[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE2217573B2 - Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmstromkreises - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmstromkreises

Info

Publication number
DE2217573B2
DE2217573B2 DE2217573A DE2217573A DE2217573B2 DE 2217573 B2 DE2217573 B2 DE 2217573B2 DE 2217573 A DE2217573 A DE 2217573A DE 2217573 A DE2217573 A DE 2217573A DE 2217573 B2 DE2217573 B2 DE 2217573B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
heat treatment
impurities
substrates
percent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2217573A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2217573A1 (de
DE2217573C3 (de
Inventor
Robert Charles Bethlehem Pa. Sundahl Jun. (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE2217573A1 publication Critical patent/DE2217573A1/de
Publication of DE2217573B2 publication Critical patent/DE2217573B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2217573C3 publication Critical patent/DE2217573C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, Substrate hoher Reinheit weisen in geringen Mengen dadurch gekennzeichnet, daß, bevor die Oberfläche Kationen enthaltende Verunreinigungen an den Korndes Substrates mit kationischen Verunreinigungen grenzen auf. Für solche Substrate mit wenigen oder versehen wird, Teile der Oberfläche des Substrates keinen Kationen enthaltenden Verunreinigungen an entfernt werden. 40 den Korngrenzen, beispielsweise ein Kristall-Substrat,
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn- kann das Einbringen von Kationen enthaltenden zeichnet, daß die Entfernung der Oberflächenteile Verunreinigungen an der Oberfläche der Substrate durch mechanisches Abschleifen erfolgt. auf verschiedene Arten, z. B. durch Aufdampfen,
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn- Zerstäuben oder Erhitzen des Substrates in einer die zeichnet, daß die Entfernung der Oberflächenteile 45 Kationen enthaltenden Verunreinigungen aufweisenden durch chemisches Ätzen erfolgt. Atmosphäre, erfolgen. Eine solche Atmosphäre kann
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, erreicht werden, indem man das Substrat in einem dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Ofen erhitzt, dessen Wände aus einem keramischen Substrates mit Ta, Ta2N oder Ti metallisiert wird. Isoliermaterial bestehen, das die Verunreinigungen
50 enthält.
Zum besseren Verständnis der Erfindung ist diese
nachstehend mit Bezugnahme auf die Zeichnung
beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 die graphische Darstellung einer Zugkraft
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen 55 in Kilogramm und Ca- bzw. Si-Verunreinigungen in einer Dünnfilmschaltung auf einem gebrannten Alu- willkürlichen Einheiten in Funktion der Zeit der miniumoxid-Substrat, bei dem die Oberfläche des Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 15000C, Substrates metallisiert wird. welcher Behandlung ein gemäß einem der nachstehen-
Aus der amerikanischen Zeitschrift »IEEE Inter- den beschriebenen Verfahren hergestellten Dünnfilmnational Convention Digest«, 22. bis 25. März 1971, 60 Stromkreis ausgesetzt wird,
S. 560 bis 562, ist bekannt, zum Herstellen von F i g. 2 eine ähnliche graphische Darstellung wie
Dünnfilmstromkreisen Substrate aus gebrannter Ton- die F i g. 1 für einen zweiten gemäß einem anderen erde (Al2O3) zu verwenden. Dieses Material ist wegen nachstehend beschriebenen Verfahren hergestellten seiner mechanischen Festigkeit, chemischen Wider- Dünnfilmstromkreis und
Standsfähigkeit, Wärmeleitfähigkeit, elektrischen Iso- 65 F i g. 3 eine schaubildliche Darstellung eines Teiles lationsfähigkeit, relativ guten Oberflächenbeschaffen- eines metallisierten Substrates, wobei am metallischen heit und des günstigen Preises für diesen Zweck Belag des Substrates ein Anschlußleiter befestigt ist. besonders gut geeignet. Versuche haben gezeigt, daß Haftung eines metalli-
sehen Belags auf einem Substrat, des aus Tonerde hoher Reinheit besteht, durch die Anwesenheit von Kationen enthaltende Verunreinigungen an der Oberfläche des Substrates gesteigert wird, und daß allfällige durch das Brennen des Substrates an der Oberfläche desselben angereicherte Verunreinigungen erstens durch Verdampfung bei anschließenden Wärmebehandlungen, zweitens durch Abschleifen der Oberfläche des Substrates und drittens durch Ätzvorgänge beseitigt werden.
Die mechanische Bearbeitung des Substrates, z, B. Schleifen oder das chemische Ätzen, sind wesentliche Verfahreasschritte bei der Herstellung von Dünnfilmstromkreisen. Deshalb ist es notwendig, die durch diese Bearbeitungen verlorengegangenen Verunreinigungen wieder hinzuzufügen, bevor die metallischen Beläge auf das Substrat aufgebracht werden.
Die aus Tonerde hoher Reinheit bestehenden Substrate, deren Oberflächenverunreinigung für die Haftung der metallischen Beläge sehr wesentlich ist, enthalten wenigstens 99 Gewichtsprozent Al2O3. Wenn die Reinheit diesen Wert unterschreitet, so wird der Effekt, welcher durch die Katione.. enthaltenden Verunreinigungen erreicht wird, durch die übrigen Zusätze überdeckt bzw. herabgesetzt. Zum Erhalten von Dünnfilmstromkreisen mit optimalen Betriebsverhalten werden vorzugsweise Substrate mit einer Reinheit von wenigstens 99,5 Gewichtsprozent Al2O3 verwendet.
Durch mechanisches Bearbeiten, z. B. Schleifen, der Oberfläche des Substrates vor dem Aufbringen der metallischen Beläge werden Unebenheiten oder Grate entfernt. Diese Unebenheiten können beim Brennen des Substrates oder beim Bohren von Löchern in das Substrat mittels eines Laser-Strahles entstanden sein. Wenn für spezielle Fälle eine sehr glatte Oberfläche des Substrates geschaffen werden soll, wodurch ein optimales Betriebsverhalten der Dünnfilmstromkreise erzielt vird, kann das Substrat beispielsweise mit einer Diamantscheibe geschliffen werden.
Während der Herstellung der Dünnfilmstromkreise werden die Substrate öfters einer chsmischen Ätzung unterworfen, um unerwünschte Teile der metallischen Beläge zu entfernen. Hierzu werden als Ätzmittel Phosphorsäure oder Lösungen von Fluorwasserstoff und Salpetersäuren in Wasser verwendet.
Um eine wesentliche Verbesserung der Haftfähigkeit der metallischen Beläge auf dem Substrat zu erreichen, ist es notwendig, daß die Menge an Kaiionen enthaltende Verunreinigungen ungefähr 1Ii eitler Monolage entspricht. In denjenigen Fällen, in denen die Wiederherstellung der Oberflächenverunreinigungen jener Stellen des Substrates, die durch mechanische Bearbeitung oder durch Ätzen verletzt worden sind, durch eine Wärmebehandlung erfolgen soll, können die Substrate mit den oben angeführten Reinheitsgrad, da sie an den Kornheitsgrenzen genügend Kationen enthaltende Verunreinigungen aufweisen, einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 120O0C während wenigstens 10 Stunden bis ,16000C während wenigstens 15 Minuten unterworfen werden. Ein bevorzugter Temperaturbereich umfaßt 14000C während mindestens 1 Stunde bis 1500° C während mindestens 30 Minuten. Wärmebehandlungen, die mehr als 10 Stunden dauern, sind nicht notwendig und auch nicht wirtschaftlich. Überdies wird bei riner Wärmebehandlung bei 15000C und die länger dauert als 10 Stunden, die Verunreinigungen der Oberfläche des Substrates verdampft, so daß das gesetzte Ziel nicht erreicht wird.
Nach dem Aufbringen oder Wiederherstellen des gewünschten Verunreinigungsgrades der Oberfläche des Substrates werden zur Bildung der elektrischen leitenden Teile der Dunnfilmstromkreise nacheinander einzelne Schichten aus verschiedenen Metallen gemäß einem gewünschten Muster auf das Substrat aufgetragen. Normalerweise wird als erstes eine Schicht -lus Tantal, Tantalnitrid (Ta2N) oder Titan aufgetragen. Es sind verschiedene Arten von Metallisierungen üblich, und die gewählte Art ist von dem anvisierten Verwendungszweck abhängig. Es sei hervorgehoben, daß hier unter den Begriffen wie »Metallisierung* und »Metallisation« auch das Aufbringen von Material wie Tantalnitrid zu verstehen ist.
Die nachstehend angeführten Beispiele geben Aufschluß über einige Bedingungen, die bei der Herstellung von Dünnfilmstromkreisen zu beachten sind, und Angaben über die Wirkung der Wärmebehandlung der Substrate auf die Haftfähigkeit der metallischen Beläge auf diesen Substrat.
Beispiel 1
500 Tonerde-Substrate wurden durch Pressen von Tonerdepulver hoher Reinheil (s. Tabelle 1) unter Brennen der gepreßten Körper während 1 Stunde bei 17000C hergestellt.
Tabelle I
(Chemische Analyse des Tonerdepulvers)
Komponenten Gewichtsprozent
MgO
SiO,
CaO
Na2O
Fe2O3 		0,100
0,140
0,054
0,047
0,024
Die gebrannten Körper wiesen eine hohe Dichte von 99,8% der theoretisch möglichen Dichte und die in der Tabelle I dargestellte Ziaammensetzung auf. Diese gebrannten Körper wurden dann mittels einer Diamantscheibe mit einer Korngröße von 400 zu Substraten mit den Abmessungen 2,5 · 2,5 · 0,08 cm geschliffen. Diese geschliffenen Substrate wurden dann anschließend in einem Bad, das Trichloräthylen, Aceton und Methanol enthielt, mittels Ultraschall und weiter in einer siedenden Wasserstoffperoxid-Lösung gereinigt, danach in deionisiertem Wasser gespült und anschließend in einem Stickstoff enthaltenden Ofen getrocknet. Danach wurden diese Substrate einer Wärmebehandlung bei 15000C in normaler Atmosphäre unterworfen. Je IGO Substrate wurden während 0, 30, 60, 120 und 1000 Minuten dieser "/ärmebehandlung unterzogen. An diesen Mustern wurde dann eine Oberflächenanalyse gemäß der »Auger Electron Spectroscopy« (AES) durchgeführt. Hierauf wurden diese Substrate durch Aufdampfen von Schichten aus Tantal, Ta-italnitrid, Titan, Palladium und Gold mit einem Überzug mit insgesamt einer Dicke von 15 000 A versehen. Schließlich wurde an jedem überzug ein 0,13 bis 0,38 mm dicker goldplatierter Anschlußdraht aus Kupfer mittels einer Wärmedruckverbindung befestigt. An diesen Versuchsmustern wurden die Zugproben durchgeführt.
Ein solches Versuchsmuster ist in der Fig. 3
dargestellt. Der metallische Überzug oder Belag ist mit 10 bezeichnet und auf dem Substrat 11 angeordnet. Der Anschlußleiter 12 ist mit dem Belag 10 verbunden. Die Zugkraft ist durch einen Pfeil dargestellt und wirkt über das abgebogene Ende des Anschlußleiters 12 senkrecht zur Ebene des Substrats auf dem Belag 10 ein. Mit Zugfestigkeit wird jene Zugkraft bezeichnet, bei der sich der Belag 10 von dem Substrat oder der Anschlußleiter 12 sich vom Belag 10 löst. Für die anvisierten Verwendungen der Dünnfilmstromkreise sollte eine Zugfestigkeit von etwa 0,6 kg erreicht werden. Dieser Wert entspricht im allgemeinen der Zugbeanspruchung, der die Anschlußleiter noch zu widerstehen vermögen. Die Ergebnisse dieser Zugversuche und der chemischen Analyse, die mit dem Verfahren gemäß der »Auger-Elektro-Spektroskopie« durchgeführt wurden, sind in der Fig. 1 dargestellt, in welcher die Zugkraft in kg und die Ca- bzw. Si-Verunreinigungen in willkürlichen Einheiten in Funktion der Zeit aufgetragen sind, welche der Dauer der Wärmebehandlung bei der Temperatur von 1500°C entspricht. Aus dieser Darstellung ist eine wesentliche Verbesserung der Haftfähigkeit des Belages auf dem Substrat erkennbar, die auf die Art der Wärmebehandlung zurückzuführen ist. Diese Ergebnisse sind an einer großen Anzahl von in der oben beschriebenen Weise hergestellten und behandelten Versuchsmuster festgestellt worden.
Beispiel 2
Aus einer Vielzahl von auf dem Markt erhältlichen Substraten wurden 400 Substrate ausgewählt. Diese wurden im sogenannten Bandguß-Verfahren hergestellt und bei einer Temperatur von 17000C gebrannt. Die Zusammensetzung dieses Materials ist in der Tabelle II dargestellt.
Tabelle II
Nominelle Angaben der Verunreinigungen in Tonerde-Substraten, die im Bandguß-Verfahren hergestellt wurden
Komponente
Fe2O3
Ga2O3
BaO ..
CaO ..
MgO .
TiO, .
Na2O .
SiO2 ..
Gewichtsprozent
0,040
0,015
0.010
0.040
0.330
0,007
0,010
0.000
Von diesen Versuchsmustern wurden je 100 auf verschiedene Weise behandelt, bevor die metallischen Beläge aufgebracht wurden. Eine Anzahl davon wurde wie Jone des ersten Beispieles geschliffen und gereinigt und anschließend in einer feuchten Wasserstoff-
atmosphäre während 40 Minuten bei 1525GC einer Wärmebehandlung unterworfen. Vor dem Aufbringen der metallischen Beläge wurden einige der gereinigten und wär.nebehandelten Versuchsmuster einer Obcrfiächenanalyse unterzogen. Anschließend wurden die
metallischen Schichten wie mit Bezug auf das erste Beispiel aufgebracht und je mit einem Anschlußleiter versehen. Die Ergebnisse der Zugkraft-Versuche und der chemischen Analyse sind in der Tabelle III eingetragen.
Tabelle IH
Oberflächenbehandlung
Anzahl Versuche pro
hundert Vorsuche über den minimalen Anforderunccn
Unbehandelt
Geschliffen
Geschliffen und vergütet
0,007 ± 0.003
0,003 -t 0,003
0.060 ± 0,010
0,010 ± 0,001
0.001 ± 0,001
0.008 ± 0,002
100
100
Diese Versuche zeigen, daß die Haftfähigkeit durch Schleifen wesentlich vermindert und durch eine entsprechende Wärmebehandlung (Vergütung) wieder wesentlich verbessert werden kann.
Beispiel 3
Aus der Vielzahl von auf dem Markt erhältlichen Substraten wurden weitere 400 Substrate ausgewählt. Von diesen Versuchsmustern wurden wiederum je 100 auf verschiedene Weise behandelt, bevor die Beläge aufgetragen wurden. Eine Anzahl der Versuchsmuster wurde zuerst einer Wärmebehandlung unter Vakuum während 1 Stunde und bei einer Temperatur von 15000C unterworfen, dann in konzentrierter H9PO4 während 30 Minuten und bei einer Temperatur von 1500C geätzt und anschließend wieder einer ■Wärmebehandlung im Vakuum, bei 15000C während 1 Stunde ausgesetzt.
An je einer Anzahl Versuchsmuster wurde die obenerwähnte chemische Analyse durchgeführt, und zwar an den unbehandelte, an den einer ersten Wärmebehandlung unterworfenen, an den geätzten und an den
einer zweiten Wärmebehandlung unterworfenen Versuchsmustern. Auf diese auf verschiedene Weise vorbereiteten Versuchsmuster wurden dann die metallischen Beläge aufgetragen und die Zugversuche ausgeführt. Die Ergenisse dieser Zugversuche und dei
chemischen Analyse sind in der Tabelle IV angeführt
Aus dieser Darstellung ist ersichtlich, daß da;
Ätzen die Haftfähigkeit wesentlich herabsetzt unc
daß eine weitere Wärmebehandlung (Vergütung) dk
Haftfähigkeit erhöht. Damit ist der Beweis erbracht
daß durch die Wärmebehandlung von Tonerde Substraten die Haftfähigkeit der darauf angebrachter metallischen Beläge entscheidend verbessert werdet kann.
Tabelle IV
Oberflächenbehandlung
Anzahl Versi hundert Versucl minimalen Anf>
Unbeuandelt
Vergütet
Ceätzt
Ceätzt und vergütet
0,008 ± 0,004
0,004 ± 0,004
0,008 ± 0,001
0,006 ± 0,001
0,006 ± 0,001
0,004 ± 0,001
0,008 ± 0,001
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

2217 \ ι Für die Betriebssicherheit solcher DönnfUrostrora- j'\ Patentansprüche: kreisen Ist es sehr wesentlich, daß die einzelnen '' %"" Elemente, wie elektrischer Leiter, Widerstandsbeläge
1. Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilm- und Kondensatorelektroden gut auf dem Substrat schaltung trtif einem gebrannten Aluminiumoxid- 5 haften. Diese Haftung ist insbesondere dann kritisch, Substrat, bei dem die Oberfläche des Substrates wenn an diesen Elementen Aoschlußleiter befestigt metallisiert wird, dadurch gekennzeich- sind. An diesen Stellen besteht die Gefahr, daß die net, daß Vor dem Metallisieren die Oberfläche Beläge vom Substrat abgerissen werden.
des Substrates mit kationiscben Verunreinigungen In der Praxis kommen Ausfälle, die auf eine nicht
versehen wird und daß ein Substrat mit wenigstens io genügende Haftung der einzelnen Elemente auf dem
99 Gewichtsprozent Al2O3 verwendet wird. Substrat zurückzuführen sind, recht häufig vor. Dies
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- führt zu einer niedrigen Produktivität und zu hohen zeichnet, daß ein Substrat mit wenigstens 99,5 Ge- Herstellungskosten.
wichtsprozent Al2O3 verwendet wird. Es ist Aufgabe der Erfindung ein Verfahren anzu-
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 15 ,geben, das gestattet Dünnfilmstromkreise herzustellen, gekennzeichnet, daß die kationischen Verunreini- deren metallische Beläge besser auf dem Substrat gungen durch eine Wärmebehandlung des Sub- haften, als dies bei den bisher hergestellten Dünnfilmstrates erzeugt werden. Stromkreisen der Fall ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, Aus der USA.-Patentschrift 3 212 918 ist ein dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreini- 20 Verfahren bekannt, die Haftfestigkeit der Metallgungen durch Diffusion aus dem Substrat erzeugt auflage auf einem Substrat dadurch zu verbessern, werden. daß dessen Oberfläche zur Entfernung der auf ihr und
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn- in ihr haftenden Verunreinigungen einer Vorbehandlung zeichnet, daß die Wärmebehandlung zwischen unterzogen wird. Diese Vorbehandlung umfaßt eine 120O0C während mindestens 10 Stunden und 25 Naßreinigung mittels einer Reinigungslösung und die 160O0C während wenigstens 15 Minuten durch- anschließend Abspülung sowie eine Trockenreinigung geführt wird. in Form einer Wärmebehandlung bei Temperaturen
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn- von 100 bis 4500C. Dieses Verfahren ist für Glas-, zeichnet, daß die Wärmebehandlung zwischen Keramik- und Plastik-Substrate gedacht.
14000C während wenigstens 1 Stunde und 1500°C 30 Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gewährend wenigstens 30 Minuten durchgeführt wird. kennzeichnet, daß vor dem Metallisieren die Oberfläche
7. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, des Substrates mit Kationen enthaltenden Verunreinidadurch gekennzeichnet, daß die kationischen gungen versehen wird und daß ein Substrat mit Verunreinigungen durch Nied rschlag erzeugt wenigstens 99 Gewichtsprozent Al2O3 verwendet wird, werden. 35 Die meisten auf dem Markt erhältlichen Tonerde-
DE2217573A 1971-04-16 1972-04-12 Verfahren zum Aufbringen einer festhaftenden Metallschicht auf einem oxidischen Substrat für Dünnfilmschaltungen Expired DE2217573C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13466571A 1971-04-16 1971-04-16

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2217573A1 DE2217573A1 (de) 1972-11-02
DE2217573B2 true DE2217573B2 (de) 1974-02-14
DE2217573C3 DE2217573C3 (de) 1978-03-09

Family

ID=22464389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2217573A Expired DE2217573C3 (de) 1971-04-16 1972-04-12 Verfahren zum Aufbringen einer festhaftenden Metallschicht auf einem oxidischen Substrat für Dünnfilmschaltungen

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3791861A (de)
JP (1) JPS5143570B1 (de)
BE (1) BE782119A (de)
CA (1) CA929280A (de)
CH (1) CH584960A5 (de)
DE (1) DE2217573C3 (de)
FR (1) FR2133777B1 (de)
GB (1) GB1389326A (de)
IT (1) IT954427B (de)
NL (1) NL7205052A (de)
SE (1) SE378972B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2727364A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von keramiksubstraten
US5011568A (en) * 1990-06-11 1991-04-30 Iowa State University Research Foundation, Inc. Use of sol-gel derived tantalum oxide as a protective coating for etching silicon
US5425909A (en) * 1992-07-20 1995-06-20 Industrial Technology Research Institute Heat treatment for particle reinforced alumina ceramic composite
US5856235A (en) * 1995-04-12 1999-01-05 Northrop Grumman Corporation Process of vacuum annealing a thin film metallization on high purity alumina
US5691004A (en) * 1996-07-11 1997-11-25 Ford Global Technologies, Inc. Method of treating light metal cylinder bore walls to receive thermal sprayed metal coatings
JPH10167859A (ja) * 1996-12-05 1998-06-23 Ngk Insulators Ltd セラミックス部品およびその製造方法
US6641939B1 (en) 1998-07-01 2003-11-04 The Morgan Crucible Company Plc Transition metal oxide doped alumina and methods of making and using
KR102105639B1 (ko) * 2019-03-28 2020-04-28 주식회사 엘지화학 면역 검사 장치 및 면역 검사 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2885310A (en) * 1954-09-13 1959-05-05 Ohmite Mfg Company Method and apparatus for making film resistors
US2901381A (en) * 1956-10-12 1959-08-25 Bell Telephone Labor Inc Method of making electrical resistors
US3032397A (en) * 1957-01-25 1962-05-01 Du Pont Preparation of metal nitride pigment flakes
US3212918A (en) * 1962-05-28 1965-10-19 Ibm Electroless plating process
GB1247007A (en) * 1968-04-04 1971-09-22 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to electroless plating processes
JPS502607B1 (de) * 1968-08-10 1975-01-28

Also Published As

Publication number Publication date
DE2217573A1 (de) 1972-11-02
FR2133777A1 (de) 1972-12-01
JPS5143570B1 (de) 1976-11-22
NL7205052A (de) 1972-10-18
US3791861A (en) 1974-02-12
CA929280A (en) 1973-06-26
JPS4743969A (de) 1972-12-20
GB1389326A (en) 1975-04-03
FR2133777B1 (de) 1974-12-20
DE2217573C3 (de) 1978-03-09
SE378972B (de) 1975-09-15
CH584960A5 (de) 1977-02-15
BE782119A (fr) 1972-07-31
IT954427B (it) 1973-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3706951C2 (de)
DE3872859T2 (de) Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat.
EP0209748B1 (de) Verfahren zur chemischen Behandlung von Keramikkörpern mit nachfolgender Metallisierung
DE69410548T2 (de) Wolfram Metallisierung des CVD-Diamantes
DE2720893B2 (de)
DE1907740A1 (de) Halbleiteranordnung mit einem wenigstens zwei Halbleiterbereiche entgegengesetzten Leitungstype aufweisenden Halbleiterkoerper
DE3933713C2 (de)
DE1540175A1 (de) Elektrische Widerstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1950126A1 (de) Verfahren zur Aufringung isolierender Filme und elektronische Bauelemente
DE2217573C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer festhaftenden Metallschicht auf einem oxidischen Substrat für Dünnfilmschaltungen
DE69219529T2 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Metall- oder Passivierenschicht mit hoher Haftung über einem isolierten Halbleitersubstrat
DE3224959A1 (de) Verbesserter keramikkondensator und verfahren zu seiner herstellung
DE2217737B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leitungssystems
DE1521153A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines festhaftenden elektrisch leitenden und loetfaehigen metallischen UEberzuges auf nichtmetallischen festen Traegerkoerpern,wie z.B. Glas oder Keramik,durch Aufdampfen
DE3837788A1 (de) Verfahren zur unmittelbaren verbindung einer kupferfolie mit einem substrat aus elektrisch isolierendem material
DE2032320C3 (de) Verfahren zur Verbesserung der Haftung eines leitenden Materials auf einem nichtleitenden anorganischen Substratmaterial
DE3636366C2 (de)
DE2244062A1 (de) Ohmscher anschlusskontakt fuer ein silizium-halbleiterbauelement
WO2022184501A1 (de) Beschichten von nanodrähten
DE19828846C2 (de) Verfahren zum Beschichten eines Substrats
DE3146020A1 (de) "temperaturabhaengiger widerstand"
DE3106212A1 (de) "waermeableitkoerper fuer eine halbleiterzelle, insbesondere eine solarzelle"
DE1186950C2 (de) Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE1283073B (de) Verfahren zur chemischen Abscheidung von haftfesten Legierungsschichten, z. B. Nickel-Phosphor-Schichten, mit stabilisierten elektrischen Widerstandswerten auf elektrisch nichtleitenden Unterlagen
DE977513C (de) Verfahren zur Beseitigung eines Sperreffektes von flaechenhaften Kontaktelektroden an Halbleiterkoerpern aus Germanium oder Silizium

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee