JP2007052952A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の塗布不要領域に付着した有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を残さずに有機ＥＬ表示装置を形成することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の基板処理方法は、有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を基板に塗布するための基板処理方法であって、基板上における所定領域に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程が行われた基板に対して有機ＥＬ材料または正孔輸送材料からなる塗布物を塗布する塗布工程と、塗布工程が行われた基板の所定領域に対してレーザ光を照射し、所定領域上の保護膜および塗布物を除去する除去工程と、レーザ光が照射されたと同時に所定領域上の空間から、除去工程によって除去された保護膜および塗布物を吸引する吸引工程とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置を製造するための基板処理方法及び基板処理装置に関し、特定的には、有機ＥＬ表示装置の基板に塗布された塗布物（発光層または正孔輸送層）の不要部分を除去する基板処理方法及び基板処理装置に関する。

従来、有機ＥＬ表示装置における発光層や正孔輸送層の材料としては、大別して低分子系材料および高分子系材料の２つがある。このうち、高分子系材料は、スピンコーティング法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等、簡易な薄膜形成技術で発光層や正孔輸送層を形成可能であること等から近年注目を集めている。

有機ＥＬ表示装置の基板に発光層または正孔輸送層を形成する方法の１つとして、ノズルで材料を基板に塗布する方法が知られている。この方法は、塗布液をポンプで所定の圧力にしてノズルから吐出しつつ、ノズルを基板上でスキャンすることによって基板に塗布液を塗布するものである。この方法は、インクジェットで材料を塗布する方法に比べて高速で材料を塗布することができるというメリットがあるものの、基板上でノズルをスキャンさせている間に塗布液の吐出をオンオフで制御することが難しいので、スキャン中に塗布が必要な領域のみを選択して材料を塗布することができない。そのため、ノズル塗布を行う場合には、基板における塗布が不要な領域にも材料を塗布した後で、塗布が不要な領域に塗布された材料を除去する方法がとられている。

基板に付着した異物の除去方法として、異物が付着した被処理基板に水蒸気を塗布して水膜を作り、レーザの照射による水膜の蒸発により発生する力とレーザエネルギ自身による力とベルヌーイ定理に基づく力と基板の振動による力との相乗効果による異物除去方法が知られている（特許文献１）。特許文献１に記載された異物除去装置は、基板に付着した異物に振動を伝えて異物が基板から離れやすくし、レーザ光の照射によるレーザアブレーション現象によって基板に付着した異物を除去するものである。
特開２００５−３３１２８号公報

レーザアブレーションによる異物除去処理は、レーザ光を集光して異物に照射し、局所的に温度を上昇させて、異物を急激に液化・気化させることにより行うものである。そのため、除去の対象となる異物はエネルギ吸収率の高い物質である必要である。しかしながら、有機ＥＬ材料や正孔輸送材料の中にはレーザに対してエネルギ吸収率が十分でないものがあるため、有機ＥＬ材料や正孔輸送材料自身をレーザアブレーションによって除去する方法では十分な異物除去効果を得ることができない場合がある。

特許文献１に記載された異物除去装置は、発生する複数の力の相乗効果により異物を除去するものである。しかしながら、エネルギ吸収率の低い有機ＥＬ材料や正孔輸送材料に対してはレーザアブレーションによる十分な異物除去効果を得ることができないため、異物除去のための相乗効果を十分に得ることができない。そのため、特許文献１に記載された異物除去装置では、有機ＥＬ表示装置の基板に塗布された発光層または正孔輸送層の不要部分を十分に除去できないという課題があった。

一方、レーザアブレーションによる十分な除去効果を得るためには、レーザ強度・積算照射時間を増大すること、あるいは、レーザの使用波長を変更することが考えられる。しかしながら、レーザ強度・積算照射時間を増やした場合、有機ＥＬ材料または正孔輸送材料で吸収されないレーザエネルギは基板へ透過するため、基板を損傷させるという課題があった。

また、工業用として容易に得られるレーザ光源は限られるため、レーザの使用波長を柔軟に変更することは難しい。特にレーザの使用波長を長波長領域とした場合、赤外光では基板あるいは有機ＥＬ材料に対して熱加工を行うこととなるため、有機ＥＬ材料が酸化したり、熱加工により生じた有機ＥＬ材料等のダストが周囲に飛散するという問題がある。したがって、レーザ波長の最適化だけでは、有機ＥＬ材料の理想的な除去は困難であった。

本発明の目的は、基板の表面を損傷することなく、基板の塗布不要領域から有機ＥＬ材料や正孔輸送材料を残さずに有機ＥＬ表示装置を形成することのできる、基板処理方法並びに基板処理装置を提供することにある。

本発明の目的は、以下の基板処理方法によって達成される。有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を基板に塗布するための基板処理方法であって、基板上における所定領域に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程が行われた基板に対して有機ＥＬ材料または正孔輸送材料からなる塗布物を塗布する塗布工程と、塗布工程が行われた基板の所定領域に対してレーザ光を照射し、所定領域上の保護膜および塗布物を除去する除去工程と、レーザ光が照射されたと同時に所定領域上の空間から、除去工程によって除去された保護膜および塗布物を吸引する吸引工程とを備える。

この構成により、基板と有機ＥＬ材料または正孔輸送材料との間に形成された前処理材をレーザアブレーションによって除去するので、基板の任意の領域に塗布された有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を前処理材とともに除去することができる。したがって、塗布不要領域を基板に格子状に形成することも可能であるので、１枚の基板から複数の有機ＥＬ表示装置を容易に製造することができる。また有機ＥＬ材料または正孔輸送材料は、前処理材とともに除去されるので塗布不要領域から良好に有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を取り除くことができる。さらに、レーザ光を照射すると同時に吸引を行うので、除去された前処理材と有機ＥＬ材料または正孔輸送材料とが基板に付着することを防止することができる。

また、この構成により、基板と有機ＥＬ材料との間には前処理材が形成されるので、照射されるレーザ光のエネルギが基板表面に到達せず、基板の損傷を防止することができる。またさらに、前処理材は、レーザ光に対するエネルギ吸収率が高くなるように任意に構成されるので、レーザアブレーションによって容易に除去することができる。

好ましくは、塗布工程の前に、保護膜形成工程によって形成された保護膜を乾燥させる第１乾燥工程をさらに備える。

この構成により、保護膜の乾燥処理が行われるので、前処理材の溶剤は蒸発し、保護膜上に塗布される有機ＥＬ材料または正孔輸送材料の膜厚を均一にすることができる。

好ましくは、除去工程の前に、有機ＥＬ材料または正孔輸送材料の塗布後の基板を乾燥させる第２乾燥工程をさらに備える。

この構成により、基板に塗布された有機ＥＬ材料または正孔輸送材料の乾燥処理が行われるので、レーザアブレーションによる保護膜の除去とともに、安定して有機ＥＬ材料を除去することができる。

好ましくは、使用波長のレーザ光に対する保護膜のエネルギ吸収率は、塗布物のエネルギ吸収率と比べて高い。

好ましくは、基板の所定領域に照射される前記レーザ光は、保護膜をレーザアブレーションさせるしきい値よりも高く、塗布物をレーザアブレーションさせるしきい値よりも低いエネルギ密度を有する。

この構成により、レーザアブレーションによって前処理材を選択的に除去し、保護膜上に形成された有機ＥＬ材料または正孔輸送材料をも一括して除去する。したがって、照射されたレーザ光のエネルギを効率的に利用することができる。また、この構成によりレーザ光が基板に到達することを防止し、基板の損傷を防ぐことができる。

本発明の目的は、以下の構成を備えた基板処理装置によって達成される。有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を基板に塗布するための基板処理装置であって、基板を載置する載置面を有するステージと、基板上に保護膜を塗布する保護膜形成ノズルを有し、ステージまたは保護膜形成ノズルの少なくとも一方を載置面に平行な第１方向へ相対的に移動させることにより、基板上における所定領域に保護膜を形成する保護膜形成手段と、基板上に有機ＥＬ材料または正孔輸送材料からなる塗布物を塗布する塗布ノズルを有し、ステージまたは塗布ノズルの少なくとも一方を第１方向と垂直であり、かつ載置面に平行な第２方向へ相対的に移動させることにより、基板に対して塗布物を塗布する塗布手段と、基板上にレーザ光を照射するレーザ照射ヘッドを有し、ステージまたはレーザ照射ヘッドの少なくとも一方を載置面に平行な第１方向へ相対的に移動させることにより、基板の所定領域に対してレーザ光を照射し、所定領域上の保護膜および塗布物を除去する除去手段と、レーザ光が照射されたと同時に当該除去領域上の空間から、除去手段により除去された保護膜および塗布物を吸引する吸引手段とを備える。

この構成により、基板への保護膜形成処理と塗布処理と除去処理とを単一の装置で行うことができるので、製造システムを全体として小型化することができる。

本発明により、基板の表面を損傷することなく、基板の塗布不要領域から有機ＥＬ材料や正孔輸送材料を残さずに有機ＥＬ表示装置を形成することのできる、基板処理方法並びに基板処理装置を提供することができる。

（第１の実施形態）
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図１において基板処理装置１は、保護膜形成装置１０と、有機ＥＬ材料塗布装置２０と、除去装置３０と、ベーク装置４０と、インデクサ５１と、第１搬送路５２と、第２搬送路５３と、第１搬送ロボット５４と、第２搬送ロボット５５とを中心に構成される。図中の点線の矢印は、処理対象となる基板の搬入搬出経路を示している。本実施の形態に係る基板処理装置は、処理対象となる基板に対し、保護膜形成装置１０における前処理材の塗布処理、有機ＥＬ材料塗布装置２０における有機ＥＬ材料の塗布処理、除去装置３０における有機ＥＬ材料および前処理材の除去処理、ベーク装置４０におけるベーク処理が順次行われる構成としている。

インデクサ５１は、外部から搬入されてくる基板および外部へ搬出すべき処理済みの基板を収容する。なお、インデクサ５１に搬入されてくる基板には、陽極および正孔輸送層がすでに形成されているものとする。第１搬送ロボット５４および第２搬送ロボット５５は、第１および第２搬送路上を移動し、インデクサ５１あるいは各装置間に渡り処理対象となる基板を搬送する。

基板処理装置における処理の流れについて説明する。図１中、インデクサ５１に収容されている基板は、第１搬送ロボット５４に搬出された後、第２搬送ロボット５５に受け渡される。基板を受け取った第２搬送ロボット５５は、当該基板を保護膜形成装置１０に搬入する。保護膜形成装置１０は、基板に対して保護膜形成処理を行う。保護膜が形成された基板は、第２搬送ロボットによって有機ＥＬ材料塗布装置２０に搬送される。次に有機ＥＬ材料塗布装置２０は、前処理材が塗布された基板に発光層塗布処理を行う。塗布処理済みの基板は第２搬送ロボット５５によって除去装置３０に搬入される。そして、基板が搬入された除去装置３０において除去処理が行われる。なお、除去処理が行われた基板は、第２搬送ロボット５５によって除去装置３０からベーク装置４０へ搬送される。ベーク装置４０は、除去処理済みの基板に対してベーク処理を行う。ベーク処理が行われた基板は、第２搬送ロボット５５および第１搬送ロボット５４によって製造装置の外部へ搬出される。以上のように発光層が形成された基板には、陰極電極が例えば真空蒸着法により発光層上に形成されることによって、有機ＥＬ表示装置が製造される。

次に、本基板処理装置による処理対象となる基板について説明する。図２は、処理対象となる基板６を示す図である。図２（ａ）は、除去装置による前処理材および有機ＥＬ材料の除去処理が行われる前の基板６を示す図であり、図２（ｂ）は基板６のＹＺ断面図である。基板６には、有機ＥＬ材料を本来塗布する必要がない領域に前処理材が保護膜形成装置１０によって塗布され、保護膜１１０が形成される。さらに、基板表面および保護膜１１０上には、赤、緑、および青の３色の有機ＥＬ材料１００が有機ＥＬ材料塗布装置２０によって塗布されている。典型的には、各有機ＥＬ材料１００は、３色が繰り返し順番に並んだストライプ状に基板に塗布される。ここで、本実施形態では、１枚の基板から４つの有機ＥＬ表示装置を形成するものとし、除去装置は、図２（ａ）の点線で示される領域６ａ（塗布領域）の外側で、かつＹ軸方向に延びる帯状の除去領域６ｂの塗布物を除去するものとする。すなわち、本実施形態では、図２（ａ）に示す領域６ａの外側が上記除去領域６ｂであり、当該領域には有機ＥＬ材料の塗布前に予め前処理材が施されている。なお、図２（ｃ）は、基板処理装置による除去処理が行われた後の基板６を示し、図２（ｄ）は除去処理後の基板６の断面図である。なお領域６ａの外側で、かつＸ軸方向に延びる帯状の除去領域については、有機ＥＬ材料塗布装置２０におけるステージのＹ軸方向のピッチ送りの長さを調整することによって、当該領域に有機ＥＬ材料を塗布しないようにしている。したがって、本実施の形態において除去の対象となる領域は、Ｙ軸方向に延びる帯状の領域としている。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置に含まれる保護膜形成装置１０について説明する。上述のように保護膜形成装置は、有機ＥＬ材料等の除去を行うべき領域（除去領域）にあらかじめ前処理材を塗布し、保護膜１１０を形成するものである。図３は、基板処理装置に含まれる保護膜形成装置の構成を示す図である。図３において、保護膜形成装置１０は、保護膜形成ノズル１１と、ステージ１２と、ＸＹ駆動部１３と、制御部１４と、ヒーター１５を備える。

前処理材は、基板の除去領域に対して塗布され、レーザ光が基板に到達するのを防ぐ保護膜としての役目を果たす。前処理材は、使用波長のレーザ光に対する吸収効率が高く、容易にアブレーションされるとともに成膜が容易な材料から構成されることが好ましい。前処理材は、一例としてＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＡ（ポリアミド樹脂）、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、エポキシ樹脂等が用いられ、使用するレーザ波長に応じて選択される。例えば波長が３５５ｎｍのレーザ光を使用する場合には、３５５ｎｍ付近のレーザ光に対してエネルギ吸収効率が高くなるように構造が調整されたエポキシ樹脂等が前処理材として用いられる。

保護膜形成ノズル１１は、ステージ上方に設定される。保護膜形成ノズル１１は、前処理材を吐出することにより基板上に保護膜１１０を形成する。ステージ１２は、ＸＹ平面にほぼ平行な載置面を有する。ステージ１２には、処理対象となる基板６が載置される。ＸＹ駆動部１３は、ステージ１２に結合されており、ステージ１２を水平なＸ−Ｙ平面内で移動させる。ステージ１２の載置面に基板６を載置させた状態でＸＹ駆動部１３を動作させることにより、載置面上に載置された基板６をステージ１２ごとＸ−Ｙ軸方向に移動させることができる。基板６をＸ−Ｙ軸方向に移動させることによって、保護膜形成ノズル１１から吐出される前処理材が基板上面に塗布する位置を変化させることができる。

ヒーター１５は、ステージ１２の内部に構成される。ヒーター１５は、ステージ上の基板を加熱することにより、基板に塗布された前処理材を乾燥させる。すなわち、ヒーター１５を用いることによって保護膜形成装置内において前処理材の溶剤の乾燥、蒸発を促進する処理を行う。

次に、保護膜形成装置の動作について説明する。保護膜形成処理の対象となる基板は、第１搬送ロボット５４から第２搬送ロボット５５へ渡された後、第２搬送ロボット５５によって搬送され、載置面上に載置される。基板が載置されると、まず制御部１４によってＸＹ駆動部１３が制御されて、保護膜形成ノズル１１から吐出される前処理材が基板の除去領域の所定位置に塗布されるように、基板の位置が調整される。

基板の位置調整後、制御部１４によって保護膜形成ノズル１１が制御されて、保護膜形成ノズル１１による前処理材の塗布が開始される。図４は、保護膜形成装置１０により前処理材の塗布処理が行われる基板近傍の様子を示す図である。なお、ここでは説明を簡略化するために、除去領域６ｂはＹ軸方向に延びる帯状の領域で、かつＸ軸方向に関して一端の領域として表している。図４に示すように、保護膜形成ノズル１１は、有機ＥＬ材料を本来塗布する必要がない領域６ｂに前処理材を塗布し、保護膜を形成する。制御部１４は、前処理材が基板６の表面に塗布されると、基板６の位置をＹ軸方向に移動させる。以降、同様にして、前処理材が基板６の表面に塗布される度に、前処理材の塗布領域が隣接する領域に移動することにより、Ｙ軸方向に延びる帯状の除去領域６ｂに保護膜を形成することができる。基板６の除去領域６ｂに塗布された保護膜は、ヒーター１５によって基板が予備加熱されることにより乾燥する。以上により、除去領域６ｂに保護膜が形成された基板は、ロボットアームによってステージ１２から搬出され、続いて有機ＥＬ材料塗布装置２０に搬入される。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置に含まれる有機ＥＬ材料塗布装置２０について説明する。有機ＥＬ材料塗布装置２０は、保護膜形成装置１０とほぼ同様の構成を備えているが、保護膜形成装置１０と異なり、基板のＸＹ平面内の領域に有機ＥＬ材料を塗布する点で異なる。また、有機ＥＬ材料を塗布するノズルユニットは、赤色の有機ＥＬ材料を吐出するノズルと、緑色の有機ＥＬ材料を吐出するノズルと、青色の有機ＥＬ材料を吐出するノズルとを有する。

有機ＥＬ材料は、例えばＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ポリカーボネート等の高分子系（ポリマー系）発光層である。

図５は、有機ＥＬ材料塗布装置２０により発光層の塗布処理が行われる基板近傍の様子を示す図である。有機ＥＬ材料塗布装置２０は、ノズルユニット２１をステージ上方に備え、基板６のＸＹ平面内の領域に対して有機ＥＬ材料を塗布する。すなわち、有機ＥＬ材料は基板６の表面に塗布されるので、除去領域６ｂには保護膜の表面に重ねて塗布される。なお、Ｘ軸方向に延びる帯状の領域を除去領域とする場合には、ステージのＹ軸方向のピッチ送りの長さを調整することによって、当該領域に有機ＥＬ材料を塗布しないようにすることができる。

また、保護膜形成装置１０と同様に、ステージの内部にはヒーターを備えるので、ヒーターによって基板が予備加熱することにより基板に塗布された有機ＥＬ材料は乾燥する。以上により、有機ＥＬ材料が塗布された基板は、ロボットアームによってステージから搬出され、続いて除去装置３０に搬入される。

次に、本実施の形態に係る基板処理装置に含まれる除去装置について説明する。図６は、除去装置３０の構成を示す図である。図６において、除去装置３０は、除去処理部３１、ステージ３２、ＸＹ駆動部３３、および制御部３４を備える。本除去装置は、レーザ吸収率の高い前処理材と有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ材料（発光層）または正孔輸送層の材料とが塗布された基板６に対して処理を行うものである。すなわち、有機ＥＬ材料等の除去を行うべき領域（除去領域）にあらかじめ前処理材が施されているので、レーザアブレーションによる有機ＥＬ材料等の除去は容易となる。図６においては、除去処理部３１からは、塗布物の除去を行うべき領域（除去領域）に対してレーザ光が照射される。これによって、レーザ光が照射された部分の前処理材が基板６から除去されるとともに、前処理材の表面に塗布された有機ＥＬ材料も除去される。さらに前処理材と有機ＥＬ材料とが基板６から除去される際、これらは気化して周囲に飛散するので、除去処理部３１は、吸引部３５によって飛散した気化物を吸引する。以上によって、除去装置は、有機ＥＬ材料等を本来塗布する必要がない領域（除去領域）から確実に除去することができる。

ステージ３２は、ＸＹ平面にほぼ平行な載置面を有する。ステージ３２には、上記基板６が載置される。ＸＹ駆動部３３は、ステージ３２に結合されており、ステージ３２を水平なＸ−Ｙ平面内で移動させる。ステージ３２の載置面に基板６を載置した状態でＸＹ駆動部３３を動作させることによって、載置面上に載置された基板をステージ３２ごとＸ−Ｙ軸方向に移動させることができる。基板６をＸ−Ｙ軸方向に移動させることによって、除去処理部３１からのレーザ光が基板６の上面に照射する位置を変化させることができる。

除去処理部３１は、ステージ３２に載置された基板６にレーザ光を照射する。図７は、図６に示す除去処理部３１の詳細な構成を示す図である。図７に示すように、除去処理部３１は、塗布物を除去するためのレーザ光を照射する照射部３００と、除去された塗布物が気体化した気体物を吸引する吸引部３５とを備える。また、照射部３００は、パルスレーザ光を発振するレーザ発振器３２１と、レーザ光を拡大する拡大光学系３２２と、拡大光学系３２２で拡大されたレーザ光の断面形状をスリット形状（幅狭な長方形状）に整形するマスク３２３と、このマスク３２３で整形されたスリット形状のレーザ光を集光して、ステージ３２上の基板６の表面に導くための縮小光学系３２４とを含む。なお、図７に示す点線矢印は、レーザ光の光路を示している。

レーザ発振器３２１は、レーザ光（例えば、エキシマレーザ光、ＹＡＧレーザ光など）をパルス発振する。レーザ発振器３２１からのパルスレーザ光は、例えばほぼ鉛直上方に向けて進み、反射ミラー３２５で光路がほぼ水平方向に曲げられた後、拡大光学系３２２に入射する。入射したレーザ光は、拡大光学系３２２によって予め定められた拡大倍率で拡大される。拡大光学系３２２で拡大されたレーザ光は、ほぼ水平方向に進み、反射ミラー３２６で光路がほぼ鉛直下向きに曲げられて、ステージ３２上の基板６とほぼ平行に配置されたマスク３２３の上面に照射される。マスク３２３には、レーザ光が照射される位置（レーザ光の光路上）にスリット２３１が形成されている。したがって、マスク３２３の上面に照射されたレーザ光の一部がスリット２３１を通過することによって、レーザ光は、その断面形状がスリット２３１に対応した形状（スリット形状）に整形される。マスク３２３でスリット形状に整形されたレーザ光は、縮小光学系３２４によって予め定められた縮小倍率で集光される。縮小光学系３２４によって集光されたレーザ光は、ステージ３２上に載置された基板６の上面に入射する。その結果、基板６上のスリット形状をした領域にレーザ光が照射される。言い換えれば、基板６の上面に、スリット形状の光像（レーザ像）が形成される。

吸引部３５は、レーザ光が照射された領域の上方の空間から気体を吸引する。吸引部３５は、吸引ヘッドを有しており、照射部３００によるレーザ像が形成される基板６の領域の近傍に吸引ヘッドの吸引口が位置するように配置される。吸引部３５の吸引動作は制御部３４によって制御され、制御部３４の指示に従って吸引部３５は吸引動作を開始する。なお、吸引部３５の構造はどのようなものであってもよいが、典型的には、吸引ヘッドから気体を吸引するためのポンプや、吸引した気体を排気するための排気口等を有している。

図６の説明に戻り、制御部３４は、除去処理部３１の照射部３００および吸引部３５、ならびに、ＸＹ駆動部３３の動作を制御する。制御部３４は、ＸＹ駆動部３３を制御して、基板６をステージ３２ごとＸ軸方向またはＹ軸方向に移動させる。また、照射部３００のレーザ発振器３２１を制御して、照射部３００からのレーザ光を基板６の上面に照射させる。さらに、吸引部３５を制御して、レーザ光が照射した基板領域の上方の空間の気体を吸引させる。

次に、除去装置の動作について説明する。保護膜形成処理および有機ＥＬ材料塗布処理が施された基板６は、第２搬送ロボット５５によって除去装置３０に搬入される。除去装置に搬入された基板６は、発光層が形成された面を上に向けてステージ３２の載置面上に載置される。基板６が載置されると、まず、制御部３４によってＸＹ駆動部３３が制御されて、照射部３００からのレーザ光が基板の除去領域の所定位置に照射されるように、基板６の位置が調整される。

基板６の位置調整後、制御部３４によって吸引部３５が制御されて、吸引部３５による吸引が開始される。続いて、制御部３４によってレーザ発振器３２１が制御されて、照射部３００から基板６の表面へのパルスレーザ光の照射が開始される。パルスレーザ光は、レーザ発振器３２１から一定の周波数ｆ（例えば、５０Ｈｚ）で繰り返し発振される。これにより、上記所定位置にパルスレーザ光が繰り返し照射される。図８は、除去処理が行われている基板近傍の様子を示す図である。図８においては、照射部３００の一部である照射ヘッド３６ａと、吸引部３５の一部である筒状の吸引ヘッド３５ａとを示している。パルスレーザ光が照射される領域では、照射ヘッド３６ａからパルスレーザ光が照射される度にレーザアブレーション現象が生じる。このレーザアブレーション現象によって前処理材は気化し、基板６上から除去されていく。その際、前処理材上に塗布されている有機ＥＬ材料１００は、前処理材とともに除去される。基板６上から除去された前処理材および有機ＥＬ材料１００は、パルスレーザ光が照射される領域の周囲に飛散するが、吸引ヘッド３５ａによって吸引される。これによって、塗布物が基板６や基板処理装置に再付着することを防止することができる。このように、基板と有機ＥＬ材料との間に、レーザの使用波長において容易にレーザアブレーション現象が生じるような前処理材を形成することにより、有機ＥＬ材料を容易に除去することができる。

ある程度のパルスレーザ光が基板６の上記所定位置に照射されると、レーザ光が照射された領域の前処理材および有機ＥＬ材料は除去される。したがって、制御部３４は、所定数（所定のパルス数）のパルスレーザ光が基板６の表面に照射されると、パルスレーザ光が基板６に照射される位置を移動させる。すなわち、ＸＹ駆動部３３を制御することによって基板６の位置を移動させる。このとき、制御部３４は、パルスレーザ光が基板６に照射される新たな領域が、それまで照射されていた領域に隣接するように（または、若干重複するように）移動させる。以降、同様にして、所定数のパルスレーザ光が基板６の表面に照射される度に、パルスレーザ光の照射領域が隣接する領域に移動されていく。図８では、Ｙ軸の正方向に基板６が移動している様子を示している。制御部３４は、上記除去領域の全てに対して所定数のパルスレーザ光を照射するように基板６を移動させる。除去領域の全てに対して所定数のパルスレーザ光が照射されたことによって、基板６の除去領域から塗布物が除去されたこととなるので、制御部３４は、除去処理を終了する。すなわち、照射部３００によるレーザ光の照射を停止するとともに、吸引部３５による吸引を停止させる。除去領域における塗布物が除去された基板６は、基板処理装置の各部の動作が停止した後、ロボットアームによってステージ３２から搬出される。そして除去処理が行われた基板は、ベーク装置によってベーク処理が施される。

以上のように、本実施形態によれば、基板表面の有機ＥＬ材料を本来塗布する必要がない領域にあらかじめレーザの使用波長に対してエネルギ吸収率の高い前処理材を塗布するので、レーザアブレーションによって前処理材を除去することで、容易にかつ確実に有機ＥＬ材料を除去することができる。

また、本実施の形態によれば、レーザの使用波長に対してエネルギ吸収効率の高い前処理材を除去すると同時に有機ＥＬ材料を除去することができるので、レーザ光が基板表面に到達することがなく、基板表面の損傷を防止することができる。したがって、良好な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

なお、本実施の形態において、ステージをＸ軸あるいはＹ軸方向に移動させることによって、基板に対する塗布物の塗布位置あるいはレーザ光の照射位置を変化させたが、これに限られない。塗布ノズルあるいは除去処理部をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させることによって、基板に対する塗布位置あるいはレーザ光の照射位置を変化させてもよい。

また、上記実施の形態の基板処理装置１において有機ＥＬ材料塗布装置２０に替えて正孔輸送材料塗布装置としてもよい。この場合の塗布処理は、図５の有機ＥＬ材料塗布装置２０と等しい構成を有する塗布装置により行われ、ノズルユニット２１から吐出される材料がＰＥＤＯＴ（ポリエチレンオキシチオフェン）等の正孔輸送材料である。この場合も、正孔輸送材料が塗布される前に前処理材を塗布し、次に正孔輸送材料を塗布してからレーザアブレーションによって前処理材を除去することで、容易にかつ確実に正孔輸送材料を塗布することができる。その後、基板をベーク装置に搬送して加熱・乾燥することで正孔輸送層が形成される。その正孔輸送層が形成された基板を有機ＥＬ材料塗布装置２０を有する基板処理装置１にて有機ＥＬ発光層を形成する。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、塗布装置と一体的に構成された点で上記第１の実施形態と相違する。以下、第１の実施形態との相違点を中心に第２の実施形態について説明する。なお、第２の実施形態においても第１の実施形態と同様、有機ＥＬ材料の除去処理を容易とするために、あらかじめ基板の除去領域には前処理が施される。

図９は、第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図９（ａ）は、基板処理装置を上側から見た図であり、図９（ｂ）は、基板処理装置を側面からＹ軸正方向の向きに見た図である。図９において、基板処理装置は、除去処理部１５１、ガイド部材１５２、ノズルユニット１５３、液受け部１５４、ステージ１５５、および保護膜形成ノズル１６０を備えている。除去処理部１５１は、上述の第１の実施形態における除去処理部３１と同様の構成である。ノズルユニット１５３は、Ｘ軸方向に移動しながら有機ＥＬ材料を基板５６に塗布する塗布手段であり、赤色の有機ＥＬ材料を吐出するノズル５３１と、緑色の有機ＥＬ材料を吐出するノズル５３２と、青色の有機ＥＬ材料を吐出するノズル５３３とを有する。保護膜形成ノズル１６０は、Ｚ軸方向に移動可能であり、前処理材を基板５６に塗布する塗布手段である。また、図９には示していないが、基板処理装置は、除去処理部１５１、ノズルユニット１５３、保護膜形成ノズル１６０、およびステージ１５５の動作を制御する制御部を備えている。また、ステージ１５５の内部には図示しないヒーターが設けられる。ヒーターは、ステージ１５５上に載置される基板を加熱する加熱手段として用いられる。本実施形態においては、このヒーターで基板を加熱することによって、基板に塗布される前処理材および有機ＥＬ材料の塗布液を流動しない程度に硬化させ、溶剤の乾燥、蒸発を促進する。したがって本実施の形態においては、前処理材の乾燥後に有機ＥＬ材料が塗布される。また、有機ＥＬ材料の乾燥後に除去処理が行われる。なお、発光層を形成させるためには別途、熱処理工程がベーク装置により行われる。

図９に示すように、ステージ１５５には塗布処理および除去処理の対象となる基板５６が載置される。基板５６は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に関してステージ１５５よりもやや大きいサイズである。本実施形態では、ステージ１５５はＹ軸方向に移動可能であるとする。ステージ１５５の上方には保護膜形成ノズル１６０が配置される。保護膜形成ノズル１６０は、前処理材を吐出する向きが鉛直下向きとなるように配置される。保護膜形成ノズル６０は、塗布位置まで下降し、後述するノズルユニット１５３による有機ＥＬ材料の処理液吐出と同時に前処理材の塗布が可能である。したがって、保護膜形成ノズル１６０は、ステージ１５５がＹ軸方向に移動することにより、Ｘ軸方向に関して基板５６の両端領域５６ｂに前処理材を形成することができる。なお、保護膜形成ノズル１６０の種類、数あるいは位置を変更することにより前処理材の形成パターンを自由に変更することができる。

また図９に示すように、ステージ１５５の上方にはガイド部材１５２が配置される。ガイド部材１５２はＸ軸方向に延びるレール５２１を有し、レール５２１に沿って移動可能なようにノズルユニット１５３がガイド部材１５２に接続される。ノズルユニット１５３の各ノズル５３１〜５３３は、処理液を吐出する向きが鉛直下向きとなるようにノズルユニット１５３の下側に配置される。なお、各ノズル５３１〜５３３は、Ｙ軸方向に関して少しずれた位置に配置される。ここで、ガイド部材１５２は、Ｘ軸方向に関して基板５６よりも長く構成され、ノズルユニット１５３は、Ｘ軸方向に関して基板５６の幅よりも広い範囲を移動することが可能である。したがって、ノズルユニット１５３がレール５２１の一端から他端まで移動することによって、Ｘ軸方向に関して基板５６の一端から他端まで有機ＥＬ材料を塗布することができる。ただし、ノズルユニット１５３がレール５２１の一端から他端まで移動する間に各ノズル５３１〜５３３から有機ＥＬ材料が吐出されると、基板５６に有機ＥＬ材料が塗布されるだけでなく、基板５６の外側においても有機ＥＬ材料が吐出されることとなる。そこで、基板５６の外側で吐出された有機ＥＬ材料を受ける目的で液受け部１５４が設置されている。なお、液受け部１５４で受けた有機ＥＬ材料は、液受け部１５４の排出口（図示していない）から排出される。

また、ガイド部材１５２には２つの除去処理部１５１が固定される。各除去処理部１５１に含まれる照射部１１１および吸引部１１２は、照射ヘッドおよび吸引ヘッドが下向きになるように配置される。各除去処理部１５１の上下方向に関する位置は、照射ヘッドおよび吸引ヘッドの先端の位置が基板５６の上面よりもやや上側になる。したがって、ステージ１５５が移動して除去処理部１５１の下方に基板５６が位置する場合には、除去処理部１５１からのレーザ光が基板５６に照射される結果、基板５６に形成された前処理材とともに発光層を除去することができる。また、２つの除去処理部１５１は、Ｘ軸方向に関して基板５６の両端となる位置に１つずつ配置される。具体的には、各除去処理部１５１は、レーザ光の照射位置がＸ軸方向に関して基板５６の端になるように配置される。したがって、ステージ１５５が移動した結果、基板５６が除去処理部１５１の下方に位置する場合には、基板５６のＸ軸方向に関する両端の領域、すなわち前処理材が形成された領域が除去処理の対象となる。なお、図９では、基板５６のＸ軸方向に関する両端の領域を対象として除去処理を行う目的で、各除去処理部１５１は、Ｘ軸方向に関して基板５６の両端となる位置に１つずつ配置される。除去処理部１５１の配置位置および個数は、除去領域の位置および個数に応じて適宜変更されればよく、例えば、Ｘ軸方向に関して基板５６の中央の領域を対象として除去処理を行う場合は、Ｘ軸方向に関して基板５６の中央となる位置に除去処理部１５１を配置すればよい。

次に、第２の実施形態に係る基板処理装置の動作を説明する。なお、以下では、基板５６にはＸ軸に平行なストライプ状に有機ＥＬ材料が塗布され、基板５６のＸ軸方向に関する両端について有機ＥＬ材料が除去される場合を説明する。図１０は、第２の実施形態における除去処理の対象となる基板５６を示す図である。図１０（ａ）は、有機ＥＬ材料が塗布される領域（除去される領域も含む）を示す図である。本実施形態においては、図１０（ａ）に示すように、Ｙ軸方向に関して基板５６の両端から所定長さｄｙまでの領域５６ｃには有機ＥＬ材料および前処理材が塗布されない。また、図１０（ａ）においては、点線で示される領域５６ａの外側の領域、すなわち、領域５６ｂおよび５６ｃが除去領域とする。したがって、基板処理装置は、Ｘ軸方向に関して基板５６の両端から所定長さｄｘまでの領域５６ｂに前処理材を塗布して有機ＥＬ材料の除去処理を行う。なお、図１０（ｂ）は、基板処理装置による除去処理が行われた後の基板５６を示す図である。

第２の実施形態においては、まず、陽極および正孔輸送層が予め形成された基板５６がステージ１５５に載置される。基板５６がステージ１５５に載置されると、制御部は、予め定められた前処理材の塗布開始位置にステージ１５５を移動させるとともに、保護膜形成ノズル１６０を塗布位置まで下降させる。そして、図１０（ａ）に示す領域５６ａの上端の位置が保護膜形成ノズル１６０の吐出位置となるようにステージ１５５が移動された後、前処理材の塗布処理が開始される。そして、ステージ１５５がＹ軸の正方向に移動される結果、図１０（ａ）に示す領域５６ｂには前処理材が塗布される。そして、ヒーターによって基板５６が加熱されることにより前処理材の溶液は蒸発するので、後述する有機ＥＬ材料の塗布開始前までには基板に塗布された前処理材は硬化する。

前処理材の塗布処理が実行されていくと、ステージ１５５がＹ軸の正方向に移動される結果、前処理材が塗布された図１０（ａ）に示す領域５６ａの上端の位置がノズルユニット１５３の吐出位置に達する。ノズルユニット１５３の吐出位置が、この領域５６ａに達すると、有機ＥＬ材料の塗布処理が開始される。有機ＥＬ材料の塗布処理においては、ノズルユニット１５３のＸ軸方向の移動動作（第１動作）と、ステージ１５５のＹ軸方向の移動動作（第２動作）とが繰り返される。具体的には、まず、第１動作として、ノズルユニット１５３の各ノズル５３１〜５３３から有機ＥＬ材料が吐出されるとともにノズルユニット１５３がガイド部材１５２の一端から他端へ移動する。これによって、基板５６への３列分の有機ＥＬ材料の塗布が完了する。次に、第２動作として、塗布された３列分の長さだけＹ軸の正方向にステージ１５５がピッチ送りされる。以降、第１動作と第２動作とを繰り返すことによって、基板５６への塗布が３列分ずつ行われる。これによって、基板５６に有機ＥＬ材料がストライプ状に塗布されていく。そして、ヒーターによって基板５６が加熱されることにより有機ＥＬ材料の溶剤は蒸発するので、後述するレーザアブレーションによる除去処理開始前までには基板に塗布された有機ＥＬ材料は硬化する。

さらに有機ＥＬ材料の塗布処理が実行されていくと、ステージ１５５がＹ軸の正方向に移動される結果、除去処理部１５１からのレーザ光の照射位置は、前処理材および有機ＥＬ材料が塗布された領域（図１０に示す領域５６ｂ）に達する。レーザ光の照射位置がこの領域５６ｂに達すると、除去処理部１５１によるレーザ光の照射および吸引が開始される。これによって、レーザ光が照射された基板の領域に塗布された前処理材が除去される。また、前処理材の除去と同時に、前処理材上に重ねて塗布された有機ＥＬ材料も除去される。さらに、上記第２動作が行われることによって、レーザ光が基板５６に照射される位置が移動するので、新たな領域にレーザ光が照射され、当該新たな領域に塗布された前処理材および有機ＥＬ材料が除去される。さらに第２動作が繰り返されることによって、レーザ光の照射領域がＹ軸方向に移動して、移動後の照射領域に塗布された前処理材および有機ＥＬ材料が除去されていく。なお、制御部は、基板５６のＹ軸負方向側の辺から所定長さｄｙだけ内側の領域（領域５６ａおよび５６ｂ）からノズルの吐出位置が外れると、ノズルユニット１５３に上記第１動作を停止させるが、第１動作を停止した後もステージ１５５に第２動作を継続させる。第２動作は、レーザ光の照射位置が領域５６ｂから外れるまで継続される。これによって、基板５６のＸ軸方向に関して両側の領域について、基板５６に塗布された前処理材および有機ＥＬ材料が除去される（図１０（ｂ）参照）。

なお、除去処理部１５１によるレーザ光が照射される領域、すなわち、除去が行われる領域のＹ軸方向の長さは、有機ＥＬ材料が一度に塗布される３列分の長さ以上であることが好ましい。すなわち、除去処理部１５１から照射されるレーザ光のＹ軸方向に関する幅が当該３列分の長さ以上となるように、マスク１２３のスリット２３１の形状を設定することが好ましい。

また、第２動作が行われてから次に第２動作が行われるまでの時間間隔は、基板５６に塗布された有機ＥＬ材料がレーザ光によって十分に除去される時間よりも長く設定されることが好ましい。つまり、レーザ光によって有機ＥＬ材料が完全に除去された後でレーザ光の照射位置が次の位置に移動するように、第２動作が行われる時間間隔を設定することが好ましい。

また、Ｘ軸方向に関して、除去領域の幅がレーザ光の照射領域よりも広い場合には、レーザ光の照射位置をＸ軸方向に移動させることが可能な機構を除去処理部１５１に設けるようにしてもよい。この場合、第２動作が行われてから次に第２動作が行われるまでの間にレーザ光の照射領域をＸ軸方向にスキャンさせることによって、Ｘ軸方向に関する幅がレーザ光の照射領域よりも広い除去領域についても上記基板処理装置を適用することができる。

以上のように、第２の実施形態によれば、基板処理装置を塗布装置と一体化して構成することができるので、製造システムを全体として小型化することができる。また、塗布した材料にベーク処理を行う前に除去処理を行うことができるので、ベーク処理後に除去処理を行う場合に比べて除去が容易になる。

なお、第２の実施形態においては、ステージ１５５をＹ軸方向に移動させることによって、Ｙ軸方向に延びる帯状の除去領域について塗布物の除去を行った。なお、Ｘ軸方向に延びる帯状の除去領域について塗布物の除去を行う場合は、基板５６への塗布処理が完了した後に、除去処理部１５１からレーザ光を照射しつつステージ１５５をＸ軸方向に移動させるようにしてもよい。また、Ｘ軸方向に延びる帯状の領域を除去領域とする場合には、ステージ１５５のＹ軸方向のピッチ送りの長さを調整することによって、当該領域に有機ＥＬ材料を塗布しないようにしてもよい。

なお、第２の実施形態においては、前処理材・有機ＥＬ材料の塗布処理およびレーザアブレーションによる除去処理は同時に行われたが、これに限られない。前処理材・有機ＥＬ材料の塗布処理が終了した後に除去処理を行ってもよく、各処理の組み合わせはこれに限られない。

なお、第１および第２の実施形態において、前処理材はノズルによって塗布されたが、これに限られない。基板表面にレーザに対して吸収率の高い樹脂を被膜として形成されればよく、例えば、ローラーやディスペンサにより前処理材を塗布してもよい。また例えば、フィルムを介して膜転写を行ったり、気相法により膜堆積させる方法を用いてもよい。

なお、第１および第２の実施形態において、前処理材を効果的に基板に塗布するために、あらかじめ基板の表面洗浄・改質をおこなってもよい。例えば、ＵＶランプや常圧プラズマ等の光源を用いてもよい。かかる表面洗浄・改質機構は、第２の実施形態に示した基板処理装置と一体して構成することができる。具体的には、図１１（ａ）に示すように、ＵＶランプ１７０をステージ上方に備え、基板上の除去領域に紫外線を照射することにより、基板に付着した有機物を取り除くことができる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、保護膜形成ノズル１６０によって前処理材を塗布する際、効果的に保護膜を形成することができる。また、図１１（ｃ）に示すように、前処理材の塗布後、さらにＵＶランプ１７０により紫外線を照射することにより前処理材を硬化させることも可能である。

なお、上記第２の実施形態においても、ノズルユニット１５３の各ノズル５３１〜５３３から有機ＥＬ材料を吐出しているが、有機ＥＬ材料にかえて正孔輸送材料を吐出するようにしてもよい。

なお、第１および第２の実施形態においては、レーザアブレーションにより前処理材を除去することにより、前処理材上に形成された有機ＥＬ材料を除去するものである。したがって、有機ＥＬ材料を除去することができれば前処理材が一部残存していてもよい。これにより、システム全体のコストを下げることができる。

また、上記第１および第２の実施形態において、ノズルユニット１５３の各ノズル５３１〜５３３から赤色と緑色と青色の有機ＥＬ材料を同時に吐出しているが、各ノズル５３１〜５３３から同じ色の有機ＥＬ材料を吐出するようにしてもよい。この場合、保護膜形成から除去処理後のベーク装置による加熱処理までを繰り返すことによって３色の発光層を形成してもよいし、保護膜形成から除去処理までを３色の発光材料で繰り返した後にベーク装置による加熱処理を行うようにしてもよい。

なお、第１および第２の実施形態において、ベーク処理に耐えうる前処理材であれば、有機ＥＬ材料塗布後にベーク処理を行い、その後除去処理を行ってもよい。

本発明は、有機ＥＬ表示装置を製造する製造装置に好適である。

第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図 第１の実施形態における除去処理の対象となる基板を示す図 第１の実施形態における保護膜形成装置の構成を示す図 第１の実施形態における前処理材の塗布処理が行われている基板近傍の様子を示す図 第１の実施形態における発光層の塗布処理が行われている基板近傍の様子を示す図 第１の実施形態における除去装置の構成を示す図 第１の実施形態における除去装置の除去処理部の詳細な構成を示す図 第１の実施形態における除去処理が行われている基板近傍の様子を示す図 第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図 第２の実施形態における除去処理の対象となる基板を示す図 表面洗浄・改質処理が行われている基板近傍の様子を示す図

符号の説明

１ 基板処理装置
６、５６ 基板
１０ 保護膜形成装置
１１ 保護膜形成ノズル
１２ ステージ
１３ ＸＹ駆動部
１４ 制御部
１５ ヒーター
２０ 有機ＥＬ材料塗布装置
２１ ノズルユニット
３０ 除去装置
３１ 除去処理部
３２ ステージ
３３ ＸＹ駆動部
３４ 制御部
３５ 吸引部
４０ ベーク装置
５１ インデクサ
５２ 第１搬送路
５３ 第２搬送路
５４ 第１搬送ロボット
５５ 第２搬送ロボット
１００ 有機ＥＬ材料
１１０ 保護膜
１１１ 照射部
１１２ 吸引部
１１３ 保護膜形成ノズル
１１４ ノズルユニット
１５１ 除去処理部
１５２ ガイド部材
１５３ ノズルユニット
１５４ 液受け部
１５５ ステージ
１６０ 保護膜形成ノズル
１７０ ＵＶランプ

Claims (6)

1. 有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を基板に塗布するための基板処理方法であって、
   前記基板上における所定領域に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   前記保護膜形成工程が行われた前記基板に対して有機ＥＬ材料または正孔輸送材料からなる塗布物を塗布する塗布工程と、
   前記塗布工程が行われた前記基板の前記所定領域に対してレーザ光を照射し、前記所定領域上の前記保護膜および塗布物を除去する除去工程と、
   前記レーザ光が照射されたと同時に前記所定領域上の空間から、前記除去工程によって除去された前記保護膜および前記塗布物を吸引する吸引工程とを備える、基板処理方法。
2. 前記塗布工程の前に、前記保護膜形成工程によって形成された前記保護膜を乾燥させる第１乾燥工程をさらに備える、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記除去工程の前に、前記有機ＥＬ材料または正孔輸送材料の塗布後の基板を乾燥させる第２乾燥工程をさらに備える、請求項１に記載の基板処理方法。
4. 使用波長のレーザ光に対する前記保護膜のエネルギ吸収率は、前記塗布物のエネルギ吸収率と比べて高いことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
5. 前記基板の前記所定領域に照射される前記レーザ光は、前記保護膜をレーザアブレーションさせるしきい値よりも高く、前記塗布物をレーザアブレーションさせるしきい値よりも低いエネルギ密度を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
6. 有機ＥＬ材料または正孔輸送材料を基板に塗布するための基板処理装置であって、
   前記基板を載置する載置面を有するステージと、
   前記基板上に保護膜を塗布する保護膜形成ノズルを有し、前記ステージまたは前記保護膜形成ノズルの少なくとも一方を前記載置面に平行な第１方向へ相対的に移動させることにより、前記基板上における所定領域に保護膜を形成する保護膜形成手段と、
   前記基板上に前記有機ＥＬ材料または正孔輸送材料からなる塗布物を塗布する塗布ノズルを有し、前記ステージまたは前記塗布ノズルの少なくとも一方を前記第１方向と垂直であり、かつ前記載置面に平行な第２方向へ相対的に移動させることにより、前記基板に対して前記塗布物を塗布する塗布手段と、
   前記基板上にレーザ光を照射するレーザ照射ヘッドを有し、前記ステージまたは前記レーザ照射ヘッドの少なくとも一方を前記載置面に平行な第１方向へ相対的に移動させることにより、前記基板の前記所定領域に対して前記レーザ光を照射し、前記所定領域上の前記保護膜および前記塗布物を除去する除去手段と、
   前記レーザ光が照射されたと同時に当該除去領域上の空間から、前記除去手段により除去された前記保護膜および前記塗布物を吸引する吸引手段とを備える、基板処理装置。
   

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