TW200401152A - Electrochemical display element and electrochemical display device - Google Patents

Description

200401152 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ==係關於-種可利用電化學之氧化還原而使材料變 色作為原理之電化學顯示元件。 【先前技術】 =隨著網路的普&，以往以印刷物形狀發 ==所謂電子文件發信。進十以書籍或雜諸等 明电子出版的形式所提供的情形增多。 :閱覽此等資訊，以往係從電腦的Crt或液晶顯示器來 ::發光型之顯示器就人體工學之理由常被指嚴重 設置場所。 州閱…’ “场所僅限於電腦的 ^之筆記型電腦的普及亦可使用作為攜帶型之顯示器 光之發光型因消耗電力之關係，此亦無法使用於數 :、若=:閱胃。近年’雖然反射型液晶顯示器亦被開發 吏用此，可以低消耗電力進行驅動，但， 顯示（白色顯示）的反射率為3〇%，就此，比 … 辨識性明顯更差，县甚* Λ 、’氏上之印刷物’ 讀。更差編疲勞，此亦無法承受長時間的閲 為解決此等之問題點，最近，所謂類紙型顯示器或電子 紙張正在開發中，Μ主要係藉電泳法使 間移動’使具有雙色性之粒子在電場，旋轉，： ’此等方法中，粒子間的間隙會吸收光，。但 變差，又，若使進行驅動之竭，以上，無法獲：： 82404 用上之寫入速度（1秒以内）。 依據電化學之作 、 (Electrochromic)顯示财進行發色之電致變色 述電泳方式等還優，，,彳)中，就對比之高低’比上 。作1光玻… 离或手錶用顯示器已被實用化 5 周光玻离或手錶用顯示器中 之必要性，故在如雷工& 十I…祀丨早,¾動 又，… 氏張之顯示器用途中係無法適用， 又般上黑色之品質差，反射率低。 又，在如電子紙張之顯示 ,, ^ Ύ 具用途上，連續曝霞於 太陽光或室内光等之光m备於 6 # ^ ^ —在如3周光破璃或手錶用顯示器 巳被只用化之電致變色顯 裔 m ''、袭置中為形成黑色的部份，可 使用所需之有機材料。 一 τ ，長時H#用““ 般，有機材料係缺乏耐光性 長時間使用時會產生所謂褪 。又，顯示裝置已知有記載於特八問題點 驅動者，<曰驅動元件不3 θ谱/ ·7°764號公報之矩陣 驅動兀件不過是構成液晶顯示裝置的—部八。 决如此技術性課題’以電化學之盥 變化之材料可使用金屬離子’又，溶解此者可使仃顏色 色之高分子電解質，並可矩陣驅動，白色著 濃：之電化學顯示元件及電化學顯示裝置已被提：及= ’在特性面上，尤其循環特性上尚不 〜 之柃汁。又，氧化還原反應之適當控制不充分， 日寺之消失殘存，亦即有殘像會發、丁刀換 降低。 *亦有關晝像品質的 因此，本發明係有鑑於上述之習知問題點而創新者 毛明之目的在於提供-種循環特性優且顯示品質優之電化 82404 學顯示元件及電化學顯示裝置以及其製造方法。 【發明内容】 達成上述目的之本發明的電化學顯示元件係包括：第】 透明電極；電解質I’其係含有-藉由著色手段及電化學 。選原氧化A伴(T边此之析出溶解而發色之發色材料；第2 電極i其係在與上述第i透明電極之間夹著上述電解質層； 及’第3電S ’其係與上述第1透明電極及上述第2電極獨 如以上般所構成之本發明的電化學顯示元件，係藉由具 有與上述第1透明電極及第2電極獨立之第3電極，發色材料 之析出溶解時的反應狀態不受到^透明電極及第2雷極之 =響’而可正確檢測出。藉此，在電極中充分析出或電化 學反應進行之時點可確實被檢測出’依據此檢測結果而杵 制驅動，可確實地控制驅動。又，藉由確實地控制驅動， 了防止反應之過度谁許7 丁亚可防止起因於反應之過度進行 的副反應發生。 又，達成上述目的之本發明的電化學顯示裝置，係使電 化學顯示元件呈複數個、面狀排列，而該電化學顯示元件 係包括：第1透明電極；電解質I，其係含有藉著色手段及 電化學之還原氧化、及侔帏 — 牛Ik此之析出洛解而發色之發色材 料，第2電極，其係在盘卜a、坌彳.泰招♦丄 τ仕興上述第丨透明電極之間夾著上述電 解質層；及，第3電極，jl栘& μ , 具你與上述苐1透明電極及上述第： 電極獨立。 係構成該 如以上般所構成之本發明的電化學顯示裝置 82404 電化學顯示裝置之電化學顯示元件藉由具有與上述第^透 明電極及第2電極獨立之第3電極’發色材料之析出溶解時 的反應狀態不受到第1透明電極及第2電極之影響，而可正 確仏測出藉此’在電極中充分析出或電化學反應進行之 =點可確實被檢測A ’依據此檢測結果而控制驅動，可確 實地控制驅動。又，藉由確實地控制驅動，可防止反應之 過度進订’亚可防止起因於反應之過度進行的副反應發生。 、成上述目的之本發明的電化學顯示元件之製造方 法’係具有如下步驟：於透明支持體上形成幻透明電極; :成電解質層之步驟，而該電解質層係含有一藉由著色手 及電化卞之還原氧化、及伴隨此之析出溶解而發色之發 色材料；形成第2電極之步驟’而該第2電極係在與上述第^ 透月電極之間夹著上述電解質層；及，形成第3電極之步驟 而5亥第J電極其係與上述第〗透明電極及上述第2電極獨 立 ° ，如以上般本發明的f化學顯示元件之製造方法中，係為 製作與上述第1透明電極及第2電極獨立之 一種發色材料之析出溶解時的反應狀態不受到第1透明電 極及第2電極之影響’而可正確檢測出之元件。藉此，可製 乍可確實地控制，驅動，並防止起因於反應之過度進行的 劍反應發生之電化學顯示元件。 、又j達成上述目的之本發明的電化學顯示裝置之製造方 法’係具有如下步驟··於透明支持體上形成第i透明電極； /成電解貝層之步驟’而該電解質層係含有一藉由著色手 82404 200401152 段及電化學之；罗店e U原乳化、及伴隨此之析出溶解而發色之 色材料；形成第9雷托少丰_ 、 乂弟-电極之步驟，而該第2電極係在與上述第！ 透明電極之間央罢_卜诂f β 者上it電％貝層；及，形成第3電極之步 ，而該第3電極j： #盥卜、+，曾 '心…、上述第1透明電極及上述第2電極獨 立。 如以上般本發明的電化學顯示元件之製造方法_係 作電化學顯示元件 ^鈞衣作與上述弟丨透明電極及第2電 極獨：之第3電極，可製作-種發色材料之析出溶解時的反 應狀怨不文到以透明電極及第2電極之影響，而可正確檢 測出之顯示裝置。藉此，可製作一可確實地控制驅動，並 起因於反應之過度進行的副反應發生之電化學顯示 【實施方式】 以下，參照圖面而詳細說明本發明。又，本發明係不限 下之救述’而在不超出本發明之要旨範圍可做適當 本發明的電化學顯示元件係包括：第 a 乐1遗明電極；電解質 層，其係含有一藉由著色手段及電化學 _ , 甲足還原氧化、及伴

Ik此之析出溶解而發色之發色材料；第 … 乐包極，其係在與上 述第1透明電極之間夾著上述電解質屛. , 貝增，及，第3電極，其 係與上述第1透明電極及上述第2電極獨 、 。而且，本發明 的電化學顯示裝置，係使如此所構成之 複數個、面狀排列者。 電化學顯示元件呈 圖1表示適用本發明而構成之電著型領 .肩7^裝置即電著型 82404 200401152 顯示裝置1的重要部分立體圖。又，圖2係圖1φ , 斷面圖，闰q # τ 系圖1 _之A - Α線的 辦面圖，圖3係平面圖。如圖 ® , —圖J所不般’電著型領示梦 置i係使電化學顯示元件 包f U不裝 學顯示元件係呈 、面狀排列者，而該電化 TFT(ThlnF1 _透明像素電極3,其係藉由驅動元件極 屬：子：— 電極之第解質層5;共通於作為對向於第1透明 ::之第2電極的各像素之共通電極6。而且 具備呈與透明傻音命代W门 /、符徵在於 象素电極3相同面狀之第3電極8。 在電著型顯示裝置丨中係以一個一 極3與丁FT 4而構成〗德妾μ十4 达月傢素电 象素的方式形成的’在透明支持體2上 谷像素呈矩陣狀排列。 ^支相2可使用石英玻璃板、白板玻璃板等之透明玻 ‘:但不限定於’此可舉例如：聚萘酸乙二醋、聚對 :甲酸乙二醇_等之§|、聚醯胺、聚碳酸酿、醋酸纖維 =之纖維素I旨、聚氣化乙婦、聚四氣乙烯_六氣乙烯尊之 °物、聚甲齡等之聚醚、聚縮路、聚笨乙稀、聚乙烯 烯甲基戊烯聚合物等之聚烯烴、及聚醯亞胺-醯胺 ^ ^ η± ^ „ 寺之‘醯亞胺。使用此等合成樹脂作為支持 ^^日车，介 '、可形成不易彎曲之剛性基板狀，但，亦可形成具 有可撓性之薄膜狀的構造體。 透明像素電極3係在略矩形或正方形圖案上所形成的透 明導·雷* 胳· 騰所構成的，如圖1及至圖3所示般，各像素間分 離，在1 Α '、 〜'、—邛分每一像素配設TFT 4。在透明像素電極3中 使用以^η2〇3與Sn〇2、或此等之混合物作為主成分所謂 82404 -10- 200401152 I丁〇膜或 Sn〇2 或 Ιπ，0';φ-φ — 3主復的溥膜。又此塗覆此等ΙΤ〇膜

Sn02或Iri2〇3之膜上亦。 ^

Zn〇等。 、 夕入〜或Snb者，亦可使用Mg〇或 ，象素上所心成之TFT 4係藉本圖示之配像而選擇，控 制對應之透明像素電極3。TFT 4用來防止像素間之串㈣ 極有效。TFT 4係以例如占有透明像素電極3之—角的方式 形成的，但’透明像素電極3亦可為在TFT 4與積層方向重 ®的構造。又’在圖丨乃至圖3中’ TFT罐以有透明像辛 電極3的-角之方式形成的，但，抓4如後述般亦可占有 第2極m之-角的方式所形成的。繼而’此時d極體亦可 為在TFT 4與積層方向重疊的構造，在第2電極之__角配置 TFT 4時，一般為如此之構造。 TFT 4具體上係連接問極線與數據線，在各閘極線上連接 各TFT 4之閘極電極，在數據線上連接各tf丁 4之源極、汲 極之者’其源極、汲極之另一者係電氣連接於透明像電 極3。又，使TFT4配線於第2電極體時，源極、汲極之另一 者係電氣連接於第2極體。又，驅動驅動器ic等TFT 4以外 之驅動元件係平面型顯示器所使用之矩陣驅動電路，只要 可形成於透明基板上者，亦可為其他材料。 含有金屬離子之電解質層5可以電解液或高分子電解質 來構成。此處，電解液係可使用溶劑中含有金屬鹽或烷基 四級銨鹽而形成者。此處，電解液之溶劑可使用包括：水 、乙醇、異丙醇、碳酸丙烯酯、二甲基碳酸酯、碳酸乙烯 酯、丁内酯、乙腈、環丁颯、二曱氧基乙烷、二甲基曱 82404 11 200401152 酿I胺、一 ® τγ —甲亞碾、或此等之混合物。 又使用於兩分子電解質之某曾 骨架單元、編…: 材)高分子宜為在主 胺、烷心祕.早 ，、兩者’具有烯化氧、烷撐亞 相显單：：=重複單元的高分子材料、或含有複數此等 ”早兀之共4合物、或聚甲基丙烯 化乙烯m 7⑼m曰何生物、聚鼠 等m机 聚丙烤猜、聚碳酸醋衍生物、或此 ^•八：：。又’電解質層由高分子電解質所構成時，由 積芦龍“貝層了為早-層，又’亦可為 田复數之向分子電解質層的積層構造。 如以上之基質高分子传可添力。a斗、女』办 十係j添加水或有機溶劑，可使用來 為使此專膨潤者。尤置如要喪 ^ 兀”要求應答速度等時，藉由添加 此4之可塑劑，其中所含有 所3有之離子的移動會更容易，故宜 在基貝尚分子中添加水或有機溶劑而使用之。 ^，依據基質高分子之特質及所希望之電化學反應，需 要親水性時，宜添加、乙醇、異丙醇及此等之混合㈣， 需要疏水性時’宜添加石炭酸丙烯醋、二甲基碳酸醋 '碳酸 乙烯m内醋、乙腈、環丁域、二甲氧基乙貌、乙醇 、異丙醇'二f基甲醒胺'二f亞礙、二甲基乙醯胺、n_ 甲基峨咯烷酮及此等之混合物。 在本發明之電著型顯示哭 1顯不态裝置1令，係含有金屬離子作為 在電解質層5中藉雷化聲 、/ T楮龟化学之還原氧化與伴隨此之析出、溶解 而進行發色之發色材料。繼而’藉由該金屬離子之電化學 的析出溶解反應變成發色及消色，進行顯示。若換言之， 係著眼於使所謂之電解電錢與其溶出反應可逆性地產生。 82404 200401152 如此’藉由電化學的析出、溶解，而可實現發色與消色之 金屬離子並無特別限定，但’可例示離子包含：鉍、銅、 銀、鈉、链、鐵、鉻、鎳、編之各離子、或此等之組合。 又，其中尤佳之金屬離子為鉍、銀。此係鉍或銀可很容易 地進行可逆反應，且析出時之變色度很高。 又’在電解質層5中係藉由添加一種鹽作為支持電解質鹽 (而該鹽係含有與使析出溶解之金屬離子種相異的離子種） ’俾使電化學之析出溶解反應更有效果且安定地進行。如 此之支持電解質可舉例：鋰鹽、例如LiC卜LiBr、Lil、LiBF4 、LiC104、LiPF6、LiCF3S03 等 '或卸鹽例如 kci、KI、KBr 等、或納鹽、例如’ NaCl、Nal、NaBr·、或四烧基四級銨 鹽，例如硼氟化四乙基銨鹽、過氯酸四乙基銨鹽、硼氟化 四丁基銨鹽、過氯酸四丁基銨鹽、四丁基銨_化物鹽等。 又，上述四級銨鹽之烷基鏈長亦可不一。 又’在電解質層5中為提高對比 π人 η对比，可含有例如無機顏料、 有機顏料等之著色劑作為著 二 可巴于奴。如則述般，當金屬離 子之發色為黑色時，可莫λ ^ a ^ 巴之隱蔽性高的材料作為背 景色。如此之材料可使用例 者色用之白色粒子，著色用 之白色粒子係可使用二氧仆 发 化鈦、奴酸鈣、氧化矽、氧化鎂 、乳化鋁。又，亦可使用用來著色之色素。 :者色之比例’當為無機粒子時’宜為1 wt%〜20 Wt/o，更宜為 1 wt〇/0〜1〇 /0 ,取宜為5 Wt%〜1() wt%。此 時，若混合著色劑之比率拫 ^ 無法仔到所希望之著辛， 反之’若混合著色劑之比率很 所3有之離子量會降低 82404 -13 - 200401152 ，進—步電解質之導電性會降低。因此，藉由以如上述之 比率总合著色劑’不會產生此等之不佳情形，而可實現良 好的著色狀態。 二在由電高分子電解質層所構成的電解質層蚪混合無 乍為*色劑時，電解質層之膜厚宜為2〇μΐη〜2〇0μιΏ ，更且為50 pm〜15〇 μπι，最 取且為70 μηι〜150 μπι。電解質 曰的厗度係薄者電極間之電阻會變+，ρ # ΗI # , ^ 時間之降依志岵，. r又小，關係到發色、消色 為2〇 ，-3/毛電力的降低，故佳。若電解質層之厚度 :以下_械強度會降低而產生針孔或龜裂，故不佳 又’電解質層的厚廣太笔 ,,Λ., ’守’白色粒子之混合量會變少 故白色性(光學濃度)會變得不充分。 里曰^ 又 使用色素系之基士 左右。此係色素之 …混合比率亦可為1〇 Wt% 為電化學上安、:遠比無機粒子還高。因此，若 且使用油溶性染料作為色素。 ‘.··貞見對上。-般 繼而’電解質厗、 解質所構成之電it:二解/所構成時，由高分子電 層之積層構造，伯 、是數之尚分子電解質 分的層含有^ ’此時’上述著色手段係藉由只在-部 '于到上述之效果。 $解貝層5申為可逆 其金屬之析出溶解〜 以地進仃電化學反應，尤 澤劑、錯合劑、還^添加成長阻礙劍、應力抑制劑、光 此之添加劑宜為|備W之中至少-種類以上的添加劑。如 “勿’例如可添加至少“子之基的有機化 種選自硫尿素、1-埽丙基-24尿 82404 200401152 素、氫硫基苯并咪唑，香豆素、對苯二曱酸、琥珀酸、水 揚酸、乙醇酸、二甲胺硼（DMAB)、三甲胺硼（TMAB)、酒 石酸、草酸及D-葡萄酸-1，5-内酯。尤其，在本發明中，係 添加一種依據下述化學式丨所示之氫硫基烷咪唑的氫硫基 苯并咪唑，而可逆性會提高，同時在長期保存性、高溫^ 存性中亦可得到優異之效果，故佳。 3

SH 式 學 化 (其中，R1、R2、R3分別為

CnH2+i[n為〇以上之整數]所示之氫原子或烧基取代基） 繼而’在具有如上述構成之系的電著型顯示裝置中，當 進行電化學化應，有時會產生特定反應以外之副反應。例 如’當在電解質層5中含有一具鹵化物的鹽時，此係依據電 位而藉下述化學式2所示之反應從離子狀態被氧化。而且， 隨此’產生所希望之發色以外的發色。 L · + 2e-钤 21- (0.536V) 、

Br2 + 2e- ^ 2Br- (1.065V) ^ ^ ^ • . ·化學式2

Cl2 + '2θ- <=> 2C1- (1.360V) ^ (上述值為在水溶液中之標準電極電位） 因此，為解決此不必要之發色的產生’必須控制上述副 82404 -15- 200401152 反應’且還原被氣 之還原劑，添加 辛广’還原劑係可使用〜教 宜為例如抗壞血酸化4曰作為添加劑。如此之還原， 三烧基醇胺等。暑或通式為以下述化學式3所示之

/ ^ CnH2n^〇H • ••化學式3

V CnH2n+〇H

(CnH2n~)~〇H 二在本^明中係三烷基醇胺種，以下述化學式4所示 古、s乙醇胺’因添加於f解f層5中而即使在長期保存性、 鬲溫保存性中亦可得到優異之效果，故佳。 ^藉特弋之反應以外的副反應產生還原反應時，係添 加·氧化劑。因此，發色材料析出時，即使第1透明電極及第 一屯極之任者可產生，且用以抑制主要起因於陰離子種的 副反應之還原劑或氧化劑宜包含於上述電解質層中。

/ ( C2H4~h〇H

Nff· G2H4+〇H . · ·化學式4 \ ( c2h4+oh 形成共通電極6作為與第1透明電極對向之側所配置的第 2電極°此共通電極6只要為電化學上安定的金屬任一者均 "T，但較佳者係白金、鉻、紹、钻、|巴、錢、銀等，在支 持體7上形成由金屬薄膜等之良導體所構成的薄膜來製作 82404 -16- 200401152 之進一步’若可預先、或隨時充分地補充使用於主反應 之金屬’可使用碳作為共通電極。使用碳’可謀求電極之 低k栳化。使此碳擔持於電極上的方法有例如使用樹脂使 碳油墨化，印刷於基板面之方法。 又，S使¥j述之叙或銀析出溶解之系時，第2電極係藉由 使用與此等析出溶解之金屬種相同者，可實現電化學上安 定的電極反應。 支持體7係不須為透明，可使用一種能確實地保持共通電 極6或電解質層5之基板或薄膜等。若例示，可使用石英玻 璃板 '白板玻璃板、陶瓷基板、低基板、木材基板等，但 ’不限於此，而合成樹脂基板亦可使用聚萘酸乙二酯、聚 對笨—甲酸乙二醇S|等之、聚酿胺、聚碳酸S旨、醋酸纖 維素等的纖維相、聚氟化乙烯、聚四氟乙烯·六氟丙稀等 之氟聚合物，”醛之聚醚、聚縮醛、聚苯乙烯、聚乙烯 、、聚丙烯、甲基戊烯聚合物等之聚浠烴、及聚醯亞胺_酿胺 或聚醚酿亞胺等之聚醯亞胺。 使用此等合成樹脂作為支持體7時，亦可形成如不易彎曲 之剛性基板狀，但亦可形成具有可撓性之薄膜狀的構造體 。又’第2極體本身乃—體構成作為共通電極，且當具有充 分剛性時’亦可不設有支持體7。 入’如圖1乃至圖3所 對 〜i心听電極側與第2電 向，保持兩支持體2、7之密封樹脂部9乃形成於周圍。 此密封樹脂部9可確實地保持兩支持體2、7、配設於此考 間透明像素電極3、TFT4、電解質層5、共通電… 82404 第·^电極8係與透明像素電極3及共帝 件而獨立形成Μ # 〆、屯極6電氣絕緣之構 巾成的。第3電極8係藉由透 極ό電極絕緣，摄加 心β彳冢常電極3及共通電 2 φ 、構件而獨立形成，不受透明像辛雷極3及it 通電極6的影響而可正確地月像素電極3及共 反應的進行情形。 、毛色材料之析出溶解時之 如此之第3電極8的材質係選擇 然溶出於媒質中日—— 凡王热關反應、不會自 極6同樣之白金：：金屬材枓’可舉例如：與共通電 、’ 'D、鋁、鈷、鈀、銀等。 圖4係電著型顯示裝置！之電 極3所構成的德妄充σ 田與透明像素電 象素乃呈矩陣狀排列，容量之A #冬 共通電極。嗖右里之對向像素極側為 ⑴與閘極線驅動電路丨 據線媒動電路12、 m m i± ^ 1錯由來自訊號控制部11之訊 琥而選擇特定的數據15 第3雷炻SΊ柽線14。從訊號控制部I 1係以 第3電極8連接之方式構成、 視像素部分的電位。藉此 來自第3電極8之訊號可監 6^f^m^^rxr± 又透明像素電極3及共通電極 q於警而可正確地檢 形。 、金屬析出洛解時之反應的進行情 如以上般所構成之本發明 一矩陣驅動。而；，=:示裝置”’係可使用 屬離子及著色劑，對_好解 =所含有之金 成為可能，實現顯示品質很 …色/辰度很南的顯示 置。 阿且辨識性優之電著型顯示裝 :而，在具有上述構成之本發明電著型 在苐1透明電極即透明像素 置中係 ’、電極3與弟2電極6之間進行通電 82404 -18- 200401152 ’隨者存在於此等透明像素電極3與第2電極6之間的電質層 中之離子移動，藉電化學反應產生金屬之析出溶解，顏色 會變化’進行發色。電解質層5因含有作為著色手段 劑’可提高於發色材料產生顏色變化 良好者。 力J肜成 此處，在只具有第i透明電極與第2電極，且不含第 之構造的電著型顯示裝置中’例如以電壓波形進行控:時 ’文電化學反應不只第i透明電極而第2電極之電"會^ 動以外部電壓波形控制在其變動狀態下之二極間的電位 差。進行如此控制時，會迷失第i透明電極原來應保有的電 位，無法進行所希望控制。此係無法將發色材料控制成所 希f之溶解或析出狀態。因此，在第2電極側之電位變動幾 乎沒有之系以外中。係以外部電壓波形控制二極間之電位 差’變成欠缺可靠性之控制。 然而’在電著型顯示裝置Η，係在第!透明電極即透明 像素電極3與共通電極6之間通電而以顏色變化進行顯示時 作為參照極之第3電極8係設置成從透明像素電極3及共通 電極6絕緣、獨立，故無直接相關於其電化學反應。 藉此不叉透明像素電極3及共通電極6之影響而可正確 地檢測發色材料之析出溶解時的反應進行情形。亦即，以 不變動之第3電極8的電位作為基準，並以發色材料析出溶 解時反應狀態作為電位而可檢測、掃描，故，可確實地产 測出在電極中進行充分析出或化學反應之時點。繼而，： 據此檢測結果，藉驅動亦即控制透明像素電極3與第2電極6 82404 « 19 - 200401152 之間的通電，可控制可靠性高之電化學反應。 此係所謂可使發色材料控制於所希望之、发, 心，合解或析出狀態 ’藉此，可適當地進行發色材料之發色、％ ^ ’巧巴之控制亦即 顯示之控制，所謂可控制可靠性高的顯示。 六链果，亦可 防上如/肖色3寸之消失殘留的現象，所謂殘像 的生’並可 構成辨識性優之電著型顯示器裝置。因此， — 仕电著型顯示 裝置1中，係可謂能實現顯示品質良好的電著型顯示裝置。 又’在電著型顯示裝置中，當無法確實的驅動控制時，。 會產生起因於反應過度進行之副反應，藉此， 性之劣化。 & w 然而’在電著型顯示裝置1中’如上述般，第3電極8係獨 立形成與透明像素電極3及共通電極6電氣絕緣之構件，可 减實地檢測在電極中充分析出或電化學反應之時點。繼而 ’依據此檢測結果而藉由控制酿私介〜 径初驅動亦即透明像素電極3與第 2極6之間的通電’可防止並 ，、 上之反應的進行。亦即，藉 由如此控制，可防止起因於 ^ c ^ "色材枓之析出溶解反應的過 度反應之副反應發生。里姓 S| s _ ^、，.。果趄因於特定之反應以外的 *J反應而可防止循環特性 、， m 名化’亚可大幅提昇循環特性 。因此，在電著型顯示裝置1中 眘Έ目目扯ώ r 知碏由具備第3電極8，玎 貫見”備良好循環特性之電著型顯示袭置。 其次，說明有上述電著型 電著型顯示裝置〗，首弁，：1不衣置1的製造方法。製作此 透明支持體2上形成由叮圖:所不’係於玻璃基板等之 TFT 4 膜所構成的透明像素電極3、與

IhT 4。IT〇膜可藉由 鍵、濺鑛等之習知公知的方法來形 82404 -20- 200401152 成’ TFT 4亦可使用公知之半導體製造技術 ， 在形成透明像素電極3之前，亦可對 才 接著性之處理。此等透明像素電 像素’各像素在透明支持體2上呈矩陣狀排二 ^間藉由蒸鑛、濺鍍或電料之以往公知㈣形 銀所構成之第3電極8。又，直後 y烕由 ”俊之步驟亦形成可 動電路之導線部（未圖示）。又 被·動矩陣構造時，全开^： 成所希望之薄膜後，藉公知之光 “ 成所希望之條紋狀。 先卩且技術進爾化而可形 其次，於透明支持體2上形成電 八工+切併& & 乂屯解貝層5。當形成例如高 刀子電解虞層作為電解質層5時， 電解質之基質(母材则八子二將成為南分子固體 質日成⑽旨、含有構成電解 貝且析出〉谷解之金屬種的臨 葛檀的鹽與支持電解質鹽進行混合， 色^色粒子含有可塑劑之狀態被分散調整成為著 ^驟與其平行而如圖6所示般，塗布高分子電解質枯料之 剐v驟，而對透明支持體2實 及表面改質。 ^乳處理，以進行洗淨 :::如圖7所示般’在uv臭氧處理後之透明支持體2上 子電解質材料而形成電解質層5。此處，含有—構 成電解質並析出溶解之金屬 從鹽’支持電解質鹽可使二了使用例如銀鹽、或 吏用例如鋰鹽、鉀鹽、鈉鹽、或四 鹽等之材料。再者，著色劑可使用例如氧化鈦、或 虱化鋁等。 次 82404 200401152 其次，如圖δ所示般，例如在由聚對酞酸乙二_所構成之 支持體7上’形成由特定膜厚之鈀膜所構成的共通電極6。 共通電極6係對支持體7施予提高接著性之處理後，可 錢/賤鍵、或電鍍等之以往公知的方法而形成。 曰 解；：圖9所示般’形成-由高分子電解質所構成之電 。繼而 以人對向之方式貼合形成共通電極6之支持體7 ^、，在貼合之端部如圖1〇所示般藉凡用之密封劑形 -封树月曰部9以彌封顯示部，完成電著型顯示裝置1。 射=於流動性高之高分子電解質中藉加熱或紫外線-=之手f’使基質高分子交聯反應而凝膠化。此情形係 9併用X聯助劑或光增感劑等’可有效率地促進凝膠化= 用二：Ϊ—由高分子電解質所構成之電解質層5之前，使 確保有流動性之二Πΐ:予度的狀態’亦可以 明支接二 質溶液的注入口之狀態貼合透 、/、支持體7。#者，以在液晶之製程中進行的方 利用毛細管現象之注入法，注入具有流動性之 =質溶液’然後，封住注…亦可製作電著型：：： 置1。藉由使用如此 生4不羞 有著色劑之”左入法。主入不含樹脂之電解液與含 /合液’可構成電著型顯示裝置1。 面二=而：貼合之透明支持體2與支持體7之間隔以 部亦可配故在透明支持體2與支持體7之外周緣 構件，又二=無機物等所構成的額緣狀之間距形成 '4球分散’亦可形成所希望之間隔…在不織布= 82404 -22-

I 薄膜中含有高分子電解質 為間距形成構件。電解貝的狀怨，'亦可使用其本身作 在上述中係說明有關主動矩 第1透明電極側亦即透明❹二广電極8被配置於 於此。 透月像素电極側之情形，但，本發明不 上述之電化學顯示元件 型者及被動矩± 夂上了&刀為主動矩陣 如上述般HTFT# 早幻者又，在主動矩陣型中 气老 ‘衣入作為作用極之第1透明電極側的型 式者、及將TFT裝入對極即第2電極側之型式者。 在主動矩陣中，堂走麼翻_ — &

§考慮顯不兀件之開口率_，為了 TFT 開口面積不減少，t主 。 為將FT裒入後者之第2電極側的型式 。又’為使作為在第丨透明電極側具備之第3電極的參照極 之有：性更活用，第3電極宜更接近作用極，在此情形下宜 為在前者之第丨透明電極側裝入TFT之型式。進一步，第3 電極之配置構造係可得配置於第丨透明電極側之構造、與配 置於對極即第2電極側之構造。 圖11係表示在後者之對極即第2電極側裝入TFT的型式之 電著型顯#元件-構成制斷面圖。此電著型顯示元件的構 成係具備：第2電極25 ’其係形成於支持體27上且藉驅動元 件即TFT 26而被控制；電解質層24 ;對向於第2電極25之第 一透明電極22;及第3電極23。繼而’第1透明電極以係於 透明支持體2丨上形成條紋狀，在每一該第i透明電極22的條 紋，第3電極23被配置於透明支持體2丨上。又，電解質層24 係由含有金屬離子與著色劑之電解液或高分子電解質所構 成’充填於第1透明電極2 2與第2電極2 5間之空隙部者。 82404 -23- 200401152 又，第3電極亦可呈網目狀織入很細的金屬線而形成的， 亦可使如此做法形成之第3電極，在第1透明電極與第2電極 之間’以各電極不短路的方式夾著不織布而配置成的。 圖1 2係在圖1所示$ ★接+ 線开表示呈網目狀織入很細金屬 ‘ ·死/成弟3電極而配置之雷其一— 罝之電者型顯不凡件一構成例的斷 圖。此電著型顯示元件構成係具借面 藉驅動元件即TFT 4而被素電極3,其係 H…… 透明電極；電解質層5 電;：極6’其係共通於作為對向於請明電極之第2 2極的各像素’·第3電極31。再者，第3電極_ 織入細金屬而形成的，以尤ώ3甘‘ 曰狀 以不與其他電極短路之方式，夾著 气布3 2之狀態配置於透明像f 極3盥I、s 又，電解質層5係由含有全屬與：通電極6之間。 蜀離子與者色劑之電解液哎离八 子電解質所構成，並充填於第丨 次巧刀 間之空隙部。 ㈣弟1透明像素電極3與共通電極6 又’即使在被動矩陣型中亦有；使 用極之第1透明電極側的型式； ：於作為作 第2電極側之型式者。 幻“3電極配置於對極即 電表示前者之第3電極配置於第1透明電極的型式之 成“備不：Γ構成例立體圖。此電著型顯示元件之構 取加具備·在透明支持體4丨上呈 電極化電解質層46;在對向於透明成之透明像素 素電極㈣第2電極45如圖14所詩及：3電極43。透明像 平行之方式配置，各條紋構造交U以各條紋構造互相 又之4分為顯示活性的區 82404 •24-

IJZ 域。而且，第兩 42、與在同—电，虽43係與呈條紋狀所形成之透明傻去令 /、 ° —基材上亦即透明支持4丨 ’、電極 條紋狀配置。 恭 、上只此平行且同數 之電解液或高分子Γ解f層46係由含有金屬離子與著色谢 電極，第2電極4:::空 圖15係表示於後者 -, 考之第2電極侧配置笫3雷in 者型顯示元件— 直弟3電極的型式之電 二… 午構成例的立體圖。此電荖刑驻- Έ 成係具備：於锈Μ 者玺顯示元件之構 電極d、透月支持體41上呈條紋狀所形成之透明“ 电極仏電解質層H支持體44上 成之透明像素 電極45 ’·第3雷炤仏上壬條紋狀所形成之第2 ° ° •明像素電極4 2盥望？兩扣： 所示般係各停9 第2电極45如圖16 分彳衆紋構造呈互相平行 造交又之部分為顯示活性的 ：且各條紋構 呈條紋狀所形成之第3 、。而，第3電極43係於與 44上與A平行且5 ^ ' & 45與在同—基材上亦即支持體 ,.^ 呈同數之條紋狀配置。又，電解質層46# 由含有金屬離子與著色劑之、$ ，並充填於第！透明像素、4?Λ 所構成 乂 ’、包11 2'、弟2電極45之空隙部者。 例作Α太“ ％者型顯…牛中的第3電極之配置 例作為本發明之具體實施形態。 透^去說明有關在被動矩Μ之電著型顯示元件中，於 形態乃至第7實施形下之第1實施 士〆 貝〜中成為基本之電著型顯示元件的構 ，糸未配置以往之3電極的標準被動型顯示 圖17及圖18所示之構成。亦gp甘祕a 稱成 ^亦即，其構成具備：於透明支持 體5i_L呈條紋狀所形成之透明像素電極52;電解質層w 82404 -25· 200401152 在對向於透明像素電極52之支持體53上呈條紋狀所形成之 ^電和 而且，如圖丨9所示般，透明像素電極52之兩端 係連接於透明像素電極引出料及透明像素電極引出部57 +又如=2G所示般’在透明像素電極52上係於該透明像素 %極52王正父般形成絕緣層58。此處，圖Η係從對極側觀 :透明支持體51之平面圖，圖2〇係在圖丨”之箭頭B的重要 4分擴大圖。纟以下中，係表示說明從對極側觀看形成透 明像素電極52之透明支持體51(以下有時稱為透明像素電 極基板）的平面圖及其重要部分擴大圖。 [第1實施形態] 第1實施形態係如圖21所示，係於透明像素電極基板以包 圍透明像素電極52側之全有效像素的方式配置線狀之第3 電極59的配置例。第3電極59係連接於第巧極引出部㈣、 61、62、63。繼而，如圖22所示般，透明像素電極52上伟 以正交於該透明像素電極52之方式形成絕緣層5“於配置 第3電極59的部分係如圖23所示於絕緣層巧上形成第3電極 59。如此，藉由以包圍全有效像素的方式配置第3電極，開 二率會提高，故可構成光引出效率良好的電著型顯示元件。 [卓2實施形態] 第2實施形態係如圖24所示’係於透明像素電極基板上* ^明像素電極52之餘料平彳向，以上下2條線狀的 弟3電極59夾著全有效像素的方式配置之配置例。上下％ 之第3電極59係分別連接於第3電極引出部6〇、61、第3電極 弓I出部62、63。繼而’如圖25所示般，於透明像素電極η 82404 -26- 200401152 上係以正交於該透明像素 此，藉由以上下+ — 52之方式形成絕緣層58。如 率合裎古象素的方式配置第3電極，開口 [第3實施形態] ^良好的電者型顯示元件。 第3實施形態係如圖2 6 透_ 一 口 0所不，係於透明像素電極基板上與 透月像素龟極5 2之條紋構诰六 ^ ^ , 〜正乂的方向，以左右2條線狀的 電極59夾著全有效像f的 今味 本I旳方式配置之配置例。左右2條 第3電極5 9係分別連接於坌q κ 3丨山* J疋僅尽弟3電極引出部6〇、63、第3電極 引出部61、62。繼而，如闻”私一，π y 圖27所不叙，於透明像素電極52 上係以正交於該透明像素電極52之方式形成絕緣層Μ。又 ’在配置第3電極59之部分，係如圖28所示於絕緣層58上形 成第^電極59。如此，藉由以左右夾著全有效像素的方式配 置第3电極’ ρ㈤口率會提高，故可構成光引出效率良好的電 著型顯示元件。 [第4實施形態] 第4實施形態係如圖29所示，係於透明像素電極基板上與 透明像素電極52之條紋構造平行的方向，在透明像素電極 5 2之條紋間形成同數之線狀的第3電極5 9之配置例。第3電 極59係分別連接於第3電極引出部60及第3電極引出部6 1。 繼而，如圖30所示般，於透明像素電極52及第3電極59上係 以正交於該透明像素電極52及第3電極59之方式形成絕緣 層58 〇 [第5實施形態] 第5實施形態係如圖3 1所示，係於透明像素電極基板上與 82404 -27- 200401152 透明像素電極52之條紋構造 形成線狀的第3電極59之配 一。，母隔特定之條數 第〕電極引出％ g 1 + 。弟3電極59係分別連接於 包仏刀23外60及弟3電極引+ 般，於透明傻去 °Ρ 1。繼而，如圖32所示 又於透明像素電極52及第3電極59上 τ 素電極52及第3電極59 正父於该透明像 m參 方式形成絕緣層58。 [第6實施形態] 第6實施形態係如圖33所示，係於 透明像素電極52之條紋構造正交的 Ί極基板上與 間形成線狀的^電㈣之配置例13電^縱方向之像素 於第3電極引出部60及第3 K糸分別連接 〆 5丨出部61。繼而，筮3希炻 係如圖34所示般’係以正交於該透明像素 ° 造的方向所形成之絕緣層5 8 。° ‘之條紋構 [第7實施形態] 4成與該絕緣層洲數。 第7實施形態係如圖35所示，係於 透明像素電極52之條纹構迕正▲、的 ”電極基板上與 間於一定間隔形成線狀的第3電極59 ^ 常 "' < 直例。苐3電極5 9 連接於第3電極引出部6〇及第3電極引出部61。繼而 ’第3電極59係如圖36所示般’係以正交於該透明像素電極 之條紋構造的方向所形成之絕緣層58上形成於每 條數。 其次，說明有關被動矩陣型之電著型顯示元件中，於第2 電極側配置第3電極之構成例。在以下之第作施幵彡態乃至 第12實施形態中成為基本之電著型顯示元件的構成：係與 第1實施形態乃至第7實施形態相同，為圖17及圖! 8所：： 82404 -28 - 200401152 構成。亦即，為具 持體51上之透明像： :呈條紋狀形成於透明支 明像素電極之支H ’電解質層55’·及在對向於透 圖37所示，第2+ |上王條紋狀所形成之第2電極54。如 之方式形成絕緣層73。此%/54±#』正交於該第2電極54 53之平面圖，圖38係圖处’圖37係從對極側觀察支持體 在以下中係二 中之箭㈣的重要部分擴大圖。 τ . ± °攸極侧觀察形成第2電極之支持體53 (以 下，有時稱為第9雷 又付趑W (以 [第8實施形態]…土板）之平面圖及其重要部分擴大圖。 苐8貫施形離将石 電極54基板二有f斤示，係於第2電極基板以包圍第2 配置例。二電广方式配置^ 78。繼而，如Η4() 於弟3電極引出部75、76、77、 恭朽S4 所示般，第2電極54上係以正交於嗜第2 电極54之方式形成絕緣層73 …弟2 如圖41所千μ 直弟J電極74的部分十係 Γ—所不於絕緣層”上形成第3電極7“ [苐9實施形態] 第9霄％开^恶係如圖4 2所示 電極基板54之條、、弟2電極基板上與第2 蚁之條紋構造平行的方向， 電極74夹著全有、# | 工右2條線狀的第3 右2停之第3雷 式形成第3電極74之配置例。左 條之第3電極74係分 3電極引出部-、…繼而，如::= 板54上係以正交於該第2電極基板54之方大^於第2電極基 位丞敬之方式形成絕緣層73。 82404 -29- 200401152

[第1 0實施形態J 第10實施形態係如圖44所示， 第2電極54之條 -於第-電極基板以正交於 Μ夹著全有效像I:向，且以上下2條線狀之第3電極 極74伟分另Li 式配置之配置例。上下2條之請 枉％刀別連接於第3電極引電 77、78。蝤而, /0弟j電極引出部 口圖45所示般，第2電極 ▲ 第2電極54之方式形 Μ上係以正父於該 中传如圖46所- 。於配置第3電極74的部分 如圖46所不於絕緣層”上形成第3電極74β [第1 1實施形態] 弟11實施形態係如岡4 7 & _ 係於第2電極基板以平行於 一电》 之條紋構造的方向， 带 同數之線狀的第，極74… 之條紋間形成 於第3雷接丨 电 _己例。第3電極Μ係分別連接 ;私二出°”5及第3電極引出部％。繼而，如圖48所 不4又’第2電極54上及繁3雷极L〆 n 〇 及弟J電極74上係以正交於該第2電極54 及苐J电極74之方式形成絕緣層乃。 [第1 2實施形態] +第12實施形“如圖49所示，係m電極基板以與第2 电極54之條紋構造平行的方向’在每隔特定條數形成線狀 之第3電極74的配置例。第3電極74係分別連接於第3電極引 出部75及第3電極弓丨出部76。繼而，如圖5〇所示般，於第2 電極54上及第3電極74上係以正交於該第2電極^及第3電 極74之方式形成絕緣層73。 其次，說明有關被動矩陣型之電著型顯示元件中，於第i 透明電極與第2透明電極之間配置第3電極的構成例。 82404 -30- 200401152 [第1 3實施形態] 第13實施形態係如圖51所示’為具備如下構成者 =狀形成於透明支持體51上之透明像素電極52;電解質芦 W ,及在對向於透明像素電極之& 9 叉符粗5)上呈條紋狀所形 成之第2電極54。又，在透明僳+ 素電極52與第2電極54之間 配置第3電極81。此處’第i透明電極側，亦即透明像素電 極52側係圖19及圖2。所示之構成，第2電極側係圖37及圖38 所不之構成。而且’於第3電極81係使用網目構造之一邊為 3〇 μηα左右的綾織型的銀網目，#此第3電極81以不斑並他 電極短路之方式夹著不織布82之狀態，配置於透明 極52與第2電極54之間。 人。兒明有關在主動矩陣型之電著型顯示元件中，透 明像素電極側附設驅動用之τ F τ，進—步配置第3電極的構 成例。在2下之第14實施形態乃至第2〇實施形態中，成為 f本之電著型顯示元件之構成係未配置以往之第3電極的 才T準動矩陣型之電著型顯示元件的構成，為圖52及圖53 斤Λ之構成亦即，為具備如下構成者：形成於透明支持 體91上且為驅動元件之TFT %而被控制之第1透明電極即 透明像素電極92 ;電解質層95 ;及作為在對向於透明像素 電極92之支持體93上的第2電極而共通於各像素之共通電 極96。繼而，—個—個組合透明像素電極92與TF丁 94而構 成像素99之方式形成’於透明支持體91上各像素呈矩陣狀 排列。此處，圖52係電著型顯示元件之斷面圖，圖53係從 上面觀察圖52之平面圖。 82404 200401152 如圖54所示，透明像素電極％ 出部97及透明像f # 、透明像素電極引 丨冬東電極引出部98。如 素間係形成絕緣層1〇〇。此广， 不叙，於各像 持體91之平面圖，圖5 < θ Ά對極側觀看透明支 印圃圖55係圖54中之箭頭丁中 圖。在以下中係於久由要4刀擴大 '、各貝她形態表示從對極側觀察妒赤、t Ba 像素電㈣之“支㈣9ι(^τ 成透明 基板）之平面圖及其MU ^ 為相像素電極 例。 〃、重要‘刀擴大圖’說明第3電極之構成 [第1 4實施形態] 第14貫施形態如圖56所示，係於透明像素電極基板以包 圍透明像素電極9 2側之全有效像素的方式配置線狀之第3 電極101的配置例。第3電極1〇1係連接於第3電極引出部丨们 :1〇3、ΠΜ、1〇5。繼而’如圖57所示般，於各像素間係形 成絕緣層100。如此，藉由以包圍全有效像素的方式配置第 J電極1 01 ’開口率會提高，故可構成光引出效率良好的電 著型顯示元件。 [第1 5實施形態] 第1 5實施形態係如圖5 8所示，係於透明像素電極美板上 以上下2條線狀的第3電極101夾著透明像素電極92側之全 有政像素的方式配置線狀的第3電極1 〇 1之配置例。上下2 條之第3電極101係分別連接於第3電極引出部丨〇2、1〇3及第 3電極引出部1 04、1 05。繼而’如圖59所示般，於各像素門 形成絕緣層1 0 0。如此’藉由以上下夾著全有效像素的方气 配置第3電極101，開口率會提高’故可構成光引出效率良 82404 -32- 200401152 好的電著型顯示元件。 [第16實施形態] 第16實施形態係如圖6〇所示，係2支第3電極ι〇ι於透明 像素電極92側之全有效像素的略中央部中交叉的方式， 於透明像素電極基板線狀的第3電極1 〇 1呈十字配置之配 置例。第3電極101係連接於第3電極引出部丨〇2、⑺3、 、1〇5。繼而’如圖61所示般，於各像素間係形成絕緣層 100。 [第17實施形態] 第17實施形態係如圖62及圖63所示，係於透明像素電極 側之有效像素面朝-^方向並排之像素線的各線間之全部 形成第3電極101之配置例。第3電極1〇1係分別連接於第3 電極引出部102、1〇3。繼而，如圖63所示般，於各像素間 形成絕緣層100。 ' [第1 8實施形態] 第18實施形態係如圖64及圖65所示，係於透明像素電極 側之有效像素面朝-定方向並排之像素線的n線間亦 即每複數像素線形成第3電極101之配置W。第3電極101係 分別連接於第3電才亟引出部1〇2、1〇3。繼而，如圖65所示般 ’於各像素間形成絕緣層丨〇 〇。 [第19實施形態] 第1 9實施形態係如圖6 6芬固c _ 口⑽及圖6 7所不，係於透明像素屬 側之有效像素面在每—佶I Λ/上#，# l 像素幵> 成第3電極點1 〇 6之配置作 第3電極點1 〇 6係藉由夫同-a τ A ± 精田不圖不之配線連接，且連接於第3驾 82404 -33- 200401152 引出部1〇2、103。繼而’如圖67所示般 絕緣層100。 分像言間形成 [第2 0實施形態] 辑施形態係如圖68及圖69所示，係於透 側之有效像素面在每一定複數像素 ' 罢如 ^ 〜攻弟3電極點1 06之配 置例。第3電極點106係藉由未圖 -己 疋·配線連接，且連接於 弟3电極引出部102、1〇3。繼 間形成絕緣層100。 ㈣的所-般’於各像素 其次’說明有關在主動矩陣型之f著型顯示元❹ 明像素電極侧附設驅動用之TFT， 配置第3電極的構成例…I於對極側即第2電極側 的構成例在以下之第21實施形離乃至第” 實施形態中，成為基本之電著型顯 ， 第25 件之構成係第2電極 不為共通電極，且形成條紋狀以外，係盍, 5 ^ , Γ係與第Μ貫施形態乃 至第20貫施形態相同，為 為呈備如+ i 口 Μ所不之構成。亦即， 之丁FT 1 14而被押告丨丨夕膂，α而 ^ "之弟这明电極即透明像素電極U2 ;電 解質層"5，·及作為在對向於透 二二€ 上的第2電極116。繼而，個個像素电極112之支持體⑴ 、屬而-個-個組合透明像素電極112與 π構成像素之方式形成的，於透明支持體⑴上各 像素呈矩陣狀排列。 在以下中，俜於瓦 & — 匕 ★ 、、各貫她形態表示從對極側觀察形成 第2電極116之#样/ ’" (以下，有時稱為第2電極基板）上 - ’’極的狀態之平面圖及其重要部分擴大圖，說明第 3電極之構成例。 82404 •34- 200401152 [第2 1實施形態] 第2i實施形態係使用一具有與上述第8實施例中之第0 極基板同樣的構造之第2電極基板者，如圖72所示，以包= 第2電極m側之全有效像素的方式，於第2電極基板配置二 狀之第3電極m的配置例。繼而，第2電極116之兩賢: 接於第2電極引出部118、119。第3電極117係連接於第^ 極引出部 120 、 121 、 122 、 123 。 ％ [第2 2實施形態] 第22實施形態係使用一具有與上述第9實施例中之第二電 極基板同樣的構造之第2電極基板者，如圖73所示，以左右 2條線狀的第3電極117夾著第2電極116侧之全有效像素的 方式，於第2電極基板配置線狀之第3電極117的配置例。繼 而，第2電極116之兩端係連接於第2電極引出部118、119。 第3電極117係連接於第3電極引出部12〇、121、i22、m。 [第23實施形態] 第23實施形態係使用一具有與上述第1〇實施例中之第2 電極基板同樣的構造之第2電極基板者，如圖74所示，以上 下2條線狀的第3電極U 7夾著第2電極11 6側之全有效像素 的方式，於第2電極基板配置線狀之第3電極}丨7的配置例。 繼而，第2電極1 1 6之兩端係連接於第2電極引出部丨丨8、} ! 9 苐3電極Π7係連接於第3電極引出部12〇、121、122、123。 [第24實施形態] 第24實施形態係使用上述第丨丨實施例之第2電極基板作 為第2電極基板者，如圖75及76所示，於第2電極基板以與 82404 •35- 電極116之條紋構造平行的方向，於第2電極116之條紋 間形成同數線狀之第3電極117之的配置例。繼而，第2電極 116之兩端係連接於第2電極引出部"8、119，第3電極m 係連接於第3電極引出部12Q、121。如圖76所示般，於第2 電極U6及第3電極117上係以正交於第2電極116及第3電極 11 7之方式形成絕緣層1 24。 [弟2 5貫施形態] ^ 25實施形態係使用上述第12實施例之第2電極基板作 為第2電極基板者，如圖”及冗所示，於第2電極基板以盥 第2電極116之條紋構造平行的方向’於每特定之條數形成 線狀之第3電極117之配置例。'繼而，第2電極116之兩端係 連接於第2電極引出部m、n9，第3電極117係連接於第3 電極引出部120、121。如圖78所示般’於第2電極116及第3 電極117上係以正交於第2電極U6及第3電極ιΐ7之方式形 成絕緣層1 2 4。 其次，在有關主動矩陣型之電著型顯示元件中，於第i 透明電極舆第2透明電極之間配置第3電極的構成例。 [第2 6實施形態] 第26實施形態係如圖79所示，為具備如下構成者：形成 於透明支持體1 3 1上、且被驅動元件即TFT i 3 4控制之第^ 透明電極即透明像素電極132 ;電解質層135 ;及在對向於 透明像素電極Π2之支持體133上所形成之Ag基板所構成的 第2電極136。此處，透明像素基板係具有上述圖54及圖乃 所示之構造，分別一個一個組合透明像素電極} 32與丁打 82404 -36- 200401152 1 3 4而成之像素係呈矩陣狀排列於透明支持體1 3 1上。 透明像素電極132與第2電極136之間係配置第3電極137 。此處’第3電極1 3 7係使用網目構造之一邊為3 〇 μπι左右的 緩織型的銀網目，將此第3電極1 3 7以不與其他電極短路之 方式夹著不織布138之狀態’配置於透明像素電極132與第2 電極1 3 6之間。 [第2 7實施形態] 第27實施形態係如圖80所示，為具備如下構成者：形成 ;透月支持體上之第1透明電極即透明像素電極132;電 解質層135;及在對向於透明像素電極132之支持體133上且 被驅動元件即TFT 134控制之第2電極136。而且，分別一個 δ第2電極136與TFT 134而構成像素之方式形成的 各像素呈矩陣狀排列於支持體1 3 3上。 透明像素電極丨32與第2電極136之間係配置第3電極137 。此處，第3電極13?係使用網目構造之—邊為3〇pm左右的 :織型的銀網目，將此第3電極137以不與其他電極短路之 式夹著不織布138之狀態’配置於透明像素電極132與第2 罨極1 3 6之間。 其次，說明有關在主動矩陣型之電著型顯示元件 極設驅動用之TFT ’並於透明像素電極側配置第3 ，成為J。在以T之第28實施形態乃至第34實施形態 :為基：之電著型顯示元件係具備如下構成者 斤二形成於支持體⑷上且被驅動元件即τρτι 由金屬薄膜所構成之第2電極146;電解質層⑷ u 82404 -37- 第2電極146之第2透明像素電極i42。繼而，^透明像素電 極142係呈條紋狀形成於透明支持體⑷上。電解質層1二 係含有金屬離子與著色劑之電解液或高分子電解質所構成 ’亚充填於第1透明像素電極142與第2電極146間之空隙 [第2 8實施形態] 第28實施形態係如圖82所示，係於透明像素電極基板上 以包圍透明像素電極142側之全有效像素的方式形成線狀 的第3電極147之配置例。透明像素電極142之兩端係連接於 透明像素電極引出部148、149,第3電極147係連接於第3 電極引出部150、151、1 r Π « 52 。繼而，如圖83所示般， 於透明像素電極1 4 2上# w t ^ ^ & 系乂正父於該透明像素電極142形成 絕緣層154。又於配置第3電極147之部分係、如圖Μ所示，於 絕緣層154上形成第3電極…。如此，以包圍全有效像素的 方式配置第3電極’開口率會提高’故可構成光引出效率良 好的電著型顯示元件。 [第29實施形態] 第29實施形態係如圖85所示，係於與透明像素電極142 之條紋構造平行的方向，以左右2條線狀的第3電極147夹著 全有效像素之方式於透明像素電極基板形成第3電極⑷之 配置例。透明像素電極1 4 ?夕土 *山％ 42之兩知係連接於透明像素電極引 出部Μ8、149,左右2條的第3電極147係分別連 極引出脚、⑴、第3電㈣出部151、152。繼而、 86所示般，於透明像素電極⑷上係以正交於該透明像辛電 極142形成絕緣層154。 ' 82404 -38- 200401152 [第30實施形態] 第30實施形態係如圖87所示，係於與透明像素電極^ 之條紋構造正交的方向，以上下2條線狀的第3電極Μ?失著 王有效像素之方式於透明像素電極形成第3電極1 4 7之配置 例。透明像素電極1 42之兩端係連接於透明像素電極引出苦 148、149,上下2條的第3電極147係分別連接於第3電極Z 出部150、151、第3電極引出部丨52、153。繼而，如圖μ 所示般，於透明編極142上係以正交於該透明像素電極 1 4 2形成絕緣層丨5 4。又於配置第3電極Μ 7之部分係如圖的 所示’於絕緣層154上形成第3電極147。 [苐3 1貫施形態] 第31實施形態係如圖9〇所示，係於與透明像素電極Μ] 之條紋構造平行的方向，於透明像素電極142之條紋間形成 同數之線狀的第3電極147之配置例。透明像素電極142之兩 端係連接於透明像素電極引出部148、149,第3電極丨47係 分別連接於第3電極引出部15〇及第3電極引出部ΐ5ι。繼而 ’如圖91所示般，於透明像素電極142及第3電極147上係以 正又於4透明像素電極142及第3電極147之方式形成絕緣 層 1 5 4。 [第3 2實施形態] 第^實施形態係如圖92所示，係於與透明像素電極Μ] 之條紋構造平行的方向’每隔特定之條數形成線狀的第3 電極1 47之配置例。透明像素電極1 42之兩端係連接於透明 像素電極引出部丨48、149，第3電極147係分別連接於第3 82404 -39- 200401152 電極W出部150及第3電極引出部 ， 丨）1 ，％而，如圖93所示般 於透明像素電極142及第3電極147 音兩 上係以正父於該透明像 。 2及第3電極147之方式形成絕緣層154。 雷^在本發明中當構成透明像素電極及第2電極以及第3 亦广係只形成電極線，可形成不具備絕緣層之構成。 m如如圖94所示，係於透明支持體⑹上與透明像素 槿，平行而只形成第3電極】63,可形成不具 構成。 亦可以正又於電極線之方式形成圖案而於電極線上 拉備絕緣層之構成。亦gp，例如如圖％所示，係於透明支 持體⑹上與透明像素電極162平行而只形成第3電極163, 進—步：於該透明像素電極162上及第3電極163上，亦可具 肴以正又於此等之方式形成圖案之絕緣層⑹之構成。藉由 〇此之構成，可藉絕緣層1 64形成像素。 、進—步’亦可具備以只露出像素部及第3電極部之方式妒 成圖案之絕緣層的構成。亦即，例如如圖96所#，係於透 月支持體161上與透明像素電極162平行而形成第3電極163 :於該透明像素電極162及第3電極163之空隙、及平行於此 ^之方向而覆蓋透明像素電極161，且亦可具備在除了第3 兒極1 62上之狀態形成圖案之絕緣層} 64的構成。 之播# 一 扣街如此 成，可藉由保護透明電極以及絕緣層1 64形成像素。 又，但此處係說明有關透明像素電極基板，但亦可於 電極基板同樣地構成。 、2 824〇4 •40- 200401152 [實施例】 又，本發 以下，係以具體的實施例更詳細說明本發明 明係不限定於以下實施例。 [實施例1 ] (顯示極之製作） 首先，以厚10cmx 1〇cm之玻璃基板上，依 :知的方法形成15。叫節距呈線狀排列侧膜作為透： 像素電極2〇1。繼而，於ίτ〇膜之線的尹央部，以盘此平行 之方式形成U条第3電極202。此處，第3電極2〇2係使用岣 形成幅1 進—步’在有效像素部及其周圍部中，以與 〇膜之線正父的方式被覆絕緣層2〇3，形成圖案。然後， k此基板以公知的方法形成連接於驅動電路之導線部，透 月像素電極20 1係連接於透明像素電極取出部2〇4、，第 3電極取出部係連接於2〇6、2〇7。如以上般做法’裝作圖π 及圖9 8所示之顯示極。 (對極之製作） 在厚1.5 mm、8 cm X 12 cm之大小的玻璃基板上，以公知 的方法瘵鍍Cr膜，在該心膜上以公知的方法形成1 50 μπι節 巨呈線狀排列的膜厚1 〇〇〇 nm之Ag膜。其次，在有效像素 部及其周圍部中，在1TO膜上以與該ITO膜之線條正交的方 式形成絕緣膜圖案。如以上般製作對極。 (尚分子電解質層之製作） 將刀子1約35萬之聚醚！重量份、二甲基甲醯胺（DMso) 1 〇重置份、蛾化鈉i · 7重量份及碘化銀κ 7重量份，加熱至 82404 -41 - 200401152 1 2 0 °C，調整均—，十 句岭液。然後，在此均一 、5§/1之方开）六士 合/夜中以M g/卜5 β/Ί 17心添加以下述化璺式 g/1 化學式6所示之 ； ’、之二乙醇胺、以下述 且素，及以下述化學式7所示之笨并味咬。

/ ( C2H4 ~)~0H C2H4 -)—〇H · · ·化學式 5 (〇2Η4 -)~·〇η

• · ·化學式6

SH • · ·化學式7

進步’再於其中添加平均粒徑0.5 μπι之二氧人鈦〇 )重 量份^均質器使此均-地分散。再於上述顯示極之破蹲 基板上藉刮刀以厚度丨〇〇 行塗布後’立即貼合於第2電極 即對極，已凝膠化之高分子電解質形成於二個電極間。繼 而藉接著劑密封貼合之端面。如以上般，製作實施例1之被 動矩陣型的電著型顯示裝置。 82404 •42, (驅動與顯示特性之评估） 藉公知之被動矩陳

Cm2之電量在顯亍㈣丨甚B ，發色時每!像素以!0mC/ 行氧化，以替換D 原反應4色訏以同一電量進 #換者色顯示盥益耷r ώ名、§s _ 時，進行γ制夕& 〃、…、色（白色）顯不。當進行驅動 仃控制之輸入波形可為電流， 繼而，為確認作為第3 +朽. ..‘，电堃。 1 F句弟j電極之未昭雷太 之透明傻+ Φ h 1 电極的有效性，在選擇 月像素電極改變自第3電極之 仃循環伏特圖譜測定對母特疋像素進 線A (離有效像素部之中、、、 譜測定係在對極像素

(離有效像素部之令 ㈣對極像素線B 圖案中，自g ’’’· mm之情形的2圖案中進行，在各 ? 自弟3笔極之距離了、>丨宁ς n c 10 ,Λ r 測疋50 ‘_、500 μπι、2 _、 mm、40 mm之各情形。 , 於第3電極之夂日m Δ 、入波形係以50 mV/sec對 、極即Ag的電位，還原側在-1.0V〜]5V、 虱化側在+1,0 ν〜+1·4 V66奸m 素線A之情形的社果表加電壓三角波°將對極像 1月〜幻、，'口果表不於圖994?，4{amA* 1 社要志-μ㈤ 中對極像素線3之情形的 、，、°果表不於圖100中。 從圖99及圖1〇〇可知，雜笛 5 離弟0電極最鄰近的透明像素電極 至取遠的透明像素電極可得 岭相同的結果。一般宜使成 為作用極之透明像素電極盥第 〃、弟J電極儘可能地接近。從圖99 及圖100之結果可知，第3雷托 電極乃不依存於與作用電極之透 明像素電極的距離而可有效作動。 亦即，若考慮更可靠性，而研贫 九更有效作動之第3電極的 配置’在透明像素電極之條兮„ ^ χ职 悚、次間宜配置同數之第3電極。然 而，考慮與透明像素電極側之開口率的平衡時，如本實施 82404 43 例般，在有效像素 極之椹°卩之中央部即使呈1條的線狀配置第3電 k亦無問題，傕第3 效活用。 更弟J電極有效動作’且可使其效果有 又’從上述之έ士里 & ± mth ni. 、."果’像素顯示之方法係依據線順序法等 -SM寻’必須個別讯 . 也°又置第J電極，當非選擇狀態時，電氧 況遗亦可能於成為I活性 .· f生之對極電極申的一部分模擬似地 有作為第3電極的角色。 [實施例2 ] (顯示極之製作） 、，在厚1.5 mm、1〇 cm x 1〇 cm之玻璃基板上依公知之 .缶衣作150 μιη即距，平面性排列之ιτ〇膜與(丁hh transistor)作為透明像素電極，而構成像素部2"。繼 而2條第3電極在有效像素部之略中央部中以交叉之方式 呈十子配置第）電極212。此處，第3電極212係使用銀形成 中田1μΐΏ進步，在除了像素部2丨1與第3電極21 2之有效像 素部及其周圍部中，以與丨酬之像素線正交的方式被覆絕 緣層2 1 3，形成圖案。從此基板依公知的方法形成連接於驅 動電路之導線部，各像素部2丨丨係連接於透明像素電極引出 部214、215 ’又，第3電極212係連接於第3電極引出部216 -17 218、219。如以上般’裝作圖1〇1及圖i 〇2所示之顯 不極。 (對極之製作） cm大小的玻璃基板上，依公知之 上依公知之方法形成膜厚lOOOnm 在厚1.5 111111、8(：〇1\12 方法蒸鍍Cr膜，在該Cr膜 82404 —· 200401152 之A g合金薄膜而製作對極。 (高分子電解質層之製作） 與上述實施例1同樣做法而調整高分子電解質，再於上述 顯示極之玻璃基板上藉刮刀以厚1〇〇 pm塗布後，立即貼= 第2電極即對極，使凝膠化之高分子電解f形成於二個電: 間。然從，藉接著劑密封貼合之端面。如以上般，製:實 施例2之主動矩陣型之電著型顯示裝置。 、、 (駆動與顯示特性之評估） 與實施例1同樣做法，而在對極像素線A (離有效像素部 之中心為35㈣之情形，及對極像素線B (離有效像素部^ 中心為5 mm)之情形的2圖案令，在選擇之透明像素電極改 變自第3電極的距離而對每一特定像素進行循環伏特圖讀 測定。將對極像㈣A之情形的結果表示於圖iQ3中: 像素線B之情形的結果表示於圖1〇4中。 從圖1〇3及圖104可知，㈣3電極最鄰近的透明像 至最遠的透明像素電極可得 ^ ° 相问的結果。一般宜使成 為作用極之透明像素電極盥第^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ，、弟j包極儘可能地接近。 1〇3及圖104之結果可知，第3 " 罘电極乃不依存於與作用電極之 透明像素電極的距離而可有效作動。 亦即，若考慮更可靠性，而 配晋，…产―你 叩研九更有效作動之第3電極的 " 且在母一像素部配置第3電極。狹而^ . ^ Φ ^ „言 然而，考慮與透明像 :電極側之開口率的平衡時，如本實施例般，在 之略中央部即使以交 素 之乂又又方式配置2條第3電極構 問題’使請極有效動作 ：亦無 且了使其效果有效活用。 82404 -45- [實施例3 ] (顯示極之製作） 其餘與實施例1相同做法，製 除了不形成第3電極以外 作顯示極。 (對極之製作） 除了只在有效像素部之中 — 楛 k 央#精Ag形成幅1 μηι之第3電 極以外，其餘盥上 r ^ „s 、 '匕例1相同做法，製作圖105及m〇6 所不之顯示極。亦極，在 列 有放像素部之中央部在呈線狀排 J之第2電極2 21呈平行g卩署 -置條之苐3電極222，第2電極221 係連接於第2電極引屮 於當^ 225,又，第3電極222係連接 於第3電極引出部226、227。右 Z/在有效像素部及其周圍中，在 丁〇膜上以與該I丁〇膜之绩格 山 之線條正父的方式形成絕緣膜223圖 案。 (高分子電解質層之製作） 與上述實鈿例1同樣做法而調整高分子電解質，再於上述 :不極之玻璃基板上藉刮刀以厚100 _塗布後，立即貼合 第2電極㈣極，使凝膠化之高分子電解f形成於二個電: 間。然從’藉接著劑密封貼合之端面。如以上般，製作實 施例3之被動矩陣型之電著型顯示裝置。 、 (驅動與顯示特性之評估） 與貫施例1同樣做法，而在對極像素線A (離有效像素邙 之中心為35 mm)之情形，及對極像素線B (離有效像素部之 中心為5 mm)之情形的2圖案中，在選擇之透明像素電極改 變自第3電極的距離而對每一特定像素進行循環伏特圖$ 82404 -46 - 200401152 測定。將對極像素線A之情形的結果表示於圖1 争 像素線β之情形的結果表示於圖1 〇8中。 對極 從圖107及圖108可知，離第3電極最鄰近的透明 至最遠的透明像素電極可得到略相同的結果。一沪二電極 為作用極之透明像素電極與第3電 奴且使成 斟# π辟七二 乜了靶地接近。且即使 對於冰度方向亦接近，可能的話，宜位於同—吏 ，從圖107及圖108之結果可知， 。但 用位乃略不依存於盘作 用電極之相像素電極的距離㈣使 、作 效作動。 直％野極側亦可有 亦即，若考慮更可靠性，而研究更有 Α 配置，宜如上述實施例i般之構 ’之第3電極的 側配署裳… 心但即使在透明像素電極 了確保透明像素電極側之開口 且 [實施例4] 之開口丰於最大限’故佳。 (電著型顯示裝置之製作） 相由Γ形成第3電極取代^以外，其餘與實施例1 …製作被動矩陣型之電著型顯示裝置。 (驅動與顯示特性之評估） 與實施例1同樣做法，在 電極的距離對於對極像素；A=月像素電極改變自第3 叫之情形，對每—特線Α,(_效像素部之中心為Μ 其蛀H . ‘疋像素進行循環伏特圖譜測定。將 從圖1〇9可知’離第3電極 的透明像素電極可得到全透月像素電極至瑕边 〇平移之結果。藉此，第3電極 82404 •47- 200401152 之效果乃略依存於與作用極之透明像素電極的距離，而不 可有效作動。但，藉由只使各距離之平移量補足於每一像 素線’可與上述實施例1同樣地有效地使第3電極作動。又 ，即使增加第3電極之數量，亦可與上述實施例〗同樣地有 效地使第3電極作動。但，為更單純地構成驅動電路，宜形 成如本實施例1的構造。 [實施例5 ] 對於在貫施例2中所製作之主動矩陣型之電著型顯示裝 置，與實施例1同樣地施加顯示波形’反覆進行發色、消色 之循環。又，在該裝置中不使第3電極有效，而亦即在顯示 極與對極之二極間施加波形作為不具備第3電極之系時，同 樣地反覆進行發色、消色之循環，比較此等結果Γ此電著 型顯示裝置之初期特性，係無色（白色）時之反射率為， 發色（黑色）時之顯示部的光學濃度（〇D)約為0.8 (反射率 1 3%)。因此’反射率之對比可得到1 : 5。 又，不使第3電極有效而以二極方式作動作為比較時，發 色時之黑色濃度至U以下之反覆循環次數約為咖萬次 ，但’使第3電極有效時，即使反覆其2倍之循環次數，發 色時之黑色濃度不會低至U以下，且消色時如消失殘留之 現=亦不會發生。藉此’使用第3電極，與不具備第3電極 之白知裝置比較，可大幅提高循環特性。藉使用第3電極， 與不具備第3電極之習知裝置比較’可適當控制顯示切換。 亦即，藉具備第3電極，具備良好之循環特性， 一 示品質良好之電著型顯示裝置。 °貫現顯 82404 •48、 200401152 [實施例6] 使用：未形成實施例3中職作之第 未形成實施例i中所製作之第3電極 ^極、與 筮1 φ托 限1下马弟3電極，將此 電極以不與其他電極短路之方式夹著 配置於顯示電極與對極之間而製甲之狀怨 古八工_ & 衣作电者型顯示裝置。又， 问刀子電解處層係與實施例1同樣地構成。 對於如以上般所製作之實施例6的被動矩陣型 =裝置，與實施例丨同樣地進行循環伏特圖m士果， ::::約與實施m同樣的結果。藉此，在被動矩 者型顯示裝置中，將筮Λ % .將第J电極配置於顯示極與對極之間而作 為網目構造時，亦可確認 1而作 認使用第3電極之有效性。#效地進订作動，並可確 [實施例7] :了不开V成第°電極以外’其餘與實施例2相同做法，製

Si:在厚一 8⑽一之大小的玻璃基板上 =2二電極Γ以公知的方法以物形成具有條紋構 电玉，衣作對極。從此等基板以公知的方法形成連 接驅動電路之導線部。使用網目構造之—邊為 ^ =之銀網眼作為第3電極，將此第3電極以不與其他： 極短路之方式夹著不織布中之狀態，配置於顯示極 之間而製作主私 ' 7 乍主動矩陣型之電著型顯示裝置。又， 解質層係與實㈣子電 對於如Μ上般所製作之實施例7的電著型顯示裝置’與實 82404 -49, 152 施例2同樣地進行循璟" 又、寺圖5朁。其結果，可得到約與實施 !同樣的’‘果。藉此’在主動矩陣型之電著型顯示裝置中 ，將第3電極配置於顯示極與對極之間而作為網目構造時， 亦可確認第3電極有放祕^ 负欢地進仃作動，並可確認使用第3 之有效性。 [實施例8] (顯示極之製作） I先，以厚度h5 mm、10 cm X 10 cm之玻璃基板上，依 的方法^/成ITO膜作為透明像素電極以製作顯示極。 (對極之製作） 在厚 1.5mm、8cmxi?。 ^ ,, 2 0111之大小的玻璃基板上依公知之

法製作1 5〇 μΐΏ卽距且平面性排列之Ag合金膜與TFT in Film transist〇r)而形成像素。繼而，2條 效像素部之略中央邱丄 包 ^ 、中乂父叉之方式呈十字配置第3電極 ^對極°此處’第3電極係使用銀形成幅丨_。其後，與 (同樣地做去而製作主動矩陣型之電著型顯示裝置。 > ί於如以上叙所製作之實施例8的電著型顯示裝置，與實 施例2同樣地進行循環伏 二 饤口 θ 具結果，可得到約與實施 例2同樣的結果。離第 q 弟3电極瑕鄰近的元件電極至最遠的元 件電極可得到略相同的社 日日你* 、、'°果错此’ 一般作為作用極之透 明像素電極與第3電極儘 了此地接近，但是，如本實施例般 Ρ使第3電極配置於對極側， Ρ毛見第J電極仍可以與作 马作用電極之透明像辛雷 保素电極的距離大致不依存之方式有效 1乍勤。 82404 -50· 200401152 [貫施例9 ] (顯示極之製作） 八 ’以厚度丨_5 mm、丨0 cm X 1〇 cm之玻璃基板上，依 △ α的方法形成丨5〇 μπι節距呈線狀排列的汀〇膜作為透明 像素電極。繼而，於ΙΤ〇膜之線的中央部’以與此平行之方 式形成1條第3電極。此處，第3電極係使用Ag形成幅 。；鱼 _ , Μ· πι —v，在有效像素部及其周圍部中，以與ΙΤ〇膜之線正 交的方式被覆絕緣層，形成圖案。然從此基板以公知 的方/去形成連接於驅動電路之導線部。依上述方式 示極。 '"貝 (對極之製作） 除不形成第3電極之配置外，依同於實施例8之方式製作 ^極而後，依同於實例2之方式製作主動矩陣型電著型顯 對於如以上般所製作之實施例8的電著型顯示裝置，與實 施例2同樣地進行循環伏特圖譜。其結果，可得到約與實施 J -同樣的、’、。果。離第3電極最鄰近的元件電極至最遠的元 件電極可侍到略相同的結果。藉此，一般作為作用極之透 月像素電極與第3電極儘可能地接近，但是，第3電極乃略 不依存於與作用電極之透明像素電極的距離而可有效作動。 產業上之利用可能性 本發明之電化學顯示之件及電化學顯示裝置中，係具備 第3電極其可對每一像素矩陣驅動，利用電解質層所含有 之心材料及著色手段’進-步，從第1透明電極與第2電極 82404 -51， 200401152 獨立而設置。 因此，若依本發明之電化學顯示元件及電化學顯示裝置 ，可提供一種循環特性優，可進行對此及黑色濃度高之顯 示且顯示品質高之電著型顯示元件及電著型顯示裝置。 又若本發明之電化學顯示元件的製造這法及電化學顯示 裝置之製造方法，可能容易製造上述構造之電化學顯示元 件及電化學顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之電著型顯示裝置的一構成例之立體 圖。 圖2係表示本發明之電著型顯示裝置的一構成例之斷面 圖。 圖3係表示本發明之電著型顯示裝置的一構成例之平面 圖。 圖4係表示本發明之電著型顯示裝置的電路圖。 圖5係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖6係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖7係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖8係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖9係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖1 0係說明本發明之電著型顯示裝置的製作步驟之圖。 圖11係表示本發明之電著型顯示裝置的另一構成例之斷 面圖。 圖1 2係表示本發明之電著型顯示裝置的另一構成例之斷 82404 -52- 面圖。 圖1 3係表示將第3電極 型顯示元件的1 _ 、 1透明像素電極御i之電著 ^構成例之立體圖。 圖1 4係從上面觀察圖〗3 + # 一 圖15係表示將第3兩 包者型顯不元件的平面圖。 T昂电極配置 件的-構成例之立體圖。電極側之電著型顯示元 圖16係從上面觀察圖 S, 17^ * _ 者型顯不兀件的平面圖。 圖π係表不以往之被動矩 之立體圖。 早^•宅者歪顯不裝置的構成例 圖18係從上面觀察圖17 __ 圖19係從對極側觀察 #錢不兀件的平面圖。 像素電極基板的平:;圖17所…著型顯示裝置的透明 圖20係圖19中之答ssda ^ 頁B中的重要部分擴大圖。 圖2 1係從對極側勸疚笛〗杏& 叮、弟1只施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖22係圖21中之箭頭°中的重要部分擴大圖。 圖23係圖21中之 J頭D中的重要部分擴大圖。 圖2 4係從對極側觀臾贷〇 ^ 規察弟2貫施形態之被動矩陣型電著型 顯示裝置的透明像夸恭士 1豕京兒極基板的平面圖。 圖25係圖24中之 則頊E中的重要部分擴大圖。 圖2 6係從對極側翁交$，& _ 規祭弟3貫施形態之被動矩陣型電著型 顯不裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖27係圖26中之前頭？中的重要部分擴大圖。 圖28係圖26中之前頭0中的重要部分擴大圖。 82404 -5 200401152 圖2 9係伙_對極彳則璧自寂^ @ I 藏斤、弟4芦' 施形態之被動矩陣型顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。圖30係圖29中之並/月’J頭Η中的重要部分擴大圖。 圖3 1係從對極側碧目寂^:， 硯-Τ'第）貝、施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像夸φ 士5甘上心^豕京電極基板的平面圖。 圖32係圖31中之忽·3ετ^>〒之則碩I中的重要部分擴大圖。圖3 3係彳文對極彻j ϋ目寂·h 咸π弟6 Λ %形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像+ +托# Α , 1豕京私極基板的平面圖。 圖34係圖33中之箭§§ΐι±7 & 則頊1中的重要部分擴大圖。 圖3 5係從對極侧勒疚笛7“ j規察弟7貫施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖36係圖35中之箭頭K中的重要部分擴大圖。 圖3 7係從對極側觀家 β ^ ^ L ㈣斤、歹、弟2電極側配置第3電極之 陣型電著型顯示裝置的第？恭且〜乐2¾極基板的平面圖。 圖38係圖37中之箭涵τ由M +月〗s頁L中的重要部分擴大圖。 圖3 9係仗對極側觀穴穿^l J規察弟8實施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明傻去雨n甘， 处^豕京毛極基板的平面圖。 圖40係圖39巾之箭頭财的重要部分擴大圖。 圖41係圖中之箭㈣中的4要部分擴大圖。圖4 2係彳之對極側觀贫贫 』規察第9貫施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像专带托1』 豕京包極基板的平面圖。 圖43係圖42中之窬通〇1±7⑴頭Ο中的重要部分擴大圖。 圖44係攸對極侧觀察第1〇實施形態之被動矩陣型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 電著型 電著型 電著型 電著型 被動矩 電著型 電著型 電著型 82404 ' 54 -

^UUH-Ul 1JZ 圖45係圖44中之 甲之則碩P中的重要部分擴大圖。 圖46係圖44中之箭SPirb & & 之引碩Q中的重要部分擴大圖。 圖4 7係從對極側觀察參 顯f F T弟U貝轭形®、之被動矩陣型電著型 置的透明像素電極基板的平面圖。 1 圖48係圖47中之箭通Pcfa & 則碩R中的重要部分擴大圖。 圖4 9係從對極側觀窣& m -T- ^ ^ ^ 、 貫把形恐之被動矩陣型電著型 置的透明像素電極基板的平面圖。 ^ 圖50係圖49中之箭 ^ <則碩S中的重要部分擴大圖。 圖5 1係從對極側觀察容 〜 、弟 貝轭形怨之被動矩陣型電著剞 顯不裝置的透明像辛+ 士盆 ^ 心豕京屯極基板的平面圖。 圖5 2係於透明後^冬士 | 达月像不電極側配置驅動用TFT與第3電極 主動矩陣型雷荽刑4% _ # ^ 土电者型顯不裝置的斷面圖。 圖5 3係從上面觀臾 ^ μ圖52之電著型顯示裝置的平面圖。 電極5:=極側觀察圖52之電著型顯示裝置的透明像素 冤極基板的平面圖。 圖5 5係圖5 4中夕您· -S π丄 ^ 之刖頭Τ中的重要部分擴大圖。 系攸對極側觀察第14實施形態之主動矩陣型電著型 ‘，·、頁不裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖57係圖56中之箭士 Α τ 則碩U中的重要部分擴大圖。 圖5 8係從對極側觀家锭〗^奋a f & 規务'第15貝％形怨之主動矩陣型電著型

顯示裝置的读明德I 们达月像素電極基板的平面圖。 圖59係圖58中之箭 前碩v的重要部分擴大圖。 圖6〇係從對極側觀察第咐施形態之主動矩陣型電著型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 82404 •55- 圖係圖60中之前頭w中的重要部分擴大圖。 I系攸對極側觀察第1 7實施形態之主動矩陣型電著型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖6 3係圖6 2中$这-π ^ 則項X中的重要部分擴大圖。 圖64係*對極側觀察第丄8實施形態之主動矩陣型 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖65係圖64中之, 之則頊Y中的重要部分擴大圖。 圖66係從對極侧觀窣 貫％形態之主動矩陣型電著型 裝置的透明像素電極基板的平面圖。 — 圖67係圖66中之箭頭2中的重要部分擴大圖。 圖㈣從對極側觀察㈣實施㈣之㈣ 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。“者型 圖69係圖68中之箭頭AA中的重要部分擴大圖。 圖观於透明像素電極側配置驅動用爪 置第3電極之主動矩陣型電著型顯示裝置的斷面圖側配 圖71係從上面觀察圖70之電著型顯示裝置的平面圖 圖72係從對極側觀察第21實施形態之主動 顯示裝置的第2電極基板的平面圖。 聖電著型 圖73係從對極側觀察第22實施形態之主 顯示裝置的第2電極基板的平面圖。 電著型 圖74係從對極側觀察第23實施形態之主 顯示裝置的第2電極基板的平面圖。 電著型 圖:5係從對極側觀察第24實施形態之主 顯不裝置的第2電極基板的平面圖。 歪電者型 82404 -56- 200401152 圖 76 係圖 75 中之·αλ r之則頭Αβ中的重要部分擴大圖。 圖從對極側觀察第25實施形態之主動矩 顯不裝置的第2電極基扳的平面圖。 者文 圖78係圖77中之箭頭ac中的重要部分擴大圖。 圖79係第26實施形態之絲矩陣型電著 面圖。 1衣置的斷 圖8〇係從對極側觀㈣27f施形態之主動矩陣 顯示裝置的第2電極基板的平面圖。 者土 圖81係於第2電極侧配置驅_ τρτ 酡署筮1φ> 心〇 1豕京電極側 /主動矩陣型電著型顯示裝置的斷面圖。 圖82係從對極側觀察第28f施形態之主動矩陣 顯不裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖83係圖82中之箭頭樹的重要部分擴大圖。 圖84係圖83中之箭頭仏中的重要部分擴大圖。 圖85係從對極侧觀察第㈣施形態之主動矩陣 顯不裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖 8 6 係圖 85 中夕 as a r? Λτ j.u 肀之則頭AF中的重要部分擴大圖。 圖87係從對極側觀察第3(3實施形態之主動矩陣 顯不裝置的透明像素電極基板的平面圖。 圖88係圖87中之箭祕中的重要部分擴大圖。 圖89係圖87中之箭頭纽中的重要部分擴大圖。 圖90係從對極側觀察第”實施形態之主動 顯示裝置的透明像素電極基板的平面圖。 電者型 圖91係圖90中之箭頭AI中的重要部分擴大圖。 82404 -57- LI52 ® 9 2係從對極侧_究@ ^。與# 頻干壯署“ 祭第32貫施形態之主動矩陣型電著型 顯不衣置的透明像素電極基板的平面圖。 者& 圖9 3係圖9 2 φ ^ Τ 則碩AJ中的重要部分擴大圖。 =11不不具備絕緣層之電極線構造的立體圖。 圖。…不正交於電極線之絕緣層的電極線構造的立體 圖=係表不具有只使像素部及第3電極部露出的方式被 圖案化之絕緣層的電極線構造的立體圖。 大被 _系從對極侧觀察第！實施例之被 示裝置的顯示極的平面圖。 早i電者型顯 圖98係圖97中之箭頭仏中的重要部分擴大圖。 圖99係表示實施例}之 定結果的特性圖。 裝置的循環電壓譜測 =0係表示實施例!之電著型顯示裝置 疋結果的特性圖。 电至〜測 圖1 〇 1係從對極側觀察實施例9 裝置的顯示極的平面圖。_ I動矩陣型電著型顯示 圖102係圖101中之箭頭从中的重要部分擴大圖。 _3係表示實施例2之電著型㈣裝置 定結果的特性圖。 衣罨植碏測 圖104係表示實施例2之電著型顯示裝置的 疋結果的特性圖。 电堂-曰冽 ，係從顯示極側觀察實施例3之被動矩 示裝置的對極的平面圖。 电者i顯 -58 - 82404 200401152 圖106係圖105中之箭頭AM中的重要部分擴大圖 圖107係表示實施例3之電著型顯示裝置的循俨' 定結果的特性圖。 衣電璺譜 圖1 0 8係表示實 定結果的特性圖，

圖1 〇 9係表示實施例4之電著型顯 定結果的特性圖。 示裝置的德

[圖式代表符號說明】 1 電著型顯示裝 2 透明支持體 3 透明像素電極 4 TFT 5 電解質層 6 共通電極 7 支持體 B 第3電極 9 岔封樹脂部 21 透明支持體 22 第1透明電極 23 第3電極 24 電解質層 25 第2電極 31 第3電極 32 不織布 82404 -59-

透明支持體 透明像素電極 第3電極 支持體 第2電極 電解質層 透明支持體 透明像素電極 第3電極 第2電極 電解質層 透明像素電極引出部 透明像素電極引出部 絕緣層 第3電極

61，62，63 透明像素電極引出部 第2電極引出部 第2電極引出部 絕緣層 第3電極 76，77，78 第3電極引出部 第3電極 不織布 透明支持體 -60 - 200401152 92 93 94 95 96 97，98 100 101 102 ， 103 ， 104 ， 105 111 112 113 114 115 116 117 η 8，119 120 ， 121 ， 122 ， 123 13 1 132 133 134 135 136 透明像素電極 支持體

TFT 電解質層 共通電極 透明像素電極引出部 絕緣層 第3電極 第3電極引出部 透明支持體 透明像素電極 支持體

TFT

電解質層 第2電極 第3電極 第2電極引出部 第3電極引出部 透明支持體 透明像素電極 支持體 TFT 電解質層 第2電極 82404 -61 - 200401152 137 138 141 142 143 144 145 146 147 148 ， 149 150 ， 151 ， 152 ， 153 154 161 162 163 164 201 202 203 204 ， 205 206 ， 207 211 212 213 第3電極 不織布 透明支持體 第1透明像素電極 支持體

TFT 電解質層 第2電極 第3電極 透明像素電極引出部 第3電極引出部 絕緣層 透明支持體 透明像素電極 第3電極 絕緣層 透明像素電極 電極 絕緣層 透明像素電極引出部 第3電極引出部 像素部 第3電極 絕緣層 -62 - 82404 200401152 214， 215 透 明像素電極引出部 216， 217 ， 218 ， 219 第 3電極引 出 部 221 第 2電極 222 第 3電極 223 絕 緣層 224， '225 第 2電極引 出 部 226， '227 第 3電極引 出 部 82404 -63 -

Claims (1)

1152 拾、申請專利範圍： 種電化學顯示元件，其係包括：第1透明電極： 電解貝層，其係含有藉著色手段及電化學之還原氧化 、及伴隨此之析出溶解而發色之發色材料； 第2電極，其係在與上述第1透明電極之間夾著上述雷 解質層；及， 电 第3電極，其係與上述第i透明電極及上❹巧 立。 J 2.根據申請專利範圍第丨項之電化學顯示元件 第3電極係配讲认心； ’、 ^ 又於形成有上述第1透明電極之基板上作 為電絕緣之構件。 3 . 根據申請專利笳函@ 月寻才J粑圍弟1項之電化學顯示元件， 第3電極係酎糾·於止，、^ 絕緣之構；一有上述第2電極之基板上作為電 I ==錢第1項檐學顯蝴，其中上述 2電極係配设於上述第1透明電極與上述第2電極之門 作為電絕緣之構件。 电極之間 5. 2據申請專利範圍第4項之電化學顯示元件，1中 第3電極係包含金屬線或 ”过 ^ ,θ ^ ^ ^ 飞隹屬線之網目構造體。 6. 根據申h專利範圍第5項之電化 第3電極係被絕緣體夹裝著。心兀件’其中上述 7. 2射請專利範圍第i項之電化學㈣㈣， 第3電極係呈包圍上述第！透明電極 #述 效像素部之狀態配設而成的。’、上述第2電極之有 82404 根據申諳I剎銘in策1 .

效像素部之狀態配設而成的。 根據申請專利範圍第1項之電化 電化學顯示元件，其中上述 1透明電極與上述第2電極之有

.根據申請專利範圍第1項之電化學顯 之電化學顯示元件，其中上述 3電極與上述第2電極之有效像 電極而成的。 之電化學顯示元件，其中上述 n2〇3或此等之混合物作為主成 示元件’其中上述 第2電極為金屬薄膜。 12·根據申請專利範圍第1項之電化學顯示元件，其中上述 第3電極為金屬薄膜。 1 3.根據申請專利範圍第1項之電化學顯示元件，其中上述 第3電極係以Sn〇2、In2〇3或此等之混合物作為主成分。 14.根據申請專利範圍第丨項之電化學顯示元件，其中上述 第3電極為在於顯示惰性狀態之上述第1透明電極與上 述第2電極之_部分。 15·根據申請專利範圍第1項之電化學顯示元件，其中上述 電解質層包括電解液或高分子電解質層。 1 6.根據申請專利範圍第1 5項之電化學顯示元件，其中上述 電解液或高分子電解質層係含有金屬鹽或烷基四級銨 鹽。 •根據申請專利範圍第1 5項之電化學顯示元件，其中上述 82404 電解液之溶劑包括. 山 估.水、乙醇、異丙醇、碳酸丙烯酯、 石灰酸一 T I旨、碳酸7 j 文乙烯s日、γ _ 丁内酯、乙腈、環丁颯 、二f氧基乙燒、_ 人物。 一 f基甲胺、二F亞颯或此等之混 18·根據申請專利範圍 ㈤弟15項之電化學顯示元件，其中構成 上述尚分子電解暂w Μ 铋时_ , 、a之基貝尚分子係主骨架單元、或側 謎早兀、或於# 仰、者具有烯化氧、烷撐亞氨、烷撐硫醚 重複早元的高分；& 枓、或含有複數此等相異之單元 的共？K合物、或平$ 1 永甲基丙烯酸甲酯衍生物'聚偏二氟乙 碲、聚偏二氣？ & MX -r, ,, ^ / 烯、承丙烯腈、聚碳酸醋衍生物、或此 等之釘生物或積層物。 1 9 ’根據申請專利範圍第 已園弟1 8項之-电化學顯不元件，其中上述 -刀子電解質層係於基質高分子中 ，而該溶劑係包括如 而構成者 m田 酵、異兩醇、碳酸丙稀 自日、石反酸二甲酯、磁醅备 ^ 奴鲛乙烯酯、r _丁内酯、乙 丁砜、二·甲氧基乙烧、二 衣 之混合物。 ^ -曱亞礙或此等 2〇·根據申請專利範圍第15項之電化學顯示元件，其、、 阿分子電解質層係由複數之層構成， 述 曰m傅风且上述荖 只包含於一部分之層。 1 又 2 1.根據申請專利範圍第丨項之電化學顯示元件，1 、 發色材料析出之時的成長阻礙劑、應力抑制劑 之中至少一者係包含於上述電解質層中。 — 刈 2 2 ·根據申請專利範圍第2丨項之電化學顯 义件，其中上述 82404 ^τν/1 IJZ 成長阻礙劑、靡 應力抑_、光澤劑係具備一含有氧原子 /肌京子之基的有機化合物。 23 ·根據申請專利笳 . 乾圍第1項之電化學顯示元件，其中含有 上述發色材料析出之時’用以抑制於第、 極及上述第2電極之任My ^ ^ 之任一者可迠產生之主要起因於陰離 千種之副反應的還原劑或氧化劑於上述電解質層中。 24.根據^請專利範圍第1項之電化學顯示Tt件，其中上述 么色材料係包括叙、銅、銀、鈉、鐘、鐵、鉻、鎳、鎘 之各離子或此等組合成之離子。 25’：據申請專利範圍第1項之電化學顯示元件，其中上述 著色手段係無機顏料或有機顏料或色素。 26.根據申請專利範圍第25項之電化學顯示元件，其中上述 热機顏料係包括二氧化鈦、碳酸㉟、氧化鎂、氧化链之 各種粉末。 27·根據申請專利範圍第丨項之電化學顯示元件，其中檢測 或掃描上述第3電極與上述第丨透明電極之間的電位而 被驅動。 28.根據申請專利範圍第丨項之電化學顯示元件，其中於上 述第1透明電極或上述第2電極之任一者具備驅動元件 ，並以主動矩陣方式進行驅動。 29_根據申請專利範圍第1項之電化學顯示元件，其中於上 述第1透明電極及上述第2電極呈矩陣狀配置，並以被動 矩陣方式進行驅動。 3〇· —種電化學顯示裝置，其係將電化學顯示元件呈複數個 82404 200401152

、面狀排列而成 明電極；

解質層；及 第3電極， 其係與上述第丨透明電極及上述第2電極獨

於透明支持體上形成第1透明電極； 形成電解質層，而該電解質層係含有一藉由著色手段 及電化學之還原氧化、及伴隨此之析出溶解而發色之發 色材料； 形成第2電極，而該第2電極係在與上述第1透明電極 之間夾著上述電解質層；及， 形成第3私極，而該第3電極其係與上述第丨透明電極 及上述第2電極獨立。 32. —種電化學顯示裝置之製造方法，其係具有如下步驟： 於透明支持體上形成第1透明電極； 形成電解質層，而該電解質層係含有一藉由著色手段 及電化學之還原氧化、及伴隨此之析出溶解而發色之發 色材料； 形成第2電極，而該第2電極係在與上述第丨透明電極 之間夾著上述電解質層；及， 82404 200401152 形成第3電極，而該第3電極其係與上述第1透明電極 及上述第2電極獨立。 82404