JP6165248B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6165248B2 JP6165248B2 JP2015522902A JP2015522902A JP6165248B2 JP 6165248 B2 JP6165248 B2 JP 6165248B2 JP 2015522902 A JP2015522902 A JP 2015522902A JP 2015522902 A JP2015522902 A JP 2015522902A JP 6165248 B2 JP6165248 B2 JP 6165248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- light emitting
- emitting device
- red
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 143
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 36
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 17
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 claims description 11
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- 229910017857 MgGa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 cerium activated phosphor Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
- H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
図1(a)は本発明の第1の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図であり、図1(b)は発光素子6およびワイヤー7を切断するXZ面に平行な要部断面図である。図1(a)においては、接続関係を明瞭にするために、内部を透明化して図示している。図1(a)および図1(b)に示すように、本実施形態に係る発光装置1は、セラミック基板2、配線パターン3(3a,3k)、電極ランド4(4a,4k)、封止樹脂層5、発光素子6、ワイヤー7、印刷抵抗素子8および樹脂ダム9を備える。
セラミック基板2は、たとえば、発光装置1を上側から見たときに(以下「平面視」という)長方形状に形成されている。配線パターン3a,3kは、相互に対向するようにセラミック基板2上に設けられており、スクリーン印刷方法などにより形成される。配線パターン3a,3kのそれぞれは、平面視において、円環からその一部が切り出された形状(円弧形状)を有している。電極ランド4a,4kは、外部接続用(たとえば電源供給用途)の電極であり、Ag−Ptなどからなり、スクリーン印刷方法などにより形成される。電極ランド4aは引き出し用配線を介して配線パターン3aの一端と接続され、電極ランド4kは別の引き出し用配線を介して配線パターン3kの一端と接続されている。
封止樹脂層5は、緑色蛍光体10および第1赤色蛍光体11が透明樹脂に一様に分散されたものであり、発光素子6の上であって円環状に形成された樹脂ダム9の内側に設けられている。このような封止樹脂層5は、次に示す方法にしたがって形成可能である。緑色蛍光体10および第1赤色蛍光体11を透明樹脂に一様に混合する。得られた混合樹脂を樹脂ダム9の内側に注入して熱処理を行なう。この熱処理により透明樹脂が硬化され、よって、発光素子6、緑色蛍光体10および第1赤色蛍光体11が封止される。
第1赤色蛍光体11は、発光素子6から放射された1次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第1赤色蛍光体11は、700nm以上の波長範囲内において発光せず、且つ、550nm以上600nm以下の波長範囲内において光吸収がない。「第1赤色蛍光体11が700nm以上の波長範囲内において発光せず」とは、300K以上の温度において、700nm以上の波長範囲内における第1赤色蛍光体11の発光強度がピーク発光波長における第1赤色蛍光体11の発光強度の1/100倍以下であることを意味する。「第1赤色蛍光体11が550nm以上600nm以下の波長範囲内において光吸収がない」とは、300K以上の温度において、550nm以上600nm以下の波長範囲内における第1赤色蛍光体11の励起スペクトルの積分値が、430nm以上480nm以下の波長範囲内における第1赤色蛍光体11の励起スペクトルの積分値の1/100倍以下であることを意味する。なお、励起スペクトルの測定波長は、第1赤色蛍光体11のピーク波長とする。「赤色領域」とは、本明細書では、波長が580nm以上700nm未満である領域を意味する。
緑色蛍光体10は、発光素子6から放射された1次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。緑色蛍光体10は、一般式(B):(M3)3-xCex(M4)5O12(一般式(B)において、(M3)はY、Lu、GdおよびLaのうちの少なくとも1つを表わし、(M4)はAlおよびGaのうちの少なくとも1つを表わし、Ceの組成比(濃度)を示すxは0.005≦x≦0.20を満たす)で表わされる蛍光体、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce系蛍光体、一般式EuaSibAlcOdNe(aは0.005≦a≦0.4を満たし、bおよびcはb+c=12を満たし、dおよびeはd+e=16を満たす)で表わされるβ型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体、一般式(C):(M5)2-xEuxSiO4(一般式において、(M5)はMg、Ca、SrおよびBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.03≦x≦0.10を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体、および、La3-xCexSi6N11(xは0.01<x≦0.2を満たす)で表わされる3価のセリウム賦活蛍光体のうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。「緑色領域」は波長が500nm以上580nm以下の領域を意味する。
