JPWO2013094528A1 - 液体管理システムおよび液体管理方法 - Google Patents
液体管理システムおよび液体管理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013094528A1 JPWO2013094528A1 JP2013550257A JP2013550257A JPWO2013094528A1 JP WO2013094528 A1 JPWO2013094528 A1 JP WO2013094528A1 JP 2013550257 A JP2013550257 A JP 2013550257A JP 2013550257 A JP2013550257 A JP 2013550257A JP WO2013094528 A1 JPWO2013094528 A1 JP WO2013094528A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning liquid
- liquid
- concentration
- mixing tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 555
- 238000007726 management method Methods 0.000 title description 45
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 562
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 253
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 claims description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 35
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 11
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005373 pervaporation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D61/00—Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
- B01D61/36—Pervaporation; Membrane distillation; Liquid permeation
- B01D61/362—Pervaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/42—Treatment of water, waste water, or sewage by ion-exchange
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/44—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis
- C02F1/444—Treatment of water, waste water, or sewage by dialysis, osmosis or reverse osmosis by ultrafiltration or microfiltration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/34—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32
- C02F2103/346—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from semiconductor processing, e.g. waste water from polishing of wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
Abstract
Description
精製装置は、混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、洗浄装置から排出された洗浄液から不純物を除去する装置である。さらに、洗浄液回収手段は、前記混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、前記洗浄装置から排出された洗浄液を濃縮する濃縮器を精製装置の下流側または上流側に有し、該濃縮および精製された洗浄液を混合手段へ戻す手段である。
以下、本発明の第一の実施形態について詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る液体管理システムの基本構成を示すブロック図である。
また本実施形態においては、混合槽4内の液体の量を所定の液量範囲内に維持する液量調整処理が行われてもよい。この場合、混合槽4内に不図示の液量測定手段(レベルセンサ)が設けられて、混合槽4内の洗浄液の液面(液量)が連続的または断続的に監視される。制御部7は、レベルセンサの監視結果に基づいて液量調整処理を実行する。具体的には、レベルセンサによる監視によって、混合槽4内の洗浄液の液量が、所定の液量範囲(混合槽4と洗浄装置100との間を循環可能で、洗浄槽における半導体ウエハの洗浄・乾燥に十分な量の範囲)を超えて減少していることが検知されると、弁15a、15bが開かれ、IPA供給源2および超純水供給源3から混合槽4へIPAおよび超純水が一定の割合で供給される。一方、レベルセンサによる監視によって、混合槽4内の洗浄液の液量が、所定の液量範囲を超えて増加していることが検知されると、制御部7は、廃液手段を制御して、混合槽4内の洗浄液の一部を廃棄させる。具体的には、配管13上の不図示の弁を開かせ、混合槽4内の洗浄液の一部を廃液タンク6へ廃棄させる。このようにして、混合槽4内には、理想濃度またはこれに近似した濃度を有する洗浄液が常に所定量だけ保持される。すなわち、本実施形態における制御部7は、本願請求項5に係る発明の第二の制御手段としても機能する。
さらに、半導体ウエハの洗浄・乾燥により洗浄液が不純物で汚染された場合などには、洗浄液を入れ替えてもよい。しかし、本実施形態であれば、汚染された洗浄液の一部を配管13を介して廃液タンク6に抜き出し、IPAおよび超純水を混合槽4に供給することによって、不純物を希釈して理想濃度の洗浄液を作ることができる。これにより、汚染された洗浄液の全てを入れ替えなくても、洗浄工程を停止させることなく、理想濃度の洗浄液を洗浄装置に供給できる。該洗浄液の抜き出しと不純物の希釈は、別々に行ってもよいし、同時に行ってもよい。不純物を希釈するためのIPAと超純水の使用量を少なくするには、洗浄液の一部を抜き出して容量を少なくしてからIPAおよび超純水を混合槽4に供給して、不純物の希釈を行うことが好ましい。洗浄液が不純物で汚染された場合であって、混合槽4の液量が低下している場合には、汚染された洗浄液を廃液タンク6に抜き出さずにIPAおよび超純水を混合槽4に供給する。これによって、不純物を希釈して理想濃度の洗浄液を作ることができる。洗浄液の不純物濃度を監視するには、例えば、配管14a、14b、14cまたは12上またはこれらの分岐ラインや、混合槽4に直接接続されたサンプリングラインを介して、微粒子検出器(微粒子計)を設け、洗浄液中の微粒子(不純物)の量を監視すればよい。また、不純物が光を吸収する性質を持つ場合には、吸光光度計によって不純物の量を監視することもできる。
以下、本発明の第二の実施形態について詳細に説明する。図2は、本実施形態に係る液体管理システムの基本構成を示すブロック図である。
以下、本発明の第三の実施形態について詳細に説明する。図3は、本実施形態に係る液体管理システムの基本構成を示すブロック図である。
以下、本発明の第四の実施形態について詳細に説明する。図4は、本実施形態に係る液体管理システムの基本構成を示すブロック図である。
以下、本発明の第五の実施形態について詳細に説明する。図5は、本実施形態に係る液体管理システムの基本構成を示すブロック図である。
次に本発明の実施例1を説明する。本実施例は上述した第一および第二の実施形態のより具体的な例である。
次に本発明の実施例2を説明する。本実施例は上述した第三および第四の実施形態のより具体的な例である。
次に本発明の実施例3を説明する。本実施例は上述した第三および第四の実施形態のより具体的な例である。但し、実施例2は精製後に濃縮処理を行う例であったが、本例は濃縮後に精製処理を行う例である。
2 IPA供給源
3 超純水供給源
4 混合槽
5 濃度測定装置
6 廃液タンク
7 制御部
10,11,12,13,14a〜14g 配管
15a,15b 弁
16 濃縮器
17 精製装置
100 洗浄装置
さらに、濃度調整手段は、混合手段にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合手段に純水を供給する純水供給手段と、混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を測定する濃度測定手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいてアルコール供給手段と純水供給手段の双方または一方を制御することにより、混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に維持する濃度調整処理を実行する第一の制御手段と、を有する。
この方法発明は、アルコールと純水とを混合槽で混合して洗浄液を作るステップと、混合槽内の洗浄液中のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に調整するステップと、その濃度調整された洗浄液を洗浄装置へ供給するステップと、洗浄装置から排出された洗浄液中の不純物を除去するステップと、洗浄装置から排出された洗浄液中の不純物を除去する前又は後に洗浄装置から排出された洗浄液中のアルコールを濃縮するステップと、を有する。さらに、混合槽内の洗浄液中のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に調整するステップは、混合槽内の洗浄液のアルコール濃度を測定し、その測定結果に基づいてアルコールと純水の双方または一方を混合槽に供給することにより、混合槽内の洗浄液のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に維持することを特徴とする。
さらに、濃度調整手段は、混合手段にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合手段に純水を供給する純水供給手段と、混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を測定する濃度測定手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいてアルコール供給手段と純水供給手段の双方または一方を制御することにより、混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に維持する濃度調整処理を実行する第一の制御手段と、を有する。
Claims (12)
- 対象物を洗浄する洗浄装置で使う洗浄液を管理する液体管理システムであって、
アルコールと純水とを混合して洗浄液を作る混合手段を有し、該混合手段で該洗浄液中のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に調整し、その濃度調整された洗浄液を前記洗浄装置へ供給する洗浄液供給装置と、
前記混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、前記洗浄装置から排出された洗浄液を精製する精製装置と、
前記混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、前記洗浄装置から排出された洗浄液を濃縮する濃縮器を前記精製装置の上流側または下流側に有し、該濃縮および精製された洗浄液を前記混合手段へ戻す洗浄液回収手段と、
を備えた液体管理システム。 - 前記洗浄液回収手段は、
前記洗浄装置から排出された洗浄液の場合は前記精製装置と前記濃縮器を経て前記混合手段へ、もしくは前記混合手段に戻り前記精製装置と前記濃縮器を経て再び前記混合手段へ送るように、または、前記混合手段で濃度調整された洗浄液の場合は前記精製装置と前記洗浄装置と前記濃縮器を順次経て前記混合手段へ送るように設けられた送液手段を有する、請求項1に記載の液体管理システム。 - 前記濃縮器がPV法又はVP法による膜濃縮を利用したものである、請求項2に記載の液体管理システム。
- 前記精製装置が、イオン交換樹脂塔、イオン吸着膜、精密ろ過膜の少なくとも1つを含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の液体管理システム。
- 前記イオン交換樹脂塔が、混床式イオン交換樹脂塔である、請求項4に記載の液体管理システム。
- 前記洗浄液供給装置は、
前記混合手段にアルコールを供給するアルコール供給手段と、
前記混合手段に純水を供給する純水供給手段と、
前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を測定する濃度測定手段と、
前記濃度測定手段の測定結果に基づいて前記アルコール供給手段と前記純水供給手段の双方または一方を制御することにより、前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に維持する濃度調整処理を実行する第一の制御手段と、
を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の液体管理システム。 - 前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液の量を測定する液量測定手段と、
前記液量測定手段の測定結果に基づいて前記アルコール供給手段および前記純水供給手段を制御することにより、前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液の量を所定の液量範囲内に維持する液量調整処理を実行する第二の制御手段と、
をさらに有する、請求項6に記載の液体管理システム。 - 所定の濃度範囲内に調整されたアルコール水溶液を洗浄液として用いて対象物を洗浄する洗浄装置から排出された洗浄液を回収し、再び前記所定の濃度範囲内に調整して該洗浄装置に供給する洗浄液の回収再生装置であって、
アルコールと純水とが供給されてアルコール濃度が前記所定の濃度範囲内に調整された洗浄液を作る混合手段を有し、その濃度調整された洗浄液を前記洗浄装置へ供給する洗浄液供給装置と、
前記混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、前記洗浄装置から排出された洗浄液を精製する精製装置と、
前記混合手段で濃度調整された洗浄液もしくは、前記洗浄装置から排出された洗浄液を濃縮する濃縮器を前記精製装置の下流側または上流側に有し、該濃縮および精製された洗浄液を前記混合手段へ戻す洗浄液回収手段と、
を備えた、洗浄液の回収再生装置。 - 前記洗浄液回収手段は、
前記洗浄装置から排出された洗浄液の場合は前記精製装置と前記濃縮器を経て前記混合手段へ、もしくは前記混合手段に戻り前記精製装置と前記濃縮器を経て再び前記混合手段へ送るように、または、前記混合手段で濃度調整された洗浄液の場合は前記精製装置と前記洗浄装置と前記濃縮器を順次経て前記混合手段へ送るように設けられた送液手段を有する、請求項8に記載の洗浄液の回収再生装置。 - 前記濃縮器がPV法又はVP法による膜濃縮を利用したものである、請求項9に記載の洗浄液の回収再生装置。
- 前記精製装置が、イオン交換樹脂塔、イオン吸着膜、精密ろ過膜の少なくとも1つを含む、請求項8から10のいずれか1項に記載の洗浄液の回収再生装置。
- 前記イオン交換樹脂塔が、混床式イオン交換樹脂塔である、請求項11に記載の洗浄液の回収再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013550257A JP5819987B2 (ja) | 2011-12-20 | 2012-12-14 | 液体管理システムおよび液体管理方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011278489 | 2011-12-20 | ||
JP2011278489 | 2011-12-20 | ||
JP2013550257A JP5819987B2 (ja) | 2011-12-20 | 2012-12-14 | 液体管理システムおよび液体管理方法 |
PCT/JP2012/082477 WO2013094528A1 (ja) | 2011-12-20 | 2012-12-14 | 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5819987B2 JP5819987B2 (ja) | 2015-11-24 |
JPWO2013094528A1 true JPWO2013094528A1 (ja) | 2015-12-10 |
Family
ID=48668419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013550257A Active JP5819987B2 (ja) | 2011-12-20 | 2012-12-14 | 液体管理システムおよび液体管理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5819987B2 (ja) |
TW (1) | TW201341070A (ja) |
WO (1) | WO2013094528A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7084683B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2022-06-15 | 東京応化工業株式会社 | 液体の精製方法、薬液又は洗浄液の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
WO2016136673A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 東京応化工業株式会社 | 液体の精製方法、薬液又は洗浄液の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
JP6795884B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-12-02 | 東京応化工業株式会社 | 液体を被精製物とする精製方法、ケイ素化合物含有液を被精製物とする精製方法、シリル化剤薬液、膜形成用材料又は拡散剤組成物の製造方法、フィルターメディア、及び、フィルターデバイス |
JP6829639B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-02-10 | Eneos株式会社 | W/oエマルジョン洗浄液を使用する洗浄方法 |
CN111278578A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-06-12 | 日本瑞翁株式会社 | 清洗溶剂组合物的再生方法和再生装置、以及被清洗物的清洗方法和清洗系统 |
KR102583556B1 (ko) * | 2021-01-07 | 2023-10-10 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 장치의 고형 제거 방법 |
JP7144892B1 (ja) | 2022-01-20 | 2022-09-30 | 義彦 星原 | 洗浄装置 |
JP2023165121A (ja) * | 2022-05-02 | 2023-11-15 | 株式会社Screenホールディングス | 循環装置、循環装置の制御方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63305917A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Hitachi Ltd | 超純水製造方法及びその製造装置 |
JPH05111621A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 半透膜用モジユール |
JPH0957069A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-04 | Mitsubishi Chem Eng Corp | 浸透気化法による有機液体の精製方法及びそれに用いる装置並びにこれらを利用した蒸気乾燥 |
JPH1116873A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Mitsubishi Chem Corp | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
-
2012
- 2012-12-14 WO PCT/JP2012/082477 patent/WO2013094528A1/ja active Application Filing
- 2012-12-14 JP JP2013550257A patent/JP5819987B2/ja active Active
- 2012-12-19 TW TW101148432A patent/TW201341070A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63305917A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Hitachi Ltd | 超純水製造方法及びその製造装置 |
JPH05111621A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 半透膜用モジユール |
JPH0957069A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-04 | Mitsubishi Chem Eng Corp | 浸透気化法による有機液体の精製方法及びそれに用いる装置並びにこれらを利用した蒸気乾燥 |
JPH1116873A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Mitsubishi Chem Corp | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 |
JP2003297795A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-10-17 | A-Tech Ltd | 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013094528A1 (ja) | 2013-06-27 |
TW201341070A (zh) | 2013-10-16 |
JP5819987B2 (ja) | 2015-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5819987B2 (ja) | 液体管理システムおよび液体管理方法 | |
TWI491566B (zh) | Wash sterilization method of ultra pure water manufacturing system | |
US8999069B2 (en) | Method for producing cleaning water for an electronic material | |
US8123833B2 (en) | Process for producing gas-containing cleaning water, apparatus for producing the cleaning water and cleaning apparatus | |
JP4228732B2 (ja) | 超純水製造システム | |
JPWO2012147715A1 (ja) | 膜モジュールの洗浄方法 | |
CN111818952A (zh) | 用于再生透析溶液的设备和方法 | |
WO2017191829A1 (ja) | 超純水製造装置の立ち上げ方法 | |
JP6095887B2 (ja) | 液体管理システム | |
RU2323036C2 (ru) | Способ концентрирования водных растворов биологически активных веществ и установка для его реализации | |
JP6022765B2 (ja) | 液体管理システム | |
JP2002307058A (ja) | 逆浸透膜モジュールを用いた純水製造装置とその使用方法 | |
JP4840582B2 (ja) | 過硫酸洗浄システム | |
JP2012222071A (ja) | 液体管理システム | |
TWI791454B (zh) | 電子元件洗淨用之鹼水之製造裝置及製造方法 | |
JP4196222B2 (ja) | 超純水製造用膜分離装置の洗浄装置 | |
TW200947171A (en) | Improved reclaim function for semiconductor processing systems | |
JP4296469B2 (ja) | 超純水製造用膜分離装置の洗浄方法 | |
WO2019058779A1 (ja) | 脱陽イオン水の導電率の測定方法及び測定システム | |
JP2014104399A (ja) | 純水製造装置 | |
JP2012187528A (ja) | ゼオライト膜脱水設備における膜の洗浄・再生方法 | |
JP2017064599A (ja) | 逆浸透膜モジュールの洗浄方法 | |
TWI810765B (zh) | 處理液供應裝置以及處理液供應裝置的固體去除方法 | |
JP2011083754A (ja) | ガス溶解水製造装置及び製造方法 | |
JP6731515B1 (ja) | 排水処理設備及び排水処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5819987 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |