JP2003241227A - 電気化学表示素子及び電気化学表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 サイクル特性に優れ、かつ表示品質に優れた
電気化学表示素子及び電気化学表示装置、ならびにその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る電気化学表示素子は、第１
の透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化と
これに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含
有した電解質層と、上記第１の透明電極との間に上記電
解質層を挟んでなる第２電極と、上記第１の透明電極及
び上記第２電極とは独立した第３電極とを有することを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気化学的な酸
化、還元を利用して材料を変色させることを原理とする
電気化学表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ネットワークの普及につれ、従来
印刷物の形状で配布されていた文書類が、いわゆる電子
書類で配信されるようになってきた。さらに書籍や雑誌
などもいわゆる電子出版の形で提供される場合が多くな
りつつある。

【０００３】これらの情報を閲覧するために、従来行わ
れているのは、コンピュータのＣＲＴまたは液晶ディス
プレイから読むことである。しかし発光型のディスプレ
イでは、人間工学的理由から疲労が激しく、長時間の読
書には耐えられないことが指摘されている。また、読む
場所がコンピュータの設置場所に限られるという難点が
ある。

【０００４】最近のノート型コンピュータの普及で携帯
型のディスプレイとして使えるものもあるが、バックラ
イトによる発光型であることに加えて消費電力の関係
で、これも数時間以上の読書に用いることができない。
近年、反射型液晶ディスプレイも開発され、これを用い
れば低消費電力で駆動することができるが、液晶の無表
示（白色表示）における反射率は３０％であり、これで
は紙への印刷物に比べ著しく視認性が悪く、疲労が生じ
やすく、これも長時間の読書に耐えるものではない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】これらの問題点を解決
するために、最近、いわゆるペーパーライクディスプレ
イ、あるいは電子ペーパーと呼ばれるものが開発されつ
つある。これらは主に電気泳動法により着色粒子を電極
間で移動させるか、二色性を有する粒子を電場で回転さ
せることにより、着色させている。しかしこれらの方法
では、粒子間の隙間が光を吸収し、その結果としてコン
トラストが悪くなり、また駆動する電圧を１００Ｖ以上
にしなければ実用上の書き込み速度（１秒以内）が得ら
れないという難点がある。

【０００６】電気化学的な作用に基づき発色を行うエレ
クトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）では、コントラス
トの高さという点では上記電気泳動方式などに比べて優
れており、すでに調光ガラスや時計用ディスプレイに実
用化されている。ところが、調光ガラスや時計用ディス
プレイではそもそもマトリクス駆動の必要性が無いこと
から、電子ペーパーのようなディスプレイ用途には適用
できず、また一般的に黒色の品位が悪く、反射率が低い
ものにとどまっている。

【０００７】また、電子ペーパーのようなディスプレイ
においては、その用途上、太陽光や室内光などの光に晒
され続けることになるが、調光ガラスや時計用ディスプ
レイに実用化されているようなエレクトロクロミック表
示装置では黒色の部分を形成するために、所要の有機材
料が使用される。ところが、一般的に、有機材料は耐光
性に乏しく、長時間使用した場合では褪色して黒色濃度
が低下すると言う問題点が生ずる。また、表示装置とし
て特公平４−７３７６４号公報に記載されるマトリクス
駆動のものも知られるが、駆動素子は液晶表示装置の一
部を構成するに過ぎない。

【０００８】このような技術的な課題を解決するものと
して、電気化学的な酸化と還元とで色の変化を行う材料
として金属イオンを用い、またこれを溶解するものとし
て白く着色した高分子電解質を用い、マトリクス駆動が
可能であり、コントラスト及び黒色濃度を高くすること
が可能な電気化学表示素子及び電気化学表示装置が提案
されている。しかしながら、特性の面、特にサイクル特
性においてはまだ不十分であり、サイクル特性の向上が
望まれている。また、酸化還元反応の適切な制御が十分
になされず、表示切換の際の消え残り、すなわち残像が
発生することがあり、これが画像品質の低下につながる
という問題もある。

【０００９】したがって、本発明は、上述した従来の問
題点に鑑みて創案されたものであり、サイクル特性に優
れ、かつ表示品質に優れた電気化学表示素子及び電気化
学表示装置、ならびにその製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明に係る電気化学表示素子は、第１の透明電極と、
着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出
・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層
と、第１の透明電極との間に電解質層を挟んでなる第２
電極と、第１の透明電極及び第２電極とは独立した第３
電極とを有することを特徴とするものである。

【００１１】以上のように構成された本発明に係る電気
化学表示素子は、第１の透明電極及び第２電極とは独立
した第３電極を有することにより、発色材料の析出溶解
時の反応状態が第１の透明電極及び第２電極の影響を受
けることなく正確に検知される。これにより、電極にお
いて十分な析出や電気化学反応が行われた時点が的確に
検知され、この検知結果に基づいて駆動を制御すること
により的確に駆動が制御される。また、的確に駆動が制
御されることにより反応の過剰進行が防止され、反応の
過剰進行に起因した副反応の発生が防止される。

【００１２】また、上述した目的を達成する本発明に係
る電気化学表示装置は、第１の透明電極と、着色手段及
び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とに
よって発色する発色材料を含有した電解質層と、第１の
透明電極との間に電解質層を挟んでなる第２電極と、第
１の透明電極及び第２電極とは独立した第３電極とを有
する電気化学表示素子を複数個、面状に配列してなるも
のである。

【００１３】以上のように構成された本発明に係る電気
化学表示装置では、当該電気化学表示装置を構成する電
気化学表示素子が第１の透明電極及び第２電極とは独立
した第３電極を有することにより、発色材料の析出溶解
時の反応状態が第１の透明電極及び第２電極の影響を受
けることなく正確に検知される。これにより、電極にお
いて十分な析出や電気化学反応が行われた時点が的確に
検知され、この検知結果に基づいて駆動を制御すること
により的確に駆動が制御される。また、的確に駆動が制
御されることにより反応の過剰進行が防止され、反応の
過剰進行に起因した副反応の発生が防止される。

【００１４】また、上述した目的を達成する本発明に係
る電気化学表示素子の製造方法は、透明支持体上に第１
の透明電極を形成する工程と、着色手段及び電気化学的
な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色す
る発色材料を含有した電解質層を形成する工程と、第１
の透明電極との間に電解質層を挟んでなる第２電極を形
成する工程と、第１の透明電極及び第２電極とは独立し
た第３電極を形成する工程とを有するものである。

【００１５】以上のような本発明に係る電気化学表示素
子の製造方法では、第１の透明電極及び第２電極とは独
立した第３電極を作製するため、発色材料の析出溶解時
の反応状態が第１の透明電極及び第２電極の影響を受け
ることなく正確に検知される素子が作製される。これに
より、駆動が的確に制御され、反応の過剰進行に起因し
た副反応の発生が防止された電気化学表示素子が作製さ
れる。

【００１６】また、上述した目的を達成する本発明に係
る電気化学表示装置の製造方法は、透明支持体上に第１
の透明電極を形成する工程と、着色手段及び電気化学的
な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色す
る発色材料を含有した電解質層を形成する工程と、第１
の透明電極との間に電解質層を挟んでなる第２電極を形
成する工程と、第１の透明電極及び第２電極とは独立し
た第３電極を形成する工程とを有するものである。

【００１７】以上のような本発明に係る電気化学表示装
置の製造方法では、電気化学表示素子を作製する際に、
第１の透明電極及び第２電極とは独立した第３電極を作
製するため、発色材料の析出溶解時の反応状態が第１の
透明電極及び第２電極の影響を受けることなく正確に検
知される表示装置が作製される。これにより、駆動が的
確に制御され、反応の過剰進行に起因した副反応の発生
が防止された電気化学表示装置が作製される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面を参照して
詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て適宜変更可能である。

【００１９】本発明に係る電気化学表示素子は、第１の
透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこ
れに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含有
した電解質層と、第１の透明電極との間に電解質層を挟
んでなる第２電極と、第１の透明電極及び第２電極とは
独立した第３電極とを有することを特徴とするものであ
る。そして、本発明に係る電気化学表示装置は、このよ
うに構成された電気化学表示素子を複数個、面状に配列
してなることを特徴とするものである。

【００２０】図１に本発明を適用して構成した電気化学
表示装置であるエレクトロデポジション型表示装置１の
要部斜視図を示す。また、図２は、図１中のＡ−Ａ'線
における断面図であり、図３は平面図である。図１乃至
図３に示すように、エレクトロデポジション型表示装置
１は、駆動素子であるＴＦＴ（Thin Film transisto
r）４によって制御される第１の透明電極である透明画
素電極３と、金属イオンと着色剤を含有した電解質層５
と、第１の透明電極に対向する第２の電極としての各画
素に共通な共通電極６とを有するエレクトロデポジショ
ン型表示素子を複数個、面状に配列してなる。そして、
透明画素電極３と同一面状に第３電極８を備えることを
特徴とする。

【００２１】エレクトロデポジション型表示装置１にお
いては、透明画素電極３とＴＦＴ４とが１つずつ組み合
わされて１画素を構成するように形成されており、透明
支持体２上に各画素がマトリクス状に配列されている。

【００２２】透明支持体２としては、石英ガラス板、白
板ガラス板などの透明ガラス基板を用いることが可能で
あるが、これに限定されず、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリエチレンテレフタレートなどのエステル、ポリ
アミド、ポリカーボネート、酢酸セルロースなどのセル
ロースエステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフ
ルオロエチレン−コヘキサフルオロプロピレンなどのフ
ッ素ポリマー、ポリオキシメチレンなどのポリエーテ
ル、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、メチルペンテンポリマーなどのポリオレ
フィン、及びポリイミド−アミドやポリエーテルイミド
などのポリイミドを例として挙げることができる。これ
ら合成樹脂を支持体として用いる場合には、容易に曲が
らないような剛性基板状にすることも可能であるが、可
とう性を持ったフィルム状の構造体とすることも可能で
ある。

【００２３】透明画素電極３は、略矩形若しくは正方形
パターンに形成された透明導電性膜からなり、図１乃至
図３に示すように各画素間が分離されており、その一部
には画素ごとにＴＦＴ４が配設されている。透明画素電
極３には、Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯ ₂、またはこれらの混合物
を主成分とする、いわゆるＩＴＯ膜やＳｎＯ₂またはＩ
ｎ_２Ｏ₃をコーティングした薄膜を用いることが好まし
い。また、これらＩＴＯ膜やＳｎＯ₂またはＩｎ_２Ｏ₃を
コーティングした膜にＳｎやＳｂをドーピングしたもの
でも良く、ＭｇＯやＺｎＯなどを用いることも可能であ
る。

【００２４】各画素に形成されたＴＦＴ４は図示しない
配線によって選択され、対応する透明画素電極３を制御
する。ＴＦＴ４は、画素間のクロストークを防止するの
に極めて有効である。ＴＦＴ４は、例えば透明画素電極
３の一角を占めるように形成されるが、透明画素電極３
がＴＦＴ４と積層方向で重なる構造であっても良い。ま
た、図１乃至図３においては、ＴＦＴ４は透明画素電極
３の一角を占めるように形成されているが、ＴＦＴ４
は、後述するように第２電極の一角を占めるように形成
されても良い。そして、この場合も第２電極がＴＦＴ４
と積層方向で重なる構造であっても良く、第２電極の一
角にＴＦＴ４を配した場合には、このような構造が一般
的である。

【００２５】ＴＦＴ４には、具体的には、ゲート線とデ
ータ線が接続され、各ゲート線に各ＴＦＴ４のゲート電
極が接続され、データ線には各ＴＦＴ４のソース・ドレ
インの一方が接続され、そのソース・ドレインの他方は
透明画素電極３に電気的に接続される。また、ＴＦＴ４
を第２電極に配線した場合には、ソース・ドレインの他
方は第２電極に電気的に接続される。なお、駆動ドライ
バＩＣなどＴＦＴ４以外の駆動素子は平面型ディスプレ
イに用いられているマトリクス駆動回路で、透明基板上
に形成できるものであれば他の材料でもよい。

【００２６】金属イオンを含有する電解質層５は、電解
液もしくは高分子電解質により構成することができる。
ここで、電解液としては、溶媒に金属塩またはアルキル
四級アンモニウム塩を含有してなるものを用いることが
できる。ここで、電解液の溶媒としては、水、エチルア
ルコール、イソプロピルアルコール、プロピレンカーボ
ネート、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネー
ト、γ−ブチロラクトン、アセトニトリル、スルフォラ
ン、ジメトキシエタン、ジメチルフォルムアミド、ジメ
チルスルフォキシド、またはこれらの混合物からなるも
のを用いることができる。

【００２７】また、高分子電解質に用いるマトリクス
（母材）高分子としては、主骨格単位、若しくは側鎖単
位、若しくはその両方に、アルキレンオキサイド、アル
キレンイミン、アルキレンスルフィドの繰り返し単位を
有する高分子材料、または、これらの異なる単位を複数
含む共重合物、またはポリメチルメタクリレート誘導
体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アクリロニトリル、ポリカーボネート誘導体、またはこ
れらの混合物であることが好ましい。また、電解質層が
高分子電解質からなる場合には、高分子電解質からなる
電解質層は単一層であっても良く、また、複数の高分子
電解質層を積層した積層構造であっても良い。

【００２８】以上のようなマトリクス高分子は、水もし
くは有機溶剤を添加することで、これらを膨潤させたも
のとして用いることができる。特に応答速度等が要求さ
れるような場合には、これらの可塑剤を添加することに
より、中に含まれるイオンの移動がより容易になるた
め、マトリクス高分子に水もしくは有機溶剤を添加して
用いることが好ましい。

【００２９】なお、マトリクス高分子の特質ならびに所
望の電気化学的反応に応じ、親水性を要する場合には、
水、エチルアルコール、イソプロピルアルコール及びこ
れらの混合物等を添加することが好ましく、疎水性を要
する場合には、プロピレンカーボネート、ジメチルカー
ボネート、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクト
ン、アセトニトリル、スルフォラン、ジメトキシエタ
ン、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ジメ
チルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド、ジメチ
ルアセトアミド、ｎ−メチルピロリドンおよびこれらの
混合物を添加することが好ましい。

【００３０】本発明に係るエレクトロデポジション型表
示装置１においては、電解質層５中に電気化学的な還元
・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色する発色
材料として金属イオンが含有されている。そして、当該
金属イオンの電気化学的な析出溶解反応により発色及び
消色がなされ表示が行われる。換言すると、いわゆる電
解メッキとその溶出反応を可逆的に生じさせることが主
眼とされる。このように、電気化学的な析出・溶解によ
って、発色と消色とを実現可能な金属イオンとしては、
特に限定されるものではないが、ビスマス、銅、銀、ナ
トリウム、リチウム、鉄、クロム、ニッケル、カドミウ
ムの各イオン、またはこれらの組み合わせからなるイオ
ンを例示することができる。また、その中でも特に好ま
しい金属イオンはビスマス、銀である。これは、ビスマ
スや銀が可逆的な反応を容易にすすめることができ、析
出時の変色度が高いためである。

【００３１】また、電解質層５中には、析出溶解させる
金属イオン種とは異なるイオン種を含む塩を支持電解質
塩として添加することにより、電気化学的な析出溶解反
応をより効果的に、且つ安定して行うことができる。こ
のような支持電解質としては、リチウム塩、例えばＬｉ
Ｃｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＢＦ₄、ＬｉＣｌＯ₄、Ｌ
ｉＰＦ_６、ＬｉＣＦ₃ＳＯ₃などや、カリウム塩、例えば
ＫＣｌ、ＫＩ、ＫＢｒなどや、ナトリウム塩、例えばＮ
ａＣｌ、ＮａＩ、ＮａＢｒ、或いはテトラアルキル四級
アンモニウム塩、例えば、ほうフッ化テトラエチルアン
モニウム塩、過塩素酸テトラエチルアンモニウム塩、ほ
うフッ化テトラブチルアンモニウム塩、過塩素酸テトラ
ブチルアンモニウム塩、テトラブチルアンモニウムハラ
イド塩などを挙げることができる。なお、上述の四級ア
ンモニウム塩のアルキル鎖長は不揃いでも良い。

【００３２】また、電解質層５にはコントラストを向上
させるために着色手段として例えば無機顔料、有機顔料
等の着色剤が含有される。前述のように金属イオンの発
色が黒色の場合には、背景色としては白色の隠蔽性の高
い材料が導入される。このような材料として、例えば、
着色用の白色粒子が用いられ、着色用の白色粒子として
は二酸化チタン、炭酸カルシウム、シリカ、酸化マグネ
シウム、酸化アルミニウムを使用することができる。ま
た、着色のための色素を用いることもできる。

【００３３】この着色剤を混ぜる割合としては、無機粒
子による場合、１ｗｔ％〜２０ｗｔ％が好ましく、より
好ましくは１ｗｔ％〜１０ｗｔ％であり、さらに好まし
くは５ｗｔ％〜１０ｗｔ％である。この場合、着色剤を
混ぜる割合が少ないと所望の着色が得られず、逆に着色
剤を混ぜる割合が多いと、含有されるイオン量の低下、
さらには電解質の導電性の低下を来す。したがって、上
記のような割合で着色剤を混ぜることにより、これらの
不具合を発生することなく、良好な着色状態を実現する
ことができる。

【００３４】また、高分子電解質層からなる電解質層５
に無機粒子を着色剤として混ぜる場合、電解質層の膜厚
は２０μｍ〜２００μｍであることが好ましく、より好
ましくは５０μｍ〜１５０μｍであり、さらに好ましく
は７０μｍ〜１５０μｍである。電解質層の厚みは、薄
い方が電極間の抵抗が小さくなり、発色・消色時間の低
減や消費電力の低下につながり好ましい。しかし、電解
質層の厚みが２０μｍ以下になると、機械的強度が低下
してピンホールや亀裂が生じて好ましくない。また、電
解質層の厚みがあまり薄い場合には白色粒子の混合量が
少なくなるため、白色性（光学濃度）が十分でなくなる
ことになる。

【００３５】また、色素系の着色手段を用いる場合に
は、混ぜる割合としては、１０ｗｔ％程度でも良い。こ
れは色素の発色効率は無機粒子に比べてはるかに高いた
めである。したがって、電気化学的に安定した色素であ
れば、少ない量でもコントラストを出すことができる。
通常は、色素として油溶性染料を用いることが好まし
い。

【００３６】そして、電解質層５が高分子電解質からな
る場合には、高分子電解質からなる電解質層５は複数の
高分子電解質層を積層した積層構造であってもよいが、
この場合、上記着色手段は、一部の層にだけ含有させる
ことにより上述した効果を得ることが可能である。

【００３７】また、電解質層５には、電気化学的な反
応、特に金属の析出溶解を可逆的、且つ効率的に行うた
めに、成長阻害剤、応力抑制剤、光沢剤、錯化剤、還元
剤のうち少なくとも１種類以上の添加剤を添加すること
が好ましい。このような添加剤としては、酸素原子また
は硫黄原子を有する基を備えた有機化合物が好ましく、
例えば、チオ尿素、１−アリル−２−チオ尿素、メルカ
プトベンゾイミダゾール、クマリン、フタル酸、コハク
酸、サリチル酸、グリコール酸、ジメチルアミンボラン
（ＤＭＡＢ）、トリメチルアミンボラン（ＴＭＡＢ）、
酒石酸、シュウ酸及びＤ−グルコノ−１，５−ラクトン
からなる群より選ばれた少なくとも１種を添加すること
ができる。特に、本発明においては、下記化１で現され
るメルカプトアルキルイミダゾールに準じるメルカプト
ベンゾイミダゾールを添加することによって、可逆性が
向上するとともに、長期保存性、高温保存性においても
優れた効果を得ることができるため好ましい。

【００３８】

【化１】

【００３９】そして、上記のような構成を有する系のエ
レクトロデポジション型表示装置においては、電気化学
的な反応を行うにあたり、所定の反応以外の副反応が発
生する場合がある。例えば、電解質層５にハロゲン化物
を含む塩が含有されている場合、これらは電位によって
は下記化２に示すような反応によりイオン状態から酸化
されてしまう。そして、これに伴い所望の発色以外の発
色が生じてしまう。

【００４０】

【化２】

【００４１】したがって、この不要な発色の発生を解消
するには、上述した副反応を抑制し、且つ酸化されたハ
ロゲン物を還元する必要がある。この場合、還元剤とし
ては、一般的な還元剤を用いることができ、添加剤とし
て電解質層５に添加する。このような還元剤としては、
例えばアスコルビン酸化合物や、一般式が下記化３で現
されるトリアルキルアルコールアミンなどが好適であ
る。

【００４２】

【化３】

【００４３】特に、本発明においては、トリアルキルア
ルコールアミン種であり下記化４で現されるトリエタノ
ールアミンは、電解質層５に添加することによって長期
保存性、高温保存性においても優れた効果を得ることが
できるため好ましい。

【００４４】また、所定の反応以外の副反応により還元
反応が生じる場合には、酸化剤を添加する。したがっ
て、発色材料が析出する際に、第１の透明電極及び上記
第２の電極の何れででも起こりうる主としてアニオン種
に起因した副反応を抑制するための還元剤または酸化剤
が上記電解質層に含有させることが好ましい。

【００４５】

【化４】

【００４６】第１の透明電極と対向する側に配される第
２の電極として共通電極６が形成される。この共通電極
６は、電気化学的に安定な金属であれば何でもよいが、
好ましいのは白金、クロム、アルミニウム、コバルト、
パラジウム、ビスマス、銀などであり、支持体７上に金
属薄膜などの良導体からなる膜を成膜することで作製で
きる。さらに、主反応に用いる金属を予め、或いは随時
十分に補うことができればカーボンを共通電極として使
用可能である。カーボンを使用することで、電極の低価
格化を図ることができる。このためのカーボンを電極上
に担持させる方法としては、例えばカーボンを樹脂を用
いてインク化し、基板面に印刷する方法がある。

【００４７】なお、前述のビスマスもしくは銀を析出溶
解させるような系の場合には、第２電極としてはこれら
の析出溶解する金属種と同じものを用いることにより、
電気化学的に安定な電極反応を実現できる。

【００４８】支持体７は、透明である必要はなく、共通
電極６や電解質層５を確実に保持できる基板やフィルム
などを用いることができる。例示すると、石英ガラス
板、白板ガラス板、セラミックス基板、紙基板、木材基
板等を用いることが可能であるが、これに限定されず、
合成樹脂基板として、ポリエチレンナフタレート、ポリ
エチレンテレフタレートなどのエステル、ポリアミド、
ポリカーボネート、酢酸セルロースなどのセルロースエ
ステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエ
チレンーコヘキサフルオロプロピレンなどのフッ素ポリ
マー、ポリオキシメチレンなどのポリエーテル、ポリア
セタール、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、メチルペンテンポリマーなどのポリオレフィン、及
びポリイミド−アミドやポリエーテルイミドなどのポリ
イミドを用いることもできる。

【００４９】これらの合成樹脂を支持体７として用いる
場合には、容易に曲がらないような剛性基板状にするこ
とも可能であるが、可とう性を持ったフィルム状の構造
体とすることも可能である。なお、第２電極自体が共通
電極として一体構成され、且つ十分な剛性を有する場合
には、支持体７を設けなくても良い。

【００５０】また、図１乃至図３に示すように、第１の
透明電極側と第２の電極を対向させるために、両支持体
２、７を保持する封着樹脂部９が周囲に形成される。こ
の封着樹脂部９によって両支持体２、７とこれらの間に
配設された透明画素電極３とＴＦＴ４、電解質層５、共
通電極６が確実に保持されることになる。

【００５１】第３電極８は、透明画素電極３及び共通電
極６と電気的に絶縁された部材として独立して形成され
る。第３電極８は、透明画素電極３及び共通電極６と電
気的に絶縁された部材として独立して形成されることに
より、発色材料の析出溶解時の反応の進み具合を透明画
素電極３及び共通電極６の影響を受けることなく正確に
検知することができる。

【００５２】このような第３電極８の材質としては、反
応に全く関与しない媒質中への自然溶出がない安定した
金属材料が選択され、例えば共通電極６と同様な白金、
クロム、アルミニウム、コバルト、パラジウム、銀など
を選ぶことができる。

【００５３】図４はエレクトロデポジション型表示装置
１の回路図である。ＴＦＴ４と透明画素電極３からなる
画素がマトリクス状に配されており、容量の対向電極側
が共通電極となる。各画素を選択するためのデータ線駆
動回路１２、１２ａとゲート線駆動回路１３が設けられ
ており、それぞれ所定のデータ線１５とゲート線１４が
信号制御部１１からの信号によって選択される。信号制
御部１１からは第３電極８が接続するように構成されて
いて、第３電極８からの信号によって画素部分の電位を
モニターすることができる。これにより、金属析出溶解
時の反応の進み具合を透明画素電極３及び共通電極６の
影響を受けることなく正確に検知することができる。

【００５４】以上のように構成された本発明に係るエレ
クトロデポジション型表示装置１では、ＴＦＴ４を用い
てマトリクス駆動が可能である。そして、電解質層５に
含有された金属イオン及び着色剤を利用することによ
り、コントラストが良好であり、且つ黒色濃度の高い表
示を行うことが可能とされ、表示品質の高い、視認性に
優れたエレクトロデポジション型表示装置が実現されて
いる。

【００５５】そして、上記構成を有する本発明に係るエ
レクトロデポジション型表示装置においては、第１の透
明電極である透明画素電極３と第２電極８との間に通電
することで、これら透明画素電極３と第２電極８との間
に存在する電解質層中のイオン移動を伴い、電気化学反
応により金属の析出溶解が生じ、色が変色し、発色す
る。電解質層５は、着色手段としての着色剤を含有する
ことから、発色材料に色の変化が生じた場合のコントラ
ストを高め、良好なものとすることができる。

【００５６】ここで、第１の透明電極と第２電極とのみ
を有し、第３電極を含まない構造のエレクトロデポジシ
ョン型表示装置では、例えば電圧波形で制御するような
場合には、電気化学反応により第１の透明電極のみなら
ず第２電極の電位も変動しており、その変動した状態で
の二極間の電位差を外部電圧波形で制御することにな
る。このような制御を行った場合、第１の透明電極が本
来保つべき電位を見失うことになり、所望の制御をする
ことができない。これは、発色材料を所望の溶解若しく
は析出状態に制御することができないということであ
る。したがって、第２電極側の電位変動がほとんどない
ような系以外においては、二極間の電位差を外部電圧波
形で制御することは信頼性に欠けた制御となる。

【００５７】これに対して、エレクトロデポジション型
表示装置１においては、第１の透明電極である透明画素
電極３と共通電極６との間で通電させて色変化による表
示をさせた場合、参照極としての第３電極８は、透明画
素電極３及び共通電極６から絶縁され独立して設けられ
ているため、直接その電気化学反応には関与しない。

【００５８】これにより、発色材料の析出溶解時の反応
の進み具合を透明画素電極３及び共通電極６の影響を受
けることなく正確に検知することができる。すなわち、
変動しない第３電極８の電位を基準として、発色材料の
析出溶解時の反応状態を電位として検知、掃引すること
ができることから、電極において十分な析出や電気化学
反応が行われた時点を的確に検知することが可能とされ
る。そして、この検知結果に基づいて駆動、すなわち透
明画素電極３と第２電極８との間の通電を制御すること
により、信頼性の高い電気化学反応制御が可能となる。

【００５９】これは、発色材料を所望の溶解若しくは析
出状態に制御することが可能であるということであり、
これにより、発色材料の発色、消色の制御、すなわち、
表示の制御を適正に行うことが可能となり、信頼性の高
い表示の制御が可能であると言うことである。その結
果、消色時の消え残りのような現象、いわゆる残像の発
生を防止することもでき、視認性に優れたエレクトロデ
ポジション型表示装置を構成することが可能とされる。
したがって、エレクトロデポジション型表示装置１にお
いては、表示品質の良好なエレクトロデポジション型表
示装置が実現されているといえる。

【００６０】また、エレクトロデポジション型表示装置
においては、的確な駆動制御がなされない場合には、反
応の過剰進行に起因した副反応の発生が生じ、これによ
りサイクル特性の劣化が生じる。

【００６１】しかしながら、エレクトロデポジション型
表示装置１においては、上述したように、第３電極８
は、透明画素電極３及び共通電極６と電気的に絶縁され
た部材として独立して形成され、電極において十分な析
出や電気化学反応が行われた時点を的確に検知すること
が可能とされている。そして、この検知結果に基づいて
駆動、すなわち透明画素電極３と第２電極８との間の通
電を制御することにより、それ以上の反応の進行を止め
ることができる。すなわち、このような制御を行うこと
により発色材料の析出溶解反応の過剰進行に起因した副
反応の発生を防止することが可能となり、その結果、所
定の反応以外の副反応に起因してサイクル特性の劣化を
防止することができ、サイクル特性を大幅に向上させる
ことが可能となる。したがって、エレクトロデポジショ
ン型表示装置１においては、第３電極８を備えることに
より、良好なサイクル特性を備えたエレクトロデポジシ
ョン型表示装置が実現されているといえる。

【００６２】次に、上述したエレクトロデポジション型
表示装置１の製造方法について説明する。このエレクト
ロデポジション型表示装置１を作製するには、まず、図
５に示すように、ガラス基板などの透明支持体２上に、
ＩＴＯ膜からなる透明画素電極３と、ＴＦＴ４とを形成
する。ＩＴＯ膜は、蒸着、スパッタリングなどの従来公
知の方法によって形成することができ、ＴＦＴ４も公知
の半導体製造技術を用いて形成することができる。この
とき、透明画素電極３を形成するに先立って、決着性を
向上させる処理を透明支持体２に施しても良い。これら
透明画素電極３とＴＦＴ４とは、画素ごとに形成され、
各画素は透明支持体２上にマトリクス状に配列される。
また、各画素間に銀からなる第３電極８を蒸着、スパッ
タリング、もしくはメッキなどの従来公知の方法によっ
て形成する。なお、後の工程で駆動回路に接続可能なリ
ード部（図示しない）も形成される。また、パッシブマ
トリクス構造の場合には、全体に所望の薄膜を形成した
後に、公知のレジスト技術によりパターニングして所望
のストライプ形状を形成することができる。

【００６３】次に、透明支持体２上に電解質層５を形成
する。電解質層５として例えば高分子電解質層を形成す
る場合には、まず、高分子固体電解質のマトリクス（母
材）用高分子となる合成樹脂と、電解質を構成し析出溶
解させる金属種を含有する塩と、支持電解質塩とが混合
され、さらに着色剤として白色粒子が可塑剤を含む状態
で分散されて調整される。

【００６４】また、これと平行して図６に示すように、
高分子電解質材料を塗布する前工程として、透明支持体
２にＵＶオゾン処理を施すことによって、洗浄及び表面
改質を行う。

【００６５】そして、図７に示すようにＵＶオゾン処理
後の透明支持体２上に高分子電解質材料が塗布されて電
解質層５が形成される。ここで、電解質を構成し析出溶
解させる金属種を含有する塩としては、例えば銀塩、も
しくはビスマス塩を用いることができ、支持電解質塩と
しては、例えばリチウム塩、カリウム塩、ナトリウム
塩、或いはテトラアルキルアンモニウム塩などの材料を
用いることができる。そして、着色剤としては、例えば
酸化チタンもしくは酸化アルミニウムなどを用いること
ができる。

【００６６】次に、図８に示すように例えばポリエチレ
ンテレフタレートからなる支持体７上に、所要の膜厚の
パラジウム膜からなる共通電極６を形成する。共通電極
６は、決着性を向上させる処理を支持体７に施した後、
蒸着、スパッタリング、もしくはメッキなどの従来公知
の方法によって形成する。

【００６７】次に、図９に示すように高分子電解質から
なる電解質層５が形成された上に、共通電極６が形成さ
れた支持体７を対向させるように貼り合わせる。そし
て、貼り合わせの端部に図１０に示すように汎用の封止
剤により封着樹脂部９を形成することにより表示部の封
止を行い、エレクトロデポジション型表示装置１が完成
する。

【００６８】この後、流動性の高い高分子電解質を加熱
もしくは紫外光照射などの手段により、マトリクス高分
子を架橋反応させてゲル化させても良い。この場合に
は、架橋助剤や光増感剤などを併用することにより、効
率的にゲル化を促進することができる。

【００６９】また、高分子電解質からなる電解質層５を
形成する前に、隔壁などを用いて所望の電極間厚みを有
する状態とし、流動性のある高分子電解質溶液の注入口
を確保した状態で透明支持体２と支持体７とを貼り合わ
せても良い。そして、液晶のプロセスで行われるよう
に、毛細管現象を利用した注入法により流動性のある高
分子電解質溶液を注入し、その後、注入口を封止するこ
とによりエレクトロデポジション型表示装置１を作製す
ることもできる。このような注入法を用いることによ
り、樹脂を含まない電解液と着色剤を含む溶液を注入す
ることによりエレクトロデポジション型表示装置１を構
成することが可能となる。

【００７０】また、対向して貼り合わされる透明支持体
２と支持体７との間隔を面内方向で一定に保持するた
め、透明支持体２と支持体７との外周縁部に樹脂あるい
は無機物などからなる額縁状のギャップ形成部材を配し
ても良く、また高分子電解質中に液晶デバイス等に用い
られるような真絲球を分散させることにより所望の間隔
を形成することもできる。また、不織布や多孔子のフィ
ルムに高分子電解質を含有させた状態で、これ自体をギ
ャップ形成部材として用いることも可能である。

【００７１】上記においては、アクティブマトリクス型
であり第３電極８が第１の透明電極側、すなわち透明画
素電極側に配された場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではない。上述したような電気化
学表示素子は、大きく分けてアクティブマトリクス型の
ものと、パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の
ものとに分けられる。また、アクティブマトリクス型に
おいては、上述したように作用極としての第１の透明電
極側にＴＦＴを組み込んだタイプと、対極である第２電
極側にＴＦＴを組み込んだタイプがある。

【００７２】アクティブマトリクス型において、表示画
素の開口率を考慮した場合には、ＴＦＴにより開口面積
が減少しないため後者の第２電極側にＴＦＴを組み込ん
だタイプが好ましい。また、第１の透明電極側に備えた
第３電極の参照極としての有効性をより活用するには第
３電極は作用極に近づけることが好ましく、この場合に
は前者の第１の透明電極側にＴＦＴを組み込んだタイプ
が好ましい。さらに、第３電極の配置構造は、第１の透
明電極側に配置する構造と、対極である第２電極側に配
置する構造とをとることができる。

【００７３】図１１は、後者の対極である第２電極側に
ＴＦＴを組み込んだタイプのエレクトロデポジション型
表示素子の一構成例を示す断面図である。このエレクト
ロデポジション型表示素子は、支持体２７上に形成され
駆動素子であるＴＦＴ２６によって制御される第２電極
２５と、電解質層２４と、第２電極２５に対向する第１
の透明電極２２と、第３電極２３とを備えて構成される
ものである。そして、第１の透明電極２２は、透明支持
体２１上にストライプ状に形成され、当該第１の透明電
極２２のストライプごとに第３電極２３が透明支持体２
１上に配置されている。また、電解質層２４は、金属イ
オンと着色剤を含有した電解液または高分子電解質によ
り構成され、第１の透明電極２２と第２電極２５間の空
隙部に充填されてなるものである。

【００７４】また、第３電極は細い金属線をメッシュ状
に織り込んで形成することも可能であり、このようにし
て形成した第３電極を、第１の透明電極と第２電極との
間に、各電極と短絡しないように不織布に挟んで配置し
た構造とすることも可能である。

【００７５】図１２は、図１に示す構成において、第３
電極を細い金属線をメッシュ状に織り込んで形成して配
置したエレクトロデポジション型表示素子の一構成例を
示す断面図である。このエレクトロデポジション型表示
素子は、駆動素子であるＴＦＴ４によって制御される第
１の透明電極である透明画素電極３と、電解質層５と、
第１の透明電極に対向する第２の電極としての各画素に
共通な共通電極６と、第３電極３１とを備えて構成され
るものである。そして、第３電極３１は、細い金属線を
メッシュ状に織り込んで形成され、他の電極と短絡しな
いように不織布３２に挟んだ状態で透明画素電極３と共
通電極６との間に配置されている。また、電解質層５
は、金属イオンと着色剤を含有した電解液または高分子
電解質により構成され、第１の透明電極３と共通電極６
間の空隙部に充填されてなるものである。

【００７６】また、パッシブマトリクス型においても、
第３電極を作用極としての第１の透明電極側に配したタ
イプと、対極である第２電極側に第３電極を配したタイ
プとがある。

【００７７】図１３は、前者の第３電極を第１の透明電
極側に配したタイプのエレクトロデポジション型表示素
子の一構成例を示す斜視図である。このエレクトロデポ
ジション型表示素子は、透明支持体４１上にストライプ
状に形成された透明画素電極４２と、電解質層４６と、
透明画素電極４２に対向する支持体４４上にストライプ
状に形成された第２電極４５と、第３電極４３とを備え
て構成されるものである。透明画素電極４２と第２電極
４５とは、図１４に示すようにそれぞれのストライプ構
造が互いに直行するように配置されており、それぞれの
ストライプ構造が交差する部分が表示活性の領域とな
る。そして、第３電極４３は、ストライプ状に形成され
た透明画素電極４２と同一基材上、すなわち透明支持体
４１上にこれと平行に、且つ同数がストライプ状に配置
されている。また、電解質層４６は、金属イオンと着色
剤を含有した電解液または高分子電解質により構成さ
れ、第１の透明電極４２と第２電極４５間の空隙部に充
填されてなるものである。

【００７８】図１５は、後者の第２電極側に第３電極を
配したタイプのエレクトロデポジション型表示素子の一
構成例を示す斜視図である。このエレクトロデポジショ
ン型表示素子は、透明支持体４１上にストライプ状に形
成された透明画素電極４２と、電解質層４６と、支持体
４４上にストライプ状に形成された第２電極４５と、第
３電極４３とを備えて構成されるものである。透明画素
電極４２と第２電極４５とは、図１６に示すようにそれ
ぞれのストライプ構造が互いに直行するように配置され
ており、それぞれのストライプ構造が交差する部分が表
示活性の領域となる。そして、第３電極４３は、ストラ
イプ状に形成された第２電極４５と同一基材上、すなわ
ち支持体４４上にこれと平行に、且つ同数のストライプ
状に配置されている。また、電解質層４６は、金属イオ
ンと着色剤を含有した電解液または高分子電解質により
構成され、第１の透明電極４２第２電極４５との空隙部
に充填されてなるものである。

【００７９】以下に、本発明の具体的な実施の形態とし
て、本発明に係るエレクトロデポジション型表示素子に
おける第３電極の配置例を示す。

【００８０】まず、パッシブマトリクス型のエレクトロ
デポジション型表示素子において、透明画素電極側に第
３電極を配置する構成例について説明する。以下の第１
の実施の形態乃至第７の実施の形態において基本となる
エレクトロデポジション型表示素子の構成は、従来の第
３電極を配置しない標準的なパッシブマトリクス型のエ
レクトロデポジション型表示素子の構成であり、図１７
及び図１８に示す構成である。すなわち、透明支持体５
１上にストライプ状に形成された透明画素電極５２と、
電解質層５５と、透明画素電極５２に対向する支持体５
３上にストライプ状に形成された第２電極５４とを備え
て構成されるものである。そして、図１９に示すよう
に、透明画素電極５２の両端は、透明画素電極取り出し
部５６及び透明画素電極取り出し部５７に接続されてい
る。また、図２０に示すように、透明画素電極５２上に
は、当該透明画素電極５２に直交するように絶縁層５８
が形成されている。ここで、図１９は、透明支持体５１
を対極側から見た平面図であり、図２０は、図１９中の
矢印Ｂにおける要部拡大図である。以下においては、透
明画素電極５２を形成した透明支持体５１（以下、透明
画素電極基板と呼ぶことがある。）を対極側から見た平
面図及びその要部拡大図を示して説明する。

【００８１】［第１の実施の形態］第１の実施の形態
は、図２１に示すように透明画素電極基板に線状の第３
電極５９を透明画素電極５２側の全有効画素を取り囲む
ように配置した配置例である。第３電極５９は第３電極
取り出し部６０、６１、６２、６３に接続されている。
そして、図２２に示すように透明画素電極５２上には、
当該透明画素電極５２に直交するように絶縁層５８が形
成されている。また、第３電極５９が配置された部分に
おいては、図２３に示すように絶縁層５８上に第３電極
５９が形成される。このように、全有効画素を取り囲む
ように第３電極を配置することにより開口率が高くでき
るため、光取り出し効率の良好なエレクトロデポジショ
ン型表示素子を構成することができる。

【００８２】［第２の実施の形態］第２の実施の形態
は、図２４に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と平行な方向で、上下２本の
線状の第３電極５９で全有効画素を挟むように配置した
配置例である。上下２本の第３電極５９は、それぞれ第
３電極取り出し部６０、６１、第３電極取り出し部６
２、６３に接続されている。そして、図２５に示すよう
に透明画素電極５２上には、当該透明画素電極５２に直
交するように絶縁層５８が形成されている。このよう
に、全有効画素を上下で挟むように第３電極を配置する
ことにより開口率が高くできるため、光取り出し効率の
良好なエレクトロデポジション型表示素子を構成するこ
とができる。

【００８３】［第３の実施の形態］第３の実施の形態
は、図２６に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と直交する方向で、左右２本
の線状の第３電極５９で全有効画素を挟むように配置し
た配置例である。左右２本の第３電極５９は、それぞれ
第３電極取り出し部６０、６３、第３電極取り出し部６
１、６２に接続されている。そして、図２７に示すよう
に透明画素電極５２上には、当該透明画素電極５２に直
交するように絶縁層５８が形成されている。また、第３
電極５９が配置された部分においては、図２８に示すよ
うに絶縁層５８上に第３電極５９が形成される。このよ
うに、全有効画素を左右で挟むように第３電極を配置す
ることにより開口率が高くできるため、光取り出し効率
の良好なエレクトロデポジション型表示素子を構成する
ことができる。

【００８４】［第４の実施の形態］第４の実施の形態
は、図２９に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と平行な方向で、透明画素電
極５２のストライプ間に同数の線状の第３電極５９を形
成した配置例である。第３電極５９は、それぞれ第３電
極取り出し部６０及び第３電極取り出し部６１に接続さ
れている。そして、図３０に示すように透明画素電極５
２上及び第３電極５９上には、当該透明画素電極５２及
び第３電極５９に直交するように絶縁層５８が形成され
ている。

【００８５】［第５の実施の形態］第５の実施の形態
は、図３１に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と平行な方向で、所定の本数
おきに線状の第３電極５９を形成した配置例である。第
３電極５９は、それぞれ第３電極取り出し部６０及び第
３電極取り出し部６１に接続されている。そして、図３
２に示すように透明画素電極５２上及び第３電極５９上
には、当該透明画素電極５２及び第３電極５９に直交す
るように絶縁層５８が形成されている。

【００８６】［第６の実施の形態］第６の実施の形態
は、図３３に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と直交する方向で、縦方向の
画素間に線状の第３電極５９を形成した配置例である。
第３電極５９は、それぞれ第３電極取り出し部６０及び
第３電極取り出し部６１に接続されている。そして、第
３電極５９は、図３４に示すように透明画素電極５２の
ストライプ構造と直交する方向に形成された絶縁層５８
上に、当該絶縁層５８と同数だけ形成されている。

【００８７】［第７の実施の形態］第７の実施の形態
は、図３５に示すように、透明画素電極基板に透明画素
電極５２のストライプ構造と直交する方向で、縦方向の
画素間に一定の間隔をおいて線状の第３電極５９を形成
した配置例である。第３電極５９は、それぞれ第３電極
取り出し部６０及び第３電極取り出し部６１に接続され
ている。そして、第３電極５９は、図３６に示すように
透明画素電極５２のストライプ構造と直交する方向に形
成された絶縁層５８上に、所定の本数おきに形成されて
いる。

【００８８】次に、パッシブマトリクス型のエレクトロ
デポジション型表示素子において、第２電極側に第３電
極を配置する構成例について説明する。以下の第８の実
施の形態乃至第１２の実施の形態において基本となるエ
レクトロデポジション型表示素子の構成は、第１の実施
の形態乃至第７の実施の形態と同様であり、図１７及び
図１８に示す構成である。すなわち、透明支持体５１上
にストライプ状に形成された透明画素電極５２と、電解
質層５５と、透明画素電極に対向する支持体５３上にス
トライプ状に形成された第２電極５４とを備えて構成さ
れるものである。そして、図３７に示すように、第２電
極５４の両端は、第２電極出し部７１及び第２電極取り
出し部７２に接続されている。また、図３８に示すよう
に、第２電極５４上には、当該第２電極５４に直交する
ように絶縁層７３が形成されている。ここで、図３７
は、支持体５３を対極側から見た平面図であり、図３８
は、図３７中の矢印Ｌにおける要部拡大図である。以下
においては、第２電極を形成した支持体５３（以下、第
２電極基板と呼ぶことがある。）を対極側から見た平面
図及びその要部拡大図を示して説明する。

【００８９】［第８の実施の形態］第８の実施の形態
は、図３９に示すように第２電極基板に線状の第３電極
７４を第２電極５４側の全有効画素を取り囲むように配
置した配置例である。第３電極７４は第３電極取り出し
部７５、７６、７７、７８に接続されている。そして、
図４０に示すように第２電極５４上には、当該第２電極
５４に直交するように絶縁層７３が形成されている。ま
た、第３電極７４が配置された部分においては、図４１
に示すように絶縁層７３上に第３電極７４が形成されて
いる。

【００９０】［第９の実施の形態］第９の実施の形態
は、図４２に示すように、第２電極基板に第２電極５４
のストライプ構造と平行な方向で、左右２本の線状の第
３電極７４で全有効画素を挟むように第３電極７４を形
成した配置例である。左右２本の第３電極７４は、それ
ぞれ第３電極取り出し部７５、７８、第３電極取り出し
部７６、７７に接続されている。そして、図４３に示す
ように第２の電極５４上には、当該第２の電極５４に直
交するように絶縁層７３が形成されている。

【００９１】［第１０の実施の形態］第１０の実施の形
態は、図４４に示すように、第２電極基板に第２電極５
４のストライプ構造と直交する方向で、上下２本の線状
の第３電極７４で全有効画素を挟むように配置した配置
例である。上下２本の第３電極７４は、それぞれ第３電
極取り出し部７５、７６、第３電極取り出し部７７、７
８に接続されている。そして、図４５に示すように第２
電極５４上には、当該第２電極５４に直交するように絶
縁層７３が形成されている。また、第３電極７４が配置
された部分においては、図４６に示すように絶縁層７３
上に第３電極７４が形成される。

【００９２】［第１１実施の形態］第１１の実施の形態
は、図４７に示すように、第２電極基板に第２電極５４
のストライプ構造と平行な方向で、第２電極５４のスト
ライプ間に同数の線状の第３電極７４を形成した配置例
である。第３電極７４は、それぞれ第３電極取り出し部
７５及び第３電極取り出し部７６に接続されている。そ
して、図４８に示すように第２電極５４上及び第３電極
７４上には、当該第２電極５４及び第３電極７４に直交
するように絶縁層７３が形成されている。

【００９３】［第１２の実施の形態］第１２の実施の形
態は、図４９に示すように、第２電極基板に第２電極５
４のストライプ構造と平行な方向で、所定の本数おきに
線状の第３電極７４を形成した配置例である。第３電極
７４は、それぞれ第３電極取り出し部７５及び第３電極
取り出し部７６に接続されている。そして、図５０に示
すように第２電極５４上及び第３電極７４上には、当該
第２電極５４及び第３電極７４に直交するように絶縁層
７３が形成されている。

【００９４】次に、パッシブマトリクス型のエレクトロ
デポジション型表示素子において、第１の透明電極と第
２電極との間に第３電極を配置する構成例について説明
する。

【００９５】［第１３の実施の形態］第１３の実施の形
態は、図５１に示すように、透明支持体５１上にストラ
イプ状に形成された透明画素電極５２と、電解質層５５
と、透明画素電極に対向する支持体５３上にストライプ
状に形成された第２電極５４とを備えて構成されるもの
である。また、透明画素電極５２と第２電極５４との間
に第３電極８１が配置されている。ここで、第１の透明
電極側、すなわち透明画素電極５２側は、図１９及び図
２０に示した構成とされ、また、第２の電極側は図３７
及び図３８に示した構成とされる。そして、第３電極８
１には、網目構造の一辺が３０μｍ程度の綾織り型の銀
メッシュを用い、この第３電極８１を他の電極と短絡し
ないように不織布８２に挟んだ状態で透明画素電極５２
と第２電極５４との間に配置されている。

【００９６】次に、アクティブマトリクス型のエレクト
ロデポジション型表示素子において、透明画素電極側に
駆動用のＴＦＴを付設し、さらに第３電極を配置する構
成例について説明する。以下の第１４の実施の形態乃至
第２０の実施の形態において基本となるエレクトロデポ
ジション型表示素子の構成は、従来の第３電極を配置し
ない標準的なアクティブマトリクス型のエレクトロデポ
ジション型表示素子の構成であり、図５２及び図５３に
示す構成である。すなわち、透明支持体９１上に形成さ
れ、駆動素子であるＴＦＴ９４によって制御される第１
の透明電極である透明画素電極９２と、電解質層９５
と、透明画素電極９２に対向する支持体９３上に形成さ
れた第２電極として各画素に共通な共通電極９６とを備
えて構成されるものである。そして、透明画素電極９２
とＴＦＴ９４とが１つずつ組み合わされて画素９９を構
成するように形成されており、透明支持体９１上に各画
素がマトリクス状に配列されている。ここで、図５２
は、エレクトロデポジション型表示素子の断面図であ
り、図５３は、図５２を上から見た平面図である。

【００９７】そして、図５４に示すように、透明画素電
極９２は、透明画素電極取り出し部９７及び透明画素電
極取り出し部９８に接続されている。また、図５５に示
すように、各画素間には、絶縁層１００が形成されてい
る。ここで、図５４は、透明支持体９１を対極側から見
た平面図であり、図５５は、図５４中の矢印Ｔにおける
要部拡大図である。以下においては、透明画素電極９２
を形成した透明支持体９１（以下、透明画素電極基板と
呼ぶことがある。）対極側から見た平面図及びその要部
拡大図を各実施の形態ごとに示し、第３電極の構成例を
説明する。

