JP3720515B2 - 基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
２枚のウェハ（基板）を密着させ、陽極接合処理、加圧処理、熱処理等を施すことにより貼り合わせる方法がある。この方法は、例えばＳＯＩ等の構造を有するウェハの製造に好適である。
【０００３】
図１１は、ウェハを貼り合わせる工程の一部を示す模式図である。この貼り合わせ工程においては、先ず、図１１（ａ）に示すように、第１のウェハ１をその貼り合わせ面を上にしてウェハ支持治具２０１にセットし、第２のウェハ２をその貼り合わせ面を下にして静かに重ね合わせる。このとき、上側のウェハ２は、図１１（ａ）に示すように、ウェハ間の気体（例えば、空気、不活性気体）により浮遊した状態になる。
【０００４】
次いで、ウェハ１，２間の気体が完全に抜ける前に、図１１（ｂ）に示すように、上側のウェハ２の中心付近に対して加圧ピン２０２によって加圧すると、ウェハの中心部の空気が外周方向に押し出され、先ず、中心部においてウェハ１及び２が密着し、その後、ウェハ間の気体が外周方向に向かって徐々に押し出されながら密着部分の面積が拡大し、最終的にウェハの全体が密着される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】
上記の方法は、ウェハ間に気体を残存させないで２枚のウェハを密着させる方法として有用であるが、次のような問題がある。
【０００６】
その１つは、２枚のウェハの位置合せに伴うウェハの汚染に関する問題である。すなわち、重ねられた上側のウェハ２は、ウェハ間の気体により浮遊した状態となるため、上側のウェハ２が水平面内で移動する際の摩擦は極めて小さい。このため治具２０１に僅かな傾きがあっても上側のウェハ２が滑るようにして移動する。したがって、２枚のウェハ１，２を正確に位置合せするには、ウェハ２の水平面内の移動を制限する手段を設ける必要がある。
【０００７】
図１１に示す治具２０１は、ウェハ１，２の形状に一致する窪みを有し、この窪みの側壁によってウェハ１，２の水平方向の移動を制限し位置合せを行う。図１２は、ウェハ１，２の位置を合せつつ重ね合わせる治具の他の構成例を示す図である。この治具２０３は、複数の位置決めピン２０４と、押圧ピン２０５とを有し、押圧ピン２０５によりウェハ１，２を複数の位置決めピン２０４に押し当てることにより、ウェハ１，２の水平面内の移動を制限する。
【０００８】
図１１または図１２に示すような治具を用いて２枚のウェハを重ね合わせる方法は、ウェハの外周部が治具に接触するために、パーティクルの発生、ウェハの外周部の欠損その他の歩留りを低下させる原因を含んでいる。
【０００９】
また、他の問題点として、ウェハに加圧する際の条件が一定にならないことが挙げられる。具体的には、２枚のウェハを重ねてから加圧ピンにより加圧するまでの時間が一定にならず、また、加圧ピンにより加圧する際のウェハ間の間隙が一定にならない。従って、２枚のウェハを密着させて得られるウェハの品質を均一化することが困難である。また、加圧ピンによりウェハに加圧する前に、部分的にウェハ間の気体が抜けてしまうことがある。この場合、中心部から外周部に向かって徐々に気体を押し出しながらウェハを密着させることができないため、ウェハ間に気体を残存させる原因となる。
【００１０】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、２枚の基板を密着させて得られる基板の品質を高めることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除する基板操作手段と、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除に合わせて該一方の基板の裏面の一部に加圧することにより、該一方の基板を他方の基板に密着させる加圧手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除と略同時に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１３】
加圧力は、例えば１５０〜３００ｇ重程度が好ましく、２００〜２５０ｇ重程度がさらに好ましい。
【００１４】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、２枚の基板間の気体が所定量以上排出される前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１５】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、一定の時間を計時した後、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１６】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、２枚の基板間の距離が所定距離以下になる前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１７】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を略水平に支持し、その後上側の基板の支持を解除することが好ましい。
【００１８】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を略水平に支持し、その後上側の基板の支持を解除し、前記加圧手段は、前記基板操作手段による該上側の基板の支持の解除によって２枚の基板間の気体が該上側の基板の自重により所定量以上排出される前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１９】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を夫々裏面からのみ支持することが好ましい。
【００２０】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、一方の基板の支持を解除する直前における２つの基板の間隙を調整する間隙調整手段を有することが好ましい。
【００２１】
この間隙は、例えば、２０〜１００μｍ程度が好ましく、３０〜６０μｍ程度がさらに好ましい。
【００２２】
前記基板処理装置において、前記間隙調整手段は、２つの基板の間隙を所定距離に調整することが好ましい。
【００２３】
前記基板処理装置において、前記間隙調整手段は、２つの基板の厚さを夫々計測する計測手段を有し、その計測結果に基づいて、２つの基板の間隙を調整することが好ましい。
【００２４】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、基板の一部に接触して該基板に加圧するための圧力伝達部材と、該圧力伝達部材を振動させる振動手段とを有することが好ましい。
【００２５】
前記基板処理装置において、前記振動手段は、基板に加圧する際に、前記圧力伝達部材を振動させることが好ましい。
【００２６】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、一方の基板をその表面を上にした状態で支持する第１の基板支持手段と、他方の基板をその裏面側から吸着し、その表面を該一方の基板の表面と略平行に対向させて支持する第２の基板支持手段とを有することが好ましい。
【００２７】
前記基板処理装置において、前記第２の基板支持手段は、前記他方の基板をその裏面側から吸着するための吸着部材を有し、該吸着部材により前記他方の基板を吸着後、該吸着部材を前記第１の基板支持手段との中間付近に設けられた軸を中心にして略１８０度回動させることにより、吸着した前記他方の基板を裏返して、前記第１の基板支持手段により支持された前記一方の基板と対向させることが好ましい。
【００２８】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段による基板の受取り位置に基板を搬送する基板搬送手段をさらに備えることが好ましい。
【００２９】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段により支持される基板の中心位置及び向きを調整する基板調整手段をさらに備えることが好ましい。
【００３０】
前記基板処理装置において、前記基板調整手段は、前記基板搬送手段によって保持される基板の中心位置及び向きを調整し、その後、前記基板搬送手段は、中心位置及び向きが調整された基板を前記受取り位置まで搬送することが好ましい。
【００３１】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、その解除に合わせて該一方の基板の裏面の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３２】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、その解除と略同時に該一方の基板の裏面の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３３】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、２枚の基板間の気体が所定量以上排出される前に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、一定の時間を計時した後に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３５】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、２枚の基板間の距離が所定距離以下になる前に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３６】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて略水平に支持した後に上側の基板の支持を解除し、その解除に合わせて該上側の基板の一部に加圧し、該上側の基板を下側の基板に密着させることを特徴とする。
【００３７】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて略水平に支持した後に上側の基板の支持を解除し、その後、２枚の基板間の気体が該上側の基板の自重により所定量以上排出される前に、該上側の基板の一部に加圧し、該上側の基板を下側の基板に密着させることを特徴とする。
【００３８】
前記の各基板処理方法において、２枚の基板の支持を夫々の裏面からのみ行うことが好ましい。
【００３９】
前記の各基板処理方法において、基板の支持を解除する直前における２つの基板の間隙を所定距離にすることが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理装置の構成を示す。図１は、この実施の形態に係るウェハ処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。図２は、図１の一部を拡大した図である。また、図３〜図７は、図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図であって、２枚のウェハを密着させる動作を示している。
【００４１】
このウェハ処理装置１００は、２枚のウェハを重ね合わせて密着させる装置であって、例えば、２枚のウェハを貼り合わせてＳＯＩ等の構造を有するウェハを製造する方法の実施に好適である
このウェハ処理装置１００は、第１のウェハ１（図３参照）を裏面から支持するウェハ支持台３と、第２のウェハ２（図３参照）を裏面から吸着して第１のウェハ１と略平行に対向させるウェハ移動機構４とを有する。
【００４２】
ウェハ支持台３は、第１のウェハ１の裏面とのみ接触する構造であることが好ましく、これにより第１のウェハ１がパーティクルによって汚染されることを防止することができる他、第１のウェハ１の外周部の欠損を防止することができる。また、ウェハ支持台３は、第１のウェハ１がウェハ支持台３の面上で移動することを防止するための手段（例えば、真空吸着機構）を有することが好ましく、これにより２枚のウェハ１，２を密着させる際の両ウェハのずれを防止することができる。さらに、ウェハ支持台３の表面は平坦に加工されていることが好ましく、表面の平坦度は０．５μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
ウェハ移動機構４は、第２のウェハ２の裏面とのみ接触する構造を有することが好ましく、この実施の形態においては、ウェハを真空吸着するための溝４ａを有する。第２のウェハ２を吸着するには、溝４ａ内の空間を減圧すれば良い。ウェハ移動機構４は、ウェハ吸着部４ｃに第２のウェハ２の裏面を吸着した状態で軸４ｂを中心として約１８０度回動して、第１のウェハ１と略平行に対向させる。なお、軸４ｂは、ウェハ支持台３とウェハ吸着部４ｃの略中間に位置する。
【００４４】
また、このウェハ処理装置１００は、対向した２枚のウェハ１，２間の間隙を調整するための機構として、第１のウェハ１がウェハ支持台３上に載置された後にその厚さを計測する変位検出部１５と、第２のウェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸着された後にその厚さを計測する変位検出部１２と、両変位検出部１２，１５による計測結果に基づいて、ウェハ支持台３を上下動させてウェハ１，２間の間隙を設定値に調整するＺ軸ステージ５（図３参照）を有する。
【００４５】
また、このウェハ処理装置１００は、２枚のウェハ１，２が対向して支持された状態で、上側のウェハ２の略中央部に加圧するための加圧機構６を有する。加圧機構６の加圧ピン６ａは、２枚のウェハ１，２が対向して支持された後、軸６ｂを中心として上側のウェハ２の裏面付近まで回動する。そして、ウェハ移動機構４のウェハ吸着部４ｃが上側のウェハ２の吸着を解除するのに合わせて、加圧機構６は、加圧ピン６ａを上側のウェハ２の裏面に押し当てて加圧する。２枚のウェハ１，２は、加圧された部分から外周方向に向かって徐々に密着し、これに伴ってウェハ１，２間の気体がその外周方向に向かって排出される。したがって、ウェハ１，２間に気体が取り残されることが防止される。加圧力は、例えば１５０〜３００ｇ重程度が好ましく、２００〜２５０ｇ重程度がさらに好ましい。
【００４６】
ところで、加圧ピン６ａによるウェハ２の加圧は、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着の解除と略同時に行うことが好ましい。この場合、設定値に調整された２枚のウェハ１、２間の間隙を維持した状態で加圧動作を開始することができるため、密着後のウェハの品質を均一化することができ、また、ウェハ１，２間に気体が取り残されることをより効果的に防止することができ、さらに、ウェハ１，２のずれを防止することができる。
【００４７】
加圧機構６は、加圧ピン６ａを振動させる振動子（例えば、圧電素子）を内蔵しており、ウェハ２に加圧する際に加圧ピン６ａを振動させることにより、効率的にウェハ１，２間の気体を排出することができる。
【００４８】
また、加圧ピン６ａによるウェハ２の加圧の制御は、他のタイミングで行っても良く、例えば、ウェハ２の吸着の解除後、ウェハ１，２間の気体が所定量以上排出される前の所定のタイミングで加圧を行っても良いし、ウェハ２の吸着の解除後、一定の時間を計時した後に行っても良いし、ウェハ２の吸着の解除後、ウェハ１，２間の距離がウェハ２の自重等により所定距離以下になる前の所定のタイミングで行っても良い。
【００４９】
このウェハ処理装置１００は、さらに、ウェハ１，２を夫々ウェハ支持台３、ウェハ吸着部４ｃにセットし、密着後のウェハをウェハ支持台３から受取るウェハ搬送ロボット１０と、ウェハアライメント部１１を有する。
【００５０】
このウェハ処理装置１００においては、ウェハの密着処理を開始する前に、未処理のウェハ１、２が夫々収容されたウェハカセット７、８及び処理済みのウェハを収容するためのウェハカセット９を所定位置に配置する。なお、この実施の形態においては、未処理のウェハ１，２の裏面を下側にしてウェハカセット７，８に収容するものとする。
【００５１】
操作パネル１６の操作スイッチ１６ｂによりウェハの密着処理の開始が指示されると、ウェハ搬送ロボット１０は、ウェハカセット７に収容された未処理のウェハ１の裏面を吸着してウェハアライメント部１１まで搬送する。ウェハアライメント部１１は、搬送されたウェハ１の中心位置及び向き（例えば、オリエンテーション・フラット、ノッチの位置）をセンサにより検知して、その中心位置及び向きを調整する。ここで、ウェハアライメント部１１は、ウェハ１の裏面のみと接触する構造であることが好ましい。
【００５２】
その後、ウェハ搬送ロボット１０は、位置合せが終了したウェハ１を受取り、ウェハ支持台３上に突出しているロードピン１３上の所定位置に載置する。このようにして、ウェハ１がロードピン１３上に載置された後に、ウェハ支持台３が上昇することにより、ウェハ１がウェハ支持台３により支持される状態になる。ウェハ１は、既にウェハアライメント部１１により位置合せされ、その位置関係を維持したままウェハ支持台３上に引き渡されるため、ウェハ支持台３上で再度ウェハ１の中心位置及び向きを合わせる必要はない。ただし、ウェハ支持台３上でウェハ１の位置合わせを行う構成を採用することもできる。
【００５３】
次いで、ウェハ搬送ロボット１０は、ウェハカセット８より未処理のウェハ２を取出し、上記と同様の手順で、ウェハアライメント部１１によりウェハ２の中心位置及び向きを調整し、ウェハ移動機構４のウェハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１４上の所定位置に載置する。このようにして、ウェハ２がロードピン１４上に載置された後、ウェハ吸着部４ｃが軸４ｂを中心にしてウェハ２の裏面に接触するまで回動し、溝４ａ内を減圧することによりウェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸着される。上記と同様、ウェハ２は、既にウェハアライメント部１１により位置合せされ、その位置関係を維持したままウェハ吸着部４ｃに吸着されるため、吸着の際に再度ウェハ２の中心位置及び向きを合わせる必要はない。なお、ウェハ２の吸着の際、ウェハ吸着部４ｃを回動させる代わりに、ロードピン１４を下方に収容する構成も有効である。
【００５４】
このようにしてウェハ１，２が夫々ウェハ支持台３、ウェハ吸着部４ｃによって支持された状態で、上記の変位検出部１５，１２は、ウェハ１，２の厚さを計測する。具体的には、変位検出部１５，１２は、ウェハ１，２の上部までセンサ１５ａ，１２ａを移動させ、例えばウェハ１，２に光を照射してその反射光に基づいて、ウェハ１，２の厚さを夫々計測する。
【００５５】
ウェハ１，２の厚さの計測が終了すると、前述のように、ウェハ吸着部４ｃは軸４ｂを中心として約１８０度回動し、ウェハ２をウェハ１と略平行に対向させる。その後、Ｚ軸ステージ５によりウェハ１，２間の間隙を調整し、加圧ピン６ａによりウェハ２に加圧することにより密着処理が終了する。
【００５６】
密着処理が終了すると、ウェハ支持台３はＺ軸ステージ５により降下され、処理済みのウェハがロードピン１３によって支持された状態になる。その後、ウェハ搬送ロボット１０は、処理済みのウェハを受取り、ウェハカセット９に収容する。
【００５７】
このような手順を繰り返して実行することにより、ウェハカセット７，８に収容された複数枚のウェハを連続的に処理することができる。
【００５８】
次に、図３〜図７を参照しながら、２枚のウェハを密着させる際のウェハ処理装置１００の動作を説明する。
【００５９】
ウェハ搬送ロボット１０によりウェハ１，２が夫々ロードピン１３、１４上に載置されると、図３に示すように、Ｚ軸ステージ５は、ウェハ１を支持するための所定位置までウェハ支持台３を上昇させ、ウェハ移動機構４は、ウェハ２を吸着可能な所定位置まで軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを回動させる。
【００６０】
次いで、図４に示すように、変位検出部１５、１２のセンサ１５ａ，１２ａがウェハ１，２上に移動し、ウェハ１，２の厚さが夫々計測される。そして、ウェハ１，２の厚さが計測された後、センサ１５ａ，１２ａは、図３に示す初期状態の位置に戻る。
【００６１】
次いで、図５に示すように、ウェハ移動機構４は、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを約１８０度回動させることによりウェハ１，２を略水平に対向させ、先に計測したウェハ１，２の厚さに基づいて、Ｚ軸ステージ５によりウェハ支持台３の高さを調整し、ウェハ１，２間の間隙を設定値にする。この間隙は、例えば、２０〜１００μｍ程度が好ましく、３０〜６０μｍ程度がさらに好ましい。
【００６２】
次いで、図６に示すように、軸６ｂを中心として加圧ピン６ａを回動させ、ウェハ２の裏面付近（例えば、ウェハ２の裏面と略接触する位置）まで回動させる。
【００６３】
次いで、図７に示すように、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着の解除に合わせて、加圧ピン６ａによりウェハ２の裏面に加圧する。この時、加圧ピン６ａを振動させることにより、効率的にウェハ１，２間の気体を排出することができる。
【００６４】
次いで、加圧機構６を元の状態（図２に示す状態）に戻した後、ウェハ吸着部４ｃを元の状態（図２に示す状態）に戻す。そして、ウェハ支持台３を下降させて、密着後のウェハがロードピン１３により支持された状態にする。この状態で、ウェハ搬送ロボット１０は、密着後のウェハの下部を吸着し、ウェハカセット９まで搬送し収容する。
【００６５】
次に、図８を参照しながら、ウェハ処理装置１００の制御系の構成例を説明する。制御部１７は、プログラム１７ｂに基づいて動作するＣＰＵ１７ａにより、ウェハ搬送ロボット１０、ウェハアライメント部１１、変位検出部１２，１５、Ｚ軸ステージ５、ウェハ移動機構４、加圧機構６及びパネル部１６を制御する。
【００６６】
図９は、プログラム１７ｂによる制御手順を示すフローチャートである。以下のこのフローチャートに従って、ウェハ処理装置１００の制御系の動作を説明する。
【００６７】
操作スイッチ１６ｂの操作により、密着処理の開始が指示されると、先ず、ステップＳ９０１において、制御系１７に接続された各構成要素を初期化する。また、この初期化工程では、ウェハカセット７，８，９の位置の存在、その位置の確認等も行ない、準備が整っていない場合には、例えば、表示パネル１６ａにその旨を表示するなどして、オペレータに警告を発する。
【００６８】
ステップＳ９０２では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハカセット７に収容されたウェハ１を吸着させ、ステップＳ９０３において、吸着したウェハ１をウェハアライメント部１１まで搬送し、ここでウェハ１の位置合わせ（中心位置、向き）を行なう。そして、ステップＳ９０４において、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハ１をウェハ支持台３上に突出したロードピン１３上の所定位置に載置し、Ｚ軸ステージ５を制御して、ウェハ支持台３を所定位置まで上昇させる。このとき、ウェハ支持台３にウェハの吸着機構を設けている場合には、その吸着機構を制御してウェハ１を吸着させる。
【００６９】
ステップＳ９０５では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハカセット８に収容されたウェハ２を吸着させ、ステップＳ９０６において、ウェハアライメント部１１まで搬送し、ここでウェハ２の位置合わせ（中心位置、向き）を行なう。そして、ステップＳ９０７において、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハ２をウェハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１４上の所定位置に載置し、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを所定角度だけ回動させ、ウェハ吸着部４ｃによりウェハ２を吸着させる。
【００７０】
ステップＳ９０８では、変位検出部１５の駆動部１５ｂを制御し、センサ１５ａをウェハ１上の所定位置まで移動させ、センサ１５ａによりウェハ１の厚さを計測する。
【００７１】
ステップＳ９０９では、変位検出部１２の駆動部１２ｂを制御し、センサ１２ａをウェハ２上の所定位置まで移動させ、センサ１２ａによりウェハ２の厚さを計測する。
【００７２】
ステップＳ９１０では、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを約１８０度回動させて、ウェハ１、２を略水平に対向させる。
【００７３】
ステップＳ９１１では、ウェハ１，２の厚さの計測結果に基づいて、ウェハ１，２間の間隙を設定値に調整するためのデータを作成し、このデータに基づいてＺ軸ステージ５を制御し、ウェハ１，２間の間隙を調整する。
【００７４】
ステップＳ９１２では、加圧機構６の回動用モータ６ｄを制御して、軸６ｂを中心として加圧ピン６ａを回動させ、例えば、ウェハ２の裏面に加圧ピン６ａの先端部が略接触する状態とする。
【００７５】
ステップＳ９１３では、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着を解除させる。そして、ステップＳ９１４では、加圧機構６の回動用モータ６ｄ及び振動子６ｃを制御して、加圧ピン６ａによりウェハ２の裏面に加圧すると共に加圧ピン２を振動させる。なお、ステップＳ９１３の実行の直後にステップＳ９１４を実行することにより、ウェハ２の吸着の解除と加圧とを略同時に行うことができる。ただし、ステップＳ９１４の実行後、例えば所定の時間を計時した後等に加圧を開始することもできる。
【００７６】
ウェハ１，２の密着が完了したら、ステップＳ９１６において、加圧機構６の回動用モータ６ｄを制御して、加圧ピン６ａを初期状態の位置に戻す。そして、ステップＳ９１７では、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、ウェハ吸着部４ｃを初期状態の位置に戻す。
【００７７】
そして、ステップＳ９１７では、Ｚ軸ステージ５を制御して、ウェハ支持台３を降下させ、初期状態の位置に戻す。これにより、密着後のウェハは、ロードピン１３により支持された状態になる。なお、ウェハ２を吸着している場合には、ウェハ支持台３の下降動作に先立って、その吸着を解除する必要がある。
【００７８】
ステップＳ９１８では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、密着後のウェハをウェハカセット９まで搬送し収容する。
【００７９】
ステップＳ９１９では、ウェハカセット７、８に収容された全ウェハに関して、密着処理が終了したか否かを判断し、未処理のウェハが残っている場合にはステップＳ９０２に戻り処理を繰り返す。一方、全ウェハに関して密着処理が完了したと判断した場合には、一連の処理を終了することになるが、このとき、例えば、表示パネル１６ａ等にその旨を表示する他、ブザー等によりオペレータに報知することが好ましい。
【００８０】
以上のように、このウェハ処理装置１００に拠れば、１）上側のウェハ２の吸着の解除に合わせて加圧を開始するため、ウェハ１，２間の気体を確実に外周方向に排出することができ、２）ウェハ１，２を対向させた状態において上側のウェハ２が滑らないため、２枚のウェハ１，２を正確に位置合せすることができ、３）ウェハ１，２間の間隙を適切な距離に調整することができるため、製造されるウェハの品質を均一化することができ、また、ウェハ１，２を予め分類する作業を不要とし、４）ウェハ１，２の表面をパーティクルにより汚染することを防止することができ、５）ウェハの外周部の欠損を防止することができ、６）加圧時にウェハに振動を与えることにより、ウェハ間に取り残される気体をさらに低減することができる。
【００８１】
次に、このウェハ処理装置１００の適用例を説明する。図１０は、ＳＯＩ構造等を有するウェハの製造工程の一例を示す図である。
【００８２】
先ず、第１のウェハ１を形成するための単結晶Ｓｉウェハ５０１を用意して、その主表面上に多孔質Ｓｉ層５０２を形成する（図１０（ａ）参照）。次いで、多孔質Ｓｉ層５０２の上に少なくとも一層の非多孔質層５０３を形成する（図１０（ｂ）参照）。非多孔質層５０３としては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半導体層、超伝導体層等が好適である。また、非多孔質層５０３には、ＭＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。
【００８３】
次いで、非多孔質層５０３の上にＳｉＯ2層５０４を形成し、これを第１のウェハ１とし（図１０（ｃ）参照）、ＳｉＯ2層５０４を上にしてウェハカセット７に収容する。
【００８４】
また、別途第２のウェハ２を用意し、その表面を上にしてウェハカセット８に収容する。
【００８５】
この状態で、ウェハ処理装置１００を動作させると、ウェハ支持台３上で、ＳｉＯ2層５０４を挟むようにして、第１のウェハ１と第２のウェハ２とが密着され（図１０（ｄ）参照）、その後、ウェハカセット９に収容される。
【００８６】
その後、密着したウェハ（図１０（ｄ））に対して、陽極接合処理、加圧処理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいはこれらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強固なものにしても良い。
【００８７】
第２のウェハ２としては、Ｓｉウェハ、Ｓｉウェハ上にＳｉＯ2層を形成したもの、石英等の光透過性のウェハ、サファイヤ等が好適である。しかし、第２のウェハ２は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれば十分であり、他の種類のウェハであっても良い。
【００８８】
次いで、多孔質Ｓｉ層５０３を境にして、第１のウェハ１を第２のウェハ２より除去し（図１０（ｅ）参照）、多孔質Ｓｉ層５０２を選択的にエッチングして除去する。図１０（ｆ）は、上記の製造方法により得られるウェハを模式的に示している。
【００８９】
この製造方法に拠れば、ウェハ間の気体が適切に排出させた状態で２枚のウェハが密着するため、高品質のウェハを製造することができる。
【００９０】
【発明の効果】
本発明に拠れば、２枚の基板を密着させて得られる基板の品質を高めることができる。
【００９１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図４】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図５】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図６】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図７】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図８】ウェハ処理装置の制御系の構成例を示す図である。
【図９】ウェハ処理装置の制御手順を示すフローチャートである。
【図１０】ＳＯＩ構造等を有するウェハの製造工程の一例を示す図である。
【図１１】ウェハの貼り合わせ方法の一部の工程を示す模式図である。
【図１２】他の治具の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１ 第１のウェハ
２ 第２のウェハ
３ ウェハ支持台
４ ウェハ移動機構
４ａ 溝
４ｂ 軸
４ｃ ウェハ吸着部
４ｄ 回動用モータ
５ Ｚ軸ステージ
６ 加圧機構
６ａ 加圧ピン
６ｂ 軸
６ｃ 振動子
６ｄ 回動用モータ
７〜９ ウェハカセット
１０ ウェハ搬送ロボット
１１ ウェハアライメント部
１２，１５ 変位検出部
１２ａ，１５ａ センサ
１２ｂ，１５ｂ 駆動部
１３，１４ ロードピン
１６ パネル部
１６ａ 表示パネル
１６ｂ 操作パネル
１７ 制御部
１７ａ ＣＰＵ
１７ｂ プログラム
１００ ウェハ処理装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
２枚のウェハ（基板）を密着させ、陽極接合処理、加圧処理、熱処理等を施すことにより貼り合わせる方法がある。この方法は、例えばＳＯＩ等の構造を有するウェハの製造に好適である。
【０００３】
図１１は、ウェハを貼り合わせる工程の一部を示す模式図である。この貼り合わせ工程においては、先ず、図１１（ａ）に示すように、第１のウェハ１をその貼り合わせ面を上にしてウェハ支持治具２０１にセットし、第２のウェハ２をその貼り合わせ面を下にして静かに重ね合わせる。このとき、上側のウェハ２は、図１１（ａ）に示すように、ウェハ間の気体（例えば、空気、不活性気体）により浮遊した状態になる。
【０００４】
次いで、ウェハ１，２間の気体が完全に抜ける前に、図１１（ｂ）に示すように、上側のウェハ２の中心付近に対して加圧ピン２０２によって加圧すると、ウェハの中心部の空気が外周方向に押し出され、先ず、中心部においてウェハ１及び２が密着し、その後、ウェハ間の気体が外周方向に向かって徐々に押し出されながら密着部分の面積が拡大し、最終的にウェハの全体が密着される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】
上記の方法は、ウェハ間に気体を残存させないで２枚のウェハを密着させる方法として有用であるが、次のような問題がある。
【０００６】
その１つは、２枚のウェハの位置合せに伴うウェハの汚染に関する問題である。すなわち、重ねられた上側のウェハ２は、ウェハ間の気体により浮遊した状態となるため、上側のウェハ２が水平面内で移動する際の摩擦は極めて小さい。このため治具２０１に僅かな傾きがあっても上側のウェハ２が滑るようにして移動する。したがって、２枚のウェハ１，２を正確に位置合せするには、ウェハ２の水平面内の移動を制限する手段を設ける必要がある。
【０００７】
図１１に示す治具２０１は、ウェハ１，２の形状に一致する窪みを有し、この窪みの側壁によってウェハ１，２の水平方向の移動を制限し位置合せを行う。図１２は、ウェハ１，２の位置を合せつつ重ね合わせる治具の他の構成例を示す図である。この治具２０３は、複数の位置決めピン２０４と、押圧ピン２０５とを有し、押圧ピン２０５によりウェハ１，２を複数の位置決めピン２０４に押し当てることにより、ウェハ１，２の水平面内の移動を制限する。
【０００８】
図１１または図１２に示すような治具を用いて２枚のウェハを重ね合わせる方法は、ウェハの外周部が治具に接触するために、パーティクルの発生、ウェハの外周部の欠損その他の歩留りを低下させる原因を含んでいる。
【０００９】
また、他の問題点として、ウェハに加圧する際の条件が一定にならないことが挙げられる。具体的には、２枚のウェハを重ねてから加圧ピンにより加圧するまでの時間が一定にならず、また、加圧ピンにより加圧する際のウェハ間の間隙が一定にならない。従って、２枚のウェハを密着させて得られるウェハの品質を均一化することが困難である。また、加圧ピンによりウェハに加圧する前に、部分的にウェハ間の気体が抜けてしまうことがある。この場合、中心部から外周部に向かって徐々に気体を押し出しながらウェハを密着させることができないため、ウェハ間に気体を残存させる原因となる。
【００１０】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、２枚の基板を密着させて得られる基板の品質を高めることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除する基板操作手段と、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除に合わせて該一方の基板の裏面の一部に加圧することにより、該一方の基板を他方の基板に密着させる加圧手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除と略同時に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１３】
加圧力は、例えば１５０〜３００ｇ重程度が好ましく、２００〜２５０ｇ重程度がさらに好ましい。
【００１４】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、２枚の基板間の気体が所定量以上排出される前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１５】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、一定の時間を計時した後、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１６】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除の後、２枚の基板間の距離が所定距離以下になる前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１７】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を略水平に支持し、その後上側の基板の支持を解除することが好ましい。
【００１８】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を略水平に支持し、その後上側の基板の支持を解除し、前記加圧手段は、前記基板操作手段による該上側の基板の支持の解除によって２枚の基板間の気体が該上側の基板の自重により所定量以上排出される前に、該一方の基板の一部に加圧することが好ましい。
【００１９】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、２枚の基板を夫々裏面からのみ支持することが好ましい。
【００２０】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、一方の基板の支持を解除する直前における２つの基板の間隙を調整する間隙調整手段を有することが好ましい。
【００２１】
この間隙は、例えば、２０〜１００μｍ程度が好ましく、３０〜６０μｍ程度がさらに好ましい。
【００２２】
前記基板処理装置において、前記間隙調整手段は、２つの基板の間隙を所定距離に調整することが好ましい。
【００２３】
前記基板処理装置において、前記間隙調整手段は、２つの基板の厚さを夫々計測する計測手段を有し、その計測結果に基づいて、２つの基板の間隙を調整することが好ましい。
【００２４】
前記基板処理装置において、前記加圧手段は、基板の一部に接触して該基板に加圧するための圧力伝達部材と、該圧力伝達部材を振動させる振動手段とを有することが好ましい。
【００２５】
前記基板処理装置において、前記振動手段は、基板に加圧する際に、前記圧力伝達部材を振動させることが好ましい。
【００２６】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段は、一方の基板をその表面を上にした状態で支持する第１の基板支持手段と、他方の基板をその裏面側から吸着し、その表面を該一方の基板の表面と略平行に対向させて支持する第２の基板支持手段とを有することが好ましい。
【００２７】
前記基板処理装置において、前記第２の基板支持手段は、前記他方の基板をその裏面側から吸着するための吸着部材を有し、該吸着部材により前記他方の基板を吸着後、該吸着部材を前記第１の基板支持手段との中間付近に設けられた軸を中心にして略１８０度回動させることにより、吸着した前記他方の基板を裏返して、前記第１の基板支持手段により支持された前記一方の基板と対向させることが好ましい。
【００２８】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段による基板の受取り位置に基板を搬送する基板搬送手段をさらに備えることが好ましい。
【００２９】
前記基板処理装置において、前記基板操作手段により支持される基板の中心位置及び向きを調整する基板調整手段をさらに備えることが好ましい。
【００３０】
前記基板処理装置において、前記基板調整手段は、前記基板搬送手段によって保持される基板の中心位置及び向きを調整し、その後、前記基板搬送手段は、中心位置及び向きが調整された基板を前記受取り位置まで搬送することが好ましい。
【００３１】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、その解除に合わせて該一方の基板の裏面の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３２】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、その解除と略同時に該一方の基板の裏面の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３３】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、２枚の基板間の気体が所定量以上排出される前に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、一定の時間を計時した後に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３５】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、２枚の基板間の距離が所定距離以下になる前に該一方の基板の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする。
【００３６】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて略水平に支持した後に上側の基板の支持を解除し、その解除に合わせて該上側の基板の一部に加圧し、該上側の基板を下側の基板に密着させることを特徴とする。
【００３７】
本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、２枚の基板を対向させて略水平に支持した後に上側の基板の支持を解除し、その後、２枚の基板間の気体が該上側の基板の自重により所定量以上排出される前に、該上側の基板の一部に加圧し、該上側の基板を下側の基板に密着させることを特徴とする。
【００３８】
前記の各基板処理方法において、２枚の基板の支持を夫々の裏面からのみ行うことが好ましい。
【００３９】
前記の各基板処理方法において、基板の支持を解除する直前における２つの基板の間隙を所定距離にすることが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理装置の構成を示す。図１は、この実施の形態に係るウェハ処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。図２は、図１の一部を拡大した図である。また、図３〜図７は、図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図であって、２枚のウェハを密着させる動作を示している。
【００４１】
このウェハ処理装置１００は、２枚のウェハを重ね合わせて密着させる装置であって、例えば、２枚のウェハを貼り合わせてＳＯＩ等の構造を有するウェハを製造する方法の実施に好適である
このウェハ処理装置１００は、第１のウェハ１（図３参照）を裏面から支持するウェハ支持台３と、第２のウェハ２（図３参照）を裏面から吸着して第１のウェハ１と略平行に対向させるウェハ移動機構４とを有する。
【００４２】
ウェハ支持台３は、第１のウェハ１の裏面とのみ接触する構造であることが好ましく、これにより第１のウェハ１がパーティクルによって汚染されることを防止することができる他、第１のウェハ１の外周部の欠損を防止することができる。また、ウェハ支持台３は、第１のウェハ１がウェハ支持台３の面上で移動することを防止するための手段（例えば、真空吸着機構）を有することが好ましく、これにより２枚のウェハ１，２を密着させる際の両ウェハのずれを防止することができる。さらに、ウェハ支持台３の表面は平坦に加工されていることが好ましく、表面の平坦度は０．５μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
ウェハ移動機構４は、第２のウェハ２の裏面とのみ接触する構造を有することが好ましく、この実施の形態においては、ウェハを真空吸着するための溝４ａを有する。第２のウェハ２を吸着するには、溝４ａ内の空間を減圧すれば良い。ウェハ移動機構４は、ウェハ吸着部４ｃに第２のウェハ２の裏面を吸着した状態で軸４ｂを中心として約１８０度回動して、第１のウェハ１と略平行に対向させる。なお、軸４ｂは、ウェハ支持台３とウェハ吸着部４ｃの略中間に位置する。
【００４４】
また、このウェハ処理装置１００は、対向した２枚のウェハ１，２間の間隙を調整するための機構として、第１のウェハ１がウェハ支持台３上に載置された後にその厚さを計測する変位検出部１５と、第２のウェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸着された後にその厚さを計測する変位検出部１２と、両変位検出部１２，１５による計測結果に基づいて、ウェハ支持台３を上下動させてウェハ１，２間の間隙を設定値に調整するＺ軸ステージ５（図３参照）を有する。
【００４５】
また、このウェハ処理装置１００は、２枚のウェハ１，２が対向して支持された状態で、上側のウェハ２の略中央部に加圧するための加圧機構６を有する。加圧機構６の加圧ピン６ａは、２枚のウェハ１，２が対向して支持された後、軸６ｂを中心として上側のウェハ２の裏面付近まで回動する。そして、ウェハ移動機構４のウェハ吸着部４ｃが上側のウェハ２の吸着を解除するのに合わせて、加圧機構６は、加圧ピン６ａを上側のウェハ２の裏面に押し当てて加圧する。２枚のウェハ１，２は、加圧された部分から外周方向に向かって徐々に密着し、これに伴ってウェハ１，２間の気体がその外周方向に向かって排出される。したがって、ウェハ１，２間に気体が取り残されることが防止される。加圧力は、例えば１５０〜３００ｇ重程度が好ましく、２００〜２５０ｇ重程度がさらに好ましい。
【００４６】
ところで、加圧ピン６ａによるウェハ２の加圧は、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着の解除と略同時に行うことが好ましい。この場合、設定値に調整された２枚のウェハ１、２間の間隙を維持した状態で加圧動作を開始することができるため、密着後のウェハの品質を均一化することができ、また、ウェハ１，２間に気体が取り残されることをより効果的に防止することができ、さらに、ウェハ１，２のずれを防止することができる。
【００４７】
加圧機構６は、加圧ピン６ａを振動させる振動子（例えば、圧電素子）を内蔵しており、ウェハ２に加圧する際に加圧ピン６ａを振動させることにより、効率的にウェハ１，２間の気体を排出することができる。
【００４８】
また、加圧ピン６ａによるウェハ２の加圧の制御は、他のタイミングで行っても良く、例えば、ウェハ２の吸着の解除後、ウェハ１，２間の気体が所定量以上排出される前の所定のタイミングで加圧を行っても良いし、ウェハ２の吸着の解除後、一定の時間を計時した後に行っても良いし、ウェハ２の吸着の解除後、ウェハ１，２間の距離がウェハ２の自重等により所定距離以下になる前の所定のタイミングで行っても良い。
【００４９】
このウェハ処理装置１００は、さらに、ウェハ１，２を夫々ウェハ支持台３、ウェハ吸着部４ｃにセットし、密着後のウェハをウェハ支持台３から受取るウェハ搬送ロボット１０と、ウェハアライメント部１１を有する。
【００５０】
このウェハ処理装置１００においては、ウェハの密着処理を開始する前に、未処理のウェハ１、２が夫々収容されたウェハカセット７、８及び処理済みのウェハを収容するためのウェハカセット９を所定位置に配置する。なお、この実施の形態においては、未処理のウェハ１，２の裏面を下側にしてウェハカセット７，８に収容するものとする。
【００５１】
操作パネル１６の操作スイッチ１６ｂによりウェハの密着処理の開始が指示されると、ウェハ搬送ロボット１０は、ウェハカセット７に収容された未処理のウェハ１の裏面を吸着してウェハアライメント部１１まで搬送する。ウェハアライメント部１１は、搬送されたウェハ１の中心位置及び向き（例えば、オリエンテーション・フラット、ノッチの位置）をセンサにより検知して、その中心位置及び向きを調整する。ここで、ウェハアライメント部１１は、ウェハ１の裏面のみと接触する構造であることが好ましい。
【００５２】
その後、ウェハ搬送ロボット１０は、位置合せが終了したウェハ１を受取り、ウェハ支持台３上に突出しているロードピン１３上の所定位置に載置する。このようにして、ウェハ１がロードピン１３上に載置された後に、ウェハ支持台３が上昇することにより、ウェハ１がウェハ支持台３により支持される状態になる。ウェハ１は、既にウェハアライメント部１１により位置合せされ、その位置関係を維持したままウェハ支持台３上に引き渡されるため、ウェハ支持台３上で再度ウェハ１の中心位置及び向きを合わせる必要はない。ただし、ウェハ支持台３上でウェハ１の位置合わせを行う構成を採用することもできる。
【００５３】
次いで、ウェハ搬送ロボット１０は、ウェハカセット８より未処理のウェハ２を取出し、上記と同様の手順で、ウェハアライメント部１１によりウェハ２の中心位置及び向きを調整し、ウェハ移動機構４のウェハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１４上の所定位置に載置する。このようにして、ウェハ２がロードピン１４上に載置された後、ウェハ吸着部４ｃが軸４ｂを中心にしてウェハ２の裏面に接触するまで回動し、溝４ａ内を減圧することによりウェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸着される。上記と同様、ウェハ２は、既にウェハアライメント部１１により位置合せされ、その位置関係を維持したままウェハ吸着部４ｃに吸着されるため、吸着の際に再度ウェハ２の中心位置及び向きを合わせる必要はない。なお、ウェハ２の吸着の際、ウェハ吸着部４ｃを回動させる代わりに、ロードピン１４を下方に収容する構成も有効である。
【００５４】
このようにしてウェハ１，２が夫々ウェハ支持台３、ウェハ吸着部４ｃによって支持された状態で、上記の変位検出部１５，１２は、ウェハ１，２の厚さを計測する。具体的には、変位検出部１５，１２は、ウェハ１，２の上部までセンサ１５ａ，１２ａを移動させ、例えばウェハ１，２に光を照射してその反射光に基づいて、ウェハ１，２の厚さを夫々計測する。
【００５５】
ウェハ１，２の厚さの計測が終了すると、前述のように、ウェハ吸着部４ｃは軸４ｂを中心として約１８０度回動し、ウェハ２をウェハ１と略平行に対向させる。その後、Ｚ軸ステージ５によりウェハ１，２間の間隙を調整し、加圧ピン６ａによりウェハ２に加圧することにより密着処理が終了する。
【００５６】
密着処理が終了すると、ウェハ支持台３はＺ軸ステージ５により降下され、処理済みのウェハがロードピン１３によって支持された状態になる。その後、ウェハ搬送ロボット１０は、処理済みのウェハを受取り、ウェハカセット９に収容する。
【００５７】
このような手順を繰り返して実行することにより、ウェハカセット７，８に収容された複数枚のウェハを連続的に処理することができる。
【００５８】
次に、図３〜図７を参照しながら、２枚のウェハを密着させる際のウェハ処理装置１００の動作を説明する。
【００５９】
ウェハ搬送ロボット１０によりウェハ１，２が夫々ロードピン１３、１４上に載置されると、図３に示すように、Ｚ軸ステージ５は、ウェハ１を支持するための所定位置までウェハ支持台３を上昇させ、ウェハ移動機構４は、ウェハ２を吸着可能な所定位置まで軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを回動させる。
【００６０】
次いで、図４に示すように、変位検出部１５、１２のセンサ１５ａ，１２ａがウェハ１，２上に移動し、ウェハ１，２の厚さが夫々計測される。そして、ウェハ１，２の厚さが計測された後、センサ１５ａ，１２ａは、図３に示す初期状態の位置に戻る。
【００６１】
次いで、図５に示すように、ウェハ移動機構４は、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを約１８０度回動させることによりウェハ１，２を略水平に対向させ、先に計測したウェハ１，２の厚さに基づいて、Ｚ軸ステージ５によりウェハ支持台３の高さを調整し、ウェハ１，２間の間隙を設定値にする。この間隙は、例えば、２０〜１００μｍ程度が好ましく、３０〜６０μｍ程度がさらに好ましい。
【００６２】
次いで、図６に示すように、軸６ｂを中心として加圧ピン６ａを回動させ、ウェハ２の裏面付近（例えば、ウェハ２の裏面と略接触する位置）まで回動させる。
【００６３】
次いで、図７に示すように、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着の解除に合わせて、加圧ピン６ａによりウェハ２の裏面に加圧する。この時、加圧ピン６ａを振動させることにより、効率的にウェハ１，２間の気体を排出することができる。
【００６４】
次いで、加圧機構６を元の状態（図２に示す状態）に戻した後、ウェハ吸着部４ｃを元の状態（図２に示す状態）に戻す。そして、ウェハ支持台３を下降させて、密着後のウェハがロードピン１３により支持された状態にする。この状態で、ウェハ搬送ロボット１０は、密着後のウェハの下部を吸着し、ウェハカセット９まで搬送し収容する。
【００６５】
次に、図８を参照しながら、ウェハ処理装置１００の制御系の構成例を説明する。制御部１７は、プログラム１７ｂに基づいて動作するＣＰＵ１７ａにより、ウェハ搬送ロボット１０、ウェハアライメント部１１、変位検出部１２，１５、Ｚ軸ステージ５、ウェハ移動機構４、加圧機構６及びパネル部１６を制御する。
【００６６】
図９は、プログラム１７ｂによる制御手順を示すフローチャートである。以下のこのフローチャートに従って、ウェハ処理装置１００の制御系の動作を説明する。
【００６７】
操作スイッチ１６ｂの操作により、密着処理の開始が指示されると、先ず、ステップＳ９０１において、制御系１７に接続された各構成要素を初期化する。また、この初期化工程では、ウェハカセット７，８，９の位置の存在、その位置の確認等も行ない、準備が整っていない場合には、例えば、表示パネル１６ａにその旨を表示するなどして、オペレータに警告を発する。
【００６８】
ステップＳ９０２では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハカセット７に収容されたウェハ１を吸着させ、ステップＳ９０３において、吸着したウェハ１をウェハアライメント部１１まで搬送し、ここでウェハ１の位置合わせ（中心位置、向き）を行なう。そして、ステップＳ９０４において、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハ１をウェハ支持台３上に突出したロードピン１３上の所定位置に載置し、Ｚ軸ステージ５を制御して、ウェハ支持台３を所定位置まで上昇させる。このとき、ウェハ支持台３にウェハの吸着機構を設けている場合には、その吸着機構を制御してウェハ１を吸着させる。
【００６９】
ステップＳ９０５では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハカセット８に収容されたウェハ２を吸着させ、ステップＳ９０６において、ウェハアライメント部１１まで搬送し、ここでウェハ２の位置合わせ（中心位置、向き）を行なう。そして、ステップＳ９０７において、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、ウェハ２をウェハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１４上の所定位置に載置し、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを所定角度だけ回動させ、ウェハ吸着部４ｃによりウェハ２を吸着させる。
【００７０】
ステップＳ９０８では、変位検出部１５の駆動部１５ｂを制御し、センサ１５ａをウェハ１上の所定位置まで移動させ、センサ１５ａによりウェハ１の厚さを計測する。
【００７１】
ステップＳ９０９では、変位検出部１２の駆動部１２ｂを制御し、センサ１２ａをウェハ２上の所定位置まで移動させ、センサ１２ａによりウェハ２の厚さを計測する。
【００７２】
ステップＳ９１０では、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを約１８０度回動させて、ウェハ１、２を略水平に対向させる。
【００７３】
ステップＳ９１１では、ウェハ１，２の厚さの計測結果に基づいて、ウェハ１，２間の間隙を設定値に調整するためのデータを作成し、このデータに基づいてＺ軸ステージ５を制御し、ウェハ１，２間の間隙を調整する。
【００７４】
ステップＳ９１２では、加圧機構６の回動用モータ６ｄを制御して、軸６ｂを中心として加圧ピン６ａを回動させ、例えば、ウェハ２の裏面に加圧ピン６ａの先端部が略接触する状態とする。
【００７５】
ステップＳ９１３では、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着を解除させる。そして、ステップＳ９１４では、加圧機構６の回動用モータ６ｄ及び振動子６ｃを制御して、加圧ピン６ａによりウェハ２の裏面に加圧すると共に加圧ピン２を振動させる。なお、ステップＳ９１３の実行の直後にステップＳ９１４を実行することにより、ウェハ２の吸着の解除と加圧とを略同時に行うことができる。ただし、ステップＳ９１４の実行後、例えば所定の時間を計時した後等に加圧を開始することもできる。
【００７６】
ウェハ１，２の密着が完了したら、ステップＳ９１６において、加圧機構６の回動用モータ６ｄを制御して、加圧ピン６ａを初期状態の位置に戻す。そして、ステップＳ９１７では、ウェハ移動機構４の回動用モータ４ｄを制御して、ウェハ吸着部４ｃを初期状態の位置に戻す。
【００７７】
そして、ステップＳ９１７では、Ｚ軸ステージ５を制御して、ウェハ支持台３を降下させ、初期状態の位置に戻す。これにより、密着後のウェハは、ロードピン１３により支持された状態になる。なお、ウェハ２を吸着している場合には、ウェハ支持台３の下降動作に先立って、その吸着を解除する必要がある。
【００７８】
ステップＳ９１８では、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、密着後のウェハをウェハカセット９まで搬送し収容する。
【００７９】
ステップＳ９１９では、ウェハカセット７、８に収容された全ウェハに関して、密着処理が終了したか否かを判断し、未処理のウェハが残っている場合にはステップＳ９０２に戻り処理を繰り返す。一方、全ウェハに関して密着処理が完了したと判断した場合には、一連の処理を終了することになるが、このとき、例えば、表示パネル１６ａ等にその旨を表示する他、ブザー等によりオペレータに報知することが好ましい。
【００８０】
以上のように、このウェハ処理装置１００に拠れば、１）上側のウェハ２の吸着の解除に合わせて加圧を開始するため、ウェハ１，２間の気体を確実に外周方向に排出することができ、２）ウェハ１，２を対向させた状態において上側のウェハ２が滑らないため、２枚のウェハ１，２を正確に位置合せすることができ、３）ウェハ１，２間の間隙を適切な距離に調整することができるため、製造されるウェハの品質を均一化することができ、また、ウェハ１，２を予め分類する作業を不要とし、４）ウェハ１，２の表面をパーティクルにより汚染することを防止することができ、５）ウェハの外周部の欠損を防止することができ、６）加圧時にウェハに振動を与えることにより、ウェハ間に取り残される気体をさらに低減することができる。
【００８１】
次に、このウェハ処理装置１００の適用例を説明する。図１０は、ＳＯＩ構造等を有するウェハの製造工程の一例を示す図である。
【００８２】
先ず、第１のウェハ１を形成するための単結晶Ｓｉウェハ５０１を用意して、その主表面上に多孔質Ｓｉ層５０２を形成する（図１０（ａ）参照）。次いで、多孔質Ｓｉ層５０２の上に少なくとも一層の非多孔質層５０３を形成する（図１０（ｂ）参照）。非多孔質層５０３としては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半導体層、超伝導体層等が好適である。また、非多孔質層５０３には、ＭＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。
【００８３】
次いで、非多孔質層５０３の上にＳｉＯ2層５０４を形成し、これを第１のウェハ１とし（図１０（ｃ）参照）、ＳｉＯ2層５０４を上にしてウェハカセット７に収容する。
【００８４】
また、別途第２のウェハ２を用意し、その表面を上にしてウェハカセット８に収容する。
【００８５】
この状態で、ウェハ処理装置１００を動作させると、ウェハ支持台３上で、ＳｉＯ2層５０４を挟むようにして、第１のウェハ１と第２のウェハ２とが密着され（図１０（ｄ）参照）、その後、ウェハカセット９に収容される。
【００８６】
その後、密着したウェハ（図１０（ｄ））に対して、陽極接合処理、加圧処理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいはこれらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強固なものにしても良い。
【００８７】
第２のウェハ２としては、Ｓｉウェハ、Ｓｉウェハ上にＳｉＯ2層を形成したもの、石英等の光透過性のウェハ、サファイヤ等が好適である。しかし、第２のウェハ２は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれば十分であり、他の種類のウェハであっても良い。
【００８８】
次いで、多孔質Ｓｉ層５０３を境にして、第１のウェハ１を第２のウェハ２より除去し（図１０（ｅ）参照）、多孔質Ｓｉ層５０２を選択的にエッチングして除去する。図１０（ｆ）は、上記の製造方法により得られるウェハを模式的に示している。
【００８９】
この製造方法に拠れば、ウェハ間の気体が適切に排出させた状態で２枚のウェハが密着するため、高品質のウェハを製造することができる。
【００９０】
【発明の効果】
本発明に拠れば、２枚の基板を密着させて得られる基板の品質を高めることができる。
【００９１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理装置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図４】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図５】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図６】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図７】図１及び図２に示すウェハ処理装置１００をＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図８】ウェハ処理装置の制御系の構成例を示す図である。
【図９】ウェハ処理装置の制御手順を示すフローチャートである。
【図１０】ＳＯＩ構造等を有するウェハの製造工程の一例を示す図である。
【図１１】ウェハの貼り合わせ方法の一部の工程を示す模式図である。
【図１２】他の治具の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１ 第１のウェハ
２ 第２のウェハ
３ ウェハ支持台
４ ウェハ移動機構
４ａ 溝
４ｂ 軸
４ｃ ウェハ吸着部
４ｄ 回動用モータ
５ Ｚ軸ステージ
６ 加圧機構
６ａ 加圧ピン
６ｂ 軸
６ｃ 振動子
６ｄ 回動用モータ
７〜９ ウェハカセット
１０ ウェハ搬送ロボット
１１ ウェハアライメント部
１２，１５ 変位検出部
１２ａ，１５ａ センサ
１２ｂ，１５ｂ 駆動部
１３，１４ ロードピン
１６ パネル部
１６ａ 表示パネル
１６ｂ 操作パネル
１７ 制御部
１７ａ ＣＰＵ
１７ｂ プログラム
１００ ウェハ処理装置
Claims (7)
- ２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、
２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除する基板操作手段と、
前記基板操作手段による一方の基板の支持の解除と同時に該一方の基板の裏面の一部に加圧することにより、該一方の基板を他方の基板に密着させる加圧手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板操作手段は、２枚の基板を水平に支持し、その後、上側の基板の支持を解除することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記基板操作手段は、２枚の基板を夫々裏面からのみ支持することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記基板操作手段は、基板の支持を解除する直前における２枚の基板の間隙を調整する間隙調整手段を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記基板操作手段は、一方の基板をその表面を上にした状態で支持する第１の基板支持手段と、他方の基板をその裏面側から吸着し、その表面を該一方の基板の表面と平行に対向させて支持する第２の基板支持手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- ２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、
２枚の基板を対向させて支持した後に一方の基板の支持を解除し、その解除と同時に該一方の基板の裏面の一部に加圧し、該一方の基板を他方の基板に密着させることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項６に記載の基板処理方法を工程の一部に適用した基板の製造方法。
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Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3695971B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2005-09-14 | シャープ株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| JP4822577B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2011-11-24 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および装置 |
| JP3938655B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-06-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | アライメント装置 |
| DE10048881A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-03-07 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers |
| DE10142073C1 (de) * | 2001-08-29 | 2003-06-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden und Trennen von Systemwafern und Trägerwafern |
| JP2005011195A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報処理装置および製造装置 |
| JP2005347302A (ja) | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Canon Inc | 基板の製造方法 |
| FR2943177B1 (fr) * | 2009-03-12 | 2011-05-06 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure multicouche avec report de couche circuit |
| FR2947380B1 (fr) | 2009-06-26 | 2012-12-14 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Procede de collage par adhesion moleculaire. |
| JP2011181632A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5355451B2 (ja) | 2010-02-26 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置 |
| JP5562115B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2014-07-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および貼り合わせ基板の製造方法 |
| FR2961630B1 (fr) | 2010-06-22 | 2013-03-29 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| US8338266B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-12-25 | Soitec | Method for molecular adhesion bonding at low pressure |
| FR2963848B1 (fr) * | 2010-08-11 | 2012-08-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de collage par adhesion moleculaire a basse pression |
| JP2012160628A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Sony Corp | 基板の接合方法及び基板接合装置 |
| JP5521066B1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置及び接合システム |
| JP5575934B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置及び接合システム |
| JP2013232685A (ja) * | 2013-07-25 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置 |
| JP6731805B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム |
| US20220216088A1 (en) * | 2019-04-30 | 2022-07-07 | Yinguan Semiconductor Technology Co., Ltd. | Motion device |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3720555A (en) * | 1967-06-01 | 1973-03-13 | Polaroid Corp | Light polarizing device and process for making the same |
| FI53117C (ja) * | 1971-06-18 | 1978-02-10 | Glaverbel | |
| US4256787A (en) * | 1978-05-03 | 1981-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation of ordered liquids and their use in devices |
| US4457662A (en) * | 1982-03-25 | 1984-07-03 | Pennwalt Corporation | Automatic lead frame loading machine |
| EP0256150B1 (en) | 1986-08-13 | 1990-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for bonding semiconductor wafers |
| US4724023A (en) * | 1985-04-09 | 1988-02-09 | E M Partners Ag | Method of making laminated glass |
| JPH0651251B2 (ja) | 1987-11-18 | 1994-07-06 | 三菱化成株式会社 | ウェハー製造方法、及びその製造装置 |
| NL8900388A (nl) * | 1989-02-17 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen. |
| JPH0744135B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体基板の接着方法及び接着装置 |
| JP2501946B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1996-05-29 | 三菱電機株式会社 | ダイボンド装置およびその制御方法 |
| KR100289348B1 (ko) | 1992-05-25 | 2001-12-28 | 이데이 노부유끼 | 절연기판실리콘반도체장치와그제조방법 |
| US5300175A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-05 | Motorola, Inc. | Method for mounting a wafer to a submount |
| JP3321882B2 (ja) * | 1993-02-28 | 2002-09-09 | ソニー株式会社 | 基板はり合わせ方法 |
| US5494546A (en) * | 1994-02-18 | 1996-02-27 | Horvath; Steven J. | Apparatus and method for applying anti-lacerative film to glass |
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