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WO2005029585A1 - 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents

半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット Download PDF

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WO2005029585A1
WO2005029585A1 PCT/JP2004/013036 JP2004013036W WO2005029585A1 WO 2005029585 A1 WO2005029585 A1 WO 2005029585A1 JP 2004013036 W JP2004013036 W JP 2004013036W WO 2005029585 A1 WO2005029585 A1 WO 2005029585A1
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WO
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change film
phase change
phase
semiconductor
sputtering target
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/013036
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English (en)
French (fr)
Inventor
Sohei Nonaka
Kei Kinoshita
Satoru Mori
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corporation filed Critical Mitsubishi Materials Corporation
Priority to US10/572,216 priority Critical patent/US20070053786A1/en
Priority to EP04787719A priority patent/EP1667230A4/en
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    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe

Definitions

  • the present invention relates to a phase change film for a semiconductor nonvolatile memory and a sputtering target for forming the phase change film.
  • phase change film of a semiconductor non-volatile memory Phase Change RAM (PCRAM) or Ovonics Unified Memory (OUM)
  • PCRAM Phase Change RAM
  • OFUM Ovonics Unified Memory
  • phase change films As one of the phase change films, a phase change film containing 10: 25% of Ge and 10 to 25% of Sb and having a balance of Te and unavoidable impurity power is known. It is also known that the change recording layer is formed by sputtering using a target having substantially the same composition as that of the phase change recording layer (for example, see Patent Documents 13 and 12, Non-patent Documents 112). ).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 2001-502848
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication No. 2002-512439
  • Patent Document 3 Japanese Patent Publication No. 2002-540605
  • Non-Patent Document 1 Applied Physics, Vol. 71, No. 12, (2002) pp. 1513-1517
  • Non-Patent Document 2 "Nikkei Microdevices” March 2003, p. 104
  • Non-Patent Document 1 As shown in Non-Patent Document 1, at the time of writing and erasing, in particular, in order to change the crystal state to an amorphous state (reset operation), it is necessary to once raise the crystal above its melting point and melt it At this time, if the melting point is high, the value of the current flowing through the circuit must be increased. In addition, the power consumption increased, the load on peripheral circuits increased due to the flow of large currents, and this also hindered circuit miniaturization.
  • phase change film for a semiconductor nonvolatile memory according to (2) wherein the lanthanoid element is one or more of Dy, Tb, Nd, Sm, and Gd. .
  • one (3) semiconductor non-volatile memory for phase change layer according the resistivity measured by the four point probe method after crystallization is 5 X 10- 3 - be a 5 X 10 ⁇ 'cm And melting point of 600 ° C or less It is preferable that Therefore, the present invention
  • phase change film for semiconductor nonvolatile memory according to any one of the above.
  • the phase change film formed by using the sputtering target of the present invention can obtain a low melting point without significantly lowering the resistance, reduce the current value at the time of the write / erase operation, reduce the power consumption, and reduce the power consumption. And contribute greatly to the development of a new semiconductor memory industry.
  • the Ga component contains Ge: 10-25% and Sb: 10-25%, and the remainder is contained in a phase change film having a composition consisting of Te and unavoidable impurities to further lower the melting point of the phase change film.
  • a phase change film having a composition consisting of Te and unavoidable impurities to further lower the melting point of the phase change film.
  • phase change material containing Ge: 10-25% and Sb: 10-25% and the balance of Te and unavoidable impurities contains Ga: 1-10%, the crystal of this film Do not lower the specific resistance in the oxidized state.
  • the phase-change film containing Ge: 10-25% and Sb: 10-25%, with the balance being Te and unavoidable impurity power, is mainly composed of high-resistance face-centered cubic and low-resistance hexagonal. It has two types of crystal structures, the former occurs when crystallized at a relatively low temperature, and the latter occurs when maintained at a relatively high temperature. Amorphous force Since the phase change rate to a face-centered cubic crystal is high, the amorphous state force usually undergoes a phase change and the crystal generated when crystallized is face-centered. It is cubic. When Ga is added to the conventionally known Ge—Sb—Te composition, the face-centered cubic structure stabilizes to a higher temperature than in the case of no addition, so that the specific resistance temperature increases. There is also an effect of improving the degree stability.
  • these components have the effect of further increasing the resistance in the crystalline state of the phase change film due to the addition of Ga. Therefore, these components are added as necessary.However, if the content exceeds 10%, the crystal of the phase change film is crystallized. This is not preferred because the rise in the formation temperature becomes too large. An appropriate increase in the crystallization temperature increases the stability of the amorphous state and leads to an improvement in the retention characteristics.However, if the temperature is higher than necessary, the power required for crystallization increases, and the viewpoint of low power consumption is preferable. There is no. Therefore, the content of these components was set to 10% or less. A more preferred range for these contents is 0.5-8%. Among the lanthanoid elements, Dy, Tb, Nd, Sm, and Gd are particularly preferred! / ⁇ .
  • Ge and Sb contained in the phase change film having high electric resistance according to the present invention are preferably Ge: 10-25% and Sb: 10-25%.
  • the reason is that Ge: less than 10%, Sb: less than 10%, Ge: more than 25%, and Sb: more than 25%, the lower the resistance value and the longer the crystallization time. This is because it is not favorable.
  • phase-change film of the present invention is a specific resistance value measured by the four point probe method after crystallization is 5 X 10- 3 ⁇ • cm or more (8 X 10- 2 ⁇ 'cm or more and more preferably) it is necessary, because the circuit large current flows in the specific resistance value of less than 5 X 10- 3 ⁇ 'cm, power consumption is increased in order that, also because an obstacle at the time of refining undesirable It is because of that.
  • the specific resistance of an amorphous Ge—Sb—Te alloy is usually about 1 ⁇ 10 2 ⁇ 'cm, and at least about one and a half digits in the crystalline state and the amorphous state for stable reading. It is preferable that there is a resistance difference between them.
  • the resistance of the phase change film at the time of crystallization needs to be 5 ⁇ 10 ⁇ 'cm or less. Therefore, the specific resistance measured by the four probe method after crystallization of the phase change film of the present invention is 5 ⁇ 10 ⁇ ′cm. It defined to 10- 3 ⁇ 'cm- 5 X 10 ⁇ ' cm. Further, the melting point of the phase change film of the present invention needs to be 600 ° C. or less in terms of low power consumption.
  • a phase change film for a semiconductor nonvolatile memory having the component composition according to the above (1) of the present invention is provided.
  • the sputtering target for forming a semiconductor nonvolatile memory phase change film having the component composition described in (2) above is required to have a composition of Ge: 10-26% by atom%
  • the balance has a component composition consisting of Te and unavoidable impurities.
  • a sputtering target for forming a phase change film for a semiconductor nonvolatile memory having the component composition according to the above (1) of the present invention is a Ge—Sb—Te alloy having a predetermined component composition in an Ar gas atmosphere. Then, Ga is added, and molten metal is poured into an iron mold to produce alloy ingots.These alloy ingots are pulverized in an inert gas atmosphere to produce an alloy powder of 200 m or less. Is manufactured by vacuum hot pressing. The vacuum hot press is performed under the conditions of pressure: 146-155MPa, temperature: 370-430 ° C, holding for 1-2 hours, and then cooling when the mold temperature drops to 270-300 ° C. Speed: It is performed by cooling to normal temperature at 11 ° CZmin.
  • a phase change for a semiconductor nonvolatile memory having the component composition according to the above (2) of the present invention is a Ge—Sb—Te alloy with Ga added to the alloy powder, and a separately prepared B, Al, C, Si, lanthanoid element of 200 / zm or less (preferably Is prepared by mixing powders of Dy, Tb, Nd, Sm, and Gd) so as to have the component composition of the present invention to prepare a mixed powder, and subjecting the mixed powder to vacuum hot pressing.
  • the vacuum hot pressing is performed under the conditions of pressure: 146 to 155 MPa, temperature: 370 to 430 ° C, and holding for 1 to 2 hours. After that, when the mold temperature falls to 270 to 300 ° C, the cooling rate is: It is performed by cooling to room temperature at 1 3 ° CZmin.
  • Ge, Sb, and Te are dissolved in an Ar gas atmosphere, Ga is added to the obtained molten metal, and the molten metal obtained by adding the Ga is formed to produce an alloy ingot.
