[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2007111263A1 - 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2007111263A1
WO2007111263A1 PCT/JP2007/056061 JP2007056061W WO2007111263A1 WO 2007111263 A1 WO2007111263 A1 WO 2007111263A1 JP 2007056061 W JP2007056061 W JP 2007056061W WO 2007111263 A1 WO2007111263 A1 WO 2007111263A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
carbon atoms
general formula
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/056061
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Yamamoto
Takashi Arakane
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority to EP07739502A priority Critical patent/EP2000463A2/en
Priority to JP2008507472A priority patent/JPWO2007111263A1/ja
Publication of WO2007111263A1 publication Critical patent/WO2007111263A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/56Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/64Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms, e.g. histidine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/18Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with aryl radicals directly attached in position 2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221Carbon nanotubes
    • H10K85/225Carbon nanotubes comprising substituents
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007Non-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Definitions

  • the present invention relates to a novel nitrogen-containing heterocyclic derivative having a specific substituent, an organic electroluminescence (EL) device material using the same, and an organic EL device, and in particular, a component of the organic EL device
  • the present invention relates to an organic EL device having a high luminous efficiency and a long life by using a nitrogen-containing heterocyclic derivative useful as at least one organic thin film layer.
  • an EL element is composed of a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiching the layer.
  • light emission when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side, and positive holes are injected from the anode side. Furthermore, the electrons recombine with holes in the light emitting layer to generate an excited state, and energy is emitted as light when the excited state returns to the ground state.
  • Patent Document 1 discloses an element using a compound having a benzimidazole structure as a light-emitting material, and the element emits light at a luminance of 200 cd / m 2 at a voltage of 9 V.
  • Patent Document 2 describes a compound having a benzimidazole ring and an anthracene skeleton.
  • Patent Document 3 a compound having an imidazole ring is used for a force light emitting layer and a hole blocking layer.
  • Patent Document 1 US Pat. No. 5,645,948
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-38141
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-146368
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a novel nitrogen-containing heterocyclic derivative useful as a constituent component of an organic EL device, and the nitrogen-containing heterocyclic derivative is an organic thin film. By using it for at least one layer, it is an object to realize an organic EL device having a high luminance and light emission efficiency with a low voltage.
  • the present inventors have obtained a novel nitrogen-containing heterocyclic derivative having a specific structure in at least one organic thin film layer of an organic EL device. As a result, it was found that the use of the organic EL device can achieve low voltage, high luminance and high efficiency, and the present invention has been completed.
  • the present invention provides a nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following general formula (1).
  • Ri to R 3 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom having 5 to 60 nuclear atoms.
  • Teroaryl group substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nucleus atoms, Substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted An alkoxycarbo group having 1 to 50 carbon atoms, An amino group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, or a carboxyl group substituted with a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms,
  • R a is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 5 carbon atoms.
  • At least one of Ri to R 3 and R a is a substituent represented by the following general formula (2).
  • (L is a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 60 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted fluorenylene group.
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 60 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted fluorenylene group,
  • Ar 2 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 5 carbon atoms.
  • substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms
  • substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms
  • a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention is suitable as a material for an organic EL device.
  • an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, and at least one of the organic thin film layers is the nitrogen-containing layer of the present invention. It contains a heterocyclic derivative alone or as a component of a mixture.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention and the organic EL device using the same are excellent in electron transport property, high light emission efficiency and high light emission efficiency at low voltage.
  • the present invention provides a nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following general formula (1).
  • R a is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 5 carbon atoms.
  • At least one of Ri to R 3 and R a is a substituent represented by the following general formula (2).
  • L is a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom number of 5 to 60 heteroarylene groups, or substituted or unsubstituted fluorenylene groups.
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 60 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted fluorenylene group.
  • Ar 2 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 60 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 5 carbon atoms.
  • substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms
  • substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms
  • a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (1a), (1b) or (1c).
  • R 4 to R 9 are independently the same as Ri to R 3 in the general formula (1).
  • Ar 7 and Ar 9 are each independently the same as Ar 1 in the general formula (1).
  • Ar 6 , Ar 8 and Ar 1Q are each independently the same as Ar 2 in the general formula (1).
  • L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are each independently the same as L in the general formula (1).
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the general formula (1) is preferably the following general formula (1d) or
  • R 1Q to R 15 are independently the same as Ri to R 3 in the general formula (1).
  • R d and are each independently the same as R a in the general formula (1).
  • Ri ⁇ R 15 , R a ⁇ , Ar 2 , Ar 8 and Ar substituted or unsubstituted nuclei C6-C60 aryl groups and C5-C60 heteroaryl groups include, for example, phenol groups, 1-naphthyl groups, 2-naphthyl groups.
  • a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyraryl group, a chrysyl group, a fluoranthuric group, and a fluorine group are preferable.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 50 carbon atoms that are Ar 8 and Ar 1Q include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, and n-pentyl group.
  • Ri ⁇ R 15 , R a ⁇ , Ar 2 Specific examples of the substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms that are Ar 8 and Ar 1Q include, for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a 4-methylcyclohexyl group.
  • Examples of substituted or unsubstituted aralkyl groups having 6 to 50 atoms as Ar 8 and Ar 1Q include benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2 Hue - Le isopropyl, Hue - Lou t-butyl radical, a naphthylmethyl group, 1 alpha Nafuchiruechiru group, 2-a- Nafuchiruechiru group, 1 - a naphthyl isopropyl, 2-a naphthylisopropyl group, 13 naphthylmethyl group , 1- ⁇ naphthylethyl group, 2- ⁇ naphthylethyl group, 1 ⁇ naphthylisopropyl group, 2- ⁇ naphthylisopropyl group, 1 pyrrolylmethyl group, 2- (1 pyrrolylmethyl group, 2- (1 pyrrolylmethyl group, 2- (1 pyr
  • the substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms which is Ar 8 and Ar 1Q is a group represented by OY, and examples of Y include the same examples as those described for the alkyl group. It is done.
  • the ⁇ 50 allyloxy group is represented as OY ′, and examples of Y ′ include the same examples as described for the allyl group.
  • the substituted or unsubstituted arylenethio group having 5 to 50 nuclear atoms, which is Ar 8 and Ar 1Q , is represented as SY ′, and examples of Y ′ include the same examples as those described for the aryl group.
  • the substituted or unsubstituted alkoxycarbo group having 1 to 50 carbon atoms which is Ar 8 and Ar 1Q is a group represented by COOY, and examples of Y are the same as those described for the alkyl group above. Examples are given.
  • Ri ⁇ R 15 examples of aryl groups in an amino group substituted with a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms that are ⁇ / and A r 1Q are the same as those described for the aryl group. An example is given.
  • halogen atom that is Ar 8 and Ar 1 () include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • Specific examples of the substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms which are Ar 7 and Ar 9 include a diene group formed by removing one hydrogen atom from the substituent described in the aryl group. And a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthrene group, a phenanthrylene group, a pyrylene group, a chrysylene group, a fluoranthylene group, and a fluorenylene group.
  • substituted or unsubstituted heteroarylene group having 5 to 60 nuclear atoms that are Ar 7 and Ar 9 include, by substituting one hydrogen atom from the substituent described for the heteroaryl group.
  • Divalent substituents such as pyridyl, birazyl, quinolyl, isoquinolyl, phenanthryl, furyl, benzofuryl, dibenzofuryl, chael, dibenzocher,
  • divalent groups in which a hydrogen atom is removed from a benzocher group, pyrrolyl group, indolyl group, carbazolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, etc. preferably a pyridyl group, a quinolyl group, a carbazolyl group, an indolyl group It is a divalent group except for a hydrogen atom.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention is a material for an organic EL device.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention is preferably an electron injection material or an electron transport material for organic EL devices.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention is preferably a light emitting material for an organic EL device.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device in which an organic thin film layer composed of one or more layers including at least a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, and at least one of the organic thin film layers is the nitrogen-containing layer. Contains a heterocyclic derivative alone or as a component of a mixture.
  • the organic thin film layer has an electron injection layer or an electron transport layer, and the electron injection layer or the electron transport layer is a component of the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention alone or as a component of a mixture. It is preferable to contain as.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device in which one or more organic thin film layers including at least a light emitting layer are sandwiched between a cathode and an anode, and the nitrogen-containing complex of the present invention is included in the light emitting layer.
  • the ring derivative is preferably contained alone or as a component of a mixture.
  • the electron injection layer or the electron transport layer containing the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the invention contains a reducing dopant.
  • the reducing dopant of the organic EL device of the present invention is preferably an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth metal oxide, alkali.
  • Anode z Inorganic semiconductor layer Z insulating layer Z light emitting layer Z insulating layer Z cathode (14) Anode Z Organic semiconductor layer Z insulating layer Z light emitting layer Z insulating layer Z cathode
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention may be used in any organic thin film layer of an organic EL device.
  • it can be used in an emission band or an electron transport band, and particularly preferably an electron injection layer, an electron transport layer and a light emission. Used for layers.
  • the organic EL device of the present invention is manufactured on a light-transmitting substrate.
  • the translucent substrate mentioned here is a substrate that supports the organic EL device, and a smooth substrate with a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more is preferable.
  • a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned.
  • the glass plate include soda lime glass, norium'strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, norium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyethersulfide, and polysulfone.
  • the anode of the organic EL device of the present invention has a function of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective to have a work function of 4.5 eV or more.
  • Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), acid-tin tin (NE SA), indium-zinc oxide (IZO), gold, silver, platinum, copper, and the like. Can be mentioned.
  • the anode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance for light emission of the anode Is preferably greater than 10%.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness of the anode is a force depending on the material. Usually, it is selected in the range of 10 nm to l ⁇ m, preferably 10 to 200 nm.
  • the light emitting layer of the organic EL device has the following functions (1) to (3).
  • Injection function a function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and a function that can inject electrons from the cathode or electron injection layer
  • Transport function Function to move injected charges (electrons and holes) by the force of electric field
  • Luminescent function a function that provides a field for recombination of electrons and holes, and connects this to light emission.However, there is no difference between the ease of hole injection and the ease of electron injection. Although the transport capacity expressed by the mobility of holes and electrons is large or small, it is preferable to move one of the charges.
  • the light emitting layer is particularly preferably a molecular deposited film.
  • the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gas phase state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state.
  • a film can be classified from a thin film (accumulated film) formed by the LB method by the difference in aggregated structure and higher-order structure and functional differences resulting from it.
  • a binder such as rosin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, which is then thin-filmed by spin coating or the like.
  • the light emitting layer can also be formed by twisting.
  • a known light emitting material other than the light emitting material comprising the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention may be contained in the light emitting layer as desired, as long as the object of the present invention is not impaired.
  • a light emitting layer containing another known light emitting material may be laminated on the light emitting layer containing the light emitting material comprising the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention.
  • Examples of the light emitting material or doping material that can be used for the light emitting layer include allylamin compounds and Z or styrylamine compounds, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, tarisene, fluorescein, perylene, lidar perylene, naphtholene.
  • Taloperylene perinone, lidar perinone, naphtalin perinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxaziazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentagen, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzo Examples include quinoline metal complexes, imine, diphenylethylene, buranthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, imidazole chelated oxinoid compounds, quinacridone, rubrene, and fluorescent dyes. It is not limited.
  • the light emitting layer preferably contains an arylamine compound and Z or styrylamine compound.
  • arylamine compounds include compounds represented by the following general formula (A), and examples of styrylamine compounds include compounds represented by the following general formula (B).
  • Ar represents a fuel, a bifuel, a terpheal, a stilbene, a distil
  • Luaryl force is a selected group, Ar and Ar are each a hydrogen atom or a carbon number.
  • Ar to Ar may be substituted.
  • p is an integer from 1 to 4.
  • the aromatic group having 6 to 20 carbon atoms is preferably a phenyl group, a naphthyl group, an anthracyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, or the like.
  • aryl groups having 5 to 40 nuclear atoms include phenyl, naphthyl, anthracenyl, phenanthryl, pyrenyl, coloninole, biphenyl, terphenyl, pyrrolyl, furanyl, thiophenyl, benzothiophenyl, oxadiazolyl, Preference is given to diphenylanthracenyl, indolyl, carbazolyl, pyridyl, benzoquinolyl, fluoranthenyl, isenaftfluoroolturyl, stilbene and the like.
  • the aryl group having 5 to 40 nucleus atoms may be further substituted with a substituent.
  • alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms ethyl group, methyl group, isopropyl group, n —Propyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.
  • alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms ethoxy group, methoxy group, isopropoxy group, n— Propoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, cyclopentoxy group, cyclohexyloxy group, etc.
  • aryl group having 5-40 nuclear atoms aryl group having 5-40 nuclear atoms
  • Ar is a substituted or unsubstituted condensed aromatic group having 10 to 50 nuclear carbon atoms
  • Ar is a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms
  • X is a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms.
  • a, b and c are each an integer of 0-4.
  • n is an integer of 1 to 3. When n is 2 or more, the values in [] may be the same or different. )
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, and m and n are each an integer of 1 to 4)
  • ⁇ ! ⁇ Is independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted Is an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl group
  • Ar and Ar are each a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • L and L are each a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group.
  • n is an integer from 1 to 4
  • s is an integer from 0 to 2
  • t is an integer from 0 to 4.
  • L or Ar is bonded to any of the 1-5 positions of pyrene, and L or Ar, is bonded to any of the 6-10 positions of pyrene.
  • substitution positions of L and L 'or Ar and Ar in pyrene are not the 1st and 6th positions or the 2nd and 7th positions.
  • a 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted condensed aromatic ring group having 10 to 20 nuclear carbon atoms.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • R 1 -I ⁇ each independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted group.
  • Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbo group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or An unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group or a hydroxyl group.
  • Ar 2 , R 9 and R 1Q may be plural or adjacent to each other and may be saturated. Alternatively, an unsaturated cyclic structure may be formed.
  • 1 ⁇ to 1 ⁇ ° are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an optionally substituted aryl group, an alkoxyl group, an aryloxy group, an alkylamino group, or an alkyl group.
  • An arylamino group or an optionally substituted heterocyclic group, a and b each represent an integer of 1 to 5, and when they are 2 or more, R 1 or R 2 are each it is the same or different Yogumata R1 s or R2 may be bonded to each other to form a ring, R 3 and R 4, R 5 and R 6, R 7 and R 8, R 9 and R 1 (> may be bonded to each other to form a ring.
  • L 1 is a single bond, — O—, — S—, — N (R) — (R is an alkyl group or an optionally substituted aryl Group), an alkylene group or an arylene group.
  • L 2 represents a single bond, —O—, 1 S—, —N (R) — (where R is an alkyl group or an optionally substituted aryl group), an alkylene group or an arylene group.
  • a 5 to A 8 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
  • R 21 to R 23 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms, An alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryloxy group having 5 to 18 carbon atoms, an aralkyloxy group having 7 to 18 carbon atoms, an arylamino group having 5 to 16 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, and an ester group having 1 to 6 carbon atoms. Or a halogen atom, and at least one of A 9 to A 14 is a group having three or more condensed aromatic rings.
  • R and R are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or
  • R 1 2 may be the same or different.
  • R and R bonded to the loulene group may be the same or different.
  • Ar and Ar Is a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group having a total of 3 or more benzene rings, or a condensed polycyclic ring having a total of 3 or more substituted or unsubstituted carbons of the benzene ring and heterocyclic ring bonded to a fluorene group. Represents a heterocyclic group, Ar and Ar are the same or different
  • n an integer of 1 to 10.
  • anthracene derivatives are preferable, monoanthracene derivatives are more preferable, and asymmetric anthracene is particularly preferable.
  • a phosphorescent compound can also be used as the dopant light-emitting material.
  • a compound containing a force rubazole ring as a host material is preferable.
  • the dopant is a compound capable of emitting triplet exciton force, and is not particularly limited as long as the triplet exciton force also emits light. However, at least one group force including Ir, Ru, Pd, Pt, Os and Re force is also selected.
  • a metal complex containing two metals is preferred.
  • a host suitable for phosphorescence emission with a compound power containing a strong rubazole ring is a compound having the function of emitting a phosphorescent compound as a result of energy transfer from its excited state to the phosphorescent compound. is there.
  • the host compound is not particularly limited as long as it is a compound that can transfer the exciton energy to the phosphorescent compound, and can be appropriately selected according to the purpose. It may have an arbitrary heterocyclic ring in addition to the force rubazole ring.
  • host compounds include force rubazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxaziazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, furan diamine derivatives, arylamine derivatives , Amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, anthraquinodis Methane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiobilane dioxide derivatives, carpositimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylvirazine derivatives, naphthalene derivatives Heterocycl
  • the phosphorescent dopant is a compound capable of emitting triplet exciton power.
  • the triplet exciton force is not particularly limited as long as it emits light, but a group complex of Ir, Ru, Pd, Pt, Os, and Re force is preferably a metal complex containing at least one selected metal, and is preferably a porphyrin metal complex or ortho metal ion. ⁇ Metal complexes are preferred.
  • the porphyrin metal complex is preferably a porphyrin platinum complex.
  • the phosphorescent compound may be used alone or in combination of two or more.
  • ligands that form ortho-metal complexes
  • preferred ligands include 2 phenyl pyridine derivatives, 7, 8 benzoquinoline derivatives, and 2- (2-Che) pyridine derivatives. , 2- (1 naphthyl) pyridine derivatives, 2-phenol-quinoline derivatives, and the like. These derivatives may have a substituent as necessary. In particular, fluorinated compounds and trifluoromethyl groups are introduced. Yes. Further, it may have a ligand other than the above ligands such as acetylylacetonate and picric acid as an auxiliary ligand.
  • the content of the phosphorescent dopant in the light-emitting layer is a force that can be appropriately selected according to the purpose of restriction, for example, 0.1 to 70% by mass, and 1 to 30% by mass. preferable.
  • the phosphorescent emissive compound content is less than 0.1% by mass, the light emission is weak and the effect of the content is not fully exhibited.
  • the content exceeds 70% by mass a phenomenon called concentration quenching occurs. It becomes remarkable and the device performance deteriorates.
  • the light emitting layer may contain a hole transport material, an electron transport material, and a polymer binder as necessary.
  • the thickness of the light emitting layer is preferably 5 to 50 nm, more preferably 7 to 50 nm, and most preferably 10 to 50 nm. If the thickness is less than 5 nm, it is difficult to form a light emitting layer, and it may be difficult to adjust the chromaticity. If it exceeds 50 nm, the driving voltage may increase.
  • the hole injection 'transport layer is a layer that helps injecting holes into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high ion mobility with a high hole mobility, usually less than 5.5 eV.
  • a hole injection / transport layer a material that transports holes to the light-emitting layer with a lower electric field strength is preferable.
  • the mobility force of holes for example, 10 4 ⁇ : When an electric field of LO Zcm is applied, At least 10 4 cm 2 ZV ⁇ sec is preferred! /.
  • the material for forming the hole injecting / transporting layer is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties. Conventionally, materials commonly used as hole charge transporting materials in photoconductive materials, organic materials Any known material used for the hole-injecting / transporting layer of EL devices can be selected and used.
  • JP-A 55-880 64 Gazette, 55-88065, 49-105537, 55-51086, 56-80051, 56-88141, 57-45545, 54-1 12637 No. 55-74546, etc.), Phylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B 51-10105, 46-3712, 47-25336) JP, 54-53435, 54-110536, 54-119925, etc.), arylamine derivatives (US Pat. No. 3,567,450, 3,180,703) No. 3,240,597, No. 3,658,520, No. 4,232,103, No. 4,175,961, No. 4, 012, 3 No.
  • Hole injection ⁇ Hole injection that can be used in the transport layer ⁇ As a transport material, the following general formula
  • a compound represented by (X) is preferred.
  • 4 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms
  • Ri to R 2 are each independently a hydrogen atom, substituted or unsubstituted nuclear carbon number.
  • a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a phenanthryl group and the like are preferable.
  • the aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms may be further substituted with a substituent.
  • Preferred substituents include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms (methyl group, ethyl group, isopropyl group, n Propyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), and an amino group substituted with an aryl group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule.
  • NPD 1-bis (N— (1-naphthyl) N phenol having two conden
  • p-type Inorganic compounds such as Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection / transport layer.
  • the hole injecting / transporting layer can be formed by thin-filming the above compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
  • the thickness of the hole injecting / transporting layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ to 5 / ⁇ .
  • the hole injection / transport layer may be composed of one or more of the above-described materials as long as it contains the above compound in the hole transport zone. A layer in which a hole injecting / transporting layer made of a different kind of compound is laminated may be used.
  • a hole injection or electron injection organic semiconductor layer provided as a layer to help Moyogu 10- 1Q SZcm more of the conductivity of the light-emitting layer.
  • Examples of the material of such an organic semiconductor layer include thiophene oligomers, conductive oligomers such as allylamin oligomers disclosed in JP-A-8-193191, and conductive properties such as allylamin dendrimers. Dendrimers, tetracyanoquinodimethane derivatives, hexocyanohexazatriphenylene (Patent Publication No. 03614405) and the like can be used.
  • Electron injection 'transport layer (electron transport zone)
  • the electron injection layer 'transport layer is a layer that assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a large electron mobility and usually a high electron affinity of 2.5 eV or more.
  • a material that transports electrons to the light emitting layer with a lower electric field strength is preferred.
  • an electron mobility force of, for example, 10 4 to: at least 10 6 cm when an electric field of LO Zcm is applied. 2 ZV 'seconds are preferred!
  • the electron-injecting / transporting layer may be formed of the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention alone or may be mixed with other materials.
  • the material for mixing with the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention to form an electron injecting / transporting layer is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties. Any one of commonly used ones and known ones used for the electron injection / transport layer of organic EL devices can be selected and used.
  • the adhesion improving layer is a layer made of a material that has a particularly good adhesion to the cathode in the electron injection layer.
  • the compound of the present invention is transferred to the electron injection layer ′ It is preferable to use it as a feeding layer or an adhesion improving layer.
  • the organic EL device of the present invention there is a device containing a reducing dopant in an electron transporting region or an interface region between a cathode and an organic layer.
  • an organic EL device containing a reducing dopant in the compound of the present invention is preferable.
  • the reducing dopant is defined as a substance capable of reducing the electron transporting compound. Accordingly, various materials can be used as long as they have a certain reducibility, such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earths.
  • At least one substance selected from can be preferably used.
  • preferable reducing dopants include Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1).
  • 95eV) Force Group force At least one selected alkali metal, Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.52 eV) ) Force group force It is particularly preferred that the work function in which at least one alkaline earth metal is selected is 2.9 eV or less.
  • a more preferable reducing dopant is at least one alkali metal selected from the group power consisting of K, Rb and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. It is.
  • alkali metals can improve emission brightness and extend the life of organic EL devices by adding a relatively small amount to the electron injection region, which has a particularly high reducing ability.
  • a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less a combination of these two or more alkali metals is also preferred.
  • combinations containing Cs, such as Cs and Na, Cs and K, A combination of Cs and Rb or Cs, Na and ⁇ is preferred.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer. At this time, the current injection is effectively prevented and the electron injection property is improved. Can be made.
  • an insulator at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides may be used. Preferred. If the electron injection layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, it is preferable in that the electron injection property can be further improved.
  • preferred alkali metal strength rucogates include, for example, Li 0, K 0, Na S, Na Se and Na 2 O, and are preferred.
  • New alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe.
  • preferable alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaCl.
  • Preferred examples of the alkaline earth metal halide include CaF, BaF, SrF, MgF, and BeF.
  • V iodofluoride
  • halides other than fluoride
  • the inorganic compound constituting the electron transport layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, and pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-mentioned alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal strength alkoxides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides.
  • the cathode in order to inject electrons into the electron injecting / transporting layer or the light emitting layer, a material having a small work function (4 eV or less) metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used.
  • electrode materials include sodium, sodium 'potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium' silver alloy, aluminum / acid aluminum, aluminum 'lithium alloy, indium, and rare earth metals. It is done.
  • This cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance for the light emission of the cathode is preferably larger than 10%.
  • the sheet resistance as a cathode is several hundred ⁇ or less.
  • the preferred film thickness is usually ⁇ ! To 1 m, preferably 50 to 200 nm.
  • organic EL devices apply an electric field to ultra-thin films, pixel defects are likely to occur due to leaks and shorts. In order to prevent this, it is preferable to insert an insulating thin film layer between the pair of electrodes.
  • Examples of materials used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, and titanium oxide. , Silicon oxide, oxide germanium, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, vanadium oxide, and the like, and a mixture or laminate thereof may be used.
  • anode By forming the anode, the light-emitting layer, the hole injection 'transport layer, and the electron injection' transport layer as necessary, and the cathode by forming the anode and the light-emitting layer, if necessary, by the materials and formation methods exemplified above, and further forming the cathode
  • An element can be manufactured.
  • An organic EL element can also be fabricated from the cathode to the anode in the reverse order.
  • an organic EL device having a configuration in which an anode, a hole injection layer, a Z light emitting layer, a Z electron injection layer, and a Z cathode are sequentially provided on a light transmitting substrate will be described.
  • a thin film made of an anode material is formed on a suitable translucent substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 10 to 200 nm, to produce an anode.
  • a hole injection layer is provided on the anode.
  • the hole injection layer can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or the like, but a homogeneous film can be obtained immediately and pinholes are generated. It is preferable to form by a vacuum vapor deposition method.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used (material of the hole injection layer), the crystal structure and recombination structure of the target hole injection layer, etc.
  • Deposition source temperature 50 ⁇ 450 ° C, degree of vacuum 10— ⁇ 10 Torr, deposition rate 0.01 to 50 nmZ second, substrate temperature ⁇ 50 to 300 ° C., film thickness 5 nm to 5 ⁇ m are preferably selected as appropriate.
  • the formation of a light-emitting layer in which a light-emitting layer is provided on a hole injection layer is also performed using a desired organic light-emitting material by a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting.
  • a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used, but can generally be selected from the same condition range as the hole injection layer.
  • an electron injection layer is provided on the light emitting layer.
  • a vacuum deposition method because a uniform film is required.
  • the vapor deposition conditions can be selected from the same condition ranges as those for the hole injection layer and the light emitting layer.
  • the nitrogen-containing heterocyclic derivative of the present invention varies depending on which layer in the emission band or the hole transport band, but when using the vacuum evaporation method, co-evaporation with other materials should be performed. Can do. Moreover, when using a spin coat method, it can be contained by mixing with other materials.
  • a cathode can be stacked to obtain an organic EL device.
  • the cathode also has a metallic force, and vapor deposition and sputtering can be used. In order to protect the underlying organic layer from the damage when forming the film, vacuum deposition is preferred. It is preferable to fabricate the organic EL element from the anode to the cathode consistently by a single vacuum.
  • the method for forming each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Conventionally known methods such as vacuum deposition and spin coating can be used.
  • the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula (1) used in the organic EL device of the present invention is a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method) or a dating method of a solution dissolved in a solvent, It can be formed by a known method such as a spin coating method, a casting method, a bar coating method, or a roll coating method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but in general, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes occur, and conversely, if it is too thick, a high applied voltage is required. Usually, the range of several nm to 1 ⁇ m is preferable.
  • a direct current voltage When a direct current voltage is applied to the organic EL element, light emission can be observed by applying a voltage of 5 to 40 V with the anode set to + and the cathode set to one polarity. In addition, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Furthermore, when AC voltage is applied, uniform light emission is observed only when the anode is + and the cathode is of the same polarity.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • Example 1 (Preparation of an organic EL device using the compound of the present invention in an electron transport layer)
  • This TPD232 film functions as a hole injection layer.
  • a 4,4, -bis [N— (1-naphthyl) -N-phenolamino] bi-film film (hereinafter “NPD film”) with a thickness of 20 nm is formed on the TPD232 film. Abbreviated as “)”.
  • NPD film functions as a hole transport layer.
  • an anthracene derivative A1 and a styrylamine derivative S1 represented by the following formula were formed on the NPD film at a film thickness ratio of 40: 2 to form a blue light emitting layer.
  • Al S1 Compound (1) was deposited on this film by vapor deposition as an electron transport layer with a thickness of 20 nm. Thereafter, LiF was deposited to a thickness of 1 nm. On this LiF film, 150 nm of metal A1 was deposited to form a metal cathode to form an organic EL light emitting device.
  • Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1, except that compound (2) was used instead of compound (1).
  • Example 1 an organic EL device was produced in the same manner except that the compound (3) was used instead of the compound (1).
  • An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1, except that compound (4) was used instead of compound (1).
  • Example 1 an organic EL device was produced in the same manner except that the following compound A described in International Publication No. WO 2004/080975 A1 was used instead of the compound (1).
  • Example 1 an organic EL device was produced in the same manner except that the following compound B described in International Publication No. WO 2004/080975 A1 was used instead of the compound (1).
  • the organic EL device of the present invention is extremely useful as a light source for various electronic devices.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

 特定の構造を有する新規な含窒素複素環誘導体を提供し、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記含窒素複素環誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。これによって、低電圧でありながら発光輝度及び発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。

Description

明 細 書
含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス素子 技術分野
[0001] 本発明は、特定の置換基を有する新規な含窒素複素環誘導体及びそれを用いた に有機エレクト口ルミネッセンス (EL)素子用材料、有機 EL素子に関し、特に、有機 E L素子の構成成分として有用な含窒素複素環誘導体を有機薄膜層の少なくとも一層 に用いることにより、発光効率が高く長寿命な有機 EL素子に関するものである。 背景技術
[0002] 有機物質を使用した有機エレクト口ルミネッセンス (EL)素子は、固体発光型の安価 な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われてい る。一般に EL素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されて いる。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側 力 正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状 態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象で ある。
従来の有機 EL素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高ぐ発光輝度 や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていな力つた。最近 の有機 EL素子は徐々に改良されているものの、さらに低電圧での、高発光輝度及 び高発光効率が要求されて!、る。
これらを解決するものとして、例えば、特許文献 1に、ベンゾイミダゾール構造を有 する化合物を発光材料として用いた素子が開示され、この素子が電圧 9Vにて 200c d/m2の輝度で発光することが記載されている。また、特許文献 2には、ベンゾイミダ ゾール環及びアントラセン骨格を有する化合物が記載されて 、る。特許文献 3には、 イミダゾール環を有する化合物が記載されている力 発光層、正孔ブロック層に用い られている。しかしながら、これらの化合物を用いた有機 EL素子よりもさらなる高い発 光輝度及び発光効率及び低電圧駆動が可能な素子が求められている。
[0003] 特許文献 1 :米国特許第 5, 645, 948号明細書 特許文献 2 :特開 2002— 38141号公報
特許文献 3 :特開 2004— 146368号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機 EL素子の構成成分 として有用な新規な含窒素複素環誘導体を提供し、この含窒素複素環誘導体を有 機薄膜層の少なくとも一層に用いることにより、低電圧でありながら発光輝度及び発 光効率が高 ヽ有機 EL素子を実現することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、特定の構造 を有する新規な含窒素複素環誘導体を、有機 EL素子の有機薄膜層の少なくとも一 層に用いることにより、有機 EL素子の低電圧化と高輝度化及び高効率ィ匕を達成でき ることを見出し、本発明を完成するに至った。
[0006] すなわち、本発明は、下記一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体を提供する ものである。
[化 1]
Figure imgf000003_0001
(1)
{前記一般式(1)において、 Ri〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無 置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜60のへテ ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置 換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 6〜50のァ ラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置 換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の ァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置 換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基で置換されたァミノ基、ハロゲン原 子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり、
Raは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、又は置換 もしくは無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基であり、
Ri〜R3及び Raの少なくとも 1つは下記一般式(2)で示される置換基である。
[化 2]
~ L— A^-Ar2
(2)
(Lは、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基、置換もしくは 無置換の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルォ レニレン基であり、
Ar1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基、置換もしくは無置換 の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルォレニレン 基であり、
Ar2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしく は無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50の アルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もし くは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基で 置換されたァミノ基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボ キシル基である。 )} [0008] 本発明の前記含窒素複素環誘導体は有機 EL素子用材料として好適である。 本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数 層からなる有機薄膜層が挟持されており、その有機薄膜層の少なくとも 1層が、本発 明の前記含窒素複素環誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有するものであ る。
発明の効果
[0009] 本発明の含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機 EL素子は、低電圧でありな 力 発光効率が高ぐ電子輸送性が優れ高発光効率なものである。
発明を実施するための最良の形態
[0010] 本発明は、下記一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体を提供するものである
Figure imgf000005_0001
前記一般式(1)において、 R1〜 は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無 置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜60のへテ ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置 換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 6〜50のァ ラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置 換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の ァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置 換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基で置換されたァミノ基、ハロゲン原 子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基である。
Raは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、又は置換 もしくは無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基である。
Ri〜R3及び Raの少なくとも 1つは下記一般式(2)で示される置換基である。
[0011] [化 4]
~ A^-Ar2 (2) 一般式(2)において、 Lは、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリ 一レン基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換も しくは無置換のフルォレニレン基である。
Ar1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基、置換もしくは無置換 の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルォレニレン 基である。
Ar2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしく は無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50の アルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もし くは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基で 置換されたァミノ基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボ キシル基である。
[0012] 一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体は、好ましくは下記一般式(1 a)、 (1 b)又は( 1 c)で表される化合物である。
Figure imgf000007_0001
b ) ( ) 式中、 R4〜R9は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Ri〜R3と同じである。
5、 Ar7及び Ar9は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Ar1と同じであ
Figure imgf000007_0002
Ar6、 Ar8及び Ar1Qは、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Ar2と同じ である。 Rb及び は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Raと同じである。 L1 、 L2、 L3及び L4は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Lと同じである。
[0013] 一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体は、好ましくは下記一般式(1 d)又は
(1 -e)で表される化合物である。
[化 6]
Figure imgf000007_0003
式中、 R1Q〜R15は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Ri〜R3と同じである 。 Rd及び は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Raと同じである。
R10, R13、 Rd及び のうち少なくとも 1つは前記一般式 (2)で示される置換基である
[0014] 前記 Ri〜R15、 Ra〜 、 Ar2
Figure imgf000007_0004
Ar8及び Ar である置換もしくは無置換の核 炭素数 6〜60のァリール基及び核原子数 5〜60のへテロアリール基としては、例え ば、フエ-ル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基 、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基 、 9 ナフタセ-ル基、 1—ピレニル基、 2 ピレニル基、 4 ピレニル基、 2 ビフエ- ルイル基、 3—ビフエ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p—テルフエ-ル 4—ィル基 ゝ p—テルフエ-ル 3—ィル基、 p—テルフエ-ル 2—ィル基、 m—テルフエ-ル 4—ィ ル基、 m—テルフエ-ル 3—ィル基、 m—テルフエ-ル 2—ィル基、 o トリル基、 m— トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フエ-ルプロピル)フエ- ル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4,ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p—テルフエ-ル 4 ィル基、フルオランテュル基、フルォレニル基、 1 ピロリル基、 2 ピロリル基、 3 ピ 口リル基、ビラジニル基、 2 ピリジニル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリジニル基、 1 インドリル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7 インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3—ィ ソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7— イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べンゾフラ- ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—べンゾフラ-ル基、 7—ベン ゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフ ラ-ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソべンゾフラ- ル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7— キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基 、 5 イソキノリル基、 6 イソキノリル基、 7 イソキノリル基、 8 イソキノリル基、 2— キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、
2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 —フエナントリジ-ル基、 2—フエナントリジ-ル基、 3—フエナントリジ-ル基、 4—フエ ナントリジ-ル基、 6—フエナントリジ-ル基、 7—フエナントリジ-ル基、 8—フエナント リジ-ル基、 9—フエナントリジ-ル基、 10—フエナントリジ-ル基、 1—アタリジ-ル基 、 2—アタリジ-ル基、 3—アタリジ-ル基、 4—アタリジ-ル基、 9—アタリジ-ル基、 1 , 7 フエナント口リン— 2—ィル基、 1 , 7 フエナント口リン— 3—ィル基、 1, 7 フエ ナント口リン— 4—ィル基、 1, 7 フエナント口リン— 5—ィル基、 1, 7 フエナントロリ ン— 6—ィル基、 1, 7 フエナント口リン— 8—ィル基、 1, 7 フエナント口リン— 9—ィ ル基、 1, 7 フエナント口リン 10—ィル基、 1, 8 フエナント口リンー2—ィル基、 1 , 8 フエナント口リン— 3—ィル基、 1, 8 フエナント口リン— 4—ィル基、 1, 8 フエ ナント口リン— 5—ィル基、 1, 8 フエナント口リン— 6—ィル基、 1, 8 フエナントロリ ン— 7—ィル基、 1, 8 フエナント口リン— 9—ィル基、 1, 8 フエナント口リン— 10— ィル基、 1, 9 フエナント口リン一 2—ィル基、 1, 9 フエナント口リン一 3—ィル基、 1 , 9 フエナント口リン— 4—ィル基、 1, 9 フエナント口リン— 5—ィル基、 1, 9 フエ ナント口リン— 6—ィル基、 1, 9 フエナント口リン— 7—ィル基、 1, 9 フエナントロリ ン— 8—ィル基、 1, 9 フエナント口リン— 10—ィル基、 1, 10 フエナント口リン— 2 —ィル基、 1, 10 フエナント口リン— 3—ィル基、 1, 10 フエナント口リン— 4—ィル 基、 1, 10 フエナント口リン— 5—ィル基、 2, 9 フエナント口リン— 1—ィル基、 2, 9 —フエナント口リン一 3—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 4—ィル基、 2, 9 フエナ ントロリン一 5—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 6—ィル基、 2, 9 フエナント口リン —7—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 8—ィル基、 2, 9 フエナント口リン一 10—ィ ル基、 2, 8—フエナント口リン 1ーィル基、 2, 8—フエナント口リンー3—ィル基、 2, 8 フエナント口リン一 4—ィル基、 2, 8 フエナント口リン一 5—ィル基、 2, 8 フエナ ントロリン一 6—ィル基、 2, 8 フエナント口リン一 7—ィル基、 2, 8 フエナント口リン —9—ィル基、 2, 8 フエナント口リン一 10—ィル基、 2, 7 フエナント口リン一 1—ィ ル基、 2, 7—フエナント口リンー3—ィル基、 2, 7—フエナント口リンー4ーィル基、 2, 7 フエナント口リン一 5—ィル基、 2, 7 フエナント口リン一 6—ィル基、 2, 7 フエナ ントロリン一 8—ィル基、 2, 7 フエナント口リン一 9—ィル基、 2, 7 フエナント口リン 10—ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2—フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 —フエノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 10 フエノ チアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ- ル基、 4 フエノキサジ-ル基、 10 フエノキサジ-ル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォ キサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基 、 3 フラザ-ル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル 基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルビ ロール— 5—ィル基、 3—メチルピロール— 1—ィル基、 3—メチルピロール— 2—ィル 基、 3 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2—t—ブチ ルピロールー4ーィル基、 3—(2 フエ-ルプロピル)ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチ ルー 1 インドリル基、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4 ーメチルー 3 インドリル基、 2—t—ブチルー 1 インドリル基、 4—tーブチルー 1 インドリル基、 2—t—ブチルー 3 インドリル基、 4—tーブチルー 3 インドリル基等 が挙げられる。
これらの中で、好ましくはフヱニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、アントラセニル基 、フエナントリル基、ピレ-ル基、クリセ-ル基、フルオランテュル基、フルォレ -ル基 である。
前記 Ri〜R15、 Ra〜 、 Ar2
Figure imgf000010_0001
Ar8及び Ar1Qである炭素数 1〜50のアルキ ル基としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s— ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、 n ペンチル基、 n—へキシル基、 n ヘプ チル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシ ェチル基、 2 ヒドロキシイソブチル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロ キシイソプロピル基、 2, 3 ジヒドロキシー t ブチル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプロ ピル基、クロロメチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロロイソブチ ル基、 1, 2 ジクロロェチル基、 1, 3 ジクロロイソプロピル基、 2, 3 ジクロロ一 t— ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2— ブロモェチル基、 2 ブロモイソブチル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1, 3 ジブ口 モイソプロピル基、 2, 3 ジブ口モー t ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基、 ョードメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2 ジョードエチル基、 1, 3 ジョードイソプロピル基、 2, 3 ジョードー t—ブチル 基、 1, 2, 3 トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 アミノエチル基、 2 アミノエ チル基、 2 ァミノイソブチル基、 1, 2 ジアミノエチル基、 1, 3 ジァミノイソプロピ ル基、 2, 3 ジァミノ— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル基 、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1, 2—ジシァノ ェチル基、 1, 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノー t—ブチル基、 1, 2, 3 —トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1— -トロェチル基、 2— -トロェチル基、 2 -トロイソブチル基、 1, 2 ジ-トロェチル基、 1, 3 ジ-トロイソプロピル基、 2, 3 —ジニトロ— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリ-トロプロピル基等が挙げられる。
[0016] 前記 Ri〜R15、 Ra〜 、 Ar2
Figure imgf000011_0001
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の炭 素数 3〜50のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロ ブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4ーメチルシクロへキシル基、 1ーァ ダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 ノルボルニル基、 2—ノルボル-ル基等が挙 げられる。
[0017] 前記 Ri〜R15、 Ra〜 、 Ar2
Figure imgf000011_0002
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の核 原子数 6〜50のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1 フエ-ルェチル基、 2 —フエ-ルェチル基、 1—フエ-ルイソプロピル基、 2—フエ-ルイソプロピル基、フエ -ルー t ブチル基、 a ナフチルメチル基、 1 α ナフチルェチル基、 2— a— ナフチルェチル基、 1 - a ナフチルイソプロピル基、 2— a ナフチルイソプロピル 基、 13 ナフチルメチル基、 1— β ナフチルェチル基、 2- β ナフチルェチル基 、 1 β ナフチルイソプロピル基、 2— β ナフチルイソプロピル基、 1 ピロリルメ チル基、 2- (1 ピロリル)ェチル基、 ρ—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基 、 o—メチノレべンジノレ基、 p クロ口べンジノレ基、 m—クロ口べンジノレ基、 o クロ口ベン ジル基、 p ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 o ブロモベンジル基、 p— ョードベンジル基、 m—ョードベンジル基、 o ョードベンジル基、 p ヒドロキシベン ジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 o ヒドロキシベンジル基、 p ァミノべンジル基、 m—ァミノべンジル基、 o ァミノべンジル基、 p 二トロべンジル基、 m—二トロべンジ ル基、 o 二トロべンジル基、 p シァノベンジル基、 m—シァノベンジル基、 o シァ ノベンジル基、 1—ヒドロキシ一 2—フエ-ルイソプロピル基、 1—クロ口一 2—フエ-ル イソプロピル基等が挙げられる。
[0018] 前記 Ri〜R15
Figure imgf000011_0003
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の炭素数 1〜 50のアルコキシ基は、 OYで表される基であり、 Yの例としては、前記アルキル基で 説明したものと同様の例が挙げられる。
前記 Ri〜R15、 Ar2
Figure imgf000011_0004
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の核原子数 5 〜50のァリールォキシ基は、 OY'と表され、 Y'の例としては前記ァリール基で説 明したものと同様の例が挙げられる。
前記 Ri〜R15
Figure imgf000012_0001
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の核原子数 5 〜50のァリールチオ基は、 SY'と表され、 Y'の例としては前記ァリール基で説明 したものと同様の例が挙げられる。
前記 Ri〜R15
Figure imgf000012_0002
Ar8及び Ar1Qである置換もしくは無置換の炭素数 1〜 50のアルコキシカルボ-ル基は、 COOYで表される基であり、 Yの例としては、前 記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
前記 Ri〜R15、 ΑΛ
Figure imgf000012_0003
ΑΛ Α /及び Ar 1Qである置換もしくは無置換の核炭素数 6 〜60のァリール基で置換されたァミノ基におけるァリール基の例としては、前記ァリ ール基で説明したものと同様の例が挙げられる。
前記 Ri〜R15
Figure imgf000012_0004
Ar8及び Ar1()であるハロゲン原子としては、フッ素原 子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
[0019] 前記 L、 L1〜! Λ
Figure imgf000012_0005
Ar7及び Ar9である置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基の具体例としては、前記ァリール基で説明した置換基から、さ らに 1つの水素原子を除くことによりできる二価の置換基であり、好ましくはフエ-レン 基、ナフチレン基、ビフエ-レン基、アントラ-レン基、フエナントリレン基、ピレ-レン 基、クリセ-レン基、フルオランテ-レン基、フルォレニレン基である。
前記 L、 L1〜! Λ
Figure imgf000012_0006
Ar7及び Ar9である置換もしくは無置換の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基の具体例としては、前記へテロアリール基で説明した置 換基から、さらに 1つの水素原子を除くことによりできる二価の置換基であり、例えば、 ピリジル基、ビラジル基、キノリル基、イソキノリル基、フ ナント口リル基、フリル基、ベ ンゾフリル基、ジベンゾフリル基、チェ-ル基、ジベンゾチェ-ル基、ベンゾチェ-ル 基、ピロリル基、インドリル基、カルバゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基な どから水素原子を除いた二価基があり、好ましくは、ピリジル基、キノリル基、カルバゾ リル基、インドリル基力 水素原子を除 、た二価基である。
[0020] 本発明の一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体の具体例を以下に示すが、こ れら例示化合物に限定されるものではない。 [0021] [化 7]
Figure imgf000013_0001
[0022] [化 8]
[6^ ] [S200]
Figure imgf000014_0001
[Οΐ^ ] 0]
Figure imgf000015_0001
T909S0/.00Zdf/X3d £9 動 OAV
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
[0025] 本発明の含窒素複素環誘導体は、有機 EL素子用材料である。
本発明の含窒素複素環誘導体は、好ましくは有機 EL素子用電子注入材料又は電 子輸送材料である。
本発明の含窒素複素環誘導体は、好ましくは有機 EL素子用発光材料である。
[0026] 次に、本発明の有機 EL素子について説明する。
本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数 層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、その有機薄膜層の 少なくとも 1層が、前記含窒素複素環誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有 する。
本発明の有機 EL素子は、前記有機薄膜層が電子注入層又は電子輸送層を有し、 その電子注入層又は該電子輸送層が、本発明の前記含窒素複素環誘導体を単独 もしくは混合物の成分として含有すると好ましい。 本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は二層 以上カゝらなる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、発光層に本発明 の前記含窒素複素環誘導体を単独又は混合物の成分として含有すると好ましい。 本発明の有機 EL素子は、好ましくは、本発明の前記含窒素複素環誘導体を含有 する電子注入層又は電子輸送層が、還元性ドーパントを含有するものである。
本発明の有機 EL素子の還元性ドーパントが、好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土 類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲンィ匕物、アル力 リ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲンィヒ物、希土類金属の酸化物、希 土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体 及び希土類金属の有機錯体力 なる群力 選択される 1種又は 2種以上の物質であ る。
以下、本発明の有機 EL素子の素子構成について説明する。
(1)有機 EL素子の構成
本発明の有機 EL素子の代表的な素子構成としては、
(1)陽極 Z発光層 Z陰極
(2)陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z陰極
(3)陽極 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(4)陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(5)陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(6)陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(7)陽極 Z有機半導体層 Z発光層 Z陰極
(8)陽極 Z有機半導体層 Z電子障壁層 Z発光層 Z陰極
(9)陽極 Z有機半導体層 Z発光層 Z付着改善層 Z陰極
(10)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(11)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z 陰極
(12)陽極 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(13)陽極 z無機半導体層 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極 (14)陽極 Z有機半導体層 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(15)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(16)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(17)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注 入層 Z陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常 (10)又は (11)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定される ものではない。
本発明の含窒素複素環誘導体は、有機 EL素子のどの有機薄膜層に用いてもよい 力 好ましくは発光帯域又は電子輸送帯域に用いることができ、特に好ましくは電子 注入層、電子輸送層及び発光層に用いる。
[0028] (2)透光性基板
本発明の有機 EL素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は 有機 EL素子を支持する基板であり、 400〜700nmの可視領域の光の透過率が 50 %以上で平滑な基板が好ま ヽ。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ 石灰ガラス、ノリウム 'ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウ ケィ酸ガラス、ノリウムホウケィ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板として は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフアイ ド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
[0029] (3)陽極
本発明の有機 EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能 を有するものであり、 4. 5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に 用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金 (ITO)、酸ィ匕錫 (NE SA)、インジウム—亜鉛酸ィ匕物 (IZO)、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させ ること〖こより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率 が 10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百 Ω Ζ口以下が 好ましい。陽極の膜厚は材料にもよる力 通常 10nm〜l μ m、好ましくは 10〜200n mの範囲で選択される。
[0030] (4)発光層
有機 EL素子の発光層は以下 (1)〜(3)の機能を併せ持つものである。
(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ 、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2)輸送機能;注入した電荷 (電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能 ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよぐまた、 正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもょ 、が、どちらか一方の電 荷を移動することが好まし 、。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 LB法等の公 知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい 。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、 溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通 常この分子堆積膜は、 LB法により形成された薄膜 (分子累積膜)とは凝集構造、高 次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭 57— 51781号公報に開示されているように、榭脂等の結着剤と材料 化合物とを溶剤に溶力して溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜ィ匕するこ とによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本 発明の含窒素複素環誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有さ せてもよぐまた、本発明の含窒素複素環誘導体からなる発光材料を含む発光層に 、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
[0031] 発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料としては、例えば、ァリールァミン 化合物及び Z又はスチリルァミン化合物、アントラセン、ナフタレン、フエナントレン、 ピレン、テトラセン、コロネン、タリセン、フルォレセイン、ペリレン、フタ口ペリレン、ナフ タロペリレン、ペリノン、フタ口ペリノン、ナフタ口ペリノン、ジフエニルブタジエン、テトラ フエ-ルブタジエン、クマリン、ォキサジァゾール、アルダジン、ビスべンゾキサゾリン、 ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジェン、キノリン金属錯体、ァミノキノリン金属錯 体、ベンゾキノリン金属錯体、ィミン、ジフエ-ルエチレン、ビュルアントラセン、ジアミ ノカルバゾール、ピラン、チォピラン、ポリメチン、メロシア-ン、イミダゾールキレート 化ォキシノイドィ匕合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これ らに限定されるものではない。
また、本発明の有機 EL素子は、発光層が、ァリールアミンィ匕合物及び Z又はスチ リルアミンィ匕合物を含有すると好ま 、。
ァリールアミンィ匕合物としては下記一般式 (A)で表される化合物などが挙げられ、 スチリルアミンィ匕合物としては下記一般式 (B)で表される化合物などが挙げられる。
[化 11]
Figure imgf000020_0001
[一般式(A)中、 Arは、フエ-ル、ビフエ-ル、テルフエ-ル、スチルベン、ジスチリ
8
ルァリール力 選ばれる基であり、 Ar及び Ar は、それぞれ水素原子又は炭素数が
9 10
6〜20の芳香族基であり、 Ar〜Ar は置換されていてもよい。 p,は、 1〜4の整数で
9 10
ある。さらに好ましくは Ar及び ている。 ]
9 Z又は Ar はスチリル基が置換され
10
ここで、炭素数が 6〜20の芳香族基としては、フエニル基、ナフチル基、アントラセ -ル基、フエナントリル基、テルフエ-ル基等が好ましい。
[化 12]
Figure imgf000020_0002
[一般式(B)中、 Ar
11〜Ar は、置換されていてもよい核炭素数 5
13 〜40のァリール基 である。 q,は、 1〜4の整数である。 ]
ここで、核原子数が 5〜40のァリール基としては、フエニル、ナフチル、アントラセ- ル、フエナントリル、ピレニル、コロニノレ、ビフエニル、テルフエニル、ピロ一リル、フラニ ル、チォフエニル、ベンゾチォフエニル、ォキサジァゾリル、ジフエ二ルアントラセニル 、インドリル、カルバゾリル、ピリジル、ベンゾキノリル、フルオランテニル、ァセナフトフ ルオランテュル、スチルベン等が好ましい。なお、核原子数が 5〜40のァリール基は 、さらに置換基により置換されていてもよぐ好ましい置換基としては、炭素数 1〜6の アルキル基(ェチル基、メチル基、イソプロピル基、 n—プロピル基、 s ブチル基、 t ブチル基、ペンチル基、へキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等)、炭 素数 1〜6のアルコキシ基 (エトキシ基、メトキシ基、イソプロポキシ基、 n—プロポキシ 基、 s—ブトキシ基、 t—ブトキシ基、ペントキシ基、へキシルォキシ基、シクロペントキ シ基、シクロへキシルォキシ基等)、核原子数 5〜40のァリール基、核原子数 5〜40 のァリール基で置換されたァミノ基、核原子数 5〜40のァリール基を有するエステル 基、炭素数 1〜6のアルキル基を有するエステル基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲン原 子 (塩素、臭素、ヨウ素等)が挙げられる。
[0033] 発光層に使用できるホスト材料としては、下記 (i)〜 (ix)で表される化合物が好まし
[0034] 下記一般式 (i)で表される非対称アントラセン。
[化 13]
Figure imgf000021_0001
(式中、 Arは置換もしくは無置換の核炭素数 10〜50の縮合芳香族基である, Ar,は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基である。 Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換もしくは無置換の核 原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル 基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素 数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ 基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の 炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基 、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数である。
nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ]内は、同じでも異なってい てちよい。 )
[0036] 下記一般式 (ii)で表される非対称モノアントラセン誘導体。
[化 14]
Figure imgf000022_0001
[0037] (式中、 Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 芳香族環基であり、 m及び nは、それぞれ 1〜4の整数である。ただし、 m=n= lで力 つ Ar1と Ar2のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、 Ar1と Ar2は同一 ではなぐ m又は nが 2〜4の整数の場合には mと nは異なる整数である。
〜!^は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしく は無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6 〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭 素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシ ル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。 )
[0038] 下記一般式 (iii)で表される非対称ピレン誘導体。
[化 15]
Figure imgf000023_0001
[0039] [式中、 Ar及び Ar,は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基 である。
L及び L,は、それぞれ置換もしくは無置換のフエ-レン基、置換もしくは無置換の ナフタレ-レン基、置換もしくは無置換のフルォレニレン基又は置換もしくは無置換 のジベンゾシロリレン基である。
mは 0〜2の整数、 nは 1〜4の整数、 sは 0〜2の整数、 tは 0〜4の整数である。 また、 L又は Arは、ピレンの 1〜5位のいずれかに結合し、 L,又は Ar,は、ピレンの 6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、 n+tが偶数の時、 Ar, Ar' , L, L'は下記 (1)又は (2)を満たす。
(1) Ar≠Ar'及び Z又は L≠L' (ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。 )
(2) Ar = Ar,かつ L = L,の時
(2-1) m≠s及び Z又は n≠t、又は
(2-2) m=sかつ n=tの時、
(2-2-1) L及び L'、又はピレン力 それぞれ Ar及び Ar,上の異なる結合位置に 結合しているか、 (2-2-2) L及び L'、又はピレン力 Ar及び Ar,上の同じ結合位置で結合してい る場合、
L及び L'又は Ar及び Ar,のピレンにおける置換位置が 1位と 6位、又は 2位と 7 位である場合はない。 ]
下記一般式 Gv)で表される非対称アントラセン誘導体。
[化 16]
Figure imgf000024_0001
(iv) (式中、 A1及び A2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜20の 縮合芳香族環基である。
Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族環基である。
R -I^は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしく は無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6 〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭 素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシ ル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
Ar2、 R9及び R1Qは、それぞれ複数であってもよぐ隣接するもの同士で飽和も しくは不飽和の環状構造を形成して 、てもよ 、。
ただし、一般式(1)において、中心のアントラセンの 9位及び 10位に、該アントラセ ン上に示す X— Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。)
下記一般式 (V)で表されるアントラセン誘導体。
[化 17]
Figure imgf000025_0001
[0043] (式中、 1^〜1^°は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シクロアルキル基,置換 しても良いァリール基,アルコキシル基,ァリーロキシ基,アルキルアミノ基,ァルケ- ル基,ァリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、 a及び bは、それぞれ 1〜5の整数を示し、それらが 2以上の場合、 R1同士又は R2同士は、それぞれにおい て、同一でも異なっていてもよぐまた R1 同士又は R2 同士が結合して環を形成し ていてもよいし、 R3と R4, R5と R6, R7と R8, R9と R1(>がたがいに結合して環を形成してい てもよい。 L1は単結合、— O— , — S— , — N (R)— (Rはアルキル基又は置換しても 良いァリール基である)、アルキレン基又はァリーレン基を示す。 )
[0044] 下記一般式 (vi)で表されるアントラセン誘導体。
[化 18]
Figure imgf000026_0001
ール基,アルコキシル基,ァリーロキシ基,アルキルアミノ基,ァリールアミノ基又は置 換しても良い複数環式基を示し、 c d, e及び fは、それぞれ 1〜5の整数を示し、それ らが 2以上の場合、 R11同士, R12同士, R16同士又は R17同士は、それぞれにおいて、 同一でも異なっていてもよぐまた R11同士, R12同士, R16同士又は R17同士が結合して 環を形成していてもよいし、 R13と R14, R18と R19がたがいに結合して環を形成していて もよい。 L2は単結合、—O—, 一 S— , — N (R)—(Rはアルキル基又は置換しても良 ぃァリール基である)、アルキレン基又はァリーレン基を示す。 )
[0046] 下記一般式 (vii)で表されるスピロフルオレン誘導体。
[化 19]
Figure imgf000026_0002
[0047] (式中、 A5〜A8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフエ-ル基又は置換も しくは無置換のナフチル基である。 )
[0048] 下記一般式 (viii)で表される縮合環含有化合物。
[化 20]
Figure imgf000027_0001
[0049] (式中、 A9〜A14は前記と同じ、 R21〜R23は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数 1〜 6のアルキル基、炭素数 3〜6のシクロアルキル基、炭素数 1〜6のアルコキシル基、 炭素数 5〜18のァリールォキシ基、炭素数 7〜18のァラルキルォキシ基、炭素数 5 〜16のァリールアミノ基、ニトロ基、シァノ基、炭素数 1〜6のエステル基又はハロゲ ン原子を示し、 A9〜A14のうち少なくとも 1つは 3環以上の縮合芳香族環を有する基で ある。)
[0050] 下記一般式 (ix)で表されるフルオレンィ匕合物。
[化 21]
Figure imgf000027_0002
[0051] (式中、 R及び Rは、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは
1 2
無置換のァラルキル基、置換あるいは無置換のァリール基,置換あるいは無置換の 複素環基、置換アミノ基、シァノ基又はハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基 に結合する R同士、 R同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン
1 2 基 に結合する R
1及び R
2は、同じであっても異なっていてもよい。 R
3及び R
4は、水素原子
、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のァラルキル基、置換あ るいは無置換のァリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフ ルオレン基に結合する R同士、 R同士は、同じであっても異なっていてもよぐ同じフ
3 4
ルオレン基に結合する R及び Rは、同じであっても異なっていてもよい。 Ar及び Ar は、ベンゼン環の合計が 3個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又は ベンゼン環と複素環の合計が 3個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基 に結合する縮合多環複素環基を表わし、 Ar及び Arは、同じであっても異なってい
1 2
てもよい。 nは、 1乃至 10の整数を表す。 )
[0052] 以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノア ントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
また、ドーパントの発光材料としては、りん光発光性の化合物を用いることもできる。 りん光発光性の化合物としては、ホスト材料に力ルバゾール環を含む化合物が好まし い。ドーパントとしては三重項励起子力 発光することのできる化合物であり、三重項 励起子力も発光する限り特に限定されないが、 Ir、 Ru、 Pd、 Pt、 Os及び Re力もなる 群力も選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましい。
力ルバゾール環を含む化合物力 なるりん光発光に好適なホストは、その励起状態 からりん光発光性ィ匕合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発 光させる機能を有する化合物である。ホストイ匕合物としては励起子エネルギーをりん 光発光性ィ匕合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなぐ 目的に応じ て適宜選択することができる。力ルバゾール環以外に任意の複素環などを有して ヽ ても良い。
[0053] このようなホストイ匕合物の具体例としては、力ルバゾール誘導体、トリァゾール誘導 体、ォキサゾール誘導体、ォキサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フ -レンジァミン誘導体、 ァリールァミン誘導体、ァミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フル ォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三 ァミン化合物、スチリルアミンィ匕合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系 化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チ オビランジオキシド誘導体、カルポジイミド誘導体、フルォレニリデンメタン誘導体、ジ スチリルビラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ タロシアニン誘導体、 8-キノリノール誘導体の金属錯体ゃメタルフタロシアニン、ベン ゾォキサゾールやべンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属 錯体ポリシラン系化合物、ポリ(N-ビュルカルバゾール)誘導体、ァ-リン系共重合体 、チォフェンオリゴマー、ポリチォフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチォフェン 誘導体、ポリフ 二レン誘導体、ポリフ 二レンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導 体等の高分子化合物等が挙げられる。ホストイ匕合物は単独で使用しても良いし、 2種 以上を併用しても良い。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
[0054] [化 22]
Figure imgf000029_0001
[0055] りん光発光性のドーパントは三重項励起子力 発光することのできる化合物である 。三重項励起子力も発光する限り特に限定されないが、 Ir、 Ru、 Pd、 Pt、 Os及び Re 力 なる群力 選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく 、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタルイ匕金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯 体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性ィ匕合物は単独で使用し ても良いし、 2種以上を併用しても良い。
オルトメタルイ匕金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい 配位子としては、 2 フエ二ルビリジン誘導体、 7, 8 べンゾキノリン誘導体、 2— (2— チェ-ル)ピリジン誘導体、 2— (1 ナフチル)ピリジン誘導体、 2—フエ-ルキノリン誘 導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、 フッ素化物、トリフルォロメチル基を導入したもの力 青色系ドーパントとしては好まし い。さらに補助配位子としてァセチルァセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の 配位子を有して 、ても良 、。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなぐ目 的に応じて適宜選択することができる力 例えば、 0. 1〜70質量%であり、 1〜30質 量%が好ましい。りん光発光性ィヒ合物の含有量が 0. 1質量%未満では発光が微弱 であり、その含有効果が十分に発揮されず、 70質量%を超える場合は、濃度消光と 言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。
また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含 有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは 5〜50nm、より好ましくは 7〜50nm、最も好ま しくは 10〜50nmである。 5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困 難となる恐れがあり、 50nmを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
[0056] (5)正孔注入'輸送層(正孔輸送帯域)
正孔注入'輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であつ て、正孔移動度が大きぐイオンィ匕エネルギーが通常 5. 5eV以下と小さい。このよう な正孔注入 ·輸送層としては、より低 、電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が 好ましぐさらに正孔の移動度力 例えば 104〜: LO Zcmの電界印加時に、少なくと も 10 4 cm2ZV ·秒であれば好まし!/、。
正孔注入 ·輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであ れば特に制限はなぐ従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用さ れているものや、有機 EL素子の正孔注入'輸送層に使用される公知のものの中から 任意のものを選択して用いることができる。
[0057] 具体例としては、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 197号明細書等参照)、ォ キサジァゾール誘導体 (米国特許 3, 189, 447号明細書等参照)、イミダゾール誘導 体 (特公昭 37— 16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体 (米国特許 3, 615, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3, 542, 544号明細書、特 公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51— 93224号公報、同 55 — 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667号公報、同 55— 156953 号公報、同 56— 36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体( 米国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 278, 746号明細書、特開昭 55— 880 64号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報、同 55— 51086号公報 、同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 45545号公報、同 54— 1 12637号公報、同 55— 74546号公報等参照)、フ -レンジァミン誘導体 (米国特 許第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、同 46— 3712号公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 110536号公報、同 54— 119925号公報等参照)、ァリールァミン誘導体 (米国特許第 3, 567, 450号明細書 、同第 3, 180, 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同第 3, 658, 520号 明細書、同第 4, 232, 103号明細書、同第 4, 175, 961号明細書、同第 4, 012, 3 76号明糸田書、特公昭 49— 35702号公報、同 39— 27577号公報、特開昭 55— 14 4250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号公報、西独特許第 1, 110 , 518号明細書等参照)、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国特許第 3, 526, 501号明 細書等参照)、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257, 203号明細書等に開示の もの)、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号公報等参照)、フルォレノ ン誘導体 (特開昭 54— 110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体 (米国特許第 3, 7 17, 462号明細書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 52063号公報、同 55— 52 064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公報、同 57— 11350号公報 、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等参照)、スチルベン誘導体( 特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報、同 61— 14642号公報、 同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 36674号公報、同 62— 10 652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公報、同 60— 94462号公報 、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参照)、シラザン誘導体 (米国 特許第 4, 950, 950号明細書)、ポリシラン系(特開平 2— 204996号公報)、ァニリ ン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報)、特開平 1— 211399号公報に開示され て 、る導電性高分子オリゴマー(特にチォフェンオリゴマー)等を挙げることができる。 正孔注入'輸送層の材料としては上記のものを使用することができる力 ボルフイリ ン化合物 (特開昭 63— 2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミンィ匕 合物及びスチリルアミンィ匕合物(米国特許第 4, 127, 412号明細書、特開昭 53— 2 7033号公報、同 54— 58445号公報、同 54— 149634号公報、同 54— 64299号 公報、同 55— 79450号公報、同 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 61— 295558号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照)、特 に芳香族第三級アミンィ匕合物を用いることが好まし 、。
[0059] 正孔注入 ·輸送層に使用できる正孔注入 ·輸送材料としてはとしては、下記一般式
(X)で表される化合物が好ま 、。
[化 23]
Figure imgf000032_0001
八 〜八!:4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール 基であり、 Ri〜R2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6 〜50のァリール基、炭素数 1〜50のアルキル基であり、 m、 nは 0〜4の整数である。 核炭素数 6〜50のァリール基としては、フエ-ル、ナフチル、ビフエ-ル、テルフエ -ル、フエナントリル基等が好ましい。なお、核炭素数 6〜50のァリール基は、さらに 置換基により置換されていてもよぐ好ましい置換基としては、炭素数 1〜6のアルキ ル基 (メチル基、ェチル基、イソプロピル基、 n プロピル基、 s ブチル基、 tーブチ ル基、ペンチル基、へキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等)、核炭素数 6〜50のァリール基で置換されたァミノ基が挙げられる。
[0060] また、米国特許第 5, 061, 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内 に有する、例えば、 4, 4,一ビス(N— (1—ナフチル) N フエ-ルァミノ)ビフエ- ル (以下 NPDと略記する)、また特開平 4— 308688号公報に記載されて 、るトリフエ -ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4,, 4"—トリス(N— (3—メ チルフエ-ル)—N—フエ-ルァミノ)トリフエ-ルァミン(以下 MTDATAと略記する) 等を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入'輸送層の材料として使用することができる。
[0061] 正孔注入 ·輸送層は上記の化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャス ト法、 LB法等の公知の方法により薄膜ィ匕することにより形成することができる。正孔注 入'輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5ηπι〜5 /ζ πιである。この正孔 注入'輸送層は、正孔輸送帯域に上記化合物を含有していれば、上述した材料の一 種又は二種以上力 なる一層で構成されてもよぐ前記正孔注入 ·輸送層とは別種の 化合物からなる正孔注入'輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けて もよぐ 10— 1QSZcm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体 層の材料としては、含チォフェンオリゴマーゃ特開平 8— 193191号公報に開示して ある含ァリールァミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含ァリールァミンデンドリマー 等の導電性デンドリマー、テトラシァノキノジメタン誘導体、へキサシァノへキサァザト リフエ-レン (特許公報 03614405号)などを用いることができる。
[0062] (6)電子注入'輸送層(電子輸送帯域)
電子注入層'輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層 であって、電子移動度が大きぐ電子親和力が通常 2. 5eV以上と大きい。このような 電子注入 ·輸送層としては、より低い電界強度で電子を発光層に輸送する材料が好 ましぐさらに電子の移動度力 例えば 104〜: LO Zcmの電界印加時に、少なくとも 10 6 cm2ZV'秒であれば好まし!/、。
本発明の含窒素複素環誘導体を電子輸送帯域に用いる場合、本発明の含窒素複 素環誘導体単独で電子注入 ·輸送層を形成してもよく、他の材料と混合してもよ 、。 本発明の含窒素複素環誘導体と混合して電子注入'輸送層を形成する材料として は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなぐ従来、光導伝材料 において電子の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機 EL素子の電子注 入'輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができ る。
また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料カゝらなる 層である。本発明の有機 EL素子においては、上記本発明化合物を電子注入層 '輸 送層、付着改善層として用いることが好ましい。
[0063] 本発明の有機 EL素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層 の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。本発明では、本発明化合 物に還元性ドーパントを含有する有機 EL素子が好ましい。ここで、還元性ドーパント とは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元 性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土 類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲンィ匕物、アル力 リ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲンィ匕物、希土類金属の酸化物又は 希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯 体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適 に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、 Na (仕事関数: 2. 36eV) 、K (仕事関数: 2. 28eV)、Rb (仕事関数: 2. 16eV)及び Cs (仕事関数: 1. 95eV) 力 なる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、 Ca (仕事関数: 2. 9eV) 、 Sr (仕事関数: 2. 0〜2. 5eV)、及び Ba (仕事関数: 2. 52eV)力 なる群力 選択 される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が 2. 9eV以下のも のが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rb及び Csか らなる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、 Rb又 は Csであり、最も好ましのは、 Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が 高ぐ電子注入域への比較的少量の添加により、有機 EL素子における発光輝度の 向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が 2. 9eV以下の還元性ドーパントとし て、これら 2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましぐ特に、 Csを含んだ組み合 わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K、 Csと Rbあるいは Csと Naと Κとの組み合わせである ことが好ましい。 Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮するこ とができ、電子注入域への添加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長 寿命化が図られる。
[0064] 本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層 をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上さ せることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲ -ド、アルカリ土 類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン 化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい 。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲ-ド等で構成されていれば、電子注入 性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属力 ルコゲ-ドとしては、例えば、 Li 0、 K 0、 Na S、 Na Se及び Na Oが挙げられ、好ま
2 2 2 2 2
しいアルカリ土類金属カルコゲ-ドとしては、例えば、 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS 、及び CaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例 えば、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1及び NaCl等が挙げられる。また、好ましいアル力 リ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF、 BaF、 SrF、 MgF及び BeFと
2 2 2 2 2
V、つたフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sb及び Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又 は酸ィ匕窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子 輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好 ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が 形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、この ような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲ -ド、アルカリ土類金属力 ルコゲ -ド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が 挙げられる。
(7)陰極
陰極としては、電子注入'輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の 小さい (4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質 とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム 'カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム '銀合金、アルミニウム/酸ィ匕ァ ルミ-ゥム、アルミニウム 'リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。 この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成さ せること〖こより、作製することができる。 ここで発光層からの発光を陰極力 取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は 1 0%より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ましぐ膜厚は通常 ΙΟηπ!〜 1 m、好ましくは 50〜200nmである。
[0066] (8)絶縁層
有機 EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥 が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入する ことが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸ィ匕アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチ ゥム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カル シゥム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸ィ匕ゲルマニウ ム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が 挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
[0067] (9)有機 EL素子の製造方法
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入 '輸 送層、及び必要に応じて電子注入'輸送層を形成し、さらに陰極を形成することによ り有機 EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有 機 EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極が順次 設けられた構成の有機 EL素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を 1 μ m以下、好ましくは 10〜 200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極 を作製する。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述 したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の方法により行うことがで きるが、均質な膜が得られやすぐかつピンホールが発生しにくい等の点力 真空蒸 着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、 その蒸着条件は使用する化合物 (正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結 晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度 50〜450°C、真空度 10— 〜10 Torr、蒸着速度 0. 01〜50nmZ秒、基板温度— 50〜300°C、膜厚 5nm〜 5 μ mの範囲で適宜選択することが好ましい。
[0068] 次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を 用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発 光材料を薄膜ィ匕することにより形成できるが、均質な膜が得られやすぐかつピンホ ールが発生しにく 、等の点から真空蒸着法により形成することが好まし 、。真空蒸着 法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、 一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な 膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ま ヽ。蒸着条件は正孔注入 層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の含窒素複素環誘導体は、発光帯域ゃ正孔輸送帯域のいずれの層に含 有させるかによつて異なるが、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をす ることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによつ て含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機 EL素子を得ることができる。
陰極は金属力も構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。し 力 下地の有機物層を製膜時の損傷力も守るためには真空蒸着法が好ましい。 この有機 EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製する ことが好ましい。
[0069] 本発明の有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空 蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有 機 EL素子に用いる、前記一般式 (1)で示される化合物を含有する有機薄膜層は、 真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE法)あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング 法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布 法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機 EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄 すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすぐ逆に厚すぎると高い印加電圧が必要とな り効率が悪くなるため、通常は数 nmから 1 μ mの範囲が好ましい。
なお、有機 EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を一の極性にして 、 5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加して も電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が +、陰極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形 は任意でよい。
実施例
[0070] 本発明の合成例では、まず下記の中間体 1〜4を、 K.Buttkeらの方法 (Journal f ur praktische Chemie Chemiker -Zeitung、 (339)、 1997、 721 -728)により 、対応するベンジル、ピリジル、 4-ブロモア-リン、 4-ブロモベンズアルデヒド、ァ-リ ン、ベンズアルデヒド力 合成した。
[化 24]
Figure imgf000038_0001
中間体 1 中間体 2
Figure imgf000038_0002
中間体 3 中間体 4
[0071] 合成例 1 化合物(1)の合成
[化 25]
Figure imgf000039_0001
化合物 ( 1 ) アルゴン気流下、 300mL三口フラスコに、中間体 1 3. 0g (6. 6mmol)、 10-ナフ タレン一 2—イノレーアントラセン一 9—ボロン酸 2. 5g (8. 9mmol)、テトラキストリフエ -ルホスフィンパラジウム(0) 0. 16g (0. 14mmol)、 1, 2—ジメトキシェタン 30mL 、 2M炭酸ナトリウム水溶液 l lmL (22mmol)をカ卩え、 8時間加熱還流した。反応終 了後、ジクロロメタンをカ卩え、十分に水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリー エバポレーターで溶媒を留去した。得られた粗結晶を、シリカゲルカラムクロマトダラ フィー(展開溶媒:クロ口ホルム)で精製した後、メタノール lOOmLにて洗浄し、淡黄 色粉末 2. 6gを得た。このものは、 FD— MS (フィールドデイソブーシヨンマススぺタト ル)の測定により、化合物(1)と同定した (収率 60%)
合成例 2 化合物(2)の合成
[化 26]
Figure imgf000039_0002
化合物 ( 2 ) 中間体 1の代わりに、中間体 2を用いた以外は、化合物(1)の合成と同様の操作を 行うことで化合物(2)を淡黄色粉末として得た。収量 3. Og (収率 69%)を得た。この ものは、 FD— MS (フィールドデイソブーシヨンマススペクトル)の測定により、化合物( 2)と同定した。 合成例 3 化合物(3)の合成
[化 27]
Figure imgf000040_0001
化合物 (3 ) 中間体 1の代わりに、中間体 3を用いた以外は、化合物(1)の合成と同様の操作を 行うことで化合物(3)を淡黄色粉末として得た。収量 2. 2g (収率 51%)を得た。この ものは、 FD— MS (フィールドデイソブーシヨンマススペクトル)の測定により、化合物 ( 3)と同定した。
合成例 4 化合物 (4)の合成
[化 28]
Figure imgf000040_0002
化合物 (4 )
中間体 1の代わりに、中間体 2を用いた以外は、化合物(1)の合成と同様の操作を 行うことで化合物 (4)を淡黄色粉末として得た。収量 2. Og (収率 46%)を得た。この ものは、 FD— MS (フィールドデイソブーシヨンマススペクトル)の測定により、化合物 ( 4)と同定した。
実施例 1 (本発明化合物を電子輸送層に用いた有機 EL素子の作製)
25mm X 75mm X 1. 1mm厚の ITO透明電極(陽極)付きガラス基板(ジォマティ ック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン 洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の 基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明 電極を覆うようにして膜厚 60nmの N, N,一ビス(N, N,一ジフエ-ル一 4—ァミノフエ -ル)— N, N—ジフエ-ル— 4, 4,—ジァミノ— 1, 1,—ビフエ-ル膜(以下「TPD23 2膜」と略記する)を成膜した。この TPD232膜は、正孔注入層として機能する。 TPD 232膜の成膜に続けて、この TPD232膜上に膜厚 20nmの 4, 4,—ビス [N— (1— ナフチル)—N—フエ-ルァミノ]ビフエ-ル膜 (以下「NPD膜」と略記する)を成膜し た。この NPD膜は正孔輸送層として機能する。
さらに、この NPD膜上に膜厚 40nmで下記式で示されるアントラセン誘導体 A1とス チリルァミン誘導体 S1を 40 : 2の膜厚比で成膜し青色系発光層とした。
[0076] [化 29]
Figure imgf000041_0001
Al S1 この膜上に電子輸送層として膜厚 20nmで化合物(1)を蒸着により成膜した。この 後、 LiFを膜厚 lnmで成膜した。この LiF膜上に金属 A1を 150nm蒸着させ金属陰極 を形成し有機 EL発光素子を形成した。
[化 30]
Figure imgf000041_0002
化合物(1)
[0078] 実施例 2 実施例 1において、化合物(1)の代わりに、化合物(2)を用いた以外は同様にして 有機 EL素子を作製した。
[化 31]
Figure imgf000042_0001
化合物(2) 実施例 3
実施例 1において、化合物(1)の代わりに、化合物(3)を用いた以外は同様にして 有機 EL素子を作製した。
[化 32]
Figure imgf000042_0002
化合物(3) 実施例 4
実施例 1において、化合物(1)の代わりに、化合物 (4)を用いた以外は同様にして 有機 EL素子を作製した。
[化 33]
Figure imgf000043_0001
化合物(4) 比較例 1
実施例 1において、化合物(1)の代わりに、国際公開番号 WO 2004/080975 A1記 載の下記化合物 Aを用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。
[化 34]
Figure imgf000043_0002
化合物 A 比較例 2
実施例 1において、化合物(1)の代わりに、国際公開番号 WO 2004/080975 A1記 載の下記化合物 Bを用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。
[化 35]
Figure imgf000043_0003
化合物 B 比較例 3
実施例 1において、化合物(1)の代わりに、 Alq (8—ヒドロキシキノリンのアルミ-ゥ ム錯体)を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。 [0084] (有機 EL素子の評価)
上記実施例 1〜4及び比較例 1〜3で得られた有機 EL素子について、下記表 1に 記載された直流電圧を印カロした条件で、発光輝度、発光効率及び色度を測定し、発 光色を観察した。それらの結果を表 1に示す。
[0085] [表 1]
表 1
Figure imgf000044_0001
[0086] 上記表 1の結果から、上記の化合物を電子注入層に用いることで、極めて高!ヽ発 光輝度及び発光効率の素子を製造できることがゎカゝる。
産業上の利用可能性
[0087] 以上詳細に説明したように、本発明の含窒素複素環誘導体を有機 EL素子の有機 薄膜層の少なくとも一層に用いることにより、低電圧でありながら発光効率が高ぐ電 子輸送性が優れ高発光効率を達成できる。このため、本発明の有機 EL素子は、各 種電子機器の光源等として極めて有用である。

Claims

請求の範囲 下記一般式(1)で表される含窒素複素環誘導体, [化 1]
(1)
{前記一般式(1)において、 Ri〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無 置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜60のへテ ロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置 換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 6〜50のァ ラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置 換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の ァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置 換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基で置換されたァミノ基、ハロゲン原 子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボキシル基であり、
Raは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、又は置換 もしくは無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基であり、
Ri〜R3及び Raの少なくとも 1つは下記一般式(2)で示される置換基である。
[化 2]
L— Ar^Ar2
(2)
(Lは、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基、置換もしくは 無置換の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルォ レニレン基であり、
Ar1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリーレン基、置換もしくは無置換 の核原子数 5〜60のへテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルォレニレン 基であり、
Ar2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核原子数 5〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 3〜50のシクロアルキル基、置換もしく は無置換の核原子数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50の アルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もし くは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァリール基で 置換されたァミノ基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、又はカルボ キシル基である。 )}
一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(1 a)、(1 b)又は(1 c)で表さ れる化合物である請求項 1記載の含窒素複素環誘導体。
[化 3]
Figure imgf000046_0001
( 1一 b )
{式中、 R4〜R9は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Ri〜R3と同じである。 Ar3、 Ar5、 Ar7及び Ar9は、それぞれ独立に、前記一般式(2)における Ar1と同じであ る。 Ar6、 Ar8及び Ar1Qは、それぞれ独立に、前記一般式(2)における Ar2と同じ である。 Rb及び は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Raと同じである。 L1 、 L2、 L3及び L4は、それぞれ独立に、前記一般式(2)における Lと同じである。 } 一般式(1)で表される化合物が、下記一般式( 1 d)又は( 1 e)で表される化合 物である請求項 1記載の含窒素複素環誘導体。
[化 4]
Figure imgf000047_0001
Rd及び は、それぞれ独立に、前記一般式(1)における Raと同じである。
一般式(1 d)にお 、て R1Q及び Rdの少なくとも 1つは前記一般式(2)で示される置 換基であり、一般式(1 e)において R13及び の少なくとも 1つは前記一般式 (2)で 示される置換基である。 }
[4] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料である請求項 1〜3の 、ずれかに記載の 含窒素複素環誘導体。
[5] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用電子注入材料又は電子輸送材料である請求 項 1〜3のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。
[6] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用発光材料である請求項 1〜3 、ずれかに記載 の含窒素複素環誘導体。
[7] 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟 持されている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも
1層力 請求項 1〜3のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を単独もしくは混合 物の成分として含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[8] 前記有機薄膜層が電子注入層又は電子輸送層を有し、該電子注入層又は該電子 輸送層力 請求項 1〜3のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を単独もしくは混 合物の成分として含有する請求項 7に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[9] 前記発光層が、請求項 1〜3のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体を単独又 は混合物の成分として含有する請求項 7に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子
[10] 含窒素複素環誘導体を含有する該電子注入層又は該電子輸送層が、還元性ドー パントを含有する請求項 7に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[11] 前記還元性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ 金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ 土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アル カリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体か らなる群力も選択される 1種又は 2種以上の物質である請求項 10に記載の有機エレ タトロルミネッセンス素子。
PCT/JP2007/056061 2006-03-27 2007-03-23 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 WO2007111263A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07739502A EP2000463A2 (en) 2006-03-27 2007-03-23 Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using same
JP2008507472A JPWO2007111263A1 (ja) 2006-03-27 2007-03-23 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-086026 2006-03-27
JP2006086026 2006-03-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007111263A1 true WO2007111263A1 (ja) 2007-10-04

Family

ID=38541180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/056061 WO2007111263A1 (ja) 2006-03-27 2007-03-23 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080018237A1 (ja)
EP (1) EP2000463A2 (ja)
JP (1) JPWO2007111263A1 (ja)
KR (1) KR20080105113A (ja)
CN (1) CN101410380A (ja)
TW (1) TW200745046A (ja)
WO (1) WO2007111263A1 (ja)

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101460361B1 (ko) * 2008-01-16 2014-11-10 주식회사 엘지화학 새로운 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
EP3056504A1 (en) 2015-02-16 2016-08-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3061763A1 (en) 2015-02-27 2016-08-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3098229A1 (en) 2015-05-15 2016-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3101021A1 (en) 2015-06-01 2016-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3124488A1 (en) 2015-07-29 2017-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3159350A1 (en) 2015-09-03 2017-04-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3205658A1 (en) 2016-02-09 2017-08-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3231809A2 (en) 2016-04-11 2017-10-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3261146A2 (en) 2016-06-20 2017-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3261147A1 (en) 2016-06-20 2017-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3270435A2 (en) 2016-06-20 2018-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3297051A1 (en) 2016-09-14 2018-03-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3301088A1 (en) 2016-10-03 2018-04-04 Universal Display Corporation Condensed pyridines as organic electroluminescent materials and devices
EP3305796A1 (en) 2016-10-07 2018-04-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3321258A1 (en) 2016-11-09 2018-05-16 Universal Display Corporation 4-phenylbenzo[g]quinazoline or 4-(3,5-dimethylphenylbenzo[g]quinazoline iridium complexes for use as near-infrared or infrared emitting materials in oleds
EP3323822A1 (en) 2016-09-23 2018-05-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3345914A1 (en) 2017-01-09 2018-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3354654A2 (en) 2016-11-11 2018-08-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3381927A1 (en) 2017-03-29 2018-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3401318A1 (en) 2017-05-11 2018-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3418286A1 (en) 2017-06-23 2018-12-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3444258A2 (en) 2017-08-10 2019-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3489243A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 University of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492528A1 (en) 2017-11-30 2019-06-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3492480A2 (en) 2017-11-29 2019-06-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3613751A1 (en) 2018-08-22 2020-02-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3689889A1 (en) 2019-02-01 2020-08-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3690973A1 (en) 2019-01-30 2020-08-05 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
EP3715353A1 (en) 2019-03-26 2020-09-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3750897A1 (en) 2019-06-10 2020-12-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3771717A1 (en) 2019-07-30 2021-02-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3778614A1 (en) 2019-08-16 2021-02-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3816175A1 (en) 2019-11-04 2021-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3845545A1 (en) 2020-01-06 2021-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3858945A1 (en) 2020-01-28 2021-08-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
EP4001287A1 (en) 2020-11-24 2022-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4001286A1 (en) 2020-11-24 2022-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4016659A1 (en) 2020-11-16 2022-06-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4019526A1 (en) 2018-01-26 2022-06-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4039692A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4053137A1 (en) 2021-03-05 2022-09-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4056578A1 (en) 2021-03-12 2022-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A2 (en) 2021-02-26 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A2 (en) 2021-02-26 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059941A1 (en) 2021-03-15 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075530A1 (en) 2021-04-14 2022-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
EP4074723A1 (en) 2021-04-05 2022-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4079743A1 (en) 2021-04-23 2022-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4086266A1 (en) 2021-04-23 2022-11-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4112701A2 (en) 2021-06-08 2023-01-04 University of Southern California Molecular alignment of homoleptic iridium phosphors
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4185086A1 (en) 2017-07-26 2023-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4212539A1 (en) 2021-12-16 2023-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A2 (en) 2022-02-16 2023-08-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4242285A1 (en) 2022-03-09 2023-09-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4265626A2 (en) 2022-04-18 2023-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4282863A1 (en) 2022-05-24 2023-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4299693A1 (en) 2022-06-28 2024-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4326030A1 (en) 2022-08-17 2024-02-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362631A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362630A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362645A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4369898A1 (en) 2022-10-27 2024-05-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4376583A2 (en) 2022-10-27 2024-05-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4386065A1 (en) 2022-12-14 2024-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719180B2 (en) * 2007-10-16 2010-05-18 Global Oled Technology Llc Inverted OLED device with improved efficiency
US8945724B2 (en) * 2007-12-27 2015-02-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using the same
CN103641835B (zh) 2008-07-18 2017-05-24 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的氮杂芘
WO2015064558A1 (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN106008467B (zh) * 2016-05-27 2019-01-22 上海道亦化工科技有限公司 一种基于咪唑的化合物及其有机电致发光器件
CN109912609A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 江苏三月光电科技有限公司 一种以含氮五元杂环为母核的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN108586533A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 马鞍山南大高新技术研究院有限公司 一种含氮杂环的有机发光材料及其应用

Citations (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1110518B (de) 1959-04-09 1961-07-06 Kalle Ag Material fuer die elektrophotographische Bilderzeugung
US3112197A (en) 1956-06-27 1963-11-26 Azoplate Corp Electrophotographic member
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
US3189447A (en) 1956-06-04 1965-06-15 Azoplate Corp Electrophotographic material and method
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3257203A (en) 1958-08-20 1966-06-21 Azoplate Corp Electrophotographic reproduction material
JPS45555B1 (ja) 1966-03-24 1970-01-09
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
JPS463712B1 (ja) 1966-04-14 1971-01-29
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
US3615402A (en) 1969-10-01 1971-10-26 Eastman Kodak Co Tetra-substituted methanes as organic photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
JPS4725336B1 (ja) 1969-11-26 1972-07-11
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
US3820989A (en) 1969-09-30 1974-06-28 Eastman Kodak Co Tri-substituted methanes as organic photoconductors
JPS4935702B1 (ja) 1969-06-20 1974-09-25
JPS49105537A (ja) 1973-01-15 1974-10-05
JPS5110105B2 (ja) 1972-02-09 1976-04-01
JPS5110983B2 (ja) 1971-09-10 1976-04-08
JPS5193224A (ja) 1974-12-20 1976-08-16
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
JPS5327033A (en) 1976-08-23 1978-03-13 Xerox Corp Image forming member and image forming method
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
JPS5458445A (en) 1977-09-29 1979-05-11 Xerox Corp Electrostatic photosensitive device
JPS5459143A (en) 1977-10-17 1979-05-12 Ibm Electronic photographic material
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
JPS54149634A (en) 1978-05-12 1979-11-24 Xerox Corp Image forming member and method of forming image using same
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
JPS5517105A (en) 1978-07-21 1980-02-06 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5579450A (en) 1978-12-04 1980-06-14 Xerox Corp Image formation device
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS55144250A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corp Image formation device
JPS55156953A (en) 1979-05-17 1980-12-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd Organic semiconductor electrophotographic material
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4278746A (en) 1978-06-21 1981-07-14 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Photosensitive elements for electrophotography
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS56119132A (en) 1979-11-23 1981-09-18 Xerox Corp Image forming element
JPS5711350A (en) 1980-06-24 1982-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5745545A (en) 1980-09-03 1982-03-15 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic receptor
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6093445A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6198353A (ja) 1984-10-19 1986-05-16 ゼロツクス コーポレーシヨン 芳香族エーテル正孔移送層を含む感光装置
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61295558A (ja) 1985-06-24 1986-12-26 ゼロツクス コ−ポレ−シヨン アルコキシアミン電荷移送分子を含有する光導電性像形成部材
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
JPS63256965A (ja) 1987-04-15 1988-10-24 Canon Inc 静電荷像現像用トナ−
JPS63295695A (ja) 1987-02-11 1988-12-02 イーストマン・コダック・カンパニー 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02204996A (ja) 1989-02-01 1990-08-14 Nec Corp 有機薄膜el素子
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JPH04308688A (ja) 1991-04-08 1992-10-30 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06175052A (ja) 1992-12-11 1994-06-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光スイッチおよび光スイッチアレイ
JPH08193191A (ja) 1995-01-19 1996-07-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機電界発光素子及び有機薄膜
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP2002038141A (ja) 2000-07-28 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2002097465A (ja) * 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004146368A (ja) 2002-10-03 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2004080975A1 (ja) 2003-03-13 2004-09-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 新規含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3614405B2 (ja) 1999-12-31 2005-01-26 エルジー・ケミカル・カンパニー・リミテッド p−型半導体性質を有する有機化合物を含む電子素子
WO2005085208A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. 2,4,5−トリアリール置換イミダゾール化合物及び1,2,4,5−テトラアリール置換イミダゾール化合物
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
JP3927577B2 (ja) 1994-11-10 2007-06-13 マイケルスン、ガーリー、ケィー 電動骨鉗子

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5904994A (en) * 1995-09-13 1999-05-18 Lucent Technologies Inc. Blue-emitting materials and electroluminescent devices containing these materials
EP2169028B1 (en) * 2002-03-22 2018-11-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same
US20060251918A1 (en) * 2003-12-11 2006-11-09 Toshihiro Iwakuma Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using same
KR100872692B1 (ko) * 2006-03-06 2008-12-10 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

Patent Citations (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3189447A (en) 1956-06-04 1965-06-15 Azoplate Corp Electrophotographic material and method
US3112197A (en) 1956-06-27 1963-11-26 Azoplate Corp Electrophotographic member
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
US3257203A (en) 1958-08-20 1966-06-21 Azoplate Corp Electrophotographic reproduction material
DE1110518B (de) 1959-04-09 1961-07-06 Kalle Ag Material fuer die elektrophotographische Bilderzeugung
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (ja) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (ja) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
JPS4935702B1 (ja) 1969-06-20 1974-09-25
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
US3820989A (en) 1969-09-30 1974-06-28 Eastman Kodak Co Tri-substituted methanes as organic photoconductors
US3615402A (en) 1969-10-01 1971-10-26 Eastman Kodak Co Tetra-substituted methanes as organic photoconductors
JPS4725336B1 (ja) 1969-11-26 1972-07-11
JPS5110983B2 (ja) 1971-09-10 1976-04-08
JPS5110105B2 (ja) 1972-02-09 1976-04-01
JPS49105537A (ja) 1973-01-15 1974-10-05
JPS5193224A (ja) 1974-12-20 1976-08-16
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
JPS5327033A (en) 1976-08-23 1978-03-13 Xerox Corp Image forming member and image forming method
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
JPS5458445A (en) 1977-09-29 1979-05-11 Xerox Corp Electrostatic photosensitive device
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
JPS5459143A (en) 1977-10-17 1979-05-12 Ibm Electronic photographic material
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
JPS54149634A (en) 1978-05-12 1979-11-24 Xerox Corp Image forming member and method of forming image using same
US4278746A (en) 1978-06-21 1981-07-14 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Photosensitive elements for electrophotography
JPS5517105A (en) 1978-07-21 1980-02-06 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5579450A (en) 1978-12-04 1980-06-14 Xerox Corp Image formation device
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS55144250A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corp Image formation device
JPS55156953A (en) 1979-05-17 1980-12-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd Organic semiconductor electrophotographic material
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS56119132A (en) 1979-11-23 1981-09-18 Xerox Corp Image forming element
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5711350A (en) 1980-06-24 1982-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS5745545A (en) 1980-09-03 1982-03-15 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic receptor
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6093445A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6198353A (ja) 1984-10-19 1986-05-16 ゼロツクス コーポレーシヨン 芳香族エーテル正孔移送層を含む感光装置
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61295558A (ja) 1985-06-24 1986-12-26 ゼロツクス コ−ポレ−シヨン アルコキシアミン電荷移送分子を含有する光導電性像形成部材
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
JPS63295695A (ja) 1987-02-11 1988-12-02 イーストマン・コダック・カンパニー 有機発光媒体をもつ電場発光デバイス
JPS63256965A (ja) 1987-04-15 1988-10-24 Canon Inc 静電荷像現像用トナ−
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JPH02204996A (ja) 1989-02-01 1990-08-14 Nec Corp 有機薄膜el素子
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JPH04308688A (ja) 1991-04-08 1992-10-30 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06175052A (ja) 1992-12-11 1994-06-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光スイッチおよび光スイッチアレイ
JP3927577B2 (ja) 1994-11-10 2007-06-13 マイケルスン、ガーリー、ケィー 電動骨鉗子
JPH08193191A (ja) 1995-01-19 1996-07-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機電界発光素子及び有機薄膜
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
JP3614405B2 (ja) 1999-12-31 2005-01-26 エルジー・ケミカル・カンパニー・リミテッド p−型半導体性質を有する有機化合物を含む電子素子
JP2002038141A (ja) 2000-07-28 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2002097465A (ja) * 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004146368A (ja) 2002-10-03 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2004080975A1 (ja) 2003-03-13 2004-09-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 新規含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2005085208A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Nissan Chemical Industries, Ltd. 2,4,5−トリアリール置換イミダゾール化合物及び1,2,4,5−テトラアリール置換イミダゾール化合物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. BUTTKE ET AL., JOURNAL FUR PRAKTISCHE CHEMIE CHEMIKER-ZEITUNG, vol. 339, 1997, pages 721 - 728

Cited By (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101460361B1 (ko) * 2008-01-16 2014-11-10 주식회사 엘지화학 새로운 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
EP3056504A1 (en) 2015-02-16 2016-08-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3061763A1 (en) 2015-02-27 2016-08-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3098229A1 (en) 2015-05-15 2016-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3101021A1 (en) 2015-06-01 2016-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3124488A1 (en) 2015-07-29 2017-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3159350A1 (en) 2015-09-03 2017-04-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3760635A1 (en) 2015-09-03 2021-01-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3858842A1 (en) 2016-02-09 2021-08-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3205658A1 (en) 2016-02-09 2017-08-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4122941A1 (en) 2016-04-11 2023-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3231809A2 (en) 2016-04-11 2017-10-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3270435A2 (en) 2016-06-20 2018-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3843171A1 (en) 2016-06-20 2021-06-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3758084A1 (en) 2016-06-20 2020-12-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3261147A1 (en) 2016-06-20 2017-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3261146A2 (en) 2016-06-20 2017-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4349935A2 (en) 2016-06-20 2024-04-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3920254A1 (en) 2016-06-20 2021-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3297051A1 (en) 2016-09-14 2018-03-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3323822A1 (en) 2016-09-23 2018-05-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3301088A1 (en) 2016-10-03 2018-04-04 Universal Display Corporation Condensed pyridines as organic electroluminescent materials and devices
EP3858844A1 (en) 2016-10-07 2021-08-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3305796A1 (en) 2016-10-07 2018-04-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3789379A1 (en) 2016-11-09 2021-03-10 Universal Display Corporation 4-phenylbenzo[g]quinazoline or 4-(3,5-dimethylphenylbenzo[g]quinazoline iridium complexes for use as near-infrared or infrared emitting materials in oleds
EP3321258A1 (en) 2016-11-09 2018-05-16 Universal Display Corporation 4-phenylbenzo[g]quinazoline or 4-(3,5-dimethylphenylbenzo[g]quinazoline iridium complexes for use as near-infrared or infrared emitting materials in oleds
EP3354654A2 (en) 2016-11-11 2018-08-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4092036A1 (en) 2016-11-11 2022-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4212540A1 (en) 2017-01-09 2023-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3345914A1 (en) 2017-01-09 2018-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3689890A1 (en) 2017-01-09 2020-08-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3985012A1 (en) 2017-03-29 2022-04-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3730506A1 (en) 2017-03-29 2020-10-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3381927A1 (en) 2017-03-29 2018-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4141010A1 (en) 2017-05-11 2023-03-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3401318A1 (en) 2017-05-11 2018-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3418286A1 (en) 2017-06-23 2018-12-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4185086A1 (en) 2017-07-26 2023-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3444258A2 (en) 2017-08-10 2019-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3783006A1 (en) 2017-08-10 2021-02-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3878855A1 (en) 2017-11-28 2021-09-15 University of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3489243A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 University of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480A2 (en) 2017-11-29 2019-06-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3492528A1 (en) 2017-11-30 2019-06-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4019526A1 (en) 2018-01-26 2022-06-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3613751A1 (en) 2018-08-22 2020-02-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4206210A1 (en) 2018-08-22 2023-07-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3690973A1 (en) 2019-01-30 2020-08-05 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
EP3689889A1 (en) 2019-02-01 2020-08-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4301117A2 (en) 2019-02-01 2024-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4134371A2 (en) 2019-03-26 2023-02-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3715353A1 (en) 2019-03-26 2020-09-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3750897A1 (en) 2019-06-10 2020-12-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4219515A1 (en) 2019-07-30 2023-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3771717A1 (en) 2019-07-30 2021-02-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3778614A1 (en) 2019-08-16 2021-02-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3816175A1 (en) 2019-11-04 2021-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4151644A1 (en) 2020-01-06 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3845545A1 (en) 2020-01-06 2021-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4294157A2 (en) 2020-01-28 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3858945A1 (en) 2020-01-28 2021-08-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
EP4016659A1 (en) 2020-11-16 2022-06-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4329463A2 (en) 2020-11-24 2024-02-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4001286A1 (en) 2020-11-24 2022-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4001287A1 (en) 2020-11-24 2022-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4039692A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A2 (en) 2021-02-26 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A2 (en) 2021-02-26 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4053137A1 (en) 2021-03-05 2022-09-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4056578A1 (en) 2021-03-12 2022-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059941A1 (en) 2021-03-15 2022-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4074723A1 (en) 2021-04-05 2022-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
EP4401530A2 (en) 2021-04-14 2024-07-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075530A1 (en) 2021-04-14 2022-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4086266A1 (en) 2021-04-23 2022-11-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4079743A1 (en) 2021-04-23 2022-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4112701A2 (en) 2021-06-08 2023-01-04 University of Southern California Molecular alignment of homoleptic iridium phosphors
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4212539A1 (en) 2021-12-16 2023-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A2 (en) 2022-02-16 2023-08-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4242285A1 (en) 2022-03-09 2023-09-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4265626A2 (en) 2022-04-18 2023-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4282863A1 (en) 2022-05-24 2023-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4299693A1 (en) 2022-06-28 2024-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4326030A1 (en) 2022-08-17 2024-02-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362631A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362630A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362645A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4369898A1 (en) 2022-10-27 2024-05-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4376583A2 (en) 2022-10-27 2024-05-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4386065A1 (en) 2022-12-14 2024-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080105113A (ko) 2008-12-03
CN101410380A (zh) 2009-04-15
US20080018237A1 (en) 2008-01-24
EP2000463A2 (en) 2008-12-10
JPWO2007111263A1 (ja) 2009-08-13
TW200745046A (en) 2007-12-16
EP2000463A9 (en) 2009-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007111263A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101551591B1 (ko) 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기 발광 소자
WO2007018004A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007007464A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007063993A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007111262A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006073054A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008023550A1 (fr) Dérivé d'amine aromatique et dispositif électroluminescent organique utilisant celui-ci
WO2007018007A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008032631A1 (fr) Dérivé d'amine aromatique et dispositif électroluminescent organique l'employant
WO2007100010A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008072400A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007080704A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006046441A1 (ja) 芳香族アミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007007463A1 (ja) 電子吸引性置換基を有する含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007102361A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006114921A1 (ja) 芳香族トリアミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007017995A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009084268A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100038193A (ko) 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전기 발광 소자
WO2008001551A1 (fr) Dérivé d'amine aromatique et dispositif a électroluminescence organique utilisant celui-ci
WO2006001333A1 (ja) 多環芳香族系化合物、発光性塗膜形成用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007099983A1 (ja) フルオランテン誘導体及びインデノペリレン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007105448A1 (ja) ナフタセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006006505A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07739502

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008507472

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007739502

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780010587.2

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 5111/CHENP/2008

Country of ref document: IN

Ref document number: 1020087023442

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE