[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

NL8900480A - Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. Download PDF

Info

Publication number
NL8900480A
NL8900480A NL8900480A NL8900480A NL8900480A NL 8900480 A NL8900480 A NL 8900480A NL 8900480 A NL8900480 A NL 8900480A NL 8900480 A NL8900480 A NL 8900480A NL 8900480 A NL8900480 A NL 8900480A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
liquid
substrates
vapor
shaped member
organic solvent
Prior art date
Application number
NL8900480A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8900480A priority Critical patent/NL8900480A/nl
Priority to DE69012373T priority patent/DE69012373T2/de
Priority to EP90200409A priority patent/EP0385536B1/en
Priority to JP2042302A priority patent/JP3009699B2/ja
Priority to KR1019900002291A priority patent/KR0173449B1/ko
Priority to CN90100958A priority patent/CN1023450C/zh
Publication of NL8900480A publication Critical patent/NL8900480A/nl
Priority to US07/914,654 priority patent/US6012472A/en
Priority to US09/126,621 priority patent/US6139645A/en
Priority to US09/502,724 priority patent/US6170495B1/en
Priority to US09/711,231 priority patent/US6533872B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het behandelen van substraten waarbij deze gedurende enige tijd in een bad met een vloeistof worden ondergedompeld en daar vervolgens zo langzaam worden uitgenomen dat praktisch alle vloeistof in het bad achterblijft. De uitvinding heeft eveneens betrekking op een inrichting voor het uitvoeren van zo'n werkwijze.
Een dergelijke werkwijze kan bijvoorbeeld toegepast worden bij de vervaardiging van elektrische schakelingen op allerlei substraten, zoals bijvoorbeeld geïntegreerde schakelingen op plakken halfgeleidermateriaal (zoals silicium), aansturingen voor liquid crystal displays op doorzichtige platen van glas of kwarts of schakelingen of kunstofplaten (circuit boards). Ook kan de werkwijze worden toegepast bij de vervaardiging van schaduwmaskers voor televisieibeeldbuizen of bij de vervaardiging van CD en VLP platen. In al deze gevallen worden de substraten vele malen gedurende enige tijd in een bad met een vloeistof ondergedompeld. Bijvoorbeeld in galvanische baden voor depositie van metalen, in etsbaden om patronen te etsen in metaallagen of in halfgeleidermateriaal, in ontwikkelbaden om belichte lagen fotolak te ontwikkelen en in spoelbaden om de substraten te reinigen. Na behandeling in het vloeistofbad worden de substraten uit de vloeistof genomen en gedroogd. Het uit de vloeistof nemen kan door de substraten uit de vloeistof te tillen of te trekken maar natuurlijk ook door de vloeistof uit het bad weg te laten lopen.
Uit het Amerikaanse octrooi Nr. 4 722 752 is een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort bekend, waarbij siliciumplakken gedurende enige tijd ter reiniging worden ondergedompeld in een bad met heet (90°C) gedeioniseerd water. Vervolgens worden de siliciumplakken langzaam, met een snelheid van circa 5 cm per minuut, uit het water getild. Dit gaat langzaam genoeg om ervoor te zorgen dat de siliciumplakken praktisch droog uit het bad komen. Hierbij zou de oppervlaktespanning van de vloeistof een rol spelen.
Het blijkt in de praktijk dat er bij deze manier van drogen verontreinigingen uit de vloeistof op de substraten kunnen achterblijven. Het blijkt dat er bij toepassing van de bekende beschreven werkwijze op de siliciuraplakken een waterfilm met een dikte van enkele pm achterblijft. Deze waterfilm verdampt vervolgens snel maar dit kan aanleiding geven tot zogenaamde droogvlekken (drying marks). Tijdens de droging kan de waterfilm samentrekken, zodat verontreinigingen in het water, vaak van organische of metallische aard, plaatselijk geconcentreerd achterblijven op de plakken. Dergelijke resten kunnen zeer hinderlijk zijn als de plakken bijvoorbeeld nog aan een etsbehandeling onderworpen moeten worden. Zij kunnen het etsen plaatselijk vertragen of zelfs verhinderen. Verder blijven natuurlijk ook in de waterfilm aanwezige stofdeeltjes op de plakken achter.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd een werkwijze te verschaffen waarbij genoemde bezwaren zijn ondervangen.
Daartoe heeft de in de aanhef genoemde werkwijze, volgens de uitvinding, als kenmerk, dat de substraten vanuit de vloeistof direkt m kontakt worden gebracht met een daar niet op condenserende damp van een met de vloeistof mengbare stof, die bij menging daarmee een mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof. Het blijkt dan verrassenderwijs, dat er op de substraten na het op deze wijze drogen ervan geen droogvlekken en verontreinigingen meer voorkomen. Hef blijkt verder uit proeven dat als erop de substratgen al een vloeistoffilm achterblijft deze dunner moeten zijn dan 3 nm.
Vermoed wordt, dat de veel betere droging bij de werkwijze volgens de uitvinding, waarbij kennelijk veel minder tot geen vloeistof achterblijft op de substraten, wordt bewerkstelligd door het Marangoni effekt. Wanneer een lyofiel substraat gedeeltelijk in een vloeistof wordt gedompeld, dan vormt de vloeistof bij het substraat een holle meniscus. Op het substraat bevindt zich dan een vloeistoffilm met een in de richting van het vloeistofbad toenemende dikte. Wordt een dergelijke vloeistoffilm in kontakt gebracht met een niet op het substraat condenserende damp van een met de vloeistof mengbare stof, dan zal deze stof zo mengen met de vloeistof in de film, dat zijn concentratie daarin aanvankelijk in de richting van het vloeistofbaö afneemt. De concentratie van de stof vertoont dan in de vloeistoffilm een gradiënt. Omdat de stof bij menging met de vloeistof een mengsel geeft met een oppervlaktespanning die lager is dan die van de vloeistof, zal de gradiënt in concentratie een gradiënt in oppervlaktespanning in de vloeistoffilm veroorzaken. Door deze gradiënt wordt een extra kracht op de vloeistoffilm in de richting van het vloeistofbad uitgeoefend (Marangoni-effekt). Aldus wordt een betere droging van de substraten verkregen.
Bij de werkwijze volgens de uitvinding condenseert de damp niet op de substraten. Zou dit wel het geval zijn, dan zouden de substraten nadat ze uit de vloeistof zijn genomen bedekt zijn met een laagje gecondenseerde damp. Zo'n laagje moet natuurlijk ook verwijderd worden, waardoor het droogproces langer gaat duren. Verder kan zo'n laagje het substraat aantasten. Dit is bijvoorbeeld het geval als het laagje een organisch oplosmiddel bevat en als het substraat bijvoorbeeld voorzien is van een fotolakpatroon. In de praktijk zullen ook meer stofdeeltjes op de substraten achterblijven na droging daarvan. Uit een proef met een op de substraten condenserende damp bleken op de substraten circa tien keer zo veel stofdeeltjes aanwezig te zijn als met een daar niet op condenserende damp. Een niet op de substraten condenserende damp heeft een dampdruk die bij de temperatuur van het bad en de substraten niet verzadigd is, een wel op de substraten condenserende damp heeft wel zo'n dampdruk.
Zoals hiervoor al opgemerkt is kunnen substraten in verschillende vloeistofbaden worden behandeld. In de praktijk bevatten deze baden echter meestal water. In dat geval wordt bij voorkeur, als een met de vloeistof mengbare stof een organisch oplosmiddel gebruikt. Het blijkt, dat vele alcoholen, glycolen, aldehyden, esters en ketonen maar ook een oplosmiddel als tetrahydrofuraan een goede droging van de substraten kunnen bewerkstelligen. Ook kan vaak de werkwijze volgens de uitvinding met sukses worden toegepast als genoemde baden andere vloeistoffen, zoals bijvoorbeeld alcohol, bevatten. De substraten kunnen vanuit alcohol bijvoorbeeld direkt in kontakt gebracht worden met de damp van het organische oplosmiddel 1,1,1 trifluorotrichloroetaan om een goede droging te verkrijgen.
Bevat het bad waarin de substraten gedurende enige tijd worden ondergedompeld water, dan wordt, volgens de uitvinding, bij voorkeur een organisch oplossmiddel gebruikt, met een oplosbaarheid in water die groter is dan 1 gram per liter en met een dampdruk die ligt tussen 25 en 25.000 Pascal. Uit proeven blijkt dat onder deze omstandigheden goede droogresultaten verkregen worden. Is de oplosbaarheid in water kleiner dan genoemd bedrag, dan wordt kennelijk te weinig damp in de vloeistof opgenomen om een oppervlaktespanningsgradiënt te veroorzaken dat voldoende groot is om » de gewenste droging te geven. Is de dampdruk lager dan genoemde ondergrens, dan wordt kennelijk ook niet voldoende damp in de vloeistof opgenomen. Is de dampdruk hoger dan genoemde bovengrens, dan wordt zoveel damp in de vloeistof opgenomen, dat ook dan kennelijk een oppervlaktespanningsgradiënt ontstaat die te klein is om de gewenste droging te geven.
De substraten kunnen relatief snel, met een snelheid tot 1,5 cm per seconde, uit water genomen worden, als, volgens de uitvinding, een organisch oplosmiddel uit de groep met. ethylglycol, 1 propanol, 2-propanol en tetrahydrofuraan wordt gebruikt.
Worden substraten die zijn bedekt met een laag fotolak uit water (bijvoorbeeld na ontwikkeling) genomen, dan worden bij voorkeur als organisch oplosmiddel van 2-propanol gebruikt. De fotolak wordt door deze damp praktisch niet aangetast.
Bij voorkeur worden de substraten met de damp in kontakt gebracht door de damp te mengen met een draaggas en door dat mengsel over de vloeistof te leiden. Aldus kan de damp plaatselijk en in hoge concentratie in kontakt worden gebracht met de susbstraten. De druk van de damp kan daarbij zo gekozen worden, dat genoemde condensatie ervan op de substraten gemakkelijk wordt voorkomen.
Worden substraten, bijvoorbeeld plakken silicium, uit een vloeistof genomen en zoals hiervoor beschreven in kontakt gebracht met een geschikte damp, door deze met behulp van een in de vloeistof aanwezig heforgaan gedeeltelijk boven de vloeistof te brengen, dan zullen die delen die dan boven de vloeistof uitsteken droog zijn. Worden daarna de substraten bij die droge delen vastgepakt en verder de vloeistof uitgetild, dan kan aan die delen van de substraten die het laatst de vloeistof verlaten en druppel vloeistof blijven hangen. Een dergelijke druppel vloeistof aan de rand van een overigens droog substraat hoeft geen bezwaar te zijn, maar kan aanleiding geven tot, hiervoor al genoemde, problemen. Verrassenderwijs is gebleken, dat de vorming van dergelijke druppels is vermeden, als, volgens de uitvinding, bij het uit de vloeistof nemen van de substraten die delen ervan die de vloeistof het laatst verlatenf tijdens het verlaten van de vloeistof ondersteund worden door een mesvormig orgaan. Genoemde druppels vloeien dan af naar dit mesvormig orgaan. Het is bijzonder praktisch als de? substraten met behulp van het mesvormige orgaan uit de vloeistof getild worden.
De uitvinding heeft tevens betrekking op een inrichting voor het uitvoeren van de in de aanhef genoemde werkwijze welke inrichting is voorzien van een heforgaan om de substraten boven de vloeistof te tillen en van middelen om de droge substraten boven de vloeistof aan te pakken.
Uit het Amerikaanse Octrooi Nr. 4,722,752 is een dergelijke inrichting bekend, waarbij het heforgaan de substraten gedeeltelijk uit de vloeistof tilt waarna de substraten op droge delen ervan worden aangepakt en verder uit de vloeistof getild door een substraatcassette. Het heforgaan blijft hierbij onder de vloeistof, zodat natte delen van de substraten bij het verlaten van de vloeistof noch met het heforgaan, noch met de substraatcassette in kontakt zijn. Op dergelijke kontaktplaatsen zouden druppels vloeistof achter kunnen blijven.
Om een goede droging van de substraten te verkrijgen worden deze, zoals hiervoor beschreven, direkt bij het verlaten van de vloeistof in kontakt gebracht met een daar niet op condenserende damp van een stof die bij menging met de vloeistof een mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof. Daartoe is de inrichting, volgens de uitvinding, voorzien van leidingen met uitstroomopeningen om deze damp in het gewenste kontakt met de substraten te brengen.
Aan de onderkant van de substraten die in de bekende inrichting uti de vloeistof genomen worden, blijft de druppel vloeistof hangen. Om dit te voorkomen, is de inrichting, volgens de uitvinding, voorzien van een mesvormig orgaan dat de substraten tijdens het uit de vloeistof tillen ondersteunt op die delen van de substraten die de vloeistof het laatst verlaten. Genoemde druppels vloeien dan via het mesvormige orgaan af.
Bij voorkeur wordt het mesvormig orgaan aangebracht op het heforgaan, zodat de substraten door het mesvormig orgaan uit de vloeistof getild worden. Aldus is een praktische en eenvoudige inrichting verkregen.
. /-v et » - Λ
De uitvinding wordt in het navolgende, bij wijze van voorbeeld, nader toegelicht aan de hand van een tekening en enkele uitvoeringsvoorbeelden. In de tekening tonen:
Fig. 1 een schematische langsdoorsnede van de inrichting volgens de uitvinding,
Fig. 2 een dwarsdoorsnede van de inrichting getoond in Fig. 1 volgens de lijn I-I en
Figuren 3-6 schematisch enkele stadia van uitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding met behulp van de inrichting getoond in de figuren 1 en 2.
De figuren 1 en 2 tonen schematisch een inrichting voor het uitvoeren van een werkwijze voor het behandelen van substraten 1 waarbij deze gedurende enige tijd in een bad 2 met een vloeistof 3 worden ondergedompeld en daar vervolgens zo langzaam worden uitgenomen, dat praktisch alle vloeistof 3 in het bad 2 achterblijft. Hoewel deze werkwijze toegepast kan worden voor behandeling van allerlei soorten substraten zoals platen van glas, kwarts of kunststof worden in voorbeeld siliciumplakken behandeld. Wanneer op dergelijke plakken halfgeleiderdevices gemaakt worden, zoals transistors, diodes of geïntegreerde schakelingen, dan worden deze plakken vele malen enige tijd in een bad met vloeistof ondergedompeld. Bijvoorbeeld in een ets-, ontwikkel- of reinigingsbad. Na deze behandelingen worden de plakken 1 uit de vloeistof 3 genomen en gedroogd.
In de in de figuren 1 en 2 getekende inrichting zijn d>-substraten 1 ondergedompeld in de vloeistof 3. Zij zijn opgesteld in een tefloncassette 4 met zijwanden 5 die zijn voorzien van groeven 6 voor het opnemen van de substraten 1. De zijwanden 6 zijn onderling verbonden door dwarswanden 7. De cassette 4, die voor de duidelijkheid niet vol substraten 1 getekend is, kan in de praktijk vaak veel meer substraten bevatten dan in de tekening is aangegeven. De cassette 4 staat in de vloeistof 3 op twee draagarmen 8 die door middel van assen 9 die door de bodem 10 van het bad 2 steken en die door verder niet getekende aandrijfmiddelen omhoog bewogen kunnen worden, zodat de cassette 4 uit de vloeistof 3 getild kan worden. Boven de vloeistof 3 is een hulpcassette 11 opgesteld met zijwanden 12 die zijn voorzien van groeven 13 voor het opnemen van de substraten 1. De zijwanden 12 zijn onderling verbonden door dwarswanden 14. De hulpcassette 11 kan, geleid door in de tekening vanwege de duidelijkheid niet getekende geleiders verticaal op en neer bewegen. In zijn laagste positie bevindt hij zich, zoals in de figuren 1 en 2 getekend, op geringe afstand van de vloeistof 3.
Verder bevat de inrichting nog een heforgaan 15 dat door middel van assen 16 die door de bodem 10 van het bad 2 steken en die door verder niet getekende aandrijfmiddelen omhoog bewogen kan worden. Aldus kunnen de substraten 1 vanuit de cassette 4 in de hulpcassette 11 geschoven worden.
Ook bevat de inrichting nog gasleidingen 17 met uitstroommonden 18 om de substraten 1 wanneer zij vanuit de cassette 4 in de hulpcassette 11 geschoven worden, direkt na het verlaten van de vloeistof 3 in kontakt te brengen met een damp van een met de vloeistof 3 mengbare stof die bij menging daarmee een mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof 3. De substraten die dan droog uit de vloeistof getild worden worden boven de vloeistof aangepakt door de hulpcassette 11.
De figuren 3 tot en met 6 tonen schematisch enkele stadia van uitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding met behulp van de hiervoor beschreven inrichting.
In figuur 3 is stadium zoals dat ook getekend is in de inrichting van figuren 1 en 2 nogmaals weergegeven. De substraten 1 bevinden zich onder de vloeistof 3 in de cassette 4. De substraten 1 worden, nadat ze gedurende enige tijd in de vloeistof ondergedompeld zijn geweest, uit de vloeistof genomen door ze met behulp van het heforgaan 15 vanuit de cassette 4 in de hulpcassette 11 te schuiven, zoals is aangegeven in de figuren 4 en 5. Daarna wordt de cassette 4 uit de vloeistof getild waarbij deze de hulpcassette 11 die vertikaal beweegbaar is meeneemt, zoals aangegeven in figuur 6. De cassette 4, die droog uit de vloeistof komt omdat deze van een waterafstotend materiaal vervaardigd is, met de dan droge substraten 1 kan dan worden weggenomen.
De substraten 1 worden hierbij zo langzaam uit de vloeistof 3 genomen, dat praktisch alle vloeistof in het bad achterblijft. Volgens de uitvinding worden de substraten 1 vanuit de vloeistof 3 direkt in kontakt gebracht met een daar niet op condenserende damp van een met de vloeistof mengbare stof die bij menging daarmee een mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof heeft. Het blijkt, dat dan de substraten 1 praktisch geen droogvlekken of andere verontreinigingen vertonen. Worden de substraten 1 met de inrichting als hiervoor beschreven uit een bad met water genomen zonder toevoer van genoemde damp, dan blijkt dat er op de substraten 1 een waterfilm met een dikte van enkele pm achterblijft. Deze film verdampt wel snel, maar dan blijven droogvlekken en andere verontreinigingen uit de waterfilm op de substraten 1 achter. De droogvlekken bevatten in het algemeen organische en metallische resten die zeer hinderlijk kunnen zijn bij de verdere bewerking van de substraten.
In de praktijk is de vloeistof 3 in het bad 2 dikwijls water. Bij voorkeur wordt dan als met de vloeistof mengbare stof een organisch oplosmiddel gebruikt. Het blijkt dat vele alcoholen, aldelhyden, esters en ketonen en bijvoorbeeld ook tetrahydorluraar. een goede droging van de substraten kunnen bewerkstelligen. Bij voorkeur wordt verder een organisch oplosmiddel gebruikt met een oplosbaarheid in water die groter is dan 1 gram per liter en met een dampspanning die ligt tussen 25 en 25.000 Pascal. Zoals uit de uitvoeringsvoorbeelden nog zal blijken worden dan goede drcogiesultaten verkregen. Is de oplosbaarheid kleiner dan genoemd bedrag of ligt de dampdruk buiten het genoemde gebied, dan is de droging minder goed en dan zijn zoals ook nog zal blijken droogvlekken op de behandelde substraten te zien.
De substraten kunnen relatief snel, met een snelheid tot 1,5 cm per seconde uit water genomen worden als, volgens de uitvinding, een organischoplosmiddel uit de groep met ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol en tetrahydrofuraan wordt gebruikt.
Worden substraten die zijn bedekt met een laag fotolak uit water, bijvoorbeeld uit een ontwikkelbad, genomen, dan wordt als organisch oplosmiddel bij voorkeur 2-propanol gebruikt. De fotolak wordt dan praktisch niet aangetast.
Bij voorkeur worden de substraten 1 in kontakt gebracht met de damp door deze op gebruikelijke wijze te mengen met een draaggas en door daarna dit mengsel via de leidingen 17 en de uitstroommonden 18 over de vloeistof 3 te leiden. Aldus kan de damp plaatselijk en in hoge concentratie toegevoerd worden zonder dat condensatie van de damp op de substraten 1 optreedt.
Zoals uit de figuren blijkt, worden volgens de uitvinding, bij het uit de vloeistof 3 nemen van de substraten 3 die delen die de vloeistof 3 het laatst verlaten, tijdens het verlaten van de vloeistof 3 ondersteund door een mesvormig orgaan 19. Volgens de uitvinding maakt dit mesvormig orgaan 19 deel uit van het heforgaan 15 en worden de substraten door het mesvormige orgaan 19 uit de vloeistof getild. Het mesvormige orgaan 19 is bijvoorbeeld vervaardigd van kwartsglas en vertoont een tophoek van minder dan 100°. Bij het uit de vloeistof 3 tillen van de substraten vloeit nu alle vloeistof via dit mesvormige orgaan 19 af. Zonder de substraten 1 in het stadium van de werkwijze zoals aangegeven in figuur 4 bij hun droge deel worden vastgepakt en verder de vloeistof 3 worden uitgetrokken dan zou aan de substraten 1 een druppel vloeistof blijven hangen. Juist deze laatste druppel vloeit af via het mesvormige orgaan 19. Zoals verder ook uit de figuren blijkt, is er tussen de natte delen van de substraten 1 bij het verlaten van de vloeistof 3 geen kontakt met de cassette 1 en met de hulpcassette 11. Was dit wel het geval dan zouden op die plaatsen waar een dergelijk kontakt aanweig was, druppels vloeistof kunnen blijven hangen.
ültvoerjngsvoorbeelden:
Op de hiervoor beschreven manier werden siliciumschijven - die van tevoren op gebruikelijke wijze gereinigd waren in een ü.V. ozonkast. - in water ondergedompeld en daar vervolgens weer met een snelheid van circa 1 mm per seconde weer uitgetild. Het water was met opzet sterk verontreinigd tot een 1 M NaCl oplossing. De substraten werden bij het verlaten van de vloeistof direkt in contact gebracht met de daar niet op condenserende damp van verschilende oplosmiddelen, die mengbaar zijn met water en een mengsel geven met een oppervlaktespanning die lager is dan die van water, door circa 0,5 liter stikstof per seconde door een wasfles met het organische oplosmiddel te leiden en door vervolgens het gasmengsel via de leidingen 17 en de uitstroommonden 18 over de vloeistof te leiden. In de volgende tabel zijn de resultaten van deze experimenten weergegeven. In de kolomresultaat is met "+" aangeduid dat er op de substraten geen droogvlekken zijn waar te nemen onder een microscoop bij een vergroting van 500 maal, met "—" is aangegeven dat dit wel het geval is. Verder zijn in de tabel de dampdruk en de oplosbaarheid van de onderzochte organische oplosmiddelen aangegeven.
Het blijkt dat deze beide grootheden binnen de hiervoor al aangegeven grenzen moeten liggen om een goede droging te verkrijgen van de substraten. In de tabel genoemde volledige oplosbaarheid betekent, dat mengsels gevormd kunnen worden met een concentratie tussen 0 en 100% aan organisch oplosmiddel.
TABEL:
Oplosmiddel Dampdruk Oplosbaarheid Resultaat in in water (Pa) (gr/liter)
Ethyleenglycol δ volledig
Ethylglycol 500 " + 1- Propanol 1.870 " + 2- Propanol 4.300 " +
Tetrahydrofuraan 20.000 " + 4-hydroxy-4- 100 " + methyl-2-penthamon 1- butanol 670 790 + 2- butanol 1.730 125 +
Piethylether 58.700 12
Tetrachloormethaan 12.000 0,8
Ocraan 1.500 0,1

Claims (12)

1. Werkwijze voor het behandelen van substraten waarbij deze gedurende enige tijd in een bad met een vloeistof worden ondergedompeld en daar vervolgens zo langzaam worden uitgenomen dat praktisch alle vloeistof in het bad achterbiljftf met het kenmerk, dat de substraten vanuit de vloeistof direkt in kontakt worden gebracht met een daar niet op condenserende damp van een met de vloeistof mengbare stof, die bij menging daarmee een mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat als met de vloeistof mengbare stof een organisch oplosmiddel wordt gebruikt.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat een organisch oplosmiddel wordt gebruikt met een oplosbaarheid in water die groter is dan 1 gram per liter en met een dampdruk die ligt tussen 25 en 25.000 Pascal.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk dat een organisch oplosmiddel wordt gebruikt uit de groep met ethylglycol, 1- propanol, 2-propanol en tetrahydrofuraan.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat als organisch oplosmiddel 2-propanol wordt gebruikt.
6. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat. de substraten met de damp in kontakt worden gebracht door de damp te mengen met een draaggas en door dat mengsel over de vloeistof te leiden.
7. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat bij het uit de vloeistof nemen van de substraten die delen ervan die de vloeistof het laatst verlaten, tijdens het verlaten van de vloeistof ondersteund worden door een mesvormig orgaan.
8. Werkwijze volgens conclusie 7 met het kenmerk dat de substraten met behulp van het mesvormig orgaan uit de vloeistof getild worden.
9. Inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze volgens conclusie 1, welke inrichting is voorzien van een heforgaan om de substaten uit de vloeistof te tillen en van middelen om de droge substraten boven de vloeistof aan te pakken, met het kenmerk, dat de inrichting verder is voorzien van gasleidingen met uitstroommonden om de substraten bij het. verlaten van de vloeistof direkt in kontakt te brengen met de daar niet op condenserende damp van de met de vloeistof mengbare stof die bij menging daarmee en mengsel geeft met een lagere oppervlaktespanning dan de vloeistof,
10. Inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de inrichting verder is voorzien van een mesvormig orgaan dat de substraten tijdens het uit de vloeistof tillen ondersteunt op die delen van de substraten die de vloeistof het laatst verlaten.
11. Inrichting volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat het mesvormig orgaan is aangebrachtop het heforgaan, zodat de substraten door het mesvormig orgaan uit de vloeistof worden getild.
12. Inrichting volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat het mesvormig orgaan is vervaardigd van kwartsglas en een tophoek vertoont van minder dan 100°.
NL8900480A 1989-02-27 1989-02-27 Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. NL8900480A (nl)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900480A NL8900480A (nl) 1989-02-27 1989-02-27 Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
DE69012373T DE69012373T2 (de) 1989-02-27 1990-02-21 Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach Behandlung in einer Flüssigkeit.
EP90200409A EP0385536B1 (en) 1989-02-27 1990-02-21 Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid
JP2042302A JP3009699B2 (ja) 1989-02-27 1990-02-22 基板の処理方法
KR1019900002291A KR0173449B1 (ko) 1989-02-27 1990-02-23 기판 처리방법 및 그 장치
CN90100958A CN1023450C (zh) 1989-02-27 1990-02-24 对经液体处理后的基片进行清洁干燥的方法和装置
US07/914,654 US6012472A (en) 1989-02-27 1992-07-15 Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid
US09/126,621 US6139645A (en) 1989-02-27 1998-07-30 Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid
US09/502,724 US6170495B1 (en) 1989-02-27 2000-01-14 Apparatus for treating substrates using the marangoni effect
US09/711,231 US6533872B1 (en) 1989-02-27 2000-11-13 Method and arrangement for drying substrates after treatment in a liquid

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900480A NL8900480A (nl) 1989-02-27 1989-02-27 Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
NL8900480 1989-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8900480A true NL8900480A (nl) 1990-09-17

Family

ID=19854214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8900480A NL8900480A (nl) 1989-02-27 1989-02-27 Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.

Country Status (7)

Country Link
US (4) US6012472A (nl)
EP (1) EP0385536B1 (nl)
JP (1) JP3009699B2 (nl)
KR (1) KR0173449B1 (nl)
CN (1) CN1023450C (nl)
DE (1) DE69012373T2 (nl)
NL (1) NL8900480A (nl)

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH06103686B2 (ja) * 1989-11-24 1994-12-14 シー エフ エム テクノロジーズ，インコーポレイテッド 表面乾燥処理方法および装置
NL9000484A (nl) * 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
JPH04215878A (ja) * 1990-03-14 1992-08-06 Seiko Epson Corp 液中ジェット洗浄方法及び洗浄装置
WO1993006949A1 (en) 1991-10-04 1993-04-15 Cfm Technologies, Inc. Ultracleaning of involuted microparts
JP2639771B2 (ja) * 1991-11-14 1997-08-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JPH06196472A (ja) * 1992-12-22 1994-07-15 Soltec:Kk ウェットエッチング方法及びウェット洗浄方法
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
CN1071153C (zh) † 1993-09-22 2001-09-19 莱格西系统公司 处理流体中半导体晶片的方法和装置
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
DE4428169C2 (de) * 1994-08-09 1996-07-11 Steag Micro Tech Gmbh Träger für Substrate
US5571337A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5634978A (en) * 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5849104A (en) * 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5958146A (en) * 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
DE19546990C2 (de) * 1995-01-05 1997-07-03 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
DE19549487C2 (de) * 1995-01-05 2000-11-16 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
JPH08211592A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Nikon Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
DE19517573C2 (de) * 1995-05-12 2000-11-02 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten in einem Behälter
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
DE19531031C2 (de) * 1995-08-23 1997-08-21 Ictop Entwicklungsgesellschaft Verfahren zum Trocknen von Silizium
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
US5845660A (en) * 1995-12-07 1998-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate washing and drying apparatus, substrate washing method, and substrate washing apparatus
TW310452B (nl) * 1995-12-07 1997-07-11 Tokyo Electron Co Ltd
EP0784336A3 (en) 1995-12-15 1998-05-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices
DE19613620C2 (de) * 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19800584C2 (de) * 1998-01-09 2002-06-20 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
DE19637875C2 (de) * 1996-04-17 1999-07-22 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19703646C2 (de) * 1996-04-22 1998-04-09 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
JP4421686B2 (ja) 1996-06-24 2010-02-24 インテルウニフェルシテール ミクロエレクトロニカ セントルム フェライニジンク ゾンダ ウィンストベヤーク 平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
DE19640848C2 (de) * 1996-10-03 1998-07-16 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19706072C1 (de) * 1997-02-17 1998-06-04 Steag Microtech Gmbh Pliezhaus Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
US6350322B1 (en) * 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6164297A (en) * 1997-06-13 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus for objects to be processed
JP3151613B2 (ja) 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
US5884640A (en) * 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
EP0905748B1 (en) * 1997-09-24 2006-03-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JP3043709B2 (ja) 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
JPH11176798A (ja) * 1997-12-08 1999-07-02 Toshiba Corp 基板洗浄・乾燥装置及び方法
CN1107970C (zh) * 1997-12-10 2003-05-07 Cfmt公司 电子元件制造用的湿法处理方法
DE19800951A1 (de) * 1998-01-13 1999-07-15 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten
DE19800949A1 (de) * 1998-01-13 1999-07-15 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen eines Gegenstandes
DE19802579A1 (de) * 1998-01-23 1999-07-29 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten
KR100452542B1 (ko) 1998-04-14 2004-10-12 가부시끼가이샤가이죠 세정물 건조장치 및 건조방법
US6047717A (en) * 1998-04-29 2000-04-11 Scd Mountain View, Inc. Mandrel device and method for hard disks
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6571806B2 (en) 1998-09-04 2003-06-03 Komag, Inc. Method for drying a substrate
US6216709B1 (en) 1998-09-04 2001-04-17 Komag, Inc. Method for drying a substrate
DE19859468C2 (de) * 1998-12-22 2002-01-17 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln und Handhaben von Substraten
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6955516B2 (en) * 2001-11-02 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US6495215B1 (en) 1999-05-26 2002-12-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
DE19924302A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6355111B1 (en) 1999-11-24 2002-03-12 International Business Machines Corporation Method for removing contaminants from a workpiece using a chemically reactive additive
DE19960241A1 (de) * 1999-12-14 2001-07-05 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
US6293616B1 (en) * 2000-01-10 2001-09-25 Ford Global Technologies, Inc. Modular rail for roof and windshield
JP2001291698A (ja) * 2000-04-10 2001-10-19 Nec Corp 処理装置および処理方法
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
ATE452419T1 (de) * 2000-06-27 2010-01-15 Imec Verfahren und vorrichtung zum reinigen und trocknen eines substrats
US6508014B2 (en) 2001-02-16 2003-01-21 International Business Machines Corporation Method of drying substrates
DE10122669A1 (de) * 2001-05-10 2002-12-12 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten
US7513062B2 (en) * 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US20030136429A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Semitool, Inc. Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
DE10215283B4 (de) * 2002-04-05 2004-06-03 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme von Substraten
US20040031167A1 (en) * 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
KR100480606B1 (ko) * 2002-08-01 2005-04-06 삼성전자주식회사 아이피에이 증기 건조 방식을 이용한 반도체 웨이퍼 건조장치
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040129297A1 (en) * 2003-01-03 2004-07-08 Settlemyer Kenneth T. Method and system for reducing effects of halfpitch wafer spacing during wet processes
KR20050015411A (ko) * 2003-08-05 2005-02-21 삼성전자주식회사 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법
US6977215B2 (en) * 2003-10-28 2005-12-20 Nec Electronics America, Inc. Tungsten plug corrosion prevention method using gas sparged water
DE10359320A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-21 Scp Germany Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
JP2006080420A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Ses Co Ltd 基板処理法及び基板処理装置
DE102004058386B4 (de) * 2004-12-03 2007-06-21 Alfing Montagetechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Unterkühlen von Montageteilen
DE102004060980A1 (de) * 2004-12-17 2006-07-06 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur Trocknung von Substraten
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
TWI364524B (en) * 2005-05-13 2012-05-21 Lam Res Ag Method for drying a surface
CN101262938B (zh) * 2005-06-28 2011-10-26 迦南精机株式会社 表面改质构件、表面处理方法及表面处理装置
JP5043021B2 (ja) * 2005-10-04 2012-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を乾燥するための方法及び装置
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
US20110195579A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe-line draining during wet-bench etch and clean processes
US9508582B2 (en) 2011-06-03 2016-11-29 Tel Nexx, Inc. Parallel single substrate marangoni module
US9293305B2 (en) * 2011-10-31 2016-03-22 Lam Research Corporation Mixed acid cleaning assemblies
DE102013102545A1 (de) 2012-04-27 2013-10-31 Awt Advanced Wet Technologies Gmbh Verfahren zum Behandeln von zumindest einem Substrat in einem flüssigen Medium
DE102014207266A1 (de) 2014-04-15 2015-10-15 Siltronic Ag Verfahren zum Trocknen von scheibenförmigen Substraten undScheibenhalter zur Durchführung des Verfahrens
JP6489524B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7241568B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7281925B2 (ja) * 2019-03-07 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN110544654B (zh) * 2019-08-27 2022-04-15 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片处理装置和处理方法
EP3840023B1 (en) 2019-12-18 2022-10-19 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates
EP3840021B1 (en) 2019-12-18 2022-10-19 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates
EP3840022B1 (en) 2019-12-18 2022-10-05 Siltronic AG Improved device for drying semiconductor substrates

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4463774A (en) * 1983-01-28 1984-08-07 The Boeing Company Fuselage-mounted valve for condensate drainage and cabin-air pressurization
JPS60223130A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Sharp Corp 基板の洗滌乾燥方法及びその装置
JPH0673352B2 (ja) * 1984-05-18 1994-09-14 松下電器産業株式会社 高圧ジェット洗浄方法
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4778532A (en) * 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
JPS6263422A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウエ−ハ処理用治具
US4746397A (en) * 1986-01-17 1988-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Treatment method for plate-shaped substrate
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
JPH0789547B2 (ja) * 1986-07-02 1995-09-27 松下電器産業株式会社 乾燥方法
JPS6315048U (nl) * 1986-07-16 1988-02-01
JPS6327576A (ja) * 1986-07-22 1988-02-05 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨プレ−ト用接着剤
NL8601939A (nl) * 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
JPS6356921A (ja) * 1986-08-28 1988-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理方法
JPH0695514B2 (ja) * 1986-12-25 1994-11-24 株式会社トクヤマ 乾燥方法
JPS63182818A (ja) * 1987-01-26 1988-07-28 Hitachi Ltd 乾燥装置
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4828751A (en) * 1987-08-28 1989-05-09 Pcr, Inc. Solvent composition for cleaning silicon wafers
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
US5129955A (en) * 1989-01-11 1992-07-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02291128A (ja) 1990-11-30
US6139645A (en) 2000-10-31
US6533872B1 (en) 2003-03-18
DE69012373T2 (de) 1995-04-20
KR0173449B1 (ko) 1999-04-01
DE69012373D1 (de) 1994-10-20
EP0385536A1 (en) 1990-09-05
JP3009699B2 (ja) 2000-02-14
US6012472A (en) 2000-01-11
US6170495B1 (en) 2001-01-09
CN1023450C (zh) 1994-01-12
EP0385536B1 (en) 1994-09-14
CN1045539A (zh) 1990-09-26
KR900013597A (ko) 1990-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8900480A (nl) Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5105556A (en) Vapor washing process and apparatus
US6132811A (en) Procedure for the drying of silicon
JP5424848B2 (ja) 半導体基板の表面処理装置及び方法
US6637445B2 (en) Substrate processing unit
JPH0878372A (ja) 有機物除去方法及びその装置
AU697397B2 (en) Procedure for the drying of silicon
KR101457732B1 (ko) 조기 건조를 방지하는 장치, 시스템, 및 방법
JPH04251930A (ja) 洗浄処理後の基板の乾燥処理方法並びに乾燥処理装置
US6979653B1 (en) Semiconductor fabrication methods and apparatus
US6495215B1 (en) Method and apparatus for processing substrate
US6030754A (en) Photoresist removal without organic solvent following ashing operation
US5815942A (en) Vapor drying system and method
JP2502232B2 (ja) 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法
Marra Ultraclean Marangoni Drying
JP2588524Y2 (ja) 基板の純水引上げ乾燥装置
JP2699468B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100431186B1 (ko) 웨이퍼의 세정 및 건조 방법
CN115430665A (zh) 一种从半导体中去除纳米级颗粒的基质激光清洗方法
JPH06291105A (ja) 化合物半導体単結晶基板の洗浄、乾燥方法
JPH09205056A (ja) レジスト剥離と水洗方法
JPH0878370A (ja) 半導体基板の洗浄装置と洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed