JP6411123B2 - 温度短絡素子、温度切替素子 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る温度短絡素子は、第1の電極と、上記第1の電極と隣接して設けられた第2の電極と、溶融することにより、上記第1、第2の電極間にわたって凝集し、上記第1、第2の電極を短絡させる第1の可溶導体と、絶縁基板を有し、上記第1、第2の電極は、上記絶縁基板上に形成された導体パターンであり、上記絶縁基板上に、上記第2の電極の厚みよりも高い第2の絶縁層が設けられ、上記第1の可溶導体が上記第2の電極と重畳するとともに上記第2の絶縁層に支持されることにより、上記第1、第2の電極が開放され、上記第1の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において上記第1の可溶導体が溶融するものである。
本発明が適用された温度短絡素子1は、図1(A)(B)に示すように、第1の電極11と、第1の電極11と隣接して設けられた第2の電極12と、溶融することにより、第1、第2の電極11,12間にわたって凝集し、第1、第2の電極11,12を短絡させる第1の可溶導体13とを備える。そして、温度短絡素子1は、図2(A)(B)に示すように、素子内部に発熱体を備えることなく、第1の可溶導体13の融点以上の温度雰囲気において第1の可溶導体13が溶融し、溶融導体13aが第1の電極11の周囲に凝集することにより、第1の電極11に隣接して配置された第2の電極12とも接触し、第1、第2の電極11,12間を短絡させるものである。
温度短絡素子1は、外部の熱源から伝わる熱により第1の可溶導体13を溶融させる。温度雰囲気とは、温度短絡素子1の外部の熱源によって作り出された第1の可溶導体13が溶融する温度環境をいい、例えば温度短絡素子1の近傍に設けられたデバイスの異常発熱による煽り熱が温度短絡素子1の内部に伝わることで作り出される。また、第1の可溶導体13の融点以上の温度雰囲気は、温度短絡素子1が用いられた電子製品の発火や周囲の火災による熱が温度短絡素子1の内部に伝わることで作り出されたものでもよい。さらに、第1の可溶導体13の融点以上の温度雰囲気は、事故や災害時等の緊急事態のみならず、不可逆的にスイッチをオンにするための通常の用い方として、外部の熱源による熱が温度短絡素子1の内部に伝わることで作り出されたものでもよい。
また、第1の可溶導体13を溶融させる温度雰囲気は、温度短絡素子1内部の空気又は素子内部の構成部品が素子外部の熱を伝える伝熱部材14として機能することにより作り出される。伝熱部材14は、温度短絡素子1外部の熱源の熱を伝えるものであり、例えば後述する温度短絡素子1の外筐体や絶縁基板、第1、第2の電極11,12、その他の構成部材を用いることができ、直接的、間接的に第1の可溶導体13と接続されることにより第1の可溶導体13を加熱する。伝熱部材14は、例えば、第1の電極11と接続される電極パターン、線材、又はヒートパイプ等により形成することができ、熱源15からの熱を第1の電極11を介して間接的に第1の可溶導体13に伝え、溶融させる。
第1、第2の電極11,12は、例えばアルミナ等の絶縁基板上に高融点金属ペーストの印刷・焼成等により、同一平面上に形成される。また、第1、第2の電極11,12は、高融点金属からなる線材や板材等の機構部品を用い、所定の位置に支持すること等によって形成してもよい。
第2の電極12は、少なくとも一部に第1の絶縁層17が設けられている。また、第2の電極12は、第1の電極11に支持された第1の可溶導体13が重畳されるとともに、第1の絶縁層17によって第1の可溶導体13を支持している。温度短絡素子1は、第1の電極11に接続された第1の可溶導体13が第1の絶縁層17に支持されることにより、第1、第2の電極11,12間が開放されている(図1)。
第1の可溶導体13は、温度短絡素子1の温度雰囲気により速やかに溶融されるいずれの金属を用いることができ、例えば、Sn又はSnBi系ハンダやSnIn系ハンダ、その他Snを主成分とするPbフリーハンダ等の低融点金属を好適に用いることができる。
温度短絡素子1は、図4に示す回路構成を有する。すなわち、温度短絡素子1は、動作前の状態において、第1の電極11と第2の電極12とが近接されるとともに離間されることにより絶縁され、第1の可溶導体13が溶融することにより短絡するスイッチ2を構成する。第1、第2の電極11,12は、温度短絡素子1が実装される回路基板等の電流経路上に直列接続されることにより、電源回路や信号回路等の各種外部回路28A,28B間に組み込まれる。
また、温度短絡素子1は、図6に示すように、第2の電極12に第2の可溶導体21を接続させるとともに、伝熱部材14と第1、第2の電極11,12とを連続させ、第2の電極2を介して第2の可溶導体21を溶融させてもよい。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、外部回路基板に表面実装可能に形成することができる。表面実装用に形成された温度短絡素子1は、図8(A)(B)に示すように、絶縁基板10の表面10aに第1、第2の電極11,12が積層されている。第1の可溶導体13は、接続ハンダ等の接合材18により第1の電極11上に支持されるとともに、第2の電極12と重畳され、第2の電極12上に形成された第1の絶縁層17に支持されている。これにより、温度短絡素子1は、第1、第2の電極11,12が開放されている。なお、図8(A)は表面実装型の温度短絡素子1の平面図であり、図8(B)は、同図(A)のA−A´断面図である。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、第1の電極11に支持された第1の可溶導体13の端部を支持する支持電極を設けてもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、第1の電極11に第1の可溶導体13を支持するとともに、第2の電極12に第2の可溶導体21を支持させてもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、温度短絡素子40は、第1の電極11に支持された第1の可溶導体13の一端を固定部材42により絶縁基板10に固着し、同様に、第2の電極12に支持された第2の可溶導体21の一端を固定部材42により絶縁基板10に固着してもよい。第1、第2の可溶導体13,21は、それぞれ、第1、第2の電極11,12に設けられた接合材18と、絶縁基板10の表面10a上に設けられた固定部材42に固着されることにより、温度短絡素子40がリフロー実装される際等に加熱された場合にも、互いに近接する方向に移動することがない。したがって、温度短絡素子40は、リフロー実装時等、本来の作動前に、第1、第2の可溶導体13,21が近接する方向に移動し、接触してしまう初期短絡を防止することができる。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、第1の可溶導体13が第1の電極11に支持されていなくともよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、表面実装用に形成するとともに、第1、第2の電極11,12による第1の可溶導体13の支持面積を広げ、第1の可溶導体13の変形を防止するとともに初期短絡を防止するようにしてもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40,50と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、本発明が適用された温度短絡素子は、表面実装用に形成するとともに、第2の電極12をカバー部材に設けたカバー部電極と接続してもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40,50,60と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
次いで、本発明が適用された温度切替素子について説明する。なお、温度切替素子の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40,50,60,70と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
本発明が適用された温度切替素子80は、図21(A)(B)に示すように、第1の電極11と、第1の電極11と隣接して設けられた第2の電極12と、溶融することにより、第1、第2の電極11,12間にわたって凝集し、第1、第2の電極11,12を短絡させる第1の可溶導体13と、第3の電極83及び第4の電極84と、第3、第4の電極83,84に跨って接続され、溶融することにより第3、第4の電極83,84間を遮断する第3の可溶導体81とを備える。
温度切替素子80は、上述した温度短絡素子1と同様に、外部の熱源15から伝わる熱により第1、第3の可溶導体13,81を溶融させる。温度雰囲気とは、上述したように、温度切替素子80の外部の熱源15によって作り出された第1、第3の可溶導体13,81が溶融する温度環境をいい、例えば温度切替素子80の近傍に設けられたデバイスの異常発熱による煽り熱が温度切替素子80の内部に伝わることで作り出される。また、第1、第3の可溶導体13,81の融点以上の温度雰囲気は、温度切替素子80が用いられた電子製品の発火や周囲の火災による熱が温度切替素子80の内部に伝わることで作り出されたものでもよい。さらに、第1、第3の可溶導体13,81の融点以上の温度雰囲気は、事故や災害時等の緊急事態のみならず、不可逆的にスイッチを切り替えるための通常の用い方として、外部の熱源による熱が温度切替素子80の内部に伝わることで作り出されたものでもよい。
また、第1、第3の可溶導体13,81を溶融させる温度雰囲気は、温度切替素子80内部の空気又は素子内部の構成部品が素子外部の熱を伝える伝熱部材82として機能することにより作り出される。伝熱部材82は、温度切替素子80外部の熱源の熱を伝えるものであり、例えば後述する温度切替素子80の外筐体や絶縁基板、第1〜第4の電極11,12,83,84、その他の構成部材を用いることができ、直接的、間接的に第1、第3の可溶導体13,81と接続されることにより第1、第3の可溶導体13,81を加熱する。伝熱部材82は、例えば、第1の電極11や第3、第4の電極83,84と接続される電極パターン、線材、又はヒートパイプ等により形成することができ、熱源15からの熱を第1の電極11を介して間接的に第1の可溶導体13に伝える第1の伝熱部材82Aと、熱源15からの熱を直接に第3の可溶導体81に伝える第2の伝熱部材82Bとを有する。
第1、第2の電極11,12は、上述した温度短絡素子1と同様である。第3、第4の電極83,84も、第1、第2の電極11,12と同様に、例えばアルミナ等の絶縁基板上に高融点金属ペーストの印刷・焼成等により、同一平面上に形成される。また、第3、第4の電極83,84は、高融点金属からなる線材や板材等の機構部品を用い、所定の位置に支持すること等によって形成してもよい。
第3の可溶導体81は、第1の可溶導体13と同様に、温度切替素子80の温度雰囲気により速やかに溶融されるいずれの金属を用いることができ、例えば、Sn又はSnBi系ハンダやSnIn系ハンダ、その他Snを主成分とするPbフリーハンダ等の低融点金属を好適に用いることができる。
温度切替素子80は、図23(A)(B)に示す回路構成を有する。すなわち、温度切替素子80は、動作前の状態において、第1の電極11と第2の電極12とが近接されるとともに離間されることにより絶縁され、第1の可溶導体13が溶融することにより短絡するスイッチ2を構成する。また、温度切替素子80は、第3、第4の電極83,84間が第3の可溶導体81を介して接続され、第3の可溶導体81が溶融することにより遮断される。
また、温度切替素子80は、第1の可溶導体13と第3の可溶導体81との溶融順序を規定することにより、外部回路28A,28B間の短絡と、外部回路85A,85B間の遮断との順序を規定してもよい。
また、本発明が適用された温度切替素子は、外部回路基板に表面実装可能に形成することができる。表面実装用に形成された温度切替素子80は、図25(A)(B)に示すように、絶縁基板10の表面10aに第1〜第4の電極11,12,83,84が積層されている。第1の可溶導体13は、接続ハンダ等の接合材18により第1の電極11上に支持されるとともに、第2の電極12と重畳され、第2の電極12上に形成された第1の絶縁層17に支持されている。これにより、温度切替素子80は、第1、第2の電極11,12が開放されている。第3の可溶導体81は、接合材18により第3、第4の電極83,84上に跨って接続されている。なお、図25(A)は表面実装型の温度切替素子80の平面図であり、図25(B)は、同図(A)のA−A´断面図である。
また、本発明が適用された温度切替素子は、表面実装用に形成するとともに、第1、第2の電極11,12による第1の可溶導体13の支持面積を広げ、第1の可溶導体13の変形を防止するとともに初期短絡を防止するようにしてもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40,50,60,70及び温度切替素子80と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、本発明が適用された温度切替素子は、第1の電極11に第1の可溶導体13を支持するとともに、第2の電極12に第2の可溶導体21を支持させてもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,40,50,60,70及び温度切替素子80と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
また、上述したように温度切替素子90は、温度切替素子80と同様に、第1の可溶導体13と第3の可溶導体81との溶融順序を規定することにより、外部回路28A,28B間の短絡と、外部回路85A,85B間の遮断との順序を規定してもよい。第1の可溶導体13と第3の可溶導体81との溶融順序は、第1の可溶導体13と第3の可溶導体81の融点差を設ける、又は断面積を変えることにより規定することができる。
また、本発明が適用された温度切替素子は、表面実装用に形成するとともに、第2の電極12をカバー部材に設けたカバー部電極と接続してもよい。なお、以下の説明において、上述した温度短絡素子1,30,40,50,60,70及び温度切替素子80,90と同一の構成については同一の符号を付してその詳細を省略する。
なお、上述した各温度短絡素子1,30,40,50,60,70及び温度切替素子80,90,97において、板状に形成された第1の可溶導体13は、第1の電極11との接続面積の2倍以上の面積を有することが好ましい。これにより、第1の可溶導体13は、第1の電極11と第2の電極12又はカバー部電極71との間を短絡させるのに十分な溶融導体13aの量を確保するとともに、端部を固定部材42や第1の支持電極31に支持されている場合にも、速やかに溶断することができる。
上述したように、第1〜第3の可溶導体13,21,81は、低融点金属と高融点金属とを含有してもよい。なお、以下の説明においては、特に区別する必要がある場合を除き、第1〜第3の可溶導体13,21,81をまとめて「可溶導体13,21,81」という。低融点金属としては、Snを主成分とするPbフリーハンダなどのハンダを用いることが好ましく、高融点金属としては、Ag、Cu又はこれらを主成分とする合金などを用いることが好ましい。このとき、可溶導体13,21,81は、図33(A)(B)に示すように、内層として低融点金属層92が設けられ、外層として高融点金属層91が設けられた可溶導体を用いてもよい。この場合、可溶導体13,21,81は、低融点金属層92の全面が高融点金属層91によって被覆された構造としてもよく、相対向する一対の側面を除き被覆された構造であってもよい。
Claims (64)
- 第1の電極と、
上記第1の電極と隣接して設けられた第2の電極と、
溶融することにより、上記第1、第2の電極間にわたって凝集し、上記第1、第2の電極を短絡させる第1の可溶導体とを備え、
上記第2の電極の少なくとも一部に第1の絶縁層が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第2の電極と重畳するとともに上記第1の絶縁層に支持されることにより、上記第1、第2の電極が開放され、
上記第1の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において上記第1の可溶導体が溶融する温度短絡素子。 - 第1の電極と、
上記第1の電極と隣接して設けられた第2の電極と、
溶融することにより、上記第1、第2の電極間にわたって凝集し、上記第1、第2の電極を短絡させる第1の可溶導体と、
絶縁基板を有し、
上記第1、第2の電極は、上記絶縁基板上に形成された導体パターンであり、
上記絶縁基板上に、上記第2の電極の厚みよりも高い第2の絶縁層が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第2の電極と重畳するとともに上記第2の絶縁層に支持されることにより、上記第1、第2の電極が開放され、
上記第1の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において上記第1の可溶導体が溶融する温度短絡素子。 - 熱源からの熱を伝える伝熱部材を備え、
上記伝熱部材が上記第1の電極又は上記第1の可溶導体と連続されている請求項1又は2に記載の温度短絡素子。 - 上記伝熱部材は、少なくとも表面が絶縁材料である請求項3に記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極に支持されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 第1の絶縁層が上記第1、第2の電極上に積層されるとともに、上記第1、2の電極の対向する各先端部を露出させる開口が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第1の絶縁層の上記開口を覆うように搭載されている請求項2に記載の温度短絡素子。 - 上記第1の可溶導体を支持する第1の支持電極が設けられている請求項1〜6のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 少なくとも上記第1の可溶導体を覆うカバー部材を有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記カバー部材の天面は、内部に上記第1の電極及び上記第1の可溶導体と重畳するとともに上記第2の電極と連続するカバー部電極が設けられ、
上記第1の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において上記第1の可溶導体が溶融し、上記カバー部電極を介して上記第1、第2の電極が短絡する請求項8記載の温度短絡素子。 - 上記絶縁基板、上記第1の電極又は外筐体が、上記第1の可溶導体に熱源からの熱を伝える伝熱部材となる請求項2又は6に記載の温度短絡素子。
- 上記絶縁基板が、セラミック基板又は表面が絶縁コートされた金属基板である請求項2,6,10のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記第2の電極に接続された第2の可溶導体を備える請求項1〜11のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極との接続面積よりも大きな面積を有する請求項1〜12のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極との接続部以外の部位が固定部材により、少なくとも上記絶縁基板又は上記第2の絶縁層のいずれかと固着されている請求項2記載の温度短絡素子。
- 上記第2の可溶導体は、上記第2の電極との接続面積よりも大きな面積を有する請求項12に記載の温度短絡素子。
- 上記第1、第2の可溶導体を支持する第2の支持電極が設けられている請求項12又は15に記載の温度短絡素子。
- 上記第2の電極に接続された第2の可溶導体を備え、
上記第2の可溶導体は、上記第2の電極との接続部以外の部位が固定部材により、上記絶縁基板と固着されている請求項2,6,10,11のいずれか1項に記載の温度短絡素子。 - 上記第1の可溶導体の少なくとも一部にフラックスが塗布されている請求項1〜17のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、低融点金属と高融点金属とを有する請求項1〜18のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記低融点金属と上記高融点金属の積層体である請求項19記載の温度短絡素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記低融点金属の表面が上記高融点金属で被覆された被覆構造である請求項19に記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属はハンダであり、上記高融点金属はAg、Cu、又はAg若しくはCuを主成分とする合金である請求項19〜21のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属は、Sn又はSnを主成分とする合金である請求項22記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属は、SnBi系又はSnIn系の低融点合金である請求項22記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属は、上記高融点金属よりも体積が多い請求項19〜24のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面にメッキすることにより形成される請求項19〜25のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面に金属箔を貼着させることにより形成される請求項19〜25のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面に薄膜形成工程により形成される請求項19〜25のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記高融点金属の表面に、さらに酸化防止膜が形成されている請求項19〜28のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属と上記高融点金属とが、交互に複数層積層されている請求項19〜29のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 上記低融点金属の対向する2端面を除く外周部が上記高融点金属によって被覆されている請求項19〜30のいずれか1項に記載の温度短絡素子。
- 第1の電極と、
上記第1の電極と隣接して設けられた第2の電極と、
溶融することにより、上記第1、第2の電極間にわたって凝集し、上記第1、第2の電極を短絡させる第1の可溶導体と、
第3の電極及び第4の電極と、
上記第3、第4の電極に跨って接続され、溶融することにより上記第3、第4の電極間を遮断する第3の可溶導体と、
絶縁基板を有し、
上記第1〜第4の電極は、上記絶縁基板上に形成された導体パターンであり、
上記絶縁基板上に、上記第2の電極の厚みよりも高い第2の絶縁層が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第2の電極と重畳するとともに上記第2の絶縁層に支持されることにより、上記第1、第2の電極が開放され、
上記第1、第3の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において、上記第1、第3の可溶導体が溶融する温度切替素子。 - 熱源からの熱を伝える伝熱部材を備え、
上記伝熱部材は、上記第1の電極又は上記第1の可溶導体、及び上記第3の電極又は上記第3の可溶導体と連続されている請求項32記載の温度切替素子。 - 上記伝熱部材は、少なくとも表面が絶縁材料である請求項33に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極に支持されている請求項32〜34のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第2の電極の少なくとも一部に第1の絶縁層が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第2の電極と重畳するとともに上記第1の絶縁層に支持されることにより、上記第1、第2の電極が開放されている請求項32〜35のいずれか1項に記載の温度切替素子。 - 第1の絶縁層が上記第1、第2の電極上に積層されるとともに、上記第1、2の電極の対向する各先端部を露出させる開口が設けられ、
上記第1の可溶導体が上記第1の絶縁層の上記開口を覆うように搭載されている請求項32に記載の温度切替素子。 - 上記第1の可溶導体を支持する第1の支持電極が設けられている請求項32〜37のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 少なくとも上記第1の可溶導体を覆うカバー部材を有する請求項32〜38のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記カバー部材の天面は、内部に上記第1の電極及び上記第1の可溶導体と重畳するとともに上記第2の電極と連続するカバー部電極が設けられ、
上記第1の可溶導体の融点以上の温度雰囲気において上記第1の可溶導体が溶融し、上記カバー部電極を介して上記第1、第2の電極が短絡する請求項39記載の温度切替素子。 - 上記絶縁基板、上記第1の電極、上記第3の電極又は外筐体が、上記第1の可溶導体及び/又は第3の可溶導体に熱源からの熱を伝える伝熱部材となる請求項32〜37のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記絶縁基板が、セラミック基板又は表面が絶縁コートされた金属基板である請求項32〜41のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第2の電極に接続された第2の可溶導体を備える請求項32〜42のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極との接続面積よりも大きな面積を有する請求項32〜43のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体は、上記第1の電極との接続部以外の部位が固定部材により、少なくとも上記絶縁基板又は上記第2の絶縁層のいずれかと固着されている請求項32〜44のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第2の可溶導体は、上記第2の電極との接続面積よりも大きな面積を有する請求項43に記載の温度切替素子。
- 上記第1、第2の可溶導体を支持する第2の支持電極が設けられている請求項43又は46に記載の温度切替素子。
- 上記第2の可溶導体は、上記第2の電極との接続部以外の部位が固定部材により、少なくとも上記絶縁基板又は上記第2の絶縁層のいずれかと固着されている請求項43,46又は47のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体及び上記第3の可溶導体の少なくとも一部にフラックスが塗布されている請求項32〜48のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体及び上記第3の可溶導体は、低融点金属と高融点金属とを有する請求項32〜49のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体及び上記第3の可溶導体は、上記低融点金属と上記高融点金属の積層体である請求項50記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体及び上記第3の可溶導体は、上記低融点金属の表面が上記高融点金属で被覆された被覆構造である請求項50に記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属はハンダであり、上記高融点金属はAg、Cu、又はAg若しくはCuを主成分とする合金である請求項50〜52のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属は、Sn又はSnを主成分とする合金である請求項53記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属は、SnBi系又はSnIn系の低融点合金である請求項53記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属は、上記高融点金属よりも体積が多い請求項50〜55のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面にメッキすることにより形成される請求項50〜56のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面に金属箔を貼着させることにより形成される請求項50〜56のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記高融点金属は、上記低融点金属の表面に薄膜形成工程により形成される請求項50〜56のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記高融点金属の表面に、さらに酸化防止膜が形成されている請求項50〜59のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属と上記高融点金属とが、交互に複数層積層されている請求項50〜60のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記低融点金属の対向する2端面を除く外周部が上記高融点金属によって被覆されている請求項50〜61のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 上記第1の可溶導体と上記第3の可溶導体は、いずれか一方が他方よりも融点が低く、当該一方の可溶導体が溶融した後に、他方の可溶導体が溶融する請求項32〜62のいずれか1項に記載の温度切替素子。
- 伝熱部材として機能する上記第1の電極の上記第1の可溶導体までの熱伝導経路と、伝熱部材として機能する上記第3の電極の上記第3の可溶導体までの熱伝導経路とは、いずれか一方が他方よりも熱伝導率が高く、当該一方の熱伝導経路と接続された一方の可溶導体が溶融した後に、他方の熱伝導経路と接続された他方の可溶導体が溶融する請求項32〜63のいずれか1項に記載の温度切替素子。
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