[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TW201348276A - 樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板 - Google Patents

樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板 Download PDF

Info

Publication number
TW201348276A
TW201348276A TW102111393A TW102111393A TW201348276A TW 201348276 A TW201348276 A TW 201348276A TW 102111393 A TW102111393 A TW 102111393A TW 102111393 A TW102111393 A TW 102111393A TW 201348276 A TW201348276 A TW 201348276A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
resin composition
developable
touch panel
methyl
Prior art date
Application number
TW102111393A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI599585B (zh
Inventor
Shintaro Nasu
Satoshi Shioda
Hiroshi Takeichi
Original Assignee
Dainippon Printing Co Ltd
Dnp Fine Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Printing Co Ltd, Dnp Fine Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Printing Co Ltd
Publication of TW201348276A publication Critical patent/TW201348276A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI599585B publication Critical patent/TWI599585B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06Polymers provided for in subclass C08G
    • C08F290/068Polysiloxanes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F283/00Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G
    • C08F283/12Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G on to polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3477Six-membered rings
    • C08K5/3492Triazines
    • C08K5/34924Triazines containing cyanurate groups; Tautomers thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • H05K3/287Photosensitive compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • C08F230/085Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon the monomer being a polymerisable silane, e.g. (meth)acryloyloxy trialkoxy silanes or vinyl trialkoxysilanes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326Organic insulating material consisting of one material containing O
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108Transparent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0162Silicon containing polymer, e.g. silicone

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本發明之主要目的在於提供一種可形成硬度及耐熱性優異之樹脂膜的樹脂組成物。為達成上述目的,本發明提供一種樹脂組成物,其特徵在於具有:含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體,藉此達成上述目的。

Description

樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板
本發明係關於一種可形成硬度及耐熱性優異之樹脂膜之樹脂組成物。
可形成具有透光性之透明膜的樹脂組成物廣泛用於光學機器之形成。
此處,作為樹脂組成物,廣泛使用如專利文獻1等中所揭示之以丙烯酸酯系材料為主成分之紫外線(UV,Ultraviolet)硬化型樹脂組成物。
然而,丙烯酸酯系材料等有機系材料存在難以製成具有充分硬度者等問題。因此,例如,於用作設置於光學機器之表面之保護層等之情形時,存在有時無法表現充分之耐擦傷性等之類的問題。
對於此種問題,專利文獻2中揭示有含有無機系材料作為主成分、進而具有圖案成形性之無機系樹脂組成物。根據上述無機系樹脂組成物,可製成具有充分硬度者,於用作光學機器之保護層等之情形時,可形成耐擦傷性優異之透明膜。
然而,上述無機系樹脂組成物耐熱性不充分,於光學機器之製造過程或使用時成為高溫狀態時,存在由變色導致出現透明性降低或功能降低等問題。
例如,觸控面板等光學機器中,有時使用透明電極作為電極。先 前,此種透明電極通常於製造過程中進行230℃左右之熱處理。然而,近年來隨著透明電極之細線化、薄層化,例如為了即便為細線亦使充分之電流流通,而以減少透明電極之電阻值為目的,開始進行於250℃~300℃之高溫下進行處理之高溫熱處理(退火)步驟。相對於此,使用習知之無機系樹脂組成物所形成之樹脂膜中,即便於230℃之熱處理中未產生黃變或剝離、密接不良的組成物,於進行透明電極形成時之250℃~300℃之高溫熱處理步驟時,亦存在產生黃變或密接不良等問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2008-225136號公報
專利文獻2:國際公開公報第2010/061744號
本發明係鑒於上述問題而完成者,其主要目的在於提供一種可形成硬度及耐熱性優異之樹脂膜之樹脂組成物。
為解決上述課題,本發明提供一種樹脂組成物,其特徵在於具有:含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
根據本發明,藉由含有上述顯影性聚矽氧烷與聚合性聚矽氧烷兩者,可形成耐熱性優異之樹脂膜。
於本發明中,上述多官能性單體較佳為具有三環骨架之化合物。其原因在於,可使上述樹脂組成物於進行250℃以上之高溫熱處理步驟後亦可形成密接性或耐黃變性優異之樹脂膜。
本發明中,較佳為具有磷酸化合物。其原因在於,可使樹脂膜對ITO(Indium Tin Oxides,氧化銦錫)等透明電極材料等密接性優異。
於本發明中,較佳為具有高折射率化劑。可使利用本發明之樹脂組成物而形成之樹脂膜折射率較高。因此,例如於在使用ITO等透明電極材料而形成之透明電極上積層有上述樹脂膜之情形時,可謀求上述透明電極之圖案之不可視化。
本發明提供一種觸控面板用透明膜,其特徵在於係使用如下樹脂組成物而形成,該樹脂組成物具有含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
本發明係使用上述樹脂組成物而形成者,因此可形成即便於進行250℃以上之高溫熱處理步驟後亦密接性優異且黃變較少者。
本發明提供一種觸控面板,其係具有透明基材、及形成於上述透明基材上之感測器電極者,其特徵在於:具有使用如下樹脂組成物而形成之觸控面板用透明膜,該樹脂組成物具有含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
本發明係具有使用上述樹脂組成物而形成之觸控面板用透明膜者,因此可使利用此種觸控面板用透明膜而形成之構件耐熱性優異。
本發明取得可提供一種可形成硬度及耐熱性優異之樹脂膜之樹脂組成物的效果。
1‧‧‧透明基材
2‧‧‧感測器電極
2a‧‧‧第1電極
2b‧‧‧第2電極
2X‧‧‧透明電極材料層
3‧‧‧電極間絕緣層
4‧‧‧保護層
6‧‧‧引導配線
10‧‧‧觸控面板用透明膜
10X‧‧‧樹脂組成物層
20‧‧‧觸控面板
圖1係表示本發明中之觸控面板之一例的概略平面圖。
圖2係圖1之A-A線剖面圖。
圖3係圖1之B-B線剖面圖。
圖4係對本發明中之感測器電極進行說明的說明圖。
圖5係對本發明中之感測器電極進行說明的說明圖。
圖6(a)至(g)係表示本發明之觸控面板之製造方法的步驟圖。
本發明係關於一種樹脂組成物、使用其之觸控面板用透明膜、及使用其之觸控面板。
以下,針對本發明之樹脂組成物、觸控面板用透明膜、及觸控面板進行說明。
A.樹脂組成物
首先,針對本發明之樹脂組成物進行說明。
本發明之樹脂組成物之特徵在於具有:含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
根據本發明,藉由含有上述顯影性聚矽氧烷與聚合性聚矽氧烷兩者,可形成耐熱性優異之樹脂膜。
此處,關於藉由含有上述顯影性聚矽氧烷與聚合性聚矽氧烷兩者可形成耐熱性優異之樹脂膜的原因,推測如下。
即,藉由併用含有乙烯性不飽和雙鍵等聚合性基之聚矽氧烷、及含有羧基等顯影性基之聚矽氧烷,與含有聚合性基與顯影性基兩者之聚矽氧烷相比,與顯影性基鍵結之Si原子之比例減少。因此,可認為,可使顯影時溶出之Si原子數、即脫離之聚矽氧烷量較少,而顯影前後之收縮量減少,顯影後膜內之應力減少,因此密接性提高,高溫加熱後亦耐熱性、密接性優異。
又,通常,聚矽氧烷之原料即矽烷化合物的反應性因官能基之種類不同而產生差異。因此,可認為,藉由分別合成含有雙鍵之聚矽氧烷及含有羧基之聚矽氧烷,與含有雙鍵與羧基兩者之聚矽氧烷相比,可容易地控制合成時之反應。因此,於本發明中,可精度良好地控制顯影性聚矽氧烷及聚合性聚矽氧烷各聚矽氧烷之分子量等。可認為,此情況亦對耐熱性提高帶來效果。
本發明之樹脂組成物具有顯影性聚矽氧烷、聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
以下,針對本發明之樹脂組成物之各成分詳細地進行說明。
1.顯影性聚矽氧烷
本發明中之顯影性聚矽氧烷含有顯影性基,且實質上不含自由基聚合性基。
此處,所謂實質上不含自由基聚合性基,係指顯影性聚矽氧烷彼此及與多官能性單體並不進行交聯至損傷顯影性聚矽氧烷之顯影性之程度,係顯影時顯影性聚矽氧烷自未曝光之部位被去除,具 體而言,含有自由基聚合性基之構成單位之含量較佳為於構成顯影性聚矽氧烷之總構成單位中之5莫耳%以下,其中較佳為3莫耳%以下,尤佳為0莫耳%,即不含具有自由基聚合性基之構成單位。其原因在於,可使顯影性及耐熱性兩者優異。
(1)顯影性基
作為上述顯影性基,只要為可提高水系顯影液之顯影性者,則並無特別限定,例如可列舉:羧基或羥基、磷酸基、磺酸基、矽烷醇基等。
於本發明中,尤以羧基較佳。其原因在於:可使顯影性優異。
又,作為上述羥基,較佳為酚性羥基。其原因在於:可使顯影性優異。
作為本發明中之顯影性基,可於顯影性聚矽氧烷中含有2種以上。
再者,作為水系顯影液,只要為使用水作為溶劑之顯影液,則並無特別限定,例如可列舉:鹼金屬之氫氧化物、碳酸鹽、磷酸鹽、矽酸鹽、硼酸鹽等無機化合物,三甲基氫氧化銨、2-羥乙基三甲基氫氧化銨等四級銨鹽,2-二乙胺乙醇、單乙醇胺等胺化合物等之水溶液。
作為含有上述顯影性基之構成單位之含量,使上述顯影性聚矽氧烷具有所需之酸值即可。
作為可形成含有上述顯影性基之構成單位的單體成分,只要為可形成聚矽氧烷之矽烷化合物,則並無特別限定。
於本發明中,尤以含有上述顯影性基或其無水物、且矽原子上鍵結2個以上烷氧基之有機矽烷化合物(以下,記作含有顯影性基之有機矽烷化合物)較佳。其原因在於,藉由使用上述含有顯影性基之有機矽 烷化合物,可使其水解而進行縮聚合,藉此可容易地獲得顯影性聚矽氧烷。
作為上述烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基、苯氧基等,尤其可列舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基等,尤佳為甲氧基、乙氧基等。其原因在於,藉由為上述官能基,容易進行聚矽氧烷合成時之水解反應,並且可容易地將生成之醇自體系內蒸餾去除。
作為上述含有顯影性基之有機矽烷化合物中所含之烷氧基之數量,為2個以上即可,較佳為3個。其原因在於,可製造高密度之顯影性聚矽氧烷,且可使其耐熱性優異。
作為上述含有顯影性基之有機矽烷化合物之具體例,可列舉:3-三甲氧基矽烷基丙基羧酸、3-三乙氧基矽烷基丙基羧酸、3-三苯氧基矽烷基丙基羧酸、3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三乙氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三苯氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三甲氧基矽烷基丙基環己基琥珀酸酐、3-三甲氧基矽烷基丙基酞酸酐、2-(4-羥苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(4-羥苯基)乙基三乙氧基矽烷、2-(4-羥苯基)乙基三丙氧矽烷、2-(4-羥苯基)乙基三丁氧基矽烷、3-(4-羥苯基)丙基三甲氧基矽烷、3-(4-羥苯基)丙基三乙氧基矽烷、2-(4-羥苯基)丙基三丙氧矽烷、3-(4-羥苯基)丙基三丁氧基矽烷、2-(3-羥苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3-羥苯基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3-羥苯基)乙基三丙氧矽烷、2-(3-羥苯基)乙基三丁氧基矽烷、3-(3-羥苯基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3-羥苯基)丙基三乙氧基矽烷、2-(3-羥苯基)丙基三丙氧矽烷、3-(3-羥苯基)丙基三丁氧基矽烷、2-(2-羥基苯基)乙基三甲氧基矽烷、2-(2-羥苯基)乙基三乙氧基矽烷、2-(2-羥苯基)乙基三丙氧矽烷、2-(2-羥苯基)乙基三丁氧 基矽烷、3-(2-羥苯基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-羥苯基)丙基三乙氧基矽烷、2-(2-羥苯基)丙基三丙氧矽烷、3-(2-羥苯基)丙基三丁氧基矽烷等,尤其可列舉:3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三乙氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三苯氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三甲氧基矽烷基丙基環己基琥珀酸酐、3-三甲氧基矽烷基丙基酞酸酐,可尤佳地使用3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸酐、3-三乙氧基矽烷基丙基琥珀酸酐等。其原因在於,藉由使用上述化合物,可容易地進行上述顯影性聚矽氧烷合成之反應。
(2)自由基聚合性基
作為自由基聚合性基,只要為具有自由基聚合性者,則並無特別限定,較佳為乙烯性不飽和雙鍵基,具體而言,可列舉:丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基等。
作為可形成含有上述自由基聚合性基之構成單位的單體成分,只要為可形成聚矽氧烷之矽烷化合物,則並無特別限定。
於本發明中,尤以含有上述自由基聚合性基、且矽原子上鍵結2個以上烷氧基之有機矽烷化合物(以下,記作含有自由基聚合性基之有機矽烷化合物)較佳。其原因在於,藉由使用上述含有自由基聚合性基之有機矽烷化合物,使其水解而進行縮聚合,藉此可容易地獲得顯影性聚矽氧烷。
又,作為烷氧基及其數量,可與上述「(1)顯影性基」之項中所記載之內容相同。
作為上述含有自由基聚合性基之有機矽烷化合物之具體例,可列舉:γ-丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-丙烯醯基三乙氧基矽烷、γ-丙烯醯基(甲基)二甲氧基矽烷、γ-丙烯醯基(甲基)二乙氧基矽烷、γ- 甲基丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基(甲基)二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基(甲基)二乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基(甲基)二甲氧基矽烷、乙烯基(甲基)二乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基(甲基)二甲氧基矽烷、烯丙基(甲基)二乙氧基矽烷、苯乙烯基三甲氧基矽烷、苯乙烯基三乙氧基矽烷、苯乙烯基(甲基)二甲氧基矽烷、苯乙烯基(甲基)二乙氧基矽烷等,尤其可列舉:γ-丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-丙烯醯基三乙氧基矽烷、γ-丙烯醯基(甲基)二甲氧基矽烷、γ-丙烯醯基(甲基)二乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基(甲基)二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基(甲基)二乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基(甲基)二甲氧基矽烷、乙烯基(甲基)二乙氧基矽烷等,可尤佳地使用:γ-丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-丙烯醯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等。其原因在於,藉由使用上述矽烷化合物,可獲得高密度之聚矽氧烷,可配合自由基聚合性基之反應性使耐熱性優異。
(3)其他構成
本發明中之顯影性聚矽氧烷為含有上述顯影性基者,但亦可視需要含有其他官能基。
作為此種其他官能基,可列舉:氫,或分支狀或非分支狀C1~C20之經取代或未經取代之飽和或不飽和烴基,更具體而言,可列舉:烷基、烯基、炔基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜芳基、經取代或未經取代之烷芳基、經取代或未經取代之芳烷基等。
作為可形成含有上述其他官能基之構成單位的單體成分,只要為可形成聚矽氧烷之矽烷化合物,則並無特別限定,較佳為矽原子上鍵結2個以上烷氧基之有機矽烷化合物。又,作為烷氧基及其數量,可與上述「(1)顯影性基」之項中所記載之內容相同。
具體而言,可列舉:甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三(甲氧基乙氧基)矽烷、甲基三(乙氧基乙氧基)矽烷、甲基三丙氧矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、甲基參三級丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-(N,N-二環氧丙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、β-氰乙基三乙氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基三乙氧基矽烷、α-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷、β-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷、α-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、β-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三丙氧矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三異丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三丁氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三(甲氧基乙氧基)矽烷、α-環氧丙氧基丁基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧基丁基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧基丁基三甲氧基矽烷、β-環氧丙氧基丁基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丁基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丁基三乙氧基矽烷、δ-環氧丙氧基丁基三 甲氧基矽烷、δ-環氧丙氧基丁基三乙氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三丁氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三苯氧基矽烷、3-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷、4-(3,4-環氧環己基)丁基三甲氧基矽烷、4-(3,4-環氧環己基)丁基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基二甲氧基矽烷、環氧丙氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、α-環氧丙氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、α-環氧丙氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、β-環氧丙氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、β-環氧丙氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、α-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、α-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、β-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二丙氧基矽烷、β-環氧丙氧基丙基甲基二丁氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二(甲氧基乙氧基)矽烷、γ-環氧丙氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、十八烷基甲基二甲氧基矽烷、四甲氧矽烷、四乙氧基矽烷等。亦可將該等使用2種以上。
於本發明中,上述有機矽烷化合物中,就對ITO等基材之密接性或硬度、顯影性之平衡、及聚矽氧烷合成之容易性而言,較佳為甲基 三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、四甲氧矽烷、四乙氧基矽烷。
(4)顯影性聚矽氧烷
本發明中之顯影性聚矽氧烷為具有含有上述顯影性基之構成單位者,於具有複數個構成單位之情形時,可為相同構成單位連續之嵌段狀,亦可為無規狀。
顯影性聚矽氧烷可僅單獨使用1種,亦可併用2種以上而使用。
作為上述顯影性聚矽氧烷之分子量,只要可使顯影性聚矽氧烷發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,較佳為500~200,000之範圍內,其中,較佳為1,000~100,000之範圍內,尤佳為2,000~50,000之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
再者,上述所謂分子量,係指重量平均分子量(Mw),上述重量平均分子量可利用凝膠滲透層析法(GPC)以標準聚苯乙烯換算值之形式求出。
作為上述顯影性聚矽氧烷之酸值,只要可使顯影性聚矽氧烷發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,較佳為30 mgKOH/g~200 mgKOH/g之範圍內,其中,較佳為50 mgKOH/g~170 mgKOH/g之範圍內,尤佳為70 mgKOH/g~150 mgKOH/g之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
作為本發明中之顯影性聚矽氧烷之含量,只要可使之發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,於固形份中較佳為3質量%~80質量%之範圍內,其中,較佳為5質量%~70質量%之範圍內,尤佳為10質量%~60質量%之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
再者,所謂固形份中,係指上述樹脂組成物中所含之溶劑以外之所有成分。
作為上述顯影性聚矽氧烷相對於上述聚合性聚矽氧烷之質量比(顯影性聚矽氧烷之含量/聚合性聚矽氧烷之含量),只要可使顯影性聚矽氧烷發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,較佳為0.08~12之範圍內,其中,較佳為0.15~7之範圍內,尤佳為0.3~3之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
作為上述顯影性聚矽氧烷之合成方法,只要為可合成具有所需之構成單位者的方法,則並無特別限定,例如可列舉如下方法:於有機矽烷化合物中添加有溶劑或不添加溶劑之狀態下,將體系之溫度保持於-20℃~60℃,於其中滴加水與酸觸媒之混合物進行水解反應,其後,使體系之溫度上升為60℃~150℃而進行脫水縮聚合反應。
此處,藉由調整水與酸觸媒之量及滴加速度、溶劑之種類及量、水解時之溫度、聚合反應時之反應時間及溫度等,可控制分子量等。
再者,作為酸觸媒,可列舉:鹽酸、磷酸、硝酸、硫酸、乙酸等。
又,作為溶劑,可列舉:酒精或甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、第三丁醇、戊醇、4-甲基-2-戊醇、3-甲基-2-丁醇、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇、1-三級丁氧基-2-丙醇、二丙酮醇等醇類;乙二醇、丙二醇等二醇類;乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、二乙醚等醚類;甲基乙基酮、乙醯丙酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮、環戊酮、2-庚酮等酮類;二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等醯胺類;乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚 乙酸酯、3-甲氧基乙酸丁酯、3-甲基-3-甲氧基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等乙酸酯類;甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等芳香族或脂肪族烴、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸等。就使用本發明之樹脂組成物而形成之樹脂膜之穿透率、耐龜裂性等方面而言,可較佳地使用二丙酮醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚、丙二醇單第三丁基醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、γ-丁內酯等。
2.聚合性聚矽氧烷
本發明中之聚合性聚矽氧烷含有自由基聚合性基,且實質上不含顯影性基。
此處,所謂實質上不含顯影性基,係指顯影時聚合性聚矽氧烷未自曝光及硬化之部位去除,具體而言,含有顯影性基之構成單位之含量較佳為構成聚合性聚矽氧烷之總構成單位中之10莫耳%以下,其中,較佳為5莫耳%以下,進而較佳為3莫耳%以下,尤佳為0莫耳%,即不含具有顯影性基之構成單位。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
再者,關於上述顯影性基、自由基聚合性基及可形成該等之單體成分,可與上述「1.顯影性聚矽氧烷」之項中所記載之內容相同。
(1)自由基聚合性基
作為上述含有自由基聚合性基之構成單位之含量,只要可使聚合性聚矽氧烷發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,於構成聚合性聚矽氧烷之總構成單位中,較佳為1莫耳%~90莫耳%之範圍內,其中,較佳為3莫耳%~75莫耳%之範圍內,尤佳為5莫耳%~60莫 耳%之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
(2)其他
本發明中之聚合性聚矽氧烷為含有上述自由基聚合性基者,亦可視需要含有其他官能基。
作為此種其他官能基及可形成含有其之構成單位之單體成分等,可與上述「1.顯影性聚矽氧烷」之項中所記載之內容相同。
(3)聚合性聚矽氧烷
本發明中之聚合性聚矽氧烷為具有含有上述自由基聚合性基之構成單位者,於具有複數個構成單位之情形時,可為相同構成單位連續之嵌段狀,亦可為無規狀。
聚合性聚矽氧烷可僅單獨使用1種,亦可併用2種以上而使用。
作為上述聚合性聚矽氧烷之分子量,只要可使聚合性聚矽氧烷發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,較佳為500~200,000之範圍內,其中,較佳為1,000~100,000之範圍內,尤佳為2,000~50,000之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
作為本發明中之聚合性聚矽氧烷之含量,只要可使之發揮所需之耐熱性及顯影性,則並無特別限定,於本發明之樹脂組成物之固形份中,較佳為1質量%~60質量%之範圍內,其中,較佳為3質量%~45質量%之範圍內,尤佳為5質量%~35質量%之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者優異。
關於上述聚合性聚矽氧烷之合成方法,只要為可合成具有所需之構成單位者的方法,則並無特別限定,可使用與上述顯影性聚矽氧烷之合成方法相同之方法。
3.多官能性單體
作為本發明中之多官能性單體,為含有2個以上自由基聚合性基、且多官能性單體彼此或與聚合性聚矽氧烷可交聯者即可。其中,較佳為含有2個以上乙烯性不飽和雙鍵基者,作為乙烯性不飽和雙鍵基,可列舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基。
作為此種多官能性單體,具體而言,可列舉:乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、長鏈脂肪族二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基叔戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸丙二酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、參乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、伸丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚二(甲基)丙烯酸丙二酯、二(甲基)丙烯酸三甘油酯、新戊二醇改質三羥甲丙烷二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、甲氧基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸基化異三聚氰酸酯、雙(丙烯醯氧基新戊二醇)己二酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、四溴雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚S二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、酞酸二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸鋅等二官能(甲基)丙烯酸酯。
又,作為多官能(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉:三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、烷基改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、異三聚氰酸三(甲基丙烯醯氧基乙基)酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二三羥甲丙烷四(甲基)丙烯酸酯、烷基改質二季戊四醇四(甲 基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、烷基改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、酯三(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯六(甲基)丙烯酸酯、酯六(甲基)丙烯酸酯、琥珀酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等三官能以上之(甲基)丙烯酸酯。
又,可使用異三聚氰酸三(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異三聚氰酸二(2-丙烯醯氧基乙基)單羥乙酯、異三聚氰酸三烯丙酯、異氰酸三乙烯酯、三聚異氰酸甲基烯丙基酯、異氰尿酸三縮水甘油酯等具有三環骨架之化合物。
於本發明中,其中,較佳為具有三環骨架之化合物,可尤佳地使用異三聚氰酸三(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異三聚氰酸二(2-丙烯醯氧基乙基)單羥乙酯、異三聚氰酸三烯丙酯、異氰酸三乙烯酯、三聚異氰酸甲基烯丙酯、異氰尿酸三縮水甘油酯,其中,可尤佳地使用異三聚氰酸三(2-丙烯醯氧基乙基)酯、異三聚氰酸三烯丙酯、異氰酸三乙烯酯、三聚異氰酸甲基烯丙酯。其原因在於,藉由含有上述化合物可使本發明高溫加熱後之密接性及耐黃變性優異。其原因在於,尤其可使本發明可形成進行250℃以上之高溫熱處理步驟後密接性或耐黃變性亦優異之樹脂膜。
該等多官能性單體可僅單獨使用1種,亦可併用2種以上而使用。
作為上述多官能性單體之含量,只要可使樹脂膜具有所需之耐熱性,則並無特別限定,於固形份中較佳為10質量%~80質量%之範圍內,其中,較佳為20質量%~70質量%之範圍內,尤佳為30質量%~60質量%之範圍內。其原因在於,可使顯影性與耐熱性兩者 優異。
4.樹脂組成物
本發明之樹脂組成物至少含有顯影性聚矽氧烷、聚合性聚矽氧烷、多官能性單體,但可視需要使之含有聚合起始劑、溶劑、添加劑、黏合劑樹脂等。
(1)聚合起始劑
作為上述聚合起始劑,只要為可使上述多官能性單體、聚合性聚矽氧烷及該等彼此聚合者,則並無特別限定,可使用通常者。
具體而言,可列舉:二苯基酮、米其勒酮、4,4'-雙二乙胺基二苯基酮、4-甲氧基-4'-二甲胺基二苯基酮、2-乙基蒽醌、菲等芳香族酮;安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯醚等安息香醚類;甲基安息香、乙基安息香等安息香;2-(鄰氯苯基)-4,5-苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(間甲氧苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4,5-三芳基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(間甲苯基)咪唑二聚物、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-丁酮;2-三氯甲基-5-苯乙烯基-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(對氰基苯乙烯基)-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(對甲氧基苯乙烯基)-1,3,4-二唑等鹵甲基唑化合物;2,4-雙(三氯甲基)-6-對甲氧基苯乙烯基-S-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-(1-對二甲胺基苯基-1,3-丁二烯基)-S-三、2-三氯甲基-4-胺基-6-對甲氧基苯乙烯基-S-三、2-(萘并-1-基)-4,6-雙-三氯甲基-S-三、2-(4-乙氧基-萘并-1-基)-4,6-雙-三氯甲基-S-三、2-(4-丁氧基-萘并-1-基)-4,6-雙-三氯甲基-S-三等鹵甲基-S-三系化合物;2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙-1-酮、1,2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)-丁 酮-1;二苯甲醯、苯甲醯苯甲酸、苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基硫醚、苄基甲基縮酮、二甲胺基苯甲酸酯、對二甲胺苯甲酸異戊酯、2-正丁氧乙基-4-二甲胺基苯甲酸酯、2-氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(鄰乙醯基肟)、4-苯甲醯基-甲基二苯基硫醚、1-羥基-環己基-苯基酮、2-苄基-2-(二甲胺基)-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮、2-(二甲胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮、α-二甲氧基-α-苯基苯乙酮、苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-(4-啉基)-1-丙酮、1,2-辛二酮等光聚合起始劑。又,亦可使用:2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮、2-羥基-4'-羥乙氧基-2-甲基苯丙酮、低聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦等。
於本發明中,尤其就可抑制高溫加熱後之黃變方面而言,尤佳為低聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮等。
於本發明中,可單獨使用該等光聚合起始劑,或將2種以上混合使用。
作為此種聚合起始劑之含量,只要可使上述樹脂組成物以所需之硬化速度硬化即可,於固形份中較佳為0.1質量%~20質量%之範圍內,其中,較佳為0.7質量%~10質量%之範圍內。
(2)溶劑
作為本發明中所使用之溶劑,只要不與上述樹脂組成物中之各成分發生反應、且可使該等溶解或分散之有機溶劑,則並無特別限定。
具體而言,可列舉:甲醇、乙醇等醇類;四氫呋喃等醚類;乙二醇單甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇甲基乙基醚、乙二醇單乙醚等二醇醚類;乙酸甲賽璐蘇、乙酸乙賽璐蘇等乙二醇烷基醚乙酸酯類;二乙二醇單甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚等二乙二醇類;丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇乙醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯類;甲苯、二甲苯等芳香族烴類;甲基乙基酮、甲基戊基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮類;及2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基乙酸丁酯、3-甲基-3-甲氧基乙酸丁酯等酯類;等。
於本發明中,尤其就成膜過程中膜之平坦性或含有成分之溶解性方面而言,較佳為丙二醇烷基醚乙酸酯類、二醇醚類、酮類,其中尤佳為丙二醇甲醚乙酸酯(以下有時記為PEGMEA)、丙二醇甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。
又,該等溶劑可單獨使用,亦可將2種以上組合使用。
作為本發明中所使用之溶劑於上述樹脂組成物中之含量,較佳為60質量%~95質量%之範圍內,更佳為70質量%~90質量%之範圍內。其原因在於,藉由為此種含量可使黏度適於塗佈。
(3)添加劑
作為本發明中之添加劑,只要為可降低使用本發明之樹脂組成物形成之樹脂膜之耐熱性等者,則並無特別限定。
具體而言,可列舉:顏料、遮光性微粒子、聚合終止劑、鏈轉移 劑、調平劑、可塑劑、界面活性劑、消泡劑、密接助劑、高折射率化劑、磷酸化合物等。
(a)高折射率化劑
藉由含有上述高折射率化劑,例如,於在使用ITO等透明電極材料形成之透明電極上積層有上述樹脂膜之情形時,可謀求上述透明電極之圖案之不可視化。因此,於將本發明之樹脂組成物用於觸控面板等要求穿透性之光學機器中的情形時,可防止透過觸控面側看見感測器電極中所含之透明電極,而可製成設計性或視認性優異之觸控面板。
作為上述高折射率化劑,只要為可使上述樹脂膜成為折射率較高者,則並無特別限定,可列舉金屬微粒子或金屬氧化物微粒子等微粒子,尤以金屬氧化物微粒子較佳。其原因在於,可使樹脂膜具有絕緣性。
作為金屬氧化物之微粒子,較佳為含有選自由鈦、鋅、鋯、銻、銦、錫、矽、及鋁所組成之群中之至少一種元素者。具體而言,可列舉:五氧化銻、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化矽、摻銻氧化錫(ATO)、氧化銦錫(ITO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、摻磷氧化錫(PTO)、銻酸鋅(AZO)、摻銦氧化鋅(IZO)、氧化錫、被覆ATO之氧化鈦、摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅等。該等可容易地獲取公知之市售品。作為金屬之微粒子,可例示選自由鈦、鋅、鋯、銻、銦、錫、矽、及鋁所組成之群中者。該等微粒子可單獨使用,亦可併用2種以上。
作為本發明中所使用之微粒子之平均一次粒徑,只要可謀求所需之高折射率化,則並無特別限定,例如可設為5 nm~200 nm之範圍內,其中,較佳為5 nm~100 nm之範圍內,尤佳為10 nm~50 nm之範圍內。
其原因在於,於平均一次粒徑未滿5 nm之情形時,微粒子彼此之凝集力非常大,故而非常難以進行透明性較高之一次粒子等級之分散。另一方面,其原因在於,於平均一次粒徑超過200 nm之金屬氧化物之情形時,容易以一次粒子等級使其分散,但由於粒徑較大故而容易對可見光等光產生散射,而產生使樹脂膜之透明性惡化之問題。
再者,平均一次粒徑例如可使用利用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描式電子顯微鏡(SEM)等直接觀察微粒子本身的方法、或動態光散射法而測定。
微粒子之含量只要可使樹脂膜具有所需之折射率,則並無特別限定。具體而言,作為微粒子與總樹脂成分之質量比即PV比,較佳為0.3~1.8之範圍內。又,下限較佳為0.6以上,上限較佳為1.5以下,更佳為1.2以下。其原因在於,藉此可維持透明性,且亦可提高樹脂膜之折射率而使其接近ITO膜等透明電極之折射率。又,其原因在於,若PV比未滿0.3,則即便添加微粒子亦無法充分地提高硬化後之樹脂膜之折射率。又,其原因在於,顯影性亦降低。另一方面,其原因在於,若超過1.8,則霧度值增加而透明性降低。
再者,所謂總樹脂成分,係指自本發明中之固形份中去除微粒子之總質量而成者。
(b)磷酸化合物
為提高樹脂膜對ITO等透明電極材料等之密接性,可含有磷酸化合物。
作為此種磷酸化合物,只要為可提高樹脂膜對透明電極材料等之密接性者,則並無特別限定,較佳為分子中含有乙烯性不飽和雙鍵之磷酸化合物。具體而言,可列舉:2-甲基丙烯醯氧基酸式磷酸乙酯(商 品名Lightester P-1M、Lightester P-2M,共榮社化學股份有限公司製造)、環氧乙烷改質磷酸二甲基丙烯酸脂(商品名PM-21,日本化藥股份有限公司製造)、含有磷酸之環氧基甲基丙烯酸酯(商品名New Frontier S-23A,第一工業製藥股份有限公司製造)等磷酸(甲基)丙烯酸酯類,乙烯基膦酸(商品名VPA-90、VPA-100,BASF公司製造)等磷酸乙烯酯化合物。
作為上述磷酸化合物之含量,只要可具有所需之密接性,則並無特別限定,於固形份中較佳為0.1質量%~30質量%之範圍內,其中,較佳為1質量%~20質量%之範圍內,尤佳為3質量%~15質量%之範圍內。其原因在於,藉由為上述含量,可使樹脂膜密接性優異。
(c)密接助劑
作為上述密接助劑,只要為可提高樹脂膜與ITO等透明電極材料或玻璃等之密接性者,則並無特別限定,例如,於形成部位為透明電極或玻璃基板等之情形時,可以總固形份中0.1~10質量%之比率調配作為矽烷偶合劑之信越化學公司製造之KBM-403、KBM-503、KBM-803等。
(d)界面活性劑
作為上述界面活性劑,例如,可以總固形份中0.1~5質量%之比率調配氟系之DIC公司製造之「MEGAFAC」R08MH、RS-72-K、RS-75等,及矽酮系之BYK-Chemie Japan公司製造之BYK-333、BYK-301等。
(4)樹脂組成物
作為本發明之樹脂組成物之形成方法,只要為可使上述各成分均勻地分散之方法,則並無特別限定,可使用公知之混合、分散方法。
作為本發明之樹脂組成物之用途,只要要求硬度及耐熱性,則並無特別限定,例如可列舉:觸控面板、太陽電池、液晶顯示裝置等顯示裝置等中所含之保護層或絕緣層等、彩色濾光片之像素部、發光二極體(LED,Light Emitting Diode)照明裝置等,尤以用於要求耐熱性之構件之形成中較佳。
B.觸控面板用透明膜
繼而,針對觸控面板用透明膜進行說明。
本發明之觸控面板用透明膜之特徵在於使用如下樹脂組成物而形成,該樹脂組成物具有:含有顯影性官能基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性官能基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
參照圖對此種本發明之觸控面板用透明膜進行說明。圖1係表示使用本發明之觸控面板用透明膜之觸控面板之一例的概略平面圖。又,圖2係圖1之A-A線剖面圖,圖3係圖1之B-B線剖面圖。如圖1~圖3所例示般,使用本發明之觸控面板用透明膜10之觸控面板20具有:透明基板1、具有形成於上述透明基板1之一表面上之第1電極2a及與上述第1電極2a絕緣之第2電極2b的感測器電極2、形成於上述第1電極2a與第2電極2b之間的電極間絕緣層3、及以被覆上述第1電極2a及第2電極2b之方式形成的保護層4。
於該例中,上述觸控面板用透明膜10係用作上述電極間絕緣層3及保護層4。又,感測器電極2上連接有引導配線6,引導配線6之末端形成有外部連接端子。
再者,圖1中,為容易說明,省略上述電極間絕緣層3及保護層4。
根據本發明,觸控面板用透明膜係使用上述樹脂組成物 而形成者,故而可製成即便進行250℃以上之高溫熱處理步驟後亦密接性優異且黃變較少者。
因此,先前,如用於要求耐熱性之感測器電極之間的電極間絕緣層及要求硬度之保護層般,形成要求特性不同之構件時各構件使用不同材料。相對於此,若為上述觸控面板用透明膜,則硬度與耐熱性兩者優異,故而可謀求上述電極間絕緣層與保護層兩者之形成材料之共用化。因此,可謀求步驟之簡略化或成本減少。
本發明之觸控面板用透明膜係使用上述樹脂組成物而形成者。
以下,針對本發明之觸控面板用透明膜之各構成進行說明。
再者,關於上述樹脂組成物,與上述「A.樹脂組成物」之項中所記載之內容相同,故而此處省略記載。
作為本發明之觸控面板用透明膜之用途,只要為要求所需之透明性之用途,則並無特別限定,可列舉:形成於構成感測器電極之第1電極與第2電極之間的電極間絕緣層、以被覆感測器電極之方式形成的保護層等,其中,較佳為具有電極間絕緣層,尤佳為具有電極間絕緣層與保護層兩者。其原因在於,以被覆電極間絕緣層之方式形成的電極為透明電極,即便於其形成時進行高溫熱處理步驟之情形時,亦可使電極保護層之劣化較少。
又,其原因在於,含有上述樹脂組成物之樹脂膜硬度優異,因此用作上述保護層,藉此可製成耐擦傷性優異之觸控面板。又,其原因在於,可同時滿足如電極間絕緣層及保護層之不同要求特性,因此可謀求兩構件之材料之共用化,可謀求步驟之簡略化或成本減少。
再者,所謂高溫熱處理步驟中之溫度條件,只要可提高透明電極 之導電性即可,例如235℃~350℃之範圍內,其中,較佳為240℃~330℃之範圍內,尤佳為250℃~300℃之範圍內。其原因在於,藉由為上述溫度條件,可更有效地發揮本發明之效果。
作為上述觸控面板用透明膜之可見光區域中之穿透率,只要可使觸控面板視認性優異,則並無特別限定,可根據上述觸控面板用透明膜之用途等適當設定。
於本發明中,較佳為80%以上,更佳為90%以上。其原因在於,藉由上述穿透率為上述範圍,可形成視認性優異之觸控面板。
此處,上述穿透率係指使用標準之光C(JIS Z 8720(測色用標準照明體(標準之光)及標準光源))、利用JIS Z 8701(色之表示方法-XYZ表色系統及X10Y10Z10表色系統)中確定之式而求出的穿透之物體色之三刺激值X、Y、Z中的Y值。作為此種穿透率之測定方法,例如,可藉由JIS K7361-1(塑膠-透明材料之總光穿透率之試驗方法)而測定。更具體而言,可使用Olympus股份有限公司製造之分光光度計OSP-SP2000。
上述觸控面板用透明膜較佳為含有高折射率化劑者。其原因在於,於以與感測器電極接觸之方式配置之情形時,可防止透過觸控面側看見感測器電極,而可製成視認性優異之觸控面板。
作為上述觸控面板用透明膜之折射率,只要具有所需之折射率,則並無特別限定,較佳為1.55~1.90之範圍內,其中,較佳為1.57~1.80之範圍內,尤佳為1.60~1.75之範圍內。其原因在於,藉由為上述折射率,可防止自觸控面側可見感測器電極。
再者,關於此種高折射率化劑,可與上述「A.樹脂組成物」之項中所記載之內容相同,故而此處省略說明。
作為上述觸控面板用透明膜之厚度,只要可發揮所需之硬度或耐熱性,則並無特別限定,可根據上述觸控面板用透明膜之用途等而適當設定。
例如,於用作上述保護層之情形時,較佳為0.5 μm~5 μm之範圍內,尤以1 μm~3 μm之範圍內較佳。其原因在於,可使上述觸控面板中所含之各構成傷痕、剝離較少。
又,於亦用作上述電極間絕緣層之情形時,較佳為0.5 μm~10 μm之範圍內,尤以1 μm~5 μm之範圍內較佳。其原因在於,可穩定地防止電極間之短路。
作為上述觸控面板用透明膜之形成方法,只要為使用上述樹脂組成物且使上述觸控面板用透明膜形成為所需之圖案的方法,則並無特別限定,可使用通常之方法。具體而言,可使用塗佈上述樹脂組成物並使其乾燥而形成塗膜後介隔遮罩對上述塗膜進行曝光、顯影的方法。
C.觸控面板
繼而,針對本發明之觸控面板進行說明。
本發明之觸控面板係具有透明基材、及形成於上述透明基材上之感測器電極者;其特徵在於具有使用如下樹脂組成物而形成的觸控面板用透明膜,該樹脂組成物具有:含有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
作為此種觸控面板,具體而言,可列舉已說明之圖1及圖2所示者。
根據本發明,其係具有使用上述樹脂組成物形成之觸控 面板用透明膜者,故而可使使用此種觸控面板用透明膜形成之構件耐熱性優異。
本發明之觸控面板係具有上述透明基材、感測器電極及觸控面板用透明膜者。
以下,針對本發明之觸控面板之各構成詳細地進行說明。
再者,關於上述觸控面板用透明膜,與上述「B.觸控面板用透明膜」之項中所記載之內容相同,故而此處省略說明。
1.透明基材
作為本發明中之透明基材,可使之與通常用於觸控面板中者相同。具體而言,為玻璃等無機材料即可,可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯等樹脂材料。
又,作為透明基材之厚度,較佳為成為具有可撓性之膜狀者,於上述絕緣基材具有樹脂材料之情形時,具體而言,較佳為設為50 μm~300 μm之範圍內。
2.感測器電極
本發明中之感測器電極係形成於上述透明基材上者,通常具有第1電極及與上述第1電極絕緣之第2電極。
作為上述第1電極及第2電極之配置樣態,只要可檢測出觸控操作,則並無特別限定,例如,可設為如已說明之圖1~圖3或圖4所示般使第1電極與第2電極兩者形成於透明基材之一表面上、且於兩電極之間形成有電極間絕緣層的樣態,及如圖5所例示般使第1電極與第2電極分別形成於透明基材之一表面與另一表面上的樣態。於本發明中,尤以於第1電極與第2電極之間形成有電極間絕緣層之樣態較佳。其原因在於,使上述電極間絕緣層上之電極為透明電極, 於形成該透明電極時進行高溫熱處理步驟,亦可使用上述觸控面板用透明膜作為上述電極間絕緣層,藉此可使電極間絕緣層之劣化較少。因此,可更有效地發揮本發明之效果。
再者,已說明之圖1~圖3係表示電極間絕緣層以被覆第1電極之一部分之方式形成的例,即電極間絕緣層形成於第1電極及第2電極俯視上重疊之部位的例。又,圖4係表示電極間絕緣層以被覆第1電極整體而形成之例。又,圖4及圖5中之符號表示與圖1~圖3相同之構件,故而此處省略說明。
作為上述第1電極及第2電極,只要為具有所需之導電性者即可,可為使用具有透明性之透明電極材料而形成之透明電極,亦可為使用具有遮光性之遮光性電極材料而形成之遮光電極。
於本發明中,尤以於在上述第1電極與第2電極之間形成有電極間絕緣層之情形時,以被覆上述電極間絕緣層之方式形成之電極、即上述電極間絕緣層形成後所形成的電極為透明電極較佳。其原因在於,可更有效地發揮使用上述觸控面板用透明膜形成上述電極間絕緣層帶來之效果。
作為上述透明性電極材料,具體而言,可列舉:氧化銦錫(ITO)、氧化鋅、氧化銦、添銻氧化錫、添氟氧化錫、添鋁氧化鋅、添鉀氧化鋅、添矽氧化鋅,或氧化鋅-氧化錫系、氧化銦-氧化錫系、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂系等金屬氧化物,或複合有2種以上該等金屬氧化物之材料。
又,作為遮光性材料,例如可使用日本專利特開2010-238052號公報等中所記載者。具體而言,可使用鋁、鉬、銀、鉻等金屬及其合金等。可使用觸控面板中通常所使用者。
關於上述第1電極及第2電極俯視上之圖案及厚度,可使之與通常之觸控面板相同。具體而言,可設為日本專利特開2011-210176號公報或2010-238052號公報中所記載之圖案等。
3.觸控面板
本發明之觸控面板係具有上述透明基材、感測器電極及觸控面板用透明膜,亦可視需要具有其他構成。
作為此種其他構成,可設為觸控面板中通常者,例如可列舉:連接於上述感測器電極上之引導配線、及由引導配線連接於感測器電極上之外部連接端子等。
作為本發明之觸控面板之製造方法,只要為可精度良好地形成各構成之方法,則並無特別限定,例如可列舉:如圖6所例示般,於透明基材1上使用ITO形成透明電極材料層2X(圖6(a)),於透明電極材料層2X上形成圖案狀之抗蝕層,將上述抗蝕層作為遮罩,對上述透明電極材料層2X進行蝕刻,並實施熱處理,藉此形成第1電極2a;繼而,使用上述樹脂組成物形成樹脂組成物層10X(圖6(c)),曝光成圖案狀,繼而進行顯影,藉此形成圖案狀之電極間絕緣層3(圖6(c));其後,形成透明電極材料層2X(圖6(d)),將抗蝕層作為遮罩對透明電極材料層2X進行蝕刻,實施熱處理,藉此形成第2電極2b(圖6(e));其後,以被覆具有第1電極2a及第2電極2b之感測器電極2之方式使用上述樹脂組成物形成樹脂組成物層10X(圖6(f)),曝光成圖案狀,繼而進行顯影,藉此形成圖案狀之保護層4,藉此獲得電極間絕緣層3及保護層4為上述觸控面板用透明膜10之觸控面板20的方法(圖6(g))。
再者,本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示,與本發明之申請專利範圍中所記載之技術思想實質上具有相 同構成、取得相同作用效果者均包括於本發明之技術範圍中。
[實施例]
以下,例示實施例,進一步具體地說明本發明。
[合成例1]
於三甲氧基(甲基)矽烷16.3 g、三甲氧基苯基矽烷11.5 g、γ-丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷5.15 g、4-羥基-4-甲基-2-戊酮50.0 g之混合溶液中,滴加離子交換水10.8 g及磷酸0.08 g之混合溶液。於液溫40℃下攪拌1小時後,將液溫設為60℃攪拌1小時。其後,歷時30分鐘使液溫升溫至100℃,一面將反應中所生成之甲醇及水蒸餾去除一面進而攪拌120分鐘。於所獲得之溶液中追加4-羥基-4-甲基-2-戊酮使矽氧烷濃度為40重量%,獲得聚矽氧烷熔液(i)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為7,500。
[合成例2]
於三甲氧基(甲基)矽烷15.0 g、三甲氧基苯基矽烷7.9 g、γ-丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷11.7 g、4-羥基-4-甲基-2-戊酮50.0 g之混合溶液中,滴加離子交換水10.8 g及磷酸0.08 g之混合溶液。於液溫40℃下攪拌1小時後,將液溫設為60℃攪拌1小時。其後,歷時30分鐘使液溫上升至100℃,一面將反應中所生成之甲醇及水蒸餾去除一面進而攪拌120分鐘。於所獲得之溶液中追加4-羥基-4-甲基-2-戊酮使矽氧烷濃度為40重量%,獲得聚矽氧烷溶液(ii)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為7,000。
[合成例3]
於三甲氧基(甲基)矽烷16.3 g、三甲氧基苯基矽烷11.5 g、3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸5.8 g、4-羥基-4-甲基-2-戊酮50.0 g之混合溶液 中,滴加離子交換水10.8 g及磷酸0.08 g之混合溶液。於液溫40℃下攪拌1小時後,將液溫設為60℃攪拌1小時。其後,歷時30分鐘使液溫上升至100℃,一面將反應中所生成之甲醇及水蒸餾去除一面進而攪拌120分鐘。於所獲得之溶液中追加4-羥基-4-甲基-2-戊酮使矽氧烷濃度為40重量%,獲得聚矽氧烷熔液(iii)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為6,500。又,酸值為100 mgKOH/g。
[合成例4]
於三甲氧基(甲基)矽烷25.4 g、3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸3.6 g、4-羥基-4-甲基-2-戊酮50 g之混合溶液中,滴加離子交換水10.8 g及磷酸0.08 g之混合溶液。於液溫40℃下攪拌1小時後,將液溫設為60℃攪拌1小時。其後,歷時30分鐘使液溫上升至100℃,一面將反應中所生成之甲醇及水蒸餾去除一面進而攪拌120分鐘。於所獲得之溶液中追加4-羥基-4-甲基-2-戊酮使矽氧烷濃度為40重量%,獲得聚矽氧烷溶液(iv)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為8,500。又,酸值為100 mgKOH/g。
[合成例5]
於三甲氧基(甲基)矽烷10.2 g、三甲氧基苯基矽烷19.8 g、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷18.5 g、4-羥基-4-甲基-2-戊酮50.0 g之混合溶液中,滴加離子交換水14.0 g及磷酸0.022 g之混合溶液。於液溫40℃下攪拌1小時後,將液溫設為60℃攪拌1小時。其後,歷時30分鐘使液溫上升為100℃,一面將反應中所生成之甲醇及水蒸餾去除一面進而攪拌120分鐘。於所獲得之溶液中追加4-羥基-4-甲基-2-戊酮使矽氧烷濃度為40重量%,獲得聚矽氧烷溶液(v)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為7,000。
[比較合成例1]
於有機烷氧基矽烷中,使用三甲氧基(甲基)矽烷10.9 g、三甲氧基苯基矽烷5.6 g、3-三甲氧基矽烷基丙基琥珀酸5.8 g、γ-丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷16.4 g,除此以外,以與合成例1相同之方式獲得聚矽氧烷溶液(vi)。所獲得之聚矽氧烷之重量平均分子量為7,500。又,酸值為100 mgKOH/g。
[比較合成例2]
於氮氣氣流下、100℃下,歷時3小時將甲基丙烯酸苄酯30重量份、甲基丙烯酸甲酯38重量份、甲基丙烯酸18重量份、及過氧-2-乙己酸三級丁酯(PERBUTYL O:商品名,日本油脂股份有限公司製造)之混合液滴加至添加有丙二醇單甲醚乙酸酯150重量份之聚合槽中。滴加結束後,進而於100℃下加熱3小時,獲得聚合體溶液。該聚合體溶液之重量平均分子量為8,000。繼而,於所獲得之聚合體溶液中,添加甲基丙烯酸環氧丙酯14重量份、三乙基胺0.2重量份、及對甲氧基苯酚0.05重量份,於110℃下加熱10小時,藉此進行主鏈甲基丙烯酸之羧酸基與甲基丙烯酸環氧丙酯之環氧基之反應。反應中,為防止甲基丙烯酸環氧丙酯之聚合,於反應溶液中使空氣起泡。所獲得之顯影性有機聚合物固形份為38重量%,酸值為75 mgKOH/g,重量平均分子量為10,000。又,該顯影性有機聚合物之雙鍵當量為1,014。
[實施例1]
於黃色燈下,將異三聚氰酸三(2-丙烯醯氧基乙基)酯(Fancryl FA-731A,日立化成製造)之50% PGMEA溶液2.0 g、聚矽氧烷溶液(i)1.25 g、聚矽氧烷溶液(ii)1.25 g、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基丙-1-酮(UV-CURE D177,大同化成工業製造)之25% PEGMEA溶液0.5 g、低聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮(ESACURE ONE,Lamberti公司製造)之10% PEGMEA溶液1.25 g、MEGAFAC R08MH(DIC製造)0.125 g、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM-403,信越化學製造)之50% PEGMEA溶液0.25 g、環氧乙烷改質磷酸二甲基丙烯酸脂(KAYAMER PM-21,日本化藥製造)之50% PEGMEA溶液0.25 g混合並進行攪拌,獲得樹脂組成物1。
[實施例2]
使用聚矽氧烷溶液(iii)代替聚矽氧烷溶液(ii),除此以外,以與實施例1相同之方式進行,獲得樹脂組成物2。
[實施例3]
於黃色燈下,將Fancryl FA-731A之50% PEGMEA溶液2.0 g、聚矽氧烷溶液(i)0.63 g、聚矽氧烷溶液(iv)1.88 g、UV-CURE D177之25% PEGMEA溶液0.5 g、ESACURE ONE之10% PEGMEA溶液1.25 g、MEGAFAC R08MH 0.125 g、KBM-403之50% PEGMEA溶液0.25 g、KAYAMER PM-21之50% PEGMEA溶液0.25 g混合並進行攪拌,獲得樹脂組成物3。
[實施例4]
使用聚矽氧烷溶液(ii)代替聚矽氧烷溶液(i),除此以外,以與實施例3相同之方式進行,獲得樹脂組成物4。
[實施例5]
於黃色燈下,將Fancryl FA-731A之50% PEGMEA溶液2.0 g、聚矽氧烷溶液(i)0.83 g、聚矽氧烷溶液(ii)0.83 g、聚矽氧烷溶液(v)0.83 g、UV-CURE D177之25% PEGMEA溶液0.5 g、ESACURE ONE之10% PEGMEA溶液1.25 g、MEGAFAC R08MH 0.125 g、KBM-403之50% PEGMEA溶液0.25 g、KAYAMER PM-21之50% PEGMEA溶液0.25 g混合並進行攪拌,獲得樹脂組成物5。
[實施例6]
使用聚矽氧烷溶液(ii)代替聚矽氧烷溶液(i),除此以外,以與實施例5相同之方式進行,獲得樹脂組成物6。
[實施例7]
使用季戊四醇三丙烯酸酯(ARONIX M305,東亞合成製造)之50% PEGMEA溶液1.0 g、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀(OGSOL EA-0200,Osaka Gas Chemicals製造)之50% PEGMEA溶液1.0 g代替Fancryl FA-731A之50% PEGMEA溶液2.0 g,除以此外,以與實施例1相同之方式獲得樹脂組成物7。
[實施例8]
使用二季戊四醇六丙烯酸酯(ARONIX M403,東亞合成製造)之50% PEGMEA溶液1.0 g、OGSOL EA-0200之50% PEGMEA溶液1.0 g代替Fancryl FA-731A之50% PEGMEA溶液2.0 g,除此以外,以與實施例1相同之方式進行,獲得樹脂組成物8。
[比較例1]
使用比較合成例2中合成之顯影性有機聚合物代替聚矽氧烷溶液(iii),除此以外,以與實施例1相同之方式進行,獲得樹脂組成物9。
[比較例2]
使用聚矽氧烷溶液(vi)2.50 g代替聚矽氧烷溶液(i)及聚矽氧烷溶液(ii),除此以外,以與實施例1相同之方式進行,獲得樹脂組成物10。
[比較例3]
使用聚矽氧烷溶液(vi)2.19 g代替聚矽氧烷溶液(i)及聚矽氧烷溶液 (ii),除此以外,以與實施例5相同之方式獲得樹脂組成物11。
[評價]
使用實施例及比較例中所獲得之樹脂組成物,製作樹脂膜及其追加烘烤樹脂膜,進行硬度、ITO密接性、透明性及耐黃變性之評價。
(1)追加烘烤前樹脂膜之製作
將所獲得之樹脂組成物旋轉塗佈(Mikasa股份有限公司,SPINCOATER 1H-DX2)於10 cm見方之玻璃基板或ITO基板上後,經由減壓乾燥製作薄膜。使用加熱板(AS ONE ULTRA HOT PLATE HI-400A)於90℃下預烘烤3分鐘後,利用曝光機(TOPCON TME-400 MICRO PATTERN EXPOSING SYSTEM)進行曝光,獲得膜厚1.7 μm之膜。繼而,使用顯影機、顯影液進行顯影後,於空氣中以230℃進行30分鐘後烘烤,獲得膜厚1.5 μm之樹脂膜。
(2)追加烘烤後樹脂膜之製作
將上述(1)之方法中所獲得之樹脂膜於空氣中以300℃進行60分鐘追加烘烤,獲得追加烘烤後之樹脂膜。
(3)硬度之測定
針對利用上述(1)之方法獲得之樹脂膜,基於JIS K5600-5-4鉛筆硬度而測定。將結果示於下述表1。
(4)ITO密接性之評價
將利用上述(1)及(2)之方法獲得之樹脂膜製作於ITO基板上,依據JIS K5400-8.5(JIS D0202)交叉切割試驗,評價對ITO表面之密接性。根據方格之剝離面積以如下方式進行判定。將結果示於下述表1。
5:剝離面積=0%
4:剝離面積=超過0%且為5%以下
3:剝離面積=超過5%且為15%以下
2:剝離面積=超過15%且為35%以下
1:剝離面積=超過35%且為65%以下
0:剝離面積=超過65%且為100%以下
(5)透明性之評價
對利用上述(1)及(2)之方法獲得之樹脂膜之膜厚1.5 μm、於波長400 nm下進行穿透率測定,藉由以下基準進行評價。將結果示於下述表1。
○:穿透率97%以上
△:穿透率94%以上且穿透率未滿97%
×:穿透率未滿94%
(6)耐黃變性之評價
針對利用上述(2)之方法獲得之樹脂膜,測定La*b*色空間,藉由以下基準進行評價。將結果示於下述表1。
○:-1.0<a*<1.0且-1.0<b*<1.0
△:-1.5<a*≦-1.0或1.0≦a*<1.5且-1.5<b*≦-1.0或1.0≦b*<1.5
×:-1.5≧a*或1.5≦a*或-1.5≧b*或1.5≦b*
根據表1可確認,實施例中可形成硬度、耐熱性優異之樹脂膜。

Claims (6)

  1. 一種樹脂組成物,其特徵在於包含有:具有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、具有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中,上述多官能性單體為具有三環骨架之化合物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂組成物,其中,具有磷酸化合物。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之樹脂組成物,其中,具有高折射率化劑。
  5. 一種觸控面板用透明膜,其特徵在於,其使用下列樹脂組成物所形成;該樹脂組成物包含有:具有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、具有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
  6. 一種觸控面板,其係具有:透明基材、及形成於上述透明基材上之感測器電極者;其特徵在於,其具有使用下列樹脂組成物所形成之觸控面板用透明膜,該樹脂組成物包含有:具有顯影性基且實質上不含自由基聚合性基之顯影性聚矽氧烷、 含有自由基聚合性基且實質上不含顯影性基之聚合性聚矽氧烷、及多官能性單體。
TW102111393A 2012-03-30 2013-03-29 樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板 TWI599585B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012082945A JP5902539B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 樹脂組成物、それを用いたタッチパネルセンサ用透明膜およびタッチパネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201348276A true TW201348276A (zh) 2013-12-01
TWI599585B TWI599585B (zh) 2017-09-21

Family

ID=49260273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102111393A TWI599585B (zh) 2012-03-30 2013-03-29 樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9430071B2 (zh)
JP (1) JP5902539B2 (zh)
KR (1) KR101679137B1 (zh)
CN (1) CN104204010B (zh)
TW (1) TWI599585B (zh)
WO (1) WO2013147028A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI630849B (zh) 2013-06-20 2018-07-21 Lg電子股份有限公司 導電薄膜及含有該導電薄膜的觸控面板
JP6250350B2 (ja) * 2013-09-30 2017-12-20 大日本印刷株式会社 樹脂組成物、それを用いたタッチパネル用透明膜およびタッチパネル
KR20160140681A (ko) * 2014-04-02 2016-12-07 도아고세이가부시키가이샤 수지 필름 또는 시트 형성용 광 경화형 조성물
WO2016002026A1 (ja) * 2014-07-02 2016-01-07 日立化成株式会社 転写形感光性屈折率調整フィルム
JP6438298B2 (ja) * 2014-12-25 2018-12-12 株式会社カネカ 新規感光性樹脂組成物とその応用
US20180074405A1 (en) * 2015-02-20 2018-03-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Transfer-type photosensitive refractive index adjustment film, method for forming refractive index adjustment pattern, and electronic component
WO2017169763A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 東レ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する表示装置、並びにその製造方法
JP2017206637A (ja) * 2016-05-20 2017-11-24 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂層付き基板及びその製造方法、導電層付き基板及びその製造方法並びにタッチパネル。
CN111373325B (zh) * 2017-11-21 2023-10-17 东丽株式会社 硅氧烷树脂组合物、固化膜及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008225136A (ja) 2007-03-14 2008-09-25 Sony Corp 光学補償フィルム及び液晶表示装置
JP2010039052A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Sekisui Chem Co Ltd 感光性組成物及びパターン膜の製造方法
JP2010065192A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 放射線硬化性組成物及びその硬化物
JP5589387B2 (ja) * 2008-11-27 2014-09-17 東レ株式会社 シロキサン樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用保護膜
JP5751249B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 コニカミノルタ株式会社 ハードコートフィルム、その製造方法、偏光板、及び液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013147028A1 (ja) 2013-10-03
TWI599585B (zh) 2017-09-21
CN104204010A (zh) 2014-12-10
CN104204010B (zh) 2017-02-22
US9430071B2 (en) 2016-08-30
JP5902539B2 (ja) 2016-04-13
US20150116234A1 (en) 2015-04-30
JP2013213864A (ja) 2013-10-17
KR101679137B1 (ko) 2016-11-23
KR20140138815A (ko) 2014-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI599585B (zh) 樹脂組成物、使用其之觸控面板感測器用透明膜及觸控面板
TWI659268B (zh) Transfer film for touch panel
TWI597265B (zh) A photosensitive resin composition, a protective film or an insulating film, a touch panel, and a method of manufacturing the same
TWI717480B (zh) 轉印膜、電極保護膜、積層體、靜電電容觸控面板的製造方法、靜電電容型輸入裝置、靜電電容型輸入裝置的製造方法以及轉印膜的製造方法
KR101424509B1 (ko) 유기보호막 조성물
KR20130070563A (ko) 네거티브형 감광성 수지 조성물, 그것을 사용한 보호막 및 터치 패널 부재
US10795515B2 (en) Transfer film, electrode protective film for electrostatic capacitance-type input device, laminate, method for manufacturing laminate, and electrostatic capacitance-type input device
KR20180101465A (ko) 전사 필름, 정전 용량형 입력 장치의 전극 보호막, 적층체 및 정전 용량형 입력 장치
JP2013140329A (ja) 透明導電膜用感光性組成物
JP2013095796A (ja) エネルギー線硬化性樹脂組成物
JP2017068007A (ja) 感光性樹脂組成物
JP2016056341A (ja) 硬化性組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、タッチパネル及び表示装置
TW202012187A (zh) 轉印薄膜、積層體及圖案形成方法
JP6250350B2 (ja) 樹脂組成物、それを用いたタッチパネル用透明膜およびタッチパネル
KR102542864B1 (ko) 적층 기재, 커버글라스, 터치패널 및 적층 기재의 제조 방법
TW201718248A (zh) 轉印型感光性折射率調整膜
JP2017044976A (ja) 感光性樹脂組成物
WO2017155003A1 (ja) 転写フィルム、電極保護膜、積層体、静電容量型入力装置、静電容量型入力装置の製造方法、および転写フィルムの製造方法
TWI807093B (zh) 積層體、積層體的製造方法及靜電電容型輸入裝置
TW202126487A (zh) 轉印薄膜、積層體之製造方法
KR20220056200A (ko) 조성물, 조성물의 제조 방법, 경화막, 전사 필름 및 터치 패널의 제조 방법
TW202136906A (zh) 積層體的製造方法、積層體、觸控感測器
CN116299792A (zh) 抗黏附硬涂膜
WO2021246366A1 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法