TWI222047B

TWI222047B - Electro-optical device

Info

Publication number: TWI222047B
Application number: TW090109396A
Authority: TW
Inventors: Hisaki Kurashina
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-04-21
Filing date: 2001-04-19
Publication date: 2004-10-11
Also published as: CN1366652A; KR100481593B1; JP3591513B2; US6825891B2; WO2001082273A1; CN1267782C; US6597413B2; US20020060756A1; KR20020026193A; US20030189683A1; US6665024B2; US20040070708A1

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 _ B7 五、發明説明（1) 【技術範圍】本發明係有關主動矩陣驅動方式之光電裝置之技術範圍，尤其關於將對於畫素電極而言，爲附加蓄積容量之容量電極及容量線，和畫素開關用之薄膜電晶體（以下爲方便稱TFT)，具備於基板上之堆積構造中之形成的光電裝置之技術範圍。【背景技術】於T F T驅動所成之主動矩陣驅動方式之光電裝置中，於T F T之閘極電極，藉由掃瞄線供給掃瞄信號。 T F T係成爲開啓狀態，於半導體之源極範圍，藉由資料線供給之畫像信號則藉由該T F T之源極-汲極間供予畫素電極。如此畫像信號之供給係藉由各T F T，於每畫素電極僅以短時間進行之故，將藉由T F T供給之畫素供給之電壓，較此開啓狀態之時間，更爲長時間加以保持之故，於各畫素電極（與液晶容量等並列），附加蓄積容量者爲一般的。有關之蓄積容量一般而言具備自構成連接於畫素電極之T F T之汲極範圍的導電性之多晶矽膜等延伸設置之畫素電極電位所成容量電極，和於此容量電極包含藉由介電質膜對向配置之電極部分成爲所定電位所成容量線加以構成。然後，如此之容量線係自掃瞄線和同一導電膜（例如、導電性之多晶矽膜）所構成，一般而言平行於掃瞄線，並加以橫排者爲一般的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -4- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

1222047 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2) 【發明之揭示】於此種之光電裝置中，有強烈將顯示畫像之高品位化之一*般性之請求’爲此，將畫素間隔加以微細化’提局畫素數値口徑（即，於各畫素中，對於顯示光不能透過之各畫素之非開口範圍，擴張透過顯示光之開口範圍）爲重要之部分。 B 但是，於畫素顯示範圍內’根據掃瞄線和容量線則橫列配線之前述背景技術，如此地，伴隨微細間隔之畫素之高數値口徑化，可配線掃瞄線或容量線之各畫素之非開口範圍則會變狹。爲此，愈進行畫素間隔之微細化，會產生製作充分大之蓄積容量，或於掃瞄線或容量線有供予充分之導電性之困難性的問題。結果，無法獲得充分之蓄積容量，或無法於掃瞄線或容量線得充分之導電性時，最終而言，會產生顯示畫像中之串訊或鬼影增大，使畫質劣化之問題。即，伴隨微細間隔之畫素之高數値口徑化，爲使如此畫質劣化明顯化之畫質提升，有難以解決困難之問題。本發明係有鑑於上述之問題，提高畫素數値口徑的同時，可達成蓄積容量之增大（或抑制蓄積容量之減少），可減低串訊或鬼影，提供可高品質之畫像顯示之光電裝置爲課題。本發明之光電裝置係爲解決上述課題，於基板上具備相交叉之掃瞄線及資料線，和連接於該掃瞄線及資料線之薄膜電晶體，和連接於該薄膜電晶體之畫素電極，和包含連接於前述畫素電極呈畫素電極電位的畫素電位側容量電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 B7 五、發明説明（3) 極和於該畫素電位側容量電極，藉由介電質膜加以對向配置呈所定電位的固定電位側容量電極，對於前述掃瞄線堆積形成之蓄積容量者。根據本發明之光電裝置時，蓄積容量係對於掃瞄線（例如藉由層間絕緣膜）堆積形成，包含成爲連接於畫素電極之畫素電極電位的畫素電位側容量電極和於該畫素電位 φ側容量電極藉由介電質膜，成爲對向配置之所定電位的固定電位側容量電極。因此，於基板上，平面性地視之，利用形成重疊於掃瞄線之範圍的畫素電位側容量電極，和於此對向配置之固定電位側容量電極，於重疊於該掃瞄線之範圍可構築蓄積容量。此時，將如前述背景技術之固定電位側容量電極（或容量線），無需於掃瞄線配線呈橫並行之故，經由該橫排之掃瞄線及固定電位側容量電極（或容量線）之存在，可以不擴張各畫素之非開口範圍。即，於基板上，將固定電位側容量電極（或容量線），經由立體 I地重疊於掃瞄線加以形成，擴張各畫素之開口範圍地，將固定電位側容量電極（或容量線）經由擴張可配置之範圍地，可相對增大蓄積容量。因此，經由確保充分之線寬度，於掃瞄線或固定電位側容量電極（或容量線），可充分供予導電性，尤其達成微細間隔之畫素之高數値口徑地，減低顯示畫像中之串訊或鬼影，而提升畫質。本發明之光電裝置之一形態中，前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之上側者〇本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1222047 A7 ____ B7 ___ 五、發明説明（5) 係位於前述基板上之前述掃瞄線之下側者。根據此形態時，利用重疊於掃瞄線下側之非開口範圍，展開製作蓄積容量之範圍。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述蓄積容量係在於前述基板上之前述資料線之上側之層間位置者。根據此形態，於基板上，在於較資料線上側之層間位 φ置的同時，利用重疊於掃猫線之非開口範圍，展開製作蓄積容量之範圍。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述蓄積容量係在於前述基板上之前述資料線和前述掃瞄線間之層間位置者。根據此形態時，於基板上，在於資料線和掃瞄線間之層間位置的同時，利用重疊於掃猫線之非開口範圍，展開製作畜積容量之範圍。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述固定電位側 φ 容量電極及前述畫素電位側容量電極之一方係由與前述資料線同一之導電層所成者。根據此形態，例如將具有A L (鋁）膜等所成資料線和同一導電層所成容量電極的蓄積容量，構築於重疊於掃瞄線之非開口範圍。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側容量電極之上側者。根據此形態時，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側容量電極之上側之故，將畫素電極及薄膜電晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ____1!^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（6) 體中之一方和畫素電位側容量電極，藉由連接孔，可較爲簡單地電氣性連接。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側容量電極之下側者。根據此形態時，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側容量電極之下側之故，將畫素電極及薄膜電晶 B體中之一方和畫素電位側容量電極，藉由連接孔，可較爲簡單地電氣性連接。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之上側者。根據此形態，例如將位於基板上之堆積構造之最上層附近之畫素電極，經由製作於該下方之層間位置之薄膜電晶體，得開關控制之構成。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之下側者。根據此形態，例如將位於基板上之堆積構造之最下層附近之畫素電極，經由製作於該上方之層間位置之薄膜電晶體，得開關控制之構成。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述蓄積容量係加上前述掃瞄線，對於前述資料線堆積形成者。根據此形態，於基板上，將固定電位側容量電極（或容量線），不單是掃瞄線，於資料線經由立體地重疊形成，擴展各畫素之開口範圍地，經由擴展可配置固定電位側容量電極（或容量線）之範圍，可更爲增大蓄積容量。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） " -9 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 __ B7___ 五、發明説明（7) 本發明之光電裝置之其他之形態中，更具備連接於前述固定電位側容量電極，於前述基板上配線呈條紋狀或格子狀，於畫像顯示範圍外，掉落至所定電位的容量線。根據此形態時，於畫像顯示範圍內構成之蓄積容量之回定電位側容量電極係於基板，藉由配線呈條紋狀或格子狀的容量線，於畫像顯示範圍外，掉落至所定電位的容量 φ線。因此，利用在於畫像顯示範圍外之周邊範圍的周邊電路或驅動電路用之定電位線或定電位源，可將配置於畫像顯示範圍內之固定電位側容量電極，可較簡單且確實地成爲所定電位。於此形態中，前述容量線與前述固定電位側容量電極同一之導電層所成。根據此構成時，例如伴隨高融點金屬膜、多晶矽膜等所成的同時，位於構成重疊於掃瞄線延伸之容量線中之各蓄積容量的介電質膜上的部分之各個，做爲固定電位側容量電極加以工作。或於此形態中，前述容量線係與前述固定電位側容量電極另外之導電層所成。根據此構成時，例如伴隨高融點金屬膜、多晶矽膜等所成的同時，於重疊於掃瞄線延伸之容量線中，直接或藉由連接孔連接的島狀之固定電位側容量電極，配置於各蓄積容量之介電質膜上。有關固定電位側容量電極之具體材質係例如高融點金屬膜、多晶矽膜等。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-10- 1222047 A7 _ B7__ 五、發明説明（8) 容量電極係介入存在於前述薄膜電晶體和前述畫素電極間的島狀之導電膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據此形時’將島狀之導電膜所成畫素電位側容量電極’可將薄膜電晶體和畫素電極間，亦做爲中繼連接之中間導電層（或阻隔層）。於此形態中’前述薄膜電晶體和前述島狀之導電膜之 •連接部係形成於對應於前述資料線的範圍者亦可，前述畫素電極和前述島狀之導電膜之連接部係形成於對應於前述資料線的範圍者亦可，或前述畫素電極和前述島狀之導電膜之連接部係形成於對應於前述掃瞄線的範圍者亦可。根據此構成時，將島狀之導電膜之連接部，可位於重疊於掃瞄線或資料線之各畫素之非開口範圍內，經由該連接部，可不使開口範圍變狹。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述固定電位側容量電極係堆積於前述掃瞄線和前述畫素電位側容量電極 •之間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製根據此形態時，於畫素電極電位之畫素電位側容量電極和掃瞄線間，堆積成爲所定電位之固定電位側容纛電極之故，畫素電位側容量電極之電位變動則經由容量耦合’ 不會對於掃瞄線有不良影響（更且，掃瞄線之電位變動，經由容量耦合，於畫素電位容量電極會有不良影響）’可^ 低該蓄積容量重疊於掃猫線加以構築之構造的採用所成s 質劣化之故爲有利的。或本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素謹^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 - 1222047 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9) 側容量電極係較前述固定電位側容量電極，堆積於接近前述掃瞄線側者。根據此形態，對應畫像信號電位變動之畫素電位側容量電極係位接近於掃瞄線側’將介於畫素電位側容量電極及掃瞄線間的層間絕緣膜之膜厚，設定呈一定値以上厚程度時，將兩者間之容量耦合所成不良影響，可減低實踐意 φ味。即，於此時，根據實驗上、經驗上或模擬等，將兩者間之容量耦合成爲裝置形式上可忽視程度變小地’設定兩者間之層間絕緣膜之厚度即可。然而，做爲此等固定電位側容量電極，自導電性之透明膜（多晶矽膜等）另外加以形成亦可’利用爲規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜（高融點金屬膜等）亦可。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述固定電位側容量電極係堆積於前述資料線和即述畫素電位側容量電極之間。根據此形態，於成爲畫素電極電位之畫素電位側容量電極和資料線間，堆積成爲所定電位之固定電位側容量電極之故，畫素電位側容量電極之電位變動則經由容量耦合，不會將不良影響及於資料線（更且，資料線之電位變動經由經由容量耦合，於畫素側容量電極會有不良影響），可減低該蓄積容量重疊於資料線所構築之構造的利用之畫質劣化之故爲有利的。而且，根據此形態時’不單是重疊於掃瞄線之範圍，於重疊於資料線之範圍’亦堆積形成蓄積容量之故，可令蓄積容量更爲增大。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1222047 A7 B7 ___ 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側容量電極係較前述固定電位側容量電極，堆積於接近前述資料線側者。根據此形態，對應畫像信號電位變動之畫素電位側容量電極係位接近於掃瞄線側，將介於畫素電位側容量電極及資料線間的層間絕緣膜之膜厚，設定呈一定値以上厚程 •度時，將兩者間之容量耦合所成不良影響，在實踐意味上 ’可加以減低。即，於此時，根據實驗上、經驗上或模擬等，將兩者間之容量耦合成爲裝置形式上可忽視程度變小地，設定兩者間之層間絕緣膜之厚度即可。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述固定電位側容量電極係包含於前述基板上，在於沿掃瞄線範圍，堆積於前述掃瞄線和前述畫素電位側容量電極間的部分，包含於前述基板上，沿資料線之範圍中，堆積於前述資料線和前述畫素電位側容量電極間的部分者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製根據此形態，於基板上沿掃瞄線之範圍中，成爲所定電位之固定電位側容量電極部分，則堆積於掃瞄線和畫素電位側容量電極間之故，於此範圍，可減低掃瞄線及畫素電位側容量電極間之容量耦合之不良影響。同時，於基板上，於沿資料線之範圍中，成爲所定電位之固定電位側容量電極部分則堆積於資料線和畫素電位側容量電極間之故，於此範圍中，可減低資料線及畫素電位側容量電極間之容量耦合之不良影響。於此形態中，於沿前述掃瞄線之範圍中，由藉由前述本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1222047 A7 B7 五、發明説明（1) 介電質膜所堆積第1及第2導電膜中之另一方構成前述畫素電位側容量的同時，由前述第1及第2導電膜中之另一方構成前述固定電位側容量電極，且沿前述資料線之範圍中’由前述第1及第2導電膜中之另一方構成前述畫素電位側容量電極的同時，由前述第1及第2導電膜之一方構成固定電位側容量電極者亦可。 | 根據此構成時，於沿掃瞄線之範圍中，可減低掃瞄線及畫素電位側容量電極間之容量耦合之不良影響的同時，沿資料線之範圍中，可較爲容易獲得減低資料線及畫素電位側容量電極間之容量耦合之不良影響的構成。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側容量電極及前述固定電位側容量電極的一方，係令另一方自上下挾持的一對電極所成者。根據此形態時’畫素電位側容量電極及前述固定電位側容量電極的一方，係令另一方自上下挾持的一對電極所 B成之故，於基板上之同一面積’可構築更大之蓄積容量。於此形態中，前述固定電位側容量電極則令前述畫素電位側容量電極自上下加以挾持的一對電極所成者。於此形魅中’成爲畫素電極電位之畫素電位側容量電極係經由構成成爲所定電位之固定電位側容量電極之一對電極’自上下加挾持之故，畫素電位側容量電極之電位變動則不會經由容量親合’對於其他之掃瞄線或資料線有不良影響之波及（更且’掃瞄線或資料線之電位變動經由容量稱合會有不良影響波及畫素電位側容量電極），可減低 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製太紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公貉、一 - -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 _ B7_____ 五、發明説明（均採用將該掃瞄容量重疊於掃瞄線加以構築之構造的畫質劣' 化之故，因此爲有利的。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位彻1 容量電極及前述固定電位側容量電極之至少一方係具有M 光性者。根據此形態時，利用具有遮光性之畫素電位側容Λ β φ極或固定電位側容量電極，可進行對於薄膜電晶體之^ # ，可防止畫素之開口範圍之邊緣附近之光洩漏。本發明之光電裝置之其他之形態中，具有前述遮光;丨生之一方的容量電極係包含高融點金屬者。更具體而言’ ^ 如至少包含一個τ I (鈦）、C R (鉻）、W (鎢）、 Τ Α (鉅）、Μ〇（鉬）、Ρ Β (鉛）等之高融點金屬的金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物，堆積此等所成〇此容量電極具有遮光性之形態中，具有前述遮光性2 胃一方之容量電極係於前述基板上，位於前述薄膜電晶體之上層，且令各畫素之開口範圍至少部分加以規定的導電性之上層遮光膜所成之構成亦可。如此之構成時，固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極係規定各畫素之開口範圍之導電性之上層遮光膜所成（即，在於薄膜電晶體之上側的內藏遮光膜，加上本來之遮光機能，亦供予做爲固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極之機能）之故，爲形成有關之固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極，較將專用之導電膜另外追加本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-15- 1222047 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（θ 形成者，將堆積構造及製造工程單純化的方面非常有利。然而，如此之上層遮光膜係堆積於構成掃瞄線之導電膜和構成資料線之導電膜間亦可，或堆積於構成資料線之導電膜和構成畫素電極之導電膜間亦可。於此時，前述掃瞄線、前述資料線及前述薄膜電晶體係於前述基板上，由平面地加以視之，不自前述上層遮光 φ膜之形成範圍露出者亦可。如此構成之時，入射至基板上之入射光，自上層遮光膜之形成範圍滲出之掃瞄線、資料線或於薄膜電晶體之表面加以反射，可有效防止該光電裝置之內部之內面反射或多重反射光之產生。或，此容量電極具有遮光性之形態中，前述遮光性之 .一方的容量電極係被覆前述薄膜電晶體之至少通道範圍者亦可。根據如此之構成時，具有遮光性之固定電位側容量電 @極或畫素電位側容量電極係被覆薄膜電晶體之至少通道範圍之故，於通道範圍入射入射光或回復光，以光電效果所成光電流之產生，可有效果防止電晶體特性之變化。此形態中，前述遮光性之一方的容量電極係於前述基板上，位於前述薄膜電晶體之下層，且將前述至少通道範圍，自前述基板側視之被覆導電性之下層遮光膜所成者。根據此構成，固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極係將薄膜電晶體之至少通道範圍，自基板側視之（即，自薄膜電晶體之下側）被覆導電性之下層遮光膜所成（本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-16- 1222047 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（坳即，在於薄膜電晶體之下側的內藏遮光膜’加於本來之遮光機能，亦供予做爲固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極之機能）之故，爲形成有關固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極，將專用之導電膜於堆積構成中’較另外追加形成者，單純化堆積構造及製造工程上，非常的有利。 I 然而，如此之下層遮光層係於基板上，直接或藉由基材絕緣膜加以堆積。於此時，前述掃瞄線、前述資料線及前述薄膜電晶體係於前述基板上，由平面地加以視之，不自前述下層遮光膜之形成範圍露出者爲佳。如此之構成時，組合背面反射光，或複數之該光電裝 .置，穿過構成複板式之投影機時之合成光學系之光等之回復光，於自下層遮光膜之形成範圍露出之掃瞄線、資料線或薄膜電晶體之表面加以反射地，可有效果地防止該光電 @裝置之內部之內面反射光或多重反射光之產生。又，如上述之容量電極具有遮光性之形態中，更具備於前述基板上，位於前述薄膜電晶體之上層，且將各畫素之開口範圍至少部分加以規定之上層遮光膜，和於前述基板上，位於前述薄膜電晶體之下層，且令前述薄膜電晶體之至少通道範圍，自前述基板側視之加以被覆的下層遮光膜；具有前述遮光性之一方容量電極係前述上層遮光膜及前述下層遮光膜之中所成，前述下層遮光膜係於前述基板上，由平面視之，不自前述上層遮光層之形成範圍加以露本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 乂297公釐） — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19^. 訂

-17- 1222047 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1$ 出者亦可。根據此構成，更具備規定各畫素之開口範圍之導電性之上層遮光膜，和被覆薄膜電晶體之至少通道範圍之下層遮光膜，具有遮光性之一方之容量電極係上層遮光膜及下層遮光膜中之一方所成之故，爲形成有關固定電位側容量電極或畫素電位側容量電極，較將專用之導電膜另外追加 φ形成於堆積構造中者，在於單純化堆積構造及製造工程上，非常地有利。而且，以入射於基板上之入射光自上層遮光膜之形成範圍露出之下層遮光膜加以反射，可有效防止該光電裝置之內部之內面反射光或多重反射光之產生。本發明之光電裝置之其他之形態，前述畫素電位側容量電極係延伸設置構成前述薄膜電晶體之汲極範圍的導電 .膜者。根據此形態，經由自構成薄膜電晶體之汲極範圍之導電膜（例如導電性之多晶矽膜）延伸設置，可將連接於該 ®汲極範圍之畫素電極之畫素電極電位所成畫素電位側容量電極較簡單地加以構築。本發明之光電裝置之其他之形態中，前述畫素電位側容量電極係延伸設置構成前述畫素電極的導電膜者。根據此形態，經由自構成畫素電極之導電膜（例如 I T 0膜）所延伸設置，可較簡單地構成該畫素電極之畫素電極電位所成畫素電極電位側容量電極。本發明之如此作用及其他之增益係可由以下說明之實施例可明白。 €紙張尺度適财關家標準（€刚》4規格（2似297公釐) ~ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-18- 蛵濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 B7 五、發明説明（β 【圖面之簡單說明】圖1係設於構成本發明之第1實施例之光電裝置之畫像顯示範圍的矩陣狀之複數之畫素的各種元件、配線等之等價電路。圖2係第1實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F Τ陣列基板之相鄰接的複數畫素群之 0平面圖。圖3係圖2之Α—A/截面圖。圖4係第2實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖5係顯示構築圖4之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖6係第3實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖7係顯示構築圖6之連接孔所成各層之連接關係及胃蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖8係圖6之X — X >截面圖。圖9係圖6之Υ-γ/截面圖。圖1 0係圖6之Ζ — Ζ /截面圖。圖1 1係第4實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F Τ陣列基板之畫素之平面圖。圖1 2係顯示構築圖1 1之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖1 3係第5實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） " ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

-19- 1222047 A7 B7 五、發明説明（1乃晝素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖1 4係顯示構築圖1 3之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖1 5係第6實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖1 6係顯示構築圖1 5之連接孔所成各層之連接關 φ係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖1 7係第7實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖1 8係顯示構築圖1 7之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖1 9係第8實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、 . 畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖2 0係顯示構築圖1 9之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖2 1係第9實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖2 2係顯示構築圖2 1之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖2 3係顯示抽出第1 0實施例之光電裝置之內藏遮光膜及第1遮光膜之T F T基板之畫素之平面圖。圖2 4係第1 1實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖2 5係顯示構築圖2 4之連接孔所成各層之連接關本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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絰濟郎智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1222047 A7 B7 五、發明説明（係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖2 6係第1 2實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖2 7係顯示構築圖2 6之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖2 8係顯示第1 1及第1 2實施例之變形例的截面 _圖。圖2 9係第1 3實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖30係顯示構築圖29之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖3 1係第1 4實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖3 2係顯示構築圖3 1之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。 B 圖3 3係第1 5實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖3 4係顯示構築圖3 3之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖3 5係第1 6貫施例之光電裝置之資料線、掃猫線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖3 6係顯示構築圖3 5之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖3 7係第1 7實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經齊郎智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 1222047 A7 _ B7 _ 五、發明説明（19) 、晝素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖3 8係顯示構築圖3 7之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖3 9係第1 8實施例之光電裝置之資料線、掃瞄線、畫素電極等形成之T F T陣列基板之畫素之平面圖。圖4 0係顯示構築圖3 9之連接孔所成各層之連接關 φ係及蓄積容量的堆積狀態的圖式性截面圖。圖4 1係將各實施例之光電裝置之T F T陣列基板，與形成於其上之各構成要素的同時，自對向基板之側所視之平面圖。圖4 2係圖4 1之Η — Η /截面圖。主要元件對照表半導體層通道範圍1 a ’ 低濃度源極範圍低濃度汲極範圍高濃度源極範圍高濃度汲極範圍絕緣薄膜閘極絕緣薄膜掃瞄線掃猫線柱塞本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4胁(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

絰齊郎智慧財產局員工消費合作社印製 -22 - 1222047 A7 B7 五、發明説明（的 6 b 7 7 a 7 b 0 痤齊郎智慧时產局員工消費合作社印製 12 16 2 0 2 1 2 2 2 3 3 0 3 0 5 0 5 2 5 3 7 0 資料線資料線資料線柱塞第3層間絕緣膜層間絕緣膜層間絕緣膜畫素電極虛線部丁 F T陣列基板遮光膜第1遮光膜1 1 a 基材絕緣膜配向膜對向基板對向電極配向膜第2遮光膜畫素開關用T F 丁畫素開關用T F T 液晶層密封材第3遮光膜蓄積容量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -23- 1222047 A7 B7 五、發明説明（21) 瘦齊郎&曰慧时產局員工消費合作社印製 7 0 — 1 〜7 0 - 1 2 蓄 8 1 連接孔 8 2 連接孔 8 3 連接孔 8 4 連接孔 1 0 1 資料線驅動電路 1 0 2 外部電路連接丄M~r m 子 1 0 4 掃瞄線驅動電路 1 〇 5 配線 1 0 6 導通材 2 〇 0 容量線 2 〇〇 - 容量線 2 0 〇 a 容量線 2 0 〇 b 容量線 2 0 1 介電質膜 2 0 2 容量電極 2 0 2 j 容量電極 2 0 4 a 源極電極 2 0 4 b 汲極電極 2 0 5 a 接合層 2 0 5 b 接合層 2 0 8 蝕刻停止膜 2 0 9 a 畫素電極 2 〇 9 a ^ 畫素電極蓄積容量 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 24 1222047 A7 B7 ^齊郎皆慈时產笱員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明説明（θ 2 10a 2 12 2 13 2 13^ 2 16 2 16a • 216b 2 17 2 1 7 / 2 17" 2 18 3 0 0 3 0 0 ^ 3 0 0 a 3 0 0 b •301 3 0 1a 3 0 1b 3 0 2 3 0 2 ^ 3 0 3 3 0 3 ^ 3 0 3 〃 3 11 半導體層層間絕緣膜連接孔連接孔層間絕緣膜層間絕緣膜層間絕緣膜連接孔連接孔連接孔連接孔容量線容量線容量線容量線介電質膜介電質膜介電質膜容量電極容量電極阻隔層阻隔層阻隔層第1層間絕緣膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 1222047 A7 B7 五、發明説明（θ 痤齊郎智慧时產局員工消費合作社印製 3 1 2 第 2 層間絕緣膜 3 2 1 連接孔 4 0 1 介電質膜 4 0 3 a 阻隔層 4 0 3 b 阻隔層 4 0 4 a 阻隔層 4 0 4 b 阻隔層 4 2 0 內藏遮光膜 5 0 1 介電質膜 5 0 1 - 介電質膜 5 0 2 容量電極 5 0 2 容量電極 5 1 0 阻隔層 5 5 1 連接孔 5 5 3 連接孔 5 5 4 連接孔 5 5 5 連接孔 6 0 2 容量電極 6 0 3 導電膜 6 5 5 連接孔 6 5 6 連接孔 7 0 0 內藏遮光膜 7 0 0 - 內藏遮光膜 7 0 1 介電質膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -26 1222047 A7 B7 五、發明説明（24) 7 0 1 / 介電質膜 7 0 2 容量電極 7 0 0 ^ 容量電極， 7 0 5 阻隔膜 7 5 1 連接孔 7 5 2 連接孔 » 7 5 3 連接孔 8 0 0 容量線 8 0 0 ^ 容量線 8 0 1 介電質膜 8 0 2 容量電極 8 1 3 連接孔 8 1 3 / 連接孔 1 0 11a 內藏遮光膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂爲實施發明之最佳形態以下，對於爲實施本發明之最佳形態，於每實施例’ 順序地根據圖面加以說明。以下之各實施例，係將本發明之光電裝置適用於液晶裝置者。 (第1實施例）本發明之第1實施例之光電裝置之構成中，參照圖1 至圖3加以說明。圖1係形成成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之矩陣狀的複數畫素的各種元件、配線等之等價m 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

痤齊郎fe»曰慧时產nS?員工消費合作社印製 -27- 1222047 痤齊郎皆逄时產笱員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2弓式中，對應施加之電壓，對於入射光之透光率變高，就整體而言，自光電裝置射出具有對應畫像信號之對比之光。在此，被保持之畫像信號爲防止泄放，與形成於畫素電極 9 a和對向電極間之液晶容量並列地，附加蓄積容量7 0 。蓄積容量7 0係於T F T 3 0之汲極和供給定電位之容量線3 0 0間，藉由介電質膜加以形成。 | 圖2中，於光電裝置之T F T陣列基板上，成爲矩陣狀地設置複數之透明之畫素電極9 a (經由虛線部9 a / 顯示輪廓），沿各畫素電極9 a之縱橫之邊界，設置資料線6 a、掃瞄線3 a。又，對向半導體層1 a中圖中之右下之斜線範圍所示之通道範圍1 a /地，配置掃瞄線3 a ，掃瞄線3 a係做爲閘極電極加以工作。如此地，於掃瞄線3 a和資料線6 a之交差處，各別於通道範圍1 a /，掃瞄線3 a則做爲閘極電極，設置對向配置之畫素開關用T F T 3 〇。於本實施例中，容量線3 0 0則如圖中粗線所示，重疊於掃瞄線3 a之形成範圍加以形成。更具體而言，容量線3 0 0係具備沿掃瞄線3 a延伸之本線部，和自與圖2 中資料線6 a交叉之各處，沿資料線6 a ，於上方各別突出之突出部，和對應於連接孔8 4之處，僅中間變細之蜂腰部。容量線3 0 0係至少包含一個例如T i 、C r、W 、Ta、Mo、Pb等之高融點金屬之金屬單體、合金、金屬矽化物、多晶矽化物’堆積此等者所成。如圖2及圖3所不’資料線6 a係經由中繼阻隔層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

痤齊郎皆慧时4^員工消費合作社印製 1222U41-- A7 B7 五、發明説明（2^) 3 0 3，藉由連接孔8 1及8 2，電氣連接於例如多晶矽膜所成半導體層1 a中之高濃度源極範圍1 d。另一方面，畫素電極9 a係將與阻隔層3 0 3同一膜所成之容量電極3 0 2，做爲阻隔層加以利用，經由中繼，藉由連接孔 83及8 4，電氣連接於半導體層1 a之中之高濃度汲極範圍1 e。 φ 如此地，將容量電極3 0 2經由做爲阻隔層加以使用，構成畫素電極9 a和TFT 3 0之半導體層1 a間之層間距離例如即使成爲1 0 0 .0 n m程度之長度時，可迴避將兩者間以一個連接孔加以連接之技術性困難性地，以較小口徑之三個直列連接孔8 3及8 4，可將兩者間良好連接，提高畫素之數値口徑。尤其，使用如此之阻隔層時，可發揮防止連接孔開孔時之蝕刻穿過的功能。同樣地，經由使用阻隔層3 0 3，構成資料線6 a和 TFT 3 0之半導體層1 a間之層間距離爲長時，可迴避將兩者間以一個連接孔加以連接之技術性困難性地，以較小口徑之三個直列連接孔8 1及8 2，可將兩者間良好連接，如此之容量線3 0 2及阻隔層3 0 3係經由至少包含一個例如T i 、C r 、W、T a、Μ 〇、P b等之高融點金屬之金屬單體、合金、金屬砂化物、多晶砂化物，堆積此等者所成，將容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3，可做爲令各畫素之開口範圍至少規定於部分之遮光膜加以工作。如此之容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3係經由濺射可較容易地加以形成。惟，容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3係可本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1222047 A7 B7 五、發明説明（2$ 自高融點金屬以外之金屬膜構成亦可，做爲光吸收層或與遮光機能無關地，自透明導電性之多晶矽膜所構成亦可，更且，將此等之膜，自包含複數之多層膜加以構成亦可。不論何處情形，容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3之膜厚係例如呈5 0〜5 0 0 n m之程度。如圖2及圖3所示，容量電極3 0 2和容量線3 0 0 φ則藉由介電質膜3 0 1 ，經由對向配置，由平面性視之，於重疊於掃瞄線3 a之範圍及重疊於資料線6 a之範圍，構築蓄稹容量7 0 (參照圖1 )之一例的蓄積容量7 0 — 1 〇即，容量線3 0 0係伴隨被覆掃瞄線3 a地加以延伸的同時，於資料線6 a之範圍下，具有被覆容量電極 3 0 2地加突出之突出部，形成梳齒狀。容量電極3 0 2 係自掃瞄線3 a和資料線6 a之交叉部，一方沿位於資料線6 a範圍下之容量線3 〇〇之突出部加以延伸，另一方則形成沿位於掃瞄線3 a範圍下之容量線3 0 0，至鄰接之資料線6 a附近延伸的L字狀之島狀容量電極。然後，藉由介電質膜30 1 ，於容量線300，於重疊L字狀之容量電極302之範圍，陽成蓄積容量70 - 1。爲蓄積容量7 0 - 1之一方之容量電極之容量電極 3 0 2係以連接孔8 4，與畫素電極9 a連接，（同時，以連接孔8 3與高濃度汲極範圍1 e連接），而成爲畫素電極電位。包含蓄積容量7 0 - 1之另一方之容量電極的容量線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

涇齊郎1曰慧时4^員工消費合作社印製痤齊郎皆慧时產¾員工消費合作社印製 1222047 A7 _____ B7__ 五、發明説明（29) 3 0 〇係自配置畫素電極9 a之畫像顯示範圍延伸設置於該周圍，與定電位源電氣連接，成爲所定電位。做爲定電位源可爲供予將爲驅動T F T 3 0之掃瞄信號，爲供予掃瞄線3 a之掃瞄線驅動電路（後述）或控制將畫像信號供予資料線6 a之取樣電路之資料線驅動電路（後述）的正電源或負電源之定電位源，或供予對向基板之定電位亦可 •。蓄積容量7 0 - 1之介電質膜3 0 1係由例如膜厚5 〜2 0 0 nm程度之較薄之HT〇（High Temperature Oxide )膜、L T 〇（Low Temperature Oxide)膜等之氧化石夕膜，或氮化矽膜等所成。由增大蓄積容量7 0 - 1之觀點視之，只要充分得膜厚可靠性，介電質膜3 0 1則愈薄愈 .好。如圖3所示，光電裝置係具備透明之T F T陣列基板 I 1 0，和對向配置於此之透明對向基板2 0。T F T陣列基板1 0係例如由石英基板、玻璃基板、矽基板所成，對向基板2 0係例如由玻璃基板或石英基板所成。於τ F T 陣列基板1 0中，設有畫素電極9 a ，於其上側，設置施以硏磨處理等之所定配向處理的配向膜1 6。畫素電極9 a係例如I T 0 (銦錫氧化物）膜等之透明導電性薄膜所成。又，配向膜1 6係由例如聚醯亞胺薄膜等之有機薄膜所成。另一方面，於對向基板2 0中，於該整面，設置對向電極2 1 ，於其下側，設置施以硏磨處理等之所定配向處本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-32- 痤齊郎皆慧时產笱員工消費合作社印製 1222047 A7 _ B7 ___ 五、發明説明（3() 理的配向膜2 2。對向電極2 1係例如I T 0膜等之透明導電性薄膜所成。又，配向膜2 2係由例如聚醯亞胺薄膜等之有機薄膜所成。於T F T陣列基板1 〇中，於鄰接於各畫素電極9 a 之位置，設置可將各畫素電極9 a開關控制之畫素開關用 T F T 3 0。 φ 於對向基板2 0中，更如圖3所示，可設置第2遮光膜2 3亦可。經由採用如此構成，自對向基板2 0側的入射光L 1 ，則不會侵入到畫素開關用T F T 3 0之半導體層1 a之通道範圍1 a /或低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c。更且，第2遮光膜2 3係將入射光L 1所照射之面，經由以高反射之膜加以形成，達到防止光電裝 _置之溫度上昇之功效。然而，於本實施例中，以A 1膜等所成之遮光性之資料線6 a ，將沿各畫素之遮光範圍中之資料線6 a的部分 0，加以遮光亦可，將容量線3 0 0藉由以遮光性之膜加以形成，可於除去連接孔8 1、8 2之形成範圍的資料線6 e下方加以遮光。如此地加以構成，畫素電極9 a和對向電極2 1呈對面配置之T F T陣列基板1 0和對向基板2 0間中，經由後述之密封材，於包圍之空間，封入光電物質之一例的液晶，形成液晶層5 0。液晶層5 0係自畫素電極9 a之電場於未加以施加的狀態下，經由配向膜1 6及2 2，取得所定之配向狀態。液晶層5 0係例如混合一種或數種之向本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公~ ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明説明（3D 列性液晶之液晶所成。密封材係爲將T F T陣列基板1 〇及對向基板2 0，於此等之周邊加以貼合之例如光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂所成之黏著劑，混入有將兩基板間之距離成爲所定値之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔材。更且，於畫素開關用T F T 3 0下，設置基材絕緣膜 1 2。基材絕緣膜1 2係經由形成於T F T陣列基板1 〇 φ之整面，具有防止T F T陣列基板1 〇之表面之硏磨時的粗糙，或洗淨後所殘留之污損等之畫素開關用T F T 3 0 之特性的劣化的功能。於圖3中，畫素開關用T F T 3 0係具有L D D ( Lightly Doped Drain )構造，具備掃猫線3 a、經由自該掃瞄線3 a之電場形成通道之半導體層1 a之通道範圍 1 a /，包含絕緣掃瞄線3 a和半導體層1 a之閘極絕緣膜的絕緣薄膜2、資料線6 a、半導體層1 a之低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c、半導體層1 a之高濃胃度源極範圍1 d以及高濃度汲極範圍1 e。於高濃度汲極範圍1 e中，複數之畫素電極9 a中之對應的一個則藉由連接孔8 3及8 4，經由（亦做爲容量電極作用）容量電極3 0 2，中繼連接。又，於掃瞄線3 a上，形成向高濃度源極範圍1 d通過之連接孔8 2及向高濃度汲極範圍1 e通過之連接孔8 3被各別形成之第1層間絕緣膜3 1 1 〇於容量線3 0 0上，形成向阻隔層3 0 3通過之連接孔8 1及向容量電極3 0 2通過之連接孔8 4被各別形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

t齊郎知曰鋈吋臺苟員工消費合：&钍印製痤齊郎te»曰慧时4¾員工消費合作社印製 I222U47 A7 ___ B7__ 五、發明説明（3$ 量電極3 0 2和資料線6 a間，堆積成爲所定電位之容量線3 0 0之故，容量電極3 0 2之電位變動不會經由容量耦合，對於資料線6 a有所不良影響，或資料線6 a之電位變動不會經由容量耦合，對於容量電極3 0 2有所不良影響之故，因此爲有利的。更且，於本實施例中，尤其，將容量線3 0 0經由自 φ遮光膜所構成，或更甚之，將容量電極3 0 2及阻隔層 3 0 3經由遮光膜所構成，可做爲規定畫素開口範圍之遮光膜加以工作。此時，於圖2之平面圖中，掃瞄線3 a、資料線6 a及畫素開關用T F T 3 0則不自有關遮光膜之形成範圍露出者爲佳。根據如此之構成時，於T F T陣列基板1 0上，於自圖3上方入射之入射光L 1 ，於自有關 . 遮光膜露出之掃瞄線3 a、資料線6 a或畫素開關用 T F T 3 0之表面被加以反射地，可有效果地防止該光電裝置之內部的內面反射光或多重反射光之產生。然而，於本實施例中雖然省略，如後述第3實施例等，將包含將T F T 3 0自T F T陣列基板1 0側（圖3中、下側）加以被覆的部分之下層遮光膜（圖7等所示之第 1遮光膜1 1 a )，沿掃瞄線3 a ，形成成爲條紋狀、或沿掃瞄線3 a及資料線6 a形成成爲矩陣狀亦可。如此之下層遮光膜係遮光自T F T陣列基板之背面或投射光學系統之回復光L 2，根據此光，經由光激勵，由於畫素開關用T F T 3 0之關閉時之泄放電流之因素，可有效防止畫素開關用T F T 3 0之特性變化。如此之下層遮光層係至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Ι222ϋ¥7 A7 B7 五、發明説明（34 少包含一個例如Ti 、Cr、W、Ta、M〇、Pb等之高融點金屬之金屬單體、合金、金屬矽化物、多晶矽化物，堆積此等者所成。尤其，以複板式之彩色顯示用之投影機等，將複數之光電裝置藉由稜鏡等加以組合’構成一個之光學系統之時，自其他之光電裝置穿過稜鏡等之投射光部分所成回復光L 2爲強力之故，如此地於畫素開關用 φ T F T 3 0之下側，設置下層遮光膜爲非常有效的。對於如此之下層遮光膜，與容量線3 0 0同樣地，自畫像顯示範圍向該周圍延伸設置，連接於定電位源即可。以上所說明之實施例中，經由堆積多數之導電層，於沿資料線6 a或掃瞄線3 a之範圍雖會產生階差，於丁 F T陣列基板1 〇、基材絕緣膜1 2、第1層間絕緣膜 3 1 1、第2層間絕緣膜312掘出溝，經由將資料線6 a等之配線或畫素開關用T F T 3 0等加以埋入，進行平坦化處理亦可，或將第3層間絕緣膜7或第2層間絕緣膜 ® 3 1 2上斫之階差，經由以C Μ P處理等之硏磨，或使用有機S 0 G平坦地加以形成，進行該平坦化處理亦可。更且以上所說明之實施例中，畫素開關用T F Τ 3 0 較佳係具有如罾所示之L D D構造，具有於低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c不進行不純物之植入的偏移構造亦可，將掃瞄線3 a之一部分所成閘極電極做爲掩罩，以高濃度植入不純物，自我整合地形成高濃度源極及汲極範圍之自我對準型之T F T亦可。又，於本實施例中，將畫素開關用丁 F T 3 0之閘極電極，於高濃度源極範圍本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 痤齊郎一自慧时4¾員X消費合作社印製 -37- 逯齊郎皆慧时產¾員工消費合作杜印製 1222047 A7 B7 五、發明説明（3与 1 d及高濃度汲極範圍1 e間，雖成爲僅配置1個之單閘極構造，於此等間配置2個以上之閘極電極亦可。如此地，以雙閘極或三閘極以上構成T F T時，可防止通道與源極及沒極範圍之接合部的泄放電流，可減低關閉時之電流〇然而，第1實施例及以下所說明之各實施例之光電裝 φ置中，絕緣各種導電膜間之各種層間絕緣膜係例如經由常壓、減壓CVD法、電漿CVD法等，使用TEOS氣體、T E B氣體等，自N S G、P S G等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氧化矽膜等所構成即可。 (實施例2 ) 接著，參照圖4及圖5，對於本發明之光電裝置之第 2實施例加以說明。在此，圖4係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之TFT陣列基板之畫素之平面圖，圖5係顯示構築圖4之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖5中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，於圖4及圖5中，與圖2及圖3 (第1之實施例）同樣之要素，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖4及圖5所示，於第2實施例中，較第1實施例而言，由構成蓄積容量之下側之導電層，代換爲容量電極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

-38 - 塋齊曰鋈时查苟員二肩費合阼fi印製 122KW7 A7 B7 _ 五、發明説明（ 3 0 2，形成容量線3 0 0 / 。更且，於該上，由介電質膜3 0 1堆積之導電膜代換爲容量線3 0 〇 ’形成容量電極3 0 2 /。而將與容量電極3 0 2 /同一層，將資料線 6 a，形成爲連接於高濃度源極範圍1 d之阻隔層 3 0 3 /。容量線3 0 0 /係與第1實施例之容量線 3 0 0同樣地成爲所定電位，容量電極3 0 2 /係與第1 φ實施例之容量電極3 0 2同樣地成爲畫素電極電位，構成蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量7 0 - 2。對於其他之構成，係與第1實施例之時相同。因此，根據第2實施例時，無需將如前述背景技術之容量線3 0 0 >橫排於掃瞄線3 a加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容 .量線3 0 0 /及容量電極3 0 2 /，經由立體重疊於掃瞄線3 a或資料線6 a ，可得大的蓄積容量。更且，經由確保充分之線寬度，可令掃瞄線3 a或容量線3 0 0 >低阻抗化，尤其達成微細間隔之畫素之高數値口徑化下，可減低顯示畫像中之串訊或鬼影，以提升畫質。又，於第2實施例中，尤其，容量電極302>，採用較成爲所定電位容量線3 0 0 /，堆積於接近於資料線 6 a側的構造。因此，將介於容量電極3 0 2 /及資料線 6 a間之第2層間絕緣膜3 1 2之膜厚成爲2 0 0〜 2 0 0 0 n m程度之厚度即可。如此地，將第2層間絕緣膜3 1 2經由較厚地加以堆積，可將容量電極3 0 2 >及資料線6 a間之容量耦合所造成之不良影響以實踐上的意本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 一 ' -39- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

變齊郎te»曰鋈时查笱員X消費合作社印製 1222047 A7 B7 五、發明説明（義加以減低。另一方面，於畫素電極電位所成容量電極 3 0 2 —和掃瞄線3 a間，堆積成爲所定電位之容量線 3 0 〇 /之故，容量電極3 0 2 /之電位變動不會經由容量耦合，對於掃瞄線3 a有所不良影響，或掃瞄線3 a之電位變動不會經由容量耦合，對於容量電極3 0 2 /(更且爲畫素電極9 a )有所不良影響之故，因此爲有利的。

I (實施例3 ) 接著，參照圖6至圖1 0，對於本發明之光電裝置之第3實施例加以說明。在此，圖6係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之TFT陣列基板之畫素之平面圖，圖7係顯示構築圖6之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。圖8係圖6之X — X /截面圖，圖9係圖6之Y — Y >截面圖，圖1 0係圖6之Z — Z /截面圖。然而，於圖7中，將各層或各構件，於圖面 _上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。圖8至圖1 0中，將各層或各構件，於圖面上爲成爲可認識程度之大小，將各層或各構件之比例尺加以不同化。又，於圖6至圖10中，與圖2及圖3 (第1之實施例）同樣之要素，附上同樣之參照符號，省略該說明。於第3實施例之光電裝置中，如圖6至圖1 0所示，蓄積容量7 0 - 3係平面性地視之，分爲重疊於資料線6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐) " 一 -40 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

122ΊΜ7 A7 B7 五、發明説明（的形成介電質膜4 0 1 °於介電質膜4 0 1上’做爲構成蓄積容量7 0 - 3之固定電位側容量電極之一例’於資料線 6 a之範圍下’形成自通道範圍1 a 被覆阻隔層4 0 3 a和資料線6 a的島狀之阻隔層4 0 4 a。阻隔層4 0 4 a係具有重疊於阻隔層4 0 3 b之突出部。又，做爲構成蓄積容量7 0 - 3之畫素電位側容量電極之一例’與阻隔 φ層4 0 4 a同層’於掃瞄線3 a之範圍上’形成被覆阻隔層4 0 3 b和掃瞄線3 a之島狀之阻隔層4 0 4 b °此阻隔層4 0 4 b係具有重疊阻隔層4 0 3 a之突出部的突出部。高濃度源極範圍1 d和資料線6 a之連接係以貫通第 1層間絕緣膜3 1 1和第2層間絕緣膜3 1 2之連接孔 A C N T加以導通。又，高濃度汲極範圍1 e和畫素電極9 a之連接係首先高濃度汲極範圍1 e和阻隔層4 0 3 a貫通第1層間絕緣膜3 1 1之連接孔B C N T加以導通。然後’如圖6及圖1 0所示，阻隔層4 0 3 a之突出部和阻隔層4 0 4 b 之突出部，以連接孔D C N T加以導通。然後，如圖6及圖9所示，阻隔層404b和畫素電極9a (圖6中、於點線9 a >顯示輪廓），則以貫通第2層間絕緣膜3 1 2 和層間絕緣膜7之連接孔I C N T加以導通。然後，爲形成蓄積容量70 - 3 ’阻隔層404a係於所定電位之容量線之第1遮光膜11a ’以貫通第1層間絕緣膜3 1 1和基材絕緣膜1 2之連接孔S C N T加以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 睦齊郎智慧財產局員工消費合作社印製痤齊郎曾鋈时4¾員X消費合作社印製 1222047 A7 ___ B7 五、發明説明（4() 導通。如圖6及圖8所示，阻隔層4 0 4 a之突出部和阻隔層4 0 3 b以連接孔C C N T加以導通，將阻隔層 4 0 3 b成爲所定電位。又，導通於畫素電極9之阻隔層 4 0 4 b和阻隔層4 0 3 a係得畫素電位。經由此等，於第3實施例中，尤其藉由介電質膜 4 0 1 ，以對向配置之阻隔層4 0 3 a和阻隔層4 0 4 a 鲁，形成蓄積容量70 — 3之一部分，藉由介電質膜401 ，形成對向配置之阻隔層4 0 3 b和阻隔層4 0 4 b，形成蓄積容量7 0 - 3之一部分，做爲整體重疊於掃瞄線3 a及資料線6 a之形成範圍，構築蓄積容量7 0 — 3。然後，第1遮光膜1 1 a係以畫像顯示範圍之周邊，與做爲下降至所定電位之容量線之機能的同時，自T F T陣列基板1 0側之回復光則具有阻止進入TFT 3 0之半導體層 1 a的機能。因此，根據第3實施例，將如前述之背景技術之容量 ®線，無需橫排於掃瞄線加以配線之故，可無需展開各畫素之非開口範圍，於T F T基板上，經由將容量線及容量電極立體重疊於掃瞄線或資料線加以形成，得大的蓄積容量。更且，經由確保充分之線寬度，可低阻抗化掃瞄線或容量線，尤其可達成微細間隔之畫素之高數値口徑化，減低顯示畫像中之串訊或鬼影，而提升畫質。又，於第3實施例中，尤其，以沿掃瞄線3 a之範圍和沿資料線6 a之範圍，採用將構成畫素電位側容量電極之導電膜和構成固定電位側容量電極之導電膜加以替換之本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1222047 A7 B7 五、發明説明（Μ 構成。即，沿掃瞄線3 a之範圍之一大半，於畫素電極電位所成阻隔層4 0 4 b和掃瞄線3 a間，堆積成爲所定電位之阻隔層4 0 3 b之故’阻隔層4 0 4 b之電位變動則經由容量耦合，對於掃瞄線3 a有所不良影響，或掃瞄線 3 a之電位變動不會經由容量耦合，對於阻隔層4 0 4 b (更且爲畫素電極9 a )有所不良影響之故，因此爲有利 |的。同時，沿資料線6 a之範圍之一大半，於畫素電極電位所成阻隔層4 0 3 a和資料線6 a間，堆積成爲所定電位之阻隔層4 0 4 a之故，阻隔層4 0 3 a之電位變動則經由容量耦合，對於資料線6 a有所不良影響，或資料線 6 a之電位變動不會經由容量耦合，對於阻隔層4 0 3 a (更且爲畫素電極9 a )有所不良影響之故，因此爲有利更且第3實施例中，容量線係於T F T陣列基板1 0 上，於每畫素，於形成成爲島狀之阻隔層4 0 3 b及阻隔

I 層4 0 4 a，各別加以連接的同時，於丁 F T陣列基板 1 0上，由配置呈條紋狀或格子狀之第1遮光膜1 1 a所成，藉由第1遮光膜1 1 a ，於畫像顯示範圍外，採用下降至所定電位之構成之故，利用在於畫像顯示範圍外之周邊範圍之定電位線或定電位源，將配線於畫像顯示範圍內之容量線，可較簡單且確實地，在於所定電位完成。然而，對於阻隔層403a、403b、404a及 404b、第1遮光膜1 1 a以及內藏遮光膜420之材質，例如與第1實施例之容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T (£齊郎和曰鋈吋查苟員X消費合阼杜印製 -44- 1222047 A7 B7 五、發明説明（44 變動不會經由容量耦合，對於掃瞄線3 a或資料線6 a有所不良影響’或掃瞄線3 a或資料線6 a之電位變動不會經由容量耦合，對於容量電極3 0 2 (更且爲畫素電極9 a )有所不良影響之故，因此爲有利的。然後，如此構成時，爲容量耦合的減低，可無需令第1層間絕緣膜3 1 1 或第2層間絕緣膜3 1 2變厚。 ί (實施例5 ) 接著，參照圖1 3至圖1 4，對於本發明之光電裝置之第5實施例加以說明。在此，圖1 3係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F Τ陣列基板之畫素之平面圖，圖 1 4係顯示構築圖1 3之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖1 4中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，

I 於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。圖13及圖14中，於與圖2及圖3 (第1實施例）或與圖9及圖1 0 (第3實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。第5實施例之光電裝置係示於圖1 3及圖1 4，將 T F Τ陣列基板1 〇上之第1遮光膜1 1 a ，不單做爲遮光膜，亦可做爲固定電位側容量電極，對此將另外形成做爲畫素電位側容量電極之容量電極5 0 2，藉由介電質膜 5 0 1，經由對向配置，形成蓄積容量者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 47- 1222047 A7 B7 五、發明説明（4$ 更且具體而言，如圖1 4所示，於τ F T陣列基板 1 0上’於畫像顯示範圍之周邊，兼爲下降至所定電位之容量線的第1遮光膜1 1 a、介電質膜5 〇 1及容量電極 5 0 2則依此順序加以堆積。於容量電極5 〇 2上，堆積基材絕緣膜1 2及T F T 3 0。然後，與掃瞄線3 a同層地形成阻隔層5 1 0。於T F T 3 0及阻隔層5 1 0上， |第1層間絕緣膜5 1 1、資料線6 a、層間絕緣膜7及畫素電極.9 a則依此順序加以堆積。 T F T 3 0係將交叉掃瞄線3 a和資料線6 a之部位，做爲通道範圍1 a >，於資料線6上，形成高濃度源極範圍1 d和高濃度汲極範圍1 e。阻隔層5 1 0係於鄰接於掃瞄線3 a和資料線6 a之交叉部之資料線6 a之範圍下，形成成爲島狀。阻隔層 5 1 0之一部分係平面性視之，具有突出於畫素電極9 a 側之突出部。 | 高濃度源極範圍1 d和資料線6 a之連接係以貫通第 1層間絕緣膜5 1 1之連接孔5 5 1加以導通。又，高濃度汲極範圍1 e和畫素電極9 a之連接係首先高濃度汲極範圍1 e和阻隔層5 1 0則以連接孔5 4 4 加以導通。然後，阻隔層5 1 0之突出部和畫素電極9 a 以第1層間絕.緣膜5 1 1和層間絕緣膜7貫通之連接孔 5 5 3加以導通。然後，爲形成蓄積容量70 - 5，第1遮光膜1 1 a 係沿掃瞄線3 a和資料線6 a之範圍呈矩陣狀加以延伸，本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ / Q — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1^^. 訂噬齊郎知曰慧时臺¾員工消費合作杜印製 1222047 i.齊郎知曰慧吋查苟員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（邛連接於所定電位。容量電極5 0 2係自掃瞒線3 a和資料線6 a之交差部，另一方沿在於資料線6 a之範圍下之第 1遮光膜1 1 a上加以延伸’另一方形成沿在於掃猫線3 a之範圍下之第1遮光膜1 1 a延伸之1字狀之島狀谷重電極。然後，容量電極5 0 2係以貫通阻隔層5 1 0和基材絕緣膜1 2之連接孔5 5 5加以導通’得畫素電位。由 φ此，藉由介電質膜5 0 1 ，經由對向配置第1遮光膜1 1 a和L字狀之容量電極5 0 2，形成蓄積容量7 0 - 5 ° 因此，根據第5實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫向排列配線之故，無需將各畫素之非開口範圍擴張之故，於T F T陣列基板1 0上’將容量線（第1遮光膜1 1 a )及容量電極5 0 2，經由立體重疊於掃瞄線3 a或資料線6 a加以形成，可得大的蓄積容量。然而，第1遮光膜1 1 a係例如與第1實施例之容量電極3 0 2及阻隔層3 0 3同樣地’由高融點金屬、合金 ®、金屬矽化物、或包含此等之多層膜所構成，該膜厚係例如5〜2 0 0 nm程度。容量電極5 0 2係由與導電性之多晶矽膜或上述之第1遮光膜1 1 a同一材料所成，該膜厚係50〜1 OOnm程度。介電質膜50 1係例如由膜厚5〜2 0 0 nm程度之較薄之HTO膜、LTO膜等之氧化矽膜，或氮化矽膜等構成，其他’自減低成爲畫素電極電位之容量電極5 0 2和半導體層1 a之間之容量耦合的觀點視之，本實施例中，較佳者基材絕緣膜1 2之層厚係設定成爲較厚之2 0 0〜2 0 0 〇 nm程度。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-49 - 1222047 A7 B7 五、發明説明（4》 (實施例6 ) 接著，參照圖1 5至圖1 6，對於本發明之光電裝置之第6實施例加以說明。在此，圖1 5係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖 1 6係顯示構築圖1 5之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖1 6中將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小 ’以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。圖15及圖16中，於與圖2及圖3 (第1實施例）或與圖13及圖14(第5實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖1 5及圖1 6所示，於第6實施例中，較第5實施例而言，代換藉由介電質膜5 0 1在於第1遮光膜1 1 a上側之容量電極5 0 2，由介電質膜5 0 1 /於第1遮

I 光膜11a >下側，配置容量電極502 / ，構成蓄積容量70 (參照圖1)之其他之一例的蓄積容量70 - 6。又，於存在連接孔5 5 5之處，分斷第1遮光膜1 1 a / 。對於其他之構成，與第5實施例之時同樣。因此，根據第2實施例時，無需將如前述背景技術之容量線3 0 0 /橫排於掃瞄線3 a加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 〇上，將容量線（第1遮光膜1 1 a )及容量電極5 〇 2，，經由立體重疊於掃猫線3 a或資料線6 a，可得大的蓄積容量。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂痤齊、印皆慈时4¾員X消費合作社印製 -50- 1222047 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（4$ 然而，與第5實施例比較之時，於成爲畫素電極電位之容量電極5 0 2 /和半導體層1 a間，因爲介有所定電位之遮光膜1 1 a /之故，爲減低容量耦合，可無需將基材絕緣膜1 2之層厚變厚。 (實施例7 ) B 接著，參照圖1 7至圖1 8，對於本發明之光電裝置之第7實施例加以說明。在此，圖1 7係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖 1 8係顯示構築圖1 7之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖1 8中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。圖17及圖18中，於與圖2及圖3 (第1實施 ®例）或與圖1 3及圖1 4 (第5實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖1 7及圖1 8所示，於第7實施例中，較第5實施例而言，代換藉由介電質膜5 0 1對向配置第1遮光膜 1 1 a和容量電極5 0 2，於基材絕緣膜1 2內（即，第 1基材絕緣膜1 2 a和第2基材絕緣膜1 2 b間），介著介電質膜6 0 1，對向配置容量電極6 0 2和導電膜 6 0 3，構成蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量70 - 7。此容量電極602係介由連接孔本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂痤齊郎皆遙时4¾員X消費合作社印製 -51 - 1222047 A7 B7__ 五、發明説明（5() 1 a之部分，做爲位於上側之容量電極加以使用亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且，自以上說明之第3實施及例第5實施例，根據第7實施例時，於在半導體層1 a之下側的遮光膜1 1 a 中，除了本來之遮光機能，供予有做爲容量線之機能之故，在於單純化堆積構造及製造工程上，爲非常有利的。更且，如此地設置遮光膜1 1 a時，掃瞄線3 a、資料線6 及TFT3 0係由平面視之，不由遮光膜1 1 a之形成範圍露出者爲佳。由此，回復光則於由遮光膜1 1 a之形成範圍露出之掃瞄線3 a、資料線6 a及T F T 3 0之表面所反射，可有效防止該光電裝置之內部之內面反射光或多重反射光之產生。 (實施例8 ) 接著，參照圖1 9至圖2 0，對於本發明之光電裝置之第8實施例加以說明。在此，圖1 9係形成資料線、掃 ®瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖受齊牢1曰鋈忖轰苟員工消費合阼社印製 2 0係顯示構築圖1 9之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖2 0中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。圖19及圖20中，於與圖2及圖3 (第1實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 -53· 1222047 A7 ____B7 __ 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖1 9及圖2 0所示，於第8實施例中，較第1實施例而言，代換藉由介電質膜3 0 1對向配置容量線 3 〇 0和容量電極3 0 2，於第3層間絕緣膜7內（即，層間絕緣膜7 a和層間絕緣膜7 b之間），將導電性之內藏遮光膜7 0 0，做爲容量線被加以具備，且介著介電質膜7 〇 1，對向配置此內藏遮光膜7 0 0和容量電極 φ 7 0 2，構成蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量7 0 — 8。此容量電極7 0 2係介由開孔於層間絕緣膜7 b之連接孔7 5 1 ，連接於畫素電極9 a成爲畫素電極電位。又，容量電極7 0 2係介由開孔於層間絕緣膜7 a之連接孔7 5 2及開孔於第1層間絕緣膜3 1 1之連接孔7 5 3，中繼與資料線6 a同一膜（例A 1膜）所成阻隔膜7 0 5，連接高濃度汲極範圍1 e。更且，規定各畫素之開口範圍的同時’亦可做爲蓄積容量7 0 - 8之容量線工作之內藏遮光膜7 ’係至畫像顯示範圍外，經濟·部智慧財產局員工消費合作社印製 ®成爲格子狀地加以延伸設置’下降至所定電位。內藏遮光膜7 0 0係爲可進行連接孔7 5 1之開孔’對應於連接孔 7 5 1之處，則若干蜂腰化’平面性地加以形成。又，容量電極7 0 2係具有沿掃瞄線3 a延伸之部分和沿資料線 6 a延伸之部分被連結所成之L字狀平面形狀’爲使與連接孔7 5 1所成之畫素電極9 a之連接被良好地進行，於連接孔7 5 1之周圍，若干寬度寬廣地加以形成。又，對於高濃度汲極範圍1 e而言，爲使與連接孔7 5 3所成之阻隔層7 0 5之連接被良好地進行’於連接孔7 5 3之周中關家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 1222047 A7 _ B7 __ 五、發明説明（5$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圍，若干寬度寬廣地加以形成。然而，阻隔層7 〇 5係平面視之，各包含連接孔7 5 2及7 5 3之開孔位置地，形成成爲L字狀，與阻隔層7 0 5同一層所成之資料線6 a 係迴避阻隔層7 0 5之連接孔7 5 3附近之部分’若干蜂腰化地平面性地加以形成。對於其他之構成’則與第5實施例之時相同。 φ 因此，根據第8實施例時，無需將如前述背景技術之容量線3 0 0 /橫排於掃瞄線3 a加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容量線及容量電極，經由立體重疊於掃瞄線3 a或資料線6 a，可得大的蓄積容量。然而，內藏遮光膜7 0 0及容量電極7 0 2係高融點金屬、合金、金屬矽化物、或包含此等之多層膜外，與資料線6 a同樣，自A 1膜等所成構成亦可。 •(實施例9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著，參照圖2 1至圖2 2，對於本發明之光電裝置之第9實施例加以說明。在此，圖2 1係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖 2 2係顯示構築圖2 1之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖2 2中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' 一 -55 - 1222047 A7 B7 五、發明説明（5$ 不同化。又，圖21及圖22中，於與圖2及圖3 (第1 實施例）或圖1 9及圖2 0 (第8實施例）同樣之構成要素中’附上问樣之參照符號，省略該說明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖2 1及圖2 2所示，於第9實施例中，較第8實施例而言，做爲容量線之內藏遮光膜7 0 0 >和容量電極 7 0 2 /之上下關係以兩者間之介電質膜7 0 1爲中心旋 •轉’構成蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量7 0 - 9。伴隨如此，格子狀之內藏遮光膜700 一係於每畫素，對應於使之可進行連接孔7 5 2之開孔的連接孔7 5 2處，若干蜂腰化，平面性地加以形成。又，容量電極7 0 2 /係具有沿掃瞄線3 a延伸之部分和沿資料線6 a延伸之部分被連結所成之L字狀平面形狀，爲使與 .連接孔7 5 1所成之畫素電極9 a之連接被良好地進行，於連接孔7 5 1之周圍，若干寬度寬廣地加以形成。對於其他之構成，則與第8實施例之時相同。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，根據第9實施例時，無需將如前述背景技術之容量線3 0 0 >橫排於掃瞄線3 a加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容量線及容量電極，經由立體重疊於掃瞄線3 a或資料線6 a，可得大的蓄積容量。然而，如以上說明之第8或第9實施例，於接近於畫素電極9 a之第3層間絕緣膜7內構築蓄積容量7 0之時，代換爲容量電極，或更且將自畫素電極9 a延伸設置之部分，做爲位於上側之容量電極加以使用亦可。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -56- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 Μ _________ Β7 ___ 五、發明説明（54) (實施例1 0 ) 接著，參照圖2 3，對於本發明之光電裝置之第1 0 實施例加以說明。第1 0實施例係如第8及第9實施例，於資料線6 a上側具備內藏遮光膜1 〇 1 1 a ，於兩遮光膜間，有關構築上述各實施例所示T F T 3 0或蓄積容量 B 7 0之光學裝置者。在此，圖2 3係僅抽出內藏遮光膜 1 0 1 1 a及第1遮光膜1 1 a加以顯示之TFT陣列基板之畫素平面圖。如圖2 3所示，於第1 〇實施例中，內藏遮光膜 1 0 1 1 a及第1遮光膜1 1 a皆形成爲格子狀，遮光膜 1 1 a係平面視之’自內藏遮光膜1 〇 1 1 a之形成範圍露出地（即，較爲小）加以構成。經由內藏遮光膜 1 0 1 1 a規定各畫素之開口範圍。又，在於兩者間之未圖示之掃瞄線、資料線及T F T等係平面視之，不自遮光 ®膜1 1 a之形成範圍露出地加以構成。根據第1 0實施例時，自對向基板2 0之入射光則以自內藏遮光膜1 0 1 1 a之形成範圍露出之第1遮光膜 1 1 a (更且，掃瞄線、資料線等）加以反射，可有效防止該光電裝置之內部之內面反射光或多重反射光之產生。然而，自T F T陣列基板1 〇側之回復光，於自第1遮光膜1 1 a之形成範圍露出之內藏遮光膜1 〇 1 1 a部分在以反射，會略爲產生該光電裝置之內部之內面反射光或多重反射光。但是，回復光係較入射光，在於光強度上遠遠本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

57 - 1222〇47 A7 B7 五、發明説明（55) 爲低之故，回復光所造成內面反射光或多重反射光之不良影響則較入射光輕微。因此，本實施例之構成爲有利的。 (實施例1 1 ) 以上說明之第1至第1 0實施例係於半導體層之通道範圍之上側，雖將配置閘極電極（掃瞄線）之頂閘極型之 • T F T，做爲畫素開關用之T F T加以具備者，以下說明之第1 1至第1 8實施例則於半導體層之通道範圍之下側，將配置閘極電極（掃瞄線）之底閘極型之T F T，做爲畫素開關用之T F T加以具備者。接著，參照圖2 4至圖2 5，對於本發明之光電裝置之第1 1實施例加以說明。在此，圖2 4係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖2 5係顯示構築圖2 4之連接孔所成各層之連接關係及 g蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖2 5 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小’以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖24及圖25中，於與圖2及圖3 (第 1實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖2 4及圖2 5所示，於第1 1實施例中，於底閘極型之畫素開關用TFT30 /上方，構成蓄積容量70 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量7 0 — 1 1。更具本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 缝濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -58- 1222047 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製體而言，於T F T陣列基板1 0上，自掃瞄線3 a >沿資料線6 a /，於圖2 4，在上側呈角狀突出之閘極電極部分上，介由閘極絕緣薄膜，堆積半導體層210a。對向於此閘極電極部分之半導體層2 1 0 a之部分成爲通道範圍。於半導體層2 1 0 a上，源極電極2 0 4 a及汲極電極2 0 4 b則由與資料線6 a /同一膜（例如A 1膜 | )所形成。於源極電極2 0 4 a和汲極電極2 0 4 b和半導體層2 1 0 a間，堆積爲得歐姆結合之例如η +型a -S i (非晶質矽）層所成接合層2 0 5 a及2 0 5 b，於通道範圍之中央部的半導體層2 1 0 a上，形成爲保護通道之絕緣性之蝕刻停止膜2 0 8。汲極電極2 0 4 b中’ 連接畫素電極2 0 9 a之端部，於此畫素電極2 0 9 a之端部上，藉由層間絕緣膜2 1 2，堆積島狀之容量電極 202，更且於容量電極202上，介著介電質膜2 01 ，堆積容量線2 0 0。然後，容量線2 0 0係將畫像顯示 >範圍內，延伸成條紋狀，延伸設置至畫像顯示範圍外，下降至所定電位。容量線2 0 0係如圖2 4所不’由平面視之，被覆自源極電極2 0 4 a、掃瞄線3 a /突出之閘極電極及汲極電極2 0 4 b地，於每畫素，於圖2 4中上側，具有寬廣形成之部分（即，容量線2 0 0係於圖2 4中上側，具有梳齒狀的同時，成爲沿掃瞄線延伸之條紋狀加以平面形成）。另一方，容量電極2 0 2係藉由開孔於層間絕緣膜2 1 2之連接孔2 1 3，連接於畫素電極2 0 9 a之端部，成爲畫素電極電位。島狀之容量電極2 〇 2係本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -59 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 _ B7 ____ 五、發明説明（57) 如圖2 4所示，由平面視之，沿掃瞄線3 a /延伸的同時，對應於上述容量電極2 0 0之各畫素之寬廣部分則形成爲寬廣。如此地，於第1 1實施例中，藉由介電質膜 2 0 1 ，經由對向配置成爲畫素電極電位之島狀之容量電極2 0 2和成爲所定電位之容量線2 0 0 ’蓄積容量7 0 一 1 1則構築於T F T 3 0 /之上方。 B 因此，根據第1 1實施例時，無需將如前述背景技術之容量線橫排於掃瞄線加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容量線及容量電極，經由立體重疊於掃瞄線3 a /或資料線6 a 可得大的蓄積容量。然而，本實施例中，將容量線2 0 0及容量電極 2 0 2之一方或兩者，經由自導電性之遮光膜構成，可做爲規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜加以工作。或容量線2 0 0及容量電極2 0 2之一方或兩者，自透明之導電 ®膜所構成，規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜可另外加以形成。 (實施例1 2 ) 接著，參照圖2 6至圖2 7，對於本發明之光電裝置之第1 2實施例加以說明。在此，圖2 6係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖2 7係顯示構築圖2 6之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖2 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一 "~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-60 - ^047 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（5$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中’將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大 + ’以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖2 6及圖2 7中，於與圖24及圖2 5 (第1 1實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符省略該說明。 § 如圖26及圖27所示，於第12實施例中，較第 1 1實施例，代替1條之容量線2 0 0，具備一對之容量線2 〇〇 a及2 0 0 b，於此間經由挾持容量電極2 0 2 ’橇成蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例之蓄積容量70 - 12。容量線200a及200b係如圖26所 $ ’平面視之，不但僅被覆自源極電極2 0 4 b、掃瞄線 3 a /突出之閘極電極及汲極電極2 0 4 b，被覆資料線 6 a >地，於各畫素，在圖2 6中上側大爲寬廣地，或突 |出地（即，於上側成爲具有大梳齒之條紋狀）。另一方，島狀之容量電極2 0 2係對應於此，於圖2 6上側，形成呈大寬廣地（即，於各島，成爲角落被膨脹之L字形狀）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 °然而，成爲所定電位之一對之容量線2 0 0 a及2 0 0 b，係於每畫素或複數畫素，經由連接孔相互連接亦可，或相互獨立至畫像顯示範圍外成爲條紋狀地各別加以引回，各別連接於定電位線等亦可。對於其他之構成，與第 1 1實施例之時同樣。因此，根據第1 2實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫排於掃瞄線加以配線之故，各畫素之非開口範本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -61 - 1222047 A7 B7 五、發明説明（圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容量線2 0 〇 a及2 〇 0 b以及容量電極2 0 2，經由立體重疊於掃瞄線3 a /或資料線6 a /，可得大的蓄積容量。又，於第1 2實施例中，尤其，成爲畫素電極電位之容量電極2 0 2係經由成爲所定電位之一對之容量線 2〇〇a及200b ，自上下挾持之故，容量電極202 >之電位變動不會經由容量耦合，對於掃瞄線3 a /或資料線6 a >有所不良影響，或掃瞄線3 a /或資料線6 a — 之電位變動不會經由容量耦合，對於容量電極2 0 2 (更且爲畫素電極2 0 9 a )有所不良影響之故，因此爲有利的。然後，如此構成時，爲容量耦合的減低，無需將令第 1層間絕緣膜2 1 2變厚。以上說明之第1 1及第1 2實施例中，於半導體層 2 1 0 a之上側，雖配置畫素電極2 0 9 a之端部，如圖 k 2 8所示，於半導體層2 1 0 a之下側，配置畫素電極 2 0 9 a亦可。此時之半導體層2 1 0 a和畫素電極 2 0 9 a之連接，係於閘極絕緣薄膜2 /，開孔連接孔 2 1 4進行即可。 (實施例1 3 ) 接著，參照圖2 9至圖3 0，對於本發明之光電裝置之第1 3實施例加以說明。在此，圖2 9係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖3 0係顯示構築圖2 9之連接孔所成各層之連接關係及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -62- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7 __ 五、發明説明（60) 餐積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖3 〇中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖29及圖30中，於與圖24及圖25 (第1 1實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖2 9及圖3 0所示，於第1 3實施例中，較第 1 1實施例，於蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例之蓄積容量70 — 13之上方，配置畫素電極209 a — ’於容量線2 0 0和畫素電極2 0 9 a /間，堆積層間絕緣膜2 1 6。介由開孔於層間絕緣膜2 1 6之連接孔 217，連接畫素電極209a>和容量電極202，容量電極2 0 2係成爲畫素電極電位。然而，於每畫素具有 |寬廣部分（即，於圖2 9中上側具有梳齒）之條紋狀之容量線2 0 0係如圖2 9所示，平面性視之，避開連接孔 2 1 7之部分使得該寬廣部分會若干變小，島狀之容量電極2 0 2係可以連接孔2 1 7加以辛接地，該寬廣部分於連接孔2 1 7附近’較容量線2 0 0會若干娛大。對於其他之構成，與第1 1實施例之時同樣。因此，根據第1 3實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫排於掃猫線加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 〇上，將容量線2 0 0 以及容量電極2 0 2 ’經由立體重疊於掃瞄線3 a /或資本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-63- )47^ )47^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（61) 料線6 a >，可得大的蓄積容量。 (實施例1 4 ) 接著，參照圖3 1至圖3 2，對於本發明之光電裝置之第1 4實施例加以說明。在此，圖3 1係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖， > ® 3 2係顯示構築圖3 1之連接孔所成各層之連接關係及 ®積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖3 2 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖31及圖32中，於與圖24及圖25 (第11實施例）或圖29及圖30 (第13實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。 | 如圖3 1及圖3 2所示，於第1 4實施例中，較第 1 3實施例，蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例之蓄積容量7 0 - 1 4係自上側之導電膜構成島狀之容量電極2 0 2 /，自下側之導電膜構成條紋狀之容量線 200 /。然後，畫素電極209 a /和容量電極 2 0 2 /係藉由開孔於層間絕緣膜2 1 6之連接孔 2 17 /加以連接，容量電極2 0 2 /係成爲畫素電極電位。又，容量電極2 0 2 >係藉由開孔於層間絕緣膜 2 1 2之連接孔2 1 3 >，連接於T F T 3 0之汲極電極 2 0 4 b。然而，如圖3 1所示，容量線2 0 0 '係不僅本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-64 122204? A7 B7 五、發明説明（62) 被覆自源極電極2 0 4 b、掃瞄線3 a，突出之閘極電極及汲極電極2 0 4 b，被覆資料線6 a >，於各畫素，於圖3 1中上1側，大且寬廣地加以形成或突出形成（即，於上側具有大的梳齒狀之條紋狀）。對應於此，島狀之容量電極2 0 2 /係於圖3 1中上側，形成呈大寬廣地（即 ’角落被膨脹呈L字形狀）。對於其他之構成，與第1 3 >實施例之時同樣。因此，根據第1 4實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫排於掃瞄線加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 〇上，將容量線 2 0 0 /以及容量電極2 0 2，經由立體重疊於掃瞄線 3 a /或資料線6 a >，可得大的蓄積容量。又，於第1 4實施例中，於T F T 3 0 >，掃瞄線 3 a >及資料線6 a和成爲畫素電極電位之容量電極 _ 2 0 2 >間，介在成爲所定電位之容量線2 0 0 /之故， ^容量電極2 0 2 /之電位變動不會經由容量耦合，對於 T F T 3 0、或掃瞄線3 a >或資料線6 a >有所不良影響，或掃瞄線3 a >或資料線6 a /之電位變動不會經由容量耦合，對於容量電極2 0 2 /(更且爲畫素電極 2 0 9 a )有所不良影響之故，因此爲有利的。然後，如此構成時，爲容量耦合的減低，無需將令第1層間絕緣膜 2 1 2變厚。然而，如第1 3實施例或第1 4實施例’於畫素電極 2 0 9 a /之下方，製作蓄積容量7 0時，將容量線及容本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -65- 1222047 Α7 Β7 五、發明説明（69 量電極之一方或兩者，經由自導電性之遮光膜加以構成，可做爲規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜加以工作。或 ’將容量線及容量電極之一方或兩者，自透明之導電膜加以構成，規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜係另外加以形成亦可。更且，如第1 3實施例或第1 4實施例，於畫素電極2〇9a/之下方，製作蓄積容量70時，如第 > 1 2實施例，可採用以一對之容量線挾持容量電極之構成。更且，容量線2 0 0 〃係被覆資料線、掃瞄線形成成爲矩陣亦可。 (實施例1 5 ) 接著，參照圖3 3至圖3 4，對於本發明之光電裝置之第1 5實施例加以說明。在此，圖3 3係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖， >圖3 4係顯示構築圖3 3之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖3 4 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖3 3及圖34中，於與圖2 4及圖2 5 (第1 1實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖3 3及圖3 4所示，於第1 5實施例中，較第 1 1實施例，於T F T陣列基板1 0上，在底閘極型之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) μ規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -66- 1222047 A7 B7 五、發明説明（64) TFT3〇/下方，構成蓄積容量70 (參照圖1)之其他之一例之蓄積容量7 0- 1 5。更具體而言，於TFT 陣列基板1 0上，形成島狀之容量電極8 0 2，於此上，容量線8 0 〇藉由介電質膜8 0 1對向配置。然後，於此容量線8 0 0上，藉由基材絕緣膜1 2，形成掃瞄線3 a 。容量線8 0 0係成爲條紋狀延伸設置於畫像顯示範圍外 >，下降至所定電位。另一方面，容量電極8 0 2係經由開孔於基材絕緣膜1 2及介電質膜8 0 1之連接孔8 1 3，連接於半導體層2 1 0 a之汲極範圍，成爲畫素電極電位。於連接孔8 1 3內，配置與掃瞄線3 a同一之導電性材料（例如導電性之多晶矽）所成柱塞3 b /。然而，容量線8 0 0係如圖3 3所示，平面性視之，不僅被覆自源極電極2 0 4 a、掃瞄線3 a >突出之閘極電極及汲極電極 2 0 4 b，被覆資料線6 a >地，於各畫素，於圖3 3中上側，大爲寬廣或突出形成（即，於上側成爲具有大梳齒 >之條紋狀）。另一方，島狀之容量電極2 0 2係對應於此，於圖3 3上側，形成呈大寬廣地（即，於各島，成爲角落被膨脹之L字形狀）。對於其他之構成，與第1 1實施例之時同樣。因此，根據第1 5實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫排於掃瞄線加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 0上，將容量線8 0 0 以及容量電極8 0 2，經由立體重疊於掃猫線3 a 或資料線6 a /，可得大的蓄積容量。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -67- 1222047^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（65) 又，於第15實施例中，尤其，於TFT30，、掃瞄線3 a /及資料線6 a /和成爲畫素電極電位之容量電極8 0 2間，係介有成爲所定電位之容量線8 0 0之故，容量電極8 0 2之電位變動不會經由容量耦合，對於丁 F T / 3 0、或掃瞄線3 a —或資料線6 a /有所不良影響，或掃瞄線3 a /或資料線6 a /之電位變動不會經 >由容量耦合，對於容量電極802 (更且爲畫素電極 2 0 9 a )有所不良影響之故，因此爲有利的。然後，如此構成時，爲容量耦合的減低，無需將基材絕緣膜1 2變厚。 (實施例1 6 ) 接著，參照圖3 5至圖3 6 ，對於本發明之光電裝置之第1 6實施例加以說明。在此，圖3 5係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖3 6係顯示構築圖3 5之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖3 6 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態，於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖3 5及圖3 6中，於與圖2 4及圖2 5 (第1 1實施例）或圖3 3及圖3 4 (第1 5實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖3 5及圖36所示，於第1 6實施例中，較第本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

68- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 _______ B7 _____ 五、發明説明（67) 規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜或TFT3 0 >之第 1遮光膜係另外加以形成亦可。更且，如第1 5實施例或第1 6實施例，於掃瞄線3 a >之下方，製作蓄積容量 7 0時，如第1 2實施例，可採用以一對之容量線挾持容羹電極之構成。 (實施例1 7 ) 接著，參照圖3 7至圖3 8，對於本發明之光電裝置之第1 6實施例加以說明。在此，圖3 7係形成資料線、掃瞄線、畫素電極等之T F T陣列基板之畫素之平面圖，圖3 8係顯示構築圖3 7之連接孔所成各層之連接關係及蓄積容量的堆積狀態的圖示性之截面圖。然而，於圖3 8 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大 +，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 B ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖37及圖38中，於與圖24及圖25 (第11實施例）或圖29及圖30 (第13實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。如圖3 7及圖3 8所示，於第1 7實施例中，較第 1 3實施例，在於蓄積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例之蓄積容量7 0 — 1 7之上方的層間絕緣膜2 1 6 a及 2 1 6 b間，配置資料線6 a 〃。資料線6 〃係介由開孔於層間絕緣膜2 1 6 a及層間絕緣膜2 1 2之連接孔 2 1 8，連接於T F T 3 0 —之汲極範圍，平面視之，將本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-70- 1222047 A7 B7 __ 五、發明説明（69) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中，將各層或各構件，於圖面上爲使成爲可辨識程度之大小，以及爲易於理解構築連接關係及蓄積容量之堆積狀態 ’於每各層或各構件，將比例尺及相對之平面配置適切加以不同化。又，圖3 9及圖40中，於與圖2 4及圖2 5 (第1 1實施例）或圖3 7及圖3 8 (第1 7實施例）同樣之構成要素中，附上同樣之參照符號，省略該說明。 p 如圖3 9及圖4 0所示，於第1 8實施例中，較第 1 8實施例，構成自上側之導電膜構成島狀之容量電極 2 0 2 >，自下側之導電膜構成條紋狀之容量線2 0 0 > 。然後，畫素電極209a/和容量電極202/係介由開孔於層間絕緣膜2 1 6 a及2 1 6 b之連接孔2 1 7 〃加以連接。容量電極2 0 2 /係成爲畫素電極電位。又， .容量電極2 0 2 /介由開孔於層間絕緣膜2 1 2之連接孔 213，連接於TFT30之汲極電極204b ’構成蓄 _積容量7 0 (參照圖1 )之其他之一例的蓄積容量7 〇一 ψ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8。然而，容量線2 0 0係如圖3 9所π ’平面視之’ 不僅被覆自源極電極2 0 4 b、掃瞄線3 a /突出之閘極電極及汲極電極2 0 4 b，被覆鄰接於資料線6 a 〃之大半及畫素電極9 a之資料線6 a 〃的範圍之一部分地’於每畫素，於圖3 9中上側加大突出（即’於上側成爲具有銳梳齒之條紋狀）形成。更且，容纛線2 0 0 /係迴避連接孔2 1 3 /、2 1 7 〃及2 1 8地’在連接孔 2 1 3 >和連接孔2 1 8間之上述上側’具有更大突出部分之根部附近蜂腰化的平面形狀。另一方，島狀之容M電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1222047 A7 B7 五、發明説明（7d) 極2 〇 2 /係對應於此，於圖3 9中上側，呈非常大寬廣地（即，於各島，角落呈膨脹之L字形狀）加以形成。對於其他之構成，與第1 7實施例之時同樣。因此，根據第1 8實施例，無需將如前述之背景技術之容量線橫排於掃瞄線加以配線之故，各畫素之非開口範圍無需擴張，於T F T陣列基板1 〇上，將容量線 > 2 0 〇 /以及容量電極2 0 2 >，經由立體重疊於掃瞄線 3 a >或資料線6 a /，可得大的蓄積容量。然而，如第1 7實施例或第1 8實施例，於掃瞄線 3 a /和資料線6 a 〃間，製作蓄積容量7 0時，將容量線及容量電極之一方或兩者，經由自導電性之遮光膜加以構成’可做爲規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜加以工作。或’將容量線及容量電極之一方或兩者，自透明之導電膜加以構成，規定各畫素之開口範圍之內藏遮光膜係另外加以形成亦可。更且，如第1 7實施例或第1 8實施例 ) ，於掃瞄線3 a /和資料線6 a 〃之下方，製作蓄積容量 7 0時，如第1 2實施例，可採用以一對之容量線挾持容量電極之構成。如自以上說明之第1 1至第1 8實施例，可將底閘極型之TFT做爲畫素用開關用TFT使脂之時，可將畫素電極和資料線自同一導電膜加以構成。於此時，於畫素電極和T F T間，可構築各種之蓄積容量，對於容量線和容量電極之上下關係，任一者皆可，更且可以容量電極以一對之容量線加以挾持。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂峰· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -73- 1222047 A7 B7 五、發明説明（71) (光電裝置之整體構成）將如以上構成之各實施例之光電裝置之整體構成，參照圖4 1及圖4 2加以說明。然而，圖4 1係將TFT陣列基板1 0，與於其上形成之各構成要素一同，自對向基板2 〇側視得之平面圖，圖4 2係圖4 1之Η — Η /截面圖。於圖4 2中，於T F Τ陣列基板1 〇上，密封材5 2 則沿該緣加以設置，並行於該內側，設置做爲例如規定與第2遮光膜2 3同樣或不同材料所成之畫像顯示範圍1 0 a之周邊的邊緣之第3遮光膜5 3。於密封材5 2之外側範圍，於資料線6 a ，將畫像信號，經由以所定時間加以供給，驅動資料線6 a之資料線驅動電路1 〇 1及外部電路連接端子1 0 2則沿T F T陣列基板1 〇之一邊加以設置，於掃瞄線3 a ，經由將掃瞄信號以所定時間加以供給，驅動掃瞄線3 a之掃瞄線驅動電路1 〇 4，於此一邊沿鄰接之2邊加以設置。供予掃瞄線3 a之掃瞄信號不會成爲問題時，掃瞄線驅動電路1 0 4係當然可爲單側亦可。又，將資料線驅動電路1 〇 1沿畫像顯示範圍1 〇 a之邊，於兩側加以排列亦可。更且，於T F T陣列基板1 0所剩一邊中，設置爲連接設於畫像顯示範圍1 0 a之兩側的掃瞄線驅動電路1 0 4間之複數之配線1 0 5。又，於記憶手段2 0之角落部之至少1處中，於T F T陣列基板 1 0和記憶手段2 0間，設置得電氣導通的導通材1 0 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -74- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 A7 B7 五、發明説明（73 。然後，如圖4 2所示’具有與圖4 1所示之密封材5 2 幾近相同之輪廓的對向基板2 0 ’經由該密封材5 2，固著於T F T陣列基板1 0。然而，於T F T陣列基板1 〇上，除了此等之資料線驅動電路1 0 1、掃瞄線驅動電路1 〇 4等，形成於複數之資料線6 a將畫像信號以所定之時間加以施加的取樣電 |路，於資料線6 a將所定電壓準位之預充電信號，先行於畫像信號，各別加以供給之預充電電路，爲檢查製造中途或出貨時之該光電裝置之品質、缺陷等的檢查電路等。以上，參照圖1至圖4 2說明之各實施例中，代替將資料線驅動電路1 0 1及掃瞄線驅動電路1 0 4，設於 T F T陣列基板1 0之上，例如於安裝於T A B ( Tape Automated bonding)基板上之驅動用L S I ，藉由設於 T F T陣列基板1 0之周邊部的向異性導電薄膜，電氣性 _及機械性加以連接亦可。又，於入射對向基板2 0之投射光側及射出T F Τ陣列基板1 〇之射出光側，各對應例如 T N ( Twisted Nematic)模式、V A ( Verically Aligened) 模式、PDLC(Polymer Dispersed Liguid Crystal)模式等之動作模式，或正常白模式/正常黑模式之外，偏光濾色片、相位差濾色片、偏光板等，以所定方向加以配置。以上說明之各實施例之光電裝置係爲適用於投影機， 3枚之光電裝置則做爲R G B用之光閥，各別加以使用，於各光閥，藉由各R G B色分解用之分光鏡加以分解之光，則做爲投射光，各別加以入射。因此，於各實施例中，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-75· 1222047 A7 B7 五、發明説明（72ί> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於對向基板2 0，未設置彩色濾色片。但是，在於對向於第2遮光膜2 3未形成之畫素電極9 a的所定範圍，將 R G B之濾色片與該保護膜一同地，形成於對向基板2 0 上亦可。如此之時，對於投影機以外之直視型或反射型之彩色光電裝置，可適用各實施例之光電裝置。又，於對向基板2 0上，形成1畫素1對應之微透鏡亦可。或，在對 >向於TFT陣列基板1 0上之RGB的畫素電極9 a下，可以彩色光阻劑等形成彩色濾色片層。如此之時，經由提升入射光之集光效率，實現明亮之光電裝置。更且，又於對向基板2 0上，經由堆積幾層折射率之不同的干涉層，利用光之干涉，形成製作R G B色之分色濾色片亦可。根據附上此分色濾色片之對向基板，可實現更明亮之彩色光電裝置。本發明係非限於上述各實施例者，在不違反自申請專利範圍及說明書整體讀取之發明要點或思想的範圍，可帝 ► 切地加以變更，伴隨如此之變更之光電裝置，亦包含於本發明之技術性範圍。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (產業上之利用可能性）有關本發明之光電裝置係提高畫素數値口徑的同時，可達成蓄積容量之增大，可減低串訊或鬼影，可利用做爲局品質之畫像顯不的各種顯不裝置加以利用’更且’可做爲構成液晶電視、目視型或監視直視型之錄影機、汽車導航裝置、電子筆記本、計算機、文字處理機、工作站、攜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -76- Ι222ϋΤΤ Α7 Β7 五、發明説明（7$ 帶電話、電視電話、P〇S終端、觸控板等之各種之電子機器之顯示部的顯示裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

1222047 年?月5^日修正/吏责C8 __ D8 六、申請專利範圍第90109396號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國93年7月5日修正 L 一種光電裝置，於基板（10)上具備相交叉之掃瞄線（3 a )及資料線（6a )，和對應於該掃瞄線（3 a )及資料線（6a )而設之薄膜電晶體（3 〇 )，和對應於該薄膜電一晶體（30 )而設之晝素電極（9a )，和包含電氣連接於前述畫素電極（9a )呈晝素電極電位的畫素電位側容量電極 (3 02、3 02 >、403 a)和於該畫素電位側容量電極（3 02、 3〇2 /、403 a )，藉由介電質膜（301、401 )加以對向配置呈所定電位的固定電位側容量電極（3 00、3 00 / 、4(Ha、 300a、300b)之蓄積容量（70-1、70-2、70-3、70-4); 前述蓄積容量（70-1、70-2、70-3、70-4)乃形成於前述薄膜電晶體（3 0 )和前述資料線（6a )間，對於前述薄膜電晶體（3 0 )之通道範圍（1 a /)及前述掃瞄線（3 a ) b 有所重疊，前述晝素電位側容量電極（3 02、3 02 /、403 a )及前述所定電位側容量電極（3 00、3 00 /、404a、300a、3 00b )之至少一方係具有遮光性者。 2·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中’前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之上側者。 3.如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中’前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再頁) —裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222047 $年?月义曰修正/务去》 β 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍通道範圍之下側者。 4·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述晝素電位側容量電極係在於前述固定電位側固定電位側谷量電極之上側者。 5. 如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述晝素電位側容量電極係在於前述固定電位側固定電位側谷量電極之下側者。 6. 如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，更具備連接於前述固定電位側固定電位側容量電極，於前述基板上配線呈條紋狀或格子狀，於畫像顯示範圍外，掉落至所定電位的容量線。 7. 如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述晝素電位側容量電極係介入存在於前述薄膜電晶體和前述晝素電極間的島狀之導電膜。 8·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係堆積於前述掃瞄線和前述畫素電位側容量電極之間。 9·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述畫素電位側容量電極係較前述固定電位側固定電位側容量電極，堆積於接近前述掃瞄線側者。 10·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係堆積於前述資料線和前述晝素電位側容量電極之間。 11.如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（21〇χ29*7公董） (請先閲讀背面之注意事項再頁) —裝· 、1T -2 - ^22047 年7月S曰修正 -----— 六、申請專利範圍 t m素電k側谷量電極係較前述固定電位側容量電極，堆積於接近前述資料線側者。 1 2· $[]甲請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，則述固定電位側固定電位側容量電極係包含於前述基板上 ’在於沿掃瞄線範圍，堆積於前述掃瞄線和前述晝素電位側容量電極間的部分，包含於前述基板上，沿資料線之範圍中’堆積於前述資料線和前述畫素電位側容量電極間的部分者。 1 3·如申請專利範圍第1項記載之光電裝置，其中，前述畫素電位側容量電極及前述固定電位側固定電位側容量電極的一方，係令另一方自上下挾持的一對電極所成者 (請先閲讀背面之注意事項再填本頁) fet· 、IT. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14· 一種光電裝置，於基板上（10 )具備相交叉之掃瞄線（3 a )及資料線（6a )，和對應於該掃瞄線（3 a )及資料線（6a )而設之薄膜電晶體（3 0 )，和對應於該薄膜電晶體（30)而設之畫素電極（9a)，和包含電氣連接於前述畫素電極（9a )呈晝素電極電位的畫素電位側容量電極（702、7 02 /)和於該畫素電位側容量電極，藉由介電質（70 1、70 1 /)膜加以對向配置呈所定電位的固定電位側容量電極（700、700 /)之蓄積容量（70-8、70-9); 前述蓄積容量（70-8、70-9 )乃形成於前述畫素電極 (9 a )和前述資料線（6 a )間’對於前述薄膜電晶體 (3 0 )之通道範圍（1 a / )及前述掃瞄線（3 a )有所重疊，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐) -3- 1222047 A8 B8 C8 D8 为年夕月义日修正 i、申請專利範圍前述畫素電位側容量電極（702、702 / )及前述所定電位側容量電極（700、700 /)之至少一方係具有遮光性者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項記載之光電裝置，其中，前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之上側者。 16·如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之下側者。 17. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側固定電位側容量電極之上側者。 18. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側周定電位側容量電極之下側者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述畫素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之上側。 20. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述晝素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之下側。 21. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述蓄積容量係除了前述掃瞄線之外’對於前述資料線加以堆積形成者。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1222047 A8 B8 彳子年7月厂日修正/D88 六、申請專利範圍 22·如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，更具備連接於前述固定電位側周定電位側容量電極，於前述基板上配線呈條紋狀或格子狀，於畫像顯示範圍外，掉落至所定電位的容量線。 23. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，則述畫素電位側容量電極係介入存在於前述薄膜電晶體和前述畫素電極間的島狀之導電膜。 24. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係堆積於前述掃瞄線和前述畫素電位側容量電極之間。 25. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係堆積於前述資料線和前述畫素電位側容量電極之間。 26. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置.，其中，前述畫素電位側容量電極係較前述固定電位側固定電位側容量電極，堆積於接近前述資料線側者。 27. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係包含於前述基板上，在於沿掃瞄線範圍，堆積於前述掃瞄線和前述晝素電位側容量電極間的部分，包含在於前述基板上，沿資料線之範圍中，堆積於前述資料線和前述晝素電位側容量電極間的部分者。 28. 如申請專利範圍第14項記載之光電裝置，其中，前述晝素電位側容量電極及前述固定電位側固定電位側容本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再本頁) |裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 04 2 2 2 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 $年?月f日修正决 g8六、申請專利範圍量電極的一方，係令另一方自上下挾持的一對電極所成者〇 29. —種光電裝置，於基板（10)上具備相交叉之掃瞄線（3 a )及資料線（6a )，和對應於該掃瞄線（3 a )及資料線（6a )而設之薄膜電晶體（3 0 )，和對應於該薄膜電晶體（30)而設之晝素電極（9a)，和包含電氣連接於 ) 前述晝素電極（9 a )呈畫素電極電位的畫素電位側容量電極和於該畫素電位側容量電極（502、5 02 /、602 )，藉由介電質膜（5〇 1 )加以對向配置呈所定電位的固定電位側容量電極（11a、11a，' 603)之蓄積容量（7〇-5、7 0-6、ΤΟ-Τ) ; 前述蓄積容量（70-5、70-6、70-7)乃形成於前述基板和前述薄膜電晶體間，對於前述薄膜電晶體（3 0 )之通道範圍（1 a /)及前述掃瞄線（3 a )有所重疊，前述畫素電位側容量電極（502、502 /、602 )及前述 I 所定電位側容量電極（1 1 a、11 a /、603 )之至少一方係具有遮光.性者。 3 0.如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之上側者。 31.如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述薄膜電晶體係自前述掃瞄線之一部分所成閘極電極位於通道範圍之下側者。 3 2.如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再本頁) |裝· 、1T -6 - 1222047 务年^日修正^£/補充〜 C8 D8 六、申請專利範圍前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側固定電位側容量電極之上側者。 3 3.如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述畫素電位側容量電極係在於前述固定電位側固定電位側容量電極之下側者。 34. 如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述畫素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之上側。 35. 如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述畫素電極之層間位置係在於前述基板上之前述掃瞄線之下側。 36·如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述蓄積容量係除了前述掃瞄線之外，對於前述資料線加以堆積形成者。 37.如申請專利範圍第29項記載之光電裝置，其中，前述固定電位側固定電位側容量電極係包含於前述_板上，在於沿掃瞄線範圍，堆積於前述掃瞄線和前述寰素胃丨立側容量電極間的部分，包含在於前述基板上，沿資料線之範圍中，堆積於前述資料線和前述晝素電位側容纛電極間的部分者。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再本頁) —裝. -5-口經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7 -