TWI280543B - Transistor circuit, pixel circuit, display device, and drive method thereof - Google Patents

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1280543 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於積體形成於基板上之薄膜電晶體所構成之 電晶體電路。又，關於電晶體電路之一型態之像素電路。 另外，關於將此像素電路排列成矩陣狀之顯示裝置。此主 動矩陣型顯示裝置例如包含液晶顯示器及有機EL_示器等 平面顯示面板。 【先前技術】 場效型電晶體之一種之薄膜電晶體係以成膜於玻璃等之 絕緣性基板上之非晶質^❹晶賴作為元件區域者。近 年來，此薄膜電晶體之開發作為主動輯型顯示裝置之像 素開關之風氣極為盛行。薄膜電晶體具㈣極、源極及没 極’依照施加至閘極之電壓’將電流通至源極/汲極間。薄 膜電晶體在飽和區域執行動作時，㈣電流ids可由以下之 電晶體特性式算出： 丄 aS = (1/2)wW/L)c〇x(VgsVth)2 在此，Vgs係表示以源極為基準之閘極電·，v_表 臨限值電壓，C〇X表示閑極電容，w表示通道寬，如: 道長1係表示半導體薄膜之移動度。由此電晶體特性 °士去’'"冑膜電晶體之閘極電壓Vgs超過臨限值電壓v 扦，會變成流通汲極電流Ids之構造。 將幾個薄膜電晶體連接時，可 φ 冓成赉揮特疋功能之電， 體电路。一般，電晶體電路 曰 伸由形成於基板之複數薄膜' 連接於各m閘極、源極或汲極以執行特定j 96535.doc 1280543 作之配線所構成。作為此種電晶體電路之典型例，可列舉 像素電路。像素電路係分別形成於列狀之掃描線與行狀之 信號線交叉之部分，整體上構成主動矩陣型顯示裝置。像 素電路係在被掃描線選擇時執行動作，由信號線抽樣影像 信號，驅動有機EL發光元件等負載元件。以此種薄膜電晶 體作為主動元件之主動矩陣型有機E L顯示裝置曾揭示於例 如專利文獻1。 [專利文獻]曰本特開平8_234683號公報 【發明内容】. 由上述電晶體特性式可以明悉：在飽和區域中，薄膜電 晶體在閘極電壓超過臨限值電壓時會成為"開，，而使汲極電 流流動，另一方面，閘極電壓低於臨限值電壓時電流會被 截止。但，薄膜電晶體之臨限值電壓vth未必一定，而會隨 著時間變動。此臨限值電壓之變動會使截止動作發I混 亂，而有造成電晶體電路之誤動作之問題。又，由上述電 晶體特性式可以明悉：即使閘極電壓一定，臨限值電壓一 變動，汲極電流也會發生變動。在電流驅動發光元件之像 素電路之情形，臨限值電壓之變動會導致汲極電流之變 動’進而有出現發光元件之亮度之劣化之問題。 有鑒於上述先前技術之問題，本發明之目的在於提供自 備有修正薄膜電晶體之臨限值電壓之變動之功能之電晶體 電路、像素電路、顯示裝置及其等之驅動方法。為達成此 目的，採取以下之手段。即，本發明之電晶體電路之特徵 在於：其係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、連接於各 96535.doc 1280543 電薄膜晶體之閘極、源極或汲極以執行特定動作之配線 者；且含有薄膜電晶體，其係在動作中，至少經由i個配線 反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者；並含 有反向偏壓施加手段，其係在不造成該動作之妨礙之時 間，，反向偏《施加至該薄膜電晶體之閘極與源極間以抑 制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 一最好電晶體電路係包含並聯連接於該薄膜電晶體之追加 薄膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶 體，以創造上述不造成動作之妨礙之時間之補足手段；前 述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向偏壓施 加至該薄膜電晶體者。例如，該薄膜電晶體係⑽道型或p 通道3L，兩述追加薄膜電晶體亦係同樣之^^通道型或p通道 型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈 衝，、有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘 極。或者，該薄膜電晶體係N通道型或P通道型，前述追加 薄膜電晶體係相反之p通道型_通道型，冑述補足手段係 將與施加至該薄膜冑晶體之間極之脈衝具有同相之關係之 脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。 又，本發明之像素電路之特徵在於其係配置於列狀之掃 描線與行狀之掃描線之各交又部，被該掃描線選擇時，由 该信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信號驅動負載元件 者；包含薄膜電晶體，其係由形成於基板之複數薄膜電晶 體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線所構 成，負载70件冬驅動中至少經由丨個配線反覆地或持續地將 96535.doc 1280543 f向偏壓施加至閘極與源極間者；且包含反向偏壓施加手 段，其係在不造成負載元件之驅動之妨礙之時間，將反向 偏堡施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑制該薄 膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 兩最好像素電路係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜 电晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄臈電晶體， 以創造上述不造成上述負載元件之驅動之妨礙之時間之補 足手段；前述反向偏屋施加手段係利用該創造之時間，將 反向偏Μ施加至該薄膜電晶體。例如，該薄膜電晶體係n 通道型或Ρ通道^，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之Ν通道 型或Ρ通道型’前述補；^手段係將與施加至該薄膜電晶體之 ^極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極。或者，該薄膜電晶體係Ν通道型或 包 前述追加薄膜《晶體係相反之Ρ通道型或Ν通道型^述補 足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閉極之脈衝具有同相 之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之問極。 最好前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導 通’由該信號線抽樣信號而將其保料保持電容之抽樣用 薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制對該 負載元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該負^ 元件之通電之開/關控制之開關用薄膜電晶體；前述反向偏 壓施加手段係將反向偏壓施加至前述驅動㈣膜電晶體及 該開關用薄膜電晶體之至少一方。又，包含臨限值電壓消 除手段，其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之 96535.doc 1280543 變動方 乃式調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電 之位準者。另外，包含自舉手段，其係以吸收該負載元 牛之特性變動方式自動控制施加至該驅動用薄膜電晶體之 閘極之信號電位之位準者。 又本發明之顯示裝置之特徵在於其係包含列狀之掃描 線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分之像素電路 2 4像素電路係在被該掃描、㈣擇冑，由該信號線抽樣 影像信號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件丨該像 2路係包含薄膜電晶體，其係由形成於基板之複數薄膜 電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線 =構成；且發光元件之驅動中至少經由丨個轉反覆地或持 續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者；i包含反向偏壓 把加手段，其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間， 將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑 制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 最好顯示.裝置係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜 電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加 ' :料不造成該發光元件之驅動之妨礙之時間之=手 段；前述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向 偏昼施加至該薄膜電晶體。例如，該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之^通道型或p 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極 之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 之閘極。或者’該薄臈電晶體❹通道型或?通道型，前述 96535.doc -10- 1280543 追加薄膜電晶體係相反之P通道型或1^通道型，前述補足手 段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關 係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。 最好前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導 通，由該信號線抽樣影像信號而將其保持於保持電容之抽 樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制 :該發光元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該 發光兀件之通電之開/關控制之開關㈣膜電晶體；前述反 向偏£麵加手段係將反向偏壓施加至該驅動用薄膜電晶體 =開關用薄膜電晶體之至少一方。再者，包含臨限值電 二手&其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電 屋之變動方式調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信 號電位之位準者。另外，包含自舉手&，其係以吸收該負 載凡件之特性變動方式自動控制施加至該驅動用薄膜電晶 體之閘極之信號電位之位準者。 入又’、本發日月之電晶體電路之驅動方法之特徵在於其係包 成於基板之複數薄臈電晶體、與連接各薄膜電晶體之 閘極、源極或汲極以執行特定動作之配線之電晶體電路之 ^動方^且執行：順向偏壓施加程序：其係在動作中至 〔對1個缚膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓 i力至閘極與源極間者；及反向偏壓施加程序，其係在不 作之妨礙之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶 -甲亟與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓 夕，包含補足程序，其係對該薄膜電晶體補 96535.doc 1280543 足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之該追加薄膜電晶體， 以創造上述不造成動作之妨礙之時間者；前述反向偏壓施 加程序係在該創造之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶 體0 又’本發明之像素電路之驅動方法之特徵在於其係為驅 =配置於列狀之掃描線與行狀之掃描線之各交又部，被該 帚描線迖擇％’由该信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信 “區動負載元件’巾包含形成於基板之複數薄膜電晶體、 與連接各薄膜電晶體之㈣、源極或祕之配線之像素電 路之驅動方法；且執行：順向偏壓施加程序：其係在負載 ^件之驅動中至少對i個薄膜電晶體經由配線反覆地或持 績地將順向偏壓施加至間極與源極間者；及反向偏壓施加 程序，其係在不造成貞載元件之㈣之妨礙之時間，將反 :偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間，以抑制該 薄膜電晶體之臨限值電屢之變動者。另外，包含補足程序， 其係對該薄‘臈電晶體補；^地驅動並聯連接於該薄膜電晶體 之追加薄臈電晶體，以創造不造成上述負載it件之驅動之 妨礙之時間者；前述反向㈣施加程序係在該創造之時 間’將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。 又，本發明之顯示裝置之驅動方法之特徵在於其係包含 列狀之掃描線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分 之像素電路；該像素電路係、在被該掃描線選擇時，由該信 號線抽樣影像信號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光: 件，·該像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、盘 96535.doc 1280543 連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線顯示裝置之 驅動方法，·且執行：順向㈣施加㈣：其係發光元件之 驅動中至少對1個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將 順向偏Μ施加至閘極與源極間者；及順向偏壓施加程序： 其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間，將反向偏壓 施加至該薄膜電晶體之閉極與源極之間，以抑制該薄膜電 晶體，臨限值電壓之變動者。另夕卜，包含補足程序，其係 對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之追 加薄膜電晶體，以創造不造成負載元件之驅動之妨礙之時 間者；前述反向偏壓施加程序係在該創造之時間，將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 【發明之效果】 薄膜電晶體係在反覆地或持續地施加正閘極電壓（順向 偏壓）時，具有臨限值電齡向正方向移位之傾向。反之， 在反覆地或持續地施加負閘極電a(反向偏壓）時，具有臨限 值電壓會向.負方向變動之傾向。由於電晶體電路之機能及 動作條件之關係’有時含有需要經由電路配線反覆地或持 績地將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體。該薄 膜電晶體會因此種順向偏壓而使臨限值電壓會隨時間之經 :而移位。此現象放置不管時，有可能因該薄膜電晶體之 截止動作之混亂而有導致錯誤動作之虞。因此，在本發明 F地：於t◎體电路之動作上或機能上不可避免需要反 復也或持續地施加順向偏壓之薄膜雷 寻胰包曰曰體，在不造成動作 之妨礙之時間施加反向偏壓可使因順向偏壓而移 96535.doc 1280543 位之臨限值電壓回到負方向，結果可抑制臨限值電壓之變 動。 有時，在幾乎持續地執行順向偏壓之施加般之薄膜電晶 體中，會有為施加反向偏壓無法取得充分之時間之情形。 對於此種薄膜電晶體，可利用並聯連接追加薄臈電晶體， 對”亥薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶體，以強制地 創造施加反向㈣之時間。因此，即使在因順向偏壓之持 續性的施加而無法避免向臨限值電壓之上方移位之薄膜電 曰曰體之情形，也可利用並聯連接補足用之追加薄膜電晶 體’強制地將臨限值電壓向下方修正。 【實施方式】 以下，苓照圖式詳細說明本發明之實施型態。圖1係表示 本發明之電晶體電路之第_實施型態，（A)表示構成之電路 圖，（B)表示動作之時間圖，（c)表示原理之曲線圖。如（A) 所示，本電晶體電路係由形成於基板之2個薄膜電晶體 Trl、Tr2、_接於各薄膜電晶體ΤΗ、Μ之閘極、源極或汲 極以執行反相器動作之配、線所構成。#，本電晶體電路係 =用2個Ν通道型薄膜電晶體ΤΗ、μ構成反相器。ν通道型 缚電晶體可以非晶質碎膜廉價地製成，故在成本上較為 有利又，反相裔僅係例示而已，本發明之電晶體電路只 要以薄膜電晶體構成即可，不問其機能及動作。 在具體的電路構成上，特定之閘極電壓乂丨被施加至m 之間極’ &極被供應電源電壓Vee，源極則供應輸出Vout。 在圖不之例中’輸出端子連接負載電容π。負載電容a之 96535.doc 1280543 一端被施加輸出Vout ’他端被接地於Vss。閘極電壓V1被設 定於大於Trl之臨限值電壓與Vcc之和，故Trl常處於通電狀 態。輸入信號Vin被施加至Tr2之閘極，源極被接地於Vss， 汲極連接於Trl之源極而構成輸出節點。 如（B)所示，本電晶體電路執行反相器動作，可反轉輸入 信號Vin而獲得輸出信號Vout。即，Vin為低位準（L)時，Vout 變成高位準（Η)，Vin為Η時，Vout變成L。著眼於Tr2時，Vin 為低位準時成為斷電狀態，輸出節點由接地電位Vss被切 離。此時，Trl常處於通電狀態，故輸出節點被拉起至Vcc。 此結果，Vout變成高位準（Vcc)。反之，Vin為高位準時，Tr2 通電，輸出節點向Vss被拉下。由負載電容CL被放電之電流 與Trl供應之電流之和與流過Tr2之電流平衡時，確定Vout 之低位準。通常，Vout之低位準會略高於Vss。 由以上之說明可以知悉：Vin之低位準只要低於Tr2之臨 限值電壓即可，通常設定於Vss。另一方面，Vin之高位準 只要充分高於Tr2之臨限值電壓即可。但，在此通常之設定 中，高位準之順向偏壓會反覆被施加至Tr2之閘極，故會導 致Tr2之臨限值電壓之上方變動。此現象放置不管時，有可 能因Vin之高位準向上方變動而有低於臨限值電壓之虞，成 為錯誤動作之原因。因此，在本發明中，定期地將所謂反 向偏壓施加至Tr2，以作為使Vin之低位準低於Vss之負電位 。利用此反向偏壓將向上方移位之臨限值電壓向下方修正 ，結果可抑制ΊΪ2之臨限值電壓之變動。即，在第一實施型 態中，輸入信號Vin之供應源本身構成反向偏壓施加手段， 96535.doc -15- 1280543 可在不造成反相器動作之妨礙之時間（在圖示之例中，為低 位準之時間）施加反向偏壓至薄膜電晶體Tr2之閘極與源極 之間以抑制薄膜電晶體1Y2之臨限值電壓之變動。 (C)係表示薄膜電晶體Tr2之臨限值電壓之變化之曲線圖 。檢軸取以源極電位為基準之閘極電壓Vgs，縱軸取臨限值 電壓Vth。反覆地或持續地不斷施加正閘極電壓（順向偏壓） 時，Vth會向上方變動，極端時，無法執行正常之開/關動 作。反之，持續地施加負閘極電壓（反向偏壓）時，Vth會向 下方變動。本發明即係利用此現象，在不造成電路動作之 妨礙之時間，利用反向偏壓之施加，將順向偏壓持續之施 加引起之臨限值電壓之上方移位向下方修正，以抑臨限值 電壓之變動。 圖2係圖1所示之電晶體電路之輸入信號Vin與輸出信號 V〇ut之另一實施例之時間圖。在本實施例中，輸入脈衝 之"ί占二係數偏離5 〇 %，低位準期間較短，高位準期間較長。 反轉此輸入膦衝Vin之輸出脈衝％加則相反地，高位準期間 較短，低位準期間較長。因裝入反相器之電路區塊之需要， 也可能有使用此種輸入信號Vin之狀況。 在本實施例中，係趁著施加順向偏壓至薄膜電晶體τα之 閘極之空檔，施加反向偏壓（低位準）。但，有時因施加反向 偏壓時間短而無法獲得充分之臨限值電壓變動抑制效果。 即，由於順向偏壓（高位準）之持續之變化引起之臨限值電壓 麦動#又激烈，有時無法達成施加反向偏壓之下方修正改 果。但，與不施加反向偏壓之情形相比，顯然可獲得特 >定 96535.doc -16- 1280543 之臨限值電壓變動抑制效果。 圖3係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態之模式 圖（A)表示構成之電路圖，（B)表示動作之時間圖。為容 易理解起見，在對應於圖丨所示之第一實施型態之部分附以 對應之參照號碼。本實施型態係圖丨之實施型態之改良型 態，如參照圖2所述，其目的在於應付無法確保充分之反向 偏壓施加時間之情形。 如（A)所示，在作為對象之電晶體Tr2(該電晶體）並聯連接 追加薄膜電晶體Tr3。輸入信號vin 1被施加至該電晶體Tr2 之閘極。如前所述，輸入信號Vinl之信號源同時構成反向 偏壓施加手段。另一方面，另一輸入信號Vin2被施加至該 電晶體Tr3之閘極。此輸入信號Vin2之信號源構成本實施型 態之特徵要素之補足手段。即，此補足手段對該電晶體Tr2 補足地驅動該追加薄膜電晶體。3,以強制地創造不妨礙有 關Tr2動作之時間。反向偏壓施加手段利用此強制地創造之 時間’將反内偏壓施加至該薄膜電晶體Tr2，以抑制丁^之 臨限值電壓之變動。 在本實施型態中，該電晶體Tr2係N通道型，追加薄膜電 晶體Tr3亦係同樣之N通道型。此時，補足手段係將與施加 至該電晶體Tr2之閘極之脈衝Vin 1具有反相之關係之信號 脈衝Vin2施加至追加薄膜電晶體Tr3之閘極。Tr2與Tr3為p 通道型時，Vinl與Vin2處於互相反相之關係。另一方面， Tr2與Tr3之一方為N通道型，他方為P通道型時，Vinl與vin2 處於同相關係。 96535.doc -17- 1280543 接著，參照（B)，說明（A)所示之電晶體電路之動作。在 時間Tl，Vinl為低位準，Vin2也為低位準。此時，互相並 行連接之電晶體Tr2、Tr3雙方均為斷電狀態，故輸出節點 被Trl拉高至Vcc側。此結果，輸出信號Vout成為高位準。 在其次之時間T2，Vinl切換為高位準，另一方面，Vin2維 持低位準。互相並行連接之電晶體Tr2、Tr3中之一方Tr2通 電，故輸出節點被拉下至Vss側。此結果，Vout被切換成為 低位準。在其次之時間T3，相反地，Vinl轉移至低位準， 另一方面，Vin2轉移至高位準。因此，互相並行連接之電 晶體Tr2、Tr3中之一方Tr3為通電狀態，故輸出節點被繼續 拉下至Vss側。因此，Vout維持低位準。藉此，完成輸入信 號之一週期，轉移至次一週期。 比較Vinl與Vin2時可以知悉：時間T2、T3兩者具有互相 反相關係。尤其著眼於時間T3時，Τι*2斷電而被置於非動作 狀態，另一方面，為補足此現象，使Tr3通電而使其處於動 作狀態。Tp取代Tr2而處於通電狀態時，輸出節點即可被 繼續拉下至Vss側，而獲得目的之輸出信號Vout。利用Tr3 之補足機能，以創造不妨礙Tr2動作之時間T3。Vinl之信號 源之反向偏壓施加手段可在此創造之時間T3將反向偏壓施 加至該電晶體Tr2。由時間圖可以知悉：施加順向偏壓之期 間T2與施加反向偏壓之期間T1與T3大致可取得平衡，可在 無過或不足之情況下，將臨限值電壓之上方變動向下方修 正° 圖4係表示電晶體電路之第三實施型態，係圖3所示之第 96535.doc -18- 1280543 一實施型態之改良例。（A)係表示本實施型態之構成之電路 圖，（B)係表示動作之時間圖。 反相為電路由雙方均為1^通道型之電晶體^、Tr2所構成 時，Trl常置於動作狀態。換言之，常處於被施加順向 偏壓之狀態，臨限值電壓會隨時間之經過而向上移位。此 向上移位極端地進行時，有時會妨礙正常之動作。因此， 在本實施型態中，也在Trl並聯連接著補足用之電晶體Tr4。 如（Β)所示，在時間Τ1及Τ2中，對Trl之閘極電壓V1處於 鬲位準，另一方面，對Tr4之閘極電壓v2處於低位準。反之， 在時間T3及丁4中，V1切換於低位準，另一方面，V2成為高 位準。因此，電晶體Trl及Tr4執行互相補足的動作，Tri與

Tr4之組構成之開關整體上常維持於通電狀態。其時，一方 之問極笔壓VI在時間T3、T4處於低位準，可施加臨限值電 壓修正用之反向偏壓。另一方面，V2在時間T1&T2處於低 位準，同樣可對電晶體Tr4可施加臨限值電壓修正用之反向 偏壓。 圖5係表示本發明之電晶體電路之應用例之主動矩陣顯 示裝置及其所含之像素電路之概略之區塊圖。如圖所示， 主動矩陣顯示裝置係由作為主要部之像素陣列1與周邊之 電路群所構成。周邊之電路群包含水平選擇器2、驅動掃描 裔3、光掃描器4等。 像素陣列1係由列狀之掃描線線WS、行狀之信號線DL及 在兩者交又部分排列成矩陣狀之像素電路5所構成。信號線 DL係被水平選擇器2驅動。掃描線ws係被光掃描器4所掃 96535.doc -19- 1280543 描。又，也配置有與掃描線ws平行之另一掃描線ds，此係 =驅動掃描器3所掃描。各像素電路5係在被掃描線Μ選擇 γ ’由信號線DL抽樣信號。另外’被掃描線Ds選擇時，依 Ί亥被抽樣之信號驅動負載元件等。此負載元件係形成於 各像素電路5之電流驅動型之發光元件等。 圖6係表示圖5所示之像素電路5之基本的構成之參考 圖。本像素電路5係由抽樣用薄膜電晶體（抽樣電晶體τη)、 驅動用薄膜電晶體(驅動電晶體卿開關用薄膜電晶體(開 關電晶體ΤΓ3)、保持電容以、貞載元件（有機扯發光元们 等所構成。 抽樣電晶體Trl係在被掃描線ws選擇時導通，由信號線 DL抽樣影像信號，而保持於保持電容ci。驅動電晶體丁^ 依照保持於保持電容C1之信號電位，控制對發光元件EL2 通電量。開關電晶體Tr3係被掃描線DS所控制，以控制對發 光兀件EL之通電之開/關。即，驅動電晶體Tr2依照通電量 控制發光元件EL之發光亮度（明亮度）。另一方面，開關電 晶體Tr3係控制發光元件El之發光時間。利用此等之控制， 各像素電路5所含之發光元件]el呈現對應於影像信號之亮 度’使希望之顯示映現於像素陣列i。 圖7係說明圖6所示之像素陣列丨及像素電路5之動作之時 間圖。在1幀期間（If)之前頭，在！水平期間（1H)之間，選擇 脈衝ws[l]經由掃描線WS被施加至第1列之像素電路5，以導 通抽樣電晶體Trl。因此，影像信號由信號線DL被抽樣，而 被寫入保持電容C1。保持電容c 1之一端連接於驅動電晶體 96535.doc -20- 1280543

Tr2之閘極。因此，當影像信號被寫入保持電容ci，驅動電 晶體Tr2之閘極電位會依照被寫入之信號電位而上升。此 時，選擇脈衝dS[l]經由另一掃描線DS被施加至開關電晶體 Tr3。在此期間，發光元件EL持續發光。在丨幀期間lf之後 半，dS[i]變成低位準，故發光元件EL呈非發光狀態。利用 調整脈衝dS[1]之佔空係數時，可調整發光期間與非發光期 間之比例，獲得希望之畫面亮度。當轉移至其次之水平期 間時，掃描用之信號脈衝ws[2]、ds[2]由各掃描線ws、加 分別被施加至第2列之像素電路。 在此，回到圖6，說明作為參考例所示之像素電路5之問 題點。參考例之像素電路5之Trl〜Tr3全部係通道型薄膜 電晶體所構成，具有可使用成本上有利之非晶f石夕膜作為 活性層之優點。但，卻有驅動電晶體Tr2之汲極連接於電源 電壓VCC，另一方面，源極經由開關電晶體Tr3連接於發光 元件EL之陽極而成為所謂之源極輪出器之問題。保持於保 持電容ci之信號電壓被施加至驅動電晶體丁r2之閘極，基本 上、、隹持於定。但，源極電位會隨著發光元件EL之電流/ 電麼特性之經過時間之變化而變動。一般，陽極電位會隨 發光元件EL之經過時間之劣化而上升，其結果，源極電位 也會上升。驅動電晶體Tr2在飽和區域執行動作，如前述之 電晶體特性式所示，汲極電流Ids係依存於以源極電位為基 準之閘極電位Vgs。儘管閘極電壓本身保持一定，但丁。會 執行作為源極輸出H之動作，故源極電位會隨著發光元^ EL之特性劣化而變動，使Vgs也對應地發生變化。因此， 96535.doc • 21 - 1280543 會有汲極電流Ids發生變動，導致菸氺 問題。 他先-视之受度劣化之 另外，驅動電晶體Tr2有其本身之臨限值電壓vth之經過 w間之變動性。由前述之電晶體特性式可知，在飽和區域 執行動作時’縱使Vgs保持一定，當臨限值電屋佩發生變 動時’沒極電流此也會發生變動，同時，發光元件el之亮 度也會發生變動。尤其，以非晶詩薄膜作為活性層（通道 區域）之薄膜電晶體之臨限值電麼之經過時間之變動較為 明顯，故未處ί里日夺，即無法正確控制發光元件之亮度。 圖8係表示改良圖6所示之像素電路之另一參考例之像素 電路，（Α)表示構成之電路圖，（Β)表示動作之時間圖。 如（Α)所示，此改良例係呈現在圖6所示之像素電路加上 自舉電路6與臨限值電壓消除電路7之構成。自舉電路6係以 吸收發光元件EL之特性變動方式自動控制施加至驅動電晶 體Tr2之閘極⑹之信號電位之位準，含有開關電晶體Μ。 在此開關電晶體Ί>4之閘極連接掃描線ws，源極連接於接 地電位Vss，汲極連接於保持電容C1之一端，並連接於驅動 電晶體Tr2之源極（S)。選擇脈衝施加至掃描線〜8時，抽樣 電晶體Trl通電，開關電晶體Tr4亦通電。因此，經由耦合 電容C2，將影像信號Vsig寫入保持電容C1。其後，由掃描 線ws解除選擇脈衝時，開關電晶體Tr4斷電，故保持電容 C1由接地電位VSS被切離，並耦合於驅動電晶體Tr2之源極 (S)。此後’選擇脈衝施加至掃描線ds時，開關電晶體Tr3 通電’經由驅動電晶體Tr2將驅動電流供應至發光元件el。 96535.doc -22- 1280543 發光元件EL開始發光，依照其電流/電壓特性，使陽極電位 上升，導致驅動電晶體Tr2之源極電位之上升。此時，因保 持電容C1由接地電位Vss被切離，故在源極電位之上升之同 時，被保持之信號電位亦上升（自舉），導致導致驅動電晶體 Tr2之閘極（G)之電位上升。即，即使發光元件EL有電位變 動，驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vgs亦可與常保持於保持電 容C1之純信號電位一致。利用此種自舉動作，即使發光元 件EL有電位變動，驅動電晶體Tr2之汲極電流也可常被保持 於保持電容C1之信號電位保持於一定，使發光元件EL之發 光亮度不生變化。追加此種自舉電路6時，驅動電晶體Tr2 對發光元件EL可發揮作為正確之定電流源之機能。 臨限值電壓消除電路7係以消除驅動電晶體Tr2之臨限值 電壓之變動方式調整施加至驅動電晶體Tr2之閘極（G)之信 號電位之位準，含有開關電晶體Tr5、Tr6。開關電晶體Tr5 之閘極連接於另一掃描線AZ，汲極/源極連接於驅動電晶體 Tr2之閘極與汲極之間。開關電晶體Τι·6之閘極同樣連接於 掃描線ΑΖ，源極連接於特定之補償電壓Vofs，汲極連接於 耦合電容C2之一方電極。又，在圖示之例中，補償電壓 Vofs、接地電位Vss、陰極電壓（GND)雖可分別取不同之電 位，但有時也可全部與共通之電位（例如GND) —致。 控制脈衝施加至掃描線AZ時，開關電晶體Tr5導通，電流 由Vcc流向驅動電晶體Tr2之閘極，故閘極（G)電位上升。因 此，汲極電流流出至驅動電晶體Tr2，使源極（S)電位上升。 正好在閘極電.位（G)與源極電位（S)之電位差Vgs與驅動電 96535.doc -23- 1280543 晶體Tr2之臨限值電壓Vth—致之處，依照前述電晶體特性 式，汲極電流不再流動。此時之源極/閘極間電壓Vgs會被 寫入保持電容C1作為驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth。此 被寫入保持電容C1之Vth會上載於信號電位Vsig而被施加 至驅動電晶體Tr2之閘極，故可消除臨限值電壓Vth之效 果。因此，即使驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth隨時間之 經過而變動，臨限值電壓消除電路7也可消除此變動。 (B)係表示施加至各掃描線WS、DS、AZ之掃描脈衝波形 與驅動電晶體Tr2之閘極（G)及源極（S)之電位波形之時間 圖。如圖所示，進入Vth消除期間時，脈衝被施加至掃描線 AZ，開關電晶體Tr5導通，Tr2之閘極電位上升。其後，掃 描線DS之脈衝下降，故來自電源Vcc側之電流供應被切 斷。因此，在閘極電位與源極電位之差縮小，正好在到達 Vth處時，電流成為0。此結果，Vth被寫入連接於Tr2之閘 極/源極間之保持電容C1。其次，當選擇脈衝被施加至掃描 線WS時，抽樣電晶體Τι*1通電，經由耦合電容C2，影像信 號Vsig被寫入保持電容C1。因此，輸入至驅動電晶體Τι*2之 閘極之信號Vin成為先被寫入之Vth與特定之增益所保持之 Vsig之和。脈衝再被施加至掃描線DS，使開關電晶體Tr3 通電。因此，驅動電晶體Tr2依照輸入閘極信號Vin，將汲 極電流供應至發光元件EL，使其開始發光。因此，發光元 件EL之陽極電位上升△ V，但因自舉效應，此△ V被上載至 對驅動電晶體Tr2之輸入信號Vin。利用以上之臨限值電壓 消除機能及自舉機能，即使有驅動電晶體Tr2之臨限值電壓 96535.doc -24- 1280543 變動及發光元件EL之特性變動，亦可將此等消除，而將發 光梵度保持於一定。 而高於源極之電壓在1幀期間1 f中被施加至在驅動電晶 體Tr2之閘極’使其長處於施加順向偏壓之狀態。由於對閘 極之順向偏壓支持績施加’驅動電晶體Tr 2之臨限值電壓 vth會向上方變動。此變動雖可利用臨限值電壓消除電路7 加以消除，但變動超過程度時，難以充分發揮臨限值電壓 消除機能，而有導致發光元件EL之亮度變化之虞。又，開 關電晶體Tr3在發光期間中處於通電狀態，持續施加順向偏 壓。因此，開關電晶體Tr3之臨限值電壓會向上方變動，最 嚴重時，開關電晶體Tr3有可能常陷於截止狀態。 圖9係表示本發明之像素電路之一實施型態，為處理圖8 之像素電路之問題點，分別在驅動電晶體Tr2及開關電晶體 Tr3附設臨限值電壓變動抑制用之反向偏壓施加手段。 對驅動電晶體Tr2之反向偏壓施加手段係由開關電晶體 Τι·7所構成。·在Tr7之閘極連接追加之掃描線ws2，源極連 接於負電源Vmb，汲極連接於驅動電晶體Tr2之閘極（g)。此 掃4田線WS2異於連接於抽樣電晶體Tfi或開關電晶體Μ之 知搖線wsi，故將其個別分開成為wsi與ws2。在此，負電 源Vmb之電位係設定於低於接地電位。因此，在不影 ，像素電路之動作之時間，將選擇脈衝施加至掃描線㈣ 丁 Tr7if包’可將反向偏壓施加至驅動電晶體加之 間極⑹。因此，可將因順向偏壓持續之施加而向上方移位 之電晶體Tr2之臨限值電壓Vth向下方修正。 96535.doc -25- 1280543 對開關電晶體Tr3之反向偏塵施加手段係裝入於連接於 掃描線DS 1之驅動掃描器3(參照圖5)。在發光期間，順向偏 * 壓經由掃描線DS1被施加至開關電晶體Tr3之閘極，汲極電 ‘ 流由Vcc流向GND。進入非發光期間時，掃描線DS1之電位 · 變成GND以下，將反向偏壓施加至開關電晶體Tr3。因此， 可將Tr3之臨限值電壓之上方變動向下方修正。 圖10係供說明圖9所示之像素電路之動作之時間圖。被施 加至掃描線WS1之脈衝以wsl表示，被施加至掃描線WS2之 脈衝以ws2表示·，被施加至掃描線Az之脈衝以犯表示，被❿ 施加至掃描線DS 1之脈衝以ds 1表示。另外，將驅動電晶體 Tr2之閘極電位（G)、汲極電位（D)及源極電位（s)重疊於脈衝 dsl之位準變化加以表示。又，驅動電晶體Tr2之汲極電位（d) 同時為開關電晶體Tr3之源極電位。 在Vth消除期間中，脈衝犯被施加至電晶體Tr5&Tr6，以 檢知驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth。此被檢知之vth被保 持於保持電容C1作為Tr2之閘極電位（G)與源極電位（S)間 _ 之差。其次，脈衝wsl被施加至抽樣電晶體Trl及開關電晶 體Tr4a^，影像信號Vsig被抽樣，經由耦合電容〔2被寫入保 持電容ci。被寫入保持電容C1ivth及Vsig之和以Tr2之閘 極電位（G)與源極電位（S)間之差顯示於時間塗上。另外，進 “ 入發光期間’脈衝ds 1被施加至開關電晶體Tr3時，汲極電 、 流通過驅動電晶體Tr2流至發光元件EL。因此，源極電位（S) 上升’但因自舉機能，與閘極電位（G)之電位差保持於一 疋。敁著源極電位（s)之上升，汲極電位（D)亦上升。此汲極 96535.doc -26- 1280543 私位⑼雖為開關電晶體Tr3之源極電位，但因脈衝如之振 幅被設定於比此汲極電位（D)充分高之值，故可施加電晶體 加之通電動作所需之順向偏壓Va。其後，進入非發光期 間，脈衝如丨被切換為低位準，以截止開關電晶體Tr3。藉 汲極電流之切斷，使驅動電晶體Tr2之汲極電位（d)由να側 下降至GND。此時’因脈衝dsl之低位準被設定於比〇肋充 分低之值，故可施加反向偏壓vb至開關電晶體Tr3之閘極。 又，在非發光期間，脈衝wa2被施加至電晶體Tr7之閘極。 因此，Tr7導通.，反向偏壓Vmb被施加至驅動電晶體之 閘極（G)。 由以上說明可知··驅動電晶體Tr2及開關電晶體Tr3分別 可在適切之時間被施加反向偏壓，故可抑制各其臨限值電 壓之變動。但，開關電晶體Tr3之部分仍有若干可改善之餘 地，故茲就此點加以說明之。考慮開關電晶體Tr3之動作點 %，如上所述，只要考慮脈衝dsl之電壓位準與至驅動電晶 體之汲極電摩（D)即可。在發光期間中，開關電晶體Tr3通 電，故脈衝dsl之Η電位比汲極電位（D)高出Tr3之vth以上， 故被施加Va電壓。也就是說，在發光期間中，開關電晶體 Tr 3之閘極/源極間被施加順向偏壓。此後，在非發光期間 中，脈衝dsl之L位準在GND以上，故被施加反向偏壓。在 此反向偏壓之期間，汲極電位（D)會因漏電等之原因而變得 降低至陰極電位（GND)或其附近。在此期間，電晶體Tr3斷 電，其結果，僅反向偏壓Vb被施加至電晶體Tr3之閘極/源 極間。故，由於順向偏壓及反向偏壓兩者都施加至電晶體 96535.doc -27- 1280543

Tr3，故可某種程度地防止Tr3之Vth之變動。但，延長丨場 期間（If)所佔之發光時間時，非發光時間會受壓迫而縮短， 故反向偏壓施加時間也會變短，相對地有必要更有效地執 打臨限值電壓之下方修正，有必要設定較大之Vb之絕對 值。但，Vb之絕對值設定太大時，脈衝dsl之振幅會增加， 導致成本之增加，且會影響電晶體Tr3之耐壓，不僅影響成 本，也會影響良率。 圖11係表示圖9所示之像素電路進一步改良之實施型 悲，為谷易暸解起見，在對應於圖9之像素電路之部分附上 對應之筝照號碼。改良點在於與成問題之電晶體Tr3並連地 連接追加之電晶體Tr8，並在其閘極經由掃描線DS2而連接 補足手段。此補足手段係對開關電晶體Tr3補足地驅動追加 電晶體Tr8，以創造不妨礙Tr3之動作之時間。經由掃描線 DS1而連接於開關電晶體Tr3之反向偏壓施加手段可利用此 創造之時間施加反向偏壓至電晶體Tr3。 圖12係供說明圖π所示之像素電路之時間圖。為容易暸 解起見，在對應於圖1〇之前面實施型態之時間圖之部分使 用對應之參照號碼。特徵點在於施加至開關電晶體Tr3之閘 極之脈衝dsl與施加至追加電晶體Tr8之閘極之脈衝處 於互相反相之關係。在發光期間中，順向偏壓％被施加至 開關電晶體Tr3之閘極。此舆圖9之實施型態相同。其次， 進入非發光期間時，脈衝dsl低於GND而成為低位準，開關 電晶體Tr3斷電。此時，電晶體Tr8補足地執行動作而成為 通電狀態’故·電流持續由電源Vcc側被供應至驅動電晶體 96535.doc -28- 1280543

Tr2。因此，驅動電晶體Tr2之汲極電位（D)不會降至陰極電 位（GND)，而可取得電源電位Vcc或其附近之電位。因此， 在包含於非發光期間之反向偏壓期間中，開關電晶體Tr3之 閘極/源極間電壓之絕對值為Vcc+Vb，可施加非常大的反向 偏壓。因此，即使不將大振幅之脈衝dsl施加至開關電晶體 Tr3，也可將臨限值電壓之上方變動有效地向下方修正。如 此，即使非晶質矽薄膜電晶體或多晶矽薄膜電晶體之臨限 值電壓發生變動，也可利用像素電路加以修正，故可防止 發光元件EL之亮度劣化，提供高品質之主動矩陣型顯示 器。尤其，無需增大施加至執行發光之開關控制之電晶體 之閘極之脈衝之振幅，故可實現驅動器之低成本化。而， 可一面修正驅動電晶體之Vth變動，一面也可容易修正開關 電晶體之Vth變動。 【圖式簡單說明】 圖1(A)、（B)、（C)係表示本發明之電晶體電路之第一實施 型態之模式圖。 圖2係圖1所不之電晶體電路之動作說明用之時間圖。 圖3 (A)、（B)係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態 之模式圖。 圖4(A)、（B)係表示本發明之電晶體電路之第三實施型態 之模式圖。 圖5係表示本發明之主動矩陣顯示裝置及其所含之像素 電路之概略之區塊圖。 圖6係表示像素電路之參考例之區塊圖。 96535.doc -29- 1280543 圖7係自兄明圖6所示之俊去 像素電路之動作之時間圖。 圖8(A)、（B)係表示像素電 电路之另一參考例之模式 圖9係表示本發明之俊去 β ° 不毛月之像素電路之第一實施型態之電路圖。 圖10係供說明圖9所示之俊去φ办 ^ 像素電路之動作之時間圖。 圖11係表示本發明之像夸 圖 课素電路之第二實施型態之電路 圖12係供說明圖η所示 【主要元件符號說明】 像素陣列 之像素電路之動作之時間圖 96535.doc 水平選擇器 驅動掃描器 光掃描器 像素電路 -30 -

Claims (1)

1280543 十、申請專利範圍·· h —種電晶體電路，其係包含形成於基板之複數薄膜電晶 體連接於各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極以執行特 定動作之配線者； ^ 含有至少1個薄膜電晶體，其係在動作中，經由配線反 覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者； 並含有反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙該動作 之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極 間以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 2·如明求項1之電晶體電路，其中包含並聯連接於該薄膜電 晶體之追加薄膜電晶體、相對該薄膜電晶體補足地驅動 忒追加薄膜電晶體以創造上述不造成妨礙動作之時間之 補足手段； 前述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間，將反 向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 3·如請求項2之電晶體電路，其中該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或p 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘 極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極者。 4·如請求項2之電晶體電路，其中該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘 極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 96535.doc 1280543 晶體者。 5· 一種像素電路，其係配置於列狀之掃描線與行狀之掃描 線之各交叉部，被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣信 號’且依照所抽樣之信號驅動負載元件者，· 其包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜 笔晶體之閘極、源極或汲極之配線； 負載元件之驅動中至少1個經由配線反覆地或持續地 將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體； 且包含反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙負載元 件驅動之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極 與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動 者。 6.如請求項5之像素電路，其中包含並聯連接該薄膜電晶體 之追加薄膜電晶體及相對該薄膜電晶體補足地使該追加 薄膜電晶體動作，創造上述不造成妨礙上述負載元件驅 動之時間冬補足手段； 前述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間，將反 向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 7·如请求項6之像素電路，其中該薄膜電晶體係^^通道型或ρ 通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之Ν通道型或1>通 道型，Θ述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極 之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶 體之閘極者。 8·如請求項6之_像素電路，其中該薄膜電晶體係^^通道型或ρ 96535.doc 1280543 通道型’前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型或N通道 31則述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之 脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 者。 、月求項5之像素電路，其中前述複數薄膜電晶體係包含 被口亥知描器選擇時導通，由該信號線抽樣信號而保持於 保持電谷之抽樣用薄臈電晶體、依照保持於該保持電容 ^信號電位控制對該負載元件之通電量之驅動用薄膜電 =T ·及控制對該負載元件之通電之開/關之，關用薄膜 i曰曰，’剛述反向偏壓施加手段係施加反向偏壓至該驅 動用薄膜電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少一方者。 i明求項9之像素電路，其中包含臨限值電壓消除手段， 其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變動地 凋正轭加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位 準者。 11·;如請求項k像素電路，其中包含自舉手段，其係以吸收 兩、載元件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄膜 電晶體之閘極之信號電位之位準者。 12· 一種顯Μ置，其係包含㈣之掃描線、行狀之掃描線、 及配置於此等交又之部分之像素電路者； 旦/亥像素電路係在被該掃描線選擇時，由該信號線抽樣 影像信號，且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件； 、該像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與 連接各薄m電晶體之閘極、源極或汲極之配線； 96535.doc 1280543 發光元件之驅動中至少丨個經由配線反覆地或持續地 將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體； 並包含反向偏壓施加手段，其係在不造成妨礙發光元 件驅動之時間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極 與源極之間，以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動 者。 13. 14. 15. 16. 如請求項12之顯示裝置，其中包含並聯連接該薄膜電晶 體之追加薄膜笔B曰體、對該薄膜電晶體補足地使該追加 薄膜電晶體動作，創造不造成妨礙該發光元件驅動之時 間之補足手段； 前述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間，將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體者。 如請求項13之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係]^通道型或 P通道型，前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或p 通道型，前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之問 極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極者。 如請求項13之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係汎通道型或 P通道型，前述追加薄膜電晶體係相反之p通道型或^通道 型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之間極之 脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 者。 、 一 如請求項12之顯示裝置，其中前述複數薄膜電晶體係包 含被該掃描線選擇時導通，由該信號線抽樣影像信號而 96535.doc 1280543 保持於保持電容之抽樣用薄膜電晶體、依照保持於該保 持電容之信號電位控制對該發光元件之通電量之驅動用 薄膜電晶體、及控制對該發光元件之通電之開/關之開關 用薄膜電晶體；前述反向偏壓施加手段係將反向偏壓施 加至該驅動用薄膜電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少 一方者。 17.如請求項16之顯示裝置，其中包含臨限值電壓消除手 段’其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變 動地調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位 之位準者。 18·如請求項16之顯示裝置，其中包含自舉手段，其係以吸 收該負載元件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄 膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。 19. 一種電晶體電路之驅動方法，其係包含形成於基板之複 數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲 極以執行特定動作之配線之電晶體電路之驅動方法；且 執行 順向偏壓施加程序：其係在動作中至少對丨個薄膜電晶 體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源 極間者；及 反向偏壓施加程序，其係在不造成妨礙該動作之時 間，將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之 間，抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 20.如請求項19之電晶體電路之驅動方法，其中包含補足程 96535.doc 1280543 序，其係相對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄 膜電晶體之追加薄膜電晶體，以創造上述不造成妨礙動 作之時間者； 前述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間，將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 21. 22. 23. 一種像素電路之驅動方法，該像素電路係配置於列狀之 掃描線與行狀之掃描線之各交又部，被該掃描線選擇 時，由該信號線抽樣信號，且依照所抽樣之信號驅動負 載元件，而包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接 各薄膜電晶體之問極、源極或;及極之配線；該驅動方法 執行 順向偏壓施加程序：其係在負載元件之驅動中至少對i 個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加 至閘極與源極間者；及 反向偏壓施加程序，其係在不造成妨礙負載元件驅動 之日守間’ W反向偏壓施加至該薄膜冑晶體之問極與源極 之間，抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 如明求項21之像素電路之驅動方法，其中包含補足程 序其係相對該薄膜電晶體補足使並聯連接於該薄膜電 晶體之追加薄膜電晶體動作，以創造不造成妨礙上述負 載元件驅動之之時間者； 月〕述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間，將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 種顯不裝置之驅動方法，該顯示裝置係包含列狀之掃 96535.doc 1280543 •線4丁狀之掃描線、及配置於此等交叉之部分之像素 :路’ 4像素f料在被該掃㈣選擇時，ά該信號線 抽樣影德彳古$ ° ^ ’且依照所抽樣之影像信號驅動發光元 盘、像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、 ^、、各薄膜包晶體之閘極、源極或汲極之配線；該驅 動方法執行 順=偏廢施加程序：其係在發光元件之驅動_至少對工 *專臈屯曰曰體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加 至閘極與源極間者；及 24. 之^向偏壓軛加程序··其係在不造成妨礙發光元件驅動 之日守間’將反向偏廢施加至該薄膜電晶體之閘極與源極 ^抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 如凊求項23之顯示裝置之驅動方法，丨中包含補足程 序，其係相對該薄膜電晶體補足地使並 電晶體之追加薄膜電晶體動作，以創造不造成妨^負 載元件|區動之時間者； 刖述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間，將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體者。 96535.doc