UA51663C2 - Спосіб осушення кремнію - Google Patents
Спосіб осушення кремнію Download PDFInfo
- Publication number
- UA51663C2 UA51663C2 UA98020935A UA98020935A UA51663C2 UA 51663 C2 UA51663 C2 UA 51663C2 UA 98020935 A UA98020935 A UA 98020935A UA 98020935 A UA98020935 A UA 98020935A UA 51663 C2 UA51663 C2 UA 51663C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- fact
- bath
- aqueous solution
- Prior art date
Links
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 43
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid group Chemical class C(CC(O)(C(=O)O)CC(=O)O)(=O)O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical group S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 4
- 101100348017 Drosophila melanogaster Nazo gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100450563 Mus musculus Serpind1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 claims 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N silicide(1-) Chemical compound [Si-] HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- KPWDGTGXUYRARH-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trichloroethanol Chemical compound OCC(Cl)(Cl)Cl KPWDGTGXUYRARH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 HCl Chemical class 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
Описано спосіб, придатний для осушення поверхонь підкладинок, виготовлених з ряду матеріалів, таких як напівпровідники, метали, пластмаси та, зокрема кремній. Кремній (1) занурюють у рідинну ванну (2) і виймають з рідини (3), причому рідина у рідинній ванні (2) містить водний розчин фтористого водню (3) з концентрацією від 0,001 до 50%. Кремнієва поверхня гідрофілізується за рахунок подавання газової суміші кисню і озону одразу ж по завершенні процесу осушення. За рахунок додавання газової суміші кисню і озону в процесі осушення відбувається очищення поверхні, оскільки озон розчиняється в даній рідині в області її поверхні.
Description
Опис винаходу
Даний винахід стосується способу очисного осушення поверхонь таких матеріалів, як напівпровідники, 2 кераміка, метал, скло, пластмаса, зокрема, кремнієвих пластинок і лазерних дисків, згідно з яким підкладинка занурюється у ванну, заповнену рідиною, а поверхня цієї підкладинки сушиться під час її видалення з рідини, наприклад завдяки спрямуванню газу над поверхнею рідини, причому цей газ розчиняється у цій рідині та знижує її поверхневий натяг.
У процесі виробництва мікроелектронних приладів кремній, який застосовують у вигляді монокристальних 710 пластинок, значною мірою забруднюється або зазнає пошкоджень в результаті різання, полірування, лакування або подібних технологічних процесів. З цієї причини кремній звичайно очищують на декількох стадіях, які, головним чином, проводять у ванні з рідиною. Різні хімічні очищення можуть бути селективно ефективними для різних видів забруднюючих домішок (таких як: частинки, органічні покриття, функціональні органічні групи 5іІ-СК з або групи металів, які виявляють подібну хімічну активність один відносно одного). Для звільнення кремнієвої 12 поверхні від хімічних продуктів та для уникнення їх змішування стадії хімічного очищення звичайно чергуються із стадіями промивання. Вищий ступінь чистоти води має значення для зведення до мінімуму ризику повторного забруднення поверхні металами при нейтральній величині рН фактора.
Існує ризик повторного забруднення кремнію забруднюючими домішками, такими як частинки або метали, які були вилучені у першій фазі очисного циклу, так як забруднюючі домішки присутні на наступних промивних стадіях або в хімічних продуктах, таких як стабілізатори для Н 205, які використовуються на наступних очисних стадіях. Повний очисний цикл завершується стадією осушення.
Відомо багато різних технологій осушення кремнієвих поверхонь. Такі способи осушення передбачають сухе обертання за рахунок центробіжних сил, а також осушення з використанням розчинників, таких як трихлоретанол або дихлорметан. Крім того, існують технології осушення, в яких використовується гаряче повітря, гаряча вода с або ізопропіловий спирт. Одним із недоліків цієї поширеної технології осушення є те, що кремнієві пластинки Ге) зазнають значної напруги за рахунок великих механічних сил. Відповідно, виникає суттєва небезпека пошкодження країв пластинки і, крім того, внаслідок рухів кремнієвої пластинки відносно носія можливе генерування частинок. У крайньому випадку, особливо коли пластинки є тоншими або зазнали термообробки, така напруга може призвести до розламування пластинок і таким чином вивести з ладу весь осушуваний об'єкт, о забруднюючи частинками оточуючі пластинки. Ге)
Процедури осушення також можуть зумовлювати значні витрати за рахунок використання дорогих хімічних продуктів, застосування яких є необхідним. Зрештою, одним із недоліків всіх вищезгаданих способів є небезпека ке, повторного забруднення очищених поверхонь металами у процесі осушення. «--
Відомі способи осушення кремнію описані у статті "Ультрачисте осушення в газах і рідинах З за Марангоні" 3о у книзі "Частинки в газах і рідинах З: Виявлення, Характеристика і Контроль" ("ОКгасігап Магапдопі Огуїпд іп о
Сазез апа ІГідцідв" іп Рагісіев іп Савез апа Іідцідв З: Оеїйесіоп, СпПагасіегізайоп апа Сопігої, під ред.
К.Г. МійаЇ, Ріепит Ргевзз, Мем МогКк, 1993, 269 - 282). Описаний у цій статті спосіб передбачає занурення кремнієвих пластинок у ванну з водою, після чого їх виймають звідти, пропускаючи над ванною газову суміш « ізопропілового спирту з азотом. Ізопропіловий спирт розчиняється у воді і, розчинений, знижує її поверхневий З 70 натяг. Відомий спосіб осушення грунтується на так званому принципі МАРАНГОНІ або на ефекті МАРАНГОНІ. В с основі цього принципу лежить той факт, що, коли кремнієві пластинки виймаються з ванни з водою, у висхідній,
Із» незначною мірою увігнутій області між кремнієвою та водною поверхнею концентрація ізопропілового спирту є вищою, ніж на поверхні води, віддаленій від кремнієвої поверхні. Вища концентрація ізопропілового спирту в області між кремнієвою та водною поверхнями зумовлює нижчий поверхневий натяг на цій ділянці порівняно з рештою водної поверхні. Такий градієнт поверхневого натягу спричиняє стікання води від кремнієвої поверхні до і-й решти водної поверхні, в результаті чого має місце осушення поверхні кремнію. Недоліком даного способу є - забруднення води металом, в результаті чого також забруднюється металом кремнієва поверхня. Крім того, на поверхні може утворюватися органічний залишок, що зумовлюється використанням ізопропілового спирту. Таким б чином, існує необхідність у створенні способів осушення кремнієвої поверхні без її забруднення металом та/або
Ге»! 20 іншими забруднюючими домішками.
Винахід стосується способів осушення поверхонь. Способи згідно з винаходом забезпечують чистоту с» очищуваних поверхонь та їх ефективне осушення. Способи згідно з винаходом можуть застосовуватися до поверхонь різних матеріалів, включно з напівпровідниками, металами (зокрема, алюмінієм), пластмасами, склом та керамікою. Винахід є особливо придатним для осушення та очищення лазерних дисків та напівпровідникових 52 кремнієвих пластинок. Слід мати на увазі, що спосіб згідно з винаходом, тим не менше, є придатним для
ГФ) осушення підкладинок будь-якої відповідної фізичної форми, особливо у формі пластинок, плат або дисків. юю У першому варіанті реалізації винахід стосується способу осушення поверхні підкладинки, у якому останню занурюють у ванну з рідиною і потім, відповідно, виділяють з рідини у той час, як над поверхнею рідини подається газ, причому цей газ розчиняється у рідині і знижує її поверхневий натяг. Наприклад, бо напівпровідникова кремнієва пластинка може сушитися під час її видалення з рідинної ванни, що містить водний розчин фтористого водню з концентраціями від О0,001956 до 5095, з допомогою газової суміші кисню та озону (05/03), яка подається над поверхнею водного розчину фтористого водню.
У другому варіанті реалізації винаходу винахід стосується способу осушення поверхні підкладинки, коли підкладинка є зануреною і, по суті, ізольована від рідинної ванни, а газова суміш спрямовується над поверхнею бо підкладинки після її вилучення з рідинної ванни. Наприклад, напівпровідникова кремнієва пластинка може бути занурена у водний розчин фтористого водню з концентрацією від 0,00195 до 5095, а газова суміш, що складається з кисню та озону, спрямовується над поверхнею кремнієвої пластинки під час її вилучення з водного розчину фтористого водню.
Даний винахід описується з посиланням на креслення, на яких:
На Фіг.1 показано видалення кремнієвої пластинки з ванни, яка містить водний розчин фтористого водню, з додаванням газової суміші кисню та озону.
На Фіг.2 показано видалення кремнієвої пластинки з ванни, яка містить водний розчин фтористого водню, без додавання кисню та озону. 70 На Фіг.За - Зс показано хімічні процеси очищення або гідрофілізації кремнієвої поверхні з використанням способів згідно з винаходом.
У першому варіанті реалізації винаходу газова суміш, що подається над поверхнею розчину фтористого водню, містить суміш кисню з азотом, також в якості газу-носія може використовуватися азот або подібний газ.
Газ-носій має бути хімічно інертним до компонентів газової суміші, кисню та озону. До придатних газів 7/5 Відносяться повітря (азот, кисень, вуглекислий газ), вуглекислий газ, гелій, неон, аргон, криптон, ксенон та радон. Частка озону в газовій суміші кисню і озону становить переважно від мг до 0,5г на літр газової суміші
О2/О3. Газова суміш може складатися лише з кисню та озону. Якщо використовується газ-носій, частка газової суміші, тим не менше, становить більше 1095.
Атоми кремнію, активні на поверхні, утворюють хімічні зв'язки з воднем та фтором (5і-Н, 5Іі-Р). В 2о результаті цього, завдяки гідрофобному характеру поверхні, стає можливим її осушення навіть при дуже низьких температурах. Величина рН водного розчину фтористого водню, яка є меншою 7, запобігає повтореному забрудненню поверхонь металами в процесі осушення. Крім того, фтористий водень очищає ванну з рідиною від забруднюючих металічних домішків, які існують в окисненій (- іонізованій) формі, такій як залізо, і утримує їх у рідині у вигляді фторидних комплексів металу. Якщо озон подається над поверхнею водного розчину сч ов фтористого водню згідно з першим варіантом реалізації винаходу, він частково розчиняється у водному розчині фтористого водню і перетворює ковалентно зв'язані сполуки 5і-Ме в іонні сполуки, Ме-утворюючі метали. і)
Крім того, відповідно до концентрацій озону під час його розчинення у водному розчині фтористого водню має місце ефект МАРАНГОНІ. Кремнієва поверхня виходить з водного розчину фтористого водню гідрофільною, тобто вона змочується водою або водними розчинами. со зо У способі відповідно до другого варіанта реалізації винаходу газову суміш кисню та озону пропускають над кремнієвою поверхнею лише після її осушення. Таким чином, гідрофілізація кремнієвої поверхні відбувається ісе) лише після процедур осушення. Перевагою даного способу є дуже швидке осушення кремнію. В обох варіантах «о згідно з винаходом розділення кремнію і водного розчину фтористого водню може бути здійснене або підйомом кремнію з цього розчину, або спусканням розчину фтористого водню, або поєднанням двох цих способів. --
У випадку способу відповідно до першого варіанта втілення винаходу відносна швидкість розділення, яка ю становить швидкість видалення кремнію з розчину або швидкість спуску розчину з ванни, дорівнює приблизно від 1 до 5Омм/сек., бажано приблизно від З до 1Омм/сек. Така низька швидкість є перевагою способу, оскільки ефект
МАРАНГОНІ особливо ефективний при низьких швидкостях. У випадку способу згідно з другим варіантом реалізації винаходу відносна швидкість розділення кремнію та поверхні розчину становить приблизно від 0,1 до « 20см/сек, переважно приблизно від 0,5 до З,Осм/сек, так як осушення може бути здійснене дуже швидко. Крім з с того, водний розчин фтористого водню може містити добавки, такі як органічні сполуки (наприклад, спирт, ізопропіловий спирт та етилендіамінтетраоцтова кислота), органічні кислоти (такі як мурашина кислота, оцтова з кислота та лимонна кислота), кислоти (такі як НСІ, НзРО,, НСІО, НСІО», НСІОз та НСІО,)), поверхнево-активні речовини (катіонні або аніонні) або тверді добавки, такі як фторид амонію, за умови, що вони не порушують описаних вище ефектів та ефективного очищення і осушення кремнію. Кислоти додаються у кількостях від «сл приблизно 0 ваг.9о до 50 ваг.9о, органічні сполуки додаються у кількостях від 0 ваг.9о до 80 ваг.9б5, поверхнево-активні речовини - у кількостях від 0 ваг.95 до приблизно 5 ваг.95, а тверді добавки - від 0 ваг.9о - до приблизно 50 ваг.9о. Можливі специфічні застосування, при яких може бути досягнутий сильніший від б згаданого ефект або краще очищення і осушення шляхом додавання до водного розчину фтористого водню однієї або більше кислот. Перевага надається НСІ, НьбЗО»Х, НзРО, та їх сумішам. Тим не менше, будь-яка одна
Ме. або більше із вказаних вище кислот може додаватися у зазначених кількостях. Перевага надається наступним сю сумішам кислот: НЕ/НСІ, НЕ/НСІ/НьЬЗО,, НЕ/НзРОХ, НЕ/НзРО,/НСІ, НЕ/НзРО,/НьЗО, та НЕ/НзРО,/НСІ/НьЬЗО,. У іншому випадку розчин фтористого водню може бути відігнаний до концентрації с - 0 (чиста вода).
Крім того, бажаним є збагачення або насичення водного розчину фтористого водню озоном перед ов Зануренням у нього кремнію, оскільки в результаті одержують чистіші кремнієві поверхні. Ряд моношарів кремнію окиснюється, а потім руйнується. Таким чином, очищення може бути ефективним навіть для металів, які
Ф) знаходяться близько під поверхнею (у випадку забруднення підповерхонь). Концентрація фтористого водню ка становить від 0,0195 до приблизно 0,1 95. Можливий наступний діапазон: від 095 (чиста вода) до 9095 (концентрований фтористий водень). 60 Сталий вміст озону порівняно з насиченим станом може бути досягнутий тривалим подаванням потоку газової суміші кисню з озоном до резервуара з розчином фтористого водню (наприклад, "барботуванням"). На вміст озону та насичений стан мають вплив інші параметри, такі як температура, концентрація фтористого водню та додавання добавок (головним чином поверхнево-активних речовин). Успішне очищення і осушення може досягатися тривалим подаванням потоку газової суміші кисню та озону. У варіанті, якому надається 65 перевага, потік газу подається із швидкістю, яка приблизно становить від 50 до ЗбОл/год, а генерування озону становить приблизно від 10 до Б50г/год. Визначена величина концентрації озону у розчині фтористого водню дорівнює від 10 до 8Омг/л.
Ще однією перевагою даного винаходу є те, що процедура осушення може проводитися при температурі від
О до 100"С, переважно при 20 - 5070.
Приклад
На Фіг.1 показана кремнієва пластинка 1, яку повільно виймають із ванни 2, наповненої водним розчином фтористого водню 3, після того, як її було повністю занурено у цю ванну. Напрям вилучення кремнієвої пластинки 1 показано вертикальною стрілкою, направленою вгору над кремнієвою пластинкою. Швидкість вилучення переважно становить приблизно від З до 10 міліметрів за секунду. Стрілка по діагоналі до поверхні 7/0 кремнієвої пластинки вказує на одночасне подавання газової суміші кисню з озоном над поверхнею водного розчину, поблизу поверхні пластинки.
Під час повільного видалення кремнієвої пластинки 1 з водного розчину фтористого водню З, поверхня цього розчину прилипає до спрямованої вгору кремнієвої поверхні. Це показано направленими вгору кривими поверхні рідини в області між поверхнею розчину та поверхнею кремнієвої пластинки 1. У точці А розчиняється більше /5 озону, ніж в інших областях поверхні розчину, наприклад, позначених точкою В. Так як у точці А концентрація озону є вищою, ніж у точці В, у точці А поверхневий натяг менший, ніж у точці В. За рахунок такого градієнта поверхневого натягу водний розчин фтористого водню стікає від точки А до точки В, осушуючи кремнієву поверхню.
На Фіг.2 показано кремнієву підкладинку 1, яку повільно виймають з ванни 2, наповненої водним розчином фтористого водню 3, після її повного занурення у ванну.
Напрям вилучення показано вертикальною стрілкою, направленою вгору над кремнієвою пластинкою.
Внаслідок гідрофобності поверхні кремнію поверхня рідини вигнута у напрямку вниз відносно кремнієвої поверхні. Гідрофілізація кремнієвої поверхні озоном відбувається лише після завершення процесу осушення.
На Фіг.За показано, що розчин фтористого водню у вигляді водного розчину забезпечує руйнування шарів сч ов оксиду кремнію, в яких можуть бути включені іони металів, таких як залізо.
Забруднюючі домішки металу, такого як мідь, атоми якого безпосередньо зв'язані з атомами кремнію, (8) видаляються за рахунок окиснювально-відновлювальних процесів, як показано на Фіг.Зр.
На Фіг.Зс показано окиснення кремнієвої поверхні озоном.
Таким чином, кремній виходить з осушувальної ванни цілком чистим, гідрофільним та сухим. с зо Інші варіанти реалізації винаходу будуть зрозумілими фахівцеві у даній галузі техніки. Хоча у варіантах реалізації та прикладах описується осушення кремнієвих пластинок, винахід може застосовуватися до ікс, підкладинок, виготовлених, крім кремнію, з ряду матеріалів, таких як метали, пластмаси, скло та кераміка. «о
Термін "підкладинка" не зводиться лише до позначення підкладинок, які несуть електронну схему, він також стосується будь-якої утримувальної поверхні, яка має відповідну фізичну форму, таку як пластинки, плати або --
Зв ДИСКИ. Обсяг охорони винаходу не обмежується характерними прикладами його реалізації і визначається ю наведеною нижче формулою винаходу.
Claims (25)
- Формула винаходу « | що Й ші с 1. Спосіб осушення поверхні підкладинки (1), який передбачає: занурення підкладинки у ванну з рідиною (2); :з» пропускання над поверхнею ванни з рідиною газу, який розчиняється у цій рідині і тим самим знижує її поверхневий натяг; та розділення підкладинки (1) і рідини (3) з такою швидкістю, що різниця між поверхневим натягом рідини, яка с має вищу концентрацію розчиненого газу біля поверхні підкладинки, та рідини, яка має нижчу концентрацію розчиненого газу у віддаленій області від поверхні підкладинки, зумовлює осушення підкладинки під час її - відділення від рідини, який відрізняється тим, що рідина в рідинній ванні (2) містить водний розчин фтористого ФО водню (3), а газ містить суміш кисню з озоном.
- 2. Спосіб осушення поверхні підкладинки (1), який передбачає: (2) занурення підкладинки у ванну з рідиною (2); с» видалення підкладинки з ванни з рідиною (2), який відрізняється тим, що рідина в рідинній ванні (2) містить водний розчин фтористого водню (3), причому поверхня підкладинки є гідрофобною під час видалення і вона виймається з ванни з такою швидкістю, яка робить можливим стікання рідини з гідрофобної поверхні підкладинки з метою одержання сухої поверхні; та тим, що газ, який містить суміш кисню з озоном і гідрофілізує поверхню підкладинки, спрямовують над її поверхнею після виділення підкладинки (1) з рідинної
- (Ф. ванни. ГІ З. Спосіб згідно з п. 2, який відрізняється тим, що відносна швидкість розділення підкладинки (1) та поверхні водного розчину фтористого водню (3) становить приблизно від 0,1см/сек. до 20см/сек. во
- 4.Спосіб згідно з п. 3, який відрізняється тим, що відносна швидкість розділення підкладинки (1) та поверхні водного розчину фтористого водню (3) становить приблизно від О,5см/сек. до З,Осм/сек.
- 5. Спосіб згідно з одним із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що рідина в рідинній ванні (2) містить водний розчин фтористого водню (3) з концентрацією приблизно від 0,00195 до 50905.
- 6. Спосіб згідно з п. 5, який відрізняється тим, що концентрація фтористого водню у водному розчині 65 становить приблизно від 0,0195 до 0,190.
- 7. Спосіб згідно з одним із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що підкладинка виготовлена з кремнію.
- 8. Спосіб згідно з одним із пп. 1-6, який відрізняється тим, що підкладинка виготовлена з кераміки або скла.
- 9. Спосіб згідно з одним із пп. 1-6, який відрізняється тим, що підкладинка виготовлена з пластмаси.
- 10. Спосіб згідно з одним із пп. 1-6, який відрізняється тим, що підкладинка виготовлена з металу.
- 11. Спосіб згідно з одним із пп. 1-6, який відрізняється тим, що підкладинка виготовлена у формі лазерного диска.
- 12. Спосіб згідно з будь-яким із пп. 1-11, який відрізняється тим, що підкладинка (1) вилучається з рідинної ванни (3) підйомом підкладинки з ванни.
- 13. Спосіб згідно з будь-яким із пп. 1-11, який відрізняється тим, що підкладинка (1) вилучається з рідинної 7/о ванни (3) спуском рідини з ванни (2).
- 14. Спосіб згідно з будь-яким із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що рідинна ванна (3) містить принаймні один додаток, вибраний з групи, що складається з кислот, органічних кислот, поверхнево-активних речовин та твердих додатків.
- 15. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що принаймні один додаток є кислотою, вибраною з групи, /5 яка складається з НСІ, НзРО», НазО», НСІО, НСІО», НСІО» та НСІО,.
- 16. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що водний розчин містить суміші кислот, вибрані з групи, яка складається з НСІ/НЬРО»Х, НзРО,)НСЇІ, НзРО,)/НьЗО»Х та НзРО,))/НСІ/НьЬЗО»Х.
- 17. Спосіб згідно з будь-яким із пп. 14-16, який відрізняється тим, що кислоту додають до досягнення концентрації 5Оваг.9о.
- 18. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що принаймні один додаток є органічною кислотою, вибраною з групи, яка складається з мурашиної, оцтової та лимонної кислоти.
- 19. Спосіб згідно з п. 18, який відрізняється тим, що вказану органічну кислоту додають до досягнення кінцевої концентрації приблизно 8Оваг.9о.
- 20. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що вказану поверхнево-активну речовину додають до сч об досягнення кінцевої концентрації приблизно 5ваг.90о.
- 21. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що вказаним твердим додатком є фторид амонію. (8)
- 22. Спосіб згідно з п. 14, який відрізняється тим, що вказаний твердий додаток додають до досягнення кінцевої концентрації приблизно 5Оваг.9о.
- 23. Спосіб згідно з будь-яким із пп. 1-22, який відрізняється тим, що процес проходить при температурі від 0 с зо до 10076.
- 24. Спосіб згідно з п. 23, який відрізняється тим, що процес проходить при температурі від 20 до 507С. ісе)
- 25. Спосіб згідно з будь-яким із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що частка озону в газовій Ге суміші кисню з озоном становить від мг до О,5г на літр газової суміші О5/О3. «- Офіційний бюлетень "Промислоава власність". Книга 1 "Винаходи, корисні моделі, топографії інтегральних ю мікросхем", 2002, М 12, 15.12.2002. Державний департамент інтелектуальної власності Міністерства освіти і науки України. -с . а 1 - (е)) б 50 Фе (Ф) ко бо б5
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19531031A DE19531031C2 (de) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
| PCT/EP1996/003541 WO1997008742A1 (en) | 1995-08-23 | 1996-08-09 | Procedure for drying silicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA51663C2 true UA51663C2 (uk) | 2002-12-16 |
Family
ID=7770207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA98020935A UA51663C2 (uk) | 1995-08-23 | 1996-09-08 | Спосіб осушення кремнію |
Country Status (24)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP1199740B1 (uk) |
| JP (1) | JP3857314B2 (uk) |
| KR (1) | KR19990037642A (uk) |
| CN (1) | CN1091542C (uk) |
| AT (2) | ATE309613T1 (uk) |
| AU (1) | AU697397B2 (uk) |
| CA (1) | CA2228168A1 (uk) |
| CZ (1) | CZ291335B6 (uk) |
| DE (3) | DE19531031C2 (uk) |
| DK (2) | DK0846334T3 (uk) |
| ES (2) | ES2250292T3 (uk) |
| HK (2) | HK1010280A1 (uk) |
| HU (1) | HUP9802482A3 (uk) |
| IL (1) | IL123042A (uk) |
| MX (1) | MX9801464A (uk) |
| NO (1) | NO980734D0 (uk) |
| PL (1) | PL183355B1 (uk) |
| PT (1) | PT846334E (uk) |
| RU (1) | RU2141700C1 (uk) |
| SI (1) | SI1199740T1 (uk) |
| SK (1) | SK284835B6 (uk) |
| TW (1) | TW427952B (uk) |
| UA (1) | UA51663C2 (uk) |
| WO (1) | WO1997008742A1 (uk) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19613620C2 (de) | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
| DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
| DE19833257C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-09-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE19927457C2 (de) * | 1999-06-16 | 2002-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe |
| DE10036691A1 (de) | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
| DE10064081C2 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE10360269A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-28 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren zur schnellen Mischung von kleinvolumigen Flüssigkeiten und Kit zu dessen Anwendung |
| WO2006066115A2 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | The Procter & Gamble Company | Process for extracting liquid from a fabric |
| KR100897581B1 (ko) | 2007-11-14 | 2009-05-14 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 건조 방법 |
| RU2486287C2 (ru) * | 2011-04-29 | 2013-06-27 | Антон Викторович Мантузов | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов |
| CN114993028B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-05-30 | 高景太阳能股份有限公司 | 一种硅片烘干处理方法及系统 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2722783A1 (de) * | 1977-05-20 | 1978-11-30 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum reinigen von silicium |
| US4169807A (en) * | 1978-03-20 | 1979-10-02 | Rca Corporation | Novel solvent drying agent |
| DE3317286A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung |
| FR2591324B1 (fr) * | 1985-12-10 | 1989-02-17 | Recif Sa | Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation |
| JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
| US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
| NL8900480A (nl) * | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
| JPH0366126A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Sharp Corp | 絶縁膜の製造方法及びその製造装置 |
| JPH0466175A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-03-02 | Seiko Epson Corp | 水切り乾燥方法 |
| JPH04346431A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
| CN1071153C (zh) * | 1993-09-22 | 2001-09-19 | 莱格西系统公司 | 处理流体中半导体晶片的方法和装置 |
-
1995
- 1995-08-23 DE DE19531031A patent/DE19531031C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-09 CN CN96196222A patent/CN1091542C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 DE DE69635427T patent/DE69635427T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 KR KR1019980701119A patent/KR19990037642A/ko active Search and Examination
- 1996-08-09 HU HU9802482A patent/HUP9802482A3/hu unknown
- 1996-08-09 DE DE69624830T patent/DE69624830T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 IL IL12304296A patent/IL123042A/en not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 JP JP50977197A patent/JP3857314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 CA CA002228168A patent/CA2228168A1/en not_active Abandoned
- 1996-08-09 ES ES01130669T patent/ES2250292T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 EP EP01130669A patent/EP1199740B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 SK SK212-98A patent/SK284835B6/sk unknown
- 1996-08-09 SI SI9630728T patent/SI1199740T1/sl unknown
- 1996-08-09 AT AT01130669T patent/ATE309613T1/de active
- 1996-08-09 DK DK96929234T patent/DK0846334T3/da active
- 1996-08-09 AU AU68720/96A patent/AU697397B2/en not_active Ceased
- 1996-08-09 PL PL96325121A patent/PL183355B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 RU RU98104458A patent/RU2141700C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 WO PCT/EP1996/003541 patent/WO1997008742A1/en active IP Right Grant
- 1996-08-09 PT PT96929234T patent/PT846334E/pt unknown
- 1996-08-09 ES ES96929234T patent/ES2186800T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 EP EP96929234A patent/EP0846334B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 CZ CZ1998517A patent/CZ291335B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 AT AT96929234T patent/ATE227885T1/de active
- 1996-08-09 DK DK01130669T patent/DK1199740T3/da active
- 1996-08-20 TW TW085110167A patent/TW427952B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-08 UA UA98020935A patent/UA51663C2/uk unknown
-
1998
- 1998-02-20 NO NO980734A patent/NO980734D0/no unknown
- 1998-02-23 MX MX9801464A patent/MX9801464A/es not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK98111262A patent/HK1010280A1/xx not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK02104685.0A patent/HK1043661B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| US5954885A (en) | Cleaning method | |
| EP0385536B1 (en) | Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid | |
| US6637445B2 (en) | Substrate processing unit | |
| UA51663C2 (uk) | Спосіб осушення кремнію | |
| KR960026331A (ko) | 반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
| EP1408534B1 (en) | A method and a device for producing an adhesive surface of a substrate | |
| US6495215B1 (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
| JPH118213A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| JP2002118088A (ja) | 半導体ウェハを化学的に処理する方法 | |
| US20020179112A1 (en) | Method of cleaning electronic device | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| KR100228372B1 (ko) | 실리콘 표면이 노출된 웨이퍼 세정 방법 | |
| JPH07297166A (ja) | 電子デバイス製造用基板の乾燥装置 | |
| WO1989000895A1 (en) | Surface treatment to remove impurities in microrecesses | |
| KR19990051872A (ko) | 반도체장치의 게이트절연막 형성 전의 세정방법 | |
| JPH05343380A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| KR940008005A (ko) | 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 | |
| JPH05136115A (ja) | 半導体基板の保存方法 | |
| JPH02235337A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPH0964007A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 |