【００９８】［第１４の実施の形態］第１４の実施の形
態は、図５６に示すように透明画素電極９２側の全有効
画素を取り囲むように透明画素電極基板に線状の第３電
極１０１を配置した配置例である。第３電極１０１は第
３電極取り出し部１０２、１０３、１０４、１０５に接
続されている。そして、図５７に示すように各画素間に
は、絶縁層１００が形成されている。このように、全有
効画素を取り囲むように第３電極１０１を配置すること
により開口率が高くできるため、光取り出し効率の良好
なエレクトロデポジション型表示素子を構成することが
できる。

【００９９】［第１５の実施の形態］第１５の実施の形
態は、図５８に示すように、透明画素電極９２側の全有
効画素を上下２本の線状の第３電極１０１で挟むように
透明画素電極基板に線状の第３電極１０１を配置した配
置例である。上下２本の第３電極１０１は、それぞれ第
３電極取り出し部１０２、１０３及び第３電極取り出し
部１０４、１０５に接続されている。そして、図５９に
示すように各画素間には、絶縁層１００が形成されてい
る。このように、全有効画素を上下で挟むように第３電
極１０１を配置することにより開口率が高くできるた
め、光取り出し効率の良好なエレクトロデポジション型
表示素子を構成することができる。

【０１００】［第１６の実施の形態］第１６の実施の形
態は、図６０に示すように、２本の第３電極１０１が透
明画素電極９２側の全有効画素の略中央部において交差
するように透明画素電極基板に線状の第３電極１０１が
十文字に配置された配置例である。第３電極１０１は、
第３電極取り出し部１０２、１０３、１０４、１０５に
接続されている。そして、図６１に示すように各画素間
には、絶縁層１００が形成されている。

【０１０１】［第１７の実施の形態］第１７の実施の形
態は、図６２及び図６３に示すように、透明画素電極側
の有効画素面において一定方向に並んだ画素ラインの各
ライン間の全てに第３電極１０１を形成した配置例であ
る。第３電極１０１は、それぞれ第３電極取り出し部１
０２、１０３に接続されている。そして、図６３に示す
ように各画素間には、絶縁層１００が形成されている。

【０１０２】［第１８の実施の形態］第１８の実施の形
態は、図６４及び図６５に示すように、透明画素電極側
の有効画素面において一定方向に並んだ画素ラインの一
定ラインおきに、すなわち複数画素ラインごとに第３電
極１０１を形成した配置例である。第３電極１０１は、
それぞれ第３電極取り出し部１０２、１０３に接続され
ている。そして、図６５に示すように各画素間には、絶
縁層１００が形成されている。

【０１０３】［第１９の実施の形態］第１９の実施の形
態は、図６６及び図６７に示すように、透明画素電極側
の有効画素面において１画素ごとに第３電極点１０６を
形成した配置例である。第３電極点１０６は、図示しな
い配線により接続され、第３電極取り出し部１０２、１
０３に接続されている。そして、図６７に示すように各
画素間には、絶縁層１００が形成されている。

【０１０４】［第２０の実施の形態］第２０の実施の形
態は、図６８及び図６９に示すように、透明画素電極側
の有効画素面において一定の複数画素ごとに第３電極点
１０６を形成した配置例である。第３電極点１０６は、
図示しない配線により接続され、第３電極取り出し部１
０２、１０３に接続されている。そして、図６９に示す
ように各画素間には、絶縁層１００が形成されている。

【０１０５】次に、アクティブマトリクス型のエレクト
ロデポジション型表示素子において、透明画素電極側に
駆動用のＴＦＴを付設し、対極側である第２電極側に第
３電極を配置する構成例について説明する。以下の第２
１の実施の形態乃至第２５の実施の形態において基本と
なるエレクトロデポジション型表示素子の構成は、第２
電極が共通電極ではなく、ストライプ状に形成されてい
ること以外は、上述した第１４の実施の形態乃至第２０
の実施の形態と同様であり、図７０及び図７１に示す構
成である。すなわち、透明支持体１１１上に形成され、
駆動素子であるＴＦＴ１１４によって制御される第１の
透明電極である透明画素電極１１２と、電解質層１１５
と、透明画素電極１１２に対向する支持体１１３上に形
成された第２電極１１６とを備えて構成されるものであ
る。そして、透明画素電極１１２とＴＦＴ１１４とが１
つずつ組み合わされて画素を構成するように形成されて
おり、透明支持体１１１上に各画素がマトリクス状に配
列されている。

【０１０６】以下においては、第２電極１１６を形成し
た支持体１１３（以下、第２電極基板と呼ぶ場合があ
る。）に第３電極を配置した状態を対極側から見た平面
図及びその要部拡大図を各実施の形態ごとに示し、第３
電極の構成例を説明する。

【０１０７】［第２１の実施の形態］第２１の実施の形
態は、上述した第８の実施例における第２電極基板と同
様の構造を有する第２電極基板を用いたものであり、図
７２に示すように、第２電極１１６側の全有効画素を取
り囲むように第２電極基板に線状の第３電極１１７を配
置した配置例である。そして、第２電極１１６の両端
は、第２電極出し部１１８、１１９に接続されており、
第３電極１１７は第３電極取り出し部１２０、１２１、
１２２、１２３に接続されている。

【０１０８】［第２２の実施の形態］第２２の実施の形
態は、上述した第９の実施例における第２電極基板と同
様の構造を有する第２電極基板を用いたものであり、図
７３に示すように、第２電極１１６側の全有効画素を左
右２本の線状の第３電極１１７で挟むように第２電極基
板に線状の第３電極１１７を配置した配置例である。そ
して、第２電極１１６の両端は、第２電極出し部１１
８、１１９に接続されており、第３電極１１７は第３電
極取り出し部１２０、１２１、１２２、１２３に接続さ
れている。

【０１０９】［第２３の実施の形態］第２３の実施の形
態は、上述した第１０の実施例における第２電極基板と
同様の構造を有する第２電極基板を用いたものであり、
図７４に示すように、第２電極１１６側の全有効画素を
上下２本の線状の第３電極１１７で挟むように第２電極
基板に線状の第３電極１１７を配置した配置例である。
そして、第２電極１１６の両端は、第２電極出し部１１
８、１１９に接続されており、第３電極１１７は第３電
極取り出し部１２０、１２１、１２２、１２３に接続さ
れている。

【０１１０】［第２４の実施の形態］第２４の実施の形
態は、第２電極基板として上述した第１１の実施例の第
２電極基板を用いたものであり、図７５及び図７６に示
すように、第２電極基板に第２電極１１６のストライプ
構造と平行な方向で、第２電極１１６のストライプ間に
同数の線状の第３電極１１７を形成した配置例である。
そして、第２電極１１６の両端は、第２電極出し部１１
８、１１９に接続されており、第３電極１１７は第３電
極取り出し部１２０、１２１に接続されている。また、
図７６に示すように第２電極１１６上及び第３電極１１
７上には、当該第２電極１１６及び第３電極１１７に直
交するように絶縁層１２４が形成されている。

【０１１１】［第２５の実施の形態］第２５の実施の形
態は、第２電極基板として上述した第１２の実施例の第
２電極基板を用いたものであり、図７７及び図７８に示
すように、第２電極基板に第２電極１１６のストライプ
構造と平行な方向で、所定の本数おきに線状の第３電極
１１７を形成した配置例である。そして、第２電極１１
６の両端は、第２電極出し部１１８、１１９に接続され
ており、第３電極１１７は第３電極取り出し部１２０、
１２１に接続されている。また、図７８に示すように第
２電極１１６上及び第３電極１１７上には、当該第２電
極１１６及び第３電極１１７に直交するように絶縁層１
２４が形成されている。

【０１１２】次に、アクティブマトリクス型のエレクト
ロデポジション型表示素子において、第１の透明電極と
第２電極との間に第３電極を配置する構成例について説
明する。

【０１１３】［第２６の実施の形態］第２６の実施の形
態は、図７９に示すように、透明支持体１３１上に形成
され、駆動素子であるＴＦＴ１３４によって制御される
第１の透明電極である透明画素電極１３２と、電解質層
１３５と、透明画素電極１３２に対向する支持体１３３
上に形成されたＡｇ基板からなる第２電極１３６とを備
えて構成されるものである。ここで、透明画素基板は、
上述した図５４及び図５５に示した構造を有するもので
あり、透明画素電極１３２とＴＦＴ１３４とが１つずつ
組み合わされて形成される画素が透明支持体１３１上に
マトリクス状に配列されている。

【０１１４】また、透明画素電極１３２と第２電極１３
６との間に第３電極１３７が配置されている。ここで、
第３電極１３７には、網目構造の一辺が３０μｍ程度の
綾織り型のＡｇメッシュを用い、この第３電極１３７を
他の電極と短絡しないように不織布１３８に挟んだ状態
で透明画素電極１３２と第２電極１３６との間に配置さ
れている。

【０１１５】［第２７の実施の形態］第２７の実施の形
態は、図８０に示すように、透明支持体１３１上に形成
された第１の透明電極である透明画素電極１３２と、電
解質層１３５と、透明画素電極１３２に対向する支持体
１３３上に形成され、駆動素子であるＴＦＴ１３４によ
って制御される第２電極１３６とを備えて構成されるも
のである。そして、第２電極１３６とＴＦＴ１３４とが
１つずつ組み合わされて画素を構成するように形成され
ており、支持体１３３上に各画素がマトリクス状に配列
されている。

【０１１６】また、透明画素電極１３２と第２電極１３
６との間に第３電極１３７が配置されている。ここで、
第３電極１３７には、網目構造の一辺が３０μｍ程度の
綾織り型のＡｇメッシュを用い、この第３電極１３７を
他の電極と短絡しないように不織布１３８に挟んだ状態
で透明画素電極１３２と第２電極１３６との間に配置さ
れている。

【０１１７】次に、アクティブマトリクス型のエレクト
ロデポジション型表示素子において、第２電極側に駆動
用のＴＦＴを付設し、透明画素電極側に第３電極を配置
する構成例について説明する。以下の第２８の実施の形
態乃至第３４の実施の形態において基本となるエレクト
ロデポジション型表示素子は、図８１に示すように支持
体１４３上に形成され駆動素子であるＴＦＴ１４４によ
って制御され金属薄膜からなる第２電極１４６と、電解
質層１４５と、第２電極１４６に対向する第１の透明電
極１４２とを備えて構成されるものである。そして、第
１の透明電極１４２は、透明支持体１４１上にストライ
プ状に形成されている。また、電解質層１４５は、金属
イオンと着色剤を含有した電解液または高分子電解質に
より構成され、第１の透明電極１４２と第２電極１４６
間の空隙部に充填されてなるものである。

【０１１８】［第２８の実施の形態］第２８の実施の形
態は、図８２に示すように線状の第３電極１４７を透明
画素電極１４２側の全有効画素を取り囲むように透明画
素電極基板に形成した配置例である。透明画素電極１４
２の両端は、透明画素電極出し部１４８、１４９に接続
されており、第３電極１４７は第３電極取り出し部１５
０、１５１、１５２、１５３に接続されている。そし
て、図８３に示すように透明画素電極１４２上には、当
該透明画素電極１４２に直交するように絶縁層１５４が
形成されている。また、第３電極１４７が配置された部
分においては、図８４に示すように絶縁層１５４上に第
３電極１４７が形成される。このように、全有効画素を
取り囲むように第３電極を配置することにより開口率が
高くできるため、光取り出し効率の良好なエレクトロデ
ポジション型表示素子を構成することができる。

【０１１９】［第２９の実施の形態］第２９の実施の形
態は、図８５に示すように、透明画素電極１４２のスト
ライプ構造と平行な方向で、左右２本の線状の第３電極
１４７で全有効画素を挟むように第３電極１４７を透明
画素電極基板に形成した配置例である。透明画素電極１
４２の両端は、透明画素電極出し部１４８、１４９に接
続されており、左右２本の第３電極１４７は、それぞれ
第３電極取り出し部１５０、１５３、第３電極取り出し
部１５１、１５２に接続されている。そして、図８６に
示すように透明画素電極１４２上には、当該透明画素電
極１４２に直交するように絶縁層１５４が形成されてい
る。

【０１２０】［第３０の実施の形態］第３０の実施の形
態は、図８７に示すように、透明画素電極１４２のスト
ライプ構造と直交する方向で、上下２本の線状の第３電
極１４７で全有効画素を挟むように第３電極１４７を透
明画素電極に形成した配置例である。透明画素電極１４
２の両端は、透明画素電極出し部１４８、１４９に接続
されており、上下２本の第３電極１４７は、それぞれ第
３電極取り出し部１５０、１５１、第３電極取り出し部
１５２、１５３に接続されている。そして、図８８に示
すように透明画素電極１４２上には、当該透明画素電極
１４２に直交するように絶縁層１５４が形成されてい
る。また、第３電極１４７が配置された部分において
は、図８９に示すように絶縁層１５４上に第３電極１４
７が形成される。

【０１２１】［第３１の実施の形態］第３１の実施の形
態は、図９０に示すように、透明画素電極１４２のスト
ライプ構造と平行な方向で、透明画素電極１４２のスト
ライプ間に同数の線状の第３電極１４７を形成した配置
例である。透明画素電極１４２の両端は、透明画素電極
出し部１４８、１４９に接続されており、第３電極１４
７は、それぞれ第３電極取り出し部１５０及び第３電極
取り出し部１５１に接続されている。そして、図９１に
示すように透明画素電極１４２上及び第３電極１４７上
には、当該透明画素電極１４２及び第３電極１４７に直
交するように絶縁層１５４が形成されている。

【０１２２】［第３２の実施の形態］第３２の実施の形
態は、図９２に示すように、透明画素電極１４２のスト
ライプ構造と平行な方向で、所定の本数おきに線状の第
３電極１４７を形成した配置例である。透明画素電極１
４２の両端は、透明画素電極出し部１４８、１４９に接
続されており、第３電極１４７は、それぞれ第３電極取
り出し部１５０及び第３電極取り出し部１５１に接続さ
れている。そして、図９３に示すように透明画素電極１
４２上及び第３電極１４７上には、当該透明画素電極１
４２及び第３電極１４７に直交するように絶縁層１５４
が形成されている。

【０１２３】なお、本発明においては、透明画素電極及
び第２電極ならびに第３電極を構成する際は、電極ライ
ンのみを形成し、絶縁層を備えない構成としてすること
ができる。すなわち、例えば図９４に示すように透明支
持体１６１上において透明画素電極１６２と平行して第
３電極１６３のみを形成し、絶縁層を備えない構成とす
ることができる。

【０１２４】また、電極ラインに直交するようにパター
ニングして電極ライン上に絶縁層を備えた構成としても
良い。すなわち、例えば図９５に示すように透明支持体
１６１上において透明画素電極１６２と平行して第３電
極１６３を形成し、さらに、当該透明画素電極１６２上
及び第３電極１６３上に、これらに直交するようにパタ
ーニングした絶縁層１６４を備えた構成とすることもで
きる。このような構成とすることにより、絶縁層１６４
により画素を形成することができる。

【０１２５】さらに、画素部及び第３電極部のみを露出
するようにパターニングした絶縁層を備えた構成として
も良い。すなわち、例えば図９６に示すように透明支持
体１６１上において透明画素電極１６２と平行して第３
電極１６３を形成し、当該透明画素電極１６２と第３電
極１６３との空隙、及びこれらに平行な方向であって透
明画素電極１６１を覆い且つ第３電極１６２上を除いた
状態にパターニングした絶縁層１６４を備えた構成とす
ることもできる。このような構成とすることにより、透
明電極を保護するとともに絶縁層１６４により画素を形
成することができる。

【０１２６】なお、ここでは、透明画素電極基板につい
て説明したが、第２電極基板においても同様に構成する
ことができる。

【０１２７】

【実施例】以下では、具体的な実施例により本発明をさ
らに詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に
限定されるものではない。

【０１２８】［実施例１］ （表示極の作製）まず、厚さ１．５ｍｍで１０ｃｍ×１
０ｃｍのガラス基板上に、透明画素電極２０１として１
５０μｍピッチでライン状に配列されたＩＴＯ膜を公知
の方法により形成した。そして、ＩＴＯ膜のラインの中
央部に、これと平行するように１本の第３電極２０２を
形成した。ここで、第３電極２０２はＡｇを用いて幅１
μｍに形成した。さらに、有効画素部及びその周囲部に
おいて、ＩＴＯ膜のラインと直交するように絶縁層２０
３を被覆、パターニングして形成した。ついで、この基
板から公知の方法により駆動回路につながるリード部を
形成し、透明画素電極２０１は、透明画素電極取り出し
部２０４、２０５に接続し、また第３電極２０２は第３
電極取り出し部２０６、２０７に接続した。以上のよう
にして、図９７及び図９８に示す表示極を作製した。

【０１２９】（対極の作製）厚さ１．５ｍｍで８ｃｍ×
１２ｃｍの大きさのガラス基板上に、公知の方法により
Ｃｒ膜を蒸着させ、当該Ｃｒ膜上に１５０μｍピッチで
ライン状に配列された膜厚１０００ｎｍのＡｇ膜を公知
の方法により形成した。次に、有効画素部及びその周囲
部において、ＩＴＯ膜上に当該ＩＴＯ膜のラインと直交
するように絶縁層をパターニングして形成した。以上の
ようにして対極を作製した。

【０１３０】（高分子電解質層の作製）分子量約３５万
のポリエーテル１重量部と、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＳＯ）１０重量部と、ヨウ化ナトリウム１．７重量部
と、ヨウ化銀１．７重量部とを混合し、１２０℃に加熱
して、均一溶液を調整した。ついで、この均一溶液に下
記化５で現されるトリエタノールアミンと、下記化６で
現されるクマリンと、下記化７で現されるベンゾイミダ
ゾールを１０ｇ／ｌ、５ｇ／ｌ、５ｇ／ｌになるように
添加した。

【０１３１】

【化５】

【０１３２】

【化６】

【０１３３】

【化７】

【０１３４】さらに、これに平均粒径０．５μｍの二酸
化チタン０．２重量部を添加し、ホモジナイザーでこれ
を均一に分散せしめた。これを上記表示極のガラス基板
の上にドクターブレードにより厚さ１００μｍで塗布し
たのち、第２の電極である対極を直ちに貼り合わせ、ゲ
ル化した高分子電解質を二つの電極間に形成した。次い
で貼り合わせの端面を接着剤によって封止した。以上の
ようにして、実施例１に係るパッシブマトリクス型のエ
レクトロデポジション型表示装置を作製した。

【０１３５】（駆動と表示特性の評価）公知のパッシブ
マトリクス駆動回路により、発色時には１画素あたり１
０ｍＣ／ｃｍ^２の電気量で表示極側で還元反応を起こ
し、消色時には同一電気量で酸化することにより、着色
表示と無色（白色）表示とを切り替えた。駆動するにあ
たり、制御した入力波形としては電流であっても、電圧
であっても良い。

【０１３６】そして、第３電極の参照電極としての有効
性を確認するために、選択する透明画素電極を第３電極
からの距離を変化させてサイクリックボルタモグラム測
定を所定の画素ごとに行った。また、サイクリックボル
タモグラム測定は、対極画素ラインＡ（有効画素部の中
心から３５ｍｍ）の場合と、対極画素ラインＢ（有効画
素部の中心から５ｍｍ）の場合との２パターンにおいて
行い、各パターンにおいて、第３電極からの距離が５０
μｍ、５００μｍ、２ｍｍ、１０ｍｍ、４０ｍｍの各場
合について測定した。なお、入力波形として、電圧三角
波を５０ｍＶ／ｓｅｃで第３電極の参照極であるＡｇの
電位に対して、還元側としては−１．０Ｖ〜−１．５
Ｖ、酸化側としては＋１．０Ｖ〜＋１．４Ｖの範囲で印
可した。対極画素ラインＡの場合の結果を図９９に、対
極画素ラインＢの場合の結果を図１００に示す。

【０１３７】図９９及び図１００より判るように、第３
電極のすぐ隣の透明画素電極から最も遠い透明画素電極
までほぼ同様の結果が得られた。一般には、作用極とな
る透明画素電極と第３電極とができるだけ近接している
ことが好ましいとされるが、図９９及び図１００の結果
より、第３電極が、作用電極である透明画素電極との距
離にほぼ依存せずに有効に動作することが確認された。

【０１３８】すなわち、より信頼性を考慮して、より有
効に動作する第３電極の配置を考えると、透明画素電極
のストライプ間に同数の第３電極を配置することが好ま
しいといえる。しかしながら、透明画素電極側の開口率
とのトレードオフを考慮した場合には、本実施例のよう
に有効画素部の中央部に１本のライン状に第３電極を配
置した構造としても問題はなく、第３電極を有効に動作
させ、且つその効果を有効活用することが可能であると
考えられる。

【０１３９】また、上記の結果から、画素表示の手法と
しては、線順次法等に従って駆動させる際に、敢えて第
３電極を別個に設ける必要はなく、非選択状態にあり、
電気信号としては不活性になっている対極電極のうちの
一部に擬似的に第三電極としての役割を持たせることも
可能であるといえる。

【０１４０】［実施例２］ （表示極の作製）まず、厚さ１．５ｍｍで１０ｃｍ×１
０ｃｍのガラス基板上に、透明画素電極として１５０μ
ｍピッチで平面的に配列されたＩＴＯ膜とＴＦＴ（Thin
Filmtransistor）とを公知の方法により作製して画素
部２１１を構成した。そして、２本の第３電極が有効画
素部の略中央部において交差するように十文字に第３電
極２１２を配置した。ここで、第３電極２１２は銀を用
いて幅１μｍに形成した。さらに、画素部２１１と第３
電極２１２とを除いた有効画素部及びその周囲部におい
て、ＩＴＯ膜の画素ラインと直交するように絶縁層２１
３を被覆、パターニングして形成した。この基板から公
知の方法により駆動回路につながるリード部を形成し、
各画素部２１１は、透明画素電極取り出し部２１４、２
１５に接続し、また第３電極２１２は第３電極取り出し
部２１６、２１７、２１８、２１９に接続した。以上の
ようにして、図１０１及び図１０２に示す表示極を作製
した。

【０１４１】（対極の作製）厚さ１．５ｍｍで８ｃｍ×
１２ｃｍの大きさのガラス基板上に、公知の方法により
Ｃｒ膜を蒸着させ、当該Ｃｒ膜上に膜厚１０００ｎｍの
Ａｇ合金薄膜を公知の方法により形成して対極を作製し
た。

【０１４２】（高分子電解質層の作製）上述した実施例
１と同様にして高分子電解質を調整し、これを上記表示
極のガラス基板の上にドクターブレードにより厚さ１０
０μｍで塗布したのち、第２の電極である対極を直ちに
貼り合わせ、ゲル化した高分子電解質を二つの電極間に
形成した。次いで貼り合わせの端面を接着剤によって封
止した。以上のようにして、実施例２に係るアクティブ
マトリクス型のエレクトロデポジション型表示装置を作
製した。

【０１４３】（駆動と表示特性の評価）実施例１と同様
にして、対極画素ラインＡ（有効画素部の中心から３５
ｍｍ）の場合と、対極画素ラインＢ（有効画素部の中心
から５ｍｍ）の場合との２パターンにおいて、選択する
透明画素電極を第３電極からの距離を変化させてサイク
リックボルタモグラム測定を所定の画素ごとに行った。
対極画素ラインＡの場合の結果を図１０３に、対極画素
ラインＢの場合の結果を図１０４に示す。

【０１４４】図１０３及び図１０４より判るように、第
３電極のすぐ隣の透明画素電極から最も遠い透明画素電
極までほぼ同様の結果が得られた。一般には、作用極と
なる透明画素電極と第３電極とができるだけ近接してい
ることが好ましいとされるが、図１０３及び図１０４の
結果より、第３電極が、作用電極である透明画素電極と
の距離にほぼ依存せずに有効に動作することが判る。

【０１４５】すなわち、より信頼性を考慮して、より有
効に動作する第３電極の配置を考えると、画素部ごとに
第３電極を配置することが好ましいといえる。しかしな
がら、透明画素電極側の開口率とのトレードオフを考慮
した場合には、本実施例のように２本の第３電極が有効
画素部の略中央部において交差するように配置した構造
としても問題はなく、第３電極を有効に動作させ、且つ
その効果を有効活用することが可能であると考えられ
る。

【０１４６】［実施例３］ （表示極の作製）第３電極が形成されていないこと以外
は実施例１と同様にして表示極を作製した。

【０１４７】（対極の作製）有効画素部の中央部のみに
Ａｇにより幅１μｍの第３電極を形成したこと以外は、
上述した実施例１と同様にして図１０５及び図１０６に
示す対極を作製した。すなわち、有効画素部の中央部に
おいてライン状に配列された第２電極２２１に平行に１
本の第３電極２２２が配置されており、第２電極２２１
は第２電極取り出し部２２４、２２５に接続され、第３
電極２２２は第３電極取り出し部２２６、２２７に接続
されている。また、有効画素部及びその周囲部におい
て、ＩＴＯ膜上に当該ＩＴＯ膜のラインと直交するよう
に絶縁層２２３がパターニングして形成されている。

【０１４８】（高分子電解質層の作製）上述した実施例
１と同様にして高分子電解質を調整し、これを上記表示
極のガラス基板の上にドクターブレードにより厚さ１０
０μｍで塗布したのち、第２の電極である対極を直ちに
貼り合わせ、ゲル化した高分子電解質を二つの電極間に
形成した。次いで貼り合わせの端面を接着剤によって封
止した。以上のようにして、実施例３に係るパッシブマ
トリクス型のエレクトロデポジション型表示装置を作製
した。

【０１４９】（駆動と表示特性の評価）実施例１と同様
にして、対極画素ラインＡ（有効画素部の中心から３５
ｍｍ）の場合と、対極画素ラインＢ（有効画素部の中心
から５ｍｍ）の場合との２パターンにおいて、選択する
透明画素電極を第３電極からの距離を変化させてサイク
リックボルタモグラム測定を所定の画素ごとに行った。
対極画素ラインＡの場合の結果を図１０７に、対極画素
ラインＢの場合の結果を図１０８に示す。

【０１５０】図１０７及び図１０８より判るように、第
３電極のすぐ隣の透明画素電極から最も遠い透明画素電
極までほぼ同様の結果が得られた。一般には、作用極と
なる透明画素電極と第３電極とができるだけ近接し、且
つ深さ方向に関しても近接し、できれば同一平面上に位
置していることが好ましいとされる。しかしながら、図
１０７及び図１０８の結果より、第３電極が、作用電極
である透明画素電極との距離にほぼ依存せず、また、対
極側に配置されていても有効に動作することが判る。

【０１５１】すなわち、より信頼性を考慮して、より有
効に動作する第３電極の配置を考えると、上述した実施
例１のような構造が好ましいが、透明画素電極側に第３
電極を配置しない本実施例のような構造としても、特に
問題はなく、しかも最大限に透明画素電極側の開口率を
確保することが可能となるため好ましいと言える。

【０１５２】［実施例４］ （エレクトロデポジション型表示装置の作製）第３電極
をＡｇの代わりにＩＴＯにより形成したこと以外は、実
施例１と同様にしてパッシブマトリクス型のエレクトロ
デポジション型表示装置を作製した。

【０１５３】（駆動と表示特性の評価）実施例１と同様
にして、選択する透明画素電極を第３電極からの距離を
変化させて対極画素ラインＡ（有効画素部の中心から３
５ｍｍ）の場合についてサイクリックボルタモグラム測
定を所定の画素ごとに行った。その結果を図１０９に示
す。

【０１５４】図１０９より判るように、第３電極のすぐ
隣の透明画素電極から最も遠い透明画素電極までの距離
に応じて全体がシフトするような結果が得られた。これ
より、第３電極の効果が作用極である透明画素電極との
距離に依存しており、有効に動作していないことが判
る。しかしながら、各距離におけるシフト量だけ画素ラ
インごとに補正することにより、上記の実施例１と同様
に第３電極を有効に動作させることが可能である。ま
た、第３電極の数を増やすことによっても、上記の実施
例１と同様に第３電極を有効に動作させることが可能で
ある。ただし、駆動回路をより単純に構成するために
は、実施例１のような構成とすることが好ましい。

【０１５５】［実施例５］実施例２において作製したア
クティブマトリクス型のエレクトロデポジション型表示
装置に対して、実施例１と同様に実表示波形を印加し、
発色、消色のサイクルを繰り返し行った。また、該装置
において、第３電極を有効にせず、すなわち第３電極を
備えない系として表示極と対極との二極間で波形を印加
した場合についても同様にして発色、消色のサイクルを
繰り返し行い、これらの結果の比較を行った。なお、こ
のエレクトロデポジション型表示装置の初期特性は、無
色（白色）時の反射率は７０％であり、発色（黒色）時
の表示部の光学濃度（ＯＤ）は約０．８（反射率１３
％）であった。したがって、反射率のコントラストとし
ては１：５が得られた。

【０１５６】また、比較として第３電極を有効にせずに
二極方式で動作させた場合は、発色時の黒色濃度が１．
０以下になるまでの繰り返しサイクル回数は約８０００
万回であったのに対し、第３電極を有効にした場合は、
その２倍のサイクル数を繰り返しても発色時の黒色濃度
は１．０以下に低下することがなく、且つ消色時に消え
残りのような現象も発生しなかった。これより、第３電
極を用いることにより、第３電極を備えない従来の装置
と比較して、サイクル特性を大幅に向上させることが可
能であるといえる。また、第３電極を用いることによ
り、第３電極を備えない従来の装置と比較して、表示切
換を適切に制御することが可能であるといえる。すなわ
ち、第３電極を備えることにより、良好なサイクル特性
を備え、且つ表示品質の良好なエレクトロデポジション
型表示装置が実現できるといえる。

【０１５７】［実施例６］実施例３で作製した第３電極
の形成されていない表示極と、実施例１で作製した第３
電極の形成されていない対極とを使用し、第３電極とし
て網目構造の一辺が３０μｍ程度の綾織り型の銀メッシ
ュを用い、この第３電極を他の電極と短絡しないように
不織布に挟んだ状態で表示電極と対極との間に配置して
エレクトロデポジション型表示装置を作製した。なお、
高分子電解質層は、実施例１と同様にして構成した。

【０１５８】以上のようにして作製した実施例６に係る
パッシブマトリクス型のエレクトロデポジション型表示
装置に対して、実施例１と同様にしてサイクリックボル
タモグラム測定を行った。その結果、実施例１とほぼ同
様な結果が得られた。これにより、パッシブマトリクス
型のエレクトロデポジション型表示装置において、第３
電極を網目構造として表示極と対極との間に配置した場
合においても第３電極は有効に動作することが確認さ
れ、第３電極を用いることの有効性が確認された。

【０１５９】［実施例７］第３電極を形成しないこと以
外は、実施例２と同様にして表示極を作製し、また、厚
さ１．５ｍｍで８ｃｍ×１２ｃｍの大きさのガラス基板
上に第３電極を形成せずに公知の方法によりＡｇ薄膜で
ストライプ構造を有する第２電極を形成して対極を作製
した。これらの基板から公知の方法により駆動回路につ
ながるリード部を形成した。そして、第３電極として網
目構造の一辺が３０μｍ程度の綾織り型の銀メッシュを
用い、この第３電極を他の電極と短絡しないように不織
布に挟んだ状態で表示極と対極との間に配置してアクテ
ィブマトリクス型のエレクトロデポジション型表示装置
を作製した。なお、高分子電解質層は、実施例１と同様
にして構成した。

【０１６０】以上のようにして作製した実施例７に係る
エレクトロデポジション型表示装置に対して、実施例２
と同様にしてサイクリックボルタモグラム測定を行っ
た。その結果、実施例２とほぼ同様な結果が得られた。
これにより、アクティブマトリクス型のエレクトロデポ
ジション型表示装置において、第３電極を網目構造とし
て表示極と対極との間に配置した場合においても第３電
極は有効に動作することが確認され、第３電極を用いる
ことの有効性が確認された。

【０１６１】［実施例８］ （表示極の作製）まず、厚さ１．５ｍｍで１０ｃｍ×１
０ｃｍのガラス基板上に、透明画素電極としてＩＴＯ膜
を公知の方法により形成して表示極を作製した。

【０１６２】（対極の作製）厚さ１．５ｍｍで８ｃｍ×
１２ｃｍの大きさのガラス基板上に、公知の方法により
１５０μｍピッチで平面的に配列されたＡｇ合金膜とＴ
ＦＴ（Thin Filmtransistor）とを公知の方法により作
製して画素を形成した。そして、２本の第３電極が有効
画素部の略中央部において交差するように十文字に第３
電極を配置して対極を作製した。ここで、第３電極は銀
を用いて幅１μｍに形成した。この後は実施例２と同様
にしてアクティブマトリクス型のエレクトロデポジショ
ン型表示装置を作製した。

【０１６３】以上のようにして作製した実施例８に係る
エレクトロデポジション型表示装置に対して、実施例２
と同様にしてサイクリックボルタモグラム測定を行っ
た。その結果、実施例２とほぼ同様な結果が得られ、第
３電極のすぐ隣の素子電極から最も遠い素子電極までほ
ぼ同様の結果が得られた。これより、一般には、作用極
となる透明画素電極と第３電極とができるだけ近接して
いることが好ましいとされるが、本実施例のように第３
電極が対極側に配置された場合においても、作用電極で
ある透明画素電極との距離にほぼ依存せずに第３電極が
有効に動作していることが判る。

【０１６４】［実施例９］ （表示極の作製）まず、厚さ１．５ｍｍで１０ｃｍ×１
０ｃｍのガラス基板上に、透明画素電極として１５０μ
ｍピッチでライン状に配列されたＩＴＯ膜を公知の方法
により形成した。そして、ＩＴＯ膜のラインの中央部
に、これと平行するように１本の第３電極を形成した。
ここで、第３電極はＡｇを用いて幅１μｍに形成した。
さらに、有効画素部及びその周囲部において、ＩＴＯ膜
のラインと直交するように絶縁層を被覆、パターニング
して形成した。ついで、この基板から公知の方法により
駆動回路につながるリード部を形成した。以上のように
して表示極を作製した。

【０１６５】（対極の作製）第３電極を配置を形成しな
いこと以外は、実施例８と同様にして対極を作製した。
この後は、実施例２と同様にしてアクティブマトリクス
型のエレクトロデポジション型表示装置を作製した。

【０１６６】以上のようにして作製した実施例９に係る
エレクトロデポジション型表示装置に対して、実施例２
と同様にしてサイクリックボルタモグラム測定を行っ
た。その結果、実施例２とほぼ同様な結果が得られ、第
３電極のすぐ隣の素子電極から最も遠い素子電極までほ
ぼ同様の結果が得られた。これより、一般には、作用極
となる透明画素電極と第３電極とができるだけ近接して
いることが好ましいとされるが、第３電極が、作用電極
である透明画素電極との距離にほぼ依存せずに有効に動
作することが確認された。

【０１６７】

【発明の効果】本発明に係る電気化学表示素子及び電気
化学表示装置では、画素ごとにマトリクス駆動が可能で
あり、電解質層に含有された発色材料及び着色手段を利
用し、さらに第１の透明電極と第２電極とから独立して
設けられた第３電極を備える。

【０１６８】したがって、本発明に係る電気化学表示素
子及び電気化学表示装置によれば、サイクル特性に優
れ、コントラスト及び黒色濃度の高い表示を行うことが
可能とされた表示品質の高いエレクトロデポジション型
表示素子及びエレクトロデポジション型表示装置を提供
することができる。

【０１６９】また、本発明に係る電気化学表示素子の製
造方法及び電気化学表示装置の製造方法によれば、上述
の構造の電気化学表示素子及び電気化学表示装置を容易
に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の一構成例を示す斜視図である。

【図２】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の一構成例を示す断面図である。

【図３】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の一構成例を示す平面図である。

【図４】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の回路図である。

【図５】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の製造工程を説明する図である。

【図６】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の製造工程を説明する図である。

【図７】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の製造工程を説明する図である。

【図８】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の製造工程を説明する図である。

【図９】本発明に係るエレクトロデポジション型表示装
置の製造工程を説明する図である。

【図１０】本発明に係るエレクトロデポジション型表示
装置の製造工程を説明する図である。

【図１１】本発明に係るエレクトロデポジション型表示
装置の他の構成例を示す断面図である。

【図１２】本発明に係るエレクトロデポジション型表示
装置の他の構成例を示す断面図である。

【図１３】第３電極を第１の透明画素電極側に配したエ
レクトロデポジション型表示素子の一構成例を示す斜視
図である。

【図１４】図１３に示すエレクトロデポジション型表示
素子を上から見た平面図である。

【図１５】第３電極を第２電極側に配したエレクトロデ
ポジション型表示素子の一構成例を示す斜視図である。

【図１６】図１５に示すエレクトロデポジション型表示
素子を上から見た平面図である。

【図１７】従来のパッシブマトリクス型エレクトロデポ
ジション型表示装置の構成例を示す斜視図である。

【図１８】図１７に示すエレクトロデポジション型表示
素子を上から見た平面図である。

【図１９】図１７に示すエレクトロデポジション型表示
装置の透明画素電極基板を対極側から見た平面図であ
る。

【図２０】図１９中の矢印Ｂにおける要部拡大図であ
る。

【図２１】第１の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図２２】図２１中の矢印Ｃにおける要部拡大図であ
る。

【図２３】図２１中の矢印Ｄにおける要部拡大図であ
る。

【図２４】第２の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図２５】図２４中の矢印Ｅにおける要部拡大図であ
る。

【図２６】第３の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図２７】図２６中の矢印Ｆにおける要部拡大図であ
る。

【図２８】図２６中の矢印Ｇにおける要部拡大図であ
る。

【図２９】第４の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図３０】図２９中の矢印Ｈにおける要部拡大図であ
る。

【図３１】第５の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図３２】図３１中の矢印Ｉにおける要部拡大図であ
る。

【図３３】第６の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図３４】図３３中の矢印Ｊにおける要部拡大図であ
る。

【図３５】第７の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図３６】図３５中の矢印Ｋにおける要部拡大図であ
る。

【図３７】第２電極側に第３電極を配置したパッシブマ
トリクス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図３８】図３７中の矢印Ｌにおける要部拡大図であ
る。

【図３９】第８の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図４０】図３９中の矢印Ｍにおける要部拡大図であ
る。

【図４１】図３９中の矢印Ｎにおける要部拡大図であ
る。

【図４２】第９の実施の形態に係るパッシブマトリクス
型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図４３】図４２中の矢印Ｏにおける要部拡大図であ
る。

【図４４】第１０の実施の形態に係るパッシブマトリク
ス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極
基板を対極側から見た平面図である。

【図４５】図４４中の矢印Ｐにおける要部拡大図であ
る。

【図４６】図４４中の矢印Ｑにおける要部拡大図であ
る。

【図４７】第１１の実施の形態に係るパッシブマトリク
ス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極
基板を対極側から見た平面図である。

【図４８】図４７中の矢印Ｒにおける要部拡大図であ
る。

【図４９】第１２の実施の形態に係るパッシブマトリク
ス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電極
基板を対極側から見た平面図である。

【図５０】図４９中の矢印Ｓにおける要部拡大図であ
る。

【図５１】第１３の実施の形態に係るパッシブマトリク
ス型エレクトロデポジション型表示装置の断面図であ
る。

【図５２】透明画素電極側に駆動用ＴＦＴと第３電極と
を配置したアクティブマトリクス型エレクトロデポジシ
ョン型表示装置の断面図である。

【図５３】図５２のエレクトロデポジション型表示装置
を上から見た平面図である。

【図５４】図５２のエレクトロデポジション型表示装置
の透明画素電極を対極側から見た平面図である。

【図５５】図５４中の矢印Ｔにおける要部拡大図であ
る。

【図５６】第１４の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図５７】図５６中の矢印Ｕにおける要部拡大図であ
る。

【図５８】第１５の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図５９】図５８中の矢印Ｖにおける要部拡大図であ
る。

【図６０】第１６の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図６１】図６０中の矢印Ｗにおける要部拡大図であ
る。

【図６２】第１７の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図６３】図６２中の矢印Ｘにおける要部拡大図であ
る。

【図６４】第１８の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図６５】図６４中の矢印Ｙにおける要部拡大図であ
る。

【図６６】第１９の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図６７】図６６中の矢印Ｚにおける要部拡大図であ
る。

【図６８】第２０の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図６９】図６８中の矢印ＡＡにおける要部拡大図であ
る。

【図７０】透明画素電極側に駆動用ＴＦＴを配置し、対
極側に第３電極を配置したアクティブマトリクス型エレ
クトロデポジション型表示装置の断面図である。

【図７１】図７０のエレクトロデポジション型表示装置
を上から見た平面図である。

【図７２】第２１の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図７３】第２２の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図７４】第２３の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図７５】第２４の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図７６】図７５中の矢印ＡＢにおける要部拡大図であ
る。

【図７７】第２５の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図７８】図７７中の矢印ＡＣにおける要部拡大図であ
る。

【図７９】第２６の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の断面図であ
る。

【図８０】第２７の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の第２電極基
板を対極側から見た平面図である。

【図８１】第２電極側に駆動用ＴＦＴを配置し、透明画
素電極側に第３電極を配置したアクティブマトリクス型
エレクトロデポジション型表示装置の断面図である。

【図８２】第２８の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図８３】図８２中の矢印ＡＤにおける要部拡大図であ
る。

【図８４】図８３中の矢印ＡＥにおける要部拡大図であ
る。

【図８５】第２９の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図８６】図８５中の矢印ＡＦにおける要部拡大図であ
る。

【図８７】第３０の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図８８】図８７中の矢印ＡＧにおける要部拡大図であ
る。

【図８９】図８７中の矢印ＡＨにおける要部拡大図であ
る。

【図９０】第３１の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図９１】図９０中の矢印ＡＩにおける要部拡大図であ
る。

【図９２】第３２の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型エレクトロデポジション型表示装置の透明画素電
極基板を対極側から見た平面図である。

【図９３】図９２中の矢印ＡＪにおける要部拡大図であ
る。

【図９４】絶縁層を備えない電極ライン構造を示す斜視
図である。

【図９５】電極ラインに直交する絶縁層を備えた電極ラ
イン構造を示す斜視図である。

【図９６】画素部及び第３電極部のみを露出するように
パターニングされた絶縁層を備えた電極ライン構造を示
す斜視図である。

【図９７】実施例１に係るパッシブマトリクス型エレク
トロデポジション型表示装置の表示極を対極側から見た
平面図である。

【図９８】図９７中の矢印ＡＫにおける要部拡大図であ
る。

【図９９】実施例１のエレクトロデポジション型表示装
置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性図
である。

【図１００】実施例１のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【図１０１】実施例２に係るアクティブマトリクス型エ
レクトロデポジション型表示装置の表示極を対極側から
見た平面図である。

【図１０２】図１０１中の矢印ＡＬにおける要部拡大図
である。

【図１０３】実施例２のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【図１０４】実施例２のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【図１０５】実施例３に係るパッシブマトリクス型エレ
クトロデポジション型表示装置の対極を表示極側から見
た平面図である。

【図１０６】図１０５中の矢印ＡＭにおける要部拡大図
である。

【図１０７】実施例３のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【図１０８】実施例３のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【図１０９】実施例４のエレクトロデポジション型表示
装置のサイクリックボルタモグラム測定結果を示す特性
図である。

【符号の説明】

１ エレクトロデポジション型表示装置 ２ 透明支持体 ３ 透明画素電極 ４ ＴＦＴ ５ 電解質層 ６ 共通電極 ７ 支持体 ８ 第３電極 ９ 封着樹脂部

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の透明電極と、 着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出
   ・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層
   と、 上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる
   第２電極と、 上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３
   電極とを有することを特徴とする電気化学表示素子。
2. 【請求項２】 上記第３電極は、上記第１の透明電極が
   形成された基板上に電気的に絶縁された部材として配設
   されてなることを特徴とする請求項１記載の電気化学表
   示素子。
3. 【請求項３】 上記第３電極は、上記第２電極が形成さ
   れた基板上に電気的に絶縁された部材として配設されて
   なることを特徴とする請求項１記載の電気化学表示素
   子。
4. 【請求項４】 上記第３電極は、上記第１の透明電極と
   上記第２電極との間に電気的に絶縁された部材として配
   設されてなることを特徴とする請求項１記載の電気化学
   表示素子。
5. 【請求項５】 上記第３電極は、金属線または当該金属
   線を織り込んだ網目構造体からなることを特徴とする請
   求項４記載の電気化学表示素子。
6. 【請求項６】 上記第３電極は、絶縁体により狭装され
   ていることを特徴とする請求項５記載の電気化学表示素
   子。
7. 【請求項７】 上記第３電極は、上記第１の透明電極ま
   たは上記第２電極の有効画素部を囲む状態に配設されて
   なることを特徴とする請求項１記載の電気化学表示素
   子。
8. 【請求項８】 上記第３電極は、上記第１の透明電極ま
   たは上記第２電極の有効画素部を挟む状態に配設されて
   なることを特徴とする請求項１記載の電気化学表示素
   子。
9. 【請求項９】 上記第３電極は、上記第１の透明電極ま
   たは上記第２電極の有効画素部内において交差する状態
   に複数本の電極が配設されてなることを特徴とする請求
   項１記載の電気化学表示素子。
10. 【請求項１０】 上記第１の透明電極は、ＳｎＯ_２、Ｉ
    ｎ_２Ｏ_３またはこれらの混合物を主成分とすることを特
    徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
11. 【請求項１１】 上記第２電極は金属薄膜であることを
    特徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
12. 【請求項１２】 上記第３電極は金属薄膜であることを
    特徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
13. 【請求項１３】 上記第３電極は、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ
    _３またはこれらの混合物を主成分とする透明電極である
    ことを特徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
14. 【請求項１４】 上記第３電極は、表示不活性状態にあ
    る上記第１の透明電極または上記第２電極の一部である
    ことを特徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
15. 【請求項１５】 上記電解質層は、電解液または高分子
    電解質層からなることを特徴とする請求項１記載の電気
    化学表示素子。
16. 【請求項１６】 上記電解液または高分子電解質層は、
    金属塩またはアルキル四級アンモニウム塩を含有するこ
    とを特徴とする請求項１５記載の電気化学表示素子。
17. 【請求項１７】 上記電解液の溶媒は、水、エチルアル
    コール、イソプロピルアルコール、プロピレンカーボネ
    ート、ジメチルカーボネート、エチレンカーボネート、
    γ−ブチロラクトン、アセトニトリル、スルフォラン、
    ジメトキシエタン、ジメチルフォルムアミド、ジメチル
    スルフォキシド、またはこれらの混合物からなることを
    特徴とする請求項１５記載の電気化学表示素子。
18. 【請求項１８】 上記高分子電解質層を構成するマトリ
    クス高分子は、主骨格単位、若しくは側鎖単位、若しく
    はその両方に、アルキレンオキサイド、アルキレンイミ
    ン、アルキレンスルフィドの繰り返し単位を有する高分
    子材料、または、これらの異なる単位を複数含む共重合
    物、またはポリメチルメタクリレート誘導体、ポリフッ
    化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリロニト
    リル、ポリカーボネート誘導体、またはこれらの混合物
    若しくは積層物であることを特徴とする請求項１５記載
    の電気化学表示素子。
19. 【請求項１９】 上記高分子電解質層は、上記マトリク
    ス高分子に水、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
    ール、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネー
    ト、エチレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、アセ
    トニトリル、スルフォラン、ジメトキシエタン、ジメチ
    ルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド、またはこ
    れらの混合物からなる溶剤を添加してなることを特徴と
    する請求項１８記載の電気化学表示素子。
20. 【請求項２０】 上記高分子電解質層は複数の層からな
    り、上記着色手段が一部の層にだけ含まれていることを
    特徴とする請求項１５記載の電気化学表示素子。
21. 【請求項２１】 上記発色材料が析出する際の成長阻害
    剤、応力抑制剤、または光沢剤のうち少なくとも一種が
    上記電解質層に含まれることを特徴とする請求項１記載
    の電気化学表示素子。
22. 【請求項２２】 成長阻害剤、応力抑制剤、光沢剤は、
    酸素原子または硫黄原子を有する基を備えた有機化合物
    であることを特徴とする請求項２１記載の電気化学表示
    素子。
23. 【請求項２３】 上記発色材料が析出する際に、上記第
    １の透明電極及び上記第２の電極の何れででも起こりう
    る主としてアニオン種に起因した副反応を抑制するため
    の還元剤または酸化剤が上記電解質層に含まれることを
    特徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
24. 【請求項２４】 上記発色材料は、ビスマス、銅、銀、
    ナトリウム、リチウム、鉄、クロム、ニッケル、カドミ
    ウムの各イオン、またはこれらの組み合わせからなるイ
    オンであることを特徴とする請求項１記載の電気化学表
    示素子。
25. 【請求項２５】 上記着色手段は、無機顔料若しくは有
    機顔料または色素であることを特徴とする請求項１記載
    の電気化学表示素子。
26. 【請求項２６】 上記無機顔料は、二酸化チタン、炭酸
    カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムのそ
    れぞれの粉末からなることを特徴とする請求項２５記載
    の電気化学表示素子。
27. 【請求項２７】 上記第３電極と上記第１の透明電極と
    の間の電位を検知、または掃引して駆動されることを特
    徴とする請求項１記載の電気化学表示素子。
28. 【請求項２８】 上記第１の透明電極または上記第２電
    極のいずれかに駆動素子を備え、アクティブマトリクス
    方式で駆動されることを特徴とする請求項１記載の電気
    化学表示素子。
29. 【請求項２９】 上記第１の透明電極及び上記第２電極
    がマトリクス状に配され、パッシブマトリクス方式で駆
    動されることを特徴とする請求項１記載の電気化学表示
    素子。
30. 【請求項３０】 第１の透明電極と、着色手段及び電気
    化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって
    発色する発色材料を含有した電解質層と、上記第１の透
    明電極との間に上記電解質層を挟んでなる第２電極と、
    上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３
    電極とを有する電気化学表示素子を複数個、面状に配列
    してなることを特徴とする電気化学表示装置。
31. 【請求項３１】 透明支持体上に第１の透明電極を形成
    する工程と、 着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出
    ・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層
    を形成する工程と、 上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる
    第２電極を形成する工程と、 上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３
    電極を形成する工程とを有することを特徴とする電気化
    学表示素子の製造方法。
32. 【請求項３２】 透明支持体上に第１の透明電極を形成
    する工程と、 着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出
    ・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層
    を形成する工程と、 上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる
    第２電極を形成する工程と、 上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３
    電極を形成する工程とを有することを特徴とする電気化
    学表示装置の製造方法。