JP4455166B2 - リードフレーム - Google Patents

Description

本発明は、一般には、リードフレームに係り、特に、樹脂封止型半導体装置用のリードフレームに関する。本発明は、例えば、複数の半導体チップを一括して封止する一括モールド（ＭＡＰ：Ｍｏｌｄｅｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）タイプのリードフレームに好適である。

近年の電子機器の小型化及び多機能化の要請から、電子機器に搭載される半導体装置の薄型化及び高品位化が望まれている。特に、モバイル（携帯型電子機器）用の超小型の半導体装置として、リード（外部端子）がパッケージ（樹脂封止）領域の外部にほとんど突出しない構造を有するＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージが注目されている。ＳＯＮとは、半導体チップから２方向（即ち、２側面）にリードが配列された半導体パッケージである。ＱＦＮとは、半導体チップから４方向（即ち、４側面）にリードが配列された半導体パッケージである。

最近では、電子機器の価格競争がますます激化し、また、流動的なユーザーのニーズに合わせてタイミングよく市場に製品を提供することが必須となり、かかる電子機器に使用される高品位な半導体装置をますます効率的、且つ、高速で製造しなければならなくなってきている。そこで、リードフレーム上に載置された複数の半導体チップを一括して封止する一括モールドタイプの半導体装置の製造方法が提案されている。

一括モールドとは、具体的には、１つの半導体装置を形成する領域が複数形成された１つのリードフレームを用いて、かかる領域の各々に半導体チップを搭載した後、リードフレームを一括してモールドするものである。一括モールド後は、ダイシング装置等を用いてダイシングを施して個片化し、半導体装置を得る。なお、リードフレームにおいて、１つの半導体装置を形成する領域は、互いに分離しておらず一体的に連結されている。

図８は、従来のリードフレーム１０００の一例を示す概略平面図である。図８を参照するに、半導体チップを載置するダイパッド１１００や、半導体チップと直接接続されるインナーリード１２００などを含む１つの半導体装置を形成する領域が、吊りリード（タイバー）１３００によって隣接する半導体装置を形成する領域と接続されていることが分かるであろう。なお、ダイパッド１１００とインナーリード１２００との間は、空間ＳＰＰとなっている。また、図９は、一括モールド後のリードフレーム１０００を示す概略断面図である。図９を参照するに、ダイパッド１１００に載置された半導体チップ１４００は、樹脂１５００によってリードフレーム１０００全体に亘って封止されている。このようなリードフレーム１０００を、図８及び図９に二点破線で示すパッケージラインＰＫＬに沿ってダイシングを施し、個片化した半導体装置を得ることができる。

一方、上述したように、半導体装置は小さくなってきており、それに伴い、リードフレームと樹脂とは、点接触に近い状態で封止されることになる。かかる状態でダイシングを行うと、振動などによってリードフレームから樹脂が剥離して不良品となってしまう。そこで、図８及び図９に示すように、半導体パッケージの露出面において、リードフレーム１０００の一部の領域（図中斜線領域）に、厚さがリードフレーム１０００の板厚の半分程度の薄肉部１６００を形成し、樹脂１５００を露出面に周り込ませて、リードフレーム１０００と樹脂１５００との剥離を防止することが提案されている。なお、一般に、薄肉部１６００の形成には、エッチング（ハーフエッチング）が利用されているが、他の薄肉部形成技術としては従来から幾つか提案されている（例えば、特許文献１乃至３参照。）。
特公平７−２２１９２号公報 特開２００３−３０３９３５号公報 特許第２５０４８６０号

しかしながら、従来、図８に示すような一括モールドタイプの半導体装置の製造は、エッチングによって薄肉部を形成しているために、製造の高速化と効率化を十分に達成することができなかった。エッチングは、一般に、高価であり、半導体装置の製造コストの低減が見込みにくい。即ち、エッチングは、形成する薄肉部に対応したマスクでフレームを覆うマスキング行程が複雑であり、生産数量が増加した場合も同手法の繰り返しであるため、量的対応に不向きであるからである。

そこで、本発明者らは、エッチングに代えてプレス加工、例えば、圧印加工（コイニング）によって薄肉部を形成することを検討した。圧印加工とは、リードフレームの平坦化のために用いられる（一般に、板厚を０．０１ｍｍ程度つぶす）加工技術である。しかし、図８に示すリードフレーム１０００の薄肉部１６００を形成するために従来の圧印加工をそのまま用いると、リードフレーム１０００を板厚の半分程度（０．１ｍｍ程度）までつぶさなければならないため、圧印加工によるダイパッド１１００及び吊りリード１３００の伸び（変形）を吸収しきれず、リードフレーム１０００に反り等が発生して、リードフレーム１０００（ダイパッド１１００やインナーリード１２００など）の平坦度が劣化してしまう。平坦度が劣化したリードフレーム１０００は、半導体チップの載置やワイヤボンディングができず製品にならない。

また、一括モールドタイプのフレームでは、半導体装置を形成する領域が吊りリードを介して拘束されており、吊りリードの変形が隣接する半導体装置を形成する領域に伝播してしまうため、現状では、エッチングを利用して薄肉部を形成するしかなかった。

そこで、本発明は、このような従来の課題を解決し、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成するリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の一側面としてのリードフレームは、各々が半導体装置を形成する複数の行列状に配置された形成領域を有するリードフレームであって、前記形成領域は、半導体チップを載置するダイパッドと、前記ダイパッド側に向かって前記行列の行方向の幅が広くなるＴ字形状からなる第１のスリットを有すると共に、前記行列の列方向において前記ダイパッドを支持し、前記第１のスリットに規定される階段形状を有し、全体に圧印加工が施される一対の吊りリードと、前記吊りリードの前記ダイパッド側とは反対側の根元に設けられて前記行方向に延びる第２のスリットとを有し、前記Ｔ字形状の第１のスリットの前記行方向に延びる部分の前記行方向の幅は、前記階段形状の吊りリードにおいて幅狭となる部分の前記行方向の幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする。かかるリードフレームは、第１のスリット及び第２のスリットにより、ダイパッドの平坦度を維持すると共に、形成領域の変形が隣接する形成領域に伝播することを防止することができる。また、第１のスリットのＴ字形状の行方向に延びる部分は、吊りリードにおいて幅狭となる部分の行方向の幅よりも幅広に形成されているため、吊りリードにコイニングが施された際の吊りリードの伸びを直接ダイパッドに伝えられないようにすることができ、吊りリードの伸びを効率よく吸収して、ダイパッドの平坦度を維持することができる。

前記Ｔ字形状の第１のスリットの前記列方向に延びる部分は、前記第２のスリットと接続してもよい。かかるリードフレームは、吊りリードの外側のリード部分においても吊りリードを切り離し、完全に吊りリードを２つに独立させているため、該リード部分を優先的に撓ませることができ、変形を効率的に吸収することができる。

前記第２のスリットは、前記行方向の端部位置において前記ダイパッド側が切り欠かれた切り欠き部を有してもよい。かかるリードフレームは、吊りリードの外側のリード部分の一部を狭くすることができるため、該リード部分を優先的に撓ませることができ、変形を効率的に吸収することができる。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成し、量的対応を容易にするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としてのリードフレームについて説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明のリードフレーム１を示す概略平面図である。

図１を参照するに、リードフレーム１は、半導体装置の組立に用いられる銅合金又は鉄合金の薄材（帯状又は板状）である。リードフレーム１は、後述するように、複数のパターン１００が吊りリード１４０を介して連結されている。ここで、パターン１００とは、ダイパッド、リードなどが形成され、それらに半導体チップのマウント、ワイヤボンディング及びモールドがなされ、その後、ダイシングして半導体装置を形成するものである。

リードフレーム１は、本実施形態では、１ピッチあたり縦横に複数のパターン１００をマトリックス状に配列したマトリックスフレームであり、例えば、０．２ｍｍ程度の板厚を有する。リードフレーム１には、リードフレーム１の搬送及び位置決めを行う基準ピンと嵌合し、リードフレーム１（の１ピッチ）の位置合わせの機能を有する基準孔ＳＨが１ピッチ毎に設けられており、また、例えば、ダイシングの際に、切断する位置の基準となる基準マークＳＭが複数のパターン１００の縦横の行列毎に設けられている。更に、リードフレーム１には、例えば、リードなどの打ち抜き加工やモールド等の加工工程を経ることによって発生するリードフレーム１の変形（即ち、リードフレーム１の撓みや波うち）を防止するために、ピッチ間に矩形形状の孔ＯＨが設けられ、リードフレーム１のピッチ間において、変形の伝播を遮断する機能も有する。

本発明のリードフレーム１は、１ピッチ内の複数のパターン１００、特に、パターン１００のレイアウト（形状）に大きな特徴を有する。以下では、リードフレーム１のパターン１００について説明する。図２及び図３は、リードフレーム１のパターン１００の一例を示す概略平面図である。なお、図２は、圧印加工（コイニング）前のパターン１００を示し、図３は、圧印加工後のパターン１００を示す。

パターン１００は、１つの半導体装置を形成する形成領域であり、ここでは、ＳＯＮを例に説明する。但し、パターン１００は、後述するように、ＳＯＮに限定するものではなく、種々の半導体パッケージに対応させてそのレイアウトを変更することができることは言うまでもない。また、図２及び図３において、二点破線は、樹脂封止されるパッケージラインＰＫＬを示している。

パターン１００は、図２及び図３に示すように、ダイパッド１１０と、インナーリード１２０と、セクションバー１３０と、吊りリード１４０と、第１のスリット１５０と、第２のスリット１６０とを有する。ダイパッド１１０、インナーリード１２０、セクションバー１３０及び吊りリード１４０は、リードフレーム１に打ち抜き加工を施すことで形成される空間ＳＰＰによって規定される。

ダイパッド１１０は、半導体チップをマウント（載置）する部分であり、アイランドとも呼ばれる。ダイパッド１１０は、ダイシングの際の振動などによって封止した樹脂が剥離することを防止するために、中心部分の板厚に対して半分程度（即ち、本実施形態では、０．１ｍｍ程度）の薄肉部１１２（図中斜線領域）を周囲に有する。本実施形態のダイパッド１１０は、圧印加工（コイニング）によって薄肉部１１２を形成する。但し、ダイパッド１１０は、後述する第１のスリット１５０及び第２のスリット１６０により、半導体装置の小型化に対応して小型化する半導体チップを載置するに十分な平坦度を有する。

インナーリード１２０は、金線などを介して半導体チップの表面電極と電気的に直接接続される（ワイヤボンディング）部分である。インナーリード１２０は、ダイパッド１１０と同様に、ダイシングの際の振動などによって封止した樹脂が剥離することを防止するために、中心部分の板厚に対して半分程度（即ち、本実施形態では、０．１ｍｍ程度）の薄肉部１２２を外縁に有する。本実施形態のインナーリード１２０は、圧印加工によって薄肉部１２２（図中斜線領域）を形成するが、かかる加工によるインナーリード１２０の変形（伸張）は、空間ＳＰＰによって吸収される（即ち、空間ＳＰＰに力を逃がすことができる）。従って、インナーリード１２０は、ワイヤボンディングに必要な平坦度を有する。

インナーリード１２０は、本実施形態では、ダイパッド１１０の２側面に対して３つずつ配列されているが、その個数及び配列位置は例示的である。勿論、ダイパッド１１０の４側面に対してインナーリード１２０を配列してもよいし、例えば、ダイパッド１１０の２側面に対して３つずつのインナーリード１２０を、他方の２側面に対して２つずつのインナーリード１２０を配列してもよい。なお、パターン１００はＳＯＮであるため、回路基板等（外部）の電極と接続するアウタリードはなく、インナーリード１２０のパッケージ露出面がアウタリードの機能を有する。

セクションバー１３０は、リードフレーム１（パターン１００）のインナーリード１２０及び後述する吊りリード１４０間を結合する機能を有し、また、セクションバー１３０は、モールド後に取り除かれる。

吊りリード１４０は、ダイパッド１１０の２側面において、ダイパッド１１０とリードフレーム１とを接続し、ダイパッド１１０を支持する（吊るす）機能を有する。本実施形態の吊りリード１４０は、パターン１００がＳＯＮであるため、ダイパッド１１０のインナーリード１２０の配列された２側面とは異なる２側面に対して設けられている。なお、吊りリード１４０は、図３に示すように、圧印加工が施される。

吊りリード１４０は、図２に示すように、第１のスリット１５０を有し、かかる第１のスリット１５０によって、分割される。換言すれば、吊りリード１４０は、ダイパッド１１０の１側面において、２つのリードでダイパッド１１０を支持している。これにより、例えば、ダイシングの際に、ダイパッド１１０が巻き込まれることを防止することができる。

また、吊りリード１４０は、本実施形態では、第１のスリット１５０によって、階段状の形状を有する。吊りリード１４０は、図３に示すように、全体に圧印加工が施されて変形（伸張）するが、かかる変形は後述する第１のスリット１５０に吸収される。この際、吊りリード１４０が階段状の形状であるために、直線状の形状の吊りリードと比較して、より第１のスリット１５０が吸収しやすくなる。換言すれば、吊りリード１４０を階段状の形状とすることで、圧印加工の際の力がより第１のスリット１５０に逃げやすくなる。但し、後述するように、本発明は、吊りリード１４０の形状を階段状に限定するものではない。

第１のスリット１５０は、上述したように、吊りリード１４０に設けられ、圧印加工の際に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を吸収する（換言すれば、圧印加工の際の力を逃がす）機能を有する。即ち、第１のスリット１５０を積極的に変形させることによって、ダイパッド１１０が撓んだり、吊りリード１４０がダイパッド方向や隣接するパターン１００の方向に延伸したりすることを低減し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、第１のスリット１５０は、圧印加工の際の変形を１つのパターン１００内で完結させ、隣接するパターン１００に変形が伝播することを低減（防止）する機能も兼ねている。本実施形態のリードフレーム１は、第１のスリット１５０によって、圧印加工の際に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を許容することができる。

第１のスリット１５０は、本実施形態では、Ｔ字形状（凸形状）を有し、吊りリード１４０を階段状の形状にしている。即ち、第１のスリット１５０の形状は、吊りリード１４０の形状を規定する。なお、第１のスリット１５０は、Ｔ字形状に限定されず、上述したような作用及び効果を有する形状であればよく、例えば、三角形であってもよい。但し、リードフレーム１（の１ピッチ）内に多くのパターン１００を配置すること（即ち、省スペース化）やダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を効率的に吸収することを考慮した場合、第１のスリット１５０は、Ｔ字形状であることが最適である。第１のスリット１５０は、ダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を十分に吸収できるように、圧印加工によって延伸するダイパッド１１０及び吊りリード１４０に応じて、大きさ（寸法及び形状）を決定する。

第２のスリット１６０は、図２に示すように、吊りリード１４０の外側の隣接するパターン１００の間ＳＣ（のセクションバー１３０）、即ち、吊りリード１４０のダイパッド１１０側と反対側の根元に形成される。第２のスリット１６０は、圧印加工の際に生じるパターン１００の変形、特に、吊りリード１４０の変形を吸収する（即ち、圧印加工の際の力を逃がす）。換言すれば、第２のスリット１６０は、圧印加工を施したパターン１００の変形が隣接するパターン１００に伝播することを防止（低減又は遮断）する機能を有する。なお、第２のスリット１６０は、第１のスリット１５０で吸収しきれなかったパターン１００の変形を吸収するとも言える。

第２のスリット１６０を、第１のスリット１５０と同様に、積極的に変形させることによって、パターン１００の変形が伝播することを防止し、結果的に、ダイパッド１１０が撓んだり、吊りリード１４０がダイパッド方向や隣接するパターン１００の方向に延伸したりすることを低減し、ダイパッド１１０の平坦度を維持する。本実施形態のリードフレーム１は、第２のスリット１６０によって、圧印加工の際に生じるパターン１００全体の変形を許容することができる。

第２のスリット１６０は、本実施形態では、矩形形状を有する。第２のスリット１６０の幅Ｌ１は、圧印加工の際の変形が隣接するパターン１００に伝播しないように（即ち、パターン１００の変形を十分に吸収できるように）、一方、第２のスリット１６０の長さＬ２は、少なくとも封止領域（パッケージラインＰＫＬの内側）を覆うように形成する。

なお、図１に示すように、第２のスリット１６０を設けることによって、リードフレーム１からのパターン１００の取り個数が減少してしまう。しかし、第２のスリット１６０は、ダイパッド１１０の薄肉部１１２やインナーリード１２０の薄肉部１２２の形成に圧印加工を用いることを可能とし、ハーフエッチングを用いる場合と比較して生産スピードを格段に向上させることができる（例えば、１００枚のリードフレームに対して、圧印加工を用いた本発明では数分で行うことができる）ため、かかるデメリットは十分に補うことができる。勿論、第２のスリット１６０の幅Ｌ１は、圧印加工の際の変形が隣接するパターン１００に伝播しない範囲で極力小さくすることが好ましいのは言うまでもない。

第２のスリット１６０は、図２に示すように、切り欠き部１６２を有する。切り欠き部１６２は、吊りリード１４０の外側の隣接するパターン１００の間ＳＣの一部を狭くする機能を有し、かかる切り欠き部１６２によって、第２のスリット１６０は、パターン１００の変形をより吸収しやすくなる。特に、第２のスリット１６０の端部に切り欠き部１６２を設けることで、図３に示すように、第２のスリット１６０は円弧状に変形するため、パターン１００の変形をより効率的に吸収することができ、パターン１００の変形の伝播を確実に防止することができる。なお、第２のスリット１６０に設けた切り欠き部１６２の位置に対応して、吊りリード１４０の外側の隣接するパターン１００の間ＳＣにも切り欠き部ＳＣ１を設けることでより効果を増すことができる。

切り欠き部１６２及びＳＣ１の形状は、例えば、Ｖ字形状又はＵ字形状が考えられる。切り欠き部１６２及びＳＣ１は、本実施形態では、Ｖ字形状とＵ字形状とを組み合わせて用いているが、Ｖ字形状又はＵ字形状のみを用いてもよい。また、図２及び図３に示す切り欠き部１６２の形状と切り欠き部ＳＣ１との形状は異なっているが、同じであっても構わない。

このように、リードフレーム１は、パターン１００のレイアウト、特に、第１のスリット１５０及び第２のスリット１６０により、圧印加工を用いてダイパッド１１０及びインナーリード１２０の薄肉部１１２及び１２２を形成した場合に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を吸収し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、圧印加工によるパターン１００の変形が、隣接するパターン１００に伝播することを防止することができる。従って、リードフレームを短い時間で高品位に製造することができ、半導体装置の製造の高速化と効率化を達成することを可能にする。

以下、図４及び図５を参照して、パターン１００の変形例であるパターン１００Ａについて説明する。図４及び図５は、パターン１００の変形例であるパターン１００Ａを示す概略平面図である。なお、図４は、圧印加工（コイニング）前のパターン１００Ａを示し、図５は、圧印加工後のパターン１００Ａを示す。

パターン１００Ａは、１つの半導体装置を形成する形成領域であり、図２及び図３に示すパターン１００と同様であるが、第１のスリット１５０Ａが異なる。パターン１００Ａは、図４及び図５に示すように、ダイパッド１１０と、インナーリード１２０と、セクションバー１３０と、吊りリード１４０と、第１のスリット１１５０Ａと、第２のスリット１６０とを有する。

第１のスリット１５０Ａは、吊りリード１４０に設けられ、圧印加工の際に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を吸収する（換言すれば、圧印加工の際の力を逃がす）機能を有する。即ち、第１のスリット１５０Ａを積極的に変形させることによって、ダイパッド１１０が撓んだり、吊りリード１４０がダイパッド方向や隣接するパターン１００Ａの方向に延伸したりすることを低減し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、第１のスリット１５０Ａは、圧印加工の際の変形を１つのパターン１００Ａ内で完結させ、隣接するパターン１００Ａに変形が伝播することを低減（防止）する機能も兼ねている。

第１のスリット１５０Ａは、本実施形態では、第２のスリット１６０と接続し、吊りリード１４０を分割する。図４及び図５によく示されるように、第１のスリット１５０Ａは、吊りリード１４０の外側の隣接するパターン１００Ａの間ＳＣ（のセクションバー１３０）においても、吊りリード１４０を切り離し、完全に吊りリード１４０を２つに独立させている。これにより、セクションバー１３０は、パターン１００に比べより積極的に変形することが可能となり、隣接するパターン１００Ａに変形が伝播することをより防止することができる。

このように、パターン１００Ａのレイアウト、特に、第１のスリット１５０Ａを第２のスリット１６０に接続させることにより、圧印加工を用いてダイパッド１１０及びインナーリード１２０の薄肉部１１２及び１２２を形成した場合に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の図面左右方向の変形を分断すると共に吸収し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、圧印加工によるパターン１００Ａの変形が、隣接するパターン１００Ａに伝播することを防止することができる。従って、リードフレームを短い時間で高品位に製造することができ、半導体装置の製造の高速化と効率化を可能にする。

以下、図６及び図７を参照して、上述のリードフレーム１を用いた半導体装置の製造方法を、リードフレーム１の製造方法とあわせて説明する。図６は、本発明の一側面としての半導体装置の製造方法３００を説明するためのフローチャートである。図７は、ステップ３１０のリードフレーム１の製造の詳細なフローチャートである。

図６を参照するに、まず、金属製の薄材（帯状又は板状）から、半導体装置を形成するパターン１００を複数有するリードフレーム１を製造する（ステップ３１０）。具体的には、図７に示すように、第１のスリット１５０又は１５０Ａ、第２のスリット１６０の形状に対応したダイ及びパンチを用いて、リードフレーム１に第１のスリット１５０又は１５０Ａ及び第２のスリット１６０を形成する（ステップ３１２）。

次に、図２及び図４に示すダイパッド１１０、インナーリード１２０の形状に対応したダイ及びパンチを用いて、リードフレーム１に打ち抜き加工を施し、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成する（ステップ３１４）。（なお、本実施形態では、第１のスリット１５０及び第２のスリット１６０を形成した後に、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成しているが、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成した後に第１のスリット１５０及び第２のスリット１６０を形成しても良い）以上により、図２又は図４に示すパターン１００又は１００Ａの形状を得ることができる。

次に、ステップ３１２及び３１４を経て形成されたパターン１００又は１００Ａのパッケージの露出面に対して圧印加工を施す（ステップ３１６）。詳細には、ダイパッド１１０の半導体チップが載置される面と反対側の面において、ダイパッド１１０の周囲（吊りリード１４０を含む）及びインナーリード１２０の外縁を板厚の半分程度の板厚にし、薄肉部１１２及び１２２を形成する。この際、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０は変形（伸張）するが、かかる変形は、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成する際に打ち抜いた空間ＳＰＰによって吸収される。また、吊りリード１４０の変形（伸張）は、第１のスリット１５０又は１５０Ａに吸収される。更に、例えば、第１のスリット１５０又は１５０Ａで吸収できなかった吊りリード１４０の変形や、パターン１００又は１００Ａの変形は、第２のスリット１６０に吸収され、隣接するパターン１００又はパターン１００Ａに伝播されることはない。これにより、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０は、マウント及びワイヤボンディングに必要な平坦度を維持することができる。従って、高価なハーフエッチングに代えて、圧印加工によるダイパッド１１０及びインナーリード１２０の薄肉部１１２及び１２２の形成が可能となり、短い時間でリードフレーム１を製造することが可能になると共に、製造コストを抑えることができる。

このようなステップ３１２乃至３１６を経ることによって、リードフレーム１が製造される。

再び、図６に戻って、ステップ３１０で製造されたリードフレーム１に半導体チップを載置（マウント）する（ステップ３２０）。この際、リードフレーム１に形成された複数のパターン１００又は１００Ａの全てに対して半導体チップを載置する。また、本実施形態では、ダイパッド１１０の半導体チップを載置する面は、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成するために打ち抜き加工を施した際にバリが生じる面としている。一般に、バリ側の平坦幅は保たれるため（即ち、平坦幅はダレによって減少する）、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を平坦にするために通常行われる（例えば、板厚を０．０１ｍｍ程度つぶすような）圧印加工は、行う必要がない。勿論、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を平坦にするための圧印加工及びダレが生じる側に半導体チップを載置しても何ら問題はない。

次いで、半導体チップが載置されたリードフレーム１を樹脂封止する（ステップ３３０）。リードフレーム１は、ＭＡＰタイプのリードフレームであるため、載置した複数の半導体チップを一括して樹脂封止を行う。そして、樹脂封止が行われたリードフレーム１に対して、パッケージラインＰＫＬに沿ってダイシングを施し（ステップ３４０）、個片化された半導体装置を得る。

半導体装置の製造方法３００によれば、上述したリードフレーム１を利用することで、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、低コストで製造することができ、製造の高速化と効率化を達成し、量的対応を容易にすることができる。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、パターンを個々に樹脂封止し、ダイシングに代えてパンチングで個片化を行うキャビティタイプのリードフレームにも適用することができる。

本発明の一側面としてのリードフレームの一例を示す概略平面図である。 図１に示すリードフレームのパターンの一例を示す概略平面図である。 図１に示すリードフレームのパターンの一例を示す概略平面図である。 図２及び図３に示すパターンとは異なるパターンの一例を示す概略平面図である。 図２及び図３に示すパターンとは異なるパターンの一例を示す概略平面図である。 本発明の一側面としての半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図６に示すステップ３１０のリードフレームの製造の詳細なフローチャートである。 従来のリードフレームの一例を示す概略平面図である。 一括モールド後のリードフレームを示す概略断面図である。

符号の説明

１ リードフレーム
１００ パターン
１１０ ダイパッド
１１２ 薄肉部
１２０ インナーリード
１２２ 薄肉部
１３０ セクションバー
１４０ 吊りリード
１５０ 第１のスリット
１６０ 第２のスリット
１００Ａ パターン
１５０Ａ 第１のスリット

Claims (3)

1. 各々が半導体装置を形成する複数の行列状に配置された形成領域を有するリードフレームであって、
   前記形成領域は、
   半導体チップを載置するダイパッドと、
   前記ダイパッド側に向かって前記行列の行方向の幅が広くなるＴ字形状からなる第１のスリットを有すると共に、前記行列の列方向において前記ダイパッドを支持し、前記第１のスリットに規定される階段形状を有し、全体に圧印加工が施される一対の吊りリードと、
   前記吊りリードの前記ダイパッド側とは反対側の根元に設けられて前記行方向に延びる第２のスリットとを有し、
   前記Ｔ字形状の第１のスリットの前記行方向に延びる部分の前記行方向の幅は、前記階段形状の吊りリードにおいて幅狭となる部分の前記行方向の幅よりも幅広に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記Ｔ字形状の第１のスリットの前記列方向に延びる部分は、前記第２のスリットと接続していることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記第２のスリットは、前記行方向の端部位置において前記ダイパッド側が切り欠かれた切り欠き部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。