DE3706951C2 - - Google Patents
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Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Metallisieren von Keramikmaterial
durch Aufbringen eines dünnen Metallfilms auf die Oberfläche des Keramikmaterials,
Wärmebehandeln der mit dem dünnen Metallfilm beschichteten
Keramikoberfläche. Ätzen des dünnen Metallfilms und Metallisieren der Keramikoberfläche
durch stromloses Beschichten.
Aus den US-Patentschriften 43 28 048, 44 02 494 und 44 64 422 ist es bekannt, daß
man die Oberfläche von Keramikmaterialien durch stromloses Beschichten metallisieren
kann, um auf diese Weise Elektroden zu erzeugen. Im allgemeinen wird
die Keramikoberfläche vor der Metallisierung geätzt, so daß der dünne Metallfilm
fest und gleichmäßig an der keramischen Oberfläche haften kann. Dieser
Ätzvorgang wird im allgemeinen auf chemische Weise mit wäßrigen Lösungen
von Salpetersäure, Schwefelsäure, Fluorwasserstoffsäure oder dergleichen bewirkt.
Aus der DE-AS 25 33 524 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Belages aus Kupfer
oder einer Kupferlegierung auf einem Trägerkörper aus Glas, Keramik oder einem
anderen oxidischen Material bekannt, welches darin besteht, auf der Oberfläche
des Trägerkörpers zunächst eine dünne haftvermittelnde Schicht, welche vorwiegend
aus Kupfer mit einem Gehalt an Kupferoxid besteht, aufzubringen, den
Trägerkörper mit der haftvermittelnden Schicht danach derart zu erhitzen, daß
das Kupferoxid mit dem Material des Trägerkörpers reagiert, wobei die Temperatur
so gewählt wird, daß noch keine flüssigen Phasen auftreten, jedoch Festkörperdiffusion
und Festkörperreaktion möglich sind, und anschließend die Haftschicht
galvanisch oder stromlos mit einer weiteren Schicht aus Metall zu verstärken.
Gegenstand der DE-PS 11 67 726 ist schließlich ein Verfahren zur Herstellung von
Kupferplattierungen auf begrenzten Flächenbereichen keramischer Körper, welches
darin besteht, die zu beschichtenden Bereiche zunächst mit einem Molybdän-haltigen
Metallüberzug zu versehen, den keramischen Körper hierauf mit
Salzsäure in Berührung zu bringen und anschließend durch Eintauchen in eine
kupferhaltige Plattierungslösung stromlos zu beschichten. Der Molybdän-haltige
Metallüberzug wird nach diesem vorbekannten Verfahren durch Pinselauftrag
einer Dispersion aus einem Gemisch von Molybdän und Mangan nebst einem geeigneten
Bindemittel erzeugt. Zur Erzeugung einer festen Bindung zwischen dem
keramischen Material und dem Molybdän-Mangan-Überzug wird der mit dem
Überzug versehene Keramikkörper während etwa 30 Minuten bei einer Temperatur
von etwa 1250°C gebrannt, wonach die Ätzbehandlung durchgeführt wird unter
Anwendung von konzentrierter Salzsäure.
Wenn gemäß dem obigen Stand der Technik eine Vorbehandlung mit einer starken
Säure durchgeführt wird, können sich in der Umgebung stark saure Dämpfe
ansammeln mit einem entsprechenden Anstieg der Konzentration der starken
Säure, wodurch die in der Umgebung befindlichen Vorrichtungen korrodieren
können und die Umwelt stark belastet wird. Weiterhin lassen sich die Keramikmaterialien
auch in starken Säuren mit hoher Konzentration nur schlecht ätzen,
so daß das Ätzverfahren bei hohen Temperaturen während langer Zeitdauern
durchgeführt werden muß. Solche Probleme treten insbesondere bei der Metallisierung
von ätzbeständigen Keramikmaterialien, wie solchen aus ZrO2-TiO2-
SnO2 auf.
Wenn man die letztgenannte herkömmliche Methode auf Keramikmaterialien
anwenden will, die koaxial auf einen dielektrischen Resonator aufgebracht sind,
so ergeben sich erhebliche Komplikationen auch durch das schwierig werdende
Auftragen der Paste, was zu ungleichmäßigen Beschichtungen und zu einer langwierigen
Verfahrensweise führt.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, das Verfahren der eingangs angegebenen
Gattung derart zu verbessern, daß die Vorbehandlung innerhalb einer kurzen Zeit
durchgeführt werden und die Haftfähigkeit des mit dem Strom abgeschiedenen
Metallüberzuges in einfacher Weise ohne die Anwendung gefährlicher Chemikalien
für lange Zeit erhöht werden können.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens
gemäß Hauptanspruch. Der Unteranspruch betrifft eine bevorzugte Ausführungsform
dieses Erfindungsgegenstandes.