発光素子6は、430nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する。ピーク発光波長が430nm未満の発光素子6を用いた場合には、発光装置からの光に対する青色光の成分の寄与率が低くなるので、演色性の悪化を招き、よって、発光装置の実用性の低下を招くことがある。ピーク発光波長が480nmを超える発光素子6を用いた場合には、発光装置の実用性の低下を招くことがある。特に、InGaN系の発光素子では量子効率が低下するので、発光装置の実用性の低下は顕著である。
印刷抵抗素子8は、静電耐圧を高める目的で設けられている。図1に示すように、印刷抵抗素子8は、配線パターン3aの一端と配線パターン3kの一端とを接続するように配置され、円環からその一部が切り出された形状(円弧形状)を有している。
樹脂ダム9は、封止樹脂層5を堰き止めるための樹脂であり、有着色材料(白色や乳白色が好ましい)で構成されている。樹脂ダム9は、図1(a)および図1(b)に示すように、配線パターン3と印刷抵抗素子8とで形成される円環部分を覆うように形成されることが好ましい。
図2(a)は本発明の第2の実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図であり、図2(b)は発光素子6およびワイヤー7を切断するXZ面に平行な要部断面図である。図2(a)においては、接続関係を明瞭にするために、内部を透明化して図示している。
第2赤色蛍光体12は、発光素子6から放射された1次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第2赤色蛍光体12は、たとえば、上述した(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体またはCaAlSiN3:Eu系蛍光体などであっても良いが、一般式(D):(M6)2-xEuxSi5N8(一般式(D)において、(M6)は、Mg、Ca、SrおよびBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.01≦x≦0.30を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体であっても良いし、一般式(E):(Eua(M7)1-a)xSibAlcOdNe(一般式(E)において、xは0.15≦x≦1.5を満たし、aは0≦a≦1を満たし、bおよびcはb+c=12を満たし、dおよびeはd+e=16を満たし、(M7)はLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、LaおよびGdのうちの少なくとも1つを表わす)で表されるα型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体であっても良い。
実施例1の発光装置は、赤色蛍光体として4価のマンガン賦活フッ化4価金属塩蛍光体(K2SiF6:Mn)と(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体とCaAlSiN3:Eu系蛍光体とを含み、緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体を含んでいた。実施例1の発光装置の特性の評価結果は、図4および表1に示すとおりである。図4は、実施例1の発光装置の発光スペクトル分布を示すグラフである。図4の縦軸は規格化強度(単位は任意)を表わし、その横軸は波長(nm)を表わす。
比較例1の発光装置は、赤色蛍光体としてCaAlSiN3:Eu系蛍光体のみを含み、緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体を含んでいた。比較例1の発光装置の特性の評価結果は、図5および表1に示すとおりである。図5は、比較例1の発光装置の発光スペクトル分布を示すグラフである。図5の縦軸は規格化強度(単位は任意)を表わし、その横軸は波長(nm)を表わす。
比較例2の発光装置は、赤色蛍光体として(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体とCaAlSiN3:Eu系蛍光体とを含み、緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体を含んでいた。比較例2の発光装置の特性の評価結果は、図6および表1に示すとおりである。図6は、比較例2の発光装置の発光スペクトル分布を示すグラフである。図6の縦軸は規格化強度(単位は任意)を表わし、その横軸は波長(nm)を表わす。
実施例1、比較例1および比較例2では、視感効率および演色性を比較するという目的で、色度座標(x,y)が揃うように各々の蛍光体の含有量を調整した。表1からわかるように、ほぼ同等の色度座標(x,y)において、実施例1では、比較例1に対しては平均演色評価数Raを維持しながら発光効率が約13%程度向上していることがわかり、比較例2に対しては発光効率を維持しながら平均演色評価数Ra及び特殊演色評価数R9(赤色)が飛躍的に向上していることがわかる。
図1または図2に示す発光装置1は、基板2と、基板2上に配置された配線パターン3、電極ランド4、封止樹脂層5、ワイヤー7および樹脂ダム9と、430nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1つの発光素子6と、発光素子6から放射された1次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する緑色蛍光体10と、1次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1赤色蛍光体11とを備える。第1赤色蛍光体11は、700nm以上の波長範囲内において発光せず、且つ、550nm以上600nm以下の波長範囲内において光吸収がない。これにより、視感度の悪い領域での発光成分が少なくなる。また、第1赤色蛍光体11が緑色蛍光体10からの二次光を吸収することを防止することができる。
Claims (3)
- 少なくとも1つの発光素子を有し、前記発光素子が緑色蛍光体および赤色蛍光体を含有する封止樹脂層に覆われている発光装置であって、430nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する前記発光素子と、
前記発光素子から放射された1次光によって励起され、500nm以上580nm以下の波長範囲である緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する緑色蛍光体と、
前記1次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1赤色蛍光体とを備え、
前記第1赤色蛍光体は、700nm以上の波長範囲内において発光せず、且つ、550nm以上600nm以下の波長範囲内において光吸収がなく、
前記第1赤色蛍光体は、一般式(A):(M1)2((M2)1-hMnh)F6(前記一般式(A)において、(M1)はLi、Na、K、RbおよびCsのうちの少なくとも1つのアルカリ金属元素を表わし、(M2)はGe、Si、Sn、TiおよびZrのうちの少なくとも1つの4価の金属元素を表わし、hは0.001≦h≦0.1を満たす)で表される4価のマンガン賦活フッ化4価金属塩蛍光体の少なくとも1つを含み、
前記1次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2赤色蛍光体をさらに含有し、
前記第2赤色蛍光体は、(Sr,Ca)AlSiN 3 :Eu系蛍光体、CaAlSiN 3 :Eu系蛍光体、および、一般式(E):(Eu a (M7) 1-a ) x Si b Al c O d N e (前記一般式(E)において、xは0.15≦x≦1.5を満たし、aは0≦a≦1を満たし、bおよびcはb+c=12を満たし、dおよびeはd+e=16を満たし、(M7)はLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、LaおよびGdのうちの少なくとも1つを表わす)で表される2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体のうち1種類または複数種類を含み、
前記緑色蛍光体は、一般式(B):(M3) 3-x Ce x (M4) 5 O 12 (前記一般式(B)において、(M3)はY、Lu、GdおよびLaのうちの少なくとも1つを表わし、(M4)はAlおよびGaの少なくとも1つを表わし、xは0.005≦x≦0.20を満たす)で表わされる蛍光体である、発光装置。」 - 前記一般式(A)において、(M1)はKを表わし、(M2)はSiを表わす、請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、InGaN系LEDチップであり、
前記発光装置は、白色系の光を発する、請求項1または2に記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013127554 | 2013-06-18 | ||
JP2013127554 | 2013-06-18 | ||
PCT/JP2014/065846 WO2014203841A1 (ja) | 2013-06-18 | 2014-06-16 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014203841A1 JPWO2014203841A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6165248B2 true JP6165248B2 (ja) | 2017-07-19 |
Family
ID=52104575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015522902A Expired - Fee Related JP6165248B2 (ja) | 2013-06-18 | 2014-06-16 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10084119B2 (ja) |
JP (1) | JP6165248B2 (ja) |
CN (1) | CN105324860A (ja) |
WO (1) | WO2014203841A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9614130B2 (en) * | 2013-11-08 | 2017-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and illumination device |
KR102261952B1 (ko) * | 2014-08-26 | 2021-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
EP3546544B1 (en) | 2014-10-08 | 2024-05-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
EP3270429B1 (en) * | 2015-03-13 | 2020-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
CN107431112B (zh) * | 2015-04-03 | 2020-01-10 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
JP6622002B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-12-18 | デンカ株式会社 | 赤色蛍光体及び発光装置 |
WO2017002781A1 (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | シャープ株式会社 | 表示装置及びテレビ受信装置 |
JP6384468B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2018-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6866580B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2021-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源 |
JP6669147B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN107987832B (zh) * | 2017-03-22 | 2021-03-19 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种红外发光材料及包含其的发光装置 |
CN108048079A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-18 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种红色荧光粉、白光发光二极管及背光模组 |
WO2020210740A1 (en) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | PixelDisplay Inc. | Method and apparatus of a multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP2003121838A (ja) | 2001-08-06 | 2003-04-23 | Toray Ind Inc | 液晶表示装置 |
US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
JP5216330B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2013-06-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線源および発光物質を含む照明系 |
WO2009008250A1 (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | 蛍光体粒子群およびそれを用いた発光装置 |
US8237348B2 (en) * | 2008-03-03 | 2012-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
WO2010002015A1 (ja) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | ソニー株式会社 | 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置 |
JP2010196049A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
JP5864851B2 (ja) | 2010-12-09 | 2016-02-17 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP5840540B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-01-06 | 株式会社東芝 | 白色照明装置 |
EP2883249B1 (en) * | 2012-08-10 | 2019-10-09 | Lumileds Holding B.V. | A phosphor converted light emitting diode, a lamp and a luminaire |
CN102994079A (zh) | 2012-12-21 | 2013-03-27 | 北京有色金属研究总院 | 氮氧化物橙-红色荧光物质,包括其的发光膜或发光片及发光器件 |
US9871173B2 (en) * | 2015-06-18 | 2018-01-16 | Cree, Inc. | Light emitting devices having closely-spaced broad-spectrum and narrow-spectrum luminescent materials and related methods |
-
2014
- 2014-06-16 US US14/899,748 patent/US10084119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 CN CN201480034576.8A patent/CN105324860A/zh active Pending
- 2014-06-16 WO PCT/JP2014/065846 patent/WO2014203841A1/ja active Application Filing
- 2014-06-16 JP JP2015522902A patent/JP6165248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014203841A1 (ja) | 2017-02-23 |
US10084119B2 (en) | 2018-09-25 |
CN105324860A (zh) | 2016-02-10 |
WO2014203841A1 (ja) | 2014-12-24 |
US20160149095A1 (en) | 2016-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6165248B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5864851B2 (ja) | 発光装置 | |
CN108352432B (zh) | 用于一般照明及显示器背光的磷光体转换白光发光装置和光致发光化合物 | |
TWI655789B (zh) | 發光裝置 | |
JP5777520B2 (ja) | 白色発光ランプおよびそれを用いた白色led照明装置 | |
JP6275829B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI489659B (zh) | 白色發光裝置 | |
JP5732059B2 (ja) | Led電球 | |
US10374133B2 (en) | Light emitting apparatus with two primary lighting peaks | |
TW200849669A (en) | White light-emitting lamp and illuminating device using the same | |
JP5918827B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5300935B2 (ja) | Led電球 | |
JP6106307B2 (ja) | 発光装置、並びに、当該発光装置を用いた照明器具及び表示装置 | |
JP6405738B2 (ja) | 発光装置 | |
AU2015284080B2 (en) | Oxyfluoride phosphor compositions and lighting apparatus thereof | |
JP5921631B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2015183084A (ja) | 紫光励起用蛍光体、該蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、該発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置 | |
JP6583201B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170418 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6165248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |