[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN102790164B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102790164B
CN102790164B CN201210286813.2A CN201210286813A CN102790164B CN 102790164 B CN102790164 B CN 102790164B CN 201210286813 A CN201210286813 A CN 201210286813A CN 102790164 B CN102790164 B CN 102790164B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting
emitting device
fluophor
fluorophor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210286813.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102790164A (zh
Inventor
增田昌嗣
寺岛贤二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GE Phosphors Technology LLC
Original Assignee
GE Phosphors Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GE Phosphors Technology LLC filed Critical GE Phosphors Technology LLC
Publication of CN102790164A publication Critical patent/CN102790164A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102790164B publication Critical patent/CN102790164B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置(1)，其具有发出一次光的发光元件(2)与波长转化部(3)，所述波长转化部(3)吸收由发光元件(2)发出的一部分一次光，发出具有比一次光的波长长的波长的二次光，所述波长转化部(3)含有绿色系发光荧光体(4)及红色发光荧光体(5)，所述绿色系发光荧光体(4)包括选自下述荧光体中的至少一种：实质上以EuaSibAlcOdNe表示的2价铕激活氧氮化物荧光体以及实质上以2(Ba1‑f‑gMIfEug)O·SiO2表示的2价铕激活硅酸盐荧光体，所述红色系发光荧光体(5)包括选自实质上以MII2(MIII1‑hMnh)F6及/或MIV(MIII1‑hMnh)F6表示4价锰激活氟化4价金属盐荧光体中的至少1种，所述发光装置具有优异的色再现性(NTSC比)。

Description

发光装置
本申请是200980107694.6(国际申请号：PCT/JP2009/052051)的分案申请，原申请的申请日为2009年2月6日，原申请的发明名称为发光装置
技术领域
本发明涉及具有发出一次光的发光元件和波长转化部的发光装置，所述波长转化部吸收由发光元件发出的一部分一次光，并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光。
背景技术
组合了半导体发光元件与荧光体得到的发光装置作为期待低耗电、小型化、高辉度以及广范围的色再现性的次世代发光装置而受到关注，正在积极地进行研究、开发。由发光元件发出的一次光通常使用从长波长的紫外线至蓝色的范围、即380～480nm的光。另外，也提出了使用适合该用途的各种荧光体的波长转化部。
进而，近年，小型液晶显示器(以下为LCD(Liquid Crystal Display))用背光的开发竞争越来越激烈。该领域中，提出了各种方案，但并没有找到同时满足明度和色再现性(NTSC比)的方式。
现在，作为白色的发光装置，主要使用蓝色发光的发光元件(峰波长：450nm左右)与被该蓝色激发并显示黄色发光的被3价铈激活的(Y、Gd)3(Al，Ga)5O12荧光体或被2价的铕激活的(Sr，Ba，Ca)2SiO4荧光体的组合。但是，上述发光装置中，色再现性(NTSC比)为65％左右(CIE1931)。另一方面，近年，在小型LCD中，也要求色再现性更良好的LED。上述背景中，当务之急是改善小型LCD用背光的色再现性(NTSC比)。
作为着眼于LCD的色再现性(NTSC比)的文献，例如有日本专利特开2003-121838号公报(专利文献1)。专利文献1中，记载了下述内容：作为背光光源，在505～535nm的范围具有光谱峰，以及作为用于该光源的绿荧光体的激活剂，含有铕、钨、锡、锑、锰的任一种，进而，作为绿荧光体，实施例中记载有使用MgGa2O4:Mn、Zn2SiO4:Mn。但是，发光元件的峰波长在430～480nm的范围时，含有铕、钨、锡、锑、锰的任一种的荧光体并不全部适用。即，记载于专利文献1的实施例的MgGa2O4:Mn、Zn2SiO4:Mn在430～480nm的范围的激发光下，其发光效率显著降低。
另外，例如日本专利特开2004-287323号公报(专利文献2)中记载，作为背光，除红发光LED芯片、绿发光LED芯片与蓝发光LED芯片组成一组的RGB-LED之外，有3波长型荧光管、紫外光LED+RGB荧光体、有机EL光源等。但是，专利文献2并没有关于以蓝色光为激发源的RG荧光体的具体记载。
另一方面，关于4价的锰激活氟金属盐荧光体，记载在例如US20060169998A1(专利文献3)中。但是，专利文献3中，与高效率的绿色荧光体组合，并未提及其色再现性(NTSC比)。
专利文献1：日本专利特开2003-121838号公报
专利文献2：日本专利特开2004-287323号公报
专利文献3：US20060169998A1
发明内容
本发明是为了解决上述课题而得到的，其目的在于，通过使用利用由发光元件发出的430～480nm的范围的光进行高效率发光的特定的荧光体，提供色再现性(NTSC比)优异的发光装置。
本发明的发光装置具有发出一次光的发光元件和波长转化部，所述波长转化部吸收由发光元件发出的一部分一次光，并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光，所述波长转化部含有绿色系发光荧光体及红色发光荧光体，上述绿色系发光荧光体包括选自实质上以通式(A)：EuaSibAlcOdNe表示的作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物荧光体；以及实质上以通式(B)：2(Ba1-f-gMIfEug)O·SiO2表示的2价铕激活硅酸盐荧光体中的至少一种，
(上述通式(A)中，0.005≤a≤0.4、b+c＝12、d+e＝16。)
(上述通式(B)中，MI表示选自Mg、Ca及Sr中的至少1种碱土类金属元素，0＜f≤0.55，0.03≤g≤0.10。)；
所述红色系发光荧光体包括选自实质上以通式(C)：MII2(MIII1-hMnh)F6表示的4价锰激活氟化4价金属盐荧光体；以及实质上以通式(D)：MIV(MIII1-hMnh)F6表示的4价锰激活氟化4价金属盐荧光体中的至少一种，
(上述通式(C)中，MII表示选自Li、Na、K、Rb及Cs中的至少1种碱金属元素，MIII表示选自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少1种4价金属元素，0.001≤h≤0.1。)
(上述通式(D)中，MIV表示选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的至少一种碱土类金属元素，MIII表示选自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少1种4价金属元素，0.001≤h≤0.1。)
此处，优选MII为K，MIII为Ti。
另外，本发明的发光装置中，优选0.005≤h≤0.05。
另外，本发明的发光装置中，MI优选为Sr。
本发明的发光装置中的发光元件优选为发出峰波长为430～480nm的一次光的氮化镓系半导体。
根据本发明，提供在波长转化部有效地吸收来自发光元件的发光，发出高效率的白色光，并且可以得到色再现性(NTSC比)显著良好的白色光的发光装置。
附图说明
[图1]是示意地表示本发明优选的一例的发光装置1的截面图。
[图2]是表示能用于本发明的发光装置的作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物绿色系发光荧光体的具体一例的发光光谱分布的图。
[图3]是表示能用于本发明的发光装置的2价铕激活硅酸盐荧光体的具体一例的发光光谱分布的图。
[图4]是表示能用于本发明的发光装置的4价锰激活氟化4价金属盐荧光体的具体一例的发光光谱分布的图。
[图5]是表示本发明的优选一例的发光装置的发光光谱分布的图。
[图6]是表示组装本发明的优选一例的发光装置作为背光光源得到的LCD的色再现性的色度图。
[图7]是表示使用黄色系发光荧光体的现有发光装置的发光光谱分布的图。
[图8]是表示组装使用黄色系发光荧光体的现有的发光装置作为背光光源得到的LCD的色再现性的色度图。
符号说明
1发光装置、2发光元件、3波长转化部、4绿色系发光荧光体、5红色系发光荧光体、6密封剂。
具体实施方式
图1是示意地表示本发明的优选一例的发光装置1的截面图。本发明的发光装置1如图1所示，基本上具有发出一次光的发光元件2和波长转化部3，所述波长转化部3吸收由发光元件2发出的一部分一次光，并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光，波长转化部3含有绿色系发光荧光体4及红色系发光荧光体5。图1表示实现波长转化部3的例子，发光元件2、绿色系发光荧光体4及红色系发光荧光体5被密封于密封剂6中，能吸收由发光元件2发出的一部分一次光，并发出具有一次光的波长以上的长度的波长的二次光。本发明的发光装置1中的波长转化部3的特征在于，含有选自以下的(A)作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物荧光体及(B)2价铕激活硅酸盐荧光体中的至少1种作为绿色系发光荧光体4，含有选自以下的2种(C)、(D)4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体中的至少1种作为红色系发光荧光体。
(A)作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物绿色系发光荧光体
该2价的铕激活氧氮化物绿色系发光荧光体实质上以通式(A)：EuaSibAlcOdNe表示(以下，将该2价的铕激活氧氮化物绿色系发光荧光体称为“第1滤色系发光荧光体”。)。通式(A)中，Eu表示铕，Si表示硅，Al表示铝，O表示氧，N表示氮。通式(A)中，表示Eu的组成比(浓度)的a的值为0.005≤a≤0.4。原因在于a的值小于0.005时，得不到充分的明度，另外a的值超过0.4时，由于浓度消光等而明度大幅降低。需要说明的是，从粉体特性的稳定性、母体的均质性来看，上述式中的a值优选为0.01≤a≤0.2。另外，通式(A)中，表示Si的组成比(浓度)的b及表示Al的组成比(浓度)的c是满足b+c＝12的数，表示O的组成比(浓度)的d及表示N的组成比(浓度)的e是满足d+e＝16的数。
作为该第1的绿色系发光荧光体，具体而言，可以举出Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95、Eu0.10Si11.00Al1.00O0.10N15.90、Eu0.30Si9.80Al2.20O0.30N15.70、Eu0.15Si10.00Al2.00O0.20N15.80、Eu0.01Si11.60Al0.40O0.01N15.99、Eu0.005Si11.70Al0.30O0.03N15.97等，但并不限定于此。
(B)2价的铕激活硅酸盐荧光体
该2价的铕激活硅酸盐荧光体实质上以通式(B)：2(Ba1-f-gMIfEug)O·SiO2表示(以下，将该2价的铕激活硅酸盐荧光体称为“第2绿色系发光荧光体”。)。通式(B)中，Ba表示钡，Eu表示铕，O表示氧，Si表示硅。通式(B)中，MI表示选自Mg、Ca及Sr中的至少1种碱土类金属元素，为了得到高效率的母体，MI优选为Sr。通式(B)中，表示MI的组成比(浓度)的f值为0＜f≤0.55，通过将f的值设定在该范围内，可以得到510～540nm的范围的绿色系发光。F的值超过0.55时，得到带有黄色的绿色系发光，色纯度变差。进而，从效率、色纯度的观点来看，f的值优选在0.15≤f≤0.45的范围内。另外，通式(B)中，表示Eu的组成比(浓度)的g值为0.03≤g≤0.10。原因在于g值小于0.03时，得不到充分的明度，另外，g值超过0.10时，由于浓度消光等而明度大幅降低。需要说明的是，从明度及粉体特性的稳定性来看，优选g值在0.04≤g≤0.08的范围内。
作为该第2绿色系发光荧光体，具体地可以举出2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)·SiO2、2(Ba0.57Sr0.38Eu0.05)O·SiO2、2(Ba0.53Sr0.43Eu0.04)O·SiO2、2(Ba0.82Sr0.15Eu0.03)O·SiO2、2(Ba0.46Sr0.49Eu0.05)O·SiO2、2(Ba0.59Sr0.35Eu0.06)O·SiO2、2(Ba0.52Sr0.40Eu0.08)O·SiO2、2(Ba0.85Sr0.10Eu0.05)O·SiO2、2(Ba0.47Sr0.50Eu0.03)O·SiO2、2(Ba0.54Sr0.36Eu0.10)O·SiO2、2(Ba0.69Sr0.25Ca0.02Eu0.04)O·SiO2、2(Ba0.56Sr0.38Mg0.01Eu0.05)O·SiO2、2(Ba0.81Sr0.13Mg0.01Ca0.01Eu0.04)O·SiO2等，但当然不限定于此。
(C)4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体
该4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体实质上以通式(C)：MII2(MIII1-hMnh)F6表示(以下，将该4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体称为“第1红色系发光荧光体”。)。需要说明的是，通式(C)中，Mn表示锰，F表示氟。通式(C)中，MII表示选自Na、K、Rb及Cs中的至少1种碱金属元素，从明度及粉体特性的稳定性来看，MII优选为K。另外，通式(C)中，MIII表示选自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少1种4价金属元素，从明度及粉体特性的稳定性来看，优选MIII为Ti。另外，通式(C)中，表示Mn的组成比(浓度)的h的值为0.001≤h≤0.1。原因在于h的值小于0.001时，有得不到充分的明度的情况，另外，h值超过0.1时，因浓度消光等而具有明度大幅降低的不良情况。从明度及粉体特性的稳定性来看，优选h的值为0.005≤h≤0.5。
作为该第1红色系发光荧光体，具体而言，可以举出K2(Ti0.99Mn0.01)F6、K2(Ti0.9Mn0.1)F6、K2(Ti0.999Mn0.001)F6、Na2(Zr0.98Mn0.02)F6、Cs2(Si0.95Mn0.05)F6、Cs2(Sn0.98Mn0.02)F6、K2(Ti0.88Zr0.10Mn0.02)F6、Na2(Ti0.75Sn0.20Mn0.05)F6、Cs2(Ge0.999Mn0.001)F6、(K0.80Na0.20)2(Ti0.69Ge0.30Mn0.01)F6等，当然并不限定于此。
(D)4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体
该4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体实质上以通式(D)：MIV(MIII1-hMnh)F6表示(以下将该4价的锰激活氟化4价金属盐荧光体称为“第2红色系发光荧光体”。)。需要说明的是，通式(D)中，Mn表示锰，F表示氟。通式(D)中，MIII与上述通式(C)中的MIII相同，表示选自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少一种1种4价金属元素，基于相同的理由，优选MIII为Ti。另外，通式(D)中，MIV表示选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的至少1种碱土类金属元素，从明度及粉体特性的稳定性考虑，优选MIV为Ca。另外，通式(D)中，表示Mn的组成比(浓度)的h值与上述通式(C)中的h相同，为0.001≤h≤0.1，基于相同的理由，优选0.005≤h≤0.5。
作为该第2红色系发光荧光体，具体而言，可以举出Zn(Ti0.98Mn0.02)F6、Ba(Zr0.995Mn0.005)F6、Ca(Ti0.995Mn0.005)F6、Sr(Zr0.98Mn0.02)F6等，当然并不限定于此。
本发明的发光装置中的波长转化部中，含有选自上述(A)作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物荧光体(第1绿色系发光荧光体)及(B)2价铕激活硅酸盐荧光体(第2绿色系发光荧光体)中的至少一种作为绿色系发光荧光体，含有选自上述2种(C)4价锰激活氟化4价金属盐荧光体(第1红色系发光荧光体)及(D)4价锰激活氟化4价金属盐荧光体(第2红色系发光荧光体)中的至少1种作为红色系发光荧光体。需要说明的是，图2表示能用于本发明的发光装置的作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物绿色系发光荧光体的具体的一例(具体的组成：Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95)的发光光谱分布，图3表示能用于本发明的发光装置的2价铕激活硅酸盐荧光体的具体的一例(具体的组成：2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)O·SiO2)的发光光谱分布，图4表示能用于本发明的发光装置的4价锰激活氟化4价金属盐荧光体的具体的一例(具体的组成：K2(Ti0.99Mn0.01)F6)的发光光谱分布。图2～图4所示的发光光谱均是在激发波长450nm下使用荧光分光光度计测定的结果，纵轴为强度(任意单位)，横轴为波长(nm)。
本发明的发光装置中，绿色系发光荧光体与红色系发光荧光体的混合比率没有特别限定，但相对于红色系发光荧光体，优选以重量比在5～70％的范围内的混合比率混合绿色系发光荧光体，较优选在15～45％的范围内的混合比率混合。
此处，图5是表示本发明的优选一例的发光装置(在下述实施例1中制作的发光装置)的发光光谱分布的图，图5中，纵轴为强度(任意单位)，横轴为波长(nm)。另外，图6是表示组装本发明的优选一例的发光装置(下述实施例1中制作的发光装置)为背光光源得到的LCD的色再现性的色度图(CIE1931)。相对于此，图7是表示使用黄色系发光荧光体的现有的发光装置(下述的比较例1中制作的发光装置)的发光光谱分布的图，图8是表示组装该发光装置作为背光光源得到的LCD的色再现性的色度图(CIE1931)。需要说明的是，图5及图7所示的发光装置的发光光谱分布是使用MCPD-2000(大塚电子(株)制)测定的结果，另外，图6及图8所示的色再现性是使用Bm5((株)拓普康(トプコン)制)测定的结果。由图5～图8可知，根据本发明的发光装置，能提供与现有的发光装置不同，在波长转化部有效地吸收来自发光元件的发光，发出高效率的白色光，同时可以得到色再现性(NTSC比)显著良好的白色光的发光装置。需要说明的是，所谓NTSC比，NTSC(National Television System Committee)规定的红、绿、蓝各色的XYZ表色系色度图中的色度座标(x、y)分别为红(0.670，0.330)、绿(0.210，0.710)、蓝(0.140，0.080)，表示相对于连结该红、绿、蓝各自的色度座标得到的三角形的面积的比率。
作为用于上述本发明的发光装置的发光元件，没有特别限定，但可以优选使用发出峰波长为430～480nm(较优选440～480nm)的蓝色区域的一次光的氮化镓(GaN)系半导体作为发光元件。使用峰波长小于430nm的发光元件时，蓝色光成分的作用减小，演色性变差，有可能不实用，另外，使用峰波长超过480nm的发光元件时，白色下的明度降低，有可能不实用。
本发明的发光装置只要具有上述特征，对其他构成就没有特别限定。作为密封剂6，可以使用作为具有透光性的树脂材料的环氧树脂、硅酮树脂、尿素树脂等，但并不限定于此。另外，波长转化部3中除上述荧光体及密封剂以外，当然可以在无损本发明效果的范围含有适当的SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3等添加剂。
需要说明的是，用于本发明的发光装置的上述绿色系发光荧光体、红色系发光荧光体均为公知的物质，能用现有公知的适当的方法制造，或者能作为产品购得。
以下，举出实施例及比较例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。
<实施例1>
如以下所述地制作图1所示例的发光装置1。作为发光元件2，使用450nm处具有峰波长的氮化镓(GaN)系半导体，波长转化部3使用Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95(β型SiAlON)作为绿色系发光荧光体，使用K2(Ti0.99Mn0.01)F6作为红色系发光萤光体。将以30∶70的比例(重量比)混合上述绿色系发光荧光体与红色系发光萤光体得到的物质分散在规定的树脂中(树脂与荧光体的比率为1.00∶0.25)，制作波长转化部。如上所述地制作实施例1的发光装置。
<比较例1>
除将(Y0.40Gd0.45Ce0.15)3Al5O12表示的黄色系发光荧光体用于波长转化部以外，与实施例1相同地操作，制作发光装置。
针对实施例1、比较例1分别得到的发光装置，评价明度、Tc-duv及色再现性(NTSC比)。明度如下求得：在顺电流(IF)为20mA的条件下开灯，将来自发光装置的白色光转化为光电流。另外，关于Tc-duv，在顺电流(IF)为20mA的条件下开灯，用大塚电子(株)制MCPD-2000测定来自发光装置的白色光，求出其值。另外，色再现性(NTSC比)如下求得：组装制作的发光装置作为市售的LCD电视显示器的背光光源，用(株)拓普康制Bm5测定其值。结果示于表1。
[表1]
明度(相对值) Tc-duv 色再现性(NTSC比)
实施例1 96.5％ 8700K+0.002 88.3％
比较例1 100.0％ 8700K+0.002 70.1％
由表1可知，本发明的发光装置与现有产品相比，色再现性(NTSC比)大幅提高，具有作为中、小型LCD用背光理想的特性。
<实施例2>
除使用440nm处具有峰波长的氮化镓(GaN)系半导体作为发光元件2，使用2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)O·SiO2作为绿色系发光荧光体，使用K2(Ti0.996Mn0.005)F6作为红色系发光荧光体以外，与实施例1相同地制作发光装置。
<比较例2>
除在波长转化部使用(Y0.40Gd0.50Ce0.10)3Al5O12表示的黄色系发光荧光体之外，与实施例2相同地制作发光装置。
针对实施例2、比较例2分别得到的发光装置，与上述实施例1、比较例1的装置的情况相同地评价明度、Tc-duv及色再现性(NTSC比)。结果示于表2。
[表2]
明度(相对值) Tc-duv 色再现性(NTSC比)
实施例2 96.1％ 7900K+0.002 88.1％
比较例2 100.0％ 7900K+0.002 69.8％
由表2可知，本发明的发光装置与现有产品相比，色再现性(NTSC比)大幅提高，具有作为中、小型LCD用背光理想的特性。
<实施例3～8、比较例3～8>
除分别使用下述表3所示的发光元件的峰波长及荧光体的组合之外，与实施例1相同地制作实施例3～8及比较例3～8的发光装置，与上述相同地评价明度、Tc-duv及色再现性(NTSC比)。结果也一同示于表3。
[表3]
由表3也可知，本发明的发光装置与现有产品相比，色再现性(NTSC比)大幅提高，具有作为中、小型LCD用背光理想的特性。

Claims (3)

1.一种液晶显示器，其具备作为背光源的发光装置，该发光装置的色温Tc至少包含6800K、7900K、8700K、8800K、9000K、或9500K中的任一色温，
所述发光装置发出白色的光，具有发出一次光的发光元件和波长转化部，所述波长转化部吸收由发光元件发出的一部分一次光，并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光，所述波长转化部含有绿色系发光荧光体及红色发光荧光体，
发光元件是发出峰波长为430～480nm的一次光的氮化镓系半导体，
上述绿色系发光荧光体包括选自以通式(A)：EuaSibA1cOdNe表示的作为β型SiAlON的2价铕激活氧氮化物荧光体；以及以通式(B)：2(Ba1-f-gMIfEug)O·SiO2表示的2价铕激活硅酸盐荧光体中的至少一种，
上述通式(A)中，0.005≦a≦0.4、b+c＝12、d+e＝16，
上述通式(B)中，MI表示选自Mg、Ca及Sr中的至少1种碱土类金属元素，0＜f≦0.55，0.03≦g≦0.10，
所述红色系发光荧光体包括以通式(C)：MII2(MIII1－hMnh)F6表示的4价锰激活氟化4价金属盐荧光体，
上述通式(C)中，MII表示选自Li、Na、K、Rb及Cs中的至少1种碱金属元素，MIII表示选自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少1种4价金属元素，0.001≦h≦0.1，
相对于红色系发光荧光体，以重量比计在15～45％的范围内的混合比率，混合绿色系发光荧光体。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，在波长转化部含有选自SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3中的至少一种添加剂。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，0.005≦h≦0.05。
CN201210286813.2A 2008-03-03 2009-02-06 发光装置 Active CN102790164B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008052210 2008-03-03
JP2008-052210 2008-03-03
CN2009801076946A CN101960624B (zh) 2008-03-03 2009-02-06 发光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801076946A Division CN101960624B (zh) 2008-03-03 2009-02-06 发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102790164A CN102790164A (zh) 2012-11-21
CN102790164B true CN102790164B (zh) 2016-08-10

Family

ID=41055846

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210286813.2A Active CN102790164B (zh) 2008-03-03 2009-02-06 发光装置
CN2009801076946A Active CN101960624B (zh) 2008-03-03 2009-02-06 发光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801076946A Active CN101960624B (zh) 2008-03-03 2009-02-06 发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (6) US8237348B2 (zh)
JP (2) JPWO2009110285A1 (zh)
CN (2) CN102790164B (zh)
TW (3) TWI615995B (zh)
WO (1) WO2009110285A1 (zh)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8214741B2 (en) 2002-03-19 2012-07-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Synchronization of video and data
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
WO2009099211A1 (ja) 2008-02-07 2009-08-13 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体
CN102790164B (zh) 2008-03-03 2016-08-10 Ge磷光体技术有限责任公司 发光装置
US8703016B2 (en) * 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
KR101843216B1 (ko) * 2010-11-22 2018-03-28 우베 고산 가부시키가이샤 높은 발광 특성과 내습성을 나타내는 규산염 형광체 및 발광 장치
JP5864851B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
CN102250611B (zh) * 2011-07-26 2013-09-11 彩虹集团公司 一种硅酸盐绿色荧光粉及其制备方法
US9082349B2 (en) * 2011-08-30 2015-07-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-primary display with active backlight
US10310363B2 (en) 2011-09-22 2019-06-04 Delta Electronics, Inc. Phosphor device with spectrum of converted light comprising at least a color light
TWI448806B (zh) 2011-09-22 2014-08-11 Delta Electronics Inc 螢光劑裝置及其所適用之光源系統及投影設備
US10688527B2 (en) 2011-09-22 2020-06-23 Delta Electronics, Inc. Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
DE102012105208A1 (de) * 2012-06-15 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle
JP5928610B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
WO2014104152A1 (ja) 2012-12-28 2014-07-03 信越化学工業株式会社 発光装置
US9698314B2 (en) 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9580648B2 (en) 2013-03-15 2017-02-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP6165248B2 (ja) * 2013-06-18 2017-07-19 シャープ株式会社 発光装置
US9399732B2 (en) 2013-08-22 2016-07-26 General Electric Company Processes for preparing color stable manganese-doped phosphors
CN105474081B (zh) * 2013-08-23 2018-09-28 夏普株式会社 液晶显示装置
US11041118B2 (en) 2013-08-29 2021-06-22 Nichia Corporation Fluoride fluorescent material and method for producing the same as well as light emitting device using the same
JP6334133B2 (ja) * 2013-10-30 2018-05-30 大日本印刷株式会社 高色域液晶表示装置
US20150123153A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-07 General Electric Company Led package with red-emitting phosphors
CN105706256B (zh) 2013-11-08 2018-03-13 夏普株式会社 发光装置以及照明装置
JP6201665B2 (ja) * 2013-11-13 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法並びに発光装置及びカラーフィルターの選択方法
WO2015089345A1 (en) 2013-12-13 2015-06-18 General Electric Company Processes for preparing color stable manganese-doped complex fluoride phosphors
WO2015098814A1 (ja) 2013-12-26 2015-07-02 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
WO2015114958A1 (ja) 2014-01-28 2015-08-06 シャープ株式会社 発光ダイオード駆動装置及び照明装置
WO2015129743A1 (ja) 2014-02-26 2015-09-03 電気化学工業株式会社 蛍光体、発光素子及び発光装置
CN106029832A (zh) 2014-02-26 2016-10-12 电化株式会社 荧光体、发光元件及发光装置
US10230022B2 (en) 2014-03-13 2019-03-12 General Electric Company Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
JP6394742B2 (ja) * 2014-03-14 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6187509B2 (ja) * 2014-03-14 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9755116B2 (en) 2014-03-14 2017-09-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
KR102164079B1 (ko) * 2014-05-30 2020-10-12 엘지이노텍 주식회사 산질화물계 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지
US9371481B2 (en) 2014-06-12 2016-06-21 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9385282B2 (en) 2014-06-12 2016-07-05 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9376615B2 (en) 2014-06-12 2016-06-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9567516B2 (en) 2014-06-12 2017-02-14 General Electric Company Red-emitting phosphors and associated devices
US9929319B2 (en) 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
KR101809793B1 (ko) 2014-09-30 2017-12-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 불화물 형광체 및 그 제조 방법 및 발광 장치
WO2016056485A1 (ja) * 2014-10-10 2016-04-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
US10047286B2 (en) 2014-10-27 2018-08-14 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
US9982190B2 (en) 2015-02-20 2018-05-29 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP5952938B1 (ja) 2015-04-21 2016-07-13 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
CN106281320A (zh) 2015-05-21 2017-01-04 隆达电子股份有限公司 荧光粉、其制备方法及包含其发光装置与背光模块
JP6100831B2 (ja) * 2015-05-26 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
CN106244143B (zh) 2015-06-04 2019-08-27 隆达电子股份有限公司 具有优选方向的荧光粉、其制备方法及包含其的发光元件封装结构
DE102016111384A1 (de) * 2015-06-29 2016-12-29 Ford Global Technologies, Llc Photolumineszierende Windenvorrichtung
US10381528B2 (en) 2015-08-31 2019-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Image display apparatus
TWI564367B (zh) 2015-11-16 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 氟化物螢光粉、其製備方法及包含其之發光裝置與背光模組
WO2017094832A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
TWI618946B (zh) * 2015-12-22 2018-03-21 Delta Electronics, Inc. 螢光劑裝置及其製造方法
TWI575058B (zh) 2016-01-06 2017-03-21 隆達電子股份有限公司 螢光粉、其製備方法、調控其晶相的方法、及使其產生相轉變的方法
JP6212589B2 (ja) 2016-03-28 2017-10-11 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
US11114591B2 (en) 2016-08-17 2021-09-07 Current Lighting Solutions, Llc Core-shell materials with red-emitting phosphors
TWI652329B (zh) 2016-10-19 2019-03-01 隆達電子股份有限公司 含有片狀結晶體之氟化物螢光粉及其製造方法與應用
TWI615458B (zh) 2016-10-28 2018-02-21 隆達電子股份有限公司 波長轉換膜片及應用其之發光裝置與顯示器
JP6923816B2 (ja) * 2017-01-13 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018137321A (ja) 2017-02-21 2018-08-30 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
WO2018181908A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置及びヘッドマウントディスプレイ
JP6670804B2 (ja) * 2017-08-02 2020-03-25 シャープ株式会社 発光装置及び画像表示装置
US10177287B1 (en) 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors
WO2021185756A1 (de) * 2020-03-16 2021-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoff, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289456A (zh) * 1998-11-30 2001-03-28 通用电气公司 含有磷光体组合物的发光器件

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016A (en) * 1849-01-09 Improvement in corn-planters
JP2003121838A (ja) 2001-08-06 2003-04-23 Toray Ind Inc 液晶表示装置
WO2003080763A1 (en) 2002-03-25 2003-10-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
AU2003238234A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-31 Cree, Inc. Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
JP4124684B2 (ja) 2003-03-25 2008-07-23 セイコーインスツル株式会社 半透過型液晶表示装置
KR100609830B1 (ko) * 2003-04-25 2006-08-09 럭스피아 주식회사 녹색 및 적색형광체를 이용하는 백색 반도체 발광장치
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
EP1980605B1 (en) 2004-04-27 2012-02-22 Panasonic Corporation Light-emitting Device
WO2006001221A1 (en) 2004-06-29 2006-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illumination source
JP2006083219A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
WO2006033239A1 (ja) * 2004-09-22 2006-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP2006165266A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
JP2006261600A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法
JP2007027421A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Harison Toshiba Lighting Corp Ｌｅｄパッケージ及び照明装置
JP2007088300A (ja) 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びに照明装置及び画像表示装置
JP4769132B2 (ja) 2005-11-30 2011-09-07 シャープ株式会社 発光装置
EP2463354B1 (en) * 2005-12-08 2017-03-29 National Institute for Materials Science Phosphor, Process for producing the same, and luminescent device
JP4971630B2 (ja) * 2005-12-21 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに発光装置
KR101096473B1 (ko) 2006-02-02 2011-12-20 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 복합 산질화물 형광체, 그것을 사용한 발광 장치, 화상 표시 장치, 조명 장치 및 형광체 함유 조성물, 그리고 복합산질화물
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2008021868A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合部材
TWI357927B (en) 2006-11-20 2012-02-11 Denki Kagaku Kogyo Kk Fluorescent substance and manufacturing method the
CN102790164B (zh) 2008-03-03 2016-08-10 Ge磷光体技术有限责任公司 发光装置
JP2009280763A (ja) 2008-05-26 2009-12-03 Sharp Corp 蛍光体調製物およびそれを用いた発光装置
CN102656248B (zh) 2010-01-08 2014-07-16 夏普株式会社 荧光体、发光装置及使用它的液晶显示装置
JP4740379B1 (ja) 2010-02-25 2011-08-03 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びβ型サイアロン蛍光体の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289456A (zh) * 1998-11-30 2001-03-28 通用电气公司 含有磷光体组合物的发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20140361332A1 (en) 2014-12-11
US8981639B2 (en) 2015-03-17
JP2014039052A (ja) 2014-02-27
TW201828490A (zh) 2018-08-01
CN101960624A (zh) 2011-01-26
CN102790164A (zh) 2012-11-21
US9184353B2 (en) 2015-11-10
US20120267669A1 (en) 2012-10-25
US20160064627A1 (en) 2016-03-03
US20110043101A1 (en) 2011-02-24
CN101960624B (zh) 2012-09-26
US20150144959A1 (en) 2015-05-28
US8362685B2 (en) 2013-01-29
TWI615995B (zh) 2018-02-21
US20130214311A1 (en) 2013-08-22
TWI456789B (zh) 2014-10-11
US8829781B2 (en) 2014-09-09
TWI655789B (zh) 2019-04-01
JPWO2009110285A1 (ja) 2011-07-14
TW201503406A (zh) 2015-01-16
US9455381B2 (en) 2016-09-27
US8237348B2 (en) 2012-08-07
WO2009110285A1 (ja) 2009-09-11
TW201000617A (en) 2010-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102790164B (zh) 发光装置
US7541728B2 (en) Display device with aluminate-based green phosphors
TWI384292B (zh) Light emitting device
CN101935526B (zh) 荧光体、其制备方法和发光装置
TWI420710B (zh) White light and its use of white light-emitting diode lighting device
CN103311413B (zh) 白色发光装置
EP1447853A1 (en) Semiconductor light emitting element and light emitting device using this
CN108352432A (zh) 用于一般照明及显示器背光的磷光体转换白光发光装置和光致发光化合物
TW200927886A (en) Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+
JP2007180483A (ja) 発光装置
CN109390453B (zh) 发光装置及图像显示装置
JP2009280763A (ja) 蛍光体調製物およびそれを用いた発光装置
US20080061271A1 (en) Green Light Emitting Phosphor
JP2008081631A (ja) 発光装置
WO2016199406A1 (ja) 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
KR100974635B1 (ko) 산황화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 ｌｅｄ와 ｌｅｄ패키지
JP2004123764A (ja) 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光素子
JP2006219636A (ja) 蛍光体及びその製造方法、発光装置
JP2011091414A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160715

Address after: American New York

Applicant after: GE Phosphor Technology Limited Liability Company

Address before: Japan Osaka

Applicant before: Sharp Corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant