JPH10209010A - 荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレット - Google Patents
荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレットInfo
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- JPH10209010A JPH10209010A JP9008445A JP844597A JPH10209010A JP H10209010 A JPH10209010 A JP H10209010A JP 9008445 A JP9008445 A JP 9008445A JP 844597 A JP844597 A JP 844597A JP H10209010 A JPH10209010 A JP H10209010A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットの向上を図ることができる荷電
ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびその露光装
置に用いられるパレットの提供。 【解決手段】 露光前の感応基板10とその感応基板1
0が固定されたパレット9との第1のアライメント計測
を他の感応基板のパターン露光の最中に行い、第1のア
ライメント計測が行われた感応基板10およびパレット
9をxyステージ7に載置してパレット9とxyステー
ジ7との第2のアライメント計測を行い、第1および第
2のアライメント計測の結果に基づいて感応基板10と
xyステージ7とのアライメントを行いながら露光を行
うようにxyステージ7と光源を制御する。
ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびその露光装
置に用いられるパレットの提供。 【解決手段】 露光前の感応基板10とその感応基板1
0が固定されたパレット9との第1のアライメント計測
を他の感応基板のパターン露光の最中に行い、第1のア
ライメント計測が行われた感応基板10およびパレット
9をxyステージ7に載置してパレット9とxyステー
ジ7との第2のアライメント計測を行い、第1および第
2のアライメント計測の結果に基づいて感応基板10と
xyステージ7とのアライメントを行いながら露光を行
うようにxyステージ7と光源を制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スループットの向
上を図った荷電ビーム露光技術に関する。
上を図った荷電ビーム露光技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路を製造するためのリソグ
ラフィにおいては、同一領域に複数回パターン露光を行
う、いわゆるパターンの重ね露光が行われる。その際、
ウエハの正確な位置合せのために用いられるアライメン
トマークの位置計測が行われる。一例として、荷電ビー
ムを利用した露光装置では、ウエハ上にエッチングによ
り形成された複数のアライメントマークを荷電ビームで
走査し、ウエハからの散乱粒子を検出してアライメント
マークの位置を計測し、露光すべきチップパターンの位
置座標を決めている。なお、ウエハはパレットを介して
ステージ上に載置され、ウエハのアライメントマークの
位置はステージのxy位置として検出される。
ラフィにおいては、同一領域に複数回パターン露光を行
う、いわゆるパターンの重ね露光が行われる。その際、
ウエハの正確な位置合せのために用いられるアライメン
トマークの位置計測が行われる。一例として、荷電ビー
ムを利用した露光装置では、ウエハ上にエッチングによ
り形成された複数のアライメントマークを荷電ビームで
走査し、ウエハからの散乱粒子を検出してアライメント
マークの位置を計測し、露光すべきチップパターンの位
置座標を決めている。なお、ウエハはパレットを介して
ステージ上に載置され、ウエハのアライメントマークの
位置はステージのxy位置として検出される。
【0003】また、荷電ビーム露光装置においては、レ
ーザ光等の光を用いたオフアクシスによりアライメント
マーク位置を検出する場合もある。このアライメントマ
ーク位置検出方法では、ステージを移動することにより
ウエハをいったん投影レンズの光軸から所定距離だけ移
動させ、その位置でアライメントマークをレーザ光によ
り走査してその反射光を検出して各アライメントマーク
の位置を計測する。このようにして全てのアライメント
マーク位置を計測した後に、ウエハを光軸上に移動して
荷電ビームにより露光を行う。
ーザ光等の光を用いたオフアクシスによりアライメント
マーク位置を検出する場合もある。このアライメントマ
ーク位置検出方法では、ステージを移動することにより
ウエハをいったん投影レンズの光軸から所定距離だけ移
動させ、その位置でアライメントマークをレーザ光によ
り走査してその反射光を検出して各アライメントマーク
の位置を計測する。このようにして全てのアライメント
マーク位置を計測した後に、ウエハを光軸上に移動して
荷電ビームにより露光を行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
のアライメントマーク位置検出方法においても露光工程
とアライメントマーク位置計測工程は順次に行われるた
め、計測の時間だけ全体のスループットが低下するとい
う欠点があった。特に、ウエハ上のアライメントマーク
の数が増大するほどアライメント開始から露光開始まで
の時間が長くなり、スループットの改善を図る要望が高
い。
のアライメントマーク位置検出方法においても露光工程
とアライメントマーク位置計測工程は順次に行われるた
め、計測の時間だけ全体のスループットが低下するとい
う欠点があった。特に、ウエハ上のアライメントマーク
の数が増大するほどアライメント開始から露光開始まで
の時間が長くなり、スループットの改善を図る要望が高
い。
【0005】本発明の目的は、スループットの向上を図
ることができる荷電ビーム露光方法および露光装置を提
供することにある。また、他の目的はそのような露光方
法や露光装置に用いるパレットを提供することにある。
ることができる荷電ビーム露光方法および露光装置を提
供することにある。また、他の目的はそのような露光方
法や露光装置に用いるパレットを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図1〜4に対応付けて説明する。 (1)図4に対応付けて説明すると、請求項1の発明
は、複数の感応基板101,102を各々パレット9
a,9bに固定し、そのパレット9a,9bに固定され
た感応基板101,102を荷電ビーム露光装置の露光
ステージ7に順に載置してパターンを露光する荷電ビー
ム露光方法に適用され、露光前の感応基板102とその
感応基板102が固定されたパレット9bとの第1のア
ライメント計測を他の感応基板101のパターン露光の
最中に行った後に、第1のアライメント計測が行われた
感応基板102およびパレット9bを露光ステージ7に
載置し、その載置されたパレット9bと露光ステージ7
との第2のアライメント計測を行うようにしたことによ
り上述の目的を達成する。 (2)図3に対応付けて説明すると、請求項2の発明
は、パレット9に固定された感応基板10を露光ステー
ジ7上に載置し、光源からの荷電ビームBにより感応基
板10にパターンを露光する荷電ビーム露光装置に適用
され、露光前の感応基板10とその感応基板10が固定
されたパレット9との第1のアライメント計測を他の感
応基板のパターン露光の最中に行う第1のアライメント
計測手段8,17,18,12x,12yと、第1のア
ライメント計測が行われた感応基板10およびパレット
9を露光ステージ7に載置してパレット9と露光ステー
ジ7との第2のアライメント計測を行う第2のアライメ
ント計測手段15,16,11x,11yと、第1およ
び第2のアライメント計測の結果に基づいて感応基板1
0と露光ステージ7とのアライメントを行って露光を行
うように露光ステージ7と光源を制御する制御手段とを
備えて上述の目的を達成する。 (3)請求項3の発明は、請求項2に記載の荷電ビーム
露光装置において、感応基板10とパレット9との第1
のアライメント計測にレーザ光等の光を用いた。 (4)図1に対応付けて説明すると、請求項4の発明
は、請求項2または3に記載の荷電ビーム露光装置にお
いて、第1のアライメント計測では、感応基板10上の
複数のアライメントマーク10aとパレット9上のアラ
イメントマーク14a,14bとの相対位置関係を計測
する。 (5)図2に対応付けて説明すると、請求項5の発明
は、請求項2〜4のいずれかに記載の荷電ビーム露光装
置に用いられるパレット9であって、第1および第2の
アライメント計測に用いられる複数の検出用マーク14
a,14bを具備して上述の目的を達成する。
図1〜4に対応付けて説明する。 (1)図4に対応付けて説明すると、請求項1の発明
は、複数の感応基板101,102を各々パレット9
a,9bに固定し、そのパレット9a,9bに固定され
た感応基板101,102を荷電ビーム露光装置の露光
ステージ7に順に載置してパターンを露光する荷電ビー
ム露光方法に適用され、露光前の感応基板102とその
感応基板102が固定されたパレット9bとの第1のア
ライメント計測を他の感応基板101のパターン露光の
最中に行った後に、第1のアライメント計測が行われた
感応基板102およびパレット9bを露光ステージ7に
載置し、その載置されたパレット9bと露光ステージ7
との第2のアライメント計測を行うようにしたことによ
り上述の目的を達成する。 (2)図3に対応付けて説明すると、請求項2の発明
は、パレット9に固定された感応基板10を露光ステー
ジ7上に載置し、光源からの荷電ビームBにより感応基
板10にパターンを露光する荷電ビーム露光装置に適用
され、露光前の感応基板10とその感応基板10が固定
されたパレット9との第1のアライメント計測を他の感
応基板のパターン露光の最中に行う第1のアライメント
計測手段8,17,18,12x,12yと、第1のア
ライメント計測が行われた感応基板10およびパレット
9を露光ステージ7に載置してパレット9と露光ステー
ジ7との第2のアライメント計測を行う第2のアライメ
