JPH09138325A - 光ファイバ実装構造とその製造方法 - Google Patents
光ファイバ実装構造とその製造方法Info
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- JPH09138325A JPH09138325A JP7293867A JP29386795A JPH09138325A JP H09138325 A JPH09138325 A JP H09138325A JP 7293867 A JP7293867 A JP 7293867A JP 29386795 A JP29386795 A JP 29386795A JP H09138325 A JPH09138325 A JP H09138325A
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
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- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易でしかも高精度、高信頼で、しかもパワ
ーモニタなしで光ファイバと光素子を結合できる光ファ
イバ実装構造とその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板1にはV溝2が形成されて
おり、光ファイバがそれぞれ溝2に配置されこの上方か
らカバー12がかぶせられる。基板1とカバー12には
互いに相対する位置に半田バンプ13用の電極4が形成
されており、半田により両者は固着され、光ファイバが
固定される。一方、基板あるいはカバーには光ファイバ
先端部にあらかじめ光ファイバのなが手方向の位置決め
用マーク7が形成されており、このマークを基準として
光ファイバは位置決めされる。一方、光ファイバ10の
先端部近傍には半田バンプ13により光素子11が固着
される。基板1には光素子11の実装位置を測定するマ
ーク8を形成しておくこともできる。
ーモニタなしで光ファイバと光素子を結合できる光ファ
イバ実装構造とその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板1にはV溝2が形成されて
おり、光ファイバがそれぞれ溝2に配置されこの上方か
らカバー12がかぶせられる。基板1とカバー12には
互いに相対する位置に半田バンプ13用の電極4が形成
されており、半田により両者は固着され、光ファイバが
固定される。一方、基板あるいはカバーには光ファイバ
先端部にあらかじめ光ファイバのなが手方向の位置決め
用マーク7が形成されており、このマークを基準として
光ファイバは位置決めされる。一方、光ファイバ10の
先端部近傍には半田バンプ13により光素子11が固着
される。基板1には光素子11の実装位置を測定するマ
ーク8を形成しておくこともできる。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの実装
構造に関し、特に、単一あるいは複数の光ファイバを用
いた光伝送用光モジュールにおける光ファイバの実装構
造及びその製造方法に関する。
構造に関し、特に、単一あるいは複数の光ファイバを用
いた光伝送用光モジュールにおける光ファイバの実装構
造及びその製造方法に関する。
【0001】
【従来の技術】光通信に用いられる光デバイスは高密度
化、高集積化に伴い、光導波路を用いた導波路型デバイ
スが盛んに研究、開発されている。このような導波路型
光デバイスでは、導波路が形成された基板に光ファイバ
を高精度に実装することが必要になる。
化、高集積化に伴い、光導波路を用いた導波路型デバイ
スが盛んに研究、開発されている。このような導波路型
光デバイスでは、導波路が形成された基板に光ファイバ
を高精度に実装することが必要になる。
【0002】また、コンピュータ等の機器間の大容量デ
ータ伝送には、複数の光ファイバを用いて伝送路を空間
的に分割してデータ伝送する光並列伝送が適している。
光並列伝送には、複数の光ファイバを備えた光並列伝送
用インタフェースモジュールが用いられる。このような
インタフェースモジュールでは、配列に配置された複数
の発光素子、あるいは受光素子と複数の光ファイバを効
率よくしかも安定的に光学的に結合させることが不可欠
になる。
ータ伝送には、複数の光ファイバを用いて伝送路を空間
的に分割してデータ伝送する光並列伝送が適している。
光並列伝送には、複数の光ファイバを備えた光並列伝送
用インタフェースモジュールが用いられる。このような
インタフェースモジュールでは、配列に配置された複数
の発光素子、あるいは受光素子と複数の光ファイバを効
率よくしかも安定的に光学的に結合させることが不可欠
になる。
【0003】上述した、例えば導波路型光デバイスで
は、従来は導波路基板の表面に形成された溝に光ファイ
バを配置した後に、光ファイバを接着材等により基板に
固定するか、単に光ファイバ上部から別の基板を覆いか
ぶせて固定する構造が採られている。また、光並列伝送
用光インタフェースモジュールにおいても、所定の間隔
で形成された溝上に複数の光ファイバをそれぞれ配置し
た基板と並列に配置あるいは形成された光素子アレーの
全体を位置決め調整して固定する構造がある。
は、従来は導波路基板の表面に形成された溝に光ファイ
バを配置した後に、光ファイバを接着材等により基板に
固定するか、単に光ファイバ上部から別の基板を覆いか
ぶせて固定する構造が採られている。また、光並列伝送
用光インタフェースモジュールにおいても、所定の間隔
で形成された溝上に複数の光ファイバをそれぞれ配置し
た基板と並列に配置あるいは形成された光素子アレーの
全体を位置決め調整して固定する構造がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の光ファイバ固定
構造あるいはその製造方法では、受光素子などの光素子
との結合を行う場合に、光ファイバを実装する位置は外
部から光パワーあるいは光電流をモニタしながら行うの
で、受光素子を実装するのに位置調整に要する時間がか
かってしまう。また、受光素子は電極を形成した面を伏
せて基板に搭載することが必要な場合もあるが、このよ
うな構造では両者の電極位置を一致させることが困難で
になる。
構造あるいはその製造方法では、受光素子などの光素子
との結合を行う場合に、光ファイバを実装する位置は外
部から光パワーあるいは光電流をモニタしながら行うの
で、受光素子を実装するのに位置調整に要する時間がか
かってしまう。また、受光素子は電極を形成した面を伏
せて基板に搭載することが必要な場合もあるが、このよ
うな構造では両者の電極位置を一致させることが困難で
になる。
【0005】さらに、光素子の実装精度は、測定用のマ
ーカが設けられていないので、光素子の実装精度を測定
することができない。従って、光素子と光ファイバの光
結合損失の原因が、光素子の実装精度が原因であるのど
うか確認ができないという問題もある。
ーカが設けられていないので、光素子の実装精度を測定
することができない。従って、光素子と光ファイバの光
結合損失の原因が、光素子の実装精度が原因であるのど
うか確認ができないという問題もある。
【0006】光ファイバを実装する位置が基板上に指定
されていないため、例えばシリコン基板に異方性化学的
エッチングにより形成されたV溝を用いた場合には長手
方向に垂直な方向と深さ方向の実装精度は高いが、V溝
の長手方向の実装位置を定める手段が全くなく、光ファ
イバの実装位置が明確に定めることはできない。光ファ
イバは、V溝と接したわずかな面の部分だけに接着剤で
固定するので、固定する接着の強度が弱いという問題も
ある。
されていないため、例えばシリコン基板に異方性化学的
エッチングにより形成されたV溝を用いた場合には長手
方向に垂直な方向と深さ方向の実装精度は高いが、V溝
の長手方向の実装位置を定める手段が全くなく、光ファ
イバの実装位置が明確に定めることはできない。光ファ
イバは、V溝と接したわずかな面の部分だけに接着剤で
固定するので、固定する接着の強度が弱いという問題も
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した従来の光ファイ
バの固定構造における問題点を解決するため、本発明の
光ファイバ実装構造によれば、少なくとも1つの第1の
溝を有する第1の基板と、溝にそれぞれ配置される光フ
ァイバと、光ファイバの上方にこの光ファイバに接触し
て配置される第2の基板とを備え、さらに第1の基板は
溝の近傍に形成された第1のマークを、第2の基板は第
1のマークに相対する位置に第2のマークをそれぞれ有
しており、第1のマークと第2のマークが半田により固
着されていることを特徴としている。
バの固定構造における問題点を解決するため、本発明の
光ファイバ実装構造によれば、少なくとも1つの第1の
溝を有する第1の基板と、溝にそれぞれ配置される光フ
ァイバと、光ファイバの上方にこの光ファイバに接触し
て配置される第2の基板とを備え、さらに第1の基板は
溝の近傍に形成された第1のマークを、第2の基板は第
1のマークに相対する位置に第2のマークをそれぞれ有
しており、第1のマークと第2のマークが半田により固
着されていることを特徴としている。
【0008】また、第1の基板はシリコンであり第1の
溝はV溝であることを特徴としている。上記V溝は、第
1の基板を異方性化学的エッチングにより形成される。
第2の基板は、光ファイバとの接触部に第2の溝が形成
されるようにしてもよい。
溝はV溝であることを特徴としている。上記V溝は、第
1の基板を異方性化学的エッチングにより形成される。
第2の基板は、光ファイバとの接触部に第2の溝が形成
されるようにしてもよい。
【0009】第1の基板または第2の基板は、さらに光
ファイバの先端部近傍に第3のマークを備え、光ファイ
バは、その先端部が第3のマークに対してあらかじめ定
められた位置に配置されていることを特徴としている。
一方、光ファイバ実装構造は、さらに、素子電極を有
し、光ファイバに光学的に結合する光素子を備え、第1
の基板または第2の基板は、さらに前記光ファイバの先
端部近傍に基板電極を有し、素子電極と基板電極が半田
により固着されていることを特徴としている。また、第
1のマークと第1の基板上に形成された外部に接続され
る接続用電極の間にソルダレジストが設けられている。
ファイバの先端部近傍に第3のマークを備え、光ファイ
バは、その先端部が第3のマークに対してあらかじめ定
められた位置に配置されていることを特徴としている。
一方、光ファイバ実装構造は、さらに、素子電極を有
し、光ファイバに光学的に結合する光素子を備え、第1
の基板または第2の基板は、さらに前記光ファイバの先
端部近傍に基板電極を有し、素子電極と基板電極が半田
により固着されていることを特徴としている。また、第
1のマークと第1の基板上に形成された外部に接続され
る接続用電極の間にソルダレジストが設けられている。
【0010】また、本発明の光ファイバ実装構造によれ
ば、少なくとも1つの溝と溝の近傍に第1の電極を有す
る第1の基板と、光ファイバと、第1のマークに相対す
る位置に第2のマークを有する第2の基板とを備え、第
1の溝に光ファイバを配置する第1の工程と、第1のマ
ークに半田を配置する第2の工程と、光ファイバの上部
から第2の基板を配置する第3の工程と、半田を加熱し
て溶融する第4の工程と、半田を冷却して固化する第5
の工程とを含むことを特徴としている。
ば、少なくとも1つの溝と溝の近傍に第1の電極を有す
る第1の基板と、光ファイバと、第1のマークに相対す
る位置に第2のマークを有する第2の基板とを備え、第
1の溝に光ファイバを配置する第1の工程と、第1のマ
ークに半田を配置する第2の工程と、光ファイバの上部
から第2の基板を配置する第3の工程と、半田を加熱し
て溶融する第4の工程と、半田を冷却して固化する第5
の工程とを含むことを特徴としている。
【0011】第1の基板または第2の基板は、さらに光
ファイバの先端部近傍に第3のマークを備え、光ファイ
バ実装構造の製造方法は、第1の工程の前に光ファイバ
を第3のマークに対して位置決めする位置決め工程を有
している。
ファイバの先端部近傍に第3のマークを備え、光ファイ
バ実装構造の製造方法は、第1の工程の前に光ファイバ
を第3のマークに対して位置決めする位置決め工程を有
している。
【0012】さらに、第1の基板または第2の基板は、
さらに光ファイバに光学的に結合する光素子を位置決め
して固着する基板電極を有し、光ファイバ実装構造の製
造方法は、少なくとも第4の工程の前に、電極に半田を
配置する工程と、光素子に形成された素子電極を半田の
上部に位置合わせして光素子を第1の基板に配置する光
素子配置工程とを含んでいる。
さらに光ファイバに光学的に結合する光素子を位置決め
して固着する基板電極を有し、光ファイバ実装構造の製
造方法は、少なくとも第4の工程の前に、電極に半田を
配置する工程と、光素子に形成された素子電極を半田の
上部に位置合わせして光素子を第1の基板に配置する光
素子配置工程とを含んでいる。
【0013】そして、第1の基板または第2の基板は、
さらに光素子が配置される近傍に実装精度測定マークを
備え、第5の工程の後に、光素子の前記実装精度測定マ
ークに対する位置精度を測定する実装精度測定工程を含
むようにすることもできる。
さらに光素子が配置される近傍に実装精度測定マークを
備え、第5の工程の後に、光素子の前記実装精度測定マ
ークに対する位置精度を測定する実装精度測定工程を含
むようにすることもできる。
【0014】本発明では、基板の溝に単に光ファイバを
配置して上方から別の基板で押さえて接着するのではな
く、両基板にそれぞれ半田用バンプ用のマークを位置決
めマークとして形成しておき、これを用いて高精度に位
置決めしながら半田により固着する。従って、高精度に
しかも高信頼に光ファイバを実装することができる。ま
た、光ファイバのみならず、この光ファイバに光学的に
結合する受光素子などの光素子の固着も半田バンプによ
り行えるようにし、両者の結合がパワーをモニタ等する
ことなく行えるようにしている。さらに、光素子実装後
に、その実装精度を測定できるように、あらかじめ基板
にマークが形成されていることを特徴としている。
配置して上方から別の基板で押さえて接着するのではな
く、両基板にそれぞれ半田用バンプ用のマークを位置決
めマークとして形成しておき、これを用いて高精度に位
置決めしながら半田により固着する。従って、高精度に
しかも高信頼に光ファイバを実装することができる。ま
た、光ファイバのみならず、この光ファイバに光学的に
結合する受光素子などの光素子の固着も半田バンプによ
り行えるようにし、両者の結合がパワーをモニタ等する
ことなく行えるようにしている。さらに、光素子実装後
に、その実装精度を測定できるように、あらかじめ基板
にマークが形成されていることを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の光ファイバ実装構
造とその製造方法について、図面を参照して詳細に説明
する。
造とその製造方法について、図面を参照して詳細に説明
する。
【0016】図1〜図5は、本発明の光ファイバ固定構
造の一実施例の構成を説明するための図で、図1はV溝
シリコン基板の斜視図であって、図2〜図5はそれぞれ
図1のA〜D方向から見たときの平面図である。
造の一実施例の構成を説明するための図で、図1はV溝
シリコン基板の斜視図であって、図2〜図5はそれぞれ
図1のA〜D方向から見たときの平面図である。
【0017】図1〜5に示されるV溝シリコン基板は、
シリコン基板1にV溝2の一端に光反射金属薄膜3、例
えばクロム/金、チタン/金により形成され、半田バン
プ電極4と外部接続電極5を結ぶ導電性金属配線パター
ンの上にソルダレジスト9が形成されている。V溝2の
両側にはカバー12を半田バンプ13で接合させるため
の半田バンプ電極4が形成され、V溝2の平坦なランド
部分に光ファイバ実装位置目合わせマーカ7が形成され
ている。
シリコン基板1にV溝2の一端に光反射金属薄膜3、例
えばクロム/金、チタン/金により形成され、半田バン
プ電極4と外部接続電極5を結ぶ導電性金属配線パター
ンの上にソルダレジスト9が形成されている。V溝2の
両側にはカバー12を半田バンプ13で接合させるため
の半田バンプ電極4が形成され、V溝2の平坦なランド
部分に光ファイバ実装位置目合わせマーカ7が形成され
ている。
【0018】光ファイバ10を実装するV溝2は、シリ
コン基板1に所望のパターニングが施され、水酸化カリ
ウムなどのエッチング液に浸せきさせることにより、化
学的に異方性エッチングされる。本実施例では、あらか
じめピッチ250μm、幅170μmでパターニングす
ることにより、この諸元設計により精度良くV溝が作製
される。V溝2は基板に対して頂角が70.6度となる
ような切り出し角度のシリコン基板が用いられており、
また、熱酸化膜をマスクにエッチングするので、基板表
面のV溝の幅はマスクの幅で制御することができる。傾
斜角が定まっているので、V溝2の深さは溝幅により高
精度で定まる。
コン基板1に所望のパターニングが施され、水酸化カリ
ウムなどのエッチング液に浸せきさせることにより、化
学的に異方性エッチングされる。本実施例では、あらか
じめピッチ250μm、幅170μmでパターニングす
ることにより、この諸元設計により精度良くV溝が作製
される。V溝2は基板に対して頂角が70.6度となる
ような切り出し角度のシリコン基板が用いられており、
また、熱酸化膜をマスクにエッチングするので、基板表
面のV溝の幅はマスクの幅で制御することができる。傾
斜角が定まっているので、V溝2の深さは溝幅により高
精度で定まる。
【0019】一方、光ファイバ10がV溝2の縦方向に
精度良く実装されるように、隣合うV溝2のランド部分
には、光ファイバ実装位置目合わせマーカ7が形成され
ている。光ファイバ10がV溝2に配置されると横方向
の位置が決まり、さらに光ファイバ10の端面は光ファ
イバ実装位置目合わせマーカ7の位置を基準として、縦
方向へ微調整され配置される。
精度良く実装されるように、隣合うV溝2のランド部分
には、光ファイバ実装位置目合わせマーカ7が形成され
ている。光ファイバ10がV溝2に配置されると横方向
の位置が決まり、さらに光ファイバ10の端面は光ファ
イバ実装位置目合わせマーカ7の位置を基準として、縦
方向へ微調整され配置される。
【0020】V溝が形成されたシリコン基板1を図1に
おけるAの方向から見ながら、光ファイバ10の先端面
は光ファイバ実装位置目合わせマーカ7の一辺に合わさ
るように送り出される。これにより縦方向の位置が決定
する。一方、深さ方向の位置合わせは光ファイバは上方
からカバー12で加圧されるので、V溝2と光ファイバ
10は確実に接する状態で固着される。従って、光ファ
イバ10の実装する位置は全方向とも自動的に決めるこ
とができる。カバー12がかぶせられた後、シリコン基
板1全体が加熱され半田バンプ13が溶融された後、冷
却され、光ファイバ10の実装は終了する。
おけるAの方向から見ながら、光ファイバ10の先端面
は光ファイバ実装位置目合わせマーカ7の一辺に合わさ
るように送り出される。これにより縦方向の位置が決定
する。一方、深さ方向の位置合わせは光ファイバは上方
からカバー12で加圧されるので、V溝2と光ファイバ
10は確実に接する状態で固着される。従って、光ファ
イバ10の実装する位置は全方向とも自動的に決めるこ
とができる。カバー12がかぶせられた後、シリコン基
板1全体が加熱され半田バンプ13が溶融された後、冷
却され、光ファイバ10の実装は終了する。
【0021】なお、本発明では、カバー12に金属板を
使用したが、これは一例を表したもので、シリコン基板
でもかまわない。また、固着後より強固に光ファイバが
加圧されるように、カバー12側にもあらかじめ所望の
間隔で溝を形成しておいてもよい。
使用したが、これは一例を表したもので、シリコン基板
でもかまわない。また、固着後より強固に光ファイバが
加圧されるように、カバー12側にもあらかじめ所望の
間隔で溝を形成しておいてもよい。
【0022】光ファイバ10がV溝2に接着剤で固定さ
れる場合、光ファイバ10とV溝2の接触面が少なく、
光ファイバ10の外周の2点だけで固定しているので、
上方向への力には弱く信頼性が低い。そのため、上の方
向から光ファイバ10に接触させて下向きに光ファイバ
10をV溝2に押しつけて3点で固定する必要がある。
本発明によれば、光ファイバ10はシリコン基板1の
V溝2の両側に形成された半田バンプ電極4と光ファイ
バ10の上から金属製の板を半田バンプ13で接合され
るので、1本の光ファイバ10あたり少なくとも3点で
接触させて固定することになり固定する強度が高い。ま
た、半田溶融時にもカバー12が加圧されることによ
り、半田冷却後には半田の熱収縮により常に加圧した状
態になる。
れる場合、光ファイバ10とV溝2の接触面が少なく、
光ファイバ10の外周の2点だけで固定しているので、
上方向への力には弱く信頼性が低い。そのため、上の方
向から光ファイバ10に接触させて下向きに光ファイバ
10をV溝2に押しつけて3点で固定する必要がある。
本発明によれば、光ファイバ10はシリコン基板1の
V溝2の両側に形成された半田バンプ電極4と光ファイ
バ10の上から金属製の板を半田バンプ13で接合され
るので、1本の光ファイバ10あたり少なくとも3点で
接触させて固定することになり固定する強度が高い。ま
た、半田溶融時にもカバー12が加圧されることによ
り、半田冷却後には半田の熱収縮により常に加圧した状
態になる。
【0023】V溝2の一端の斜面は、反射率の高い光反
射金薄膜3が形成されている。光ファイバ10の端面か
ら出射された光ビームはV溝2の一端で反射して上方へ
折り曲げることができる。
射金薄膜3が形成されている。光ファイバ10の端面か
ら出射された光ビームはV溝2の一端で反射して上方へ
折り曲げることができる。
【0024】受光素子11は、受光面がV溝2の一端で
反射された光ビームの中心に位置するように精度良く実
装しなければならない。そのため、シリコン基板1の半
田バンプ電極4は受光素子11の電極に一致するように
配置されている。半田バンプ電極4の形状は、シリコン
基板1の表面と平行な面内で均一に表面張力が働くよう
に直径70μmの円形としている。
反射された光ビームの中心に位置するように精度良く実
装しなければならない。そのため、シリコン基板1の半
田バンプ電極4は受光素子11の電極に一致するように
配置されている。半田バンプ電極4の形状は、シリコン
基板1の表面と平行な面内で均一に表面張力が働くよう
に直径70μmの円形としている。
【0025】V溝2のランド部分にある受光素子実装位
置目合わせマーカ8は、受光素子11がシリコン基板1
に搭載されたときに実装位置の位置合わせを行うために
使用される。
置目合わせマーカ8は、受光素子11がシリコン基板1
に搭載されたときに実装位置の位置合わせを行うために
使用される。
【0026】受光素子11は、シリコン基板1に搭載す
る時には、必ずしも高い実装精度は要求されない。受光
素子11の実装固定は、シリコン基板1の表面上に設け
られた半田バンプ13とアレイ状の受光素子の電極が溶
融した半田バンプを介して接合するときに、溶融した半
田の表面張力で高い精度で所定の位置に固定される。
る時には、必ずしも高い実装精度は要求されない。受光
素子11の実装固定は、シリコン基板1の表面上に設け
られた半田バンプ13とアレイ状の受光素子の電極が溶
融した半田バンプを介して接合するときに、溶融した半
田の表面張力で高い精度で所定の位置に固定される。
【0027】受光素子11は、常温で表面を下に伏せて
シリコン基板1に搭載するので、受光素子11を受光素
子実装位置目合わせマーカ8に合わせて搭載される。シ
リコン基板1に形成された半田バンプ13の上に受光素
子11が搭載されるときに、高い実装精度は要求され
ず、シリコン基板1を加熱して半田バンプ13を溶融す
ると溶けた半田が互いの電極を引きつけるので、半田バ
ンプ13と受光素子11の電極がわずかに接触する程度
で十分である。
シリコン基板1に搭載するので、受光素子11を受光素
子実装位置目合わせマーカ8に合わせて搭載される。シ
リコン基板1に形成された半田バンプ13の上に受光素
子11が搭載されるときに、高い実装精度は要求され
ず、シリコン基板1を加熱して半田バンプ13を溶融す
ると溶けた半田が互いの電極を引きつけるので、半田バ
ンプ13と受光素子11の電極がわずかに接触する程度
で十分である。
【0028】受光素子11で光電気変換された電気信号
はシリコン基板1上の電極に流れるので、電気信号を外
部に取り出すために外部接続電極5を配置し、両者間を
導電性金属薄膜により接続される。また、溶融した半田
バンプ13が外部接続電極5に流れ出さないように、両
者間を結ぶ導電性金属薄膜の上にソルダレジスト9が形
成されている。
はシリコン基板1上の電極に流れるので、電気信号を外
部に取り出すために外部接続電極5を配置し、両者間を
導電性金属薄膜により接続される。また、溶融した半田
バンプ13が外部接続電極5に流れ出さないように、両
者間を結ぶ導電性金属薄膜の上にソルダレジスト9が形
成されている。
【0029】受光素子11は、シリコン基板1上に精度
良く実装する必要があるので、実装後に実装精度を測定
するために、シリコン基板1の上に受光素子11が実装
される領域に受光素子実装精度測定用金属薄膜6が形成
されている。受光素子11の実装精度は、Aの方向から
赤外線を照射して反射する映像を画像処理することで測
定することができる。
良く実装する必要があるので、実装後に実装精度を測定
するために、シリコン基板1の上に受光素子11が実装
される領域に受光素子実装精度測定用金属薄膜6が形成
されている。受光素子11の実装精度は、Aの方向から
赤外線を照射して反射する映像を画像処理することで測
定することができる。
【0030】なお、上記実施例は本発明の一例にすぎ
ず、種々の実施例が考えられることは言うまでもない。
例えば、基板はV溝の他、U字形状であってもよいし、
受光素子に代えて、発光素子との結合にも適用すること
は同様に可能である。
ず、種々の実施例が考えられることは言うまでもない。
例えば、基板はV溝の他、U字形状であってもよいし、
受光素子に代えて、発光素子との結合にも適用すること
は同様に可能である。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光フ
ァイバ実装構造とその製造方法は、基板にマークが設け
られているので、高精度に光ファイバを実装することが
できるのみならず、先端部近傍にもマークを設けている
のでなが手方向にも高精度に実装が可能になる。従っ
て、3方向すべてにパワーモニタすることなく位置決め
実装することができるようになる。
ァイバ実装構造とその製造方法は、基板にマークが設け
られているので、高精度に光ファイバを実装することが
できるのみならず、先端部近傍にもマークを設けている
のでなが手方向にも高精度に実装が可能になる。従っ
て、3方向すべてにパワーモニタすることなく位置決め
実装することができるようになる。
【0032】また、光ファイバは金属性の板で上から押
さえつけられた状態で固定されるために、V溝の両側に
半田バンプ形成用の電極パッドを設けているので、光フ
ァイバはカバー12と接した少なくとも1点とV溝の2
点の合計少なくとも3点で固定されることになる。従っ
て、光ファイバの中心に向かって均等に同じ力で固定さ
れる。しかも半田により固定されるので、固定する強度
が接着剤だけの場合に比べて高くなる。搭載部品は全て
半田固定されるので強度が高く、信頼性が高い。
さえつけられた状態で固定されるために、V溝の両側に
半田バンプ形成用の電極パッドを設けているので、光フ
ァイバはカバー12と接した少なくとも1点とV溝の2
点の合計少なくとも3点で固定されることになる。従っ
て、光ファイバの中心に向かって均等に同じ力で固定さ
れる。しかも半田により固定されるので、固定する強度
が接着剤だけの場合に比べて高くなる。搭載部品は全て
半田固定されるので強度が高く、信頼性が高い。
【0033】さらに、受光素子を実装した精度を測定す
るマーカを設けたので、光結合損失が大きい原因が実装
精度かどうか簡単に調べることができるようになる。ま
た、半田バンプ電極と外部接続電極の間にソルダレジス
トを設けて、溶融した半田が接合電極パッド以外に流れ
出さないようにしたので、セルフアライメントに必要な
半田の量が確保されて、表面張力が低下することがない
ので、受光素子の実装精度を高く維持することもでき
る。
るマーカを設けたので、光結合損失が大きい原因が実装
精度かどうか簡単に調べることができるようになる。ま
た、半田バンプ電極と外部接続電極の間にソルダレジス
トを設けて、溶融した半田が接合電極パッド以外に流れ
出さないようにしたので、セルフアライメントに必要な
半田の量が確保されて、表面張力が低下することがない
ので、受光素子の実装精度を高く維持することもでき
る。
【0034】受光素子の搭載する位置に合わせてマーカ
が設けられているので、受光素子の電極の位置を確認せ
ずに受光素子とシリコン基板の電極の位置を簡単に一致
させることもできる。光ファイバの先端から出射する光
ビームを反射する反射膜をV溝の端面に設けたので、効
率良く受光素子に入射させることもできる。また、光フ
ァイバと受光素子を結合させるために必要な部品点数が
少ない。そして、V溝に光ファイバを精度良く実装でき
るので、光軸調整が不要で製造工程が簡単である。
が設けられているので、受光素子の電極の位置を確認せ
ずに受光素子とシリコン基板の電極の位置を簡単に一致
させることもできる。光ファイバの先端から出射する光
ビームを反射する反射膜をV溝の端面に設けたので、効
率良く受光素子に入射させることもできる。また、光フ
ァイバと受光素子を結合させるために必要な部品点数が
少ない。そして、V溝に光ファイバを精度良く実装でき
るので、光軸調整が不要で製造工程が簡単である。
【図1】本発明によるV溝シリコン基板の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図2】図1をAの方向から見たときの平面図である。
【図3】図1をBの方向から見たときの平面図である。
【図4】図1をCの方向から見たときの平面図である。
【図5】図1をDの方向から見たときの平面図である。
1 シリコン基板 2 V溝 3 光反射金属薄膜 4 半田バンプ電極 5 外部接続電極 6 受光素子実装精度測定用金属薄膜 7 光ファイバ実装位置目合せマーク 8 受光素子実装位置目合せマーク 9 ソルダレジスト 10 光ファイバ 11 受光素子 12 カバー 13 半田バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本望 宏 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】 少なくとも1つの第1の溝を有する第1
の基板と、 前記溝にそれぞれ配置される光ファイバと、 前記光ファイバの上方に該光ファイバに接触して配置さ
れる第2の基板とを備え、さらに前記第1の基板は、前
記溝の近傍に形成された第1のマークを有し、 前記第2の基板は、前記第1のマークに相対する位置に
第2のマークを有し、 前記第1のマークと前記第2のマークが半田により固着
されていることを特徴とする光ファイバ実装構造。 - 【請求項2】 前記第1の溝は、V溝であることを特徴
とする請求項1記載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項3】 前記第1の基板はシリコンであることを
特徴とする請求項2記載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項4】 前記V溝は、前記第1の基板を異方性化
学的エッチングにより形成されることを特徴とする請求
項3記載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項5】 前記第2の基板は、前記光ファイバとの
接触部に第2の溝が形成されていることを特徴とする請
求項2記載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項6】 前記第1の基板または第2の基板は、さ
らに前記光ファイバの先端部近傍に第3のマークを備
え、 前記光ファイバは、その先端部が前記第3のマークに対
してあらかじめ定められた位置に配置されていることを
特徴とする請求項2記載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項7】 前記光ファイバ実装構造は、さらに、素
子電極と前記光ファイバに光学的に結合する光素子を備
え、 前記第1の基板または第2の基板は、さらに前記光ファ
イバの先端部近傍に基板電極を有し、 前記素子電極と前記基板電極が半田により固着されてい
ることを特徴とする請求項6記載の光ファイバ実装構
造。 - 【請求項8】 前記第1のマークと、前記第1の基板上
に形成された外部に接続される接続用電極の間にソルダ
レジストが設けられていることを特徴とする請求項2記
載の光ファイバ実装構造。 - 【請求項9】 少なくとも1つの溝と該溝の近傍に第1
の電極を有する第1の基板と、光ファイバと、前記第1
のマークに相対する位置に第2のマークを有する第2の
基板とを備え、 前記第1の溝に前記光ファイバを配置する第1の工程
と、 前記第1のマークに半田を配置する第2の工程と、 前記光ファイバの上部から前記第2の基板を配置する第
3の工程と、 前記半田を加熱して溶融する第4の工程と、 前記半田を冷却して固化する第5の工程とを含むことを
特徴とする光ファイバ実装構造の製造方法。 - 【請求項10】 前記第1の基板または第2の基板は、
さらに前記光ファイバの先端部近傍に第3のマークを備
え、 前記光ファイバ実装構造の製造方法は、前記第1の工程
の前に、前記光ファイバを前記第3のマークに対して位
置決めする位置決め工程を有することを特徴とする請求
項9記載の光ファイバ実装構造の製造方法。 - 【請求項11】 前記第1の基板または第2の基板は、
さらに前記光ファイバに光学的に結合する光素子を位置
決めして固着する基板電極を有し、 前記光ファイバ実装構造の製造方法は、少なくとも前記
第4の工程の前に、前記電極に半田を配置する工程と、 前記光素子に形成された素子電極を前記半田の上部に位
置合わせして前記光素子を前記第1の基板に配置する光
素子配置工程とを含むことを特徴とする請求項10記載
の光ファイバ実装構造とその製造方法。 - 【請求項12】 前記第1の基板または第2の基板は、
さらに前記光素子が配置される近傍に実装精度測定マー
クを備え、 前記第5の工程の後に、前記光素子の前記実装精度測定
マークに対する位置精度を測定する実装精度測定工程を
含むことを特徴とする請求項11記載の光ファイバ実装
構造の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7293867A JPH09138325A (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 光ファイバ実装構造とその製造方法 |
US08/747,817 US5717803A (en) | 1995-11-13 | 1996-11-13 | Coupling structure of optical fiber and optical semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7293867A JPH09138325A (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 光ファイバ実装構造とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09138325A true JPH09138325A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17800185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7293867A Pending JPH09138325A (ja) | 1995-11-13 | 1995-11-13 | 光ファイバ実装構造とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5717803A (ja) |
JP (1) | JPH09138325A (ja) |
Cited By (2)
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JP2002246633A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Denso Corp | 光制御半導体スイッチ |
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SG71172A1 (en) * | 1997-12-03 | 2000-03-21 | Sumitomo Electric Industries | Optical data link |
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- 1995-11-13 JP JP7293867A patent/JPH09138325A/ja active Pending
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- 1996-11-13 US US08/747,817 patent/US5717803A/en not_active Expired - Lifetime
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US5717803A (en) | 1998-02-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980901 |