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TW202032227A - 顯示面板 - Google Patents

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TW202032227A
TW202032227A TW109114256A TW109114256A TW202032227A TW 202032227 A TW202032227 A TW 202032227A TW 109114256 A TW109114256 A TW 109114256A TW 109114256 A TW109114256 A TW 109114256A TW 202032227 A TW202032227 A TW 202032227A
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Abstract

顯示面板包括，第一基板及相對第一基板的第二基板、第一子畫素色層、第二子畫素色層及第三子畫素色層設置於第一基板或第二基板的其中一者上、第一支撐結構設置於第一基板與第二基板之間以及多個第二支撐結構設置於第一基板與第二基板之間。於垂直第一基板方向上，第一支撐結構重疊第一子畫素色層。第一子畫素色層具有第一凸部及第一凹部。第二子畫素色層具有第二凸部。第二凸部嵌入第一凹部。第一支撐結構於第一基板上的正投影重疊第一凸部於第一基板上的正投影。第一子畫素色層具有第一厚度H1，第二子畫素色層具有第二厚度H2，且H1大於H2。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有重疊畫素色層之凸部的支撐結構的顯示面板。
隨著光電與半導體技術的發展，帶動了平面顯示器之蓬勃發展，而諸多平面顯示器中，液晶顯示器由於具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因而成為市場之主流。
目前，市場對於液晶顯示器性能的要求是朝向高解析度、高對比與廣視角等特性發展。為了提升液晶顯示器的解析度及顯示品質，如何增加畫素開口率的設計成為本領域亟需解決的問題。
本發明提供一種顯示面板，可以提升畫素的開口率以及顯示面板的顯示品質。
本發明的顯示面板包括，第一基板及相對第一基板的第二基板、畫素陣列設置於第一基板上、第一資料線設置於第一基板上、第一閘極線以及第二閘極線設置於第一基板上、第一子畫素色層、第二子畫素色層及第三子畫素色層設置於第一基板或第二基板的其中一者上、第一支撐結構設置於第一基板與第二基板之間以及多個第二支撐結構設置於第一基板與第二基板之間。第一閘極線與第二閘極線交錯第一資料線，且第一資料線、第一閘極線及第二閘極線電性連接畫素陣列。第一子畫素色層、第二子畫素色層及第三子畫素色層於第一基板上的正投影位於第一閘極線與第二閘極線於第一基板上的正投影之間，且第二子畫素色層位於第一子畫素色層與第三子畫素色層之間。於垂直第一基板方向上，第一支撐結構重疊第一子畫素色層。第二支撐結構於垂直第一基板方向上分別重疊第二子畫素色層及第三子畫素色層。第一子畫素色層具有第一凸部及第一凹部。第二子畫素色層具有第二凸部。第三子畫素色層具有第三凸部。於第一子畫素色層與第二子畫素色層的相鄰邊界，第二凸部嵌入第一凹部。於垂直第一基板的方向上，第一支撐結構於第一基板上的正投影重疊第一凸部於第一基板上的正投影。這些第二支撐結構的一者於第一基板上的正投影重疊第二凸部於第一基板上的正投影。第一子畫素色層具有第一厚度H1，第二子畫素色層具有第二厚度H2，且H1大於H2。
本發明的顯示面板包括，第一基板及向對第一基板的第二基板、畫素陣列設置於第一基板上、第一資料線設置於第一基板上、第一閘極線以及第二閘極線設置於第一基板上、第一子畫素色層及第二子畫素色層設置於第一基板或第二基板的其中一者上以及第一支撐結構設置於第一基板與第二基板之間。第一閘極線與第二閘極線交錯第一資料線，且第一資料線、第一閘極線及第二閘極線電性連接畫素陣列。第一子畫素色層及第二子畫素色層於第一基板上的正投影位於第一閘極線與第二閘極線於第一基板上的正投影之間。第一子畫素色層相鄰第二子畫素色層設置。第一資料線重疊於第一子畫素色層與第二子畫素色層的相鄰邊界，且第一資料線與第一閘極線具有開口。第一支撐結構於第一基板的正投影和開口重疊。
本發明的顯示面板具有畫素陣列，包括第一基板、第二基板以及顯示介質層。第一基板具有包括第一閘極線和第二閘極線的多條閘極線、包括第一資料線的多條資料線以及多條共用電極線。這些資料線與這些閘極線配置於不同方向。第二基板具有第一子畫素色層設置於第一基板和第二基板上，以及共用電極層設置於第二基板且覆蓋第一子畫素色層。顯示介質層配置於第一基板與第二基板之間。至少部分畫素中包括第一子畫素區與第二子畫素區。第一子畫素區具有第一畫素電極設置於第一基板，其通過第一開關元件電性連接至第一資料線。第二子畫素區具有第二畫素電極設置於第一基板，其通過第二開關元件電性連接至第一資料線。第二畫素電極還通過第三開關元件，連接至第一電容器。其中第一子畫素色層具有第一凸部。第一支撐結構設置於第二基板上，且第一支撐結構重疊第一凸部。
基於上述，本發明一實施例的顯示面板的遮光層可以對應畫素陣列、資料線以及第一支撐結構或第二支撐結構而設置。因此，顯示面板可以將設置第一支撐結構及/或設置第二支撐結構所需的遮光層與遮蔽畫素陣列的遮光層整合成為第一遮光圖案及/或第二遮光圖案。如此，可以減少整體遮光層所佔的面積，進而提升顯示面板的畫素的開口率以及顯示品質。
此外，第一子畫素色層的第一厚度大於第二子畫素色層的第二厚度。如此，重疊第一遮光圖案的第一支撐結構可以重疊並接觸第一凸部或第一遮光圖案。重疊第二遮光圖案上的第二支撐結構可以重疊但不接觸至第二凸部或第二遮光圖案。藉此，第一支撐結構與第二支撐結構可分別做為主支撐結構及輔助支撐結構。在上述的設置下，顯示面板可透過控制子畫素色層的厚度以及第一支撐結構與第二支撐結構的高度，使第一支撐結構與第二支撐結構分別可提供顯示面板所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板的可靠性及品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。
在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在“另一元件上”、或“連接到另一元件”、“重疊於另一元件”時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或 “直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。
應當理解，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其他特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其他元件 “上方”。因此，示例性術語“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。
圖1繪示為本發明一實施例的顯示面板的子畫素色層的局部上視示意圖，圖1為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖2繪示為圖1的顯示面板沿剖面線A-A’的剖面示意圖。請參考圖1及圖2，在本實施例中，顯示面板10包括第一基板100、第二基板200、畫素陣列PA、多條資料線DL、多條閘極線SL、子畫素色層160、畫素電極PE、第一支撐結構PS1、多個第二支撐結構PS2、共用電極層220、遮光層BM以及顯示介質層LC。在本示施例中，顯示面板10例如為液晶顯示面板（Liquid Crystal Display，LCD），但本發明不以此為限。在一些實施例中，顯示面板10也可以為發光二極體顯示面板（Light-Emitting Diode display，LED display）、有機發光二極體顯示面板（Organic Light-Emitting Diode display，OLED display）或電泳顯示面板（Electrophoretic display，EPD）。
請參考圖1及圖2，顯示面板10包括第一基板100以及相對第一基板100設置的第二基板200。第一基板100與第二基板200的材質例如為玻璃、石英、塑膠、有機聚合物、不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。在一些實施例中，第一基板100與第二基板200也可為可撓性基板，其材質包括有機聚合物，例如：聚醯亞胺（polyimide, PI）、聚萘二甲酸乙醇酯（polyethylene naphthalate, PEN）或其它合適的材料，本發明不以此為限。在本實施例中，第一基板100與第二基板200的材料可以相同或不同，但本發明不以此為限。
如圖2所示，多條閘極線SL設置於第一基板100上。多條閘極線SL包括第一閘極線SL1及第二閘極線SL2設置於第一基板100上，但本發明不以此為限。第一閘極線SL1平行第二閘極線SL2。閘絕緣層120設置於第一基板100上並覆蓋這些閘極線SL。多條資料線DL設置於閘絕緣層120上，並與這些閘極線SL交錯。這些資料線DL包括第一資料線DL1、第二資料線DL2、第三資料線DL3、第四資料線DL4、第五資料線DL5以及第六資料線DL6。多條資料線DL分別彼此平行設置。舉例而言，第二資料線DL2平行第一資料線DL1設置，而第三資料線DL3平行第二資料線DL2設置，但不以此為限。任何本領域具有通常知識者應當能理解，閘極線SL與資料線DL的數量可依使用者的需求而設置，而不以圖2所示的數量為限。
一般而言，基於導電性考量，閘極線SL與資料線DL使用金屬材料製作，但也可以使用其他適當的導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
如圖2所示，畫素陣列PA設置於第一基板100上。換句話說，第一基板100例如是顯示面板10的陣列基板，但本發明不以此為限。畫素陣列PA例如是多個開關元件以陣列排列而成。一般而言，畫素陣列PA可為單層或多層結構，包括多個開關元件以及多層絕緣層。畫素陣列PA可與多條訊號線（例如多條閘極線SL以及多條資料線DL）電性連接。
如圖2所示，畫素陣列PA包括第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2以及第三開關元件TFT3設置於第一基板100上。在一些實施例中，畫素陣列PA還可以包括更多開關元件，不以圖2所示為限。舉例而言，開關元件例如為低溫多晶矽薄膜電晶體（low temperature poly-Si，LTPS）或非晶矽薄膜電晶體（amorphous Si，a-Si），但本發明不以此為限。在本實施例中，第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2以及第三開關元件TFT3的結構及材料均相同。舉例而言，第一開關元件TFT1包括第一閘極G1以及第一半導體層CH1。以此類推，第二開關元件TFT2相鄰第一開關元件TFT1設置，且第二開關元件TFT2包括第二閘極G2以及第二半導體層CH2。第三開關元件TFT3相鄰第二開關元件TFT2設置，且第二開關元件TFT2位於第一開關元件TFT1與第二開關元件TFT2之間。第三開關元件TFT3包括第三閘極G3以及第三半導體層CH3。
在本實施例中，第一開關元件TFT1透過第一閘極G1電性連接至第一閘極線SL1。舉例而言，第一閘極G1與第一閘極線SL1是由同一膜層製作且彼此電性連接。類似地，第二開關元件TFT2的第二閘極G2與第一閘極線SL1是由同一膜層製作且彼此電性連接。第三開關元件TFT3的第三閘極G3與第一閘極線SL1是由同一膜層製作且彼此電性連接。換句話說，相鄰的第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2及第三開關元件TFT3電性連接至相同的訊號線（第一閘極線SL1）。在本實施例中，第一閘極G1、第二閘極G2、第三閘極G3與閘極線SL的材料可以相同，於此不再贅述。
第一半導體層CH1、第二半導體層CH2及第三半導體層CH3的材質包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合）、或其它合適的材料、或含有摻雜物（dopant）於上述材料中、或上述之組合，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一資料線DL1對應第一開關元件TFT1設置且電性連接至第一半導體層CH1。第一開關元件TFT1還包括第一源極以及第一汲極（未繪示）分別電性連接至第一半導體層CH1，且第一資料線DL1可與第一開關元件TFT1的第一源極電性連接以提供驅動訊號至第一開關元件TFT1。在本實施例中，第一資料線DL1與第一汲極例如是由同一膜層製作，但本發明不以此為限。
如圖2所示，第二資料線DL2對應第二開關元件TFT2設置且電性連接至第二半導體層CH2。在本實施例中，第二開關元件TFT2還包括第二源極以及第二汲極（未繪示）分別電性連接至第二半導體層CH2，且第二資料線DL2可與第二開關元件TFT2的第二源極電性連接以提供驅動訊號至第二開關元件TFT2。在本實施例中，第二資料線DL2與第二汲極例如是由同一膜層製作，但本發明不以此為限。第三資料線DL3對應第三開關元件TFT3設置且電性連接至第三半導體層CH3。在本實施例中，第三開關元件TFT3也包括源極以及汲極（未繪示）。第三資料線DL3可與第三開關元件TFT3電性連接以提供驅動訊號至第三開關元件TFT3。
在本實施例中，第一源極與第二源極以及第一汲極與第二汲極是使用金屬材料製作，但本發明不限於此，根據其他實施例，第一源極與第二源極以及第一汲極與第二汲極也可以使用其他適當的導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層。
在本實施例中，第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2以及第三開關元件TFT3例如為底閘極型薄膜電晶體（bottom gate TFT），但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2以及第三開關元件TFT3也可為頂閘極型薄膜電晶體（top gate TFT）或其他合適的薄膜電晶體。
如圖2所示，於垂直第一基板100的方向N上，第一資料線DL1於第一基板100上的正投影重疊第一閘極G1於第一基板100上的正投影。第二資料線DL2於第一基板100上的正投影重疊第二閘極G2於第一基板100上的正投影。第三資料線DL3於第一基板100上的正投影重疊第三閘極G3於第一基板100上的正投影。
第一絕緣層140整面地設置於閘絕緣層120上，並覆蓋對應畫素陣列PA以及電性連接至畫素陣列PA的多條資料線DL（例如包括：第一資料線DL1、第二資料線DL2、第三資料線DL3）。第一絕緣層140與閘絕緣層120的材質包括無機材料、有機材料或上述材料的組合或其他合適的材料。上述無機材料例如是（但不限於）：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層。上述有機材料例如是（但不限於）：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。在本實施例中，閘絕緣層120與第一絕緣層140分別為單一膜層，但本發明不限於此。在其他實施例中，閘絕緣層120與第一絕緣層140也可以由多個膜層堆疊而成。
請參考圖1及圖2，子畫素色層160設置於第一絕緣層140上並覆蓋多條資料線DL（例如圖2所示，包括第一資料線DL1及第二資料線DL2），但本發明不以此為限。在一些實施例中，子畫素色層160可設置於第一基板100或第二基板200的其中一者上。子畫素色層160的材料例如包括彩色光阻材料。以下實施例是以子畫素色層160設置於第一基板100上的第一絕緣層140進行說明。換句話說，顯示面板10包括將子畫素色層160整合至畫素陣列PA（Color Filter on Array，COA）上的第一基板100。
如圖1及圖2所示，由左至右依序排列，子畫素色層160包括第一子畫素色層161、第二子畫素色層162以及第三子畫素色層163，但本發明不限於此。如圖1所示，由左至右依序排列，子畫素色層160還可以包括第四子畫素色層164、第五子畫素色層165以及第六子畫素色層166。在本實施例中，第二子畫素色層162位於第一子畫素色層161與第三子畫素色層163之間。由於圖2是沿著圖1的剖面線A-A’的局部剖面示意圖，因此以下先以第一子畫素色層161、第二子畫素色層162以及第三子畫素色層163進行說明。第四子畫素色層164、第五子畫素色層165以及第六子畫素色層166的相對位置關係將於後續進行說明。
如圖1及圖2所示，第一子畫素色層161於第一基板100上的正投影重疊第一開關元件TFT1，且第二子畫素色層162於第二基板200上的正投影重疊第二開關元件TFT2及第三開關元件TFT3。如圖1所示，第一子畫素色層161、第二子畫素色層162及第三子畫素色層163於第一基板100上的正投影的部分位於第一閘極線SL1與第二閘極線SL2於第一基板100上的正投影之間。
在本實施例中第一子畫素色層161具有第一凸部161A以及第一凹部161B。如圖1所示，第一凸部161A例如是第一子畫素色層161向左凸出的部分，而第一凹部161B例如是第一子畫素色層161向左凹陷的部分。設置於第一子畫素色層161右側的第二子畫素色層162具有兩個第二凸部162A。舉例而言，第二凸部162A例如是第二子畫素色層162向左凸出的部分以及第二子畫素色層162向右凸出的部分。從另一角度而言，第二子畫素色層162不具有凹部，而在俯視上具有向左及向右凸出的十字型或凸字型圖案。第三子畫素色層163具有第三凸部163A以及第三凹部163B。舉例而言，第三凸部163A例如是第三子畫素色層163向右凸出的部分，而第三凹部163B例如是第三子畫素色層163向右凹陷的部分。
在上述的設置下，如圖1及圖2所示，相鄰第一子畫素色層161設置的第二子畫素色層162的第二凸部162A可以延伸進入第一凹部161B。換句話說，於第一子畫素色層161與第二子畫素色層162的相鄰邊界，第二凸部162A嵌入第一凹部161B。相鄰第三子畫素色層163設置的第二子畫素色層162的第二凸部162A可以延伸進入第三凹部163B。換句話說，於第二子畫素色層162與第三子畫素色層163的相鄰邊界，第二凸部162A嵌入第三凹部163B。
如圖1所示，第四子畫素色層164、第五子畫素色層165以及第六子畫素色層166與第一子畫素色層161、第二子畫素色層162以及第三子畫素色層163設置於同列。舉例而言，由左至右的排列順序例如為：第一子畫素色層161、第二子畫素色層162、第三子畫素色層163、第四子畫素色層164、第五子畫素色層165以及第六子畫素色層166，但本發明不以此為限。第四子畫素色層164、第五子畫素色層165及第六子畫素色層166於第一基板100上的正投影位於第一閘極線SL1與第二閘極線SL2於該第一基板100上的正投影之間。如圖1所示，第四子畫素色層164位於第三子畫素色層163與第五子畫素色層165之間，而第五子畫素色層165位於第四子畫素色層164與第六子畫素色層166之間。在本實施例中，第六子畫素色層166的右方還可以設置第一子畫素色層161，且第一子畫素色層161的左方可以設置第六子畫素色層166。換句話說，本實施例的子畫素色層160的排列方式可以是由左至右依序以第一子畫素色層161排列至第六子畫素色層166並循環地設置，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第四子畫素164具有兩個第四凹部164B。舉例而言，第四凹部164B例如是第四子畫素色層164向右凹陷的部分以及第四子畫素色層164向左凹陷的部分。從另一角度而言，第四子畫素色層164不具有凸部，而在俯視上具有向左及向右凹陷的I字型或工字型圖案。第五子畫素色層165相似於第二子畫素色層162，而具有兩個第五凸部165A，故於此不再贅述。第六子畫素色層166相似於第四子畫素色層164而具有兩個第六凹部166B，故於此不再贅述。
在上述的設置下，相鄰第四子畫素色層164設置的第三子畫素色層163的第三凸部163A可以延伸進入第四凹部164B。換句話說，於第三子畫素色層163與第四子畫素色層164的相鄰邊界，第三凸部163A嵌入第四凹部164B。相鄰第四子畫素色層164設置的第五子畫素色層165的第五凸部165A可以延伸進入第四凹部164B。換句話說，於第四子畫素色層164與第五子畫素色層165的相鄰邊界，第五凸部165A嵌入第四凹部164B。相鄰第六子畫素色層166設置的第五子畫素色層165的第五凸部165A可以延伸進入第六凹部166B。換句話說，於第五子畫素色層165與第六子畫素色層166的相鄰邊界，第五凸部165A嵌入第六凹部166B。此外，於第一子畫素色層161與第六子畫素色層166的相鄰邊界，第一凸部161A嵌入第六凹部166B，但本發明不以此為限。
如此一來，如圖1及圖2所示，於垂直第一基板100的方向N上，第一子畫素色層161的第一凸部161A可以對應重疊第一開關元件TFT1。第二子畫素色層162的第二凸部162A可以對應重疊第二開關元件TFT2以及第三開關元件TFT3，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一子畫素色層161、第二子畫素色層162以及第三子畫素色層163例如是分別具有不同顏色的彩色光阻。換句話說，第一子畫素色層161具有第一色光，第二子畫素色層162具有第二色光而第三子畫素色層163具有第三色光，第一色光、第二色光和第三色光例如為紅光、綠光、藍光、黃光、橘光或白光，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一色光、第二色光及第三色光分別為不同顏色的色光，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一色光、第二色光及第三色光的其中二者可以為相同顏色的色光，或者全部均為相同顏色的色光。
在本實施例中，第一子畫素色層161與第四子畫素色層164可為相同顏色的彩色光阻，而具有第一色光，且第一色光例如為藍光。第二子畫素色層162與第五子畫素色層165可為相同顏色的彩色光阻，而具有第二色光，且第二色光例如為綠光。第三子畫素色層163與第六子畫素色層166可為相同顏色的彩色光阻，而具有第三色光，且第三色光例如為紅光。然而，本發明不以此為限。
請參考圖2，第二絕緣層180整面地設置於子畫素色層160上。第二絕緣層180與第一絕緣層140的材質相同，包括無機材料、有機材料或上述材料的組合或其他合適的材料。上述無機材料例如是（但不限於）：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層。上述有機材料例如是（但不限於）：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。在本實施例中，第二絕緣層180為單一膜層，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二絕緣層180也可以由多個膜層堆疊而成。
在本實施例中，多個畫素電極PE設置於第二絕緣層180上。這些畫素電極PE可以分別電性連接至畫素陣列PA。舉例而言，這些畫素電極PE的其中之一可以電性連接至第一開關元件TFT1。這些畫素電極PE的其中另一可以電性連接至第二開關元件TFT2。換句話說，畫素電極PE可以分別對應第一開關元件TFT1及第二開關元件TFT2設置，但本發明不以此為限。在本實施例中，畫素電極PE的材質可為透明的導體材料，例如銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋁錫氧化物（ATO）、鋁鋅氧化物（AZO）或銦鍺鋅氧化物（IGZO）等金屬氧化物，但本發明不以此為限。
在本實施例中，遮光層BM設置於第二基板200上。舉例而言，遮光層BM包括第一遮光圖案BM1、第二遮光圖案BM2以及第三遮光圖案BM3分別設置於第二基板200上，但本發明不以此為限。如圖1所示，遮光層BM還包括第四遮光圖案BM4、第五遮光圖案BM5以及第六遮光圖案BM6設置於第二基板200上。
在本實施方式中，於垂直第一基板100的方向N上，第一遮光圖案BM1對應重疊第一開關元件TFT1，第二遮光圖案BM2對應重疊第二開關元件TFT2，且第三遮光圖案BM3對應重疊第三開關元件TFT3。從另一角度而言，第一遮光圖案BM1可以重疊第一子畫素色層161以及第六子畫素色層166的部分。此外，第一子畫素色層161的第一凸部161A於第一基板100上的正投影可以位於第一遮光圖案BM1於第一基板100上的正投影內。第二遮光圖案BM2可以重疊第一子畫素色層161的部分以及第二子畫素色層162的部分。第二子畫素色層162的一個第二凸部162A於第一基板100上的正投影可以位於第二遮光圖案BM2於第一基板100上的正投影內。此外，第三遮光圖案BM3還可以重疊第二子畫素色層162的部分以及第三子畫素色層163的部分。第二子畫素色層162的另一個第二凸部162A於第一基板100上的正投影可以位於第三遮光圖案BM3於第一基板100上的正投影內。
如圖1所示，第四遮光圖案BM4可以重疊第三子畫素色層163的部分以及第四子畫素色層164的部分。第三子畫素色層163的第三凸部163A於第一基板100上的正投影可以位於第四遮光圖案BM4於第一基板100上的正投影內。第五遮光圖案BM5可以重疊第四子畫素色層164的部分以及第五子畫素色層165的部分。第五子畫素色層165的一個第五凸部165A於第一基板100上的正投影可以位於第五遮光圖案BM5於第一基板100上的正投影內。第六遮光圖案BM6可以重疊第五子畫素色層165的部分以及第六子畫素色層166的部分。第五子畫素色層165的另一個第五凸部165A於第一基板100上的正投影可以位於第六遮光圖案BM6於第一基板100上的正投影內。然而，本發明不以此為限。
如圖1及圖2所示，遮光層BM於第一基板100上的正投影可以重疊畫素陣列PA的閘極以及多條資料線DL。舉例而言，第一遮光圖案BM1可以重疊第一開關元件TFT1的第一閘極G1以及第一資料線DL1。第二遮光圖案BM2可以重疊第二開關元件TFT2的第二閘極G2以及第二資料線DL2。換句話說，遮光層BM可以對應資料線DL以及開關元件（例如包括：第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3）設置，但本發明不以此為限。
在本實施例中，共用電極層220可以整面地設置於第二基板200上並覆蓋遮光層BM。換句話說，遮光層BM可以位於共用電極層220與第二基板200之間。此外，如圖2所示，共用電極層220位於第一基板100與第二基板200之間。共用電極層220的材質可為透明的導體材料，例如銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋁錫氧化物（ATO）、鋁鋅氧化物（AZO）或銦鍺鋅氧化物（IGZO）等金屬氧化物，但本發明不以此為限。
在一些實施例中，顯示面板10還可以包括配向層、抗反射層或其他光學膜層分別設置於第二絕緣層180及/或共用電極層220上，但不以此為限。
在本實施例中，顯示介質層LC配置於第一基板100與第二基板200之間。顯示介質層LC可包括液晶分子、電泳顯示介質、或是其他可適用的介質。在本發明下列實施例中的顯示介質層LC係以包括液晶分子當作範例，但本發明不以此為限。再者，在本發明下列實施例中的液晶分子，較佳地，係以可被水平電場轉動或切換的液晶分子或者是可被垂直電場轉動或切換的液晶分子為範例，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一支撐結構PS1以及多個第二支撐結構PS2設置於第一基板100與第二基板200之間。第一支撐結構PS1於垂直第一基板100的方向N上重疊第一子畫素色層161。這些第二支撐結構PS2於垂直第一基板100的方向N上分別重疊第二子畫素色層162及第三子畫素色層163。如圖1所示，這些第二支撐結構PS2還可以重疊第五子畫素色層165，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二支撐結構PS2也可以重疊第四子畫素色層164及/或第六子畫素色層166。在另一些實施例中，第二支撐結構PS2也可以重疊第一子畫素色層161，且第一支撐結構PS1也可以重疊第一子畫素色層161至第六子畫素色層166的其中任一者，並不以圖1所繪示為限。
如圖2所示，第一支撐結構PS1以及第二支撐結構PS2可以設置於第二基板200上。第一支撐結構PS1的底面PS1B設置於第一遮光圖案BM1上，而第一支撐結構PS1的頂面PS1A抵頂至第一子畫素色層161上的第二絕緣層180的表面181。這些第二支撐結構PS2的一者設置於第二遮光圖案BM2上，且這些第二支撐結構PS2的另一者設置於第三遮光圖案BM3上。舉例而言，第二支撐結構PS2可以設置於遮光層BM中除了第一遮光圖案BM1的任一者之上，但本發明不以此為限。如圖2所示，第二支撐結構PS2的底面PS2B設置於第二遮光圖案BM2上，但第二支撐結構PS2的頂面PS2A不抵頂至第二子畫素色層162上。從另一角度而言，第二支撐結構PS2與第二子畫素色層162上的第二絕緣層180之間存有間距K1。間距K1可被定義為頂面PS2A至第二絕緣層180的表面181之間的段差距離。換句話說，於剖面圖中，頂面PS1A與頂面PS2A位於不同的水平面。具體而言，第一支撐結構PS1的高度H3大於第二支撐結構PS2的高度H4。在本實施例中，第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的材料包括光阻材料。此外，在本實施例中，可透過半調式光罩（half-tone mask，HTM）製程或灰調式光罩（gray-tone mask）製程，以分別製作出第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的不同高度，但本發明不以此為限。
在上述的設置下，第一支撐結構PS1可以抵頂至第一遮光圖案BM1，而不會在第一支撐結構PS1與第一遮光圖案BM1之間具有任何間距。因此，第一支撐結構PS1可為顯示面板10的主支撐結構（main photospacer）。第二支撐結構PS2與子畫素色層160（例如第二子畫素色層162或第三子畫素色層163）之間存有間距K1，因此第二支撐結構PS2可為顯示面板10的輔助支撐結構（sub photospacer）。然而，本發明不以此為限，在一些實施例中，第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的高度也可以相同，而是透過不同子畫素色層所具有的不同厚度，以在第二支撐結構PS2與子畫素色層之間形成間距。換句話說，對應第一支撐結構PS1的子畫素色層可以較對應第二支撐結構PS2的子畫素色層來得厚，而使第一支撐結構PS1抵頂至子畫素色層。本領域具有通常知識者應當能理解，只要能使第二支撐結構PS2與子畫素色層之間存在間距的設計，均不脫離本發明的範疇與精神。
在一些實施例中，第一基板100與第二基板200上還可以設置配向層、抗反射層、偏光片或聚光片的光學膜層，但不以此為限。舉例而言，依使用者需求，配向層可設置於第一基板100與第二基板200之間的表面181上或設置於共用電極層220上。也就是說，第一支撐結構PS1及/或第二支撐結構PS2與第二絕緣層180之間還可設置有具有光學功能或結構功能的多個膜層，而不以圖2所繪示者為限。
值得注意的是，於垂直第一基板100的方向N上，第一支撐結構PS1於第一基板100上的正投影重疊第一凸部161A於第一基板100上的正投影。具體而言，第一支撐結構PS1於第一基板100上的正投影可以重疊部分的第一閘極G1、第一資料線DL1以及第一凸部161A。此外，第一遮光圖案BM1於第一基板100上的正投影還可以重疊第一凸部161A以及第一支撐結構PS1於基板100上的正投影。如此一來，第一支撐結構PS1可以設置於遮蔽第一開關元件TFT1與第一資料線DL1的第一遮光圖案BM1上。因此，可以將設置第一支撐結構PS1所需的遮光層BM與遮蔽畫素陣列PA的遮光層BM整合成為第一遮光圖案BM1。如此，可以減少整體遮光層BM所佔的面積，進而提升顯示面板10的畫素的開口率以及顯示品質。
此外，於垂直第一基板100的方向N上，第二支撐結構PS2於第一基板100上的正投影重疊第二凸部162A於第一基板100上的正投影。具體而言，第二支撐結構PS2於第一基板100上的正投影可以重疊部分的第二閘極G2、第二資料線DL2以及第二凸部162A。此外，第二遮光圖案BM2於第一基板100上的正投影還可以重疊第二凸部162A以及其中一個第二支撐結構PS2於第一基板100上的正投影。如此一來，第二支撐結構PS2可以設置於遮蔽第二開關元件TFT2與第二資料線DL2的第二遮光圖案BM2上。因此，可以將設置第二支撐結構PS2所需的遮光層BM與遮蔽畫素陣列PA的遮光層BM整合成為第二遮光圖案BM2。如此，可以減少整體遮光層BM所佔的面積，進而提升顯示面板10的畫素的開口率以及顯示品質。
由圖2可看出，第二支撐結構PS2還可於第一基板100上的正投影重疊部分的第三閘極G3、第三資料線DL3以及第二凸部162A。此外，第三遮光圖案BM3於第一基板100上的正投影還可以重疊第二凸部162A以及其中另一個第二支撐結構PS2於第一基板100上的正投影。如此一來，第二支撐結構PS2也可以設置於遮蔽第三開關元件TFT3與第三資料線DL3的第三遮光圖案BM3上。因此，可以減少整體遮光層BM所佔的面積，進而提升顯示面板10的畫素的開口率以及顯示品質。
然而，本發明不以圖2所繪示為限。實際上，如圖1所示，這些第二支撐結構PS2還可以分別重疊第四遮光圖案BM4、第五遮光圖案BM5及/或第六遮光圖案BM6。具體而言，如圖1所示，這些第二支撐結構PS2還可於垂直第一基板100的方向N上分別重疊第三凸部163A以及第五凸部165A，但本發明不以此為限。因此，可以進一步將設置第二支撐結構PS2所需的遮光層BM與遮蔽畫素陣列PA的遮光層BM整合進第四遮光圖案BM4、第五遮光圖案BM5及/或第六遮光圖案BM6，以減少整體遮光層BM所佔的面積，進而提升顯示面板10的畫素的開口率以及顯示品質。
此外，如圖2所示，第一子畫素色層161具有第一厚度H1，且第二子畫素色層162具有第二厚度H2，且H1大於H2。換句話說，第一子畫素色層161較第二子畫素色層162來得厚。在一些實施例中，第三子畫素色層163的厚度與第二子畫素色層162的第二厚度H2相同並小於第一子畫素色層161的第一厚度H1，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一凸部161A重疊第一資料線DL1，且第一支撐結構PS1重疊並抵頂至第一凸部161A。如此一來，可以確保第一支撐結構PS1抵頂至厚度相對較厚的第一子畫素色層161。第二支撐結構PS2重疊第二資料線DL2及/或第三資料線DL3並且不抵頂至兩個第二凸部162A中任一者。因此，可確保第二支撐結構PS2與第二子畫素色層162之間具有間距K1。換句話說，顯示面板10可透過子畫素色層160的不同厚度，以分別對應第一支撐結構PS1或第二支撐結構PS2。如此一來，可使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別提供顯示面板10所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10的可靠性及品質。
簡言之，本實施例的顯示面板10的遮光層BM是對應畫素陣列PA、資料線DL以及第一支撐結構PS1或第二支撐結構PS2而設置。因此，顯示面板10可以將設置第一支撐結構PS1及/或設置第二支撐結構PS2所需的遮光層BM與遮蔽畫素陣列PA的遮光層BM整合成為第一遮光圖案BM1及/或第二遮光圖案BM2。如此，可以減少整體遮光層BM所佔的面積，進而提升顯示面板10的畫素的開口率以及顯示品質。
此外，第一子畫素色層161的第一厚度H1大於第二子畫素色層162的第二厚度H2。如此，第一遮光圖案BM1上的第一支撐結構PS1可以重疊並抵頂至第一凸部161A。第二遮光圖案BM2上的第二支撐結構PS2可以重疊但不抵頂至第二凸部162A。此外，第一支撐結構PS1的高度H3還可以大於第二支撐結構PS2的高度H4。藉此，第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2可分別做為主支撐結構及輔助支撐結構。在上述的設置下，顯示面板10可透過控制子畫素色層160的厚度以及第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的高度，使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別可提供顯示面板10所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10的可靠性及品質。
在一些實施例中，第一支撐結構PS1也可以對應子畫素色層160的顏色而設置。舉例而言，第一支撐結構PS1於第一基板100上的正投影可以重疊藍色的第一子畫素色層161的第一凸部161A於第一基板100上的正投影。第二支撐結構PS2於第一基板100上的正投影可以重疊綠色或紅色的第二子畫素色層162的第二凸部162A於第一基板100上的正投影，但不以此為限。這是因為藍色的子畫素色層160的膜厚可以較綠色或紅色的子畫素色層160的膜厚來得厚。因此，第一支撐結構PS1可以抵頂至膜厚較厚的藍色的第一子畫素色層161，而第二支撐結構PS2可以抵頂至膜厚較薄的綠色或紅色的第二子畫素色層162。如此一來，顯示面板10可以透過將第一支撐結構PS1及第二支撐結構PS2對應重疊不同顏色與膜厚的子畫素色層160設置，使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別可提供顯示面板10所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10的可靠性及品質。
下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。
圖3繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10A與圖2所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：第二絕緣層180A的材料例如為光阻材料。在本實施例中，可透過半調式光罩（half-tone mask，HTM）製程或灰調式光罩（gray-tone mask）製程，以於第二絕緣層180A上分別製作出具有不同厚度的部分，以更進一步地確保表面181A與表面181B之間具有高低差，但本發明不以此為限。舉例而言，第二絕緣層180A於重疊第一資料線DL1處的厚度H5大於第二絕緣層180A於重疊第二資料線DL2處的厚度H6。從另一角度而言，於垂直第一基板100的方向N上，第二絕緣層180A具有厚度H5的部分之表面181A所在的水平面高於具有厚度H6的部分之表面181B所在的水平面。在上述的設置下，重疊表面181A的第一支撐結構PS1的頂面PS1A可以抵頂至表面181A。重疊表面181B的第二支撐結構PS2的頂面PS2A則不抵頂至表面181B，而使頂面PS2A與表面181B之間存有間距K2。換句話說，頂面PS2A與表面181B之間可定義出具有間距K2的段差。因此，顯示面板10A可透過控制子畫素色層160的不同厚度、第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的高度以及製作出第二絕緣層180A中位於不同高度的表面181A、181B，使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別可做為主支撐結構與輔助支撐結構以提供顯示面板10A所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10A的可靠性及品質。
圖4A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10B與圖2所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：第一支撐結構PS3及第二支撐結構PS4設置於第一基板100上的第二絕緣層180上。換句話說，本實施例的顯示面板10B是將支撐結構整合在畫素陣列PA上（Photospacer on Array，POA）。
在本實施例中，第一支撐結構PS3的底面PS3B設置於第一子畫素色層161上的第二絕緣層180上，且第一支撐結構PS3的頂面PS3A抵頂至第一遮光圖案BM1上的共用電極層220的表面221上。如圖4A所示，第二支撐結構PS4的底面PS4B設置於第二子畫素色層162上。如此一來，第一支撐結構PS3以及第二支撐結構PS4可分別將第一遮光圖案BM1及第二遮光圖案BM2做為設置支撐結構所需的膜層而使用。此外，第二支撐結構PS4的其中一者重疊第二資料線DL2，而第二支撐結構PS4的其中另一者重疊第三資料線DL3。在本實施例中，第一支撐結構PS3設置於厚度相對較厚的第一子畫素色層161上。第二支撐結構PS4則設置於厚度相對較薄的第二子畫素色層162上，因此第二支撐結構PS4的頂面PS4A不抵頂至第二遮光圖案BM2上的共用電極層220的表面221，而使頂面PS4A與表面221之間存有間距K3。換句話說，頂面PS4A與表面221之間可定義出具有間距K3的段差。因此，顯示面板10B可透過控制子畫素色層160的不同厚度以及使第一支撐結構PS3與第二支撐結構PS4具有不同的高度，而使第一支撐結構PS3與第二支撐結構PS4分別可做為主支撐結構與輔助支撐結構以提供顯示面板10B所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10B的可靠性及品質。
圖4B繪示為本發明另一實施例的第一遮光圖案的局部放大剖面示意圖。本實施例所示的第一遮光圖案BM1’與圖4A所示的第一遮光圖案BM1類似，主要的差異在於：第一遮光圖案BM1’包括平坦部242以及凸起部244。在本實施例中，平坦部242與凸起部244可由同一膜層所形成。舉例而言，可在第一遮光圖案BM1’上透過微影蝕刻形成容置空間243，且由凸起部244繞出上述容置空間243。在本實施例中，平坦部242的表面241與凸起部244的下表面245之間具有高度差X。高度差X可以定義出容置空間243的高度。如圖4B所示，重疊設置於第一子畫素色層161上的第一支撐結構PS3重疊容置空間243，且第一支撐結構PS3的頂面PS3A抵頂至平坦部242的表面241上的共用電極層220。從另一角度而言，第一支撐結構PS3可以位於容置空間243中並被凸起部244所環繞。在上述的設置下，第一支撐結構PS3可被容置空間243以及形成於凸起部244側邊之共用電極層220的側壁223所限位。如此一來，當第二基板200與第一基板100（繪示於圖4A中）於對組時產生位移的公差時，第一支撐結構PS3可被側壁223限位而維持重疊於容置空間243。因此，第一遮光圖案BM1’可以進一步減少第一支撐結構PS3位移的機率，而提升顯示面板的可靠度。
圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10C與圖4A所示的顯示面板10B類似，主要的差異在於：第二絕緣層180A的材料例如為光阻材料。在本實施例中，可透過半調式光罩（half-tone mask，HTM）製程或灰調式光罩（gray-tone mask）製程，以於第二絕緣層180A上分別製作出具有不同厚度的部分，以更進一步地確保表面181A與表面181B之間具有高低差，但本發明不以此為限。舉例而言，第二絕緣層180A於重疊第一資料線DL1處的厚度H5大於第二絕緣層180A於重疊第二資料線DL2處的厚度H6。從另一角度而言，於垂直第一基板100的方向N上，第二絕緣層180A具有厚度H5的部分之表面181A所在的水平面高於具有厚度H6的部分之表面181B所在的水平面。在上述的設置下，設置於表面181A上的第一支撐結構PS3的頂面PS3A可以抵頂至第一遮光圖案BM1上的共用電極層220的表面221。設置於表面181B的第二支撐結構PS4的頂面PS4A則不抵頂至表面221，而使頂面PS4A與表面221之間存有間距K4。換句話說，頂面PS4A與表面221之間可定義出具有間距K4的段差。因此，顯示面板10C可透過控制子畫素色層160的不同厚度、第一支撐結構PS3與第二支撐結構PS4的高度以及製作出第二絕緣層180A中位於不同高度的表面181A、181B，使第一支撐結構PS3與第二支撐結構PS4分別可做為主支撐結構與輔助支撐結構以提供顯示面板10C所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10A的可靠性及品質。
圖6繪示為本發明又一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10D與圖2所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：子畫素色層260是設置於第二基板200上。子畫素色層260例如包括第一子畫素色層261、第二子畫素色層262、第三子畫素色層263以及第六子畫素色層266，但本發明不以此為限。在一些實施例中，子畫素色層260還可以包括第四子畫素色層及第五子畫素色層。如圖6所示，第一子畫素色層261重疊部分第一遮光圖案BM1、第二子畫素色層262重疊部分第二遮光圖案BM2，且第三子畫素色層263重疊部分第三遮光圖案BM3。第二子畫素色層262位於第一子畫素色層261與第三子畫素色層263之間。
在本實施例中，第二絕緣層180整面地覆蓋第一基板100並重疊畫素陣列PA以及多條資料線DL。如圖6所示，於垂直第一基板100的方向N上，第一資料線DL1重疊第一遮光圖案BM1以及第一子畫素色層261的第一凸部261A。第二資料線DL2及第三資料線DL3分別重疊第二遮光圖案BM2以及第三遮光圖案BM3。此外分別重疊第二遮光圖案BM2及第三遮光圖案BM3的第二子畫素色層262的兩個第二凸部262A，分別重疊第二資料線DL2以及第三資料線DL3。
在本實施例中，第一支撐結構PS1重疊第一子畫素色層261設置。第一支撐結構PS1的底面PS1B設置於第一子畫素色層261上，且第一支撐結構PS1的頂面PS1A抵頂至第一資料線DL1上的第二絕緣層180的表面181。第二支撐結構PS2的底面PS2B設置於第二子畫素色層262上，且第二支撐結構PS2的頂面PS2A與第二資料線DL2上的第二絕緣層180的表面181之間存有間距K5。換句話說，頂面PS2A與表面181之間可定義出具有間距K5的段差。因此，顯示面板10D可透過控制子畫素色層260的不同厚度以及使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2具有不同的高度，而使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別可做為主支撐結構與輔助支撐結構以提供顯示面板10D所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10B的可靠性及品質。
圖7繪示為本發明再一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10E與圖6所示的顯示面板10D類似，主要的差異在於：第二絕緣層180A整面地覆蓋第一基板100並重疊畫素陣列PA以及多條資料線DL。第二絕緣層180A的材料例如為光阻材料。在本實施例中，可透過半調式光罩（half-tone mask，HTM）製程或灰調式光罩（gray-tone mask）製程，以於第二絕緣層180A上分別製作出具有不同厚度的部分，以更進一步地確保表面181A與表面181B之間具有高低差，但本發明不以此為限。舉例而言，第二絕緣層180A於重疊第一資料線DL1處的厚度H5大於第二絕緣層180A於重疊第二資料線DL2處的厚度H6。從另一角度而言，於垂直第一基板100的方向N上，第二絕緣層180A具有厚度H5的部分之表面181A所在的水平面高於具有厚度H6的部分之表面181B所在的水平面。在上述的設置下，設置於第一子畫素色層261上且重疊表面181A的第一支撐結構PS1的頂面PS1A可以抵頂至表面181A上。設置於第二子畫素色層262上且重疊表面181B的第二支撐結構PS2的頂面PS2A則不抵頂至表面181B，而使頂面PS2A與表面181B之間存有間距K6。換句話說，頂面PS2A與表面181B之間可定義出具有間距K6的段差。因此，顯示面板10E可透過控制子畫素色層260的不同厚度、第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2的高度以及製作出第二絕緣層180A中位於不同高度的表面181A、181B，使第一支撐結構PS1與第二支撐結構PS2分別做為主支撐結構與輔助支撐結構以可提供顯示面板10E所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板10A的可靠性及品質。
圖8繪示為本發明另一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。請參考圖1、圖2及圖8，在本實施例中，顯示面板10F與圖1的顯示面板10的差異在於：第一資料線DL1以及第二資料線DL2可以相鄰地設置於相鄰的第一開關元件TFT1與第二開關元件TFT2之間。第一開關元件TFT1包括第一閘極G1、第一半導體層CH1、第一源極S1以及電性連接至儲存電容C1的第一汲極D1。而第二開關元件TFT2包括第二閘極G2、第二半導體層CH2、第二源極S2以及電性連接至儲存電容C2的第二汲極D2。第一開關元件TFT1與第二開關元件TFT2分別電性連接至相同的第一閘極線SL1。如圖8所示，第一子畫素色層161與第二子畫素色層162的相鄰邊界可以部分地位於第一資料線DL1與第二資料線DL2之間。第一凸部161A可以向右嵌入第二凹部162B，但本發明不以此為限。
如圖8所示，第一資料線DL1重疊第一子畫素色層161並電性連接第一開關元件TFT1的第一源極S1。第二資料線DL2重疊第二子畫素色層162以及第一子畫素色層161的第一凸部161A，且電性連接第二開關元件TFT2的第二源極S2。
在本實施例中，顯示面板10F還包括共用電極線COM，且共用電極線COM和第一閘極線SL1的延伸方向相同。如圖8所示，第一資料線DL1與第二資料線DL2和平行於第一閘極線SL1的共用電極線COM交錯。在上述的設置下，可以減少共用電極線COM與第一資料線DL1及第二資料線DL2的重疊面積，而進一步降低共用電極線COM與第一資料線DL1及第二資料線DL2之間的交叉電容（crossover capacitance）。如此一來，還可以減少訊號線之負載的產生，而提升顯示面板10F的顯示品質。
在本實施例中，第一支撐結構PS1於第一基板100的正投影位於第一資料線DL1與第二資料線DL2於第一基板100的正投影之間。此外，第一支撐結構PS1還重疊第一凸部161A並重疊共用電極線COM的部分。如此，第一支撐結構PS1可設置於資料線與共用電極線COM交錯之處，進而提升顯示面板10F的畫素的開口率以及顯示品質。
圖9繪示為本發明另一實施例的顯示面板的第一開口的局部放大上視示意圖，圖9為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖10繪示為圖9的顯示面板沿剖面線B-B’的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10G與圖8所示的顯示面板10G類似，主要的差異在於：第一資料線DL1具有開口（例如第一開口O1）。具體而言，第一資料線DL1可被第一開口O1分隔出第一分支DL1A以及第二分支DL1B，分別位於第一開口O1的左右兩側。第一開口O1重疊第一閘極線SL1。第一支撐結構PS1於第一基板100的正投影和第一開口O1重疊。如圖10所示，第二絕緣層180設置於第一資料線DL1上，並覆蓋第一開口O1而於第一開口O1的邊緣形成側壁183。第一支撐結構PS1於第一基板100上的正投影重疊第一開口O1，且第一支撐結構PS1的頂面PS1A抵頂至第一開口O1內的表面181。
在上述的設置下，第一支撐結構PS1可被第一開口O1以及形成於第一開口O1的邊緣之第二絕緣層180的側壁183所限位。如此一來，當第二基板200與第一基板100於對組時產生位移的公差時，第一支撐結構PS1可被側壁183限位而維持重疊於第一開口O1A。因此，第一開口O1可以進一步減少第一支撐結構PS1位移的機率，而提升顯示面板10G的可靠度。
圖11繪示為本發明再一實施例的顯示面板的第二開口的局部放大上視示意圖，圖11為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。圖12繪示為圖11的顯示面板沿剖面線C-C’的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10H與圖9及圖10所示的顯示面板10G類似，主要的差異在於：第一閘極線SL1具有開口（例如第二開口O2）。第一資料線DL1重疊第二開口O2。在本實施例中，於垂直第一資料線DL1延伸的方向上，第一資料線DL1具有第一寬度W1A，且第二開口O2具有第二寬度W2。第一寬度W1A大於第二寬度W2。換句話說，第一資料線DL1可以完全重疊第二開口O2。
在本實施例中，第一支撐結構PS1於第一基板100的正投影和第二開口O2重疊。如圖12所示，閘絕緣層120、第一資料線DL1以及第二絕緣層180設置於第一閘極線SL1上，並覆蓋第二開口O2。第二絕緣層180於第二開口O2的邊緣形成側壁183。第一支撐結構PS1於第一基板100上的正投影重疊第二開口O2，且第一支撐結構PS1的頂面PS1A抵頂至第二開口O2內的表面181。
在上述的設置下，第一支撐結構PS1可被第二開口O2以及形成於第二開口O2的邊緣之第二絕緣層180的側壁183所限位。如此一來，當第二基板200與第一基板100於對組時產生位移的公差時，第一支撐結構PS1可被側壁183限位而維持重疊於第二開口O2。因此，第二開口O2可以進一步減少第一支撐結構PS1位移的機率，而提升顯示面板10H的可靠度。
圖13繪示為本發明又一實施例的第二開口處的局部放大上視示意圖。本實施例所示的第一資料線DL1’與圖11所示的第一資料線DL1類似，主要的差異在於：於垂直第一資料線DL1’延伸的方向上，第一資料線DL1’具有第一寬度W1，且第二開口O2具有第二寬度W2。第二寬度W2大於第一寬度W1。換句話說，第一資料線DL1’僅部分重疊第二開口O2。如圖13所示，第一支撐結構PS1於第一基板100的正投影和第二開口O2重疊。如此，第二開口O2可獲致與上述實施例類似的技術功效。
圖14A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的畫素陣列之電路結構示意圖，圖14A為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。在本實施例中，顯示面板10I包括多條沿第一方向N1延伸的資料線DLm 、DLm+1 沿著第二方向N2排列、多條沿第二方向N2延伸的閘極線SLn 、SLn+1 、SLn+2 、SLn+3 、SLn+4 沿著第一方向N1排列以及多個以陣列排列的畫素電極PE。資料線和閘極線交錯（例如：資料線DLm 交錯於閘極線SLn 、SLn+1 、SLn+2 、SLn+3 、SLn+4 ）。在本實施例中，第一方向N1垂直於第二方向N2，然，不以此為限。這些畫素電極PE可以分別電性連接至畫素陣列中的多個開關元件TFT。如圖14A所示，多個畫素電極PE可以沿著第二方向N2排列成多列。舉例而言，排成一列的畫素電極PE可以位於閘極線SLn （例如為：第一閘極線）與閘極線SLn+1 （例如為：第二閘極線）之間。位於上述同一列且相鄰的畫素電極PE中的兩者可以分別電性連接至相同的資料線DLm （例如為：第一資料線），並分別電性連接至閘極線SLn 與閘極線SLn+1 。舉例而言，位於同一列且位於資料線DLm 兩側的兩個畫素電極PE可以電性連接至上述的資料線DLm 。換句話說，顯示面板10I的畫素電極PE與訊號線之設置方式例如是半源極驅動（half source driving，HSD）架構，因而得以使資料線數目減半。換句話說，資料線的數目可以是閘極線的數目之一半，因此可以降低源極驅動器之消耗功率，提升顯示面板10I之性能。
圖14B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的畫素陣列之電路結構示意圖，圖14B為了方便說明及觀察，僅示意性地繪示部分構件。本實施例所示的顯示面板10I’與圖14A所示的顯示面板10I類似，主要的差異在於：位於同一列且位於資料線DLm+1 相同一側的兩個畫素電極PE可以電性連接至相同的資料線DLm+1 。詳細而言，顯示面板10I’包括多條沿第一方向N1延伸的資料線DLm 、DLm+1 、DLm+2 沿著第二方向N2排列、多條沿第二方向N2延伸的閘極線SLn 、SLn+1 、SLn+2 、SLn+3 、SLn+4 沿著第一方向N1排列以及多個以陣列排列的畫素電極PE。如圖14B所示，多個畫素電極PE可以沿著第二方向N2排列成多列。舉例而言，排成一列的畫素電極PE可以位於閘極線SLn （例如為：第一閘極線）與閘極線SLn+1 （例如為：第二閘極線）之間。此外，位於上述同一列且相鄰的畫素電極PE中的兩者還可以位於資料線DLm 與資料線DLm+1 或位於資料線DLm+1 與資料線DLm+2 之間。位於資料線DLm+1 左側的兩個畫素電極PE可以分別電性連接至資料線DLm+1 （例如為：第一資料線），並分別電性連接至閘極線SLn 與閘極線SLn+1 。位於資料線DLm+1 右側的兩個畫素電極PE可以分別電性連接至資料線DLm+2 （例如為：第二資料線），並分別電性連接至閘極線SLn 與閘極線SLn+1 。換句話說，顯示面板10I’的畫素電極PE與訊號線之設置方式例如是半源極驅動（half source driving，HSD）架構，因而得以使資料線數目減半。換句話說，資料線的數目可以是閘極線的數目之一半，因此可以降低源極驅動器之消耗功率，提升顯示面板10I’之性能。
圖15繪示為本發明另一實施例的顯示面板的等效電路圖。請參考圖15，在本實施例中，顯示面板10J包括第一閘極線SL1和第二閘極線SL2以及第一資料線DL1。第一資料線DL1與第一閘極線SL1及/或第二閘極線SL2配置於第一基板100上且延伸的方向不同。舉例而言，第一資料線DL1交錯第一閘極線SL1及第二閘極線SL2。
顯示面板10J還包括電性連接至第一閘極線SL1、第二閘極線SL2與第一資料線DL1之畫素（未標示）。舉例而言，畫素包括第一子畫素區PX1與第二子畫素區PX2。第一子畫素區PX1中包括第一開關元件TFT1以及與第一開關元件TFT1電性連接的第一畫素電極PE1。第一開關元件TFT1電性連接至第一資料線DL1以及第一閘極線SL1。在本實施例中，第一畫素電極PE1與共用電極層220之間形成畫素電容（未標示），以將第一畫素電極PE1電性連接至共用電極層220。第一畫素電極PE1還可通過第一開關元件TFT1電性連接至第一資料線DL1。如圖15所示，第一開關元件TFT1還可以電性連接至共用電極線COM以形成儲存電容C1，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一開關元件TFT1具有電性連接至第一閘極線SL1的控制端。因此，第一畫素電極PE1與儲存電容C1的充放電由第一閘極線SL1通過第一開關元件TFT1所控制。
第二子畫素區PX2中包括第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3以及與第二開關元件TFT2電性連接的第二畫素電極PE2。第二開關元件TFT2電性連接至第一資料線DL1以及第一閘極線SL1。在本實施例中，第二畫素電極PE2與共用電極層220之間形成畫素電容（未標示），以將第二畫素電極PE2電性連接至共用電極層220。第二畫素電極PE2還可通過第二開關元件TFT2電性連接至第一資料線DL1。在本實施例中，第三開關元件TFT3還可以串聯至第二開關元件TFT2並電性連接至第二閘極線SL2。第三開關元件TFT3電性連接至具有電荷C的第一電容器CCS 。在上述的設置下，第二畫素電極PE2可通過第三開關元件TFT3以電性連接至第一電容器CCS 。如圖15所示，第二開關元件TFT2還可以電性連接至共用電極線COM以形成儲存電容C2，但本發明不以此為限。在本實施例中，第二開關元件TFT2具有電性連接至第一閘極線SL1的控制端。因此，第二畫素電極PE2與儲存電容C2的充放電由第一閘極線SL1通過第二開關元件TFT2所控制。此外，第三開關元件TFT3具有電性連接至第二閘極線SL2的控制端。因此，第一電容器CCS 的充放電由第二閘極線SL2通過第三開關元件TFT3所控制。
在本實施例中，顯示面板10J可操作於第一狀態以及第二狀態。當顯示面板10J操作於第一狀態下時，第一開關元件TFT1與第二開關元件TFT2呈閉路（ON），且第三開關元件TFT3呈開路（OFF）。詳細而言，第一開關元件TFT1及第二開關元件TFT2可透過第一閘極線SL1的控制而呈閉路。第三開關元件TFT3可透過第二閘極線SL2的控制而呈開路。
在上述的設置下，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2電性連接至第一資料線DL1，因此使得第一電壓電位V1實質上地相等於第二電壓電位V2。在本實施例中，第一電壓電位V1定義為介於第一畫素電極PE1與共用電極層220之間的電壓電位。第二電壓電位V2定義為介於第二畫素電極PE2與共用電極層220之間的電壓電位。在本實施例中，第二畫素電極PE2與第一電容器CCS 不連通，且第一電容器CCS 可透過共用電極線COM充電而具有電荷C。
當該顯示面板10J操作於該第二狀態下，第一開關元件TFT1與第二開關元件TFT2呈開路（OFF），且第三開關元件TFT3呈閉路（ON）。詳細而言，第一開關元件TFT1及第二開關元件TFT2可透過第一閘極線SL1的控制而呈開路。第三開關元件TFT3可透過第二閘極線SL2的控制而呈閉路。
在上述的設置下，第一畫素電極PE1與第二畫素電極PE2不電性連接至第一資料線DL1。此時，第一電容器CCS 則電性連接至第二畫素電極PE2。藉此，使得第一電容器CCS 上的電荷C可以往第二畫素電極PE2上重新分布，而達成電荷分享（charge sharing）的需求。如此一來，可以使得第一電壓電位V1不同於該第二電壓電位V2。基於上述，第一子畫素區PX1的整體電壓電位可與第二子畫素區PX2的整體電壓電位不同，而可以改善顯示面板10J的液晶層間壓差，進而改善顯示面板10J的顯示品質。
綜上所述，本發明一實施例的顯示面板的遮光層可以對應畫素陣列、資料線以及第一支撐結構或第二支撐結構而設置。因此，顯示面板可以將設置第一支撐結構及/或設置第二支撐結構所需的遮光層與遮蔽畫素陣列的遮光層整合成為第一遮光圖案及/或第二遮光圖案。如此，可以減少整體遮光層所佔的面積，進而提升顯示面板的畫素的開口率以及顯示品質。
此外，第一子畫素色層的第一厚度大於第二子畫素色層的第二厚度。如此，重疊第一遮光圖案的第一支撐結構可以重疊並接觸第一凸部或第一遮光圖案。重疊第二遮光圖案上的第二支撐結構可以重疊但不接觸至第二凸部或第二遮光圖案。藉此，第一支撐結構與第二支撐結構可分別做為主支撐結構及輔助支撐結構。在上述的設置下，顯示面板可透過控制子畫素色層的厚度以及第一支撐結構與第二支撐結構的高度，使第一支撐結構與第二支撐結構分別可提供顯示面板所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板的可靠性及品質。
另外，本發明的顯示面板還可透過控制第二絕緣層中位於不同高度的表面，使第一支撐結構與第二支撐結構分別可提供顯示面板所需的支撐以及彈性，而提升顯示面板的可靠性及品質。
此外，本發明的遮光層以及閘極線或資料線更可以分別具有對應的容置空間或開口。因此，第一支撐結構可被側壁限位而維持重疊於容置空間或開口中。如此一來，可以進一步減少第一支撐結構位移的機率，而提升顯示面板的可靠度。此外，資料線上的開口更可以減少串音以及寄生電容的產生，而提升顯示面板的顯示品質。
另外，本發明更可以透過半源極驅動架構而得以使資料線的數目是閘極線的數目之一半，因此可以降低源極驅動器之消耗功率，提升顯示面板之性能。
此外，本發明的顯示面板更可以包括透過第三開關元件而與第二畫素電極對電性連接的第一電容器。藉此，第一電容器上的電荷可以往第二畫素電極重新分布，而達成電荷分享的需求。如此，可以改善顯示面板的液晶層間壓差，進而改善顯示面板的顯示品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10I’、10J:顯示面板 100:第一基板 120:閘絕緣層 140:第一絕緣層 160、260:子畫素色層 161、261:第一子畫素色層 161A、261A:第一凸部 161B:第一凹部 162、262:第二子畫素色層 162A、262A:第二凸部 163、263:第三子畫素色層 163A:第三凸部 163B:第三凹部 164:第四子畫素色層 164B:第四凹部 165:第五子畫素色層 165A:第五凸部 166、266:第六子畫素色層 166B:第六凹部 180、180A:第二絕緣層 181、181A、181B、221:表面 183、223:側壁 200:第二基板 220:共用電極層 242:平坦部 244:突起部 243:容置空間 241:平坦部的表面 245；突起部的下表面 A-A’、B-B’、C-C’:剖面線 BM:遮光層 BM1、BM1’:第一遮光圖案 BM2:第二遮光圖案 BM3:第三遮光圖案 BM4:第四遮光圖案 BM5:第五遮光圖案 BM6:第六遮光圖案 C:電荷 C1、C2:儲存電容 CCS:第一電容器 CH1:第一半導體層 CH2:第二半導體層 CH3:第三半導體層 COM:共用電極線 D1:第一汲極 D2:第二汲極 DL、DLm~DLm+2:資料線 DL1:第一資料線 DL1A:第一分支 DL1B:第二分支 DL2:第二資料線 DL3:第三資料線 G1:第一閘極 G2:第二閘極 G3:第三閘極 H1:第一厚度 H2:第二厚度 H3、H4:高度 H5、H6:厚度 K1、K2、K3、K4、K5、K6:間距 LC:顯示介質層 N:方向 N1:第一方向 N2:第二方向 O1:第一開口 O2:第二開口 PA:畫素陣列 PE:畫素電極 PE1:第一畫素電極 PE2:第二畫素電極 PX1:第一子畫素區 PX2:第二子畫素區 PS1、PS3:第一支撐結構 PS1A、PS2A、PS3A、PS4A:頂面 PS1B、PS2B、PS3B、PS4B:底面 PS2、PS4:第二支撐結構 S1:第一源極 S2:第二源極 SL、SLn~SLn+4:閘極線 SL1:第一閘極線 SL2:第二閘極線 SL3:第三閘極線 TFT:開關元件 TFT1:第一開關元件 TFT2:第二開關元件 TFT3:第三開關元件 V1:第一電壓電位 V2:第二電壓電位 W1、W1A:第一寬度 W2:第二寬度 X:高度差
圖1繪示為本發明一實施例的顯示面板的子畫素色層的局部上視示意圖。 圖2繪示為圖1的顯示面板沿剖面線A-A’的剖面示意圖。 圖3繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖4A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖4B繪示為本發明另一實施例的第一遮光圖案的局部放大剖面示意圖。 圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖6繪示為本發明又一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖7繪示為本發明再一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖8繪示為本發明另一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。 圖9繪示為本發明另一實施例的顯示面板的第一開口的局部放大上視示意圖。 圖10繪示為圖9的顯示面板沿剖面線B-B’的剖面示意圖。 圖11繪示為本發明再一實施例的顯示面板的第二開口的局部放大上視示意圖。 圖12繪示為圖11的顯示面板沿剖面線C-C’的剖面示意圖。 圖13繪示為本發明又一實施例的第二開口處的局部放大上視示意圖。 圖14A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的畫素陣列之電路結構示意圖。 圖14B繪示為本發明另一實施例的顯示面板的畫素陣列之電路結構示意圖。 圖15繪示為本發明另一實施例的顯示面板的等效電路圖。
10:顯示面板
100:第一基板
120:閘絕緣層
140:第一絕緣層
160:子畫素色層
161:第一子畫素色層
161A:第一凸部
162:第二子畫素色層
162A:第二凸部
163:第三子畫素色層
166:第六子畫素色層
180:第二絕緣層
181:表面
200:第二基板
220:共用電極層
A-A’:剖面線
BM:遮光層
BM1:第一遮光圖案
BM2:第二遮光圖案
BM3:第三遮光圖案
CH1:第一半導體層
CH2:第二半導體層
CH3:第三半導體層
DL:資料線
DL1:第一資料線
DL2:第二資料線
DL3:第三資料線
G1:第一閘極
G2:第二閘極
G3:第三閘極
H1:第一厚度
H2:第二厚度
H3、H4:高度
K1:間距
LC:顯示介質層
N:方向
PA:畫素陣列
PE:畫素電極
PS1:第一支撐結構
PS1A、PS2A:頂面
PS1B、PS2B:底面
PS2:第二支撐結構
SL1:第一閘極線
TFT1:第一開關元件
TFT2:第二開關元件
TFT3:第三開關元件

Claims (13)

  1. 一種顯示面板，包括： 一第一基板及相對該第一基板的一第二基板； 一畫素陣列設置於該第一基板上； 一第一資料線設置於該第一基板上； 一第一閘極線以及一第二閘極線設置於該第一基板上，該第一閘極線與該第二閘極線交錯該第一資料線，且該第一資料線、該第一閘極線及該第二閘極線電性連接該畫素陣列； 一第一子畫素色層、一第二子畫素色層及一第三子畫素色層設置於該第一基板或該第二基板的其中一者上，該第一子畫素色層、該第二子畫素色層及該第三子畫素色層於該第一基板上的正投影的部分位於該第一閘極線與該第二閘極線於該第一基板上的正投影之間，且該第二子畫素色層位於該第一子畫素色層與該第三子畫素色層之間； 一第一支撐結構設置於該第一基板與該第二基板之間，於垂直該第一基板方向上該第一支撐結構重疊該第一子畫素色層；以及 多個第二支撐結構設置於該第一基板與該第二基板之間，該些第二支撐結構於垂直該第一基板方向上分別重疊該第二子畫素色層及該第三子畫素色層， 其中，該第一子畫素色層具有一第一凸部及一第一凹部，該第二子畫素色層具有一第二凸部，該第三子畫素色層具有一第三凸部，且於該第一子畫素色層與該第二子畫素色層的相鄰邊界，該第二凸部嵌入該第一凹部， 其中，於垂直該第一基板的方向上，該第一支撐結構於該第一基板上的正投影重疊該第一凸部於該第一基板上的正投影，且該些第二支撐結構的一者於該第一基板上的正投影重疊該第二凸部於該第一基板上的正投影， 其中該第一子畫素色層具有一第一厚度H1，該第二子畫素色層具有一第二厚度H2，且H1大於H2。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括一第一遮光圖案以及一第二遮光圖案分別設置於該第二基板上，其中該第一遮光圖案部分重疊該第一凸部以及該第一支撐結構，該第二遮光圖案部分重疊該第二凸部以及該些第二支撐結構的一者。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一子畫素色層、該第二子畫素色層及該第三子畫素色層設置於該第一基板上，該第一子畫素色層覆蓋該第一資料線，且該第一資料線的部分重疊該第一凸部以及該第一支撐結構。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，更包括一第二資料線平行該第一資料線設置，該第二資料線重疊於該第一子畫素色層與該第二子畫素色層的相鄰邊界，該第二子畫素色層覆蓋該第二資料線，且該第二資料線的部分重疊該第二凸部以及該第二支撐結構的一者。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一支撐結構及該些第二支撐結構設置於該第二基板上，該第一支撐結構的一底面設置於該第一遮光圖案上，該第一支撐結構的一頂面抵接至該第一子畫素色層上，且該些第二支撐結構的一者設置於該第二遮光圖案上。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一支撐結構及該些第二支撐結構設置於該第一基板上，該第一支撐結構的一底面設置於該第一子畫素色層上，該第一支撐結構的一頂面抵接至該第一遮光圖案上，且該些第二支撐結構的一者設置於該第二子畫素色層上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板，其中該第一遮光圖案包括一平坦部以及一突起部，該平坦部的表面與該突起部的下表面之間具有一高度差，且該突起部繞出一容置空間，其中該第一支撐結構重疊該容置空間，且該第一支撐結構的該頂面抵接至該平坦部的表面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一資料線包括一第一開口，該第一支撐結構對應重疊該第一開口，且該第一資料線更包括一第一分支以及一第二分支分別位於該第一開口的相對兩側，該第一支撐結構於該第一基板的正投影位於該第一分支與該第二分支於該第一基板的正投影之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第一閘極線包括一第二開口，該第一資料線的部分重疊該第二開口，且於垂直該第一資料線延伸的方向上，該第一資料線具有一第一寬度W1，該第二開口具有一第二寬度W2，且W2>W1。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一共用電極線和該第一閘極線延伸方向相同； 一第二資料線和該第一資料線延伸方向相同且和該第一閘極線和該共用電極線交錯， 其中該第一支撐結構對應重疊該共用電極線和該第一閘極線之間以及該第一資料線和該第二資料線之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 多個畫素電極，且該些畫素電極分別電性連接至該畫素陣列， 其中該些畫素電極位於該第一閘極線與該第二閘極線之間， 其中位於同一列且相鄰的該些畫素電極中的兩者分別電性連接至該第一資料線，並分別電性連接至該第一閘極線與該第二閘極線。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一第四子畫素色層、一第五子畫素色層及一第六子畫素色層設置於該第一基板或該第二基板的其中一者上，該第四子畫素色層、該第五子畫素色層及該第六子畫素色層於該第一基板上的正投影位於該第一閘極線與該第二閘極線於該第一基板上的正投影之間， 其中，該第四子畫素色層位於該第三子畫素色層與該第五子畫素色層之間，該第五子畫素色層位於該第四子畫素色層與該第六子畫素色層之間， 其中該第一子畫素色層與該第四子畫素色層具有一第一色光，該第二子畫素色層與該第五子畫素色層具有一第二色光，且該第三子畫素色層與該第六子畫素色層具有一第三色光， 其中該些第二支撐結構分別重疊該第五子畫素色層及該第六子畫素色層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，該第三子畫素色層更具有一第三凸部，該第四子畫素具有一第四凹部，且於該第三子畫素色層與該第四子畫素色層的相鄰邊界，該第三凸部嵌入該第四凹部，且於垂直該第一基板的方向上，該第二支撐結構重疊該第三凸部。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI679754B (zh) * 2018-11-26 2019-12-11 友達光電股份有限公司 元件基板
CN109324446B (zh) * 2018-12-03 2020-12-18 惠科股份有限公司 一种显示面板、制作方法和显示装置
CN112018086B (zh) * 2020-07-27 2022-03-22 惠科股份有限公司 短接棒及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN112037649A (zh) * 2020-08-12 2020-12-04 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
TWI822134B (zh) 2022-06-22 2023-11-11 群光電能科技股份有限公司 背光模組
TWI813359B (zh) * 2022-06-29 2023-08-21 晶呈科技股份有限公司 Led電路基板結構、led測試封裝方法及led畫素封裝體

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996014599A1 (fr) * 1994-11-08 1996-05-17 Citizen Watch Co., Ltd. Affichage a cristaux liquides
KR100271038B1 (ko) * 1997-09-12 2000-11-01 구본준, 론 위라하디락사 전기적 특성 검사를 위한 단락 배선의 제조 방법 및 그 단락 배선을 포함하는 액티브 기판의 구조(a method for manufacturing a shorting bar probing an electrical state and a structure of an lcd comprising the shorting bar)
CN1139837C (zh) * 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP4104800B2 (ja) * 1999-12-08 2008-06-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置およびｔｆｔパネル
JP4006304B2 (ja) * 2002-09-10 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
JP3925486B2 (ja) * 2003-01-23 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
JP3947848B2 (ja) * 2003-06-12 2007-07-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100949496B1 (ko) * 2003-06-30 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 라인 온 글래스형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4583052B2 (ja) * 2004-03-03 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリクス型表示装置
US7753751B2 (en) * 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
TWI284241B (en) * 2004-11-02 2007-07-21 Au Optronics Corp Thin film transistor array substrate and repairing method thereof
WO2006070597A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Sharp Kabushiki Kaisha 表示パネルの配線形状パターン
US20060170854A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and method of fabricating the same
TWI269920B (en) * 2005-03-16 2007-01-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
JP4799952B2 (ja) * 2005-08-08 2011-10-26 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP4818065B2 (ja) * 2006-02-03 2011-11-16 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
KR100814819B1 (ko) 2006-10-31 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
TW200827888A (en) * 2006-12-29 2008-07-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display
US8138549B2 (en) * 2007-01-12 2012-03-20 Chimei Innolux Corporation System for displaying images
JP4945311B2 (ja) * 2007-05-18 2012-06-06 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TWI401493B (zh) * 2008-12-24 2013-07-11 Au Optronics Corp 液晶顯示面板
KR101614900B1 (ko) 2009-10-27 2016-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN102193236A (zh) 2010-03-02 2011-09-21 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制造方法
CN101833183B (zh) 2010-05-24 2012-02-01 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
EP2690614B1 (en) 2011-04-22 2017-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
TWI441198B (zh) * 2011-12-30 2014-06-11 Au Optronics Corp 面板及其製法
TWI454791B (zh) * 2012-05-23 2014-10-01 Au Optronics Corp 電驅動液晶透鏡面板與立體顯示面板
US9524683B2 (en) * 2012-07-20 2016-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with signal lines routed to decrease size of non-display area
KR102075060B1 (ko) * 2013-03-14 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 리페어를 위한 배선 구조 및 그를 구비하는 평판표시장치
CN103207487B (zh) * 2013-03-26 2015-08-05 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的维修方法
KR102108877B1 (ko) * 2013-07-23 2020-05-12 삼성디스플레이 주식회사 전계 노광 방법 및 이를 위한 표시 패널
KR20150085732A (ko) * 2014-01-16 2015-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI571989B (zh) * 2014-01-28 2017-02-21 友達光電股份有限公司 顯示基板結構
CN105202483A (zh) * 2014-06-20 2015-12-30 业鑫科技顾问股份有限公司 背光模组及显示设备
TW201602680A (zh) 2014-07-01 2016-01-16 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN104456311B (zh) * 2014-11-25 2018-01-16 深圳市华星光电技术有限公司 背光模块及具有该背光模块的液晶显示装置
CN104375347B (zh) * 2014-12-04 2017-06-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、修补片、显示面板和修复阵列基板的方法
US9379355B1 (en) * 2014-12-15 2016-06-28 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device having support layer with rounded edge
KR102257762B1 (ko) * 2015-01-07 2021-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI638209B (zh) * 2015-05-05 2018-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
TWI567951B (zh) * 2015-05-08 2017-01-21 友達光電股份有限公司 主動元件陣列基板
CN104864318B (zh) * 2015-06-12 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
TW201702823A (zh) 2015-07-07 2017-01-16 達鴻先進科技股份有限公司 觸控面板
TWM512721U (zh) * 2015-09-10 2015-11-21 Giantplus Technology Co Ltd 背光模組
CN205427389U (zh) * 2016-03-17 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
US10353254B2 (en) * 2016-07-26 2019-07-16 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
TWI602002B (zh) * 2016-11-30 2017-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
JP2018136495A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示ドライバ及び表示装置
CN206863413U (zh) * 2017-06-15 2018-01-09 深圳市国显科技有限公司 一种防止漏蓝光的lcd液晶显示模组背光结构
TWI648800B (zh) * 2017-08-03 2019-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
US10593707B2 (en) * 2017-10-12 2020-03-17 HKC Corporation Limited Array substrate and display panel using the same
CN108598039B (zh) 2018-04-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN108493226B (zh) * 2018-05-14 2021-04-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种电子设备、显示面板及其制备方法
TWI679754B (zh) * 2018-11-26 2019-12-11 友達光電股份有限公司 元件基板

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