JP4727916B2 - 光デバイスモジュール - Google Patents

Description

本発明は、多チャンネルアレイデバイスとして、音響光学効果選択フィルタアレイ等の光デバイスの温度分布を均一に保ち、また、多数の高周波信号の伝送劣化を防ぐことができる光デバイスモジュールに関する。

近年、インターネット等の普及により情報伝送量が増大しており、国内外を問わず高速かつ大容量ネットワークの構築が求められている。特に、世界の主要国の中でもインターネットの普及率が３７％で、世界でも第１４位と低迷する我が国にとって、ネットワークインフラの早急な整備は重要な課題である。

そこで政府は２００１年より『ｅ−Ｊａｐａｎ戦略』と銘打ち、２１世紀における国際競争を優位にすべくＩＴ革命を推進している。この『ｅ−Ｊａｐａｎ戦略』では５年以内に世界最先端のＩＴ国家となることが目標とされており、１０００万世帯が超高速インターネット（３０〜１００Ｍｂ／ｓ）に、３０００万世帯が高速インターネット（数Ｍｂ／ｓ）に、低廉な料金で常時接続可能な環境を整備し、全ての国民がＩＴのメリットを享受できる”世界最高水準の高度情報通信ネットワーク社会”の構築を目指している。

この”世界最高水準の高度情報通信ネットワーク社会”の実現手段として、”フォトニックネットワーク技術”が最も有効かつ不可欠なものと考えられており、『ｅ−Ｊａｐａｎ戦略』重点計画においても３年後に、１０００波／芯の波長多重技術の実現、１０Ｔｂｐｓの光ルータ技術の実用化、電気信号への変換をすることなく光ネットワークを制御・管理する技術の実用化など、”フォトニックネットワーク技術”の開発推進が求められている。

そして、波長多重伝送（ＷＤＭ）システムは、伝送容量を飛躍的に増大できる通信システムとして、開発および実用化が進められている。ＷＤＭシステムを構成する各ノードにおいては、任意の波長を分岐、挿入する機能が不可欠であり、このような機能を実現させる光デバイスとして、音響光学効果を利用したチューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ）が注目され、各所で研究開発されている。このデバイスは、多波長同時選択や、１００ｎｍを越える広い波長選択帯域など優れた利点を有している。また、多数の光信号を合波、分波させる光デバイスとして、光合・分波器アレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）も主要なキーデバイスであり、信号波長グリッド、０．８ｎｍ間隔にマッチしたものから、その１／４のグリッドにマッチしたものまで製造できる利点を有している。

ＬｉＮｂ０３基板を用いたＡＯＴＦの構造と動作原理は既に周知である（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照。）。図１３は、従来の光フィルタ（ＡＯＴＦ）の構成の一例を示す上面図である。図１３に示す光フィルタ（ＡＯＴＦ）２０２を構成する基板２０４は、Ｘ−ｃｕｔのＬｉＮｂ０３で、Ｔｉ拡散により光導波路２０８を形成している。音響波を発生させるためにインターディジタル電極（ＩＤＴ）２０６をパターニングで形成している。偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２１２は、Ｔｉ拡散などで形成したものである。入射光は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２１２にて偏光分離され、それぞれがＳＡＷガイド２１０を通過した後、再度偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２１２で偏光合成され透過光ポートに出力される。インターディジタル電極（ＩＤＴ）２０６により発生させたＳＡＷの周波数に相当する波長のみが、ＳＡＷガイド２１０を透過することにより偏光変換され、分岐光ポートに出力される。なお、図１３中、符号２１４は弾性表面波を吸収する吸収体である（例えば、特許文献１参照。）。

ＬｉＮｂ０３結晶の有する音響光学効果によりＳＡＷが励起されると結晶軸が傾く。この傾きはＳＡＷの波長を周期として正負に交互に傾く。その１周期が、特定の光波長に対して丁度１／２波長板として機能する。つまり特定の波長をもつ光信号にとってみると、微小な１／２波長板が結晶軸に対して微小な角度で交互に傾いているように見える。これはまさしくＦＳＦ（Ｆｏｌｄｅｄ Ｓｏｌｃ Ｆｉｌｔｅｒ）を構成していることになる（例えば、非特許文献３参照。）。ＦＳＦによりポアンカレ球上を振動しながら移動して、丁度ＳＡＷガイド出力点で入射偏光と直交した偏光になる。

一方、特定波長以外の光信号にとっては、１／２波長板から僅かにずれたフィルタが並んでいるように見えるので、平均化され偏光変換は生じないことになる。このような原理で選択的なフィルタ特性が得られるので、デバイス長が長い程、僅かな波長変化でもフィルタリングされるので、通過帯域が狭い優れたフィルタ特性が得られることになる。このようにデバイス長が長いデバイスなのでモジュール構造にも各種課題が多く発生する。

デバイス単体としての特性を改善する各種手法としては、単一直線偏光を伝搬させる光導波路と、光導波路上に装荷され弾性表面波を発生させる弾性表面波発生手段と、弾性表面波の伝搬損失値を空間的に分布させ光導波路を伝搬する単一直線偏光の特定波長成分をこれと直交する直線変更に変換する相互作用領域とを具備する音響光学フィルタが周知である（例えば、特許文献２参照。）。

また、光導波路の局所複屈折率差補正用の歪み付与部を設けた素子の製作後に、歪み付与部の形状および配置を変更することでフィルタ波長特性の調整を行う光波長特性の調整方法が周知である（例えば、特許文献３参照。）。

また、音響光学結晶基板上に光導波路と弾性表面波を励振する励振電極とを形成し、弾性表面波の伝搬路に反射電極を設け、光導波路外に各反射電極により弾性表面波を吸収する吸収体を設けた波長フィルタが周知である（例えば、特許文献４参照。）。

また、導波路デバイスを用いたモジュールでの均熱化構造としては、温度依存性を有する導波路型光素子上に均熱板および熱緩衝層を介して導波路型光素子の温度を制御する加温冷却素子を設け、均熱板の少なくとも一部を導波路型素子に接触させた導波路型光モジュールが周知である（例えば、特許文献５参照。）。

また、光合・分波器アレイを用いた光導波路回折格子（ＡＷＧ）は、表面に光の合分波機能を有するアレイ導波路（チャンネル導波路）が形成された導波路チップ（例えば、シリコン、石英、サファイヤ等の光学基板を含む）と、スラブ導波路と、導波路チップの裏面に接合し導波路チップを均熱化する均熱板とを有し、導波路チップのアレイ導波路が形成された面上に光ファイバ接続用の上板を設置して構成されている（例えば、特許文献６参照。）。

図１４は、従来の光フィルタ（ＡＯＴＦ）の構成の他の一例を示す上面図である。一つの基板上に複数の光導波路を配置して多チャンネル化した場合における、インターディジタル電極（ＩＤＴ）への信号配線の引き回し状態が示されている。図１４に示すように、多チャンネル化した場合には、細線パターンによる信号引き回しが採用されている。すなわちチューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ）２０２は、ＬｉＮｂ０３基板２０４上に図１３に示したものと同様の構成を用いて光フィルタの複数チャンネル（例えば、チャンネル１，２）を構成している。

次に、図１５は、従来技術のモジュール構造の熱抵抗を説明する説明図である。図１５に示すように、ＬｉＮｂ０３導波路型のチューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ）２０２は、一般にＸ−ｃｕｔのＬｉＮｂ０３基板２０４の背面に銅板等の均熱板２２２を介在させて温度制御部であるヒータ２２４を接合し、このヒータ２２４とともにパッケージ（ＰＫＧ）２２６内に収容し、かつＬｉＮｂ０３基板２０４に接続された光信号用の各光ファイバ等をパッケージ（ＰＫＧ）２２６に形成された各挿通孔を通して外部に引出すことでモジュール化されている。なお、符号２３０はパッケージ（ＰＫＧ）２２６の上面の開口を覆う蓋である。

図１６は、図１５に基づく熱等価回路を示す回路図であり、図１６に示すように、チューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ）２０２のモジュール構造の熱の伝導性は、パッケージ構造の各要素を熱抵抗として勘案すると、図１６に示す熱等価回路を導くことができる。すなわち、電流源Ｉと外部空気Ｔａとの間に対し、直列のＬｉＮｂ０３基板２０４の略中央側の熱抵抗ＲＬＮ０および該略中央側の上方の空気抵抗Ｒａｉｒ０と、直列のＬｉＮｂ０３基板２０４の端部側の熱抵抗ＲＬＮ１および該端部側の上方の空気抵抗Ｒａｉｒ１とを並列に接続したものと考えることができる。

上記の関係を数式で示すと、
Ｔｈ０＝ｉ０・Ｒａｉｒ０＝Ｒ１・Ｉ・Ｒａｉｒ０／（Ｒ１＋Ｒ０）＝ΔＴ …（１）
Ｒ１＝ＲＬＮ１＋Ｒａｉｒ１ …（２）
Ｒ０＝ＲＬＮ０＋Ｒａｉｒ０ …（３）
∴Ｉ＝（Ｒ１＋Ｒ０）・ΔＴ／Ｒ１／Ｒａｉｒ０ …（４）
ΔＴｓ＝Ｔｈ０−Ｔｈ１ …（５）
＝ｉ０・Ｒａｉｒ０−ｉ１・Ｒａｉｒ１
＝Ｉ・（Ｒ１・Ｒａｉｒ０−Ｒ０・Ｒａｉｒ１）／（Ｒ０＋Ｒ１） …（６）
ΔＴｓ＝ΔＴ・（１―（Ｒ０・Ｒａｉｒ１）／（Ｒ１・Ｒａｉｒ０）） …（７）
ここに、Ｔｈ０，Ｔｈ１はＬｉＮｂ０３基板２０４の中央および周辺部での温度、ΔＴは外部との温度差である。

特開２００１−３３０８１１号公報 特開平８−１４６３６９号公報 特開平１１−３２６８５５号公報 特開平９−４９９９４号公報 特開２００２−９０５６３号公報 特開２０００―２４９８５３号公報 Ｏｐｔｏｒｉｃｓ（１９９９）Ｎｏ５、ｐ１５５ 電子情報通信学会、ＯＰＥ９６−１２３、ｐ７９ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｗａｖｅｓ ｉｎ Ｃｒｙｓｔａｌ，ＡＭＮＯＮ ＹＡＲＩＶ，Ａ Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，ｐ１３７

しかしながら、特許文献１〜４の従来例には、デバイス単体としての特性を改善する各種手法が述べられているだけであり、モジュール構造としたときの熱対策を考慮したものではなく、また、一つのＬｉＮｂ０３基板上に複数のＡＯＴＦを設けた多チャンネル化の場合の課題を解決することもできない。

詳細を説明すると、ＡＯＴＦデバイスは、ＳＡＷガイド表面において温度分布がある場合、フィルタ特性が劣化することが知られている。これは温度分布により応力が不均一にかかるために、音響効果によるによる結晶歪みが不均一になり、ＳＡＷにより励起された特定波長に対する微小な１／２波長板の関係が崩れてしまうために、フィルタ特性が劣化すると考えることができる。したがって如何にＳＡＷガイド内での温度を均一にするかが大きな課題となる。さらに、多チャンネル化した場合、デバイス長さのみならず幅も大きくなるので、デバイス表面上の温度の均一化はさらに難しい課題となる。

ＡＷＧに均熱板を設ける構成は、特許文献５，６に開示されたように一般的に採用されている技術であるが、ＡＯＴＦデバイスでは、デバイス面積が大きいので、ヒータ自身の温度勾配やデバイス表面上空気の熱抵抗の差などによる温度勾配が発生するという課題があり、均熱板だけでは所望の温度均一化を発生できない。ペルチェ素子の上に単に均熱板が載っているだけの構成で温度を均熱にすることはできないとともに、外界からの影響を排除することもできない。なお、均熱板が熱伝導性のよい材質によって構成された場合には、ペルチェ素子の消費電力が大きくなる。

このように、従来のＡＯＴＦデバイスでは、デバイス面積が大きいので、ヒータ自身の温度勾配や、デバイス上面上空気の熱抵抗の差などによる温度勾配が発生してしまうという課題があり、従来技術で採用されている均熱板だけでは所望の温度均一化を達成できないという課題があった。

また、ＡＯＴＦデバイスを多チャンネル化した場合、インターディジタル電極（ＩＤＴ）への信号配線の引き回しが重要な課題になるが、導波路デバイスにおいては、アクティブデバイスのように、信号引き回しを容易にするために面積の大きなグランドパターンを形成すると、大面積の金属パターンにより光を吸収してしまい、損失が増大する。このため、図１４に示すような細線パターンによる信号引き回しが必要となった。この細線パターンによる信号引き回しでは、特性インピーダンスが５０Ωのライン設計ができないので、信号パターンは全てインダクタンス成分になり、印加するＲＦ信号を劣化させたり、隣接信号パターン間でクロストークが発生するという課題を有している。また、信号引き回しの配線領域を確保するためにデバイス面積が増大するという問題も発生する。

本発明は、上記従来技術による問題を解決するため、デバイスの温度に温度勾配が生じることなく、デバイスの温度の均一化を図ることができるとともに、デバイスに供給する信号劣化を防止できる光デバイスモジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる光デバイスモジュールは、内底面と側壁を有し、内部に収容空間を有するパッケージと、前記パッケージの前記収容空間の前記内底面上に載置され、自ら加熱または冷却温度を発する温度制御部と、前記温度制御部の上に載置され、前記温度制御部が発する加熱または冷却温度を均熱化して伝達させる均熱部材と、前記均熱部材の上に載置され、光導波路が長さ方向に形成された所定長さを有し、電極が配置された光デバイスと、前記均熱部材の上に載置され、前記光デバイスの長さ方向の両側に所定高さを有して配置される一対の側壁板と、前記側壁板上に載置されて前記光デバイスに対し前記所定高さを隔てた上部に位置し、かつ、前記光デバイスの長さ方向の端部を除くほぼ中央位置に配置され、所定の配線パターンが形成された基板と、前記光デバイスの前記電極と前記基板の前記配線パターンとを接続する配線と、前記パッケージの前記収容空間を塞ぐ蓋と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、光デバイスに対向配置した基板により光デバイスの温度に温度勾配が生じることがなく光デバイスの温度を均一に保つことができる。また、この基板に形成した配線パターを介して光デバイスの電極に信号を供給するため、光デバイス上に配線パターンを形成する必要がなく、信号劣化を抑えることができる。

本発明によれば、光デバイスに供給する信号劣化を防止することができ、光デバイスの温度の均一化を図ることができるという効果を奏する。特に、一つの基板上に複数の光導波路を設けて多チャンネル化したときであっても光デバイスの温度の均一化を図り、配線ラインの領域の増大を回避しつつ、隣接する配線パターン間でのクロストーク発生を防止できるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる光デバイスモジュールの好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下に説明する各実施の形態においては、デバイスの一例として、導波路型光デバイスとしてのＬｉＮｂ０３導波路型のチューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ：以下光フィルタ（ＡＯＴＦ）と称する）を適用した場合について説明する。

（実施の形態１）
はじめに、実施の形態１にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。図１は、実施の形態１にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部を示す上面図であり、図２は、該モジュール構造の要部を示す斜視図である。

光フィルタ（ＡＯＴＦ）１００は、前述同様に、Ｘ−ｃｕｔのＬｉＮｂ０３基板１０１にＴｉ拡散により形成される光導波路１０８と、音響波を発生させるインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６と、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２と、ＳＡＷガイド１１０と、弾性表面波を吸収する吸収体１１４によって構成されている。

このＬｉＮｂ０３基板１０１上には、均熱化構造体１０２が設けられる。均熱化構造体１０２を構成するブリッジ基板（基板）１０３は、ＬｉＮｂ０３基板１０１の表面上に所定間隔（空間）を空けて対向配置される。このブリッジ基板１０３は、セラミックと所定の金属からなり平板状に形成され、ＬｉＮｂ０３基板１０１上の広い領域（少なくとも各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６、各チャンネル毎の光導波路（光パス）１０８、ＳＡＷガイド１１０、および吸収体１１４を含む）を覆う。このＬｉＮｂ０３基板１０１の表面上とブリッジ基板１０３の下面は、例えば０．５〜２ｍｍ程度の所定間隔（空間）Ｈを有している。

ブリッジ基板１０３の図示左側の端面１０３ａ、すなわち入射光の入力側に向う側の端面の位置は、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６の各電極（複数の電極）１０７を露出させるべく、該各電極１０７よりも若干右寄りの位置となるよう設定されている。ブリッジ基板１０３における図示右側の端面の位置は、吸収体１１４を覆うべく、吸収体１１４より右寄りの位置となるよう設定されている。ブリッジ基板１０３における図示上下の端面の位置は、ＬｉＮｂ０３基板１０１の横幅よりも外側の位置となるよう設定されている。

ブリッジ基板１０３の一面として上面には、図示下方の端面１０３ｂ、すなわち図示しない信号出力手段からの高周波信号の入力側にあたる一方の端面からレイアウト配線された複数の配線パターン１０４が蒸着技術やエッチング技術等により形成されている。配線パターン１０４は、マイクロストリップライン、コプレーナライン、グランデッド・コプレーナラインなどにより、特性インピーダンスが例えば５０Ωの信号ラインとされている。各配線パターン１０４の先端は図示左側の端面１０３ａに向けられるとともに、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６の各電極１０７に対し位置的に１対１の関係になる。ブリッジ基板１０３上に配線パターン１０４を設けることにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１上での配線引き回しが不要にできる。また、ブリッジ基板１０３上の領域を利用して配線パターン１０４を自由にレイアウトできる。ブリッジ基板１０３は、電気的に見れば配線パターン１０４用の基板として用いることができ、上記ストリップライン等を容易に形成でき、かつ、特性インピーダンスを維持して高密度配線も行える。

各配線パターン１０４において、図示左側におけるブリッジ基板１０３の端面１０３ａに差し掛かる各先端側には、ワイヤ等の接続通電線（配線）１２０の一端がそれぞれ接続されている。接続通電線１２０の他端は、それぞれ各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６の各電極１０７に対し１対１の関係で接続されている。各接続通電線１２０の接続も、ボンディング技術やはんだ技術、あるいは溶着技術等を用いることで可能となるが、接続方法には任意の方法を用いてよい。各配線パターン１０４は、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６に高周波信号を出力する信号ラインと、グランドラインとを含む。この構造により、特性インピーダンスを保持したまま信号配線を自由に引き回すことができるので、信号劣化がなく、かつ、隣接信号間でのクロストークの発生も回避できる。また、ブリッジ基板１０３上に配線パターン１０４を形成したため高密度配線が可能となり、多チャンネル化した場合であっても導波路デバイスであるＬｉＮｂ０３基板１０１上で配線回しのための面積が増大することを防ぐことができる。

ブリッジ基板１０３は、図２に示すように、底面の図示上下の両端側、すなわち入射光の進行方向に平行となる両端側が、均熱化構造体１０２の他の一部をなすセラミックや所定の金属等を用いて当該両端の全長に一致する全長を有する平板状に構成された側壁板１１８に接合されている。これらブリッジ基板１０３と側壁板１１８はあらかじめ一体化した構成でもよい。この側壁板１１８の高さにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１上とブリッジ基板１０３の外底面（内面）との間は、例えば０．５〜２ｍｍ程度の所定間隔（空間）Ｗを有している。

また、ブリッジ基板１０３の端面１０３ｂ側には、ブリッジ基板１０３の設置高さよりも若干低い高さの、セラミック等からなる導出用ブロック１２２が設置されている。導出用ブロック１２２上には、複数の配線パターン１２４が形成されており、各々の先端側は、ワイヤ等の接続通電線（配線）１２６を介してブリッジ基板１０３上にレイアウト形成された各配線パターン１０４の先端側と１対１の関係で接続されている。

また、導出用ブロック１２２上の各配線パターン１２４の他方の先端側には、図示しない信号出力手段に通じるリード線１２８が接続されている。また、導出用ブロック１２２の上面には、各配線パターン１２４を保護するためセラミック等からなる絶縁体１２９が配置されている。なお、導出用ブロック１２２は、ブリッジ基板１０３上の各配線パターン１０４に高周波信号等を供給するための副次的な要素の一例であり、したがって図示の構成に限定されるものではなく、必要に応じて随時任意に構成したものを使用すればよい。

次に、上記構成におけるデバイス表面上の温度の均一化について説明する。図３は、実施の形態１にかかるモジュール構造を示す斜視図、図４は、モジュール構造の熱抵抗を説明する説明図である。

図３においてブリッジ基板１０３上の配線パターンは省略してある。実施の形態１における均熱化構造体１０２は、双方の側壁板１１８の間にＬｉＮｂ０３基板１０１を収容するとともに、側壁板１１８を均熱板３０１上に接合してなる。均熱化構造体１０２を構成するブリッジ基板１０３および側壁板１１８を均熱板３０１上に配設する場合、ＬｉＮｂ０３基板１０１の両側面、すなわち入射光の進行方向に沿う側の両側面と、側壁板１１８の内面との間にも例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の所定間隔（空間）が空くようにして直接、ＬｉＮｂ０３基板１０１と側壁板１１８が触れないようにする。図中３０２はヒータ、３１０はパッケージ、３１０ａはパッケージ３１０の内底面である。

図４に示すように、熱抵抗には、ＬｉＮｂ０３基板１０１による熱抵抗ＲＬＮ０，ＲＬＮ１、各領域の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ１，Ｒａｉｒ２，Ｒａｉｒ３、均熱板３０１とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１、もしくは熱伝導性の高いパッケージ（ＰＫＧ）３１０とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１がある。なお、符号３１１はパッケージ（ＰＫＧ）３１０の上面の開口を覆う蓋、である。

図５は、実施の形態１にかかるモジュール構造の熱等価回路図である。図３に示したブリッジ基板を均熱板上に配置した場合の熱等価回路図であり、電流源Ｉと外部空気Ｔａとの間に、直列のＬｉＮｂ０３基板１０１の熱抵抗ＲＬＮ０およびブリッジ基板１０３下の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ２に対する均熱板３０１とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１の並列接続と、ブリッジ基板１０３上の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ３との直列接続に対し、直列のＬｉＮｂ０３基板１０１の熱抵抗ＲＬＮ１およびブリッジ基板１０３の外の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ１を並列接続した熱等価回路として考えられる。

前述したように、従来においては、ＬｉＮｂ０３基板１０１の熱抵抗差（ＲＬＮ０、ＲＬＮ１の差）、ＬｉＮｂ０３基板１０１からパッケージ（ＰＫＧ）３１０の天面となる蓋３１１までの空気層の熱抵抗差（Ｒａｉｒ０、Ｒａｉｒ１の差）等の要因により、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０と端部側（すなわち端面側）の温度Ｔｈ１との間に温度勾配ΔＴｓが発生していた。すなわち、

Ｒ１＝ＲＬＮ１＋Ｒａｉｒ１ …（２）
Ｒ０＝ＲＬＮ０＋Ｒａｉｒ０ …（３）
ΔＴｓ＝ΔＴ・（１―（Ｒ０・Ｒａｉｒ１）／（Ｒ１・Ｒａｉｒ０）） …（７）
である。

温度勾配ΔＴｓ＝０にするには、ＬｉＮｂ０３基板１０１の熱抵抗ＲＬＮ０，ＲＬＮ１、空気の熱抵抗Ｒａｉｒ２を完全に一致させる必要がある。しかし、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側と端部側の熱抵抗は、均熱板３０１の接触する面積等が相違するため、原理的に一致させることは不可能であった。これは、平行平板コンデンサーにおいて、エッジ効果により端部での容量が中央部と異なる現象と類似している。

しかし、本発明の実施の形態１による上記構成の如く、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央部をブリッジ基板１０３で覆い、このブリッジ基板１０３を均熱板３０１上に熱抵抗が小さな金属体で接合させることにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０を制御（調整）することが可能となる。図５において、均熱板３０１とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１が小であり、ＬｉＮｂ０３基板１０１による熱抵抗ＲＬＮ０と、ブリッジ基板１０３下の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ２を小さく見せることができ、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０を上げることができる。

つまり、Ｔｈ０＜Ｔｈ１の場合、ブリッジ基板１０３を均熱板３０１上に接合することにより、中央側の温度Ｔｈ０を増加させ、ブリッジ基板１０３上の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ３、均熱板３０１とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１を適切に設定することで、Ｔｈ０＝Ｔｈ１（温度勾配ΔＴｓ＝０）にすることができるようになる。

本実施の形態１においては、ブリッジ基板１０３を用い、このブリッジ基板１０３を均熱板３０１と接合することにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度が低いとき、この温度Ｔｈ０を上げることができ、ＬｉＮｂ０３基板１０３上における温度勾配を無くし、表面の温度を全面で均一に保つことができる。また、配線パターン１０４をブリッジ基板１０３上に形成するため、配線パターン１０４の特性インピーダンスを５０Ωとするライン設計（レイアウト設計）が容易に行え、かつ信号劣化の防止、クロストーク発生の防止を図ることが可能であり、多チャンネル化を促進することができるようになる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。実施の形態２は、実施の形態１の構成とほぼ同じであるが、ブリッジ基板をパッケージ上に接合した点が異なる。図６は、実施の形態２にかかるモジュール構造を示す斜視図である。実施の形態１と同様の構成には同一の番号を附している。便宜上、導出用ブロック１２２の記載は省略してある。

実施の形態２の構成は、図６に示すように、一対の側壁板１１８の間にＬｉＮｂ０３基板１０１を収容するとともに、パッケージ（ＰＫＧ）３１０の内底面３１０ａ上に配設し接合したものである。パッケージ３１０の内底面３１０ａ上には、下から順にヒータ３０２、均熱板３０１、ＬｉＮｂ０３基板１０１が積層されている。このように、ブリッジ基板１０３をパッケージ３１０に接合した場合においても、ＬｉＮｂ０３基板１０１の入射光の進行方向に沿う側の両側面（およびヒータ３０２、均熱板３０１）と、各側壁板１１８の内面との間が、例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度の所定間隔（空間）が空くように配置する。

上記実施の形態２の構成のように、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央部をブリッジ基板１０３で覆い、このブリッジ基板１０３をパッケージ３１０上に熱抵抗が小さな金属体で接合させることにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０を制御（調整）することが可能となる。実施の形態２においても、図４と同様に、モジュール構造における各部の熱抵抗を基に考える。

図７は、実施の形態２にかかるモジュール構造の熱等価回路図である。図７に示したＲｄ１は、図４に示したパッケージ３１０とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗である。この熱抵抗Ｒｄ１が小であり、ＬｉＮｂ０３基板１０１からパッケージ（ＰＫＧ）３１０の天面となる蓋３１１までの空気層の熱抵抗Ｒａｉｒ０（図７におけるＲａｉｒ２，Ｒａｉｒ３）を小さく見せることができ、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０を下げることができる。

つまり、Ｔｈ０＞Ｔｈ１の場合、ブリッジ基板１０３を熱伝導性の高いパッケージ（ＰＫＧ）３１０の内底面３１０ａに接合することで、温度Ｔｈ０を低下させ、かつブリッジ基板１０３下の空気の熱抵抗Ｒａｉｒ２と、パッケージ３１０とブリッジ基板１０３との間の熱抵抗Ｒｄ１を適切に設定することでＴｈ０＝Ｔｈ１（温度勾配ΔＴｓ＝０）にすることができるようになる。

本実施の形態２においては、ブリッジ基板１０３を用い、このブリッジ基板１０３をパッケージ３１０と接合することにより、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度が高いとき、この温度Ｔｈ０を下げることができ、ＬｉＮｂ０３基板１０１上における温度勾配を無くし、表面の温度を全面で均一に保つことができる。また、配線パターン１０４をブリッジ基板１０３上に形成するため、配線パターン１０４の特性インピーダンスを５０Ωとするライン設計（レイアウト設計）が容易に行え、かつ信号劣化の防止、クロストーク発生の防止を図ることが可能であり、多チャンネル化を促進することができるようになる。

（実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。実施の形態３は、フィルタ特性を向上させるために、ＬｉＮｂ０３基板上で、ＡＯＴＦフィルタを構成する光導波路を直列に複数段接続した構成において、ＬｉＮｂ０３基板の温度勾配を解消しようとするものである。実施の形態１と同様の構成には同一の番号を附している。

図８は、実施の形態３にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュールの構造の要部を示す上面図である。光フィルタ（ＡＯＴＦ）１００は、前段の光フィルタ１００Ａと、同様の構成の後段の光フィルタ１００Ｂとが直列接続され、前段の光フィルタ１００Ａの光出力が後段の光フィルタ１００Ｂに光入射される構成になっている。前段の光フィルタ１００Ａは、インターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ、光導波路（光パス）１０８、ＳＡＷガイド１１０、吸収体１１４、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２等を含んで構成され、後段の光フィルタ１００Ｂも同様にインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ｂ、光導波路（光パス）１０８、ＳＡＷガイド１１０、吸収体１１４、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２等を含んで構成されている。なお、図８に示した構成例では、図中上下位置に並列状に他のチャンネルの光フィルタが同様に直列接続されている（合計２チャンネル）。

上記ＬｉＮｂ０３基板１０１の表面上に、均熱化構造体１０２の一部をなすブリッジ基板１０３が所定間隔（空間）を空けて対向配置されている。このブリッジ基板１０３は、ＬｉＮｂ０３基板１０１上に形成された各チャンネル毎の光導波路（光パス）１０８、インターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６、ＳＡＷガイド１１０、および吸収体１１４を含む広い範囲を覆う。このＬｉＮｂ０３基板１０１の表面上とブリッジ基板１０３の下面は、上記実施の形態１と同様の間隔とする（例えば、０．５〜２ｍｍ程度）。

そして、ブリッジ基板１０３には、図示左右の端部付近、すなわち入射光の進行方向の前後の方向に相当する端部付近であって、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極（複数の電極）１０７Ａ，１０７Ｂの真上の位置に、各チャンネルの電極１０７Ａ，１０７Ｂをひとまとめに覗かせる長孔状の開口８０１Ａ，８０１Ｂが形成されている。

ブリッジ基板１０３の上面には、実施の形態１同様に端面１０３ｂを一端として配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂが蒸着技術やエッチング技術等により形成されている。配線パターン１０４Ａの他端は、前段の光フィルタ１００Ａ用の開口８０１Ａに向けて途中から図中左方向に折曲して導出され、配線パターン１０４Ｂの他端は後段の光フィルタ１００Ｂ用の開口８０１Ｂに向けて途中から図中右方向に折曲して導出されている。各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極１０７Ａ，１０７Ｂと、各配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂの他端は、開口８０１Ａ，８０１Ｂを介してワイヤ等の接続通電線１２０により接続される。

均熱化構造体１０２は、前述した実施の形態１、あるいは実施の形態２において説明したように、均熱板３０１上に配設し接合する態様（図３参照）と、パッケージ３１０の内底面３１０ａ上に配設し接合するという態様（図６参照）がある。いずれの態様を取るかは、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０と端部側（すなわち端面側）の温度Ｔｈ１との関係により選択すればよい。

本実施の形態３においては、光フィルタが直列接続や複数チャンネルを並列配置させて多チャンネル化したときに、ＬｉＮｂ０３基板１０１の温度を均一化し、信号損失を低減できる等、実施の形態１、２において説明した効果に加えて、信号接続部分のみ開口８０１Ａ，８０１Ｂを空けることによって、電気的接続を容易にすることができるようになる。これにより、直列、あるいは並列配置された複数の光フィルタ１００Ａ，１００Ｂに設けられたインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極１０７Ａ，１０７Ｂに対する配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂを単一のブリッジ基板１０３に形成して実装性を向上でき、多チャンネル化への対応が容易に行える。

（実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。図９は、実施の形態４にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。実施の形態４は、実施の形態３に対して均熱化構造体１０２を構成しているブリッジ基板１０３の形状が異なるだけであり、光フィルタ（ＡＯＴＦ）１００の構成は、実施の形態３と同様であり、詳しい説明は省略する。

光フィルタ（ＡＯＴＦ）１００は、前段の光フィルタ１００Ａと、同様の構成の後段の光フィルタ１００Ｂとが直列接続され、前段の光フィルタ１００Ａの光出力が後段の光フィルタ１００Ｂに光入射される構成になっている。

そして、ＬｉＮｂ０３基板１０１の表面上に、均熱化構造体１０２の一部をなすブリッジ基板１０３が所定間隔（空間）を空けて対向配置されている。このブリッジ基板１０３は、ＬｉＮｂ０３基板１０１上に形成された各チャンネル毎の光導波路（光パス）１０８、インターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６、ＳＡＷガイド１１０、および吸収体１１４を含む広い範囲を覆う。

そして、ブリッジ基板１０３には、図示左の端部付近と中央位置、すなわち、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極（複数の電極）１０７Ａ，１０７Ｂの真上の位置に、各チャンネルの電極１０７Ａ，１０７Ｂをひとまとめに覗かせる開口９０１Ａ，９０１Ｂが形成されている。

ブリッジ基板１０３の上面には、実施の形態１同様に端面１０３ｂを一端として配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂが蒸着技術やエッチング技術等により形成されている。配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂの他端は、それぞれ前段の光フィルタ１００Ａ，後段の光フィルタ１００Ｂ用の開口９０１Ａ，９０１Ｂに向けて途中から図中左方向に折曲して導出されている。各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極１０７Ａ，１０７Ｂと、各配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂの他端は、開口９０１Ａ，９０１Ｂを介してワイヤ等の接続通電線１２０により接続される。

均熱化構造体１０２は、前述した実施の形態１，２と同様に、均熱板３０１上に配設し接合する態様（図３参照）と、パッケージ３１０の内底面３１０ａ上に配設し接合するという態様（図６参照）がある。いずれの態様を取るかは、ＬｉＮｂ０３基板１０１の中央側の温度Ｔｈ０と端部側（すなわち端面側）の温度Ｔｈ１との関係により選択すればよい。

このように、本実施の形態４においても、実施の形態３同様に光フィルタが直列接続や複数チャンネルを並列配置させて多チャンネル化したときに、ＬｉＮｂ０３基板１０１の温度を均一化し、信号損失を低減できる等、実施の形態１、２において説明した効果に加えて、信号接続部分のみ開口９０１Ａ，９０１Ｂを空けることによって、電気的接続を容易にすることができるようになる。これにより、直列、あるいは並列配置された複数の光フィルタ１００Ａ，１００Ｂに設けられたインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極１０７Ａ，１０７Ｂに対する配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂを単一のブリッジ基板１０３に形成して実装性を向上でき、多チャンネル化への対応が容易に行える。実施の形態３と、実施の形態４の配線パターンとを比べると、ブリッジ基板１０３の端面１０３ｂ部分において、実施の形態３では、全ての配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂをまとめることができ、実施の形態４では、直列接続された前段の光フィルタ１００Ａ用の配線パターン１０４Ａと、後段の光フィルタ１００Ｂ用の配線パターン１０４Ｂとを分離して配置できる。

（実施の形態５）
次に、実施の形態５にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。実施の形態５の構成は、多チャンネル化した場合において、均熱化構造体１０２を構成しているブリッジ基板１０３を分割して設けるものである。

図１０は、実施の形態５にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。実施の形態５は、実施の形態４（図９参照）の構成と比べて、均熱化構造体１０２を略中央位置で分割したものである。ＬｉＮｂ０３基板１０１上に形成された前段の光フィルタ１００Ａには、分割した一方の均熱化構造体１０２Ａを配置し、後段の光フィルタ１００Ｂには分割した他方の均熱化構造体１０２Ｂを配置している。そして、前段および後段の均熱化構造体１０２Ａ，１０２Ｂの一部を構成しているブリッジ基板１０３Ａ，１０３Ｂは、それぞれ図示左側の端面１０３ａ、すなわち入射光の入力側に向う側の端面の位置が、各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極（複数の電極）１０７Ａ，１０７Ｂを露出させるべく、該各電極１０７Ａ，１０７Ｂよりも若干右寄りの位置に配置に配置させればよい。図中他の符号は、前述した各実施の形態と同様であり説明を省略する。

本実施の形態５によれば、実施の形態３，４同様に多チャンネル化した場合において、少なくとも光フィルタ（ＡＯＴＦ）の機能部内で温度を均一化でき、温度勾配による特性劣化が回避できる場合には、均熱化構造体１０２をこの光フィルタ（ＡＯＴＦ）の機能部単位で分割して設けることができる。この構成により、均熱化構造体１０２を簡単に構成することができ、製造単価を安価に抑えることができるようになる。

（実施の形態６）
次に、実施の形態６にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。実施の形態６の構成は、実施の形態５の変形例である。ＬｉＮｂ０３基板１０１上に形成された前段の光フィルタ１００Ａ部分には、前段の均熱化構造体１０２Ａを配置している。図１１は、実施の形態６にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。

均熱化構造体１０２Ａの一部を構成するブリッジ基板１０３Ａの図示左側の端面１０３ａの端面の位置は、前段の光フィルタ１００Ａのインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａの各電極１０７Ａよりも若干右寄りの位置となるよう設定されている。また、ブリッジ基板１０３Ａの図示右側の端面１０３ｃの位置は、前段の光フィルタ１００Ａの吸収体１１４および偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１２等を覆い、かつ、後段の光フィルタ１００Ｂのインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ｂの各電極１０７Ｂより図示左寄りの位置となるように設定されている。

そして、この均熱化構造体１０２Ａ上には、前段の光フィルタ１００Ａ用の配線パターン１０４Ａと、後段の光フィルタ１００Ｂ用の配線パターン１０４Ｂが形成されている。配線パターン１０４Ａの先端は、図示左側の端面１０３ａに向けられ、前段の光フィルタ１００Ａの各チャンネル毎のインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａの各電極１０７Ａに対し１対１の関係となるようパターン化されている。配線パターン１０４Ｂの先端は、図示右側の端面１０３ｃに向けられ、後段の光フィルタ１００Ｂの各電極１０７Ｂに対し１対１の関係にパターン化されている。

本実施の形態６によれば、多チャンネル化した場合において、分割した一方の均熱化構造体１０２Ａだけを用いて前段および後段の光フィルタ１００Ａ，１００Ｂのインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂに対する信号供給を行うことができるようになる。なお、後段の光フィルタ１００Ｂに対しても、温度の均一化を図る必要がある場合には、図１１に１点鎖線で示すように、配線パターンおよび接続通電線をもたず、他の構成は均熱化構造体１０２Ａと同様の構成である均熱化構造体１０２Ｂを配置すればよい。

（実施の形態７）
次に、実施の形態７にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造について説明する。実施の形態７は、より一層の多チャンネル化を行う場合の構成例である。図１２は、実施の形態７にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。

図示の例は、１チャンネルの光導波路１０８が前段および後段の光フィルタ１００Ａ，１００Ｂの直列接続により構成し、４チャンネル分配置したものである。多チャンネル化する場合には、図中上下方向に並列配置数を増やせばよい。この場合、並列配置したチャンネル数によって形成されたＬｉＮｂ０３基板１０１の幅（図中上下方向の長さ）に対応した幅で均熱化構造体１０２を形成する。また、均熱化構造体１０２の一部を構成するブリッジ基板１０３上には、チャンネル数（厳密には、ＬｉＮｂ０３基板１０１上でのインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの電極１０７Ａ，１０７Ｂの端子数）に対応した数の配線パターン１０４Ａ，１０４Ｂをパターン形成すればよい。また、１チャンネルあたりの直列接続数を増やすこともでき、この場合には、光フィルタの直列接続数に対応した長さ（図中横方向の長さ）で均熱化構造体１０２を形成すればよい。なお、
ＬｉＮｂ０３基板１０１に対して均熱化構造体１０２が直接触れることがないよう、前述したようにＬｉＮｂ０３基板１０１の表面とブリッジ基板１０３の下面との空間Ｈと、ＬｉＮｂ０３基板１０１と側壁板１１８との空間Ｗ（いずれも図２参照）を設けておく。

図１２に示したブリッジ基板１０３の構造は、前述した実施の形態３において説明したインターディジタル電極（ＩＤＴ）１０６Ａ，１０６Ｂの各電極１０７Ａ，１０７Ｂの真上の位置に、各チャンネルの電極１０７Ａ，１０７Ｂをひとまとめに覗かせる開口８０１Ａ，８０１Ｂを形成し、よりチャンネル数を増やした構成に相当する。この他、ブリッジ基板１０３の構成は、多チャンネル化した場合であっても、実施の形態４に示したように配線パターンのレイアウトを変更したり、実施の形態５，６に示したように光フィルタ単位で分割することができる。なお、図中上下に配置された異なるチャンネルのフィルタ同士は、曲がり導波路（不図示）等を介して直列接続させる構成にもできる。

本実施の形態７によれば、チャンネル数を増加させ多チャンネルとしたとき、ＬｉＮｂ０３基板の大きさの変更に合わせて均熱化構造体の大きさ等を変更するだけで対応できるようになる。

なお、上記各実施の形態においては、温度制御部としてヒータを用いた場合を例に説明したが、ヒータに限定されるものではなく、ペルチェ素子などを用いてもよい。また、上記実施の形態３，４，７においては、ブリッジ基板に接続通電線の配線接続用の開口を長孔状に形成したが、各電極毎に一つずつ単独孔を形成する構成にもできる。

また、均熱化構造体の構成については、均熱化構造体の一部をなすブリッジ基板上の配線パターンに対しワイヤ等の接続通電線を用いるため、ブリッジ基板に開口を用いるか、ブリッジ基板の端面に配線パターンを形成して該端面を利用することで接続通電線の配線接続を可能となるように構成する場合の具体例を示した。これに限らず、ブリッジ基板上の配線パターンの各々から該ブリッジ基板を貫通する貫通電極を設けてインターディジタル電極（ＩＤＴ）の各電極に接続するようにしてもよい。あるいは、ブリッジ基板に上面の配線パターンの先端側からブリッジ基板自体を貫通する貫通孔を形成して貫通電極を挿通させ、該貫通電極をインターディジタル電極の各電極に接続するようにしてもよい。また、貫通電極には一端にフランジや係止片等を設け位置決めを図るとともに接続作業の容易化を図ってもよい。

以上説明したように、各実施の形態に記載の発明にかかる光デバイスモジュールによれば、ブリッジ基板を用いてデバイス（例えば導波路型光デバイス）の温度を均一となるように構成するため、デバイスの良好な性能を維持ことが可能である。

また、本実施の形態に記載の発明にかかる光デバイスモジュールによれば、導波路型デバイスに高周波信号等を供給する配線パターンをブリッジ基板（均熱化構造体）上にレイアウト設計し形成するため、配線パターンの特性インピーダンス５０Ωのライン設計が行え、信号劣化を防止し、クロストーク発生を防止できるようになる。しかも多チャンネル化を図る場合でも導波路型光デバイス上に配線パターン用の領域を確保する必要がなく、ＬｉＮｂ０３基板上で配線引き回しのための領域を確保する必要がなく、ＬｉＮｂ０３基板の大型化を回避して、一層多チャンネル化を促進できる。

（付記１）電極が配置された光デバイスと、
前記光デバイスに対向配置され、前記電極に接続するための配線パターンが形成された基板と、
前記光デバイスの前記電極と前記基板の前記配線パターンとを接続する配線と、
を備えることを特徴とする光デバイスモジュール。

（付記２）前記基板は、前記光デバイスの両側に配置された一対の側壁板によって支持されていることを特徴とする付記１に記載の光デバイスモジュール。

（付記３）前記光デバイスに対し、自ら発する加熱または冷却温度を伝達させる温度制御部と、
前記温度制御部が発する加熱または冷却温度を前記光デバイスの全面に対して均等に伝達させる均熱部材と、
を備え、
前記側壁板が前記均熱部材上に配置されていることを特徴とする付記１または２に記載の光デバイスモジュール。

（付記４）前記光デバイスに対し、自ら発する加熱または冷却温度を伝達させる温度制御部と、
前記温度制御部が発する加熱または冷却温度を前記光デバイスの全面に対して均等に伝達させる均熱部材と、
を備え、
前記側壁板がパッケージの内底面上に配置されたことを特徴とする付記１または２に記載の光デバイスモジュール。

（付記５）前記基板には、前記電極に対向する位置に該電極と前記配線パターンの端部とを接続するための開口が一つまたは複数形成されたことを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記６）前記光デバイスに対し、複数の前記基板を対向配置したことを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記７）前記温度制御部は、ヒータあるいはペルチェ素子であることを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記８）前記光デバイスは、導波路型光デバイスであることを特徴とする付記１〜７のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記９）前記光デバイスは、導波路型光デバイスとしてチューナブル光フィルタ（ＡＯＴＦ）を用いたことを特徴とする付記８に記載の光デバイスモジュール。

（付記１０）前記基板および前記側壁板は、熱伝導性の低い部材から構成されることを特徴とする付記１〜９のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記１１）前記基板および前記側壁板は、セラミックから構成されることを特徴とする付記１０に記載の光デバイスモジュール。

（付記１２）前記光デバイスの前記信号端子は、弾性表面波を励起するインターディジタル電極の電極であることを特徴とする付記１〜１１のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記１３）前記基板の側面に設けられ、該ブリッジ基板に形成された前記配線パターンを外部導出するための配線パターンと、該配線パターンに連通するリードが形成された導出用ブロックと、
前記基板と前記導出用ブロックの配線パターンを接続するための配線と、
を備えることを特徴とする付記１〜１２のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記１４）前記配線パターンは、所定の信号を供給する信号ラインと、グランドに通じるグランドラインとを含むことを特徴とする付記１〜１３のいずれか一つに記載の光デバイスモジュール。

（付記１５）前記配線パターンは、マイクロストリップ、グランデッド・コプレーナ、コプレーナ等のタイプの５０Ωラインからなることを特徴とする付記１４に記載の光デバイスモジュール。

本発明にかかる光デバイスモジュールにおいては、ＲＦ信号等の高周波信号を扱い、デバイス表面における温度分布が性能に影響を与えるＡＯＴＦデバイス等の導波路型光デバイスの全てに利用して性能を最大限に引き出すことができる。

実施の形態１にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部を示す上面図である。 実施の形態１にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部を示す斜視図である。 実施の形態１にかかるモジュール構造を示す斜視図である。 実施の形態１にかかるモジュール構造の熱抵抗を説明する説明図である。 実施の形態１にかかるモジュール構造の熱等価回路図である。 実施の形態２にかかるモジュール構造を示す斜視図である。 実施の形態２にかかるモジュール構造の熱等価回路図である。 実施の形態３にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュールの構造の要部を示す上面図である。 実施の形態４にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。 実施の形態５にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。 実施の形態６にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。 実施の形態７にかかる光フィルタ（ＡＯＴＦ）のモジュール構造の要部の構成を説明する上面図である。 従来の光フィルタ（ＡＯＴＦ）の構成の一例を示す上面図である。 従来の光フィルタ（ＡＯＴＦ）の構成の他の一例を示す上面図である。 従来技術のモジュール構造の熱抵抗を説明する説明図である。 図１５に基づく熱等価回路を示す回路図である。

符号の説明

１００（１００Ａ，１００Ｂ） 光フィルタ（ＡＯＴＦ）
１０１ ＬｉＮｂ０３基板
１０２ 均熱化構造体
１０３ ブリッジ基板（基板）
１０４（１０４Ａ，１０４Ｂ） 配線パターン
１０６ インターディジタル電極（ＩＤＴ）
１０７ 電極
１０８ 光導波路
１１０ ＳＡＷガイド
１１２ 偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
１１４ 吸収体
３１０ パッケージ
８０１Ａ，８０１Ｂ 開口

Claims (5)

1. 内底面と側壁を有し、内部に収容空間を有するパッケージと、
   前記パッケージの前記収容空間の前記内底面上に載置され、自ら加熱または冷却温度を発する温度制御部と、
   前記温度制御部の上に載置され、前記温度制御部が発する加熱または冷却温度を均熱化して伝達させる均熱部材と、
   前記均熱部材の上に載置され、光導波路が長さ方向に形成された所定長さを有し、電極が配置された光デバイスと、
   前記均熱部材の上に載置され、前記光デバイスの長さ方向の両側に所定高さを有して配置される一対の側壁板と、
   前記側壁板上に載置されて前記光デバイスに対し前記所定高さを隔てた上部に位置し、かつ、前記光デバイスの長さ方向の端部を除くほぼ中央位置に配置され、所定の配線パターンが形成された基板と、
   前記光デバイスの前記電極と前記基板の前記配線パターンとを接続する配線と、
   前記パッケージの前記収容空間を塞ぐ蓋と、
   を備えたことを特徴とする光デバイスモジュール。
2. 内底面と側壁を有し、内部に収容空間を有するパッケージと、
   前記パッケージの前記収容空間の前記内底面上に載置され、自ら加熱または冷却温度を発する温度制御部と、
   前記温度制御部の上に載置され、前記温度制御部が発する加熱または冷却温度を均熱化して伝達させる均熱部材と、
   前記均熱部材の上に載置され、光導波路が長さ方向に形成された所定長さを有し、電極が配置された光デバイスと、
   前記パッケージの内底面の上に載置され、前記光デバイスの長さ方向の両側に所定高さを有して配置される一対の側壁板と、
   前記側壁板上に載置されて前記光デバイスに対し前記所定高さを隔てた上部に位置し、かつ、前記光デバイスの長さ方向の端部を除くほぼ中央位置に配置され、所定の配線パターンが形成された基板と、
   前記光デバイスの前記電極と前記基板の前記配線パターンとを接続する配線と、
   前記パッケージの前記収容空間を塞ぐ蓋と、
   を備えたことを特徴とする光デバイスモジュール。
3. 前記基板は、前記光デバイスの長さ方向に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光デバイスモジュール。
4. 前記光デバイスは、前記長さ方向に複数の前記電極を有し、
   前記基板は、前記光デバイスの前記電極の位置に対応して複数配置されていることを特徴とする請求項３に記載の光デバイスモジュール。
5. 前記基板の前記配線パターンの端部付近には、当該基板の表面から裏面に貫通する開口が形成され、
   前記配線は、前記開口を貫通して、前記基板の前記配線パターンと、前記光デバイスの前記電極とを接続することを特徴とする請求項１または２に記載の光デバイスモジュール。

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