JP2013168652A - Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LED素子搭載用リードフレーム10は、枠体領域13と、枠体領域13内に多列および多段に配置された多数のパッケージ領域14とを備えている。多数のパッケージ領域14は、各々がLED素子21が搭載されるダイパッド25と、ダイパッド25に隣接するリード部26とを含むとともに、互いにダイシング領域15を介して接続されている。一のパッケージ領域14内のダイパッド25と、上下に隣接する他のパッケージ領域14内のリード部26とは、ダイシング領域15に位置する傾斜補強片51により連結されている。
【選択図】図2
Description
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。図1乃至図6は本発明の第1の実施の形態を示す図である。
まず、図1乃至図3により、本実施の形態によるLED素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図1は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図2は、図1のA部拡大図であり、図3は、図2のB−B線断面図である。
次に、図4および図5により、図1乃至図3に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図4および図5は、それぞれ半導体装置(SONタイプ)を示す断面図および平面図である。
次に、図1乃至図3に示すリードフレーム10の製造方法について、図6(a)−(f)を用いて説明する。
次に、図4および図5に示す半導体装置20の製造方法について、図7(a)−(d)、図8(a)−(e)、および図9(a)−(b)を用いて説明する。
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例(変形例1−1〜変形例1−8)について、図10乃至図17を参照して説明する。図10乃至図17は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図(図2に対応する図)である。図10乃至図17において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図10は、本実施の形態の一変形例(変形例1−1)によるリードフレーム10Aを示している。図10に示すリードフレーム10Aにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、ダイパッド25同士を連結するダイパッド連結部53は設けられていない。
図11は、本実施の形態の一変形例(変形例1−2)によるリードフレーム10Bを示している。図11に示すリードフレーム10Bにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、リード部26同士を連結するリード連結部52は設けられていない。
図12は、本実施の形態の一変形例(変形例1−3)によるリードフレーム10Cを示している。図12に示すリードフレーム10Cにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(3pinタイプ)。
図13は、本実施の形態の一変形例(変形例1−4)によるリードフレーム10Dを示している。図13に示すリードフレーム10Dにおいて、図12に示す変形例1−3と異なり、ダイパッド25同士を連結するダイパッド連結部53は設けられていない。
図14は、本実施の形態の一変形例(変形例1−5)によるリードフレーム10Eを示している。図14に示すリードフレーム10Eにおいて、図12に示す変形例1−3と異なり、第1傾斜補強片51aおよび第2傾斜補強片51bが連結されたダイパッド25と、第1傾斜補強片51aおよび第2傾斜補強片51bが連結されていないダイパッド25とが、上下方向1つおきに設けられている。
図15は、本実施の形態の一変形例(変形例1−6)によるリードフレーム10Fを示している。図15に示すリードフレーム10Fにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、ダイパッド連結部53およびリード連結部52は設けられていない。
図16は、本実施の形態の一変形例(変形例1−7)によるリードフレーム10Gを示している。図16に示すリードフレーム10Gにおいて、図15に示す変形例1−6と異なり、パッケージ領域連結部54は設けられていない。
図17は、本実施の形態の一変形例(変形例1−8)によるリードフレーム10Hを示している。図17に示すリードフレーム10Hにおいて、図16に示す変形例1−7と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している。
次に、本実施の形態による半導体装置の変形例(変形例A〜変形例C)について、図18乃至図20を参照して説明する。図18乃至図20は、それぞれ半導体装置の変形例を示す断面図(図4に対応する図)である。図18乃至図20において、図4および図5に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図18は、本実施の形態の一変形例(3pinタイプ)による半導体装置20Aを示している。図18に示す半導体装置20Aにおいて、リードフレーム10は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している。
図19は、本実施の形態の一変形例(レンズ付一括モールドタイプ)による半導体装置20Bを示している。図19に示す半導体装置20Bにおいて、反射樹脂23は、ダイパッド25とリード部26との間に充填されている。他方、図4および図5に示す半導体装置20と異なり、リードフレーム10上には反射樹脂23が設けられていない。
図20は、本実施の形態の一変形例(一括モールドタイプ)による半導体装置20Cを示している。図20に示す半導体装置20Cにおいて、反射樹脂23を用いることなく、封止樹脂24のみによってLED素子21とボンディングワイヤ22とが一括封止されている。また、ダイパッド25とリード部26との間には、封止樹脂24が充填されている。
次に、図21乃至図41を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図21乃至図41は本発明の第2の実施の形態を示す図である。図21乃至図41において、第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、図21乃至図23により、本実施の形態によるLED素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図21は、本実施の形態によるリードフレームの全体平面図であり、図22は、図21のD部拡大図であり、図23は、図22のE−E線断面図である。
次に、図24および図25により、図21乃至図23に示すリードフレームを用いて作製された半導体装置の第2の実施の形態について説明する。図24および図25は、それぞれ半導体装置(SONタイプ)を示す断面図および平面図である。
次に、図21乃至図23に示すリードフレーム70および図24および図25に示す半導体装置80の製造方法について、図26乃至図29を用いて説明する。なお、図26乃至図28に示す製造方法は、図6乃至図8に示す製造方法と略同様であるので、以下においては一部説明を省略する。
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例(変形例2−1〜変形例2−6)について、図30乃至図35を参照して説明する。図30乃至図35は、それぞれリードフレームの変形例を示す部分拡大平面図(図2に対応する図)である。図30乃至図35において、図21乃至図29に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
図30は、本実施の形態の一変形例(変形例2−1)によるリードフレーム70Aを示している。図30に示すリードフレーム70Aにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(3pinタイプ)。
図31は、本実施の形態の一変形例(変形例2−2)によるリードフレーム70Bを示している。図31に示すリードフレーム70Bにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15と、補強片57が設けられていないダイシング領域15とが、上下方向交互に配置されている。
図32は、本実施の形態の一変形例(変形例2−3)によるリードフレーム70Cを示している。図32に示すリードフレーム70Cは、図30に示す変形例2−1と、図31に示す変形例2−2とを組合せたものである。
図33は、本実施の形態の一変形例(変形例2−4)によるリードフレーム70Dを示している。図33に示すリードフレーム70Dにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、補強片57は、各パッケージ領域14内のダイパッド25およびリード部26にそれぞれ連結されたダイパッド連結部53およびリード連結部52間のみに延びて、これらダイパッド連結部53およびリード連結部52を連結している。
図34は、本実施の形態の一変形例(変形例2−5)によるリードフレーム70Eを示している。図34に示すリードフレーム70Eは、図30に示す変形例2−1と、図33に示す変形例2−4とを組合せたものである。
図35は、本実施の形態の一変形例(変形例2−6)によるリードフレーム70Fを示している。図35に示すリードフレーム70Fにおいて、各パッケージ領域14は、1つのダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード部26a、26b(第1のリード部26a、第2のリード部26b)とを有している(3pinタイプ)。
図36は、本実施の形態の一変形例2−7によるリードフレーム70Gを示している。図36に示すリードフレーム70Gにおいて、図21乃至図29に示す実施の形態と異なり、各パッケージ領域14は、2つのダイパッド25a、25b(以下、第1のダイパッド部25a、第2のダイパッド部25bともいう)と、ダイパッド25a、25bの両側に隣接して位置する一対のリード部26a、26b(以下、第1のリード部26a、第2のリード部26bともいう)とを有している(4pinタイプ)。このようなリードフレーム70Gを用いると、1パッケージに2つのLED素子21を格納した半導体装置80を実現することができる(図37)。
図38は、本実施の形態の一変形例(変形例2−8)によるリードフレーム70Hを示している。図38に示すリードフレーム70Hにおいて、各パッケージ領域14は、ダイパッド25と、ダイパッド25の両側に位置する一対のリード配置領域16L、リード配置領域16Rを有している。リード配置領域16Lにはリード部26aを配置し、リード配置領域16Rには2つのリード部26cと26dをダイパッド25に沿って1列に配置している(以下、リード部26a、26c、26dを、それぞれ第1のリード部26a、第2のリード部26c、第3のリード部26dとも言う)。このようなリードフレーム70Hを用いると、1パッケージに3つのLED素子21を格納した半導体装置80を実現することができる(図39)。
図40は、本実施の形態の一変形例(変形例2−9)によるリードフレーム70Iを示している。図40に示すリードフレーム70Iにおいて、図31に示す変形例2−2と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15が、上下方向に所定数おきに周期的に設けられている。図40において、補強片57が設けられたダイシング領域15は2つおきに設けられているが、これに限らず、例えば3つまたは4つおき等の間隔で設けても良い。
図41は、本実施の形態の一変形例(変形例2−10)によるリードフレーム70Jを示している。図41に示すリードフレーム70Jにおいて、図40に示す変形例2−9と異なり、横方向に延びる複数のダイシング領域15のうち、補強片57が設けられたダイシング領域15は、周期的に配置されておらず、上下方向に不規則的に配置されている。
次に、図42乃至図44を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図42乃至図44は本発明の第3の実施の形態を示す図である。図42乃至図44に示す第3の実施の形態は、LED素子21に代えてダイオード等の半導体素子45を用いる点が主として異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態および第2の実施の形態と略同一である。図42乃至図44において、第1の実施の形態および第2の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図42は、本実施の形態によるリードフレーム60を示す断面図である。本実施の形態によるリードフレーム60は、LED素子21に代えてダイオード等の半導体素子45(図42参照)を搭載するためのものであり、めっき層12がリード部26の一部(ボンディングワイヤ22が接続される部分)のみに形成されている。このほかの構成は、図1乃至3に示すリードフレーム10または図21乃至図23に示すリードフレーム70と同一である。
図43は、本実施の形態による半導体装置65を示している。半導体装置65は、図42に示すリードフレーム60を用いて作製されたものであり、(個片化された)リードフレーム60と、リードフレーム60のダイパッド25に載置された半導体素子45とを備えている。半導体素子45は、例えばダイオード等のディスクリート半導体素子からなっていても良い。また、半導体素子45の端子部45aと、リード部26上に設けられためっき層12とは、ボンディングワイヤ22によって電気的に接続されている。さらに、半導体素子45とボンディングワイヤ22とが封止樹脂24によって封止されている。
次に、図43に示す半導体装置65の製造方法について、図44(a)−(f)を用いて説明する。図44(a)−(f)は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図である。
Claims (38)
- LED素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がLED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第1傾斜補強片により連結され、
前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第2傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第1傾斜補強片により連結され、
前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第2傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- LED素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がLED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、
一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 傾斜補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 樹脂付リードフレームにおいて、
請求項1記載のリードフレームと、
リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 - 半導体装置の製造方法において、
請求項10記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、
LED素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをLED素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドと、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のリード部は、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとダイパッド連結部により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第1傾斜補強片により連結され、
前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第2傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のダイパッドと、前記隣接する他のパッケージ領域内のリード部とは、ダイシング領域に位置する第1傾斜補強片により連結され、
前記一のパッケージ領域内のリード部と、前記隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する第2傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。 - 前記一のパッケージ領域内のダイパッドは、ダイパッド側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のリード部は、リード部側に隣接する斜め上方および斜め下方のパッケージ領域内のリード部に、ダイシング領域に位置する一対の追加傾斜補強片により連結されていることを特徴とする請求項12記載のリードフレーム。
- 半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
少なくとも一のパッケージ領域内のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のリード部とリード連結部により連結され、
一のパッケージ領域内のリード部と、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドとは、ダイシング領域に位置する傾斜補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - LED素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がLED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項20記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とする請求項20記載のリードフレーム。
- 補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項20記載のリードフレーム。
- 各パッケージ領域は、1つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第1のリード部および第2のリード部とを含み、
一のパッケージ領域内のダイパッド、第1のリード部、および第2のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第1のリード部、および第2のリード部と各々ダイパッド連結部、第1リード連結部、および第2リード連結部により連結され、
前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第1リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第1リード連結部を連結し、
前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第2リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第2リード連結部を連結することを特徴とする請求項20記載のリードフレーム。 - LED素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々がLED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項25記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項25記載のリードフレーム。
- 補強片は、本体と、本体上に形成されためっき層とからなることを特徴とする請求項20記載のリードフレーム。
- 樹脂付リードフレームにおいて、
請求項20記載のリードフレームと、
リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 - 半導体装置の製造方法において、
請求項29記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、
LED素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをLED素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
ダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 補強片は、枠体領域内側の全長にわたって延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項31記載のリードフレーム。
- 前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、ダイシング領域に位置する補強片により連結され、
前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部とをそれぞれ連結するダイパッド連結部およびリード連結部は、補強片により連結されていないことを特徴とする請求項31記載のリードフレーム。 - 補強片は、前記一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部にそれぞれ連結されたダイパッド連結部およびリード連結部間のみに延びてダイパッド連結部およびリード連結部を連結していることを特徴とする請求項31記載のリードフレーム。
- 各パッケージ領域は、1つのダイパッドと、このダイパッドの両側に位置する第1のリード部および第2のリード部とを含み、
一のパッケージ領域内のダイパッド、第1のリード部、および第2のリード部は、隣接する他のパッケージ領域内のダイパッド、第1のリード部、および第2のリード部と各々ダイパッド連結部、第1リード連結部、および第2リード連結部により連結され、
前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接する第1のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第1リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第1リード連結部を連結し、
前記一のパッケージ領域と、前記一のパッケージ領域に隣接するとともに前記一のパッケージ領域に関して第1のパッケージ領域と反対側に位置する第2のパッケージ領域との間において、補強片は、ダイパッド連結部および第2リード連結部間のみに延びてダイパッド連結部および第2リード連結部を連結することを特徴とする請求項31記載のリードフレーム。 - 半導体素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体領域と、
枠体領域内に多列および多段に配置され、各々が半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含むとともに、互いにダイシング領域を介して接続された多数のパッケージ領域とを備え、
一のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部は、縦方向に隣接する他のパッケージ領域内のダイパッドおよびリード部と各々ダイパッド連結部およびリード連結部により連結され、
横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、一部のダイシング領域に位置するダイパッド連結部およびリード連結部は、当該ダイシング領域に位置する補強片により連結されていることを特徴とするリードフレーム。 - 横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、所定数おきに周期的に設けられていることを特徴とする請求項36記載のリードフレーム。
- 横方向に延びる複数のダイシング領域のうち、補強片が設けられたダイシング領域は、不規則に設けられていることを特徴とする請求項36記載のリードフレーム。
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Cited By (1)
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JP5896302B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2016-03-30 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム |
TW201250964A (en) * | 2011-01-27 | 2012-12-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame |
JP6019988B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6155584B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2017-07-05 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6115058B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2017-04-19 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6123200B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2017-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6349648B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2018-07-04 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP2014120515A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光学半導体装置用基板とその製造方法、集合基板、及び光学半導体装置とその製造方法 |
JP6241238B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-12-06 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
JP2014138088A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
JP6111683B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2017-04-12 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
JP6020246B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
JP6136345B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-05-31 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
JP6201335B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-09-27 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体 |
JP6167556B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2017-07-26 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6499387B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2019-04-10 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び発光装置 |
JP6291713B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム |
DE102013206186A1 (de) * | 2013-04-09 | 2014-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
CN104103748B (zh) * | 2013-04-10 | 2016-12-07 | 重庆市路迪机械厂 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
TWI513068B (zh) * | 2013-07-12 | 2015-12-11 | Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd | 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組 |
US9515241B2 (en) * | 2013-07-12 | 2016-12-06 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | LED structure, metallic frame of LED structure, and carrier module |
JP6603982B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2019-11-13 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
JP6825660B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2021-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
JP6268793B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2018-01-31 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 |
JP5884789B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2016-03-15 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
KR101538543B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2015-07-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
JP6311240B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-04-18 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 |
JP2015056540A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6311250B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2018-04-18 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 |
WO2015092781A1 (en) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting device package |
CN103855275A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-06-11 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | Led封装支架模组及其单体、led封装结构 |
JP6548066B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2019-07-24 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、led素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置 |
KR102409220B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2022-06-16 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 발광 디바이스 패키지 |
JP6314493B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-04-25 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体、表面実装型発光装置、及び表面実装型発光装置の製造方法 |
KR101501020B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2015-03-13 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
DE102014102810A1 (de) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung optoelektronischer Bauelemente |
US10431532B2 (en) * | 2014-05-12 | 2019-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with notched main lead |
JP6398563B2 (ja) | 2014-05-29 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6680321B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102188500B1 (ko) * | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
EP3179525B1 (en) | 2014-08-05 | 2018-10-24 | Citizen Electronics Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing same |
WO2016032167A1 (ko) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자 패키지 |
JP6520022B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2019-05-29 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
KR20160028014A (ko) * | 2014-09-02 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 패키지 제조방법 |
JP6458471B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2019-01-30 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
US20160172275A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Stmicroelectronics S.R.L. | Package for a surface-mount semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6572540B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置およびその製造方法 |
CN104993041B (zh) * | 2015-06-04 | 2019-06-11 | 陈建伟 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
JP2017027991A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型 |
DE102015116855A1 (de) * | 2015-10-05 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen mit einer Versteifungsstruktur |
JP6842234B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2021-03-17 | ローム株式会社 | 光半導体装置の製造方法および光半導体装置 |
JP6172253B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2017-08-02 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置 |
JP6213582B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6387973B2 (ja) | 2016-01-27 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017147272A (ja) | 2016-02-15 | 2017-08-24 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに、半導体装置の製造に使用されるリードフレーム中間体 |
MY197351A (en) * | 2016-03-11 | 2023-06-14 | Atotech Deutschland Gmbh | Lead-frame structure, lead-frame, surface mount electronic device and methods of producing same |
US9824959B2 (en) * | 2016-03-23 | 2017-11-21 | Texas Instruments Incorporated | Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices |
JP6636846B2 (ja) * | 2016-04-14 | 2020-01-29 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2018022456A1 (en) | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
TWM531057U (zh) * | 2016-08-09 | 2016-10-21 | Chang Wah Technology Co Ltd | 預成形封裝導線架 |
USD810058S1 (en) * | 2016-08-18 | 2018-02-13 | Airgain Incorporated | Antenna apparatus |
JP2016225655A (ja) * | 2016-09-21 | 2016-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
US10147673B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-12-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Tapeless leadframe package with underside resin and solder contact |
US10304801B2 (en) * | 2016-10-31 | 2019-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Redistribution layers in semiconductor packages and methods of forming same |
US11158619B2 (en) | 2016-10-31 | 2021-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Redistribution layers in semiconductor packages and methods of forming same |
JP6443429B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法、発光装置及び発光装置の製造方法 |
US10177057B2 (en) * | 2016-12-15 | 2019-01-08 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor modules with protective coating |
JP6772087B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2020-10-21 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP6558389B2 (ja) | 2017-03-17 | 2019-08-14 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム |
US9972558B1 (en) * | 2017-04-04 | 2018-05-15 | Stmicroelectronics, Inc. | Leadframe package with side solder ball contact and method of manufacturing |
US10700252B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-06-30 | Bridgelux Chongqing Co., Ltd. | System and method of manufacture for LED packages |
DE102017110073B4 (de) | 2017-05-10 | 2024-08-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
DE102017115798A1 (de) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Alanod Gmbh & Co. Kg | Reflektierendes Verbundmaterial, insbesondere für oberflächenmontierte Bauelemente (SMD), und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Verbundmaterial |
JP6637002B2 (ja) * | 2017-09-04 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリの製造方法 |
JP6637003B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-01-29 | サンコール株式会社 | バスバーアッセンブリ |
JP6887932B2 (ja) * | 2017-10-13 | 2021-06-16 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
US11031350B2 (en) * | 2017-12-26 | 2021-06-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Leadframe with pad anchoring members and method of forming the same |
US10873015B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-22 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
US10862015B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-12-08 | Samsung Electronics., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
JP6879262B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2021-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11121298B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-09-14 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips |
JP7164804B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-11-02 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置およびそれらの製造方法 |
US11335833B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-05-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
USD902448S1 (en) | 2018-08-31 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode package |
US11233183B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
DE112019005278T5 (de) * | 2018-09-19 | 2021-07-29 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
CN113823730B (zh) * | 2018-09-28 | 2024-10-29 | 光宝光电(常州)有限公司 | 多芯片发光二极管封装结构 |
JP7174240B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN109473533A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-15 | 江苏欧密格光电科技股份有限公司 | 一种led支架结构及led封装工艺 |
US11101411B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures |
JP7448770B2 (ja) * | 2019-07-09 | 2024-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び発光装置の製造方法 |
DE102019220215A1 (de) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement |
DE102021119707A1 (de) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Träger mit eingebetteter elektrischer verbindung, bauelement und verfahren zur herstellung eines trägers |
WO2023115320A1 (en) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | Texas Instruments Incorporated | Nonlinear structure for connecting multiple die attach pads |
DE102022119750A1 (de) * | 2022-08-05 | 2024-02-08 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
DE102022123579A1 (de) | 2022-09-15 | 2024-03-21 | Ams-Osram International Gmbh | Gehäuse, leiterrahmenverbund und herstellungsverfahren |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353700A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Rohm Co Ltd | 面実装型電子部品とその製造方法 |
JP2007288198A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
JP2008282917A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置および発光装置を作製する基板用リードフレーム |
Family Cites Families (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH038459A (ja) | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Geinzu:Kk | シャワーヘッド |
JPH0543560A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-23 | Ajinomoto Co Inc | 新規n−カルボキシアミノ酸無水物及びこれを原料とするポリペプチドの製造法 |
JP3329073B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2002-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3198243B2 (ja) | 1995-12-13 | 2001-08-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10270618A (ja) | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Seiko Epson Corp | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
JPH10335566A (ja) | 1997-04-02 | 1998-12-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられる回路部材、および樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
MY133357A (en) | 1999-06-30 | 2007-11-30 | Hitachi Ltd | A semiconductor device and a method of manufacturing the same |
JP3461332B2 (ja) | 1999-09-10 | 2003-10-27 | 松下電器産業株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた樹脂パッケージと光電子装置 |
JP3574026B2 (ja) | 2000-02-01 | 2004-10-06 | 三洋電機株式会社 | 回路装置およびその製造方法 |
EP1143509A3 (en) | 2000-03-08 | 2004-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing the circuit device and circuit device |
JP4840893B2 (ja) | 2000-05-12 | 2011-12-21 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
TW507482B (en) | 2000-06-09 | 2002-10-21 | Sanyo Electric Co | Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device |
JP2002094125A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Rohm Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いたled装置 |
JP4574868B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-11-04 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP3879410B2 (ja) | 2001-02-06 | 2007-02-14 | 凸版印刷株式会社 | リードフレームの製造方法 |
JP4703903B2 (ja) | 2001-07-17 | 2011-06-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4889169B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2012-03-07 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4672201B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2011-04-20 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003086750A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Rohm Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
EP1437776B1 (en) * | 2001-10-12 | 2011-09-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
JP2003124421A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2003124420A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3606837B2 (ja) | 2001-12-19 | 2005-01-05 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
JP2003258183A (ja) | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
US7176582B2 (en) | 2002-04-11 | 2007-02-13 | Nxp B.V. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2003309241A (ja) | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム部材とリードフレーム部材の製造方法、及び該リードフレーム部材を用いた半導体パッケージとその製造方法 |
DE10243247A1 (de) | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP3940124B2 (ja) | 2003-01-16 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 装置 |
JP2004247613A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3910171B2 (ja) | 2003-02-18 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
US6977431B1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-12-20 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
JP4137782B2 (ja) | 2003-12-19 | 2008-08-20 | シャープ株式会社 | リードフレーム、このリードフレームを用いた面実装型半導体装置およびこの面実装型半導体装置を回路基板上に搭載した電子機器 |
JP4455166B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-04-21 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム |
JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
US7087461B2 (en) * | 2004-08-11 | 2006-08-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Process and lead frame for making leadless semiconductor packages |
JP2006072013A (ja) | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Noritsu Koki Co Ltd | 情報記録システム |
US7855395B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die |
JP2006100500A (ja) | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI277223B (en) | 2004-11-03 | 2007-03-21 | Chen-Lun Hsingchen | A low thermal resistance LED package |
US20060131708A1 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Ng Kee Y | Packaged electronic devices, and method for making same |
JP2006245032A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびledランプ |
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US20070034886A1 (en) | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Wong Boon S | PLCC package with integrated lens and method for making the package |
JP4966199B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2012-07-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Led光源 |
JP2007109887A (ja) | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2007134376A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP5232369B2 (ja) | 2006-02-03 | 2013-07-10 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
JP2007287800A (ja) | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線とこれを用いた半導体装置用パッケージ部品及び配線基板 |
JP2007294631A (ja) | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂反射鏡及びこれを用いた照明器具 |
US8044418B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
JP2008041699A (ja) | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Ledパッケージ |
WO2008039010A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package |
JP2008091818A (ja) | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 |
US7741704B2 (en) * | 2006-10-18 | 2010-06-22 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe and mold compound interlock in packaged semiconductor device |
TW200820463A (en) | 2006-10-25 | 2008-05-01 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light-improving SMD diode holder and package thereof |
WO2008056813A1 (fr) | 2006-11-08 | 2008-05-15 | C.I.Kasei Company, Limited | Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication |
CN101536198A (zh) * | 2006-11-08 | 2009-09-16 | 希爱化成株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP4963950B2 (ja) | 2006-12-12 | 2012-06-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP5197953B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-05-15 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、及び半導体装置 |
EP2109157B1 (en) | 2006-12-28 | 2018-11-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP5004601B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | パッケージ部品の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP5132961B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-01-30 | ハリソン東芝ライティング株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP5122172B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101318969B1 (ko) | 2007-03-30 | 2013-10-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2008258411A (ja) | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
TW200843130A (en) | 2007-04-17 | 2008-11-01 | Wen Lin | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same |
US7683463B2 (en) * | 2007-04-19 | 2010-03-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Etched leadframe structure including recesses |
JPWO2008139981A1 (ja) | 2007-05-09 | 2010-08-05 | シーアイ化成株式会社 | 発光装置および発光装置用パッケージ集合体 |
JP4489791B2 (ja) | 2007-05-14 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | Qfnパッケージ |
JP4795466B2 (ja) | 2007-06-29 | 2011-10-19 | 古河電気工業株式会社 | 金属材料、その製造方法、及びそれを用いた電気電子部品 |
JP2009021481A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
JP5245594B2 (ja) | 2007-07-27 | 2013-07-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR100877881B1 (ko) | 2007-09-06 | 2009-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2009065002A (ja) | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP4758976B2 (ja) | 2007-12-03 | 2011-08-31 | 日立ケーブルプレシジョン株式会社 | 半導体発光素子搭載用リードフレーム及びその製造方法並びに発光装置 |
JP2009224536A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Citizen Holdings Co Ltd | Ledデバイスおよびその製造方法 |
JP2009260077A (ja) | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Toshiba Corp | 発光装置およびリードフレーム |
JP2009272345A (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Panasonic Electric Works Tatsuno Co Ltd | 発光素子用リードフレームのめっき構造 |
JP5355219B2 (ja) | 2008-05-21 | 2013-11-27 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
JP2009302339A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
TW201003991A (en) | 2008-07-03 | 2010-01-16 | jia-han Xie | Package structure of LED and light bar using the same |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
JP2010097982A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2010103164A (ja) | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法 |
KR101257581B1 (ko) | 2008-11-07 | 2013-04-23 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 발광 장치 |
WO2010053133A1 (ja) | 2008-11-07 | 2010-05-14 | 凸版印刷株式会社 | リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置 |
KR101267718B1 (ko) | 2008-12-19 | 2013-05-24 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 리드 프레임 및 그 제조방법 |
JP2010166044A (ja) | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
CN102265417B (zh) | 2008-12-26 | 2013-10-23 | 古河电气工业株式会社 | 光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置 |
JP2009076948A (ja) | 2009-01-14 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 |
CN201336320Y (zh) * | 2009-01-19 | 2009-10-28 | 健策精密工业股份有限公司 | 发光二极管的封装结构及引线框架 |
JP2010171218A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Sony Corp | 光学素子パッケージの製造方法 |
JP5428358B2 (ja) | 2009-01-30 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | 光学素子パッケージの製造方法 |
JP2010199105A (ja) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2010199166A (ja) | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP5108825B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2012-12-26 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP5322801B2 (ja) | 2009-06-19 | 2013-10-23 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
TW201108377A (en) | 2009-06-24 | 2011-03-01 | Furukawa Electric Co Ltd | Lead frame for optical semiconductor device, process for manufacturing lead frame for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
JP5726409B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2015-06-03 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP5710128B2 (ja) | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP5473738B2 (ja) | 2010-04-14 | 2014-04-16 | 武海 秋元 | Ledパッケージ |
US8304277B2 (en) | 2010-09-09 | 2012-11-06 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming base substrate with cavities formed through etch-resistant conductive layer for bump locking |
JP5896302B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2016-03-30 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP5908874B2 (ja) | 2013-08-27 | 2016-04-26 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP5758459B2 (ja) | 2013-08-27 | 2015-08-05 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP6026397B2 (ja) | 2013-12-10 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP6115836B2 (ja) | 2015-03-10 | 2017-04-19 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
-
2011
- 2011-10-31 JP JP2012507747A patent/JP5896302B2/ja active Active
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-
2012
- 2012-06-06 JP JP2012129229A patent/JP5177316B2/ja active Active
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2013
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2014
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-
2016
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- 2016-12-08 US US15/373,220 patent/US9899583B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353700A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Rohm Co Ltd | 面実装型電子部品とその製造方法 |
JP2007288198A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
JP2008282917A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置および発光装置を作製する基板用リードフレーム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046218A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法と電子部品装置 |
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