ント計測手段15,16,11x,11yと、第1およ
び第2のアライメント計測の結果に基づいて感応基板1
0と露光ステージ7とのアライメントを行って露光を行
うように露光ステージ7と光源を制御する制御手段とを
備えて上述の目的を達成する。 (3)請求項3の発明は、請求項2に記載の荷電ビーム
露光装置において、感応基板10とパレット9との第1
のアライメント計測にレーザ光等の光を用いた。 (4)図1に対応付けて説明すると、請求項4の発明
は、請求項2または3に記載の荷電ビーム露光装置にお
いて、第1のアライメント計測では、感応基板10上の
複数のアライメントマーク10aとパレット9上のアラ
イメントマーク14a,14bとの相対位置関係を計測
する。 (5)図2に対応付けて説明すると、請求項5の発明
は、請求項2〜4のいずれかに記載の荷電ビーム露光装
置に用いられるパレット9であって、第1および第2の
アライメント計測に用いられる複数の検出用マーク14
a,14bを具備して上述の目的を達成する。
【0007】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図5を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図1は本発明の一実施の形
態を示す図であり、荷電ビーム露光装置の概略を示す平
面図である。1は試料室、2は試料室1と一体の室とし
て形成された供給室、3は中間室、4は大気室であり、
供給室2と中間室3および中間室3と大気室4とはそれ
ぞれバルブ5,6を介して連結され、試料室1と供給室
2とはバルブを介さず直接に連結されている。なお、試
料室1と供給室2とを含む室および中間室3はそれぞれ
不図示の真空排気装置によってそれぞれ真空引きするよ
うに構成されている。7,8はパレット9に固定された
ウエハ等の感応基板10が載置されるxyステージであ
り、11x,11yおよび12x,12yはそれぞれx
yステージ7,8の位置を計測するレーザ干渉計であ
る。感応基板10にはアライメントマーク10aが複数
設けられている。
明の実施の形態を説明する。図1は本発明の一実施の形
態を示す図であり、荷電ビーム露光装置の概略を示す平
面図である。1は試料室、2は試料室1と一体の室とし
て形成された供給室、3は中間室、4は大気室であり、
供給室2と中間室3および中間室3と大気室4とはそれ
ぞれバルブ5,6を介して連結され、試料室1と供給室
2とはバルブを介さず直接に連結されている。なお、試
料室1と供給室2とを含む室および中間室3はそれぞれ
不図示の真空排気装置によってそれぞれ真空引きするよ
うに構成されている。7,8はパレット9に固定された
ウエハ等の感応基板10が載置されるxyステージであ
り、11x,11yおよび12x,12yはそれぞれx
yステージ7,8の位置を計測するレーザ干渉計であ
る。感応基板10にはアライメントマーク10aが複数
設けられている。
【0009】図2はパレット9の斜視図であり、パレッ
ト9の上面には感応基板10を固定する静電チャック1
3が設けられる一方、アライメントマーク14a,14
bも設けられている。アライメントマーク14a,14
bはシリコン基板上に重金属(Au,Ta,W等)の蒸
着等によりパターンを形成したものである。
ト9の上面には感応基板10を固定する静電チャック1
3が設けられる一方、アライメントマーク14a,14
bも設けられている。アライメントマーク14a,14
bはシリコン基板上に重金属(Au,Ta,W等)の蒸
着等によりパターンを形成したものである。
【0010】図3は図1に示す露光装置の正面図であ
り、試料室1には荷電ビームを発生する荷電ビーム源1
51,電磁レンズ152,偏向器153等を備える荷電
ビーム光学系15が設けられ、ステージ7に載置された
感応基板10に荷電ビーム光学系15からの荷電ビーム
Bが照射されて所定の露光が行われる。試料室1にはま
た、パレット9のアライメントマーク14a,14bを
荷電ビームBで走査した際に発生する散乱荷電粒子を検
出する検出器16が設けられ、後述するアライメントマ
ーク位置計測に用いられる。一方、供給室2にはHe−
Neレーザ等の光を発生する光源171やレンズ172
等を備えるアライメント光学系17が設けられるととも
に、感応基板10上に形成されたアライメントマーク1
0a(図1参照)やパレット9のアライメントマーク1
4a,14bに光を照射したときに発生する回折光を検
出するための検出器18も設けられている。なお、図3
ではレーザ干渉計11y,12yおよび標準マーク14
bについては図示せず括弧付きの符号のみ表示した。
り、試料室1には荷電ビームを発生する荷電ビーム源1
51,電磁レンズ152,偏向器153等を備える荷電
ビーム光学系15が設けられ、ステージ7に載置された
感応基板10に荷電ビーム光学系15からの荷電ビーム
Bが照射されて所定の露光が行われる。試料室1にはま
た、パレット9のアライメントマーク14a,14bを
荷電ビームBで走査した際に発生する散乱荷電粒子を検
出する検出器16が設けられ、後述するアライメントマ
ーク位置計測に用いられる。一方、供給室2にはHe−
Neレーザ等の光を発生する光源171やレンズ172
等を備えるアライメント光学系17が設けられるととも
に、感応基板10上に形成されたアライメントマーク1
0a(図1参照)やパレット9のアライメントマーク1
4a,14bに光を照射したときに発生する回折光を検
出するための検出器18も設けられている。なお、図3
ではレーザ干渉計11y,12yおよび標準マーク14
bについては図示せず括弧付きの符号のみ表示した。
【0011】ここで、供給室2および試料室1のそれぞ
れにおけるアライメントマーク位置の計測について説明
する。供給室2ではパレット9と感応基板10上の複数
地点との相対位置関係を計測し、試料室1ではパレット
9とステージ7との相対位置関係を計測する。これによ
り、試料室1では間接的にステージ7と感応基板10上
の複数地点との相対位置関係を知り、アライメントが行
われる。
れにおけるアライメントマーク位置の計測について説明
する。供給室2ではパレット9と感応基板10上の複数
地点との相対位置関係を計測し、試料室1ではパレット
9とステージ7との相対位置関係を計測する。これによ
り、試料室1では間接的にステージ7と感応基板10上
の複数地点との相対位置関係を知り、アライメントが行
われる。
【0012】すなわち、供給室2では、感応基板10上
に形成されたアライメントマーク10aおよびパレット
9に形成されたアライメントマーク14a,14bがレ
ーザ光によりそれぞれ走査され、それらの回折光を検出
器18で検出し、その検出データとレーザ干渉計12
x,12yによるxyステージ8の位置とに基づいてア
ライメントマーク14a,14bと各アライメントマー
ク10aとの位置関係が求められる。すなわち、アライ
メントマーク14aの位置座標(x1,y1)とアライメ
ントマーク14bの位置座標(x2,y2)とからパレッ
ト9の座標系が定められ、その座標系に対する感応基板
10上の各アライメントマーク10aの位置が求められ
る。
に形成されたアライメントマーク10aおよびパレット
9に形成されたアライメントマーク14a,14bがレ
ーザ光によりそれぞれ走査され、それらの回折光を検出
器18で検出し、その検出データとレーザ干渉計12
x,12yによるxyステージ8の位置とに基づいてア
ライメントマーク14a,14bと各アライメントマー
ク10aとの位置関係が求められる。すなわち、アライ
メントマーク14aの位置座標(x1,y1)とアライメ
ントマーク14bの位置座標(x2,y2)とからパレッ
ト9の座標系が定められ、その座標系に対する感応基板
10上の各アライメントマーク10aの位置が求められ
る。
【0013】このように、供給室2においてパレット9
と感応基板10上のアライメントマーク10aとの相対
位置関係の計測が行われたら、不図示の搬送装置により
試料室1のステージ7上のパレット9と供給室2のステ
ージ8上のパレット9とを同時に交換する。このとき、
各パレット9は感応基板10がそれぞれ静電チャック1
3に固定された状態でxyステージ7,8上に載置さ
れ、パレット9と感応基板10との位置関係は変化しな
いため、試料室1においては、荷電ビームにより2つの
アライメントマーク14a,14bの位置を検出し、こ
の検出データとレーザ干渉計11x,11yにより計測
されるステージ7の位置データとに基づいてステージ7
に対するパレット9の位置座標が求められる。そして、
供給室2で計測されたパレット9と感応基板10上のア
ライメントマーク10aとの相対位置関係とともに、試
料室1で計測されたステージ7に対するパレット9の位
置座標を使用することにより露光すべきパターンの位置
が決定される。
と感応基板10上のアライメントマーク10aとの相対
位置関係の計測が行われたら、不図示の搬送装置により
試料室1のステージ7上のパレット9と供給室2のステ
ージ8上のパレット9とを同時に交換する。このとき、
各パレット9は感応基板10がそれぞれ静電チャック1
3に固定された状態でxyステージ7,8上に載置さ
れ、パレット9と感応基板10との位置関係は変化しな
いため、試料室1においては、荷電ビームにより2つの
アライメントマーク14a,14bの位置を検出し、こ
の検出データとレーザ干渉計11x,11yにより計測
されるステージ7の位置データとに基づいてステージ7
に対するパレット9の位置座標が求められる。そして、
供給室2で計測されたパレット9と感応基板10上のア
ライメントマーク10aとの相対位置関係とともに、試
料室1で計測されたステージ7に対するパレット9の位
置座標を使用することにより露光すべきパターンの位置
が決定される。
【0014】次に、図4を用いて露光装置の一連の動作
について説明する。図4において9a〜9cはそれぞれ
中間室3,供給室2および試料室1に備えられたパレッ
トであり、101〜105は感応基板である。図4
(a)において、初めはバルブ5は開かれバルブ6は閉
じていて、室1〜3は全て真空排気されているものとし
て説明を開始する。図4(a)に示す工程では、先ずバ
ルブ5を閉じて中間室3の圧力を大気圧に戻す。中間室
3が大気圧になったならばバルブ6を開けて不図示の搬
送装置により大気室4から感応基板101を中間室3の
パレット9a上に搬送し、静電チャック13(図3参
照)により静電吸着して固定する。
について説明する。図4において9a〜9cはそれぞれ
中間室3,供給室2および試料室1に備えられたパレッ
トであり、101〜105は感応基板である。図4
(a)において、初めはバルブ5は開かれバルブ6は閉
じていて、室1〜3は全て真空排気されているものとし
て説明を開始する。図4(a)に示す工程では、先ずバ
ルブ5を閉じて中間室3の圧力を大気圧に戻す。中間室
3が大気圧になったならばバルブ6を開けて不図示の搬
送装置により大気室4から感応基板101を中間室3の
パレット9a上に搬送し、静電チャック13(図3参
照)により静電吸着して固定する。
【0015】図4(b)に示す工程では、バルブ6を閉
じて中間室3を所定の圧力まで真空排気する。中間室3
が所定の圧力になったならばバルブ5を開け、供給室2
のパレット9bと中間室3にある感応基板101が固定
された状態のパレット9aとを交換する。その後、バル
ブ5を閉じて中間室3内の圧力を大気圧に戻した後にバ
ルブ6を開け、大気室4の感応基板102を中間室3の
パレット9bの静電チャック13に載置して固定する。
一方、供給室2では、上述した感応基板101のアライ
メントマーク10aとパレット9aとの相対位置関係
(以下、第1のアライメント計測と呼ぶ)が行われる。
じて中間室3を所定の圧力まで真空排気する。中間室3
が所定の圧力になったならばバルブ5を開け、供給室2
のパレット9bと中間室3にある感応基板101が固定
された状態のパレット9aとを交換する。その後、バル
ブ5を閉じて中間室3内の圧力を大気圧に戻した後にバ
ルブ6を開け、大気室4の感応基板102を中間室3の
パレット9bの静電チャック13に載置して固定する。
一方、供給室2では、上述した感応基板101のアライ
メントマーク10aとパレット9aとの相対位置関係
(以下、第1のアライメント計測と呼ぶ)が行われる。
【0016】図4(c)に示す工程では、バルブ6を閉
じて中間室3を真空排気し、所定の圧力になったならば
バルブ5を開ける。そして、試料室1のパレット9cと
供給室2のパレット9aとを交換し、さらに供給室2に
搬送されたパレット9cと中間室3のパレット9bとを
交換する。その後、バルブ5を閉じ、試料室1において
パレット9aのアライメントマーク14a,14bの位
置を計測し(以下、第2のアライメント計測と呼ぶ)、
この計測結果と供給室2での第1のアライメント計測結
果とに基づいて、試料室1のステージ7と感応基板10
1上のアライメントマーク10aとの相対位置関係を求
め、その後、感応基板101へのパターン露光を行う。
これらの位置計測と露光工程と並行して、供給室2にお
いてパレット9bと感応基板102上のアライメントマ
ーク10aとの第1のアライメント計測を行う。一方、
中間室3を大気圧に戻した後にバルブ6を開けてパレッ
ト9cに感応基板103を固定する。なお、感応基板1
01に施された斜線は、パターンが露光されたことを示
している。
じて中間室3を真空排気し、所定の圧力になったならば
バルブ5を開ける。そして、試料室1のパレット9cと
供給室2のパレット9aとを交換し、さらに供給室2に
搬送されたパレット9cと中間室3のパレット9bとを
交換する。その後、バルブ5を閉じ、試料室1において
パレット9aのアライメントマーク14a,14bの位
置を計測し(以下、第2のアライメント計測と呼ぶ)、
この計測結果と供給室2での第1のアライメント計測結
果とに基づいて、試料室1のステージ7と感応基板10
1上のアライメントマーク10aとの相対位置関係を求
め、その後、感応基板101へのパターン露光を行う。
これらの位置計測と露光工程と並行して、供給室2にお
いてパレット9bと感応基板102上のアライメントマ
ーク10aとの第1のアライメント計測を行う。一方、
中間室3を大気圧に戻した後にバルブ6を開けてパレッ
ト9cに感応基板103を固定する。なお、感応基板1
01に施された斜線は、パターンが露光されたことを示
している。
【0017】図4(d)に示す工程では、バルブ6を閉
じて中間室3を真空排気し、所定の圧力になったならば
バルブ5を開ける。そして、試料室1のパレット9aと
供給室2のパレット9bとを交換し、さらに供給室2に
搬送されたパレット9aと中間室3のパレット9cとを
交換する。その後、バルブ5を閉じ、試料室1において
図4(c)の感応基板101に対して行ったと同様の第
2のアライメント計測を行い、ステージ7と感応基板1
02上のアライメントマーク10aとの相対位置関係を
求めた後、感応基板102へのパターン露光を行う。こ
の一連の工程と並行して、供給室2においてパレット9
cと感応基板103との第1のアライメント計測を行
う。一方、中間室3を大気圧に戻した後にバルブ6を開
けてパレット9a上の露光済みの感応基板101を大気
室4に搬送し、その後にパレット9aに感応基板104
を搬送し固定する。このようにして、次々と感応基板の
アライメントおよびパターン露光が行われる。図5
(a)〜図5(c)に供給室2での第1のアライメント
計測工程、試料室1での第2のアライメント計測工程、
試料室1での露光工程のタイムチャートを示す。
じて中間室3を真空排気し、所定の圧力になったならば
バルブ5を開ける。そして、試料室1のパレット9aと
供給室2のパレット9bとを交換し、さらに供給室2に
搬送されたパレット9aと中間室3のパレット9cとを
交換する。その後、バルブ5を閉じ、試料室1において
図4(c)の感応基板101に対して行ったと同様の第
2のアライメント計測を行い、ステージ7と感応基板1
02上のアライメントマーク10aとの相対位置関係を
求めた後、感応基板102へのパターン露光を行う。こ
の一連の工程と並行して、供給室2においてパレット9
cと感応基板103との第1のアライメント計測を行
う。一方、中間室3を大気圧に戻した後にバルブ6を開
けてパレット9a上の露光済みの感応基板101を大気
室4に搬送し、その後にパレット9aに感応基板104
を搬送し固定する。このようにして、次々と感応基板の
アライメントおよびパターン露光が行われる。図5
(a)〜図5(c)に供給室2での第1のアライメント
計測工程、試料室1での第2のアライメント計測工程、
試料室1での露光工程のタイムチャートを示す。
【0018】図5(a)〜(c)からわかるように、試
料室1での感応基板101に関する第2のアライメント
計測工程および露光工程に並行して、供給室2で次の感
応基板102の第1のアライメント計測が行われるので
スループットが向上する。一方、従来の場合には、試料
室1で感応基板101上のアライメントマーク10aの
位置計測を行ってパレット9aを介さずに直接ステージ
7とのアライメントを行り、その後に露光を行っている
ため、図5(d)に示すように効率が悪くなり、感応基
板1枚当りの処理時間t2(アライメント計測工程と露
光工程を合せた処理時間)は、本実施の形態の装置によ
る処理時間t1にくらべ長い。
料室1での感応基板101に関する第2のアライメント
計測工程および露光工程に並行して、供給室2で次の感
応基板102の第1のアライメント計測が行われるので
スループットが向上する。一方、従来の場合には、試料
室1で感応基板101上のアライメントマーク10aの
位置計測を行ってパレット9aを介さずに直接ステージ
7とのアライメントを行り、その後に露光を行っている
ため、図5(d)に示すように効率が悪くなり、感応基
板1枚当りの処理時間t2(アライメント計測工程と露
光工程を合せた処理時間)は、本実施の形態の装置によ
る処理時間t1にくらべ長い。
【0019】上述した露光装置では、図4(c)の工程
で説明したように、感応基板102上のアライメントマ
ーク10aとパレット9bとの第1のアライメント計測
(アライメント時間の大部分を占める)は感応基板10
1の露光中に並行して行われ、試料室1における感応基
板102の第2のアライメント計測の際にはパレット9
bに設けられた僅か2つのアライメントマーク14a,
14b(図3を参照)を検出するだけでよい。そのた
め、従来に比べスループットに占めるアライメント計測
時間の割合が減り、スループットの向上が図れる。
で説明したように、感応基板102上のアライメントマ
ーク10aとパレット9bとの第1のアライメント計測
(アライメント時間の大部分を占める)は感応基板10
1の露光中に並行して行われ、試料室1における感応基
板102の第2のアライメント計測の際にはパレット9
bに設けられた僅か2つのアライメントマーク14a,
14b(図3を参照)を検出するだけでよい。そのた
め、従来に比べスループットに占めるアライメント計測
時間の割合が減り、スループットの向上が図れる。
【0020】上述した実施の形態では第1のアライメン
ト計測の際に光を用いてマークを検出したが、荷電ビー
ムを用いても良い。また、アライメント光学系17等を
供給室2の代りに中間室3に設けて中間室3で第1のア
ライメント計測を行うことも可能であるが、中間室3は
真空排気されたり大気圧に戻されたりするためアライメ
ント計測後に感応基板の位置ずれ等が生じるおそれがあ
り、安定した真空状態にある供給室2の方がアライメン
ト計測に適している。さらにまた、上述した露光装置で
は第1のアライメント計測を露光装置内で行っている
が、第1のアライメント計測は必ずしも同一装置内で行
われなくてもよく、例えば、露光装置で他の感応基板を
露光している最中に、露光装置とは別に設けたアライメ
ント計測装置で感応基板上の複数地点とパレットとの第
1のアライメント計測を行い、計測済みの感応基板およ
びパレットを露光装置に搬送して第2のアライメント計
測を行い、その後にパターン露光を行うようにしても良
い。
ト計測の際に光を用いてマークを検出したが、荷電ビー
ムを用いても良い。また、アライメント光学系17等を
供給室2の代りに中間室3に設けて中間室3で第1のア
ライメント計測を行うことも可能であるが、中間室3は
真空排気されたり大気圧に戻されたりするためアライメ
ント計測後に感応基板の位置ずれ等が生じるおそれがあ
り、安定した真空状態にある供給室2の方がアライメン
ト計測に適している。さらにまた、上述した露光装置で
は第1のアライメント計測を露光装置内で行っている
が、第1のアライメント計測は必ずしも同一装置内で行
われなくてもよく、例えば、露光装置で他の感応基板を
露光している最中に、露光装置とは別に設けたアライメ
ント計測装置で感応基板上の複数地点とパレットとの第
1のアライメント計測を行い、計測済みの感応基板およ
びパレットを露光装置に搬送して第2のアライメント計
測を行い、その後にパターン露光を行うようにしても良
い。
【0021】さらに、従来、マーク検出は露光に用いら
れる荷電ビームを利用して行われており、マーク検出の
際に荷電ビームでマーク上を複数回走査して検出信号の
S/N比を向上させている。ところで、最近は高スルー
プットを図るために、チップパターンを複数の小領域に
分割して各小領域毎にパターンを露光する方法が提案さ
れているが、この方法で用いられる荷電ビームは電流密
度が低いために高いS/N比を得るのが難しい。しかし
ながら、図1に示した露光装置のようにマーク検出を光
で行った場合には、荷電ビームの電流密度に関係なくS
/N比の良い検出ができるという利点がある。
れる荷電ビームを利用して行われており、マーク検出の
際に荷電ビームでマーク上を複数回走査して検出信号の
S/N比を向上させている。ところで、最近は高スルー
プットを図るために、チップパターンを複数の小領域に
分割して各小領域毎にパターンを露光する方法が提案さ
れているが、この方法で用いられる荷電ビームは電流密
度が低いために高いS/N比を得るのが難しい。しかし
ながら、図1に示した露光装置のようにマーク検出を光
で行った場合には、荷電ビームの電流密度に関係なくS
/N比の良い検出ができるという利点がある。
【0022】上述した発明の実施の形態と特許請求の範
囲の要素との対応において、レーザ干渉計11x,11
y,荷電ビーム光学系15および検出器16は第1のア
ライメント計測手段を、アライメント光学系17,検出
器18,レーザ干渉計12x,12yおよびxyステー
ジ8は第2のアライメント計測手段をそれぞれ構成す
る。
囲の要素との対応において、レーザ干渉計11x,11
y,荷電ビーム光学系15および検出器16は第1のア
ライメント計測手段を、アライメント光学系17,検出
器18,レーザ干渉計12x,12yおよびxyステー
ジ8は第2のアライメント計測手段をそれぞれ構成す
る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
感応基板とパレットとの第1のアライメント計測は他の
感応基板の露光の最中に並行して行われ、露光ステージ
に載置された感応基板およびパレットに関してはパレッ
トと露光ステージとの第2のアライメント計測を行うだ
けで良い。そのため、従来に比べスループットに占める
アライメント計測時間の割合が減り、スループットの向
上が図れる。
感応基板とパレットとの第1のアライメント計測は他の
感応基板の露光の最中に並行して行われ、露光ステージ
に載置された感応基板およびパレットに関してはパレッ
トと露光ステージとの第2のアライメント計測を行うだ
けで良い。そのため、従来に比べスループットに占める
アライメント計測時間の割合が減り、スループットの向
上が図れる。
【図1】荷電ビーム露光装置の平面図。
【図2】パレット9の斜視図。
【図3】図1に示す荷電ビーム露光装置の正面図。
【図4】露光装置の動作を説明する図であり、(a)〜
(d)は各工程を示す。
(d)は各工程を示す。
【図5】アライメント計測工程,露光工程のタイムチャ
ート図。
ート図。
1 試料室 2 供給室 3 中間室 4 大気室 7,8 xyステージ 9,9a〜9c パレット 10,101〜105 感応基板 10a,14a,14b アライメントマーク 11x,11y,12x,12y レーザ干渉計 15 荷電ビーム光学系 16,18 検出器 17 アライメント光学系
Claims (5)
- 【請求項1】 複数の感応基板を各々パレットに固定
し、そのパレットに固定された感応基板を荷電ビーム露
光装置の露光ステージに順に載置してパターンを露光す
る荷電ビーム露光方法において、 露光前の感応基板とその感応基板が固定されたパレット
との第1のアライメント計測を他の感応基板のパターン
露光の最中に行った後に、前記第1のアライメント計測
が行われた感応基板およびパレットを前記露光ステージ
に載置し、その載置されたパレットと前記露光ステージ
との第2のアライメント計測を行うようにしたことを特
徴とする荷電ビーム露光方法。 - 【請求項2】 パレットに固定された感応基板を露光ス
テージ上に載置し、光源からの荷電ビームにより前記感
応基板にパターンを露光する荷電ビーム露光装置におい
て、 露光前の感応基板とその感応基板が固定されたパレット
との第1のアライメント計測を他の感応基板のパターン
露光の最中に行う第1のアライメント計測手段と、 前記第1のアライメント計測が行われた感応基板および
パレットを前記露光ステージに載置して前記パレットと
前記露光ステージとの第2のアライメント計測を行う第
2のアライメント計測手段と、 前記第1および第2のアライメント計測の結果に基づい
て前記感応基板と前記露光ステージとのアライメントを
行って露光を行うように前記露光ステージと前記光源を
制御する制御手段とを備えることを特徴とする荷電ビー
ム露光装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の荷電ビーム露光装置に
おいて、 前記感応基板とパレットとの第1のアライメント計測に
レーザ光等の光を用いたことを特徴とする荷電ビーム露
光装置。 - 【請求項4】 請求項2または3に記載の荷電ビーム露
光装置において、 前記第1のアライメント計測では、前記感応基板上の複
数のアライメントマークと前記パレット上のアライメン
トマークとの相対位置関係を計測することを特徴とする
荷電ビーム露光装置。 - 【請求項5】 請求項2〜4のいずれかに記載の荷電ビ
ーム露光装置に用いられるパレットであって、 前記第1および第2のアライメント計測に用いられる複
数の検出用マークを具備することを特徴とするパレッ
ト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9008445A JPH10209010A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9008445A JPH10209010A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10209010A true JPH10209010A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11693332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9008445A Pending JPH10209010A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 荷電ビーム露光方法,荷電ビーム露光装置およびパレット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10209010A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223397A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | 電子線露光方法及びその装置 |
JP2003188094A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-04 | Asml Us Inc | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
JP2007220937A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 基板の重ね描画方法 |
JP2011135060A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-07-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板及び半導体基板の製造方法 |
JP2012134205A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1997
- 1997-01-21 JP JP9008445A patent/JPH10209010A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223397A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Nec Corp | 電子線露光方法及びその装置 |
JP2003188094A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-04 | Asml Us Inc | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
JP2009088555A (ja) * | 2001-10-19 | 2009-04-23 | Asml Holding Nv | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理の方法 |
JP4493070B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2010-06-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | リソグラフィのパターニングにおいて用いるウェハ処理のシステムおよび方法 |
JP2007220937A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 基板の重ね描画方法 |
JP2011135060A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-07-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板及び半導体基板の製造方法 |
JP2012134205A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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