JP4827913B2 - リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理の方法、および、リソグラフィシステム - Google Patents
リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理の方法、および、リソグラフィシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4827913B2 JP4827913B2 JP2008311503A JP2008311503A JP4827913B2 JP 4827913 B2 JP4827913 B2 JP 4827913B2 JP 2008311503 A JP2008311503 A JP 2008311503A JP 2008311503 A JP2008311503 A JP 2008311503A JP 4827913 B2 JP4827913 B2 JP 4827913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- wafer
- substrate
- stage
- load lock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7096—Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
104、105 アライメントロードロック
106 ウェハ交換チャンバ
111 リソグラフィパターニングチャンバ
Claims (24)
- (a)アライメントロードロックにおいて、基板に対してアライメントステージを移動して、該アライメントステージに対して該基板の位置を合わせる工程と、
(b)該位置を合わせたステージ及び基板を基板交換チャンバへ移送する工程と、
(c)該位置を合わせたステージ及び基板を該基板交換チャンバとリソグラフィパターニングチャンバとの間で移送する工程とを包含する、
方法。 - (d)ポンプダウンを実行して、前記アライメントロードロック内に真空を生成する工程をさらに包含する、
請求項1に記載の方法。 - 前記工程(d)は、前記工程(a)と同時に実行される、
請求項2に記載の方法。 - (d)前記リソグラフィパターニングチャンバにおいて、該基板上にリソグラフィのパターニングを実行する工程と、
(e)前記位置を合わせたステージ及び基板を前記アライメントロードロックに戻す工程と、
(f)該ステージから該基板を取り外す工程とをさらに包含する、
請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。 - (g)前記アライメントロードロックを換気する工程をさらに包含する、
請求項4に記載の方法。 - 前記工程(f)及び(g)は同時に実行される、
請求項5に記載の方法。 - 前記工程(a)は、
(a1)前記アライメントロードロック内の支持体上に前記基板を配置する工程と、
(a2)該アライメントロードロック内の該支持体上の該基板の位置及び方向を検出する工程と、
(a4)該基板を該ステージに固定する工程とを包含する、
請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(a2)は、前記アライメントロードロック内の前記支持体上の前記基板の位置及び方向を、該アライメントロードロック外に設けられた検出器によって検出する工程を包含する、
請求項7に記載の方法。 - 前記工程(a)は、前記ステージが前記基板を押し上げて該基板が前記支持体から離れるまで、該ステージを上方に移動する工程を包含する、
請求項1ないし8のいずれか一項に記載の方法。 - 前記チャックは静電ステージであり、
前記工程(a4)は、該静電ステージを充電する工程を包含する、
請求項7に記載の方法。 - (a)アライメントロードロック内で、基板に対して基板支持体を移動して、該基板支持体に対して該基板の位置を合わせる工程と、
(b)該工程(a)の間とほぼ同時に、該アライメントロードロック内の気圧を第1の気圧から第2の気圧に調節する工程と、
(c)該アライメントロードロックにおいて、該位置を合わせた基板を該基板支持体にしっかりと連結する工程と、
(d)該しっかりと連結され位置を合わせた基板支持体上の基板を該アライメントロードロックからリソグラフィパターニングチャンバへ移送する工程とを包含する、
方法。 - 前記しっかりと連結され位置を合わせた基板は、前記第2の気圧を有するエリアを介して前記アライメントロードロックから該第2の気圧を有する前記他のリソグラフィパターニングチャンバへ移送され、
(e)該他のリソグラフィパターニングチャンバにおいて、該しっかりと連結され位置を合わせた基板をパターニングする工程をさらに包含する、
請求項11に記載の方法。 - 前記工程(a)は、
前記基板支持体をアライニングステージにキネマティックに位置を合わせる工程と、
該基板支持体に対する前記基板の位置を、カメラを用いて測定する工程と、
該測定する工程に基づいて、該カメラで位置信号を生成する工程と、
該位置信号に基づいて、該アライニングステージを用いて位置あわせを実行する工程とを包含する、
請求項11または12に記載の方法。 - 前記キネマティックに位置を合わせる工程は、前記基板支持体の表面上の半球を、前記アライニングステージの表面上のV型ブロックと位置を合わせる工程を包含する、
請求項13に記載の方法。 - 前記基板支持体を前記アライニングステージに電気的に連結する工程をさらに包含する、
請求項13に記載の方法。 - 前記電気的に連結する工程は、前記アライニングステージから突出するポゴコンタクトを前記基板支持体上のコンタクトパッドで受ける工程を包含する、
請求項15に記載の方法。 - 前記基板支持体として静電チャックを用いる工程をさらに包含する、
請求項11ないし16のいずれか一項に記載の方法。 - 前記基板支持体として真空チャックを用いる工程をさらに包含する、
請求項11ないし16のいずれか一項に記載の方法。 - 前記工程(a)は、複数の前記基板を複数の前記基板支持体のそれぞれと位置を合わせる工程をさらに包含し、
前記工程(c)は、複数の該位置を合わせた基板を複数の該基板支持体のそれぞれにしっかりと連結する工程をさらに包含する、
請求項11ないし18のいずれか一項に記載の方法。 - リソグラフィシステムであって、
リソグラフィのパターニングチャンバと、
該リソグラフィのパターニングチャンバに結合されたウェハ交換チャンバと、
第1のゲートバルブによって該ウェハ交換チャンバから分離された少なくとも1つのアライメントロードロックであって、ウェハの位置を合わせるアライメントステージを含む少なくとも1つのアライメントロードロックと
を含み、
前記少なくとも1つのアライメントロードロックを真空にするポンプダウンの期間に、ウェハに対してアライメントステージを移動して、該アライメントステージに対して該ウェハの位置を合わせる、
リソグラフィシステム。 - ポンプダウンステージの期間に前記ウェハの位置を合わせる前記アライメントステージは、前記ウェハの位置合わせ及び前記少なくとも1つのアライメントロードロックのポンプダウンの期間に充電するように構成された静電チャックをさらに含む、
請求項20に記載のリソグラフィシステム。 - 前記少なくとも1つのアライメントロードロックは、第1の壁を含み、該第1の壁は、該第1の壁を通って延びる柱が移動することを可能にするモーションフィードスルーシールを含む開口部を有する、
請求項20または21に記載のリソグラフィシステム。 - 前記モーションフィードスルーシールは、前記第1の壁の開口部をシールするベローズを含む、
請求項22に記載のリソグラフィシステム。 - 前記モーションフィードスルーシールは、回転シールなしで前記アライメントステージが回転可能になるように構成される、
請求項22または23に記載のリソグラフィシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/981,992 | 2001-10-19 | ||
US09/981,992 US6778258B2 (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Wafer handling system for use in lithography patterning |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002304998A Division JP4493070B2 (ja) | 2001-10-19 | 2002-10-18 | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009088555A JP2009088555A (ja) | 2009-04-23 |
JP2009088555A5 JP2009088555A5 (ja) | 2009-06-18 |
JP4827913B2 true JP4827913B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=25528779
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002304998A Expired - Fee Related JP4493070B2 (ja) | 2001-10-19 | 2002-10-18 | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
JP2008311503A Expired - Fee Related JP4827913B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-12-05 | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理の方法、および、リソグラフィシステム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002304998A Expired - Fee Related JP4493070B2 (ja) | 2001-10-19 | 2002-10-18 | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6778258B2 (ja) |
EP (1) | EP1304727A3 (ja) |
JP (2) | JP4493070B2 (ja) |
KR (1) | KR100736300B1 (ja) |
TW (1) | TW561522B (ja) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
JP3686866B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2005-08-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及び製造方法 |
JP4048412B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2008-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の除電機構及び検査装置 |
SG115631A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
US7430104B2 (en) * | 2003-03-11 | 2008-09-30 | Appiled Materials, Inc. | Electrostatic chuck for wafer metrology and inspection equipment |
SG115629A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for maintaining a machine part |
JP4315420B2 (ja) | 2003-04-18 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
EP1491967A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table |
US7340087B2 (en) * | 2003-07-14 | 2008-03-04 | Rudolph Technologies, Inc. | Edge inspection |
US6972843B2 (en) * | 2003-08-25 | 2005-12-06 | Intel Corporation | Lithography alignment |
US8634633B2 (en) | 2003-11-10 | 2014-01-21 | Brooks Automation, Inc. | Wafer center finding with kalman filter |
US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
US7458763B2 (en) * | 2003-11-10 | 2008-12-02 | Blueshift Technologies, Inc. | Mid-entry load lock for semiconductor handling system |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US7792350B2 (en) * | 2003-11-10 | 2010-09-07 | Brooks Automation, Inc. | Wafer center finding |
US20080135788A1 (en) * | 2003-11-10 | 2008-06-12 | Fogel Paul E | Wafer center finding with contact image sensors |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
GB2414858A (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-07 | Nanobeam Ltd | A workpiece or specimen support assembly for a charged particle beam system |
US7408615B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7041989B1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
US20060213537A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Thu Anh To | Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement |
WO2006130338A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nikon Corporation | Immersion fluid containment system and method for immersion lithography |
JP4667140B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2007042929A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Hitachi High-Tech Control Systems Corp | ロードロック装置とその方法及び半導体製造装置 |
JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
US20090108540A1 (en) * | 2007-03-06 | 2009-04-30 | Advanced Vacuum Company Inc. | Seal cartridge for a vacuum pumps |
US20080225261A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Noriyuki Hirayanagi | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8236579B2 (en) * | 2007-03-14 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and systems for lithography alignment |
US8705010B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
TWI450047B (zh) * | 2007-07-13 | 2014-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統、夾緊方法及晶圓台 |
WO2009099660A2 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
KR100977582B1 (ko) | 2008-03-12 | 2010-08-23 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 장비의 기판 정렬 과정에서 기판 이송 방법 및반도체 제조 장비 |
US8902560B2 (en) * | 2008-10-31 | 2014-12-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck ground punch |
US7952851B2 (en) * | 2008-10-31 | 2011-05-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer grounding method for electrostatic clamps |
CN104810232B (zh) | 2009-05-20 | 2017-12-29 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 两次扫描 |
NL2005586A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and sealing device for a lithographic apparatus. |
JP5316521B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-10-16 | 株式会社安川電機 | 基板搬送システム、基板処理システムおよび基板搬送ロボット |
US9564320B2 (en) * | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
US9176397B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-11-03 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for transferring a substrate in a lithography system |
WO2013163791A1 (en) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Apparatus and method for detecting position of wafer |
JP6087573B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-03-01 | キヤノン株式会社 | 処理装置、それを用いた物品の製造方法 |
US9293355B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-03-22 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Substrate transfer system and substrate processing system |
CN106292194B (zh) * | 2015-05-24 | 2018-03-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片传输系统 |
JP6357187B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US10133186B2 (en) | 2016-10-20 | 2018-11-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and apparatus for aligning substrates on a substrate support unit |
JP6580544B2 (ja) * | 2016-10-20 | 2019-09-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持ユニット上に基板を位置合わせする方法および装置 |
CN107706141A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-02-16 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种半导体前置模块晶圆的传输工艺 |
US11466384B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-10-11 | Slt Technologies, Inc. | Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate |
KR20230152780A (ko) * | 2019-11-26 | 2023-11-03 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 툴을 위한 페데스탈 키네마틱 마운트로의 캐리어 링 |
CN111261565B (zh) * | 2020-01-21 | 2023-11-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法 |
US11721549B2 (en) | 2020-02-11 | 2023-08-08 | Slt Technologies, Inc. | Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use |
EP4104201A1 (en) | 2020-02-11 | 2022-12-21 | SLT Technologies, Inc. | Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use |
US12091771B2 (en) | 2020-02-11 | 2024-09-17 | Slt Technologies, Inc. | Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use |
US11263755B2 (en) * | 2020-07-17 | 2022-03-01 | Nanya Technology Corporation | Alert device and alert method thereof |
US11508608B2 (en) * | 2020-08-20 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Vacuum wafer chuck for manufacturing semiconductor devices |
US11610799B2 (en) * | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
KR102305139B1 (ko) * | 2021-02-24 | 2021-09-28 | 피에스케이 주식회사 | 로드락 챔버 및 기판 처리 장치 |
CN117836924A (zh) * | 2021-08-14 | 2024-04-05 | 朗姆研究公司 | 用于半导体制造工具中的可定位衬底处理基座 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0155158B1 (ko) * | 1989-07-25 | 1998-12-01 | 카자마 젠쥬 | 종형 처리 장치 및 처리방법 |
JP2986121B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1999-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置及び真空処理装置 |
KR100230697B1 (ko) * | 1992-02-18 | 1999-11-15 | 이노우에 쥰이치 | 감압 처리 장치 |
JP3005373B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2000-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH06204323A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-07-22 | Applied Materials Inc | ウェハプロセスチャンバ内のドーム状加熱ペディスタルのためのクランプリング |
JPH07302746A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
US5486080A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-23 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High speed movement of workpieces in vacuum processing |
JP3734095B2 (ja) * | 1994-09-12 | 2006-01-11 | 株式会社ニコン | 基板処理装置 |
JPH0888158A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置 |
JPH1022226A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | エピタキシャルウエハ製造方法及び装置 |
US5748827A (en) * | 1996-10-23 | 1998-05-05 | University Of Washington | Two-stage kinematic mount |
JPH10135301A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Hitachi Techno Eng Co Ltd | ウエハ処理装置 |
JPH10209010A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレット |
JP3661138B2 (ja) * | 1998-04-04 | 2005-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | アライメント高速処理機構 |
US20080209758A9 (en) * | 2005-06-27 | 2008-09-04 | Dominique Thifault | Pocket ventilator |
US6451181B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-09-17 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device barrier layer |
WO2000072375A1 (fr) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Nikon Corporation | Contenant pour appareil d'exposition de support, procede de fabrication de dispositif et appareil de fabrication de dispositif |
JP4294172B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2009-07-08 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードロック装置およびウェハ搬送システム |
JP2001091681A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | Xyステージ機構及び露光装置 |
JP2001127044A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および真空処理システム |
WO2001040875A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Silicon Valley Group, Inc. | Dual-stage lithography apparatus and method |
US6791661B2 (en) * | 1999-12-09 | 2004-09-14 | Nikon Corporation | Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus |
JP4689064B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001284234A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 |
JP4560182B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
-
2001
- 2001-10-19 US US09/981,992 patent/US6778258B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-30 TW TW091122530A patent/TW561522B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-17 EP EP02023607A patent/EP1304727A3/en not_active Withdrawn
- 2002-10-18 JP JP2002304998A patent/JP4493070B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-18 KR KR1020020063658A patent/KR100736300B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-07-22 US US10/896,057 patent/US6927842B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-15 US US11/182,192 patent/US7298459B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008311503A patent/JP4827913B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1304727A2 (en) | 2003-04-23 |
JP2009088555A (ja) | 2009-04-23 |
US20050264791A1 (en) | 2005-12-01 |
JP2003188094A (ja) | 2003-07-04 |
JP4493070B2 (ja) | 2010-06-30 |
EP1304727A3 (en) | 2004-12-15 |
US20040257554A1 (en) | 2004-12-23 |
TW561522B (en) | 2003-11-11 |
US7298459B2 (en) | 2007-11-20 |
US20030082466A1 (en) | 2003-05-01 |
KR100736300B1 (ko) | 2007-07-06 |
US6778258B2 (en) | 2004-08-17 |
KR20030032879A (ko) | 2003-04-26 |
US6927842B2 (en) | 2005-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4827913B2 (ja) | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理の方法、および、リソグラフィシステム | |
US7145643B2 (en) | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method | |
US6900878B2 (en) | Reticle-holding pods and methods for holding thin, circular reticles, and reticle-handling systems utilizing same | |
US9851643B2 (en) | Apparatus and methods for reticle handling in an EUV reticle inspection tool | |
US7726891B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20010014775A (ko) | 전사투영장치용 기판 핸들러 | |
US20070004058A1 (en) | Semiconductor manufacturing device with transfer robot | |
US10049904B1 (en) | Method and system for moving a substrate | |
US7307695B2 (en) | Method and device for alignment of a substrate | |
US20020074635A1 (en) | Exposure apparatus, holder container, device manufacturing method, and device manufacturing unit | |
US7658560B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20050095116A1 (en) | Positioning apparatus | |
KR20010043979A (ko) | 노광장치 및 그의 제조방법, 기판반송방법, 그리고디바이스 제조방법 및 디바이스 | |
US7705964B2 (en) | Exposure system and exposure method | |
JP2005175413A (ja) | 搬送システム及び搬送方法 | |
KR20060011671A (ko) | 파티클 감지수단을 갖는 노광설비의 얼라인장치 | |
JP2000068351A (ja) | 基板処理装置 | |
JPS62102522A (ja) | 露光方法および装置 | |
CN116057467B (zh) | 用于原位载物台校正的有源光罩载体 | |
KR100567518B1 (ko) | 웨이퍼의 프리얼라인 방법 | |
KR20050035714A (ko) | 웨이퍼 핸들링 시스템 | |
JP2000138203A (ja) | X線マスク用カセット、x線マスク製造装置及び製造方法 | |
JP2004158643A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2009239055A (ja) | 基板搬送装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110913 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |