JP3562004B2 - 内燃機関の触媒浄化装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、内燃機関の排気管に介装される触媒担体にヒータ機能を備えて触媒の活性化を早める触媒浄化装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
自動車等の大気汚染対策のために用いられる触媒浄化装置において、触媒をその活性温度以上に速やかに上昇させるように触媒担体を加熱するヒータ機能を備えるものがある。
【０００３】
この種の触媒浄化装置として、従来図１２に示すようなものがあった（例えば、特開平４−６０１０８号公報、参照）。
【０００４】
これについて説明すると、機関の排気管６１の途中に、ヒータ機能を持つ上流触媒６５と、ヒータ機能を持たない下流触媒６６が直列に並んで介装され、上流触媒６５を迂回して排気ガスを導くバイパス通路６２が配設されている。
【０００５】
バイパス通路６２と上流触媒６１の分岐部にバルブ６３が介装されている。バルブ６３は、上流触媒６５とバイパス通路６２のいずれか一方を選択的に開通させるようになっている。
【０００６】
触媒が活性温度に達しない暖機時に、バルブ６３がバイパス通路６２を閉塞し、上流触媒６５を開通させるとともに、上流触媒６５が通電して加熱される。これにより、上流触媒６５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら、排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によって昇温する。
【０００７】
触媒が活性温度に達した暖機後に、バルブ６３がバイパス通路６２を開通させ、上流触媒６５を閉塞し、上流触媒６５の通電が停止される。これにより、上流触媒６５に排気ガスが導かれることがなく、上流触媒６５の過熱が防止される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来装置にあっては、上流触媒６５が通電して加熱される運転状態で、排気ガスの全量が上流触媒６５を通過する構造のため、上流触媒６５を通過する低温排気ガスによって触媒が奪われる熱量が大きくなり、触媒が活性温度に達する時間が長くなり、上流触媒６５および下流触媒６６の暖機が遅れる。
【０００９】
本発明は上記の問題点を解消し、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、その下流側にヒータ機能を持たない下流触媒担体が介装される内燃機関の触媒浄化装置において、両触媒担体の暖機性能を高めることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、
排気管の途中に介装されるケーシングと、
ケーシングに収装され、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、
ケーシングの上流触媒担体より下流側に収装され、ヒータ機能を持たない下流触媒担体と、
ケーシングと上流触媒担体との間に設置される断熱マットと、
ケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成され、排気ガスの一部を上流触媒担体を迂回して下流触媒担体に導くバイパス通路とを備える。
【００１１】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、
ケーシングを円筒状に形成し、
上流触媒担体の外周面にケーシングとの間にバイパス通路を画成する切欠き部を形成する。
【００１２】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、
上流触媒担体を円柱状に形成し、
ケーシングにバイパス通路を画成する通路壁部を、ケーシングの外側に膨出して形成する。
【００１３】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から３のいずれか一つに記載の発明において、
一対のバイパス通路を上流触媒担体を挟んで対向するように配置する。
【００１４】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から４のいずれか一つに記載の発明において、
ケーシングにバイパス通路から流出する排気ガスを上流触媒担体の中心方向に案内するガイド部を形成する。
【００１５】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から５のいずれか一つに記載の発明において、
上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定する。
【００１６】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から６のいずれか一つに記載の発明において、
上流触媒担体は、その外周に接続する正電極と負電極を介して通電されることにより発熱するヒータ機能を持ち、
正電極をバイパス通路より上方に配置する。
【００１７】
【作用】
請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、触媒の温度がその活性温度より低い触媒低温時に、上流触媒担体がヒータ機能を作動させて加熱されることにより、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によって昇温する。
【００１８】
ケーシングに流入する排気ガスの一部を各バイパス通路を介して上流触媒担体を迂回させるため、上流触媒担体を通過する排気ガス量を適正に減らす。これにより、上流触媒担体から低温排気ガスによって奪われる熱量が減らされ、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。
【００１９】
上流触媒担体を通って温度上昇した排気ガスは、下流触媒担体の上流側で、バイパス通路を通った排気ガスと混合して下流触媒担体に流入し、下流触媒担体を加熱する。上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなることにより、下流触媒担体に流入する排気ガス温度の上昇を早めて、下流触媒担体の活性化を早められ、暖機時等におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００２０】
バイパス通路をケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成する構造は、ケーシングの外側に配設される配管を介してバイパス通路を画成する構造に比べて、バイパス通路の長さや両触媒担体間の空間容積を小さくしつつ、バイパス通路を通った低温の排気ガスと上流触媒担体を通った高温の排気ガスの混合を十分に行わせることが可能となる。これにより、バイパス通路や排気ガスが混合する空間を画成する部位の熱容量が小さくなって、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度上昇が早められる。
【００２１】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体の外周面に切欠き部を形成する構造により、ケーシングを円筒状に形成することが可能となり、ケーシングの小型化がはかれる。
【００２２】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、ケーシングの外側に膨出した通路壁部によってバイパス通路を画成する構造により、バイパス通路の通路断面積の設定自由度を広げられるとともに、介装スペースに対する制約を少なくすることができる。
【００２３】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体を挟んで対向する一対のバイパス通路を通過した排気ガスは、下流触媒担体の上流側に互いに対向して流入し、上流触媒担体を通った高温の排気ガスとの混合が十分に行われる。こうして、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体の浄化性能を高められる。下流触媒担体の活性化が早められる。
【００２４】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、バイパス通路を通って混合空間に流入する排気ガスは、ガイド部に案内されて、混合空間の中心部に向けられ、上流触媒担体を通った排気ガスとの混合が促進される。こうして、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００２５】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定することにより、下流触媒担体の温度上昇を早められる。
【００２６】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、正電極をバイパス通路より上方に配置することにより、バイパス通路において結露した水分が正電極の方に流れることを防止し、正電極を介して漏電が起きることを防止できる。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００２８】
図２に示すように、触媒浄化装置１は、排気入口２および出口３を有するケーシング４が機関の排気管の途中に接続される。円筒状をしたケーシング４の内部に２つに分割して設けられる上流、下流触媒担体５，６が直列に並んで介装される。
【００２９】
上流、下流触媒担体５，６は、波状の金属箔により多数の細路が形成されるハニカム構造をしており、金属箔に白金等の触媒金属が担持され、細路を通過する排気ガスを触媒作用により浄化するようになっている。
【００３０】
上流触媒担体５の外周側とケーシング４の間にセラミック材からなる断熱マット８が介装され、絶縁および断熱が行われる。また、下流触媒担体６の外周側とケーシング４の間にも断熱マット８が介装されている。
【００３１】
上流触媒担体５の外周側には正電極９が設置されるとともに、その反対側に負電極１０が設置される。正電極９は図示しないリード線とスイッチ回路を介してバッテリの正端子に接続され、負電極１０は図示しないリード線と車体等を介してバッテリの負端子に接続される。
【００３２】
上流触媒担体５は両電極９，１０を介して通電されることにより、発熱するヒータ機能を持っている。図１にも示すように、上流触媒担体５は複数のスリット１５がベローズ状に並び、排気ガスの流れ方向に沿って形成される。これらスリット１５を介して上流触媒担体５の通電経路の長さが任意に設定されて、所定の発熱量が得られるようになっている。
【００３３】
ケーシング４の内部に上流触媒担体５と下流触媒担体６の間に、所定容積を有する混合空間１７が画成される。
【００３４】
排気ガスを上流触媒担体５を迂回して下流触媒担体６に導くバイパス通路１６が、上流触媒担体５とケーシング４の間に画成される。すなわち、各バイパス通路１６は、それぞれの一端がケーシング４の入口２に開口し、それぞれの他端が混合空間１７に開口している。
【００３５】
一対のバイパス通路１６は、上流触媒担体５を挟んで互いに対向して配置される。
【００３６】
上流触媒担体５は、上下に分割された断熱マット８に接合する上下一対の外周面２１と、バイパス通路１６を画成する左右一対の切欠き部２２とを有する。
【００３７】
左右の切欠き部２２は平面状に形成される。ケーシング４は円筒状に形成される。したがって、左右の切欠き部２２とケーシング４の間に画成される各バイパス通路１６の断面は半月形をしている。
【００３８】
上流触媒担体５を通過する排気ガス量をＸ、バイパス通路１６を通過する排気ガス量をＹとすると、上流触媒担体５への分流率Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％が、１０〜８０％の範囲になるように、バイパス通路１６の断面積を設定する。
【００３９】
各バイパス通路１６は上流触媒担体５の両側部に配置される。正電極９は上流触媒担体５の上部に配置され、負電極１０は上流触媒担体５の下部に配置される。
【００４０】
上流触媒担体５の通電を制御する図示しないコントロールユニットは、機関の運転時において、機関冷却水温度または排気ガス温度等の検出値に基づいて、上流触媒担体５が所定の触媒活性温度に達しない触媒低温時を判定し、触媒低温時に上流触媒担体５を通電して、上流触媒担体５を加熱するようになっている。
【００４１】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００４２】
触媒の温度がその活性温度より低い触媒低温時に、上流触媒担体５が通電して加熱されることにより、上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によってさらに昇温する。
【００４３】
しかし、上流触媒担体５が通電して加熱される運転状態で、上流触媒担体５を通過する低温排気ガスによって触媒の熱が奪われるため、上流触媒担体５を通過する低温排気ガス量が多いと、触媒が活性温度に達する時間が長くなる。
【００４４】
これに対処して本発明は、ケーシング４の入口２に流入する排気ガスの一部を各バイパス通路１６を介して上流触媒担体５を迂回させるため、上流触媒担体５を通過する排気ガス量を適正に減らすことにより、通電して加熱される上流触媒担体５から低温排気ガスによって奪われる熱量が減らされ、上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。
【００４５】
上流触媒担体５を通って温度上昇した排気ガスは、混合空間１７において、バイパス通路１６を通った排気ガスと混合して、混合空間１７から下流触媒担体６に流入し、下流触媒担体６を加熱する。上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなることにより、図３に示すように、下流触媒担体６に流入する排気ガス温度の上昇を早め、下流触媒担体６の活性化を早めることができる。
【００４６】
このようにして、上流触媒担体５を通電して行われる上流、下流触媒担体５，６の活性化がバイパス通路１６を介して早められることにより、暖機時等におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００４７】
図４は、上流触媒担体５への分流率Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％を０〜１００％の間で変えた時の混合空間１７の温度と下流触媒担体６の内部温度がそれぞれ３５０°Ｃに到達する時間の関係を示している。この結果から、上流触媒担体５への分流率が１０〜８０％の範囲になるように、バイパス通路１６等の断面積を設定することにより、下流触媒担体６の温度上昇を早められることがわかる。
【００４８】
上流触媒担体５を挟んで対向する一対のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスは、混合空間１７に互いに対向して流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスとの混合が混合空間１７において十分に行われる。こうして、下流触媒担体６に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体６の活性化が早められる。
【００４９】
バイパス通路１６をケーシング４と上流触媒担体５の間に画成する構造は、ケーシングの外側に配設される配管を介してバイパス通路を画成する従来の構造に比べて、バイパス通路１６の長さや混合空間１７の容積を小さくしつつ、バイパス通路１６を通った低温の排気ガスと上流触媒担体５を通った高温の排気ガスの混合を十分に行わせることが可能となる。これにより、バイパス通路１６や混合空間１７を画成する部位のヒートマスが小さくなって、上流触媒担体５に流入する排気ガスの温度上昇が早められる。
【００５０】
各バイパス通路１６を各電極９，１０に対して等しい距離を持って配設する構造により、各電極９，１０の近傍の熱が各バイパス通路１６を流れる排気ガスによって奪われることを抑えられ、上流触媒担体５の活性化を早められる。
【００５１】
さらに、バイパス通路１６を円筒形をしたケーシング４と上流触媒担体５の切欠き部２２の間に画成する構造は、ケーシング４の小型化がはかれ、介装スペースを小さく抑えられる。
【００５２】
正電極９をバイパス通路１６より離し、かつ上方に配置する構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００５３】
次に、図５、図６に示す他の実施例について説明する。なお、図１、図２との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００５４】
この実施例では、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４に上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一つの通路壁部４１が外側に膨出して形成される。
【００５５】
板金製ケーシング４は半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５との間に断熱マット８を介装した後に接合される。断熱マット８は、その断面がＣ字形に形成される。
【００５６】
ケーシング４の通路壁部４１は、水平直方向にの延びる水平壁部４１ａと、水平壁部４１ａの下端から上方に向けて傾斜する傾斜壁部４１ｂを有し、両者の間にケーシング４内で結露した水分を溜める窪み部４２が画成される。
【００５７】
正電極９はバイパス通路１６の上方、かつ上流触媒担体５の斜め上方に配置され、負電極１０はバイパス通路１６の側方、かつ上流触媒担体５の斜め下方に配置される。
【００５８】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００５９】
１本のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスが、混合空間１７に流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスと混合空間１７において混合する。
【００６０】
正電極９をバイパス通路１６より上方に配置するとともに、ケーシング４に結露した水分を溜める窪み部４２が画成される構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００６１】
バイパス通路１６をケーシング４に成形した通路壁部４１と円形の断面をした上流触媒担体５の間に画成する構造は、バイパス通路１６の断面積の設定自由度を広げられるとともに、車両に設けられる介装スペースに応じてケーシング４の形状を変えられる。
【００６２】
次に、図７、図８に示す他の実施例について説明する。なお、図１、図２との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００６３】
この実施例では、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４に上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一対の通路壁部３１が外側に膨出して形成される。
【００６４】
板金製ケーシング４は同一形状をした半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５と下流触媒担体６および断熱マット８を介装した後に接合される。
【００６５】
ケーシング４と上流触媒担体５の間において、２つに分割された各断熱マット８は、上流触媒担体５の斜め上方と斜め下方にそれぞれ配置される。
【００６６】
ケーシング４は、くの字形の断面を持って外側に膨出する一対の通路壁部３１と、その断面が円弧状に湾曲して各断熱マット８に接合する一対の円弧部３２とを有する。
【００６７】
各バイパス通路１６は上流触媒担体５の斜め上方と斜め下方にそれぞれ配置される。正電極９は上流触媒担体５の斜め上方に配置され、負電極１０は上流触媒担体５の斜め下方に配置される。
【００６８】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００６９】
この場合も、２本のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスが、混合空間１７に互いに対向して流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスと混合空間１７において十分に混合する。
【００７０】
また、正電極９をバイパス通路１６より離し、かつ上方に配置する構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００７１】
バイパス通路１６をケーシング４に成形した通路壁部３１と円形の断面をした上流触媒担体５の間に画成する構造は、バイパス通路１６の断面積の設定自由度を広げられるとともに、車両に設けられる介装スペースに応じてケーシング４の形状を変えられる。
【００７２】
次に、図９、図１０、図１１に示す他の実施例について説明する。なお、図７、図８との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００７３】
この実施例では、ケーシング４に各バイパス通路１６から流出する排気ガスを上流触媒担体５および下流触媒担体６の中心方向に案内するガイド部が形成される。ガイド部５１は、上流触媒担体５と下流触媒担体６の間に位置して環状に突出している。
【００７４】
上記実施例と同様に、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４は上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一対の通路壁部３１を有する。
【００７５】
板金製ケーシング４は同一形状をした半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５と下流触媒担体６および断熱マット８を介装した後に接合される。
【００７６】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００７７】
この場合、各バイパス通路１６を通って混合空間１７に流入する排気ガスは、ガイド部５１に案内されて、混合空間１７の中心部に向けられ、上流触媒担体５を通った排気ガスとの混合が促進される。こうして、下流触媒担体６に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体６の活性化が早められる。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、排気管の途中に介装されるケーシングと、ケーシングに収装され、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、ケーシングの上流触媒担体より下流側に収装され、ヒータ機能を持たない下流触媒担体と、ケーシングと上流触媒担体との間に設置される断熱マットと、ケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成され、排気ガスの一部を上流触媒担体を迂回して下流触媒担体に導くバイパス通路とを備えたため、上流触媒担体を通過する排気ガス流量を減らし、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間を短くし、暖機におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００７９】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、ケーシングを円筒状に形成し、上流触媒担体の外周面にケーシングとの間にバイパス通路を画成する切欠き部を形成したため、ケーシングを円筒状に形成することが可能となり、ケーシングの小型化がはかれる。
【００８０】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、上流触媒担体を円柱状に形成し、ケーシングにバイパス通路を画成する通路壁部を、ケーシングの外側に膨出して形成したため、バイパス通路の通路断面積の設定自由度を広げられるとともに、介装スペースに対する制約を少なくすることができる。
【００８１】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から３のいずれか一つに記載の発明において、一対のバイパス通路を上流触媒担体を挟んで対向するように配置したため、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化して、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００８２】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から４のいずれか一つに記載の発明において、ケーシングにバイパス通路から流出する排気ガスを上流触媒担体の中心方向に案内するガイド部を形成したため、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化して、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００８３】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から５のいずれか一つに記載の発明において、上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定したため、下流触媒担体の温度上昇を早められるる。
【００８４】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から６のいずれか一つに記載の発明において、上流触媒担体は、その外周に接続する正電極と負電極を介して通電されることにより発熱するヒータ機能を持ち、正電極をバイパス通路より上方に配置したため、バイパス通路において結露した水分が正電極の方に流れることを防止し、正電極を介して漏電が起きることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示し、図２のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図２】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図３】触媒担体の温度と運転時間の関係を示す特性図。
【図４】上流触媒担体への排気ガスの分流率を変えて、混合空間の温度と下流触媒担体の内部温度がそれぞれ３５０°Ｃに到達する時間の関係を示す特性図。
【図５】他の実施例を示し、図６のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図６】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図７】さらに他の実施例を示し、図８のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図８】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図９】さらに他の実施例を示し、図１１のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図１０】同じく図１１のＢ−Ｂ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図１１】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図１２】従来例を示す触媒浄化装置の構成図。
【符号の説明】
１ 触媒浄化装置
４ ケーシング
５ 上流触媒担体
６ 下流触媒担体
９ 正電極
１０ 負電極
１６ バイパス通路
１７ 混合空間
２２ 切欠き部
３１ 通路壁部
４１ 通路壁部
５１ 環状ガイド部
【産業上の利用分野】
本発明は、内燃機関の排気管に介装される触媒担体にヒータ機能を備えて触媒の活性化を早める触媒浄化装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
自動車等の大気汚染対策のために用いられる触媒浄化装置において、触媒をその活性温度以上に速やかに上昇させるように触媒担体を加熱するヒータ機能を備えるものがある。
【０００３】
この種の触媒浄化装置として、従来図１２に示すようなものがあった（例えば、特開平４−６０１０８号公報、参照）。
【０００４】
これについて説明すると、機関の排気管６１の途中に、ヒータ機能を持つ上流触媒６５と、ヒータ機能を持たない下流触媒６６が直列に並んで介装され、上流触媒６５を迂回して排気ガスを導くバイパス通路６２が配設されている。
【０００５】
バイパス通路６２と上流触媒６１の分岐部にバルブ６３が介装されている。バルブ６３は、上流触媒６５とバイパス通路６２のいずれか一方を選択的に開通させるようになっている。
【０００６】
触媒が活性温度に達しない暖機時に、バルブ６３がバイパス通路６２を閉塞し、上流触媒６５を開通させるとともに、上流触媒６５が通電して加熱される。これにより、上流触媒６５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら、排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によって昇温する。
【０００７】
触媒が活性温度に達した暖機後に、バルブ６３がバイパス通路６２を開通させ、上流触媒６５を閉塞し、上流触媒６５の通電が停止される。これにより、上流触媒６５に排気ガスが導かれることがなく、上流触媒６５の過熱が防止される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来装置にあっては、上流触媒６５が通電して加熱される運転状態で、排気ガスの全量が上流触媒６５を通過する構造のため、上流触媒６５を通過する低温排気ガスによって触媒が奪われる熱量が大きくなり、触媒が活性温度に達する時間が長くなり、上流触媒６５および下流触媒６６の暖機が遅れる。
【０００９】
本発明は上記の問題点を解消し、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、その下流側にヒータ機能を持たない下流触媒担体が介装される内燃機関の触媒浄化装置において、両触媒担体の暖機性能を高めることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、
排気管の途中に介装されるケーシングと、
ケーシングに収装され、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、
ケーシングの上流触媒担体より下流側に収装され、ヒータ機能を持たない下流触媒担体と、
ケーシングと上流触媒担体との間に設置される断熱マットと、
ケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成され、排気ガスの一部を上流触媒担体を迂回して下流触媒担体に導くバイパス通路とを備える。
【００１１】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、
ケーシングを円筒状に形成し、
上流触媒担体の外周面にケーシングとの間にバイパス通路を画成する切欠き部を形成する。
【００１２】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、
上流触媒担体を円柱状に形成し、
ケーシングにバイパス通路を画成する通路壁部を、ケーシングの外側に膨出して形成する。
【００１３】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から３のいずれか一つに記載の発明において、
一対のバイパス通路を上流触媒担体を挟んで対向するように配置する。
【００１４】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から４のいずれか一つに記載の発明において、
ケーシングにバイパス通路から流出する排気ガスを上流触媒担体の中心方向に案内するガイド部を形成する。
【００１５】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から５のいずれか一つに記載の発明において、
上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定する。
【００１６】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から６のいずれか一つに記載の発明において、
上流触媒担体は、その外周に接続する正電極と負電極を介して通電されることにより発熱するヒータ機能を持ち、
正電極をバイパス通路より上方に配置する。
【００１７】
【作用】
請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、触媒の温度がその活性温度より低い触媒低温時に、上流触媒担体がヒータ機能を作動させて加熱されることにより、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によって昇温する。
【００１８】
ケーシングに流入する排気ガスの一部を各バイパス通路を介して上流触媒担体を迂回させるため、上流触媒担体を通過する排気ガス量を適正に減らす。これにより、上流触媒担体から低温排気ガスによって奪われる熱量が減らされ、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。
【００１９】
上流触媒担体を通って温度上昇した排気ガスは、下流触媒担体の上流側で、バイパス通路を通った排気ガスと混合して下流触媒担体に流入し、下流触媒担体を加熱する。上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間が短くなることにより、下流触媒担体に流入する排気ガス温度の上昇を早めて、下流触媒担体の活性化を早められ、暖機時等におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００２０】
バイパス通路をケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成する構造は、ケーシングの外側に配設される配管を介してバイパス通路を画成する構造に比べて、バイパス通路の長さや両触媒担体間の空間容積を小さくしつつ、バイパス通路を通った低温の排気ガスと上流触媒担体を通った高温の排気ガスの混合を十分に行わせることが可能となる。これにより、バイパス通路や排気ガスが混合する空間を画成する部位の熱容量が小さくなって、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度上昇が早められる。
【００２１】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体の外周面に切欠き部を形成する構造により、ケーシングを円筒状に形成することが可能となり、ケーシングの小型化がはかれる。
【００２２】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、ケーシングの外側に膨出した通路壁部によってバイパス通路を画成する構造により、バイパス通路の通路断面積の設定自由度を広げられるとともに、介装スペースに対する制約を少なくすることができる。
【００２３】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体を挟んで対向する一対のバイパス通路を通過した排気ガスは、下流触媒担体の上流側に互いに対向して流入し、上流触媒担体を通った高温の排気ガスとの混合が十分に行われる。こうして、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体の浄化性能を高められる。下流触媒担体の活性化が早められる。
【００２４】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、バイパス通路を通って混合空間に流入する排気ガスは、ガイド部に案内されて、混合空間の中心部に向けられ、上流触媒担体を通った排気ガスとの混合が促進される。こうして、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００２５】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定することにより、下流触媒担体の温度上昇を早められる。
【００２６】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置において、正電極をバイパス通路より上方に配置することにより、バイパス通路において結露した水分が正電極の方に流れることを防止し、正電極を介して漏電が起きることを防止できる。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００２８】
図２に示すように、触媒浄化装置１は、排気入口２および出口３を有するケーシング４が機関の排気管の途中に接続される。円筒状をしたケーシング４の内部に２つに分割して設けられる上流、下流触媒担体５，６が直列に並んで介装される。
【００２９】
上流、下流触媒担体５，６は、波状の金属箔により多数の細路が形成されるハニカム構造をしており、金属箔に白金等の触媒金属が担持され、細路を通過する排気ガスを触媒作用により浄化するようになっている。
【００３０】
上流触媒担体５の外周側とケーシング４の間にセラミック材からなる断熱マット８が介装され、絶縁および断熱が行われる。また、下流触媒担体６の外周側とケーシング４の間にも断熱マット８が介装されている。
【００３１】
上流触媒担体５の外周側には正電極９が設置されるとともに、その反対側に負電極１０が設置される。正電極９は図示しないリード線とスイッチ回路を介してバッテリの正端子に接続され、負電極１０は図示しないリード線と車体等を介してバッテリの負端子に接続される。
【００３２】
上流触媒担体５は両電極９，１０を介して通電されることにより、発熱するヒータ機能を持っている。図１にも示すように、上流触媒担体５は複数のスリット１５がベローズ状に並び、排気ガスの流れ方向に沿って形成される。これらスリット１５を介して上流触媒担体５の通電経路の長さが任意に設定されて、所定の発熱量が得られるようになっている。
【００３３】
ケーシング４の内部に上流触媒担体５と下流触媒担体６の間に、所定容積を有する混合空間１７が画成される。
【００３４】
排気ガスを上流触媒担体５を迂回して下流触媒担体６に導くバイパス通路１６が、上流触媒担体５とケーシング４の間に画成される。すなわち、各バイパス通路１６は、それぞれの一端がケーシング４の入口２に開口し、それぞれの他端が混合空間１７に開口している。
【００３５】
一対のバイパス通路１６は、上流触媒担体５を挟んで互いに対向して配置される。
【００３６】
上流触媒担体５は、上下に分割された断熱マット８に接合する上下一対の外周面２１と、バイパス通路１６を画成する左右一対の切欠き部２２とを有する。
【００３７】
左右の切欠き部２２は平面状に形成される。ケーシング４は円筒状に形成される。したがって、左右の切欠き部２２とケーシング４の間に画成される各バイパス通路１６の断面は半月形をしている。
【００３８】
上流触媒担体５を通過する排気ガス量をＸ、バイパス通路１６を通過する排気ガス量をＹとすると、上流触媒担体５への分流率Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％が、１０〜８０％の範囲になるように、バイパス通路１６の断面積を設定する。
【００３９】
各バイパス通路１６は上流触媒担体５の両側部に配置される。正電極９は上流触媒担体５の上部に配置され、負電極１０は上流触媒担体５の下部に配置される。
【００４０】
上流触媒担体５の通電を制御する図示しないコントロールユニットは、機関の運転時において、機関冷却水温度または排気ガス温度等の検出値に基づいて、上流触媒担体５が所定の触媒活性温度に達しない触媒低温時を判定し、触媒低温時に上流触媒担体５を通電して、上流触媒担体５を加熱するようになっている。
【００４１】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００４２】
触媒の温度がその活性温度より低い触媒低温時に、上流触媒担体５が通電して加熱されることにより、上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。触媒が活性温度に達したら排気ガス中のＨＣ、ＣＯを酸化させ、その反応熱によってさらに昇温する。
【００４３】
しかし、上流触媒担体５が通電して加熱される運転状態で、上流触媒担体５を通過する低温排気ガスによって触媒の熱が奪われるため、上流触媒担体５を通過する低温排気ガス量が多いと、触媒が活性温度に達する時間が長くなる。
【００４４】
これに対処して本発明は、ケーシング４の入口２に流入する排気ガスの一部を各バイパス通路１６を介して上流触媒担体５を迂回させるため、上流触媒担体５を通過する排気ガス量を適正に減らすことにより、通電して加熱される上流触媒担体５から低温排気ガスによって奪われる熱量が減らされ、上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなる。
【００４５】
上流触媒担体５を通って温度上昇した排気ガスは、混合空間１７において、バイパス通路１６を通った排気ガスと混合して、混合空間１７から下流触媒担体６に流入し、下流触媒担体６を加熱する。上流触媒担体５の触媒が活性温度に達する時間が短くなることにより、図３に示すように、下流触媒担体６に流入する排気ガス温度の上昇を早め、下流触媒担体６の活性化を早めることができる。
【００４６】
このようにして、上流触媒担体５を通電して行われる上流、下流触媒担体５，６の活性化がバイパス通路１６を介して早められることにより、暖機時等におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００４７】
図４は、上流触媒担体５への分流率Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００％を０〜１００％の間で変えた時の混合空間１７の温度と下流触媒担体６の内部温度がそれぞれ３５０°Ｃに到達する時間の関係を示している。この結果から、上流触媒担体５への分流率が１０〜８０％の範囲になるように、バイパス通路１６等の断面積を設定することにより、下流触媒担体６の温度上昇を早められることがわかる。
【００４８】
上流触媒担体５を挟んで対向する一対のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスは、混合空間１７に互いに対向して流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスとの混合が混合空間１７において十分に行われる。こうして、下流触媒担体６に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体６の活性化が早められる。
【００４９】
バイパス通路１６をケーシング４と上流触媒担体５の間に画成する構造は、ケーシングの外側に配設される配管を介してバイパス通路を画成する従来の構造に比べて、バイパス通路１６の長さや混合空間１７の容積を小さくしつつ、バイパス通路１６を通った低温の排気ガスと上流触媒担体５を通った高温の排気ガスの混合を十分に行わせることが可能となる。これにより、バイパス通路１６や混合空間１７を画成する部位のヒートマスが小さくなって、上流触媒担体５に流入する排気ガスの温度上昇が早められる。
【００５０】
各バイパス通路１６を各電極９，１０に対して等しい距離を持って配設する構造により、各電極９，１０の近傍の熱が各バイパス通路１６を流れる排気ガスによって奪われることを抑えられ、上流触媒担体５の活性化を早められる。
【００５１】
さらに、バイパス通路１６を円筒形をしたケーシング４と上流触媒担体５の切欠き部２２の間に画成する構造は、ケーシング４の小型化がはかれ、介装スペースを小さく抑えられる。
【００５２】
正電極９をバイパス通路１６より離し、かつ上方に配置する構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００５３】
次に、図５、図６に示す他の実施例について説明する。なお、図１、図２との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００５４】
この実施例では、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４に上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一つの通路壁部４１が外側に膨出して形成される。
【００５５】
板金製ケーシング４は半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５との間に断熱マット８を介装した後に接合される。断熱マット８は、その断面がＣ字形に形成される。
【００５６】
ケーシング４の通路壁部４１は、水平直方向にの延びる水平壁部４１ａと、水平壁部４１ａの下端から上方に向けて傾斜する傾斜壁部４１ｂを有し、両者の間にケーシング４内で結露した水分を溜める窪み部４２が画成される。
【００５７】
正電極９はバイパス通路１６の上方、かつ上流触媒担体５の斜め上方に配置され、負電極１０はバイパス通路１６の側方、かつ上流触媒担体５の斜め下方に配置される。
【００５８】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００５９】
１本のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスが、混合空間１７に流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスと混合空間１７において混合する。
【００６０】
正電極９をバイパス通路１６より上方に配置するとともに、ケーシング４に結露した水分を溜める窪み部４２が画成される構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００６１】
バイパス通路１６をケーシング４に成形した通路壁部４１と円形の断面をした上流触媒担体５の間に画成する構造は、バイパス通路１６の断面積の設定自由度を広げられるとともに、車両に設けられる介装スペースに応じてケーシング４の形状を変えられる。
【００６２】
次に、図７、図８に示す他の実施例について説明する。なお、図１、図２との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００６３】
この実施例では、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４に上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一対の通路壁部３１が外側に膨出して形成される。
【００６４】
板金製ケーシング４は同一形状をした半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５と下流触媒担体６および断熱マット８を介装した後に接合される。
【００６５】
ケーシング４と上流触媒担体５の間において、２つに分割された各断熱マット８は、上流触媒担体５の斜め上方と斜め下方にそれぞれ配置される。
【００６６】
ケーシング４は、くの字形の断面を持って外側に膨出する一対の通路壁部３１と、その断面が円弧状に湾曲して各断熱マット８に接合する一対の円弧部３２とを有する。
【００６７】
各バイパス通路１６は上流触媒担体５の斜め上方と斜め下方にそれぞれ配置される。正電極９は上流触媒担体５の斜め上方に配置され、負電極１０は上流触媒担体５の斜め下方に配置される。
【００６８】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００６９】
この場合も、２本のバイパス通路１６を通った低温の排気ガスが、混合空間１７に互いに対向して流入し、上流触媒担体５を通った高温の排気ガスと混合空間１７において十分に混合する。
【００７０】
また、正電極９をバイパス通路１６より離し、かつ上方に配置する構造により、バイパス通路１６において結露した水分が正電極９の方に流れることを防止し、正電極９を介して漏電が起きることを防止できる。
【００７１】
バイパス通路１６をケーシング４に成形した通路壁部３１と円形の断面をした上流触媒担体５の間に画成する構造は、バイパス通路１６の断面積の設定自由度を広げられるとともに、車両に設けられる介装スペースに応じてケーシング４の形状を変えられる。
【００７２】
次に、図９、図１０、図１１に示す他の実施例について説明する。なお、図７、図８との対応部分には同一符号を用いて説明する。
【００７３】
この実施例では、ケーシング４に各バイパス通路１６から流出する排気ガスを上流触媒担体５および下流触媒担体６の中心方向に案内するガイド部が形成される。ガイド部５１は、上流触媒担体５と下流触媒担体６の間に位置して環状に突出している。
【００７４】
上記実施例と同様に、上流触媒担体５の断面が円形に形成される一方、ケーシング４は上流触媒担体５の外周面２１との間にバイパス通路１６を画成する一対の通路壁部３１を有する。
【００７５】
板金製ケーシング４は同一形状をした半割り形に分割してプレスにより成形され、上流触媒担体５と下流触媒担体６および断熱マット８を介装した後に接合される。
【００７６】
以上のように構成され、次に作用について説明する。
【００７７】
この場合、各バイパス通路１６を通って混合空間１７に流入する排気ガスは、ガイド部５１に案内されて、混合空間１７の中心部に向けられ、上流触媒担体５を通った排気ガスとの混合が促進される。こうして、下流触媒担体６に流入する排気ガスの温度分布を均一化することにより、下流触媒担体６の活性化が早められる。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、排気管の途中に介装されるケーシングと、ケーシングに収装され、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、ケーシングの上流触媒担体より下流側に収装され、ヒータ機能を持たない下流触媒担体と、ケーシングと上流触媒担体との間に設置される断熱マットと、ケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成され、排気ガスの一部を上流触媒担体を迂回して下流触媒担体に導くバイパス通路とを備えたため、上流触媒担体を通過する排気ガス流量を減らし、上流触媒担体の触媒が活性温度に達する時間を短くし、暖機におけるＨＣ、ＣＯの排出量を大幅に低減することができる。
【００７９】
請求項２に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、ケーシングを円筒状に形成し、上流触媒担体の外周面にケーシングとの間にバイパス通路を画成する切欠き部を形成したため、ケーシングを円筒状に形成することが可能となり、ケーシングの小型化がはかれる。
【００８０】
請求項３に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１に記載の発明において、上流触媒担体を円柱状に形成し、ケーシングにバイパス通路を画成する通路壁部を、ケーシングの外側に膨出して形成したため、バイパス通路の通路断面積の設定自由度を広げられるとともに、介装スペースに対する制約を少なくすることができる。
【００８１】
請求項４に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から３のいずれか一つに記載の発明において、一対のバイパス通路を上流触媒担体を挟んで対向するように配置したため、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化して、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００８２】
請求項５に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から４のいずれか一つに記載の発明において、ケーシングにバイパス通路から流出する排気ガスを上流触媒担体の中心方向に案内するガイド部を形成したため、下流触媒担体に流入する排気ガスの温度分布を均一化して、下流触媒担体の浄化性能を高められる。
【００８３】
請求項６に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から５のいずれか一つに記載の発明において、上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定したため、下流触媒担体の温度上昇を早められるる。
【００８４】
請求項７に記載の内燃機関の触媒浄化装置は、請求項１から６のいずれか一つに記載の発明において、上流触媒担体は、その外周に接続する正電極と負電極を介して通電されることにより発熱するヒータ機能を持ち、正電極をバイパス通路より上方に配置したため、バイパス通路において結露した水分が正電極の方に流れることを防止し、正電極を介して漏電が起きることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示し、図２のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図２】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図３】触媒担体の温度と運転時間の関係を示す特性図。
【図４】上流触媒担体への排気ガスの分流率を変えて、混合空間の温度と下流触媒担体の内部温度がそれぞれ３５０°Ｃに到達する時間の関係を示す特性図。
【図５】他の実施例を示し、図６のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図６】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図７】さらに他の実施例を示し、図８のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図８】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図９】さらに他の実施例を示し、図１１のＡ−Ａ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図１０】同じく図１１のＢ−Ｂ線に沿う触媒浄化装置の横断面図。
【図１１】同じく触媒浄化装置の縦断面図。
【図１２】従来例を示す触媒浄化装置の構成図。
【符号の説明】
１ 触媒浄化装置
４ ケーシング
５ 上流触媒担体
６ 下流触媒担体
９ 正電極
１０ 負電極
１６ バイパス通路
１７ 混合空間
２２ 切欠き部
３１ 通路壁部
４１ 通路壁部
５１ 環状ガイド部
Claims (7)
- 排気管の途中に介装されるケーシングと、
ケーシングに収装され、ヒータ機能を持つ上流触媒担体と、
ケーシングの上流触媒担体より下流側に収装され、ヒータ機能を持たない下流触媒担体と、
ケーシングと上流触媒担体との間に設置される断熱マットと、
ケーシングと上流触媒担体と断熱マットの間に画成され、排気ガスの一部を上流触媒担体を迂回して下流触媒担体に導くバイパス通路と、
を備えたことを特徴とする内燃機関の触媒浄化装置。 - ケーシングを円筒状に形成し、
上流触媒担体の外周面にケーシングとの間にバイパス通路を画成する切欠き部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置。 - 上流触媒担体を円柱状に形成し、
ケーシングにバイパス通路を画成する通路壁部を、ケーシングの外側に膨出して形成したことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒浄化装置。 - 一対のバイパス通路を上流触媒担体を挟んで対向するように配置したことを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の内燃機関の触媒浄化装置。
- ケーシングにバイパス通路から流出する排気ガスを上流触媒担体の中心方向に案内するガイド部を形成したことを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の内燃機関の触媒浄化装置。
- 上流触媒担体に流入する排気ガス量を全排気ガス量に対して１０〜８０％の範囲に設定したことを特徴とする請求項１から５のいずれか一つに記載の内燃機関の触媒浄化装置。
- 上流触媒担体は、その外周に接続する正電極と負電極を介して通電されることにより発熱するヒータ機能を持ち、
正電極をバイパス通路より上方に配置したことを特徴とする請求項１から６のいずれか一つに記載の内燃機関の触媒浄化装置。
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