DE3110230C2

DE3110230C2 -

Info

Publication number: DE3110230C2
Application number: DE3110230A
Authority: DE
Inventors: Hans Werner Morristown N.J. Us Becke; Carl Franklin Drums Pa. Us Wheatley Jun.
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1980-03-25
Filing date: 1981-03-17
Publication date: 1992-12-24
Anticipated expiration: 2001-03-18
Also published as: PL137347B1; GB2072422A; GB2072422B; JPS56150870A; YU77481A; DE3110230C3; IT8120225A0; PL230318A1; YU43009B; FR2479567A1; US4364073A; SE456292B; DE3110230A1; JPS6150397B2; IT1194027B; SE8101263L; FR2479567B1

Description

Die Erfindung betrifft ein vorzugsweise vertikales MOSFET-Bauelement mit einem in Reihe liegende Source-, Ba sis- und Drainzonen abwechselnden Leitungstyps enthalten den Substrat, dessen Basiszone an eine Substratoberfläche angrenzt und dessen Source- und Drainzonen auf Abstand gesetzt sind und zwischen sich einen an die Substratober fläche grenzenden Kanalbereich in der Basiszone begren zen. Die MOS-Bauelemente gehören zu den Feldeffekttransi storen mit isoliertem Gate (IGFET). Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf vertikale, doppelt diffundierte MOSFET-Bauelemente (VDMOS) und auf vertikale MOS-Bauele mente mit V-Nut (VMOS) für den Leistungsbetrieb.

Ein herkömmlicher IGFET ist ein Unipolar-Transistor. Mit einem solchen Bauelement kann Strom von einer Sourcezone durch einen Kanal in einer Basiszone zur Drainzone flie ßen. Die Source-, Kanal- und Drainzonen sind N- oder P-leitend. Die Basiszone besitzt jeweils den entgegenge setzten Leitungstyp. Der Kanal wird mit Hilfe eines durch Ladungen auf einer benachbarten Gate-Elektrode erzeugten elektrostatischen Feldes induziert oder entfernt, je nachdem ob es sich um ein Bauelement des Anreicherungs typs oder des Verarmungstyps handelt. Die Gate-Elektrode liegt typisch zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode. Die beiden letztgenannten Elektroden werden auf die entsprechenden Source- und Drainzonen gesetzt. In einem MOSFET-Bauelement wird die Gate-Elek trode mit Hilfe einer Oxidschicht gegenüber der Oberflä che des jeweiligen Halbleiterkörpers isoliert.

In vertikalen MOSFET-Bauelementen werden die Source- und Drain-Elektroden auf einander gegenüberliegenden Ober flächen des Halbleiterkörpers angeordnet. Sie verursachen daher einen im wesentlichen vertikalen, d. h. senkrecht zu den Oberflächen des Halbleiterkörpers fließenden Strom durch das Bauelement. In vertikalen VDMOS-Bauelementen ist das Substrat im wesentlichen planar und die Gate-Elek trode befindet sich typisch auf derselben Halbleiter oberfläche wie die Source-Elektrode. Die V-Nut von ver tikalen VMOS-Bauelementen erstreckt sich von einer Ober fläche her in das Substrat hinein, und das Gate wird auf die Oberfläche der Nut aufgebracht. Bei diesen beiden Ty pen herkömmlicher vertikaler MOSFET-Bauelemente handelt es sich also um Dreischicht-Bauelemente mit Source-, Ba sis- und Drainzonen.

Ein MOSFET-Bauelement kann als Transistor mit drei Halb leiterzonen abwechselnden Leitungstyps vorliegen, wobei die Stromverstärkung des gesamten Bauelements - typisch für einen Transistor - kleiner als Eins ist. Ein bekann tes Halbleiterbauelement mit einer Stromverstärkung grö ßer oder gleich Eins ist eine Vierschicht-Triode, nämlich der sogenannte Thyristor. Ein Bauelement dieser Art wird in der US-PS 38 31 187 und in dem Buch "Semiconductor Ju netions and Devices" von W.B. Burford und H.G. Verner, New York 1965, Seiten 225 bis 229, beschrieben.

Ein Thyristor besitzt vier Halbleiterzonen abwechselnden Leitungstyps, deren Geometrie und Leitfähigkeiten so aus gebildet sind, daß die gesamte Durchlaßstromverstärkung des Bauelements größer oder gleich Eins ist.

Neben den Thyristoren mit vier Halbleiterzonen abwech selnden Leitungstyps und MOSFETs mit normalerweise drei Halbleiterzonen abwechselnden Leitungstyps gibt es Sperr schicht-FETs, wie sie in der US-PS 32 74 461 beschrieben werden. Im Prinzip handelt es sich hierbei um ein Ein- Schicht-Bauelement mit einer einen einzigen Leitungstyp aufweisenden Halbleiterzone, die sich zwischen zwei Elek troden, nämlich Anode und Kathode, erstreckt. Ein Sperr schicht-FET ist ein normalerweise eingeschaltetes Bauele ment, dessen Gate-Vorspannung zum Abschalten dient, dage gen ist ein MOSFET ein normalerweise abgeschaltetes Bau element, dessen Gate-Vorspannung zum Einschalten vorgese hen ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Schwellen spannung des MOSFET-Bauelements eingangs genannter Art und den Einschaltwiderstand zu vergrößern und zugleich den Durchlaßleitwert des Bauelements zu vermindern, um die Kenndaten des Bauelements im Leistungsbetrieb zu ver bessern. Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, daß sich an die Drainzone eine Anodenzone mit dem Leitungstyp der Drainzone entgegengesetztem Leitungstyp anschließt, und daß die Source-, Basis- und Drainzonen eine erste Durchlaßstromverstärkung sowie die Anoden-, Drain- und Basiszone eine zweite Durchlaßstromverstärkung besitzen, wobei die Summe der ersten und zweiten Stromverstärkung kleiner als Eins ist. Je nachdem ob die erste Durchlaß-Strom verstärkung größer oder kleiner als die zweite Stromverstärkung eingestellt wird, ergibt sich ein Bau element zum Schalten relativ niedriger oder relativ hoher Spannungen.

Erfindungsgemäß wird also einem vertikalen MOSFET- (oder IGFET-) Aufbau eine als Anodenzone bezeichnete vierte Zone hinzugefügt. Es handelt sich dabei um eine Minori tätsträger-Injektionszone. Obwohl hierdurch ein Vierschicht-Bauelement entsteht, werden die Leitfähigkeit und die Geometrie der vier Halbleiterzonen so behandelt und eingestellt, daß kein rückkoppelnder (regenerative) Thyristor entsteht. Bipolare Effekte werden absichtlich minimiert. Das erfindungsgemäße Vierschicht-Bauelement bildet vielmehr im wesentlichen einen feldgesteuerten Transistor mit gegenüber herkömmlichen vertikalen MOSFET-Bauelementen verbesserten Betriebskennwerten. Die Leitfä higkeiten und der räumliche Aufbau der Basis- und Drain zonen des erfindungsgemäßen Bauelementes werden so einge stellt bzw. ausgewählt, daß das Bauelement im wesentli chen als rückkopplungsfreier (non-regenerative) Transi stor arbeiten kann. Bei Betrieb werden aus der Anodenzone Minoritätsträger in die Drainzone injiziert. Dadurch wer den die Schwellenspannung sowie der Einschaltwiderstand des Bauelements vermindert und der Durchlaßleitwert ver größert.

Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbei spielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläu tert. Es zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt eines herkömmlichen VDMOS-Bauelements;

Fig. 2 einen Querschnitt eines erfindungsgemäßen VDMOS-Bauelements;

Fig. 3 einen Querschnitt eines VMOS-Bauelements;

Fig. 4 ein Strom/Spannungs-Diagramm eines erfin dungsgemäßen Niederspannungs-Bauelements im Vergleich zu einem herkömmlichen Bauelement dieser Art; und

Fig. 5 ein Strom/Spannungs-Diagramm eines erfindungsgemäßen Hochspannungs-Bauelements im Vergleich zu einem herkömmlichen Bauele ment dieser Art.

In Fig. 1 wird ein herkömmliches VDMOS-Bauelement 10 im Querschnitt dargestellt. Zu dem Bauelement 10 gehört ein im wesentlichen planares Substrat 12 mit einer ersten Hauptfläche 14 und einer der ersten Hauptfläche gegen überliegenden zweiten Hauptfläche 16. Im Substrat 12 be finden sich aneinandergrenzende Source-, Basis- und Drainzonen 18, 20 bzw. 22 abwechselnden Leitungstyps. Zur Drainzone 22 gehört typisch ein an die zweite Hauptfläche 16 angrenzender, relativ gut leitender Bereich 24 und eine sich bis zur ersten Hauptfläche 14 erstreckende Drainverlängerung 26 aus einem Material geringerer Leit fähigkeit. In einem typischen Aufbau erstreckt sich ein durch die Drainverlängerung 26 getrenntes Paar von Basis zonen 20 von der ersten Hauptfläche 14 aus in das Sub strat 12 und bildet ein Paar Basis/Drain-PN-Übergänge 23. Ein entsprechendes Paar von Sourcezonen 28 erstreckt sich innerhalb der Grenzen der Basiszonen 20 ebenfalls von der ersten Hauptfläche 14 aus in das Substrat. Die Sourcezo nen 18 werden relativ zu der zwischen ihnen liegenden Drainverlängerung 26 so angeordnet, daß an der ersten Hauptfläche 14 jeder Basiszone 20 ein Kanalbereich 28 be grenzt wird.

Über die zweite Hauptfläche 16 wird eine Drain-Elektrode 30 gelegt. Diese kontaktiert demgemäß den relativ gut leitenden Bereich 24 der Drainzone 22. Auf der ersten Hauptfläche 14 wird jede Sourcezone 18 und Basiszone 20 in einem Bereich mit Abstand vom Kanalbereich 28 durch eine Source-Elektrode 32 kontaktiert. Oberhalb der Kanal bereiche 28 und der zwischen ihnen befindlichen Drainver längerung 26 liegt auf der ersten Hauptfläche 14 ein Gate 34. Zu diesem gehört normalerweise ein auf der Substratoberfläche 14 liegendes Gate-Oxid 14 und eine auf dem Oxid liegende Gate-Elektrode 38.

Anhand von Fig. 2 wird ein erfindungsgemäßes VDMOS-Bau element 40 beschrieben. Das VDMOS-Bauelement 40 enthält ein im wesentlichen planares Substrat 42 mit einer ersten Hauptfläche 44 und einer dieser gegenüberliegenden zwei ten Hauptfläche 46. An die zweite Hauptfläche 46 grenzt eine im wesentlichen planare Anodenzone 48 des ersten Leitungstyps an. Quer über die Anodenzone 48 wird eine Drainzone 50 des zweiten Leitungstyps angeordnet. Die Drainzone 50 erstreckt sich bis zur ersten Hauptfläche 44. Ein durch die Drainzone 50 getrenntes Paar von Basiszonen 52 des ersten Leitungstyps erstreckt sich ferner von der ersten Hauptfläche 44 her in das Substrat und bildet ein Paar von Basis/Drain-PN-Übergängen 53. Ein entsprechendes Paar von Sourcezonen 54 des zweiten Leitungstyps erstreckt sich innerhalb der Grenzen der Basiszone 52 von der ersten Hauptfläche 44 aus in das Substrat 42. Die Sourcezonen 54 werden relativ zu der zwischen ihnen liegenden Drainzone 50 so angeordnet, daß innerhalb jeder Basiszone 52 an der ersten Hauptfläche 44 ein Kanalbereich 56 begrenzt wird.

Auf die zweite Hauptfläche 46 wird eine Anoden-Elektrode 58 aufgebracht. In einem ähnlichen Aufbau wie bei dem Bauelement 10 gemäß Fig. 1 werden auf die erste Hauptflä che 44 ein Paar von Source-Elektroden 60 und ein aus ei nem Gate-Oxid 62 und einer Gate-Elektrode 64 bestehendes Gate aufgebracht. Obwohl es sich im bevorzugten Ausfüh rungsbeispiel des Bauelements 40 um einen MOS-FET-Aufbau handelt und unter der Gate-Elektrode 64 ein Oxid 62 liegt, sei darauf hingewiesen, daß ein funktionsfähiges Bauelement auch entsteht, wenn ein anderes Isoliermate rial, zum Beispiel Si₃N₄₁ anstelle des Oxids verwendet wird.

Anhand von Fig. 3 wird ein Ausführungsbeispiel eines er findungsgemäßen vertikalen MOSFET-Bauelements mit V-Nut, d. h. eines vertikalen VMOS-Bauelements 70 erläutert. Die ses umfaßt ein Substrat 72 mit einander gegenüberliegen den ersten und zweiten Hauptflächen 74 bzw. 76. An die zweite Hauptfläche 76 grenzt eine im wesentlichen planare Anodenzone 78 des ersten Leitungstyps an. Daran schließt sich eine im wesentlichen planare Drainzone 80 des zwei ten Leitungstyps auf der ganzen Fläche der Anodenzone 78 an. Weiterhin erstreckt sich von der ersten Hauptfläche 74 aus eine Basiszone 82 des ersten Leitungstyps in das Substrat 72 hinein, so daß mit der Drainzone 80 ein Ba sis/Drain-PN-Übergang 83 gebildet wird.

Von der ersten Hauptfläche 74 aus erstreckt sich eine die Basiszone 82 durchschneidende Nut 84 in das Substrat 72 hinein.

Außerdem erstrecken sich von der ersten Hauptfläche 74 aus - getrennt durch die Nut 84 - zwei Sourcezonen 86 des zweiten Leitungstyps in das Substrat hinein. Jede Source zone 86 grenzt an der ersten Hauptfläche 74 an die Nut 84 an und wird durch die Basiszone 82 an der Nut-Oberfläche von der Drainzone 80 so auf Abstand gesetzt, daß die Länge je eines Kanalbereichs 88 begrenzt wird.

Es sei darauf hingewiesen, daß anstelle der beschriebenen V-Form der Nut 84 auch andere Formen, zum Beispiel U-Pro file, Rechteck-Profile (mit senkrecht zu der Hauptfläche 74 verlaufenden Wänden) oder ein im wesentlichen V-förmi ges Profil mit ebenem, parallel zur Hauptfläche 74 ver laufendem Boden geeignet sind.

Auf die Oberfläche der Nut 84 wird ein Gate 90 aufge bracht. Es besteht aus einem Gate-Oxid 92 auf den Kanal bereichen 88 und einer Gate-Elektrode 94 auf dem Oxid. Anstelle des Oxids können, wie erwähnt, auch andere Mate rialien verwendet werden. Die Source- und Basiszone 86 und 82 werden an der ersten Hauptfläche 74 durch ein Paar von Source-Elektroden 96 kontaktiert. Die Anodenzone 78 wird an der zweiten Hauptfläche 76 mit einer Anoden-Elek trode 98 kontaktiert.

Die Betriebsweise des VMOS-Bauelements 70 ist im wesent lichen ähnlich wie diejenige des VDMOS-Bauelements 40. Der Unterschied besteht im wesentlichen darin, daß das Gate 61 bei dem VDMOS-Bauelement 40 nach Fig. 2 oben auf der Hauptfläche 44 angeordnet wird, so daß die Kanalbe reiche 56 in den an die Hauptfläche 44 angrenzenden Tei len der Basiszonen 52 induziert werden, während das Gate 90 bei dem VMOS-Bauelement 70 auf einer Nut-Oberfläche angeordnet wird und die Kanalbereiche 88 in den an die Nut-Oberfläche angrenzenden Oberflächenbereichen der Ba siszone induziert werden.

Ein erfindungsgemäßes Bauelement wird erhalten, wenn die Leitfähigkeiten und Geometrien der vier halbleitenden Zo nen so ausgewählt bzw. eingestellt werden, daß das Bau element als Feldeffekttransistor (FET) mit einer in Reihe mit der Drainzone geschalteten Anodenzone mit Minoritäts träger-Injektion arbeitet. Obwohl also ein Vierschicht- Bauelement vorliegt, arbeitet dieses Bauelement nicht als Thyristor mit Rückkopplungseigenschaften. Jedes der Vier schicht-Bauelemente 40 und 70 kann so betrachtet werden, als enthalte es zwei Transistoren, von denen der eine, der Transistor 1, aus den Source-, Basis- und Drainzonen und der andere, der Transistor 2, aus den Anoden-, Drain- und Basiszonen besteht. Der Transistor 1 besitzt eine Durchlaßstromverstärkung α₁ von der Sourcezone zur Drain zone und der Transistor 2 besitzt eine Durchlaßstromver stärkung α₂ von der Anodenzone zur Basiszone. Erfin dungsgemäß ist wesentlich, daß die Summe der Stromverstärkungen α₁+α₂ des Transistors 1 und des Transistors 2 den Wert Eins nicht übersteigt. Durch diese Bedingung wird die Ladungsträger-Regeneration so be schränkt, daß eine Thyristor-Wirkung nicht auftreten kann. Solange die Bedingung

α₁+α₂ < 1

gilt, entstehen erfindungsgemäß wirksame Bauelemente für

α₁ < α₂; α₁ < α₁ oder α₁ = α₂.

Die Stromverstärkungen α₁ und α₂ können beispielsweise durch Veränderung der relativen Leitfähigkeiten von Ba sis- und Drainzonen bei Aufrechterhaltung einer relativ hohen Leitfähigkeit in den Source- und Anodenzonen einge stellt werden. Wenn beispielsweise die Source/Basis/Drain/Anoden-Leitfähigkeiten der Reihe nach die Werte N⁺/P⁺/N/P⁺ haben, entsteht im allgemeinen ein Bauelement mit α₁ < α₂. Wenn die genannte Leitfähigkei ten dagegen die Werte N⁺/P/N⁺/P⁺ haben, ergibt sich im allgemeinen α₁ < α₂.

Wenn α₁ < α₂ gilt, ergibt sich ein relativ empfindli ches Bauelement mit relativ niedriger Schwellenspannung V_TH. Das Bauelement hat einen niedrigen Ein(schalt)-Wi derstand R_ON, kann mit einer relativ niedrigen Gate-Span nung gesteuert werden und ist namentlich zum Schalten re lativ niedriger Spannungen geeignet. Unter der Bedingung α₁ < α₂ entsteht dagegen ein Bauelement mit hohem Durchlaßleitwert. Obwohl die Schwellenspannung V_TH höher als bei bekannten Strukturen des (α₁ < α₂)-Typs ist, macht der durch die von der Anode zur Drainzone bewirkte Ladungsträgerinjektion bewirkte höhere Durchlaßleitwert ein solches Bauelement besonders zum Schalten hoher Span nungen geeignet.

Weitere Verbesserungen der Kenndaten des Bauelements, zum Beispiel eine verminderte Schwellenspannung V_TH, eine vergrößerte Durchbruchspannung und eine schnellere Schaltzeit, können durch Variieren des Leitfähigkeitspro fils innerhalb der Drainzone erreicht werden. Beispiels weise können die Drainzonen 50 oder 80 in den Bauelemen ten 40 bzw. 70 jeweils einen im wesentlichen planaren, relativ gut leitenden (N⁺)-Bereich 51 bzw. 81 enthalten, der an die Anodenzone 48 bzw. 78 angrenzt. Der Rest der jeweiligen Drainzone 50 bzw. 80 kann durch eine relativ wenig leitende (N⁻)-Drainverlängerung 55 oder 85 gebildet werden.

Wie erwähnt, sind erfindungsgemäße FET-Bauelemente sowohl für Nieder- als auch für Hochspannungs-Schaltanwendungen auszulegen. Wenn

α₁ < α₂ mit z. B. α₁ = 0,7 und α₂ = 0,1

gilt, ist das Bauelement am besten für Anwendungen ge eignet, in denen die Source-Drain-Spannung aus V_SD im un gefähren Bereich von 40 bis 150 Volt liegt. Eine bei spielhafte Strom-Spannungs-Kennlinie für ein solches Bau element wird in Fig. 4 mit der Kurve I angegeben. Auf der Abszisse des Diagramms von Fig. 4 wird die Source-Drain- Spannung V_SD in Volt und auf der Ordinate wird die Strom dichte J_D in Ampere/aktive Bauelementfläche eingetragen. Die Kurve I repräsentiert den effektiven R_ON für den Fall, daß das Bauelement auf einer speziellen Gate- Source-Spannung V_GS betrieben wird, die beträchtlich grö ßer als V_TH ist. Die Kurve II repräsentiert den unter entsprechenden Betriebsbedingungen gemessenen R_ON für ein herkömmliches Bauelement. Für Stromdichten oberhalb des Schnittpunkts der beiden Kurven zeigt das erfindungsge mäße Bauelement einen niedrigeren Durchlaßspannungsabfall.

Zum Schalten von Hochspannungen, mit V_SD von etwa 150 bis 2000 Volt, ist das erfindungsgemäße Bauelement für Werte

α₁ < α₂, mit z. B. α₁ = 0,1 und α₂ = 0,7

geeignet. Eine ungefähre Strom-Spannungs-Charakteristik eines solchen Bauelements wird mit der Kurve III in Fig. 5 angedeutet. Das Verhalten eines entsprechenden herkömm lichen Bauelements wird durch die Kurve IV dargestellt. Bei Hochspannungs-Anwendungen zeigen die Bauelemente 40 und 70 eine sehr hohe Leitfähigkeit und einen sehr nied rigen R_ON im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen, ob wohl die Schwellenspannung V_TH im Vergleich zu den Nie derspannungs-Bauelementen (Kurve I von Fig. 4) etwas er höht ist.

Es sei darauf hingewiesen, daß die beschriebenen VDMOS- und VMOS-Bauelemente 40 und 70, die jeweils ein Paar von Source-, Basis- und Kanal-Zonen enthalten, verallge meinerte bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellen. Beispielsweise würden auch Bauelemente mit einer einzigen Basis-, Source- und Kanal-Zone funktionie ren. In den Zeichnungen wird ferner eine bestimmte Folge von Leitfähigkeiten vorgesehen, so daß N-Kanal-Bauele mente entstehen; es können jedoch erfindungsgemäß mit im Prinzip derselben Funktionsweise P-Kanal-Bauelemente hergestellt werden, wenn die Leitungstypen entsprechend umgekehrt werden.

Es sei ferner darauf hingewiesen, daß sowohl das VDMOS-Bau element 40 als auch das VMOS-Bauelement 70 in ein grö ßeres Bauelement zu integrieren ist. Ein solches größeres Bauelement kann beispielsweise eine Vielzahl von Berei chen enthalten, die jeder einen Querschnitt gemäß dem Bauelement 40 oder 70 von Fig. 2 oder 3 aufweisen. Diese Mehrzahl von Bauelementen kann in Form eines ineinander gefingerten Gitters oder einer mäanderförmigen Gate-Geo metrie in bekannter Weise ausgebildet werden.

Claims

1. Vorzugsweise vertikales MOSFET-Bauelement (40) mit einem in Reihe liegende Source-, Basis- und Drainzonen (54, 52, 50) abwechselnden Leitungstyps enthaltenden Substrat (42), dessen Basiszone (52) an einer Substrat oberfläche (44) angrenzt und dessen Source- und Drain zonen (54, 50) auf Abstand gesetzt sind und zwischen sich einen an die Substratoberfläche grenzenden Kanal bereich (56) in der Basiszone (52) begrenzen, dadurch gekennzeichnet, daß sich an die Drainzone (50) eine Anodenzone (48) mit dem Leitungstyp der Drainzone ent gegengesetztem Leitungstyp anschließt und daß die Source-, Basis- und Drainzonen (54, 52, 50) eine erste Durchlaßstromverstärkung sowie die Anoden-, Drain- und Basiszonen (48, 50, 52) eine zweite Durchlaßstromver stärkung besitzen, wobei die Summe der ersten und zweiten Stromverstärkung kleiner als 1 ist.

2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromverstärkung größer als die zweite ist.

3. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromverstärkung kleiner als die zweite ist.

4. Bauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (42) eine einer ersten Hauptfläche (44) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (46) besitzt, daß die Anodenzone (48) an der zweiten Hauptfläche (46) liegt und daß sich die Drainzone (50) quer über die Anodenzone (48) erstreckt.

5. Bauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Drainzone (50) einen im wesentlichen ebenen, an die Anodenzone (48) angrenzenden Bereich (51) relativ hoher Leitfähigkeit sowie eine an diesen Bereich (51) und die Basiszone (52) angrenzende Drainverlängerung (55) relativ niedri ger Leitfähigkeit umfaßt.