である。また、被透過液抜き出
しライン9には背圧弁94が設けられており、モジュー
ル運転中ポンプ72から背圧弁94までの間を加圧状態
としている。その結果、使用する有機溶剤は液体状態を
保ったまま常圧での沸点以上まで加温できる。
【0023】10は蒸留塔である。有機溶剤を単蒸留
し、イオン性の不純物あるいは該有機溶剤よりも沸点の
高い有機物等を分離する。材質はSUS鋼である。蒸留
塔10は、有機蒸気を凝縮させる冷却コイル102、液
を加温する電気ヒーター101及びトレイ103を有し
ている。電気ヒーター101は蒸留塔下部に設けられ、
受け入れた有機溶剤を加熱・蒸発させる。冷却コイル1
02は蒸留塔本体内側に設けられ、気化した有機溶剤を
凝縮させる。また、トレイ103は、冷却コイル102
の下部に設けられ、冷却コイルの作用で凝縮した有機溶
剤を受ける。
し、イオン性の不純物あるいは該有機溶剤よりも沸点の
高い有機物等を分離する。材質はSUS鋼である。蒸留
塔10は、有機蒸気を凝縮させる冷却コイル102、液
を加温する電気ヒーター101及びトレイ103を有し
ている。電気ヒーター101は蒸留塔下部に設けられ、
受け入れた有機溶剤を加熱・蒸発させる。冷却コイル1
02は蒸留塔本体内側に設けられ、気化した有機溶剤を
凝縮させる。また、トレイ103は、冷却コイル102
の下部に設けられ、冷却コイルの作用で凝縮した有機溶
剤を受ける。
【0024】蒸留塔は多段であってもよく、また、加熱
器の熱源はスチーム等であってもよい。蒸留によって、
高沸点の不純物の外イオン性の不純物がのぞかれるが、
この目的のために、蒸留塔の代わりにイオン交換樹脂を
充填した樹脂塔を設け、イオン交換処理に供することも
できる。無論、蒸留操作及びイオン交換処理を併用する
こともできる。これらの操作は、分離膜による脱水の前
に行うことも可能であるが、好ましくは脱水後に行う。
器の熱源はスチーム等であってもよい。蒸留によって、
高沸点の不純物の外イオン性の不純物がのぞかれるが、
この目的のために、蒸留塔の代わりにイオン交換樹脂を
充填した樹脂塔を設け、イオン交換処理に供することも
できる。無論、蒸留操作及びイオン交換処理を併用する
こともできる。これらの操作は、分離膜による脱水の前
に行うことも可能であるが、好ましくは脱水後に行う。
【0025】11は精製液抜き出しラインである。精製
された有機溶剤が再び処理槽へと戻るラインであり、一
方は蒸留塔10側部に接続しトレイで受けた有機溶剤を
受け入れ、他方は処理槽1の側方下部に接続している。
材質はSUS鋼であり、粒子の混入を防止するため内面
が電解研磨されている。精製液抜き出しラインの途中に
は、ポンプ111、超精密フィルタ12、比抵抗計11
2、微粒子計113、供給タンク114、ポンプ115
及び加熱器13が設けられている。なお、図1において
は、被透過液抜き出しライン9から精製液抜き出しライ
ンまでの一連のラインで、供給ラインが形成されてい
る。
された有機溶剤が再び処理槽へと戻るラインであり、一
方は蒸留塔10側部に接続しトレイで受けた有機溶剤を
受け入れ、他方は処理槽1の側方下部に接続している。
材質はSUS鋼であり、粒子の混入を防止するため内面
が電解研磨されている。精製液抜き出しラインの途中に
は、ポンプ111、超精密フィルタ12、比抵抗計11
2、微粒子計113、供給タンク114、ポンプ115
及び加熱器13が設けられている。なお、図1において
は、被透過液抜き出しライン9から精製液抜き出しライ
ンまでの一連のラインで、供給ラインが形成されてい
る。
【0026】超精密フィルター12はPEあるいはPT
FE製である。金属製のものはメタルの溶出があるので
好ましくない。サイズは4インチあるいは10インチの
ものが望ましい。超精密フィルター12は、混入してき
た微粒子を補足する。加熱器13は、被処理物に蒸発潜
熱を供給する為の有機溶剤加熱器である。熱交換部はS
US鋼製のものが使用される。望ましくは表面が電解研
磨処理されている方が良い。また、加熱ヒーター13は
アルミ鋳込み電気ヒーターであるが、熱交換器ののよう
なものであってもよい。
FE製である。金属製のものはメタルの溶出があるので
好ましくない。サイズは4インチあるいは10インチの
ものが望ましい。超精密フィルター12は、混入してき
た微粒子を補足する。加熱器13は、被処理物に蒸発潜
熱を供給する為の有機溶剤加熱器である。熱交換部はS
US鋼製のものが使用される。望ましくは表面が電解研
磨処理されている方が良い。また、加熱ヒーター13は
アルミ鋳込み電気ヒーターであるが、熱交換器ののよう
なものであってもよい。
【0027】比抵抗計112は、比抵抗を測定すること
によって、イオン性不純物の濃度を監視する。また、微
粒子計113は0.1μm以上の微粒子を測定、監視す
る。これらの測定機器は、それぞれ蒸留塔10、フィル
タ12の後段に設けれていればよい。供給タンク114
は、精製された有機溶剤をいったん受け入れるのに使用
される。図1のように、比抵抗計112及び微粒子計1
13より後段に設置するのが好ましく、また、加熱器1
3より前段に設置するのが好ましい。
によって、イオン性不純物の濃度を監視する。また、微
粒子計113は0.1μm以上の微粒子を測定、監視す
る。これらの測定機器は、それぞれ蒸留塔10、フィル
タ12の後段に設けれていればよい。供給タンク114
は、精製された有機溶剤をいったん受け入れるのに使用
される。図1のように、比抵抗計112及び微粒子計1
13より後段に設置するのが好ましく、また、加熱器1
3より前段に設置するのが好ましい。
【0028】なお、図1においては、加熱器13の前に
フィルタ12が設けられているが、この順序は逆であっ
ても問題はない。また、蒸留塔10による蒸留操作及び
超精密フィルタによる濾過は、それぞれ分離膜モジュー
ルによる分離精製の前に行うことも可能であり、その順
序は設計変更可能である。
フィルタ12が設けられているが、この順序は逆であっ
ても問題はない。また、蒸留塔10による蒸留操作及び
超精密フィルタによる濾過は、それぞれ分離膜モジュー
ルによる分離精製の前に行うことも可能であり、その順
序は設計変更可能である。
【0029】14はリンス液供給ラインである。処理槽
にリンス液を供給するラインである。リンス液供給ライ
ンはPVDF、PTFE、PFAにより形成される。リ
ンス液としては通常水が使用され、処理槽1にて水洗が
行われた後に同じ処理槽1で有機溶剤による洗浄・乾燥
が行われる。図1において、それぞれの装置の処理能力
や洗浄乾燥、精製のスペック等に合わせ、適宜バイパス
ラインを設けることもできる。例えば、背圧弁94の後
段側の被透過液抜き出しライン9と超精密フィルタ12
の前段側の精製液抜き出しライン11とを接続するバイ
パスラインを設けて蒸留塔10の負荷を下げることがで
きる。
にリンス液を供給するラインである。リンス液供給ライ
ンはPVDF、PTFE、PFAにより形成される。リ
ンス液としては通常水が使用され、処理槽1にて水洗が
行われた後に同じ処理槽1で有機溶剤による洗浄・乾燥
が行われる。図1において、それぞれの装置の処理能力
や洗浄乾燥、精製のスペック等に合わせ、適宜バイパス
ラインを設けることもできる。例えば、背圧弁94の後
段側の被透過液抜き出しライン9と超精密フィルタ12
の前段側の精製液抜き出しライン11とを接続するバイ
パスラインを設けて蒸留塔10の負荷を下げることがで
きる。
【0030】本発明の特徴の1つは、処理槽に供給され
る有機溶剤の水分濃度を常に10重量%以下、好ましく
は3重量%以下、さらに好ましくは1.5重量%以下に
制御することにある。そのために、一度被処理物の処理
に使用された有機溶剤を脱水処理に供し、水分濃度を減
少せしめることが重要である。その結果、次の被処理物
の処理には脱水処理された有機溶剤の再使用が可能とな
り、有機溶剤の使用量を低減することが可能になる。も
し、水分濃度を3重量%以上とすれば、被処理物の洗浄
・乾燥は不十分となり、またウォーターマークの発生も
顕著となる。
る有機溶剤の水分濃度を常に10重量%以下、好ましく
は3重量%以下、さらに好ましくは1.5重量%以下に
制御することにある。そのために、一度被処理物の処理
に使用された有機溶剤を脱水処理に供し、水分濃度を減
少せしめることが重要である。その結果、次の被処理物
の処理には脱水処理された有機溶剤の再使用が可能とな
り、有機溶剤の使用量を低減することが可能になる。も
し、水分濃度を3重量%以上とすれば、被処理物の洗浄
・乾燥は不十分となり、またウォーターマークの発生も
顕著となる。
【0031】処理槽(1)に導入される洗浄・乾燥液と
しては、水と混合しうる有機溶剤であれば特に制限はな
いが、例えば、IPA、エタノール、n−プロパノー
ル、イソブタノール、イソアミルアルコール等のアルコ
ール類を挙げることができる。これらの溶剤の中、特に
IPAが好適である。次に、上記の装置を用いた洗浄・
乾燥方法について説明する。使用する有機溶剤としてI
PAを使用した場合について説明する。
しては、水と混合しうる有機溶剤であれば特に制限はな
いが、例えば、IPA、エタノール、n−プロパノー
ル、イソブタノール、イソアミルアルコール等のアルコ
ール類を挙げることができる。これらの溶剤の中、特に
IPAが好適である。次に、上記の装置を用いた洗浄・
乾燥方法について説明する。使用する有機溶剤としてI
PAを使用した場合について説明する。
【0032】まず、半導体ウェハ等の被処理物4を上方
から下降させ、処理槽1内部に設置する。この際、被処
理物4は処理槽1とは非接触状態に保たれる。被処理物
の設置後、蓋3を閉状態とし、さらに、リンス液供給ラ
イン14より純水が供給され、被処理物4は水に浸漬さ
れ、水洗される。次に、廃液ライン(図示せず)より水
が排出され、最終リンス行程が終了する。
から下降させ、処理槽1内部に設置する。この際、被処
理物4は処理槽1とは非接触状態に保たれる。被処理物
の設置後、蓋3を閉状態とし、さらに、リンス液供給ラ
イン14より純水が供給され、被処理物4は水に浸漬さ
れ、水洗される。次に、廃液ライン(図示せず)より水
が排出され、最終リンス行程が終了する。
【0033】以上は、リンス行程であり、以上に示した
ように洗浄乾燥を行う処理槽と同一の処理槽内で行うの
が好ましい。その結果、装置の小型化が可能となる。以
下の操作においては、図2も参照する。図2は、本発明
方法を示す概略模式図である。図2では、図1の装置の
主要部分のみ示している。上記の操作に引き続き、被処
理物4を酸素雰囲気に暴露させない為および可燃性ガス
である加温IPA液の導入に対する安全性確保の為、高
純度窒素導入ライン5より窒素を供給し、処理槽1内を
不活性ガスにて置換する。また、この場合十分に置換が
行われる様に排気ライン6を一定時間開とする。
ように洗浄乾燥を行う処理槽と同一の処理槽内で行うの
が好ましい。その結果、装置の小型化が可能となる。以
下の操作においては、図2も参照する。図2は、本発明
方法を示す概略模式図である。図2では、図1の装置の
主要部分のみ示している。上記の操作に引き続き、被処
理物4を酸素雰囲気に暴露させない為および可燃性ガス
である加温IPA液の導入に対する安全性確保の為、高
純度窒素導入ライン5より窒素を供給し、処理槽1内を
不活性ガスにて置換する。また、この場合十分に置換が
行われる様に排気ライン6を一定時間開とする。
【0034】分離膜モジュールユニット8にて脱水さ
れ、蒸留塔10にて金属イオンを除去された後、超精密
フィルタ12にて微粒子を除去された後、供給タンク1
14に貯められた精製IPAを加熱器13にて約40℃
に昇温して処理槽1へ導入し、被処理物4が完全に浸漬
する高さまで液を入れる。この時、系内の圧力上昇を防
ぐ目的で排気ライン6を一定時間開とする。
れ、蒸留塔10にて金属イオンを除去された後、超精密
フィルタ12にて微粒子を除去された後、供給タンク1
14に貯められた精製IPAを加熱器13にて約40℃
に昇温して処理槽1へ導入し、被処理物4が完全に浸漬
する高さまで液を入れる。この時、系内の圧力上昇を防
ぐ目的で排気ライン6を一定時間開とする。
【0035】被処理物4に付着した水が完全にIPAと
置換し、被処理物4の温度が加熱IPA温度とほぼ同じ
になるまでこの状態を維持する。被処理物4の温度を上
げることで、十分な蒸発潜熱を与えることができ、その
結果被処理物の乾燥が速やかに行える。この際、一部の
IPAをコレクトタンク73へと抜き出しつつ、不足分
を供給タンク114より受け入れている。なお、処理槽
1内のIPAを外部循環したり、導入したIPA内で被
処理物を振盪させるなどしてIPA置換および熱移動を
促進させることもできる。
置換し、被処理物4の温度が加熱IPA温度とほぼ同じ
になるまでこの状態を維持する。被処理物4の温度を上
げることで、十分な蒸発潜熱を与えることができ、その
結果被処理物の乾燥が速やかに行える。この際、一部の
IPAをコレクトタンク73へと抜き出しつつ、不足分
を供給タンク114より受け入れている。なお、処理槽
1内のIPAを外部循環したり、導入したIPA内で被
処理物を振盪させるなどしてIPA置換および熱移動を
促進させることもできる。
【0036】次に、IPA液を処理槽底部の液排出ライ
ン7から抜き出すことによってIPA液から被処理物4
を取り出す。この際、IPA液の液面の低下速度が一定
となるようにバルブ74の開度を調節して排出速度を調
節する。液の抜き出しに伴い処理室1内が減圧になるの
で高純度窒素導入ライン5より窒素を導入し減圧を避け
る。IPA液から被処理物を取り出すために、IPAの
排出をせずに被処理物の方を引き上げる方法も採用でき
るが、被処理物の移動距離が短い結果更なる装置の小型
化が可能であるため、IPAを排出することによって被
処理物を取り出す方式が好ましい。いずれの場合も、取
り出す速度は一定であることが望ましいが、この面から
は被処理物の方を引き上げる方法の方が好ましい。取り
出す時の速度は5cm/sec以下に制御することが望
ましい。速度が大きすぎると、取り出した後の被処理物
に余分にIPAが付着するために乾燥に時間がかかりす
ぎたり、乾き方の不均一による欠陥が生じたりする。ま
た、スループットの面から通常取り出す速度は0.1c
m/sec以上とする。抜き出されたIPAは、コレク
トタンク73に貯められる。
ン7から抜き出すことによってIPA液から被処理物4
を取り出す。この際、IPA液の液面の低下速度が一定
となるようにバルブ74の開度を調節して排出速度を調
節する。液の抜き出しに伴い処理室1内が減圧になるの
で高純度窒素導入ライン5より窒素を導入し減圧を避け
る。IPA液から被処理物を取り出すために、IPAの
排出をせずに被処理物の方を引き上げる方法も採用でき
るが、被処理物の移動距離が短い結果更なる装置の小型
化が可能であるため、IPAを排出することによって被
処理物を取り出す方式が好ましい。いずれの場合も、取
り出す速度は一定であることが望ましいが、この面から
は被処理物の方を引き上げる方法の方が好ましい。取り
出す時の速度は5cm/sec以下に制御することが望
ましい。速度が大きすぎると、取り出した後の被処理物
に余分にIPAが付着するために乾燥に時間がかかりす
ぎたり、乾き方の不均一による欠陥が生じたりする。ま
た、スループットの面から通常取り出す速度は0.1c
m/sec以上とする。抜き出されたIPAは、コレク
トタンク73に貯められる。
【0037】液が完全に抜けたら、液排出ライン7、高
純度窒素導入ライン5、排気ライン6を閉止し、冷却コ
イル2に冷却水を導入する。冷媒の温度は冷却コイル出
口で25℃以下となるよう制御する。処理室1内のIP
A蒸気が冷却・凝縮し処理室1内が減圧状態に保持され
る。被処理物4表面に付着したIPA薄膜が乾き度の高
い雰囲気で維持されることと被処理物4自体が十分な蒸
発潜熱見合いの熱量を得ていることとで、乾燥は短時間
に完全に行われる。乾燥が終了した時点で冷却水の導入
を停止する。
純度窒素導入ライン5、排気ライン6を閉止し、冷却コ
イル2に冷却水を導入する。冷媒の温度は冷却コイル出
口で25℃以下となるよう制御する。処理室1内のIP
A蒸気が冷却・凝縮し処理室1内が減圧状態に保持され
る。被処理物4表面に付着したIPA薄膜が乾き度の高
い雰囲気で維持されることと被処理物4自体が十分な蒸
発潜熱見合いの熱量を得ていることとで、乾燥は短時間
に完全に行われる。乾燥が終了した時点で冷却水の導入
を停止する。
【0038】高純度窒素導入ライン5より窒素を導入し
て処理室1内を復圧し、排気ライン6を開の状態で一定
時間窒素を導入してIPAガスを処理室1内より除去す
る。また、この時、液排出ライン7より残留IPA液を
完全に抜き出す。高純度窒素導入ライン5、排気ライン
6を閉として処理槽蓋3を開状態として被処理物を4搬
出する。上記の洗浄乾燥の間、IPAの精製ラインは連
続的な運転を継続する。すなわち、常時コレクトタンク
114より原料IPAをモジュールユニット8に受け入
れ、且つ精製IPAを供給タンクに供給する。以下、具
体的な精製方法を記載する。
て処理室1内を復圧し、排気ライン6を開の状態で一定
時間窒素を導入してIPAガスを処理室1内より除去す
る。また、この時、液排出ライン7より残留IPA液を
完全に抜き出す。高純度窒素導入ライン5、排気ライン
6を閉として処理槽蓋3を開状態として被処理物を4搬
出する。上記の洗浄乾燥の間、IPAの精製ラインは連
続的な運転を継続する。すなわち、常時コレクトタンク
114より原料IPAをモジュールユニット8に受け入
れ、且つ精製IPAを供給タンクに供給する。以下、具
体的な精製方法を記載する。
【0039】使用されたIPAは、コレクトタンク73
より浸透気化膜モジュール8に供給されて脱水され後、
蒸留塔10にて金属イオンや高沸物を除去され、さらに
超精密フィルタ12にて微粒子を除去されて供給タンク
に貯められる。このように精製されたIPAは、引き続
き次の洗浄乾燥処理に使用される。この際、浸漬処理に
供される精製IPA中の水の濃度を常に10重量%以下
に保つようにする。
より浸透気化膜モジュール8に供給されて脱水され後、
蒸留塔10にて金属イオンや高沸物を除去され、さらに
超精密フィルタ12にて微粒子を除去されて供給タンク
に貯められる。このように精製されたIPAは、引き続
き次の洗浄乾燥処理に使用される。この際、浸漬処理に
供される精製IPA中の水の濃度を常に10重量%以下
に保つようにする。
【0040】上記の操作において、被処理物を処理槽内
に配置した後、これを水洗処理に供した後に、同一の処
理槽内でIPA洗浄を行ったが、必ずしも水洗処理は必
須ではない。また、上記の例においては、一回の洗浄に
対して一回のIPA精製を行った例を示したが、IPA
中の水の濃度が10重量%以下に維持される範囲内で、
複数の洗浄に対して一回のIPA精製を行ってもよい。
さらに、上記例においては精製運転を連続的に行った
が、バッチ的に行うことも可能である。処理時間の向上
と分離運転の容易さから、脱水操作は連続的に行うのが
好ましい。
に配置した後、これを水洗処理に供した後に、同一の処
理槽内でIPA洗浄を行ったが、必ずしも水洗処理は必
須ではない。また、上記の例においては、一回の洗浄に
対して一回のIPA精製を行った例を示したが、IPA
中の水の濃度が10重量%以下に維持される範囲内で、
複数の洗浄に対して一回のIPA精製を行ってもよい。
さらに、上記例においては精製運転を連続的に行った
が、バッチ的に行うことも可能である。処理時間の向上
と分離運転の容易さから、脱水操作は連続的に行うのが
好ましい。
【0041】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例 図1において、処理槽としては開口部500mm×50
0mm×深さ800mm×厚さ3mmのステンレス製の
容器を使用した。また、処理槽蓋としては同じく3mm
のステンレス板を使用し、シール用パッキン材としては
PFA製のOリングを用いた。洗浄・乾燥液としては脱
水・精製した41℃のIPAを用い、被処理物として8
インチシリコンウェハー25枚をPFA製カセットにて
供給した。冷却コイルは1/2”SUS管を10巻き
(伝熱面積:0.72m2 )、冷却水供給温度は20℃
(出口温度25℃)で流量は20リットル/minとし
た。パーティクルを除去する超精密濾過膜としてポアサ
イズ0.09μmのポリエチレン製の4インチのものを
使用した。また、加熱器としてはアルミ鋳込み電気ヒー
ターを用いた。
明する。 実施例 図1において、処理槽としては開口部500mm×50
0mm×深さ800mm×厚さ3mmのステンレス製の
容器を使用した。また、処理槽蓋としては同じく3mm
のステンレス板を使用し、シール用パッキン材としては
PFA製のOリングを用いた。洗浄・乾燥液としては脱
水・精製した41℃のIPAを用い、被処理物として8
インチシリコンウェハー25枚をPFA製カセットにて
供給した。冷却コイルは1/2”SUS管を10巻き
(伝熱面積:0.72m2 )、冷却水供給温度は20℃
(出口温度25℃)で流量は20リットル/minとし
た。パーティクルを除去する超精密濾過膜としてポアサ
イズ0.09μmのポリエチレン製の4インチのものを
使用した。また、加熱器としてはアルミ鋳込み電気ヒー
ターを用いた。
【0042】浸透気化膜モジュールユニットを2時間稼
働した後、IPA供給温度71℃にて、前述のような洗
浄乾燥処理を実施した。この際、液を張ったところで5
分間そのままの状態で維持し、200mm/min
(3.3mm/sec)の速度で液面を下降させた。次
に冷却水を冷却コイルに通液したところ処理槽内圧は2
00mmHgまで低下した。復圧後、ウェハーを取り出
して30分後ウェハー上の欠陥をレーザーにて計測し
た。
働した後、IPA供給温度71℃にて、前述のような洗
浄乾燥処理を実施した。この際、液を張ったところで5
分間そのままの状態で維持し、200mm/min
(3.3mm/sec)の速度で液面を下降させた。次
に冷却水を冷却コイルに通液したところ処理槽内圧は2
00mmHgまで低下した。復圧後、ウェハーを取り出
して30分後ウェハー上の欠陥をレーザーにて計測し
た。
【0043】この操作を複数回繰り返した。これらの操
作の間、コレクトタンク73からは常時IPAをモジュ
ール8に供給し、且つ精製IPAを供給タンク114に
供給した。最初に使用した原料IPAの水分濃度は0.
1重量%以下であったが、1バッチ目の洗浄後の精製で
水分濃度が増加し、5バッチ目の洗浄以後は水分濃度は
1.9重量%で一定となった。また、いずれのウェハー
上にも0.2μm以上の欠陥は観測されなかった。
作の間、コレクトタンク73からは常時IPAをモジュ
ール8に供給し、且つ精製IPAを供給タンク114に
供給した。最初に使用した原料IPAの水分濃度は0.
1重量%以下であったが、1バッチ目の洗浄後の精製で
水分濃度が増加し、5バッチ目の洗浄以後は水分濃度は
1.9重量%で一定となった。また、いずれのウェハー
上にも0.2μm以上の欠陥は観測されなかった。
【0044】比較例1 従来の蒸気乾燥機により上記被処理物を乾燥処理させ
た。IPA蒸気槽浸漬時間は10分、乾燥時間は5分、
ウェハー引き上げ速度は200mm/minにて実施し
た。乾燥終了後30分後にウェハー上の欠陥をレーザー
検査機にて計測したところ、ウェハー上に0.2μm以
上の欠陥が平均5個観察された。
た。IPA蒸気槽浸漬時間は10分、乾燥時間は5分、
ウェハー引き上げ速度は200mm/minにて実施し
た。乾燥終了後30分後にウェハー上の欠陥をレーザー
検査機にて計測したところ、ウェハー上に0.2μm以
上の欠陥が平均5個観察された。
【0045】比較例2 比較例1と同様に、従来の超純水引き上げ方式乾燥機に
て上記被処理物を乾燥処理させた。これに用いた超純水
は常温であり、1タクトに使用するIPA量は100g
であった。被処理物の引き上げ速度は300mm/mi
nにて実施した。乾燥終了後30分後にウェハー上の欠
陥を同じくレーザーにて計測したところ、ウェハー上に
0.2μm以上の欠陥が平均8個観察された。
て上記被処理物を乾燥処理させた。これに用いた超純水
は常温であり、1タクトに使用するIPA量は100g
であった。被処理物の引き上げ速度は300mm/mi
nにて実施した。乾燥終了後30分後にウェハー上の欠
陥を同じくレーザーにて計測したところ、ウェハー上に
0.2μm以上の欠陥が平均8個観察された。
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、従来の洗浄乾燥法に比
べ、パーティクルの残存の少なくすることができだけで
なく、乾燥処理時間を短縮することができる。また、本
発明では、有機溶剤を使用するにも関わらずその使用量
を少なくすることができ、その結果廃液も最小限に止め
ることができる。また、本発明によれば、有機溶剤を液
体として取り扱うので安全性が向上する。特に本発明で
は、有機溶剤を常温に近い温度で取り扱うことが可能で
ある。また、本発明は、被処理物の搬送距離を短くする
ことができるので、装置の小型化が可能である。更に、
水洗と有機溶剤による洗浄乾燥とを同じ処理槽で行える
ので、水洗後の酸素暴露がなく、その結果ウォーターマ
ークの発生を少なくすることができる。
べ、パーティクルの残存の少なくすることができだけで
なく、乾燥処理時間を短縮することができる。また、本
発明では、有機溶剤を使用するにも関わらずその使用量
を少なくすることができ、その結果廃液も最小限に止め
ることができる。また、本発明によれば、有機溶剤を液
体として取り扱うので安全性が向上する。特に本発明で
は、有機溶剤を常温に近い温度で取り扱うことが可能で
ある。また、本発明は、被処理物の搬送距離を短くする
ことができるので、装置の小型化が可能である。更に、
水洗と有機溶剤による洗浄乾燥とを同じ処理槽で行える
ので、水洗後の酸素暴露がなく、その結果ウォーターマ
ークの発生を少なくすることができる。
【図1】本発明装置の一実施例を示す概略図である。
【図2】本発明方法を示す概略模式図である。
1 :処理槽 2 :冷却コイル 3 :処理槽蓋 4 :被処理物 5 :高純度窒素導入ライン 6 :排気ライン 7 :液排出ライン 8 :分離膜モジュールユニット 9 :被透過液抜き出しライン 10 :蒸留塔 11 :精製液抜き出しライン 12 :超精密フィルター 13 :加熱器 14 :リンス液供給ライン
Claims (21)
- 【請求項1】 水と混合しうる有機溶剤中に水洗後の被
処理物を浸漬した後に、被処理物を該有機溶剤中から取
り出す工程を複数回含む被処理物の洗浄乾燥方法におい
て、該処理物が浸漬している間の有機溶剤中の水分濃度
を10wt%以下に保持することを特徴とする洗浄乾燥
方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の洗浄乾燥方法におい
て、該有機溶剤の少なくとも一部を、水の処理能力が5
g/(モジュール1L・hr)以上である能力を有する
分離膜モジュールに供給して水分濃度を低下させた後こ
れを再使用する洗浄乾燥方法。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の洗浄乾燥方法に
おいて、該有機溶剤の少なくとも一部を、浸透気化膜を
有する浸透気化膜モジュール及び蒸気透過膜を有する蒸
気透過膜モジュールからなる群から選ばれる少なくとも
1種の分離膜モジュールに供給して水分濃度を低下させ
た後これを再使用する洗浄乾燥方法。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の
洗浄乾燥方法において、該有機溶剤の少なくとも一部
を、浸透気化膜を有する浸透気化膜モジュールに供給し
て水分濃度を低下させた後これを再使用する洗浄乾燥方
法。 - 【請求項5】 浸透気化膜モジュールとして、1次側と
2次側の水分圧差が200mmHgの際の水の処理能力
が10g/(モジュール1L・hr)以上であるものを
使用する請求項4に記載の洗浄乾燥方法。 - 【請求項6】 請求項2乃至5のいずれか1つに記載の
洗浄乾燥方法において、取り出した有機溶剤を、分離膜
モジュールに供給する前又は後に蒸留操作に供すること
を特徴とする洗浄乾燥方法。 - 【請求項7】 請求項2乃至6のいずれか1つに記載の
洗浄乾燥方法において、取り出した有機溶剤を、分離膜
モジュールに供給する前又は後にイオン交換処理に供す
ることを特徴とする洗浄乾燥方法。 - 【請求項8】 請求項2乃至7のいずれか1つに記載の
洗浄乾燥方法において、取り出した有機溶剤を、分離膜
モジュールに供給する前又は後で濾過処理に供すること
を特徴とする洗浄乾燥方法。 - 【請求項9】 水洗と有機溶剤による洗浄乾燥とを同じ
処理槽内で行うことを特徴とする請求項1乃至8のいず
れか1つに記載の洗浄乾燥方法。 - 【請求項10】 被処理物を有機溶剤から取り出す速度
が5cm/sec以下であることを特徴とする請求項1乃至9
に記載の洗浄乾燥方法。 - 【請求項11】 請求項1乃至10のいずれか1つに記
載の洗浄乾燥方法において、洗浄を行う有機溶剤がアル
コールを主成分とする液であることを特徴とする洗浄乾
燥方法。 - 【請求項12】 請求項11に記載の洗浄乾燥方法にお
いて、アルコールがイソプロピルアルコールであること
を特徴とする洗浄乾燥方法。 - 【請求項13】 (1)水と混合しうる有機溶剤中に被
処理物を浸漬する為の処理槽と、(2)その一端が処理
槽に接続した、処理槽中の有機溶剤を抜き出す為の液排
出ラインと、(3)液排出ラインの他の一端と接続した
分離膜モジュールと、(4)供給される有機溶剤中の水
分が減少される側の分離膜モジュール出口と前記処理槽
とを接続する供給ラインとを有する洗浄乾燥装置。 - 【請求項14】 請求項12に記載の装置において、供
給ラインに加熱装置が設けられていることを特徴とする
洗浄乾燥装置。 - 【請求項15】 請求項13又は14に記載の洗浄乾燥
装置において、処理槽内部の有機溶剤蒸気の蒸気圧を減
少させるための蒸気圧減少手段が設けられていることを
特徴とする洗浄乾燥装置。 - 【請求項16】 蒸気圧減少手段が、処理槽を冷却する
冷却手段、不活性ガスを供給するガス供給手段、処理槽
内の圧力を減少させる減圧手段からなる群から選ばれる
少なくとも1種であることを特徴とする請求項15に記
載の洗浄乾燥装置。 - 【請求項17】 請求項13乃至16のいずれか1つに
記載の洗浄乾燥装置において、処理槽に、水を供給する
為のリンス液供給管が設けられていることを特徴とする
洗浄乾燥装置。 - 【請求項18】 請求項13乃至17のいずれか1つに
記載の洗浄乾燥装置において、分離膜モジュールの水処
理能力が5g/(モジュール1L・hr)以上の能力を
有することを特徴とする洗浄乾燥装置。 - 【請求項19】 請求項13乃至18のいずれか1つに
記載の洗浄乾燥装置において、分離膜モジュールとし
て、浸透気化膜を有する浸透気化膜モジュール及び蒸気
透過膜を有する蒸気透過膜モジュールからなる群から選
ばれる少なくとも1種の分離膜モジュールを使用する洗
浄乾燥装置。 - 【請求項20】 分離膜モジュールとして、浸透気化膜
を有する浸透気化膜モジュールを使用する請求項19に
記載の洗浄乾燥装置。 - 【請求項21】 浸透気化膜モジュールとして、1次側
と2次側の水分圧差が200mmHgの際の処理水量が
10g/(モジュール1L・hr)以上である浸透気化
膜モジュールを使用する請求項20に記載の洗浄乾燥装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16848897A JPH1116873A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16848897A JPH1116873A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116873A true JPH1116873A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15869028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16848897A Pending JPH1116873A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1116873A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
JP2009070974A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009245481A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hoya Glass Disk Thailand Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
WO2011004942A1 (ko) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 에이펫(주) | 웨이퍼 세정장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정방법 |
WO2013094528A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | オルガノ株式会社 | 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置 |
WO2016024580A1 (ja) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | 日本碍子株式会社 | 分離方法及び分離装置 |
KR20170065198A (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 주식회사 엘지화학 | 증기 응축 방식 고형물 세척 및 건조 장치 |
WO2021054368A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 日東電工株式会社 | 精製システム、精製方法、膜分離装置、及び溶剤の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16848897A patent/JPH1116873A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
JP2009070974A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009245481A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hoya Glass Disk Thailand Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
WO2011004942A1 (ko) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | 에이펫(주) | 웨이퍼 세정장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정방법 |
US9240335B2 (en) | 2009-07-10 | 2016-01-19 | Apet | Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same |
US10037881B2 (en) | 2009-07-10 | 2018-07-31 | Apet | Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same |
WO2013094528A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | オルガノ株式会社 | 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置 |
JPWO2013094528A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-10 | オルガノ株式会社 | 液体管理システムおよび液体管理方法 |
WO2016024580A1 (ja) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | 日本碍子株式会社 | 分離方法及び分離装置 |
KR20170065198A (ko) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 주식회사 엘지화학 | 증기 응축 방식 고형물 세척 및 건조 장치 |
WO2021054368A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 日東電工株式会社 | 精製システム、精製方法、膜分離装置、及び溶剤の製造方法 |
CN114222621A (zh) * | 2019-09-18 | 2022-03-22 | 日东电工株式会社 | 纯化系统、纯化方法、膜分离装置及溶剂的制造方法 |
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