JPH08127176A - 情報記録用薄膜およびその製造方法、ならびに情報記録媒体およびその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な記録・再生特性を保持しながら従来よ
り多数回の書き換えを可能にする。 【構成】 Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化型の記録膜３
に、Ｃｒ，Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａ
ｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノイド元素からなる群
から選ばれた少なくとも一つの元素Ｘを添加する。記録
膜３中に、相変化成分３ａよりも高融点成分３ｂ（元素
Ｘを含む）が析出し、記録・消去時の記録膜３の流動・
偏析を防止する。 【効果】 良好な記録・再生特性を保持しながら１０⁵
回を越える多数回の書き換えが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、情報記録用薄膜およ
びその製造方法、ならびに情報記録媒体およびその使用
方法に関し、さらに詳しく言えば、例えば映像や音声な
どのアナログ信号をＦＭ変調して得た情報や、電子計算
機のデータやファクシミリ信号やディジタル・オーディ
オ信号などのディジタル情報をレーザ光、電子線等のエ
ネルギービームによってリアルタイムで記録または再生
することができる情報記録用薄膜とその製造方法、なら
びにその情報記録用薄膜を用いた情報記録媒体とその使
用方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜に情報を記録す
る原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相転
移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニングなど、
レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは、
薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部
材を直接貼り合わせて両面構造の情報記録媒体が得られ
るという長所を持つ。また、ＧｅＳｂＴｅ系の情報記録
用薄膜では、情報の書き換えを行なうことができる利点
がある。

【０００３】しかし、この種の情報記録用薄膜では、１
０⁵を越える多数回の書き換えを行なうと、当該情報記
録用薄膜の一部が流動し、書き換え特性が低下するとい
う問題がある。そこで、従来よりこの薄膜の流動を防止
する方法が研究されて来ている。

【０００４】例えば、特開平４−２２８１２７号公報に
は、情報記録用薄膜のマイクロセル化によりその流動を
防止する方法が開示されている。また、文献T. Ohta et
al. "Optical Data Strage", '89 Proc. SPIE, 1078,
27（1989）には、情報記録用薄膜を薄くして熱容量を下
げると共に、それによって隣接する層との付着力の影響
が大きくなるのを利用して情報記録用薄膜の流動を防止
する方法が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の情報記録用
薄膜では、書き換え可能な相転移型の情報記録用薄膜と
して用いる場合に次のような問題がある。すなわち、 書き換え可能回数が十分でない、 書き換え可能回数を多くすると結晶化速度が遅くな
る、 書き換え可能回数を多くすると再生信号強度が十分で
なくなる、 長い記録マークを含む情報を記録する場合、情報記録
用薄膜中の元素の偏析や記録膜の流動により、最初の数
十回の照射で記録マークの形成確率の高い場所と低い場
所の反射率レベルが変化することが避けられず、これら
の反射率レベルの変化をあらかじめ一様に生じさせてお
く（初期化）ために多数回（例えば３０００回）のレー
ザ光照射が必要である、などである。

【０００６】そこで、この発明の目的は、良好な記録・
再生特性を保持しながら従来より多数回（例えば１０⁵
回）の書き換えが可能である情報記録用薄膜およびその
製造方法、ならびに情報記録媒体およびその使用方法を
提供することにある。

【０００７】この発明の他の目的は、良好な再生特性を
保持しながら従来より多数回（例えば１０⁵回）の読出
しが可能な、超解像効果を生ずる情報記録用薄膜および
その製造方法、ならびに情報記録媒体およびその使用方
法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

（１）この発明の第１の情報記録用薄膜は、基板上に直
接または保護層を介して形成された、エネルギービーム
の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録
・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄
膜の膜厚方向の平均組成が、一般式（Ｇｅ_aＳｂ_bＴ
ｅ_c）_1-dＸ_dで表わされ、前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂａ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌ
ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃ
ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚ
ｎおよびランタノイド元素からなる群から選ばれる少な
くとも一つの元素を表わし、前記ａ，ｂ，ｃおよびｄ
は、それぞれ０．０１≦ａ≦０．６７， ０．０１≦
ｂ≦０．５９，０．２５≦ｃ≦０．９７， ０．０３
≦ｄ≦０．３，の範囲にあることを特徴とする。

【０００９】組成比を示すａ，ｂ，ｃおよびｄが前記範
囲に限定されるのは、ａ＜０．０１であると、結晶化温
度が低すぎるからであり、ａ＞０．６７であると、結晶
化速度が低下するからである。

【００１０】ｂ＜０．０１であると、初期化のためのレ
ーザ照射回数が多く必要だからであり、ｂ＞０．５９で
あると、結晶化温度が低すぎるからである。

【００１１】ｃ＜０．２５であると、多数回書き換え時
のＣ／Ｎが低下するからであり、ｃ＞０．９７である
と、消去に必要なレーザ照射時間が長すぎるからであ
る。

【００１２】ｄ＜０．０３であると、多数回書き換え時
の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が低下するから
であり、ｄ＞０．３であると、消去比が低下するからで
ある。

【００１３】この発明の第１の情報記録用薄膜では、前
記ａ，ｂおよびｃが、それぞれ０．０２≦ａ≦０．１
９， ０．０４≦ｂ≦０．４，０．５≦ｃ≦０．７
５，の範囲にあるのが好ましい。

【００１４】ａ＜０．０２であると、結晶化温度が低す
ぎるからであり、ａ＞０．１９であると、初期化のため
のレーザ照射回数が多く必要だからである。

【００１５】ｂ＜０．０４であると、結晶化温度が低す
ぎるからであり、ｂ＞０．４であると、結晶化温度が低
すぎるからである。

【００１６】ｃ＜０．５であると、多数回書き換え時の
再生信号のＣ／Ｎが低下するからであり、ｃ＞０．７５
であると、消去に必要なレーザ照射時間が長すぎるから
である。

【００１７】また、前記ａ，ｂおよびｃが、それぞれ
０．２５≦ａ≦０．６５， ０．０１≦ｂ≦０．２，
０．３５≦ｃ≦０．７５の範囲にあるのも好ましい。

【００１８】ａ＜０．２５またはａ＞０．６５である
と、非晶質化させた時の反射率差が小さいからである。

【００１９】ｂ≧０．０１であると、結晶化速度を速く
できるからであり、ｂ＞０．２、ｃ＜０．３５、または
ｃ＞０．７５であると、反射率差が小さいからである。

【００２０】（２） この発明の第１の情報記録用薄膜
では、前記元素Ｘに加えて、Ｔｌ（タリウム）を添加す
るのが好ましい。Ｔｌの添加により、書き込んだ情報の
消去が高速化されてＣ／Ｎがより大きくなるからであ
る。この場合、元素ＸとＴｌの添加量の和は３％以上、
３０原子％以下とするのが好ましい。この範囲であれ
ば、書き込んだ情報の消え残りが大きくならないからで
ある。

【００２１】Ｔｌの一部または全部に代えて、ハロゲン
元素の少なくとも一つを添加してもよいし、Ｔｌに代え
てＮ（窒素）を添加してもよい。書き換え可能回数がさ
らに向上するからである。

【００２２】さらに、他の元素の相対的比率を一定に保
ちながら、Ｔｌに代えてＳｅを３原子％以上、３０原子
％以下だけ添加すると、耐酸化性の向上または反射率の
最適化という効果が得られる。

【００２３】（３） この発明の第１の情報記録用薄膜
では、当該情報記録用薄膜の平均組成が、前記元素Ｇ
ｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＸから選ばれる少なくとも１つの
元素の単体またはそれら元素の化合物よりなる、相対的
に低い融点を持つ低融点成分Ｌと、前記元素Ｇｅ、Ｓ
ｂ、ＴｅおよびＸから選ばれる少なくとも１つの元素の
単体またはそれら元素の化合物よりなる、相対的に高い
融点を持つ高融点成分Ｈとから構成されていて、前記低
融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成をＬ_jＨ_kの
組成式で表わした時、前記ｊおよびｋが、０．２≦［ｋ
／（ｊ＋ｋ）］≦０．４の関係式を満たす組成を基準組
成としているのが好ましい。この範囲内にあれば、ジッ
ターが小さいからである。

【００２４】この場合、前記Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＸ
の各元素の含有量は、前記関係式で決まる基準組成に対
して±１０原子％の範囲内にあるのが好ましい。基準組
成からの各元素の含有量の変化が大きくなると、記録・
消去特性が低下するからである。

【００２５】低融点成分ＬがＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇、高融点成
分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合、前記ｊおよびｋが、０．
２≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．３の関係式を満たす組成
を基準組成としているのが好ましい。この範囲内であれ
ば、ジッターがより小さいからである。

【００２６】この場合、前記Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＸ
の各元素の含有量は、前記関係式で決まる値に対して±
１０原子％の範囲内にあるのが好ましい。基準組成から
の各元素の含有量の変化が大きくなると、記録・消去特
性が低下するからである。

【００２７】低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₄、高融点
成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合、前記ｊおよびｋが、
０．１２≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．２２の関係式を満
たす組成を基準組成としているのが好ましい。この範囲
内であれば、ジッターがより小さいからである。

【００２８】この場合、前記Ｇｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＸ
の各元素の含有量は、前記関係式で決まる値に対して±
１０原子％の範囲内にあるのが好ましい。それは、基準
組成から各元素の含有量が変化すると記録・消去特性が
低下するからである。

【００２９】低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、高融点
成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合、前記ｊおよびｋが、
０．０５≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．１５の関係式を満
たす組成を基準組成としているのが好ましい。この範囲
内であれば、ジッターが小さいからである。

【００３０】この場合、前記Ｃｒの含有量は、前記関係
式で決まる基準組成に対して±３原子％の範囲内にあ
り、前記Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの含有量は、前記関係式
で決まる基準組成に対して±１０原子％の範囲内にある
のが好ましい。それは、基準組成からの各元素の含有量
の変化が大きくなると、記録・消去特性が低下するから
である。

【００３１】また、前記低融点成分中のＧｅの含有量ｇ
（原子％）と、前記ｋおよびｊは、ｋ／（ｊ＋ｋ）＝
（２／ｇ）＋０．０１の関係式を満たすのが好ましい。
前記と同様の理由から、前記Ｇｅの含有量は、前記基準
組成に対して±１０原子％の範囲内にあるのが好まし
く、±５原子％の範囲内にあるのがより好ましい。

【００３２】（４） この発明の第２の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前
記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式（Ｇ
ｅ_aＴｅ_c）_1-dＸ_dで表わされ、前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂ
ａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃ
ｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎ
ａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，
ＷおよびＺｎおよびランタノイド元素からなる群から選
ばれる少なくとも一つの元素を表わし、前記ａ，ｃおよ
びｄは、それぞれ０．０１≦ａ≦０．６７， ０．２
５≦ｃ≦０．９７， ０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲
にあることを特徴とする。

【００３３】この第２の情報記録用薄膜は、上記第１の
情報記録用薄膜において、Ｓｂを除いたもの（ｂ＝０）
に相当する。組成比を示すａ，ｃおよびｄが前記範囲に
限定されるのは、上記（１）で述べたのと同じ理由によ
る。

【００３４】前記ａ，ｃおよびｄは、それぞれ０．２５
≦ａ≦０．６５，０．３５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦
ｄ≦０．３，の範囲にあるのがより好ましい。前記ａ，
ｃおよびｄをこれらの範囲に限定するのが好ましいの
は、上記（１）で述べたのと同じ理由による。

【００３５】（５） この発明の第２の情報記録用薄膜
においても、上記（３）で述べたように、当該情報記録
用薄膜の平均組成が、前記元素Ｇｅ、ＴｅおよびＸから
なる群から選ばれる元素の単体またはそれら元素の化合
物よりなる、相対的に低い融点を持つ低融点成分Ｌと、
前記元素Ｇｅ、ＴｅおよびＸからなる群から選ばれる元
素の単体またはそれら元素の化合物よりなる、相対的に
高い融点を持つ高融点成分Ｈとから構成されていて、前
記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成をＬ_j
Ｈ_kの組成式で表わした時、前記ｊおよびｋが、０．０
２≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．２の関係式を満たす組成
を基準組成としているのが好ましい。

【００３６】前記［ｋ／（ｊ＋ｋ）］をこの範囲に限定
するのが好ましいのは、上記（３）で述べたのと同じ理
由による。

【００３７】この場合、前記Ｇｅ、ＴｅおよびＸの各元
素の含有量は、前記関係式で決まる基準組成に対して±
１０原子％の範囲内にあるのが好ましい。上記（３）で
述べたのと同じ理由による。

【００３８】（６）この発明の第３の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前
記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式（Ｓ
ｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_dで表わされ、前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂ
ａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃ
ｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎ
ａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，
ＷおよびＺｎおよびランタノイド元素からなる群から選
ばれる少なくとも一つの元素を表わし、前記ｂ，ｃおよ
びｄは、それぞれ０．０１≦ｂ≦０．５９，０．２５≦
ｃ≦０．９７， ０．０３≦ｄ≦０．３の範囲にある
ことを特徴とする。

【００３９】この第３の情報記録用薄膜は、上記第１の
情報記録用薄膜においてＧｅを除いたものに相当する。
組成比を示すａ，ｃおよびｄが前記範囲に限定されるの
は、上記（１）で述べたのと同じ理由による。

【００４０】（７） この第３の情報記録用薄膜におい
ても、上記（３）（５）で述べたように、当該情報記録
用薄膜の平均組成が、前記低融点成分Ｌと高融点成分Ｈ
とから構成されていて、前記ｊおよびｋが、０．０５≦
［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．４の関係式を満たす組成を基
準組成としているのが好ましい。

【００４１】前記［ｋ／（ｊ＋ｋ）］をこの範囲に限定
するのが好ましいのは、上記（３）（５）で述べたのと
同じ理由による。

【００４２】この場合、前記Ｇｅ、ＴｅおよびＸの各元
素の含有量は、前記関係式で決まる基準組成に対して±
１０原子％の範囲内にあるのが好ましい。これも上記
（３）で述べたのと同じ理由による。

【００４３】（８） 前記第１〜第３の情報記録用薄膜
において、前記元素Ｘは、当該情報記録用薄膜の膜厚方
向において濃度勾配を有するのが好ましい。それは、初
期化のためのレーザ照射回数を低減できるという効果が
得られるからである。

【００４４】（９） また、前記第１〜第３の情報記録
用薄膜では、当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に
融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、そ
の析出物が前記元素Ｘを含んでいるのが好ましい。多数
回書き換え時間のＣ／Ｎの低下を防ぐことができるから
である。

【００４５】前記高融点成分の少なくとも一部分が、当
該情報記録用薄膜の光入射側の界面近傍に、または光入
射側と反対側の界面近傍にに、非連続膜状に平均膜厚１
〜１０ｎｍの範囲で存在するのが好ましい。それは、こ
の場合に書き換え可能回数が向上するという効果が得ら
れるからである。

【００４６】前記高融点成分の含有量は、当該情報記録
用薄膜の膜厚方向において変化するのが好ましい。初期
化のためのレーザ照射回数を少なくできるという効果が
得られるからである。

【００４７】前記高融点成分の含有量が、当該情報記録
用薄膜の光入射側の界面付近で５０％、その反対側の界
面付近で１０％となるように変化するのが好ましい。書
き換え特性を良好に保ちながら、初期化のためのレーザ
照射回数を低減できるからである。

【００４８】前記高融点成分の構成元素の原子数の和
が、当該情報記録用薄膜の構成元素の全原子数の和に対
して１０〜５０％の範囲にあるのが好ましい。原子数の
和が１０％未満であれば、多数回書き換え時間のＣ／Ｎ
の低下し、５０％を越えると消去比が低下するからであ
る。

【００４９】前記高融点成分の融点は、７８０゜Ｃ以上
であるのが好ましい。高融点成分の融点が高いほど、書
き換え可能回数が大きくなるからである。

【００５０】前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成分
の融点との差が１５０゜Ｃ以上であるのが好ましい。融
点の差が大きいほど、書き換え可能回数が大きくなるか
らである。

【００５１】（１０） 前記第１〜第３の情報記録用薄
膜では、前記高融点成分の析出物は、当該情報記録用薄
膜の内部に粒状または柱状に分布しているのが好まし
い。書き換え可能回数が向上するからである。

【００５２】この場合、前記高融点成分の析出物の当該
情報記録用薄膜の膜面方向での最大外寸法が、５ｎｍ以
上、８０ｎｍ以下であるのが好ましい。５ｎｍ未満であ
れば、書き換え可能回数が小さいからであり、８０ｎｍ
を越えると、多数回書き換え時のＣ／Ｎが低下するから
である。

【００５３】前記高融点成分の析出物が、当該情報記録
用薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びてお
り、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該
情報記録用薄膜の膜厚の（１／２）以下であるのが好ま
しい。５ｎｍ未満であれば、書き換え可能回数が小さい
からである。

【００５４】前記高融点成分の析出物が、当該情報記録
用薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びてお
り、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当
該情報記録用薄膜の膜厚以下であるのが好ましい。１０
ｎｍ未満であれば、書き換え可能回数が小さいからであ
る。

【００５５】前記高融点成分の析出物の当該情報記録用
薄膜の膜厚方向の長さが、１０ｎｍ以上で、且つ当該情
報記録用薄膜の膜厚以下であるのが好ましい。この範囲
内であれば、書き換え可能回数が大きいからである。

【００５６】隣接する２つの前記高融点成分の析出物の
中心間を結ぶ直線が、当該情報記録用薄膜の膜面方向で
それら析出物の間の領域を通る長さが、２０ｎｍ以上、
９０ｎｍ以下であるのが好ましい。２０ｎｍ未満であれ
ば、多数回書き換え後のＣ／Ｎが低下するからであり、
９０ｎｍを越えると、書き換え可能回数が小さいからで
ある。

【００５７】（１１） 前記第１〜第３の情報記録用薄
膜では、当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点
が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでお
り、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布してい
てもよい。この場合でも、前記高融点成分が粒状または
柱状に分布した上記（１０）の場合と同様の効果が得ら
れるからである。

【００５８】前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の当
該情報記録用薄膜の膜面方向での最大孔寸法が、８０ｎ
ｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該
情報記録用薄膜の膜面方向での最大壁厚さが、２０ｎｍ
以下であるのが好ましい。最大孔寸法が８０ｎｍを越え
ると、書き換え可能回数が小さくなり、最大壁厚さが２
０ｎｍを越えると、多数回書き換え後のＣ／Ｎが低下す
るからである。

【００５９】当該情報記録用薄膜の残成分の融点は、６
５０゜Ｃ以下であるのが好ましく、２５０゜Ｃ以下であ
るのがより好ましい。６５０゜Ｃ以下であれば、高融点
成分の融点と十分な融点の差があり、２５０゜Ｃ以下で
あれば、さらに感度が良好になるからである。

【００６０】当該情報記録用薄膜の複素屈折率の実数部
および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照
射前のそれに対して２０％以上変化するのが好ましい。
この場合に、再生信号が大きくなるからである。

【００６１】（１２）この発明の第４の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録または再生する情報記録用薄膜におい
て、当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高
い高融点成分からなる析出物を含んでいてその析出物が
当該情報記録用薄膜の残成分からなる領域内に分布して
いることを特徴とする。

【００６２】（１３） この発明の第４の情報記録用薄
膜において、前記高融点成分の析出物の当該情報記録用
薄膜の膜面方向での最大外寸法は、５ｎｍ以上、８０ｎ
ｍ以下であるのが好ましい。５ｎｍ未満では、書き換え
可能回数が小さく、８０ｎｍを越えると、多数回書き換
え後のＣ／Ｎが低下するからである。

【００６３】前記高融点成分の析出物は、当該情報記録
用薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びてお
り、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該
情報記録用薄膜の膜厚の（１／２）以下であるのが好ま
しい。この範囲内であれば書き換え可能回数が大きいか
らである。

【００６４】前記高融点成分の析出物は、当該情報記録
用薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びてお
り、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当
該情報記録用薄膜の膜厚以下であるのが好ましい。この
範囲内では書き換え可能回数が大きいからである。

【００６５】前記高融点成分の析出物の膜厚方向の長さ
は、１０ｎｍ以上で、当該情報記録用薄膜の膜厚以下で
あるのが好ましい。この範囲内では書き換え可能回数が
大きいからである。

【００６６】隣接する２つの前記高融点成分の析出物の
中心間を結ぶ直線は、当該情報記録用薄膜の膜面方向で
それら析出物の間の領域を通る長さが２０ｎｍ以上、９
０ｎｍ以下であるのが好ましい。この範囲内では書き換
え可能回数が大きく、多数回書き換え後のＣ／Ｎが大き
いからである。

【００６７】（１４） この発明の第５の情報記録用薄
膜は、基板上に直接または保護層を介して形成された、
エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化に
よって情報を記録または再生する情報記録用薄膜におい
て、当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高
い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当
該情報記録用薄膜の残成分が前記多孔質析出物の孔内に
分布していることを特徴とする。

【００６８】（１５） 前記第５の情報記録用薄膜にお
いて、前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該情報
記録用薄膜の膜面方向での最大内寸法は、８０ｎｍ以
下、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該情報記録用
薄膜の膜面方向での最大壁厚さは２０ｎｍ以下であるの
が好ましい。

【００６９】最大内寸法が８０ｎｍを越えると、書き換
え可能回数が小さく、最大壁厚さが２０ｎｍを越える
と、多数回書き換え後のＣ／Ｎが低下するからである。

【００７０】当該情報記録用薄膜の残成分の融点は、６
５０゜Ｃ以下であるのが好ましく、２５０゜Ｃ以下であ
るのがより好ましい。６５０゜Ｃ以下であれば、高融点
成分の融点と十分な融点の差があり、２５０゜Ｃ以下で
あれば、さらに感度が良好になるからである。

【００７１】当該情報記録用薄膜の複素屈折率の実数部
および虚数部の少なくとも一方は、光の照射によって照
射前のそれに対して２０％以上変化するのが好ましい。
この場合に再生信号が大きくなるからである。

【００７２】前記高融点成分の構成元素の原子数の和
は、当該情報記録用薄膜の全原子数の和に対して１０〜
５０％の範囲にあるのが好ましい。この範囲内では、書
き換え可能回数が大きく、多数回書き換え後のＣ／Ｎが
大きいからである。

【００７３】前記高融点成分の融点は、７８０゜Ｃ以上
であるのが好ましい。この場合に記録・再生時に融解し
難くなるからである。

【００７４】前記高融点成分の融点と当該情報記録用薄
膜の残成分の融点との差は、１５０゜Ｃ以上であるのが
好ましい。この場合に記録・再生時に融解し難くなるか
らである。

【００７５】（１６） 前記第１〜第５の情報記録用薄
膜において、前記元素ＸがＣｒであるのが好ましい。初
期化工程において、より少ない回数のレーザ光照射で記
録・消去特性が安定するからである。

【００７６】また前記元素Ｘは、Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｃ
ｏ，ＭｎおよびＷからなる群から選ばれる一種であって
もよい。初期化工程において、Ｃｒに次いで少ない回数
のレーザ光照射で記録・消去特性が安定するからであ
る。

【００７７】（１７） 前記第１〜第５の情報記録用薄
膜において、前記高融点成分は化合物でもよいし、元素
単体や合金でもよい。好ましいものとしては、例えば、
Ｃｒ₄Ｔｅ₅、ＬａＴｅ₂，Ｌａ₂Ｔｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ₄，Ｌ
ａＴｅ，Ｌａ₂Ｔｅ₅，Ｌａ₄Ｔｅ₇，ＬａＴｅ₃，Ｌａ₃Ｔ
ｅ，Ｌａ₂Ｓｂ，Ｌａ₃Ｓｂ₂，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ₂，Ｌ
ａ₃Ｇｅ，Ｌａ₅Ｇｅ₃，Ｌａ₄Ｇｅ₃，Ｌａ₅Ｇｅ₄，Ｌａ
Ｇｅ，Ｌａ₃Ｇｅ₅，Ａｇ₂Ｔｅ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₂Ｔｅ
₃，ＣｒＳｂ，Ｃｒ₃Ｇｅ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，
ＣｒＧｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＰｔＴｅ₂，Ｐｔ₄Ｔｅ₅，Ｐ
ｔ₅Ｔｅ₄，Ｐｔ₄Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｓｂ₂，ＰｔＳｂ，Ｐｔ₃Ｇ
ｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ，Ｐｔ₃Ｇｅ₂，ＰｔＧｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ₃，
ＰｔＧｅ₃，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ_0.85，ＮｉＳｂ，Ｎｉ₃
Ｇｅ，Ｎｉ₅Ｇｅ₂，Ｎｉ₅Ｇｅ₃，ＮｉＧｅ、ＣｏＴ
ｅ₂，ＣｏＳｂ₂，ＣｏＳｂ₃，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｃｏ₅Ｇ
ｅ₃，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｅ₃，
ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₃，Ｃｅ₄Ｔｅ₇，ＣｅＴｅ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｓｂ，
Ｃｅ₅Ｓｂ₃，Ｃｅ₄Ｓｂ₅，ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ₂，Ｃｅ₃
Ｇｅ，Ｃｅ₅Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧ
ｅ，Ｃｅ₃Ｇｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓ
ｉ₄，ＣｅＳｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，Ｃｒ₃Ｓｉ，
Ｃｒ₅Ｓｉ₃，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｏ₃
Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎ
ｉ₃Ｓｉ₂，Ｎｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅
Ｓｉ₂，Ｐｔ₂Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ａｇ₃Ｉｎ，
Ａｇ₂Ｉｎ，Ｂｉ₂Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃
Ｃｅ₅，ＢｉＣｅ₂，Ｃｄ₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃ
ｅ₁₃，Ｃｄ₃Ｃｅ，Ｃｄ₂Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₃Ｉｎ，
Ｃｅ₂Ｉｎ，Ｃｅ_1+xＩｎ，Ｃｅ₃Ｉｎ₅，ＣｅＩｎ₂，Ｃ
ｅＩｎ₃，Ｃｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃｅ₃Ｓ
ｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃｅ₃Ｓ
ｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，ＣｅＺｎ，
ＣｅＺｎ₂，ＣｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚｎ₅₈，
ＣｅＺｎ₅，Ｃｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺｎ₁₁，
Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，Ｃｒ₃
Ｇａ，ＣｒＧａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉Ｇ
ａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂ
ｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃｄ
₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆Ｌ
ａ，Ｇａ₂Ｌａ，ＧａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，Ｉ
ｎ₃Ｌａ，Ｉｎ₂Ｌａ，Ｉｎ₅Ｌａ₃，Ｉｎ_xＬａ，ＩｎＬ
ａ，ＩｎＬａ₂，ＩｎＬａ₃，Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，
Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌａ₃Ｐｂ₄，Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，
ＬａＰｂ₃，ＬａＺｎ，ＬａＺｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺ
ｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，Ｌａ₂Ｚｎ₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺ
ｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇａ₃Ｎｉ₂，ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，
Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮｉ₃，Ｎｉ₃Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ
₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，Ｎｉ₅Ｚｎ₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢ
ｉ₂，ＰｔＢｉ₃，ＰｔＣｄ₂，Ｐｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐ
ｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₂，ＧａＰｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，
ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，Ｉｎ₇Ｐｔ₃，Ｉｎ₂Ｐｔ，Ｉｎ₃
Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ，Ｉｎ₅Ｐｔ₆，Ｉｎ₂Ｐｔ₃，ＩｎＰ
ｔ₂，ＩｎＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，
Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳ
ｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺｎ₂，ＡｌＳ，Ａｌ₂Ｓ₃，Ｂａ
Ｓ，ＢａＣ₂，ＣｄＳ，Ｃｏ₄Ｓ₃，Ｃｏ₉Ｓ₈，ＣｏＳ，
ＣｏＯ，Ｃｏ₂Ｏ₄，Ｃｏ₂Ｏ₃，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｒ₃Ｏ₄，Ｃ
ｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，Ｃｒ₂Ｎ，Ｃｒ₂₃Ｃ₆₃，Ｃｒ₇Ｃ
₃，Ｃｒ₃Ｃ₂，Ｃｕ₂Ｓ，Ｃｕ₉Ｓ₅，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，
Ｉｎ₄Ｓ₅，Ｉｎ₃Ｓ₄，Ｌａ₂Ｓ₃，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｍｏ₂Ｃ，
ＭｏＣ，Ｍｎ₂₃Ｃ₆，Ｍｎ₄Ｃ，Ｍｎ₇Ｃ₃，ＮｉＯ，Ｓｉ
Ｓ₂，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃
Ｓｂ，Ｍｎ₂Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₅Ｇｅ₃，
Ｍｎ₃．₂₅Ｇｅ，Ｍｎ₅Ｇｅ，Ｍｎ₃Ｇｅ₂，Ｇｅ₃Ｗ，Ｔ
ｅ₂Ｗ，ＡｌＳｂ，Ａｌ₂Ｔｅ₃，Ｆｅ₂Ｇｅ，ＦｅＧ
ｅ₂，ＦｅＳｂ₂，Ｍｏ₃Ｓｂ₇，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴ
ｅ₂，ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ₂，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，Ｇｅ₉Ｐ
ｄ₂₅，ＧｅＰｄ₅，Ｐｄ₃Ｓｂ，Ｐｄ₅Ｓｂ₃，ＰｄＳｂ，
ＳｎＴｅ，Ｔｉ₅Ｇｅ₃，Ｇｅ₃₁Ｖ₁₇，Ｇｅ₈Ｖ₁₁，Ｇｅ₃
Ｖ₅，ＧｅＶ₃，Ｖ₅Ｔｅ₄，Ｖ₃Ｔｅ₄，ＺｎＴｅ，Ａｇ₂
Ｓｅ，Ｃｕ₂Ｓｅ，Ａｌ₂Ｓｅ₃，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，
Ｍｎ₃Ｉｎ，Ｎｉ₃Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ₂Ｉｎ₃，Ｎｉ₃
Ｉｎ₇，ＰｂＳｅ，および、これら高融点成分の構成元
素の酸化物のうち高融点のもの、など、元素Ｘを含む高
融点化合物が挙げられる。

【００７８】その他、ここで挙げた元素Ｘを含む高融点
化合物に近い組成のもの、あるいはこれら化合物の混合
組成や、その混合組成に近い３元以上の化合物であって
もよい。

【００７９】これらの元素Ｘを含む高融点化合物の中で
は、Ｃｒ₄Ｔｅ₅，ＣｒＳｂ，ＬａＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ
₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ₃，Ｃｒ₂Ｔｅ₃，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＣｏＴ
ｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，Ｍ
ｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₂Ｓｂが特に好ましい。初期化
工程において、より少ない回数のレーザ光照射で記録・
消去特性が安定するからである。

【００８０】前記高融点成分の析出物に含まれる酸化
物、硫化物、窒化物、炭化物の含有量は、高融点成分の
４０原子％未満とするのが好ましく、１０原子％未満と
するのがより好ましい。４０原子％未満では、ノイズの
上昇を防ぐことができ、１０原子％未満では、さらにノ
イズを低く保つことができるからである。

【００８１】（１８） 前記第１〜第５の情報記録用薄
膜において、前記残成分としては、例えば、Ｂｉ、Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｓｂ、Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇ
ａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ
₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，Ｔｅ
Ｂｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓ
ｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，
Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴ
ｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＳｂ₂Ｔ
ｅ₄，ＧｅＢｉ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔ
ｅ₆，Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂
Ｔｅ₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂，Ｃｕ₃Ａｓ
Ｓｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂
Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，ＳｎＳｂ，ＦｅＴ
ｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂，
ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，
Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅，などが挙げられる。これら化
合物の混合組成や、混合組成に近い３元以上の化合物で
あってもよい。

【００８２】前記残成分は、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，ＧｅＳｂ
₂Ｔｅ₄，またはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅であるのが好ましい。
この場合、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇よりもＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄の方
が、また、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄よりもＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の方
がより好ましい。それは、消去比が２５ｄＢになるため
の初期化用レーザ光照射回数が少ないからである。一
方、記録膜の流動が生じ難い構造にするための保護層の
膜厚の範囲は、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄、Ｇｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の順に広くなる。

【００８３】ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，または
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅に近い組成のものや、これらの混合組
成や混合組成に近い３元以上の化合物であってもよい。

【００８４】（１９） この発明の第１の情報記録用薄
膜の製造方法は、この発明の第１〜第５の情報記録用薄
膜の製造方法であって、基板上に直接または保護層を介
して原料薄膜を形成する工程と、前記原料薄膜にエネル
ギービームを照射してその原料薄膜中に高融点成分を生
成または成長させ、前記情報記録用薄膜を得る工程とを
備えてなることを特徴とする。

【００８５】前記原料薄膜中に前記高融点成分を生成ま
たは成長させる工程では、前記高融点成分の含有量をそ
の膜厚方向に変化させるのが好ましい。

【００８６】（２０） この発明の第２の情報記録用薄
膜の製造方法は、この発明の第４〜第５の情報記録用薄
膜の製造方法であって、基板上に直接または保護層を介
して前記高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に
近い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成す
る工程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成
分とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に
前記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を
埋めるように前記残成分を成長させる工程とを備えてな
ることを特徴とする。

【００８７】前記高融点成分を選択的に成長させる工程
では、前記高融点成分の含有量をその膜厚方向に変化さ
せるのが好ましい。

【００８８】（２１） この発明の第１の情報記録媒体
は、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを記録
層として備えたことを特徴とする。

【００８９】（２２） この発明の第２の情報記録媒体
は、前記第４〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを超解
像読出し用のマスク層として備えたことを特徴とする。

【００９０】（２３） 前記第３の情報記録媒体では、
前記第４〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを超解像読
出し用の反射層として備えたことを特徴とする。

【００９１】前記反射層は、Ｓｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｇｅお
よびＳｉ−Ｉｎ化合物の少なくとも１つ、またはこれに
近い組成を持つのが好ましい。記録膜の吸収率を制御で
きるという効果が得られるからである。

【００９２】（２４） この発明の第４の情報記録媒体
は、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを記録
層として備え、前記第４〜第５の情報記録用薄膜のいず
れかを超解像読出し用のマスク層として備えたことを特
徴とする。

【００９３】（２５） この発明の第５の情報記録媒体
は、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを記録
層として備え、前記第４〜第５の情報記録用薄膜のいず
れかを超解像読出し用の反射層として備えたことを特徴
とする。

【００９４】（２６） 前記第１〜５の情報記録媒体で
は、前記高融点成分の析出後の前記残成分の融点は、６
５０゜Ｃ以下であるのが好ましい。高融点成分の融点と
十分な差があるからである。

【００９５】前記反射層の反射率は、６０％以上である
のが好ましい。記録感度が大きくなるからである。

【００９６】前記反射層の膜厚は、１５０ｎｍ以上、３
００ｎｍ以下であるのが好ましい。１５０ｎｍ未満であ
れば、多数回書き換え時のＣ／Ｎが少し低くなり、３０
０ｎｍを越えると、膜の製作に時間がかかるからであ
る。

【００９７】さらに、前記記録膜と反対側に配置された
ＳｉＯ₂からなる第１の保護層と、前記記録膜側に配置
されたＺｎＳ−ＳｉＯ₂層とからなる第２の保護層とを
さらに備えるのが好ましい。この場合、記録膜の流動を
抑制する効果があるからである。

【００９８】（２７） この発明の情報記録媒体の使用
方法は、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを
記録層として備えた情報記録媒体の使用方法であって、
使用時に前記情報記録用媒体にレーザ光を繰り返し照射
して、その情報記録用媒体の前記情報記録用薄膜中に前
記高融点成分を析出させる工程を含むことを特徴とす
る。

【００９９】前記情報記録用媒体への前記レーザ光の照
射は、情報記録再生装置またはその情報記録媒体の初期
化装置において行なうのが好ましい。記録膜の初期化を
早く行えるからである。

【０１００】（２８） 前記第１〜第５の情報記録用薄
膜では、前記情報記録用薄膜にレーザ光を照射すると、
当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高い高
融点成分が析出し、その析出物は前記元素Ｘを含んでい
ると共に当該情報記録用薄膜の残成分からなる領域内に
分布するようにしてもよい。

【０１０１】

【作用】この発明の第１〜第３の情報記録用薄膜では、
Ｇｅ，ＳｂおよびＴｅに前記元素Ｘが添加されているの
で、レーザ光などの記録・再生用のエネルギービームの
照射によって融解しない高融点成分の析出物が内部に生
成される。このため、高融点成分以外の残成分が前記エ
ネルギービームによって融解しても、その流動および偏
析が高融点成分を含まない場合に比べて効果的に防止さ
れる。

【０１０２】その結果、多数回（例えば１０⁵回を越え
る回数）書換えした場合でも、搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ）が安定し、記録および再生特性を良好に保ちながら
従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能とな
る。

【０１０３】この発明の第４〜第５の情報記録用薄膜で
は、高融点成分の析出物を内部に含んでいるため、照射
によって前記高融点成分の析出物が融解しないように、
レーザ光などの記録・再生用のエネルギービームを照射
すれば、前記高融点成分以外の残成分が前記エネルギー
ビームによって融解しても、その流動および偏析が高融
点成分を含まない場合に比べて効果的に防止される。

【０１０４】その結果、多数回（例えば１０⁵回を越え
る回数）書換えした場合でも、搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ）が安定し、記録および再生特性を良好に保ちながら
従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能とな
る。

【０１０５】この発明の第１および第２の情報記録用薄
膜の製造方法では、前記第１〜第９の情報記録用薄膜が
容易に得られる。

【０１０６】この発明の第１および第４の情報記録媒体
では、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを記
録層として備えているので、多数回（例えば１０⁵回を
越える回数）書換えした場合でも、搬送波対雑音比（Ｃ
／Ｎ）が安定し、記録および再生特性を良好に保ちなが
ら従来より多数回の書き換えあるいは読み出しが可能と
なる。

【０１０７】この発明の第２の情報記録媒体では、前記
第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを超解像読出し
用のマスク層として備えているので、その情報記録媒体
に光スポットが照射されると、光スポット内の高温部で
は前記高融点成分以外の残成分が少なくとも融解する。
高温部の屈折率の実数部または虚数部（消衰係数）は、
光スポット外の低温部のそれよりも小さくなるため、前
記マスク層により、光スポット径の領域の一部が部分的
にマスクされ、あたかも光スポット径が減少したように
なる。

【０１０８】その結果、光スポット径よりも小さい記録
マークを読み出すことができる、すなわち超解像読出し
が可能となる。

【０１０９】この発明の第３および第５の情報記録媒体
では、前記第１〜第５の情報記録用薄膜のいずれかを超
解像読出し用の反射層として備えているので、その情報
記録媒体に光スポットが照射されると、光スポット内の
高温部では前記高融点成分以外の残成分が少なくとも融
解する。前記第１〜第５のいずれかの情報記録用薄膜よ
りなる反射層に光スポットが照射されると、光スポット
の径内の高温部の屈折率の実数部または消衰係数が光ス
ポット外の低温部のそれよりも小さくなる。このため、
当該反射層の高温部に照射された光の反射光には、記録
マークの読み取りに十分なコントラストが与えられなく
なる。

【０１１０】その結果、あたかも光スポット径が減少し
たようになるため、光スポット径より小さいピッチで形
成された記録マークを読み出すことができる、すなわち
超解像読出しが可能となる。

【０１１１】この発明の第１〜第３の情報記録用媒体の
製造方法では、第１〜第３の情報記録媒体が容易に得ら
れる。

【０１１２】この発明の情報記録媒体の使用方法では、
使用時にこの発明の第１〜第９の情報記録用薄膜にレー
ザ光を照射するので、レーザ光の照射によって融解しな
い高融点成分の析出物が内部に生成される。よって、こ
の発明の第１〜第９の情報記録用薄膜の利点を効果的に
利用できる。

【０１１３】

【実施例】以下、この発明を実施例によって詳細に説明
する。

【０１１４】［実施例１］ （構成・製法）図３は、この発明の実施例１の情報記録
用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を示
す。この媒体は次のようにして製作された。

【０１１５】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで、
表面に断面Ｕ字形のトラッキング溝を有するポリカーボ
ネート基板１を形成した。次に、この基板１の上に次の
ような薄膜を順次、形成するため、基板１をマグネトロ
ン・スパッタリング装置内に置いた。この装置は複数の
タ−ゲットを持ち、積層膜を順次、形成することができ
るものである。また、形成される膜厚の均一性および再
現性に優れている。

【０１１６】マグネトロン・スパッタリング装置によ
り、基板１の上にまず（ＺｎＳ）８０％・（ＳｉＯ₂）
２０％の組成を持つ薄膜、すなわちＺｎ₄₀Ｓ₄₀Ｓｉ₇Ｏ
₁₃膜よりなる保護層２を膜厚約１３０ｎｍとなるように
形成した。続いて、保護層２上に、高融点成分であるＣ
ｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形
成した後、その上にＧｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇Ｃｒ₉、すなわち
（ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂の組成を持つ記録
膜３を、膜厚約２２ｎｍまで形成した。この際、Ｃｒ₄
Ｔｅ₅ターゲットとＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットとによる
回転同時スパッタ法を用いた。

【０１１７】島状に形成された個々のＣｒ₄Ｔｅ₅膜のサ
イズは、２〜２０ｎｍ程度、島のピッチは（島のサイ
ズ）×１．５〜１０倍の範囲が望ましい。それは、この
範囲であれば、初期化のためのレーザ照射回数を小さく
でき、ノイズも上昇しないからである。

【０１１８】この工程では、Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜は必ずしも形
成する必要はないが、形成する方が好ましい。それは、
Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜を形成しない場合には記録膜３の流動がや
や起こりやすくなるからである。

【０１１９】Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜を形成しない場合、記録膜３
中に析出する高融点成分は、後述する初期結晶化の際に
生じるもののみとなる。

【０１２０】次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜よりなる中間層４を約４０ｎｍの膜厚まで形
成した後、その上に同じスパッタリング装置内でＡｌ₉₇
Ｔｉ₃膜よりなる反射層５を膜厚２００ｎｍまで形成し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。

【０１２１】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１３０ｎｍ
の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層２’、
平均膜厚３ｎｍのＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）、膜厚約２
２ｎｍのＧｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇Ｃｒ₉、すなわち（ＧｅＳｂ
₄Ｔｅ₇）₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂の記録膜３’、膜厚約４０ｎ
ｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層
４’、および膜厚２００ｎｍのＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる
反射層５’を備えている。

【０１２２】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層６を介して、前記第１および第２のディ
スク部材の反射層５，５’同士を貼り合わせ、図３に示
すディスク状情報記録媒体を得た。

【０１２３】この情報記録媒体では、反射層５，５’の
全面を接着すると、全面を接着しない場合に比べて書き
換え可能回数を多くすることができ、また、反射層５，
５’の記録領域に対応する箇所に接着剤を付けない場
合、その箇所にも接着剤を付けた場合よりも少し記録感
度が高くなった。

【０１２４】この情報記録媒体の記録膜３，３の組成を
一般式で書くと、（Ｇｅ_0.08Ｓｂ_0.33Ｔｅ_0.59）_0.91Ｃ
ｒ_0.09となる。また、添加元素ＸはＣｒである。

【０１２５】（初期結晶化）前記のようにして製作した
ディスク状情報記録媒体の記録膜３、３’に、次のよう
にして初期結晶化を行なった。なお、記録膜３’につい
てもまったく同様であるから、以下の説明では記録膜３
についてのみ述べることとする。

【０１２６】ディスク状情報記録媒体を１８００ｒｐｍ
で回転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）のレーザ
光パワーを記録が行なわれないレベル（約１ｍＷ）に保
ち、そのレーザ光を記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）が
Ｏ．５５のレンズで集光し、基板１を通して記録膜３に
照射した。記録膜３からの反射光を検出して、基板１の
トラッキング溝の中心または隣接するトラッキング溝の
中間にレーザ光スポットの中心が常に一致するようにト
ラッキングを行なうと共に、記録膜３上にレーザ光の焦
点が来るように、自動焦点合わせを行ないながら、記録
ヘッドを駆動した。

【０１２７】まず、初期結晶化のため、記録膜５の同一
記録トラック上に、パワー１５ｍＷの連続（ＤＣ）レー
ザ光を２００回照射した。各回の照射時間（光スポット
通過時間）は、約０．１μｓｅｃである。

【０１２８】続いて、パワ−７ｍＷの連続レ−ザ光を５
回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）
は、同じく約０．１μｓｅｃである。なお、この時のレ
ーザ光パワーは５〜９ｍＷの範囲であればよい。

【０１２９】前記２種類のレーザ光照射のうち、パワ−
の低い方（７ｍＷ）の照射は省略してもよいが、照射し
た方が消去特性が良い。

【０１３０】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期化を充分に行なうことができる利点があ
る。

【０１３１】これらのレーザ光照射は、半導体レ−ザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレ−ザからの光ビ−ムを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、初期化が完了するまでの情報記録
媒体の回転数を減少することも可能となる。

【０１３２】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。

【０１３３】次に、円形スポットのパワー１２ｍＷの連
続レーザ光（記録用の高パワー光）を１回照射する（照
射時間：約０．１μｓｅｃ）毎に、パワー１５ｍＷのパ
ルス・レーザ光（記録用の高パワー光）を照射し、記録
膜５を非晶質化して記録点を形成した。

【０１３４】その後、その記録点をパワー７ｍＷの連続
レーザ光（初期化用の低パワー光）を照射して結晶化さ
せる（記録点を消去する）ためには、パワー７ｍＷの連
続レーザ光を何回照射する必要があるかを調べた。

【０１３５】その結果、この第１実施例の情報記録媒体
では、パワー１２ｍＷの連続レーザ光の照射回数が１回
〜１００回までは、結晶化に要する前記パワー７ｍＷの
連続レーザ光の照射回数は、照射回数が増加するほど減
少した。すなわち、照射回数が増加するほど結晶化しや
すいことが分かった。これは、パワー１２ｍＷの連続レ
ーザ光の照射により、記録膜５中に高融点成分であるＣ
ｒ₄Ｔｅ₅の微細な結晶が多数析出し、記録膜５の残部
（相変化する部分）の組成が高速結晶化が可能なＧｅＳ
ｂ₄Ｔｅ₇の組成に近づいたためと推察される。

【０１３６】Ｃｒ₄Ｔｅ₅の融点は１２５２゜Ｃであり、
ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇の融点は６０５゜Ｃである。

【０１３７】また、マークエッジ記録方式での信号を想
定して、次のような試験を行なった。

【０１３８】例えば、長さ１６Ｔ（１Ｔは４５ｎｓ）の
範囲で記録トラック上の信号書き始め位置をランダムに
ずらしながら、長さ２Ｔの記録マークと長さ８Ｔのスペ
ースの繰り返しに対応する信号Ａと、長さ８Ｔの記録マ
ークと長さ２Ｔのスペースの繰り返しに対応する信号Ｂ
とを、交互に繰り返しながら記録膜５に情報を記録する
場合、信号Ａと信号Ｂとの切り変え部分では記録マーク
の形成頻度が急激に変化する。このため、記録膜５が流
動すると、流動して来た記録膜材料が止められて堆積し
たり、後方からの流入なしに記録膜材料が流出して膜厚
が薄くなったりして、再生信号の波形に歪みが生ずる。

【０１３９】記録膜５中の元素が偏析する場合も、同様
に、その元素が堆積したり不足したりする。その結果、
やはり再生信号の波形に歪みが生ずる。

【０１４０】このような現象を防止するには、連続レー
ザ光の照射が有効である。すなわち、記録膜５中に流動
や偏析が生じると、それによって生じる膜厚や濃度の勾
配によって逆向きの流動や偏析が生じやすくなり、その
結果、それ以上の流動や偏析が抑制される性質がある。
従って、情報記録媒体の使用前に、その記録領域より少
し広めに高いパワー（１５ｍＷ）の連続レーザ光を繰り
返し照射しておけば、記録領域内での上記のような現象
をある程度防止できる。

【０１４１】そこで、情報記録媒体毎に、信号Ａと信号
Ｂとからなる上記情報の多数回書き換えによる再生信号
波形の歪みの大きさを指標にして、上記現象の防止に必
要な連続レーザ光の照射回数を求めた。

【０１４２】結晶化速度の増加のためのレーザ光照射の
必要回数と、波形歪みの減少のためのレーザ光照射の必
要回数とのいずれか大きい方が、その情報記録媒体の初
期化に必要なレーザ光照射回数となる。

【０１４３】この第１実施例の情報記録媒体では、結晶
化速度増加のための照射回数の方が波形歪みの減少のた
めのそれよりも大きく、その回数は１００回であった。

【０１４４】（記録・消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様
にしてトラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、
記録すべき情報に従って記録用レーザ光のパワーを中間
パワーレベル（７ｍＷ）と高パワーレベル（１５ｍＷ）
との間で変化させて情報の記録を行なった。記録すべき
部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読出し）
用レーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）に下げるように
した。記録用レーザ光により記録領域に形成される非晶
質またはそれに近い部分が、記録点となる。

【０１４５】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が特に好ま
しい。この範囲であれば、記録・消去特性が良好である
からである。

【０１４６】また、この他に、短時間ずつ他のパワーレ
ベルにしてもよい。

【０１４７】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれ
ば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円
形光スポットによるオーバーライトが可能である。

【０１４８】しかし、書き換え時の最初の１回転または
複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中
間パワーレベル（７ｍＷ）に近いパワー（例えば８ｍ
Ｗ）の連続光を照射して、記録されている情報をいった
ん消去し、その後、次の１回転で再生（読出し）用レー
ザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の高
パワーレベル（１５ｍＷ）の間で、または、記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（７ｍＷ）と高パワーレベル
（１５ｍＷ）の間で、記録すべき情報に従ってパワー変
調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。
このように、情報を消去してから記録するようにすれ
ば、前に書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬
送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。

【０１４９】このようにして消去後に再書込みする場合
は、最初に照射する連続レーザ光のパワーレベルは、前
記記録用レーザ光の高レベル（１５ｍＷ）を１としたと
き、０．４〜１．１の範囲に設定するのが好ましい。こ
の範囲であれば、良好な書き換えが行なえるからであ
る。

【０１５０】この実施例１の情報記録媒体では、レーザ
光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、
記録・消去を１０⁵回以上繰り返すことが可能であっ
た。また、２ＭＨｚの信号を記録した時の再生信号のＣ
／Ｎは約５０ｄＢであり、極めて良好であった。

【０１５１】この実施例の記録膜３で、書き換え可能回
数を１０⁵回以上にすることができるのは、記録膜３中
に析出した高融点成分により、記録膜３の残成分（相変
化部分）の流動あるいは偏析が防止されるためと解され
る。

【０１５２】なお、記録膜３の上に形成されたＺｎＳ−
ＳｉＯ₂の中間層４とＡｌ−Ｔｉの反射層５とを省略し
た場合、前記よりも１桁少ない回数の記録・消去で多少
の雑音増加が起こった。このため、中間層４と反射層５
も、書き換え可能回数の増加にかなり大きい影響を与え
ていることが確認された。

【０１５３】（Ｇｅ組成比ａとの関係：ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇
付近）図２の三角相図において、Ｇｅ₆₅Ｔｅ₂₅Ｃｒ₁₀と
Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀とを結ぶ、Ｃｒ含有量を一定（１０
原子％）とした直線上で組成を変化させ、一定速度で
昇温した場合の未記録部分の結晶化温度と、初期化に必
要なレーザ光の照射回数を測定した。その結果、次のよ
うなデータが得られた。

【０１５４】 組成 結晶化温度 レーザ光照射回数 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₂Ｓｂ₂₉Ｔｅ₅₉Ｃｒ₁₀ １３０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₄Ｓｂ₂₈Ｔｅ₅₈Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₁₀Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₅Ｃｒ₁₀ １６０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₁₅Ｓｂ₂₃Ｔｅ₅₂Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ５００回 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ２０００回 Ｇｅ₂₅Ｓｂ₁₈Ｔｅ₄₇Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ ５０００回 この結果より、Ｇｅの組成比ａは０．０２≦ａ≦０．１
９の範囲において、適当な結晶化温度が得られ、且つ初
期化に必要なレーザ光の照射回数を低減できることが分
かった。

【０１５５】（Ｓｂ組成比ｂとの関係：ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇
付近）図２の三角相図において、Ｓｂ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀と
Ｇｅ₁₈Ｔｅ₇₂Ｃｒ₁₀とを結ぶ、Ｃｒ含有量を一定（１０
原子％）とした直線上で組成を変化させ、一定速度で
昇温した場合の未記録部分の結晶化温度と、初期化に必
要なレーザ光の照射回数を測定した。その結果、次のよ
うなデータが得られた。

【０１５６】 組成 結晶化温度 レーザ光照射回数 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₂Ｔｅ₇₁Ｃｒ₁₀ ２１０゜Ｃ ５０００回 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₄Ｔｅ₆₉Ｃｒ₁₀ ２００゜Ｃ １０００回 Ｇｅ₁₄Ｓｂ₁₀Ｔｅ₆₆Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ ５００回 Ｇｅ₁₀Ｓｂ₂₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₇Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₇Ｃｒ₁₀ １６０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₅Ｓｂ₃₃Ｔｅ₅₂Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₃Ｓｂ₃₆Ｔｅ₅₁Ｃｒ₁₀ １４０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₂Ｓｂ₄₀Ｔｅ₄₈Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ ２００回以下 この結果より、Ｓｂの組成比ｂは０．０４≦ｂ≦０．４
の範囲において、適当な結晶化温度が得られ、且つ初期
化に必要なレーザ光の照射回数を低減できることが分か
った。

【０１５７】（Ｔｅ組成比ｃとの関係：ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇
付近）図２の三角相図において、Ｓｂ₁₅Ｔｅ₇₅Ｃｒ₁₀と
Ｇｅ₃₀Ｓｂ₆₀Ｃｒ₁₀とを結ぶＣｒ含有量を一定（１０
％）とした直線上で組成を変化させ、記録されている
情報の消去に必要なレーザ光の照射時間と、レーザ光パ
ワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回
書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）の
変化を測定した。その結果、次のようなデータが得られ
た。

【０１５８】 組成 レーザ光照射時間 再生信号のＣ／Ｎ Ｇｅ₁₄Ｓｂ₃₆Ｔｅ₄₀Ｃｒ₁₀ ０．５μｓｅｃ ４４ｄＢ Ｇｅ₁₂Ｓｂ₃₃Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀ ０．２μｓｅｃ ４８ｄＢ Ｇｅ₁₁Ｓｂ₃₁Ｔｅ₄₈Ｃｒ₁₀ ０．１μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₈Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₅Ｃｒ₁₀ ０．１μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₅Ｓｂ₂₂Ｔｅ₆₃Ｃｒ₁₀ ０．５μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₃Ｓｂ₁₉.₅Ｔｅ₆₇.₅Ｃｒ₁₀ １．０μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｓｂ₁₅Ｔｅ₇₅Ｃｒ₁₀ ３．０μｓｅｃ ５０ｄＢ この結果より、Ｔｅの組成比ｃは０．５≦ｃ≦０．７５
の範囲において、消去に必要なレーザ光の照射時間を少
なくでき、且つ１０⁵回書き換えた後の再生信号の搬送
波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を改善できることが分かった。

【０１５９】（Ｃｒ組成比ｄとの関係：ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇
付近）Ｃｒ₄Ｔｅ₅の残部であるＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成
比を表わすａ，ｂ，ｃの比をａ：ｂ：ｃ＝１：４：７に
保ちながらＣｒ₄Ｔｅ₅の組成比（含有量）ｄを変化さ
せ、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳し
い条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測
定した。その結果、Ｃｒの組成比ｄに関して次のような
データが得られた。

【０１６０】 また、Ｃｒの組成比（含有量）ｄを変化させると、レー
ザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件
で、初期化回数を２００回として、情報を１回記録した
後、その上に他の情報を１回オーバーライトした時の再
生信号の「消去比」は、次のように変化した。

【０１６１】 ここで「消去比」とは、すでに記録された情報の上に周
波数の異なる別の情報を重ね書きしたときの、重ね書き
前後の再生信号のＣ／Ｎの比をｄＢで表わしたものであ
る。この結果より、Ｃｒの組成比ｄが増加するにつれ
て、消去比が低下することが分かった。

【０１６２】よって、Ｃｒの組成比ｄは、０．０３≦ｄ
≦０．３の範囲において、消去に必要なレーザ光の照射
時間を少なくでき、且つレーザ光パワーを最適値より１
５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生
信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が良好になることが分
かった。

【０１６３】以上より、この実施例１のＣｒ₉Ｇｅ₇Ｓｂ
₂₇Ｔｅ₅₇、すなわち（ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₈（Ｃｒ₄Ｔ
ｅ₅）₂の記録膜３は、レーザ光のパワーを最適値より１
５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生
信号のＣ／Ｎおよび消去比は、それぞれ５０ｄＢ以上お
よび２５ｄＢ以上であり、２×１０⁵回以上の書き換え
が可能で、極めて優れた記録・再生特性を持つことが分
かった。

【０１６４】（添加元素Ｘの他の例１）以上の説明で
は、添加元素ＸとしてＣｒを用いたものについて述べて
いるが、Ｃｒの一部または全部に代えて、Ａｇ，Ｃｕ，
Ｂａ，Ｃｏ，Ｌａ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｌ
ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇ
ａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，ＩｎおよびＳｒ、な
らびにランタノイド元素のうちの少なくとも一つを添加
しても、上記の場合とほぼ同様の特性が得られる。

【０１６５】例えば、Ｃｒの全部に代えてＣｕを添加し
た場合（Ｃｕの組成比：ｑ）、下記のようなデ−タが得
られた。

【０１６６】 １０⁵回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ ｑ＝０ ４２ｄＢ ｑ＝０．０３ ４７ｄＢ ｑ＝０．１ ４９ｄＢ ｑ＝０．２ ５０ｄＢ ｑ＝０．３ ４８ｄＢ この結果より、Ｃｕを添加した場合も、Ｃｒと同様な結
果が得られることが確認された。

【０１６７】（添加元素Ｘの他の例２）Ｃｒに加えて、
Ｔｌ（タリウム）を添加するのが好ましい。Ｔｌは消去
を高速化してＣ／Ｎを大きくする効果を持つため、Ｃｒ
のみを添加した場合よりもＣ／Ｎがさらに大きくなり、
また書換可能回数も増加する利点がある。

【０１６８】ただし、ＣｒとＴｌの添加量の和を３原子
％以上、３０原子％以下とする方が、消え残りが大きく
ならず好ましい。

【０１６９】例えば、Ｇｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇Ｃｒ_8.5Ｔｌ
_0.5記録膜では、５０ｄＢのＣ／Ｎ、２×１０⁵回の書換
可能回数が得られた。

【０１７０】Ｔｌの一部または全部に代えて、ハロゲン
元素の少なくとも一つを添加しても、よく似た特性が得
られる。

【０１７１】Ｔｌに代えてＮ（窒素）を添加した場合、
書き換え可能回数がさらに向上する。ただし、多すぎる
と再生信号レベルが低下するので、添加量は１原子％以
上、１０原子％以下とするのが好ましい。

【０１７２】（添加元素Ｘの他の例３）Ｔｌ（タリウ
ム）に代えてＳｅを添加してもよい。他の元素の相対的
比率を一定に保ちながら、Ｓｅを１原子％以上、２０原
子％以下だけ添加すると、耐酸化性向上または反射率最
適化という効果が得られる。

【０１７３】（相変化成分の他の例）この実施例１の相
変化成分であるＧｅＳｂ_４Ｔｅ₇の一部をＧｅＳｂ₂Ｔｅ
₄およびＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の少なくとも一つで置き換えた
場合、Ｇｅの含有量が増加するにつれて、初期化に必要
なレーザ光照射回数は増加する傾向にあるが、その他の
特性についてはこれに近いものが得られる。

【０１７４】（高融点成分の他の例）析出する高融点成
分は、化合物でもよいし、元素単体や合金でもよい。よ
って、この実施例１の高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅の一
部を、例えばＬａＴｅ₂，Ｌａ₂Ｔｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ₄，Ｌ
ａＴｅ，Ｌａ₂Ｔｅ₅，Ｌａ₄Ｔｅ₇，ＬａＴｅ₃，Ｌａ₃Ｔ
ｅ，Ｌａ₂Ｓｂ，Ｌａ₃Ｓｂ₂，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ₂，Ｌ
ａ₃Ｇｅ，Ｌａ₅Ｇｅ₃，Ｌａ₄Ｇｅ₃，Ｌａ₅Ｇｅ₄，Ｌａ
Ｇｅ，Ｌａ₃Ｇｅ₅，Ａｇ₂Ｔｅ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₂Ｔｅ
₃，ＣｒＳｂ，Ｃｒ₃Ｇｅ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，
ＣｒＧｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＰｔＴｅ₂，Ｐｔ₄Ｔｅ₅，Ｐ
ｔ₅Ｔｅ₄，Ｐｔ₄Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｓｂ₂，ＰｔＳｂ，Ｐｔ₃Ｇ
ｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ，Ｐｔ₃Ｇｅ₂，ＰｔＧｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ₃，
ＰｔＧｅ₃，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ₀．₈₅，ＮｉＳｂ，Ｎｉ
₃Ｇｅ，Ｎｉ₅Ｇｅ₂，Ｎｉ₅Ｇｅ₃，ＮｉＧｅ、ＣｏＴ
ｅ₂，ＣｏＳｂ₂，ＣｏＳｂ₃，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｃｏ₅Ｇ
ｅ₃，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｅ₃，
ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₃，Ｃｅ₄Ｔｅ₇，ＣｅＴｅ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｓｂ，
Ｃｅ₅Ｓｂ₃，Ｃｅ₄Ｓｂ₅，ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ₂，Ｃｅ₃
Ｇｅ，Ｃｅ₅Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧ
ｅ，Ｃｅ₃Ｇｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓ
ｉ₄，ＣｅＳｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，Ｃｒ₃Ｓｉ，
Ｃｒ₅Ｓｉ₃，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｏ₃
Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎ
ｉ₃Ｓｉ₂，Ｎｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅
Ｓｉ₂，Ｐｔ₂Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ａｇ₃Ｉｎ，
Ａｇ₂Ｉｎ，Ｂｉ₂Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃
Ｃｅ₅，ＢｉＣｅ₂，Ｃｄ₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃ
ｅ₁₃，Ｃｄ₃Ｃｅ，Ｃｄ₂Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₃Ｉｎ，
Ｃｅ₂Ｉｎ，Ｃｅ₁＋ｘＩｎ，Ｃｅ₃Ｉｎ₅，ＣｅＩｎ₂，
ＣｅＩｎ₃，Ｃｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃｅ₃Ｓ
ｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃｅ₃Ｓ
ｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，ＣｅＺｎ，
ＣｅＺｎ₂，ＣｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚｎ₅₈，
ＣｅＺｎ₅，Ｃｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺｎ₁₁，
Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，Ｃｒ₃
Ｇａ，ＣｒＧａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉Ｇ
ａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂ
ｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃｄ
₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆Ｌ
ａ，Ｇａ₂Ｌａ，ＧａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，Ｉ
ｎ₃Ｌａ，Ｉｎ₂Ｌａ，Ｉｎ₅Ｌａ₃，Ｉｎ_xＬａ，ＩｎＬ
ａ，ＩｎＬａ₂，ＩｎＬａ₃，Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，
Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌａ₃Ｐｂ₄，Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，
ＬａＰｂ₃，ＬａＺｎ，ＬａＺｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺ
ｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，Ｌａ₂Ｚｎ₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺ
ｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇａ₃Ｎｉ₂，ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，
Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮｉ₃，Ｎｉ₃Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ
₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，Ｎｉ₅Ｚｎ₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢ
ｉ₂，ＰｔＢｉ₃，ＰｔＣｄ₂，Ｐｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐ
ｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₂，ＧａＰｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，
ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，Ｉｎ₇Ｐｔ₃，Ｉｎ₂Ｐｔ，Ｉｎ₃
Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ，Ｉｎ₅Ｐｔ₆，Ｉｎ₂Ｐｔ₃，ＩｎＰ
ｔ₂，ＩｎＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，
Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳ
ｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺｎ₂，ＡｌＳ，Ａｌ₂Ｓ₃，Ｂａ
Ｓ，ＢａＣ₂，ＣｄＳ，Ｃｏ₄Ｓ₃，Ｃｏ₉Ｓ₈，ＣｏＳ，
ＣｏＯ，Ｃｏ₂Ｏ₄，Ｃｏ₂Ｏ₃，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｒ₃Ｏ₄，Ｃ
ｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，Ｃｒ₂Ｎ，Ｃｒ₂₃Ｃ₆₃，Ｃｒ₇Ｃ
₃，Ｃｒ₃Ｃ₂，Ｃｕ₂Ｓ，Ｃｕ₉Ｓ₅，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，
Ｉｎ₄Ｓ₅，Ｉｎ₃Ｓ₄，Ｌａ₂Ｓ₃，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｍｏ₂Ｃ，
ＭｏＣ，Ｍｎ₂₃Ｃ₆，Ｍｎ₄Ｃ，Ｍｎ₇Ｃ₃，ＮｉＯ，Ｓｉ
Ｓ₂，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃
Ｓｂ，Ｍｎ₂Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₅Ｇｅ₃，
Ｍｎ₃．₂₅Ｇｅ，Ｍｎ₅Ｇｅ，Ｍｎ₃Ｇｅ₂，Ｇｅ₃Ｗ，Ｔ
ｅ₂Ｗ，ＡｌＳｂ，Ａｌ₂Ｔｅ₃，Ｆｅ₂Ｇｅ，ＦｅＧ
ｅ₂，ＦｅＳｂ₂，Ｍｏ₃Ｓｂ₇，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴ
ｅ₂，ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ₂，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，Ｇｅ₉Ｐ
ｄ₂₅，ＧｅＰｄ₅，Ｐｄ₃Ｓｂ，Ｐｄ₅Ｓｂ₃，ＰｄＳｂ，
ＳｎＴｅ，Ｔｉ₅Ｇｅ₃，Ｇｅ₃₁Ｖ₁₇，Ｇｅ₈Ｖ₁₁，Ｇｅ₃
Ｖ₅，ＧｅＶ₃，Ｖ₅Ｔｅ₄，Ｖ₃Ｔｅ₄，ＺｎＴｅ，Ａｇ₂
Ｓｅ，Ｃｕ₂Ｓｅ，Ａｌ₂Ｓｅ₃，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，
Ｍｎ₃Ｉｎ，Ｎｉ₃Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ₂Ｉｎ₃，Ｎｉ₃
Ｉｎ₇，ＰｂＳｅ，あるいは、上記高融点成分の構成元
素の酸化物のうち高融点のもの、などの元素Ｘを含む高
融点化合物，またはそれに近い組成のもの、あるいはこ
れらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のう
ちの少なくとも一つで置き換えても、同様な結果が得ら
れる。

【０１７５】これらのうちで、Ｃｒ₄Ｔｅ₅，ＣｒＳｂ，
ＬａＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ₃，Ｃｒ₂Ｔ
ｅ₃，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＣｏＴｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，
ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₂Ｓ
ｂのうちの少なくとも一つが特に好ましい。初期結晶化
において、より少ない回数のレーザ光照射で記録・消去
特性が安定するためである。ただし、元素単体や合金は
化合物になりやすく、また、高融点成分と相変化成分の
複素屈折率の差を小さくするのが難しい。したがって化
合物が一番好ましく、次いで合金、単体が好ましい。

【０１７６】（高融点成分の含有物の量）高融点成分の
析出物に含まれる酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含
有量は、高融点成分の４０原子％未満とするのが好まし
く、１０原子％未満とするのが特に好ましい。これらの
含有量が４０原子％を越えると、相変化成分との複素屈
折率の差を小さくできなかったり、相変化成分中に酸素
等が拡散して記録・読み出し特性を劣化させたりする問
題を生じやすいからである。１０原子％未満であれば、
このような問題が極めて生じにくい。

【０１７７】高融点成分の例として述べた前記の多数の
化合物では、遷移金属元素の含有量ｖ’が異なると、記
録膜３の界面反射率は次のように変化した。

【０１７８】 この結果より、遷移金属元素の含有量ｖ’が増加する
と、界面反射率が増加することが分かる。このため、記
録膜３の界面反射率を大きくするには、遷移金属元素の
含有量ｖ’を多くするのが好ましい。

【０１７９】（記録膜中の高融点化合物の含有量）記録
膜３中に含まれる高融点化合物の含有量ｘを、その高融
点化合物の構成元素の原子数の和の高融点成分の全構成
元素の原子数の和に対する割合（原子％）で表わし、そ
の含有量ｘを変化させた場合、書き換え可能回数は次の
ように変化した。

【０１８０】 また、レーザ光パワーを１５％高くした厳しい条件で１
０⁵回書き換えた後の消去比は、次のように変化した。

【０１８１】 １０⁵回書き換え後の消去比 ｘ＝３０原子％ ３０ｄＢ ｘ＝４０原子％ ３０ｄＢ ｘ＝’＝３５％ ２％ ｖ’＝５０％ ６％ この結果より、遷移金属元素の含有量ｖ’が増加する
と、界面反射率が増加することが分かる。このため、記
録膜３の界面反射率を大きくするには、遷移金属元素の
含有量ｖ’を多くするのが好ましい。

【０１８２】（記録膜中の高融点化合物の含有量）記録
膜３中に含まれる高融点化合物の含有量ｘを、その高融
点化合物の構成元素の原子数の和の高融点成分の全構成
元素の原子数の和に対する割合（原子％）で表わし、そ
の含有量ｘを変化させた場合、書き換え可能回数は次の
ように変化した。

【０１８３】 また、レーザ光パワーを１５％高くした厳しい条件で１
０⁵回書き換えた後の消去比は、次のように変化した。

【０１８４】 １０⁵回書き換え後の消去比 ｘ＝３０原子％ ３０ｄＢ ｘ＝４０原子％ ３０ｄＢ ｘ＝５０原子％ ２５ｄＢ ｘ＝６０原子％ ２３ｄＢ この結果より、高融点成分に含まれる高融点化合物の含
有量ｘが増加すると、書き換え可能回数は増加するが、
増加し過ぎると、１０⁵回書き換え後の消去比が低下す
ることが分かる。よって、高融点化合物の含有量ｘは、
１０原子％≦ｘ≦５０原子％の範囲が好ましいことが分
かった。

【０１８５】（記録膜中の低融点成分と高融点成分の含
有量比１）記録膜３の平均組成を、元素単体または化合
物組成の低融点成分Ｌ（ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）と元素単体ま
たは化合物組成の高融点成分Ｈ（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）により Ｌ_jＨ_k の式で表わし、高融点成分ＨであるＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量
ｋを変化させた場合、レーザパワーを１５％高くした厳
しい条件で１０⁵回書き換えた後のジッターは、次のよ
うに変化した。

【０１８６】 １０⁵回書き換えた後の 組 成 ジッター （ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₉₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₁₀ ４ｎｓ （ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₈₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₀ ２ｎｓ （ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₇₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃₀ ２ｎｓ （ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₆₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₄₀ ３ｎｓ （ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₅₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₅₀ ５ｎｓ この結果より、前記ｊ、ｋは０．２≦［ｋ／（ｊ＋
ｋ）］≦０．４の関係式を満たすのが好ましく、０．２
≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．３の関係式を満たすのがよ
り好ましいことが分かった。

【０１８７】この場合、記録膜３は、前記ｊ、ｋは、前
記関係式を満たす組成を基準組成とし、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅおよびＣｒ各元素の含有量は、前記基準組成に対して
±１０原子％の範囲内にあるのが好ましく、±５原子％
の範囲内にあるのがより好ましいことも分かった。

【０１８８】（記録膜中の低融点成分と高融点成分の含
有量比２）記録膜３の平均組成を、元素単体または化合
物組成の低融点成分Ｌ（ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）と元素単体ま
たは化合物組成の高融点成分Ｈ（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）により
Ｌ_jＨ_k の式で表わし、高融点成分ＨであるＣｒ₄Ｔｅ₅
の含有量ｋを変化させた場合、レーザパワーを１５％高
くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号波
形のジッター（ゆらぎ）は、それぞれ次のように変化し
た。

【０１８９】 １０⁵回書き換えた後の 組 成 ジッター （ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）₉₆（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₄ ４ｎｓ （ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）₈₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₁₂ ２ｎｓ （ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）₇₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₂ ２ｎｓ （ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）₆₅（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃₅ ３ｎｓ この結果より、低融点成分ＬがＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄、高融点
成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合には、前記ｊ、ｋは０．
１２≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．２２の関係式を満たす
のが好ましいことが分かった。

【０１９０】この場合、記録膜３は、前記ｊ、ｋが前記
関係式を満たす組成を基準組成とし、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
およびＣｒ各元素の含有量は、前記基準組成に対して±
１０原子％の範囲内にあるのが好ましく、±５原子％の
範囲内にあるのがより好ましいことも分かった。

【０１９１】（記録膜中の低融点成分と高融点成分の含
有量比３）記録膜３の低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₅、高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合において、
高融点成分ＨであるＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量ｋを変化させ
て、次のような試験を行なった。

【０１９２】レーザ光照射による初期化後に記録・消去
を行なったときに、２５ｄＢ以上の消去比が得られるよ
うな、初期化用レーザ光の照射回数を求めた。また、レ
ーザ光パワーを１５％高くした厳しい条件で、１０⁵回
書き換え後のジッターを調べた。その結果、次のような
データが得られた。

【０１９３】 １０⁵回書き換えた後の 組 成 ジッター (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₁₀₀(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₀ ７ｎｓ (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₉(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₁ ４ｎｓ (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₅(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₅ ２ｎｓ (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₉₀(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₁₀ ２ｎｓ (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₈₅(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₁₅ ２ｎｓ (Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅)₇₅(Ｃｒ₄Ｔｅ₅)₂₅ ３ｎｓ この結果より、低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、高融
点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である場合には、前記ｊ、ｋは、
０．０５≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．１５の関係式を満
たすのが好ましいことが分かった。

【０１９４】またこの場合、記録膜３は、０．０５≦
［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．１５の関係式を満たす組成を
基準組成とし、Ｃｒの含有量は、前記基準組成に対して
±３原子％の範囲内にあり、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの含
有量は、前記基準組成に対して±１０原子％の範囲内に
あるのが好ましく、±５原子％の範囲内にあるのがより
好ましいことも分かった。

【０１９５】以上の記録膜中の低融点成分Ｌと高融点成
分Ｈの含有比１〜３より、前記低融点成分中のＧｅの含
有量ｇ（原子％）と、前記ｋおよびｊは ［ｋ／（ｊ＋ｋ）］＝［２／ｇ］＋０．０１ の関係式を満たすのが好ましいことが分かった。

【０１９６】前記関係式で表される基準組成に対して、
各元素の含有量は±１０原子％の範囲内にあれば、記録
・消去特性の低下を防ぐことができ、±５原子％の範囲
内であればより低下を防ぐことができた。

【０１９７】なお、低融点成分Ｌは、Ｌ＝（Ｌ₁）_p（Ｌ
₂）_q（Ｌ₃）_r・・・に表せるように、複数の成分から成
っていてもよい。例えば、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅は、Ｌ＝
（ＧｅＴｅ）₂（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）₁に表すように（ＧｅＴ
ｅ）と（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）の成分から成っていると考えられ
る。

【０１９８】同様に高融点成分Ｈも、Ｈ＝（Ｈ₁）_s（Ｈ
₂）_t（Ｈ₃）_u・・・、と複数の成分から成っていてもよ
い。例えば、Ｃｒ₄Ｔｅ₅は、Ｈ＝（Ｃｒ）₁（Ｃｒ₃Ｔｅ
₄）₅と表すよう、（Ｃｒ）と（Ｃｒ₃Ｔｅ₄）の成分から
なっていると考えられる。

【０１９９】（高融点成分の複素屈折率）記録膜３の高
融点成分の複素屈折率の実数部ｎ₁と虚数部（消衰係
数）ｋ₁は、記録膜３の相変化成分（残成分）の結晶化
状態のそれらの値ｎ₂，ｋ₂との差 Δｎ＝（｜ｎ₁−ｎ₂｜／ｎ₁）×１００， Δｋ＝（｜ｋ₁−ｋ₂｜／ｋ₁）×１００ が異なる場合、レーザ光のパワーを最適値より１５％高
くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後、再生信号の
Ｃ／Ｎは次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主
としてＮレベルの変化によるものである。

【０２００】 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ Δｋ，Δｎ＝１０％ ４９ｄＢ Δｋ，Δｎ＝２０％ ４８ｄＢ Δｋ，Δｎ＝３０％ ４７ｄＢ Δｋ，Δｎ＝４０％ ４６ｄＢ Δｋ，Δｎ＝５０％ ４３ｄＢ この結果より、高融点成分の複素屈折率の実数部と虚数
部（消衰係数）の差Δｎ，Δｋはいずれも小さい方が好
ましいことが分かった。

【０２０１】（高融点成分の析出物の構成・寸法）図１
は、図３のＺ部の詳細を示す部分拡大断面図である。前
述したＣｒ₄Ｔｅ_５などの高融点成分は、図１（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示すような形態で記録膜３の内部に析出
する。

【０２０２】図１（ａ）では、多数の「粒状」の高融点
成分３ｂの析出物が独立した状態で記録膜３内に分布し
ている。記録膜３の高融点成分３ｂ以外の部分、すなわ
ち残成分が相変化成分３ａである。高融点成分３ｂの膜
面方向の長さと膜面に垂直な方向の長さとは、ほぼ同じ
であるか、異なっていてもそれら長さの差は小さい。こ
こでは、高融点成分３ｂの析出物のあるものは、記録膜
３のいずれか一方の界面に接し、他のあるものはいずれ
の界面にも接していない。

【０２０３】図３の媒体では、高融点成分３ｂはＣｒ_４
Ｔｅ₅、相変化成分３ａはＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇より成ってい
る。

【０２０４】図１（ｂ）では、多数の高融点成分３ｂの
析出物が独立した状態で記録膜３内に分布している点
は、図１（ａ）の場合と同じである。しかし、高融点成
分３ｂが「柱状」に析出している点が異なっている。す
なわち、高融点成分３ｂの膜面方向の長さよりも、膜面
に垂直な方向の長さの方が大きく、膜面に垂直な断面で
は柱状になっている。高融点成分３ｂの析出物のあるも
のは、記録膜３の一方の界面に接しており、他のあるも
のは、記録膜３の他方の界面に接している。ここでは、
両方の界面に接しているものは存在していない。

【０２０５】図１（ｃ）では、多数の高融点成分３ｂの
析出物が互いに連結され、一体的になった状態で記録膜
３内に分布している。すなわち、高融点成分３ｂが「多
孔質状」に析出し、その高融点成分３ｂの多数の小孔の
中に相変化成分３ａが埋め込まれた状態になっている。
多孔質状の高融点成分３ｂは、記録膜３の両方の界面に
接している。相変化成分３ａは、互いに独立した状態で
記録膜３中に分布している。この状態は、図１（ａ）の
場合において、相変化成分３ａと高融点成分３ｂとを置
き換えたものに相当する。

【０２０６】記録膜３の成膜条件や初期結晶化条件に応
じて図１の（ａ）〜（ｃ）の状態のいずれかが出現する
が、いずれの状態であっても、高融点成分３ｂにより、
記録膜３を加熱・溶融させた場合の相変化成分３ａの流
動および偏析が防止され、その結果、書き換え可能回数
が向上する。

【０２０７】この発明においては、高融点成分３ｂの析
出物の「最大外形寸法ｙ」、「高さｈおよびｈ’」、
「中心間距離ｉ」、「最大孔寸法ｐ’」および「最大壁
厚さｗ」をそれぞれ次のように定義するものとする。

【０２０８】図１の（ａ）および（ｂ）のように、高融
点成分３ｂの析出物が独立して分布する場合、図５
（ｂ）のように、記録膜３のいずれか一方の界面から記
録膜３の膜厚Ｔの（１／３）の距離だけ離れた位置で記
録膜３の膜面に平行な断面（以下、第１基準断面とい
う）を考え、その第１基準断面における各高融点成分３
ｂの析出物の長さを測定する。そして、任意の方向で測
定した長さの最大値を「最大外形寸法ｙ」とする。

【０２０９】「最大外形寸法ｙ」は、具体的には、図５
（ａ）のように、第１基準断面における各高融点成分３
ｂの析出物の形状が円形または円形に近い場合は、析出
物の直径を意味し、楕円形または楕円形に近い場合は、
析出物の長径を意味し、多角形の場合は、析出物の最長
の対角線の長さを意味する。

【０２１０】「高さｈ」は、記録膜３の膜面に垂直な断
面（以下、第２基準断面という）を考え、その第２基準
断面において、各高融点成分３ｂの析出物の記録膜３の
膜面に垂直な方向の長さを測定する。こうして得られた
長さを高融点成分３ｂの析出物の「高さｈ」とする。

【０２１１】この「高さｈ」は、図１（ａ）に示すよう
に、「粒状」の高融点成分３ｂの析出物が分布する場合
と、図１（ｂ）に示すように、「柱状」の高融点成分３
ｂの析出物が記録膜３の両方の界面に接して分布する場
合とに適用される。

【０２１２】「高さｈ’」は、前記「高さｈ」と同じ考
え方であるが、図１（ｃ）に示すように、「柱状」の高
融点成分３ｂの析出物が記録膜３の片方の界面にのみ接
して分布する場合に適用される点のみが異なる。

【０２１３】「中心間距離ｉ」は、図５（ａ）に示すよ
うに、前記第１基準断面における、隣接する２つの高融
点成分３ｂの析出物の中心間の距離の平均値を意味す
る。

【０２１４】「最大孔寸法ｐ’」は、図１（ｃ）に示す
ように、「多孔質状」の高融点成分３ｂが析出する場合
に適用されるもので、前記第１基準断面における高融点
成分３ｂの析出物の各孔の大きさの最大値を意味する。

【０２１５】この「最大孔寸法ｐ’」は、具体的には、
図６のように、第１基準断面における孔形状が円形また
は円形に近い場合は、孔の直径を意味し、楕円形または
楕円形に近い場合は、孔の長径を意味し、多角形の場合
は、孔の最長の対角線の長さを意味する。

【０２１６】「最大壁厚さｗ」は、「最大孔寸法ｐ’」
と同様に、「多孔質状」の高融点成分３ｂが析出する場
合に適用されるもので、図６のように、前記第１基準断
面において、高融点成分３ｂの析出物の隣接する２つの
孔の間の壁の厚さの最大値を意味する。

【０２１７】（高融点成分の析出物の寸法との関係）以
上のように定義された高融点成分の析出物の寸法と、書
き換え可能回数の関係は、次の通りである。

【０２１８】まず、高融点成分３ｂの析出物の「最大外
形寸法ｙ」が異なる場合、書き換え可能回数と、レーザ
光のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１
０^５回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、それぞれ次
のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＮレ
ベルの変化によるものであった。

【０２１９】 この結果より、高融点成分３ｂの析出物の最大外形寸法
ｙは、５ｎｍ≦ｄ≦８０ｎｍの範囲が好ましいことが分
かった。

【０２２０】次に、図４（ａ）のように、「粒状」の高
融点成分３ｂが記録膜３中に析出した場合は、析出物の
「高さｈ」が異なると、書き換え可能回数は次のように
変化した。

【０２２１】 また、図４（ｂ）のように、「柱状」の高融点成分３ｂ
が記録膜３の両側の界面より析出した場合は、析出物の
「高さｈ」が異なると、書き換え可能回数は次のように
変化した。

【０２２２】 この結果より、図４（ａ）および図４（ｂ）の場合、高
融点成分３ｂの析出物の高さｈは、１０ｎｍ≦ｈの範囲
が好ましいことが分かった。

【０２２３】図４（ｃ）のように、「柱状」の高融点成
分３ｂが記録膜３の片側の界面より析出した場合、析出
物の「高さｈ’」が異なると、書き換え可能回数は次の
ように変化した。

【０２２４】 この結果より、図４（ｃ）の場合は、高融点成分３ｂの
析出物の高さｈ’は、５ｎｍ≦ｈ’の範囲が好ましいこ
とが分かった。

【０２２５】次に、高融点成分３ｂの析出物の「中心間
距離ｉ」が異なる場合、書き換え可能回数と、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変
化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化
によるものであった。

【０２２６】 書き換え可能回数 ｉ＝１２０ｎｍ ８×１０⁴回 ｉ＝ ９０ｎｍ １．５×１０⁵回 ｉ＝ ７０ｎｍ １．８×１０⁵回 ｉ＝ ６０ｎｍ ２×１０⁵回 ｉ＝ ４０ｎｍ ２×１０⁵回 ｉ＝ １５ｎｍ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｉ＝７０ｎｍ ５０ｄＢ ｉ＝４０ｎｍ ５０ｄＢ ｉ＝３０ｎｍ ４９ｄＢ ｉ＝２０ｎｍ ４６ｄＢ ｉ＝１５ｎｍ ４５ｄＢ ｉ＝１０ｎｍ ４４ｄＢ ｉ＝ ５ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、高融点成分３ｂの析出物の中心間距離ｉ
は、２０ｎｍ≦ｉ≦９０ｎｍの範囲が好ましいことが分
かった。

【０２２７】次に、図１（ｃ）のように、高融点成分３
ｂが膜面方向につながって「多孔質状」に析出した場
合、析出物の「最大孔寸法ｐ’」が異なると、書き換え
可能回数は次のように変化した。

【０２２８】 この結果より、多孔質状の析出物の最大孔寸法ｐ’は、
ｐ’≦８０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。

【０２２９】続いて、多孔質状の高融点成分３ｂの「最
大壁厚さｗ」が異なると、レーザ光パワーを最適値より
１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再
生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの
変化は、主としてＣレベルの変化によるものであった。

【０２３０】 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｗ＝ ５ｎｍ ５０ｄＢ ｗ＝１５ｎｍ ４９ｄＢ ｗ＝２０ｎｍ ４６ｄＢ ｗ＝３５ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、多孔質状の高融点成分３ｂの最大壁厚さ
ｗは、ｗ≦２０ｎｍの範囲が好ましいことが分かった。

【０２３１】（高融点成分の融点との関係）高融点成分
の融点と書き換え可能回数の関係を調べたところ、記録
膜３中に析出する高融点成分３ｂの融点（ｍ．ｐ．）が
異なると、書き換え可能回数が次のように変化すること
が、計算機シュミレーションにより推測できた。

【０２３２】 この結果より、高融点成分３ｂの融点は７８０゜Ｃ以上
の範囲が好ましく、９３０゜Ｃ以上の範囲がより好まし
いことが分かった。

【０２３３】高融点成分３ｂが析出した後の残成分（相
変化成分３ａ）の融点と、高融点成分３ｂの融点との差
が異なると、書き換え可能回数が次のように変化するこ
とも、計算機シュミレーションにより推測できた。

【０２３４】 書き換え可能回数 ｍ．ｐ．の差＝ ０゜Ｃ ７×１０⁴回 ｍ．ｐ．の差＝１５０゜Ｃ １．５×１０⁵回 ｍ．ｐ．の差＝３００゜Ｃ ２×１０⁵回 この結果より、高融点成分３ｂと相変化成分３ａとの融
点の差は１５０゜Ｃ以上の範囲が好ましく、３００゜Ｃ
以上の範囲がより好ましいことが分かった。

【０２３５】（高融点成分と相変化成分の結晶化温度の
差との関係）高融点成分と相変化成分の結晶化温度の差
と書き換え可能回数の関係を調べるため、実施例１の情
報記録用薄膜の温度を毎分１０゜Ｃの一定速度で昇温
し、結晶化の発熱の始まる温度を測定した。その結果よ
り、高融点成分３ｂと相変化を起こす低融点成分３ａの
結晶化温度の差ｓを求めると、温度差ｓによって書き換
え可能回数は次のように変化した。

【０２３６】 この結果より、高融点成分３ｂと相変化成分３ａとの融
点の差は、１０゜Ｃ以上の範囲が好ましく、３０゜Ｃ以
上の範囲がより好ましいことが分かった。

【０２３７】（成膜時に被着させる高融点成分との関
係）この実施例１では、情報記録用薄膜を製作する初期
の工程で、高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅膜を島状に被着
させているが、その高融点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅の平均膜厚ｚ
を次のように変えると、書き換え可能回数と、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変
化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化
によるものであった。

【０２３８】なお、「ｚ＝０ｎｍ」は、島状の高融点成
分Ｃｒ₄Ｔｅ₅の薄膜を形成しなかったことを意味する。

【０２３９】 書き換え可能回数 ｚ＝０ｎｍ ５×１０⁴回 ｚ＝１ｎｍ １×１０⁵回 ｚ＝５ｎｍ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｚ＝ １ｎｍ ４７ｄＢ ｚ＝ ５ｎｍ ４７ｄＢ ｚ＝１０ｎｍ ４６ｄＢ ｚ＝２０ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、初期結晶化工程の前に島状の高融点成分
Ｃｒ₄Ｔｅ₅の薄膜を形成する方が書き換え可能回数が増
加し、また、初期結晶化工程の前に島状に形成する高融
点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅の平均膜厚ｚは、１ｎｍ≦ｚ≦１０ｎ
ｍの範囲が好ましいことが分かった。

【０２４０】（保護層、中間層、反射層）この実施例で
は、保護層２および中間層４をいずれもＺｎＳ−ＳｉＯ
₂により形成しているが、その他の材料で形成してもよ
い。例えば、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓ
ｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃
などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料
（例えばＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ
₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃などのセレン化
物、ＣｅＦ₃などの弗化物を用いることができる。Ｓ
ｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃなどでもよい。これ
らの材料に近い組成のものでもよいし、これらの材料の
混合材料でもよい。さらに、これらの材料の層を積層し
た多重層でもよい。

【０２４１】保護層２および中間層４をそれぞれ多重層
で構成する場合、ＺｎＳを７０モル％以上含む材料（例
えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂）の第１層と、ＳｉおよびＧｅの
少なくとも一方を７０原子％以上含む材料の第２層との
２層膜、あるいは、ＺｎＳを７０モル％以上含む材料の
第１層と、Ｓｉの酸化物（例えばＳｉＯ₂）の第２層と
の２層膜が好ましい。

【０２４２】この場合、ＺｎＳを７０モル％以上含む材
料の第１層を記録膜３の側に設け、その厚さを３ｎｍ以
上とするのが好ましい。記録感度の低下を防ぐためであ
る。また、第１層の厚さは１０ｎｍ以下が好ましい。Ｓ
ｉ酸化物の第２層の低熱膨張係数による記録膜３の流動
抑制効果を有効に発揮させるためである。

【０２４３】このような２層膜は、保護層２として設け
るのがより好ましいが、中間層４として設けてもよい。
このような２層膜を保護層２として設ける場合は、Ｓｉ
酸化物の第２層の厚さは５０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下
とするのが好ましい。この範囲内では、記録感度が良好
だからである。

【０２４４】また、このような２層膜を中間層４として
設ける場合は、Ｓｉ酸化物の第２層の厚さは１０ｎｍ以
上、８０ｎｍ以下とするのが好ましい。この範囲内で
は、記録感度が良好で、流動抑制効果があるからであ
る。

【０２４５】中間層４を省略した場合には、記録感度が
約３０％低下し、消え残りも約５ｄＢ増加した。書き換
え可能回数も減少した。よって、これらの難点を解消す
るため、中間層４を設ける方が好ましい。

【０２４６】中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以
下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下の範囲、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範
囲で、それぞれ５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。よっ
て、中間層４の屈折率をこの範囲に設定するのが好まし
い。

【０２４７】この実施例１では、反射層５としてＡｌ−
Ｔｉ膜を用いているが、Ａｌ−Ｔｉ膜の代わりに、Ｓｉ
−Ｇｅ混合材料の膜を用いてもよい。この場合、記録マ
ーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部分の光吸収率
より小さくできるので、光吸収率の差による消え残りを
防止でき、書き換え可能回数も低下しないという利点が
ある。Ｇｅの含有量は、書き換え可能回数の低下防止の
観点から、１０原子％以上、８０原子％以下の範囲が好
ましい。

【０２４８】反射層５用の材料としては、Ｓｉ−Ｓｎ混
合材料またはＳｉ−Ｉｎ混合材料でも同様の結果が得ら
れた。また、これらの混合材料の２種以上を混合した材
料でも同様の結果が得られた。

【０２４９】さらに、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらの
少なくとも１つを主成分とする合金、あるいはこれら同
志の合金よりなる層を用いてもよいし、それらの層より
なる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物などの他
の物質との複合層などを用いてもよい。

【０２５０】（基板、積層構造）この実施例１では、表
面に直接、トラッキングガイドなどの凹凸を形成したポ
リカ−ボネ−ト基板１を用いているが、その代わりに、
ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化
樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用いても
よい。

【０２５１】中間層４、反射層５および保護層２の一部
を省略した積層構造、例えば、中間層４と反射層５を省
略した基板１／保護層２／記録膜３の積層構造、反射層
５および保護層２を省略した基板１／記録膜３／中間層
４の積層構造、中間層４および保護層２を省略した基板
１／記録膜３／反射層５の積層構造、などの構成でも、
従来のものに比べると、１０⁵回の多数回書き換えを行
なってもノイズ上昇が少なく、良好な結果が得られた。

【０２５２】（効果）以上述べたように、この実施例１
の情報記録用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保
ちながら、１０⁵回を越える多数回の書き換えが可能で
ある。また、記録・消去に用いるレーザ光のパワーが低
くてよいという利点もある。

【０２５３】［実施例２］ （構成・製法）実施例２の情報記録媒体は、実施例１と
同じＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ系材料ではあるが組成が異
なる記録膜５を有する点、基板１と保護層２の間に金属
層が設けてある点、および中間層４の材料が異なる点を
除いて、実施例１の情報記録媒体と同じ構成である。こ
の情報記録媒体は、次のようにして形成した。

【０２５４】実施例１と同様に、マグネトロン・スパッ
タリング装置を用い、表面に断面Ｕ字形のトラッキング
溝を有するポリカーボネート基板１の上に、Ａｕ膜（厚
さ１５ｎｍ）よりなる金属層（図示せず）を形成し、そ
の上に実施例１と同じ（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜
（厚さ２０ｎｍ）よりなる保護層２を形成した。

【０２５５】次に、保護層２の上に、実施例１と同じ高
融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）を島状に平均
膜厚３ｎｍまで形成した後、Ｇｅ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀組成付
近のＧｅ₄₀Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₄Ｃｒ₁₀、すなわち（Ｇｅ₄₀Ｓｂ
₁₀Ｔｅ_27.5）₂（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₅の組成を持つ記録膜３
（厚さ２０ｎｍ）を形成した。この際、実施例１と同様
に、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットとＧｅ₄₀Ｓｂ₁₀Ｔｅ_27.5ター
ゲットとによる回転同時スパッタ法を用いた。

【０２５６】次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜（厚さ４０ｎｍ）よりなる中間層４を形成し
た後、その上に同じマグネトロン・スパッタリング装置
内でＡｕ膜（厚さ７０ｎｍ）よりなる反射層５を形成し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。

【０２５７】他方、まったく同じ方法により、第１のデ
ィスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を形成
し、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層６
を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層
５，５’同士を貼り合わせてディスク状情報記録媒体を
得た。

【０２５８】この実施例２では、高融点成分はＣｒ₄Ｔ
ｅ₅、相変化成分はＧｅ₄₀Ｓｂ₁₀Ｔｅ_27.5である。

【０２５９】こうして得た記録膜３について、実施例１
と同じ方法で初期結晶化を行なった後、実施例１と同じ
方法で情報の記録・再生・消去を行なったところ、実施
例１と同様の結果が得られた。

【０２６０】次に、こうして得た記録膜３について、次
のようにしてＧｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＣｒの好適な組成
比ａ，ｂ，ｃおよびｄの範囲を求めた。

【０２６１】（Ｓｂの組成比ｂとの関係：ＧｅＴｅ組成
付近）図７の三角相図において、Ｇｅ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀と
Ｓｂ₉₀Ｃｒ₁₀を結ぶ、Ｃｒ含有量を一定（１０％）とし
た直線上で組成を変化させ、記録膜３を非晶質化させ
た時と結晶化させた時の反射率の差を測定した。その結
果、次のようなデータが得られた。

【０２６２】 この結果より、ＧｅＴｅ組成付近においては、Ｓｂの組
成比ｂが０≦ｂ≦０．２の範囲で高い反射率の差が得ら
れることが分かった。このような高い反射率の差は、再
生信号のＣ／Ｎの改善に寄与するものである。

【０２６３】さらに、Ｓｂが入らない場合（ｂ＝０）に
比べて、０．０１≦ｂの範囲でＳｂが入る場合の方が、
非晶質化するレーザ照射パワーを３ｍＷ低くできること
が分かった。

【０２６４】（Ｇｅ，Ｔｅ組成比ａ，ｃとの関係：Ｇｅ
Ｔｅ組成付近）図７の三角相図において、Ｓｂ₁₀Ｔｅ₈₀
Ｃｒ₁₀とＧｅ₈₀Ｓｂ₁₀Ｃｒ₁₀を結ぶ、Ｃｒ含有量を一定
（１０％）とした直線上で組成を変化させ、非晶質化
させた時と結晶化させた時の反射率の差を測定した。そ
の結果、次のようなデータが得られた。

【０２６５】 これより、ＧｅＴｅ組成付近においては、Ｇｅ，Ｔｅ組
成比ａ，ｃが０．２５≦ａ≦０．６５，および０．３５
≦ｃ≦０．７５の範囲で高い反射率の差が得られること
が分かった。このような高い反射率の差は、再生信号の
Ｃ／Ｎの改善に寄与するものである。

【０２６６】（Ｃｒ組成比ｄとの関係：ＧｅＴｅ組成付
近）Ｃｒ₄Ｔｅ₅の残部であるＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比
ａ，ｂ，ｃの比を、ａ：ｂ：ｃ＝４：１：４に保ってＣ
ｒ₄Ｔｅ₅の含有量を変化させたとき、レーザ光のパワー
を最適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き
換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したところ、Ｃｒの
組成比ｄに関して次のような結果が得られた。

【０２６７】 １０⁵回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ ｄ＝０ ４２ｄＢ ｄ＝０．０３ ４８ｄＢ ｄ＝０．１ ５０ｄＢ ｄ＝０．２ ５０ｄＢ ｄ＝０．３４ ４８ｄＢ また、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳
しい条件で、初期化のためのレーザ光照射回数を２００
回とし、情報を１回記録した後、１回オーバーライトし
た時の再生信号の「消去比」を求めた。その結果、Ｃｒ
の組成比ｄを変化させると、「消去比」は次のように変
化した。ここで「消去比」とは、実施例１におけるもの
と同じである。

【０２６８】 この結果より、Ｃｒの組成比ｄが増加するにつれて、消
去比が低下することが分かった。

【０２６９】よって、Ｃｒの組成比ｄが０．０３≦ｄ≦
０．３の範囲において、消去に必要なレーザ光の照射時
間を少なくでき、且つレーザ光パワーを最適値より１５
％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信
号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を良くできることが分か
った。

【０２７０】（記録膜中の低融点成分と高融点成分の含
有量比）記録膜３の平均組成を、元素単体または化合物
組成の低融点成分Ｌ（ＧｅＴｅ）と元素単体または化合
物組成の高融点成分Ｈ（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）によりＬ_jＨ_k の
式で表わし、高融点成分ＨであるＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量ｋ
を変化させた場合、レーザパワーを１５％高くした厳し
い条件で１０回書き換えた後のジッターは、次のように
変化した。

【０２７１】 １０回書き換えた後の 組 成 ジッター （ＧｅＴｅ）₁₀₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₀ ５ｎｓ （ＧｅＴｅ）₉₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂ ３ｎｓ （ＧｅＴｅ）₉₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₁₀ ２ｎｓ （ＧｅＴｅ）₈₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₀ ３ｎｓ （ＧｅＴｅ）₇₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃₀ ５ｎｓ この結果より、前記ｊ、ｋは０．０２≦［ｋ／（ｊ＋
ｋ）］≦０．１の関係式を満たすのが好ましいことが分
かった。

【０２７２】この場合、記録膜３は、前記ｊ、ｋが前記
関係式を満たす組成を基準組成とし、Ｇｅ、Ｔｅおよび
Ｃｒ各元素の含有量が、前記基準組成に対して±１０原
子％の範囲内にあるのが好ましく、±５原子％の範囲内
にあるのがより好ましいことも分かった。

【０２７３】また、前記低融点成分中のＧｅの含有量ｇ
（原子％）と前記ｋにおよび前記ｊは、ｋ／（ｊ＋ｋ）
＝（２／ｇ）＋０．０１ の関係式を満たすことが分か
った。

【０２７４】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１と同様である。

【０２７５】実施例２では、実施例１に比べて、記録膜
３に形成する非晶質の記録点とそれ以外の結晶質部分の
反射率の差を大きくできる利点がある。

【０２７６】実施例２の情報記録媒体の記録膜３，３の
組成を一般式で書くと、（Ｇｅ_0.44Ｓｂ_0.11Ｔｅ_0.45）
_0.9Ｃｒ_0.1となり、添加元素ＸはＣｒである。

【０２７７】［実施例３］実施例３の情報記録媒体は、
高融点成分３ｂの析出物の濃度が記録膜３の膜厚方向に
勾配を有する点を除いて、実施例１の情報記録媒体と同
じ構成である。この情報記録媒体は、次のようにして形
成した。

【０２７８】（構成・製法）マグネトロン・スパッタリ
ング装置を用い、実施例１と同様にして、表面に断面Ｕ
字形のトラッキング溝を有するポリカーボネート基板１
の上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層
２を形成した後、高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示
せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形成し、さらに、Ｇ
ｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇Ｃｒ₉、すなわち（ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₈
（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂の組成を持つ記録膜３を形成した。こ
の際、下記に示すような、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットとＧｅ
Ｓｂ₄Ｔｅ₇ターゲットとによる回転同時スパッタ法を用
いた。

【０２７９】続いて、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓ
ｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層４を形成した後、その上に
Ａｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる反射層５を形成した。こうし
て、第１のディスク部材を得た。

【０２８０】他方、まったく同じ方法により、第１のデ
ィスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を形成
し、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層６
を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層
５，５’同士を貼り合わせてこの実施例３のディスク状
情報記録媒体を得た。

【０２８１】この実施例３においても、実施例１と同様
に、高融点成分はＣｒ₄Ｔｅ₅、相変化成分はＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇である。

【０２８２】Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットとＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇タ
ーゲットとによる回転同時スパッタ法は、次のようにし
て行なった。

【０２８３】まず、保護層２の上に平均膜厚３ｎｍのＣ
ｒ₄Ｔｅ₅膜を島状に形成しておく。その後、ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇ターゲットに印加する電圧を一定に保ちながら、
Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットに印加する電圧を徐々に低下させ
た。その際の印加電圧シーケンスは次の通りである。

【０２８４】 ［印加電圧シーケンス］スハ゜ッタ 時間 スパッタパワー（Ｗ） 光入射側からの Cr₄Te₅含有量 （秒） GeSb₄Te₇タ- ット Cr₄Te₅タ- ット 記録膜膜厚（nm） （原子％） ０〜９ ４９ １５０ ０〜６ ５０ １０〜２０ ４９ １００ ６〜１２ ４０ ２１〜３３ ４９ ６５ １３〜１８ ３０ ３４〜４７ ４９ ４０ １９〜２４ ２０ ４８〜６３ ４９ ２０ ２４〜３０ １０ この工程により、記録膜３の中の高融点成分３ｂの析出
物Ｃｒ₄Ｔｅ₅の含有量（濃度）が、記録膜３の膜厚方向
に徐々に変化した記録膜３が得られた。

【０２８５】こうして得た記録膜３について、実施例１
と同じ方法で初期結晶化を行なった後、実施例１と同じ
方法で情報の記録・再生・消去を行なったところ、実施
例１と同様の結果が得られた。

【０２８６】なお、ここで述べていない事項について
は、実施例１と同様である。

【０２８７】この実施例３の情報記録媒体では、実施例
１、２のように、高融点成分の析出物の含有量が膜厚方
向に一定の記録膜に比べて、記録膜３の成膜工程が複雑
になるが、初期化のためのレーザ照射回数を低減できる
という利点がある。

【０２８８】高融点成分３ｂの析出物の含有量（濃度）
がその膜厚方向に徐々に変化した記録膜３の他の成膜法
としては、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットに印加する電圧を一定
に保ちながら、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットに印加する電
圧を徐々に増加させる方法でもよい。

【０２８９】なお、記録膜３の成膜工程において、各タ
ーゲットに印加する電圧をできるだけ徐々に変化させた
方が、記録特性が良好であった。

【０２９０】各ターゲットに印加する電圧を変化する方
法に代え、インラインスパッタ装置を用いて、Ｃｒ₄Ｔ
ｅ₅組成の面積とＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇組成の面積を徐々に変
化させたタ−ゲットを使用しても、同様の記録膜を作製
できる。

【０２９１】［実施例４］実施例４の情報記録媒体は、
実施例１のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ系の記録膜３におい
て、添加元素Ｘとして、Ｃｒに代えてＣｏおよびＳｉを
使用した点を除いて、実施例１の情報記録媒体と同じ構
成である。この情報記録媒体は、次のようにして形成し
た。

【０２９２】（構成・製法）実施例１と同様に、マグネ
トロン・スパッタリング装置を用い、表面に断面Ｕ字形
のトラッキング溝を有するポリカーボネート基板１の上
に、実施例１と同じ（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜より
なる保護層２を形成した。

【０２９３】次に、保護層２の上に、実施例１と同じ高
融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）を島状に平均
膜厚３ｎｍまで形成した後、Ｓｂ₂₇Ｔｅ₄₆Ｇｅ₇Ｃｏ₁₅
Ｓｉ₅すなわち（ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇）₈₀（Ｃｏ₃Ｓｉ）₂₀の
組成を持つ記録膜３（厚さ２０ｎｍ）を形成した。この
際、実施例１と同様に、Ｃｏ₃ＳｉターゲットとＧｅＳ
ｂ₄Ｔｅ₇ターゲットとによる回転同時スパッタ法を用い
た。

【０２９４】次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜（厚さ４０ｎｍ）よりなる中間層４を形成し
た後、その上に同じマグネトロン・スパッタリング装置
内でＡｕ膜（厚さ７０ｎｍ）よりなる反射層５を形成し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。

【０２９５】他方、まったく同じ方法により、第１のデ
ィスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を形成
し、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホットメルト接着剤層６
を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層
５，５’同士を貼り合わせてディスク状情報記録媒体を
得た。

【０２９６】この実施例２では、高融点成分はＣｏ₃Ｓ
ｉ、相変化成分はＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇である。

【０２９７】こうして得た記録膜３について、実施例１
と同じ方法で初期結晶化を行なった後、実施例１と同じ
方法で情報の記録・再生・消去を行なったところ、実施
例１と同様の結果が得られた。

【０２９８】（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｏ₃Ｓｉの組成比
ａ，ｂ，ｃ，ｄとの関係）次に、こうして得た記録膜３
について、次のようにしてＧｅ、Ｓｂ、ＴｅおよびＣｏ
₃Ｓｉの好適な組成比ａ，ｂ，ｃおよびｄの範囲を求め
た。

【０２９９】Ｇｅ対Ｓｂ対Ｔｅの組成比ａ，ｂ，ｃの比
をａ：ｂ：ｃ＝１：４：７に保ってＣｏ₃Ｓｉの組成比
ｄを変化させたとき、書き換え可能回数と、レーザ光の
パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵
回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎの変化は、実施例１
と同様であった。

【０３００】（相変化成分の他の例）相変化成分である
ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇の一部または全部をＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｇ
ｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅のうちの少なくとも一つで置き換えても
ほぼ同様の特性が得られる。

【０３０１】（高融点成分の他の例）高融点成分である
Ｃｏ₃Ｓｉの一部または全部をＣｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓ
ｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，ＣｅＳｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，
Ｃｒ₅Ｓｉ₃，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｒ₃
Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎ
ｉ₃Ｓｉ₂，Ｎｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅
Ｓｉ₂，Ｐｔ₂Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ｂｉ₂Ｃｅ，
ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃Ｃｅ₅，ＢｉＣｅ₂，Ｃｄ
₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃｅ₁₃，Ｃｄ₃Ｃｅ，Ｃｄ₂
Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，Ｃｅ
Ｚｎ，ＣｅＺｎ₂，ＣｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚ
ｎ₅₈，ＣｅＺｎ₅，Ｃｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺ
ｎ₁₁，Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，
Ｃｒ₃Ｇａ，ＣｒＧａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉
Ｇａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，
Ｂｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃ
ｄ₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆
Ｌａ，Ｇａ₂Ｌａ，ＧａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，
Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌａ₃Ｐｂ₄，
Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，ＬａＰｂ₃，ＬａＺｎ，ＬａＺ
ｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，Ｌａ₂Ｚｎ
₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇａ₃Ｎｉ₂，
ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮｉ₃，Ｎｉ₃
Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，Ｎｉ₅Ｚｎ
₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ₂，ＰｔＢｉ₃，ＰｔＣｄ₂，Ｐ
ｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₂，Ｇａ
Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐ
ｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐ
ｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺ
ｎ₂などで置き換えても、同様な結果が得られる。

【０３０２】また、前記元素Ｘとして列挙で表わされる
元素を２以上含む高融点化合物、またはそれに近い組成
のもの、あるいはこれらの混合組成や、混合組成に近い
３元以上の化合物のうちの少なくとも一つで置き換えて
もよい。

【０３０３】ここで述べていない事項については、実施
例１と同様である。

【０３０４】実施例４の情報記録媒体の記録膜３，３の
組成を一般式で書くと、（Ｇｅ_0.08Ｓｂ_0.33Ｔｅ_0.59）
_0.8（Ｃｏ₃Ｓｉ）_0.2となり、添加元素ＸはＣｏおよび
Ｓｉである。

【０３０５】［実施例５］図８は、実施例５のディスク
状情報記録媒体の断面を示す。この媒体は、基板の表面
に凹凸（ビット）で情報が刻まれた再生専用型である。

【０３０６】（構成・製法）実施例５の情報記録媒体の
構成は、基板の表面に情報を表わす記録ビットが予め形
成されている点、および実施例１の記録膜３をマスク層
として利用している点で、実施例１の情報記録媒体と異
なっているのみであり、他の構成はほぼ同じである。こ
の情報記録媒体は、実施例１と同様にして、マグネトロ
ン・スパッタリング装置を用いで製作された。

【０３０７】すなわち、まず、表面に記録ビットＢを形
成したポリカーボネート基板１１の上に、マグネトロン
・スパッタリング装置により、膜厚約１３０ｎｍの（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層１２を形成し
た。次に、保護層１２の上に、高融点成分である島状の
Ａｇ₂Ｔｅ膜（図示せず）を平均膜厚３ｎｍまで形成し
た後、膜厚約２２ｎｍの（Ａｇ₂Ｔｅ）₃₀（Ｓｅ₈₀−Ｔ
ｅ₂₀）₇₀、すなわちＡｇ₂₀Ｔｅ₂₄Ｓｅ₅₆の組成のマスク
層１３を形成した。

【０３０８】続いて、マスク層１３の上に、膜厚約４０
ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層１
４を形成し、さらに膜厚２００ｎｍのＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よ
りなる反射層１５を形成した。その後、反射層１５に接
着剤層１６によってもう一つの基板１１’を貼り合わ
せ、図８に示す情報記録媒体を得た。

【０３０９】Ａｇ₂₀Ｔｅ₂₄Ｓｅ₅₆の組成のマスク層１３
を形成する工程において、島状のＡｇ₂Ｔｅ膜の形成は
省略してもよい。この場合は、マスク層１３中に析出す
る高融点成分は、初期結晶化において生じるＡｇ₂Ｔｅ
のみとなる。

【０３１０】こうして得たマスク層１３について、実施
例１と同じ方法で初期結晶化を行なった後、実施例１と
同じ方法で情報の再生を行なったところ、１０⁵回以上
の多数回の読み出しが可能であった。なお、読み出し用
のレーザ光は、基板１１側から入射した。

【０３１１】初期結晶化により、マスク層１３の中に
は、実施例１と同様の形態（図１参照）で高融点成分Ａ
ｇ₂Ｔｅが析出し、その残成分（図１における相変化成
分３ａに相当するもの）は（Ｓｅ₈₀−Ｔｅ₂₀）である。

【０３１２】（高融点成分の他の例）マスク層１３中に
析出した高融点成分としては、Ａｇ₂Ｔｅ以外に、実施
例１および２で述べたものを用いることができる。

【０３１３】（高融点成分析出後の残成分の他の例）高
融点成分以外の残成分である（Ｓｅ₈₀−Ｔｅ₂₀）の一部
または全部をＳｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓｅ，
ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢ
ｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，
Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ
−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ₃
ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｇｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＢ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂
Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓ
ｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡ
ｓＳｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ
₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，
ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳ
ｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂，ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，Ｂｉ
Ｓｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅のうちの少な
くとも一つを主成分とする材料、あるいはそれに近い組
成の材料で置き換えても、ほぼ同様の特性が得られる。

【０３１４】この残成分は、融点が６５０゜Ｃ以下であ
る金属、化合物または合金が好ましい。

【０３１５】（記録マークの読み出し原理）次に、図９
を参照しながら、図８の情報記録媒体の記録マークを
「超解像効果」を利用して読み出す原理を説明する。

【０３１６】図９において、３１はレーザ光などの光ス
ポット、３２ａ、３２ｂは基板１１の表面に形成された
記録マークである。光スポット径は、光強度がそのピー
ク強度の（１／ｅ²）になる位置での光ビームの直径と
して定義される。記録マーク３２ａ、３２ｂの最小ピッ
チは、光スポット３１の半径ａよりも小さく設定されて
いる。

【０３１７】基板１１の表面にレーザ光が照射される
と、その照射箇所は加熱されるが、媒体は常に移動して
いるので、光スポット３１からずれた図９のような位置
に高温領域３５が形成される。高温領域３５では、少な
くとも高融点成分以外の残成分（実施例１の相変化成分
に相当する成分）が融解するため、マスク層１３の複素
屈折率の実数部ｎまたは虚数部（消衰係数）ｋが低下
し、レーザ光が透過し難くなる。レーザ光が照射されて
いない箇所、すなわち高温領域３５以外の箇所では、結
晶化した固体状態のままであるため、このような複素屈
折率の変化は生じない。

【０３１８】そこで、光スポット３１内には２つの記録
マーク３２ａ、３２ｂがあるにもかかわらず、マスク層
１３によって高温領域３５内にある記録マーク３２ｂが
隠されるため、実際には記録マーク３２ａのみが検出さ
れる。換言すれば、実際の検出範囲（アパーチャー）３
４が、図９のように、光スポット３１の円形の領域から
マスクとして働く範囲３３を除いた三日月形の領域（光
スポット３１と高温領域３５の重複箇所）となる。こう
して、光スポット径より小さい記録マーク３２ａおよび
３２ｂを正確に区別して読み出すことが可能となる。

【０３１９】保護層１２、マスク層１３、中間層１４お
よび反射層１５の各層の膜厚を変えれば、光スポット３
１内の斜線部以下の領域だけをマスクすることもでき
る。

【０３２０】マスク層１３の残成分の融点が２５０゜Ｃ
以下の場合、高融点成分の融点は４５０゜Ｃ以上であれ
ば、これと同様の特性が得られる。

【０３２１】（マスク層の消衰係数の変化量との関係）
光スポット３１の直径の約２５％の長さの記録マーク３
２ａ、３２ｂが形成されている場合、レーザ光の照射の
前後におけるマスク層１３の消衰係数ｋの変化量Δｋ’
が変化すると、１０⁵回読み出した後の再生信号のＣ／
Ｎは、次のように変化した。

【０３２２】 １０⁵回読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ Δｋ’＝ ５％ ３７ｄＢ Δｋ’＝１０％ ４２ｄＢ Δｋ’＝２０％ ４６ｄＢ Δｋ’＝３０％ ４８ｄＢ この結果より、マスク層１３の消衰係数ｋの変化量Δ
ｋ’は、２０％≦Δｋ’の範囲が好ましいことが分かっ
た。

【０３２３】（マスク層の残成分の融点との関係）マス
ク層１３の高融点成分の析出後の残成分の融点（ｍ．
ｐ．）が変化した場合、１０⁵回読み出した後の再生信
号のＣ／Ｎは、次のように変化した。

【０３２４】 １０⁵回読み出しの後の再生信号のＣ／Ｎ ｍ．ｐ．＝１００゜Ｃ ４９ｄＢ ｍ．ｐ．＝２５０゜Ｃ ４８ｄＢ ｍ．ｐ．＝４００゜Ｃ ４７ｄＢ ｍ．ｐ．＝６５０゜Ｃ ４６ｄＢ ｍ．ｐ．＝７００゜Ｃ ４０ｄＢ ｍ．ｐ．＝７５０゜Ｃ ３３ｄＢ この結果より、高融点成分析出後の残成分の融点は、６
５０゜Ｃ以下が好ましく、２５０゜Ｃ以下がより好まし
いことが分かった。

【０３２５】（その他）図８の情報記録媒体では、片面
のみに情報を記録しているが、基板１１’の片面に保護
層１２、マスク層１３、中間層１４、および反射層１５
を形成し、その反射層１５を基板１１に形成された反射
層１５と接着剤層１６によって貼り合わせれば、情報記
録媒体の両面に情報を記録できる。

【０３２６】［実施例６］図１０は、実施例１の相変化
型のディスク状情報記録媒体に、実施例５と同様のマス
ク層を付加することによって、情報の再生時に「超解像
効果」を利用できるようにしたものである。

【０３２７】図１０の情報記録媒体は、記録膜の構成が
異なる以外は、実施例１の情報記録媒体と同じ構成を持
つ。すなわち、実施例１と同様のポリカーボネート基板
２１，２１’の上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よ
りなる保護層２２、２２’がそれぞれ形成され、保護層
２２。２２’の上には順に、記録膜２３、２３’と（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層２４、２４’
と、Ａｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる反射層２５、２５’とが、
それぞれ形成されている。反射層２５、２５’同士は、
接着剤層２６によって貼り合わされている。

【０３２８】記録膜２３は、図１０に示すように、基板
２１側から順に配置されたマスク層２３ａ、誘電体層２
３ｂおよび記録層２３ｃから構成されている。記録膜２
３’は記録膜２３と同じ構成である。

【０３２９】マスク層２３ａは、実施例５と同じ（Ａｇ
₂Ｔｅ）₃₀（Ｓｅ₈₀−Ｔｅ₂₀）₇₀すなわちＡｇ₂₀Ｔｅ₂₄
Ｓｅ₅₆の組成を持ち、実施例５と同じマスク機能を有し
ている。

【０３３０】誘電体層２３ｂは（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜により形成されており、中間層と同様の機能
を持つ。

【０３３１】記録層２３ｃとしては、実施例１の記録膜
３，３’と同じものの他、任意の相変化型の記録層を使
用できる。

【０３３２】この情報記録媒体は、実施例１と同様にし
て、マグネトロン・スパッタリング装置を用いで製作さ
れる。

【０３３３】長さ０．４μｍの記録マークを０．８μｍ
周期で形成した場合、得られた再生信号のＣ／Ｎは４６
ｄＢ以上、消去比は２５ｄＢ以上であった。

【０３３４】このマスク層２３ａは、この発明の情報記
録用薄膜以外の従来の相変化によって記録を行なう情報
記録媒体や、光磁気ディスクなどの相変化以外の記録原
理による情報記録媒体においても同様な効果を持つ。

【０３３５】この実施例で述べていない点については、
実施例１と同様である。

【０３３６】［実施例７］実施例７のディスク状情報記
録媒体は、実施例１の相変化型のディスク状情報記録媒
体において、反射層５，５’として、実施例１のＡｌ−
Ｔｉ膜に代えて、実施例１の高融点成分を含む記録膜
３，３’を用いたものであり、実施例６と同様に、情報
の再生時に「超解像効果」を利用できるようにしたもの
である。

【０３３７】実施例７のディスク状情報記録媒体は、実
施例１の図３に示した情報記録媒体において、基板１、
１’の上に、保護層２、２’、記録膜３，３’および中
間層４、４’が順にそれぞれ形成され、さらにそれら中
間層４、４’の上に反射層５，５’としての第２の記録
膜３，３’がそれぞれ形成されている。

【０３３８】この情報記録媒体は、実施例１と同様にし
て、マグネトロン・スパッタリング装置を用いて製作さ
れる。

【０３３９】こうして得た記録膜３，３’および反射層
１，１’について、実施例１と同じ方法で初期結晶化を
行なった後、実施例１と同じ方法で情報の記録・再生・
消去を行なったところ、実施例１と同様の結果が得られ
た。

【０３４０】例えば、反射層５，５’として、膜厚８０
ｎｍの（ＬａＢｉ）₃₀Ｂｉ₇₀層を用いた場合、読み出し
時の超解像効果が得られ、長さ０．４μｍ の記録マー
クを０．８μｍ周期で書いた場合、得られた再生信号の
Ｃ／Ｎは４６ｄＢ以上、消去比は２５ｄＢ以上であっ
た。

【０３４１】初期結晶化により、（ＬａＢｉ）₃₀Ｂｉ₇₀
よりなる記録膜３，３’および反射層５，５’の中に
は、実施例１と同様の形態（図１参照）で高融点成分Ｌ
ａＢｉが析出した。その残成分（図１における相変化成
分３ａ）はＢｉであった。

【０３４２】反射層５，５’中の高融点成分が析出した
後の残成分については、融点が６５０゜Ｃ以下である金
属、化合物または合金が好ましい。高融点成分の融点と
融点差が大きいからである。

【０３４３】残成分の融点が３５０゜Ｃ以下の場合、高
融点化合物の融点は４５０゜Ｃ以上であれば、ほぼ同様
の特性が得られる。

【０３４４】また、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部
（消衰係数）ｋがレーザ光の照射によって２０％以上変
化し、また実数部ｎおよび虚数部ｋが高いときに反射率
Ｒが６０％以上となるのが好ましい。記録感度が大きい
からである。

【０３４５】高融点成分ＬａＢｉの残成分であるＢｉの
一部または全部をＳｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃ
ｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓｅ，
ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢ
ｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，
Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ
−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ₃
ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｇｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＢｉ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ
₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓ
ｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡ
ｓＳｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ
₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，
ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳ
ｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂，ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，Ｂｉ
Ｓｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅，などのうち
の少なくとも一つを主成分とする材料で置き換えても、
ほぼ同様の特性が得られる。

【０３４６】（超解像効果の原理）読み出しの際に超解
像効果が得られる原理は、次の通りである。

【０３４７】図９に示すように、光スポット３１内の高
温領域３５では、反射層５、５’中の少なくとも相変化
成分（例えばＢｉ）が融解して、その複素屈折率の実数
部ｎまたは虚数部ｋの少なくとも一方が低下する。この
ため、図９のマスクとして働く範囲３３での反射光が弱
くなり、この範囲３３からの反射光は、記録膜３、３’
に対して読み取りのための充分なコントラストを提供で
きなくなる。

【０３４８】一方、結晶化した固体状態の低温領域で
は、高温領域に比べて複素屈折率の実数部ｎおよび虚数
部ｋの少なくとも一方が大きいため、読み取りのための
充分なコントラストを提供できる。

【０３４９】その結果、検出範囲（アパーチャー）３４
が図９のような三日月形になり、光スポット３１の直径
以下の周期で高密度記録された記録マーク３２を確実に
読み出すことが可能となる。

【０３５０】保護層２、２’、記録膜３，３’、中間層
４、４’および反射層５，５’の各層の膜厚を変えれ
ば、検出範囲３４の大きさを変えることもできる。

【０３５１】ここで述べていない事項については、実施
例１と同様である。

【０３５２】（その他）この実施例７の反射層５，５’
は、本発明の情報記録用薄膜を用いない、従来の相変化
によって記録を行なう光記録媒体や、光磁気記録媒体な
どの他の記録原理による媒体にも適用可能である。

【０３５３】

【発明の効果】この発明の情報記録用薄膜、情報記録媒
体およびその使用方法によれば、良好な記録・再生特性
を保持しながら従来より多数回（例えば１０⁵回）の書
き換えが可能となる。

【０３５４】また、超解像効果を利用して、良好な再生
特性を保持しながら従来より多数回（例えば１０⁵回）
の読出しが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の情報記録媒体の実施例の記録用薄膜
の部分断面図で、（ａ）は粒状の高融点成分が析出した
もの、（ｂ）は柱状の高融点成分が析出したもの、
（ｃ）は多孔質の高融点成分が析出したものを示す。

【図２】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例の
三角相図である。

【図３】この発明の情報記録媒体の実施例の全体断面図
である。

【図４】この発明の情報記録媒体の実施例を示す、図１
と同様の部分断面図である。

【図５】この発明の情報記録媒体の実施例の部分断面図
で、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、（ｂ）
はその情報記録媒体の部分断面図である。

【図６】この発明の情報記録媒体の実施例を示す、図１
と同様の部分断面図である。

【図７】この発明の情報記録用薄膜の記録層の他の実施
例の三角相図である。

【図８】この発明の情報記録媒体の他の実施例の全体断
面図である。

【図９】超解像効果の原理を説明するための図である。

【図１０】この発明の情報記録媒体のさらに他の実施例
の全体断面図である。

【符号の説明】

１，１’ 基板 ２，２’ 保護層 ３，３’ 記録膜 ３ａ 相変化成分（残成分） ３ｂ 高融点成分 ４，４’ 中間層 ５，５’ 反射層 ６ 接着剤層 １１，１１’ 基板 １２ 保護層 １３ 記録膜 １４ 中間層 １５ 反射層 １６ 接着剤層 ２１，２１’ 基板 ２２，２２’ 保護層 ２３，２３’ 記録膜 ２３ａ’ マスク層 ２３ｂ’ 誘電体層 ２３ｃ’ 記録層 ２４，２４’中間層 ２５，２５’反射層 ２６ 接着剤層 ３１ 光スポット ３２ａ，３２ｂ 記録マーク ３３ マスクとして働く範囲 ３４ 検出範囲（アパーチャー） ３５ 高温領域 Ｂ 記録ビット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 哲也 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (72)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に直接または保護層を介して形成
   された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
   列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
   おいて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d で表わされ、 前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，
   Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａ
   ｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
   ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素
   からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を表わ
   し、 前記ａ，ｂ，ｃおよびｄは、それぞれ０．０１≦ａ≦
   ０．６７， ０．０１≦ｂ≦０．５９，０．２５≦ｃ
   ≦０．９７， ０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲にある
   ことを特徴とする情報記録用薄膜。
2. 【請求項２】 前記ａ，ｂおよびｃが、それぞれ０．０
   ２≦ａ≦０．１９， ０．０４≦ｂ≦０．４，０．５
   ≦ｃ≦０．７５，の範囲にある請求項１に記載の情報記
   録用薄膜。
3. 【請求項３】 前記ａ，ｂおよびｃが、それぞれ０．２
   ５≦ａ≦０．６５， ０．０１≦ｂ≦０．２，０．３
   ５≦ｃ≦０．７５，の範囲にある請求項１に記載の情報
   記録用薄膜。
4. 【請求項４】 基板上に直接または保護層を介して構成
   された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
   列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
   おいて、 前記情報記録用薄膜の平均組成が、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，
   Ｃｒ，Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａ
   ｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆ
   ｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔ
   ｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素からな
   る群から選ばれる少なくとも一つの元素より構成される
   少なくとも１つの単体または化合物よりなる、相対的に
   低い融点を持つ低融点成分Ｌと、前記元素群から選ばれ
   る少なくとも一つの元素より構成される少なくとも１つ
   の単体または化合物よりなる、相対的に高い融点を持つ
   高融点成分Ｈとから構成されていて、 前記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成を Ｌ_jＨ_k の組成式で表わした時、前記低融点成分Ｌ中のＧｅの濃
   度ｇ（原子％）と、前記ｊおよびｋが、 ｋ／（ｊ＋ｋ）＝（２／ｇ）＋０．０１ の関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
   の含有量は、前記関係式で決まる値±１０原子％の範囲
   内にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
5. 【請求項５】 基板上に直接または保護層を介して構成
   された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
   列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
   おいて、 前記情報記録用薄膜の平均組成が、相対的に低い融点を
   持つ低融点成分Ｌと、相対的に高い融点を持つ高融点成
   分Ｈとから構成され、 前記低融点成分Ｌは、その構成元素がＧｅとＳｂとＴｅ
   であると共に相対的に低い融点を持つ少なくとも１つの
   化合物より成っており、 前記高融点成分Ｈは、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｒ，Ａｇ，
   Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃ
   ｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎ
   ａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，
   ＷおよびＺｎから選ばれる少なくとも一つの元素より構
   成され、且つ相対的に高い融点を持つ少なくとも１つの
   単体または化合物より成っており、 しかも、前記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均
   組成を Ｌ_jＨ_ｋ の組成式で表わした時、前記低融点成分Ｌ中のＧｅの濃
   度ｇ（原子％）と、前記ｊおよびｋが、 ｋ／（ｊ＋ｋ）＝（２／ｇ）＋０．０１ の関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
   の含有量が前記関係式で決まる値±１０原子％の範囲内
   にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
6. 【請求項６】 前記低融点成分ＬがＧｅＳｂ_４Ｔｅ₇、
   前記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４または５
   に記載の情報記録用薄膜。
7. 【請求項７】 前記低融点成分ＬがＧｅＳｂ₄Ｔｅ₄、前
   記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４または５に
   記載の情報記録用薄膜。
8. 【請求項８】 前記低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、
   前記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４または５
   にに記載の情報記録用薄膜。
9. 【請求項９】 基板上に直接または保護層を介して形成
   された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
   列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
   おいて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＴｅ_c）_1-dＸ_d で表わされ、 前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，
   Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａ
   ｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
   ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素
   からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を表わ
   し、 前記ａ，ｃおよびｄは、それぞれ０．０１≦ａ≦０．６
   ７， ０．２５≦ｃ≦０．９７，０．０３≦ｄ≦０．
   ３，の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
10. 【請求項１０】 前記ａおよびｃが、それぞれ０．２５
    ≦ａ≦０．６５， ０．３５≦ｃ≦０．７５，の範囲
    にある請求項９に記載の情報記録用薄膜。
11. 【請求項１１】 当該情報記録用薄膜の平均組成が、相
    対的に低い融点を持つ低融点成分Ｌと相対的に高い融点
    を持つ低融点成分Ｈとから構成され、 前記低融点成分Ｌは、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｃｒ，Ａｇ，Ｂａ，
    Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌ
    ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃ
    ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚ
    ｎおよびランタノイド元素からなる群より選ばれる少な
    くとも１つの元素より構成される少なくとも１つの単体
    または化合物よりなると共に、相対的に低い融点を持っ
    ており、 前記高融点成分Ｈは、前記元素群より選ばれる少なくと
    も１つの元素より構成される少なくとも１つの単体また
    は化合物よりなると共に、相対的に高い融点を持ってい
    て、 前記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成を Ｌ_jＨ_k の組成式で表わした時、前記ｊおよびｋが、 ０．０２≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．２ の関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
    の含有量は前記関係式で決まる値±１０原子％の範囲内
    にある請求項９または１０に記載の情報記録用薄膜。
12. 【請求項１２】 基板上に直接または保護層を介して形
    成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
    配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜
    において、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 （Ｓｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d で表わされ、 前記ＸはＣｒ，Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，
    Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａ
    ｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
    ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素
    からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を表わ
    し、 前記ｂ，ｃおよびｄは、それぞれ０．０１≦ｂ≦０．５
    ９， ０．２５≦ｃ≦０．９７，０．０３≦ｄ≦０．
    ３，の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
13. 【請求項１３】 当該情報記録用薄膜の平均組成が、相
    対的に低い融点を持つ低融点成分Ｌと相対的に高い融点
    を持つ低融点成分Ｈとから構成され、 前記低融点成分Ｌは、Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｒ，Ａｇ，Ｂａ，
    Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌ
    ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃ
    ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚ
    ｎおよびランタノイド元素からなる群から選ばれる少な
    くとも１つの元素より構成される少なくとも１つの単体
    または化合物よりなると共に、相対的に低い融点を持っ
    ており、 前記高融点成分Ｈは、前記元素群より選ばれる少なくと
    も１つの元素より構成される少なくとも１つの単体また
    は化合物よりなると共に、相対的に高い融点を持ってい
    て、 前記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成を Ｌ_jＨ_k の組成式で表わした時、前記ｊおよびｋが、 ０．０５≦［ｋ／（ｊ＋ｋ）］≦０．４ の関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
    の含有量は前記関係式で決まる値±１０原子％の範囲内
    にある請求項１２に記載の情報記録用薄膜。
14. 【請求項１４】 当該情報記録用薄膜の平均組成が、前
    記関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
    の含有量は前記関係式で決まる値±５原子％の範囲内に
    ある請求項４〜８のいずれか、あるいは請求項１１また
    は１３に記載の情報記録用薄膜。
15. 【請求項１５】 前記元素Ｘが、当該情報記録用薄膜の
    膜厚方向において濃度勾配を有する請求項１〜４のいず
    れか、または請求項６〜１４のいずれかに記載の情報記
    録用薄膜。
16. 【請求項１６】 当該情報記録用薄膜の残成分より相対
    的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでお
    り、その析出物が前記元素Ｘを含んでいる請求項１〜４
    のいずれか、または請求項６〜１５のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜。
17. 【請求項１７】 前記高融点成分の析出物の少なくとも
    一部分が、当該情報記録用薄膜の光入射側の界面近傍
    に、非連続膜状に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で存在す
    る請求項５または１６に記載の情報記録用薄膜。
18. 【請求項１８】 前記高融点成分の析出物の少なくとも
    一部分が、当該情報記録用薄膜の光入射側と反対側の界
    面近傍に、非連続膜状に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で
    存在する請求項５または１６に記載の情報記録用薄膜。
19. 【請求項１９】 前記高融点成分の含有量が、当該情報
    記録用薄膜の膜厚方向において変化する請求項５または
    請求項１６〜１８のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
20. 【請求項２０】 前記高融点成分の含有量が、当該情報
    記録用薄膜の光入射側の界面付近で５０％、その反対側
    の界面付近で１０％となるように変化する請求項５また
    は請求項１６〜１９のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
21. 【請求項２１】 前記高融点成分の構成元素の原子数の
    和が、当該情報記録用薄膜の構成元素の全原子数の和に
    対して１０〜５０％の範囲にある請求項５または請求項
    １６〜２０のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
22. 【請求項２２】 前記高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以
    上である請求項５または請求項１６〜２１のいずれかに
    記載の情報記録用薄膜。
23. 【請求項２３】 前記高融点成分の融点と当該薄膜の残
    成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請求項５また
    は請求項１６〜２２のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
24. 【請求項２４】 前記高融点成分の析出物が、当該情報
    記録用薄膜の内部に粒状または柱状に分布している請求
    項５または請求項１６〜２３のいずれかに記載の情報記
    録用薄膜。
25. 【請求項２５】 前記高融点成分の析出物の当該情報記
    録用薄膜の膜面方向での最大外寸法が、５ｎｍ以上、８
    ０ｎｍ以下である請求項２４に記載の情報記録用薄膜。
26. 【請求項２６】 前記高融点成分の析出物が、当該情報
    記録用薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延び
    ており、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、
    当該情報記録用薄膜の膜厚の（１／２）以下である請求
    項２４または２５に記載の情報記録用薄膜。
27. 【請求項２７】 前記高融点成分の析出物が、当該情報
    記録用薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延び
    ており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上
    で、当該情報記録用薄膜の膜厚以下である請求項２４ま
    たは２５に記載の情報記録用薄膜。
28. 【請求項２８】 前記高融点成分の析出物の当該情報記
    録用薄膜の膜厚方向の長さが、１０ｎｍ以上で、且つ当
    該情報記録用薄膜の膜厚以下である請求項２４または２
    ５に記載の情報記録用薄膜。
29. 【請求項２９】 隣接する２つの前記高融点成分の析出
    物の中心間を結ぶ直線が、当該情報記録用薄膜の膜面方
    向でそれら析出物の間の領域を通る長さが、２０ｎｍ以
    上、９０ｎｍ以下である請求項２４〜２８のいずれかに
    記載の情報記録用薄膜。
30. 【請求項３０】 当該情報記録用薄膜の残成分より相対
    的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物を含
    んでおり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布
    している請求項５または請求項１６〜２３のいずれかに
    記載の情報記録用薄膜。
31. 【請求項３１】 前記高融点成分の多孔質状析出物の孔
    の当該情報記録用薄膜の膜面方向での最大孔寸法が、８
    ０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の
    当該情報記録用薄膜の膜面方向での最大壁厚さが、２０
    ｎｍ以下である請求項３０に記載の情報記録用薄膜。
32. 【請求項３２】 当該情報記録用薄膜の残成分の融点が
    ６５０゜Ｃ以下である請求項５または請求項１６〜３１
    のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
33. 【請求項３３】 当該情報記録用薄膜の残成分の融点が
    ２５０゜Ｃ以下である請求項５または請求項１６〜３１
    のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
34. 【請求項３４】 当該情報記録用薄膜の複素屈折率の実
    数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によっ
    て照射前のそれに対して２０％以上変化する請求項１〜
    ３３のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
35. 【請求項３５】 基板上に直接または保護層を介して形
    成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
    配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用
    薄膜において、 当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高い高
    融点成分からなる析出物を含んでいて、その析出物が当
    該情報記録用薄膜の残成分からなる領域内に分布してい
    ることを特徴とする情報記録用薄膜。
36. 【請求項３６】 前記高融点成分の析出物の当該情報記
    録用薄膜の膜面方向での最大外寸法が、５ｎｍ以上、８
    ０ｎｍ以下である請求項３５に記載の情報記録用薄膜。
37. 【請求項３７】 前記高融点成分の析出物が、当該情報
    記録用薄膜の両方の界面からその膜厚方向に柱状に延び
    ており、前記析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、
    当該情報記録用薄膜の膜厚の（１／２）以下である請求
    項３５または３６に記載の情報記録用薄膜。
38. 【請求項３８】 前記高融点成分の析出物が、当該情報
    記録用薄膜の一方の界面からその膜厚方向に柱状に延び
    ており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上
    で、当該情報記録用薄膜の膜厚以下である請求項３５〜
    ３７のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
39. 【請求項３９】 前記高融点成分の析出物の膜厚方向の
    長さが１０ｎｍ以上で、当該情報記録用薄膜の膜厚以下
    である請求項３５〜３７のいずれかに記載の情報記録用
    薄膜。
40. 【請求項４０】 隣接する２つの前記高融点成分の析出
    物の中心間を結ぶ直線が、当該情報記録用薄膜の膜面方
    向でそれら析出物の間の領域を通る長さが２０ｎｍ以
    上、９０ｎｍ以下である請求項３５〜３９のいずれかに
    記載の情報記録用薄膜。
41. 【請求項４１】 基板上に直接または保護層を介して形
    成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
    配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用
    薄膜において、 当該情報記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高い高
    融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当該情
    報記録用薄膜の残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布
    していることを特徴とする情報記録用薄膜。
42. 【請求項４２】 当該情報記録用薄膜の平均組成が、相
    対的に低い融点を持つ低融点成分Ｌと相対的に高い融点
    を持つ高融点成分Ｈとからなり、 前記低融点成分Ｌは、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｒ，Ａｇ，
    Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃ
    ｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎ
    ａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，
    Ｗ，Ｚｎおよびランタノイド元素からなる群より選ばれ
    る少なくとも１つの元素より構成される少なくとも１つ
    の単体または化合物よりなると共に、相対的に低い融点
    を持っており、 前記高融点成分Ｈは、前記元素群より選ばれる少なくと
    も１つの元素より構成される少なくとも１つの単体また
    は化合物よりなると共に、相対的に高い融点を持ってい
    て、 前記低融点成分Ｌと前記高融点成分Ｈとの平均組成を Ｌ_jＨ_k の組成式で表わした時、前記低融点成分中のＧｅの濃度
    ｇ（原子％）と、前記ｊおよびｋが、 ｋ／（ｊ＋ｋ）＝（２／ｇ）＋０．０１ の関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
    の含有量は、前記関係式で決まる値±１０原子％の範囲
    内にある請求項４１に記載の情報記録用薄膜。
43. 【請求項４３】 前記低融点成分ＬがＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇、
    前記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４２に記載
    の情報記録用薄膜。
44. 【請求項４４】 前記低融点成分ＬがＧｅＳｂ₄Ｔｅ₄、
    前記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４２に記載
    の情報記録用薄膜。
45. 【請求項４５】 前記低融点成分ＬがＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔ
    ｅ₅、前記高融点成分ＨがＣｒ₄Ｔｅ₅である請求項４２
    に記載の情報記録用薄膜。
46. 【請求項４６】 当該情報記録用薄膜の平均組成が、前
    記関係式を満たす組成を基準組成とし、各元素の膜中で
    の含有量は前記関係式で決まる値±５原子％の範囲内に
    ある請求項４２〜４５のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
47. 【請求項４７】 前記高融点成分の多孔質状析出物の孔
    の当該情報記録用薄膜の膜面方向での最大内寸法が、８
    ０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間の領域の
    当該情報記録用薄膜の膜面方向での最大壁厚さが、２０
    ｎｍ以下である請求項４１〜４６のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜。
48. 【請求項４８】 当該情報記録用薄膜の残成分の融点が
    ６５０゜Ｃ以下である請求項３５〜４７のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
49. 【請求項４９】 当該情報記録用薄膜の残成分の融点が
    ２５０゜Ｃ以下である請求項３５〜４７のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
50. 【請求項５０】 当該情報記録用薄膜の複素屈折率の実
    数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によっ
    て照射前のそれに対して２０％以上変化する請求項３５
    〜４９のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
51. 【請求項５１】 前記高融点成分の構成元素の原子数の
    和が、当該情報記録用薄膜の全原子数の和に対して１０
    〜５０％の範囲にある請求項３５〜５０のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
52. 【請求項５２】 前記高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以
    上である請求項３５〜５１のいずれかに記載の情報記録
    用薄膜。
53. 【請求項５３】 前記高融点成分の融点と当該情報記録
    用薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請
    求項３５〜５２のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
54. 【請求項５４】 前記元素ＸがＣｒである請求項１〜４
    のいずれか、または請求項６〜３４のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜。
55. 【請求項５５】 前記元素ＸがＭｏ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｃ
    ｏ，ＭｎおよびＷからなる群から選ばれる一種である請
    求項１〜４のいずれか、または請求項６〜３４のいずれ
    かに記載の情報記録用薄膜。
56. 【請求項５６】 請求項１〜５５のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜の製造方法であって、 基板上に直接または保護層を介して原料薄膜を形成する
    工程と、 前記原料薄膜にエネルギービームを照射してその原料薄
    膜中に高融点成分を生成または成長させ、前記情報記録
    用薄膜を得る工程とを備えてなることを特徴とする情報
    記録用薄膜の製造方法。
57. 【請求項５７】 前記原料薄膜中に前記高融点成分を生
    成または成長させる工程において、前記高融点成分の含
    有量をその膜厚方向に変化させる請求項５６に記載の情
    報記録用薄膜の製造方法。
58. 【請求項５８】 請求項３５〜５５のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜の製造方法であって、 基板上に直接または保護層を介して、前記高融点成分の
    材料あるいは前記高融点成分の組成に近い組成を持つ材
    料を被着させ、島状の種結晶を形成する工程と、 前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む
    材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶
    上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるよう
    に前記残成分を成長させる工程とを備えてなることを特
    徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
59. 【請求項５９】 前記高融点成分を選択的に成長させる
    工程において、前記高融点成分の含有量をその膜厚方向
    に変化させる請求項５８に記載の情報記録用薄膜の製造
    方法。
60. 【請求項６０】 請求項１〜５５のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜を記録層として備えたことを特徴とする情
    報記録媒体。
61. 【請求項６１】 請求項３５〜５５のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜を超解像読出し用のマスク層として備え
    たことを特徴とする情報記録媒体。
62. 【請求項６２】 請求項３５〜５５のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射層として備えた
    ことを特徴とする請求項６０または６１に記載の情報記
    録媒体。
63. 【請求項６３】 請求項１〜５５のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜を記録層として備え、請求項３５〜５５の
    いずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用のマ
    スク層として備えたことを特徴とする情報記録媒体。
64. 【請求項６４】 請求項１〜５５のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜を記録層として備え、請求項３５〜５５の
    いずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反
    射層として備えたことを特徴とする情報記録媒体。
65. 【請求項６５】 前記高融点成分の析出後の前記残成分
    の融点が６５０゜Ｃ以下である請求項６０〜６４のいず
    れかに記載の情報記録媒体。
66. 【請求項６６】 前記反射層の反射率が６０％以上であ
    る請求項６２〜６５のいずれかに記載の情報記録媒体。
67. 【請求項６７】 前記反射層の膜厚が、１５０ｎｍ以
    上、３００ｎｍ以下である請求項６２〜６６のいずれか
    に記載の情報記録媒体。
68. 【請求項６８】 前記記録膜と反対側に配置されたＳｉ
    Ｏ₂からなる第１の保護層と、前記記録膜側に配置され
    たＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の保護層とをさらに備
    えた請求項６２〜６７のいずれかに記載の情報記録媒
    体。
69. 【請求項６９】 請求項３５〜５５のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜を記録層として備えた情報記録媒体の使
    用方法であって、 使用時に前記情報記録用媒体にレーザ光を繰り返し照射
    して、その情報記録用媒体の前記情報記録用薄膜中に前
    記高融点成分を析出させる工程を含むことを特徴とする
    情報記録媒体の使用方法。
70. 【請求項７０】 前記情報記録用媒体への前記レーザ光
    の照射を、情報記録再生装置において行なう請求項６９
    に記載の情報記録媒体の使用方法。
71. 【請求項７１】 前記情報記録用媒体への前記レーザ光
    の照射を、その情報記録媒体の初期化装置において行な
    う請求項６９に記載の情報記録媒体の使用方法。
72. 【請求項７２】 請求項１〜４のいずれか、または請求
    項６〜３４のいずれかに記載の情報記録用薄膜におい
    て、 前記情報記録用薄膜にレーザ光を照射すると、当該情報
    記録用薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分
    が析出し、その析出物は前記元素Ｘを含んでいると共に
    当該情報記録用薄膜の残成分からなる領域内に分布する
    情報記録用薄膜。