Als Material zur Bildung des dünnen Metallfilms auf der Oberfläche des Keramikmaterials
kann jedes Material, welches stromlos abgeschieden werden kann, wie
Kupfer oder Nickel, verwendet werden.
Der dünne Metallfilm wird mit einer Dicke von 0,05 bis 0,5 µm, vorzugsweise etwa
0,3 µm ausgebildet. Es ist schwierig, ein Keramikmaterial in einer Dicke von weniger
als 0,05 µm zu metallisieren. Wenn die Dicke mehr als 0,5 µm beträgt,
kommt es während des Wachstums des dünnen Metallfilms zur Blasenbildung.
Nach der Bildung des dünnen Metallfilms wird eine Wärmebehandlung in einer
oxidierenden, neutralen oder reduzierenden Atmosphäre durchgeführt, um auf
diese Weise den dünnen Metallfilm fest mit dem Keramikmaterial zu verbinden,
beziehungsweise ihn in dieses zu diffundieren oder mit ihm umzusetzen. Wenn ein
leicht reduzierbares Keramikmaterial verwendet wird, sollte die Wärmebehandlung
vorzugsweise in einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt werden. Die
Wärmebehandlung erfolgt innerhalb eines Temperaturbereiches von 900 bis
1200°C, vorzugsweise bei einer Temperatur von etwa 1000°C.
Zum chemischen Ätzen des dünnen Metallfilms verwendet man beispielsweise
verdünnte Chlorwasserstoffsäure, verdünnte Salpetersäure oder eine wäßrige
Lösung von Fluorwasserstoffsäure, wobei man bei einer Temperatur unterhalb
von 100°C während einer kurzen Zeitdauer von etwa 10 Minuten arbeitet.
Das Metallisieren nach dem Ätzen erfolgt durch stromloses Beschichten in an
sich bekannter Weise. Hierzu kann man auf das in der US-PS 44 64 422 beschriebene
Verfahren verwiesen werden. Nach der stromlosen Beschichtung kann durch galvanisches
Beschichten ein dünner Metallfilm erzeugt werden.
Erfindungsgemäß wird vor der Metallisierung ein dünner Metallfilm auf der Keramikoberfläche
gebildet. Der dünne Metallfilm wird dann auf chemische Weise
geätzt, um die sich anschließende stromlose Metallisierung zu erleichtern.
Wenn zur Bildung eines Metallfilms beträchtlicher Dicke eine Keramikoberfläche
in herkömmlicher Weise auf chemische Weise geätzt wird, ist die Haftfestigkeit
so gering, daß sich mit dem Anwachsen der Filmdicke Blasen bilden. Dieses
Problem kann jedoch durch die Erfindung gelöst werden, da das chemische Ätzen
innerhalb einer kurzen Zeit ohne Verwendung hochkonzentrierter starker Säuren
durchgeführt werden kann. Erfindungsgemäß werden gering konzentrierte
Säuren, wie verdünnte Salpetersäure, verdünnte Chlorwasserstoffsäure und eine
wäßrige Lösung von Fluorwasserstoffsäure eingesetzt, um das Verfahren unter
sicheren Bedingungen durchzuführen und eine Umweltbelastung auszuschalten.
Der Metallfilm wird weiterhin in geringer Dicke aufgetragen und kann durch chemisches
Ätzen wieder entfernt werden, wobei praktisch kein Einfluß auf die Erniedrigung
des Q-Wertes ausgeübt wird.
Der dünne Metallfilm kann in einfacher Weise geätzt werden, wobei die Zeitdauer
für das chemische Ätzen im Vergleich zu der herkömmlichen Ätzdauer erheblich
verkürzt wird, so daß die Gesamtdauer für die Metallisierung außerordentlich
verringert werden kann.
Die Wärmebehandlung des dünnen Metallfilms wird deshalb durchgeführt, um
das Metall mit der Keramikoberfläche reagieren zu lassen, damit es zu einer starken
Haftung des Metalls oder des Metalloxids an der Keramikoberfläche kommen
kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere für die Herstellung von Elektroden
für keramische elektronische Bauteile, wie dielektrische Resonatoren geeignet,
kann jedoch auch zur Metallisierung anderer Keramikmaterialien angewandt
werden.
Es werden zylinderförmige ZrO2-TiO2-SnO2-Keramikteile mit einem Außendurchmesser
von 11,0 mm, einem Innendurchmesser von 3,9 mm und einer Länge
von 26 mm hergestellt. Die Keramikteile werden dann entfettet und gereinigt, auf
ihren Oberflächen mit einer Zinnchloridlösung sensibilisiert und dann mit einer
Palladiumchloridlösung aktiviert. Dann werden durch stromloses Verkupfern
dünne Kupferfilme mit Dicken von 0,04 µm bis 0,8 µm (chemische Analysendicke)
auf den behandelten Keramikteilen erzeugt. Nach dem Abscheiden des Kupfers
werden die jeweiligen Teile in einer oxidierenden Atmosphäre unter Oxidation
der dünnen Kupferfilme wärmebehandelt. Die Wärmebehandlung erfolgt bei
unterschiedlichen Temperaturen im Bereich von 800 bis 1200°C.
Nach der Wärmebehandlung werden die jeweiligen Teile entfettet und abgespült
und dann zur Durchführung des Ätzvorgangs während 9 Minuten in eine wäßrige
Lösung mit einer Temperatur von 60°C eingetaucht, die 4,8 Gew.-% HNO3 und 2,8
Gew.-% HCl enthält. Die Teile werden dann wieder sensibilisiert und aktiviert.
Anschließend erfolgt ein weiteres stromloses Verkupfern unter Bildung eines
Kupferfilms mit einer Dicke von 1 bis 10 µm (chemische Analysendicke). Die metallisierten
Teile werden anschließend während 30 Minuten bei einer Temperatur
von 600°C in einer Stickstoffatmosphäre wärmebehandelt.
In der nachfolgenden Tabelle 1 sind die Haftfestigkeitswerte (N/mm2) der dünnen
Kupferfilme angegeben, welche auf den Oberflächen der Keramikteile gebildet
worden sind.
Die in der Tabelle 1 angegebenen Haftfestigkeitswerte wurden in der Weise gemessen,
daß ein Draht jeweils an einen dünnen Film mit einer Fläche von 2 × 2 mm
angelötet und dann mittels eines Zugtestgeräts entfernt wurde.
Aus den Werten ist ersichtlich, daß die Haftfestigkeit am größten ist, wenn der
dünne Kupferfilm vor dem Ätzvorgang in einer Dicke von 0,3 µm vorliegt und die
Temperatur der Wärmebehandlung vor dem Ätzvorgang innerhalb eines Bereiches
von 900 bis 1000°C liegt. Wenn die Wärmebehandlung bei einer Temperatur
von mehr als 1000°C durchgeführt wird, können sich in Abhängigkeit von der
Dicke des dünnen Metallfilms, der vor dem Ätzvorgang gebildet wurde (in diesem
Falle 0,04 µm) auf der Oberfläche Bläschen bilden.
In der nachfolgenden Tabelle 2 sind die elektrischen Eigenschaften der jeweiligen
Keramikteile angegeben, die durch die Messung des Q-Wertes bestätigt wurden. Die
Meßfrequenz betrug 465 MHz.
Aus der Tabelle 2 kommt zum Ausdruck, daß der Q-Wert am größten ist, wenn der
dünne, als Substratschicht dienende Metallfilm eine Dicke von 0,01 bis 0,3 µm,
insbesondere von 0,3 µm aufweist. Es ist weiterhin zu erkennen, daß ein Keramikteil
mit einem größeren Q-Wert erhalten wird, wenn die Temperatur für die Wärmebehandlung
vor dem Ätzvorgang innerhalb eines Bereiches von 900 bis
1100°C, insbesondere bei 1000°C liegt.
Claims (2)
1. Verfahren zum Metallisieren von Keramikmaterial durch Aufbringen eines
dünnen Metallfilms auf die Oberfläche des Keramikmaterials, Wärmebehandeln
der mit dem dünnen Metallfilm beschichteten Keramikoberfläche, Ätzen
des dünnen Metallfilms und Metallisieren der Keramikoberfläche durch stromloses
Beschichten, dadurch gekennzeichnet, daß man den dünnen Metallfilm
durch stromlose Abscheidung in einer Dicke von 0,05 bis 0,5 µm ausbildet, die
Wärmebehandlung innerhalb eines Temperaturbereichs von 900 bis 1200°C
durchführt und zwischen der Wärmebehandlung und dem Metallisieren den dünnen
Metallfilm unter Verwendung von gering konzentrierten Säuren chemisch
ätzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Keramikmaterial
aus ZrO2-TiO2-SnO2 oder Al2O3 einsetzt.
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