JP3951171B2 - 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 26
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 56
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 27
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 13
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 10
- -1 ethyl cyclopentadienyl group Chemical group 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsenic Chemical compound CC(C)(C)[As] QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- OOFOOWBKEGKSBQ-UHFFFAOYSA-N sodium;5-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Na+].CC[C-]1C=CC=C1 OOFOOWBKEGKSBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 1-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCC1=CC=CC1 IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFNKZTLFDXKDNP-UHFFFAOYSA-N C(C)C1=C(C(C=C1)([Er])CC)CC Chemical compound C(C)C1=C(C(C=C1)([Er])CC)CC FFNKZTLFDXKDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- PZZJDXSEOYCOQS-UHFFFAOYSA-N cyclopentane;erbium Chemical compound [Er].[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]1[CH][CH][CH][CH]1.[CH]1[CH][CH][CH][CH]1 PZZJDXSEOYCOQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K erbium(iii) chloride Chemical compound Cl[Er](Cl)Cl HDGGAKOVUDZYES-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBDWUWNQBVXRMA-UHFFFAOYSA-N lithium;5-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Li+].CC[C-]1C=CC=C1 ZBDWUWNQBVXRMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N sec-butylidene Natural products CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体や導体と言った電子移動が可能な電子移動可能体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザーに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ＥｒＰに代表されるランタノイド元素（Ｌｎ）とＶ族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。
【０００３】
すなわち、Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ／ＬｎＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰの如きのヘテロ構造を作成し、ＬｎＰ層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ−ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。
【０００４】
又、光の分野でも、ＬｎのＧａＡｓやＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。
【０００５】
現在、ＧａＡｓに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が主流である。
【０００６】
ところで、ランタノイド元素−Ｖ族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β−ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子移動可能体を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決する為の研究を鋭意押し進めて行った結果、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを用いて構成された電子移動可能体が極めて高性能なものであることを見出すに至った。
【０００９】
上記知見に基づいて本願発明が達成されたものであり、前記の課題は、
Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
又、電子移動可能体膜と電子移動可能体膜との間にＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
【００１０】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、電子移動可能体膜を有する電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
又、電子移動可能体膜と電子移動可能体膜との間にＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
【００１１】
尚、分解は、熱、プラズマ、光、レ−ザ−の群の中から選ばれる手法、特に熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。
【００１２】
又、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体によって解決される。
【００１３】
この電子移動可能体は、例えばＬｎ，ＬｎＮ，ＬｎＰ，ＬｎＡｓ，ＬｎＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。
【００１４】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１５】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１６】
又、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１７】
上記Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の間の数）である。
【００１８】
尚、本願出願人は、先に、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｌｎ〔Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はがエチルシクロペンタジエニル基（（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４−）、イソプロピルシクロペンタジエニル基（（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４−）、ノルマルブタンシクロペンタジエニル基（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）Ｃ５Ｈ４−）などのアルキル基、シリコン系化合物の基、及びアミノ基の群の中から選ばれる基〕で表される化合物からなるランタニド系膜形成材料、及びこのランタニド系膜形成材料で構成された膜をゲート酸化膜として用いた半導体素子を提案（特願２０００−２８００６２）している。
【００１９】
しかし、この提案（特願２０００−２８００６２）は、電子移動可能体に関するものではない。そればかりか、特願２０００−２８００６２の具体的実施例で挙げられている［（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子は、［（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子に比べて劣るものであった。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明になる電子移動可能体形成材料は、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる。
【００２１】
本発明になる電子移動可能体形成方法は、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける方法である。トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎの分解は、熱、プラズマ、光、レ−ザ−の群の中から選ばれる手法、特に熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。
【００２２】
本発明になる電子移動可能体は、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体である。電子移動可能体は、例えばＬｎ，ＬｎＮ，ＬｎＰ，ＬｎＡｓ，ＬｎＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎの含有割合は、特に、薄膜１ｃｍ３当たり１０１５〜１０２２個である。
【００２３】
又、本発明になる電子移動可能体は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。或いは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。特に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、前記Ｇａ，Ａｓを含む層に隣接して上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。若しくは、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有するものである。Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。
【００２４】
以下、更に具体的な実施例を挙げて説明する。
【００２５】
【実施例１〜１３】
［トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎの合成］
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム（ＥｔＣｐ３Ｅｒ）が次のようにして合成された。。
【００２６】
先ず、市販のエチルシクロペンタジエンと粉末状の金属ナトリウムとを溶媒中で反応させ、エチルシクロペンタジエニルナトリウムを合成した。この時の溶媒は、テトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。又、粉末状の金属ナトリウムの代わりにＮａＨ，ＮａＮＨ２でも可能である。アルキルリチウム等を用いてエチルシクロペンタジエニルリチウムを合成しても良い。
【００２７】
合成されたエチルシクロペンタジエニルナトリウムと無水塩化エルビウムとを溶媒中で反応させ、ＥｔＣｐ３Ｅｒを合成した。この時の溶媒はテトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。
【００２８】
溶媒を濃縮後、残渣からＥｔＣｐ３Ｅｒを溶媒抽出または蒸留抽出によって回収し、得られた粗生物を精密蒸留によって精製し、ＥｔＣｐ３Ｅｒを得た。
【００２９】
このようにして得られたＥｔＣｐ３Ｅｒは、ＴＧ−ＤＴＡ分析によれば、気化特性が良好であることが判明した。又、融点は７０℃以下であり、気化させる温度において液体であることも判った。
【００３０】
又、化学組成も理論式と一致していた。更に、ＩＣＰ−ＭＡＳＳによれば、金属不純物は検出限界以下の高純度品であることが確認された。
【００３１】
尚、上記の合成が数回試みられた。その際の収率は３５〜７５％であった。これに対して、トリス−シクロペンタジエニル−エルビウム（Ｃｐ３Ｅｒ）の収率は３５％より低く、ＥｔＣｐ３Ｅｒの製造コストはＣｐ３Ｅｒの製造コストよりも低いことが判った。
又、Ｅｒの代わりにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，Ｙｂが用いられて同様に行われ、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎが合成された。
【００３２】
【実施例１４】
図１は成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図である。同図中、１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅは原料容器、３は加熱器、４は分解反応炉、５は基板である。
【００３３】
容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ＥｔＣｐ３Ｅｒ、ターシャリ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）、ターシャリ−ブチルフォスフィン（ＴＢＰ）が入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００３４】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【００３５】
【実施例１５〜１９】
実施例１４において、ＴＢＰの代わりに水素、希釈酸素、アルキルヒドラジン、ＴＢＡｓ、トリメチルアンチモンをＥｔＣｐ３Ｅｒと共に流した以外は同様に行った。
【００３６】
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成された素子（実施例１５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ２Ｏ３／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１６）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＮ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１７）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１８）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＳｂ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１９）を得た。
【００３７】
【実施例２０〜２４】
実施例１５〜１９において、熱分解の代わりにプラズマ、光、レーザー、マイクロ波による分解手段を用いて同様に行い、同様な結果を得た。
【００３８】
【実施例２５〜３６】
実施例１４において、ＥｔＣｐ３Ｅｒの代わりにＥｔＣｐ３Ｃｅ，ＥｔＣｐ３Ｐｒ，ＥｔＣｐ３Ｎｄ，ＥｔＣｐ３Ｐｍ，ＥｔＣｐ３Ｓｍ，ＥｔＣｐ３Ｅｕ，ＥｔＣｐ３Ｇｄ，ＥｔＣｐ３Ｔｂ，ＥｔＣｐ３Ｄｙ，ＥｔＣｐ３Ｈｏ，ＥｔＣｐ３Ｔｍ，ＥｔＣｐ３Ｙｂが用いられて同様に行われた。
【００３９】
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＣｅＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２６）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＮｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２７）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２８）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＳｍＰ／Ｇａ（ １−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２９）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｕＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３０）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３１）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３２）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＤｙＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３３）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＨｏＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３４）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＹｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３６）が得られた。
【００４０】
【実施例３７】
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＡｓとＴＥＧとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。尚、ＥｔＣｐ３Ｅｒを流す際、Ａｒ希釈酸素（酸素濃度３８ｐｐｍ）を１〜５０ｍｌ／ｍｉｎの割合で同時に供給した。
【００４１】
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００４２】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。尚、Ｅｒの濃度は約５×１０１７個／ｃｍ３であった。
【００４３】
この素子（発光デバイス）の発光スペクトルを観察した処、室温で波長１．５μｍ帯に高輝度でシャープな発光が観察された。又、その発光波長は環境温度に対して極めて安定であった。
【００４４】
【実施例３８】
実施例３７において、ＧａＩｎＰ膜とＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ膜との界面にＥｒを添加していないＧａＡｓ膜を持つ、すなわち基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成されている素子を作成した。尚、ＧａＡｓ膜はＴＢＡｓとＴＥＧとを流すことによって成膜された。
【００４５】
この素子（発光デバイス）は、実施例３７の素子のものよりも発光効率に優れていた。
【００４６】
【実施例３９】
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、次にＴＢＰとＴＭＩとが、最後にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが流された。
【００４７】
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００４８】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＥｒＰ／ＩｎＰ／ＥｒＰの構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【００４９】
【発明の効果】
高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子デバイスが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ 原料容器
３ 加熱器
４ 分解反応炉
５ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体や導体と言った電子移動が可能な電子移動可能体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザーに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ＥｒＰに代表されるランタノイド元素（Ｌｎ）とＶ族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。
【０００３】
すなわち、Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ／ＬｎＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰの如きのヘテロ構造を作成し、ＬｎＰ層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ−ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。
【０００４】
又、光の分野でも、ＬｎのＧａＡｓやＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。
【０００５】
現在、ＧａＡｓに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が主流である。
【０００６】
ところで、ランタノイド元素−Ｖ族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β−ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子移動可能体を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決する為の研究を鋭意押し進めて行った結果、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを用いて構成された電子移動可能体が極めて高性能なものであることを見出すに至った。
【０００９】
上記知見に基づいて本願発明が達成されたものであり、前記の課題は、
Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
又、電子移動可能体膜と電子移動可能体膜との間にＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料によって解決される。
【００１０】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、電子移動可能体膜を有する電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
又、電子移動可能体膜と電子移動可能体膜との間にＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解・堆積させて電子移動可能体膜を形成する工程を具備する
ことを特徴とする電子移動可能体形成方法によって解決される。
【００１１】
尚、分解は、熱、プラズマ、光、レ−ザ−の群の中から選ばれる手法、特に熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。
【００１２】
又、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体によって解決される。
【００１３】
この電子移動可能体は、例えばＬｎ，ＬｎＮ，ＬｎＰ，ＬｎＡｓ，ＬｎＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。
【００１４】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１５】
又、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１６】
又、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有することを特徴とする電子移動可能体によって解決される。
【００１７】
上記Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の間の数）である。
【００１８】
尚、本願出願人は、先に、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｌｎ〔Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はがエチルシクロペンタジエニル基（（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４−）、イソプロピルシクロペンタジエニル基（（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４−）、ノルマルブタンシクロペンタジエニル基（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）Ｃ５Ｈ４−）などのアルキル基、シリコン系化合物の基、及びアミノ基の群の中から選ばれる基〕で表される化合物からなるランタニド系膜形成材料、及びこのランタニド系膜形成材料で構成された膜をゲート酸化膜として用いた半導体素子を提案（特願２０００−２８００６２）している。
【００１９】
しかし、この提案（特願２０００−２８００６２）は、電子移動可能体に関するものではない。そればかりか、特願２０００−２８００６２の具体的実施例で挙げられている［（ｉ−Ｃ３Ｈ７）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子は、［（Ｃ２Ｈ５）Ｃ５Ｈ４］３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子に比べて劣るものであった。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明になる電子移動可能体形成材料は、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる。
【００２１】
本発明になる電子移動可能体形成方法は、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける方法である。トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎの分解は、熱、プラズマ、光、レ−ザ−の群の中から選ばれる手法、特に熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。
【００２２】
本発明になる電子移動可能体は、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体である。電子移動可能体は、例えばＬｎ，ＬｎＮ，ＬｎＰ，ＬｎＡｓ，ＬｎＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎを含むＧａＡｓ又はＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。Ｌｎ及び／又は酸素と結合したＬｎの含有割合は、特に、薄膜１ｃｍ３当たり１０１５〜１０２２個である。
【００２３】
又、本発明になる電子移動可能体は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。或いは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。特に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、前記Ｇａ，Ａｓを含む層に隣接して上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。若しくは、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有するものである。Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）である。
【００２４】
以下、更に具体的な実施例を挙げて説明する。
【００２５】
【実施例１〜１３】
［トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎの合成］
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム（ＥｔＣｐ３Ｅｒ）が次のようにして合成された。。
【００２６】
先ず、市販のエチルシクロペンタジエンと粉末状の金属ナトリウムとを溶媒中で反応させ、エチルシクロペンタジエニルナトリウムを合成した。この時の溶媒は、テトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。又、粉末状の金属ナトリウムの代わりにＮａＨ，ＮａＮＨ２でも可能である。アルキルリチウム等を用いてエチルシクロペンタジエニルリチウムを合成しても良い。
【００２７】
合成されたエチルシクロペンタジエニルナトリウムと無水塩化エルビウムとを溶媒中で反応させ、ＥｔＣｐ３Ｅｒを合成した。この時の溶媒はテトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。
【００２８】
溶媒を濃縮後、残渣からＥｔＣｐ３Ｅｒを溶媒抽出または蒸留抽出によって回収し、得られた粗生物を精密蒸留によって精製し、ＥｔＣｐ３Ｅｒを得た。
【００２９】
このようにして得られたＥｔＣｐ３Ｅｒは、ＴＧ−ＤＴＡ分析によれば、気化特性が良好であることが判明した。又、融点は７０℃以下であり、気化させる温度において液体であることも判った。
【００３０】
又、化学組成も理論式と一致していた。更に、ＩＣＰ−ＭＡＳＳによれば、金属不純物は検出限界以下の高純度品であることが確認された。
【００３１】
尚、上記の合成が数回試みられた。その際の収率は３５〜７５％であった。これに対して、トリス−シクロペンタジエニル−エルビウム（Ｃｐ３Ｅｒ）の収率は３５％より低く、ＥｔＣｐ３Ｅｒの製造コストはＣｐ３Ｅｒの製造コストよりも低いことが判った。
又、Ｅｒの代わりにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，Ｙｂが用いられて同様に行われ、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎが合成された。
【００３２】
【実施例１４】
図１は成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図である。同図中、１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅは原料容器、３は加熱器、４は分解反応炉、５は基板である。
【００３３】
容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ＥｔＣｐ３Ｅｒ、ターシャリ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）、ターシャリ−ブチルフォスフィン（ＴＢＰ）が入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００３４】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【００３５】
【実施例１５〜１９】
実施例１４において、ＴＢＰの代わりに水素、希釈酸素、アルキルヒドラジン、ＴＢＡｓ、トリメチルアンチモンをＥｔＣｐ３Ｅｒと共に流した以外は同様に行った。
【００３６】
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成された素子（実施例１５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ２Ｏ３／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１６）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＮ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１７）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１８）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＳｂ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例１９）を得た。
【００３７】
【実施例２０〜２４】
実施例１５〜１９において、熱分解の代わりにプラズマ、光、レーザー、マイクロ波による分解手段を用いて同様に行い、同様な結果を得た。
【００３８】
【実施例２５〜３６】
実施例１４において、ＥｔＣｐ３Ｅｒの代わりにＥｔＣｐ３Ｃｅ，ＥｔＣｐ３Ｐｒ，ＥｔＣｐ３Ｎｄ，ＥｔＣｐ３Ｐｍ，ＥｔＣｐ３Ｓｍ，ＥｔＣｐ３Ｅｕ，ＥｔＣｐ３Ｇｄ，ＥｔＣｐ３Ｔｂ，ＥｔＣｐ３Ｄｙ，ＥｔＣｐ３Ｈｏ，ＥｔＣｐ３Ｔｍ，ＥｔＣｐ３Ｙｂが用いられて同様に行われた。
【００３９】
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＣｅＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｒＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２６）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＮｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２７）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２８）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＳｍＰ／Ｇａ（ １−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例２９）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｕＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３０）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧｄＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３１）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３２）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＤｙＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３３）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＨｏＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３４）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｍＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＹｂＰ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３６）が得られた。
【００４０】
【実施例３７】
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＡｓとＴＥＧとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。尚、ＥｔＣｐ３Ｅｒを流す際、Ａｒ希釈酸素（酸素濃度３８ｐｐｍ）を１〜５０ｍｌ／ｍｉｎの割合で同時に供給した。
【００４１】
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００４２】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。尚、Ｅｒの濃度は約５×１０１７個／ｃｍ３であった。
【００４３】
この素子（発光デバイス）の発光スペクトルを観察した処、室温で波長１．５μｍ帯に高輝度でシャープな発光が観察された。又、その発光波長は環境温度に対して極めて安定であった。
【００４４】
【実施例３８】
実施例３７において、ＧａＩｎＰ膜とＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ膜との界面にＥｒを添加していないＧａＡｓ膜を持つ、すなわち基板／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／ＧａＡｓ／Ｇａ（１−ｘ）ＩｎｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成されている素子を作成した。尚、ＧａＡｓ膜はＴＢＡｓとＴＥＧとを流すことによって成膜された。
【００４５】
この素子（発光デバイス）は、実施例３７の素子のものよりも発光効率に優れていた。
【００４６】
【実施例３９】
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが、次にＴＢＰとＴＭＩとが、最後にＴＢＰとＥｔＣｐ３Ｅｒとが流された。
【００４７】
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
【００４８】
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＥｒＰ／ＩｎＰ／ＥｒＰの構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。
【００４９】
【発明の効果】
高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子デバイスが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ 原料容器
３ 加熱器
４ 分解反応炉
５ 基板
Claims (1)
- Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002156564A JP3951171B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2006128789A Division JP5122082B2 (ja) | 2006-05-08 | 2006-05-08 | 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2003342285A JP2003342285A (ja) | 2003-12-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
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- 2002-05-30 JP JP2002156564A patent/JP3951171B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2003342285A (ja) | 2003-12-03 |
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