TW457565B - Method for transferring a thin layer comprising a step of excess fragilization - Google Patents

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η D 7 5 6 5 a； B： 五、發明說明（1 ) - 發明之拮術頜域 <請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) 本發明係有關基材之薄層（即基材源）藉由一稱之為標 的支撐物的支撐物轉移之方法。 特別是，本發明發現在微電子學、微力學、積體光學 以及積體電學領域中的應用。 本發明允許，例如，結構之了解，其中因物理性質而 被選之材料所製成的薄層係在一支撐物上被去掉以形成一 數層之堆積。因此，吾人欲結合該薄層以及該支撐物之材 料的優點。特別是’一層的轉移允許在一相同的結構中剛 接觸時不相容的部分（諸如在熱膨脹係數上顯著之不同）之 結合β 發明之拮術領域 下文係參照數件文件，該等文件之參考資料係完整地 被詳細記載於本案發明說明書之末β 一般而言’在該等為薄層之形成所進行的方法中，特 別是’吾人欲引用一分隔的方法，該方法係在"精密-切割 "的名稱下所熟知且被描述於文件（1)中。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 該”精密切割"的方法主要係基於在一基材中中性或離 子性形成之下氩或其他氣體之植入使得在該基材中一分隔 跪弱化區之形成β 在一基材平坦的情形下，該分隔區以多少平行於其之 表面的方式拉長且被置於該基材内至由植入能所固定的深 度。因此’該分隔區決定在該基材中之一表面薄層，該表 面薄層係呈厚度從分隔區直至該基材之表面塗撲。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明說明（2 ) 第二個步驟包括以該薄層係為該標的支撐物所支撐的 方式使基材源與一標的支撐物黏合》該薄層於該標的支搶 物上之固定可藉由膠及/或藉由一接觸薄層的中間物所發 生。該固定亦可藉由於該基材表面與該標的支撐物表面之 分子的直接黏合所發生。 然而，在後者的情形中，需要吾人欲黏合之面表現某 些與一好的平面度及一低粗糙處相同的性質。 本方法之最後一個步驟存在於該基材根據該分隔區為 分離該薄層之裂缝。然後，此維持該標的支撐物之固化。 在文件（1)所述方法的情況中，基材之裂縫（或分隔係 藉由能量於熱處理的形式下的供應所引起。 植入的條件界定該分隔且支配該薄層與該基材之分 離。 現在，儘管該植入有助於分離，但在該植入之後，吾 人觀察到該分隔的極度弱化造成該薄層表面的形變》該等 形變在泡狀物的形成下顯現且對薄層於標的支撐物上之固 定構成一干援。 此極度弱化可依賴一呈強劑量的離子植入或與一回火 有關之呈更弱劑量的離子植入。然後，該極度弱化可推測 在表面上更易出現的泡狀物 因為該被弱化的區係靠近該 表面β 在某些應用中，吾人欲獲得自承之薄層，也就是說， 基材源可被分離而先前未被固定在一支撐物上。 然後，這些薄層可於不同的標的支撐物上被轉移且， -5. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) I — — — — — — — — — — —— - — —thill » — — — — — — 1« (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（3 ) - 特別是’於具在薄層的分離前不被黏合的基材源、（例如， 為熱膨脹係數不相容的緣故）之支撐物上β 在此標的中，吾人欲參照提供一衍生自文件之方 法的文件（2)。 文件（2)提供一種允許獲得原始基材與所自承之薄層 的分離之方法9有關於此，所植入之氣體種類需要達— 足夠的深度且/或為獲得與該不具有泡狀物之被植入區在 同一水平面上分離，在植入的步驟之後，吾人需要放置一 允許硬化該結構的材料層於一足夠的深度β 一薄層藉由一基材的分離之形成的技術之描述可藉由 提出經由弩曲、牵引以及/或剪力的機械力之使用完全基 材之裂縫（分離）的熱處理之文件（3)所齊備。 描述相等於一以文件（1)的基礎為主之方法的文件（4) 顯示根據從植入到裂縫之被置入該基材源的所有熱處理之 熱預算，熱預算係為引起該基材源之裂縫而被實施》 藉由熱預算，吾人預定數個熱處理/熱處理溫度的持 續期間。 在數種應用中，需要將一基材源之薄層與一呈現熱膨 脹係數不同該基材源之標的支撐物組合在一起。 在此等應用中，一般係特別針對於在基材源與標的支 撐物組合後所獲得之結構受到一具有一足以保證該薄層與 該基材源之分離的熱預算之熱處理。 而，對此問題的一解決之道係在於藉由進行被植入種 類之過量的植入條件之修飾。事實上，此過量允許分離的 -6- 本紙張尺度適用中囷國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公* ) -------------裝 * t I n It It n t— n I 線 *- i請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A： B： 五、發明說明（4 ) - 裂縫之熱預算的降低。 例如，當該基材源為一聚矽氧板時，所植入之代替 6.1016/cm2而為1.10n/cm2之氩離子的劑量允許歷經一從 400°C降至28(TC的數小時熱處理之持續期間。 然而，在由植入之[仔細]計董分配所組成之解決之道 因為可存在於該基材舆該支撐物之間的膨脹係數之不同， 而非總是令人滿意《事實上，在分離中所需之熱預算可引 起該基材與該支撐物之脫去且/或該基材與/或該支撐物在 想積上的破碎。 另一個為避免介於薄層及標的支撐物間在特定之膨服 的作用下脫去的解決之道係在於基材源在裂縫（分離）的步 驟之前變薄。 然而，藉由文件（5)所提供的解決方法呈現出變薄化 之額外操作以及重要材料之消耗的不便處。 用以分離基材源與薄層之機械力的實施，如在上述文 件（3)中引起的，亦允許裂縫之熱預算的降低，特別是在 呈現不同的熱膨脹係數之材料相接觸的情形下。然而，在 基材源與/或標的支撐物上的機械性作用之運用下非總是 可行，特別是當所實施的材料為脆弱時或當經由離子植入 之分離區不夠弱化時。 最後，如上所述之薄層的分離及轉移之技術包含某種 程度的限制及妥協。特別是，此等限制係藉由為了構成基 材源、薄層及標的支撐物所使用之材料的種類而被迫者。 發明之概要說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） n f— I I a— fel· I fe— ϋ n n 1 tt I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^^7565 —

Ai ----- B7 五、發明說明（5 ) 本發明係在於提供一種薄層之轉移方法，而不表示以 下所指方法之困難與限制處》 特別是’本發明之一目的係建議實施此熱預算之方法 以減少所見之無用來獲得該薄層之分離的裂縫。. 本發明之另一個目的係提供適用於在一標的支撐物上 之薄層的轉移’其中該薄層及該標的支撐物之材料呈現出 不同的熱膨脹係數β 再者’本發明之另一個目的係提供—種轉移的方法， 其中基材源表面的最佳狀態（無泡狀物）可被保護以便允許 與標的支撐物之具或不具黏合劑（膠）的良好附著且同時允 許具有十分脆弱化的分離區。 最後’本發明之一目的為提供在轉移之後允許獲得在 標的支撐物上之薄層的轉移方法，該標的支撐物呈現出具 些微粗糙不平的自由表面。 為達到此等目的，本發明具有更確切地針對將基材源 之薄層向標的支撐物轉移之方法的標的，該方法包括之步 麻如下： a) 在基材源中之離子或氣體種類植入以便在該基材源 中形成一區，即所謂之分離，該區在基材泺中為上述的薄 層劃定界限， b) 在該標的支撐物上之基材源的轉移以及該薄層與該 標的支撐物的固化作用， c) 根據分離區之該薄層與該基材源之分離。 根據本發明，本方法包含先行之步驟b)， -8- 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公》〉 --I----------裝----l· — — — 訂！！線 •'· <請先閱ΐί背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1衣 A7 __B：__ 五、發明說明（6 ) -在該分隔區與該基材表面間之材料薄膜的厚度之形 成，使得此厚度係位於一該被自承之薄膜的厚度之限度的 上部或與其相等或相鄰。 -藉由在該基材源上之熱處理及/或機械作用操作所引 起的分隔區之弱化作用。 根據本發明之實施的第一具體實施例，薄膜厚度之形 成的步驟係在於為獲得該分隔區至前述的厚度之植入的步 驟a)之進行，該薄膜係藉由該薄層所構成。 根據本發明之實施的第二具醴實施例，一薄膜之厚度 的形成步驟係在於進行在該薄層上所謂的增稠劑層之形成 的步驟，然後薄層及厚度層形成該薄膜。 薄膜之厚度限制為允許結構之硬化以獲得達到表面無 泡狀物顯出之分隔區的標準之薄膜的分離《此即厚度限 制，該厚度限制允許所自承薄膜之獲得。特別是，該厚度 根據材料的機械性質，但亦根據步驟c)之分離條件諸如， 例如熱處理溫度的上升· 根據一較佳的具艘實施例，在步驟b)之前，本發明進 行相等於包含微電子學及/或微力學及/或光電學之實施。 在步驟C)中所進行之具有基材源之薄層的分離可在熱 處理的作用下、機械作用下或該等作用之合併下發生。 現在’因過度弱化作用之步驟，特別是，熱預算及/ 或在步驟C)中為分隔之裂縫實施的機械作用可被降低β此 具有不引起介於該薄層與該標的支撐物間之附著的破壞之 優點，在熱膨脹係數不同之相接觸的材料之情形中亦同。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公笼） --— — — — — — — — — — — - I I I l· I I I t I I I I [ 1 - I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 ，457565 A； 事 — B7 五、發明說明（7 ) ， 本發明之另一個優點為移除或減少作用在相接觸之部 分上的機械作用力且因此避免該等部分之損壞β因此促進 分離。 注意，過度弱化步驟並不受限於在該步驟係在標的支 樓物上基材源之轉移（步驟b)之前被作用的測量處之特定 膨脹作用的限制之作用》 根據本發明之一優點，該過度弱化包含一與一高於或 等於允許分離之全部熱預算的50%，且較佳的高於60%， 之熱預算實施的熱處理* 在此所考量之全部熱預算不僅是在本發明之方法的嚴 謹範疇内所操作的熱處理，而是亦包括可能之熱處理的實 施，例如用於組分之完成或用於介於步驟a)與b)之間的該 薄層材料上的沈積》 同之前所引起的記憶，步驟c)以及過度弱化作用之步 称可進行一機械力之使用。 此等機械力包括，例如，在一機械壓力及/或一機械 牵引的形式下之力及/或一氣體壓力之形式下之力的使 用· 亦可被選擇之分離的熱處理係足以用於引起在步驟c) 中之該薄層（1 8)之分離，例如基材源以及標的支撐物之間 陈或僅經由此熱處理之一完全分離。 植入步驟a)允許在該基材源内位於該分隔區内之空腔 的形成。 該等空腔（或微型空腔或小板或微泡）可以不同的形式 •10· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公龙） — — — — — —--- I I I I * I I I I I I « — — — — — —I — {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) - 呈現出。具僅一些内部原子距離的厚度之該等空腔可為園 的及/或平的。再者，該等空腔可包含一游離氣相及/或固 定在形成空腔壁之材料的原子上之來自離子植入之氣體原 子或包含少數氣體或同樣的不包含氣體。 藉由該支撐物源之择然的熱處理且特別是一過度弱化 作用之熱處理的過程係在於空腔之全部或部分的聚結。該 聚結因此引起在分隔區内之基材的過度弱化作用。 在該支撐物與該裂縫之分離後，此外此現象可獲得一 具些微粗糙之薄層自由面。 增稠劑層，例如由Si、Si02、Si3N4*SiC所製成的， 覆蓋全部或部分之該薄層。為獲得一薄膜厚度之該增稠劑 層之厚度係，例如在對增稠劑Si02之從3至10# m之推進 範圍，被選擇® 特別是，本發明涉及同增稠劑層一樣被使用之層，該 層使用相同於在該薄層的表面上之全部或部分微電子學及 /或微力學及/或光電學之成分的完成。 本發明亦有關一種轉移一基材源之一薄層之方法，該 方法包括之步驟如下： a) 在該基材源中，離子或氣«種類之植入，該植入為 以在該基材源中形成一區，所謂分隔，的方式，該區為在 該基材源中之上述薄層劃定界限， b) 該薄層與該基材源（10)根據該分隔區之分離， 此外，根據本發明，該方法在步驟b)之前包含： •在該分隔區與該基材表面間之材料薄膜的厚度之形 •11· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） — — — — — ! — — — — — — -nil·——— « — — — — — — II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^57565 A7 _ B7 五、發明說明（9 ) - 成’使得此厚度係位於一該被自承之薄膜的厚度之限度的 上部或與其相等或相鄰，以及 •藉由在該基材源上之熱處理及/或機械作用操作所引 起的分隔區之弱化作用。 本發明之許可獲得過度弱化作用係十分重要，因欲達 80至90%之分離完全視一增稠劑的存在而定。此增稠劑係 被沈積於表面以具用以增進弱化作用之目的。 本發明之其他特徵及優點將在以下的陳述中以及所附 ffl式表示出來。此陳述係僅被作為敘述且不限於此。 圈式之簡要說明 第1围為一基材源的切面輪廓且描述離子植入之操作。 第2圖為第1囷之基材泺的一切面輪廓且描述一厚度層之形 成。 第3圓為第2圈之基材源的一切面輪廓i描述弱化作用之步 驟。 第4圈為第3圓之基材源所形成的結搆之一切面輪廓在一標 的支撐物上的轉移· 第5圊為在基材源之裂縫分離之後，第4圈之結構的一切面 輪廓。 發明之詳細說明 以下的敘述係有關在一熔融二氧化矽（誤稱為石英）之 標的支撐物上的一矽薄層。 然而，本發明可為用於其他固體材料的實施，該等固 體材料呈結晶狀或非結晶狀。該等材料可為介電質、導體、 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（2】0 X 297公釐） -------------裝----l·---訂i n n t— I 線 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B： 五、發明說明（IG ) - 半絕緣體或半導艎β 同樣地，該標的支撐物可為一末端或中間支撐物（諸 如一手柄、一塊狀基材或一多層狀基材）。 特別是，本發明之方法可有助於像例如LiNb03的非 半導體、鐵電的、壓電的材料層或半導體ΠΙ-V層（諸如 AsGa、在矽或SiC上之InP)的轉移。 第1囷顯示由矽所製成的一初始基材10。該基材10經 歷氩離子的植入（用箭號12表示該植入對應於該方法的 步驟。 該與例如6.1016/cm2的劑量和70 keV的能量一起被進 行之植入允許微型空腔14在該基材10之7000A等級的深度 内形成· 該深度亦對應於一薄層18的厚度。該薄層18係在基材 的表面上藉由一包含該等微型空腔14之區16,被稱之為分 隔，所界定。 在該植入之前或較佳地在該植入之後，為在電子、光 學或機械構件之層中的形成’該薄層18的表面可受到其他 本質上己知的處理。為易於被了解的緣故，該等構件並不 被顯示於圊上。在此情形下’吾人持有用於過度弱化作用 之數個步驟* 同樣地，為易於了解本發明之圖式，不同層或所代表 的特性並非依據一均勻比例。特別是，那些非常薄的層以 一誇大的厚度所代表* 對應於一厚度加工之使用步麻的第2囷類示一在該薄 -13- 本紙張尺度適用中画國家標準<CNS)A4規格（210x297公爱) I I n n n n i J— I n 11_ n —i n · I i 1· ϋ n t <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 457565 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) * 層18上之5仁m或大於5；um等級的厚度的氧化梦層20之沈 積°例如’氧化矽層係經於3〇〇t之電漿的協助藉由氣相 化學沈積的方法所沈精。該等熱預算係於厚度達成之步驟 期問避免泡狀物出現的方式而被選擇。 氧化矽層20具有薄層18之一增稠劑部分。換言之，該 氧化梦層20具有用以避免該薄層在後來的熱處理的影饗下 變形。 第3囷係對應於本案之方法的過度弱化步驊。在此步 驟期間’驟然的基材處理之目的在於進一步弱化分隔區 16。 在所描述的實施例中，於450eC之溫度下進行熱處理 共12分鑀。 較佳地，此熱預算係高於用以藉由回火獲得僅一分離 所需之熱預算的60%。此過度弱化在具一足夠厚度的薄联 中係為可能的。 吾人觀察到，該熱處理造成分隔區16之撤型空腔14的 部分聚結。 在此操作期間，覆蓋薄層18之厚度層20避免變形且特 別是避免泡狀物的形成。 在厚度層20的缺乏中，在2分鐘之後以450°C的熱處理 (此為僅對應至在該分離中所需之熱處理的10%之熱處 理），泡狀物將像要顯現。 之後，熱處理可藉由僅用以改善粗糙表面之一增辆劑 層20的自由面之不規則化步驟以便用於分子拼貼之準備。 • 14- 本紙張K度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 — — — — —II— — —— — — ' I I I l· I I I ^ 1111111 -- {請先閲讀背面之注t事項再填窵本頁) 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12 ) - 第4®顯示在一標的支撐物30上之基材源1〇轉移*在 此情形下，該標的支撐物30為一石英板。 該轉移係以一標的支撐物的平坦面與增稠層20的自由 平坦面相接觸的方式被進行。 實施於與相接觸之表面等高之分子附著力確保在基材 源與標的支撐物間之固化作用（固定）· 當此分子附著因材料的性質或表面的品質的緣故而不 可能時，該轉移可藉由黏合劑或膠之中間物所發生。 分子附著力可藉由’例如，熱處理及/或表面之製備 而被加強*在所描述之實施例中，由於在矽與石英之熱膨 脹係數十分不同的緣故，熱處理係在相當低的溫度下於2〇〇 °C的等級歷經一 20小時之時期被進行， 此熱處理可有助於造成，諸如基材之裂缝可根據此區 而被得到，之約束。 第5圖描述對應於基材源之裂縫的方法步碎c)。該裂 縫係根據分隔區而發生且分離留在基材之薄層18部分。 然後該最後殘留部分，例如’為薄層之新轉移可被再使用。 該薄膜18藉由增稠劑層20之中間物保持支撐物30之固 化。 在另一個實施例中（未示）’薄層之厚度對變形的移除 足夠重要處’增稠劑層可被忽略•然後，薄層可直接舆標 的支撐物相接觸。 在實施態樣中’吾人欲列舉由以約2〇〇 KeV所植入之 SiC所製成的基材以獲得約無增稱劑之薄旗的使 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公;g ) ---------1 I I I I I I I l· I I I » — — — — — — — (請先閱ΐί背面之注意事項再填寫本頁) 457565 A7 B：_____ 五、發明說明（13 ) ' 用》 基材源的裂缝可藉由機械力的使用及/或熱處理所造 成。 在所描述的實例中’雷射刀（未呈現出）可用手被插入 至被弱化區的位準内。 特別是’本發明應用在炼賊二氧化妙上之薄層的完 成，熔融二氧化矽主要重要性為具有一具將可包含該等成 分之半導艎層的透明支撐物》 列舉之文件 ⑴ FR-A-2 681 472 (US-A-5 374 564) (2) FR-A2 738 671 (US-A-5 714 395) (3) FR-A-2 748 851 (4) FR-A-2 767 416 (5) FR-A-2 755 537 元件標號對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基材 12 箭號 14 微型空腔 16 分隔區 18 薄層 20 氡化矽層/厚度層/坩稠劑層 30 支撐物 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ297公爱）

Claims (1)

1. 457565 A8 B8 C8 D8 經奇部智慧財產局員工消脅合作社印製 六、申請專利範圍 - 1. 一種藉由標的支撐物（30)轉移基材源（10)之薄層（18)的方 法，該方法包括下列步驟： a) 在該基材源中，離子或氣體種類之植入，該揸入為以 在該基材泺中形成一區（16)，所謂分隔，的方式，該區（16) 為在該基材源中之上述薄層（18)劃定界哏， b) 基材源在該標的支撐物上之轉移以及該薄層與該標的 支撐物的固化作用， c) 該薄層（18)舆該基材源（10)根據該分隔區之分離， 其特徵在於該方法在步驟b)之前包含： -在該分隔區舆該基材表面間之材料薄骐的厚度之形 成’使得此厚度係位於一該被自承之薄膜的厚度之限度 的上部或與其相等或相鄰，以及 -藉由在該基材源上之熱處理及/或機械作用操作所引 起的分隔區（16)之弱化作用。 ‘ 2. 如申諳專利範圍第1項之方法，其中該薄層（18)與基材源 (10)之分離係藉由熱處理及/或機械力之操作所引起的· 3·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該弱化作用包含 具允許該分離之熱預算的熱處理的實施。 4·如申請專利範面第2項之方法，其中所選擇之該分離的熱 處理係足以用於引起在步驟c)中之該薄層（18)之分離，例 如基材源以及標的支撐物之Η隙或僅經由此熱處理之一 完全分離β 5.如申請專利範圍第1項之方法，其中在步驟c)中以及過度 弱化作用的步騍中包含在一機械壓力及/或一機械牽引的 -17- ( CNS ) ( 21〇x 297/>tl ~ ---------^------iT------蛛 '*< <請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財4苟具工消費合作社印^ AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 - 形式下之力及/或一氣體壓力之形式下之力的使用。 6· —種轉移一基材源（10)之一薄層（18)之方法，該方法包括 之步期ί如下： a) 在該基材泺中，離子或氣體種類之植入，該植入為以 在該基材源中形成一區（16)，所謂分隔，的方式，該區（16) 為在該基材泺中之上述薄層（18)劃定界限， b) 該薄層（18)與該基材源（10)根捸該分隔區之分離， 其特徵在於，該方法在步驟b)之前包含： -在該分隔區與該基材表面間之材料薄膜的厚度之形 成，使得此厚度係位於一該被自承之薄膜的厚度之限度 的上部或與其相等或相鄰，以及 -藉由在該基材泺上之熱處理及/或機械作用操作所引 起的分隔區（16)之弱化作用。 7-如申請專利範圍第1項之方法•其特徵在於薄膜之厚度的 形成步驊係在於進行揸入步驟a)，以便在上述厚度内獲得 該分隔區•然後*該薄膜將藉由該薄層所组成· 8. 如申請專利範面第1項之方法，其中該薄膜厚度之形成步 驟包含在玆薄層上之所謂增稠劑（20)層的完成，然後，炫 薄層及該增稠剤層構成該薄旗· 9. 如申請專利範圍第1項之方法，此外，該方法在步驟b)之 前包括全部或部分撤電子學及/或微力學及/或光電學之成 分的完成。 -18- 本认張尺度適用中围國家摞車（CNS >六4規亦< 210X297公着） ---------^------iT------^ (請先Μ讀背面之注意事項存填寫本