  • alloy powders having a particle size of 100 m or less were produced. This alloy powder was mixed with each element powder of B, Al, C, Si, Dy, Tb, Nd, Sm, and Gd having a particle size of 100 m or less to prepare a mixed powder.
  • alloy powders and mixed powders are hot-pressed by vacuum hot pressing at a temperature of 400 ° C. and a pressure of 146 MPa, respectively, and the hot-pressed bodies are turned using a carbide tool, and the lathe rotation speed is 200 rpm.
  • the target 121 of the present invention, the comparative target 110, and the conventional target 1 having the component composition shown in Table 13 having a diameter of 125 mm and a thickness of 5 mm are obtained.
  • Target component composition (atomic%) G e S b G a B, A 1. C, S i,
  • the target of the present invention, the target of the present invention, the target of the present invention, and the target of the present invention shown in Table 13 were each soldered to a copper backing plate with indium brazing material having a purity of 99.999% by weight. This is inserted into a DC magnetron sputtering apparatus, and the target is placed between the substrate and the substrate (Si wafer with a thickness of 100 nm SiO).
  • phase change film 112 of the present invention is performed under the following conditions, and the phase change film 112 of the present invention, the comparative phase change film 110, and the conventional phase change film having a thickness of 300 nm on the surface of the substrate and having the component compositions shown in Table 416.
  • phase change film 112 of the present invention The component compositions of the thus obtained phase change film 112 of the present invention, the comparative phase change film 110 and the conventional phase change film 1 were measured by ICP (inductively coupled plasma method), and the results were obtained. Table 4-1-6 is shown. Further, after crystallizing the obtained phase change film of the present invention 121, comparative phase change film 110 and conventional phase change film 1 in a nitrogen flow at 230 ° C. for 5 minutes, a four-point probe Was measured under the same conditions as above, a 3 ⁇ m-thick film was formed on a polycarbonate substrate with a diameter of 120 mm, and the entire film was peeled off and powdered.
  • the crystallized phase-change film 121 of the present invention obtained by sputtering using the target 121 of the present invention is subjected to snoring using the conventional target 1.
  • the obtained phase change film 1 is an excellent phase change film, such as having a lower melting point and a smaller decrease in specific resistance than the conventional phase change film 1 obtained.
  • the comparative phase change film 110 containing the additive component out of the range of the present invention exhibits at least one undesirable characteristic.

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Abstract

【課題】半導体不揮発メモリー用相変化膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】Ｇｅ：１０～２５％、Ｓｂ：１０～２５％を含有し、Ｇａを１～１０％含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉまたはランタノイド元素を１０％以下含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する半導体不揮発メモリー用相変化膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。

Description

明 細 書
半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するための スパッタリングターゲット
技術分野
[0001] この発明は、半導体不揮発メモリー用相変化膜およびその相変化膜を形成するた めのスパッタリングターゲットに関するものである。
背景技術
[0002] 半導体不揮発メモリー（Phase Change RAM (PCRAM)または Ovonics Uni fied Memory (OUM) )の相変化膜は、記録層として用いられており、記録層には 結晶状態の相変化材料を用い、書き換えは、その一部をヒーターで急加熱して溶融 し、即急冷して部分的に非晶質ィ匕させる力 或いは非晶質部を低温でゆっくり加熱し て結晶状態に戻すことで行っている。一方、読み出しは結晶状態と一部非晶質化し た状態の電気抵抗差によって行なっている。この相変化膜の一つとして、 Ge : 10— 2 5%、 Sb : 10— 25%を含有し、残部が Teおよび不可避不純物力もなる組成を有する 相変化膜が知られており、そしてこの相変化記録層はこの相変化記録層とほぼ同じ 成分糸且成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することも知ら れている（例えば、特許文献 1一 3、非特許文献 1一 2参照)。
特許文献 1：特表 2001—502848号公報
特許文献 2：特表 2002 - 512439号公報
特許文献 3：特表 2002 - 540605号公報
非特許文献 1 :「応用物理」第 71卷、第 12号 (2002)第 1513— 1517頁
非特許文献 2：「日経マイクロデバイス」 2003年 3月号、第 104頁
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 非特許文献 1に示されるように、書き込み消去時、特に結晶状態を非晶質状態に 変化（リセット動作)させるためには一度結晶を融点以上に上げて溶融する必要があ る力 この時に融点が高いと回路に流す電流値を大きくしなければならず、そのため に消費電力が大きくなり、大電流を流すために周辺回路への負担が大きくなり、また 回路の微細化の障害にもなつていた。
課題を解決するための手段
[0004] そこで、本発明者らは、かかる課題を解決すべく研究を行なった結果、
(ィ）通常の Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、残部が Teおよび不可避不純 物からなる組成を有する相変化材料に Ga: l— 10%含有させると融点を下げること ができ、なおかつ結晶状態の比抵抗は Gaを含有させな 、時とほとんど変わらな!/、こ とから、溶融のために必要な電流量を少なくすることができるので、消費電力を少なく することができると同時に周辺回路への負担を少なくすることができる、
(口）さらに B、 Al、 C、 Sほたはランタノイド元素を 10%以下含有せしめると、比抵抗 が上昇して、より一層溶融のために必要な電流量を少なくし、したがって消費電力を 少なくすることができる、
(ハ）前記ランタノイド元素の内でも Dy, Tb, Nd, Sm, Gdが特に有効である、などの 研究結果が得られたのである。
[0005] この発明は、力かる研究結果に基づいて成されたものであって、
(1)原子0 /0で Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、さらに Ga: 1— 10%を含有し 、残部が Teおよび不可避不純物からなる組成を有する半導体不揮発メモリー用相変 化膜、
(2)原子0 /0で Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、さらに Ga: 1— 10%を含有し 、さらに B、 Al、 C、 Siおよびランタノイド元素の内の 1種または 2種以上を合計で 10% 以下を含有し、残部が Teおよび不可避不純物力 なる組成を有する半導体不揮発 メモリー用相変化膜、に特徴を有するものである。
前記ランタノイド元素の内でも Dy, Tb, Nd, Sm, Gdが特に好ましい。したがって、こ の発明は、
(3)前記ランタノイド元素は、 Dy, Tb, Nd, Sm, Gdの内の 1種または 2種以上であ る前記（2)記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜、に特徴を有するものである。
[0006] 前記（1)一（3)記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜は、結晶化後に四探針法 により測定した比抵抗値が 5 X 10— 3— 5 X 10 Ω 'cmであり、かつ融点が 600°C以下 であることが好ましい。したがって、この発明は、
(4)結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値が 5 X 10— 3— 5 X 10 Ω 'cmであり 、かつ融点が 600°C以下である前記（1)一（3)の内のいずれかに記載の半導体不揮 発メモリー用相変化膜、に特徴を有するものである。
発明の効果
[0007] この発明のスパッタリングターゲットを用いて形成した相変化膜は、抵抗をさほど低 下させること無く低い融点が得られ、書き込み消去動作時の電流値を低減し、低消 費電力化、デバイスの微細化に寄与し、新しい半導体メモリー産業の発展に大いに 貢献し得るものである。
[0008] この発明の半導体不揮発メモリー用相変化膜の成分組成を前述のごとく限定した 理由を説明する。
(a) Ga :
Ga成分は、 Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、残部が Teおよび不可避不純 物からなる組成を有する相変化膜に含有せしめて相変化膜の融点を一層低下させ る作用を有するが、 Gaを 1%未満含有しても融点を下げる効果が少な 、ので好ましく なぐ一方、 Gaを 10%を越えて含有させると結晶化温度が上昇し過ぎるために好ま しくない。適度な結晶化温度の上昇は非晶質状態の安定性を高め、保持特性の向 上につながる力 必要以上に高くなると結晶化するために必要な電力が増加し、低 電力化の観点力も好ましくないのである。したがって、 Gaの相変化膜に含有せしめる 量を 1一 10% (—層好ましくは、 2-8%)に定めた。
なお、 Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、残部が Teおよび不可避不純物から なる組成を有する相変化材料に Ga : 1— 10%を含有しても、この膜の結晶化状態で の比抵抗を低下させない。
また、この Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、残部が Teおよび不可避不純物 力もなる組成を有する相変化膜は、主に高抵抗な面心立方晶および低抵抗な六方 晶の二種類の結晶構造を持ち、前者は比較的低温で結晶化した場合、後者は比較 的高温で保持した場合に生じる。非晶質力 面心立方晶への相変化速度が速 、こと から、通常、非晶質状態力も相変化を起こして結晶化した場合に生じる結晶が面心 立方晶である。し力し、従来から知られている Ge—Sb— Teの組成に Gaを添カ卩すると 、この面心立方晶構造が無添加の場合よりも高温まで安定ィ匕するために比抵抗の温 度安定性を向上させる効果もある。
[0009] (b) B, Al, C, Si,ランタノイド元素
これら成分は、 Gaを添加することによる相変化膜の結晶状態での抵抗値を一層上 昇させる作用を有するので、必要に応じ添加するが、 10%を越えて含有すると相変 化膜の結晶化温度の上昇が大きくなりすぎるので好ましくない。適度な結晶化温度 の上昇は非晶質状態の安定性を高め、保持特性の向上につながるが、必要以上に 高くなると結晶化するために必要な電力が増加し、低電力化の観点力 好ましくない のである。したがって、これら成分の含有量は 10%以下に定めた。これらの含有量の 一層好ましい範囲は 0. 5— 8%である。なお、ランタノイド元素の内でも Dy, Tb, Nd , Sm, Gd力特に好まし!/ヽ。
[0010] (c) Ge, Sb :
この発明の電気抵抗が高い相変化膜に含まれる Geおよび Sbは、 Ge : 10-25%, S b : 10— 25%が好ましい。その理由は、 Ge : 10%未満、 Sb : 10%未満であっても、ま た Ge : 25%を越え、 Sb : 25%を越えても抵抗値が低くなつたり結晶化時間が長くな つて好ましくないことによるものである。
[0011] この発明の相変化膜は、結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値が 5 X 10— 3 Ω •cm以上（一層好ましくは 8 X 10— 2 Ω 'cm以上）であることが必要であり、その理由は 比抵抗値が 5 X 10— 3 Ω 'cm未満では回路に大きな電流が流れ、そのために消費電 力が大きくなり、また微細化時の障害になるので好ましくないことによるものである。ま た、非晶質状態の Ge— Sb— Te合金の比抵抗は通常 1 X 102 Ω 'cm程度であり、安定 した読み出しのためには結晶時と非晶質時で少なくとも 1桁半程度の抵抗差があるこ とが好ましい。このため、結晶時の相変化膜の抵抗値は 5 X 10 Ω 'cm以下が必要で あり、したがって、この発明の相変化膜の結晶化後に四探針法により測定した比抵抗 値を 5 X 10— 3 Ω 'cm— 5 X 10 Ω 'cmに定めた。さらにこの発明の相変化膜の融点は 低消費電力の観点力も 600°C以下であることが必要である。
[0012] この発明の前記（1)記載の成分組成を有する半導体不揮発メモリー用相変化膜を 形成するためのスパッタリングターゲットは原子0 /0で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26% を含有し、さらに Ga: l— 11%を含有し、残部が Teおよび不可避不純物力 なる成 分組成を有することことが必要であり、さらに前記（2)記載の成分組成を有する半導 体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲットは、原子％ で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26%を含有し、さらに Ga: 1— 11%を含有し、さらに B、 Al、 C、 Siおよびランタノイド元素の内の 1種または 2種以上を合計で： 11%以下を含 有し、残部が Teおよび不可避不純物からなる成分組成を有することことが必要であ る。
[0013] したがって、この発明は、
(5)原子0 /0で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26%を含有し、さらに Ga: 1— 11%を含有し 、残部が Teおよび不可避不純物からなる組成を有する前記（1)記載の半導体不揮 発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(6)原子0 /0で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26%を含有し、さらに Ga: 1— 11%を含有し 、さらに B、 Al、 C、 Siおよびランタノイド元素の内の 1種または 2種以上を合計で： 11 %以下を含有し、残部が Teおよび不可避不純物からなる組成を有する前記（2)記 載の半導体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
(7)前記ランタノイド元素は、 Dy, Tb, Nd, Sm, Gdの内の 1種または 2種以上であ る前記 (6)記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリング ターゲット、に特徴を有するものである。
[0014] この発明の前記（1)記載の成分組成を有する半導体不揮発メモリー用相変化膜を 形成するためのスパッタリングターゲットは、所定の成分組成を有する Ge— Sb— Te系 合金を Arガス雰囲気中で溶解した後、 Gaを添加し、鉄製モールドに出湯して合金ィ ンゴットを作製し、これら合金インゴットを不活性ガス雰囲気中で粉砕して 200 m以 下の合金粉末を作製し、この合金粉末を真空ホットプレスすることにより作製する。前 記真空ホットプレスは、圧力： 146— 155MPa、温度： 370— 430°C、 1一 2時間保持 の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が 270— 300°Cまで下がった時点で冷 却速度： 1一 3°CZmin.で常温まで冷却することにより行われる。
さらに、この発明の前記（2)記載の成分組成を有する半導体不揮発メモリー用相変 化膜を形成するためのスパッタリングターゲットは、 Ge— Sb— Te系合金に Gaを添カロし この合金粉末と、別途作製した 200 /z m以下の B, Al, C, Si,ランタノイド元素 (好ま しくは、 Dy, Tb, Nd, Sm, Gd)の各粉末をこの発明の成分組成となるように混合し て混合粉末を作製し、この混合粉末を真空ホットプレスすることにより作製する。前記 真空ホットプレスは、圧力： 146— 155MPa、温度： 370— 430°C、 1一 2時間保持の 条件で行なわれ、その後、モールドの温度が 270— 300°Cまで下がった時点で冷却 速度： 1一 3°CZmin.で常温まで冷却することにより行われる。
発明を実施するための最良の形態
[0015] Ge、 Sb、 Teを Arガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に Gaを添カ卩し、この Gaを 添加して得られた溶湯を铸造して合金インゴットを作製し、この合金インゴットを Ar雰 囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径： 100 m以下の合金粉末を作製した。 この合金粉末と、粒径： 100 m以下の B, Al, C, Si, Dy, Tb, Nd, Sm, Gdの各 要素粉末を混合して混合粉末を作製した。
これら合金粉末および混合粉末をそれぞれ温度: 400°C、圧力： 146MPaで真空ホ ットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを 使用し、旋盤回転数： 200rpmの条件で研削加工することにより直径： 125mm、厚さ : 5mmの寸法を有する円盤状の表 1一 3に示される成分組成を有する本発明ターゲ ット 1一 21、比較ターゲット 1一 10および従来ターゲット 1を作製した。
[0016] [表 1]
タ一ゲッ 成分組成 （原子％) 卜 G e S b G a B, A 1. C, S i , ラ
1 22 22 1.2
2 21.9 21.9 1.5
0 3 21.8 21.8 2
4 21.5 21.5 3
5 21.1 21.1 5
6 20.4 20.4 8
本 7 20 20 】0
8 20.8 20.8 4 B:2.5 明 9 20.2 20.2 5 A 1 :3.8
10 19.8 19.8 8 S i :3.0
11 20.9 20.9 4 C:2.0
12 18.8 18.8 10 Dy：5.5
13 19.7 19.7 7 Tb:1.5
14 19.8 19.8 3 Nd :8.0
15 20.3 20.3 5 Sm:3.5
¾〔aU00 l3
Figure imgf000009_0001
*印は、 この発明の範囲から外れた値を示す c
V 4 ϋヽ SΛ 3- ω 铌《 で N
CO ^髒 « ^ ¾胆 s^も s s：：
<
<
oo
oo oo
oo oo
CO 00
次に、表 1一 3に示される本発明ターゲット 1一 21、比較ターゲット 1一 10および従 来ターゲット 1をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度： 99. 999重量％ のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装 入し、ターゲットと基板（表面に厚さ： lOOnmの SiOを形成した Siゥエーハ）の間の
2 距離を 70mmになるようにセットした後、到達真空度： 5 X 10—5Pa以下になるまで真 空引きを行い、その後、全圧： 1. OPaになるまで Arガスを供給し、
•基板温度:室温、
•投入電力： 50W (0. 4W/cm2)、
の条件でスパッタリングを行い、基板の表面に厚さ： 300nmを有し表 4一 6に示される 成分組成を有する本発明相変化膜 1一 21、比較相変化膜 1一 10および従来相変化 膜
1を形成した。
[0020] このようにして得られた本発明相変化膜 1一 21、比較相変化膜 1一 10および従来 相変化膜 1の成分組成を ICP (誘導結合プラズマ法）により測定し、その結果を表 4一 6示した。さらに、得られた本発明相変化膜 1一 21、比較相変化膜 1一 10および従来 相変化膜 1を窒素フロー中、 230°Cに 5分間保持して結晶化した後、四探針法で比 抵抗を測定し、さらに上記と同じ条件で直径： 120mmのポリカーボネート基板上に 3 μ mの厚さで成膜し、付いた膜を全量剥離して粉末化したものについて DTA (示差 熱分析法）により毎分 200mlの Arフロー中、昇温速度 10°CZ分の条件で結晶化温 度および融点を測定し、その結果を表 4一 6に示した。なお、本測定に用いた試料は 15mgで統一した。ここでは 160— 340°C付近に現れる発熱ピークを結晶化温度とし 、 540— 620°C付近に現れる発熱ピークを融点とした。
[0021] [表 4]
Figure imgf000012_0001
s〔〕ffi0023
Figure imgf000013_0001
*印は、 この発明の範囲から外れた値を示す。
相変化 成分組成 （原子％) 比抵抗
/fa日曰 1し Wis: 占 1 0一2
膜 Ge S b Ga B, A 1 , C, S i , ランタノィ ド元素 Te C) CO
y i ' CnU
6 17.5 18.1 4.7 C ： 13.8* 残部 84.5 325.6 564.1
7 17.3 18.1 6.8 A 1 11.3* 残部 54.8 314.3 549.3 比
8 18.4 18.3 3.3 Dy 13.9* 残部 103.5 309.1 572.1 較
9 18.4 19.0 1.3 Nd 13.1* 残部 124.7 312.4 586.4
10 17.5 17.1 6.5 Tb 12.3* 残部 115.8 321.3 551.7 従来】 22.3 21.7 残部 1.74 162.3 613.4 ネ印は、 この発明の範囲から外れた値を示す c
表 4一 6示される結果から、本発明ターゲット 1一 21を用いてスパッタリングすること により得られた結晶化させた本発明相変化膜 1一 21は、従来ターゲット 1を用いてス ノ^タリングすることにより得られた従来相変化膜 1に比べて融点が低ぐ比抵抗の低 下が少ないなど優れた相変化膜であることが分かる。しかし、この発明の範囲力 外 れて添加成分を含む比較相変化膜 1一 10は少なくとも一つの好ましくない特性が現 れることが分力ゝる。

Claims

請求の範囲
[1] 原子0 /0で Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、さらに Ga: 1— 10%を含有し、残 部が Teおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体不揮発メ モリー用相変化膜。
[2] 原子0 /0で Ge : 10— 25%、 Sb : 10— 25%を含有し、さらに Ga: 1— 10%を含有し、さ らに B、 Al、 C、 Siおよびランタノイド元素の内の 1種または 2種以上を合計で 10%以 下を含有し、残部が Teおよび不可避不純物力 なる組成を有することを特徴とする 半導体不揮発メモリー用相変化膜。
[3] 前記ランタノイド元素は、 Dy, Tb, Nd, Sm, Gdの内の 1種または 2種以上であること を特徴とする請求項 2記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜。
[4] 結晶化後に四探針法により測定した比抵抗値が 5 X 10— 3— 5 X 10 Ω 'cmであり、力 つ融点が 600°C以下であることを特徴とする請求項 1一 3の内のいずれかに記載の 半導体不揮発メモリー用相変化膜。
[5] 原子0 /0で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26%を含有し、さらに Ga: 1— 11%を含有し、残 部が Teおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項 1記載の 半導体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
[6] 原子0 /0で Ge : 10— 26%、 Sb : 10— 26%を含有し、さらに Ga: 1— 11%を含有し、さ らに B、 Al、 C、 Siおよびランタノイド元素の内の 1種または 2種以上を合計で： 11% 以下を含有し、残部が Teおよび不可避不純物力 なる組成を有することを特徴とす る請求項 2記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのスパッタリング ターグット。
[7] 前記ランタノイド元素は、 Dy, Tb, Nd, Sm, Gdの内の 1種または 2種以上であること を特徴とする請求項 6記載の半導体不揮発メモリー用相変化膜を形成するためのス パッタリングターゲット。
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