[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH064399A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

Info

Publication number
JPH064399A
JPH064399A JP16307492A JP16307492A JPH064399A JP H064399 A JPH064399 A JP H064399A JP 16307492 A JP16307492 A JP 16307492A JP 16307492 A JP16307492 A JP 16307492A JP H064399 A JPH064399 A JP H064399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
data
writing
write
instruction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP16307492A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3328321B2 (ja
Inventor
Kenichi Kaki
健一 柿
Kunihiro Katayama
国弘 片山
Takashi Tsunehiro
隆司 常広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP16307492A priority Critical patent/JP3328321B2/ja
Priority to KR1019930011286A priority patent/KR960013024B1/ko
Priority to US08/079,550 priority patent/US5530828A/en
Publication of JPH064399A publication Critical patent/JPH064399A/ja
Priority to US08/669,914 priority patent/US5809515A/en
Priority to US09/006,486 priority patent/US6145050A/en
Priority to US09/706,843 priority patent/US6457092B1/en
Priority to US09/879,960 priority patent/US6549974B2/en
Priority to US10/132,322 priority patent/US6598115B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3328321B2 publication Critical patent/JP3328321B2/ja
Priority to US10/387,478 priority patent/US6728826B2/en
Priority to US10/784,995 priority patent/US20040167653A1/en
Priority to US12/466,907 priority patent/US8001319B2/en
Priority to US13/210,831 priority patent/US20120011307A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G06F3/0611—Improving I/O performance in relation to response time
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G06F3/0613—Improving I/O performance in relation to throughput
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0656—Data buffering arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0659—Command handling arrangements, e.g. command buffers, queues, command scheduling
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0683—Plurality of storage devices
    • G06F3/0688—Non-volatile semiconductor memory arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32—Timing circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0662—Virtualisation aspects
    • G06F3/0664—Virtualisation aspects at device level, e.g. emulation of a storage device or system
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 読み出しに比較して書き込みが低速なフラッ
シュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速
な書き込みを提供する。 【構成】 標準バス１、複数個のフラッシュメモリ４、
データを一時保持するためのライトバッファメモリ５、
プロセッサ２を有する。プロセッサ２は、データの書き
込みの制御や、コマンドやステータスの授受や解析を行
う。３１は物理アドレスを発生するアドレス制御部、６
はフラッシュメモリの書き込み電源であるＶｐｐ発生回
路、７１はメモリアドレスバスであり、７２はデータバ
スである。プロセッサ２は、連続に書き込まれる１ワー
ドのデータを任意のフラッシュメモリに書き込み、その
フラッシュメモリに次の１ワードのデータの書き込みが
可能となるまでの待ち時間の間に、アクセス可能なフラ
ッシュメモリに連続して書き込んでいく。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラッシュメモリを用い
た半導体記憶装置に関し、特にフラッシュメモリを用い
た半導体ディスク装置などに連続してデータの書き込み
をすることに関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、例えば、複数ビットを１ワー
ドとして、ワード単位に読み出し書き込み可能で、チッ
プ単位あるいは複数ワード単位に電気的に消去可能なフ
ラッシュＥＥＰＲＯＭを複数個搭載し、上記フラッシュ
メモリに連続してデータの書き込みを行なう装置におい
て、１ワードのデータを上記書き込み装置に搭載された
任意の前記フラッシュメモリに書き込み、書き込みが行
なわれた上記フラッシュメモリが次の１ワードのデータ
を書き込み可能となる一定時間の間に、前記装置に搭載
された書き込みが行なわれている前記フラッシュメモリ
とは別のフラッシュメモリに１ワードのデータを書き込
むことを特徴とする。
【０００３】従来技術に係るコマンド制御方式で書き込
みや消去を行うフラッシュメモリの、データ書き込みの
タイミング波形を図８に示す。図中Ｖｃｃはフラッシュ
メモリの電源電圧であり、常時＋５Ｖが印加されてい
る。Ｖｐｐは書き込み電源であり、フラッシュメモリへ
データの書き込みを行うとき電源電圧Ｖｃｃより高い電
位を印加する。アドレスはフラッシュメモリのデータの
書き込み領域をバイト単位に指定するものである。ＯＥ
はアウトプットイネーブル信号であり、フラッシュメモ
リからデータの読み出しを行う際にＬｏｗとし、その他
の時はＨｉｇｈとする。ＣＥはチップイネーブル信号で
あり、フラッシュメモリにコマンドやデータの読み出し
書き込みを行うときＬｏｗとする。また、本フラッシュ
メモリのＣＥはライトイネーブル信号も兼ねており、Ｖ
ｐｐが高電位でかつＯＥがＨｉｇｈの時ＯＥの立上りで
データが書き込まれる。Ｉ／Ｏ７およびＩ／Ｏ０〜Ｉ／
Ｏ６はデータ線である。続いて、フラッシュメモリに１
バイトのデータを書き込むときの動作を示す。まず、Ｃ
Ｅの立上りのタイミングでデータ線上のコマンドをフラ
ッシュメモリに書き込む。このコマンドはフラッシュメ
モリに１ワードのデータの書き込みの開始を知らせる、
ライトセットアップコマンドである。このコマンドの書
き込みの後、ＣＥの立上りのタイミングでデータ線上の
データをフラッシュメモリに書き込む。このコマンドと
データの書き込み時のＣＥのＬｏｗ期間は最小５０ナノ
秒である。しかし、実際にはフラッシュメモリ内部では
メモリチップへの書き込みが始まったところであり、内
部での書き込みが終了するまで次のデータは書き込むこ
とはできない。ここでフラッシュメモリの内部での書き
込みが終了するまで、数十マイクロ秒の時間が必要で有
り、コマンドと１ワードのデータの書き込みの時間に比
較してかなりの時間を要する。そして、この数十マイク
ロ秒の時間を経て、フラッシュメモリチップの内部での
書き込みが終了したことを調べる手段としてステータス
ポーリングが有る。これはＣＥとＯＥをＬｏｗにしてＩ
／Ｏ７からステータスを読み出してメモリチップ内部で
の書き込みの終了を判定する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記技術は、複数ワー
ドのデータを連続して書き込む場合かなりの時間を要す
る。コマンドと１ワードのデータの書き込みは数十ナノ
秒から数百ナノ秒程度である。しかし、１ワードのデー
タを書き込んでからフラッシュメモリチップ内部での書
き込みが終了するまでには、数マイクロ秒から数十マイ
クロ秒の時間が必要であり、この間はフラッシュメモリ
にアクセスできない。そのため、１ワードのデータを書
き込むためのトータルの時間が読みだし時間に比較して
かなり遅い。また、複数ワードのデータを連続で書き込
む場合、書き込むワード数に比例して書き込み時間が増
大する。例えばフラッシュメモリを用いて半導体ディス
ク装置を構築した場合、数キロワードから数十キロワー
ド、あるいはそれ以上のデータが連続で書き込まれる。
そうすると、書き込まれるデータに比例して書き込み時
間が増大するため、システム全体として書き込みの転送
が遅くなる。
【０００５】本発明の目的は、データの書き込み時間を
短縮した半導体記憶装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フラッシュ
メモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置におい
て、書き込み指示を上記フラッシュメモリに送り、書き
込み指示が送られた上記フラッシュメモリが次の書き込
み指示を受付可能となるまでの間に、書き込みが行なわ
れている上記フラッシュメモリとは別のフラッシュメモ
リに書き込み指示を送る制御部を有することとしたもの
である。
【０００７】
【作用】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フラッ
シュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置にお
いて、制御部は、書き込み指示を上記フラッシュメモリ
に送り、書き込み指示が送られた上記フラッシュメモリ
が次の書き込み指示を受付可能となるまでの間に、書き
込みが行なわれている上記フラッシュメモリとは別のフ
ラッシュメモリに書き込み指示を送る。
【０００８】
【実施例】本実施例では、連続したデータの書き込みの
場合、連続して同一のフラッシュメモリに書き込むので
なく、他のフラッシュメモリに書き込むように制御す
る。
【０００９】１ワードのデータをフラッシュメモリに書
き込んでから次のデータを書き込むまでに数マイクロ秒
から数十マイクロ秒の待ち時間が有る。そのため、連続
して書き込みデータが有る場合、この待ち時間の間に連
続して他のフラッシュメモリへ１ワードのデータを書き
込み続ける。そして、最初に書き込んだフラッシュメモ
リの待ち時間を過ぎると、最初のフラッシュメモリから
ステータスポーリングを行ない、次の１ワードのデータ
を書き込む。この様に、フラッシュメモリの待ち時間の
間に他のフラッシュメモリへの書き込みを行う。
【００１０】複数の連続したデータを書き込む用途にフ
ラッシュメモリを用いた場合、本実施例によればフラッ
シュメモリの低速の書き込みを、装置のトータルで高速
化できる。すなわち、フラッシュメモリを半導体ディス
ク装置に用いた場合、複数の連続したデータが書き込ま
れる。しかし、連続したデータの書き込みの場合、フラ
ッシュメモリへの書き込みが読み出しに比較して遅いた
め、トータルの転送速度が低下する。しかし、本実施例
によればフラッシュメモリの書き込みが低速であって
も、装置全体の書き込みの高速化を実現できる。
【００１１】以下に、本発明の一実施例を図を用いて詳
細に説明する。図１は、フラッシュメモリを用いた半導
体ディスク装置のブロック図である。図中１は、パーソ
ナルコンピュータなどの標準バスであり、このバスを介
してシステムからのコマンドやデータの授受を行う。前
記バスはこの他にもＳＣＳＩインタフェースやシステム
のローカルバスなど、補助記憶装置を必要とするシステ
ムとのプロトコルの取決めが有るものであれば特に限定
はない。４は複数個のフラッシュメモリ。５は標準バス
１から転送されたデータを一時保持するためのライトバ
ッファメモリである。フラッシュメモリは読み出しに比
較して書き込みが遅いため、標準バス１から転送されて
くる書き込みデータを一時保持し、システム側にバス権
を早く開放する。ライトバッファメモリ５は、図中では
スタティックＲＡＭで構成している。しかし、スタティ
ックＲＡＭに限らず、揮発性・不揮発性に関係なくフラ
ッシュメモリ４より高速に書き込みが可能な記憶素子で
あれば良い。また、半導体ディスク装置内に限らずシス
テム側にあるデータ記憶領域の一部を用いても良い。ラ
イトバッファメモリ５は標準的なディスクのセクタ容量
である５１２バイト単位で、複数セクタの容量を有す
る。２はプロセッサである。このプロセッサ２は、ライ
トバッファメモリ５からフラッシュメモリ４へのデータ
の書き込みの制御や、標準バスからのコマンドやステー
タスの授受や解析を行う。１１は、システムが管理する
セクタ番号である論理セクタ番号を、フラッシュメモリ
への書き込む領域のセクタ番号である物理セクタ番号に
変換する変換テーブル（始めてアクセスされる論理セク
タ番号については、プロセッサ２が変換テーブルを作成
する）を記憶しているスタティックラム（ＳＲＡＭ）で
ある。３１はフラッシュメモリ４やライトバッファメモ
リ５の実際のアドレスである物理アドレスを発生するア
ドレス制御部であり、プロセッサ２によって制御され
る。６はフラッシュメモリの書き込み電源であるＶｐｐ
を発生するＶｐｐ発生回路であり、プロセッサ２で電源
発生を制御される。７１はフラッシュメモリ４やライト
バッファメモリ５のメモリアドレスバスであり、アドレ
ス制御部３１より出力される。７２はデータバスであ
る。
【００１２】図１の構成の半導体ディスク装置におい
て、プロセッサ２が制御する書き込み動作を図２のフロ
ーチャートに示す。標準バス１から書き込みの要求かど
うかを判断し（２１）、要求がきたとき、プロセッサ２
はＶｐｐ発生回路６に対して書き込み電源Ｖｐｐの発生
を起動する（２２）。そして、プロセッサ２は標準バス
１から渡された、システムが管理するセクタ番号である
論理セクタ番号を、フラッシュメモリへの書き込む領域
のセクタ番号である物理セクタ番号に変換する（２
３）。この際、標準バス１から転送されてくる複数セク
タのデータを、それぞれセクタ単位で書き込むフラッシ
ュメモリが別チップになる様に物理セクタ番号を決定す
る。例えば、最初に転送されてくる１セクタのデータを
フラッシュメモリのチップ０に、次に転送されてくる１
セクタのデータをフラッシュメモリのチップ１に、とい
う具合にセクタ単位で割り当てる。この決定した物理セ
クタ番号を図３の示す書き込み管理テーブルに保持す
る。この書き込み管理テーブルはアドレス制御部３１に
存在する。図３では、標準バス１から転送されてくる３
セクタ分のデータをライトバッファメモリ５のブロック
１からブロック３に保持し、それぞれのブロックの１セ
クタのデータをそれぞれフラッシュメモリ４のチップ０
のセクタ３、チップ１のセクタ２、チップ２のセクタ７
へ書き込むことを示している。
【００１３】そして、書き込み管理テーブルの設定が終
了したら、標準バス１から転送されてくる３セクタのデ
ータを、書き込み管理テーブルが指定する通りライトバ
ッファメモリ５のブロック１からブロック３の３領域に
受け取る。それにより、標準バス１のアクセス権を開放
し、フラッシュメモリ４への書き込みを半導体ディスク
装置内だけで処理できるようにする（２４）。
【００１４】そして、ライトバッファメモリ５に受け取
ったデータをフラッシュメモリ４に書き込んでいく。ま
ず、プロセッサ２が書き込み管理テーブルのテーブル番
号０を選択することにより、ライトバッファメモリ５や
フラッシュメモリ４の物理アドレスがメモリアドレスバ
ス７１に出力される。よって、ライトバッファメモリ５
のブロック１から１ワードのデータを読み出し（２
６）、フラッシュメモリ４のチップ０にライトコマンド
を書き込み（２７）、ライトバッファメモリ５から読み
出した１ワードのデータをフラッシュメモリ４のチップ
０に書き込む（２８）。これで、フラッシュメモリ４の
チップ０は内部でのデータの書き込みが開始されるが、
内部での書き込みが終了するまでチップ０はデータの読
み書きができない。次のチップに書き込むデータがある
か判断し（２９）、あるときは、この間に別のメモリチ
ップへの書き込みを行なう。物理セクタへの変換の時述
べたように、連続セクタの書き込み時、セクタごとに別
のチップに割り当てられている。プロセッサ２が書き込
み管理テーブルのテーブル番号１を指定して（２５）、
ライトバッファメモリ５のブロック２から読みだした１
ワードのデータをフラッシュメモリ４のチップ１に書き
込む（２６，２７，２８）。続けて、テーブル番号２を
指定して、ライトバッファメモリ５のブロック３から読
みだした１ワードのデータをフラッシュメモリ４のチッ
プ２に書き込む（２６，２７，２８）。
【００１５】フラッシュメモリ４のチップ０、チップ
１、チップ２それぞれに１ワードのデータを書き終えた
ら（２９）、最初に書き込んだフラッシュメモリ４のチ
ップ０のステータスポーリングを行ない（３３）、フラ
ッシュメモリ４のチップ内部での書き込みが終了したか
確認する。この時も書き込みと同様に、プロセッサ２が
書き込み管理テーブルのテーブル番号０を指定すること
によって、フラッシュメモリ４のチップ０のステータス
を読みだす。ここでフラッシュメモリ４のチップ０の内
部で書き込みが終了していなければステータスポーリン
グを繰り返す。書き込みが終了していたら、書き込み管
理テーブルのテーブル０のカウンタ値をインクリメント
する（３４）。同様にして、書き込み管理テーブルに次
のテーブルがあるか判断し（３５）、あるときは、テー
ブル番号１を指定し、フラッシュメモリ４のチップ０の
次にデータの書き込みを行なったチップ１のステータス
ポーリングを行なう。そして、フラッシュメモリ４のチ
ップ１の内部での書き込みが終了していたら、その次に
データを書き込んだフラッシュメモリ４のチップ２のス
テータスポーリングを行なう（３３）。書き込みを行な
ったフラッシュメモリ４のすべてのチップが、内部での
書き込みを終了していたら、書き込みシーケンスの最初
に戻る。
【００１６】ここで、カウンタが５１２バイトに達して
いるか判断し、達していたら、バッファメモリ５からフ
ラッシュメモリ４への全てのデータの書き込みが終了し
たことになる。カウンタがまだ５１２バイト以下の場
合、前記の書き込み方式で続けて５１２バイトの書き込
みが終了するまで繰り返す。そして、ライトバッファメ
モリ５からフラッシュメモリ４への全てのデータの書き
込みが終了したら、プロセッサ２はＶｐｐ発生回路６に
対して書き込み電源Ｖｐｐの発生を停止させる（３
７）。
【００１７】前記実施例でも明らかな様に３セクタのデ
ータをほぼ１セクタの書き込み時間でフラッシュメモリ
への書き込みが行なえる。本実施例では３セクタの書き
込みの例を示したが、これは、３セクタより多くのセク
タのデータの書き込みも同様であることは明らかであ
る。
【００１８】また前記実施例は、セクタ単位で書き込む
フラッシュメモリを別チップに割り当てたが、セクタ内
の５１２バイトを複数のブロックに分割する方法も有
る。その分割したブロック単位で異なるフラッシュメモ
リに書き込みを割り当てる。例えば５１２バイトを３２
バイト単位として１６ブロックに分割する。そして、１
ブロックから１６ブロックを、それぞれフラッシュメモ
リの異なるチップに書き込む。これは３２バイト単位と
したが、１６バイトや６４バイトなど任意のバイト単位
で良い。
【００１９】また、前記実施例はライトコマンドと１ワ
ードのデータを書き込んでから、次の１ワードのデータ
の書き込みまで一定の待ち時間があるフラッシュメモリ
を示した。しかし、ページ書き込みのできるフラッシュ
メモリ、即ちページライトコマンドを書き込んでから、
複数ワードのデータを連続に書き込むことができ、複数
ワードのデータを書き込んでからフラッシュメモリ内部
でメモリチップへの書き込みが終了するまでに一定の待
ち時間があるフラッシュメモリも、前記実施例と同様に
して、ページ単位でデータを書き込んでからステータス
ポーリングまでの時間に、データを書き込んだフラッシ
ュメモリチップとは別のフラッシュメモリチップへのデ
ータの書き込みを行なう。
【００２０】また、フラッシュメモリ４へのデータの書
き込みだけでなく、消去についても同様のことがいえ
る。フラッシュメモリ４はチップ単位あるいは複数ワー
ドを一単位としたブロック単位で消去する。その消去方
法は、フラッシュメモリ４に消去するブロックを示すア
ドレスの指定と同時に消去コマンドを書き込むことで、
フラッシュメモリ４内部での消去処理を起動する。そし
て、フラッシュメモリ４内部での消去が終了するまで一
定時間の待ち時間となる。その間は消去処理を行なって
いるフラッシュメモリ４へはステータスポーリング以外
のアクセスはできない。そして、一定時間が経った後ス
テータスポーリングにより内部での消去の終了が確認さ
れたら、次のフラッシュメモリの消去に移る。この一定
時間の間に、消去を実行しているフラッシュメモリとは
別のフラッシュメモリに消去コマンドを書き込み、複数
のフラッシュメモリの消去を同時に行なうことにより、
半導体ディスク装置全体での消去の高速化を実現する。
【００２１】図１の構成の半導体ディスク装置におい
て、プロセッサ２が制御する消去動作を図４のフローチ
ャートに示す。フラッシュメモリ４の消去時にも書き込
み電源Ｖｐｐを印加する必要が有るため、プロセッサ２
はＶｐｐ発生回路６に対して書き込み電源Ｖｐｐの発生
を起動する（４１）。そして、プロセッサ２は消去する
フラッシュメモリ４の物理セクタ番号を図３の書き込み
管理テーブルに設定する（４２）。この時、消去する領
域が別のメモリチップになるように設定する。本実施例
ではフラッシュメモリ４の消去単位が１セクタである場
合について述べる。書き込み管理テーブルに消去するセ
クタの設定を行なった後、書き込み管理テーブルの指定
を更新しながら（４３）、テーブルの差し示すフラッシ
ュメモリ４のそれぞれのチップに消去コマンドを書き込
む（４４）。次消去領域があるか判断し（４５）、消去
コマンドの書き込みがすべて終了したら、テーブル指定
を更新し（４６）、最初に消去コマンドを書き込んだメ
モリチップからステータスポーリングを行ない（４
７）、フラッシュメモリ４内部での消去処理が終了した
かを確認する。そして次テーブル指定の有無を判断し
（４８）、全てのフラッシュメモリの消去処理が終了し
たら、プロセッサ２はＶｐｐ発生回路６に対して書き込
み電源Ｖｐｐの発生を停止させる（４９）。
【００２２】上記実施例は、１セクタ単位での消去を行
なうフラッシュメモリについて述べた。しかし、フラッ
シュメモリによって、消去単位が違う。よって、フラッ
シュメモリの消去単位の違いにより書き込み管理テーブ
ルの設定方法を違える。フラッシュメモリがチップ単位
での消去の場合、書き込み管理テーブルのフラッシュメ
モリのチップ番号の欄だけの設定で良い。また、複数ワ
ード単位で消去を行なうフラッシュメモリの場合は、書
き込み管理テーブルのフラッシュメモリのチップ番号と
セクタ番号の２つの欄のセットとなる。しかし、複数ワ
ード単位で消去を行なうフラッシュメモリであっても、
１セクタ単位での消去とは限らない。フラッシュメモリ
が複数セクタの容量を１ブロックとして消去する場合、
書き込み管理テーブルのフラッシュメモリのセクタ番号
の欄の設定を行なうことで複数セクタの消去となる。
【００２３】前記実施例では、書き込みや消去時など書
き込み電源Ｖｐｐが必要な場合、全てのフラッシュメモ
リ４に書き込み電源Ｖｐｐを印加している。しかし、書
き込み電源Ｖｐｐを書き込みを行なうフラッシュメモリ
にのみ印加する方法も有る。その実施例である半導体デ
ィスク装置のブロック図を図５に示す。図中６１はＶｐ
ｐ発生回路６からフラッシュメモリ４へ書き込み電源Ｖ
ｐｐの印加をオンオフするスイッチ部であり、プロセッ
サ２で制御され、複数の書き込み電源Ｖｐｐの出力の選
択が可能である。その他は図１と同じ構成である。標準
バス１から書き込みの要求がきたとき、プロセッサ２は
Ｖｐｐ発生回路６に対して書き込み電源Ｖｐｐの発生を
起動する。その後、論理セクタ番号を物理セクタ番号に
変換し、物理セクタ番号を図２の書き込み管理テーブル
に保持する。この時、書き込みを行なう複数あるいは一
つのフラッシュメモリ４への書き込み電源Ｖｐｐを、Ｖ
ｐｐスイッチ部６１の指定によってそれぞれ印加してや
る。この書き込み電源ＶｐｐのＶｐｐスイッチ部６１の
指定による印加は、書き込み時だけでなく、消去などフ
ラッシュメモリ４が書き込み電源Ｖｐｐを必要とする場
合に行なうのは明らかである。
【００２４】また、前記実施例は、書き込みや消去時に
電源電圧とは異なる電圧値の書き込み電源Ｖｐｐが必要
であるフラッシュメモリについて述べた。しかし、単一
電源のフラッシュメモリ、要するに書き込み電源Ｖｐｐ
が必要の無いフラッシュメモリを搭載した半導体ディス
ク装置のブロック図を図６に示す。構成は図１と同じで
あるが、Ｖｐｐ発生回路６を搭載する必要が無い。ま
た、図２の書き込みフローチャートや、図４の消去のフ
ローチャートで書き込み電源のオンオフ処理が必要無く
なるのは明らかである。
【００２５】また、前記実施例では、書き込むフラッシ
ュメモリのチップの選択をチップイネーブル信号ＣＥで
行なっている。しかし、チップイネーブル信号ＣＥでな
くライトイネーブル信号ＷＥで書き込むフラッシュメモ
リの選択を制御する方法が有る。その時の半導体ディス
ク措置のブロック図を図７に示す。図中３２は書き込み
を行なうフラッシュメモリ４へのライトイネーブル信号
ＷＥを選択的にフラッシュメモリ４に与える、ＷＥ選択
部である。その他は図１と同じ構成である。ＷＥ選択部
３２は書き込みが発生したフラッシュメモリに対しての
みライトイネーブル信号を有効にする。プロセッサ２が
行なう書き込みの制御は、図２のフローチャートが示す
動作と同じとなる。
【００２６】また、フラッシュメモリ４にはライトイネ
ーブル信号ＷＥが無いものが有る。このフラッシュメモ
リにデータを書き込む場合には、チップイネーブル信号
ＣＥと、書き込み電源Ｖｐｐの制御により書き込みを制
御する。このようなフラッシュメモリであっても、本発
明を用い、書き込みや消去の高速化が図れる。
【００２７】以上の説明から明らかなように、本発明に
よれば、大量の書き込みデータが有る補助記憶装置等
に、読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメ
モリを用いても、装置全体での書き込みを高速に行なえ
るという効果が有る。特に、連続した大量のデータの書
き込みが有る場合に効果が大きい。また、複数領域同時
の消去に関しても高速に消去できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ために、データの書き込み時間を短縮した半導体記憶装
置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の動作を行なう一実施例の半導体ディス
ク装置のブロック図。
【図２】本発明の書き込み動作を示すフローチャート。
【図３】本発明の動作で用いる、書き込み管理テーブ
ル。
【図４】本発明の消去動作を示すフローチャート。
【図５】本発明の動作を行なう一実施例の半導体ディス
ク装置のブロック図。
【図６】本発明の動作を行なう一実施例の半導体ディス
ク装置のブロック図。
【図７】本発明の動作を行なう一実施例の半導体ディス
ク装置のブロック図。
【図８】フラッシュメモリの１ワードの書き込みタイミ
ング波形の説明図。
【符号の説明】
１・・・標準バス ２・・・プロセッサ ３１・・・アドレス制御部 ３２・・・ＷＥ選択部 ４・・・フラッシュメモリ ５・・・ライトバッファメモリ ６・・・Ｖｐｐ発生回路 ６１・・・Ｖｐｐスイッチ部 ７１・・・アドレスバス ７２・・・データバス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 常広 隆司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マイクロエレクトロニク ス機器開発研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フ
    ラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置
    において、 書き込み指示を上記フラッシュメモリに送り、書き込み
    指示が送られた上記フラッシュメモリが次の書き込み指
    示を受付可能となるまでの間に、書き込みが行なわれて
    いる上記フラッシュメモリとは別のフラッシュメモリに
    書き込み指示を送る制御部を有することを特徴とした半
    導体記憶装置。
  2. 【請求項２】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フ
    ラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置
    において、 書き込み指示を上記フラッシュメモリに送る制御部を有
    し、 書き込み指示が送られた上記フラッシュメモリは、次の
    書き込み指示を受付可能となると受付可能の信号を出力
    し、 制御部は、上記受付可能の信号を受付けるまでの間に、
    書き込みが行なわれている上記フラッシュメモリとは別
    のフラッシュメモリに書き込み指示を送ることを特徴と
    した半導体記憶装置。
  3. 【請求項３】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フ
    ラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置
    において、 データの消去の指示を上記フラッシュメモリに送り、指
    示が送られた上記フラッシュメモリが次の消去の指示を
    受付可能となるまでの間に、消去が行なわれている上記
    フラッシュメモリとは別のフラッシュメモリに消去の指
    示を送る制御部を有することを特徴とした半導体記憶装
    置。
  4. 【請求項４】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フ
    ラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置
    において、 データの消去の指示を上記フラッシュメモリに送る制御
    部を有し、 消去の指示が送られた上記フラッシュメモリは、次の消
    去の指示が受付可能となると受付可能の信号を出力し、 制御部は、上記受付可能の信号を受付けるまでの間に、
    消去が行なわれている上記フラッシュメモリとは別のフ
    ラッシュメモリに消去の指示を送ることを特徴とした半
    導体記憶装置。
  5. 【請求項５】フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フ
    ラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置
    において、 データの書き込みの指示もしくはデータの消去の指示を
    上記フラッシュメモリに送り、データの書き込みの指示
    もしくはデータの消去の指示を送ったフラッシュメモリ
    を示す信号を出力する制御部と、 上記フラッシュメモリを示す信号を受けて、上記フラッ
    シュメモリがデータを書き込む際もしくはデータを消去
    する際に使用する電圧を、上記書き込みもしくは消去が
    行われているフラッシュメモリに選択的に供給するスイ
    ッチを有することを特徴とした半導体記憶装置。
  6. 【請求項６】請求項１、２、３、４または５記載の半導
    体記憶装置において、 データの書き込みの指示もしくはデータの消去の指示を
    受けたフラッシュメモリの論理アドレスと物理アドレス
    の対応情報を記憶する記憶手段を有することを特徴とし
    た半導体記憶装置。
JP16307492A 1992-06-22 1992-06-22 半導体記憶装置 Expired - Lifetime JP3328321B2 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16307492A JP3328321B2 (ja) 1992-06-22 1992-06-22 半導体記憶装置
KR1019930011286A KR960013024B1 (ko) 1992-06-22 1993-06-21 반도체 기억장치
US08/079,550 US5530828A (en) 1992-06-22 1993-06-22 Semiconductor storage device including a controller for continuously writing data to and erasing data from a plurality of flash memories
US08/669,914 US5809515A (en) 1992-06-22 1996-06-25 Semiconductor storage device in which instructions are sequentially fed to a plurality of flash memories to continuously write and erase data
US09/006,486 US6145050A (en) 1992-06-22 1998-01-13 Semiconductor disk storage apparatus including a write buffer memory in which instructions are sequentially fed to a plurality of flash memories to continuously write sectors of data in an overlapped manner into the flash memories
US09/706,843 US6457092B1 (en) 1992-06-22 2000-11-07 Semiconductor disk storage apparatus including a plurality of flash memories and a buffer memory to continuously write data responsive to first and second write commands
US09/879,960 US6549974B2 (en) 1992-06-22 2001-06-14 Semiconductor storage apparatus including a controller for sending first and second write commands to different nonvolatile memories in a parallel or time overlapped manner
US10/132,322 US6598115B2 (en) 1992-06-22 2002-04-26 Semiconductor storage apparatus including a plurality of nonvolatile flash memories and utilizing logical to physical sector conversion
US10/387,478 US6728826B2 (en) 1992-06-22 2003-03-14 Semiconductor storage device in which commands are sequentially fed to a plurality of flash memories to continuously write data
US10/784,995 US20040167653A1 (en) 1992-06-22 2004-02-25 Semiconductor storage apparatus in which different erase commands are sequentially sent to a plurality of nonvolatile semiconductor memories
US12/466,907 US8001319B2 (en) 1992-06-22 2009-05-15 Semiconductor storage device
US13/210,831 US20120011307A1 (en) 1992-06-22 2011-08-16 Semiconductor storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16307492A JP3328321B2 (ja) 1992-06-22 1992-06-22 半導体記憶装置

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17545899A Division JP3328604B2 (ja) 1992-06-22 1999-06-22 半導体記憶装置
JP17545999A Division JP3328605B2 (ja) 1992-06-22 1999-06-22 半導体記憶装置
JP2002011910A Division JP3793464B2 (ja) 2002-01-21 2002-01-21 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH064399A true JPH064399A (ja) 1994-01-14
JP3328321B2 JP3328321B2 (ja) 2002-09-24

Family

ID=15766691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16307492A Expired - Lifetime JP3328321B2 (ja) 1992-06-22 1992-06-22 半導体記憶装置

Country Status (3)

Country Link
US (5) US5530828A (ja)
JP (1) JP3328321B2 (ja)
KR (1) KR960013024B1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09245491A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Nec Eng Ltd オーディオファイル装置
WO2001008015A1 (fr) * 1999-07-28 2001-02-01 Sony Corporation Systeme d'enregistrement, dispositif d'enregistrement de donnees, dispositif a memoire et procede d'enregistrement de donnees
WO2001008014A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-01 Sony Corporation Recording system, data recording device, memory device, and data recording method
JP2001297316A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Mitsubishi Electric Corp メモリカード及びその制御方法
JP2002055878A (ja) * 2000-08-09 2002-02-20 Sony Corp データ蓄積装置
JP2003501758A (ja) * 1999-06-04 2003-01-14 ドゥデケム・ダコズ，ザビエール・ギィ・ベルナール カードメモリ装置
WO2003060722A1 (fr) * 2002-01-09 2003-07-24 Renesas Technology Corp. Système de mémoire et carte mémoire
JP2004511030A (ja) * 2000-07-07 2004-04-08 レクサー　メディア，インク． ホスト互換性を有し、同時にプログラミング可能なマルチフラッシュメモリバンクを実現するメモリアーキテクチャ
JP2007299389A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Thomson Licensing フラッシュ・メモリへの書込み方法及び書込み装置
US7302517B2 (en) 2003-01-09 2007-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for controlling execute-in-place (XIP) in serial flash memory, and flash memory chip using the same
EP2278470A1 (en) 2009-07-13 2011-01-26 Fujitsu Limited Memory system and information processing device
US8508939B2 (en) 2008-05-15 2013-08-13 Panasonic Corporation Fan and electronic device equipped with the same
JP2016033818A (ja) * 2014-07-30 2016-03-10 ▲ホア▼▲ウェイ▼技術有限公司 データ処理方法、装置、およびシステム
USRE49709E1 (en) 2013-12-02 2023-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Blower and outdoor unit of air conditioner comprising same

Families Citing this family (158)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101495795B1 (ko) 2008-06-13 2015-02-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US8027194B2 (en) 1988-06-13 2011-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system and method of accessing a semiconductor memory device
US5430859A (en) * 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
TW261687B (ja) 1991-11-26 1995-11-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US6347051B2 (en) * 1991-11-26 2002-02-12 Hitachi, Ltd. Storage device employing a flash memory
JP3328321B2 (ja) 1992-06-22 2002-09-24 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US6549974B2 (en) 1992-06-22 2003-04-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor storage apparatus including a controller for sending first and second write commands to different nonvolatile memories in a parallel or time overlapped manner
US5592415A (en) * 1992-07-06 1997-01-07 Hitachi, Ltd. Non-volatile semiconductor memory
KR970008188B1 (ko) 1993-04-08 1997-05-21 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플래시메모리의 제어방법 및 그것을 사용한 정보처리장치
US6078520A (en) * 1993-04-08 2000-06-20 Hitachi, Ltd. Flash memory control method and information processing system therewith
JP2669365B2 (ja) * 1994-11-24 1997-10-27 日本電気株式会社 書換え可能なｒｏｍファイル装置
US6108237A (en) 1997-07-17 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Fast-sensing amplifier for flash memory
US5682496A (en) * 1995-02-10 1997-10-28 Micron Quantum Devices, Inc. Filtered serial event controlled command port for memory
US5606532A (en) * 1995-03-17 1997-02-25 Atmel Corporation EEPROM array with flash-like core
JPH08328762A (ja) * 1995-06-06 1996-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体ディスク装置及びそのメモリ管理方法
JP3782840B2 (ja) 1995-07-14 2006-06-07 株式会社ルネサステクノロジ 外部記憶装置およびそのメモリアクセス制御方法
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5845313A (en) * 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US5893135A (en) * 1995-12-27 1999-04-06 Intel Corporation Flash memory array with two interfaces for responding to RAS and CAS signals
JP3197815B2 (ja) * 1996-04-15 2001-08-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 半導体メモリ装置及びその制御方法
US5761732A (en) * 1996-06-28 1998-06-02 Intel Corporation Interleaving for memory cards
GB2353120B (en) * 1996-06-28 2001-03-21 Intel Corp Method and apparatus for protecting flash memory
US5778070A (en) * 1996-06-28 1998-07-07 Intel Corporation Method and apparatus for protecting flash memory
US6275911B1 (en) * 1996-09-20 2001-08-14 Denso Corporation Memory writing device for an electronic device
JP2977023B2 (ja) * 1996-09-30 1999-11-10 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US6047352A (en) * 1996-10-29 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure
US6229737B1 (en) 1996-12-12 2001-05-08 Ericsson Inc. Method and apparatus for initializing semiconductor memory
US6418506B1 (en) * 1996-12-31 2002-07-09 Intel Corporation Integrated circuit memory and method for transferring data using a volatile memory to buffer data for a nonvolatile memory array
GB2326748B (en) * 1997-02-12 2001-09-12 Hyundai Electronics America A nonvolatile memory structure
KR100251636B1 (ko) * 1997-04-10 2000-05-01 윤종용 소형컴퓨터시스템인터페이스방식접속을위한메모리장치
JP3411186B2 (ja) * 1997-06-06 2003-05-26 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US6000006A (en) * 1997-08-25 1999-12-07 Bit Microsystems, Inc. Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage
US5822251A (en) * 1997-08-25 1998-10-13 Bit Microsystems, Inc. Expandable flash-memory mass-storage using shared buddy lines and intermediate flash-bus between device-specific buffers and flash-intelligent DMA controllers
US5956743A (en) * 1997-08-25 1999-09-21 Bit Microsystems, Inc. Transparent management at host interface of flash-memory overhead-bytes using flash-specific DMA having programmable processor-interrupt of high-level operations
JPH11126497A (ja) * 1997-10-22 1999-05-11 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
KR100297986B1 (ko) * 1998-03-13 2001-10-25 김영환 플래쉬 메모리 셀 어레이의 웨어 레벨링 시스템 및 웨어 레벨링 방법
JPH11273370A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃメモリ
US6243809B1 (en) * 1998-04-30 2001-06-05 Compaq Computer Corporation Method of flash programming or reading a ROM of a computer system independently of its operating system
JP2000067574A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3544476B2 (ja) * 1998-09-11 2004-07-21 富士通株式会社 メモリ管理テーブル作成方法
JP4146006B2 (ja) 1998-09-28 2008-09-03 富士通株式会社 フラッシュメモリを有する電子機器
US6279114B1 (en) 1998-11-04 2001-08-21 Sandisk Corporation Voltage negotiation in a single host multiple cards system
EP1228510B1 (en) * 1999-04-01 2006-09-20 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6591327B1 (en) * 1999-06-22 2003-07-08 Silicon Storage Technology, Inc. Flash memory with alterable erase sector size
KR100298904B1 (ko) * 1999-06-30 2001-11-01 이형도 플래쉬메모리의 인터페이스 방법
US7243185B2 (en) * 2004-04-05 2007-07-10 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory system with a high-speed flash controller
US6578054B1 (en) 1999-10-04 2003-06-10 Microsoft Corporation Method and system for supporting off-line mode of operation and synchronization using resource state information
JP2001167586A (ja) * 1999-12-08 2001-06-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ装置
US6874044B1 (en) * 2003-09-10 2005-03-29 Supertalent Electronics, Inc. Flash drive/reader with serial-port controller and flash-memory controller mastering a second RAM-buffer bus parallel to a CPU bus
US20080195798A1 (en) * 2000-01-06 2008-08-14 Super Talent Electronics, Inc. Non-Volatile Memory Based Computer Systems and Methods Thereof
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
JP2004502224A (ja) * 2000-06-27 2004-01-22 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ フラッシュブリッジとオートロードとを有する集積回路
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US6728876B1 (en) * 2000-12-27 2004-04-27 Cisco Technology, Inc. Method and apparatus to use non-volatile read/write memory for bootstrap code and processes by relocating write instructions
JP4711531B2 (ja) * 2001-03-23 2011-06-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US6732221B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd Wear leveling of static areas in flash memory
KR100389867B1 (ko) * 2001-06-04 2003-07-04 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리방법
US20030058681A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Intel Corporation Mechanism for efficient wearout counters in destructive readout memory
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
GB0123415D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
GB0123421D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
GB0123417D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Improved data processing
GB0123410D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
US6909910B2 (en) * 2002-02-01 2005-06-21 Microsoft Corporation Method and system for managing changes to a contact database
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US6621746B1 (en) * 2002-02-27 2003-09-16 Microsoft Corporation Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations
US7010662B2 (en) * 2002-02-27 2006-03-07 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking file system free space in a flash memory device
US7085879B2 (en) * 2002-02-27 2006-08-01 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking data stored in a flash memory device
US7533214B2 (en) 2002-02-27 2009-05-12 Microsoft Corporation Open architecture flash driver
US6901499B2 (en) 2002-02-27 2005-05-31 Microsoft Corp. System and method for tracking data stored in a flash memory device
AU2003279086A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-23 Insignia Solutions Plc Efficient system and method for updating a memory device
US7093101B2 (en) * 2002-11-21 2006-08-15 Microsoft Corporation Dynamic data structures for tracking file system free space in a flash memory device
US7353323B2 (en) 2003-03-18 2008-04-01 American Megatrends, Inc. Method, system, and computer-readable medium for updating memory devices in a computer system
JP4241175B2 (ja) 2003-05-09 2009-03-18 株式会社日立製作所 半導体装置
US6973519B1 (en) 2003-06-03 2005-12-06 Lexar Media, Inc. Card identification compatibility
US20050050261A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-03 Thomas Roehr High density flash memory with high speed cache data interface
US7644376B2 (en) * 2003-10-23 2010-01-05 Microsoft Corporation Flexible architecture for notifying applications of state changes
US20050251617A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-10 Sinclair Alan W Hybrid non-volatile memory system
US20050213399A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Hoover Patricia J Method and apparatus to write data
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
US7177782B2 (en) * 2004-06-18 2007-02-13 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Methods and arrangements for capturing runtime information
US20110029723A1 (en) * 2004-08-06 2011-02-03 Super Talent Electronics, Inc. Non-Volatile Memory Based Computer Systems
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7441067B2 (en) 2004-11-15 2008-10-21 Sandisk Corporation Cyclic flash memory wear leveling
US7502256B2 (en) * 2004-11-30 2009-03-10 Siliconsystems, Inc. Systems and methods for reducing unauthorized data recovery from solid-state storage devices
JP2008523468A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 テイアック エアロスペース テクノロジーズ インコーポレイテッド 不揮発記録媒体消去システム及び方法
US20060120235A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Teac Aerospace Technologies System and method of erasing non-volatile recording media
US8122193B2 (en) 2004-12-21 2012-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and user device including the same
KR100578143B1 (ko) * 2004-12-21 2006-05-10 삼성전자주식회사 버퍼 메모리에 저장된 데이터를 무효화시키는 스킴을 갖는저장 시스템 및 그것을 포함한 컴퓨팅 시스템
US7184235B2 (en) * 2005-01-18 2007-02-27 Teac Aerospace Technologies, Inc. Power management in operating recording media
US20060161724A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Bennett Alan D Scheduling of housekeeping operations in flash memory systems
US7315917B2 (en) * 2005-01-20 2008-01-01 Sandisk Corporation Scheduling of housekeeping operations in flash memory systems
US20060230455A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-12 Yuan-Chang Lo Apparatus and methods for file system with write buffer to protect against malware
JP4158934B2 (ja) * 2005-08-08 2008-10-01 ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー 半導体記憶媒体
US7500095B2 (en) * 2006-03-15 2009-03-03 Dell Products L.P. Chipset-independent method for locally and remotely updating and configuring system BIOS
ES2498096T3 (es) * 2006-03-31 2014-09-24 Mosaid Technologies Incorporated Esquema de control de sistema de memoria Flash
US20080091871A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Alan David Bennett Non-volatile memory with worst-case control data management
US20080091901A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Alan David Bennett Method for non-volatile memory with worst-case control data management
US8935302B2 (en) 2006-12-06 2015-01-13 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for data block usage information synchronization for a non-volatile storage volume
WO2008070814A2 (en) 2006-12-06 2008-06-12 Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) Apparatus, system, and method for a scalable, composite, reconfigurable backplane
US7710777B1 (en) 2006-12-20 2010-05-04 Marvell International Ltd. Semi-volatile NAND flash memory
CN101617371B (zh) 2007-02-16 2014-03-26 莫塞德技术公司 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器
KR100865816B1 (ko) * 2007-02-26 2008-10-28 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법
US8959307B1 (en) 2007-11-16 2015-02-17 Bitmicro Networks, Inc. Reduced latency memory read transactions in storage devices
JP5218228B2 (ja) * 2008-04-23 2013-06-26 新東工業株式会社 搬送装置及びブラスト加工装置
KR100986427B1 (ko) * 2008-05-14 2010-10-08 현대자동차주식회사 무단적재 부품 분할장치
KR101056560B1 (ko) * 2009-02-11 2011-08-11 (주)인디링스 고체 상태 디스크 시스템에서 버퍼 캐시의 프로그래밍 방법및 장치
KR20100115583A (ko) * 2009-04-20 2010-10-28 삼성전자주식회사 데이터 저장 시스템
US8341338B2 (en) 2009-05-06 2012-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device and related method of operation
KR101143397B1 (ko) 2009-07-29 2012-05-23 에스케이하이닉스 주식회사 페이지 복사 발생 빈도를 줄이는 반도체 스토리지 시스템 및 그 제어 방법
US8688894B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
US9135190B1 (en) 2009-09-04 2015-09-15 Bitmicro Networks, Inc. Multi-profile memory controller for computing devices
US8665601B1 (en) 2009-09-04 2014-03-04 Bitmicro Networks, Inc. Solid state drive with improved enclosure assembly
US8447908B2 (en) 2009-09-07 2013-05-21 Bitmicro Networks, Inc. Multilevel memory bus system for solid-state mass storage
US8560804B2 (en) 2009-09-14 2013-10-15 Bitmicro Networks, Inc. Reducing erase cycles in an electronic storage device that uses at least one erase-limited memory device
US20110137724A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Icelero Llc Method, system and apparatus for advertisement delivery from electronic data storage devices
US9785561B2 (en) * 2010-02-17 2017-10-10 International Business Machines Corporation Integrating a flash cache into large storage systems
US20120239860A1 (en) 2010-12-17 2012-09-20 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for persistent data management on a non-volatile storage media
KR20120128978A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 데이터 관리 방법
US9372755B1 (en) 2011-10-05 2016-06-21 Bitmicro Networks, Inc. Adaptive power cycle sequences for data recovery
US10096350B2 (en) * 2012-03-07 2018-10-09 Medtronic, Inc. Memory array with flash and random access memory and method therefor, reading data from the flash memory without storing the data in the random access memory
US9043669B1 (en) 2012-05-18 2015-05-26 Bitmicro Networks, Inc. Distributed ECC engine for storage media
US8750045B2 (en) 2012-07-27 2014-06-10 Sandisk Technologies Inc. Experience count dependent program algorithm for flash memory
US9430339B1 (en) 2012-12-27 2016-08-30 Marvell International Ltd. Method and apparatus for using wear-out blocks in nonvolatile memory
US9423457B2 (en) 2013-03-14 2016-08-23 Bitmicro Networks, Inc. Self-test solution for delay locked loops
US8812744B1 (en) 2013-03-14 2014-08-19 Microsoft Corporation Assigning priorities to data for hybrid drives
US9734067B1 (en) 2013-03-15 2017-08-15 Bitmicro Networks, Inc. Write buffering
US9720603B1 (en) 2013-03-15 2017-08-01 Bitmicro Networks, Inc. IOC to IOC distributed caching architecture
US9501436B1 (en) 2013-03-15 2016-11-22 Bitmicro Networks, Inc. Multi-level message passing descriptor
US9798688B1 (en) 2013-03-15 2017-10-24 Bitmicro Networks, Inc. Bus arbitration with routing and failover mechanism
US9934045B1 (en) 2013-03-15 2018-04-03 Bitmicro Networks, Inc. Embedded system boot from a storage device
US10489318B1 (en) 2013-03-15 2019-11-26 Bitmicro Networks, Inc. Scatter-gather approach for parallel data transfer in a mass storage system
US9971524B1 (en) 2013-03-15 2018-05-15 Bitmicro Networks, Inc. Scatter-gather approach for parallel data transfer in a mass storage system
US10120694B2 (en) 2013-03-15 2018-11-06 Bitmicro Networks, Inc. Embedded system boot from a storage device
US9400617B2 (en) 2013-03-15 2016-07-26 Bitmicro Networks, Inc. Hardware-assisted DMA transfer with dependency table configured to permit-in parallel-data drain from cache without processor intervention when filled or drained
US9875205B1 (en) 2013-03-15 2018-01-23 Bitmicro Networks, Inc. Network of memory systems
US9842024B1 (en) 2013-03-15 2017-12-12 Bitmicro Networks, Inc. Flash electronic disk with RAID controller
US9430386B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Bitmicro Networks, Inc. Multi-leveled cache management in a hybrid storage system
US9672178B1 (en) 2013-03-15 2017-06-06 Bitmicro Networks, Inc. Bit-mapped DMA transfer with dependency table configured to monitor status so that a processor is not rendered as a bottleneck in a system
US9916213B1 (en) 2013-03-15 2018-03-13 Bitmicro Networks, Inc. Bus arbitration with routing and failover mechanism
US9626126B2 (en) 2013-04-24 2017-04-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Power saving mode hybrid drive access management
US9946495B2 (en) 2013-04-25 2018-04-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Dirty data management for hybrid drives
US9563551B2 (en) 2013-06-20 2017-02-07 Silicon Motion, Inc. Data storage device and data fetching method for flash memory
TWI584117B (zh) * 2013-06-20 2017-05-21 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及用於快閃記憶體之資料讀取方法
US10025736B1 (en) 2014-04-17 2018-07-17 Bitmicro Networks, Inc. Exchange message protocol message transmission between two devices
US10055150B1 (en) 2014-04-17 2018-08-21 Bitmicro Networks, Inc. Writing volatile scattered memory metadata to flash device
US10042792B1 (en) 2014-04-17 2018-08-07 Bitmicro Networks, Inc. Method for transferring and receiving frames across PCI express bus for SSD device
US9952991B1 (en) 2014-04-17 2018-04-24 Bitmicro Networks, Inc. Systematic method on queuing of descriptors for multiple flash intelligent DMA engine operation
US10078604B1 (en) 2014-04-17 2018-09-18 Bitmicro Networks, Inc. Interrupt coalescing
US9811461B1 (en) 2014-04-17 2017-11-07 Bitmicro Networks, Inc. Data storage system
KR102470606B1 (ko) 2015-11-26 2022-11-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US10552050B1 (en) 2017-04-07 2020-02-04 Bitmicro Llc Multi-dimensional computer storage system
US20220114147A1 (en) * 2018-12-19 2022-04-14 Sony Group Corporation Information processing apparatus, information processing method, and information processing program
US11061598B2 (en) * 2019-03-25 2021-07-13 Western Digital Technologies, Inc. Optimized handling of multiple copies in storage management

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63288384A (ja) * 1987-05-20 1988-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ−カ−ド
JPH0262687A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Hitachi Maxell Ltd Ｉｃカードの情報書込み方式及びｉｃカード
JPH02292798A (ja) * 1989-04-13 1990-12-04 Sundisk Corp フラッシュＥＥｐｒｏｍシステム
JPH02304614A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 周辺装置アクセス方式
JPH03252993A (ja) * 1990-03-01 1991-11-12 Fuji Electric Co Ltd Ｅ↑２ｐｒｏｍの情報書込み装置
JPH0433029A (ja) * 1990-05-24 1992-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ装置とその駆動方法
JPH0457295A (ja) * 1990-06-22 1992-02-25 Nec Corp 電気的書込消去可能メモリ回路
JPH0484216A (ja) * 1990-07-26 1992-03-17 Toshiba Corp 半導体ディスク装置のデータ消去方法
JPH0527924A (ja) * 1991-07-12 1993-02-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
JPH05242688A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Hitachi Ltd フラッシュｅｅｐｒｏｍを用いた記録再生装置
JPH06202942A (ja) * 1991-11-12 1994-07-22 Allen Bradley Co Inc フラッシュメモリ回路と操作方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4660106A (en) * 1980-09-24 1987-04-21 Quantum Corporation Data transducer position control system for rotating disk data storage equipment
DE3200872A1 (de) * 1982-01-14 1983-07-21 Sartorius GmbH, 3400 Göttingen Elektronische waage
NL8202365A (nl) * 1982-06-11 1984-01-02 Philips Nv Serie-parallel-serie schuifregistergeheugen, hetwelk redundante parallelgeschakelde opslagregisters bevat, en afbeeldtoestel, voorzien van een zodanig georganiseerd beeldgeheugen.
JP3099046B2 (ja) * 1985-08-09 2000-10-16 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置
US4803554A (en) * 1987-09-30 1989-02-07 Polaroid Corporation Electronic imaging camera utilizing EPROM memory
US4899272A (en) * 1987-10-23 1990-02-06 Chips & Technologies, Inc. Addressing multiple types of memory devices
US4924375A (en) * 1987-10-23 1990-05-08 Chips And Technologies, Inc. Page interleaved memory access
US5053990A (en) * 1988-02-17 1991-10-01 Intel Corporation Program/erase selection for flash memory
US5222046A (en) * 1988-02-17 1993-06-22 Intel Corporation Processor controlled command port architecture for flash memory
JPH01235075A (ja) * 1988-03-14 1989-09-20 Fuji Xerox Co Ltd ディスクメモリ制御装置
KR0135082B1 (ko) * 1988-04-28 1998-04-20 오가 노리오 정보 기억방법 및 그 장치
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
US5043940A (en) * 1988-06-08 1991-08-27 Eliyahou Harari Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells
JPH0748772B2 (ja) 1988-11-30 1995-05-24 日本電気株式会社 Ｉｓｄｎ端末における着信規制方法
US5065364A (en) * 1989-09-15 1991-11-12 Intel Corporation Apparatus for providing block erasing in a flash EPROM
US5222045A (en) 1990-05-25 1993-06-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device operable with power supply voltage variation
JPH04137081A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd Ｅｅｐｒｏｍを有するｉｃメモリカード
GB2251323B (en) * 1990-12-31 1994-10-12 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
GB2251324B (en) * 1990-12-31 1995-05-10 Intel Corp File structure for a non-volatile semiconductor memory
US5295255A (en) * 1991-02-22 1994-03-15 Electronic Professional Services, Inc. Method and apparatus for programming a solid state processor with overleaved array memory modules
US5663901A (en) * 1991-04-11 1997-09-02 Sandisk Corporation Computer memory cards using flash EEPROM integrated circuit chips and memory-controller systems
FR2675287B1 (fr) * 1991-04-15 1993-06-18 Bull Sa Circuit coupleur et son utilisation dans une carte et procede.
JP2549034B2 (ja) * 1991-07-22 1996-10-30 株式会社メルコ 記憶装置
US5430859A (en) * 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
US5245572A (en) * 1991-07-30 1993-09-14 Intel Corporation Floating gate nonvolatile memory with reading while writing capability
US5359569A (en) * 1991-10-29 1994-10-25 Hitachi Ltd. Semiconductor memory
JP3231832B2 (ja) * 1991-11-26 2001-11-26 株式会社日立製作所 フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスク
US5267218A (en) * 1992-03-31 1993-11-30 Intel Corporation Nonvolatile memory card with a single power supply input
US5341489A (en) * 1992-04-14 1994-08-23 Eastman Kodak Company Memory card with programmable interleaving
US5280447A (en) * 1992-06-19 1994-01-18 Intel Corporation Floating gate nonvolatile memory with configurable erasure blocks
JP3328321B2 (ja) * 1992-06-22 2002-09-24 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US5437020A (en) * 1992-10-03 1995-07-25 Intel Corporation Method and circuitry for detecting lost sectors of data in a solid state memory disk
JP3641280B2 (ja) * 1992-10-30 2005-04-20 インテル・コーポレーション フラッシュｅｅｐｒｏｍアレイのクリーン・アップすべきブロックを決定する方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63288384A (ja) * 1987-05-20 1988-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ−カ−ド
JPH0262687A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Hitachi Maxell Ltd Ｉｃカードの情報書込み方式及びｉｃカード
JPH02292798A (ja) * 1989-04-13 1990-12-04 Sundisk Corp フラッシュＥＥｐｒｏｍシステム
JPH02304614A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 周辺装置アクセス方式
JPH03252993A (ja) * 1990-03-01 1991-11-12 Fuji Electric Co Ltd Ｅ↑２ｐｒｏｍの情報書込み装置
JPH0433029A (ja) * 1990-05-24 1992-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ装置とその駆動方法
JPH0457295A (ja) * 1990-06-22 1992-02-25 Nec Corp 電気的書込消去可能メモリ回路
JPH0484216A (ja) * 1990-07-26 1992-03-17 Toshiba Corp 半導体ディスク装置のデータ消去方法
JPH0527924A (ja) * 1991-07-12 1993-02-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
JPH06202942A (ja) * 1991-11-12 1994-07-22 Allen Bradley Co Inc フラッシュメモリ回路と操作方法
JPH05242688A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Hitachi Ltd フラッシュｅｅｐｒｏｍを用いた記録再生装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09245491A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Nec Eng Ltd オーディオファイル装置
JP2003501758A (ja) * 1999-06-04 2003-01-14 ドゥデケム・ダコズ，ザビエール・ギィ・ベルナール カードメモリ装置
CN100347684C (zh) * 1999-07-28 2007-11-07 索尼公司 记录系统、数据记录设备、存储设备和数据记录方法
WO2001008015A1 (fr) * 1999-07-28 2001-02-01 Sony Corporation Systeme d'enregistrement, dispositif d'enregistrement de donnees, dispositif a memoire et procede d'enregistrement de donnees
WO2001008014A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-01 Sony Corporation Recording system, data recording device, memory device, and data recording method
US6388908B1 (en) 1999-07-28 2002-05-14 Sony Corporation Recording system, data recording device, memory device, and data recording method
US6965963B1 (en) 1999-07-28 2005-11-15 Sony Corporation Continuous arrangement of data clusters across multiple storages
JP2001297316A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Mitsubishi Electric Corp メモリカード及びその制御方法
JP2004511030A (ja) * 2000-07-07 2004-04-08 レクサー　メディア，インク． ホスト互換性を有し、同時にプログラミング可能なマルチフラッシュメモリバンクを実現するメモリアーキテクチャ
JP2002055878A (ja) * 2000-08-09 2002-02-20 Sony Corp データ蓄積装置
JP4609680B2 (ja) * 2000-08-09 2011-01-12 ソニー株式会社 データ蓄積装置
US7290109B2 (en) 2002-01-09 2007-10-30 Renesas Technology Corp. Memory system and memory card
WO2003060722A1 (fr) * 2002-01-09 2003-07-24 Renesas Technology Corp. Système de mémoire et carte mémoire
US7302517B2 (en) 2003-01-09 2007-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for controlling execute-in-place (XIP) in serial flash memory, and flash memory chip using the same
JP2007299389A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Thomson Licensing フラッシュ・メモリへの書込み方法及び書込み装置
US8508939B2 (en) 2008-05-15 2013-08-13 Panasonic Corporation Fan and electronic device equipped with the same
EP2278470A1 (en) 2009-07-13 2011-01-26 Fujitsu Limited Memory system and information processing device
US8473675B2 (en) 2009-07-13 2013-06-25 Fujitsu Limited Memory system and information processing device
USRE49709E1 (en) 2013-12-02 2023-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Blower and outdoor unit of air conditioner comprising same
JP2016033818A (ja) * 2014-07-30 2016-03-10 ▲ホア▼▲ウェイ▼技術有限公司 データ処理方法、装置、およびシステム
US9727253B2 (en) 2014-07-30 2017-08-08 Huawei Technologies, Co., Ltd. Data processing method, apparatus, and system

Also Published As

Publication number Publication date
US6598115B2 (en) 2003-07-22
US6145050A (en) 2000-11-07
US5809515A (en) 1998-09-15
US6457092B1 (en) 2002-09-24
US5530828A (en) 1996-06-25
KR940001166A (ko) 1994-01-10
JP3328321B2 (ja) 2002-09-24
US20020116571A1 (en) 2002-08-22
KR960013024B1 (ko) 1996-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH064399A (ja) 半導体記憶装置
US6549974B2 (en) Semiconductor storage apparatus including a controller for sending first and second write commands to different nonvolatile memories in a parallel or time overlapped manner
JP3105092B2 (ja) 半導体メモリ装置
US5920884A (en) Nonvolatile memory interface protocol which selects a memory device, transmits an address, deselects the device, subsequently reselects the device and accesses data
KR100716576B1 (ko) 메모리 카드, 논리 어드레스의 할당방법 및 데이터 기록방법
JP3737528B2 (ja) フラッシュ・メモリ・デバイス、それのページ・バッファー資源の割り当てをする方法および回路
US5692138A (en) Flexible user interface circuit in a memory device
KR100300250B1 (ko) 반도체기억장치및그데이터관리방법
JP4382131B2 (ja) 半導体ディスク装置
JPH08221312A (ja) メモリカード装置
JP2000148583A (ja) 半導体記憶装置
JP3793542B2 (ja) 半導体記憶装置
WO2019136986A1 (zh) 用于分散与降低非易失性储存装置峰值电流与功耗的方法
JP2000163314A (ja) 半導体記憶装置
JP3793464B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3793540B2 (ja) 半導体記憶装置
JP4158934B2 (ja) 半導体記憶媒体
JPH1139245A (ja) 半導体デバイス制御装置および半導体デバイス制御方法
JP2000306389A (ja) 不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置
KR20000055939A (ko) 플래시 메모리의 라이트장치 및 방법
KR20000031923A (ko) 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법
JPH05217386A (ja) メモリコントローラ
JP2001109589A (ja) データ蓄積装置及びデータ蓄積方法
JP2001109658A (ja) データ蓄積装置及びデータ蓄積方法
JPH05242677A (ja) 記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100712

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110712

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120712

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term