JP2000138203A

JP2000138203A - Ｘ線マスク用カセット、ｘ線マスク製造装置及び製造方法

Info

Publication number: JP2000138203A
Application number: JP31006298A
Authority: JP
Inventors: Shinji Sugihara; 真児杉原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-10-30
Filing date: 1998-10-30
Publication date: 2000-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ線マスクのＸ線吸収体加工において、バッ
クエッチング先行プロセスにおけるＸ線透過膜の破砕に
よるエッチング装置の汚損を低減し、Ｘ線マスク製造の
歩留まりを向上すること。【解決手段】Ｘ線吸収体エッチング工程に、Ｘ線透過
膜を冷却するための気体導入路７を内部に備えたＸ線マ
スク用カセット５を用いる。Ｘ線透過膜の破砕によるエ
ッチング装置の汚損を低減し、Ｘ線マスク製造の歩留ま
りを向上する事が出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
用露光マスクの製造装置に関し、さらに、Ｘ線マスク用
カセット及びＸ線マスクの製造方法する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスのパターンサイズは年々
微細化の一途をたどっている。パターンサイズの微細化
にともない、回路パターンを露光基板上に転写するリソ
グラフィ技術には、さらなる高精度化が要求されてい
る。これまで長年にわたって用いられてきた光リソグラ
フィ技術では、露光光源の短波長化、露光装置の高ＮＡ
化、位相シフトマスクや超解像技術の導入などによって
パターンサイズ０．１５μｍ以下のデバイス適用への展
望が開かれている。

【０００３】しかし光リソグラフィー技術には、長期安
定性に優れた光学系の確立、レンズ収差の抑制、短波長
用レジストの開発、位相シフトマスクの欠陥検査・修正
技術の確立など、今後克服すべき課題は多い。

【０００４】一方、光リソグラフィーに代わる技術とし
て位置づけられる電子ビーム直接描画技術では、キャラ
クタープロジェクション、マルチカラムなどによる描画
速度の高速化が計られてはいるものの、現段階では描画
精度、スループットの両方を満足することは容易ではな
い。

【０００５】その他に、光リソグラフィーの次世代候補
として考えられている技術にＸ線リソグラフィーがあ
る。Ｘ線は従来の露光光源に比べて波長が極めて短いた
め、回折の影響が小さく、解像性に優れている。また、
光源として発散の小さい放射光を用いることにより光リ
ソグラフィーの課題の一つである焦点深度を大きくする
ことができ、比較的厚膜のレジストを使用することが可
能である。

【０００６】しかし、Ｘ線は多くの材料に対して屈折率
が１に近く屈折光学系を構築できないために、現段階で
は実用技術として等倍転写が主流となっている。等倍転
写による場合、原板であるマスクのＸ線吸収体パターン
には素子パターンと同サイズのパターンを形成すること
が必須であり、極めて高精度の加工が要求される。

【０００７】現在、等倍Ｘ線マスクの形状は、図１に示
すように、マスクフレーム４及びマスク支持体３で保持
された厚さ１〜２μｍのＸ線透過膜２上に厚さ０．３〜
０．５μｍのＸ線吸収体パターン１を配した構造が主流
である。この様な構造であるため、Ｘ線吸収体膜やＸ線
透過膜の膜応力の分布によりＸ線透過膜に伸縮が生じ、
結果として素子パターンが動いて位置歪が発生するとい
う問題がある。

【０００８】Ｘ線吸収体の製造方法は大きく分けて、マ
スク支持体に開口部を設けるバックエッチング工程をＸ
線吸収体エッチング後に行うバックエッチング後行プロ
セスと、エッチング前に行うバックエッチング先行プロ
セスの２つに分類出来る。バックエッチング先行プロセ
スは、バックエッチングによるＸ線透過膜の応力開放に
よる位置歪みがＸ線吸収体加工前に生じるので、Ｘ線透
過膜の応力分布に起因する歪みを無視出来るという利点
があり、広く用いられている。

【０００９】しかしバックエッチング先行プロセスでは
薄膜上でプロセスを行うために、Ｘ線吸収体エッチング
工程において、プロセス中に発生する熱の逃げ道が限定
され、被エッチング面の温度の均一性を確保する事が難
しいという問題がある。

【００１０】薄膜上の温度制御法としては、Ｘ線透過膜
の裏面に近接・離間した位置にヒートシンクを配置し、
間隙に冷却ガスを流す事により行う方法が考案されてい
るが、薄膜であるＸ線透過膜とヒートシンクを近接位置
に置く必要があるため、搬送中の事故などによりＸ線透
過膜が接触し、Ｘ線透過膜を破損する恐れがある。この
場合、マスクを破壊してしまうのみならず、飛散した薄
膜が装置内部を汚染し、生産に多大な支障を来たすこと
も考えられる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ線
マスクのＸ線吸収体加工において、バックエッチング先
行プロセスにおけるＸ線透過膜の破砕によるエッチング
装置の汚損を低減し、Ｘ線マスクの歩留まりを向上する
ことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ため、本発明は、マスク支持体と、該マスク支持体に支
持されたＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜上に形成されたＸ
線吸収体からなるＸ線マスクを保持するＸ線マスク用カ
セットであって、該Ｘ線マスクを固定する保持手段と、
該Ｘ線透過膜と近接・離間させた位置に配置されるヒー
トシンク部と、流体を該Ｘ線透過膜と該ヒートシンク部
の間隙に導入するための導入路を有することを特徴とす
るＸ線マスク用カセットを提供する。

【００１３】また本発明は、マスク支持体と、該マスク
支持体に支持されたＸ線透過膜と、前記マスク支持体と
反対側の前記Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体パタ
ーンからなるＸ線マスクを製造するＸ線マスク製造装置
であって、前記マスク支持体の開口部に前記Ｘ線透過膜
が露出され、当該Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体
膜を請求項１に記載のＸ線マスク用カセットを用いて所
望のパターンにエッチング加工する手段と、前記Ｘ線マ
スク用カセットを搬送および格納する手段とを有するこ
とを特徴とするＸ線マスク製造装置を提供する。

【００１４】さらに本発明は、マスク支持体と、該マス
ク支持体に支持されたＸ線透過膜と、前記マスク支持体
と反対側の前記Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体パ
ターンからなるＸ線マスクを製造するＸ線マスク製造方
法であって、前記Ｘ線透過膜とその支持用部材を含む積
層体において前記支持用部材をエッチングすることによ
り、前記Ｘ線透過膜を露出する開口部を形成して前記マ
スク支持体を形成する工程と、前記Ｘ線透過膜上に形成
されたＸ線吸収体膜を請求項１に記載のＸ線マスク用カ
セットを用いて所望のパターンにエッチング加工して前
記Ｘ線吸収体パターンを形成する工程とを有することを
特徴とするＸ線マスク製造方法を提供する。

【００１５】このように、本発明は、バックエッチング
先行プロセスによるＸ線マスク製造において、Ｘ線吸収
体エッチング工程に、Ｘ線透過膜を冷却あるいは加熱す
るための流体導入路を内部に備えたＸ線マスク用カセッ
トを用いる。

【００１６】本発明により、Ｘ線透過膜の裏面が物理的
に保護され、あるいは複雑な形状のマスクを直接搬送し
なくとも良いため、Ｘ線マスクの搬送が容易になる。ま
た、マスクの着脱を装置外で行うため、Ｘ線透過膜が着
脱時に破損したとしても装置を汚染しない。したがっ
て、搬送中のマスク破損やそれに伴う装置汚損の発生率
を抑える事ができる。また、異なる外形のＸ線マスクが
存在した場合に、それぞれの外形に適合したマスクカセ
ットを用意することにより、装置に特別な改造を行うこ
となく、それぞれのマスクのエッチングを行うことが出
来る。これらの効果により、Ｘ線マスク製造において、
歩留りが向上し、生産コストを削減する事が可能とな
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）図２に本実施例に
使用したＸ線吸収体エッチング装置のＸ線マスクカセッ
トの概要を表す断面図を、図３、図４に本実施例におい
て使用したマグネトロンＲＩＥ装置の概要を表す断面図
を示す。

【００１８】Ｘ線マスク５はカセット６の３個所に設置
されたクランプ１０により外力を極力抑えた状態に保持
される。マスク５を装着するとＸ線透過膜とマスクカセ
ットのヒートシンク部が０．５ｍｍという近接・離間し
た間隙になるように設計されている。マスクカセット６
にはＸ線透過膜とヒートシンクの熱伝導を促す目的でそ
の間隙に冷却用ガスを供給するガス流路７と、カセット
外部からガスを供給、あるいは排気するガス導入口９が
設けられている。

【００１９】マスク５のフレームが当たる部分には冷却
用ガスをマスクカセット内部に封じるためにＯリング８
を設けている。マスクカセット下部にはカセットとカセ
ットホルダ１６との熱交換を効率よく行うために凹部が
形成されていて、ホルダ１６との熱的接触を高めるため
の冷却用ガス流路が設けてある。カセットホルダ１６に
は冷却あるいは加熱手段が備えてあり、これによってカ
セットのヒートシンクの温度を調節することができる。

【００２０】あらかじめＸ線マスクはマスクカセット６
に装着し、クランプピン１０により固定する。その後、
マスクカセット６は、手動あるいは電動手段によってロ
ードロック室１１へ搬入し、エッチング室１２への搬送
に先立って予備排気を行う。カセット６の搬送を行うた
めには、カセット下部に、複数の関節を持つ搬送用ロボ
ット１３のアーム１５の先端に設けられたカセット保持
治具１４を挿入し、下から支える形でカセット６を保持
し、アーム１５を移動させる。この時、ロードロック室
１１に設けられたセンサーにより、Ｘ線透過膜とマスク
カセット６の間隔を測定し、Ｘ線透過膜の破壊の有無
や、間隔の狂いを検知する。

【００２１】次にエッチング室１２に設けたカセットホ
ルダ１６への搬送を説明する。まず、上下動ピン１７を
下げた状態でマスクカセット６をカセットホルダー１６
上の所定の位置に搬送し、上下動ピン１７を上げてマス
クカセット６を上下動ピン１７で支え、その後ロボット
アーム１５を予備室１１に待避させ、上下動ピン１７を
下ろす。こうして一連の搬送動作が完了する。そしてマ
スクカセットの冷却用ガス導入口９にピン状のコネクタ
１８を挿入し、冷却用ガスとしてＨｅを導入し、所望の
圧力となるように流量調整する。その後、エッチング用
ガスをエッチング室に導入し、所望の圧力でエッチング
を行う。この時、エッチング用ガスと冷却用ガスの圧力
を測定、調整を行い、Ｘ線透過膜の破損を防止する。

【００２２】試料として用いたＸ線マスク基板は、Ｘ線
吸収体としてＷ膜を形成し、この上にＣｒ膜を形成し、
ＥＢ描画により形成したレジストパターンをマスクにＣ
ｒをエッチング加工したものである。エッチング方法は
マグネトロンＲＩＥを用い、エッチングガスはＳＦ_６ガ
スを使用した。ＳＦ_６ガス流量は５０ｓｃｃｍ、圧力は
０．５Ｐａ、電極への印加高周波電力を５００Ｗ、プロ
セス中の基板温度を−２０℃、冷却用Ｈｅの圧力は１３
３Ｐａとした。

【００２３】上記の工程により、搬送中のＸ線マスクの
破損によるエッチング装置の汚損の頻度を低減させ、か
つ高精度のＸ線吸収体の形成ができた。

【００２４】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。エッチングはマグネトロンＲＩＥに限
らず、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ＮＬＤ、ヘリコンなどを用いる
事ができる。熱伝導用ガスはＨｅに限らず、Ｎ_２、Ａ
ｒ、あるいはＳＦ_６などのエッチングに使用するガス
や、あるいは液体などを用いる事ができる。また、カセ
ットのヒートシンク部を熱伝導用ガスとは別の冷媒で冷
却し、カセットにその冷媒用の流路および導入口を新た
に設けることができる。Ｘ線透過膜とヒートシンク部の
間隔は熱伝導が効率的に行われる範囲に自由に設定出来
る。カセットへのマスクの保持はクランプに限らず、磁
気、静電気力などを利用することが出来る。

【００２５】（実施形態２）特に記載のない事項は実施
形態１に準ずるものとする。

【００２６】図５に本実施例で用いたエッチング装置の
概要を表す断面図を示す。エッチング装置はエッチング
室１２、搬送室１９、ロードロック室１１の３室で構成
し、それぞれ独立に真空排気手段を有する。ロードロッ
ク室１１には、マスクカセット６を複数搭載可能なカセ
ットチェンジャー２０と、カセットチェンジャー２０を
上下動させるリフター２１を設けている。搬送ロボット
１３は搬送室１９に設置し、ロードロック室１１とエッ
チング室１２の間のカセット搬送を行う。ロボットアー
ム１５とカセットチェンジャー２０間のカセット受け渡
しは、所望のカセットがカセット保持治具１４よりやや
下方に設定される位置にカセットチェンジャー２０をリ
フター２１により上動あるいは下動させ、カセット保持
治具１４をカセット下部に挿入し、カセットチェンジャ
ー２０を下げ、あるいは上げることにより行う。

【００２７】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。エッチング室あるいはロードロック室
は１室に限らず、単一の装置に複数設ける事が出来る。
カセットチェンジャーはロードロック室に固定しなくて
も良く、ロードロック室から装置外に取り出せるように
しても良い。

【００２８】（実施形態３）特に記載の無い条件は、実
施形態１に準ずるものとする。

【００２９】図６に本実施例に使用したＸ線吸収体エッ
チング装置のＸ線マスクカセットの概要を表す断面図を
示す。Ｘ線マスクはカセットの３個所に設置されたクラ
ンプ１０より外力を極力抑えた状態に保持される。マス
クフレーム上のマスク支持体が存在しない部分には、Ａ
ｌ_２Ｏ_３からなる補正板２２をマスク搭載後にカセット
に配置、固定した。

【００３０】Ｘ線マスクは複雑な形状をしており、マス
ク支持体の周辺部の段差の影響により、エッチング中に
形成されるマスク直上の電界が周辺部で乱れ、不均一に
なる。このように不均一な電界分布は、試料に入射する
イオンの入射角度やエネルギーを乱すため、エッチング
レートや形状の面内均一性を阻害する大きな要因とな
る。上述の補正板２２は、この現象を防ぐことを目的に
カセットに装着したものである。

【００３１】上記のマスクカセットを用いることによ
り、エッチングの面内分布を緩和させ、加工精度におい
て面内均一性に優れたＸ線吸収体パターンの形成ができ
た。

【００３２】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。補正板の材質はＡｌ_２Ｏ_３に限定され
ない。

【００３３】（実施形態４）特に記載がない条件は実施
形態３に準ずる。

【００３４】図７に本実施例に使用したＸ線吸収体エッ
チング装置のＸ線マスクカセットの概要を表す断面図を
示す。試料として用いるＸ線マスクはフレームの厚さが
中心から外周へ向かって薄くなる構造である。この様な
構造は、Ｘ線マスクをＸ線ステッパに搭載して被露光基
板上に近接露光を行う際に、ダストによってＸ線透過膜
が破壊することを防ぐためのものである。このような形
状のマスクに対応するために、マスクカセットに設置す
る補助板２２の内面の形状を、図７に示すようにマスク
支持体周辺部の形状とほぼ同様に設計し、マスク上面の
凹凸をを極力低減させるような構造とした。

【００３５】（実施形態５）特に記載の無い条件は、実
施形態１に準ずるものとする。

【００３６】図８にマスクカセットの保持方法を表す断
面図を示す。

【００３７】ロボットアームに設けられたカセット保持
治具１５は複数の爪２３を持ち、カセット６の下部に設
けた専用の穴２４に爪２３をかけることによりカセット
６を保持し、上から釣り上げるような形で搬送を行う。
エッチング室のカセットホルダーには、爪２３を着脱す
る時にそのストロークを確保するための溝２５が設けて
ある。

【００３８】（実施形態６）図９、図１０は本発明の実
施形態に関するＸ線マスクの製造過程を模式化したもの
である。

【００３９】始めに、図９（ａ）に示すごとく、Ｘ線支
持体３上に、Ｘ線透過膜２、アライメント光反射防止膜
２６、Ｘ線吸収体膜１、エッチングマスク膜２７を順次
形成する。まず、ＬＰＣＶＤ装置にマスク支持体として
厚さ６００μｍ、面方位（１００）の両面研磨した３イ
ンチＳｉ基板を設置し、ＳｉＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、ＨＣｌ、
Ｈ_２の混合ガスを用い、基板温度１１００℃において、
Ｘ線透過膜としてＳｉＣ膜を１μｍ堆積させた。

【００４０】次に、マグネトロンスパッタリング装置を
用い、Ｘ線透過膜上にアライメント光反射防止膜として
Ａｌ_２Ｏ_３膜を、Ｘ線吸収体膜としてＷ膜を、それぞれ
１００および５００ｎｍ堆積させた。Ｘ線吸収体膜の成
膜条件は、印加ｒｆ電力を５００Ｗとし、ガス圧力を
２．１Ｐａとした。

【００４１】ここで、マスク支持体の反り量から求めた
成膜後のＸ線吸収体膜の応力は、引っ張り方向で平均３
５ＭＰａであった。この応力を補正するために、Ｘ線吸
収体膜全面にエネルギー１８０ｋｅＶ、ドーズ量３×１
０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２でＡｒのイオン注入を行い、
最終的にＸ線吸収体膜の応力を約５ＭＰａに調整した。
応力調整後、マグネトロンスパッタリング装置によっ
て、Ｘ線吸収体膜上にエッチングマスク膜としてＣｒ膜
を５０ｎｍ堆積させた。

【００４２】次に、図９（ｂ）に示すごとく、マスク支
持体３を、石英ガラスからなる厚さ４ｍｍ、外径１００
ｍｍ、内径５２ｍｍのマスクフレーム４に直接接合法に
より接合した。

【００４３】次に、図９（ｃ）に示すごとく、Ｘ線支持
体３を温度９５℃の水酸化カリウムによりウェットエッ
チングし、Ｘ線支持体３に３０ｍｍ□の開口部を形成し
た。

【００４４】次に、図９（ｄ）に示すごとく、エッチン
グマスク膜２７上にレジストパターン２８を形成する。
レジストには膜厚３００ｎｍのＺＥＰ−５２０を使用
し、回転塗布を行った後、Ｎ２雰囲気中で１７０℃に加
熱してレジスト中の溶媒を揮発させた。その後、このレ
ジスト上に電子ビーム描画装置により加速電圧５０ｋ
Ｖ、ドーズ量９０μＣ／ｃｍ^２で所望のパターンの描画
を行い、次いで専用現像液ＺＥＰ−ＲＤによる現像を行
い、レジストパターンを形成した。

【００４５】次に、マグネトロンＲＩＥ装置を用い、Ｃ
ｌ_２およびＯ_２による混合ガスにより、レジストパター
ン２８をマスクとしてエッチングマスク膜２７をエッチ
ングした。次いで、Ｏ_２ガスを用いたＣＤＥによりレジ
ストパターン２８の除去を行った。これにより、図１０
（ｅ）に示すようにエッチングマスクパターンが形成さ
れる。

【００４６】次に図１０（ｆ）に示すごとくエッチング
マスク２７を用いてＳＦ_６ガスを用いたドライエッチン
グによりＸ線吸収体膜１をエッチング加工した。本実施
例では、実施例２に示した構成のエッチング装置を用い
た。試料はマスクカセットにより保持し、カセットチェ
ンジャーに載置する。その際、カセットチェンジャー
は、ロードロック室と装置外部を連結する試料搬入口付
近に設けられたカセット交換位置に移動し、カセットの
チェンジャーへの載置を容易にする。カセットチェンジ
ャーは自動搬送機構によってカセット交換位置からロー
ドロック室へ移動し、装置内部におけるカセットの搬送
はロボットアームによって行う。エッチング条件は、Ｓ
Ｆ_６ガス流量を５０ｓｃｃｍ、圧力を０．５Ｐａ、電極
への印加高周波電力を５００Ｗ、冷却用Ｈｅの圧力を１
３３Ｐａ、温度を−２０℃とした。

【００４７】最後に、図１０（ｇ）に示すごとく、スパ
ッタリング装置を用い、Ｘ線透過膜２の裏面に、反射防
止膜２９としてＡｌ_２Ｏ_３膜を１００ｎｍ形成した。

【００４８】以上の工程により製造したＸ線マスクを用
いて、Ｘ線露光用ステッパによる露光を行った。露光中
のＸ線透過膜と半導体基板の間隔を１５μｍと設定し、
レジストとして化学増幅型レジストＳＡＬ６０６を厚さ
０．２５μｍで使用した。レジスト塗布後、露光前加熱
を１３０℃で２分間行い、ステッパーにて露光量２１０
０ｍＡｓで露光し、露光後加熱を１２０℃で１分間行っ
た。その後、３分間の現像を行い、Ｘ線露光工程が完了
した。この基板を寸法ＳＥＭで観察したところ、０．０
８μｍラインアンドスペースパターンが良好に解像して
いることを確認した。以上の結果、半導体回路パターン
の形成を良好に行うことが出来た。

【００４９】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。Ｘ線透過膜はＳｉＣに限らず、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣＮ、ダイアモンドなどを用いることが出来
る。Ｘ線吸収体はＷに限らず、Ｔａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、
Ｇｅ、Ｒｅ、Ａｕやその化合物などを用いることが出来
る。エッチングマスクはＣｒに限らず、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉ
ＴＯ、Ｃｒ化合物、Ａｌ化合物などを用いることが出来
る。反射防止膜もＡｌ_２Ｏ_３に限らず、ＩＴＯ、Ｃｒ化
合物、Ａｌ化合物などを用いることが出来る。

【００５０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によると、Ｘ
線マスクのＸ線吸収体加工において、バックエッチング
先行プロセスにおけるＸ線透過膜の破砕によるエッチン
グ装置の汚損を低減し、Ｘ線マスク製造の歩留まりを向
上する事が出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｘ線マスクの断面図。

【図２】本発明の実施形態１に係るマスクカセットの断
面図。

【図３】本発明の実施形態１に係るエッチング装置の概
略図。

【図４】本発明の実施形態１に係るマスクカセットの搬
送・装着を示す断面図。

【図５】本発明の実施形態２に係るエッチング装置の概
略図。

【図６】本発明の実施形態３に係るマスクカセットの断
面図。

【図７】本発明の実施形態４に係るマスクカセットの断
面図。

【図８】本発明の実施形態５に係るマスクカセットの保
持方法を示す概略図。

【図９】本発明の実施形態６に係るＸ線マスクの製造過
程を示す工程断面図。

【図１０】図９に続くＸ線マスクの製造過程を示す工程
断面図。

【符号の説明】

１Ｘ線吸収体２Ｘ線透過膜３マスク支持体４マスクフレーム５Ｘ線マスク６マスクカセット７気体流路８Ｏリング９気体導入口１０クランプ１１予備室１２エッチング室１３搬送ロボット１４カセット保持治具１５ロボットアーム１６カセットホルダ１７上下動ピン１８コネクタ１９搬送室２０カセットチェンジャー２１リフタ２２補助板２３保持用爪２４保持用穴２５溝２６反射防止膜２７エッチングマスク２８レジストパターン２９反射防止膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク支持体と、該マスク支持体に支持
されたＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線
吸収体からなるＸ線マスクを保持するＸ線マスク用カセ
ットであって、該Ｘ線マスクを固定する保持手段と、該
Ｘ線透過膜と近接・離間させた位置に配置されるヒート
シンク部と、流体を該Ｘ線透過膜と該ヒートシンク部の
間隙に導入するための導入路を有することを特徴とする
Ｘ線マスク用カセット。
【請求項２】マスク支持体と、該マスク支持体に支持
されたＸ線透過膜と、前記マスク支持体と反対側の前記
Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体パターンからなる
Ｘ線マスクを製造するＸ線マスク製造装置であって、前
記マスク支持体の開口部に前記Ｘ線透過膜が露出され、
当該Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体膜を請求項１
に記載のＸ線マスク用カセットを用いて所望のパターン
にエッチング加工する手段と、前記Ｘ線マスク用カセッ
トを搬送および格納する手段とを有することを特徴とす
るＸ線マスク製造装置。
【請求項３】マスク支持体と、該マスク支持体に支持
されたＸ線透過膜と、前記マスク支持体と反対側の前記
Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収体パターンからなる
Ｘ線マスクを製造するＸ線マスク製造方法であって、前
記Ｘ線透過膜とその支持用部材を含む積層体において前
記支持用部材をエッチングすることにより、前記Ｘ線透
過膜を露出する開口部を形成して前記マスク支持体を形
成する工程と、前記Ｘ線透過膜上に形成されたＸ線吸収
体膜を請求項１に記載のＸ線マスク用カセットを用いて
所望のパターンにエッチング加工して前記Ｘ線吸収体パ
ターンを形成する工程とを有することを特徴とするＸ線
マスク製造方法。