[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

DE112005000854B4 - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall Download PDF

Info

Publication number
DE112005000854B4
DE112005000854B4 DE112005000854T DE112005000854T DE112005000854B4 DE 112005000854 B4 DE112005000854 B4 DE 112005000854B4 DE 112005000854 T DE112005000854 T DE 112005000854T DE 112005000854 T DE112005000854 T DE 112005000854T DE 112005000854 B4 DE112005000854 B4 DE 112005000854B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
dielectric layer
metal
metal layer
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112005000854T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112005000854T5 (de
Inventor
Justin Portland Brask
Jack Portland Kavalieros
Mark Beaverton Doczy
Uday Portland Shah
Chris Portland Barns
Matthew Hillsboro Metz
Suman Beaverton Datta
Annalisa Portland Cappellani
Robert Beaverton Chau
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of DE112005000854T5 publication Critical patent/DE112005000854T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112005000854B4 publication Critical patent/DE112005000854B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823437—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H01L21/82345—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823828—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
    • H01L21/823842—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes gate conductors with different gate conductor materials or different gate conductor implants, e.g. dual gate structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66545—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28229—Making the insulator by deposition of a layer, e.g. metal, metal compound or poysilicon, followed by transformation thereof into an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
    • H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements, welches umfaßt:
Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (105) auf einem Substrat (100);
Bilden eines Grabens (113) innerhalb der ersten dielektrischen Schicht (105);
Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht (115) auf dem Substrat (100), wobei die zweite dielektrische Schicht (115) einen ersten Teil (118) und einen zweiten Teil (123) umfaßt wobei der erste Teil (118) auf dem Boden des Grabens (113) gebildet ist;
Bilden einer Metallschicht auf dem ersten (118) und zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115);
Bilden einer Aufschleuderglasschicht auf der Metallschicht, wobei ein erster Teil der Aufschleuderglasschicht den ersten Teil (118) der zweiten dielektrischen Schicht (115) und ein zweiter Teil der Aufschleuderglasschicht den zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) verdeckt;
Entfernen des zweiten Teils der Aufschleuderglasschicht unter Beibehaltung des ersten Teils der Aufschleuderglasschicht zum Freilegen eines Teils der Metallschicht;
Entfernen des freiliegenden Teils der...

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen, insbesondere von Halbleiterelementen mit Gateelektroden aus Metall.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • MOS Feldeffekttransistoren mit sehr dünnem Gatedielektrikum aus Siliziumdioxid unterliegen ggf. unannehmbaren Gateverlustströmen. Diese Gateverluste können durch Ersetzen von Siliziumdioxid durch gewisse High-k-Dielektrika bei der Herstellung des Gatedielektrikums reduziert werden. Da jedoch ein derartiges Dielektrikum ggf. nicht mit Polysilizium kompatibel ist, ist ggf. der Einsatz von Gateelektroden aus Metall in Bauelementen mit High-k-Gate-Dielektrika zu empfehlen.
  • Bei der Herstellung eines CMOS Bauelements mit Gateelektroden aus Metall kann ein Ersatz-Gateverfahren zur Anwendung kommen, um Gateelektroden aus verschiedenen Metallen zu bilden. Dabei wird eine erste von zwei Abstandhaltern eingeschlossene Polysiliziumschicht entfernt, um einen Graben zwischen den Abstandhaltern zu schaffen. Dieser Graben wird mit einem ersten Metall gefüllt. Daraufhin wird eine zweite Polysiliziumschicht entfernt und durch ein sich vom ersten Metall unterscheidendes zweites Metall ersetzt. Da dieses Verfahren mehrere Ätz-, Auftrag- und Polierschritte erfordert, entscheiden sich Massenhersteller von Halbleiterelementen nicht gern dafür.
  • Anstelle des Ersatz-Gateverfahrens zur Bildung einer Gateelektrode aus Metall auf einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht kann ein subtraktiver Lösungsweg einge schlagen werden. In einem solchen Verfahren wird eine Gateelektrode aus Metall auf einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht durch Auftragen einer Metallschicht auf die dielektrische Schicht, durch Maskieren der Metallschicht und durch anschließendes Entfernen des freiliegenden Teils der Metallschicht und des darunter liegenden Teils der dielektrischen Schicht gebildet. Leider machen die freiliegenden Seitenwände der sich daraus ergebenden High-k-Gate-dielektrischen Schicht diese anfällig auf seitliche Oxidation, was die physikalischen und elektrischen Eigenschaften beeinträchtigen kann.
  • US 6,367,888 B1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einem n-Typ-MIS-Transistor, der in einem ersten Bereich gebildet ist und einem p-Typ-MIS-Transistor, der in einem zweiten Bereich gebildet ist. Die Gate-Elektrode des n-Typ-MIS-Transistors ist aus einer mehrschichtigen Struktur aufgebaut, die aus einem Hafnium-Nitrid-Film 113 und einem Kobalt-Film besteht und die Gate-Elektrode des p-Typ-MIS-Transistor besteht aus einer Einzelschichtstruktur des Kobaltfilms.
  • US 6,545,324 B2 offenbart einen Prozess zur Herstellung eines ersten Transistors, eines ersten Leitfähigkeitstyps und eines zweiten Transistors eines zweiten Leitfähigkeitstyps in einem Halbleitersubstrat. Das Substrat umfasst einen ersten Graben des ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Graben des zweiten Leitfähigkeitstyps. Über den Gräben ist ein Gate-Dielektrikum ausgebildet. Dann wird eine erste Metallschicht über dem Gate-Dielektrikum gebildet. Ein Teil der ersten Metallschicht, der sich über dem zweiten Graben befindet, wird dann entfernt. Eine zweite Metallschicht, die sich vom ersten Metall unterscheidet, wird dann über den Gräben gebildet und eine Gate-Maske wird über dem zweiten Metall gebildet. Die Metallschichten werden dann so strukturiert, dass ein erstes Gate über dem ersten Graben verbleibt und ein zweites Gate über dem zweiten Graben.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einem verbesserten Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall. Es besteht ein Bedarf an einem derartigen Verfahren, das für Massenfertigung geeignet ist. Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung bietet sich als Lösung an.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1a–1f sind Querschnitte durch Strukturen, die bei der Durchführung einer Ausführungsform des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung gebildet werden können.
  • 2a–2f sind Querschnitte durch Strukturen, die bei der Durchführung der Ausführungsform nach 1a–1f zur Herstellung eines Elements mit pn-Sperrschicht innerhalb eines Grabens gebildet werden können.
  • 3a–3b sind Querschnitte durch Strukturen, die. bei der Durchführung einer zweiten Ausführungsform des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung gebildet werden können.
  • 4a–4b sind Querschnitte durch Strukturen, die. bei der Durchführung der Ausführungsform nach 3a–3b zur Herstellung eines Elements mit pn-Sperrschicht innerhalb eines Grabens gebildet werden können.
  • Die in den Figuren gezeigten Merkmale sind nicht im wahren Maßstab gezeichnet.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
  • Die Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1. Das Verfahren umfaßt ein Bilden einer ersten dielektrischen Schicht auf einem Substrat, woraufhin in der ersten dielektrischen Schicht ein Graben gebildet wird. Nach dem Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht auf dem Substrat wird eine erste Metallschicht innerhalb des Grabens auf einem ersten Teil der zweiten dielektrischen Schicht, aber nicht auf einem zweiten Teil der dielektrischen Schicht gebildet. Daraufhin wird eine zweite Metallschicht auf der ersten Metallschicht und auf einem zweiten Teil der zweiten dielektrischen Schicht gebildet.
  • In der unten stehenden Beschreibung sollen gewisse Detailangaben ein gründliches Verständnis der vorliegenden Erfindung vermitteln. Die Erfindung beschränkt sich jedoch nicht auf die nachfolgenden spezifischen Detailangaben.
  • 1a–1f veranschaulichen Strukturen, die bei der Durchführung einer Ausführungsform des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung gebildet werden können. 1a zeigt eine Zwischenstruktur, die bei der Herstellung eines CMOS Bauelements entstehen kann. Diese Struktur besteht aus einem ersten Teil 101 und einem zweiten Teil 102 des Substrats 100. Ein Trennbereich 103 trennt den ersten Teil 101 vom zweiten Teil 102. Eine erste Polysiliziumschicht 104 wird auf der dielektrischen Schicht 105 gebildet, eine zweite Polysiliziumschicht 106 auf der dielektrischen Schicht 107. Die erste Polysiliziumschicht 104 wird von zwei seitlichen Abstandhaltern 108, 109 eingeschlossen, die zweite Polysiliziumschicht 106 von zwei seitlichen Abstandhaltern 110, 111. Das Dielektrikum 112 ist neben den seitlichen Abstandhaltern angeordnet.
  • Das Substrat 100 kann aus bulk-Silizium oder Silizium auf einem Isolator (silicon-on-insulate) umfassen. Das Substrat 100 kann jedoch auch andere Materialien enthalten – ggf. in Kombination mit Silizium – wie zum Beispiel Germanium, Indium, Antimonid, Tellurblei, Indiumarsenid, Indiumphosphid, Galliumarsenid oder Galliumantimonid. Obwohl hier nur einige Beispiele für geeignete Materialien für das Substrat 100 aufgeführt werden, fallen alle Materialien, auf denen ein Halbleiterelement aufgebaut werden kann, in den Rahmen des Erfindungsgedankens und in den Umfang der Erfindung.
  • Der Trennbereich 103 kann aus Siliziumdioxid oder anderen Materialien bestehen, welche die aktiven Bereiche des Transistors trennen können. Die dielektrischen Schichten 105, 107 können jeweils aus Siliziumdioxid oder anderen Materialien bestehen, die das Substrat gegen andere Substanzen isolieren können. Die Dicke der ersten und zweiten Polysiliziumschichten 104, 106 beträgt vorzugsweise ca. 10 bis 200 nm, im besonders bevorzugten Fall ca. 50 bis 160 nm. Diese Schichten können jeweils undotiert oder mit ähnlichen Substanzen dotiert sein. Als Alternative kann eine Schicht dotiert und die andere undotiert sein, oder eine Schicht kann n-dotiert sein (z. B. mit Arsen, Phosphor oder einem anderen n-leitenden Materi al), während die andere p-dotiert ist (z. B. mit Bor oder einem anderen p-leitenden Material). Die Abstandhalter 108, 109, 110 und 111 bestehen vorzugsweise aus Siliziumnitrid, während das Dielektrikum 112 aus Siliziumdioxid oder einem Low-k-Material bestehen kann. Das Dielektrikum 112 kann mit Phosphor, Bor oder anderen Elementen dotiert und unter Anwendung eines hochdichten Plasmabeschichtungsverfahrens hergestellt werden.
  • Bei der Herstellung der Struktur nach 1a können herkömmliche Verfahrensschritte, Materialien und Geräte zum Einsatz kommen. Wie gezeigt kann das Dielektrikum 112, z. B. in einem konventionellen chemisch-mechanischen Polierschritt („CMP”), weg poliert werden, um die ersten und zweiten Polysiliziumschichten 104, 106 freizulegen. Die Struktur nach 1a kann zahlreiche andere nicht gezeigte Merkmale aufweisen (z. B. eine Ätzstoppschicht aus Siliziumnitrid, Source- und Drainbereiche und ein oder mehr Pufferschichten), die unter Anwendung von konventionellen Verfahren hergestellt werden können.
  • Wenn Source- und Drainbereiche durch konventionelle Ionenimplantation und Glühen gebildet werden, ist ggf. die Bildung einer harten Maske auf den Polysiliziumschichten 104, 106 – und einer Ätzstoppschicht auf der harten Maske – wünschenswert, um die Schichten 104, 106 beim Beschichten der Source- und Drainbereiche mit einem Silizid zu schützen. Die harte Maske kann aus Siliziumnitrid bestehen, die Ätzstoppschicht aus einem Material, das bei Anwendung eines geeigneten Ätzverfahrens wesentlich langsamer abgetragen wird als Siliziumnitrid. Eine derartige Ätzstoppschicht kann zum Beispiel aus Silizium, einem Oxid (z. B. Siliziumdioxid oder Hafniumdioxid) oder einem Karbid (z. B. Siliziumkarbid) hergestellt werden.
  • Diese Ätzstoppschicht und die harte Maske aus Siliziumnitrid können von der Oberfläche der Schichten 104, 106 weg poliert werden, wenn die dielektrische Schicht 112 poliert wird – denn diese Schichten haben ihren Zweck bereits erfüllt. 1a zeigt eine Struktur, bei welcher eine harte Maske oder Ätzstoppschicht, die ggf. zuvor auf den Schichten 104, 106 gebildet wurde, bereits von ihrer Oberfläche entfernt wurde. Wenn die Source- und Drainbereiche unter Anwendung der Ionenimplantation hergestellt werden, können die Schichten 104, 106 zur Zeit der Implantation der Source- und Drainbereiche dotiert werden. Dabei kann die erste Polysiliziumschicht 104 n- dotiert werden, während die zweite Polysiliziumschicht 106 p-dotiert wird oder umgekehrt.
  • Nach der Bildung der Struktur nach 1a werden die ersten und zweiten Polysiliziumschichten 104, 106 entfernt. In einer bevorzugten Ausführungsform kommt dabei ein nasschemisches Ätzverfahren oder auch mehrere Verfahren zur Anwendung. Bei einem derartigen Verfahren werden die Schichten 104, 106 einer eine Hydroxidquelle enthaltenden wässrigen Lösung ausgesetzt, wobei Zeit und Temperatur zum Entfernen aller dieser Schichten ausreichen müssen. Die Hydroxidquelle kann aus ca. 2 bis 30 Volumenprozent Ammoniumhydroxid oder einem Tetraalkyl-Ammoniumhydroxid, z. B. Tetramethyl-Ammoniumhydroxid („TMAH”) in Deionat bestehen.
  • Eine n-leitende Polysiliziumschicht kann durch Einwirkung einer Lösung entfernt werden, die auf einer Temperatur zwischen ca. 15°C und 90°C (vorzugsweise unter ca. 40°C) gehalten wird und aus ca. 2 bis 30 Volumenprozent Ammoniumhydroxid in Deionat besteht. Während der Einwirkung, die vorzugsweise mindestens eine Minute dauert, kann die Anwendung einer Schallenergie mit einer Frequenz von ca. 10 bis 2000 kHz mit einem Energieverlust von ca. 1 bis 10 Watt/cm2 wünschenswert sein. Eine n-leitende Polysiliziumschicht mit einer Dicke von ca. 135 nm kann zum Beispiel dadurch entfernt werden, dass sie bei ca. 25°C für ca. 30 Minuten einer Lösung ausgesetzt wird, die aus ca. 15 Volumenprozent Ammoniumhydroxid in Deionat besteht, während eine Schallenergie von ca. 1000 kHz mit einem Energieverlust von ca. 5 Watt/cm2 zur Wirkung kommt.
  • Als Alternative kann eine n-leitende Polysiliziumschicht dadurch entfernt werden, dass sie mindestens eine Minute einer Lösung ausgesetzt wird, die auf einer Temperatur von ca. 60°C bis 90°C gehalten wird und aus ca. 20 bis 30 Volumenprozent TMAH in Deionat besteht, während eine Schallenergie zur Anwendung kommt. Im Wesentlichen kann eine ganze derartige n-leitende Polysiliziumschicht mit einer Dicke von ca. 135 nm entfernt werden, dass sie bei ca. 80°C für ca. 2 Minuten einer Lösung ausgesetzt wird, die aus ca. 25 Volumenprozent TMAH in Deionat besteht, während eine Schallenergie von ca. 1000 kHz mit einem Energieverlust von ca. 5 Watt/cm2 zur Wirkung kommt.
  • Eine p-leitende Polysiliziumschicht kann auch dadurch entfernt werden, dass sie einer aus ca. 20 bis 30 Volumenprozent TMAH in Deionat bestehenden Lösung ausgesetzt wird, wobei Zeit und Temperatur (z. B. ca. 60°C bis 90°C) für diesen Zweck ausreichen müssen, während eine Schallenergie zur Anwendung kommt. Es ist klar, dass das (die) nasschemische(n) Ätzverfahren zum Entfernen der ersten und zweiten Polysiliziumschichten 104, 106 jeweils davon abhängt (abhängen), ob keine, eine oder beide Schichten dotiert ist (sind), zum Beispiel ob eine Schicht n-dotiert und die andere p-dotiert ist.
  • Wenn zum Beispiel Schicht 104 n-dotiert und Schicht 106 p-dotiert ist, empfiehlt sich ggf. zuerst die Anwendung eines nasschemischen Ätzverfahrens auf der Basis von Ammoniumhydroxid zum Entfernen der n-dotierten Schicht und daraufhin die Anwendung eines nasschemischen Ätzverfahrens auf der Basis von TMAH zum Entfernen der p-dotierten Schicht. Als Alternative kann es wünschenswert sein, die beiden Schichten 104, 106 gleichzeitig unter Anwendung eines nasschemischen Ätzverfahrens auf der Basis von TMAH zu entfernen.
  • Nach dem Entfernen der ersten und zweiten Polysiliziumschichten 104, 106 liegen die dielektrischen Schichten 105, 107 frei. In der vorliegenden Ausführungsform werden die Schichten 105, 107 entfernt. Dielektrische Schichten 105, 107 aus Siliziumdioxid können in einem selektiv für Siliziumdioxid bestimmten Ätzverfahren entfernt werden. Bei einem derartigen Ätzverfahren werden zum Beispiel die Schichten 105, 107 einer Lösung ausgesetzt, die ca. 1 Prozent HF in Deionat enthält. Die Zeit der Einwirkung auf die Schichten 105, 107 ist zu begrenzen, da das zum Entfernen dieser Schichten verwendete Ätzverfahren auch einen Teil der dielektrischen Schicht 112 entfernen kann. Angesichts dieser Tatsache sollte, wenn die Schichten 105, 107 mit 1 Prozent HF entfernt werden, das Element der Lösung weniger als 60 Sekunden ausgesetzt werden, vorzugsweise ca. 30 Sekunden oder weniger. Wie 1b zeigt, bleiben nach dem Entfernen der dielektrischen Schichten 105, 107 Gräben 113, 114 innerhalb der dielektrischen Schicht 112 zwischen den seitlichen Abstandhaltern 108, 109 bzw. 110, 111 zurück.
  • Nach dem Entfernen der dielektrischen Schichten 105, 107 wird auf dem Substrat 100 eine dielektrische Schicht 115 gebildet. Die dielektrische Schicht 115 ist vorzugs weise eine High-k-Gate-dielektrische Schicht. Zu den Materialien, die zur Herstellung einer derartigen High-k-Gate-dielektrischen Schicht verwendet werden können, gehören u. a. Hafniumoxid, Hafnium-Siliziumoxid, Lanthanoxid, Zirkonoxid, Zirkon-Siliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Barium-Strontium-Titanoxid, Barium-Titanoxid, Strontium-Titanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Blei-Skandium-Titanoxid und Blei-Zinkniobat. Besonders bevorzugt sind Hafniumoxid, Zirkonoxid und Aluminiumoxid. Obwohl hier einige Beispiele für zur Bildung einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht geeignete Materialien aufgeführt werden, kann diese Schicht auch aus anderen hergestellt werden.
  • Die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 kann unter Anwendung eines konventionellen Verfahrens, z. B. eines chemischen Aufdampfverfahrens („CVD”), eines Niederdruck-CVD-Verfahrens oder eines physikalischen Aufdampfverfahrens („PVD”) aufgebracht werden. Vorzugsweise kommt ein konventionelles Atomschicht-CVD-Verfahren zum Einsatz. Bei einem solchen Verfahren werden ein Metalloxid-Vorprodukt (z. B. ein Metallchlorid) und Dampf mit einer bestimmten Strömungsgeschwindigkeit in einen CVD-Reaktor eingespeist, der dann mit einer bestimmten Temperatur und einem bestimmten Druck betrieben wird, um eine atomar glatte Grenzfläche zwischen dem Substrat 100 und der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 zu erzeugen. Der CVD-Reaktor muss betrieben werden, bis sich eine Schicht der gewünschten Dicke bildet. Bei den meisten Anwendungen sollte die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 eine Dicke von weniger als 6 nm haben, vorzugsweise zwischen ca. 0,5 und 4 nm.
  • 1c veranschaulicht, dass sich bei Einsatz eines Atomschicht-CVD-Verfahrens zur Bildung einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 diese Schicht auf beiden Seiten sowie am Boden der Gräben 113, 114 bildet. Wenn die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 aus einem Oxid besteht, können sich je nach Verfahren an zufällig verteilten Oberflächenstellen Sauerstofflücken und unzulässig starke Verunreinigungen ergeben. Ggf. ist es wünschenswert, diese Verunreinigungen aus der Schicht 115 zu entfernen und sie zur Herstellung einer Schicht mit nahezu idealer Metall/Sauerstoff-Stöchiometrie nach dem Auftragen der Schicht 115 zu oxidieren.
  • Zur Beseitigung von Verunreinigungen aus der Schicht und zur Erhöhung ihres Sauerstoffgehalts kann die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 einer nasschemischen Behandlung unterzogen werden. Dabei wird die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 einer Lösung ausgesetzt, die Wasserstoffperoxid enthält, wobei Temperatur und Zeit zum Entfernen der Verunreinigungen aus der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 und zur Erhöhung des Sauerstoffgehalts der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 ausreichen müssen. Die Zeit und die Temperatur für die Aussetzung der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 hängen von der gewünschten Dicke und von sonstigen Eigenschaften der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 ab.
  • Wenn die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 einer Lösung auf der Basis von Wasserstoffperoxid ausgesetzt wird, kann eine wässrige Lösung mit ca. 2 bis 30 Volumen-% Wasserstoffperoxid verwendet werden. Dieser Verfahrensschritt sollte bei einer Temperatur von ca. 15°C bis 40°C mindestens eine Minute laufen. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 ca. 10 Minuten bei einer Temperatur von ca. 25°C einer wässrigen Lösung mit ca. 6,7 Volumen-% H2O2 ausgesetzt. Bei diesem Verfahrensschritt empfiehlt sich ggf. die Anwendung einer Schallenergie mit einer Frequenz von ca. 10 bis 2000 kHz mit einem Energieverlust von ca. 1 bis 10 Watt/cm2. In einer bevorzugten Ausführungsform kommt Schallenergie mit einer Frequenz von ca. 1000 kHz und einem Energieverlust von ca. 5 Watt/cm2 zum Einsatz.
  • Obwohl dies in 1c nicht zu sehen ist, ist ggf. auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 eine höchstens ca. fünf Monoschichten dicke Deckschicht wünschenswert. Zur Bildung einer derartigen Deckschicht können auf die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 ein bis fünf Monoschichten Silizium oder eines anderen Materials gesputtert werden. Zur Bildung eines dielektrischen Deckoxids kann die Deckschicht dann oxidiert werden, zum Beispiel in einem plasmagestützten chemischen Aufdampfverfahren oder in einer ein Oxidationsmittel enthaltenden Lösung.
  • Obwohl in gewissen Fällen die Bildung einer Deckschicht auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 wünschenswert ist, wird beim gezeigten Ausführungsbeispiel die Metallschicht 116 zur Herstellung der Struktur nach 1c direkt auf der Schicht 115 gebildet. Die Metallschicht 116 kann aus einem beliebigen leitfähigen Material bestehen, von dem sich eine Gateelektrode aus Metall ableiten lässt, und kann unter Anwendung von allgemein bekannten PVD- oder CVD-Verfahren auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 gebildet werden. Zu den zur Bildung der Metallschicht 116 geeigneten n-leitenden Materialien gehören u. a. Hafnium, Zirkon, Titan, Tantal, Aluminium und besagte Elemente enthaltende Metallkarbide, d. h. Titankarbid, Zirkonkarbid, Tantalkarbid, Hafniumkarbid und Aluminiumkarbid. Geeignete Beispiele für p-leitende Materialien sind u. a. Ruthen, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel und leitfähige Metalloxide wie z. B. Ruthenoxid. Obwohl hier einige Beispiele für zur Bildung der Metallschicht 116 geeignete Werkstoffe aufgeführt werden, kann diese Schicht auch aus zahlreichen anderen hergestellt werden.
  • Die Metallschicht 116 muss so dick sein, dass darauf gebildetes Material ihre Austrittsarbeit nicht merkbar beeinträchtigen kann. Die Dicke der Metallschicht 116 beträgt vorzugsweise ca. 25 bis 30 nm, und eine Dicke von ca. 25 bis 20 nm ist besonders bevorzugt. Wenn die Metallschicht 116 aus einem n-leitenden Material besteht, hat die Metallschicht 116 vorzugsweise eine Austrittsarbeit von ca. 3,9 eV bis 4,2 eV. Wenn die Metallschicht 116 aus einem p-leitenden Material besteht, hat die Metallschicht 116 vorzugsweise eine Austrittsarbeit von ca. 4,9 eV bis 5,2 eV.
  • Nach der Bildung der Metallschicht 116 auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 wird ein Teil der Metallschicht 116 maskiert. Daraufhin wird der freiliegende Teil der Metallschicht 116 entfernt, und schließlich zur Erzeugung der Struktur nach 1d auch das Maskenmaterial. In dieser Struktur wird auf dem ersten Teil 118 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 die erste Metallschicht 117 so gebildet, dass besagte erste Metallschicht 117 zwar den ersten Teil 118 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 aber nicht den zweiten Teil 119 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 verdeckt. Obwohl beim Maskieren eines Teils der Metallschicht 116 und beim Entfernen des freiliegenden Teil der Schicht konventionelle Verfahren zum Einsatz kommen können, wird erfindungsgemäß, wie unten beschrieben, Aufschleuderglas (sein an glass; „SOG”) als Maskenmaterial verwendet.
  • Im gezeigten Ausführungsbeispiel wird dann eine zweite Metallschicht 120 auf die erste Metallschicht 117 und den freiliegenden zweiten Teil 119 der High-k-Gate- dielektrischen Schicht 115 aufgetragen – woraus sich die in 1e gezeigte Struktur ergibt. Wenn die erste Metallschicht 117 aus einem n-leitenden Metall, d. h. einem der oben genannten n-leitenden Metalle, besteht, besteht die zweite Metallschicht 120 vorzugsweise aus einem p-leitenden Metall, d. h. einem der oben aufgeführten p-leitenden Metalle. Wenn anderenfalls die erste Metallschicht 117 aus einem p-leitenden Material besteht, besteht die zweite Metallschicht 120 vorzugsweise aus einem n-leitenden Material.
  • Die zweite Metallschicht 120 kann auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 und der ersten Metallschicht 117 unter Anwendung eines konventionellen PVD- oder CVD-Verfahrens hergestellt werden und ist vorzugsweise ca. 25 bis 300 Angström dick, wobei eine Dicke von ca. 25 bis 200 Angström besonders bevorzugt wird. Wenn die zweite Metallschicht 120 aus einem n-leitenden Material besteht, hat die Schicht 120 vorzugsweise eine Austrittsarbeit von ca. 3,9 eV bis 4,2 eV. Wenn die zweite Metallschicht 120 aus einem p-leitenden Material besteht, hat die Schicht 120 vorzugsweise eine Austrittsarbeit von ca. 4,9 eV bis 5,2 eV.
  • Im gezeigten Ausführungsbeispiel wird nach dem Auftragen der zweiten Metallschicht 120 auf die Schichten 117 und 115 der Rest der Gräben 113, 114 mit einem leicht polierbaren Material wie z. B. Wolfram, Aluminium, Titan oder Titannitrid gefüllt. Ein derartiges Füllmetall, z. B. das Metall 121, kann unter Anwendung eines konventionellen Metallisierverfahrens auf das ganze Element aufgetragen werden. Das Füllmetall wird dann weg poliert, bis es wie in 1f gezeigt nur mehr die Gräben 113, 114 füllt.
  • Nach dem Entfernen des Füllmaterials 121 abgesehen von den Stellen, wo es die Gräben 113, 114 füllt, kann unter Anwendung eines beliebigen konventionellen Verfahrens eine dielektrische Deckschicht (nicht gezeigt) auf die auf diese Weise entstandene Struktur aufgetragen werden. Die auf das Auftragen der dielektrischen Deckschicht folgenden Verfahrensschritte zur Fertigstellung des Elements, z. B. die Herstellung der Kontakte, der Metallverbindungen und der Passivierungsschicht, sind bekannt und werden hier nicht beschrieben.
  • 2a–2f sind Querschnitte durch Strukturen, die bei der Durchführung der Ausführungsform nach 1a–1f zur Herstellung eines Elements mit pn-Sperrschicht gebildet werden können. Ein derartiges Element kann zum Beispiel ein SRAM für Einsatz bei der Verfahrensentwicklung sein. 2a–2f zeigen Strukturen, die senkrecht zur Ebene der Querschnitte aus 1a–1f orientiert sind. In dieser Hinsicht bilden 2a–2f Querschnitte, die sich aus der Drehung des Elements um 90° aus der in 1a–1f gezeigten Lage ergeben. Wie 1a–1f zeigen, entsprechen 2a–2f den innerhalb des Grabens 113 aufgebauten Strukturen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel zeigt 2a Polysiliziumschichten 104, 122 auf der dielektrischen Schicht 105, die ihrerseits auf dem Substrat 100 liegt. Diese Struktur lässt sich mit den oben beschriebenen Materialien und Verfahrensschritten herstellen. Obwohl hier zwei Polysiliziumschichten zu sehen sind, die unterschiedlich dotiert sein können, kann in alternativen Ausführungsformen eine einzige Polysiliziumschicht auf einer dielektrischen Schicht 105 gebildet werden.
  • Nach der Bildung der Struktur nach 2a werden die Polysiliziumschichten 104, 122 und die dielektrische Schicht 105 unter Anwendung der oben beschriebenen Verfahrensschritte zur Herstellung des in 2b gezeigten Grabens 113 entfernt. Der Graben 113 wird dann zur Herstellung der in 2c gezeigten Struktur mit der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 und der Metallschicht 116 versehen. Da die dabei zur Anwendung kommenden Verfahrensschritte und Werkstoffe bereits beschrieben wurden, erübrigen sich an dieser Stelle weitere Ausführungen.
  • Daraufhin wird ein Teil der Metallschicht 116 maskiert und der freiliegende Teil (mit darauffolgendem Entfernen des Maskenmaterials) entfernt, woraus sich die in 2d gezeigte Struktur ergibt. In dieser Struktur wird die erste Metallschicht 117 so auf dem ersten Teil 118 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 gebildet, dass die erste Metallschicht 117 den ersten Teil 118 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 aber nicht den zweiten Teil 123 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 verdeckt.
  • Wie 2e zeigt, wird dann die zweite Metallschicht 120 auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 und auf der ersten Metallschicht 117 gebildet. Der Rest des Grabens 113 wird mit einem leicht polierbaren Material (z. B. Füllmetall 121) gefüllt. Das Füllmetall wird dann weg poliert, bis es wie in 2f gezeigt nur mehr den Graben 113 füllt. Beim Wegpolieren des Füllmetalls kann ein konventionelles chemisch-mechanisches Polierverfahren zur Anwendung kommen. Die für die Fertigstellung des Elements erforderlichen Verfahrensschritte werden hier nicht beschrieben, denn sie sind allgemein bekannt.
  • In dem in 2a–2f gezeigten Ausführungsbeispiel wird eine erste Metallschicht auf einem ersten Teil der High-k-Gate-dielektrischen Schicht und dann eine zweite Metallschicht auf der ersten Metallschicht und auf einem zweiten Teil der High-k-Gate-dielektrischen Schicht gebildet. Die Metallschichten weisen unterschiedliche Leitfähigkeit auf. Wenn die erste Metallschicht 117 n-leitend ist, ist die zweite Metallschicht 120 p-leitend. Wenn die erste Metallschicht 117 p-leitend ist, ist die zweite Metallschicht 120 n-leitend. Im fertigen Element liegt die pn-Sperrschicht 124 an der Stelle, wo die erste Metallschicht 117 auf die zweite Metallschicht 120 auftrifft.
  • Bei Elementen mit einer Struktur nach 2f kann ein benachbarter Graben (z. B. der Graben 114 aus 1a–1f – in 2f nicht gezeigt) eine umgekehrt orientierte pn-Sperrschicht haben. In einem derartigen Nachbargraben kann die zweite Metallschicht 120 die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 dort kontaktieren, wo in 2f die erste Metallschicht 117 die dielektrische Schicht kontaktiert, während die erste Metallschicht 117 die High-k-Gate-dielektrische Schicht 115 dort kontaktiert, wo in 2f die zweite Metallschicht 120 die dielektrische Schicht kontaktiert.
  • 2a–2f veranschaulichen zwar ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit pn-Sperrschicht, aber aus anderen Ausführungsformen ergeben sich auch Elemente ohne pn-Sperrschicht. In anderen Elementen kann zum Beispiel die in 1f gezeigte Kombination der ersten Metallschicht 117 und der zweiten Metallschicht 120 den Graben 113 über seine ganze Breite verdecken, während die in 1f gezeigte zweite Metallschicht 120 den Graben 114 über seine ganze Breite verdeckt. Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung beschränkt sich daher nicht auf Elemente mit pn-Sperrschicht.
  • 3a–3b sind Querschnitte durch Strukturen, die ggf. bei der Durchführung einer zweiten Ausführungsform des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung gebildet werden. In dieser Ausführungsform wird eine Metallschicht vor dem Ätzen mit einem SOG-Material maskiert. Wie 3a zeigt, kann eine SOG-Schicht 125 auf der ersten Metallschicht 116 gebildet werden. Der erste Teil 126 der SOG-Schicht 125 verdeckt den ersten Teil 118 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115, während der zweite Teil 127 der SOG-Schicht 125 den zweiten Teil 119 der High-k-Gate-dielektrischen Schicht 115 verdeckt. Die Maske 128 (z. B. eine strukturierte Schicht Photoresist) verdeckt den ersten Teil 126 der SOG-Schicht 125. Die SOG-Schicht 125 kann auf die Metallschicht 116 aufgetragen werden und die Maske 128 kann unter Anwendung von konventionellen Verfahren hergestellt werden.
  • Daraufhin wird der zweite Teil 127 der SOG-Schicht 125 entfernt, während der erste Teil 126 der SOG-Schicht 125 erhalten bleibt. Beim Entfernen des zweiten Teils 127 kann ein konventionelles SOG-Ätzverfahren zur Anwendung kommen. Dabei wird Teil 129 der Metallschicht 116 freigelegt. Der freiliegende Teil 129 der Metallschicht 116 wird dann wie in 3b gezeigt entfernt. Nach dem Entfernen des freiliegenden Teils 129, der Maske 128 und des ersten Teils 126 der SOG-Schicht 125 bleibt eine der 1d entsprechende Struktur zurück. Der freiliegende Teil 129, die Maske 128 und der erste Teil 126 können in konventionellen Verfahrensschritten entfernt werden.
  • Der Einsatz eines SOG-Materials als Maskenmaterial im Verfahren nach der vorliegenden Erfindung kann wenigstens aus den folgenden Gründen vorteilhaft sein. Ein SOG-Material kann schmale Gräben füllen, die andere Stoffe wie z. B. Photoresist nicht ausreichend füllen würden. Außerdem lässt sich das SOG-Material mittels herkömmlicher Ätzverfahren entfernen, ohne einen signifikanten Teil der darunter liegenden Metallschicht abzutragen.
  • 4a–4b sind Querschnitte durch Strukturen, die ggf. bei der Durchführung der Ausführungsform nach 3a–3b zur Herstellung eines Elements mit pn-Sperrschicht gebildet werden. Im Verhältnis zu 3a–3b sind 4a–4b ähnlich orientiert wie 2a–2f im Verhältnis zu 1a–1f. Wie 4a zeigt, kann eine SOG-Schicht 125 auf der Metallschicht 116 gebildet werden. Die Maske 128 verdeckt den ersten Teil 126 der SOG-Schicht 125. Der zweite Teil 130 der SOG-Schicht 125 wird entfernt, während der erste Teil 126 der SOG-Schicht 125 erhalten bleibt, wobei Teil 131 der Metallschicht 116 freigelegt wird. Der freiliegende Teil 131 wird dann wie in 4b gezeigt entfernt. Nach dem Entfernen des freiliegenden Teils 131 der Metallschicht 116, der Maske 128 und des ersten Teils 126 der SOG-Schicht 125 kann eine zweite Metallschicht – wie die zweite Metallschicht 120 aus 2e – auf den übrigen Teil der Metallschicht 116 und den angrenzenden freiliegenden Teil der High-k-Gate-dielektrischen Schicht aufgetragen werden, um eine Struktur wie in 2e herzustellen. 4a–4b veranschaulichen zwar eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der eine SOG-Schicht zur Herstellung eines Elements mit pn-Sperrschicht verwendet wird, aber diese Ausführungsform beschränkt sich nicht auf Elemente mit pn-Sperrschicht.
  • Obwohl das in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen nicht erwähnt wird, kann auf der High-k-Gate-dielektrischen Schicht vor der ersten Metallschicht auch eine Unterschicht aus Metall gebildet werden. Diese Unterschicht kann aus einem der oben genannten Metalle bestehen, unter Anwendung eines der oben beschriebenen Verfahrensschritte gebildet werden und ungefähr die selbe Dicke haben wie die High-k-Gate-dielektrische Schicht. Das Material der Unterschicht kann sich von den zur Herstellung der ersten und zweiten Metallschicht verwendeten Materialien unterscheiden oder aber dem für die erste oder zweite Metallschicht verwendeten Material entsprechen.
  • Wie oben erklärt ermöglicht das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung die Herstellung von CMOS Bauelementen mit einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht und Gateelektroden aus Metall und mit für NMOS und PMOS geeigneter Austrittsarbeit. Dieses Verfahren lässt sich ggf. leichter in konventionelle Fertigungsverfahren für Halbleiter integrieren als andere Ersatz-Gateverfahren. Da bei diesem Verfahren die High-k-Gate-dielektrische Schicht innerhalb eines Grabens gebildet wird, kann die unerwünschte seitliche Oxidation der besagten Schicht ausgeschaltet oder wenigstens erheblich reduziert werden. Die oben beschriebenen Ausführungsformen bilden lediglich Beispiele für Verfahren zur Herstellung von CMOS Bauelementen mit einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht und Gateelektroden aus Metall.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements, welches umfaßt: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (105) auf einem Substrat (100); Bilden eines Grabens (113) innerhalb der ersten dielektrischen Schicht (105); Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht (115) auf dem Substrat (100), wobei die zweite dielektrische Schicht (115) einen ersten Teil (118) und einen zweiten Teil (123) umfaßt wobei der erste Teil (118) auf dem Boden des Grabens (113) gebildet ist; Bilden einer Metallschicht auf dem ersten (118) und zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115); Bilden einer Aufschleuderglasschicht auf der Metallschicht, wobei ein erster Teil der Aufschleuderglasschicht den ersten Teil (118) der zweiten dielektrischen Schicht (115) und ein zweiter Teil der Aufschleuderglasschicht den zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) verdeckt; Entfernen des zweiten Teils der Aufschleuderglasschicht unter Beibehaltung des ersten Teils der Aufschleuderglasschicht zum Freilegen eines Teils der Metallschicht; Entfernen des freiliegenden Teils der Metallschicht zum Erzeugen der ersten Metallschicht (117), die den ersten Teil (118) der zweiten dielektrischen Schicht (115) aber nicht den zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) verdeckt; Entfernen des ersten Teils der Aufschleuderglasschicht; und Bilden einer zweiten Metallschicht (120) auf der ersten Metallschicht (117) und auf dem zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115), wobei die zweite Metallschicht (120) die erste Metallschicht (117) und den zweiten Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) verdeckt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite dielektrische Schicht (115) aus einer High-k-Gate-dielektrischen Schicht besteht.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die High-k-Gate-dielektrische Schicht ein Material aus der Gruppe Hafniumoxid, Hafnium-Siliziumoxid, Lanthanoxid, Zirkonoxid, Zirkon-Siliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Barium-Strontium-Titanoxid, Barium-Titanoxid, Strontium-Titanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Blei-Skandium-Titanoxid und Blei-Zinkniobat umfaßt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht (117) ein Material aus der Gruppe Hafnium, Zirkon, Titan, Tantal, Aluminium und Metallkarbid und die zweite Metallschicht ein Material aus der Gruppe Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel und leitfähige Metalloxide umfaßt.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht (117) ein Material aus der Gruppe Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel und leitfähige Metalloxide und die zweite Metallschicht ein Material aus der Gruppe Hafnium, Zirkon, Titan, Tantal, Aluminium und Metallkarbid umfaßt.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste (117) und die zweite Metallschicht (120) jeweils eine Dicke von 2,5 bis 30 Nanometer haben und die erste Metallschicht (117) eine Austrittsarbeit von 3,9 eV bis 4,2 eV und die zweite Metallschicht (120) eine Austrittsarbeit von 4,9 eV bis 5,2 eV hat.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste (117) und die zweite Metallschicht (120) jeweils eine Dicke von 2,5 bis 30 Nanometer haben und die erste Metallschicht (117) eine Austrittsarbeit von 4,9 eV bis 5,2 eV und die zweite Metallschicht (120) eine Austrittsarbeit von 3,9 eV bis 4,2 eV hat.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner ein Bilden eines Füllmetalls (121) innerhalb des Grabens und auf der zweiten Metallschicht umfaßt
  9. Verfahren nach Anspruch 1, welches ferner ein Bilden einer Unterschicht aus Metall auf der zweiten dielektrischen Schicht vor dem Bilden der ersten Metallschicht umfaßt.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Füllmetall (121) ein Material aus der Gruppe Wolfram, Aluminium, Titan oder Titannitrid umfaßt.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der zweite Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) am Boden eines zweiten Grabens gebildet ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Teil (118) der zweiten dielektrischen Schicht (115) an einem ersten Teil des Bodens des Grabens (113) gebildet ist und wobei der zweite Teil (123) der zweiten dielektrischen Schicht (115) an einem zweiten Teil des Bodens des Grabens (113) gebildet ist.
DE112005000854T 2004-04-20 2005-03-31 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall Active DE112005000854B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/828,958 2004-04-20
US10/828,958 US7153784B2 (en) 2004-04-20 2004-04-20 Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode
PCT/US2005/010920 WO2005106950A1 (en) 2004-04-20 2005-03-31 A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112005000854T5 DE112005000854T5 (de) 2007-03-15
DE112005000854B4 true DE112005000854B4 (de) 2009-12-17

Family

ID=34964765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112005000854T Active DE112005000854B4 (de) 2004-04-20 2005-03-31 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7153784B2 (de)
KR (1) KR100838851B1 (de)
CN (2) CN1947242B (de)
DE (1) DE112005000854B4 (de)
TW (1) TWI285956B (de)
WO (1) WO2005106950A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112012003020B4 (de) * 2011-07-20 2020-12-24 International Business Machines Corporation Verfahren zum Herstellen einer Ersatz-Gate-Elektrode mit planaren Austrittsarbeits-Materialschichten

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7153784B2 (en) 2004-04-20 2006-12-26 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode
US7144783B2 (en) * 2004-04-30 2006-12-05 Intel Corporation Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension
US7157378B2 (en) * 2004-07-06 2007-01-02 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode
US7390709B2 (en) 2004-09-08 2008-06-24 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode
US8193641B2 (en) * 2006-05-09 2012-06-05 Intel Corporation Recessed workfunction metal in CMOS transistor gates
US7741230B2 (en) * 2006-08-08 2010-06-22 Intel Corporation Highly-selective metal etchants
US8217435B2 (en) 2006-12-22 2012-07-10 Intel Corporation Floating body memory cell having gates favoring different conductivity type regions
US7682891B2 (en) * 2006-12-28 2010-03-23 Intel Corporation Tunable gate electrode work function material for transistor applications
US20100013009A1 (en) * 2007-12-14 2010-01-21 James Pan Structure and Method for Forming Trench Gate Transistors with Low Gate Resistance
US8030163B2 (en) * 2007-12-26 2011-10-04 Intel Corporation Reducing external resistance of a multi-gate device using spacer processing techniques
US7763943B2 (en) * 2007-12-26 2010-07-27 Intel Corporation Reducing external resistance of a multi-gate device by incorporation of a partial metallic fin
JP5288789B2 (ja) * 2007-12-28 2013-09-11 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20090206404A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Ravi Pillarisetty Reducing external resistance of a multi-gate device by silicidation
US8264048B2 (en) * 2008-02-15 2012-09-11 Intel Corporation Multi-gate device having a T-shaped gate structure
US7838946B2 (en) * 2008-03-28 2010-11-23 United Microelectronics Corp. Method for fabricating semiconductor structure and structure of static random access memory
US8022487B2 (en) * 2008-04-29 2011-09-20 Intel Corporation Increasing body dopant uniformity in multi-gate transistor devices
US7880236B2 (en) * 2008-07-28 2011-02-01 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor circuit including a long channel device and a short channel device
US8304349B2 (en) * 2008-08-18 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to integrate gate etching as all-in-one process for high K metal gate
US8003507B2 (en) * 2008-08-18 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of integrating high-K/metal gate in CMOS process flow
US8349680B2 (en) * 2008-08-21 2013-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High-k metal gate CMOS patterning method
US7776755B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Solution for polymer and capping layer removing with wet dipping in HK metal gate etching process
US7927943B2 (en) 2008-09-12 2011-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for tuning a work function of high-k metal gate devices
US8110877B2 (en) 2008-12-19 2012-02-07 Intel Corporation Metal-insulator-semiconductor tunneling contacts having an insulative layer disposed between source/drain contacts and source/drain regions
US8198685B2 (en) * 2008-12-23 2012-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transistors with metal gate and methods for forming the same
DE102009006802B3 (de) 2009-01-30 2010-06-17 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und Halbleiterbauelement mit Einstellung der Austrittsarbeit in einer Gateelektrodenstruktur mit großem ε nach der Transistorherstellung unter Anwendung von Lanthanum
US7915127B2 (en) * 2009-07-27 2011-03-29 United Microelectronics Corp. Manufacturing method of semiconductor device
US8202780B2 (en) * 2009-07-31 2012-06-19 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a FinFET device comprising a mask to define a gate perimeter and another mask to define fin regions
JP5407645B2 (ja) * 2009-08-04 2014-02-05 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101656443B1 (ko) * 2009-11-20 2016-09-22 삼성전자주식회사 금속 게이트 스택 구조물을 갖는 씨모스 소자
KR101634748B1 (ko) 2009-12-08 2016-07-11 삼성전자주식회사 트랜지스터의 제조방법 및 그를 이용한 집적 회로의 형성방법
US8779530B2 (en) * 2009-12-21 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal gate structure of a field effect transistor
US8436404B2 (en) 2009-12-30 2013-05-07 Intel Corporation Self-aligned contacts
US8836035B2 (en) * 2010-03-10 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for reducing gate resistance
JP2012099517A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8574990B2 (en) 2011-02-24 2013-11-05 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing semiconductor device having metal gate
US8211775B1 (en) 2011-03-09 2012-07-03 United Microelectronics Corp. Method of making transistor having metal gate
US8519487B2 (en) 2011-03-21 2013-08-27 United Microelectronics Corp. Semiconductor device
US8802524B2 (en) 2011-03-22 2014-08-12 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing semiconductor device having metal gates
CN102738083B (zh) * 2011-04-06 2016-05-25 联华电子股份有限公司 具有金属栅极的半导体元件的制作方法
CN102760758A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 联华电子股份有限公司 金属栅极结构
US8704294B2 (en) 2011-06-13 2014-04-22 United Microelectronics Corp. Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof
US20120319198A1 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Chin-Cheng Chien Semiconductor device and fabrication method thereof
KR101692362B1 (ko) * 2011-06-22 2017-01-05 삼성전자 주식회사 식각 정지 절연막을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US8674452B2 (en) 2011-06-24 2014-03-18 United Microelectronics Corp. Semiconductor device with lower metal layer thickness in PMOS region
US8486790B2 (en) 2011-07-18 2013-07-16 United Microelectronics Corp. Manufacturing method for metal gate
US8580625B2 (en) 2011-07-22 2013-11-12 Tsuo-Wen Lu Metal oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same
US8580641B2 (en) 2011-07-26 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS
US8872286B2 (en) 2011-08-22 2014-10-28 United Microelectronics Corp. Metal gate structure and fabrication method thereof
US8477006B2 (en) 2011-08-30 2013-07-02 United Microelectronics Corp. Resistor and manufacturing method thereof
US8765588B2 (en) 2011-09-28 2014-07-01 United Microelectronics Corp. Semiconductor process
US9637810B2 (en) 2011-09-30 2017-05-02 Intel Corporation Tungsten gates for non-planar transistors
DE112011105702T5 (de) 2011-10-01 2014-07-17 Intel Corporation Source-/Drain-Kontakte für nicht planare Transistoren
US8753968B2 (en) * 2011-10-24 2014-06-17 United Microelectronics Corp. Metal gate process
US8658487B2 (en) 2011-11-17 2014-02-25 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and fabrication method thereof
US8709930B2 (en) 2011-11-25 2014-04-29 United Microelectronics Corp. Semiconductor process
US8546212B2 (en) 2011-12-21 2013-10-01 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and fabricating method thereof
US10658361B2 (en) 2011-12-28 2020-05-19 Intel Corporation Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (FINFET) process
US20130187236A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Globalfoundries Inc. Methods of Forming Replacement Gate Structures for Semiconductor Devices
US20130199916A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-08 Empire Technology Development Llc Elongational structures
US8860135B2 (en) 2012-02-21 2014-10-14 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure having aluminum layer with high reflectivity
US9202698B2 (en) * 2012-02-28 2015-12-01 International Business Machines Corporation Replacement gate electrode with multi-thickness conductive metallic nitride layers
US8860181B2 (en) 2012-03-07 2014-10-14 United Microelectronics Corp. Thin film resistor structure
SG10201607609YA (en) * 2012-03-12 2016-10-28 Entegris Inc Methods for the selective removal of ashed spin-on glass
US8951855B2 (en) 2012-04-24 2015-02-10 United Microelectronics Corp. Manufacturing method for semiconductor device having metal gate
US9991375B2 (en) * 2012-05-30 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal gate electrode of a semiconductor device
US8836049B2 (en) 2012-06-13 2014-09-16 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and process thereof
CN103545183B (zh) * 2012-07-12 2016-06-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos器件及其制作方法
US9054172B2 (en) 2012-12-05 2015-06-09 United Microelectrnics Corp. Semiconductor structure having contact plug and method of making the same
US8735269B1 (en) 2013-01-15 2014-05-27 United Microelectronics Corp. Method for forming semiconductor structure having TiN layer
US9129985B2 (en) 2013-03-05 2015-09-08 United Microelectronics Corp. Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof
US9508716B2 (en) * 2013-03-14 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of manufacturing a semiconductor device
US9023708B2 (en) 2013-04-19 2015-05-05 United Microelectronics Corp. Method of forming semiconductor device
US9184254B2 (en) 2013-05-02 2015-11-10 United Microelectronics Corporation Field-effect transistor and fabricating method thereof
US9159798B2 (en) 2013-05-03 2015-10-13 United Microelectronics Corp. Replacement gate process and device manufactured using the same
US9196542B2 (en) 2013-05-22 2015-11-24 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing semiconductor devices
US8921947B1 (en) 2013-06-10 2014-12-30 United Microelectronics Corp. Multi-metal gate semiconductor device having triple diameter metal opening
US9064814B2 (en) 2013-06-19 2015-06-23 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure having metal gate and manufacturing method thereof
KR102066848B1 (ko) * 2013-06-24 2020-01-16 삼성전자 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN104377168A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 中国科学院微电子研究所 半导体器件制造方法
US9384984B2 (en) 2013-09-03 2016-07-05 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and method of forming the same
US9245972B2 (en) 2013-09-03 2016-01-26 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing semiconductor device
US20150069534A1 (en) 2013-09-11 2015-03-12 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and method for fabricating the same
US9196546B2 (en) 2013-09-13 2015-11-24 United Microelectronics Corp. Metal gate transistor
US9281201B2 (en) 2013-09-18 2016-03-08 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing semiconductor device having metal gate
US9318490B2 (en) 2014-01-13 2016-04-19 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US9231071B2 (en) 2014-02-24 2016-01-05 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and manufacturing method of the same
US9634006B2 (en) * 2014-02-28 2017-04-25 International Business Machines Corporation Third type of metal gate stack for CMOS devices
US20180158821A1 (en) * 2016-12-06 2018-06-07 Globalfoundries Inc. Gate structures with low resistance
US10607895B2 (en) * 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
US11527621B2 (en) 2020-08-05 2022-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gate electrode deposition and structure formed thereby
CN115332248A (zh) 2021-05-11 2022-11-11 联华电子股份有限公司 形成半导体元件的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6376888B1 (en) * 1999-04-30 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6410376B1 (en) * 2001-03-02 2002-06-25 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to fabricate dual-metal CMOS transistors for sub-0.1 μm ULSI integration
US6545324B2 (en) * 2000-06-12 2003-04-08 Motorola, Inc. Dual metal gate transistors for CMOS process

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5851412B2 (ja) 1975-03-19 1983-11-16 株式会社日立製作所 半導体装置の微細加工方法
US5690286A (en) * 1995-09-27 1997-11-25 Beloit Technologies, Inc. Refiner disc with localized surface roughness
US6063698A (en) * 1997-06-30 2000-05-16 Motorola, Inc. Method for manufacturing a high dielectric constant gate oxide for use in semiconductor integrated circuits
US6261887B1 (en) 1997-08-28 2001-07-17 Texas Instruments Incorporated Transistors with independently formed gate structures and method
US20020197790A1 (en) 1997-12-22 2002-12-26 Kizilyalli Isik C. Method of making a compound, high-K, gate and capacitor insulator layer
US6291282B1 (en) 1999-02-26 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Method of forming dual metal gate structures or CMOS devices
GB2358737A (en) 1999-03-01 2001-08-01 Nec Corp Methods for manufacturing a complimentary integrated circuit
US6255698B1 (en) * 1999-04-28 2001-07-03 Advanced Micro Devices, Inc. Separately optimized gate structures for n-channel and p-channel transistors in an integrated circuit
JP2001284466A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6184072B1 (en) * 2000-05-17 2001-02-06 Motorola, Inc. Process for forming a high-K gate dielectric
US6303418B1 (en) 2000-06-30 2001-10-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of fabricating CMOS devices featuring dual gate structures and a high dielectric constant gate insulator layer
JP2002118175A (ja) 2000-10-05 2002-04-19 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2002198441A (ja) * 2000-11-16 2002-07-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子のデュアル金属ゲート形成方法
US6475874B2 (en) * 2000-12-07 2002-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Damascene NiSi metal gate high-k transistor
US6544906B2 (en) * 2000-12-21 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Annealing of high-k dielectric materials
US6365450B1 (en) * 2001-03-15 2002-04-02 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of P-channel field effect transistor with minimized degradation of metal oxide gate
KR100399356B1 (ko) 2001-04-11 2003-09-26 삼성전자주식회사 듀얼 게이트를 가지는 씨모스형 반도체 장치 형성 방법
US6514828B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a highly reliable gate oxide
US6642131B2 (en) * 2001-06-21 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a silicon-containing metal-oxide gate dielectric by depositing a high dielectric constant film on a silicon substrate and diffusing silicon from the substrate into the high dielectric constant film
US6420279B1 (en) * 2001-06-28 2002-07-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate
US6573193B2 (en) 2001-08-13 2003-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Ozone-enhanced oxidation for high-k dielectric semiconductor devices
US6797599B2 (en) 2001-08-31 2004-09-28 Texas Instruments Incorporated Gate structure and method
US6667246B2 (en) * 2001-12-04 2003-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wet-etching method and method for manufacturing semiconductor device
US6620713B2 (en) * 2002-01-02 2003-09-16 Intel Corporation Interfacial layer for gate electrode and high-k dielectric layer and methods of fabrication
US6696345B2 (en) * 2002-01-07 2004-02-24 Intel Corporation Metal-gate electrode for CMOS transistor applications
US6794234B2 (en) * 2002-01-30 2004-09-21 The Regents Of The University Of California Dual work function CMOS gate technology based on metal interdiffusion
US6617209B1 (en) * 2002-02-22 2003-09-09 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US20030201121A1 (en) * 2002-04-25 2003-10-30 Pei-Ren Jeng Method of solving the unlanded phenomenon of the via etch
US6794281B2 (en) * 2002-05-20 2004-09-21 Freescale Semiconductor, Inc. Dual metal gate transistors for CMOS process
US6617210B1 (en) * 2002-05-31 2003-09-09 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US6855593B2 (en) * 2002-07-11 2005-02-15 International Rectifier Corporation Trench Schottky barrier diode
CN1476093A (zh) * 2002-08-15 2004-02-18 联华电子股份有限公司 双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法
US6689675B1 (en) 2002-10-31 2004-02-10 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US6858483B2 (en) * 2002-12-20 2005-02-22 Intel Corporation Integrating n-type and p-type metal gate transistors
US6696327B1 (en) * 2003-03-18 2004-02-24 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric
US6856288B2 (en) 2003-04-28 2005-02-15 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Ferrite loaded meander line loaded antenna
US7456476B2 (en) * 2003-06-27 2008-11-25 Intel Corporation Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication
US7044329B2 (en) * 2003-07-21 2006-05-16 Simplehuamn Llc Container for storing and dispensing bags
US6974764B2 (en) * 2003-11-06 2005-12-13 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a metal gate electrode
US7129182B2 (en) * 2003-11-06 2006-10-31 Intel Corporation Method for etching a thin metal layer
US7160767B2 (en) * 2003-12-18 2007-01-09 Intel Corporation Method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode
US7220635B2 (en) 2003-12-19 2007-05-22 Intel Corporation Method for making a semiconductor device with a metal gate electrode that is formed on an annealed high-k gate dielectric layer
US7153734B2 (en) * 2003-12-29 2006-12-26 Intel Corporation CMOS device with metal and silicide gate electrodes and a method for making it
US7183184B2 (en) * 2003-12-29 2007-02-27 Intel Corporation Method for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode
US6893927B1 (en) * 2004-03-22 2005-05-17 Intel Corporation Method for making a semiconductor device with a metal gate electrode
US7208361B2 (en) * 2004-03-24 2007-04-24 Intel Corporation Replacement gate process for making a semiconductor device that includes a metal gate electrode
US7285829B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-23 Intel Corporation Semiconductor device having a laterally modulated gate workfunction and method of fabrication
US7153784B2 (en) 2004-04-20 2006-12-26 Intel Corporation Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode
FR2869512B1 (fr) * 2004-05-03 2006-12-01 Techpack Int Sa Emballage de produits cosmetiques, typiquement un boitier, a fermoir arriere
US20050250258A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Metz Matthew V Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6376888B1 (en) * 1999-04-30 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6545324B2 (en) * 2000-06-12 2003-04-08 Motorola, Inc. Dual metal gate transistors for CMOS process
US6410376B1 (en) * 2001-03-02 2002-06-25 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to fabricate dual-metal CMOS transistors for sub-0.1 μm ULSI integration

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112012003020B4 (de) * 2011-07-20 2020-12-24 International Business Machines Corporation Verfahren zum Herstellen einer Ersatz-Gate-Elektrode mit planaren Austrittsarbeits-Materialschichten

Also Published As

Publication number Publication date
KR100838851B1 (ko) 2008-06-16
DE112005000854T5 (de) 2007-03-15
CN101916771B (zh) 2013-01-23
TW200539277A (en) 2005-12-01
US20080135952A1 (en) 2008-06-12
US7355281B2 (en) 2008-04-08
WO2005106950A1 (en) 2005-11-10
US7153784B2 (en) 2006-12-26
CN1947242A (zh) 2007-04-11
US7671471B2 (en) 2010-03-02
TWI285956B (en) 2007-08-21
US20050233527A1 (en) 2005-10-20
KR20070004046A (ko) 2007-01-05
US20060180878A1 (en) 2006-08-17
CN1947242B (zh) 2010-09-29
CN101916771A (zh) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112005000854B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer High-K-Gate-Dielektrischen Schicht und einer Gateelektrode aus Metall
DE112005002158B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die eine dielektrische Gateschicht mit hohem K und eine Gateelektrode aus Metall aufweist
DE102017126236B3 (de) Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung für Metallgates mit aufgerauter Barrierenschicht
DE112005001593B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer High-K-Gate-Dielektrikumschicht und einer Metall-Gateelektrode
DE102006046374B4 (de) Verfahren zum Reduzieren der Lackvergiftung während des Strukturierens von Siliziumnitridschichten in einem Halbleiterbauelement
DE112007001134B4 (de) Vorrichtung mit ausgespartem Austrittsarbeitsmetall in CMOS-Transistor-Gates und Herstellungsverfahren
DE102009021485B4 (de) Halbleiterbauelement mit Metallgate und einem siliziumenthaltenden Widerstand, der auf einer Isolationsstruktur gebildet ist sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006046381B4 (de) Verfahren zur Verringerung der "Lackvergiftung" während der Strukturierung verspannter stickstoffenthaltender Schichten in einem Halbleiterbauelement
DE102011090163B4 (de) Halbleiterbauelement mit Austauschgateelektrodenstrukturen und selbstjustierten Kontaktelementen, die durch eine späte Kontaktfüllung hergestellt sind und Herstellungsverfahren dafür
DE102007025342B4 (de) Höheres Transistorleistungsvermögen von N-Kanaltransistoren und P-Kanaltransistoren durch Verwenden einer zusätzlichen Schicht über einer Doppelverspannungsschicht
DE102016101844B4 (de) Interconnect-Struktur, Herstellungsverfahren dafür und Halbleitervorrichtung mit einer solchen Interconnect-Struktur
DE102016105520B4 (de) Bildung eines Übergangs mit symmetrischer Erweiterung mit einem Abstandshalter mit niedrigem K und zweifacher epitaxialer Prozess in einer FinFET-Einheit
DE102009039522B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit vergrabener Ätzstoppschicht in Grabenisolationsstrukturen für eine bessere Oberflächenebenheit in dicht gepackten Halbleiterbauelementen
DE102008063402A1 (de) Verringerung der Schwellwertspannungsfluktuation in Transistoren mit einer Kanalhalbleiterlegierung durch Verringern der Abscheideungleichmäßigkeiten
DE102006041006A1 (de) Verfahren zur Strukturierung von Kontaktätzstoppschichten unter Anwendung eines Planarisierungsprozesses
DE112005002350B4 (de) Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit High-k-Gate-Dielektrikumschicht und Silizid-Gate-Elektrode
DE112006001520B4 (de) Prozess für die Herstellung erhabener Source- und Drain-Gebiete mit zu entfernenden Abstandshaltern, wobei "Mausohren" vermieden werden
DE102014119124B4 (de) Halbleitervorrichtungsstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102013112137A1 (de) Verfahren zum Verarbeiten eines Dies
DE102020124234A1 (de) Metallgates und verfahren zu ihrer herstellung
DE102018127329A1 (de) Anti-Dishing-Struktur für eingebetteten Speicher
DE102011090165B4 (de) Erhöhte Integrität von Metallgatestapeln mit großem ε durch Bewahren eines Lackmaterials über Endbereichen von Gateelektrodenstrukturen
DE102004057764B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften, die über einem kristallinen Vollsubstrat angeordnet sind und damit hergestelltes Halbleiterbauelement
DE102018206438B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Kontaktstrukturen
WO2006108827A2 (de) Herstellung von vdmos-transistoren mit optimierter gatekontaktierung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition