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CN104205400B - 用于有机电子器件的基板 - Google Patents

用于有机电子器件的基板 Download PDF

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CN104205400B
CN104205400B CN201380015612.1A CN201380015612A CN104205400B CN 104205400 B CN104205400 B CN 104205400B CN 201380015612 A CN201380015612 A CN 201380015612A CN 104205400 B CN104205400 B CN 104205400B
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Abstract

本发明涉及一种用于有机电子器件的基板、一种有机电子设备、一种制造所述基板或所述设备的方法、以及一种照明设备。本申请的用于有机电子器件的基板例如可用于制造一种有机电子设备，其防止外界物质例如湿气和氧气渗入，且具有增加的耐久性和优异的光提取效率。另外，通过使用所述基板，封装结构用于密封有机电子设备，所述基板可稳定地粘附于所述封装结构，能够制造在电极层被磨损或从外部施加压力的环境下具有优异的耐久性的器件。并且有机电子设备的外部端子部的表面硬度可保持在合适的水平。

Description

用于有机电子器件的基板
技术领域
本申请涉及用于有机电子器件的基板、有机电子设备、制造所述设备或所述基板的方法、以及照明设备。
背景技术
有机电子器件(OED；Organic Electronic Device)是一种包括至少一个能够传导电流的有机材料层的器件。有机电子器件的类型包括有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)或有机晶体管等。
有机发光器件，作为有机电子器件的代表，通常依次包括基板、第一电极层、有机层和第二电极层。在一种已知为底部发光器件(bottom emitting device)的结构中，第一电极层可形成为透明电极层，且第二电极层可形成为反射电极层。在一种已知为顶部发光器件(top emitting device)的结构中，第一电极层可形成为反射电极层，且第二电极层可形成为透明电极层。由电极层注入的电子(electron)和空穴(hole)在存在于有机层的发光层中重新结合(recombination)以产生光子。对于底部发光器件，光子可向基板侧发射，而对于顶部发光器件，光子可向第二电极层侧发射。在有机发光器件结构中，通常用作透明电极层的铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)、有机层和通常为玻璃的基板的折射率分别为约2.0、1.8、1.5。由于这些折射率之间的关系，例如，底部发光器件的发光层中产生的光子可被介于有机层和第一电极层的界面中或基板中的全内反射(total internalreflection)现象等而捕获(trap)，因此，仅发射极少量的光子。
有机发光器件中应考虑的另一重要问题在于耐久性。由于有机层或电极层等极易被湿气或氧气等的外界物质氧化，因此确保对环境因素的耐久性是非常重要的。为此，例如，对比文件1至4等提出可阻止外界物质侵入的结构。
现有技术文献：
专利文献
专利文献1：美国专利第6,226,890号
专利文献2：美国专利第6,808,828号
专利文献3：日本公开专利第2000-145627号
专利文献4：日本公开专利第2001-252505号
发明内容
技术问题
本发明提供一种用于有机电子器件的基板、有机电子设备、制造所述基板或设备的方法以及照明设备。
技术方案
用于有机电子器件的示例性的基板包括基础层、光学功能层、及电极层。如上所述，光学功能层和电极层可依次层叠于基础层上，因此，光学功能层可位于基础层和电极层之间。图1和图2示出示例性的基板，其中，光学功能层103和电极层102依次形成于基础层101上。所述光学功能层可以具有与所述基础层相比小的投影面积，电极层可以具有与所述光学功能层相比大的投影面积。本说明书中使用的术语“投影面积”是指，从所述基板表面的法线方向的上方观察基板时可分辨的对象物的投影面积，例如，所述基础层、光学功能层、电极层、或后述的中间层的面积。因此，例如，由于光学功能层的表面形成为凹-凸形状等，因此，在所述光学功能层的实际表面积比电极层大的情况下，若从上方观察所述光学功能层时可分辨的面积与从上方观察所述电极层时可分辨的面积相比更小，则解释为所述光学功能层具有与所述电极层相比小的投影面积。
若光学功能层的投影面积比基础层小，且其投影面积比电极层小，则光学功能层可以以各种形态存在。例如，如图1所示，光学功能层103可以仅在不包括基础层101的外围的区域形成，或如图2所述，光学功能层103可以在基础层101的外围上部分地保留。
图3是示出从上方观察图1中的基板的示例性实施方案的示意图。如图3所示，从上方观察基板时可以分辨的电极层的面积(A)，即电极层的投影面积(A)大于位于电极层下部的光学功能层的投影面积(B)。电极层投影面积(A)与所述光学功能层的投影面积(B)之比值(A/B)可以为例如1.04以上、1.06以上、1.08以上、1.1以上、1.15以上。若光学功能层的投影面积与所述电极层的投影面积相比小时，则可以实现后述的光学功能层不暴露在外部的结构，因此，所述投影面积的比值(A/B)的上限不作特别限制。考虑到基板的一般制作环境，所述比值(A/B)的上限可以为，例如约2.0、约1.5、约1.4、约1.3、约1.25。在所述基板中，电极层还可形成于未形成光学功能层的所述基础层的上方。所述电极层以接触所述基础层的方式形成，或在与基础层之间包括附加的元件如后述的中间层等的方式形成。通过上述方式，在制造有机电子器件时，所述结构中的光学功能层不暴露于外界环境。
例如，如图3所示，电极层可以为在从上方观察时还在超过光学功能层的全部外围的区域形成。此时，例如，如图2所示，在基础层上存在多个光学功能层的情况下，电极层可形成至超过至少一个光学功能层的全部外围的区域，例如，如下所述，光学功能层为例如包括至少一个其上待形成有机层的光学功能层。例如，如果在图2结构的右侧和左侧的光学功能层上也将形成有机层，则图2的结构可发生变化，以使电极层通过延伸至光学功能层的右侧和左侧而形成至超过位于所述右侧和左侧的光学功能层的全部外围的区域。在上述结构中，光学功能层不暴露于外部的结构，可通过将后述的封装结构附着于在下方未形成光学功能层的电极层或形成导电层而形成。
光学功能层的投影面积与电极层的投影面积不相同，电极层也形成在未形成有光学功能层的基础层的上方的情况下，通过在未形成有光学功能层的基础层上形成的电极层(下面，可简称为基础层上的电极层)和在光学功能层上形成的电极层(下面，可简称为光学功能层上的电极层)的界面的高度差(例如，在图1中以附图标记X表示的区域中的高度差)，可能会导致增加电极层的电阻。在使用所述基板而制造有机电子设备的情况下，这种电阻的增加可能会导致使施加于所述设备的电压上升，由此产生降低效率的问题。因此，考虑到这种问题，需要将在所述光学功能层上形成的电极层和在未形成有所述光学功能层的基础层上形成的电极层之间的电阻调节在适当的范围内。例如，以平行于在所述光学功能层上形成的电极层和在未形成所述光学功能层的基础层上形成的电极层的界面的方式，在所述界面两侧的规定距离形成平行电极，在所述两个平行电极之间测量的电阻率(resistivity)为：8.5Ω·cm至20Ω·cm、8.5Ω·cm至15Ω·cm、8.5Ω·cm至13Ω·cm、或9Ω·cm至12Ω·cm的程度。本说明书中使用的术语“电阻率”是指以如下方式测量的电阻值。即，首先，切割用于有机电子器件的基板而制作试样。例如，如图4所示，试样可以形成平行电极401而制作，其中平行电极401是以在光学功能层上形成的电极层1022和在未形成有光学功能层的基础层上形成的电极层1021的界面为基准，横向长度(D1+D2，D1＝D2)为3mm、纵向长度(D4)为10mm程度的平行电极401。如上所述的平行电极与待测量的电极层1021、1022相比，可以以面电阻低10倍以上的物质形成，例如，可以使用银焊膏而形成，其横向长度(D3)为约3mm或3mm以上。接着，在该平行电极401连接电阻测量仪402后，通过所述测量仪402可以测量电阻率。即，所述电阻率是，在所述平行电极401之间测量的电阻除以所述平行电极401间的宽度的数值。上述的长度方向是电流流动的方向，即为垂直于所述平行电极的长度方向的方向，宽度方向是指与所述平行电极平行的方向。另一方面，对在形成有所述高度差的电极层上用所述方法测量的电阻率值(R1)和不具有高度差而平坦地形成的电极层，以相同的方式测量的电阻率值(R2)的差(R1-R2)例如为，10Ω·cm以下、9Ω·cm以下、7Ω·cm以下、或5Ω·cm以下。所述电阻值的差(R1-R2)，其数值越小越优选，并且其下限没有特别的限定。
在所述基板中，对将电极层间的电阻调节在所述范围的方法没有特别的限定。作为一种方法，例如，可以示出调节所述光学功能层和电极层的厚度的方法。上述的电极层的厚度是指，在未形成有光学功能层的基础层上形成的电极层的厚度。通过适当地调节所述光学功能层和电极层的厚度，能够调节电极层间的电阻。例如，在所述基板中，所述光学功能层的厚度(T1)和在未形成有所述光学功能层的基础层的上方形成的电极层的厚度(T2)的比值(T1/T2)为，约3至15、约4至12、或约5至10。上述的光学功能层及电极层的厚度是指各自的平均厚度。若在上述范围内适当地调节所述比值(T1/T2)，则能够调节电极层间的电阻。
在所述基板中，所述基础层上的电极层可以具有6H以上、7H以上、或8H以上的铅笔硬度。如下所述，所述基础层上的电极层与封装结构等一同可以形成光学功能层不暴露于外部的结构，另外，在如有机电子设备等器件中可以与外部电源等连接。由于电极层可能会持续地被磨损或暴露在压力环境中，因此，为了制造电连接等稳定的器件，需要高耐久性。若基础层上的电极层具有上述范围内的铅笔硬度，则能够实现在被持续磨损或暴露在压力环境下具有优异的耐久性的结构。另外，铅笔硬度越高，能够制造出在被持续磨损或暴露于环境下具有越优异的耐久性的结构，因此，对所述铅笔硬度的上限没有特别的限制。例如，常用的所述铅笔硬度的上限可以是10H或9H左右。在所述基板，所述光学功能层上的电极层与所述基础层上的电极层可以具有互不相同的铅笔硬度。例如，在所述基板中，基础层上的电极层可以具有上述范围内的铅笔硬度，光学功能层上的电极层可以具有2B至5H、1H至5H、或1H至4H程度的铅笔硬度。本说明书中的铅笔硬度是，根据ASTM D3363，以500g的铅笔荷重和250mm/min的铅笔移动速度来测量的。
就所述基板而言，例如，还可以包括均与所述光学功能层上的电极层及所述基础层上的电极层电连接的导电层。图5示出一种基板的示例性实施方案，其中基板进一步包含导电物质，导电物质501通过均与基础层上的电极层1021和光学功能层上的电极层1022这两者物理接触而实现电连接。本说明书中使用的术语“电连接”是指，在所连接的对象之间电流可以流动的所有的连接状态。若导电物质以如上方式形成，则如上所述，能够解决在基础层上的电极层和光学功能层上的电极层的界面的高度差所产生的电极层的电阻增加的问题，从而不局限在上述的光学功能层的厚度和基础层上的电极层厚度的调节等方面，能够更加自由地制造基板。另外，由于存在导电物质，因此能够更加有效地制造光学功能层未暴露于外部的结构。所述导电物质的种类，只要是能够与所述电极层电连接的，就没有特别的限制，例如，能够使用多种电子产品领域中所使用的电极材料。例如，所述导电物质能够使用银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钼(Mo)、或铝(Al)等金属电极材料等。在所述基板中，在存在有与所述电极层电连接的导电物质的状态下所测量的所述电阻率可以为，例如，1Ω·cm至8.5Ω·cm、1Ω·cm至8.0Ω·cm、或1Ω·cm至7.7Ω·cm。所述电阻除了在存在有与电极层电连接的导电物质的状态下进行测量之外，可以与上述内容用相同的方式进行测量。
所述基板还包括，例如，在所述光学功能层与所述电极层之间存在的中间层。就所述中间层而言，例如，与所述光学功能层相比具有更大的投影面积，另外可以形成在所述光学功能层的上方及未形成有所述光学功能层的基础层的上方。图6示出基板的示例性实施方案，其中基板还包括以如上所述的方案形成的中间层601。如上所述的中间层，使在由所述光学功能层而形成的光学功能层上的电极层和基础层上的电极层的界面的高度差缩小，从而解决电极层的电阻增加的问题。另外，作为所述中间层使用势垒层，即使用水分或湿气的透过率低的物质，则能够更加有效地制造光学功能层未暴露于外部的结构。所述中间层可以是，例如，与所述电极层的折射率之差的绝对值约为1以下、0.7以下、0.5以下、或0.3以下的层。若以如上方式调节折射率，则例如在电极层的上方产生的光，在所述电极层和中间层的界面等被捕获，从而能够防止光提取效率的下降。上述的中间层或电极层的折射率是对550nm程度的波长的光进行测量的折射率。形成所述中间层的物质是，具有与如上所述的电极层的折射率的关系，根据需要，可以是具有势垒性的物质。这种物质已被公知，例如，SiON、TiO2、SiO2、Al2O3、Ta2O3、Ti3O3、TiO、ZrO2、Nb2O3、CeO2、或ZnS等。所述中间层使用如上所述的物质，例如通过沉积法或湿涂法等方法形成。对中间层的厚度没有特别的限制，例如，可以在约10nm至100nm、或约20nm至80nm的范围内。所述厚度是指平均厚度，例如，在光学功能层上形成的中间层和在基础层上形成的中间层可能具有互不相同的厚度。
在所述基板中，作为基础层，可以无特别限制地使用合适的材料。例如，当用于底部发光(bottom emission)器件时，可使用透明基础层，例如使用相对于可见光区域的光的透光率为50％以上的基础层。作为透明基础层，可列举玻璃基础层或透明聚合物基础层等。玻璃基础层的实例可包括钠钙玻璃、含有钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃或石英等基础层，聚合物基础层的实例可包括含有聚酰亚胺(Pl，polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，Polyethylene naphthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，poly(ethylenetrephthatle))、聚醚硫化物(PES，poly(ether sulfide))或聚砜(PS，polysulfone)等的基础层，但不限于此。根据需要，基础层可为具有用于驱动的TFT的TFT基板。如果将基板用于顶部发光(top emission)器件，则基础层无需必须为透明基础层。根据需要，可在基础层的表面等形成例如由铝形成的反射层。例如，如上所述，需要将基础层上的电极层的铅笔硬度维持在高水平的情况下，能够使用如玻璃基础层等的具有刚性的基础层。
所述基板中，电极层可为用于制造有机电子器件的常规的空穴注入或电子注入电极层。
空穴注入电极层例如可使用功函数(work fuction)相对较高的材料形成，根据需要，可使用透明材料形成。例如，空穴注入电极层可包括功函数为至少约4.0eV的金属、合金、导电化合物或这些的至少两种的混合物。这类材料的实例包括金属，如金；CuI；氧化物材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂铝或铟的氧化锌、氧化镁铟、氧化镍钨、ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物，如氮化镓；金属硒化物，如硒化锌；和金属硫化物，如硫化锌。此外，透明空穴注入电极层可用金属薄层和高折射透明材料的层叠体形成，所述金属例如Au、Ag或Cu，所述高折射透明材料如ZnS、TiO2或ITO。
空穴注入电极层可通过任意方法形成，所述方法例如沉积法、喷溅法、化学沉积法或电化学方法。此外，根据需要，形成的电极层可通过已知的技术例如光刻法或荫罩法形成图案。
透明电子注入电极层可用例如功函数相对较小的透明材料形成，例如，可以使用上述用于形成所述空穴注入电极层的合适的材料，但不限于此。电子注入电极层还可以通过例如沉积法或喷溅法形成，并且，根据需要，可适当地形成图案。
对如上所述的电极层的厚度没有特别的限定，但考虑到上述的电极层间的电阻等，例如，可以具有约90nm至200nm、90nm至180nm、或约90nm至150nm的厚度而形成。
在所述基板中，对位于电极层和基础层之间的光学功能层的种类没有特别的限制。由于光学功能层位于电极层和基础层之间，至少发挥一种光学功能，因此，能够使用如有机电子设备等能够提高器件功能的任意种类的层。通常情况下，就这种光学功能层而言，由于对从外部渗入的水分或湿气等物质的耐久性下降，因此在制造器件后可能会提供所述水分或湿气等向器件内部渗入的路径，从而对器件的性能产生恶劣影响。但是，由于在所述基板的结构中的光学功能层或电极层等的投影面积和形成位置、或者导电物质或中间层等的存在，在制造器件时，可以制造所述光学功能层未暴露于外部的结构，由此，能够制造耐久性优异的器件。
光学功能层的一个例子可以例举出光散射层。本申请中使用的“光散射层”是指例如以如下方式形成的所有类型的层:能够散射、折射或衍射入射至所述光学功能层的光，并且能够消除或减少从所述电极层方向入射的光被基础层、光散射层、及电极层中的任意两层之间的界面被捕获的现象。只要光散射层可以具有上述功能，就不对所述光散射层的实施方案作特别的限制。
例如，光散射层可为包括基体材料和散射区域的层。图7示出光散射层的示例性实施方案，其中光散射层包括用散射粒子形成的散射区域702及基体材料701，并且所述光散射层形成于基础层101处。本说明书中使用的术语“散射区域”可以指例如折射率与周围材料不同且尺寸合适的区域，因而可以散射、折射或衍射入射光，所述周围材料为例如基体材料或在下文中描述的平整层(planarization layer)。所述散射区域可为例如具有如上所述的折射率和尺寸的颗粒，或者可以为空置空间。例如，散射区域可用颗粒形成，所述颗粒的折射率与周围材料不同且高于或低于周围材料的折射率。散射颗粒的折射率与周围材料例如所述基体材料及/或平整层的折射率之差可以大于0.3或为0.3以上。例如，散射颗粒的折射率可为约1.0至3.5或1.0至3.0。术语“折射率”是指以波长为约550nm的光测定的折射率。散射颗粒的折射率可以例如在1.0至1.6的范围内或在1.0至1.3的范围内。在另一个实施方案中，散射颗粒的折射率可以在约2.0至3.5的范围内或在2.2至3.0的范围内。散射颗粒的实例可包括平均粒径为至少50nm、至少100nm、至少500nm或至少1,000nm的颗粒。散射颗粒的平均粒径可以为例如10,000nm以下。散射区域还可由空间形成，所述空间具有上述大小并填充有空气而作为空置空间。
散射颗粒或散射区域可为球形、椭圆形或多面体，或者可以为不定形的，但不对散射颗粒的形状作特别限定。散射颗粒的实例可包括例如颗粒：例如，有机材料，如聚苯乙烯或其衍生物，丙烯酸树脂或其衍生物，硅树脂或其衍生物，酚醛树脂或其衍生物；或无机材料，如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆。散射颗粒可包括任一种或至少两种上述材料而形成。例如，中空颗粒如中空二氧化硅(hollow silica)或芯/壳结构的颗粒可用作散射颗粒。
光散射层还可包括基体材料，从而保持散射区域，例如散射颗粒形成的散射区域。基体材料可例如由折射率近似于或高于相邻材料例如基础层的折射率的材料形成。例如，可用作基体材料的为有机材料和无机材料或有机-无机复合材料，所述有机材料为聚酰亚胺、含有芴环的卡多树脂(cardo resin)、聚氨酯、环氧树脂、聚酯或丙烯酸酯基热固化或光固化单体、低聚物或聚合物，所述无机材料例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或聚硅氧烷。
基体材料可包括聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。其中，聚硅氧烷可例如通过可缩合的硅烷化合物或硅氧烷低聚物的缩聚生成，从而形成基于硅氧键(Si-O)的基体材料。通过调节基体材料形成过程中的缩合条件，聚硅氧烷可形成为仅基于硅氧键(Si-O)的材料，或包括部分残留的有机基团例如烷基或可缩合的官能团例如烷氧基。
例如，可使用相对于波长为633nm的光的折射率为约1.5以上、约1.6以上、约1.65以上或约1.7以上的聚酰胺酸或聚酰亚胺。这种高折射率的聚酰胺酸或聚酰亚胺可例如使用引入除氟以外的卤原子、硫原子或磷原子的单体而制备。例如，可使用这样的聚酰胺酸，其因存在可连接至颗粒的位点例如羧基而可以增加颗粒的分散稳定性。聚酰胺酸可使用包括化学式1的重复单元的化合物。
在化学式1中，n为正数。
所述重复单元可任选地被至少一个取代基取代。取代基的实例可包括除氟以外的卤原子、苯基、苄基、萘基或含卤原子、硫原子或磷原子的官能团，例如硫代苯基。
聚酰胺酸可为由化学式1的重复单元形成的共聚物，或为包括除化学式1的重复单元以外的其他单元的嵌段共聚物或无规共聚物。对于共聚物，例如其他单元的种类和比例可适当地选择，条件是其不影响最终的折射率、耐热性或透光率。
下述化学式2的重复单元可为化学式1重复单元的具体示例。
在化学式2中，n为正数。
例如，聚酰胺酸的重均分子量可为约10,000至100,000或约10,000至50,000，所述重均分子量以聚苯乙烯为内标使用凝胶渗透色谱(GPC)测定。含有化学式1的重复单元的聚酰胺酸在可见光区域的透光率为至少80％、至少85％或至少90％，并且具有超高的耐热性。
光散射层可为例如具有凹-凸结构的层。图8示出在基础层101上形成的具有凹-凸结构的光散射层801的示例性实施方案的示意图。入射光可通过适当地控制光散射层的凹-凸结构而发生散射。具有凹-凸结构的光散射层可例如通过如下方式制造：使热固化或光固化材料在与模具接触的情况下固化，所述模具可在固化过程中转印最终的凹-凸结构；或者，预先形成用于形成光散射层的材料层，随后通过刻蚀过程形成凹-凸结构。或者，光散射层可通过将具有合适粒径和形状的颗粒结合至形成光散射层的粘合剂而形成。此情况下，所述颗粒不必具有散射功能，然而，也可不作限制地使用具有散射功能的颗粒。
光散射层可例如通过如下方式形成：通过湿涂法(wet coating)涂覆材料，通过加热、光辐射或使用溶胶-凝胶法使材料固化，或通过沉积法例如化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)，或通过纳米压印或微热压。
根据需要，光散射层还可包括高折射颗粒。术语“高折射颗粒”可以指例如折射率为至少1.5、至少2.0、至少2.5、至少2.6或至少2.7的颗粒。可例如在合适的范围内选择高折射颗粒的折射率上限，以满足光散射层的最终折射率。高折射颗粒的平均粒径可例如小于所述散射颗粒的平均粒径。高散射颗粒的平均粒径可为约1nm至100nm、10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至70nm、10nm至60nm、10nm至50nm或10nm至45nm。高折射颗粒的实例可包括氧化铝、铝硅酸盐、氧化钛或氧化锆。例如，金红石型二氧化钛可用作折射率为至少2.5的高折射颗粒。金红石型二氧化钛的折射率高于其他颗粒的折射率，这样，即使以相对较小的比值也可以实现对最终折射率的控制。所述高折射颗粒的折射率可以为对波长为550nm的光进行测量的折射率。
光学功能层例如是，包括所述光散射层及形成在所述光散射层的上方的平整层的层。平整层可以以对应于所述光散射层的投影面积而形成。本说明书中使用的术语“具有对应于A的投影面积的B”可以指“A”的投影面积和“B”的投影面积基本相同的情况，以从上方观察基板时可分辨的面积为基准，另有说明除外。术语“基本相同”可包括例如两个区域的投影面积因工艺误差等因素而产生非常小的差值的情况。例如，“A”的投影面积(AA)与具有对应于所述“A”的投影面积的“B”的投影面积(BA)的比值(AA/BA)在0.5至1.5、0.7至1.3、0.85至1.15的范围内或基本为1的情况下可包括在上述情况中。当进一步存在有平整层时，所述光散射层和平整层可存在于所述基础层和电极层之间，所述电极层的投影面积可大于所述光散射层和平整层的投影面积，且所述电极层可形成于未形成所述光散射层和平整层的所述基础层的表面上。然而，平整层并非必须存在的，例如，在光散射层自身平整地形成时，可以省略平整层。
平整层可提供例如电极层可形成于光散射层之上的表面，并且可通过与光散射层之间的相互作用而提供更高的光提取效率。平整层的折射率可例如等于相邻电极层的折射率。平整层的折射率可为例如约1.7以上、1.8至3.5或2.2至3.0。当平整层形成于具有上述凹-凸结构的光散射层之上时，所述平整层可形成为折射率与所述光散射层的折射率不同的层。
平整层可例如通过将上述高折射颗粒与基体材料混合的方法形成。例如，所述基体材料可使用在所述光散射层的部分描述的基体材料。
在另一实施方案中，平整层可使用化合物与含有极性基团如羰基或羟基的粘合剂结合的材料，所述化合物例如金属醇盐或金属酰化物，所述金属如锆、钛或铯。所述化合物例如醇盐或酰化物可与粘合剂中的极性基团通过缩合而发生反应，并可通过向粘合剂骨架中引入所述金属而实现高折射率。所述醇盐或酰化物的实例可包括例如钛醇盐，如四正丁醇钛、四异丙醇钛、四正丙醇钛或四乙醇钛；酰化钛，如硬脂酸钛；钛螯合物；锆醇盐，如四正丁醇锆、四正丙醇锆、四异丙醇锆或四乙醇锆；酰化锆，如硬脂酸三丁醇锆；以及锆螯合物。平整层可通过溶胶-凝胶法涂覆形成，其中，通过将金属醇盐例如钛醇盐或锆醇盐与溶剂例如醇或水结合制造涂料溶液，并在施用涂料溶液之后，在合适的温度下烧结所述涂料溶液。
对如上所述的光学功能性的厚度没有特别的限定，但考虑到上述的电极层间的电阻等，例如，能够具有约500nm至1,000nm、约500nm至900nm、或约500nm至800nm的厚度而形成。
本申请还涉及有机电子设备。示例性的有机电子设备可包括：用于有机电子器件的基板；在所述基板的电极层上形成的有机层；及在所述有机层上形成的电极层。为了区分各电极层，将在用于有机电子器件的基板上形成的电极层称为第一电极层，将在所述有机层上形成的电极层称为第二电极层。在包括所述基板的有机电子设备中第一电极层的投影面积大于所述基板的光学功能层的投影面积，所述电极层可以在未形成有所述光学功能层的所述的基础层的表面上形成。
所述有机层可包括至少一层发光层。例如，如第一电极层为透明的且第二电极层为反射电极层，则可得到如下的底部发光器件：在有机层的发光层中产生的光子通过光散射层向基础层侧发射。
有机电子设备中的光学功能层的投影面积可例如对应于或大于发光层的发光区域的投影面积。例如，光学功能层的形成区域的长度(B)与发光层的发光区域的长度(C)之差(B-C)可在约10μm至约2mm的范围内。在上述实施方案中，光学功能层的形成区域的长度(B)为从上方观察光学功能层时可辨别的区域中的任一方向的长度，此情况下，发光区域的长度(C)也可以指在与所述光学功能层的形成区域的长度(B)方向相同的方向上测量的长度，基于从上方观察发光区域时可辨别的区域计。光学功能层还可在对应于所述发光区域的位置形成。本文中使用的术语“在对应于发光区域的位置形成的光学功能层”可指例如在从上方或下部观察有机电子设备时，发光区域和光学功能层基本上彼此重叠的情况。
在一实施方案中，有机电子器件可为有机发光器件(OLED)。对于有机发光器件，所述有机电子器件可具有例如如下结构：包括至少一层发光层的有机层介于空穴注入电极层与电子注入电极层之间。例如，如果基板中的电极层为空穴注入电极层，则第二电极层可为电子注入电极层，相反地，如果基板中的电极层为电子注入电极层，则第二电极层为空穴注入电极层。
位于电子注入电极层和空穴注入电极层之间的有机层可包括至少一层发光层。有机层可包括多层即至少两层发光层。如果包括至少两层发光层，则发光层可具有如下结构：发光层由具有电荷生成性能的中间电极层或电荷生成层(CGL)分隔。
发光层可例如使用各种本领域已知的荧光或磷光有机材料形成。用于发光层的材料的实例包括Alq型材料，例如三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alq3)、4-MAlq3或Gaq3等的Alq系列材料；C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺环-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、环戊二烯(cyclopenadiene)衍生物例如PPCP(1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯)、DPVBi(4,4’-二(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-联苯)、二苯乙烯基苯或其衍生物或DCJTB(4-(二氰基亚甲基)-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃)(，4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-e nyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP、NPAMLI；或磷光材料，例如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、FIrppy(面式-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]合铱(III))(,fac-tris[2-(4,5’-difluorophenyl)pyridine-C’2,N]iridium(III))或Btp2Ir(acac)(二(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)合铱(乙酰丙酮))(bis(2-(2’-bonzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’)iridium(acetylactonate))，但不限于此。发光层可具有主体-掺杂(host-dopant)体系，所述主体-掺杂体系包括所述材料作为主体，且包括苝(perylene)、二苯乙烯基联苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)、BTX、ABTX、DCJTB等作为掺杂体。
发光层可适当使用电子接收有机化合物或电子给予有机化合物中合适类型的表现出发光性能的物质形成，所述电子接收有机化合物或电子给予有机化合物将在下文中描述。
有机层可用还包括本领域已知的其他功能性层的各种结构形成，条件是其包括发光层。可包括在有机层中的所述层的实例可包括电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层。
电子注入层或电子传输层可例如使用电子接收有机化合物(electron acceptingorganic compound)形成。任何已知的化合物均可无特定限制地用作电子接收有机化合物。所述有机化合物的实例可包括：多环化合物或其衍生物，例如对三联苯或四联苯；多环烃类化合物或其衍生物，例如萘、稠四苯、芘、六苯并苯、、蒽、二苯基蒽、并四苯或菲；和杂环化合物或其衍生物，例如邻二氮杂菲、红菲绕啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪。此外，可用在低折射层中的电子接收有机化合物还有：荧光素、苝、酞苝(phthaloperylene)、萘并苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthahloperynone)、萘并苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛连氮、双苯并噁唑啉、联苯乙烯、吡嗪、环戊二烯、8-羟基喹啉、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、多甲炔、部花青(merocyanine)、喹吖酮或红荧烯或其衍生物；日本特开第1988-295695号公报、日本特开第1996-22557号公报、日本特开第1996-81472号公报、日本特开第1993-009470号公报或日本特开第1993-017764号公报等公开的金属螯合络合化合物，例如金属螯合化oxanoid化合物(metal chelate oxanoid compound)，如三(8-羟基喹啉)铝、二(8-羟基喹啉)镁、二[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌、二(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓或二(5-氯-8-羟基喹啉)钙，其为含有最少一个8-羟基喹啉或其衍生物配位体的金属络合物；日本特开第1993-202011号公报、日本特开第1995-179394号公报、日本特开第1995-278124或公报或日本特开第1995-228579号公报等公开的噁二唑化合物；日本特开第1995-157473号公报等公开的三嗪化合物；日本特开第1994-203963号公报等公开的茋衍生物或二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物；日本特开第1994-132080号公报或日本特开第1994-88072号公报等公开的苯乙烯基衍生物；日本特开第1994-100857号公报或日本特开第1994-207170号公报等公开的二烯烃衍生物；荧光增白剂，如苯并噁唑化合物、苯并噻唑化合物或苯并咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物，如1,4-二(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-二(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-二(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-二(2-乙基苯乙烯基)苯、1,4-二(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-二(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-二(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-二(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-二(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-二[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-二(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-二[2-(4-联苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-二[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二甲川(dimethylidine)化合物或其衍生物，如1,4-亚苯基二甲川、4,4’-亚苯基二甲川、2,5-二甲苯二甲川、2,6-亚萘基二甲川、1,4-亚联苯基二甲川、1,4-对-亚苯基二甲川、9,10-蒽二基甲川、4,4’-(2,2-二-叔-丁基苯基乙烯基)联苯、4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)联苯；日本特开第1994-49079号公报或日本特开第1994-293778号公报等公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；日本特开第1994-279322号公报或日本特开第1994-279323号公报等公开的多官能苯乙烯基化合物；日本特开第1994-107648号公报或日本特开第1994-092947号公报等公开的噁二唑衍生物；日本特开第1994-206865号公报等公开的蒽化合物；日本特开第1994-145146号公报等公开的oxynate衍生物；日本特开第1992-96990号公报等公开的四苯基丁二烯化合物；日本特开第1991-296595号公报等公开的有机三官能化合物；日本特开第1990-191694号公报等公开的香豆素衍生物；日本特开第1990-196885号公报等公开的苝衍生物；日本特开第1990-255789号公报等公开的萘衍生物；日本特开第1990-289676号公报或日本特开第1990-88689号公报等公开的酞苝酮衍生物；或日本特开第1990-250292号公报等公开的苯乙烯基胺衍生物。此外，在上述物质中，电子注入层可例如使用LiF或CsF形成。
空穴阻挡层为阻挡从空穴注入电极层注入的空穴穿过发光层而进入电子注入电极层，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层，并且，根据需要，空穴阻挡层可以使用已知材料形成于发光层与电子注入电极层之间的适当部分。
空穴注入层或空穴传输层可包括例如电子给予有机化合物(electron donatingorganic compound)。电子给予有机化合物的代表实例包括芳胺化合物，如N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基联苯、2,2-二(4-二-对-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’-二氨基联苯、二(4-二-对-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二(二苯基氨基)四联苯、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基茋(stilbenzene)、N-苯基咔唑、1,1-二(4-二-对-三氨基苯基)环己烷、1,1-二(4-二-对-三氨基苯基)-4-苯基环己烷、二(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(对-甲苯基)胺、4-(二-对-甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯N-苯基咔唑、4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯、4,4’-二[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1,5-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-二[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对-三联苯、4,4’-二[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-二[N-(1-六苯并苯基(coronenyl))-N-苯基氨基]联苯、2,6-二(二-对-甲苯基氨基)萘、2,6-二[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-二[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4’-二[N,N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4,4’-二{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、4,4’-二[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2,6-二[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴、4,4’-二(N,N-二-对-甲苯基氨基)三联苯和二(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本申请不限于此。
空穴注入层或空穴传输层可通过将所述有机化合物分散在聚合物中形成，或使用源自所述有机化合物的聚合物形成。此外，可以使用所谓的π-共轭聚合物例如聚对苯乙(polyparaphenylenevinylene)及其衍生物、空穴传输非共轭聚合物例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
空穴传输层可使用金属酞菁化合物例如酞菁铜、非金属酞菁化合物、碳膜或导电聚合物例如聚苯胺形成，或通过所述芳胺化合物作为氧化剂与Lewis酸反应形成。
根据示例性的实施方案，有机发光器件可具有的层为如下顺序的结构：(1)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入电极层；(2)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入电极层；(3)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(4)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(5)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/电子注入电极层；(6)空穴注入电极层/有机半导体层/电子势垒层(electron barrier layer)/有机发光层/电子注入电极层；(7)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/粘合增强层/电子注入电极层；(8)空穴注入电极层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(9)空穴注入电极层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(10)空穴注入电极层/无机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(11)空穴注入电极层/有机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(12)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层或(13)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层，且根据情况，所述结构包括有机层，所述有机层中至少两层位于空穴注入电极层和电子注入电极层之间的有机发光层由具有电荷生成性能的中间电极层或电荷生成层(CGL)分隔，但本申请不限于此。
用于形成空穴注入电极层或电子注入电极层和有机层例如发光层、电子注入层或电子传输层、空穴注入层或空穴传输层的各种材料以及用于形成上述层的方法为本领域已知的，且例如，有机电子设备可以用与上述方法相同的方式制造。
有机电子设备还可包括封装结构。所述封装结构可为防止外界物质例如湿气和氧气进入有机电子设备的有机层的保护结构。所述封装结构可为例如罐，如玻璃罐或金属罐；或覆盖有机层整个表面的薄膜。
图9示出示例性实施方案的示意图，其中，形成于基板之上的有机层901(所述基板依次包括基础层101、光学功能层103和第一电极层102)和第二电极层902通过具有罐结构的封装结构903得到保护，所述罐结构例如玻璃罐或金属罐。如图9所示，封装结构903可例如通过粘合剂904粘附于基板。封装结构可粘附于例如下方基板中未形成光学功能层的电极层。例如，如图9所示，封装结构903可通过粘合剂904粘附于基板的端部。通过此方式，可使封装结构的保护效果最大化。
封装结构可为例如覆盖有机层和第二电极层的整个表面的薄膜。图10示出示例性实施方案的示意图，其中，封装结构1001呈覆盖在有机层901和第二电极层902整个表面的薄膜形式。例如，如图10所示，薄膜形式的封装结构1001可覆盖有机层901和第二电极层902的整个表面，且可将包括基础层101、光学功能层103和电极层102的基板粘结至第二基板1002，所述第二基板1002位于基板的上方。在上述实施方案中，第二基板的实例可包括例如玻璃基板、金属基板、聚合物薄膜或势垒(barrier)层。薄膜形式的封装结构可例如通过如下方式形成：使用通过热或紫外(UV)光辐照固化的液相材料并使其固化，例如环氧树脂；或使用粘合片等将基板和上部基板层压在一起，所述粘合片使用环氧树脂等制成薄膜的形式。
根据需要，封装结构可包括吸湿剂或吸气剂，例如金属氧化物，如氧化钙或氧化铍；金属卤化物，如氯化钙；或五氧化磷。吸湿剂或吸气剂可例如包括于薄膜形式的封装结构内部，或包括于罐结构的封装结构的规定位置处。此外，封装结构还可包括势垒膜或导电膜。
如图9或图10所示，所述封装结构可粘附于例如未在下方形成光学功能层的第一电极层的上方。因此，可获得所述光学功能层未曝露于外界环境的封闭结构。所述封闭结构是指例如如下一种状态：光学功能层的整个面均被基础层、电极层及/或封装结构包围，或者被形成为包括基础层、电极层及/或封装结构的封闭结构包围，由此光学功能层不曝露于外界环境。封闭结构可仅由基础层、电极层及/或封装结构形成，或者还可包括除基础层、电极层及/或封装结构之外的其他元件，条件是形成封闭结构以使光学功能层不曝露于外界环境。例如，在图9或图10中，其他元件可位于基础层101和电极102相接触的部分，或位于第一电极层102和封装结构903、1001相接触的部分，或位于其他位置。其他元件的实例可包括低蒸汽渗透有机材料、无机材料或有机-无机复合材料，或绝缘层或辅助电极。
本申请还涉及制造用于有机电子器件的基板的方法或制造有机电子器件的方法。示例性方法可包括在基础层上形成光学功能层的方法，包括使所述光学功能层具有与所述基础层相比小的投影面积的处理的工艺。这种工艺，例如用于至少去除形成在基础层上的光学功能层的一部分。光学功能层可通过所述处理，例如仅在与发光区域对应的位置形成图案(patterning)。
例如，如图11所示，在基础层101的整个表面上形成光学功能层103之后，可移除至少一部分形成的光学功能层103。对在基础层上形成光学功能层的方法没有特别的限制，可根据本发明的光学功能层的实施方案使用常规的方法。例如，光学功能层可通过上述涂覆法、沉积法例如化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)或纳米压印法或微热压法形成。
对移除形成于基础层之上的至少一部分光学功能层的方法无特别限制，且可根据形成的光学功能层类型使用合适的方法。
例如，可使用湿法刻蚀或干法刻蚀移除所述层，所述湿法刻蚀或干法刻蚀中，用可溶解光学功能层的刻蚀液移除光学功能层。
在另一个实施方案中，光学功能层可通过激光处理移除。例如，移除可通过在基础层上形成光学功能层之后借助辐照激光进行。激光可例如从形成光学功能层的一面辐照，或者，如基础层为透明的，也可从基础层的一面辐照。可使用任何类型的激光，条件是其可具有合适的输出以移除光学功能层。例如，可用作激光器的有光纤半导体激光器(fiberdiode laser)或红宝石(Cr3+:Al2O3)激光器、YAG(Nd3+:Y3Al5O12)激光器、磷酸盐玻璃(phosphate glass)激光器、硅酸盐(silicate glass)玻璃激光器或YLF(Nd3+:LiYF4)激光器。这样的激光可例如以点激光(spot laser)或线束激光(line beam laser)的形式辐照。不特别地限制激光器的辐照条件，条件是对其进行控制以实现合适的处理。例如，具有紫外(UV)至红外(IR)波长的激光可以用约1W至约10W的输出辐照，但不限于此。
光学功能层还可以通过水喷射法(water jet)移除。水喷射法为一种通过喷射规定压力的水而移除物体的方法。例如，光学功能层可通过喷射约500atm至2000atm或约800atm至1300atm的压力的水而移除。为了进行有效的移除，待喷射的加压水中还可包含研磨剂。对于研磨剂，已知材料中合适的材料可根据待移除的物体而以适当的比例使用。
在使用水喷射法时，不对喷射半径和喷射速率作特别限定，且其可根据待移除的部位或待移除的图案进行选择。例如，水喷射过程中，喷射宽度可控制为约1mm至约10mm或约2mm至约5mm。通过这种方法，可精确移除光学功能层。此外，喷水的喷射(刻蚀)速率可为例如约300mm/min至约2000mm/min或约500mm/min至约1200mm/min，由此确保适当的处理效率，并使移除有效。
作为其他方法，可以考虑通过光刻法来移除光学功能层的一部分的方法，或通过胶印(off-set printing)、其他图案印刷方法等从一开始就形成与基础层相比投影面积小的光学功能层的方法。
光学功能层的处理形式没有特别的限制，可以根据目的而改变。例如，就所述处理而言，与基础层相比投影面积小的光学功能层的位置与随后要形成的发光层的发光区域相对应，光学功能层的投影面积对应于或大于通过发光层或发光层形成的发光区域。此外，根据需要，光学功能层能够处理成多种图案。另外，可以移除光学功能层、或光学功能层和平整层的层叠结构，其中，光学功能层存在于涂覆用于粘合所述封装结构的粘合剂的区域或器件的端子区域所对应的部位。
所述方法还可包括：在移除光学功能层之后，形成电极层。此时，电极层以具有如上所述的投影面积且位于如上所述的位置的方式形成。可形成电极层以与基础层形成能够封闭被处理的光学功能层的封闭结构。形成电极层的方法不作特别限制，且可使用任何方法，例如已知的沉积法、喷溅法、化学沉积法或电化学法。
所述制造方法还包括用于形成如上所述的中间层的步骤。例如，中间层可以通过如下方法形成。例如，就中间层而言，光学功能层处理成具有与基础层相比小的投影面积后，作为形成所述中间层的物质例如可以是，与所述电极层的折射率的差的绝对值约为1以下、0.7以下、0.5以下、或0.3以下的物质，例如，形成如所述SiON等物质的层后，以由形成所述电极层的方法形成。此时，形成中间层的物质的层，根据所用的材料可使用常用的沉积法等而形成，如上所述，具有与光学功能层相比大的投影面积，并可以形成在光学功能层的上方和未形成有光学功能层的基础层的上方这两处。在其他示例中，中间层也可以通过如下方法形成。即，就包括中间层的用于有机电子器件的基板而言，在基础层上形成光学功能层，在所形成的光学功能层以上述方法形成中间层后，一同移除所述光学功能层和所形成的中间层，在使所述光学功能层和中间层的投影面积小于所述基础层的投影面积后，再次在基础层和形成在光学功能层的上方的、残留的中间层的上方另行形成中间层的方式形成。此后，在中间层的上方通过上述方法形成电极层，从而制造基板。
制造有机电子器件的方法可包括：在形成上述电极层之后，形成包括发光层的有机层和第二电极层，并进一步形成封装结构。此情况下，有机层、第二电极层和封装结构可通过已知的方法形成。
本发明涉及上述有机电子设备例如有机发光设备的用途。所述有机发光设备可有效应用于例如液晶显示器(LCD)的背光源、照明设备、各种传感器、打印机或复印件等的光源、车辆仪表盘的光源、信号灯、领航灯、显示设备、区域发光器件的光源、显示器、装饰或各种灯。在一个具体的实例中，本发明涉及包括所述有机发光器件的照明设备。在所述有机发光器件应用于照明设备或用于其他用途时，制造所述设备或设备的部件的方法不做特别限定，可使用本领域已知的任何材料和任何方法，前提是使用所述有机发光器件。
发明的效果
本申请的用于有机电子器件的基板可例如用于制造一种有机电子设备，其防止外界物质例如湿气和氧气渗入，且具有增加的耐久性和优异的光提取效率。另外，通过使用所述基板，封装结构用于密封有机电子设备，所述基板可稳定地粘附于所述封装结构，并能够制造在电极层被磨损或从外部施加压力的环境下具有优异耐久性的器件。有机电子设备的外部端子部的表面硬度可保持在合适的水平。
附图说明
图1至图3是示出基板的示例性实施方案的示意图。
图4是示出测量电极层间的电阻的方法的图。
图5及图6是示出基板的示例性实施方案的示意图。
图7及图8是示出光学功能层的示例性实施方案的示意图。
图9和图10是示出有机电子设备的示例性实施方案的示意图。
图11是示出制备基板的过程的示例性实施方案的示意图。
图12和图13为示出移除实施例2中的光散射层和平整层时的状态的照片。
图14和图15为在实施例中评价耐久性的有机发光器件的照片。
图16为在对比实施例中评价耐久性的有机发光器件的照片。
附图标记说明
101：基础层
102、1021、1022：电极层
103：光学功能层
X：光学功能层间电极层和基础层上的电极层的界面区域
W：光学功能层的侧壁
A：电极层的投影面积
B：光学功能层的投影面积
401：银焊膏
402：电阻测量仪
D1、D2、D3、D4：用于测量电阻的试样或银焊膏的大小
501：导电物质
601：中间层
701：基体材料
702：散射区域
801：光散射层
901：有机层
902：第二电极层
903、1001：封装结构
904：粘合剂
1002：上部基板
具体实施方式
下文中，将通过本发明的实施例和非本发明的对比实施例详细描述本申请的示例性实施方案。然而，本发明的范围并不限制于如下公开的实施例。
实施例1
制备了用于形成光散射层的涂覆液，所述涂覆液通过将平均粒径约为200nm的散射颗粒(氧化钛颗粒)与包含作为可缩合硅烷的四甲氧基硅烷的溶胶-凝胶涂覆液混合并使其充分分散而制备。将所述涂覆液涂覆于玻璃基板，以200℃进行了约30分钟的溶胶-凝胶反应，从而形成了厚度约为300nm的光散射层。此后，将高光折射涂覆液涂覆在所述光散射层上，进行溶胶-凝胶反应，以形成折射率约为1.8且厚度约为300nm程度的的平整层，所述光折射涂覆液通过将平均粒径约为10nm且折射率约为2.5的高折射氧化钛颗粒与包含四甲氧基硅烷的溶胶-凝胶涂覆液混合制备。此后，向所形成的层照射激光而移除了所述光散射层和平整层的一部分，使得残留的光散射层和平整层的位置与随后形成的有机层的发光区域相对应。移除后，通过常规的喷溅法在玻璃基板的整个表面上形成厚度约为100nm的含有氧化铟锡(ITO)的空穴注入电极层。然后，制造了如图5所示结构的基板，在作为导电物质的钼、铝及钼分别以50nm、500nm及50nm的厚度依次沉积的层在所述平整层上形成的电极层、与直接在所述玻璃基板上形成的电极层的界面，以与所述两电极层均以物理接触的方式沉积而形成导电物质。接着，使用已知的材料和方法形成了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及电子注入电极层。此后，使用玻璃罐制造了图9所示的具有封装结构的有机发光设备。
实施例2
以与实施例1相同的方式制造有机发光设备，不同之处在于，使用水喷射法移除光散射层和平整层。水喷射法通过压力为1,000atm的加压水实施，以在喷嘴移动一次时形成约3mm的蚀刻宽度。更具体而言，如图12所示，形成图案从而首先在一个方向上移除光散射层和平整层，然后，如图13所示，在垂直于上述方向的另一方向移除光散射层和平整层，以形成矩形的剩余的光散射层和平整层，所述矩形位于基板中央且垂直长度5cm且水平长度5cm。接着，以与实施例1相同的方式形成电极层、有机层和电极层，并通过粘结玻璃罐制造有机发光设备。在上述有机发光设备中，有机层的发光层的发光区域形成为矩形，所述矩形位于基板中央，垂直长度4cm且水平长度4cm。
对比实施例1
以与实施例1相同的方式制造有机发光设备，不同之处在于，形成于玻璃基础层的整个表面上的光学功能层和平整层未经移除，ITO电极层也以上述状态形成，并依次形成有机层、第二电极层和封装结构，从而制造有机发光设备。
测试实施例1：电极层间的电阻的测量
电极层间的电阻是通过如图4所示的试样而测量的。首先，切割用于有机电子器件的基板而制造了6个试样(测试组No.1-No.6)，用于有机电子器件的基板是通过与实施例1相同的方式制造的。试样以光学功能层上的电极层1022和基础层上的电极层1021的界面(图4中分割电极层1021、1022的虚线)为基准，由银焊膏形成两个平行电极401，并以所述平行电极401间的间隔(D1+D2，D1＝D2)为3mm、所述平行电极的长度(D4)为10mm、所述平行电极401的宽度约为3mm的方式制造。由实施例1的基板制造的测试组的情况下，在所述光学功能层上的电极层1022与基础层上的电极层1021的界面(图4中分割电极层1021、1022的虚线)上，形成横向长度约为1.4mm、纵向长度(D4)约为10mm的导电物质。接着，将平行电极401与电阻测量仪402(制造商：Hewlett，产品名：973A)连接后，通过所述测量仪402测量了电阻。作为对照组1，以与实施例1相同的方法制造，但不形成光散射层和平整层，而是使用了直接在玻璃基板的整个面形成ITO电极层的基板，作为对照组2，以与测试组相同的方法制造，但使用了未形成有所述导电物质的基板，并以与测试组相同的方式测量了电阻。
通过如上所述的方法测量的电阻如表1所示。
表1
No.1 No.2 No.3 No.4 No.5 No.6 平均
测试组 6.8Ω·cm 7.5Ω·cm 6.9Ω·cm 7.0Ω·cm 7.0Ω·cm 7.0Ω·cm 7.0Ω·cm
对照组1 8.1Ω·cm 8.1Ω·cm 8.3Ω·cm 8.4Ω·cm 8.3Ω·cm 8.6Ω·cm 8.3Ω·cm
对照组2 10.5Ω·cm 10.8Ω·cm 11.4Ω·cm 10.8Ω·cm 10.6Ω·cm 11.3Ω·cm 10.9Ω·cm
从上述结果看出，测试组的情况下，即使具有电极层间的界面的高度差，与对照组相比具有优异的电阻特性。
测试实施例2：测量发光状态
在观察实施例和对比实施例的有机发光设备的初始发光状态之后，将各个设备在85℃下静置500小时，然后再次测量发光状态以确定耐久性。图14和图15分别为示出以上述方式对实施例1和实施例2进行耐久性评价的情况的图。其中，图15(a)是示出实施例2的设备的初始发光状态的图，图15(b)是示出将相同设备在85℃下静置500小时后的发光状态的图，且图16是示出对比实施例1的初始发光状态(图16(a))的图和在85℃下静置500小时后的发光状态(图16(b))的图。从所述图中可以看出，对比实施例1在经过500小时后观察到许多斑点(stain)，因此得知，亮度均一性显著下降。

Claims (18)

1.一种用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述用于有机电子器件的基板包括：
基础层；
光学功能层，其在所述基础层上形成，并具有与所述基础层相比小的投影面积；
一个电极层，其具有与所述光学功能层相比大的投影面积，并且均形成在所述光学功能层的上方和未形成有所述光学功能层的基础层的上方；及
导电物质，其均与在所述光学功能层的上方形成的电极层和在未形成有所述光学功能层的所述基础层的上方形成的电极层电连接；
其中所述光学功能层由所述基础层、所述电极层、及所述导电物质密封。
2.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述电极层的投影面积(A)与所述光学功能层的投影面积(B)之比值(A/B)为1.04以上。
3.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述基础层具有透光性。
4.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述导电物质包括选自银、铜、镍、钼、及铝中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述电极层为空穴注入电极层或电子注入电极层。
6.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述光学功能层是光散射层。
7.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述光散射层包含基体材料和光散射颗粒，所述光散射颗粒的折射率和所述基体材料的折射率不相同。
8.根据权利要求7所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述基体材料包含聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。
9.根据权利要求7所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述光散射颗粒的折射率为1.0-3.5。
10.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述光散射层为具有凹-凸结构的层。
11.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述光学功能层包括光散射层及在所述光散射层的上方形成的平整层。
12.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板，其特征在于，
所述平整层的折射率为1.7以上。
13.一种有机电子设备，其特征在于，
所述有机电子设备包括：
权利要求1所述的用于有机电子器件的基板；
有机层，其形成在所述基板的电极层上，并包括发光层；及
第二电极层，其形成在所述有机层上。
14.根据权利要求13所述的有机电子设备，其特征在于，
所述基板的光学功能层的形成区域的长度(B)与所述发光层的发光区域的长度(C)之差(B-C)在10μm至2mm的范围内。
15.根据权利要求13所述的有机电子设备，其特征在于，
所述有机电子设备还包括用于保护有机层和第二电极层的封装结构，并且所述封装结构粘附于在下方未形成有光学功能层的基板的电极层的上方。
16.根据权利要求15所述的有机电子设备，其特征在于，
所述封装结构为玻璃罐或金属罐，或者为覆盖所述有机层和所述第二电极层的整个表面的薄膜。
17.一种用于有机电子器件的基板的制造方法，其特征在于，
所述用于有机电子器件的基板的制造方法包括：
在基础层上形成光学功能层的步骤，其中，所述光学功能层以具有与所述基础层相比小的投影面积的方式形成；和
将具有与所述光学功能层相比大的投影面积的一个电极层，均形成在所述光学功能层的上方及未形成有所述光学功能层的基础层的上方形成，并且以均与在所述光学功能层的上方形成的电极层和在未形成有所述光学功能层的基础层的上方形成的电极层电连接的方式形成导电物质的步骤；
其中所述光学功能层由所述基础层、所述电极层、及所述导电物质密封。
18.一种照明设备，其包括根据权利要求13所述的有机电子设备。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10992187B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation System and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to electronic devices
US12057715B2 (en) 2012-07-06 2024-08-06 Energous Corporation Systems and methods of wirelessly delivering power to a wireless-power receiver device in response to a change of orientation of the wireless-power receiver device
US11502551B2 (en) 2012-07-06 2022-11-15 Energous Corporation Wirelessly charging multiple wireless-power receivers using different subsets of an antenna array to focus energy at different locations
US10992185B2 (en) 2012-07-06 2021-04-27 Energous Corporation Systems and methods of using electromagnetic waves to wirelessly deliver power to game controllers
US9825674B1 (en) 2014-05-23 2017-11-21 Energous Corporation Enhanced transmitter that selects configurations of antenna elements for performing wireless power transmission and receiving functions
US10965164B2 (en) 2012-07-06 2021-03-30 Energous Corporation Systems and methods of wirelessly delivering power to a receiver device
US10312715B2 (en) 2015-09-16 2019-06-04 Energous Corporation Systems and methods for wireless power charging
JP6053363B2 (ja) 2012-07-18 2016-12-27 三菱日立パワーシステムズ株式会社 触媒構造
EP2882006B1 (en) * 2012-07-31 2021-05-19 LG Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device
JP6361994B2 (ja) * 2013-12-04 2018-07-25 エルジー・ケム・リミテッド 有機電子装置用基板の製造方法
KR102117395B1 (ko) * 2013-12-16 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6257428B2 (ja) 2014-04-15 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板、表示装置、入力装置および電極基板の製造方法
KR101791299B1 (ko) * 2014-09-29 2017-10-27 주식회사 엘지화학 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자
KR101579457B1 (ko) * 2014-12-22 2015-12-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN104576321A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置
KR101582175B1 (ko) * 2015-03-17 2016-01-05 에이피시스템 주식회사 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법
US11710321B2 (en) 2015-09-16 2023-07-25 Energous Corporation Systems and methods of object detection in wireless power charging systems
US10063108B1 (en) 2015-11-02 2018-08-28 Energous Corporation Stamped three-dimensional antenna
CN106775038B (zh) * 2015-11-20 2024-07-16 深圳莱宝高科技股份有限公司 一种触控面板及其制作方法
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
US10079515B2 (en) 2016-12-12 2018-09-18 Energous Corporation Near-field RF charging pad with multi-band antenna element with adaptive loading to efficiently charge an electronic device at any position on the pad
US11863001B2 (en) 2015-12-24 2024-01-02 Energous Corporation Near-field antenna for wireless power transmission with antenna elements that follow meandering patterns
WO2017149733A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 パイオニア株式会社 発光装置
JP2018041565A (ja) * 2016-09-05 2018-03-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10923954B2 (en) 2016-11-03 2021-02-16 Energous Corporation Wireless power receiver with a synchronous rectifier
JP6691273B2 (ja) 2016-12-12 2020-04-28 エナージャス コーポレイション 配送される無線電力を最大化するために近接場充電パッドのアンテナ区域を選択的に活性化する方法
JP7093725B2 (ja) * 2016-12-16 2022-06-30 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10439442B2 (en) 2017-01-24 2019-10-08 Energous Corporation Microstrip antennas for wireless power transmitters
WO2018183892A1 (en) 2017-03-30 2018-10-04 Energous Corporation Flat antennas having two or more resonant frequencies for use in wireless power transmission systems
TWI622195B (zh) * 2017-05-11 2018-04-21 Luminescence Technology Corporation 水平串聯有機光電元件結構與製程方法
US11462949B2 (en) 2017-05-16 2022-10-04 Wireless electrical Grid LAN, WiGL Inc Wireless charging method and system
US12074460B2 (en) 2017-05-16 2024-08-27 Wireless Electrical Grid Lan, Wigl Inc. Rechargeable wireless power bank and method of using
US10848853B2 (en) 2017-06-23 2020-11-24 Energous Corporation Systems, methods, and devices for utilizing a wire of a sound-producing device as an antenna for receipt of wirelessly delivered power
KR20190007942A (ko) * 2017-07-14 2019-01-23 코닝 인코포레이티드 다층 구조물 패터닝 방법
JP7114844B2 (ja) * 2017-08-18 2022-08-09 エルジー・ケム・リミテッド 基板
US11342798B2 (en) 2017-10-30 2022-05-24 Energous Corporation Systems and methods for managing coexistence of wireless-power signals and data signals operating in a same frequency band
US10615647B2 (en) 2018-02-02 2020-04-07 Energous Corporation Systems and methods for detecting wireless power receivers and other objects at a near-field charging pad
KR102649066B1 (ko) * 2018-11-06 2024-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11437735B2 (en) 2018-11-14 2022-09-06 Energous Corporation Systems for receiving electromagnetic energy using antennas that are minimally affected by the presence of the human body
US11539243B2 (en) 2019-01-28 2022-12-27 Energous Corporation Systems and methods for miniaturized antenna for wireless power transmissions
CN113661660B (zh) 2019-02-06 2023-01-24 艾诺格思公司 估计最佳相位的方法、无线电力发射设备及存储介质
EP3771929A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-03 Viavi Solutions Inc. Encapsulated diffuser
CN114731061A (zh) 2019-09-20 2022-07-08 艾诺格思公司 使用无线功率发射系统中的功率放大器控制器集成电路来分类和检测异物
WO2021055898A1 (en) 2019-09-20 2021-03-25 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
EP4032166A4 (en) 2019-09-20 2023-10-18 Energous Corporation SYSTEMS AND METHODS FOR PROTECTING WIRELESS POWER RECEIVERS USING MULTIPLE RECTIFIER AND ESTABLISHING IN-BAND COMMUNICATIONS USING MULTIPLE RECTIFIER
US11381118B2 (en) 2019-09-20 2022-07-05 Energous Corporation Systems and methods for machine learning based foreign object detection for wireless power transmission
EP4073905A4 (en) 2019-12-13 2024-01-03 Energous Corporation CHARGING PAD WITH GUIDING CONTOURS FOR ALIGNING AN ELECTRONIC DEVICE ON THE CHARGING PAD AND FOR EFFICIENTLY TRANSMITTING NEAR FIELD HIGH FREQUENCY ENERGY TO THE ELECTRONIC DEVICE
US10985617B1 (en) 2019-12-31 2021-04-20 Energous Corporation System for wirelessly transmitting energy at a near-field distance without using beam-forming control
US11799324B2 (en) 2020-04-13 2023-10-24 Energous Corporation Wireless-power transmitting device for creating a uniform near-field charging area
CN113288873A (zh) * 2021-05-13 2021-08-24 浙江工业大学 一种喜树碱类似物固体分散体及其制备方法和应用
US11916398B2 (en) 2021-12-29 2024-02-27 Energous Corporation Small form-factor devices with integrated and modular harvesting receivers, and shelving-mounted wireless-power transmitters for use therewith
CN115128716B (zh) * 2022-05-25 2024-01-02 广东瑞捷新材料股份有限公司 一种新型发泡扩散板结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101790899A (zh) * 2007-08-27 2010-07-28 松下电工株式会社 有机el发光元件

Family Cites Families (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0514477Y2 (zh) * 1986-01-30 1993-04-16
JPH067444B2 (ja) * 1986-01-31 1994-01-26 松本製薬工業株式会社 オルガノインジウムゾルを含む透明導電膜形成用組成物
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH07181302A (ja) * 1993-03-17 1995-07-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止オーバーコート膜形成用コーティング液
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JP2976773B2 (ja) * 1993-09-28 1999-11-10 凸版印刷株式会社 反射型液晶表示装置用観察者側電極板
US5504133A (en) * 1993-10-05 1996-04-02 Mitsubishi Materials Corporation Composition for forming conductive films
JP3230366B2 (ja) * 1994-03-04 2001-11-19 三菱マテリアル株式会社 導電膜形成用組成物
EP0652400B1 (en) * 1993-11-05 2000-09-20 Vari-Lite, Inc. Light pattern generator (gobo) and laser ablation method and apparatus for making it
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
JP2738506B2 (ja) 1994-09-16 1998-04-08 イリソ電子工業株式会社 サージ吸収素子及びこれを用いたコネクタ及び回路装置
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
JP2779900B2 (ja) 1994-07-07 1998-07-23 アルパイン株式会社 音響機器
EP0700917B1 (en) 1994-09-12 2002-05-08 Motorola, Inc. Light emitting devices comprising organometallic complexes
JPH08122557A (ja) 1994-10-20 1996-05-17 Hitachi Cable Ltd 光波長合分波器
US5907382A (en) * 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
EP0740184A3 (en) * 1995-04-28 1998-07-29 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus
DE69736272T2 (de) * 1996-06-19 2007-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Photoelektronisches material, dieses verwendende vorrichtungen und herstellungsverfahren
JPH10172762A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
JP3304287B2 (ja) * 1997-06-30 2002-07-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ多色発光表示装置
JPH1138404A (ja) * 1997-07-16 1999-02-12 Ricoh Co Ltd 液晶表示装置用カラーフィルター基板
KR100236008B1 (ko) * 1997-11-03 1999-12-15 구자홍 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US6353250B1 (en) * 1997-11-07 2002-03-05 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof
JP3394443B2 (ja) * 1998-04-15 2003-04-07 株式会社神戸製鋼所 紫外線レーザ素子及びその製造方法
US6139283A (en) 1998-11-10 2000-10-31 Visteon Global Technologies, Inc. Variable capacity swash plate type compressor
JP3888413B2 (ja) * 2000-01-14 2007-03-07 富士ゼロックス株式会社 表示素子、書き込み方法および書き込み装置
JP2001252505A (ja) 2000-03-14 2001-09-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 脱水装置におけるマットフォーメーションプレートとドラム型フィルターとの間隔調整機構
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US6674494B2 (en) * 2000-12-28 2004-01-06 Optrex Corporation Liquid crystal optical element and test method for its boundary layer
JP2003007453A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 N S G Glass Components:Kk 有機ｅｌ素子
US6808828B2 (en) 2001-08-23 2004-10-26 Tohoku Pioneer Corporation Organic electroluminescent display panel
TW574110B (en) * 2001-10-25 2004-02-01 Matsushita Electric Works Ltd Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
US6750608B2 (en) * 2001-11-09 2004-06-15 Konica Corporation Organic electroluminescence element and display
JP2003249366A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置およびその製造方法
JP2003282264A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 有機エレクトロルミネッセンス光源および液晶表示装置
JP2004022438A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Sharp Corp 表示装置
JP2004134099A (ja) * 2002-10-08 2004-04-30 Dainippon Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
WO2004108990A1 (ja) * 2003-06-05 2004-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 放電表面処理用電極、放電表面処理用電極の製造方法と評価方法、放電表面処理装置および放電表面処理方法
US6818328B2 (en) * 2003-02-20 2004-11-16 Fuji Electric Co., Ltd. Color conversion filter substrate, color conversion type multicolor organic EL display having the color conversion filter substrate, and methods of manufacturing these
JP3984183B2 (ja) * 2003-03-20 2007-10-03 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
US7229703B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
JP2004349064A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP4220305B2 (ja) * 2003-05-22 2009-02-04 三星エスディアイ株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
JP2005108678A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Optrex Corp 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
KR20050042715A (ko) * 2003-11-04 2005-05-10 삼성전자주식회사 전극 구조체, 이를 구비하는 반도체 발광 소자 및 그제조방법
JP2005274741A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shinshu Univ 透明電極基板
WO2005109964A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4363365B2 (ja) * 2004-07-20 2009-11-11 株式会社デンソー カラー有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2006100042A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7695805B2 (en) * 2004-11-30 2010-04-13 Tdk Corporation Transparent conductor
JP2006164808A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Hitachi Ltd 発光素子，照明装置及びこれを有する表示装置
KR100692851B1 (ko) * 2004-12-16 2007-03-13 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치 및 방법
JP2006331694A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 有機発光素子及び有機発光素子用基板
JP2007052952A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007073405A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
US7466075B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US7417370B2 (en) * 2006-03-23 2008-08-26 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7564063B2 (en) * 2006-03-23 2009-07-21 Eastman Kodak Company Composite electrode for light-emitting device
JP2007280718A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ
JP2007287486A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子
US20080001538A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Cok Ronald S Led device having improved light output
JP2007027140A (ja) * 2006-09-28 2007-02-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光装置
JP5149512B2 (ja) * 2007-02-02 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 液状硬化性組成物、コーテイング方法、無機質基板および半導体装置
KR20080075359A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디스플레이
FR2913146B1 (fr) * 2007-02-23 2009-05-01 Saint Gobain Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP5536977B2 (ja) * 2007-03-30 2014-07-02 パナソニック株式会社 面発光体
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
US7911133B2 (en) * 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
JP2009004275A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Panasonic Electric Works Co Ltd 面発光体及び面発光体の製造方法
KR100927212B1 (ko) * 2007-07-24 2009-11-16 한국과학기술연구원 속빈 구 형태의 금속산화물 나노입자를 포함하는 염료감응태양전지용 광전극 및 이의 제조방법
WO2009017035A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Asahi Glass Co., Ltd. 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法
JP5054464B2 (ja) * 2007-08-27 2012-10-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌ発光素子
TW200919728A (en) * 2007-10-19 2009-05-01 Iner Aec Executive Yuan Multi-layer thin film electrode structure and method of forming same
US8076838B2 (en) * 2007-10-31 2011-12-13 Seiko Epson Corporation Light emitting device
JPWO2009060916A1 (ja) * 2007-11-09 2011-03-24 旭硝子株式会社 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
JP2009170127A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
KR101574210B1 (ko) * 2008-09-25 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
JP2010118509A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Panasonic Corp 発光素子
JP5321010B2 (ja) * 2008-11-25 2013-10-23 住友大阪セメント株式会社 有機ｅｌ素子
KR101029299B1 (ko) * 2008-12-30 2011-04-18 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20110122717A (ko) * 2009-02-05 2011-11-10 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 전계 발광 소자
JP2010198735A (ja) * 2009-02-20 2010-09-09 Fujifilm Corp 光学部材及び該光学部材を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
JP2010238606A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明。
JP2011023409A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Panasonic Corp 固体撮像装置
KR101094298B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011048937A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機ｅｌ発光素子
CN102317862B (zh) * 2009-08-28 2013-08-14 株式会社Lg化学 可低温固化的光敏树脂组合物和用该组合物制备的干膜
KR20110054841A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101318374B1 (ko) * 2009-12-03 2013-10-16 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP5543796B2 (ja) * 2010-02-08 2014-07-09 パナソニック株式会社 発光装置
JP4959007B2 (ja) * 2010-02-12 2012-06-20 キヤノン株式会社 光学素子用の遮光膜、遮光塗料および光学素子
GB2479120A (en) * 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
JP5742838B2 (ja) * 2010-04-08 2015-07-01 旭硝子株式会社 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法
US8538224B2 (en) * 2010-04-22 2013-09-17 3M Innovative Properties Company OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures
EP2579070B1 (en) * 2010-06-02 2020-02-12 Kimoto Co., Ltd. Scattering film for organic el light-emitting device and organic el light-emitting device comprising the film
JP5593901B2 (ja) * 2010-07-14 2014-09-24 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
KR101330912B1 (ko) * 2010-08-10 2013-11-18 파나소닉 주식회사 유기 발광 소자, 유기 발광 장치, 유기 표시 패널, 유기 표시 장치 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR20120024358A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
CN102420282B (zh) * 2010-09-27 2014-07-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR20120031635A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 공주대학교 산학협력단 실리콘 전구체와의 기상중합을 이용한 기계적 물성이 우수한 유-무기 하이브리드 전도성 박막 제조방법
JP2012099458A (ja) * 2010-10-05 2012-05-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ照明装置およびその製造方法
KR20120044675A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 한국전자통신연구원 광 추출층을 구비하는 유기발광 소자들 및 그 제조방법들
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5698993B2 (ja) * 2011-01-27 2015-04-08 富士フイルム株式会社 光拡散層形成材料、及び光取り出し部材、並びに有機電界発光装置及びその製造方法
KR101922603B1 (ko) * 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법
JP2012204103A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
KR20120112004A (ko) * 2011-03-31 2012-10-11 모저 베어 인디아 엘티디 전기 그리드선을 고정하기 위한 래커층 패터닝 방법
US8829509B2 (en) * 2011-04-22 2014-09-09 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method for manufacturing same
JPWO2012157405A1 (ja) * 2011-05-13 2014-07-31 三洋電機株式会社 光電変換装置
US20120305966A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP5785808B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
KR101871803B1 (ko) * 2011-09-06 2018-06-29 한국전자통신연구원 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
TWI466352B (zh) * 2011-09-30 2014-12-21 Au Optronics Corp 有機電激發光元件陣列及有機電激發光元件
EP3550629A3 (en) * 2011-10-13 2019-12-25 Cambrios Film Solutions Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
CA2854706A1 (en) * 2011-11-07 2013-05-16 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Binder composition for electrode
KR101289844B1 (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자
KR20130084848A (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법
KR20130100629A (ko) * 2012-03-02 2013-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101790899A (zh) * 2007-08-27 2010-07-28 松下电工株式会社 有机el发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
CN104205400A (zh) 2014-12-10
CN104321899B (zh) 2018-05-29
TWI610479B (zh) 2018-01-01
JP2015515720A (ja) 2015-05-28
US9716242B2 (en) 2017-07-25
KR20130108213A (ko) 2013-10-02
JP6100359B2 (ja) 2017-03-22
CN104321899A (zh) 2015-01-28
JP2015517179A (ja) 2015-06-18
CN104321898B (zh) 2018-07-24
WO2013141673A1 (ko) 2013-09-26
TWI610480B (zh) 2018-01-01
JP5973053B2 (ja) 2016-08-23
KR20140023410A (ko) 2014-02-26
KR101391058B1 (ko) 2014-04-30
WO2013141677A1 (ko) 2013-09-26
US20150104891A1 (en) 2015-04-16
KR101388295B1 (ko) 2014-04-22
WO2013141679A1 (ko) 2013-09-26
CN104205406A (zh) 2014-12-10
JP2015514283A (ja) 2015-05-18
EP2830111B1 (en) 2018-10-10
TW201347998A (zh) 2013-12-01
US9666828B2 (en) 2017-05-30
CN104321898A (zh) 2015-01-28
JP2015517178A (ja) 2015-06-18
KR101499380B1 (ko) 2015-03-05
US9698366B2 (en) 2017-07-04
EP2830119A1 (en) 2015-01-28
US20140374731A1 (en) 2014-12-25
EP2830114B1 (en) 2018-12-19
KR101478479B1 (ko) 2014-12-31
CN104205401A (zh) 2014-12-10
KR20140024445A (ko) 2014-02-28
US20150001525A1 (en) 2015-01-01
KR20130108027A (ko) 2013-10-02
EP2830114A4 (en) 2015-12-30
JP6140800B2 (ja) 2017-05-31
KR20130108212A (ko) 2013-10-02
CN104205406B (zh) 2019-04-12
EP2830113A4 (en) 2015-12-30
EP2830111A4 (en) 2015-12-30
TW201403903A (zh) 2014-01-16
TWI561390B (en) 2016-12-11
JP6429767B2 (ja) 2018-11-28
WO2013141678A1 (ko) 2013-09-26
EP2830113B1 (en) 2018-05-09
TWI624097B (zh) 2018-05-11
KR101478478B1 (ko) 2014-12-31
TW201349617A (zh) 2013-12-01
TW201403902A (zh) 2014-01-16
KR101370254B1 (ko) 2014-03-06
EP2830119A4 (en) 2015-12-30
US20140374735A1 (en) 2014-12-25
JP2015518234A (ja) 2015-06-25
KR101364040B1 (ko) 2014-02-19
KR20130108210A (ko) 2013-10-02
WO2013141676A1 (ko) 2013-09-26
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