[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP3027954B2 - 集積回路装置、その製造方法 - Google Patents

集積回路装置、その製造方法

Info

Publication number
JP3027954B2
JP3027954B2 JP9100328A JP10032897A JP3027954B2 JP 3027954 B2 JP3027954 B2 JP 3027954B2 JP 9100328 A JP9100328 A JP 9100328A JP 10032897 A JP10032897 A JP 10032897A JP 3027954 B2 JP3027954 B2 JP 3027954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
sides
resin package
integrated circuit
circuit device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9100328A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10294415A (ja
Inventor
清治 市川
亨 北古賀
毅 梅本
俊明 西部
一成 佐藤
邦彦 坪田
雅人 清
善一 西村
慶太 岡平
龍也 宮
和弘 田原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9100328A priority Critical patent/JP3027954B2/ja
Priority to AU61965/98A priority patent/AU739545B2/en
Priority to KR1019980013876A priority patent/KR100283299B1/ko
Priority to CN98101555A priority patent/CN1111906C/zh
Priority to EP98107028A priority patent/EP0872886A3/en
Priority to US09/061,904 priority patent/US6175150B1/en
Publication of JPH10294415A publication Critical patent/JPH10294415A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3027954B2 publication Critical patent/JP3027954B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペレットが搭載さ
れるアイランドを信号端子とともに樹脂パッケージに封
止した集積回路装置、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ(Ｌarge Ｓcale Ｉntegr
ated Ｃircuit)等の集積回路装置が各種の電子機器に
利用されている。このような集積回路装置は、集積回路
のペレットが樹脂パッケージに封止されており、この樹
脂パッケージの両側に細長い導電板からなる多数の信号
端子が突設されている。これらの信号端子は樹脂パッケ
ージの内部でペレットの接続パッドに結線されているの
で、回路基板に集積回路装置を搭載して信号端子を信号
配線に接続すれば、各種信号をペレットに入出力するこ
とができる。
【０００３】このような集積回路装置は各種用途に利用
されているが、例えば、携帯電話の電波出力に使用され
る集積回路装置などは、多量の電力を使用するためにペ
レットの発熱が顕著であり、これを良好に放熱すること
が必要である。これを解決した第一の従来例として特開
昭６１−１４４８３４号公報に開示されている集積回路
装置を図１７および図１８を参照して以下に説明する。
なお、図１７は集積回路装置の外観を示す斜視図、図１
８は内部構造を示す平面図である。
【０００４】ここで例示する集積回路装置１は、図１８
に示すように、上面に多数の接続パッド２が連設された
集積回路のペレット３を具備しており、このペレット３
がアイランド４に搭載されている。このアイランド４
は、略長方形の平板状の金属からなり、その上面の略中
央に前記ペレット３が搭載されている。前記アイランド
４の相対抗する二つの長辺の両側の位置には、多数の信
号端子５が一定間隔に配置されており、これらの信号端
子５と前記ペレット３の接続パッドとは、ボンディング
ワイヤ６で結線されている。
【０００５】前記ペレット３と前記アイランド４と前記
信号端子５と前記ボンディングワイヤ６とは、平面形状
が長方形の扁平な樹脂パッケージ７の内部に封止されて
おり、この樹脂パッケージ７の相対抗する二つの長辺の
位置から外部に前記信号端子５の端部が突出している。
また、前記樹脂パッケージ７の相対抗する短辺の位置か
ら外部には前記アイランド４の短辺の部分が突出してお
り、この部分には丸孔８が形成されている。
【０００６】上述のような構造の集積回路装置１は、例
えば、アイランド４の両端の丸孔８に挿通されたビスに
より回路基板の上面に実装され、この回路基板の上面に
形成されている信号配線に信号端子５が接続される。こ
の信号端子５を介して信号配線とペレット３とが各種信
号を入出力し、このペレット３の発熱はアイランド４の
両端から樹脂パッケージ７の外部に放出される。
【０００７】上述のような集積回路装置１は、ペレット
３の発熱をアイランド４により樹脂パッケージ７の外部
に放出することができるが、アイランド４の露出した部
分が樹脂パッケージ７の下面から上方に位置している。
このため、このアイランド４の露出した部分と回路基板
との間隙にスペーサを配置して固定したり、樹脂パッケ
ージ７の上面に別体の放熱板を装着させるなどして放熱
性を向上させていた。しかし、これでは部品数や工程数
が増加して生産性が低下することになり、集積回路装置
１の部分が大型化することになる。
【０００８】しかも、ペレット３は長方形のアイランド
４の中央部分に搭載されているが、この位置からアイラ
ンド４の露出した両端部分まで距離があるので、ペレッ
ト３の発熱を良好に放熱することが困難である。また、
前述した携帯電話などは小型化の必要から集積回路装置
の平面実装が要望されているが、上述した集積回路装置
１はフラットパッケージとして形成されていない。
【０００９】上述のような課題を解決した第二の従来例
として特開平２−６３１４２号公報に開示されている集
積回路装置を図１９および図２０を参照して以下に説明
する。なお、図１９は集積回路装置の外観を示す斜視
図、図２０は内部構造を示す縦断正面図である。また、
この第二の従来例の集積回路装置２１に関し、上述した
第一の従来例と同等の部分は、同一の名称および符号を
使用して詳細な説明は省略する。
【００１０】ここで例示する集積回路装置２１では、図
１９に示すように、樹脂パッケージ２２の信号端子５が
突出していない一辺の部分から放熱板２３が突出してお
り、この放熱板２３がアイランド２４と一体に形成され
ている。このアイランド２４は、前記放熱板２３と中央
部分２５とが同一平面に位置するよう形成されており、
図２０に示すように、この中央部分２５も前記樹脂パッ
ケージ２２の下面に露出している。
【００１１】同様に、前記アイランド２４の両側に配置
された信号端子５も前記樹脂パッケージ２２の下面に位
置しているので、この集積回路装置２１は平面実装に対
応している。なお、前記放熱板２３には丸孔２６が形成
されており、この丸孔２６に挿通されたビスが回路基板
に締結される（図示せず）。
【００１２】上述のような構造の集積回路装置２１で
は、回路基板の表面に信号端子５が直接に位置するの
で、この信号端子５が信号配線に半田等で直接に接続さ
れる。また、樹脂パッケージ２２から突出した放熱板２
３がビスにより回路基板の上面に装着され、アイランド
２４が接地配線などの導体パターンに直接に接続される
とともに集積回路装置２１が回路基板の上面に固定され
る。
【００１３】このとき、集積回路装置２１の下面の中央
部分にも導体パターンを位置させれば、この導体パター
ンとアイランド２４の中央部分２５とを熱伝導性が良好
な接着剤で接続することができる。ペレット３の発熱は
アイランド２４の放熱板２３と中央部分２５から回路基
板の導体パターンに伝導されるので、発熱するペレット
３が良好に冷却される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】第二の従来例として上
述した集積回路装置２１では、放熱性を向上させるため
にアイランド２４の中央部分２５まで樹脂パッケージ２
２から露出させているが、この中央部分２５は回路基板
の導体パターンに熱伝導性が良好な接着剤で接続しなけ
れば放熱性が発生しない。しかし、このように接着剤で
集積回路装置２１の中央部分２５を回路基板に接続する
と、接着剤が信号端子５の位置まで漏れ出て接触不良の
原因となりやすい。
【００１５】そこで、アイランド２４の中央部分２５を
接着剤で回路基板に接続せず、信号端子５を回路基板に
半田で接続するときに中央部分２５も半田で接続するこ
とが想定できる。しかし、集積回路装置２１の下面と回
路基板の上面との間隙は微小なので、ここに半田を流入
させて良好に接続することは困難である。このため、ア
イランド２４の中央部分２５が露出していても、この位
置での放熱の効果は実際には期待できない。
【００１６】そして、このようにペレット３が搭載され
る中央部分２５の外周部が露出していると、ここから侵
入する湿気がペレット３の位置まで到達する可能性が高
い。湿気がペレット３の位置まで到達すると、ボンディ
ングワイヤ６が剥離しやすくなり、マイグレーションに
よる信号端子５の短絡も発生しやすくなり、ペレット３
の経時劣化の進行速度も増加するので、集積回路装置２
１の寿命が低下する。
【００１７】この点、第一の従来例として前述した集積
回路装置１では、アイランド４は両端部分しか露出して
いないので、湿気が樹脂パッケージ７の内部に侵入して
ペレット３を阻害する可能性は低い。しかし、アイラン
ド４が樹脂パッケージ７の下面から遊離しているので、
スペーサや別体の放熱板を装着する必要があり、アイラ
ンド４を回路基板の導体パターンに直接に接続すること
が困難である。
【００１８】さらに、上述した第一第二の従来例の集積
回路装置１，２１は、ペレット３の発熱をアイランド
４，２４から外部に放出するため、何れもアイランド
４，２４の端部を樹脂パッケージ７，２４から突出させ
ているので、全体が大型化している。特に、前述のよう
に携帯電話などは小型化が必須なので、集積回路装置
１，２１の大型化は問題である。
【００１９】また、信号端子５の全部をペレット３の接
続パッド２に結線しているが、このような信号端子５の
一部が高周波信号を入出力する場合、これに隣接する信
号端子５との間で相互干渉が増加する。これに対処する
ためには、高周波信号を入出力する信号端子５の両側に
接地端子を配置することが好ましいが、このようなこと
は前述した集積回路装置１，２１では考慮されていな
い。
【００２０】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、以下のようなことを主要な目的とする。
まず、全体が大型化することなくペレットの発熱を良好
に放熱することができ、外部からペレットまで湿気が侵
入することを良好に防止することができる集積回路装置
を提供することを第一の目的とする。
【００２１】また、このような集積回路装置において、
一部の信号端子の高周波信号による他の信号端子のアイ
ソレーションの低下を良好に防止することができるもの
を提供することを第二の目的とする。そして、このよう
な集積回路装置を良好な生産性で製造する製造方法を提
供することを第三の目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の集積回路装置
は、上面に多数の接続パッドが連設された集積回路のペ
レットを具備し、該ペレットは略矩形の導電板からなる
アイランドの上面に搭載され、該アイランドの相対抗す
る二辺の部分の外側に細長い導電板からなる多数の信号
端子が配置され、これらの信号端子と前記ペレットの接
続パッドとがボンディングワイヤで結線され、前記ペレ
ットと前記アイランドと前記ボンディングワイヤと前記
信号端子の内側部分とが略矩形の樹脂パッケージの内部
に封止され、該樹脂パッケージの相対抗する二辺の位置
から外部に前記信号端子の外側部分が突出しており、該
信号端子の外側部分の下面が前記樹脂パッケージの下面
と同一の高さに位置している集積回路装置において、前
記アイランドの前記信号端子が対向しない二辺の部分が
前記ペレットが搭載された中央部分より下方に前記樹脂
パッケージの内部で曲折されており、下方に曲折された
前記アイランドの二辺の部分の少なくとも下面が前記樹
脂パッケージの二辺の部分の下面から外部に露出し、前
記アイランドの二辺の部分が前記樹脂パッケージの最外
周をなす辺を結んでなる矩形領域からはみ出すことなく
形成されている。
【００２３】従って、上述のような集積回路装置を回路
基板の上面に実装する場合、樹脂パッケージの二辺の部
分から外側に突出した多数の信号端子の各々が、回路基
板の多数の信号配線に個々に接続されるので、ペレット
は各種信号を入出力することができる。さらに、樹脂パ
ッケージの信号端子が位置しない二辺の部分の少なくと
も下面にはアイランドの二辺の部分が露出しているの
で、これが回路基板の接地配線などの導体パターンに半
田等で直接に接続される。
【００２４】ペレットは動作すると発熱するが、このペ
レットが搭載されているアイランドは両端の少なくとも
下面が樹脂パッケージの下面に露出しており、回路基板
の導体パターンに直接に接続されているので、ペレット
の発熱は良好に放熱する。しかし、アイランドの露出し
た両端部分より中央部分は上方に位置しているので、ペ
レットが搭載されている部分は樹脂パッケージから露出
しておらず、樹脂パッケージとアイランドとの隙間から
ペレットの位置まで湿気が浸入しにくい。
【００２５】なお、本発明ではアイランドに対してペレ
ットが搭載される方向を上方と呼称しているが、このよ
うな方向は説明を簡略化するために便宜的に使用するも
のであり、実際の装置の製造時や使用時の方向を限定す
るものではない。
【００２６】上述のような集積回路装置は、信号端子の
樹脂パッケージから突出する外側部分がアイランドに対
向する内側部分より下方に曲折されており、前記信号端
子と同様な形状に形成された接地端子が高周波信号を伝
送する前記信号端子と隣接する位置に配置されており、
前記接地端子が前記アイランドと一体に形成されてい
る。
【００２７】従って、高周波の信号を入出力する信号端
子には接地端子が隣接しているので、この接地端子もア
イランドとともに回路基板の接地配線に直接に接続され
る。ペレットが入出力する信号には高周波の信号も存在
するが、この高周波の信号が入出力される信号端子には
接地端子が隣接しており、この接地端子は回路基板の接
地配線に接続されているので、高周波信号を入出力する
信号端子と近傍の信号端子とのアイソレーションが良好
に確保される。
【００２８】特に、接地端子はアイランドと一体に形成
されているので、その構造が簡単でアイランドと接地端
子とが確実に接地される。上述のようにアイランドは曲
折されているが、信号端子と接地端子も同様に曲折され
ているので、接地端子をアイランドと一体に形成して信
号端子に隣接させることができ、信号端子と接地端子と
は回路基板の配線に直接に接続される。
【００２９】上述のような集積回路装置における他の発
明としては、下方に曲折されたアイランドの二辺の部分
の上面も樹脂パッケージの二辺の部分から外部に露出し
ている。従って、ペレットの発熱がアイランドの露出し
た上面から外部にも放熱される。なお、アイランドの露
出した部分を回路基板の接地配線などの導体パターンに
半田で接続する場合、半田はアイランドの露出した部分
の上面にも付着する。つまり、アイランドの上面も露出
していると半田付けが容易であり、アイランドの上面の
放熱は半田を介して外気と導体パターンとに伝導され
る。
【００３０】上述のような集積回路装置における他の発
明としては、樹脂パッケージは、信号端子が位置しない
二辺の部分の上面に凹部が形成されており、アイランド
は、二辺の部分の上面が前記樹脂パッケージの凹部の位
置に露出している。従って、全体が大型化することなく
樹脂パッケージからアイランドの両端の上面が露出す
る。
【００３１】上述のような集積回路装置における他の発
明としては、樹脂パッケージから露出したアイランドの
二辺の部分は、下面側が上面側より大きい。従って、ア
イランドの両端の下面から接地配線などの導体パターン
に熱分が良好に伝導され、アイランドの両端の上面と樹
脂パッケージとの隙間から湿気が浸入しにくい。
【００３２】上述のような集積回路装置における他の発
明としては、下方に曲折されたアイランドの二辺の部分
が樹脂パッケージの二辺の部分から外側に突出してい
る。従って、簡単な構造で樹脂パッケージからアイラン
ドの両端の上面が露出する。
【００３３】本発明の集積回路装置の製造方法は、二列
に位置する多数の信号端子と中央に位置する略矩形の一
個のアイランドとがタイバーにより一体に連結された一
個のリードフレームを形成し、上面に多数の接続パッド
が連設された集積回路のペレットを前記リードフレーム
のアイランドの部分の上面に搭載し、前記ペレットの多
数の接続パッドと前記リードフレームの多数の信号端子
とをボンディングワイヤで個々に結線し、前記ペレット
と前記ボンディングワイヤとが一体に装着された前記リ
ードフレームを接離自在な少なくとも一対の金型のキャ
ビティの内部に前記信号端子の外側部分で保持して配置
し、前記金型のキャビティに溶融した樹脂を充填し、充
填した前記樹脂を凝固させることで前記ペレットと前記
アイランドと前記ボンディングワイヤと前記信号端子の
内側部分とが内部に封止されて該信号端子の外側部分が
外部に露出した略矩形の扁平な樹脂パッケージを形成
し、前記リードフレームの前記タイバーを切除して前記
アイランドと多数の前記信号端子とを個々に分離させる
ようにした集積回路装置の製造方法において、前記リー
ドフレームを形成するとき、前記アイランドの前記信号
端子が対向しない二辺の部分を前記ペレットが搭載され
る中央部分より下方に曲折し、前記リードフレームを前
記金型の内部に配置するとき、前記アイランドの下方に
曲折された二辺の部分の少なくとも下面を前記金型の内
面に当接させ、前記信号端子が位置しない前記樹脂パッ
ケージの二辺の部分の少なくとも下面に前記アイランド
の二辺の部分を露出させるようにした。
【００３４】従って、アイランドの両端部分の少なくと
も下面が樹脂パッケージから露出し、アイランドの中央
部分は樹脂パッケージの内部に位置する構造の集積回路
装置が製造される。樹脂パッケージを成型するときにア
イランドの両端部分の下面を金型の内面に当接させるの
で、特別な工程を必要とすることなくアイランドの両端
の下面が樹脂パッケージから露出する。
【００３５】上述のような集積回路装置の製造方法にお
ける他の発明としては、リードフレームを金型の内部に
配置するとき、信号端子が対向しないアイランドの二辺
の部分を前記金型に保持させ、前記信号端子が位置しな
い樹脂パッケージの二辺の部分の上面と下面とに前記ア
イランドの二辺の部分を露出させるようにした。
【００３６】従って、アイランドの両端部分の上面と下
面とが樹脂パッケージから露出し、アイランドの中央部
分は樹脂パッケージの内部に位置する構造の集積回路装
置が製造される。樹脂パッケージを成型するときにアイ
ランドの両端部分を金型に保持させるので、特別な工程
を必要とすることなくアイランドの両端部分の上面と下
面とが樹脂パッケージから露出する。
【００３７】上述のような集積回路装置の製造方法にお
ける他の発明としては、リードフレームを形成すると
き、信号端子の外側部分をアイランドの二辺の部分とと
もに下方に曲折するようにした。従って、樹脂パッケー
ジから露出した信号端子の外側部分が回路基板の上面に
位置し、樹脂パッケージの内部に位置する信号端子の内
側部分はアイランドと同一の高さに位置する構造の集積
回路装置が製造される。信号端子はアイランドとともに
曲折されるので、信号端子を曲折するために専用の工程
を必要とすることがない。
【００３８】上述のような集積回路装置の製造方法にお
ける他の発明としては、リードフレームを形成すると
き、高周波信号を伝送する信号端子と隣接する位置に同
様な形状の接地端子をアイランドと一体に形成するよう
にした。従って、高周波信号を伝送する信号端子に接地
端子が隣接し、この接地端子がアイランドと一体に形成
された構造の集積回路装置が製造される。接地端子はア
イランドと一体に形成されるので、アイランドと接地端
子とをボンディングワイヤで接続する必要がない。
【００３９】上述のような集積回路装置の製造方法にお
ける他の発明としては、樹脂を凝固させて樹脂パッケー
ジを形成するとき、金型の接合面の間隙に発生するバリ
が所定の板厚に形成されるようにした。従って、樹脂パ
ッケージを成型するときに必然的に発生するバリが所定
の板厚に形成されるので、バリを除去しやすい板厚とす
ることができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図１２を参照して以下に説明する。なお、本実施の形
態の集積回路装置３１に関し、第一第二の従来例として
前述した集積回路装置１，２１と同等の部分は、同一の
名称を使用して詳細な説明は省略する。
【００４１】図１は本実施の形態の集積回路装置の内部
構造を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図、(ｃ)
は正面図である。図２は外観を示す斜視図である。図３
は外観を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図、
(ｃ)は底面図、(ｄ)は正面図である。
【００４２】図４ないし図１２は集積回路装置の製造方
法を順番に示しており、図４(ａ)はリードフレームの全
体の平面図、(ｂ)は要部を拡大した平面図である。図５
はダウンセットでリードフレームを成型した状態を示し
ており、(ａ)は図４のＡ−Ａ断面図、(ｂ)は図４のＢ−
Ｂ断面図である。図６はアイランドにペレットを搭載し
た状態を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＡ−
Ａ断面図である。図７は金型でリードフレームを挟持し
た状態を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＢ−
Ｂ断面図、(ｃ)は(ａ)のＡ−Ａ断面図である。図８は樹
脂パッケージを成型した状態を示しており、(ａ)は平面
図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は底面図である。図９はゲート
内樹脂の部分を切除する状態を示しており、(ａ)は平面
図、(ｂ)は側面図である。図１０はタイバーの部分を切
除する状態を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図
である。図１１は信号端子の外側部分とアイランドの両
端部分とに半田メッキの皮膜を形成した状態を示してお
り、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図である。図１２は吊り
ピンを切除する状態を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)
は側面図である。
【００４３】まず、本実施の形態の集積回路装置３１
も、第二の従来例として前述した集積回路装置２１と同
様に、図２に示すように、略矩形の樹脂パッケージ３２
の信号端子３３が突出していない二辺の部分の上面に凹
部３４が形成されており、この凹部３４の位置に略矩形
のアイランド３５の二辺の部分である両端部分３６の上
面が露出している。
【００４４】しかし、図１に示すように、前述した集積
回路装置２１とは相違して、前記アイランド３５は、両
端部分３６が中央部分３７に対して下方に曲折されてい
るので、前記両端部分３６の下面は前記樹脂パッケージ
３２の下面に露出しているが、前記中央部分３７は前記
樹脂パッケージ３２の下面に露出することなく内部に位
置している。
【００４５】つまり、前記アイランド３５は、両端部分
３６が低く中央部分３７が高いアーチ状に形成されてお
り、この中央部分３７にペレット３が搭載されている。
なお、前記凹部３４は前記アイランド３５の両端部分３
６より小さい矩形に形成されているので、この両端部分
３６の上面の露出の面積は下面より小さい。
【００４６】前記信号端子３３は、前記樹脂パッケージ
３２の内部に位置する内側部分３８は高く、外部に突出
した外側部分３９は低いクランク状に曲折されているの
で、前記内側部分３８は前記アイランド３５の中央部分
３７と同一の高さに位置しており、前記外側部分３９は
前記樹脂パッケージ３２と下面が同一となる高さに位置
している。
【００４７】上述のような構成において、本実施の形態
の集積回路装置３１も、回路基板（図示せず）の上面に
実装される。その場合、樹脂パッケージ３２から外側に
突出した多数の信号端子３３の各々が回路基板の多数の
信号配線に半田等で個々に接続され、樹脂パッケージ３
２から露出したアイランド３５の両端部分３６が回路基
板の接地配線などの導体パターンに半田等で接続され
る。
【００４８】このように回路基板に実装された集積回路
装置３１は、ペレット３が各種信号を入出力することが
できる。このように動作するペレット３は発熱するが、
このペレット３が搭載されているアイランド３５の両端
部分３６が、樹脂パッケージ３２から露出して回路基板
の接地配線などの導体パターンに直接に接続されている
ので、ペレット３の発熱を良好に放熱することができ
る。上述のようにアイランド３５の両端部分３６は回路
基板の導体パターンに半田等で直接に接続されているの
で、アイランド３５は放熱の性能が良好である。
【００４９】例えば、第二の従来例として前述した集積
回路装置２１の場合、ペレット３が載置されたアイラン
ド２４の中央部分２５も樹脂パッケージ２２の下面に露
出しているが、この位置ではアイランド２４を回路基板
の導体パターンに半田で接続することはできない。この
ため、アイランド２４の中央部分２５は回路基板の導体
パターンから遊離することになり、この中央部分２５で
放熱性を向上させることは困難である。
【００５０】そして、上述のように従来の集積回路装置
２１では、アイランド２４の中央部分２５まで樹脂パッ
ケージ２２から露出させているので外気の湿気がペレッ
ト３の位置まで到達しやすいが、本実施の形態の集積回
路装置３１では、アイランド３５の中央部分３７は樹脂
パッケージ３２の内部に位置して露出していないので、
樹脂パッケージ３２とアイランド３５との隙間からペレ
ット３の位置まで湿気が浸入しにくい。
【００５１】つまり、本実施の形態の集積回路装置３１
は、従来の集積回路装置２１と同等の放熱性を確保しな
がら、従来の集積回路装置２１とは相違して湿気の浸入
を防止している。特に、樹脂パッケージ３２が長方形状
に形成されており、その長手方向の両端にアイランド３
５の両端部分３６が露出しているので、さらに湿気がペ
レット３の位置まで到達しにくい。しかも、アイランド
３５は両端部分３６と中央部分３７との中間の部分が樹
脂パッケージ３２の内部でクランク状に曲折されている
ので、さらに湿気がペレット３の位置まで到達しにく
い。
【００５２】また、アイランド３５の両端部分３６の上
面は、樹脂パッケージ３２の凹部３４の位置に露出して
いるので、全体が大型化することもない。本実施の形態
の集積回路装置３１を回路基板に平面実装したとき、そ
の樹脂パッケージ３２の凹部３４の位置でアイランド３
５は回路基板の導体パターンに半田で接続されるので、
ペレット３の発熱を良好に放熱することができる。さら
に、この凹部３４によるアイランド３５の両端部分３６
の上面の露出は下面に比較して小さいので、この点でも
ペレット３を湿気から良好に保護することができ、これ
を放熱性と両立させることができる。
【００５３】ここで、本実施の形態の集積回路装置３１
の製造方法を、図４ないし図１２を参照して以下に順番
に説明する。まず、極薄の金属板のエッチングにより、
図４に示すように、二列に位置する多数の信号端子３３
と中央に位置する略矩形の一個のアイランド３５とがタ
イバー１０３により一体に連結された形状の部分１０１
が連設されたリードフレーム１０２を形成する。この状
態では、上記部分１０１の多数の信号端子３３はタイバ
ー１０３で一体に連結されており、上記部分１０１はア
イランド３５の両端部分３６で吊りピン１０４によりリ
ードフレーム１０２の外周部分１０５に連結されてい
る。
【００５４】つぎに、図５に示すように、ダウンセット
１０６の金型１０７，１０８によりアイランド３５の両
端部分３６を中央部分３７より下方に曲折するととも
に、信号端子３３の外側部分３９を内側部分３８より下
方に曲折する。ただし、実際にはリードフレーム１０２
は外周部分１０５で保持されるので、アイランド３５の
中央部分３７と信号端子３３の内側部分３８とを上方に
曲折させることになる。
【００５５】つぎに、図６に示すように、アイランド３
５の中央部分３７にペレット３をソルダー１０９で搭載
し、このペレット３の多数の接続パッド２と多数の信号
端子３３とをボンディングワイヤ６で個々に結線する。
【００５６】このようにペレット３とボンディングワイ
ヤ６とが一体に装着されたリードフレーム１０２を、図
７に示すように、接離自在な一対の金型１１１，１１２
のキャビティ１１３の内部に配置し、この金型１１１，
１１２で信号端子３３の外側部分３９とアイランド３５
の両端部分３６とをタイバー１０３とともに保持する。
【００５７】図８に示すように、このような状態で金型
１１１，１１２のキャビティに溶融した樹脂をゲート１
１４からキャビティ１１３に充填して凝固させることに
より、ペレット３とアイランド３５とボンディングワイ
ヤと信号端子３３の内側部分とが内部に封止された樹脂
パッケージ３２を形成する。このように樹脂パッケージ
３２を形成すると、金型１１１，１１２で保持されてい
た信号端子３３の外側部分３９とアイランド３５の両端
部分３６とは樹脂パッケージ３２の外部に露出する。
【００５８】なお、本実施の形態では樹脂パッケージ３
２の下面が平面であり、この平面上にアイランド３５の
両端部分３６および信号端子３３の外側部分３９も位置
するので、下側の金型１１２の接合面は単純な平面で良
い。また、上側の金型１１１の接合面も平面にキャビテ
ィ１１３の凹部のみを形成すれば良いので、金型１１
１，１１２の形成が容易で相互の接合には精度が必要な
い。
【００５９】上述のように金型１１１，１１２で樹脂パ
ッケージ３２を成型すると、図８に示すように、金型１
１１，１１２の接合面の位置である樹脂パッケージ３２
の外周部分に板バリ１１５が発生するとともに、金型１
１２との接合面の位置であるアイランド３５の両端部分
３６の裏面に薄バリ１１６が発生する。しかし、このよ
うなバリ１１５，１１６は既存の手法により容易に除去
でき、例えば、アイランド３５の両端部分３６の裏面に
発生する薄バリ１１６は、水圧ホーニングや乾式ブラス
トにより除去できる。
【００６０】また、樹脂パッケージ３２の外周に発生す
る板バリ１１５は、ゲート内樹脂１１７や吊りピン１０
４とともに除去することができる。このとき、金型１１
１，１１２の工夫などにより板バリ１１５を所定の板厚
に成型し、より容易かつ確実に板バリ１１５を除去でき
るようにすることも可能である。
【００６１】上述のように金型１１１，１１２で樹脂パ
ッケージ３２を成型すると、板バリ１１５とともにゲー
ト内樹脂１１７も残存するので、図９に示すように、樹
脂パッケージ３２をパンチ台１２１上に載置してパンチ
１２２によりゲート内樹脂１１７を切除する。
【００６２】つぎに、樹脂パッケージ３２から露出して
いる多数の信号端子３３の外側部分３９はタイバー１０
３で連結されているので、図１０に示すように、ポンチ
１２３とポンチ台１２４とで信号端子３３間からタイバ
ー１０３を切除する。なお、ここでは一個のポンチ１２
３で多数のタイバー１０３を順番に切除することを例示
しているが、連設させた多数のポンチ１２３で多数のタ
イバー１０３を一度に切除することも可能である。
【００６３】つぎに、図１１に示すように、樹脂パッケ
ージ３２から露出している信号端子３３の外側部分３９
とアイランド３５の両端部分３６との表面に半田メッキ
の皮膜１２５を形成し、信号端子３３の外周部分３９の
酸化を防止するとともに半田との親和性を向上させる。
【００６４】そして、図１２に示すように、最後にカッ
ト台１２６でアイランド３５の両端部分３６を吊りピン
１０４から切断するとともに、多数の信号端子３３をリ
ードフレーム１０２の外周部分１０５から切断し、この
外周部分１０５から完成した集積回路装置３１を分離さ
せる。
【００６５】上述のように集積回路装置３１を製造する
ことにより、アイランド３５の両端部分３６の下面が樹
脂パッケージ３２の下面に露出し、アイランド３５の両
端部分３６の上面が樹脂パッケージ３２の凹部３４の内
部に露出した構造を簡単に実現することができる。
【００６６】特に、樹脂パッケージ３２を成型するとき
にアイランド３５の両端部分３６を金型１１１，１１２
で保持するので、特別な工程を必要とすることなくアイ
ランド３５の両端部分３６の下面と上面とを樹脂パッケ
ージ３２から露出させることができる。このように金型
１１１，１１２で挟持した部分は板バリ１１５の発生も
微少となり、その除去も容易である。例えば、第二の従
来例として前述した集積回路装置２１の場合、アイラン
ド２４の放熱板２３の部分を金型で挟持しても中央部分
２５は金型から遊離しやすく、除去が困難なバリが発生
する可能性が高い。
【００６７】また、リードフレーム１０２を形成すると
きに信号端子３３もアイランド３５とともに曲折させる
ので、信号端子３３を曲折するために専用の工程を必要
とすることがない。このように多数の信号端子３３を分
離前に曲折させるので、その外側部分３９の形状の均一
性を良好に確保することができる。さらに、樹脂パッケ
ージ３２に内側部分３８が封止された状態で信号端子３
３の外側部分３９を曲折させないので、樹脂パッケージ
３２が無用な応力のために損傷することもない。
【００６８】そして、上述のように信号端子３３とアイ
ランド３５とをともに曲折させているので、樹脂パッケ
ージ３２から露出した信号端子３３の外側部分３９を樹
脂パッケージ３２の下面と同一の高さに位置させること
ができ、樹脂パッケージ３２の内部に位置する信号端子
３３の内側部分３８をアイランド３５と同一の高さに位
置させることができる。
【００６９】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上述のような集積回路装置３１におい
て、高周波信号を伝送する信号端子３３のアイソレーシ
ョンが問題となるときは、図１３に示すように、高周波
信号を伝送する信号端子３３と隣接する位置に、同様な
形状の接地端子４０を形成することが好ましい。
【００７０】この集積回路装置４１では、接地端子４０
の内側部分３８とアイランド３５とが同一の高さで対向
するので、接地端子４０をアイランド３５と一体に形成
することができる。この集積回路装置４１を回路基板に
実装するときは、アイランド３５の両端部分３６ととも
に接地端子４０も接地配線に接続する。
【００７１】すると、高周波の信号を伝送する信号端子
３３には接地端子４０が隣接し、この接地端子４０は回
路基板の接地配線に接続されていることになるので、高
周波の信号を伝送する信号端子３３と近傍の信号端子３
３とのアイソレーションを良好に確保することができ
る。しかも、接地端子４０はアイランド３５と一体に形
成されているので、その構造が簡単でアイランド３５と
接地端子４０とを確実に接地することができる。
【００７２】また、前述のようにアイランド３５は曲折
されているが、信号端子３３と接地端子４０も同様に曲
折されているので、接地端子４０をアイランド３５と一
体に形成して信号端子３３に隣接させることができ、信
号端子３３と接地端子４０とを回路基板の配線に直接に
接続することができる。
【００７３】なお、上述のような集積回路装置４１を製
造するときは、リードフレーム１０２を形成するとき
に、高周波信号を伝送する予定の信号端子３３と隣接す
る位置には接地端子４０を位置させ、この接地端子４０
をアイランド３５と一体に形成する。このように接地端
子４０を形成すれば、接地端子４０とアイランド３５と
をボンディングワイヤで接続する必要がないので生産性
を向上させることができる。
【００７４】また、前述した集積回路装置３１等では、
樹脂パッケージ３２に凹部３４を形成することにより、
全体を大型化することなくアイランド３５の両端部分３
６の上面を露出させることを例示した。しかし、図１４
ないし図１６に示すように、凹部３４を形成しない樹脂
パッケージ５１の両端部分からアイランド５２の両端部
分５３を突出させて集積回路装置５４を形成することも
可能である。この場合、前述した集積回路装置３１に比
較すると全体が大型化するが、樹脂パッケージ５１の形
状が単純なので生産性が良好であり、放熱性の向上も期
待できる。
【００７５】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００７６】請求項１記載の発明の集積回路装置は、
本発明の集積回路装置は、上面に多数の接続パッドが連
設された集積回路のペレットを具備し、該ペレットは略
矩形の導電板からなるアイランドの上面に搭載され、該
アイランドの相対抗する二辺の部分の外側に細長い導電
板からなる多数の信号端子が配置され、これらの信号端
子と前記ペレットの接続パッドとがボンディングワイヤ
で結線され、前記ペレットと前記アイランドと前記ボン
ディングワイヤと前記信号端子の内側部分とが略矩形の
樹脂パッケージの内部に封止され、該樹脂パッケージの
相対抗する二辺の位置から外部に前記信号端子の外側部
分が突出しており、該信号端子の外側部分の下面が前記
樹脂パッケージの下面と同一の高さに位置している集積
回路装置において、前記アイランドの前記信号端子が対
向しない二辺の部分が前記ペレットが搭載された中央部
分より下方に前記樹脂パッケージの内部で曲折されてお
り、下方に曲折された前記アイランドの二辺の部分の少
なくとも下面が前記樹脂パッケージの二辺の部分の下面
から外部に露出し、前記アイランドの二辺の部分が前記
樹脂パッケージの最外周をなす辺を結んでなる矩形領域
からはみ出すことなく形成されていることにより、アイ
ランドの二辺の部分の下面を回路基板の接地配線などの
導体パターンに直接に接続することができるので、ペレ
ットの発熱を良好に放熱することができ、アイランドの
中央部分は樹脂パッケージに封止されているので、湿気
が樹脂パッケージの内部に浸入して寿命が低下すること
を防止できる。
【００７７】また、信号端子の樹脂パッケージから突出
する外側部分がアイランドに対向する内側部分より下方
に曲折されており、前記信号端子と同様な形状に形成さ
れた接地端子が高周波信号を伝送する前記信号端子と隣
接する位置に配置されており、前記接地端子が前記アイ
ランドと一体に形成されていることにより、 高周波信
号を入出力する信号端子と近傍の信号端子とのアイソレ
ーションを接地端子により良好に確保することができ、
この接地端子とアイランドとは一体に形成されているの
でボンディングワイヤで結線する必要がなく、アイラン
ドと同様に信号端子と接地端子も曲折されているので、
信号端子と接地端子とを回路基板の配線に直接に接続す
ることができる。
【００７８】また、下方に曲折されたアイランドの二辺
の部分の上面も樹脂パッケージの二辺の部分から外部に
露出していることにより、アイランドの露出した上面と
側面および下面の一部に半田を付着させることができる
ので、アイランドの放熱性を向上させることができ、し
かも、集積回路装置を回路基板に簡単に実装することが
できる。
【００７９】また、樹脂パッケージは、信号端子が位置
しない二辺の部分の上面に凹部が形成されており、アイ
ランドは、二辺の部分の上面が前記樹脂パッケージの凹
部の位置に露出していることにより、 全体を大型化す
ることなくアイランドの二辺の部分の上面を露出させる
ことができる。
【００８０】また、樹脂パッケージから露出したアイラ
ンドの二辺の部分は、下面側が上面側より大きいことに
より、放熱性を良好に確保しながら湿気の浸入を良好に
防止することができる。
【００８１】また、下方に曲折されたアイランドの二辺
の部分が樹脂パッケージの二辺の部分から外側に突出し
ていることにより、簡単な構造でアイランドの二辺の部
分の上面を露出させることができる。
【００８２】請求項７記載の発明の集積回路装置の製造
方法は、二列に位置する多数の信号端子と中央に位置す
る略矩形の一個のアイランドとがタイバー等により一体
に連結された一個のリードフレームを形成し、上面に多
数の接続パッドが連設された集積回路のペレットを前記
リードフレームのアイランドの部分の上面に搭載し、前
記ペレットの多数の接続パッドと前記リードフレームの
多数の信号端子とをボンディングワイヤで個々に結線
し、前記ペレットと前記ボンディングワイヤとが一体に
装着された前記リードフレームを接離自在な少なくとも
一対の金型のキャビティの内部に前記信号端子の外側部
分で保持して配置し、前記金型のキャビティに溶融した
樹脂を充填し、充填した前記樹脂を凝固させることで前
記ペレットと前記アイランドと前記ボンディングワイヤ
と前記信号端子の内側部分とが内部に封止されて該信号
端子の外側部分が外部に露出した略矩形の扁平な樹脂パ
ッケージを形成し、前記リードフレームの前記タイバー
等を切除して前記アイランドと多数の前記信号端子とを
個々に分離させるようにした集積回路装置の製造方法に
おいて、前記リードフレームを形成するとき、前記アイ
ランドの前記信号端子が対向しない二辺の部分を前記ペ
レットが搭載される中央部分より下方に曲折し、前記リ
ードフレームを前記金型の内部に配置するとき、前記ア
イランドの下方に曲折された二辺の部分の少なくとも下
面を前記金型の内面に当接させ、前記信号端子が位置し
ない前記樹脂パッケージの二辺の部分の少なくとも下面
に前記アイランドの二辺の部分を露出させるようにした
ことにより、アイランドの二辺の部分の少なくとも下面
が樹脂パッケージから露出し、アイランドの中央部分は
樹脂パッケージの内部に位置する構造の集積回路装置を
製造することができ、特別な工程を必要とすることなく
アイランドの二辺の部分の下面を樹脂パッケージから露
出させることができる。
【００８３】請求項８記載の発明は、請求項７記載の集
積回路装置の製造方法であって、リードフレームを金型
の内部に配置するとき、信号端子が対向しないアイラン
ドの二辺の部分を前記金型に保持させ、前記信号端子が
位置しない樹脂パッケージの二辺の部分の上面と下面と
に前記アイランドの二辺の部分を露出させるようにした
ことにより、アイランドの二辺の部分の上面と下面とが
樹脂パッケージから露出した構造の集積回路装置を製造
することができ、特別な工程を必要とすることなくアイ
ランドの二辺の部分の上面と下面とを樹脂パッケージか
ら露出させることができる。
【００８４】請求項９記載の発明は、請求項７または８
記載の集積回路装置の製造方法であって、リードフレー
ムを形成するとき、信号端子の外側部分をアイランドの
二辺の部分とともに下方に曲折するようにしたことによ
り、信号端子が樹脂パッケージの下面と同一の高さに位
置する構造の集積回路装置を製造することができ、専用
の工程を必要とすることなく信号端子を曲折させること
ができる。
【００８５】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
集積回路装置の製造方法であって、リードフレームを形
成するとき、高周波信号を伝送する信号端子と隣接する
位置に同様な形状の接地端子をアイランドと一体に形成
するようにしたことにより、接地端子がアイランドと確
実に接続された構造の集積回路装置を製造することがで
き、接地端子とアイランドとをボンディングワイヤで結
線する必要がない。
【００８６】請求項１１記載の発明は、請求項７記載の
集積回路装置の製造方法であって、樹脂を凝固させて樹
脂パッケージを形成するとき、金型の接合面の間隙に発
生するバリが所定の板厚に形成されるようにしたことに
より、樹脂パッケージを成型するときに必然的に発生す
るバリを容易に除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の集積回路装置の内部構
造を示しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は
正面図である。
【図２】集積回路装置の外観を示す斜視図である。
【図３】集積回路装置の外観を示しており、(ａ)は平面
図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は底面図、(ｄ)は正面図であ
る。
【図４】リードフレームを示しており、(ａ)は全体の平
面図、(ｂ)は要部を拡大した平面図である。
【図５】ダウンセットでリードフレームを成型した状態
を示しており、(ａ)は図４のＡ−Ａ断面図、(ｂ)は図４
のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】アイランドにペレットを搭載した状態を示して
おり、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＡ−Ａ断面図であ
る。
【図７】金型でリードフレームを挟持した状態を示して
おり、(ａ)は平面図、(ｂ)は(ａ)のＢ−Ｂ断面図、(ｃ)
は(ａ)のＡ−Ａ断面図である。
【図８】樹脂パッケージを成型した状態を示しており、
(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は底面図である。
【図９】ゲート内樹脂の部分を切除する状態を示してお
り、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図である。
【図１０】タイバーの部分を切除する状態を示してお
り、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図である。
【図１１】信号端子の外側部分とアイランドの両端部分
とに半田メッキの皮膜を形成した状態を示しており、
(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図である。
【図１２】吊りピンを切除する状態を示しており、(ａ)
は平面図、(ｂ)は側面図である。
【図１３】第一の変形例の集積回路装置の内部構造を示
す平面図である。
【図１４】第二の変形例の集積回路装置の内部構造を示
しており、(ａ)は平面図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は正面図
である。
【図１５】集積回路装置の外観を示す斜視図である。
【図１６】集積回路装置の外観を示しており、(ａ)は平
面図、(ｂ)は側面図、(ｃ)は底面図、(ｄ)は正面図であ
る。
【図１７】第一の従来例の集積回路装置の外観を示す斜
視図である。
【図１８】集積回路装置の内部構造を示す平面図であ
る。
【図１９】第二の従来例の集積回路装置の外観を示す斜
視図である。
【図２０】集積回路装置の内部構造を示す断面図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西部 俊明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 佐藤 一成 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 坪田 邦彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 清 雅人 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 西村 善一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 岡平 慶太 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 宮 龍也 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 田原 和弘 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−190051（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−49647（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−41253（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326796（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−229158（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−163376（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−65355（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上面に多数の接続パッドが連設された集積
    回路のペレットを具備し、 該ペレットは略矩形の導電板からなるアイランドの上面
    に搭載され、 該アイランドの相対抗する二辺の部分の外側に細長い導
    電板からなる多数の信号端子が配置され、 これらの信号端子と前記ペレットの接続パッドとがボン
    ディングワイヤで結線され、 前記ペレットと前記アイランドと前記ボンディングワイ
    ヤと前記信号端子の内側部分とが略矩形の樹脂パッケー
    ジの内部に封止され、 該樹脂パッケージの相対抗する二辺の位置から外部に前
    記信号端子の外側部分が突出しており、 該信号端子の外側部分の下面が前記樹脂パッケージの下
    面と同一の高さに位置している集積回路装置において、 前記アイランドの前記信号端子が対向しない二辺の部分
    が前記ペレットが搭載された中央部分より下方に前記樹
    脂パッケージの内部で曲折されており、 下方に曲折された前記アイランドの二辺の部分の少なく
    とも下面が前記樹脂パッケージの二辺の部分の下面から
    外部に露出し、前記アイランドの二辺の部分が前記樹脂パッケージの最
    外周をなす辺を結んでなる矩形領域からはみ出すことな
    く形成されている ことを特徴とする集積回路装置。
  2. 【請求項２】下方に曲折されたアイランドの二辺の部分
    の上面も樹脂パッケージの二辺の部分から外部に露出し
    ていることを特徴とする請求項１記載の集積回路装置。
  3. 【請求項３】樹脂パッケージは、信号端子が位置しない
    二辺の部分の上面に凹部が形成されており、 アイランドは、二辺の部分の上面が前記樹脂パッケージ
    の凹部の位置に露出していることを特徴とする請求項２
    記載の集積回路装置。
  4. 【請求項４】上面に多数の接続パッドが連設された集積
    回路のペレットを具備し、 該ペレットは略矩形の導電板からなるアイランドの上面
    に搭載され、 該アイランドの相対抗する二辺の部分の外側に細長い導
    電板からなる多数の信号端子が配置され、 これらの信号端子と前記ペレットの接続パッドとがボン
    ディングワイヤで結線され、 前記ペレットと前記アイランドと前記ボンディングワイ
    ヤと前記信号端子の内側部分とが略矩形の樹脂パッケー
    ジの内部に封止され、 該樹脂パッケージの相対抗する二辺の位置から外部に前
    記信号端子の外側部分が突出している集積回路装置にお
    いて、 前記アイランドの前記信号端子が対向しない二辺の部分
    が前記ペレットが搭載された中央部分より下方に曲折さ
    れており、 下方に曲折された前記アイランドの二辺の部分の少なく
    とも下面が前記樹脂パッケージの二辺の部分の下面から
    外部に露出し、 下方に曲折されたアイランドの二辺の部分の上面も樹脂
    パッケージの二辺の部分から外部に露出し、 樹脂パッケージから露出したアイランドの二辺の部分
    は、下面側が上面側より大きいことを特徴とする集積回
    路装置。
  5. 【請求項５】前記樹脂パッケージは、信号端子が位置し
    ない二辺の部分の上面に凹部が形成されており、 アイランドは、二辺の部分の上面が前記樹脂パッケージ
    の凹部の位置に露出していることを特徴とする請求項４
    記載の集積回路装置。
  6. 【請求項６】下方に曲折されたアイランドの二辺の部分
    が樹脂パッケージの二辺の部分から外側に突出している
    ことを特徴とする請求項４または５記載の集積回路装
    置。
  7. 【請求項７】二列に位置する多数の信号端子と中央に位
    置する略矩形の一個のアイランドとがタイバー等により
    一体に連結された一個のリードフレームを形成し、上面
    に多数の接続パッドが連設された集積回路のペレットを
    前記リードフレームのアイランドの部分の上面に搭載
    し、 前記ペレットの多数の接続パッドと前記リードフレーム
    の多数の信号端子とをボンディングワイヤで個々に結線
    し、 前記ペレットと前記ボンディングワイヤとが一体に装着
    された前記リードフレームを接離自在な少なくとも一対
    の金型のキャビティの内部に前記信号端子の外側部分で
    保持して配置し、 前記金型のキャビティに溶融した樹脂を充填し、 充填した前記樹脂を凝固させることで前記ペレットと前
    記アイランドと前記ボンディングワイヤと前記信号端子
    の内側部分とが内部に封止されて該信号端子の外側部分
    が外部に露出した略矩形の扁平な樹脂パッケージを形成
    し、 前記リードフレームの前記タイバー等を切除して前記ア
    イランドと多数の前記信号端子とを個々に分離させるよ
    うにした集積回路装置の製造方法において、 前記リードフレームを形成するとき、前記アイランドの
    前記信号端子が対向しない二辺の部分を前記ペレットが
    搭載される中央部分より下方に曲折し、前記リードフレ
    ームを前記金型の内部に配置するとき、 前記アイランドの下方に曲折された二辺の部分の少なく
    とも下面を前記金型の内面に当接させ、 前記信号端子が位置しない前記樹脂パッケージの二辺の
    部分の少なくとも下面に前記アイランドの二辺の部分を
    露出させるようにしたことを特徴とする集積回路装置の
    製造方法。
  8. 【請求項８】リードフレームを金型の内部に配置すると
    き、 信号端子が対向しないアイランドの二辺の部分を前記金
    型に保持させ、 前記信号端子が位置しない樹脂パッケージの二辺の部分
    の上面と下面とに前記アイランドの二辺の部分を露出さ
    せるようにしたことを特徴とする請求項７記載の集積回
    路装置の製造方法。
  9. 【請求項９】リードフレームを形成するとき、 信号端子の外側部分をアイランドの二辺の部分とともに
    下方に曲折するようにしたことを特徴とする請求項７ま
    たは８記載の集積回路装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】リードフレームを形成するとき、 高周波信号を伝送する信号端子と隣接する位置に同様な
    形状の接地端子をアイランドと一体に形成するようにし
    たことを特徴とする請求項９記載の集積回路装置の製造
    方法。
  11. 【請求項１１】樹脂を凝固させて樹脂パッケージを形成
    するとき、 金型の接合面の間隙に発生するバリが所定の板厚に形成
    されるようにしたことを特徴とする請求項７記載の集積
    回路装置の製造方法。
JP9100328A 1997-04-17 1997-04-17 集積回路装置、その製造方法 Expired - Fee Related JP3027954B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9100328A JP3027954B2 (ja) 1997-04-17 1997-04-17 集積回路装置、その製造方法
AU61965/98A AU739545B2 (en) 1997-04-17 1998-04-17 Plastic-Encapsulated Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof
KR1019980013876A KR100283299B1 (ko) 1997-04-17 1998-04-17 플라스틱캡슐화반도체장치및그의제조방법
CN98101555A CN1111906C (zh) 1997-04-17 1998-04-17 塑料封装的半导体器件及其制造方法
EP98107028A EP0872886A3 (en) 1997-04-17 1998-04-17 Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof
US09/061,904 US6175150B1 (en) 1997-04-17 1998-04-17 Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9100328A JP3027954B2 (ja) 1997-04-17 1997-04-17 集積回路装置、その製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10294415A JPH10294415A (ja) 1998-11-04
JP3027954B2 true JP3027954B2 (ja) 2000-04-04

Family

ID=14271102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9100328A Expired - Fee Related JP3027954B2 (ja) 1997-04-17 1997-04-17 集積回路装置、その製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6175150B1 (ja)
EP (1) EP0872886A3 (ja)
JP (1) JP3027954B2 (ja)
KR (1) KR100283299B1 (ja)
CN (1) CN1111906C (ja)
AU (1) AU739545B2 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6847103B1 (en) * 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6525405B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-25 Alphatec Holding Company Limited Leadless semiconductor product packaging apparatus having a window lid and method for packaging
JP2001320007A (ja) 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP4840893B2 (ja) * 2000-05-12 2011-12-21 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置用フレーム
JP2002026168A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2002118222A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Rohm Co Ltd 半導体装置
US6392288B1 (en) * 2000-12-04 2002-05-21 Semiconductor Components Industries Llc Lead frame for assembly for thin small outline plastic encapsulated packages
WO2002069398A2 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Microsemi Corporation Encapsulated die package with improved parasitic and thermal performance
KR20010087803A (ko) * 2001-06-07 2001-09-26 김덕중 방열효과를 개선하는 반도체 에스. 오(ｓｏ) 패키지
KR100853683B1 (ko) * 2002-08-14 2008-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 패키지 실장구조
US7253506B2 (en) * 2003-06-23 2007-08-07 Power-One, Inc. Micro lead frame package
JP2006203048A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4435050B2 (ja) * 2005-05-24 2010-03-17 パナソニック株式会社 半導体装置
CN102456958A (zh) * 2010-10-23 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 电连接器及其制造方法
US9142932B2 (en) 2010-04-20 2015-09-22 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Socket connector with contact terminal having oxidation-retarding preparation adjacent to solder portion perfecting solder joint
KR102004797B1 (ko) * 2014-10-31 2019-10-01 삼성전기주식회사 센서 패키지 및 그 제조 방법
CN105895612B (zh) * 2015-01-15 2020-04-24 恩智浦美国有限公司 带有散热引线框的半导体器件
JP6832094B2 (ja) * 2016-08-05 2021-02-24 ローム株式会社 パワーモジュール及びモータ駆動回路
US20200035577A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-30 Texas Instruments Incorporated Packaged integrated circuit

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4132856A (en) * 1977-11-28 1979-01-02 Burroughs Corporation Process of forming a plastic encapsulated molded film carrier CML package and the package formed thereby
JPS58190051A (ja) 1982-02-16 1983-11-05 フエアチアイルド・カメラ・アンド・インストルメント・コ−ポレ−シヨン 放熱効果を改善した集積回路用リ−ドフレ−ム
JPS61144834A (ja) 1984-12-18 1986-07-02 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPS6315453A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Fujitsu Ltd 表面実装型半導体装置及びその製造方法
JPS6441253A (en) 1987-08-06 1989-02-13 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device frame
JPH0263142A (ja) 1988-08-29 1990-03-02 Fujitsu Ltd モールド・パッケージおよびその製造方法
JPH0265355A (ja) 1988-08-31 1990-03-06 Nec Corp 蓄積プログラム制御式自動交換機
JPH0265355U (ja) * 1988-11-07 1990-05-16
JP2754236B2 (ja) 1989-04-26 1998-05-20 株式会社日立製作所 リードフレームおよびそれを使用する半導体装置の製造方法
JPH0449647A (ja) 1990-06-19 1992-02-19 Nec Corp 半導体装置
JPH04280664A (ja) * 1990-10-18 1992-10-06 Texas Instr Inc <Ti> 半導体装置用リードフレーム
JPH04206763A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
ATE154990T1 (de) * 1991-04-10 1997-07-15 Caddock Electronics Inc Schichtwiderstand
JP2958154B2 (ja) * 1991-05-17 1999-10-06 富士通株式会社 半導体装置
IT1252575B (it) * 1991-12-20 1995-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Stampo e procedimento per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore in plastica, con dissipatore metallico visibile per il controllo della saldatura
JPH05326796A (ja) 1992-05-21 1993-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用パッケージ
JPH0661400A (ja) 1992-08-10 1994-03-04 Fujitsu Ltd ヒートシンク付樹脂パッケージ半導体装置の製造方法
JP2934357B2 (ja) * 1992-10-20 1999-08-16 富士通株式会社 半導体装置
JPH06196603A (ja) * 1992-12-23 1994-07-15 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレームの製造方法
JP2820645B2 (ja) * 1994-08-30 1998-11-05 アナム インダストリアル カンパニー インコーポレーティド 半導体リードフレーム
JP2889213B2 (ja) 1996-12-10 1999-05-10 松下電器産業株式会社 高周波電力用半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0872886A2 (en) 1998-10-21
AU739545B2 (en) 2001-10-18
US6175150B1 (en) 2001-01-16
EP0872886A3 (en) 1999-02-03
KR100283299B1 (ko) 2001-06-01
CN1196576A (zh) 1998-10-21
AU6196598A (en) 1998-10-22
JPH10294415A (ja) 1998-11-04
KR19980081519A (ko) 1998-11-25
CN1111906C (zh) 2003-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3027954B2 (ja) 集積回路装置、その製造方法
JP2924854B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
US5543657A (en) Single layer leadframe design with groundplane capability
US6566164B1 (en) Exposed copper strap in a semiconductor package
EP0880176B1 (en) Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof
US20020113325A1 (en) Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof
JP7210868B2 (ja) 半導体装置
US6255135B1 (en) Quad flat pack integrated circuit package
JP2959521B2 (ja) 半導体装置の製造方法、リードフレーム
JP2003086726A (ja) 高電力モノリシックマイクロ波集積回路パッケージ
JP3003638B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
JP3061120B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
US6717822B1 (en) Lead-frame method and circuit module assembly including edge stiffener
JP2819282B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2533012B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP2533011B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP2538407B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP2002110889A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2976941B2 (ja) 半導体装置、その製造方法
JPH1154682A (ja) 半導体装置、その製造方法
JPH0766322A (ja) 電力用半導体装置
KR20010060872A (ko) 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990727

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19991130

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees