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TW201803840A - 有機電致發光裝置用的材料 - Google Patents

有機電致發光裝置用的材料 Download PDF

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TW201803840A
TW201803840A TW106105623A TW106105623A TW201803840A TW 201803840 A TW201803840 A TW 201803840A TW 106105623 A TW106105623 A TW 106105623A TW 106105623 A TW106105623 A TW 106105623A TW 201803840 A TW201803840 A TW 201803840A
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法蘭克 佛格
泰瑞莎 穆吉卡佛南
艾維拉 蒙地內哥羅
Original Assignee
麥克專利有限公司
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Abstract

本發明有關一種製造式(1)化合物之方法，該化合物適用於電子裝置，連同有關式(Int-1)之中間體化合物及經由該方法製得的式(1-1)及(1-2)化合物。此等化合物特別適用於使用有機電致發光裝置。本發明亦有關包含此等化合物之電子裝置。

Description

有機電致發光裝置用的材料
本發明係有關用於電子裝置(尤其是用於有機電致發光裝置)之材料且有關包含此等材料之電子。本發明亦有關於一種製備此等材料之方法且有關以該方法製備之中間體化合物。
其中採用有機半導體作為功能性材料之有機電致發光裝置(OLED)的結構係描述於例如US 4,539,507、US 5,151,629、EP 0676461及WO 98/27136中。此處所採用之發光材料愈來愈多是展現磷光而非螢光之有機金屬錯合物(M.A.Baldo等人，Appl.Phys.Lett.1999,75,4-6)。
根據先前技術，電洞傳送層或電洞注入層中所使用之電洞傳送材料特別為三芳基胺衍生物，其經常含有至少兩個三芳基胺基或至少一個三芳基胺基及至少一個咔唑基。此等化合物經常衍生自經二芳基胺基取代之三苯基胺(TPA型)、衍生自經二芳基胺基取代之聯苯衍生物(TAD型)或 此等基本化合物之組合物。此外，使用例如經一至四個二芳基胺基取代之螺聯茀衍生物(例如根據EP 676461、US 7,714,145)。
在EP2814906中，發表了在1,1',8或8'位置經二芳基胺基取代的螺聯茀衍生物。
Figure TW201803840AD00001
發表了在1,1',8或8'位置經取代的螺聯茀衍生物於OLED中之用途因為產生具有良好性質之OLED，尤其是效率及操作電壓，而極引人入勝。
就此等化合物而言，仍需要可使用於OLED裝置以得到具有良好性質(尤其是效率)的裝置的備擇材料。
然而，因為1,1',8或8'位置難以搆達，故難以合成該等化合物。
因此，亦需要具有較高反應產率的製備此等化合物之方法，以降低製造成本。該等方法亦需易於執行以能得到高純度化合物。中間體化合物在使用於OLED之材料的合成中扮演著關鍵角色。重要的是要有某些安定、易合成且 易純化以增加OLED材料之合成效率且因而降低合成成本的中間體化合物。當可使用於不同類型之合成以得到不同類型的OLED材料時，安定、易合成且易純化的中間體化合物更令人感興趣。
因此，本發明第一個目的是提出一種製備在1,1',8或8'位置經較大基團取代的螺聯茀衍生物之方法。本發明第二個目的是提出該等化合物，其適用於螢光或磷光OLED，尤其是磷光OLED，例如作為電洞傳送層或激子阻擋層中之電洞傳送材料或作為發光層中之基質材料。本發明第三個目的是提出用於製備在1,1',8或8'位置經較大基團取代的螺聯茀衍生物之關鍵中間體化合物。
現在已發現詳述於下文之方法達到第一個目的且在1,1',8或8'位置經較大基團取代的螺聯茀衍生物的製備中產生極佳之反應產率。此外，經由下述方法之不同步驟所製得的中間體化合物易純化，就成本及時間而言，產生更有效率之合成。合成產物亦呈現極高之純度。
亦已發現特定之下述化合物達成本發明第二個目的且產生具有極高效率之OLED。最後，已發現下述中間體化合物達成本發明第三個目的且可用於製備1,1',8或8'位置經較大基團取代的螺聯茀衍生物。
本發明因此有關製備式(1)化合物之方法，
Figure TW201803840AD00002
其中該方法包含以下步驟：
(a)藉由以下路徑(a-1)或路徑(a-2)製備式(Int-1)化合物：
路徑(a-1)：
●(a-1-1)藉著首先是式(p-1)化合物之金屬化反應(較佳是鋰化反應或葛納(Grignard)反應)，接著是式(p-2)之茀酮衍生物與式(p-1i)化合物之間的環化反應(較佳於酸性條件下或使用路易士酸)，製備式(p-3)化合物：
Figure TW201803840AD00003
●(a-1-2)藉由式(p-3)化合物與式(p-4)化合物之間的化學反應(較佳為鈴木(Suzuki)反應)製備式(Int-1)化合物：
Figure TW201803840AD00004
路徑(a-2)：
●(a-2-1)藉由式(p-2)茀酮衍生物與式(p-4)化合物之間的化學反應(較佳選自鈴木反應)製備式(p-5)化合物：
Figure TW201803840AD00005
●(a-2-2)藉著首先是式(p-1)化合物之金屬化反應，接著是式(p-5)之茀酮衍生物與式(p-1i)化合物之間的環化反應(較佳於酸性條件下或使用路易士酸)，製備式(Int-1)化合物：
Figure TW201803840AD00006
(b)藉由式(Int-1)化合物與式(p-6)化合物之間選自胺化反應(更佳為布赫瓦爾德-哈特維希(Buchwald-Hartwig)胺化反應)之化學反應製備式(1)化合物：
Figure TW201803840AD00007
其中以下適用於前文所使用之符號：V 為CR或N，其限制條件為每個6員環有最多三個N，或兩相鄰基團V(V-V或V=V)表示式(V-1)或(V-2)之基團，
Figure TW201803840AD00008
其中該虛線鍵表示至該螺聯茀骨架之鍵聯；E 為選自N(R0)、B(R0)、O、C(R0)2、Si(R0)2、C=NR0、C=C(R0)2、S、S=O、SO2、P(R0)及P(=O)R0之二價橋；ArL 為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下可經一或多個基團R1取 代；Ar1、Ar2 相同或相異地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下亦可經一或多個基團R2取代；Ar1及Ar2於此情況下亦可經由單鍵或選自以下之二價橋連接：-N(R2)-、-O-、-S-、-C(R2)2-、-C(R2)2-C(R2)2-、-Si(R2)2-及-B(R2)-；R0、R、R2 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、N(Ar3)2、Si(R3)3、B(OR3)2、OSO2R3、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R3取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換：R3C=CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R3)、SO、SO2、O、S或CONR3，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R3取代)，其中兩相鄰取代基R0、兩相鄰取代基R或兩相鄰取代基R2可隨意地形成單環或多環脂 族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R3取代)；R1 每一次出現係相同或相異地選自由以下組成之群組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、Si(R3)3、B(OR3)2、OSO2R3、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R3取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換：R3C=CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R3)、SO、SO2、O、S或CONR3，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R3取代)，其中兩相鄰取代基R1可隨意地形成單環或多環脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R3取代)；R3 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子 之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R4取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換：R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R4取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R4取代)，其中兩相鄰取代基R3可隨意地形成單環或多環脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R4取代)；R4 每一次出現係相同或相異地選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在每一種情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由SO、SO2、O、S置換，且其中一或多個H原子可由D或F置換，及具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；Ar3 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：具有5至24個芳族環原子(更佳地具有5至18個芳族環原子)之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下亦可經一或多個基團R4取代； n 為1、2或3；X0 係選自Cl、Br或I；X1 為Cl、Br、I、三氟甲磺酸根(CF3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、或-B(ORB)2；RB 為H、具有1至10個C原子之直鏈烷基，其中兩取代基RB可形成單環脂族環系統，此系統可經具有1至3個C原子的烷基取代；X2 為Cl、Br、I、三氟甲磺酸根(CF3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或甲磺酸根(CH3SO3-)；X3 為Cl、Br、I或B(ORB)2；其限制條件為基團X1或X3中之一者必須表示-B(ORB)2，但非兩基團(X1及X3)同時表示-B(ORB)2；且M 為鋰或鎂。
在路徑(a-1-1)及(a-2-2)中，發生金屬化反應。
此等眾所周知之反應是在惰性氛圍(例如在氬下或在氮下)執行。路徑(a-1-1)及(a-2-2)中之金屬化可為鋰化反應。鋰化反應通常在-100℃至20℃，較佳-78℃至0℃溫度下進行。適於鋰化反應之溶劑的實例有THF、二
Figure TW201803840AD00009
烷、二甲氧基乙烷及環戊基甲基醚。使用於鋰化反應之適當有機鋰的實例有正丁基鋰、第二丁基鋰及第三丁基鋰。金屬化可為葛納得反應(grignard reaction)。葛納得反應為眾所周知之有機反應，通常在-20℃至100℃，較佳室溫(更佳20℃)至40℃溫度下於例如THF、二
Figure TW201803840AD00010
烷、二甲氧 基乙烷、環戊基甲基醚及甲苯之溶劑中進行。
路徑(a-1-1)及(a-2-2)中之金屬化反應接著在惰性氛圍下於冷反應介質中添加茀酮衍生物，導致形成三級醇。之後接著於酸性條件下或使用路易士酸環化。環化反應在20至110℃，較佳30至90℃溫度下進行。適當之酸及路易士酸的實例有HCl、HBr、正磷酸(orthophosphoric acid)、H2SO4、BF3、甲磺酸、聚磷酸、FeCl3及磺酸樹脂(例如Amberlist®)。適用於環化反應之溶劑的實例有：THF、乙酸、CH2Cl2、甲苯、二
Figure TW201803840AD00011
烷、H2O及H2SO4。用於環化反應之溶劑及酸或路易士酸的較佳適當組合有下列者：乙酸與HCl或H2SO4、甲苯與Amberlist、CH2Cl2與甲磺酸或BF3、二
Figure TW201803840AD00012
烷與HCl及THF與HCl。
路徑(a-1-2)及(a-2-1)中之化學反應較佳為鈴木反應，為眾所周知之化學反應。鈴木反應通常是在室溫(約20℃)至溶劑回流溫度的溫度下進行。一般用於鈴木反應之溶劑有甲苯、THF、二甲基甲醯胺、二
Figure TW201803840AD00013
烷、環戊基甲基醚、二甲基醚、二甲苯、乙二醇二甲基醚、乙醇及水。使用於鈴木反應之一般催化劑(catalysator)有雙(三苯基膦)-Pd(II)-二氯、PdCl2(dppf)、四鈀(Palladium Tetrakis)、Pd2(dba)3-SPhos、PdCl2(PCy)3、Pd(OAc)2-P(t-Bu)3、Pd(OAc)2-三-鄰-甲苯膦及Pd(OAc)2-S-Phos。一般使用於鈴木反應之鹼有Na2CO3、K2CO3、CsF、硼鹽及水合物、K3PO4、NaOH、KOH、KF、KAcO、Cs2CO3、KOtBu及NEt3。
下述方法可替代用以製備式(1)化合物。此替代方法(線性合成)包含步驟(a)、(b)及(c)：
(a)藉由式(p-2)茀酮衍生物與式(p-4)化合物之間的化學反應(較佳為鈴木反應)製備式(p-5)化合物：
Figure TW201803840AD00014
(b)藉由式(p-5)化合物與式(p-6)化合物之間選自胺化反應(更佳為布赫瓦爾德-哈特維希胺化反應)之化學反應製備式(int-1’)化合物：
Figure TW201803840AD00015
(c)藉著式(p-1)化合物之金屬化反應，接著式(int-1’)化合物與式(p-1i)化合物之間的環化反應(較佳於酸性條件下或使用路易士酸)，製備式(1)化合物：
Figure TW201803840AD00016
其中該等符號及指數如同前文。
當然，此替代方法因為產生已帶有取代基Ar1及Ar2的特定式(Int-1’)中間體化合物而較不具吸引力。相對地，本發明式(Int-1)中間體化合物不帶有任何基團Ar1及Ar2，故可單離出來並使用於不同式(1)化合物之製法的最後步驟。因此，導致形成(Int-1')中間體化合物之替代方法不佳。
根據本發明較佳具體實施態樣，n係等於1。
較佳為基團-B(ORB)2係表示-B(OH)2或表示下式(RB-1)的頻哪醇硼酯(picanolboronester)：
Figure TW201803840AD00017
其中虛線鍵表示至該基團之鍵且係經X1或X3取代。
根據另一較佳具體實施態樣，X1為Cl、Br、或I，且X3為-B(ORB)2。更佳，X1為Cl，且X3為前文說明之基團(RB-1)。
較佳X2為Br、Cl或I。
根據較佳具體實施態樣，V為CR。
根據較佳具體實施態樣，基團R0每一次出現係相同或相異地選自以下所組成之群組：H、D、F、CN、Si(R3)3、具1至10個C原子之直鏈烷基或具3至10個C原子之分枝或環狀烷基(其各可經一或多個基團R3取代)、具5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)，其中兩或更多個相鄰取代基R0可隨意地形成單環或多環、脂族環系統或芳族環系統，其可經一或多個基團R3取代。
根據本發明較佳具體實施態樣，R、R1及R2每一次出現係相同或相異的選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之分支鏈或環狀烷基或烷氧基(其各自可經一或多個基團R3取代，其中一或多個不相鄰CH2基團可經O取代，且其中一或多個H原子可置換成F)、或具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)。
在本發明極佳具體實施態樣中，R、R1及R2每一次出現係相同或相異的選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之分枝或環狀烷基、或具5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)。
根據較佳具體實施態樣，R、R1及R2每一次出現係 相同或相異的選自由以下組成之群組：H、具5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)。
在本發明較佳具體實施態樣中，R3每一次出現係相同或相異的選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至10個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至10個C原子之分支鏈或環狀烷基或烷氧基(其各自可經一或多個基團R4取代，其中一或多個不相鄰CH2基團可經O取代，且其中一或多個H原子可置換成F)、或具有5至24個芳族環原子的芳族、或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R4取代)。
在本發明極佳具體實施態樣中，R3每一次出現係相同或相異的選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之分枝或環狀烷基、或具5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基(其在每一情況下可經一或多個基團R4取代)。
根據其他較佳具體實施態樣，式(p-4)、(p-5)、(Int-1)、(Int-1')及(1)中之ArL係選自具有5至18個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其於每一情況下亦可經一或多個基團R1取代。
根據較佳具體實施態樣，(p-4)、(p-5)、(Int-1)、(Int-1')及(1)中之基團ArL係選自式(ArL-1)至(ArL-24)之基團，
Figure TW201803840AD00018
Figure TW201803840AD00019
其中當n=1時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中至該螺聯茀骨架及至胺基NAr1Ar2之鍵；- 在式(Int-1)中至該螺聯茀骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(p-4)中至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；- 在式(p-5)中至該茀酮骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(Int-1')中至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵；及當n=2時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的 鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；且當n=3時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二及第三基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；且其中基團(ArL-1)至(ArL-24)可在各個自由位置各經基團R1取代，但較佳係未經取代。
在基團(ArL-1)至(ArL-24)中，基團(ArL-1)、(ArL-2)、 (ArL-6)、(ArL-7)、(ArL-13)、(ArL-20)及(ArL-23)為佳。
適用的式(p-4)、(p-5)、(Int-1)、(Int-1')及(1)中之基團ArL為式(ArL-25)至(ArL-102)之基團，
Figure TW201803840AD00020
Figure TW201803840AD00021
Figure TW201803840AD00022
Figure TW201803840AD00023
Figure TW201803840AD00024
Figure TW201803840AD00025
其中當n=1時，在(ArL-25)至(ArL-102)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中至該螺聯茀骨架及至胺基NAr1Ar2之鍵；- 在式(Int-1)中至該螺聯茀骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(p-4)中至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；- 在式(p-5)中至該茀酮骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(Int-1')中至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵；及當n=2時，在(ArL-25)至(ArL-102)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置； - 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；且當n=3時，在(ArL-25)至(ArL-102)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二及第三基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置； - 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-25)至(ArL-102)中之各個自由位置；且其中(ArL-100)、(ArL-101)及(ArL-102)中之R1係選自氫、具有5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基。
在基團(ArL-25)至(ArL-102)中，基團(ArL-25)、(ArL-26)、(ArL-27)、(ArL-33)、(ArL-40)、(ArL-41)、(ArL-60)、(ArL-88)及(ArL-97)為佳。
根據較佳具體實施態樣，在式(p-6)、(Int-1')及(1)中之基團Ar1及Ar2每一次出現係相同或相異地選自以下式(A-1)至(A-48)，
Figure TW201803840AD00026
Figure TW201803840AD00027
Figure TW201803840AD00028
Figure TW201803840AD00029
其中該虛線鍵表示至氮原子之鍵，其中式(A-1)至(A-48)之基團可進一步在各自由位置上經如上述之基團R2取代，且其中在式(A-31)至(A-34)、(A-41)、(A-42)及(A-44)中之基團R0係如上述。
適用的式(p-4)、(p-5)、(Int-1)、(Int-1')及(1)之基團Ar1及Ar2為式(Ar-1)至(Ar-252)之基團，
Figure TW201803840AD00030
Figure TW201803840AD00031
Figure TW201803840AD00032
Figure TW201803840AD00033
Figure TW201803840AD00034
Figure TW201803840AD00035
Figure TW201803840AD00036
Figure TW201803840AD00037
Figure TW201803840AD00038
Figure TW201803840AD00039
Figure TW201803840AD00040
Figure TW201803840AD00041
Figure TW201803840AD00042
Figure TW201803840AD00043
Figure TW201803840AD00044
Figure TW201803840AD00045
其中該虛線鍵表示至氮原子之鍵。
更佳地，基團Ar1及Ar2係選自基團(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-4)、(Ar-16)、(Ar-63)、(Ar-64)、(Ar-67)、(Ar-69)、(Ar-78)、(Ar-82)、(Ar-89)、(Ar-96)、(Ar-99)、(Ar-101)、(Ar-107)、(Ar-117)、(Ar-134)、(Ar-139)、(Ar-141)、(Ar-143)、(Ar-150)、(Ar-172)、(Ar-174)、(Ar-213)、(Ar-216)、(Ar-219)或(Ar-222)。
可經由本發明方法獲得的式(1)化合物的適當結構之實例為如下述式(S-1)至(S-50)化合物，其中ArL 係選自(ArL-25)、(ArL-26)、(ArL-27)、(ArL-28)、(ArL-29)、(ArL-20)、(ArL-33)、(ArL-40)、(ArL-43)或(ArL-101)； R 係H、D、F、CN、具有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之分枝或環狀烷基、或具有5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基；且Ar1、Ar2 係選自基團(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-4)、(Ar-16)、(Ar-63)、(Ar-64)、(Ar-67)、(Ar-69)、(Ar-78)、(Ar-82)、(Ar-89)、(Ar-96)、(Ar-99)、(Ar-101)、(Ar-107)、(Ar-117)、(Ar-134)、(Ar-139)、(Ar-141)、(Ar-143)、(Ar-150)、(Ar-172)、(Ar-174)、(Ar-213)、(Ar-216)、(Ar-219)或(Ar-222)。
Figure TW201803840AD00046
Figure TW201803840AD00047
Figure TW201803840AD00048
Figure TW201803840AD00049
Figure TW201803840AD00050
在式(S-1)至(S-50)中，式(S-10)、(S-26)、(S-33)、(S-34)、(S-39)及(S-40)為佳。
根據式(1)之適用化合物為下表中所示之化合物：
Figure TW201803840AD00051
Figure TW201803840AD00052
Figure TW201803840AD00053
Figure TW201803840AD00054
Figure TW201803840AD00055
Figure TW201803840AD00056
Figure TW201803840AD00057
Figure TW201803840AD00058
Figure TW201803840AD00059
本發明亦有關於式(Int-1)之中間體化合物，
Figure TW201803840AD00060
其中該等符號V、ArL、X2及指數n以及該等符號及指數之較佳實施態樣係如上述。
此外，較佳為式(Int-1)之中間體化合物係選自以下式(Int-2)至(Int-9)之化合物，
Figure TW201803840AD00061
Figure TW201803840AD00062
其中該等符號具有如同上述所定義之意義。
更佳為式(Int-1)之中間體化合物係選自以下式(Int-2-1)至(Int-2-8)之化合物，
Figure TW201803840AD00063
Figure TW201803840AD00064
Figure TW201803840AD00065
Figure TW201803840AD00066
其中該等符號具有如同上述所定義之意義。
在式(Int-2)至(Int-8)之中間體化合物中，以下式(Int- 2-1-1)至(Int-2-8-1)之化合物為佳，
Figure TW201803840AD00067
其中X2具有如同上述意義。
式(Int-1)化合物的適當結構之實例為如下述式(Int-8)至(Int-58)之化合物， 其中ArL 係選自(ArL-25)、(ArL-26)、(ArL-27)、(ArL-28)、(ArL-29)、(ArL-20)、(ArL-33)、(ArL-40)、(ArL-43)或(ArL-101)；X2 係Cl、Br或I；且R 係H、D、F、CN、具有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之分枝或環狀烷基、或具有5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基。
Figure TW201803840AD00068
Figure TW201803840AD00069
Figure TW201803840AD00070
Figure TW201803840AD00071
Figure TW201803840AD00072
根據式(Int-1)之適當化合物的實例係：- 式(Int-9)、(Int-17)、(Int-33)、(Int-41)、(Int-42)、(Int-47)、(Int-48)、(Int-53)或(Int-58)之化合物；其中- X2 係Cl、Br或I；- ArL 係式(ArL-25)、(ArL-26)、(ArL-27)、(ArL-33)、(ArL-36)、(ArL-40)、(ArL-41)、(ArL-42)、(ArL-43)、(ArL-60)、(ArL-96)、(ArL-97)之基團，且其中- R 係H、苯基或式(R-1)之基團；
Figure TW201803840AD00073
 - 且其中R、ArL及X2係結合如下表所列：
Figure TW201803840AD00074
Figure TW201803840AD00075
Figure TW201803840AD00076
Figure TW201803840AD00077
Figure TW201803840AD00078
Figure TW201803840AD00079
Figure TW201803840AD00080
Figure TW201803840AD00081
Figure TW201803840AD00082
根據式(Int-1)之尤佳適當化合物的實例係上表中為式(Int-9)、(Int-17)、(Int-41)或(Int-42)之化合物，其中X2係Cl，且其中ArL係式(ArL-25)、(ArL-26)、(ArL-27)、(ArL-36)、(ArL-40)、(ArL-41)或(ArL-42)之基團，且其中R係H、苯基或式(R-1)之基團；
Figure TW201803840AD00083
本發明此外有關於如下述式(1-1)及(1-2)之化合物。該等化合物可以本發明方法製備。式(1-1)至(1-2)之化合物如下：
Figure TW201803840AD00084
其中該等符號V、Ar1、Ar2及R1以及該等符號係如上述，且其中指數m係0、1、2、3或4
根據本發明較佳實施態樣，式(1-1)及(1-2)之化合物係選自以下式(1-1-1)至(1-1-7)及(1-2-1)至(1-2-7)之化合物。
Figure TW201803840AD00085
Figure TW201803840AD00086
Figure TW201803840AD00087
其中E、R、R1、Ar1及Ar2具有如同上述所定義之意義。
更佳為式(1-1-1)及(1-2-1)之化合物係選自式(1-1-1a)及(1-2-1a)之化合物，
Figure TW201803840AD00088
其中該等符號Ar1及Ar2具有如同上述所定義之意義。
式(1-1)及(1-2)之化合物的適當結構之實例係如下述式(S-10-1)、(S-10-2)、(S-33-1)、(S-33-2)、(S-34-1)、(S-34-2)、(S-39-1)、(S-39-2)、(S-40-1)及(S-40-2)之化合物，其中R 係H、D、F、CN、具有1至5個C原子之直鏈烷基或具有3至6個C原子之分枝或環狀烷基、或具有5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基；且Ar1、Ar2 係選自基團(Ar-1)、(Ar-2)、(Ar-3)、(Ar-4)、(Ar-16)、(Ar-63)、(Ar-64)、(Ar-66)、(Ar-67)、(Ar-69)、(Ar-74)、(Ar-78)、(Ar-82)、(Ar-89)、(Ar-96)、(Ar-99)、(Ar-101)、(Ar-107)、(Ar-117)、(Ar-134)、(Ar-139)、(Ar-141)、(Ar-143)、(Ar-150)、(Ar-155)、(Ar-172)、(Ar-174)、(Ar-177)、(Ar-213)、(Ar-216)、(Ar-219)、(Ar-222)或(Ar-247)。
Figure TW201803840AD00089
根據式(1-1)及(1-2)之適用化合物的尤佳實例係如下化合物：- 式(S-10-1)及(S-10-2)；- 其中R係H、苯基或式(R-1)之基團：
Figure TW201803840AD00090
 - 且其中式式(S-10-1)及(S-10-2)中之基團R、Ar1及Ar2係結合如下表所列：
Figure TW201803840AD00091
Figure TW201803840AD00092
Figure TW201803840AD00093
Figure TW201803840AD00094
Figure TW201803840AD00095
Figure TW201803840AD00096
Figure TW201803840AD00097
Figure TW201803840AD00098
本發明式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物適合用於電子裝置。此處電子裝置係意指包含至少一層的裝置，該層包含至少一種有機化合物。然而，此情況下，該組件亦可包含無機材料或亦可包含完全自無機材料建構之層。
因此，本發明此外有關於本發明式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物在電子裝置中，特別是在有機電致發光裝置中之用途。
本發明又此外有關於包含至少一種本發明化合物之電子裝置。上述偏好同樣適用於該等電子裝置。
該電子裝置較佳係選自由下列所組成之群組：有機電致發光裝置(有機發光二極體，OLED)、有機積體電路(O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體(O-TFT)、有機發光電晶體(O-LET)、有機太陽能電池(O-SC)、染料敏化之有機太陽能電池(ODSSC)、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置(O-FQD)、發光電化學電池(LEC)、有機雷射二極體(O-雷射)及有機電漿子發 射裝置(D.M.Koller等人，Nature Photonics 2008,1-4)，但較佳係有機電致發光裝置(OLED)，尤佳係磷光OLED。
有機電致發光裝置及發光電化學電池可用於各種不同應用，例如用於單色或多色顯示器、用於照明應用或用於醫學及/或化妝品應用，例如用於光療法。
該有機電致發光裝置係包含陰極、陽極及至少一層發光層。除了此等層之外，其亦可包含其他層，例如在各情況下，一或多層電洞注入層、電洞傳送層、電洞阻擋層、電子傳送層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層及/或電荷生成層。亦可在兩發光層間導入具有例如激子阻擋功能之中間層。然而，應指出此等層中在每一層各非必需存在。
此處之有機電致發光裝置可包含一發光層或複數層發光層。若存在複數層發光層，則此等層較佳係總共具有複數個介於380nm及750nm之間的發光最大值，整體上產生白光發射，即，發光層使用可發螢光或磷光之各種發光化合物。尤佳係具有三層發光層之系統，其中該三層展現藍色、綠色及橙色或紅色發射(基本結構參見例如WO 2005/011013)。此處可能所有發光層均為螢光，或所有發光層均為磷光，或一或多層發光層為螢光且一或多層其他層為磷光。
本發明前述具體實施態樣化合物可使用於不同層，視明確結構而定。較佳係包含式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物作為電洞傳送或電洞注入或激子阻擋層中 之電洞傳送材料或作為螢光或磷光發射體之基質材料，特別是磷光發射體之基質材料的有機電致發光裝置。上述較佳實施態樣亦適用於該等材料在有機電子裝置中的用途。
在本發明較佳具體實施態樣中，採用式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物或較佳實施態樣作為電洞傳送或電洞注入層中的電洞傳送或電洞注入材料。此情況下，發光層可為螢光或磷光。就本發明意義而言，電洞注入層係與陽極直接相鄰之層。就本發明意義而言，電洞傳送層係位於電洞注入層與發光層之間的層。
另一本發明較佳具體實施態樣中，於激子阻擋層中採用式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。激子阻擋層係用以意指與位於陽極側上發光層直接相鄰之層。
式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物尤佳係用於電洞傳送或激子阻擋層。
若採用式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物作為電洞傳送層、電洞注入層或激子阻擋層中之電洞傳送材料，則式(1)之化合物可作為單一材料，即，比例為100%，用於此層中，或式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物可與一或多種其他化合物合併用於此層中。根據較佳實施態樣，包含式(1)、(1-1)或(1-2)之化合物的有機層另外包含一或多種p型摻雜劑。本發明之較佳p型摻雜劑係可接受電子(電子受體)及可氧化存在於該混合物中之一或多種其他化合物的有機化合物。
p型摻雜劑之尤佳實施態樣係描述於WO 2011/073149、EP 1968131、EP 2276085、EP 2213662、EP 1722602、EP 2045848、DE 102007031220、US 8044390、US 8057712、WO 2009/003455、WO 2010/094378、WO 2011/120709、US 2010/0096600、WO 2012/095143及DE 102012209523。
作為p型摻雜劑之尤佳者係喹啉二甲烷(quinodimethane)化合物；氮雜茚并茀二酮；氮雜萉(azaphenalene)；氮雜聯伸三苯；I2；金屬鹵化物，較佳係過渡金屬鹵化物；金屬氧化物，較佳係含有至少一種第3主族之過渡金屬或金屬的金屬氧化物；及過渡金屬錯合物，較佳為Cu、Co、Ni、Pd及Pt與含有至少一個氧原子作為結合位置之配位基的錯合物。亦較佳係過渡金屬氧化物作為摻雜劑，較佳係錸、鉬及鎢之氧化物，尤佳係Re2O7、MoO3、WO3及ReO3。
該p型摻雜劑較佳係實質上均勻分布於p型摻雜之層中。此可例如藉由共蒸發p型摻雜劑和電洞傳送材料基質而達成。
尤佳之p型摻雜劑係選自化合物(D-1)至(D-13)：
Figure TW201803840AD00099
Figure TW201803840AD00100
在本發明實施態樣中，式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物係用於電洞傳送或注入層，並與一層包含六氮雜聯伸三苯衍生物，特別是六氰基六氮雜聯伸三苯之層併用(例如根據EP 1175470)。因此，例如，較佳係看來如下之組合：陽極-六氮雜聯伸三苯衍生物-電洞傳送層，其中該電洞傳送層包含一或多種式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。該結構中同樣可使用複數層連續的電洞傳送層，其中至少一層電洞傳送層包含至少一種式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。其他較佳組合看來如下：陽極-電洞傳送層-六氮雜聯伸三苯衍生物-電洞傳送層，其中兩電洞傳送層中至少一層包含一或多種式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。該結構中同樣可使用複數層連續的電洞傳送層代替單一層電洞傳送 層，其中至少一層電洞傳送層包含至少一種式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。
本發明更佳具體實施態樣中，採用式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物作為發光層中之螢光或磷光化合物的基質材料，特別是磷光化合物之基質材料。此情況下有機電致發光裝置可包含單一層發光層或複數層發光層，其中至少一層發光層包含至少一種本發明化合物作為基質材料。
若採用式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物作為發光層中發光化合物之基質材料，則較佳係與一或多種磷光材料(三重態發射體)組合使用。就本發明意義而言，磷光係意指展現來自具有自旋多重性>1之激態發光，尤其來自激發三重態。就本案目的而言，所有含有過渡金屬及鑭系元素之發光性錯合物(尤其是所有發光性銥、鉑及銅錯合物)皆將視為磷光化合物。
包含基質材料(其包含式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物)及發光化合物的混合物包含基於包含發射體及基質材料之整體混合物計介於99.9及1重量%之間，較佳係介於99及10重量%之間，尤佳係介於97及60重量%之間，尤其是介於95及80重量%之間的基質材料。對應地，該混合物係包含基於包含發射體及基質材料之整體混合物計介於0.1及99重量%之間，較佳介於1及90重量%之間，尤佳係介於3及40重量%之間，尤其是介於5及20重量%之間的發射體。若該層係從溶液施加，上述 限制尤其適用。若該層係藉由真空蒸發施加，可應用相同數值，其中此例中之百分比在各情況中係以體積%表示。
本發明之尤佳實施態樣係式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物作為磷光發射體之基質材料與其他基質材料併用的用途。可與式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物併用的尤其適用之基質材料芳族酮、芳族膦氧化物或芳族亞碸或碸，例如根據WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680；三芳基胺、咔唑衍生物，例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯)、m-CBP或咔唑衍生物，揭示於WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851；吲哚并咔唑衍生物，例如根據WO 2007/063754或WO 2008/056746；茚并咔唑衍生物，例如根據WO 2010/136109或WO 2011/000455；氮雜咔唑衍生物，例如根據EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160；雙極基質材料，例如根據WO 2007/137725；矽烷，例如根據WO 2005/111172；氮雜硼雜環戊二烯(azaborole)或硼酸酯，例如根據WO 2006/117052；三
Figure TW201803840AD00101
衍生物，例如根據WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 08/056746；鋅錯合物，例如根據EP 652273或WO 2009/062578；茀衍生物，例如根據WO 2009/124627；二氮雜矽雜環戊二烯(diazasilole)或四氮雜矽雜環戊二烯(tetraazasilole)衍生物，例如根據WO 2010/054729；二氮雜磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生 物，例如根據WO 2010/054730；或橋聯咔唑衍生物，例如根據US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877。另外可使用既無電洞傳送亦無電子傳送性質之電中性共主體(co-host)，如例如WO 2010/108579所述。
同樣可使用二或更多種磷光發射體於混合物中。在此情況中，發射較短波長之發射體係作為混合物中之共主體。
適當之磷光化合物(=三重態發射體)尤其是在適當激發下發光(較佳為可見光區之光)且另外含有至少一個原子序大於20(較佳大於38且小於84，特佳係大於56且小於80)之原子的化合物，尤其是具有此原子序之金屬。所使用之較佳磷光發射體為含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物，尤其是含有銥、鉑或銅之化合物。
前文所述發射體之實例係揭露於申請案WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/157339或WO 2012/007086。通常，如同根據磷光OLED之先前技術所使用且如熟習有機電致發光領域之技術者已知的所有磷光 錯合物皆適用，且熟習此技術者已知可在毫無發明步驟下使用其他磷光錯合物。
本發明另一具體實施態樣中，本發明有機電致發光裝置不包含分離之電洞注入層及/或電洞傳送層及/或電洞阻擋層及/或電子傳送層，即發光層係直接與電洞注入層或陽極相鄰，且/或發光層係直接與電子傳送層或電子注入層或陰極相鄰，如例如WO 2005/053051所述。另外可能使用與發光層中金屬錯合物相同或類似之金屬錯合物，直接與發光層相鄰，作為電洞傳送層或電洞注入層材料，如例如WO 2009/030981所述。
另可於電洞傳輸層或激子阻擋層兩者中使用式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物且作為發光層中之基質。
本發明有機電致發光裝置之另一層中，可使用先前技術一般使用的所有材料。熟習此技術者因此可在無發明步驟下採用有機電致發光裝置已知的所有材料，組合使用本發明式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物。
另外較佳者有一種有機電致發光裝置，其特徵為藉由昇華製程施加一或多層，其中該等材料係於真空昇華單元中於通常低於10-5mbar，較佳為低於10-6mbar之起始壓力下氣相沈積。然而，起始壓力亦可甚至更低，例如低於10-7mbar。
亦有一種較佳有機電致發光裝置，其特徵為一或多層係藉OVPD(有機氣相沈積)方法或借助載體-氣體昇華施 加，其中該等材料係於介於10-5mbar及1bar之間的壓力下施加。此方法之特殊情況係OVJP(有機蒸汽噴射印刷)方法，其中材料係直接經噴嘴施加且因此經結構化(例如M.S.Arnold等人l.,Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
另有一種較佳有機電致發光裝置，其特徵為一或多層係自溶液製得，諸如例如藉旋塗法，或藉任何所需之印刷法，諸如例如LITI(光誘發熱成像、熱轉移印刷)、噴墨印刷、網版印染、快乾印刷、平版印刷、或噴嘴印刷。可溶化合物-其係藉例如適當之取代而製得-係此目的所需。該等方法亦特別適合本發明化合物，因本發明化合物通常在有機溶劑中具有非常良好溶解性。
亦可為其中自溶液施加一或多層及藉氣相沈積施加一或多層其他層之混雜方法。因此，例如，發光層可從溶液施加而電子傳送層藉由蒸氣沉積施加。
該等方法通常係熟習此技術者已知，可在無發明步驟下由該人士施加至包含本發明化合物之有機電致發光裝置。
自液相處理本發明化合物，例如藉由旋塗法或藉由印刷法，需要本發明化合物之調配物。該等調配物可為，例如，溶液、分散液或微乳液(mini-emulsion)。基於此目的，較佳可使用二或更多種溶劑之混合物。適當之且較佳之溶劑係例如甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、1,3,5-三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二
Figure TW201803840AD00102
烷或此等溶劑之 混合物。
本發明此外有關於調配物，尤其是溶液、分散液或微乳液，其包含至少一種上述式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物及至少一種溶劑，尤其是有機溶劑。可製備此類型溶液之方式係熟習此技術者已知且描述於例如WO 2002/072714、WO 2003/019694及其中所列之文獻。
本發明此外有關於包含至少一種上述式(1)、(1-1)或(1-2)或較佳實施態樣之化合物及至少一種其他化合物的混合物。若採用本發明化合物作為基質材料，該其他化合物可為例如螢光或磷光摻雜劑。該混合物則亦可另外包含其他材料作為額外基質材料。
以下實施例更詳細說明本發明，而無意用以限制。在此說明的基礎下，熟習此技術者可在遍及發明說明所揭示之範圍下進行本發明，在無發明步驟下製備其他本發明化合物，且將彼使用於電子裝置或使用本發明方法。
實施例：
A)合成實施例
A-1)路徑(a-2)
Figure TW201803840AD00103
路徑(a-2-1)其中X 3 係-B(OR B ) 2 ，且X 1 係Br或I：1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮1-1(化合物1-1)之合成
Figure TW201803840AD00104
將76g(486mmol)之4-氯苯基硼酸、120g(463mmol)之1-溴-茀-9-酮及16g(14mmol)之Pd(Ph3P)4懸浮於1900ml之THF中。將463ml之2M碳酸鉀溶液緩慢加入該懸浮液，並在回流下加熱該反應混合物16小時。冷卻後，分離出有機相，經矽膠過濾，以500ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。殘留物係藉由使用MeOH結晶來純化。產量：125g(420mmol)，理論值之90%，根據HPLC之純度為>98%。
Figure TW201803840AD00105
Figure TW201803840AD00106
Figure TW201803840AD00107
Figure TW201803840AD00108
路徑(a-2-1)其中X 1 係-B(OR B ) 2 ，且X 3 係Br、I或Cl： 1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮1-1(化合物2-1)之合成
Figure TW201803840AD00109
合成Int-A
將10g(39mmol)之1-溴茀酮、14.7g(58mmol)之雙(頻哪醇根基)二硼烷及12.5g(127mmol)之乙酸鉀懸浮在300ml之二
Figure TW201803840AD00110
烷中。將1.6g(1.9mmol)之二氯1,1-雙(二苯基膦基)二茂鐵鈀(II)錯合物連同DCM添加至該懸浮液。該反應混合物係在回流下加熱16小時。冷卻後，分離出有機相，以400ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。殘留物係從甲苯再結晶(6g，51%產率)。
化合物2-1之合成
將20g(69mmol)之1-溴-4-碘-苯、21.1g(69mmol)之1-頻哪醇硼酯-茀-9-酮及2.4g(2.1mmol)之Pd(Ph3P)4懸浮於300ml之THF中。將283ml之2M碳酸鉀溶液緩慢加入該懸浮液，並在回流下加熱該反應混合物16小時。冷卻後，分離出有機相，經矽膠過濾，以300ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。殘留物係藉由使用MeOH結晶來純化。產量：19g(54mmol)，理論值之78%，根據HPLC之純度為>98%。
同理製得下列化合物：
Figure TW201803840AD00111
Figure TW201803840AD00112
合成中間物Int-1
路徑(a-2-2)：1-(4-氯-苯基)-螺茀之合成
化合物(3-1)
Figure TW201803840AD00113
16g(64mmol)之2-溴-聯苯最初係在-78℃導入400ml之THF中。30ml之BuLi(2M之己烷溶液)係在該溫度下逐滴添加。1小時後，逐滴添加16.9g(94mmol)之1-(4-氯-苯基)-茀-9-酮於200ml之THF中的溶液。該批料在室溫下保持攪拌一夜，添加至冰水，並以二氯甲烷萃取。混合有機相以水洗滌並以硫酸鈉乾燥。溶劑係在真空內去除，且殘留物係在無進一步純化下，連同30ml之HCl及300ml之AcOH在100℃回流下加熱一夜。冷卻後，沉澱固體使用吸濾濾除，以100ml之水洗滌一次、每次皆以100ml之乙醇洗滌三次，然後從庚烷再結晶。產量：17g(56mmol)，60%；根據1H-NMR之純度為大約98%。
Figure TW201803840AD00114
Figure TW201803840AD00115
Figure TW201803840AD00116
Figure TW201803840AD00117
Figure TW201803840AD00118
Figure TW201803840AD00119
路徑(a-1-2)：1-(4-氯-苯基)-螺茀化合物(4-1)之合成
Figure TW201803840AD00120
將16g(103mmol)之4-氯苯基硼酸、37g(94mmol)之1-溴-螺茀及5,4g(5mmol)之Pd(Ph3P)4懸浮於600ml之THF中。將155ml之2M碳酸鉀溶液緩慢加入該懸浮液，並在回流下加熱該反應混合物16小時。冷卻後，分離出有機相，經矽膠過濾，以500ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。殘留物係藉由使用MeOH結晶來純化。產量：29g(65mmol)，理論值之72%，根據HPLC之純度為>98%。
Figure TW201803840AD00121
Figure TW201803840AD00122
路徑(a-1-1)：1-(4-氯-苯基)-螺茀之合成
Figure TW201803840AD00123
使用Pd催化劑之1-螺茀頻哪醇硼酸酯(化合物5-1)之合成
Figure TW201803840AD00124
將50g(103mmol)之溴螺茀衍生物、32g(123mmol)之雙(頻哪醇根基)二硼烷及30g(309mmol)之乙酸鉀懸浮於800ml之二
Figure TW201803840AD00125
烷中。將2.5g(3.09mmol)之二氯1,1-雙(二苯基膦基)二茂鐵鈀(II)錯合物連同DCM添加至該懸浮液。該反應混合物係在回流下加熱16小時。冷卻後，分離出有機相，以400ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。殘留物係從甲苯再結晶(52g，95%產率)。
同理製得下列化合物：
Figure TW201803840AD00126
使用BuLi之1-螺茀頻哪醇硼酸酯(化合物6-1)之合成
Figure TW201803840AD00127
50g(126mmol)之1-溴-螺茀最初係在-20℃導入1500ml之THF中。56ml之BuLi(2M之己烷溶液)係在該溫度下逐滴添加。4小時後，逐滴添加49g(300mmol)之異丙氧基四甲基二
Figure TW201803840AD00128
環戊硼烷(isopropoxytetramethyl-dioxaborolane)。該批料在室溫下保持攪拌一夜。當反應完成時，添加水及乙酸乙酯，分離出有機相，乾燥並蒸發。殘留物係藉由在矽膠上之層析術純化。產量：44g(100mmol)，理論值之80%，根據HPLC之純度為>98%。
Figure TW201803840AD00129
路徑(a-1-2)：化合物7-1之合成
Figure TW201803840AD00130
將20.3g(46.3mmol)之螺茀頻哪醇硼酸酯衍生物及8.8g(46.3mmol)之氯衍生物懸浮於300ml之二
Figure TW201803840AD00131
烷及14.1g之氟化銫(92.6mmol)中。將4.1g(5.56mmol)之二氯雙(三環己基膦)鈀添加至該溶液，該反應混合物在回流下加熱24小時。冷卻後，分離出有機相，經矽膠過濾，以100ml之水洗滌三次，之後蒸發至乾。粗產物係從庚烷/甲苯再結晶。產量為15.8g(理論值之80%)。
同理製得下列化合物：
Figure TW201803840AD00132
Figure TW201803840AD00133
化合物8-1之合成
Figure TW201803840AD00134
化合物8-1之合成
將10.1g(28mmol)之聯苯基-4-基-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺及11.7g(27mol)之1’-(4-氯苯基)-9,9’螺聯茀溶解於225ml之甲苯中。將該溶液係採用N2除氣及飽和。然後添加2.1ml(2.1mmol)之10%三-第三丁基膦溶液及0,98g(1mmol)之Pd2(dba)3，隨後添加5.1g之第三丁氧化鈉(53mmol)。反應混合物係在保護性氣氛之下於沸騰加熱5小時。混合物隨後分溶於甲苯及水之間，有機相以水洗滌三次，以Na2SO4乾燥並於旋轉蒸發器中蒸發。在粗產物以甲苯經矽膠過濾之後，從庚烷/甲苯再結晶殘留的殘留物，最後在高度真空中昇華。純度為99.9%(HPLC)。化合物之產量為11.5g(理論值之57%)。
以下化合物亦以與化合物1之合成同理的方式製備。
Figure TW201803840AD00135
Figure TW201803840AD00136
Figure TW201803840AD00137
Figure TW201803840AD00138
Figure TW201803840AD00139
Figure TW201803840AD00140
Figure TW201803840AD00141
Figure TW201803840AD00142
B)裝置實施例
本發明OLED及先前技術OLED係藉由根據WO 2004/058911之一般方法製造，其適於此處所述之狀況(層厚變化，所使用材料)。
以下實施例呈現各種OLED之數據(參見表1至2)。所使用之基板係塗覆厚度為50nm之經結構化ITO(銦錫氧化物)的玻璃板。OLED基本上具有以下層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳送層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/電子傳送層(ETL)/電子注入層(EIL)及最後之陰極。藉厚度100nm之鋁層形成陰極。OLED之精確結構係顯示於表1。用以製造OLED之材料顯示於表3。
所有材料係於真空槽中藉熱氣相沈積施加。此情況下，發光層始終係以至少一種基質材料(主體材料)及發光摻雜劑(發射體)組成，該摻雜劑係與基質材料或基質材料等以特定體積比例藉共同蒸發摻合。表達方式諸如H1：SEB(5%)在此係意指材料H1在該層中之存在體積比為95%，且SEB於該層中之存在比例為5%。相同的，其他層同樣亦可由兩種或更多種材料之混合物組成。
該OLED藉標準方法決定特徵。基於此目的，電致發光光譜及外部量子效率(EQE，以百分比測量)與發光密度成函數關係，假設為朗伯發射特性，自電流/電壓/發光密度特徵譜線(IUL特徵譜線)計算，並測定使用壽命。表達方式EQE @ 10mA/cm2表示在操作電流密度為10mA/cm2之外部量子效率。LT80 @ 6000cd/m2係以加速因數1.8計算OLED從初始耀度6000cd/m2降低至初始強度之80%至4800cd/m2的使用壽命。含有本發明及對照材料之各種OLED的數據係彙總於表2。
本發明化合物作為螢光OLED中之電洞傳送材料的用途
尤其是，本發明化合物適合作為OLED中之HIL、HTL、EBL或EML中之基質材料。彼等適合作為單一層，但亦以混合組分作為HIL、HTL、EBL或在EML內。相較於先前技術之組件(V1至V9)，包含本發明化合物之樣本在單重態藍光以及三重態綠光皆展現較高效率及/或經改良使用壽命。
Figure TW201803840AD00143
Figure TW201803840AD00144
Figure TW201803840AD00145
實施例
生產具有表1所示之結構的OLED裝置。表2顯示所述實施例之性能數據。該裝置為螢光藍光裝置，比較作為電子阻擋層(EBL)中之材料的HTMV1及HTM1。可顯示出，裝置E1之效率優於對照實例V1，而LT相當。相較於作為EBL之HTMV1(V1)，HTM2(E2)顯示較佳效率及較佳使用壽命。

Claims (17)

  1. 一種製備式(1)化合物之方法，
    Figure TW201803840AC00001
     其中該方法包含以下步驟：(a)藉由以下路徑(a-1)或路徑(a-2)製備式(Int-1)化合物：路徑(a-1)：●(a-1-1)藉著首先是式(p-1)化合物之金屬化反應，接著是式(p-2)之茀酮衍生物與式(p-1i)化合物之間的環化反應，製備式(p-3)化合物：
    Figure TW201803840AC00002
     ●(a-1-2)藉由式(p-3)化合物與式(p-4)化合物之間的化學反應製備式(Int-1)化合物：
    Figure TW201803840AC00003
     路徑(a-2)：●(a-2-1)藉由式(p-2)茀酮衍生物與式(p-4)化合物之間的化學反應製備式(p-5)化合物：
    Figure TW201803840AC00004
     ●(a-2-2)藉著首先是式(p-1)化合物之金屬化反應，接著是式(p-5)之茀酮衍生物與式(p-1i)化合物之間的環化反應，製備式(Int-1)化合物：
    Figure TW201803840AC00005
     (b)藉由式(Int-1)化合物與式(p-6)化合物之間選自胺 化反應之化學反應製備式(1)化合物：
    Figure TW201803840AC00006
     其中以下適用於所使用之符號：V 為CR或N，其限制條件為每個6員環有最多三個N，或兩相鄰基團V(V-V或V=V)表示式(V-1)或(V-2)之基團，
    Figure TW201803840AC00007
     其中該虛線鍵表示至該螺聯茀骨架之鍵聯；E 為選自N(R0)、B(R0)、O、C(R0)2、Si(R0)2、C=NR0、C=C(R0)2、S、S=O、SO2、P(R0)及P(=O)R0之二價橋；ArL 為具有5至40個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下可經一或多個基團R1取代；Ar1、Ar2 相同或相異地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下亦可經 一或多個基團R2取代；Ar1及Ar2於此情況下亦可經由單鍵或選自以下之二價橋連接：-N(R2)-、-O-、-S-、-C(R2)2-、-C(R2)2-C(R2)2-、-Si(R2)2-及-B(R2)-；R0、R、R2 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、N(Ar3)2、Si(R3)3、B(OR3)2、OSO2R3、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R3取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換：R3C=CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R3)、SO、SO2、O、S或CONR3，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R3取代)，其中兩相鄰取代基R0、兩相鄰取代基R或兩相鄰取代基R2可隨意地形成單環或多環脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R3取代)；R1 每一次出現係相同或相異地選自由以下組成之群 組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、Si(R3)3、B(OR3)2、OSO2R3、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R3取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換：R3C=CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R3)、SO、SO2、O、S或CONR3，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R3取代)，其中兩相鄰取代基R1可隨意地形成單環或多環脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R3取代)；R3 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：H、D、F、CHO、CN、C(=O)Ar3、P(=O)(Ar3)2、S(=O)Ar3、S(=O)2Ar3、Si(R4)3、B(OR4)2、OSO2R4、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其各自可經一或多個基團R4取代，其中在每一情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由下列者置換： R4C=CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R4)、SO、SO2、O、S或CONR4，且其中一或多個H原子可由D、F或CN置換)、具有5至60個芳族環原子之芳族或雜芳族環系統(其在每一情況下可經一或多個基團R4取代)、及具有5至60個芳族環原子的芳基氧基(其可經一或多個基團R4取代)，其中兩相鄰取代基R3可隨意地形成單環或多環脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R4取代)；R4 每一次出現係相同或相異地選自由以下組成之群組：H、D、F、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子之分枝或環狀烷基、烷氧基或烷硫基，其中在每一種情況下，一或多個不相鄰CH2基團可由SO、SO2、O、S置換，且其中一或多個H原子可由D或F置換，及具有5至24個C原子之芳族或雜芳族環系統；Ar3 每一次出現係相同或相異地選自由下列者組成之群組：具有5至24個芳族環原子(更佳地具有5至18個芳族環原子)之芳族或雜芳族環系統，其在每一情況下亦可經一或多個基團R4取代；n 為1、2或3；X0 係選自Cl、Br或I；X1 為Cl、Br、I、三氟甲磺酸根(CF3SO3-)、甲苯磺 酸根(CH3C6H4SO3-)、甲磺酸根(CH3SO3-)、或-B(ORB)2；RB 為H、具有1至10個C原子之直鏈烷基，其中兩取代基RB可形成單環脂族環系統，此系統可經具有1至3個C原子的烷基取代；X2 為Cl、Br、I、三氟甲磺酸根(CF3SO3-)、甲苯磺酸根(CH3C6H4SO3-)或甲磺酸根(CH3SO3-)；X3 為Cl、Br、I或-B(ORB)2；其限制條件為基團X1或X3中之一者必須表示-B(ORB)2，但非兩基團同時表示-B(ORB)2；且M 為鋰或鎂。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該步驟(a-1-1)及(a-2-2)中之該金屬化反應是鋰化反應或葛納得反應(grignard reaction)，且步驟(b)中之該胺化反應為布赫瓦爾德-哈特維希(Buchwald-Hartwig)胺化反應。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中X1是選自Cl、Br、或I，且X3是表示-B(ORB)2。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中一項之方法，其中X1為Cl，且X3是基團(RB-1)，
    Figure TW201803840AC00008
     其中該虛線鍵係表示B與經X3取代之該基團的鍵結。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中一項之方法，其中該基團ArL係選自式(ArL-1)至(ArL-24)之基團
    Figure TW201803840AC00009
    Figure TW201803840AC00010
     其中當n=1時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2之鍵；- 在式(Int-1)中至該螺聯茀骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(p-4)中至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；- 在式(p-5)中至該茀酮骨架及至該基團X2之鍵；- 在式(Int-1')中至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵；及當n=2時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示 - 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；及當n=3時，在(ArL-1)至(ArL-24)中，該虛線鍵係表示- 在式(1)中，至該螺聯茀骨架及至該胺基NAr1Ar2中之一者的鍵，而該第二及第三基團NAr1Ar2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1)中，至該螺聯茀骨架及至該基團X2中之一者的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-4)中，至該基團X2及至該基團-B(OR)2之鍵；而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1) 至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(p-5)中，至該茀酮骨架及至該基團X2的鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；- 在式(Int-1')中，至該茀酮骨架及至該基團NAr1Ar2的氮之鍵，而該第二及第三基團X2可鍵聯於式(ArL-1)至(ArL-24)中之各個自由位置；且其中該基團(ArL-1)至(ArL-24)可在各個自由位置經基團R1取代。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中一項之方法，其中該基團Ar1及Ar2係選自式(A-1)至(A-48)之基團，
    Figure TW201803840AC00011
    Figure TW201803840AC00012
    Figure TW201803840AC00013
    Figure TW201803840AC00014
     其中該虛線鍵表示至該氮原子之鍵，且其中該式(A-1)至(A-48)之基團可進一步在各個自由位置經如申請專利範圍第1項所定義之基團R2取代，及其中在式(A-31)至(A-34)、(A-41)、(A-42)及(A-44)中之該基團R0具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  7. 一種式(Int-1)之化合物，
    Figure TW201803840AC00015
     其中該等符號V、ArL、X2及指數n具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  8. 如申請專利範圍第7項之化合物，其中X2為Br、Cl或I。
  9. 如申請專利範圍第7項之化合物，其係選自式(Int-2)至(Int-9)，
    Figure TW201803840AC00016
    Figure TW201803840AC00017
    Figure TW201803840AC00018
     其中該等符號具有如同申請專利範圍第1項所定義之意義。
  10. 如申請專利範圍第7至9項中之一項之化合物，其係選自式(Int-2-1)至(Int-2-8)之化合物，
    Figure TW201803840AC00019
    Figure TW201803840AC00020
    Figure TW201803840AC00021
    Figure TW201803840AC00022
     其中該等符號具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  11. 如申請專利範圍第7至9項中之一項之化合物，其係選自式(Int-2-1-1)至(Int-2-8-1)之化合物，
    Figure TW201803840AC00023
     其中X2具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  12. 一種式(1-1)或(1-2)之化合物，
    Figure TW201803840AC00024
     其中該等符號V、Ar1、Ar2、R1及指數m具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  13. 如申請專利範圍第12項之化合物，其係選自式(1-1-1)及(1-2-1)之化合物，
    Figure TW201803840AC00025
     其中R、R1、Ar1、Ar2具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之化合物，其係選自式(1-1-1a)至(1-2-1a)之化合物，
    Figure TW201803840AC00026
     其中該等符號Ar1及Ar2具有如同申請專利範圍第1項之意義。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之化合物，其中Ar1及Ar2每一次出現係相同或相異地選自以下式(A-1)至(A-48)之基團，
    Figure TW201803840AC00027
    Figure TW201803840AC00028
    Figure TW201803840AC00029
    Figure TW201803840AC00030
     其中該虛線鍵表示至該氮原子之鍵，其中該式(A-1)至(A-48)之基團可進一步在各自由位置上經如申請專利範圍第1項之所定義之基團R2取代，其中在(A-31)至(A-34)、(A-41)、(A-42)及(A-44)中，該基團R0每一次出現係相同或相異地選自由以下所組成之群組：H、D、F、CN、Si(R3)3、具1至10個C原子之直鏈烷基或具3至10個C原子之分枝或環狀烷基(其各可經一或多個基團R3取代)、具5至18個芳族環原子的芳基或雜芳基(其在每一情況下可經一或多個基團R3取代)，其中兩相鄰取代基R0可隨意地形成單環或多環、脂族環系統 或芳族環系統，其可經一或多個基團R3取代。
  16. 一種電子裝置，其包含至少一種如申請專利範圍第12至15項中之一或多項之化合物，該裝置係選自由以下組成之群組：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化之有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機感光器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體及有機電漿子發射裝置。
  17. 如申請專利範圍第16項之電子裝置，其為有機電致發光裝置，其中採用如申請專利範圍第12至15項中之一或多項之化合物作為在電洞傳送層或電洞注入層或激子阻擋層或電子阻擋層中之電洞傳送材料，或作為螢光或磷光發射體之基質材料。
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